KR20140020750A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판의 유지 상태를 판별하는 장치의 배치 자유도 및 유지 상태 판정의 실행 시기의 자유도를 향상시키는 것을 목적으로 한다.
기판 처리 장치는, 기판 유지 부재에 의해 기판이 유지되었을 때에 기판이 존재할 수 있는 영역을 향해 검출광을 조사하는 투광기(61, 71)와, 투광기로부터 조사된 검출광을 받는 수광기(62, 72)를 구비한다. 기판 유지 부재에 유지된 기판의 주위에 위치하도록 설치된 기판 처리 장치의 구성 부재인 기판 주위 부재(20, 30, 31, 34, 38 등)를, 투광기로부터 수광기로 향하는 검출광의 광로(64, 74)가 통과하고 있다. 검출광은, 기판 주위 부재를 투과하고, 기판을 투과하지 않는 파장을 갖고 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판을 기판 유지 부재에 의해 유지한 상태로 기판에 정해진 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판 유지 부재에 의한 기판의 유지 상태를 광학적으로 검출하는 기술에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조를 위한 여러 가지 공정 중 하나로서, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 수직 축선 주위로 회전시키고, 회전하는 기판에 처리액을 공급함으로써 기판을 처리하는 액처리 공정이 있다. 이 액처리 공정을 실시할 때에, 기판 유지 부재에 의해 기판이 적절하게 유지되어 있지 않고, 예컨대 기판이 기판 유지 부재에 얹혀지거나 하면, 회전에 따라 기판이 기판 유지 부재로부터 탈락하여 기판이 파손될 우려가 있다. 이 때문에, 처리를 시작하기 전에 기판이 적절하게 유지되어 있는 것을 확인할 필요가 있다.
특허문헌 1에는, 기판 유지 부재의 기판의 유지 상태를 광학적으로 확인하기 위한 기판 유지 상태 판단 수단을 구비한 회전식 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 이 기판 유지 상태 판단 수단은, 복수 조의 투광기/수광기를 구비하고 있고, 각 조의 투광기 및 수광기는, 기판의 직경 방향에 대향하여 기판 주연부의 외측의 위치에 배치되어 있다. 특허문헌 1의 기판 처리 장치는, 처리를 행할 때에, 회전하는 기판에 공급되어 원심력에 의해 바깥쪽으로 비산되는 처리액을 받아내기 위한 승강이 자유로운 컵이 설치되어 있다. 각 조의 투광기 및 수광기는 상승 위치에 있는 컵의 외측에 위치하도록 배치되어 있다. 컵이 하강 위치에 있을 때에 기판의 유지 상태가 판정되고, 유지 상태가 적정하다고 판정되면, 컵이 기판의 주위를 둘러싸는 상승 위치로 이동되며, 이 상태에서 회전하는 기판에 처리액이 공급되어 정해진 액처리가 행해진다.
특허문헌 1의 기판 유지 상태 판단 수단은, 컵이 기판보다 낮은 높이에 있어 기판 주연부의 주위 공간이 개방되어 있을 때밖에, 유지 상태의 확인을 행할 수 있다. 즉, 특허문헌 1의 기판 유지 상태 판단 수단은, 기판 유지 부재의 기판의 유지 동작이 컵 안에서 행해지도록 구성된 기판 처리 장치에 적용할 수는 없다. 투광기/수광기를 컵 안에 배치함으로써, 상기 제약은 해소되지만, 투광기/수광기의 컵 안으로의 배치는, 컵 안의 습윤 환경 혹은 부식 환경을 고려하면 바람직하지 않다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평성8-316290호 공보
본 발명은, 기판 유지 부재에 의한 기판의 유지 상태를 판별하는 장치의 배치 자유도 및 유지 상태 판정의 실행 시기의 자유도를 향상시킨 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 유지하는 기판 유지 부재와, 상기 기판 유지 부재에 유지된 기판의 주위에 위치하도록 설치되고, 상기 기판 처리 장치의 구성 부재인 기판 주위 부재와, 검출광을 조사하는 투광기와, 상기 투광기로부터 조사된 검출광을 수광하는 수광기를 구비하고, 상기 투광기 및 상기 수광기는, 상기 투광기로부터 상기 수광기로 향하는 검출광의 광로가, 상기 기판 유지 부재에 의해 기판이 유지되었을 때에 기판이 존재할 수 있는 영역을 통과하고, 상기 기판 주위 부재를 통과하는 위치에 설치되어 있으며, 상기 투광기로부터 조사되는 검출광은, 상기 기판 주위 부재를 투과하고, 기판을 투과하지 않는 파장을 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.
일 실시형태에 있어서는, 상기 기판 유지 부재에 기판이 이상인 상태로 유지되었을 때에 상기 광로가 상기 기판에 의해 차단되고, 상기 기판 유지 부재에 기판이 정상인 상태로 유지되었을 때에 상기 광로가 상기 기판에 의해 차단되지 않도록, 상기 투광기 및 상기 수광기를 배치할 수 있다. 혹은, 상기 기판 유지 부재에 기판이 정상적으로 유지되었을 때에, 상기 광로가 상기 기판 유지 부재에 의해 유지된 기판에 의해 차단되도록, 상기 투광기 및 상기 수광기를 배치할 수도 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판 처리 방법에 있어서, 기판을 기판 유지 부재에 의해 유지하는 단계와, 투광기로부터 검출광을 조사하고, 이 검출광을 수광기에 의해 수광하여, 상기 수광기에 의한 수광 유무 또는 수광 상태에 따라 상기 기판 유지 부재에 의한 기판의 유지 상태를 판정하는 단계와, 상기 기판이 상기 기판 유지 부재에 적절하게 유지되어 있다고 판정된 후에, 상기 기판 유지 부재에 유지된 상기 기판에 처리 유체를 공급하여 상기 기판에 처리를 행하는 단계를 포함하고, 상기 투광기 및 상기 수광기는, 상기 투광기로부터 상기 수광기로 향하는 검출광의 광로가, 상기 기판 유지 부재에 의해 기판이 유지되었을 때에 기판이 존재할 수 있는 영역을 통과하고, 상기 기판의 주위에 위치하는 기판 처리 장치의 구성 부재인 기판 주위 부재를 통과하는 위치에 설치되어 있으며, 상기 투광기로부터 조사되는 검출광은, 상기 기판 주위 부재를 투과하고, 기판을 투과하지 않는 파장을 갖는 기판 처리 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 기판의 유지 상태를 판별하는 장치의 배치 자유도 및 유지 상태 판정의 실행 시기의 자유도를 대폭 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 종단면도로서, 웨이퍼가 적절하게 기판 유지 부재에 유지된 상태를 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에 있어서, 기판 처리 장치와, 외부의 기판 반송 아암 사이에서의 웨이퍼의 전달에 대해서 설명한 도면으로서, 전달에 관여하지 않는 구성 부재의 일부의 표시를 생략한 도면이다.
도 3은 기판 유지 부재에 의한 웨이퍼의 유지 상태를 설명한 도면으로서, (a)는 웨이퍼가 적정하게 유지되어 있는 상태를 도시하고, (b)는 웨이퍼의 얹힘이 발생하고 있는 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 기판 처리 장치에 있어서의 수광기의 다른 배치를 설명한 개략도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.
기판 처리 장치는, 케이스(10)와, 이 케이스(10) 내에 설치되어 웨이퍼(W)를 유지하는 원판형의 유지 플레이트(30)와, 유지 플레이트(30)의 위쪽에 설치되어 웨이퍼(W)를 아래쪽에서 지지하는 복수 예컨대 3개의 리프트핀(22)을 갖는 원판형의 리프트핀 플레이트(20)와, 유지 플레이트(30)를 회전시키는 전동 모터 등을 구비한 회전 구동부(36)와, 유지 플레이트(30)의 중심 부분에 형성된 관통 구멍(30a) 및 리프트핀 플레이트(20)의 중심 부분에 형성된 관통 구멍(20a)을 통과하도록 설치된 처리 유체 공급관(40)을 구비한다.
케이스(10)의 천장부에는, 팬 필터 유닛(FFU)(11)이 부착되어 있고, 이 FFU(11)에 의해 케이스(10)의 내부 공간에, 상부에서 하부로 향하는 청정 공기의 다운플로우가 형성된다. 케이스(10)의 하나의 측벽(10a)에는, 웨이퍼(W)의 반출입구(12)가 설치되어 있고, 반출입구(12)는 셔터(13)에 의해 개폐할 수 있다. 케이스(10)의 바닥벽에는, 케이스(10) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기로(14)가 설치되어 있다.
리프트핀 플레이트(20) 및 처리 유체 공급관(40)은, 승강시킬 수 있다. 도 1은 리프트핀 플레이트(20) 및 처리 유체 공급관(40)이 각각의 하강 위치에 있을 때의 상태를 나타내고 있고, 도 2는 리프트핀 플레이트(20) 및 처리 유체 공급관(40)이 각각의 상승 위치에 있을 때의 상태를 나타내고 있다.
유지 플레이트(30)의 상면에는, 접속 부재(32)를 통해 회전컵(31)이 부착되어 있다. 회전컵(31)은, 리프트핀 플레이트(20) 및 처리 유체 공급관(40)이 하강 위치에 있을 때에, 유지 플레이트(30)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 외주연부를 둘러싼다. 유지 플레이트(30)에는, 웨이퍼(W)를 유지하는 3개의(도 1에서는 2개만, 도 2에서는 1개만 도시함) 기판 유지 부재(34)가 설치되고, 유지 플레이트(30)의 주연부를 따라 등간격으로 배치되어 있다.
유지 플레이트(30)의 하면의 중심 부분에는, 이 유지 플레이트(30)의 하면으로부터 아래쪽으로 연장되는 중공(中空)의 회전축(35)이 부착되어 있다. 회전축(35)의 중공 부분에는 처리 유체 공급관(40)이 수용되어 있다. 회전축(35)은 베어링(도시하지 않음)에 의해 지지되어 있고, 전동 모터 등의 회전 구동부(36)에 의해 회전시킬 수 있으며, 이에 따라 유지 플레이트(30)도 회전한다.
유지 플레이트(30)에는 3개의 관통 구멍이 형성되어 있고, 각 관통 구멍에는 리프트핀 플레이트(20)에 결합된 접속 부재(24)가 슬라이드 가능하게 통과되고 있다. 따라서, 접속 부재(24)는, 유지 플레이트(30)와 리프트핀 플레이트(20)와의 상대적 회전을 금지하여 유지 플레이트(30) 및 리프트핀 플레이트(20)를 양쪽이 일체적으로 회전하도록 연결하는 한편, 유지 플레이트(30)와 리프트핀 플레이트(20)와의 상대적 상하 이동을 허용한다. 또한, 유지 플레이트(30)의 하면에는, 각 접속 부재(24)에 대응하는 위치에, 3개의 원통 부재(37)가 설치되어 있다. 각 원통 부재(37)는 각각 하나의 접속 부재(24)를 수용한다. 각 원통 부재(37) 내에는 접속 부재(24)를 아래쪽으로 압박하는 스프링(26)이 수용되어 있다.
회전컵(31)의 바깥쪽에는 외부컵(38)이 설치되어 있고, 유지 플레이트(30) 및 회전컵(31)은 외부컵(38)에 의해 둘러싸인다. 웨이퍼(W)에 공급된 후에 웨이퍼(W)의 회전에 의해 바깥쪽으로 비산되어 외부컵(38)에 의해 받아진 세정액은, 외부컵(38)에 접속된 배액관(39)에 의해 배출된다.
각 기판 유지 부재(34)는 축(34a)을 통해 유지 플레이트(30)에 지지되고, 축(34a)을 중심으로 요동할 수 있다. 축(34a)에는, 기판 유지 부재(34)를 웨이퍼(W)로부터 이격되는 방향으로 회전시키도록 압박하는 비틀림 스프링 등의 스프링 부재(도시하지 않음)가 장착되어 있다. 따라서, 기판 유지 부재(34)에 아무런 힘이 가해져 있지 않은 경우에는, 기판 유지 부재(34)는 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 해방하는 해방 위치에 위치한다.
기판 유지 부재(34)는, 기판 유지 부분(34b)과, 피압박 부분(34c)을 갖고 있다. 리프트핀 플레이트(20)가 상승 위치로부터 하강 위치로 이동하면, 기판 유지 부재(34)는, 리프트핀 플레이트(20)의 하면에 의해 피압박 부분(34c)이 아래쪽으로 눌림으로써, 축(34a)을 중심으로 도 1 및 도 2 중에 있어서의 반시계 방향으로 회전한다. 이에 따라 기판 유지 부분(34b)이 웨이퍼(W)에 근접하도록 변위한다. 리프트핀 플레이트(20)가 하강 위치에 도달했을 때에, 3개의 기판 유지 부재(34)에 의해 유지된다. 이 때의 기판 유지 부재(34)의 위치를 유지 위치라고 부른다. 웨이퍼(W)가 기판 유지 부재(34)에 의해 유지된 후에, 리프트핀 플레이트(20)가 약간 더 하강하고, 이에 따라 웨이퍼(W)는 리프트핀(22)의 선단으로부터 약간 멀어진다.
처리 유체 공급관(40)은, 리프트핀 플레이트(20)의 중앙 부분에 형성된 관통 구멍(20a), 유지 플레이트(30)의 중앙 부분에 형성된 관통 구멍(30a) 및 중공의 회전축(35)의 내부 공간을 통과하고 있고, 리프트핀 플레이트(20) 및 유지 플레이트(30)가 회전할 때에도 회전하지 않도록 되어 있다. 처리 유체 공급관(40)의 내부에는, 이 기판 처리 장치에 의해 실행되는 처리에 필요한 처리 유체를 흐르게 하기 위한 1개 또는 복수의 유체 공급로(41)가 축 방향으로 연장되어 있다. 각 유체 공급로(41)의 상단의 개구부(42)는, 처리 유체를 기판에 토출하기 위한 노즐의 토출구가 된다. 각 유체 공급로(41)에는, 개략적으로 나타낸 유체 공급 기구(43)에 의해 처리 유체가 공급된다. 유체 공급 기구(43)는 유체 공급원에 접속된 개폐 밸브, 유량 조정 밸브 등(도시하지 않음)을 구비한다. 처리 유체로는, DHF, SC1 등의 약액, DIW 등의 린스액, 건조 보조 유체로서의 N2 가스 등이 예시되지만, 물론 이들로 한정되지는 않는다.
처리 유체 공급관(40)은 접속 부재(52)를 통해 승강 구동부(50)에 의해 승강한다. 또한, 3개의 압봉(押棒)(54)(1개만이 도시되어 있음)이 연동 부재(56)를 통해 처리 유체 공급관(40)에 접속되어 있다. 도 1에 도시된 상태에서, 승강 구동부(50)에 의해 처리 유체 공급관(40)을 상승시키면, 그것에 연동하여 압봉(54)도 상승하고, 압봉(54)이 대응하는 각도 위치에 있는 접속 부재(24)를 위쪽으로 밀어 올린다. 이에 따라, 도 2에 도시된 바와 같이, 리프트핀 플레이트(20)가 상승 위치에 도달한다. 이 상태로부터, 승강 구동부(50)에 의해 처리 유체 공급관(40)을 하강시키면, 리프트핀 플레이트(20)는 하강 위치로 이동하여 유지 플레이트(30) 상에 배치되고, 또한, 압봉(54)도 처리 유체 공급관(40)과 연동하여 하강하여 접속 부재(24)로부터 멀어지며, 접속 부재(24)는 스프링(26)의 힘에 의해 하강한다.
기판 처리 장치는 유지 플레이트(30)에 의한 웨이퍼(W)의 유지 상태를 판정하기 위한 제1 유지 상태 판정 장치(60) 및 제2 유지 상태 판정 장치(70)를 더 구비하고 있다. 제1 유지 상태 판정 장치(60)는 웨이퍼(W)의 유무를 검출하기 위한 것이다. 제2 유지 상태 판정 장치(70)는, 기판 유지 부재(34)의 기판 유지 부분(34b)에 웨이퍼(W)가 얹혀져 있는지의 유무를 검출하기 위한 것이다.
제1 유지 상태 판정 장치(60)는, 검출광을 조사하는 투광기(61)와, 검출광을 수광하여 수광 상태에 따른 검출 신호를 출력하는 수광기(62)와, 수광기(62)로부터 출력된 검출 신호에 기초하여 웨이퍼(W)의 유지 상태를 판정하는 판정부(63)를 구비한다.
투광기(61)는, 검출광으로서, 평행광을 조사할 수 있도록 구성된 평행광 LED(Light Emitting Diode)을 구비하여 구성되어 있다. LED광의 파장은 바람직하게는 880 ㎚이다. 880 ㎚의 LED광은, 실리콘 웨이퍼를 가열하기 위해서 이용되는 것으로서, 실리콘 웨이퍼에 매우 잘 흡수되며, 실리콘 웨이퍼를 거의 투과하지 않는다.
수광기(62)는, 검출광의 파장에 대하여 정해진 감도, 바람직하게는 높은 감도를 갖는 포토센서를 갖고 있다. 수광기(62)는, 예컨대, 상기 감도를 갖는 포토센서를 구비한 CCD(전하 결합 소자) 2차원 이미지 센서에 의해 구성할 수 있다. 수광기(62)로서, 파장 880 ㎚의 LED광을 선택적으로 검출할 수 있도록 밴드패스 필터, 석영 유리 내지 붕규산 유리 등으로 이루어진 윈도우를 갖고 있는 것을 이용하는 것도 바람직하다.
도시된 실시형태에 있어서는, 투광기(61)는 케이스(10)의 천장벽(10c)의 외측에 설치되고, 수광기(62)는 케이스(10)의 바닥벽(10d)의 외측에 설치되어 있다. 따라서, 투광기(61)로부터 조사되어 수광기(62)에 이르는 검출광의 광로(64)는, 케이스(10)의 천장벽(10c), 리프트핀 플레이트(20), 유지 플레이트(30), 그리고 케이스(10)의 바닥벽(10d)을 통과하도록 설정되어 있다. 이들 검출광의 광로(64)가 통과하는 부재는, 적어도 광로(64)가 통과하는 부분이, 검출광을 투과하는 재료에 의해 구성되어 있다. 이러한 재료로서, PEEK(폴리에테르에테르케톤), PVC(폴리염화비닐), PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)이 예시된다. PEEK 및 PTFE는 반도체 제조 장치에 있어서의 내약품성 수지 재료로서 자주 이용되고 있고, 케이스(10), 리프트핀 플레이트(20) 및 유지 플레이트(30) 중 적어도 일부를 구성하는 재료로서 이용하는 것에 아무런 문제점은 없다. 또한, PEEK 및 PTFE와 같은 반도체 장치에 있어서 자주 이용되는 내약품성 수지 재료의 대부분은 1100 ㎚보다 장파장측에 흡수 피크를 갖고 있기 때문에, 검출광의 파장은 1100 ㎚ 이하인 것이 바람직하다.
도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 유지 플레이트(30)에 유지되어 있으면, 투광기(61)로부터의 검출광이 웨이퍼(W)에 의해 차단되기 때문에, 수광기(62)에는 도달하지 않는다. 한편, 웨이퍼(W)가 유지 플레이트(30)에 유지되어 있지 않을 때에는, 투광기(61)로부터의 검출광은, 케이스(10)의 천장벽(10c), 리프트핀 플레이트(20), 유지 플레이트(30), 그리고 케이스(10)의 바닥벽(10d)을 투과하여 수광기(62)에 입사된다. 이와 같이 웨이퍼(W)의 유무에 따라 수광기(62)의 수광 상태가 변화되고, 이것에 따라 수광기(62)로부터 출력되는 출력 신호가 변화되기 때문에, 이 변화에 기초하여 판정부(63)는 웨이퍼의 유무를 판정할 수 있다.
제2 유지 상태 판정 장치(70)도, 제1 유지 상태 판정 장치(60)와 마찬가지로, 투광기(71)와, 수광기(72)와, 판정부(73)를 구비한다. 투광기(71) 및 수광기(72)는, 투광기(61) 및 수광기(62)와 같은 것을 이용할 수 있다.
투광기(71)로부터 조사되어 수광기(72)에 이르는 검출광의 광로(74)는, 케이스(10)의 측벽(10b), 기판 유지 부재(34)의 기판 유지 부분(34b)의 선단부, 회전컵(31), 외부컵(38), 케이스(10)의 측벽(10a)을 통과하도록 설정되어 있다. 이들 검출광의 광로(74)가 통과하는 부재는, 적어도 광로(74)가 통과하는 부분이, 검출광을 투과하는 재료에 의해 구성되어 있다. 예컨대, 회전컵(31) 및 외부컵(38)은, PEEK 또는 PTFE에 의해 형성할 수 있다. 또한, 광로(74)를 기판 유지 부재(34)의 기판 유지 부분(34b)의 선단부를 통과시키는 대신에, 기판 유지 부분(34b)의 선단부의 옆쪽 근방을 통과시켜도 좋다.
도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판 유지 부재(34)가 적정하게 웨이퍼(W)를 유지하고 있는 경우에는, 검출광의 광로(74) 상에 웨이퍼(W)가 존재하지 않기 때문에, 투광기(71)로부터 조사된 검출광은 수광기(72)에 입사된다. 한편, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 기판 유지 부분(34b)의 선단부 위에 웨이퍼(W)가 얹혀 있는 경우에는, 검출광의 적어도 일부가 웨이퍼(W)에 의해 차단되고, 수광기(72)에 검출광이 입사되지 않게 되거나 혹은 입사 광량이 적어진다. 이와 같이 웨이퍼(W)가 얹혀 있는지의 유무에 따라 수광기(72)의 수광 상태가 변화되고, 이것에 따라 수광기(72)로부터 출력되는 출력 신호가 변화되기 때문에, 이 변화에 기초하여 판정부(73)는 웨이퍼가 얹혀 있는지의 유무를 판정할 수 있다.
기판 처리 장치는, 그 전체의 동작을 통괄 제어하는 컨트롤러(제어 장치)(100)를 갖고 있다. 컨트롤러(100)는, 기판 처리 장치의 모든 기능 부품[예컨대, 회전 구동부(36), 승강 구동부(50), 유체 공급 기구(43), 제1 및 제2 유지 상태 판정 장치(60, 70) 등]의 동작을 제어한다. 컨트롤러(100)는, 하드웨어로서 예컨대 범용 컴퓨터와, 소프트웨어로서 이 컴퓨터를 동작시키기 위한 프로그램(장치 제어 프로그램 및 처리 레시피 등)에 의해 실현할 수 있다. 소프트웨어는, 컴퓨터에 고정적으로 설치된 하드디스크 드라이브 등의 기억 매체에 저장되거나 혹은 CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 착탈 가능하게 컴퓨터에 세트되는 기억 매체에 저장된다. 이러한 기억 매체가 참조부호 101로 표시되어 있다. 프로세서(102)는 필요에 따라 도시하지 않은 사용자 인터페이스로부터의 지시 등에 기초하여 정해진 처리 레시피를 기억 매체(101)로부터 호출하여 실행시키고, 이것에 의해 컨트롤러(100)의 제어 하에서 기판 처리 장치의 각 기능 부품이 동작하여 정해진 처리가 행해진다. 컨트롤러(100)는, 기판 처리 장치가 내장되어 있는 기판 처리 시스템 전체의 동작을 제어하는 시스템 컨트롤러이거나 혹은 이러한 시스템 컨트롤러와 링크되어 동작하는 컨트롤러라고 할 수 있다.
다음으로, 기판 처리 장치의 동작에 대해서 설명한다. 하기의 동작은 컨트롤러(100)의 제어 하에서 행해진다.
우선, 리프트핀 플레이트(20) 및 처리 유체 공급관(40)을 도 2에 도시된 상승 위치에 위치시킨다. 다음으로, 셔터(13)가 개방되어 피처리면을 하향으로 하여 웨이퍼(W)를 유지한 반송 아암(90)이, 기판 처리 장치의 외부로부터 케이스(10)의 내부로 진입하고, 웨이퍼(W)(도 2 중에 있어서 이점쇄선으로 나타냄)가 리프트핀 플레이트(20)의 바로 위에 위치한다. 계속해서, 반송 아암(90)이 하강하여, 웨이퍼(W)(도 2 중에 있어서 실선으로 나타냄)가 리프트핀 플레이트(20)의 리프트핀(22) 상에 배치된다.
다음으로, 리프트핀 플레이트(20) 및 처리 유체 공급관(40)을 도 1에 도시된 하강 위치로 이동시킨다. 이것에 의해, 전술한 바와 같이, 기판 유지 부재(34)가 요동하고, 웨이퍼(W)는 기판 유지 부재(34)에 의해 유지되며, 또한, 웨이퍼(W)는 리프트핀(22)으로부터 멀어져 약간 위쪽에 위치한다. 이상에 의해, 웨이퍼(W)의 반입이 종료된다.
웨이퍼(W)의 반입이 종료되면, 제1 유지 상태 판정 장치(60) 및 제2 유지 상태 판정 장치(70)가 동작하고, 웨이퍼(W)의 유지 상태가 판정된다.
제1 유지 상태 판정 장치(60)는, 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 유무를 판정한다. 또한, 웨이퍼(W)가 없다고 하는 상황은, 예컨대, 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 케이스(10) 내에 진입해야만 하는 반송 아암(90)이, 기판 처리 장치의 외부에서 발생한 어떠한 문제점에 의해 웨이퍼(W)를 유지하고 있지 않은 것에 기인하는 것으로 생각된다.
제2 유지 상태 판정 장치(70)는, 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 기판 유지 부재(34) 상에 얹혀 있는지의 유무를 판정한다. 또한, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같은 얹힘은, 예컨대, 반송 아암(90)이 리프트핀 플레이트(20) 상의 부적절한 위치에 배치됨으로써 발생할 수 있다. 웨이퍼(W)의 반입/반출을 행하는 경우에는, 회전 각도 제어 기능을 갖는 회전 구동부(36)가, 접속 부재(24)와 압봉(54)이 수직 방향으로 정렬되는 각도 위치에서 리프트핀 플레이트(20) 및 유지 플레이트(30)를 정지시킨다. 또한, 회전 구동부(36)의 회전 각도 제어 기능을 실현하기 위해서, 회전 구동부(36) 또는 회전축(35)의 회전 각도 위치를 검출하기 위한 도시하지 않은 회전 각도 센서가 설치되어 있다. 또한, 유지 플레이트(30)가 이러한 각도 위치에 있을 때에, 기판 유지 부재(34)를 제2 유지 상태 판정 장치(70)의 광로(74)가 가로지르도록 투광기(71) 및 수광기(72)가 설치되어 있다.
웨이퍼(W)를 유지하고 있는 유지 플레이트(30)를 회전시켜 3개의 기판 유지 부재(34)를 광로(74)와 교차하는 위치에 순차 위치시킴으로써, 1개의 제2 유지 상태 판정 장치(70)에 의해 각 기판 유지 부재(34)에 대해 웨이퍼(W)가 얹혀 있는지 유무의 판정을 행할 수 있다. 이 대신에, 제2 유지 상태 판정 장치(70)를 3개 설치하여도 좋다. 이 경우, 유지 플레이트(30)가 상기 각도 위치에 있을 때에, 각 제2 유지 상태 판정 장치(70)의 검출광의 광로(74)가 각각 3개의 기판 유지 부재(34) 중 하나를 가로지르도록 한다. 그렇게 하면, 3개의 기판 유지 부재(34)에 있어서의 웨이퍼(W)가 얹혀 있는지 유무의 판정을 한번에 행할 수 있다.
제1 유지 상태 판정 장치(60) 및 제2 유지 상태 판정 장치(70)에 의해 웨이퍼(W)의 유지 상태가 적정하다고 판정되면, 회전 구동부(36)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키고, 처리 유체 공급관(40) 상단의 개구부(42)로부터 필요한 처리 유체를 웨이퍼(W)의 하면에 공급함으로써, 웨이퍼(W)에 정해진 처리(약액 세정 처리, 린스 처리, 건조 처리 등)가 행해진다.
제1 유지 상태 판정 장치(60)의 판정부(63)에 의해 웨이퍼(W)가 없다고 판정된 경우, 판정부(63)는 컨트롤러(100)에 그 취지를 통지하는 신호를 보낸다. 컨트롤러(100)는, 그 후의 처리는 행하지 않고, 별도의 웨이퍼(W)가 로드될 때까지 기판 처리 장치를 대기 상태에 있게 한다. 이것에 따르면, 불필요한 처리 유체의 소비를 방지할 수 있다. 또한, 도시된 실시형태의 경우, 웨이퍼(W)가 없는 상태에서 처리 유체 공급관(40)으로부터 처리액을 토출시키면, 처리액이 케이스(10) 내로 비산되어 케이스 내부를 오염시키게 되지만, 웨이퍼의 유무를 판정함으로써, 그와 같은 사태를 미연에 방지할 수 있다.
제2 유지 상태 판정 장치(70)의 판정부(73)에 의해 웨이퍼(W)의 얹힘이 발생하고 있다고 판정된 경우, 판정부(73)는 컨트롤러(100)에 그 취지를 통지하는 신호를 보낸다. 컨트롤러(100)는, 승강 구동부(50)를 동작시키고, 반송 아암(90)의 컨트롤러에 지시를 보내어, 웨이퍼(W)의 유지 동작의 재시행[즉, 일단 웨이퍼를 반송 아암(90)으로 되돌린 후에, 재차 기판 유지 부재(34)에 의해 웨이퍼(W)를 유지시킴]을 행한다. 재시행을 행한 후에, 판정부(73)로부터 재차의 판정이 행해지며, 웨이퍼(W)가 적절하게 유지되어 있는 것이 확인된 경우에는, 웨이퍼(W)에 정해진 처리가 행해진다. 재시행의 후에 있어서도 웨이퍼(W)가 적절하게 유지되어 있지 않다고 판정된 경우에는, 컨트롤러(100)는, 디스플레이 또는 경보음 발생 장치 등의 알람 수단(도시하지 않음)을 이용하여, 오퍼레이터에게 이상을 통지한다. 이것을 수신하여 오퍼레이터는 메인터넌스 작업을 행한다.
정해진 처리가 종료되면, 승강 구동부(50)에 의해 리프트핀 플레이트(20) 및 처리 유체 공급관(40)을 하강 위치로부터 상승 위치까지 이동시킨다. 이 과정에 있어서, 기판 유지 부재(34)로부터 웨이퍼(W)가 해방되어 리프트핀 플레이트(20)의 리프트핀(22) 상에 배치된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 개방된 반출입구(12)를 통해 케이스(10) 내로 진입된 반송 아암(90)에 의해 수취되고[웨이퍼(W)의 언로드], 기판 처리 장치의 외부로 반송된다.
상기 실시형태에 따르면, 검출광의 파장을 웨이퍼(W)를 투과하지 않는 파장으로 설정하고, 또한, 투광기(61, 71)로부터 수광기(62, 72)에 이르는 검출광의 광로(64, 74)가 통과하는 기판 주위 부재[기판 유지 부재(34)에 유지된 웨이퍼(W)의 주위에 위치하도록 설치된 기판 처리 장치의 구성 부재, 예컨대, 회전컵(31), 외부컵(38), 기판 유지 부재(34) 등을 의미함]를 검출광이 투과되는 재료로 구성하고 있기 때문에, 기판 주위 부재에 영향을 받지 않고, 웨이퍼(W)의 유지 상태의 검출을 행할 수 있다. 이 때문에, 유지 상태 판정 장치(투광기 및 수광기)의 배치 자유도가 대폭 향상된다. 또한, 웨이퍼(W)가 기판 주위 부재에 둘러싸여 있는 경우에는 유지 상태의 판정을 할 수 없다는 제약이 없어져, 유지 상태 판정의 실행 타이밍의 자유도가 대폭 향상된다.
또한, 제2 유지 상태 판정 장치(70)에 의한 웨이퍼 유지 상태의 판정을, 웨이퍼(W)를 회전시키고 있는 동안에도 계속해서 행하여도 좋다. 이 경우, 전술한 도시하지 않은 회전 각도 센서의 검출값에 기초하여, 기판 유지 부재(34)가 광로(74)를 통과하는 타이밍에서 제2 유지 상태 판정 장치(70)에 의한 웨이퍼(W)의 유지 상태의 검출을 행할 수 있다. 이에 따라, 회전 중에 발생하는 진동 등에 의해 만일 웨이퍼(W)의 유지 상태가 변화되었을 경우에도, 회전을 비상 정지시켜 웨이퍼(W) 및 기판 처리 장치의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 상기 설명에 있어서 「검출광을 투과한다」란 투과율이 대략 100%인 것에 한정되지 않고, 또한, 「검출광을 투과하지 않는다」란 투과율이 대략 0%인 것에 한정되지 않는다. 웨이퍼(W)가 검출광을 차단한 경우와 차단하지 않는 경우에 있어서, 수광기(62, 72)의 출력 신호에 판정의 근거가 될 수 있는 유의(有意)한 차이가 생길 정도로 「검출광을 투과한다」(「검출광을 투과하지 않는다」)는 것이면 충분하다.
기판 처리 장치의 구조는, 도시된 것에 한정되지 않는다. 예컨대, 기판 처리 장치는, 기판의 상면에 처리액을 공급하도록 구성된 것이어도 좋다. 또한, 예컨대, 기판 처리 장치는, 회전 상판에 설치된 가동 기판 유지 부재에 의해 회전 상판의 아래쪽에서 기판을 유지하는 형식의 기판 유지 기구를 갖는 것이어도 좋다. 또한, 기판 처리 장치는, 기판의 하면 중앙부를 진공 흡착하는 진공 척을 갖는 것이어도 좋다. 기판에 공급되는 처리 유체는 액체에 한정되지 않고, 기체여도 좋다. 기판은 회전시키지 않아도 좋다.
또한, 도 4의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 검출광의 수광을 별도의 구성을 이용하여 실행할 수 있다. 도 4의 (a)에 도시된 변형 실시형태에서는, 수광기(72)(파선으로 나타냄)를 광로(74) 상에 배치하는 대신에 수광기(72')(예컨대 CCD 어레이)를 갖는 촬상 장치(75)를, 검출광 진행 방향에 관해 기판 주위 부재[여기서는 외부컵(38)]보다 하류측의 영역에 있어서, 광로(74)의 옆쪽에 배치한다. 검출광은 대기 중에서 산란하기 때문에, 광로(74)의 옆쪽으로부터 촬상을 행함으로써, 광로(74) 상에 검출광이 있으면, 선형의 검출광의(검출광의 산란광의) 화상을 얻을 수 있다. 이 화상에 기초하여 검출광 진행 방향에 관해 기판 주위 부재의 상류측에서 발생한 웨이퍼(W)(도시하지 않음)에 의한 검출광의 차광 정도를 측정할 수 있다. 또한, 도 4의 (b)의 변형 실시형태에서는, 투영벽(스크린)(76)을, 검출광 진행 방향에 관해 기판 주위 부재[여기서는 외부컵(38)]보다 하류측의 영역에 있어서, 광로(74)를 따르도록 배치한다. 투영벽(76)의 표면이 광로(74)에 대하여 아주 약간의 각도를 이루도록 투영벽(76)을 설치하면, 투영벽(76)의 표면 상에, 검출광이 선형으로 투영된다. 수광기(72')를 갖는 촬상 장치(75)에 의해 투영벽(76)을 촬상하면, 검출광의 반사광의 화상을 얻을 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 화상에 기초하여, 검출광 진행 방향에 관해 기판 주위 부재의 상류측에서 발생한 웨이퍼(W)(도시하지 않음)에 의한 검출광의 차광 정도를 측정할 수 있다. Si에 흡수되는 적외 영역의 광(예컨대, 파장 880 ㎚의 LED광)을 검출광으로서 이용한 경우, 이 검출광은, 수광부에 이용되는 수광 소자로서의 반도체 디바이스도 가열한다. 따라서, 계속적으로 유지 상태 판정을 행하는 경우에는, 수광부의 열적 부담이 높아질 우려가 있어, 냉각을 고려해야만 하는 경우가 있을 수 있다. 그러나, 도 4의 (a), (b)의 실시형태에 따르면, 수광기(72')에 입사되는 검출광은 충분히 약하기 때문에, 수광기(72')의 냉각을 고려할 필요는 없다. 또한, 도 4의 (a), (b)의 실시형태에 있어서, 검출광이 입사되는 부분(파선으로 나타낸 부호 72를 붙인 부분)의 냉각이 필요하게 되면, 그 부분에 냉각 수단(공랭 팬, 워터 재킷 등)을 설치하면 좋다.
34 : 기판 유지 부재 20, 30, 31, 34, 38 : 기판 주위 부재
31, 38 : 기판 포위 부재(컵체) 61, 71 : 투광기
62, 72, 72' : 수광기 64, 74 : 검출광의 광로

Claims (15)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 유지하는 기판 유지 부재와,
    상기 기판 유지 부재에 유지된 기판의 주위에 위치하도록 설치되고, 상기 기판 처리 장치의 구성 부재인 기판 주위 부재와,
    검출광을 조사하는 투광기와,
    상기 투광기로부터 조사된 검출광을 수광하는 수광기
    를 구비하고,
    상기 투광기 및 상기 수광기는, 상기 투광기로부터 상기 수광기로 향하는 검출광의 광로가, 상기 기판 유지 부재에 의해 기판이 유지되었을 때에 기판이 존재할 수 있는 영역을 통과하고, 상기 기판 주위 부재를 통과하는 위치에 설치되어 있으며,
    상기 투광기로부터 조사되는 검출광은, 상기 기판 주위 부재를 투과하고, 기판을 투과하지 않는 파장을 갖는 것인 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 유지 부재에 기판이 이상(異常)인 상태로 유지되었을 때에 상기 광로가 상기 기판에 의해 차단되고, 또한, 상기 기판 유지 부재에 기판이 정상인 상태로 유지되었을 때에 상기 광로가 상기 기판에 의해 차단되지 않는 위치에, 상기 투광기 및 상기 수광기가 배치되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기판 주위 부재에는, 상기 기판 유지 부재가 포함되어 있고,
    상기 검출광의 광로는, 정상인 상태로 기판을 유지하고 있는 상기 기판 유지 부재의 선단부를 통과하는 위치에 설정되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판 유지 부재에 기판이 정상적으로 유지되었을 때에, 상기 광로가 상기 기판 유지 부재에 의해 유지된 기판에 의해 차단되는 위치에, 상기 투광기 및 상기 수광기가 배치되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판 유지 부재를 지지하고, 상기 기판 유지 부재에 의해 유지된 기판의 아래쪽에서 기판에 근접하는 플레이트를 더 구비하며,
    상기 기판 주위 부재에는, 상기 플레이트가 포함되어 있고,
    상기 검출광의 광로는, 상기 플레이트를 상하로 통과하는 위치에 설정되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판 유지 부재를 지지하고, 상기 기판 유지 부재에 의해 유지된 기판의 아래쪽에서 기판에 근접하는 플레이트를 더 구비하며,
    상기 기판 주위 부재에는, 상기 플레이트와, 상기 기판 유지 부재가 포함되어 있고,
    상기 투광기 및 상기 수광기는 2조 설치되어 있으며,
    이들 2조의 투광기 및 수광기 중 제1 조의 투광기 및 수광기는, 이 제1 조의 투광기로부터 수광기로 향하는 검출광의 광로가, 상기 기판 유지 부재에 기판이 정상인 상태로 유지된 경우에는, 그 기판을 통과하지 않고, 상기 기판 유지 부재의 선단부를 통과하는 한편, 상기 기판 유지 부재에 기판이 얹혀지는 경우에는, 이 제1 조의 투광기로부터 수광기로 향하는 검출광의 광로가, 얹혀진 기판에 의해 차단되는 위치에 설치되어 있으며,
    이들 2조의 투광기 및 수광기 중 제2 조의 투광기 및 수광기는, 이 제2 조의 투광기로부터 수광기로 향하는 검출광의 광로가, 상기 플레이트를 상하 방향으로 통과하는 위치에 설정되고, 이 제2 조의 투광기로부터 수광기로 향하는 검출광의 광로가, 상기 기판 유지 부재에 기판이 정상인 상태로 유지된 경우에는, 이 정상인 상태로 유지된 기판에 의해 차단되는 위치에 설치되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 주위 부재에는, 상기 기판 유지 부재에 유지된 기판의 주위를 포위하는 기판 포위 부재가 포함되어 있고,
    상기 투광기 및 상기 수광기 중 적어도 한쪽은 상기 기판 포위 부재의 외측에 배치되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기판 유지 부재에 유지된 기판에 처리액을 공급하는 처리액 노즐과, 상기 기판 유지 부재를 회전시키는 회전 구동 기구를 더 구비하고,
    상기 기판 포위 부재는, 상기 처리액 노즐로부터 기판에 공급되어 원심력에 의해 기판의 바깥쪽으로 비산되는 처리액을 받아내는 컵체이며, 상기 투광기 및 상기 수광기는 상기 컵체의 외측에 배치되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 부재 및 상기 기판 주위 부재를 수용하는 케이스를 가지며, 상기 투광기는, 상기 케이스의 외측에 설치되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 실리콘 화합물로 이루어지고, 상기 광로가 통과하는 상기 기판 주위 부재는 수지 재료로 이루어진 것인 기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파장은 1100 ㎚ 이하인 것인 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투광기는 발광 소자로서 LED(발광 다이오드)를 갖는 것인 기판 처리 장치.
  13. 기판 처리 방법에 있어서,
    기판을 기판 유지 부재에 의해 유지하는 단계와,
    투광기로부터 검출광을 조사하고, 이 검출광을 수광기에 의해 수광하여 상기 수광기에 의한 수광의 유무 또는 수광 상태에 따라 상기 기판 유지 부재에 의한 기판의 유지 상태를 판정하는 단계와,
    상기 기판이 상기 기판 유지 부재에 적절하게 유지되어 있다고 판정된 후에, 상기 기판 유지 부재에 유지된 상기 기판에 처리 유체를 공급하여 상기 기판에 처리를 행하는 단계
    를 포함하고,
    상기 투광기 및 상기 수광기는, 상기 투광기로부터 상기 수광기로 향하는 검출광의 광로가, 상기 기판 유지 부재에 의해 기판이 유지되었을 때에 기판이 존재할 수 있는 영역을 통과하고, 상기 기판의 주위에 위치하는 기판 처리 장치의 구성 부재인 기판 주위 부재를 통과하는 위치에 설치되어 있으며,
    상기 투광기로부터 조사되는 검출광은, 상기 기판 주위 부재를 투과하고, 기판을 투과하지 않는 파장을 갖는 것인 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판이 상기 기판 유지 부재에 유지되어 있지 않거나 혹은 부적절하게 유지되어 있다고 판정되었을 때에는, 상기 기판의 처리는 행해지지 않고, 판정 결과가 통지되는 것인 기판 처리 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 기판의 유지 상태를 판정하는 단계는, 처리가 시작된 후에도 계속해서 실행되며, 유지 상태에 이상이 발생했다고 판정된 경우에는, 상기 기판의 처리를 정지시키고, 판정 결과가 통지되는 것인 기판 처리 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150125576A (ko) * 2014-04-30 2015-11-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 기판 검출 방법 및 기억 매체

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106158694A (zh) * 2015-04-10 2016-11-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 检测装置及半导体加工设备
JP6584356B2 (ja) * 2016-03-30 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の処理方法
JP6568828B2 (ja) * 2016-08-01 2019-08-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ ティーチング治具、基板処理装置及びティーチング方法
KR101977771B1 (ko) * 2017-05-10 2019-05-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US11043403B2 (en) * 2018-04-06 2021-06-22 Semes Co., Ltd. Substrate support unit and substrate processing apparatus having the same including reflective member configured to reflect light toward substrate
US11624607B2 (en) * 2020-01-06 2023-04-11 Tokyo Electron Limited Hardware improvements and methods for the analysis of a spinning reflective substrates
US11738363B2 (en) 2021-06-07 2023-08-29 Tokyo Electron Limited Bath systems and methods thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2862754B2 (ja) * 1993-04-19 1999-03-03 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び回転部材
JPH11121593A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd ウェハ検出方法および装置
JP2001518691A (ja) * 1997-07-23 2001-10-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ポケット外ウェハ検出ツール
JP2002319563A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7037403B1 (en) * 1992-12-28 2006-05-02 Applied Materials Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
JP3544747B2 (ja) * 1995-05-15 2004-07-21 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
US5796486A (en) * 1997-03-31 1998-08-18 Lam Research Corporation Apparatus method for determining the presence or absence of a wafer on a wafer holder
JP3640373B2 (ja) * 1999-08-27 2005-04-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板載置台
IL133326A0 (en) * 1999-12-06 2001-04-30 Nova Measuring Instr Ltd Method and system for endpoint detection
KR100978754B1 (ko) * 2008-04-03 2010-08-30 주식회사 테스 플라즈마 처리 장치
JP2010103252A (ja) * 2008-10-22 2010-05-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5583503B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2862754B2 (ja) * 1993-04-19 1999-03-03 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び回転部材
JP2001518691A (ja) * 1997-07-23 2001-10-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ポケット外ウェハ検出ツール
JPH11121593A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd ウェハ検出方法および装置
JP2002319563A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
일본 공표특허공보 특표2001-518691호(2001.10.16.) 1부. *
일본 특허공보 특허 제 2862754호(1999.03.03.) 1부. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150125576A (ko) * 2014-04-30 2015-11-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 기판 검출 방법 및 기억 매체

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