TW201740433A - 基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

處理方法包含有下列製程：(1)遍及翹曲量為已知之基準基板的周緣全周以照相機拍攝基準基板之端面，而遍及基準基板之周緣全周取得基準基板之端面的形狀資料；(2)遍及晶圓之周緣全周以照相機拍攝晶圓之端面，而遍及晶圓之周緣全周取得晶圓之端面的形狀資料；(3)依據各形狀資料，算出晶圓之翹曲量；(4)於晶圓之表面形成抗蝕膜；(5)依據該翹曲量，決定有機溶劑對抗蝕膜之周緣部的供給位置，以從該供給位置供給之有機溶劑將該周緣部溶解而從晶圓上去除。

Description

基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體
本揭示係有關於基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體。
目前，將基板(例如半導體晶圓)細微加工來製造半導體裝置時，一般廣泛地進行利用光刻技術而於基板上形成凹凸圖形(例如抗蝕圖形)之方法。於半導體晶圓上形成抗蝕圖形之製程包含例如於晶圓之表面形成抗蝕膜(塗佈膜)的抗蝕膜形成處理、將此抗蝕膜沿著預定圖形曝光之曝光處理、使曝光後之抗蝕膜與顯像液反應而顯像之顯像處理。
在抗蝕膜形成處理，一般採用一面使晶圓旋轉一面將抗蝕液滴下至晶圓之表面的旋轉塗佈法。因此，通常於晶圓之表面全體形成抗蝕膜。然而，當以搬送臂搬送此種晶圓W時，搬送臂握持晶圓W的周緣之際，抗蝕膜便會附著於搬送臂。此時，後續之晶圓可能會被附著於搬送臂之抗蝕膜的殘渣污染。是故，有進行去除存在於晶圓之周緣區域的抗蝕膜之周緣去除處理的情形。
專利文獻1揭示有一種方法(邊緣清洗處理)作為周緣去除處理之一例，該方法係於晶圓之表面形成抗蝕膜後，一面使晶圓旋轉，一面將有機溶劑供至抗蝕膜(固化膜)中位於晶圓的周緣區域之部份(抗蝕膜之周緣部)，藉此，將抗蝕膜之周緣部沿著晶圓之周緣去除。專利文獻2揭示有一種方法(周緣曝光顯像處理)作為周緣去除處理之另一例，該方法係於晶圓之表面形成抗蝕膜後，從晶圓之周緣朝內側以預定寬度將晶圓之周緣區域曝光、顯像，藉此，將抗蝕膜之周緣部沿著晶圓之周緣去除。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利公開公報平11-333355號 [專利文獻2] 日本專利公開公報2002-158166號
[發明欲解決之問題] 而由於晶圓經由各種製程製造，故有晶圓從一開始(施行細微加工前)便具有翹曲之情形。又，於晶圓之表面形成抗蝕膜之際，將抗蝕液塗佈於晶圓之表面後，對晶圓進行加熱處理及冷卻處理。因此，隨著熱對晶圓之出入，有晶圓翹曲之情形。特別是近年，進行了3D NAND快閃記憶體之開發。由於該記憶體經由多次抗蝕膜之形成製程製造，故重複進行對晶圓之加熱處理及冷卻處理。因此，產生於晶圓之翹曲有可能極大至例如數百μm~1mm左右。
晶圓有翹曲時，處理晶圓之際，當晶圓旋轉，晶圓之周緣的高度位置便可能變動。因此，對晶圓之周緣進行邊緣清洗處理時，該周緣與有機溶劑之供給噴嘴的拉開距離有可能變動。同樣地，對晶圓之周緣進行周緣曝光顯像處理時，至該周緣之光程長度有可能變動。因而，當對有翹曲之晶圓進行周緣去除處理(邊緣清洗處理、周緣曝光顯像處理等)時，可能產生抗蝕膜之周緣部的去除寬度沿著晶圓之周緣不均一，抑或不到所期之設定範圍或超過該設定範圍之弊端。特別是近年，謀求凹凸圖形之更細微化，而要求形成於晶圓之電路的更高積體化。因此，當存在抗蝕膜之周緣部的去除寬度大之部分時，便會妨礙電路在基板之高積體化。
是故，本揭示說明即使基板有翹曲時仍可對該基板之周緣進行適當的處理之基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一觀點的基板處理方法包含有第1製程、第2製程、第3製程、第4製程、第5製程、第6製程及第7製程，該第1製程遍及翹曲量為已知之基準基板的周緣全周以照相機拍攝基準基板之端面；該第2製程將在第1製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及基準基板之周緣全周取得基準基板之端面的形狀資料；該第3製程遍及被處理基板之周緣全周以照相機拍攝被處理基板之端面；該第4製程將在第3製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及被處理基板之周緣全周取得被處理基板之端面的形狀資料；該第5製程依據在第2製程取得之形狀資料及在第4製程取得之形狀資料，算出被處理基板之翹曲量；該第6製程將塗佈液供至被處理基板之表面而形成塗佈膜；該第7製程依據在第5製程算出之翹曲量，決定有機溶劑對塗佈膜之周緣部的供給位置，以從該供給位置供給之有機溶劑將該周緣部溶解而從被處理基板上去除。
在本揭示之一觀點的基板處理方法中，在第5製程，算出被處理基板之翹曲量，在第7製程，依據該翹曲量決定有機溶劑對塗佈膜之周緣部的供給位置，以從該供給位置供給之有機溶劑，溶解該周緣部而從被處理基板上去除。因此，由於可按被處理基板之翹曲，適當地決定有機溶劑對塗佈膜之周緣部的供給位置，故可使該周緣部之去除寬度更均一。因而，即使被處理基板有翹曲時，仍可對該被處理基板之周緣，進行適當之處理。又，由於亦可對被處理基板之表面中較靠近周緣之區域形成電路，故可促進電路在被處理基板之高積體化，而可更有效率地利用被處理基板。
本揭示之一觀點的基板處理方法亦可更包含有周緣曝光製程，該周緣曝光製程於第7製程後，遍及被處理基板之周緣全周以預定曝光寬度將位於被處理基板之表面中的周緣區域之塗佈膜曝光，在周緣曝光製程，依據在第5製程算出之翹曲量決定該曝光寬度。此時，由於可按被處理基板之翹曲適當地決定曝光寬度，故可使該周緣部之曝光寬度更均一。因此，藉於周緣曝光製程後，將被處理基板顯像，可使該周緣部之去除寬度更均一。
本揭示之一觀點的基板處理方法亦可更包含有第8製程、第9製程、第10製程及第11製程，該第8製程於第7製程後，將該塗佈膜加熱；該第9製程於第8製程後，遍及被處理基板之周緣全周以照相機拍攝被處理基板之端面；該第10製程將在第9製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及被處理基板之周緣全周取得被處理基板之端面的形狀資料；該第11製程依據在第2製程取得之形狀資料及在第10製程取得之形狀資料算出被處理基板之翹曲量；當在第11製程算出之翹曲量大於預定閾值時，不對被處理基板進行曝光處理。此時，可預先判別在曝光機不易進行曝光處理之被處理基板，而將該被處理基板從曝光處理排除。因此，可提高被處理基板之處理效率。
本揭示之一觀點的基板處理方法亦可更包含有第8製程、第9製程、第10製程、第11製程及周緣曝光製程，該第8製程於該第7製程後，將塗佈膜加熱；該第9製程於第8製程後，遍及被處理基板之周緣全周，以照相機拍攝被處理基板之端面；該第10製程將在第9製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及被處理基板之周緣全周取得被處理基板之端面的形狀資料；該第11製程依據在第2製程取得之形狀資料及在第10製程取得之形狀資料，算出被處理基板之翹曲量；該周緣曝光製程於第9製程後，遍及被處理基板之周緣全周以預定曝光寬度將位於被處理基板之表面中的周緣區域之塗佈膜曝光；在周緣曝光製程，依據在第11製程算出之該翹曲量，決定曝光寬度。此時，由於可按在第8製程進行加熱處理後之被處理基板的翹曲，更適當地決定曝光寬度，故可使該周緣部之曝光寬度更均一。因此，藉於周緣曝光製程後，將被處理基板顯像，可使該周緣部之去除寬度又更均一。
當在第11製程算出之翹曲量大於預定閾值時，亦可不對被處理基板進行曝光處理。此時，可預先判別在曝光機不易進行曝光處理之被處理基板，而將該被處理基板從曝光處理排除。因此，可提高被處理基板之處理效率。
本揭示之另一觀點的基板處理方法包含有第1製程、第2製程、第3製程、第4製程、第5製程、第6製程及周緣曝光製程，該第1製程遍及翹曲量為已知之基準基板的周緣全周以照相機拍攝基準基板之端面；該第2製程將在第1製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及基準基板之周緣全周取得基準基板之端面的形狀資料；該第3製程遍及被處理基板之周緣全周以照相機拍攝被處理基板之端面；該第4製程將在第3製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及被處理基板之周緣全周取得被處理基板之端面的形狀資料；該第5製程依據在第2製程取得之形狀資料及在第4製程取得之形狀資料，算出被處理基板之翹曲量；該第6製程將塗佈液供至被處理基板之表面而形成塗佈膜；該周緣曝光製程遍及被處理基板之周緣全周以預定曝光寬度將位於被處理基板之表面中的周緣區域之塗佈膜曝光；在周緣曝光製程中，依據在第5製程算出之該翹曲量，決定曝光寬度。
在本揭示之另一觀點的基板處理方法，在第5製程，算出被處理基板之翹曲量，在周緣曝光製程，依據該翹曲量，決定曝光寬度。因此，由於可按被處理基板之翹曲，適當地決定曝光寬度，故可使該周緣部之曝光寬度更均一。因而，藉於周緣曝光製程後，將被處理基板顯像，可使該周緣部之去除寬度更均一。結果，即使被處理基板有翹曲時，仍可對該被處理基板之周緣進行適當之處理。又，由於亦可對被處理基板之表面中較靠近周緣之區域形成電路，故可促進電路在被處理基板之高積體化，而更有效率地利用被處理基板。
本揭示之另一觀點的基板處理方法亦可更包含有於第6製程後將塗佈膜加熱之第7製程，第3~第5製程亦可於第7製程後進行。此時，由於可按在第7製程進行加熱處理後之被處理基板的翹曲，更適當地決定曝光寬度，故可使該周緣部之曝光寬度更均一。因此，藉於周緣曝光製程後將被處理基板顯像，可使該周緣部之去除寬度又更均一。
當在第5製程算出之翹曲量大於預定閾值時，亦可不對被處理基板進行曝光處理。此時，可預先判別在曝光機不易進行曝光處理之被處理基板，而將該被處理基板從曝光處理排除。因此，可提高被處理基板之處理效率。
基準基板亦可平坦，在第2製程取得之形狀資料係通過基準基板之端面的中央之第1剖面線的資料，在第4製程取得之形狀資料係通過該被處理基板之端面的中央之第2剖面線的資料，在第5製程，依據第1剖面線之資料及第2剖面線之資料，算出被處理基板之該翹曲量。此時，可從第1及第2剖面線之資料更簡單地算出被處理基板之翹曲量。
本揭示之一觀點的基板處理方法亦可更包含有周緣表面之拍攝製程及檢查製程，該周緣表面之拍攝製程以照相機拍攝被處理基板之表面中的周緣區域；該檢查製程將在第4製程拍攝之拍攝圖像進行圖像處理以檢查被處理基板之端面的狀態，並且將在周緣表面之拍攝製程拍攝的拍攝圖像進行圖像處理以檢查被處理基板之表面中的周緣區域之狀態。此時，可判別被處理基板之周緣附近的缺陷(例如裂縫、缺口、傷痕等)，而將該被處理基板從各種處理排除。因此，可提高被處理基板之處理效率。
本揭示之另一觀點的基板處理裝置包含有構造成將塗佈液供至被處理基板之表面的塗佈液供給部、構造成將第1及第2有機溶劑供至被處理基板之表面的溶劑供給部、構造成保持被處理基板並使其旋轉之第1旋轉保持部、至少1個照相機、及控制部；控制部執行第1處理、第2處理、第3處理、第4處理、第5處理、第6處理及第7處理，該第1處理遍及翹曲量為已知之基準基板的周緣全周以至少1個照相機拍攝基準基板之端面；該第2處理將在第1處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及基準基板之周緣全周取得基準基板之端面的形狀資料；該第3處理遍及被處理基板之周緣全周以至少1個照相機拍攝被處理基板之端面；該第4處理將在第3處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及被處理基板之周緣全周取得被處理基板之端面的形狀資料；該第5處理依據在第2處理取得之形狀資料及在第4處理取得之形狀資料，算出被處理基板之翹曲量；該第6處理控制塗佈液供給部及第1旋轉保持部，將塗佈液供至旋轉中之被處理基板的表面，藉以形成塗佈膜；該第7處理控制溶劑供給部及第1旋轉保持部，依據在第5處理算出之翹曲量，決定有機溶劑對塗佈膜之周緣部的供給位置，以從該供給位置供給之有機溶劑將該周緣部溶解而從旋轉中之被處理基板上去除。
在本揭示之另一觀點的基板處理裝置，控制部在第5處理算出被處理基板之翹曲量，在第7處理，依據該翹曲量，決定有機溶劑對塗佈膜之周緣部的供給位置，以從該供給位置供給之有機溶劑溶解該周緣部而從被處理基板上去除。因此，由於可按被處理基板之翹曲，適當地決定有機溶劑對塗佈膜之周緣部的供給位置，故可使該周緣部之去除寬度更均一。因而，即使被處理基板有翹曲時，仍可對該被處理基板之周緣，進行適當之處理。又，由於亦可對被處理基板之表面中較靠近周緣之區域形成電路，故可促進電路在被處理基板之高積體化，而可更有效率地利用被處理基板。
本揭示之另一觀點的基板處理裝置亦可更包含有構造成對被處理基板之表面中的周緣區域照射能量線之照射部；控制部更執行周緣曝光處理，該周緣曝光處理於第7處理後，控制照射部，而遍及被處理基板之周緣全周以預定曝光寬度將位於被處理基板之表面中的周緣區域之塗佈膜曝光，在周緣曝光處理，依據在第5處理算出之翹曲量，決定曝光寬度。此時，由於可按被處理基板之翹曲，適當地決定曝光寬度，故可使該周緣部之曝光寬度更均一。因此，藉於周緣曝光處理後將被處理基板顯像，可使該周緣部之除去寬度更均一。
本揭示之另一觀點的基板處理裝置亦可更包含有記憶有關被處理基板之資訊的記憶部；控制部更執行第8處理、第9處理、第10處理、第11處理及記憶處理，該第8處理於第7處理後，將塗佈膜加熱；該第9處理於第8處理後，遍及被處理基板之周緣全周，以照相機拍攝被處理基板之端面；該第10處理將在第9處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，遍及被處理基板之周緣全周取得被處理基板之端面的形狀資料；該第11處理依據在第2處理取得之形狀資料及在第10處理取得之形狀資料，算出被處理基板之翹曲量；該記憶處理當在第11處理算出之翹曲量大於預定閾值時，將被處理基板作為不進行曝光處理之被處理基板而記憶於記憶部。此時，可預先判別在曝光機不易進行曝光處理之被處理基板，而將該被處理基板從曝光處理排除。因此，可提高被處理基板之處理效率。
本揭示之另一觀點的基板處理裝置亦可更包含有構造成對被處理基板表面中之周緣區域照射能量線的照射部；控制部更執行第8處理、第9處理、第10處理、第11處理及周緣曝光處理，該第8處理於第7處理後，將塗佈膜加熱；該第9處理於第8處理後，遍及被處理基板之周緣全周，以照相機拍攝被處理基板之端面；該第10處理將在第9處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，遍及被處理基板之周緣全周取得被處理基板之端面的形狀資料；該第11處理依據在第2處理取得之形狀資料及在第10處理取得之形狀資料，算出被處理基板之翹曲量；該周緣曝光處理於第9處理後，控制照射部，而遍及被處理基板之周緣全周以預定曝光寬度將位於被處理基板之表面中的周緣區域之塗佈膜曝光；在周緣曝光處理，依據在第5處理算出之翹曲量，決定曝光寬度。此時，由於可按在第8處理進行加熱處理後之被處理基板的翹曲，更適當地決定曝光寬度，故可使該周緣部之曝光寬度更均一。因此，藉於周緣曝光處理後將被處理基板顯像，可使該周緣部之去除寬度又更均一。
本揭示之另一觀點的基板處理裝置亦可更包含有記憶有關被處理基板之資訊的記憶部；控制部更執行記憶處理，該記憶處理於在第11處理算出之翹曲量大於預定閾值時，將被處理基板作為不進行曝光處理之被處理基板而記憶於記憶部。此時，可預先判別在曝光機不易進行曝光處理之被處理基板，而將該被處理基板從曝光處理排除。因此，可提高被處理基板之處理效率。
本揭示之另一觀點的基板處理裝置包含有構造成將塗佈液供至被處理基板之表面的塗佈液供給部、構造成對被處理基板之表面中的周緣區域照射能量線之照射部、至少1個照相機、及控制部；控制部執行第1處理、第2處理、第3處理、第4處理、第5處理、第6處理及周緣曝光處理，該第1處理遍及翹曲量為已知之基準基板的周緣全周以至少1個照相機拍攝基準基板之端面；該第2處理將在第1處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及基準基板之周緣全周取得基準基板之端面的形狀資料；該第3處理遍及被處理基板之周緣全周以至少1個照相機拍攝被處理基板之端面；該第4處理將在第3處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及被處理基板之周緣全周取得被處理基板之端面的形狀資料；該第5處理依據在第2處理取得之形狀資料及在第4處理取得之形狀資料，算出被處理基板之翹曲量；該第6處理控制塗佈液供給部，將塗佈液供至被處理基板之表面，藉以形成塗佈膜；該周緣曝光處理於第6處理後，控制照射部，而遍及被處理基板之周緣全周以預定曝光寬度將位於被處理基板之表面中的周緣區域之塗佈膜曝光；在周緣曝光處理，依據在第5處理算出之翹曲量，決定曝光寬度。
在本揭示之另一觀點的基板處理裝置，在第5處理，算出被處理基板之翹曲量，在周緣曝光處理，依據該翹曲量，決定曝光寬度。因此，由於可按被處理基板之翹曲，適當地決定曝光寬度，故可使該周緣部之曝光寬度更均一。因而，藉於周緣曝光處理後，將被處理基板顯像，可使該周緣部之去除寬度更均一。結果，即使被處理基板有翹曲時，亦可對該被處理基板之周緣進行適當之處理。又，由於亦可對被處理基板中較靠近周緣之區域形成電路，故可促進電路在被處理基板之高積體化，而可更有效率地利用被處理基板。
本揭示之另一觀點的基板處理裝置亦可更包含有構造成加熱被處理基板之加熱部；控制部更執行於第6處理後控制加熱部而將塗佈膜加熱之第7處理，並於第7處理後執行第3~第5處理。此時，由於可按在第7處理進行加熱處理後之被處理基板的翹曲，更適當地決定曝光寬度，故可使該周緣部之曝光寬度更均一。因此，藉於周緣曝光處理後將被處理基板顯像，可使該周緣部之去除寬度又更均一。
本揭示之另一觀點的基板處理裝置亦可更包含有記憶有關被處理基板之資訊的記憶部；控制部更執行記憶處理，該記憶處理係當在第5處理算出之翹曲量大於預定閾值時，將被處理基板作為不進行曝光處理之被處理基板而記憶於記憶部。此時，可預先判別在曝光機不易進行曝光處理之被處理基板，而將該被處理基板從曝光處理排除。因此，可提高被處理基板之處理效率。
本揭示之另一觀點的基板處理亦可更包含有構造成保持被處理基板並使其旋轉之第2旋轉保持部；控制部在第3處理中一面控制第2旋轉保持部，使被處理基板旋轉，一面遍及被處理基板之周緣全周以至少1個照相機拍攝被處理基板之端面，第1旋轉保持部中保持被處理基板之部分的尺寸與第2旋轉保持部中保持被處理基板之部分的尺寸約略相同。而當旋轉保持部保持被處理基板時，於旋轉保持部與被處理基板之間產生應力，被處理基板之翹曲量變化便有可能變化。如上述，當第1旋轉保持部中保持被處理基板之部分的尺寸與第2旋轉保持部中保持被處理基板之部份的尺寸約略相同時，於旋轉保持部與被處理基板之間產生的應力便為相同程度。因此，在第3~第5處理中算出被處理基板之翹曲量時及在第7處理將有機溶劑供至塗佈膜之周緣部時，翹曲量之變化量為相同程度。因而，在第7處理，易決定有機溶劑對塗佈膜之周緣部的供給位置。
本揭示之另一觀點的基板處理裝置亦可更包含有構造成保持被處理基板並使其旋轉之第1及第2旋轉保持部；控制部在第3處理中一面控制第1旋轉保持部，使被處理基板旋轉，一面遍及被處理基板之周緣全周以至少1個照相機拍攝被處理基板之端面，在周緣曝光處理中，一面控制第2旋轉保持部，使被處理基板旋轉，一面遍及被處理基板之周緣全周以預定曝光寬度將位於被處理基板之表面中的周緣區域之塗佈膜曝光，第1旋轉保持部中保持被處理基板之部分的尺寸與第2旋轉保持部中保持被處理基板之部分的尺寸約略相同。而當旋轉保持部保持被處理基板時，於旋轉保持部與被處理基板之間產生應力，被處理基板之翹曲量便有可能變化。如上述，當第1旋轉保持部中保持被處理基板之部分的尺寸與第2旋轉保持部中保持被處理基板之部份的尺寸約略相同時，於旋轉保持部與被處理基板之間產生的應力便為相同程度。因此，在第3~第5處理中算出被處理基板之翹曲量時及在周緣曝光處理將塗佈膜之周緣部曝光時，翹曲量之變化量為相同程度。因而，在周緣曝光處理，易決定對塗佈膜之周緣部的曝光寬度。
在第3處理中進行被處理基板之拍攝的處理室與在第10處理中進行被處理基板之拍攝的處理室不同。
本揭示之另一觀點的基板處理裝置亦可更包含有構造成保持被處理基板並使其旋轉之第2旋轉保持部、及具有反射面之鏡構件，該反射面對第2旋轉保持部之旋轉軸傾斜，並且與保持於第2旋轉保持部之被處理基板的端面及背面之周緣區域對向；至少1個照相機中之1個照相機具有拍攝元件，該拍攝元件係來自保持於第2旋轉保持部之被處理基板的表面之周緣區域的第1光、及來自保持於第2旋轉保持部之被處理基板的端面之第2光以鏡構件之反射面反射後的反射光皆藉由透鏡輸入。此時，被處理基板之表面的周緣區域與基板之端面兩者以1台照相機同時拍攝。因此，不需要複數之照相機，結果，亦不需要用以設置複數之照相機的空間。又，由於亦不需要用以使照相機移動之機構，故亦不需要用以設置該機構之空間。因而，可謀求基板拍攝裝置之小型化及低成本化。
基準基板亦可平坦，控制部在第2處理取得通過基準基板之端面的中央之第1剖面線的資料作為基準基板之端面的形狀資料，在第4處理中，取得通過被處理基板之端面的中央之第2剖面線的資料作為被處理基板之端面的形狀資料，在第5處理中，依據第1剖面線之資料及第2剖面線之資料，算出被處理基板之翹曲量。此時，可從第1及第2剖面線之資料更簡單地算出被處理基板之翹曲量。
該控制部亦可更執行周緣表面之拍攝處理、及檢查處理，該周緣表面之拍攝處理以至少1個照相機拍攝被處理基板之表面中的周緣區域；該檢查處理將在第4處理拍攝之拍攝圖像進行圖像處理以檢查被處理基板之表面中的周緣區域端面之狀態，並且將在周緣表面之拍攝處理拍攝的拍攝圖像進行圖像處理以檢查被處理基板之表面中的周緣區域之狀態。此時，可判別被處理基板之周緣附近的缺陷(例如裂縫、缺口、傷痕等)，而將該被處理基板從各種處理排除。因此，可提高被處理基板之處理效率。
本揭示之另一觀點的電腦可讀取記錄媒體記錄有用以使基板處理裝置執行上述基板處理方法之程式。在本揭示之另一觀點的電腦可讀取媒體，與上述基板處理方法同樣地，可使塗佈膜之周緣部的去除寬度更均一。在本說明書中，電腦可讀取記錄媒體包含非暫時性之有形媒體(non-transitory computer recording medium：非暫時性電腦記錄媒體)(例如各種主記憶裝置或輔助記憶裝置)、傳播信號(transitory computer recording medium：暫時性電腦記錄媒體)(例如可藉由網路提供之資料信號)。 [發明的功效]
根據本揭示之基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體，即使基板有翹曲時，仍可對該基板之周緣進行適當之處理。
[用以實施發明之形態] 由於以下說明之本揭示的實施形態係用以說明本發明之例示，故本發明不應限定在以下之內容。在以下之說明中，同一要件或具有同一功能之要件使用同一符號，而省略重複之說明。
[基板處理系統] 如圖1所示，基板處理系統1(基板處理裝置)包含有塗佈顯像裝置2(基板處理裝置)、控制器10(控制部)。於基板處理系統1附設有曝光裝置3。曝光裝置3具有可與基板處理系統1之控制器10通信的控制器(圖中未示)。曝光裝置3構造成在與塗佈顯像裝置2之間收送晶圓W(基板)，進行形成於晶圓W之表面Wa(參照圖5等)的感光性抗蝕膜之曝光處理(圖形曝光)。具體而言，以浸潤式曝光等方法對感光性抗蝕膜(感光性被覆膜)之曝光對象部分選擇性地照射能量線。能量線可舉例如ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、g線、i線或極紫外線(EUV：Extreme Ultraviolet)等為例。
塗佈顯像裝置2於曝光裝置3所行的曝光處理之前，進行於晶圓W之表面Wa形成感光性抗蝕膜或非感光性抗蝕膜(以下統稱為「抗蝕膜R」(參照圖5)。)之處理。塗佈顯像裝置2於曝光裝置3所行之感光性抗蝕膜的曝光處理後，進行該感光性抗蝕膜之顯像處理。
晶圓W可呈圓板狀，亦可呈多角形等圓形以外之板狀。晶圓W亦可具有一部分切開之切開部。切開部可為例如凹口(U字形、V字形等溝)，亦可為延伸成直線狀之直線部(所謂之定向平面)。晶圓W亦可為例如半導體基板、玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display：平面顯示器)基板及其他基板各種基板。晶圓W之直徑亦可為例如200mm~450mm左右。此外，於晶圓W之緣存在斜角(倒角)時，本說明書之「表面」亦包含從晶圓W之表面Wa側觀看時之斜角部分。同樣地，本說明書之「背面」亦包含從晶圓W之背面Wb(參照圖5等)側觀看時之斜角部分。本說明書之「端面」亦包含從晶圓W之端面Wc(參照圖5等)側觀看時之斜角部分。
如圖1~圖4所示，塗佈顯像裝置2包含有載具區塊4、處理區塊5、介面區塊6。載具區塊4、處理區塊5及介面區塊6於水平方向排列。
如圖1、圖3及圖4所示，載具區塊4具有載具站12及搬入搬出部13。載具站12支撐複數之載具11。載具11將至少1個晶圓W以密封狀態收容。於載具11之側面11a設有用以取出放入晶圓W之開關門(圖中未示)。載具11於載具站12上裝卸自如地設置成側面11a面向搬入搬出部13側。
於載具11內設有記錄媒體11b(參照圖1)。記錄媒體11b為例如非揮發性記憶體，其使載具11內之晶圓W與有關該晶圓W之資訊(細節後述)對應而記憶。在載具11裝設於載具站12之狀態下，控制器10可於記錄媒體11b存取，而可進行記錄媒體11b之資訊的讀取及對記錄媒體11b之資訊的寫入。
搬入搬出部13位於載具站12及處理區塊5之間。搬入搬出部13具有複數之開關門13a。於載具站12上載置載具11之際，呈載具11之開關門面向開關門13a之狀態。藉同時開放開關門13a及側面11a之開關門，載具11內與搬入搬出部13內連通。搬入搬出部13內裝有交接臂A1。交接臂A1從載具11取出晶圓W而遞交至處理區塊5，並從處理塊5接收晶圓W而放回載具11內。
如圖1及圖2所示，處理區塊5具有單位處理區塊14~17。單位處理區塊14~17從地面側依單位處理區塊17、單位處理區塊14、單位處理區塊15、單位處理區塊16之順序排列。如圖3所示，單位處理區塊14、15、17具有溶液處理單元U1、熱處理單元U2(加熱部)、檢查單元U3。如圖4所示，單位處理區塊16具有溶液處理單元U1、熱處理單元U2(加熱部)、檢查單元U3及周緣曝光單元U4。
溶液處理單元U1構造成將各種處理液供至晶圓W之表面Wa(細節後述)。熱處理單元U2構造成以例如熱板將晶圓W加熱，以例如冷卻板將加熱後之晶圓W冷卻來進行熱處理。檢查單元U3構造成檢查晶圓W之各面(表面Wa、背面Wb、及端面Wc(參照圖5等))(細節後述)。周緣曝光單元4構造成對形成有抗蝕膜R之晶圓W的周緣區域Wd(參照圖5等)照射紫外線，將抗蝕膜R中位於周緣區域Wd之部分進行曝光處理。
單位處理區塊14係構造成於晶圓W之表面Wa上形成下層膜之下層膜形成區塊(BCT區塊)。單位處理區塊14內裝有將晶圓W搬送至各單元U1~U3之搬送臂A2(參照圖2及圖3)。單位處理區塊14之溶液處理單元U1將下層膜形成用塗佈液塗佈於晶圓W之表面Wa而形成塗佈膜。單位處理區塊14之熱處理單元U2進行伴隨下層膜之形成而產生的各種熱處理。熱處理之具體例可舉用以使塗佈膜硬化而作為下層膜之加熱處理為例。下層膜可舉例如反射防止(SiARC)膜為例。
單位處理區塊15係構造成於下層膜上形成中間膜之中間膜(硬遮罩)形成區塊(HMCT區塊)。單位處理區塊15內裝有將晶圓W搬送至各單元U1~U3之搬送臂A3(參照圖2及圖3)。單位處理區塊15之溶液處理單元U1將中間膜形成用塗佈液塗佈於下層膜上而形成塗佈膜。單位處理區塊15之熱處理單元U2進行伴隨中間膜之形成而產生的各種熱處理。熱處理之具體例可舉用以使塗佈膜硬化而作為中間膜之加熱處理為例。中間膜可舉例如SOC(Spin On Carbon)膜、非晶碳膜為例。
單位處理區塊16係構造成於中間膜上形成具有熱硬化性之抗蝕膜R的抗蝕膜形成區塊(COT區塊)。單位處理區塊16內裝有將晶圓W搬送至各單元U1~U4之搬送臂A4(參照圖2及圖4)。單位處理區塊16之溶液處理單元U1將抗蝕膜形成用塗佈液(抗蝕劑)塗佈於中間膜上而形成塗佈膜。單位處理區塊16之熱處理單元U2進行伴隨抗蝕膜之形成而產生的各種熱處理。熱處理之具體例可舉用以使塗佈膜硬化而作為抗蝕膜R之加熱處理(PAB：Pre Applied Bake)為例。
單位處理區塊17係構造成進行已曝光之抗蝕膜R的顯像處理之顯像處理區塊(DEV區塊)。單位處理區塊17內裝有將晶圓W搬送至各單元U1~U3之搬送臂A5、不經由該等單元來搬送晶圓W之直接搬送臂A6(參照圖2及圖3)。單位處理區塊17之溶液處理單元U1將顯像液供至曝光後之抗蝕膜R，將抗蝕膜R顯像。單位處理區塊17之溶液處理單元U1將清洗液供至顯像後之抗蝕膜R而將抗蝕膜R之溶解成分與顯像液一同洗掉。藉此，可去除部分抗蝕膜R，而形成抗蝕圖形。單位處理區塊17之熱處理單元U2進行伴隨顯像處理而產生之各種熱處理。熱處理之具體例可舉顯像處理前之加熱處理(PEB：Post Exposure Bake：曝後烤)、顯像處理後之加熱處理(PB：Post Bake：後烘烤)等為例。
如圖2~圖4所示，於處理區塊5內之載具區塊4側設有架單元U10。架單元U10從地面設至單位處理區塊16，並區劃成於上下方向排列之複數的單元元件。於架單元U10附近設有升降臂A7。升降臂A7使晶圓W在架單元U10的諸單元元件之間升降。
於處理區塊5內之介面區塊6側設有架單元U11。架單元U11從地板面設至單位處理區塊17之上部，並區劃成於上下方向排列之複數的單元元件。
介面區塊6內裝有交接臂A8，並連接於曝光裝置3。交接臂A8構造成取出架單元U11之晶圓W而交遞至曝光裝置3，並從曝光裝置3接收晶圓W而放回架單元U11。
控制器10控制基板處理系統1部分或全體。控制器10之細節後述。此外，控制器10可在與曝光裝置3的控制器之間傳送接收信號，以各控制器之合作，控制基板處理系統1及曝光裝置3。
[溶液處理單元之結構] 接著，參照圖5，就溶液處理單元U1更詳細地說明。如圖5所示，溶液處理單元U1具有旋轉保持部20、溶液供給部30(塗佈液供給部)及溶液供給部40(溶劑供給部)。
旋轉保持部20具有旋轉部21、保持部22。旋轉部21具有突出至上方之軸23。旋轉部21以例如電動馬達等為動力源而使軸23旋轉。保持部22設於軸23之前端部。可於保持部22上配置晶圓W。保持部22係例如以吸附等將晶圓W保持成大約水平之吸附吸盤。保持部22(吸附吸盤)之形狀並未特別限定，亦可為例如圓形。保持部22之尺寸亦可小於晶圓W。保持部22為圓形時，保持部22之尺寸亦可為例如直徑80mm左右。
旋轉保持部20在晶圓之姿勢為大約水平的狀態下，使晶圓W繞對晶圓W之表面Wa垂直的軸(旋轉軸)旋轉。在本實施形態中，由於旋轉軸通過呈圓形之晶圓W的中心，故亦為中心軸。在本實施形態中，如圖5所示，旋轉保持部20從上方觀看時，使晶圓W順時鐘旋轉。
溶液供給部30構造成將處理液L1供至晶圓W之表面Wa。在單位處理區塊14~16，處理液L1係用以形成下層膜、中間膜或抗蝕膜之各種塗佈液。此時，溶液供給部30具有塗佈液供給部之功能。在單位處理區塊17，處理液L1為顯像液。此時，溶液供給部30具有顯像液供給部之功能。
溶液供給部30具有溶液源31、泵32、閥33、噴嘴34、配管35。溶液源31具有處理液L1之供給源的功能。泵32從溶液源31吸引處理液L1，藉由配管35及閥33，送出至噴嘴34。噴嘴34於晶圓W之上方配置成吐出口朝向晶圓W之表面Wa。噴嘴34構造成藉圖中未示之驅動部而可於水平方向及上下方向移動。噴嘴34可將從泵32送出之處理液L1吐出至晶圓W之表面Wa。配管35從上游側依序連接溶液源31、泵32、閥33及噴嘴34。
溶液供給部40構造成將處理液L2供至晶圓W之表面Wa。在單位處理區塊14~16，處理液L2係用以將下層膜、中間膜或抗蝕膜從晶圓W去除之各種有機溶劑。此時，溶液供給部40具有溶劑供給部之功能。在單位處理區塊17，處理液L2為清洗液。此時，溶液供給部40具有清洗液供給部之功能。
溶液供給部40具有溶液源41、泵42、閥43、噴嘴44及配管45。溶液源41具有處理液L2之供給源的功能。泵42從溶液源41吸引處理液L2，藉由配管45及閥43送出至噴嘴44。噴嘴44於晶圓W之上方配置成吐出口朝向晶圓W之表面Wa。噴嘴44構造成可藉圖中未示之驅動部而於水平方向及上下方向移動。噴嘴44將從泵42送出之處理液L2吐出至晶圓W之表面Wa。配管45從上游側依序連接溶液源41、泵42、閥43及噴嘴44。
[檢查單元之結構] 接著，參照圖6~圖16，就檢查單元U3，更詳細地說明。如圖6~圖8所示，檢查單元3具有殼體100、旋轉保持副單元200(旋轉保持部)、表面拍攝副單元300、周緣拍攝副單元400(基板拍攝裝置)、背面拍攝副單元500。各副單元200~500配置於殼體100內。於殼體100中之一端壁形成有用以將晶圓W搬入至殼體100之內部及搬出至殼體100之外部的搬入搬出口101。
旋轉保持副單元200具有保持台201、致動器202、203、引導軌道204。保持台201係例如以吸附等將晶圓W保持成大約水平之吸附吸盤。保持台201(吸附吸盤)之形狀並未特別限定，亦可為例如圓形。保持台201之尺寸可小於晶圓W，亦可為與保持部22(吸附吸盤)之尺寸相同的程度。保持台201為圓形時，保持台201(吸附吸盤)之尺寸亦可為例如直徑80mm左右。
致動器202係例如電動馬達，將保持台201驅動旋轉。即，致動器202使保持於保持台201之晶圓W旋轉。致動器202亦可具有用以檢測保持台201之旋轉位置的編碼器。此時，可進行各拍攝副單元300、400、500之晶圓W的各面之拍攝位置與旋轉位置之對應。晶圓W具有切開部時，可依據以各拍攝副單元300、400、500判別之該切開部及以編碼器檢測出之旋轉位置，界定晶圓W之姿勢。
致動器203係例如線性致動器，使保持台201沿著引導軌道204移動。即，致動器203在引導軌道204之一端側與另一端側之間搬送保持於保持台201之晶圓W。因而，保持於保持台201之晶圓W可在靠搬入搬出口101之第1位置與靠周緣拍攝副單元400及背面拍攝副單元500的第2位置之間移動。引導軌道204在殼體100內延伸成線狀(例如直線狀)。
表面拍攝副單元300具有照相機310(拍攝設備)、及照明模組320。照相機310及照明模組320構成一組拍攝模組。照相機310具有透鏡、1個拍攝元件(例如CCD影像感測器、CMOS影像感測器等)。照相機310與照明模組320(照明部)對向。
照明模組320具有半鏡321及光源322。半鏡321以對水平方向傾斜大約45°之狀態配置於殼體100內。半鏡321以從上方觀看時與引導軌道201之延伸方向交叉的狀態位於引導軌道204之中間部分的上方。半鏡321呈矩形。半鏡321之長度大於晶圓W之直徑。
光源322位於半鏡321之上方。光源322長於半鏡321。從光源322射出之光全體通過半鏡321而朝下方(引導軌道204側)照射。通過半鏡321之光以位於半鏡321之下方的物體反射後，再以半鏡321反射，通過照相機310之透鏡而入射至照相機310之拍攝元件。即，照相機310可藉由半鏡321，拍攝存在於光源322之照射區域的物體。舉例而言，保持晶圓W之保持台201藉致動器203沿著引導軌道204移動之際，照相機310可拍攝通過光源322之照射區域的晶圓W之表面Wa。以照相機310拍攝之拍攝圖像的資料發送至控制器10。
如圖6~圖12所示，周緣拍攝單元400具有照相機410(拍攝設備)、照明模組420、鏡構件430。照相機410、照明模組420(照明部)及鏡構件430構成一組拍攝模組。照相機410具有透鏡411、1個拍攝元件412(例如CCD影像感測器、CMOS影像感測器等)。照相機410與照明模組420對向。
如圖9~圖12所示，照明模組420配置於保持在保持台201之晶圓W的上方。照明模組420具有光源421、光散射構件422、保持構件423。光源421亦可以例如複數之LED點光源421b(參照圖12)構成。
如圖9~圖12所示，保持構件423於內部保持有半鏡424、圓柱透鏡425、光擴散構件426及焦點調節透鏡427。如圖12所示，半鏡424以對水平方向傾斜大約45°之狀態配置於貫穿孔423a及交叉孔423b之交叉部分。半鏡424呈矩形。
如圖9及圖10所示，焦點調節透鏡427配置於交叉孔423b內。焦點調節透鏡427只要為具有使與透鏡411之合成焦點距離變化的功能之透鏡，並未特別限定。焦點調節透鏡427為例如呈長方體形狀之透鏡。
如圖9及圖12所示，鏡構件430配置於照明模組420之下方。如圖9及圖12~圖14所示，鏡構件430具有本體431、反射面432。本體431以鋁塊構成。
如圖9及圖14所示，反射面432於保持在保持台201之晶圓W位於第2位置時，與保持在保持台201之晶圓W的端面Wc及背面Wb之周緣區域Wd對向。反射面432對保持台201之旋轉軸傾斜。反射面432施行了鏡面加工。舉例而言，反射面432可貼附鏡薄片，亦可施行鍍鋁，還可蒸鍍鋁材料。
反射面432係朝遠離保持於保持台201之晶圓W的端面Wc之側凹陷的彎曲面。即，鏡構件430為凹面鏡。因此，當晶圓W之端面Wc映照於反射面432時，其鏡像比實像放大。反射面432之曲率半徑亦可為例如10mm~30mm左右。反射面432之張角θ(參照圖14)亦可為100°~150°左右。此外，反射面432之張角θ係指外切於反射面432之2個平面構成的角。
在照明模組420，從光源421射出之光以光射散構件122散射，以圓柱透鏡425放大，再以光擴散構件426擴散後，全體通過半鏡424而朝下方照射。通過半鏡424之擴散光以位於半鏡424之下方的鏡構件430之反射面432反射。當保持於保持台201之晶圓W位於第2位置時，如圖15(a)所示，擴散光以反射面432反射後之反射光主要照射至晶圓W之端面Wc(晶圓W之緣存在斜角時，特別是斜角部分之上端側)及表面Wa之周緣區域Wd。
從晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd反射之反射光不朝向鏡構件430之反射面432而以半鏡424再反射(參照圖15(b))後，不通過焦點調節透鏡427，而通過照相機410之透鏡411，入射至照相機410之拍攝元件412。另一方面，從晶圓W之端面Wc反射之反射光以鏡構件430之反射面432及半鏡424依序反射，依序通過焦點調節透鏡427及照相機410之透鏡411，而入射至照相機410之拍攝元件412。因而，從晶圓W之端面Wc到達照相機410之拍攝元件412的光之光程長度長於從晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd到達照相機410之拍攝元件412的光之光程長度。該等光程之光程差亦可為例如1mm~10mm左右。如此，可於照相機410之拍攝元件412輸入來自晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd之光及來自晶圓W之端面Wc的光兩者。即，保持於保持台201之晶圓W位於第2位置時，照相機410可拍攝晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd及晶圓W之端面Wc兩者。以照相機410拍攝之拍攝圖像的資料發送至控制器10。
此外，當焦點調節透鏡427不存在而對焦晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd時，因該光程差之存在，在以照相機410拍攝之拍攝圖像中，有晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd照得清楚而晶圓W之端面Wc則照得模糊之傾向。另一方面，當焦點調節透鏡427不存在而對焦晶圓W之端面Wc時，因該光程差之存在，在以照相機410拍攝之拍攝圖像中，有晶圓W之端面Wc照得清楚而晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd則照得模糊之傾向。然而，由於在以鏡構件430之反射面432反射的反射光至透鏡411為止之間存在焦點調節透鏡427，故即使該光程差存在，晶圓W之端面Wc的成像位置仍對準拍攝元件412。因而，在以照相機410拍攝之拍攝圖像中，晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd與晶圓W之端面Wc皆照得清楚。
如圖6~圖11及圖16所示，背面拍攝副單元500具有照相機510(拍攝設備)、照明模組520(照明部)。照相機510及照明模組520構成一組拍攝模組。照相機510具有透鏡511、1個拍攝元件512(例如CCD影像感測器、CMOS影像感測器等)。照相機510與照明模組520(照明部)對向。
照明模組520配置於照明模組420之下方、也是保持在保持台201之晶圓W的下方。如圖16所示，照明模組520具有半鏡521、光源522。半鏡521以對水平方向傾斜大約45°之狀態配置。半鏡521呈矩形。
光源522位於半鏡521之下方。光源522長於半鏡521。從光源522射出之光全體通過半鏡521，朝上方照射。通過半鏡521之光以位於半鏡521之上方的物體反射後，再以半鏡521反射，通過照相機510之透鏡511，入射至照相機510之拍攝元件512。即，照相機510可藉由半鏡521，拍攝存在於光源522之照射區域的物體。舉例而言，保持於保持台201之晶圓W位於第2位置時，照相機510可拍攝晶圓W之背面Wb。以照相機510拍攝之拍攝圖像的資料發送至控制器10。
[周緣曝光單元之結構] 接著，參照圖17及圖18，就周緣曝光單元U4更詳細地說明。如圖17所示，周緣曝光單元U4具有殼體600、旋轉保持副單元700(旋轉保持部)、曝光副單元800(照射部)。各副單元700、800配置於殼體600內。於殼體600中之一端壁形成有用以將晶圓W搬入至殼體600之內部及搬出至殼體600之外部的搬入搬出口601。
如圖17及圖18所示，旋轉保持副單元700具有保持台701、致動器702、703、引導軌道704。保持台701係例如以吸附等將晶圓W保持成大約水平之吸附吸盤。保持台701(吸附吸盤)之形狀並未特別限定，亦可為例如圓形。保持台701之尺寸可小於晶圓W，亦可為與保持部22(吸附吸盤)及保持台201(吸附吸盤)之尺寸相同的程度。保持台701為圓形時，保持台701(吸附吸盤)之尺寸亦可為例如直徑80mm左右。
致動器702係例如電動馬達，將保持台701驅動旋轉。即，致動器702使保持於保持台201之晶圓W旋轉。致動器702亦可具有用以檢測保持台701之旋轉位置的編碼器。此時，可進行曝光副單元800之對晶圓W的周緣區域Wd之曝光位置與旋轉位置的對應。
致動器703為例如線性致動器，使保持台701沿著引導軌道704移動。即，致動器703在引導軌道704之一端側與另一端側之間搬送保持於保持台701之晶圓W。因而，保持於保持台701之晶圓W可在靠搬入搬出口601之第1位置與靠曝光副單元800的第2位置之間移動。引導軌道704在殼體600內延伸成線狀(直線狀)。
曝光副單元800位於旋轉保持副單元700之上方。如圖18所示，曝光副單元800具有光源801、光學系統802、遮罩803、致動器804。光源801將含有可將抗蝕膜R曝光之波長成分的能量線(例如紫外線)朝下方(保持台701側)照射。光源801亦可使用例如超高壓UV燈、高壓UV燈、低壓UV燈、準分子燈等。
光學系統802位於光源801之下方。光學系統802以至少1個透鏡構成。光學系統802將來自光源801之光轉換成大約平行光，照射至遮罩803。遮罩803位於光學系統802之下方。於遮罩803形成有用以調節曝光面積之開口803a。來自光學系統802之平行光通過開口803a，而照射至保持於保持台701之晶圓W的表面Wa中的周緣區域Wd。
致動器804連接於光源801。致動器804為例如升降氣缸，使光源801於上下方向升降。即，光源801可藉致動器804在靠近保持於保持台701之晶圓W的第1高度位置(下降位置)與遠離保持於保持台701之晶圓W的第2高度位置(上升位置)之間移動。
[控制器之結構] 如圖19所示，控制器10具有讀取部M1、記憶部M2、處理部M3、指示部M4作為功能模組。該等功能模組僅是為方便而將控制器10之功能區分成複數之模組，未必是指構成控制器10之硬體分成此種模組。各功能模組不限以程式之執行實現，亦可以專用電氣電路(例如邏輯電路)或整合此專用電氣電路之積體電路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit：特定應用積體電路)實現。
讀取部M1從電腦可讀取記錄媒體RM讀取程式。記錄媒體RM記錄有用以使基板處理系統1之各部運作的程式。記錄媒體RM亦可為例如半導體記憶體、光記錄碟片、磁記錄碟片、磁光記錄碟片。
記憶部M2記憶各種資料。記憶部M2除了記憶例如在讀取部M1從記錄媒體RM讀取之程式、有關從記錄媒體11b讀取之晶圓W的資訊、在照相機310、410、510拍攝之拍攝圖像的資料外，還記憶將處理液L1、L2供至晶圓W之際的各種資料(所謂之處理配方)、由操作員藉由外部輸入裝置(圖中未示)輸入之設定資料等。
處理部M3處理各種資料。處理部M3依據例如記憶於記憶部M2之各種資料，生成用以使溶液處理單元U1(例如旋轉保持部20、溶液供給部30、40等)、熱處理單元U2、檢查單元U3(例如旋轉保持副單元200、照相機310、410、510、照明模組320、420、520)及周緣曝光單元U4(例如旋轉保持副單元700、曝光副單元800)運作的運作信號。又，處理部M3依據在照相機310、410、510拍攝之拍攝圖像的資料，生成有關晶圓W之資訊。
指示部M4將在處理部M3生成之運作信號發送至各種裝置。指示部M4使記錄媒體11b記憶有關在處理部M3生成之晶圓W的資訊。指示部M4將用以讀取有關記憶於記錄媒體11b之晶圓W的資訊之指示信號發送至記錄媒體11b。
控制器10之硬體以例如1個或複數個控制用電腦構成。控制器10具有例如圖20所示之電路10A作為硬體上之結構。電路10A亦可以電氣電路要件(circuitry)構成。電路10A具體具有處理器10B、記憶體10C(記憶部)、儲存器10D(記憶部)、驅動器10E、輸入輸出埠10F。處理器10B與記憶體10C及儲存器10D至少一者協作來執行程式，而執行藉由輸入輸出埠10之信號的輸入輸出，藉此，構成上述各功能模組。記憶體10C及儲存器10D具有記憶部M2之功能。驅動器10E係將基板處理系統1之各種裝置分別驅動的電路。輸入輸出埠10F在驅動器10E與基板處理系統1之各種裝置(例如記錄媒體11b、旋轉部21、保持部22、泵32、42、閥33、43、熱處理單元U2、保持台201、701、致動器202、203、702、703、804、照相機310、410、510、光源322、421、522、801等)之間進行信號之輸入輸出。
在本實施形態中，基板處理系統1具有1個控制器10，亦可具有以複數之控制器10構成的控制器群(控制部)。基板處理系統1具有控制器群時，上述功能模組可分別以1個控制器10實現，亦可以2個以上之控制器10的組合實現。控制器10以複數之電腦(電路10A)構成時，上述功能模組分別可以1個電腦(電路10A)實現，亦可以2個以上之電腦(電路10A)的組合實現。控制器10亦可具有複數之處理器10B。此時，上述功能模組分別可以1個處理器10B實現，亦可以2個以上之處理器10B的組合實現。
[基準晶圓之剖面線的算出方法] 接著，參照圖21，就使用檢查單元3來算出基準晶圓之剖面線的方法作說明。在此，基準晶圓係指翹曲量(特別是周緣之翹曲量)已知之晶圓。基準晶圓亦可為平坦之晶圓。晶圓W之平坦度的評價指標可舉例如以SEMI(Semiconductor equipment and materialsinternational：國際半導體設備與材料產業協會)規格定義之GBIR(Global Backside Ideal focal plane Range)、SFQR(Site Frontsideleast sQuares focal plane Range)、SBIR(Site Backside least sQuares focal plane Range)、ROA（Roll OffAmount）、ESFQR（Edge Site Frontside least sQuares focal plane Range）、ZDD（Z-heightDouble Differentiation）等為例。基準晶圓例如可具有SFQR之最大值為100nm左右之平坦度，亦可具有SFQR之最大值為42nm左右之平坦度，還可具有SFQR之最大值為32nm左右之平坦度，尚可具有SFQR之最大值為16nm左右之平坦度。
因保持台201之旋轉軸自體的軸向偏轉、旋轉保持副單元200之機械組裝公差引起之偏轉、保持台201之吸附面的公差引起之偏轉等的存在，藉保持台201旋轉之晶圓W偏心旋轉，晶圓W之周緣有可能上下偏轉。使用基準晶圓之目的在於獲得在旋轉保持副單元200之晶圓W的上下方向之偏轉的基準值。可於基板處理系統1所行之晶圓W的處理開始前，使用基準晶圓，取得基準值之資料，亦可於基板處理系統1之保養(調整、清掃等)後，使用基準晶圓，取得基準值之資料，還可定期地使用基準晶圓，取得基準值之資料。藉將基準值之資料與在檢查單元U3檢查實際處理之晶圓W(處理晶圓)而得之資料比較，可掌握處理晶圓之正確的翹曲量。
首先，控制器10控制基板處理系統1之各部，使基準晶圓搬送至檢查單元U3(步驟S11)。其次，控制器10控制旋轉保持副單元200，使基準晶圓保持於保持台201。接著，控制器10控制旋轉保持副單元200，以致動器203使保持台201沿著引導軌道204從第1位置移動至第2位置。藉此，基準晶圓之周緣部位於照明模組420與鏡構件430之間。
然後，控制器10控制旋轉保持副單元200，以致動器202使保持台201旋轉。藉此，基準晶圓旋轉。在此狀態下，控制器10控制周緣拍攝副單元400，一面使光源421啟動(ON)，一面以照相機410進行拍攝(步驟S12)。如此進行，可遍及基準晶圓之周緣全周拍攝基準晶圓之端面。
接著，依據在步驟S12所得之基準晶圓的端面之拍攝圖像，在處理部M3算出基準晶圓之剖面線(步驟S13)。具體而言，控制器10在處理部M3依據例如對比差，從拍攝圖像判別基準晶圓之端面的上緣及下緣。然後，控制器10在處理部M3算出通過該上緣與下緣之中間位置的線作為剖面線。如此進行，可取得基準晶圓之端面的形狀。此外，一例係於圖25顯示基準晶圓之剖面線P0。
[晶圓處理方法] 接著，參照圖22，就晶圓W之處理方法作說明。首先，控制器10控制基板處理系統1之各部，使晶圓W從載具11搬送至檢查單元U3，進行晶圓W之檢查處理(步驟S21)。晶圓W之檢查處理的細節後述，在晶圓W之檢查處理算出晶圓W之翹曲量。使算出之該翹曲量與該晶圓W對應來記憶於記憶部M2。
接著，控制器10控制基板處理系統1之各部，將晶圓W搬送至溶液處理單元U1，於晶圓W之表面Wa形成抗蝕膜R(步驟S22)。具體而言，控制器10控制旋轉保持部20，使晶圓W保持於保持部22，並且以預定轉速使晶圓W旋轉。在此狀態下，控制器10控制泵32、閥33及噴嘴34(更詳而言之，為驅動噴嘴34之驅動部)，從噴嘴34對晶圓W之表面Wa吐出處理液L1(抗蝕液)，而於晶圓W之表面Wa全體形成未固化之狀態的塗佈膜(未固化膜)。
接著，控制器10控制基板處理系統1之各部，去除未固化膜中位於晶圓W之周緣區域Wd的部分(未固化膜之周緣部)(進行所謂之邊緣清洗處理)(步驟S23)。具體而言，控制器10控制旋轉保持部20，使晶圓W保持於保持部22，並且以預定轉速(例如1500rpm左右)使晶圓W旋轉。在此狀態下，控制器10控制泵42、閥43及噴嘴44(更詳而言之為驅動噴嘴44之驅動部)，從噴嘴44對晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd吐出處理液L2(有機溶劑亦即稀釋劑)，而溶解未固化膜之周緣部。
然後，控制器10控制基板處理系統1之各部，將晶圓W從溶液處理單元U1搬送至熱處理單元U2。接著，控制器10控制熱處理單元U2，將未固化膜與晶圓W一同加熱(所謂之PAB)，而形成未固化膜固化之固化膜(抗蝕膜R)(步驟S24)。
而當晶圓W之周緣存在翹曲時，於晶圓W旋轉之際，晶圓W之周緣的高度位置便有可能變動。在此，進行不改變噴嘴44之高度位置而對周緣翹曲之晶圓W進行邊緣清洗處理的試驗後，如圖24(a)所示，確認了晶圓W之周緣的翹曲量與抗蝕膜R之周緣部的去除寬度RW(參照圖24(b))之間有比例關係。因此，當對此種晶圓W進行邊緣清洗處理時，去除寬度RW有可能沿著晶圓W之周緣不均一。此外，去除寬度RW係從晶圓W之表面Wa側觀看時，晶圓W之徑方向的晶圓W之周緣與抗蝕膜R之周緣的直線距離。
是故，在步驟S23，控制器10從記憶部M2讀取在步驟S21算出之晶圓W的周緣之翹曲量，依據該翹曲量，決定噴嘴44之處理液L2對抗蝕膜R之周緣部的供給位置等。由於在溶液處理單元U1之處理配方中，假定無翹曲之晶圓W，而預先設定了去除寬度之設定值，故為使未固化膜之周緣部的實際去除寬度為所期之大小，控制器10依據翹曲量，修正該設定值。具體而言，為使未固化膜之周緣部的去除寬度為所期之大小，控制器10控制噴嘴44來調節噴嘴44之吐出口的位置，或控制噴嘴44來調節噴嘴44對晶圓W之移動速度，抑或控制閥43來調節處理液L2從噴嘴44吐出之流量。
藉此，可一面依不同之各晶圓，改變噴嘴44之處理液L2的供給位置等，一面從噴嘴44對晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd吐出處理液L2(有機溶劑)。此外，對一晶圓W進行邊緣清洗處理之際，由於邊緣清洗處理之晶圓W的轉速較高(例如1500rpm左右)，故亦可依據該晶圓W之周緣的翹曲量之平均值，決定該供給位置。此外，去除寬度亦可為例如1mm左右。
接著，控制器10控制基板處理系統1之各部，使晶圓W從溶液處理單元U1搬送至周緣曝光單元U4，進行晶圓W之周緣曝光處理(步驟S25)。具體而言，控制器10控制旋轉保持副單元700，使晶圓W保持於保持台701，並且以預定轉速(例如30rpm左右)使晶圓W旋轉。在此狀態下，控制器10控制曝光副單元800，從光源801使預定能量線(紫外線)對位於晶圓W之表面Wa中的周緣區域Wd之抗蝕膜R照射。此外，保持台701之中心軸與晶圓W之中心軸不一致時，由於晶圓W在保持台701偏心旋轉，故控制器10亦可控制致動器703，按晶圓W之偏心量，使保持台701沿著引導軌道704移動。
而當晶圓W之周緣存在翹曲時，晶圓W旋轉之際，晶圓W之周緣的高度位置便有可能變動。此時，當使能量線照射至晶圓W之表面Wa中的周緣區域Wd時，在該周緣區域Wd，便可能產生能量線收斂之處及不收斂之處。因此，對該周緣區域Wd之曝光量有可能不足。
是故，在步驟S25，控制器10從記憶部M2讀取在步驟S21算出之晶圓W的周緣之翹曲量，依據該翹曲量，決定對該周緣區域Wd之曝光副單元800的位置。在周緣曝光單元U4之處理配方中，由於假定無翹曲之晶圓W而預先設定了曝光寬度之設定值，故為使抗蝕膜R之周緣部的實際之曝光寬度為所期之大小，控制器10依據翹曲量，修正該設定值。具體而言，為使抗蝕膜R之周緣部的曝光度為所期之大小，控制器10控制致動器703，調節晶圓W對曝光副單元800之水平位置，或控制致動器804，調節晶圓W對曝光副單元800之拉開距離(光程長度)。舉例而言，當晶圓W之周緣往靠近曝光副單元800之側翹曲時(往上翹曲時)，將晶圓W對曝光副單元800之水平位置調節成曝光副單元800靠晶圓W之中心，或曝光副單元800朝上方移動。另一方面，當晶圓W往遠離曝光副單元800之側翹曲時(往下翹曲時)，將晶圓W對曝光副單元800之水平位置調節成曝光副單元800靠晶圓W之周緣，或曝光副單元800朝下方移動。此外，晶圓W之周緣翹曲例如200μm左右時，晶圓W對曝光副單元800之水平位置調節例如0.1mm左右或曝光副單元800對晶圓W之高度位置調節例如0.2mm左右。
藉此，可一面依不同之各晶圓W，改變曝光副單元800對晶圓W之位置，一面對晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd照射能量線。此外，對1個晶圓W進行周緣曝光處理之際，由於晶圓W之轉速較低(例如30rpm左右)，故亦可依據對晶圓W之周緣的座標之翹曲量，決定曝光副單元800對晶圓W之位置。此外，曝光寬度亦可大於邊緣清洗處理之去除寬度，例如亦可為1.5mm左右。
接著，控制器10控制基板處理系統1之各部，使晶圓W從周緣曝光單元U4搬送至檢查單元U3，進行晶圓W之檢查處理(步驟S26)。在此之晶圓W的檢查處理與步驟S21相同，細節後述。
然後，控制器10控制基板處理系統1之各部，使晶圓W從檢查單元U3搬送至曝光裝置3，進行晶圓W之曝光處理(步驟S27)。具體而言，在曝光裝置3，對形成於晶圓W之表面Wa的抗蝕膜R以預定圖形照射預定能量線。之後，經單位處理區塊17之顯像處理等，於晶圓W之表面Wa形成抗蝕圖形。
[晶圓檢查方法] 接著，參照圖23，就晶圓W(被處理基板)之檢查方法，詳細說明。首先，控制器10控制基板處理系統1之各部，使晶圓W搬送至檢查單元U3(步驟S31)。其次，控制器10控制旋轉保持副單元200，使晶圓W保持於保持台201。然後，控制器10控制旋轉保持副單元200，使保持台201藉致動器203沿著引導軌道204從第1位置移動至第2位置。此時，控制器10控制表面拍攝副單元300，一面使光源322啟動(ON)，一面以照相機310進行拍攝(步驟S32；晶圓W之表面Wa的拍攝製程)。如此進行，可拍攝晶圓W之表面Wa整面。當晶圓W到達第2位置，照相機310所行之拍攝完畢時，便將照相機310之拍攝圖像的資料發送至記憶部M2。在照相機310所行之拍攝完畢時，晶圓W之周緣部位於照明模組420與鏡構件430之間。
接著，控制器10控制旋轉保持副單元200，以致動器202使保持台201旋轉。藉此，晶圓W旋轉。在此狀態下，控制器10控制周緣拍攝副單元400，一面使光源421啟動(ON)，一面以照相機410進行拍攝(步驟S32；晶圓W之端面Wc的拍攝製程及晶圓W之表面Wa中的周緣區域Wd之拍攝製程)。如此進行，遍及晶圓W之周緣全周，拍攝晶圓W之端面Wc及晶圓W之表面Wa中的周緣區域Wd。同時，控制器10控制背面拍攝副單元500，一面使光源522啟動(ON)，一面以照相機510進行拍攝(步驟S32；晶圓W之背面Wb的拍攝製程)。如此進行，可拍攝晶圓W之背面Wb。當晶圓W旋轉1圈，照相機410、510所行之拍攝完畢時，便將照相機410、510之拍攝圖像的資料發送至記憶部M2。
接著，控制器10在處理部M3處理在步驟S32所拍攝之拍攝圖像的資料，檢測晶圓W之缺陷(步驟S33)。圖像處理所行之缺陷檢測可使用眾所皆知之各種手法，舉例而言，亦可依據對比差，檢測缺陷。控制器10依據所檢測出之缺陷的大小、形狀、場所等，在處理部M3判定缺陷之種類(例如裂縫、缺口、傷痕、塗佈膜之形成不良等)。
然後，控制器10在處理部M3判定在步驟S33所檢測出之缺陷是否在容許範圍內。判定之結果，當無法容許之缺陷存在於晶圓W時(在步驟S34為否)，不對該晶圓W進行之後的處理，控制器10控制基板處理系統1之各部，將該晶圓W送回載具11(步驟S35)。因此，不對該晶圓W進行步驟S27之曝光處理(參照圖22及圖23之「A」記號)。
另一方面，判定之結果，當晶圓W不存在缺陷或可容許之缺陷存在於晶圓W時(在步驟S34為是)，控制器10依據在步驟S32所得之晶圓W的端面Wc之拍攝圖像，在處理部M3算出晶圓W之剖面線(步驟S36)。具體而言，控制器10依據例如對比差，從拍攝圖像判別晶圓W之端面Wc的上緣及下緣。又，控制器10在處理部M3算出通過該上緣與下緣之中間位置的線作為剖面線。如此進行，可取得晶圓W之端面Wc的形狀。
一例係於圖25顯示3種晶圓W之剖面線P1~P3。剖面線P1繪成正弦曲線成與基準晶圓之剖面線P0交叉。剖面線P2在不超過基準晶圓之剖面線P0下，沿著剖面線P0延伸。剖面線P3在不低於基準晶圓之剖面線P0下，沿著剖面線P0延伸。
接著，控制器10使用在步驟S13預先取得之剖面線P0，修正在步驟S36取得之剖面線P1~P3，在處理部M3算出晶圓W之翹曲量(步驟S37)。具體而言，控制器10在處理部M3從晶圓W之剖面線減去基準晶圓之剖面線，算出對晶圓W之座標(角度)的翹曲量。
於圖26顯示從晶圓W之剖面線P1減去基準晶圓之剖面線P0而得的翹曲量Q1、從晶圓W之剖面線P2減去基準晶圓之剖面線P0而得的翹曲量Q2、從晶圓W之剖面線P3減去基準晶圓之剖面線P0而得的翹曲量Q3。根據翹曲量Q1，可理解該晶圓之周緣上下彎曲。因此，該晶圓W可判定為呈如圖27(a)所示之雙曲拋物面形狀。根據翹曲量Q2，可理解該晶圓W之周緣位於下方。因此，該晶圓W可判定為呈如圖27(b)所示之往上凸的旋轉拋物面形狀。根據翹曲量Q3，可理解該晶圓W之周緣位於上方。因此，該晶圓W可判定為呈如圖27(c)所示之往下凸的旋轉拋物面形狀。
接著，控制器10在處理部M3判定在步驟S37所得之翹曲量是否在容許範圍內。翹曲量之容許範圍亦可以例如曝光裝置3之疊對(OL)控制的數值設定。判定之結果，當翹曲量大而無法容許時(在步驟S38為否)，控制器10使不對該晶圓W進行曝光處理之主旨的資訊與該晶圓W對應而記憶於記憶部M2(步驟S39)。因此，不對該晶圓W進行步驟S27之曝光處理(參照圖22及圖23之「A」記號)。
另一方面，判定之結果，當翹曲量小而可容許時(在步驟S38為是)，控制器10結束檢查處理。此時，控制器10控制基板處理系統1之各部，使晶圓W從檢查單元U3搬送至曝光裝置3。
[作用] 在本實施形態中，在步驟S37，算出晶圓W之翹曲量，在步驟S23，依據該翹曲量，設定噴嘴44之處理液L2對抗蝕膜R之周緣部的供給位置，以從該供給位置供給之處理液L2溶解該周緣部而從晶圓W去除。因此，由於可按晶圓W之周緣的翹曲，適當地設定處理液L2對抗蝕膜R之周緣部的供給位置，故可使該周緣部之去除寬度RW更均一。因而，即使晶圓W有翹曲，亦可對該晶圓W之周緣進行適當之處理。又，由於亦可對晶圓W之表面Wa中較靠近周緣之區域形成電路，故可促進電路在晶圓W之高積體化，而可更有效率地利用晶圓W。
同樣地，在本實施形態中，在步驟S37，算出晶圓W之翹曲量，在步驟S25，依據該翹曲量，決定曝光寬度。因此，由於可按晶圓W之周緣的翹曲，適當地設定曝光寬度，故可使該周緣部之曝光寬度更均一。因而，可使抗蝕膜R之周緣部的去除寬度更均一。結果，即使晶圓W有翹曲時，亦可對該晶圓W之周緣進行適當之處理。又，由於亦可對晶圓W之表面Wa中較靠近周緣之區域形成電路，故可促進電路在晶圓W之高積體化，而可更有效率地利用晶圓W。
在本實施形態，在步驟S37，使用基準晶圓之剖面線P0，修正晶圓W之剖面線P1~P3，算出晶圓W之翹曲量。因此，藉從晶圓W之剖面線P1~P3減去基準晶圓之剖面線P0，可更簡單地從剖面線P0及剖面線P1~P3算出晶圓W之翹曲量。
在本實施形態中，判定在步驟S37所得之翹曲量是否在容許範圍內，當翹曲量大而無法容許時(在步驟S38為否)，便不對該晶圓W進行曝光處理。因此，可預先判別在曝光裝置3不易進行曝光處理之晶圓W，而將該晶圓W從曝光處理排除。因而，可提高晶圓W之處理效率。
在本實施形態中，判定在步驟S33檢測出之缺陷是否在容許範圍內，當無法容許之缺陷存在於晶圓W時(在步驟S34為否)，不對該晶圓W進行之後的處理。因此，可判別晶圓W之表面Wa或晶圓W之周緣附近的缺陷(例如裂縫、缺口、傷痕等)，而將該晶圓W從各種處理排除。因而，可更提高晶圓W之處理效率。
在本實施形態中，保持部22之尺寸、保持台201之尺寸及保持台701之尺寸皆為相同程度。因此，保持部22及保持台201、701與晶圓W之間產生的應力為相同程度。因而，在步驟S37，算出晶圓W之翹曲量時、在步驟S23進行邊緣清洗處理時及在步驟S25進行周緣曝光處理時，翹曲量之變化量為相同程度。結果，依據在步驟S37算出之翹曲量，易進行步驟S23之去除寬度的設定值之修正及步驟S25之曝光寬度的設定值之修正。
在本實施形態中，鏡構件430具有反射面432，該反射面對保持台201之旋轉軸傾斜，並且與保持於保持台201之晶圓W的端面Wc及背面Wb之周緣區域Wd對向。又，在本實施形態中，來自保持於保持台201之晶圓W的表面Wa之周緣區域Wd的光、及來自保持於保持台201之晶圓W的端面Wc之光以鏡構件403之反射面432反射後的光皆由透鏡411輸入至照相機410之拍攝元件412。因此，晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd及晶圓W之端面Wc兩者以1台照相機410同時拍攝。因而，不需要複數之照相機，結果，亦不需要用以設置複數之照相機的空間。如此，在本實施形態，檢查單元U3之裝置結構極簡略化。又，由於亦不需要用以使照相機410移動之機構，故亦不需要用以設置該機構之空間。結果，可抑制機器故障，並且可謀求檢查單元U3之小型化及低成本化。
在本實施形態，反射面432係朝遠離保持於保持台201之晶圓W的端面Wc之側凹陷的彎曲面。因此，晶圓W之端面Wc映照於反射面432的鏡像比實像放大。舉例而言，反射面432非彎曲面時，拍攝圖像之晶圓W的端面Wc之寬度為20像素左右，當反射面432為上述之彎曲面時，拍攝圖像之晶圓W的端面Wc之寬度在晶圓W之厚度方向擴大為1.5倍左右。因而，可獲得晶圓W之端面Wc的更詳細之拍攝圖像。結果，藉將該拍攝圖像進行圖像處理，可更正確地檢查晶圓W之端面Wc。
而來自晶圓W之端面Wc的光以鏡構件430之反射面432反射後至透鏡411為止的光程長度比來自晶圓W之表面Wa的周緣區域Wd的光至透鏡411為止之光程長度長以鏡構件430反射之量。然而，在本實施形態，來自晶圓W之端面Wc的光以鏡構件430之反射面432反射後至透鏡411為止之間的光程途中配置有焦點調節透鏡427。焦點調節透鏡427構造成將晶圓W之端面Wc的成像位置對準拍攝元件412。因此，由於晶圓W之端面Wc的成像位置藉焦點調節透鏡427對準拍攝元件412，故拍攝圖像之晶圓W的表面Wa之周緣區域Wd與晶圓W之端面Wc兩者清楚。因而，藉將該拍攝圖像進行圖像處理，可更正確地檢查晶圓W之端面Wc。
在本實施形態中，照明模組420對鏡構件430之反射面432照射擴散光，而使來自照明模組420之擴散光以鏡構件430之反射面432反射後的反射光到達保持於保持台201之晶圓W的端面Wc。因此，擴散光從各方向入射至晶圓W之端面Wc。因而，可均一地照明晶圓W之端面Wc全體。結果，可更清楚地拍攝晶圓W之端面Wc。
在本實施形態中，從光源421射出之光以光散射構件422散射，以圓柱透鏡425放大，再以光擴散構件426擴散。因此，擴散光從各方向入射至晶圓W之端面Wc。因而，可均一地照明晶圓W之端面Wc全體。結果，可更清楚地拍攝晶圓W之端面Wc。
[其他實施形態] 以上，詳細地說明了本揭示之實施形態，亦可在本發明之要旨的範圍內將各種變形加進上述實施形態。舉例而言，反射面432只要對保持台201之旋轉軸傾斜，並且與保持於保持台201之晶圓W的端面Wc及背面Wb之周緣區域Wd對向即可，亦可呈彎曲面以外之其他形狀(例如平坦面)。
周緣拍攝副單元400亦可不具有焦點調節透鏡427。
周緣拍攝副單元400亦可不具有光散射構件422、圓柱透镜425及光散射構件426任一者。
檢查單元U3亦可配置於架單元U10、U11。舉例而言，檢查單元U3亦可設於架單元U10、U11中對應單位處理區塊14~17之位置的單元元件內。此時，晶圓W在以臂A1~A8搬送之過程中直接交接至檢查單元U3。
在算出晶圓W之翹曲量時，亦可不使用可拍攝晶圓W之端面Wc及表面Wa之周緣區域Wd兩者的周緣拍攝副單元400，而使用僅可拍攝晶圓W之端面Wc的拍攝模組。亦可以各不相同之照相機分別拍攝晶圓W之表面Wa、背面Wb、端面Wc及表面Wa之周緣區域Wd。亦可以1個照相機同時拍攝晶圓W之表面Wa、背面Wb、端面Wc及表面Wa之周緣區域Wd中至少2處以上。
在步驟S24之加熱處理前後，可以相同之檢查單元U3實施晶圓檢查處理，亦可以不同之檢查單元U3實施晶圓檢查處理。
步驟S25之晶圓W的檢查處理亦可不在步驟S24之周緣曝光處理後進行，而在步驟S22之熱處理單元U2的加熱處理(所謂之PAB)後且在步驟S26之曝光處理前進行。
如圖28所示，亦可在步驟S24之加熱處理與步驟S25的周緣曝光處理之間，以檢查單元U3實施晶圓檢查處理(再檢查處理)(步驟S28)。此時，在步驟S25之周緣曝光處理，亦可依據在步驟S28之晶圓檢查處理算出之翹曲量，決定曝光寬度。此時，由於可按在步驟S24進行加熱處理後之晶圓W的翹曲，更適當地決定曝光寬度，故可使抗蝕膜R之周緣部的曝光寬度更均一。因此，藉於周緣曝光處理後，將晶圓W顯像，可使該周緣部之去除寬度又更均一。又，此時，亦可判定在步驟S28之晶圓檢查處理算出的翹曲量是否在容許範圍內。當該翹曲量大而無法容許時，便不對該晶圓W進行周緣曝光處理。因此，可預先判別在周緣曝光處理單元U4不易進行周緣曝光處理之晶圓W，而可將該晶圓W從周緣曝光處理排除。因而，可提高晶圓W之處理效率。
如圖29所示，亦可不進行步驟S23之邊緣清洗處理，而進行後續之步驟S24~S27。雖圖中未示，但亦可在步驟S24進行加熱處理後，不進行步驟S25之周緣曝光處理，而進行後續之步驟S26、S27。
亦可將在檢查單元U3之晶圓檢查處理(步驟S21)算出的翹曲量利用於後續之熱處理單元U2的加熱處理(步驟S24)。舉例而言，亦可依據翹曲量，控制是否使熱處理單元U2之熱板吸引晶圓W的判斷、吸引量、吸引位置、吸引壓力、吸引之時間點等。
1‧‧‧基板處理系統(基板處理裝置) 2‧‧‧塗佈顯像裝置(基板處理裝置) 3‧‧‧曝光裝置 4‧‧‧載具區塊 5‧‧‧處理區塊 6‧‧‧介面區域 10‧‧‧控制器(控制部) 10A‧‧‧電路 10B‧‧‧處理器 10C‧‧‧記憶體(記憶部) 10D‧‧‧儲存器(記憶部) 10E‧‧‧驅動器 10F‧‧‧輸入輸出埠 11‧‧‧載具 11b‧‧‧記錄媒體 12‧‧‧載具站 13‧‧‧搬入搬出部 13a‧‧‧開關門 14‧‧‧單位處理區塊 15‧‧‧單位處理區塊 16‧‧‧單位處理區塊 17‧‧‧單位處理區塊 20‧‧‧旋轉保持部 21‧‧‧旋轉部 22‧‧‧保持部 23‧‧‧軸 30‧‧‧溶液供給部(塗佈液供給部) 31‧‧‧溶液源 32‧‧‧泵 33‧‧‧閥 34‧‧‧噴嘴 35‧‧‧配管 40‧‧‧溶液供給部(溶劑供給部) 41‧‧‧溶液源 42‧‧‧泵 43‧‧‧閥 44‧‧‧噴嘴 45‧‧‧配管 100‧‧‧殼體 200‧‧‧旋轉保持副單元(旋轉保持部) 201‧‧‧保持台 202‧‧‧致動器 203‧‧‧致動器 204‧‧‧引導軌道 300‧‧‧表面拍攝副單元 310‧‧‧照相機(拍攝設備) 320‧‧‧照明模組(照明部) 321‧‧‧半鏡 322‧‧‧光源 400‧‧‧周緣拍攝副單元(基板拍攝裝置) 410‧‧‧照相機(拍攝設備) 411‧‧‧透鏡 412‧‧‧拍攝元件 420‧‧‧照明模組(照明部) 421‧‧‧光源 421b‧‧‧LED點光源 422‧‧‧光散射構件 423‧‧‧保持構件 423a‧‧‧貫穿孔 423b‧‧‧交叉孔 424‧‧‧半鏡 425‧‧‧圓柱透鏡 426‧‧‧光擴散構件 427‧‧‧焦點調節透鏡 430‧‧‧鏡構件 431‧‧‧本體 432‧‧‧反射面 500‧‧‧背面拍攝副單元 510‧‧‧照相機(照明設備) 511‧‧‧透鏡 512‧‧‧拍攝元件 520‧‧‧照明模組(照明部) 521‧‧‧半鏡 522‧‧‧光源 600‧‧‧殼體 700‧‧‧旋轉保持副單元(旋轉保持部) 701‧‧‧保持台 702‧‧‧致動器 703‧‧‧致動器 704‧‧‧引導軌道 800‧‧‧曝光副單元(照射部) 801‧‧‧光源 802‧‧‧光源系統 803‧‧‧遮罩 803a‧‧‧開口 804‧‧‧致動器 A‧‧‧記號(不對晶圓W進行步驟S27之曝光處理) A1‧‧‧交接臂 A2‧‧‧搬送臂 A3‧‧‧搬送臂 A4‧‧‧搬送臂 A5‧‧‧搬送臂 A6‧‧‧搬送臂 A7‧‧‧升降臂 A8‧‧‧交接臂 L1‧‧‧處理液 M1‧‧‧讀取部 M2‧‧‧記憶部 M3‧‧‧處理部 M4‧‧‧指示部 P0‧‧‧剖面線 P1‧‧‧剖面線 P2‧‧‧剖面線 P3‧‧‧剖面線 Q1‧‧‧翹曲量 Q2‧‧‧翹曲量 Q3‧‧‧翹曲量 R‧‧‧抗蝕膜(塗佈膜) RM‧‧‧記錄媒體 RW‧‧‧去除寬度 S11‧‧‧步驟 S12‧‧‧步驟 S13‧‧‧步驟 S21‧‧‧步驟 S22‧‧‧步驟 S23‧‧‧步驟 S24‧‧‧步驟 S25‧‧‧步驟 S26‧‧‧步驟 S27‧‧‧步驟 S28‧‧‧步驟 S31‧‧‧步驟 S32‧‧‧步驟 S33‧‧‧步驟 S34‧‧‧步驟 S35‧‧‧步驟 S36‧‧‧步驟 S37‧‧‧步驟 S37‧‧‧步驟 S38‧‧‧步驟 S39‧‧‧步驟 U1‧‧‧溶液處理單元 U2‧‧‧熱處理單元(加熱部) U3‧‧‧檢查單元 U4‧‧‧周緣曝光單元 U10‧‧‧架單元 U11‧‧‧架單元 W‧‧‧晶圓(基板) Wa‧‧‧表面 Wb‧‧‧背面 Wc‧‧‧端面 Wd‧‧‧周緣區域
圖1係顯示基板處理系統之立體圖。 圖2係圖1之II-II線截面圖。 圖3係顯示單位處理區塊(BCT區塊、HMCT區塊及DEV區塊)之上視圖。 圖4係顯示單位處理區塊(COT區塊)之上視圖。 圖5係顯示溶液處理單元之示意圖。 圖6係從上方觀看檢查單元之截面圖。 圖7係從側邊觀看檢查單元之截面圖。 圖8係顯示檢查單元之立體圖。 圖9係從前方觀看周緣拍攝副單元之立體圖。 圖10係從後方觀看周緣拍攝副單元之立體圖。 圖11係周緣拍攝副單元之立體圖。 圖12係雙面拍攝模組之側視圖。 圖13係顯示鏡構件之立體圖。 圖14係顯示鏡構件之側視圖。 圖15(a)係用以說明來自照明模組之光在鏡構件反射之樣態的圖，圖15(b)係用以說明來自晶圓之光在鏡構件反射之樣態的圖。 圖16係背面拍攝副單元之側視圖。 圖17係從側邊觀看周緣曝光單元之截面圖。 圖18係顯示周緣曝光單元之立體圖。 圖19係顯示基板處理系統之主要部分的方塊圖。 圖20係顯示控制器之硬體結構旳概略圖。 圖21係用以說明算出基準晶圓之剖面線的程序之流程圖。 圖22係用以說明晶圓之處理程序的一例(第1例)之流程圖。 圖23係用以說明晶圓檢查之處理程序的流程圖。 圖24(a)係顯示晶圓之翹曲量與抗蝕膜之周緣部的去除寬度之關係的曲線圖，圖24(b)係用以說明抗蝕膜之周緣部的去除寬度之圖。 圖25係顯示晶圓及基準晶圓之剖面線的曲線圖。 圖26係顯示翹曲量之曲線圖。 圖27(a)係顯示呈雙曲拋物面形狀之晶圓的立體圖，圖27(b)係顯示呈往上凸之旋轉拋物面形狀的晶圓之立體圖，圖27(c)係顯示呈往下凸之旋轉拋物面形狀的晶圓之立體圖。 圖28係用以說明晶圓之處理程序的另一例(第2例)之流程圖。 圖29係用以說明晶圓之處理程序的另一例(第3例)之流程圖。
無
S21‧‧‧步驟
S22‧‧‧步驟
S23‧‧‧步驟
S24‧‧‧步驟
S25‧‧‧步驟
S26‧‧‧步驟
S27‧‧‧步驟

Claims (25)

  1. 一種基板處理方法，包含： 第1製程，其遍及翹曲量為已知之基準基板的周緣全周，以照相機拍攝該基準基板之端面； 第2製程，其將在該第1製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該基準基板之周緣全周取得該基準基板之端面的形狀資料； 第3製程，其遍及被處理基板之周緣全周，以照相機拍攝該被處理基板之端面； 第4製程，其將在該第3製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該被處理基板之周緣全周取得該被處理基板之端面的形狀資料； 第5製程，其依據在該第2製程取得之形狀資料及在該第4製程取得之形狀資料，算出該被處理基板之翹曲量； 第6製程，其將塗佈液供至該被處理基板之表面而形成塗佈膜；及 第7製程，其依據在該第5製程算出之該翹曲量，決定對該塗佈膜之周緣部的有機溶劑之供給位置，以從該供給位置供給之有機溶劑將該周緣部溶解而從該被處理基板上去除。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，更包含： 周緣曝光製程，其於該第7製程後，遍及該被處理基板之周緣全周，以預定曝光寬度，將位於該被處理基板之表面中的周緣區域之該塗佈膜曝光， 在該周緣曝光製程，依據在該第5製程算出之該翹曲量決定該曝光寬度。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板處理方法，更包含： 第8製程，其於該第7製程後，將該塗佈膜加熱； 第9製程，其於該第8製程後，遍及該被處理基板之周緣全周，以照相機拍攝該被處理基板之端面； 第10製程，其將在該第9製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該被處理基板之周緣全周取得該被處理基板之端面的形狀資料；及 第11製程，其依據在該第2製程取得之形狀資料及在該第10製程取得之形狀資料，算出該被處理基板之翹曲量； 當在該第11製程算出之該翹曲量大於預定閾值時，不對該被處理基板進行曝光處理。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，更包含： 第8製程，其於該第7製程後，將該塗佈膜加熱； 第9製程，其於該第8製程後，遍及該被處理基板之周緣全周，以照相機拍攝該被處理基板之端面； 第10製程，其將在該第9製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該被處理基板之周緣全周，取得該被處理基板之端面的形狀資料； 第11製程，其依據在該第2製程取得之形狀資料及在該第10製程取得之形狀資料，算出該被處理基板之翹曲量；及 周緣曝光製程，其於該第9製程後，遍及該被處理基板之周緣全周，以預定曝光寬度將位於該被處理基板之表面中的周緣區域之該塗佈膜曝光； 在該周緣曝光製程，依據在該第11製程算出之該翹曲量，決定該曝光寬度。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中， 當在該第11製程算出之該翹曲量大於預定閾值時，不對該被處理基板進行曝光處理。
  6. 一種基板處理方法，包含： 第1製程，其遍及翹曲量為已知之基準基板的周緣全周，以照相機拍攝該基準基板之端面； 第2製程，其將在該第1製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該基準基板之周緣全周，取得該基準基板之端面的形狀資料； 第3製程，其遍及被處理基板之周緣全周，以照相機拍攝該被處理基板之端面； 第4製程，其將在該第3製程所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該被處理基板之周緣全周，取得該被處理基板之端面的形狀資料； 第5製程，其依據在該第2製程取得之形狀資料及在該第4製程取得之形狀資料，算出該被處理基板之翹曲量； 第6製程，其將塗佈液供至該被處理基板之表面而形成塗佈膜；及 周緣曝光製程，其遍及該被處理基板之周緣全周，以預定曝光寬度將位於該被處理基板之表面中的周緣區域之該塗佈膜曝光； 在該周緣曝光製程中，依據在該第5製程算出之該翹曲量，決定該曝光寬度。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，更包含： 第7製程，其於該第6製程後，將該塗佈膜加熱； 該第3~第5製程於該第7製程後進行。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中， 當在該第5製程算出之該翹曲量大於預定閾值時，不對該被處理基板進行曝光處理。
  9. 如申請專利範圍第1、2、4~8項中任一項之基板處理方法，其中， 該基準基板係為平坦者， 在該第2製程取得之形狀資料係通過該基準基板之端面的中央之第1剖面線的資料， 在該第4製程取得之形狀資料係通過該被處理基板之端面的中央之第2剖面線的資料， 在該第5製程，依據該第1剖面線之資料及該第2剖面線之資料，算出該被處理基板之該翹曲量。
  10. 如申請專利範圍第1項、第2項、第4項~第8項中任一項之基板處理方法，更包含： 周緣表面之拍攝製程，其以照相機拍攝該被處理基板之表面中的周緣區域；及 檢查製程，其將在該第4製程拍攝之拍攝圖像進行圖像處理以檢查該被處理基板之端面的狀態，並且將在該周緣表面之拍攝製程拍攝的拍攝圖像進行圖像處理，以檢查該被處理基板之表面中的周緣區域之狀態。
  11. 一種基板處理裝置，包含： 塗佈液供給部，其將塗佈液供至被處理基板之表面； 溶劑供給部，其將第1及第2有機溶劑供至該被處理基板之表面； 第1旋轉保持部，其保持該被處理基板並使其旋轉； 至少1個照相機：及 控制部； 該控制部執行下列處理： 第1處理，其遍及翹曲量為已知之基準基板的周緣全周，以該至少1個照相機拍攝該基準基板之端面； 第2處理，其將在該第1處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該基準基板之周緣全周取得該基準基板之端面的形狀資料； 第3處理，其遍及該被處理基板之周緣全周，以該至少1個照相機拍攝該被處理基板之端面； 第4處理，其將在該第3處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該被處理基板之周緣全周，取得該被處理基板之端面的形狀資料； 第5處理，其依據在該第2處理取得之形狀資料及在該第4處理取得之形狀資料，算出該被處理基板之翹曲量； 第6處理，其控制該塗佈液供給部及該第1旋轉保持部，將塗佈液供至旋轉中之該被處理基板的表面，藉以形成塗佈膜；及 第7處理，其控制該溶劑供給部及該第1旋轉保持部，依據在該第5處理算出之該翹曲量，決定有機溶劑對該塗佈膜之周緣部的供給位置，以藉由從該供給位置供給之有機溶劑，將該周緣部溶解而從旋轉中之該被處理基板上去除。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，更包含： 照射部，其對該被處理基板之表面中的周緣區域照射能量線； 該控制部更於該第7處理後執行周緣曝光處理，控制該照射部，而遍及該被處理基板之周緣全周，將位於該被處理基板之表面中的周緣區域之該塗佈膜，以預定曝光寬度加以曝光， 在該周緣曝光處理，依據在該第5處理算出之該翹曲量，決定該曝光寬度。
  13. 如申請專利範圍第11項或第12項之基板處理裝置，更包含： 記憶部，其記憶有關該被處理基板之資訊； 該控制部更執行下列處理： 第8處理，其於該第7處理後，將該塗佈膜加熱； 第9處理，其於該第8處理後，遍及該被處理基板之周緣全周，以照相機拍攝該被處理基板之端面； 第10處理，其將在該第9處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該被處理基板之周緣全周，取得該被處理基板之端面的形狀資料； 第11處理，其依據在該第2處理取得之形狀資料及在該第10處理取得之形狀資料，算出該被處理基板之翹曲量；及 記憶處理，當在該第11處理算出之該翹曲量大於預定閾值時，將該被處理基板作為不進行曝光處理之被處理基板而記憶於該記憶部。
  14. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，更包含： 照射部，其對該被處理基板表面中之周緣區域照射能量線； 該控制部更執行下列處理： 第8處理，其於該第7處理後，將該塗佈膜加熱； 第9處理，其於該第8處理後，遍及該被處理基板之周緣全周，以照相機拍攝該被處理基板之端面； 第10處理，其將在該第9處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該被處理基板之周緣全周，取得該被處理基板之端面的形狀資料； 第11處理，其依據在該第2處理取得之形狀資料及在該第10處理取得之形狀資料，算出該被處理基板之翹曲量；及 周緣曝光處理，其於該第9處理後，控制該照射部，而遍及該被處理基板之周緣全周，將位於該被處理基板之表面中的周緣區域之該塗佈膜，以預定曝光寬度加以曝光； 在該周緣曝光處理，依據在該第5處理算出之該翹曲量，決定該曝光寬度。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，更包含： 記憶部，其記憶有關該被處理基板之資訊； 該控制部更執行記憶處理，該記憶處理於在該第11處理算出之該翹曲量大於預定閾值時，將該被處理基板作為不進行曝光處理之被處理基板而記憶於該記憶部。
  16. 一種基板處理裝置，包含： 塗佈液供給部，其將塗佈液供至被處理基板之表面； 照射部，其對該被處理基板之表面中的周緣區域照射能量線； 至少1個照相機；及 控制部； 該控制部執行下列處理： 第1處理，其遍及翹曲量為已知之基準基板的周緣全周，以該至少1個照相機拍攝該基準基板之端面； 第2處理，其將在該第1處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該基準基板之周緣全周，取得該基準基板之端面的形狀資料； 第3處理，其遍及該被處理基板之周緣全周，以該至少1個照相機拍攝該被處理基板之端面； 第4處理，其將在該第3處理所得之拍攝圖像進行圖像處理，而遍及該被處理基板之周緣全周，取得該被處理基板之端面的形狀資料； 第5處理，其依據在該第2處理取得之形狀資料及在該第4處理取得之形狀資料，算出該被處理基板之翹曲量； 第6處理，其控制該塗佈液供給部，將塗佈液供至該被處理基板之表面，藉以形成塗佈膜；及 周緣曝光處理，其於該第6處理後，控制該照射部，而遍及該被處理基板之周緣全周，將位於該被處理基板之表面中的周緣區域之該塗佈膜，以預定曝光寬度加以曝光； 在該周緣曝光處理，依據在該第5處理算出之該翹曲量，決定該曝光寬度。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，更包含： 加熱部，其加熱該被處理基板； 該控制部更於該第6處理後控制該加熱部而執行將該塗佈膜加熱之第7處理， 於該第7處理後執行該第3~第5處理。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，更包含： 記憶部，其記憶有關該被處理基板之資訊； 該控制部更執行記憶處理，該記憶處理係當在該第5處理算出之該翹曲量大於預定閾值時，將該被處理基板作為不進行曝光處理之被處理基板而記憶於該記憶部。
  19. 如申請專利範圍第11項、第12項、第14項、第15項中任一項之基板處理裝置，更包含： 第2旋轉保持部，其保持該被處理基板並使其旋轉； 該控制部在該第3處理中一面控制該第2旋轉保持部，使該被處理基板旋轉，一面遍及該被處理基板之周緣全周以該至少1個照相機拍攝該被處理基板之端面， 該第1旋轉保持部中之保持該被處理基板之部分的尺寸，與該第2旋轉保持部中之保持該被處理基板之部分的尺寸約略相同。
  20. 如申請專利範圍第16項~第18項中任一項之基板處理裝置，更包含： 第1及第2旋轉保持部，其保持該被處理基板並使其旋轉； 該控制部： 在該第3處理中，一面控制該第1旋轉保持部，使該被處理基板旋轉，一面遍及該被處理基板之周緣全周，以該至少1個照相機拍攝該被處理基板之端面， 在該周緣曝光處理中，一面控制該第2旋轉保持部，使該被處理基板旋轉，一面遍及該被處理基板之周緣全周，將位於該被處理基板之表面中的周緣區域之該塗佈膜，以預定曝光寬度加以曝光， 該第1旋轉保持部中之保持該被處理基板之部分的尺寸，與該第2旋轉保持部中之保持該被處理基板之部分的尺寸約略相同。
  21. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中， 在該第3處理中進行該被處理基板之拍攝的處理室，與在該第10處理中進行該被處理基板之拍攝的處理室不同。
  22. 如申請專利範圍第11項、第12項、第14項~第18項中任一項之基板處理裝置，更包含： 第2旋轉保持部，其保持該被處理基板並使其旋轉；及 鏡構件，其具有反射面，該反射面對該第2旋轉保持部之旋轉軸傾斜，並且與保持於該第2旋轉保持部之該被處理基板的端面及背面之周緣區域對向； 該至少1個照相機中之1個照相機具有拍攝元件，來自保持於該第2旋轉保持部之該被處理基板的表面之周緣區域的第1光、及來自保持於該第2旋轉保持部之該被處理基板的端面之第2光而由該鏡構件之該反射面反射後的反射光，皆藉由透鏡輸入該拍攝元件。
  23. 如申請專利範圍第11項、第12項、第14項~第18項中任一項之基板處理裝置，其中， 該基準基板係為平坦者， 該控制部： 在該第2處理中，取得通過該基準基板之端面的中央之第1剖面線的資料作為該基準基板之端面的形狀資料， 在該第4處理中，取得通過該被處理基板之端面的中央之第2剖面線的資料作為該被處理基板之端面的形狀資料， 在該第5處理中，依據該第1剖面線之資料及該第2剖面線之資料，算出該被處理基板之該翹曲量。
  24. 如申請專利範圍第11項~第23項中任一項之基板處理裝置，其中， 該控制部更執行下列處理： 周緣表面之拍攝處理，其以該至少1個照相機拍攝該被處理基板之表面中的周緣區域；及 檢查處理，其將在該第4處理拍攝之拍攝圖像進行圖像處理，以檢查該被處理基板之表面中的周緣區域端面之狀態；並且將在該周緣表面之拍攝處理拍攝的拍攝圖像進行圖像處理，以檢查該被處理基板之表面中的周緣區域之狀態。
  25. 一種電腦可讀取記錄媒體，其記錄有用以使基板處理裝置執行如申請專利範圍第1項至第10項中任一項之基板處理方法的程式。
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