JPH11121593A - ウェハ検出方法および装置 - Google Patents
ウェハ検出方法および装置Info
- Publication number
- JPH11121593A JPH11121593A JP9294840A JP29484097A JPH11121593A JP H11121593 A JPH11121593 A JP H11121593A JP 9294840 A JP9294840 A JP 9294840A JP 29484097 A JP29484097 A JP 29484097A JP H11121593 A JPH11121593 A JP H11121593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- light
- sic
- light emitting
- detecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳｉＣウェハを確実に検出できるようにす
る。 【解決手段】 ウェハ検出装置４０は、ウェハカセット
に搭載された複数のＳｉＣウェハ４６間の間隙に差込み
可能な櫛歯状のアーム４２を備えている。各アーム４２
は、下面部にＳｉＣウェハ４４と同一材料からなる青色
の光５０を放射するＳｉＣ発光ダイオード４６が設けて
あり、上面部に受光素子４８が発光ダイオード４６に対
向して配設してある。ウェハ検出装置４０がウェハカセ
ットと水平方向に相対移動してＳｉＣウェハ４４がＳｉ
Ｃ発光ダイオード４６と受光素子４８との間の光路を遮
断すると、受光素子４８が検出信号をウェハ検知部に入
力する。
る。 【解決手段】 ウェハ検出装置４０は、ウェハカセット
に搭載された複数のＳｉＣウェハ４６間の間隙に差込み
可能な櫛歯状のアーム４２を備えている。各アーム４２
は、下面部にＳｉＣウェハ４４と同一材料からなる青色
の光５０を放射するＳｉＣ発光ダイオード４６が設けて
あり、上面部に受光素子４８が発光ダイオード４６に対
向して配設してある。ウェハ検出装置４０がウェハカセ
ットと水平方向に相対移動してＳｉＣウェハ４４がＳｉ
Ｃ発光ダイオード４６と受光素子４８との間の光路を遮
断すると、受光素子４８が検出信号をウェハ検知部に入
力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハ検出方法およ
び装置に係り、特にＳｉＣダミーウェハの検出に望まし
い方法とそれに用いる装置に関する。
び装置に係り、特にＳｉＣダミーウェハの検出に望まし
い方法とそれに用いる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶を基板とする半導体デバ
イスは、シリコン基板（シリコンウェハ）の表面に酸化
膜を形成する酸化工程や不純物を拡散する拡散工程、さ
らには減圧下で窒化ケイ素膜、多結晶シリコン膜（ポリ
シリコン膜）などを形成する減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）
工程等を経て、シリコンウェハ上に微細な回路が形成さ
れる。これらの工程には、拡散装置、ＬＰＣＶＤ装置な
どと呼ばれる半導体製造装置が使用される。そして、こ
れらの装置は、いずれも複数のシリコンウェハを炉内に
挿入し、シリコンウェハ本体を高温に加熱する炉体部分
と、反応性ガスを炉内に供給するガス導入部、排気部な
どからなっており、多数枚のシリコンウェハを同時処理
（バッチ処理）できるようになっている。図３は、縦型
ＬＰＣＶＤ装置の一例を示したものである。
イスは、シリコン基板（シリコンウェハ）の表面に酸化
膜を形成する酸化工程や不純物を拡散する拡散工程、さ
らには減圧下で窒化ケイ素膜、多結晶シリコン膜（ポリ
シリコン膜）などを形成する減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）
工程等を経て、シリコンウェハ上に微細な回路が形成さ
れる。これらの工程には、拡散装置、ＬＰＣＶＤ装置な
どと呼ばれる半導体製造装置が使用される。そして、こ
れらの装置は、いずれも複数のシリコンウェハを炉内に
挿入し、シリコンウェハ本体を高温に加熱する炉体部分
と、反応性ガスを炉内に供給するガス導入部、排気部な
どからなっており、多数枚のシリコンウェハを同時処理
（バッチ処理）できるようになっている。図３は、縦型
ＬＰＣＶＤ装置の一例を示したものである。
【０００３】図３において、ＣＶＤ装置１０は、炉本体
１２の内周面に図示しないヒータが配設してあって内部
を高温に加熱、維持できるようになっているとともに、
図示しない真空ポンプに接続してあり、内部を１０Ｔｏ
ｒｒ以下に減圧できるようにしてある。また、炉本体１
２の内部には、高純度石英や炭化ケイ素（ＳｉＣ）によ
って形成したプロセスチューブ１４が設けてある。
１２の内周面に図示しないヒータが配設してあって内部
を高温に加熱、維持できるようになっているとともに、
図示しない真空ポンプに接続してあり、内部を１０Ｔｏ
ｒｒ以下に減圧できるようにしてある。また、炉本体１
２の内部には、高純度石英や炭化ケイ素（ＳｉＣ）によ
って形成したプロセスチューブ１４が設けてある。
【０００４】プロセスチューブ１４によって覆われるベ
ース１６の中央部には、カセット受け１８が設けてあっ
て、このカセット受け１８上にＳｉＣや石英などから形
成した縦型ラック状のウェハカセット２０が配置してあ
る。そして、ウェハカセット２０の上下方向には、大規
模集積回路（ＬＳＩ）などの半導デバイスを形成するた
めの多数のシリコンウェハ２２が適宜の間隔をあけて保
持させてある。また、ウェハカセット２０の側部には、
反応ガスを炉内に導入するためのガス導入管２４が配設
してあるとともに、炉内温度を測定する熱電対を内蔵し
た熱電対保護管２６が設けてある。
ース１６の中央部には、カセット受け１８が設けてあっ
て、このカセット受け１８上にＳｉＣや石英などから形
成した縦型ラック状のウェハカセット２０が配置してあ
る。そして、ウェハカセット２０の上下方向には、大規
模集積回路（ＬＳＩ）などの半導デバイスを形成するた
めの多数のシリコンウェハ２２が適宜の間隔をあけて保
持させてある。また、ウェハカセット２０の側部には、
反応ガスを炉内に導入するためのガス導入管２４が配設
してあるとともに、炉内温度を測定する熱電対を内蔵し
た熱電対保護管２６が設けてある。
【０００５】このように構成したＣＶＤ装置１０には、
ウェハカセット２０を介して多数のシリコンウェハ２２
が炉内に配置される。そして、炉内を１００Ｔｏｒｒ以
下に減圧するとともに、例えば８００〜１２００℃の高
温に加熱し、ガス導入管２４を介してＨ2 などのキャリ
アガスとともにＳｉＣｌ4 などの反応性ガス（原料ガ
ス）を炉内に導入し、シリコンウェハ２２の表面に多結
晶シリコン膜（ポリシリコン膜）やシリコン酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）の形成などが行われる。
ウェハカセット２０を介して多数のシリコンウェハ２２
が炉内に配置される。そして、炉内を１００Ｔｏｒｒ以
下に減圧するとともに、例えば８００〜１２００℃の高
温に加熱し、ガス導入管２４を介してＨ2 などのキャリ
アガスとともにＳｉＣｌ4 などの反応性ガス（原料ガ
ス）を炉内に導入し、シリコンウェハ２２の表面に多結
晶シリコン膜（ポリシリコン膜）やシリコン酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）の形成などが行われる。
【０００６】ところで、このようなＣＶＤ装置１０にお
いては、炉内全体を均一な状態にすることは困難であ
る。そこで、従来からウェハカセット２０の上下部に
は、炉内のガスの流れや温度の均一性を保持すること等
を目的として、シリコンウェハ２２と同一形状のサイド
ウェハ２８と称するダミーウェハを数枚ずつ配置してい
る。また、シリコンウェハ２２に付着するパーティクル
の状態や、シリコンウェハ２２に所定の膜厚が形成され
ているか等を調べるために、ウェハカセット２０の上下
方向の適宜の位置に複数枚のモニタウェハ３０というダ
ミーウェハをシリコンウェハ２２と混在させて配置して
いる。これらのサイドウェハ２８、モニタウェハ３０か
らなるダミーウェハは、従来、シリコン単結晶や高純度
石英によって形成した厚さが０．５〜１ｍｍ程度のもの
を使用してきた。
いては、炉内全体を均一な状態にすることは困難であ
る。そこで、従来からウェハカセット２０の上下部に
は、炉内のガスの流れや温度の均一性を保持すること等
を目的として、シリコンウェハ２２と同一形状のサイド
ウェハ２８と称するダミーウェハを数枚ずつ配置してい
る。また、シリコンウェハ２２に付着するパーティクル
の状態や、シリコンウェハ２２に所定の膜厚が形成され
ているか等を調べるために、ウェハカセット２０の上下
方向の適宜の位置に複数枚のモニタウェハ３０というダ
ミーウェハをシリコンウェハ２２と混在させて配置して
いる。これらのサイドウェハ２８、モニタウェハ３０か
らなるダミーウェハは、従来、シリコン単結晶や高純度
石英によって形成した厚さが０．５〜１ｍｍ程度のもの
を使用してきた。
【０００７】ところが、シリコン単結晶や高純度石英に
よって形成した従来のダミーウェハは、熱膨張係数がポ
リシリコン膜やＳｉ3Ｎ4膜などと大きく異なるため、ダ
ミーウェハに成膜されたポリシリコン膜やＳｉ3Ｎ4膜な
どが容易に剥離して炉内を汚染するばかりでなく、耐熱
性や耐蝕性の問題から短期間の使用で廃棄しなければな
らず、経済性が悪いという問題がある。
よって形成した従来のダミーウェハは、熱膨張係数がポ
リシリコン膜やＳｉ3Ｎ4膜などと大きく異なるため、ダ
ミーウェハに成膜されたポリシリコン膜やＳｉ3Ｎ4膜な
どが容易に剥離して炉内を汚染するばかりでなく、耐熱
性や耐蝕性の問題から短期間の使用で廃棄しなければな
らず、経済性が悪いという問題がある。
【０００８】かかるところから、近年、炭化ケイ素から
なるダミーウェハが業界の注目を集めている。この炭化
ケイ素ウェハ（ＳｉＣウェハ）は、黒鉛からなる円板状
の基材の表面にＬＰＣＶＤなどによってＳｉＣの膜を厚
さ０．３〜１ｍｍ程度成膜し、その後、黒鉛基材を酸化
雰囲気中で酸化除去することによって得られる。そし
て、ＳｉＣウェハは、従来のシリコン単結晶や高純度石
英からなるダミーウェハと比較して、 （イ）硝酸などに対する耐蝕性に優れているため、エッ
チングによる付着物の除去が容易に行え、長期間の繰返
し使用が可能である。 （ロ）熱膨張係数が窒化ケイ素膜、ポリシリコン膜の熱
膨張係数に近いところから、ダミーウェハ上に付着した
これらの膜が剥離しにくく、成膜工程途中におけるパー
ティクルの大幅な増加を抑制することができる。 （ハ）高温での重金属などの不純物の拡散係数が極めて
低いため、ＳｉＣウェハに含有されている不純物による
炉内汚染の懸念が少ない。 （ニ）耐熱変形性に優れているため、ロボットによる搬
送などの自動移載が容易である。 等の多くの利点を有しており、経済的効果が大きいとこ
ろから実用化が促進されている。
なるダミーウェハが業界の注目を集めている。この炭化
ケイ素ウェハ（ＳｉＣウェハ）は、黒鉛からなる円板状
の基材の表面にＬＰＣＶＤなどによってＳｉＣの膜を厚
さ０．３〜１ｍｍ程度成膜し、その後、黒鉛基材を酸化
雰囲気中で酸化除去することによって得られる。そし
て、ＳｉＣウェハは、従来のシリコン単結晶や高純度石
英からなるダミーウェハと比較して、 （イ）硝酸などに対する耐蝕性に優れているため、エッ
チングによる付着物の除去が容易に行え、長期間の繰返
し使用が可能である。 （ロ）熱膨張係数が窒化ケイ素膜、ポリシリコン膜の熱
膨張係数に近いところから、ダミーウェハ上に付着した
これらの膜が剥離しにくく、成膜工程途中におけるパー
ティクルの大幅な増加を抑制することができる。 （ハ）高温での重金属などの不純物の拡散係数が極めて
低いため、ＳｉＣウェハに含有されている不純物による
炉内汚染の懸念が少ない。 （ニ）耐熱変形性に優れているため、ロボットによる搬
送などの自動移載が容易である。 等の多くの利点を有しており、経済的効果が大きいとこ
ろから実用化が促進されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＣＶＤ法に
よって得られたＳｉＣウェハは、半透明状態として形成
されるため、これが特定の波長を有する光電センサで検
出することができなくなる問題を生じてしまう。すなわ
ち、ウェハへの加工作業中において、シリコンウェハお
よびダミーウェハを搭載したウェハカセットにウェハ搭
載の有無を検出する作業が必須である。通常この検出作
業は、図４に示しているようなウェハアドレスセンサ３
２が用いられており、これはカセット２０内のウェハ２
２間のピッチ隙間に入る多数のアーム３４を有し、アー
ム先端部に光電センサを配置した構成となっている。ウ
ェハを搭載したカセット２０もしくはウェハアドレスセ
ンサ３２が矢印３６のように相対的に水平移動し、前記
センサ３２のアーム３４の間をウェハ２２が通過し、ウ
ェハ２２が光電センサの光路を遮断したか否かによって
ウェハ２２の有無判別をなしている。
よって得られたＳｉＣウェハは、半透明状態として形成
されるため、これが特定の波長を有する光電センサで検
出することができなくなる問題を生じてしまう。すなわ
ち、ウェハへの加工作業中において、シリコンウェハお
よびダミーウェハを搭載したウェハカセットにウェハ搭
載の有無を検出する作業が必須である。通常この検出作
業は、図４に示しているようなウェハアドレスセンサ３
２が用いられており、これはカセット２０内のウェハ２
２間のピッチ隙間に入る多数のアーム３４を有し、アー
ム先端部に光電センサを配置した構成となっている。ウ
ェハを搭載したカセット２０もしくはウェハアドレスセ
ンサ３２が矢印３６のように相対的に水平移動し、前記
センサ３２のアーム３４の間をウェハ２２が通過し、ウ
ェハ２２が光電センサの光路を遮断したか否かによって
ウェハ２２の有無判別をなしている。
【００１０】しかし、従来の光電センサは、通常赤外線
を検出光に用いているが、ＳｉＣウェハの場合には赤外
線を透過してしまう。このため、ＳｉＣにより製造した
ダミーウェハは、通常使用される光電センサの光を透過
してしまい、実際にカセット２０内にダミーウェハが存
在していても、これを検出できない欠点があった。
を検出光に用いているが、ＳｉＣウェハの場合には赤外
線を透過してしまう。このため、ＳｉＣにより製造した
ダミーウェハは、通常使用される光電センサの光を透過
してしまい、実際にカセット２０内にダミーウェハが存
在していても、これを検出できない欠点があった。
【００１１】本発明は、前記従来技術の問題点に着目し
てなされたもので、カセットに入れられて光電センサに
よりウェハ有無を検出するのに際し、ＳｉＣウェハを確
実に検出できるように構成したウェハ検出方法および装
置を提供することを目的とする。
てなされたもので、カセットに入れられて光電センサに
よりウェハ有無を検出するのに際し、ＳｉＣウェハを確
実に検出できるように構成したウェハ検出方法および装
置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るウェハ検出方法は、シリコンウェハと
ともにダミーウェハを搭載したウェハカセットにおける
ウェハ検出を発光素子と受光素子間を前記ウェハによる
光路遮断の有無により検出するウェハ検出方法におい
て、前記発光素子の光の波長を前記ダミーウェハに対す
る透過率が低い波長の光を発光させてウェハ検知をなす
ように構成した。また、シリコンウェハとともにダミー
ウェハを搭載したウェハカセットにおけるウェハ検出を
発光素子と受光素子間を前記ウェハによる光路遮断の有
無により検出するウェハ検出方法において、前記発光素
子の光を前記ダミーウェハの素材と同一材により発光さ
せてウェハ検知をなすように構成してもよい。この場合
において、前記ダミーウェハはＳｉＣウェハであり、前
記発光素子をＳｉＣ素子により発光させて検出するよう
にすればよい。
に、本発明に係るウェハ検出方法は、シリコンウェハと
ともにダミーウェハを搭載したウェハカセットにおける
ウェハ検出を発光素子と受光素子間を前記ウェハによる
光路遮断の有無により検出するウェハ検出方法におい
て、前記発光素子の光の波長を前記ダミーウェハに対す
る透過率が低い波長の光を発光させてウェハ検知をなす
ように構成した。また、シリコンウェハとともにダミー
ウェハを搭載したウェハカセットにおけるウェハ検出を
発光素子と受光素子間を前記ウェハによる光路遮断の有
無により検出するウェハ検出方法において、前記発光素
子の光を前記ダミーウェハの素材と同一材により発光さ
せてウェハ検知をなすように構成してもよい。この場合
において、前記ダミーウェハはＳｉＣウェハであり、前
記発光素子をＳｉＣ素子により発光させて検出するよう
にすればよい。
【００１３】更に、本発明に係るウェハ検出装置は、シ
リコンウェハとともにダミーウェハを搭載したウェハカ
セットにおけるウェハの検出をなすウェハ検出装置であ
って、カセット上に搭載されている複数のウェハ間の隙
間に差込み可能な櫛歯状のアームを有し、このアームの
先端面部に発光素子と受光素子のペアを構成してなり、
前記発光素子は前記ダミーウェハの素材と同一材を光源
として発光させるように構成した。前記ダミーウェハは
ＳｉＣウェハである場合には、前記発光素子をＳｉＣ素
子により発光させる構成とすればよい。
リコンウェハとともにダミーウェハを搭載したウェハカ
セットにおけるウェハの検出をなすウェハ検出装置であ
って、カセット上に搭載されている複数のウェハ間の隙
間に差込み可能な櫛歯状のアームを有し、このアームの
先端面部に発光素子と受光素子のペアを構成してなり、
前記発光素子は前記ダミーウェハの素材と同一材を光源
として発光させるように構成した。前記ダミーウェハは
ＳｉＣウェハである場合には、前記発光素子をＳｉＣ素
子により発光させる構成とすればよい。
【００１４】
【作用】上記のごとく構成した本発明は、発光素子の放
射する光の波長をダミーウェハに対する透過率の低い波
長とすることにより、受光素子の受光量が小さくなるた
め、ウェハを容易、確実に検出することができる。ま
た、発光素子の光をダミーウェハの素材と同一材によっ
て発光させることにより、発光素子の出射した光がダミ
ーウェハによって吸収され、透過率を確実に小さくする
ことができ、ダミーウェハの検出を容易、確実に行うこ
とができる。
射する光の波長をダミーウェハに対する透過率の低い波
長とすることにより、受光素子の受光量が小さくなるた
め、ウェハを容易、確実に検出することができる。ま
た、発光素子の光をダミーウェハの素材と同一材によっ
て発光させることにより、発光素子の出射した光がダミ
ーウェハによって吸収され、透過率を確実に小さくする
ことができ、ダミーウェハの検出を容易、確実に行うこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るウェハ検出
方法および装置の具体的実施の形態を図面を参照して詳
細に説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るウェ
ハ検出装置の説明図である。図１において、ウェハ検出
装置４０は、本図に図示しないウェハカセットに搭載さ
れた複数のウェハ間の間隙に差込み可能な櫛歯状の複数
のアーム４２を有しており、各アーム４２間にダミーウ
ェハであるＳｉＣウェハ４４やシリコンウェハなどが挿
入可能となっている。そして、各アーム４２は、先端下
面部にＳｉＣウェハ４４と同一の材料であるＳｉＣを発
光素子とするＳｉＣ発光ダイオード４６が設けてある。
また、各アーム４２の上面部には、ＳｉＣ発光ダイオー
ド４６とペアをなす受光素子４８がＳｉＣ発光ダイオー
ド４６に対向させて配設してあって、ＳｉＣ発光ダイオ
ード４６の出射した青色の光５０をＳｉＣウェハ４４が
遮断したか否かを検出できるようになっている。これら
の発光ダイオード４６と受光素子４８とは、リード線５
２を介してコネクタ５４に接続してあり、受光素子４８
の検出信号が図示しないウェハ検知部に入力される。
方法および装置の具体的実施の形態を図面を参照して詳
細に説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るウェ
ハ検出装置の説明図である。図１において、ウェハ検出
装置４０は、本図に図示しないウェハカセットに搭載さ
れた複数のウェハ間の間隙に差込み可能な櫛歯状の複数
のアーム４２を有しており、各アーム４２間にダミーウ
ェハであるＳｉＣウェハ４４やシリコンウェハなどが挿
入可能となっている。そして、各アーム４２は、先端下
面部にＳｉＣウェハ４４と同一の材料であるＳｉＣを発
光素子とするＳｉＣ発光ダイオード４６が設けてある。
また、各アーム４２の上面部には、ＳｉＣ発光ダイオー
ド４６とペアをなす受光素子４８がＳｉＣ発光ダイオー
ド４６に対向させて配設してあって、ＳｉＣ発光ダイオ
ード４６の出射した青色の光５０をＳｉＣウェハ４４が
遮断したか否かを検出できるようになっている。これら
の発光ダイオード４６と受光素子４８とは、リード線５
２を介してコネクタ５４に接続してあり、受光素子４８
の検出信号が図示しないウェハ検知部に入力される。
【００１６】このように構成した実施の形態に係るウェ
ハ検出装置４０は、ＳｉＣ発光ダイオード４６が例えば
波長４５０ｎｍ前後の青色の光５０を出射し、受光素子
４８がその光５０を検出して光量に応じた検出信号をウ
ェハ検知部に入力する。そして、ウェハ検出装置４０と
ウェハカセットとが水平方向に相対移動し、ＳｉＣウェ
ハ４４がウェハ検出装置４０のアーム４２間の間隙に進
入してＳｉＣ発光ダイオード４６と受光素子４８との間
の光路を遮断され、受光素子４８への光５０の入射が妨
げられるため、受光素子４８の検出信号を受けたウェハ
検知部がＳｉＣウェハ４４の存在を検知する。
ハ検出装置４０は、ＳｉＣ発光ダイオード４６が例えば
波長４５０ｎｍ前後の青色の光５０を出射し、受光素子
４８がその光５０を検出して光量に応じた検出信号をウ
ェハ検知部に入力する。そして、ウェハ検出装置４０と
ウェハカセットとが水平方向に相対移動し、ＳｉＣウェ
ハ４４がウェハ検出装置４０のアーム４２間の間隙に進
入してＳｉＣ発光ダイオード４６と受光素子４８との間
の光路を遮断され、受光素子４８への光５０の入射が妨
げられるため、受光素子４８の検出信号を受けたウェハ
検知部がＳｉＣウェハ４４の存在を検知する。
【００１７】すなわち、ＳｉＣウェハ４４の光の波長に
対する透過率と反射率とは、図２のようになっており、
波長が４５０ｎｍの透過率は５％未満であって、ＳｉＣ
発光ダイオード４６の出射した光５０をほぼ遮断する。
特に、発光素子としてＳｉＣウェハ４４と同一の材料か
らなるＳｉＣ発光ダイオード４６を使用しているため、
ＳｉＣ発光ダイオート４６から出射された光５０は、Ｓ
ｉＣウェハ４４によって吸収されるため、透過率をより
小さくできてＳｉＣウェハ４４を確実に検出することが
できる。すなわち、ある物質の励起光（励起スペクト
ル）と吸収光（吸収スペクトル）とは一般に一致してい
るため、ＳｉＣ発光ダイオード４６により出射された光
は、ＳｉＣウェハ４４が吸収されて透過率が小さくな
る。
対する透過率と反射率とは、図２のようになっており、
波長が４５０ｎｍの透過率は５％未満であって、ＳｉＣ
発光ダイオード４６の出射した光５０をほぼ遮断する。
特に、発光素子としてＳｉＣウェハ４４と同一の材料か
らなるＳｉＣ発光ダイオード４６を使用しているため、
ＳｉＣ発光ダイオート４６から出射された光５０は、Ｓ
ｉＣウェハ４４によって吸収されるため、透過率をより
小さくできてＳｉＣウェハ４４を確実に検出することが
できる。すなわち、ある物質の励起光（励起スペクト
ル）と吸収光（吸収スペクトル）とは一般に一致してい
るため、ＳｉＣ発光ダイオード４６により出射された光
は、ＳｉＣウェハ４４が吸収されて透過率が小さくな
る。
【００１８】なお、前記実施の形態においては、発光素
子としてＳｉＣ発光ダイオード４６を用いた場合につい
て説明したが、発光素子はこれに限定されない。そし
て、ＳｉＣ発光ダイオード４６以外の発光素子を使用す
る場合、検出用光としてＳｉＣウェハに対する透過率の
低い波長、例えば波長が６００ｎｍ以下の光を使用する
とよい。
子としてＳｉＣ発光ダイオード４６を用いた場合につい
て説明したが、発光素子はこれに限定されない。そし
て、ＳｉＣ発光ダイオード４６以外の発光素子を使用す
る場合、検出用光としてＳｉＣウェハに対する透過率の
低い波長、例えば波長が６００ｎｍ以下の光を使用する
とよい。
【００１９】すなわち、図２から明らかなように、波長
が６００ｎｍの光の場合、ＳｉＣウェハ４４の透過率は
約１５％であって、これより波長が短くなると透過率が
さらに小さくなる。従って、ＳｉＣウェハ４４を検出す
る場合、６００ｎｍ以下の波長の光を用いることにより
容易に検出することが可能で、特に波長が４００ｎｍ以
下であると透過率が零となるため、波長４００ｎｍ以下
の光を用いることが望ましい。そして、ＳｉＣウェハ４
４に入射する光の波長が４００ｎｍ以下の場合には、図
２に示されているように、ＳｉＣウェハ４４による光の
反射率が上昇するので、反射光を利用してＳｉＣウェハ
４４の検出を行ってもよい。特に、反射光を利用してＳ
ｉＣウェハ４４を検出する場合、反射率が大きな３００
ｎｍ以下の紫外線を使用するとよい。
が６００ｎｍの光の場合、ＳｉＣウェハ４４の透過率は
約１５％であって、これより波長が短くなると透過率が
さらに小さくなる。従って、ＳｉＣウェハ４４を検出す
る場合、６００ｎｍ以下の波長の光を用いることにより
容易に検出することが可能で、特に波長が４００ｎｍ以
下であると透過率が零となるため、波長４００ｎｍ以下
の光を用いることが望ましい。そして、ＳｉＣウェハ４
４に入射する光の波長が４００ｎｍ以下の場合には、図
２に示されているように、ＳｉＣウェハ４４による光の
反射率が上昇するので、反射光を利用してＳｉＣウェハ
４４の検出を行ってもよい。特に、反射光を利用してＳ
ｉＣウェハ４４を検出する場合、反射率が大きな３００
ｎｍ以下の紫外線を使用するとよい。
【００２０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、発光素子の放射する光の波長をＳｉＣウェハに対す
る透過率の低い波長としたことにより、受光素子の受光
量が小さくなるため、ＳｉＣウェハを容易、確実に検出
することができる。また、発光素子の光をＳｉＣウェハ
の素材と同一材によって発光させるようにしているた
め、発光素子の出射した光がＳｉＣウェハによって吸収
され、透過率を確実に小さくすることができ、ＳｉＣウ
ェハの検出を容易、確実に行うことができる。
ば、発光素子の放射する光の波長をＳｉＣウェハに対す
る透過率の低い波長としたことにより、受光素子の受光
量が小さくなるため、ＳｉＣウェハを容易、確実に検出
することができる。また、発光素子の光をＳｉＣウェハ
の素材と同一材によって発光させるようにしているた
め、発光素子の出射した光がＳｉＣウェハによって吸収
され、透過率を確実に小さくすることができ、ＳｉＣウ
ェハの検出を容易、確実に行うことができる。
【図１】本発明の実施の形態に係るウェハ検出装置の説
明図である。
明図である。
【図２】光の波長に対するＳｉＣウェハの透過率と反射
率とを示す図である。
率とを示す図である。
【図３】減圧ＣＶＤ装置の概略説明図である。
【図４】従来のウェハ検出方法の説明図である。
４０ ウェハ検出装置 ４２ アーム ４４ ＳｉＣウェハ ４６ 発光素子（ＳｉＣ発光ダイオード） ４８ 受光素子
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコンウェハとともにダミーウェハを
搭載したウェハカセットにおけるウェハ検出を発光素子
と受光素子間を前記ウェハによる光路遮断の有無により
検出するウェハ検出方法において、前記発光素子の光の
波長を前記ダミーウェハに対する透過率が低い波長の光
を発光させてウェハ検知をなすことを特徴とするウェハ
検出方法。 - 【請求項２】 シリコンウェハとともにダミーウェハを
搭載したウェハカセットにおけるウェハ検出を発光素子
と受光素子間を前記ウェハによる光路遮断の有無により
検出するウェハ検出方法において、前記発光素子の光を
前記ダミーウェハの素材と同一材により発光させてウェ
ハ検知をなすことを特徴とするウェハ検出方法。 - 【請求項３】 前記ダミーウェハはＳｉＣウェハであ
り、前記発光素子をＳｉＣ素子により発光させて検出す
ることを特徴とする請求項２に記載のウェハ検出方法。 - 【請求項４】 シリコンウェハとともにダミーウェハを
搭載したウェハカセットにおけるウェハの検出をなすウ
ェハ検出装置であって、カセット上に搭載されている複
数のウェハ間の隙間に差込み可能な櫛歯状のアームを有
し、このアームの先端面部に発光素子と受光素子のペア
を構成してなり、前記発光素子は前記ダミーウェハの素
材と同一材を光源として発光させるようにしてなること
を特徴とするウェハ検出装置。 - 【請求項５】 前記ダミーウェハはＳｉＣウェハであ
り、前記発光素子をＳｉＣ素子により発光させて検出可
能としたことを特徴とする請求項４に記載のウェハ検出
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9294840A JPH11121593A (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | ウェハ検出方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9294840A JPH11121593A (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | ウェハ検出方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121593A true JPH11121593A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17812941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9294840A Withdrawn JPH11121593A (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | ウェハ検出方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121593A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444974B1 (en) * | 1998-07-17 | 2002-09-03 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for transferring a dummy wafer |
| KR20140020750A (ko) * | 2012-08-10 | 2014-02-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2020096113A (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハ基板、及び半導体ウエハ基板のエッジ部の検出方法 |
-
1997
- 1997-10-13 JP JP9294840A patent/JPH11121593A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444974B1 (en) * | 1998-07-17 | 2002-09-03 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for transferring a dummy wafer |
| KR20140020750A (ko) * | 2012-08-10 | 2014-02-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2020096113A (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハ基板、及び半導体ウエハ基板のエッジ部の検出方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5315092A (en) | Apparatus for heat-treating wafer by light-irradiation and device for measuring temperature of substrate used in such apparatus | |
| US5445675A (en) | Semiconductor processing apparatus | |
| US7977258B2 (en) | Method and system for thermally processing a plurality of wafer-shaped objects | |
| US10281612B2 (en) | Methods for working and sensing synthetic quartz glass substrate | |
| JP5647502B2 (ja) | 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法。 | |
| JP2000516772A (ja) | 半導体処理チャンバ内で使用する同時回転エッジリング延長部 | |
| US9240316B2 (en) | Method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer | |
| US20080247739A1 (en) | Lamp heating apparatus and method for producing semiconductor device | |
| KR20060104960A (ko) | 기상 박막 성장 장치의 서셉터 및 그 서셉터를 이용한 기판박막 성장 장치 | |
| CN104871299A (zh) | 使用高温计对锥形灯头内的灯进行的多区域控制 | |
| US6035100A (en) | Reflector cover for a semiconductor processing chamber | |
| US6549392B1 (en) | Method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor | |
| JPH0917742A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3525038B2 (ja) | ＳｉＣダミーウェハ | |
| JPH11121593A (ja) | ウェハ検出方法および装置 | |
| JP4531870B2 (ja) | 多層炭化ケイ素ウエハ | |
| CN1695228A (zh) | 用于与发射率无关的热处理的背面加热腔室 | |
| US6444974B1 (en) | Method for transferring a dummy wafer | |
| JPH10247680A (ja) | 高温炉への搬送用フォークおよび熱処理装置 | |
| JP4228347B2 (ja) | ウェーハ支持体 | |
| JPH07151606A (ja) | 基板の温度測定装置 | |
| JPH08220010A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP4716224B2 (ja) | 多層炭化ケイ素ウエハおよびその製造方法 | |
| JP2002033291A (ja) | 炭化ケイ素ウエハ | |
| JPH10340895A (ja) | 半導体基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |