TW201418727A - 晶片電子零件之檢查方法及檢查裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種使用二台以上之檢查器，高速且高精度檢查大量的晶片電子零件的電氣特性的方法。[解決手段]本發明係一種晶片電子零件之檢查方法，其係包含以下工程之進行檢查對象之各晶片電子零件的電氣特性的檢查的晶片電子零件之檢查方法：在將以分別根據同一規格顯示預定的同一電氣特性的方式所製造的二以上的檢查對象的晶片電子零件互相近接配置的狀態下，將互相獨立的檢查器與該晶片電子零件的各個作電性連接的工程；接著由各檢查器，對各自的晶片電子零件施加具有互相相同或大致相同的頻率的檢查用電壓，以各檢查器檢測藉由該檢查用電壓的施加而在各晶片電子零件所發生的電流值的工程，其特徵為：在不會互相重複的時期進行由各檢查器對各晶片電子零件施加檢查用電壓。

Description

晶片電子零件之檢查方法及檢查裝置
本發明係關於高速檢査大量的晶片電子零件的方法及裝置。
隨著行動電話、液晶電視、遊戲機所代表的電氣製品的生產量的增加，被組裝在如上所示之電氣製品的晶片電子零件的生產量明顯增加。以晶片電子零件而言，晶片電容器(chip capacitor，亦被稱為chip condenser)、晶片電阻器(包含晶片變阻器)、及晶片感應器已廣為人知。
晶片電子零件例如晶片電容器係具有極小的尺寸，以一次的製造批量製作數萬~數十萬個的大量晶片電容器。
為了降低因組裝有晶片電子零件的電氣製品的晶片電子零件的缺陷而起的不良品率，一般係針對大量製造的晶片電子零件進行全數檢査。例如，針對晶片電容器，係針對其全數進行靜電電容等電氣特性的檢査。
以往以用以高速檢査大量的晶片電子零件的 電氣特性的方法而言，係利用一種包含以下工程之進行檢査對象之各晶片電子零件的電氣特性的檢査的晶片電子零件之檢査方法：在將以分別根據同一規格顯示預定的同一電氣特性的方式所製造的二以上的檢査對象的晶片電子零件互相近接配置的狀態下，將互相獨立的檢査器與該晶片電子零件的各個作電性連接的工程；接著由各檢査器，對各自的晶片電子零件施加具有互相相同或大致相同的頻率的檢査用電壓，以各檢査器檢測藉由該檢査用電壓的施加而在各晶片電子零件所發生的電流值的工程。實施該檢査方法時，一般使用例如具備有形成有多數透孔的圓盤(晶片電子零件保持板)的晶片電子零件檢査裝置。在圓盤係設有分別收容檢査對象的晶片電子零件的多數透孔。圓盤之相鄰接的透孔係形成在互相近接的位置。使該圓盤旋轉，使晶片電子零件收容在各自的透孔，在該狀態下，將以圓盤的直徑方向排列的複數個晶片電子零件形成為一組，藉由檢査器來檢査晶片電子零件的電氣特性。
晶片電子零件之檢査裝置一般由以下所構成 ：上述圓盤(晶片電子零件保持板)；配置在與該圓盤的各透孔的兩開口部近接的位置的一對電極端子；與一對電極端子的各個作電性連接的檢査器；及以對各檢査器供給關於電氣能量與檢査處理的訊號的方式與各檢査器作電性連接的控制器。接著，由上述檢査器透過電極端子，對被收容在二以上的透孔的晶片電子零件的各個施加檢査用電壓，以各檢査器檢測藉由該檢査用電壓的施加而在各晶片電 子零件所發生的電流值，藉此進行檢査對象的各晶片電子零件的電氣特性的檢査。
例如，若使用晶片電容器的靜電電容之檢査 器作為上述各檢査器時，由各檢査器，對各自的晶片電容器(晶片電子零件)施加具有互相相同或大致相同的頻率的檢査用電壓，以各檢査器檢測藉由該檢査用電壓的施加而在各晶片電容器所發生的電流的電流值，藉此根據上述檢査用電壓的電壓值與所檢測到的電流的電流值，進行檢査對象的各晶片電容器的靜電電容(電氣特性)的檢査。其中，關於由各檢査器被施加至晶片電子零件的電壓的頻率，最初係被設為互相相同。但是，若由作近接配置之複數檢査器對晶片電子零件施加相同頻率的電壓時，在由各檢査器被施加至各自的晶片電子零件的電壓的頻率間發生干擾，結果發現容易在檢査結果發生不良情形。因此，近年來，亦進行使由各檢査器施加至晶片電子零件的電壓的頻率稍微錯開(並未形成為相同而形成為大致相同)。以晶片電容器的靜電電容之檢査器而言，係可使用例如市面販售的靜電電容測定器(代表例，電容計：E4981A，安捷倫科技(Agilent Technologies)(股)製)。
在專利文獻1中係揭示將多數電路零件(例如 晶片電子零件)進行試驗(檢査)，接著按照試驗結果來分類電路零件的電路零件處理器。該電路零件處理器係具備有：設有多數零件台(透孔)的碟片狀試驗板(晶片電子零件保持板)、被配置在與試驗板的各零件台近接的位置的上側 接點及下側接點(一對電極端子)、及與各接點作電性連接的測試器(檢査器)。上述試驗板係在其中心與外周緣之間以直徑方向互相隔著間隔而以圓周方向具備有72個4台零件台之列。使該試驗板旋轉，在將電路零件收容在該零件台(透孔)的狀態下，將收容在各列的零件台的複數個電路零件作為一組來進行電路零件的試驗。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2000-501174號公報
如前所述，自以往以來，為了高速檢査大量的晶片電子零件的電氣特性，使用二台以上之檢査器，同時(在互相重複的時期)檢査被保持在圓盤狀晶片電子零件保持板的複數晶片電子零件的電氣特性已為人所知。
但是，根據本發明人的研究，近年來一般一面被利用一面進行極度小(例如寬幅為0.3mm左右，而長度為0.6mm左右的尺寸、或更小的尺寸)的晶片電子零件的檢査時，將近接配置的複數晶片電子零件的電氣特性，使用複數檢査器，二個或二個以上同時檢査時，在使用預防將由各檢査器被施加至晶片電子零件的電壓的頻率錯開的頻率間的干擾的手段的情形下，亦清楚得知電氣特性之 檢査結果的精度會降低。
本發明人更進一步研究的結果，如上所述， 發現電氣特性之檢査精度降低的原因係在於例如為了檢測互相近接配置的二個以上的極度小的尺寸的晶片電子零件的電氣特性，由互相獨立的檢査器的各個，對各自的晶片電子零件，在互相重複的時期施加具有互相相同或大致相同的頻率的檢査用電壓時，根據在鄰接配置的另一方晶片電子零件所發生的電訊號(電壓或電流)所發生的雜訊會混入(在各個晶片電子零件所發生的電訊號互相干擾)在非常近接的狀態下作配置的極度小的尺寸的晶片電子零件的一方所發生的電訊號(電壓或電流)。
本發明之課題在提供一種使用二台或二台以 上之檢査器來高速且高精度檢査大量的晶片電子零件(尤其極度小的尺寸的晶片零件)的電氣特性的方法。本發明之課題亦另外在提供一種使用二台或二台以上之檢査器，高速且高精度檢査大量的晶片電子零件(尤其極度小的尺寸的晶片零件)的電氣特性的裝置。
本發明係一種晶片電子零件之檢査方法，其係包含以下工程之進行檢査對象之各晶片電子零件的電氣特性的檢査的晶片電子零件之檢査方法：在將以分別根據同一規格顯示預定的同一電氣特性的方式所製造的二以上的檢査對象的晶片電子零件互相近接配置的狀態下，將互 相獨立的檢査器與該晶片電子零件的各個作電性連接的工程；接著由各檢査器，對各自的晶片電子零件施加具有互相相同或大致相同的頻率的檢査用電壓，以各檢査器檢測藉由該檢査用電壓的施加而在各晶片電子零件所發生的電流值的工程，其特徵為：在不會互相重複的時期進行由各檢査器對各晶片電子零件施加檢査用電壓。
本發明之晶片電子零件之檢査方法之較佳態樣係如下所示。
(1)上述晶片電子零件處於被保持在以可繞中心軸旋轉的方式被軸支在基台的晶片電子零件保持板的透孔的群組的狀態，該晶片電子零件保持板具備有以互相隔著間隔形成四列以上的同心圓的方式配置在圓盤上的透孔的群組，其中各列的透孔係位於由中心軸朝半徑方向延伸的直線上，對晶片電子零件施加檢査用電壓係針對位於由中心軸朝半徑方向延伸的直線上的透孔的群組，在不會互相重複的時期依序進行。
(2)透孔的群組以形成六列的同心圓的方式被配置在圓盤上，接近圓盤外周的三列的透孔的群組所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計三對電極端子的檢査器A來進行，接著接近圓盤的中心軸的三列的透孔群所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計三對電極端子的檢査器B來進行。
(3)以透孔的群組形成八列同心圓的方式被配置在圓盤上，接近圓盤外周的四列透孔的群組所保持的晶 片電子零件的檢査係藉由具備有合計四對電極端子的檢査器A來進行，接著接近圓盤的中心軸的四列透孔群所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計四對電極端子的檢査器B來進行。
(4)以透孔的群組形成十二列同心圓的方式被 配置在圓盤上，接近圓盤外周的四列透孔的群組所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計四對電極端子的檢査器A來進行，接近圓盤的中心軸的四列透孔群所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計四對電極端子的檢査器B來進行，接著位於接近上述外周側的四列透孔的群組與接近中心軸的四列透孔的群組之間的四列透孔的群組所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計四對電極端子的檢査器C來進行。
其中，透孔的群組係可以形成九列同心圓的方式被配置在圓盤上，此時係分別使用具備有三對電極端子的三個檢査器來進行相同的檢査。
(5)所被檢査的晶片電子零件為在相對向的表面具備有一對電極的零件。
(6)所被檢査的晶片電子零件為晶片電容器。
(7)所被檢査的電氣特性為靜電電容。
其中，在上述本發明之檢査方法中，上述「將二以上的檢査對象的晶片電子零件配置在互相近接的位置」意指「以包含被配置在互相近接的位置的至少二個晶片電子零件的方式，配置二以上的檢査對象的晶片電子零 件」。
此外，上述「互相近接的位置」意指由「與 二個晶片電子零件的各個作電性連接的互相獨立的(各個的)檢査器，對各自的晶片電子零件在互相重複的時期施加具有電氣特性檢査用的互相相同或大致相同的頻率的檢査用電壓時，在其中一方晶片電子零件所發生的電訊號(電壓或電流)，混入根據在另一方晶片電子零件所發生的電訊號(電壓或電流)所發生的雜訊(在各個晶片電子零件所發生的電訊號間發生干擾的)的位置」。
本發明另外亦係一種晶片電子零件之檢査裝 置，其係包含：以板狀材料被形成在可暫時收容晶片電子零件的二以上的透孔互相近接的位置而成的晶片電子零件保持板；被配置在與該晶片電子零件保持板的各透孔的兩開口部近接的位置的一對電極端子；與該一對電極端子的各個作電性連接的檢査器；及以對各檢査器供給有關電氣能量及檢査處理的訊號的方式與各檢査器作電性連接的控制器，由各檢査器透過電極端子，對被收容在二以上的透孔的晶片電子零件的各個，在預定的時期施加具有互相相同或大致相同的頻率的檢査用電壓，以各檢査器檢測藉由該檢査用電壓的施加而在各晶片電子零件所發生的電流值的晶片電子零件檢査裝置，其特徵為：在該控制器具備有以對被收容在晶片電子零件保持板的二以上的透孔的晶片電子零件的各個施加檢査用電壓的時期不會互相重複的方式進行控制的控制系統。
其中，在上述本發明之檢査裝置中，上述「 形成在二以上的透孔互相近接的位置」意指「在收容在二以上的透孔的二以上的檢査對象的晶片電子零件被配置在互相近接的位置般的位置形成上述二以上的透孔」。
藉由實施本發明之檢査方法，可使用二台或二台以上之檢査器，來高速(短時間)且高精度地檢査大量的晶片電子零件的電氣特性。
藉由使用本發明之檢査裝置，可使用二台或二台以上之檢査器，來高速(短時間)且高精度地檢査大量的晶片電子零件的電氣特性。
10‧‧‧晶片電子零件檢査裝置
11‧‧‧晶片電子零件保持板
11a‧‧‧透孔
12a、12b‧‧‧電極端子
14a、14b‧‧‧檢査器
15‧‧‧控制器
15a‧‧‧控制系統
19、19a、19b、19c、19d、19e、19f‧‧‧晶片電容器
21‧‧‧電容器本體
22a、22b‧‧‧電極
23a、23b‧‧‧切換器
24a、24b、24c、24d、24e、24f‧‧‧開閉器
25‧‧‧控制器
31‧‧‧晶片電子零件收容部
32‧‧‧晶片電子零件檢査部
33‧‧‧晶片電子零件排出部
41‧‧‧基台
42‧‧‧中心軸
43‧‧‧旋轉驅動裝置
44‧‧‧晶片電子零件保持蓋件
45‧‧‧底板
45a‧‧‧氣體排出通路
45b‧‧‧氣體供給通路
46‧‧‧氣體排出裝置
47‧‧‧晶片電子零件供給裝置(零件進給器)
49‧‧‧表示晶片電子零件保持板的旋轉方向的箭號
51‧‧‧筒體
52‧‧‧電極支持板
53‧‧‧電極端子支持板
54‧‧‧直動驅動裝置
55‧‧‧電源
56‧‧‧電壓計
57‧‧‧電流計
58‧‧‧放大器
59‧‧‧電阻器
61‧‧‧管件支持蓋件
61a‧‧‧透孔
62‧‧‧管件
63‧‧‧加壓氣體供給裝置
64‧‧‧晶片電子零件收容容器
80‧‧‧晶片電子零件檢査裝置
圖1係顯示檢査對象的晶片電子零件之一例亦即晶片電容器的構成例的斜視圖。
圖2係顯示可較佳使用在用以實施本發明之檢査方法的晶片電子零件檢査裝置的構成例的正面圖。
圖3係將圖2之檢査裝置10的晶片電子零件收容部31，沿著圓周方向顯示晶片電子零件保持板11的透孔的群組的配置、且被保持(收容)在各透孔的晶片電子零件的舉動的放大剖面圖。
圖4係將圖2之檢査裝置10的晶片電子零件檢査部 32，使檢査器的電極近接配置在被保持(收容)在以朝直徑方向延伸的方式被配置在晶片電子零件保持板11的圓盤上的透孔的群組的晶片電子零件(19a、19b、19c、19d、19e、19f的合計六個)的各個的狀態下所顯示的放大剖面圖。
圖5係顯示以圖2之檢査裝置10的晶片電子零件排出部33使檢査完畢的晶片電子零件排出的樣子的放大剖面圖。
圖6係概略顯示在圖2之檢査裝置10中，控制器15、檢査器14a、14b、及被保持(收容)在以朝直徑方向延伸的方式被配置在晶片電子零件保持板11的圓盤上的透孔的群組的晶片電子零件(19a、19b、19c、19d、19e、19f合計六個)的電性連接狀態的區塊圖。
圖7係概略顯示對應圖6之區塊圖的各零件間的電性連接狀態的電路圖。
圖8係針對可使用在用以實施本發明之檢査方法的晶片電子零件檢査裝置的基本構成，概略顯示其電性連接狀態的區塊圖。
圖9係顯示在本發明之晶片電子零件之檢査方法中，由各檢査器對各晶片電子零件施加檢査用電壓的時期的圖。
圖10係顯示在習知之晶片電子零件之檢査方法中，由各檢査器對各晶片電子零件施加檢査用電壓的時期的圖。
首先，一面參照所附圖示，一面說明可使用 在用以實施本發明之晶片電子零件之檢査方法的檢査裝置的構成例。
圖1係顯示檢査對象的晶片電容器(晶片電子 零件之一例)的構成例的斜視圖。圖1的晶片電容器19係由：由介電質所成之電容器本體21、及設在其兩端的一對電極22a、22b所構成。晶片電容器19係使用陶瓷作為介電質的晶片陶瓷電容器。電容器本體係由陶瓷所形成，在其內部具備有由電極22a、22b的各個交替且互相平行延伸的複數電極層。本發明之晶片電子零件之檢査方法及檢査裝置的使用尤其有效的晶片電容器19等晶片電子零件係寬幅為0.3mm或其以下，而且長度為0.6mm或其以下之極度微小的晶片電子零件。
圖2係顯示可使用在用以實施本發明之檢査 方法的晶片電子零件檢査裝置的構成例的正面圖。圖3係沿著晶片電子零件保持板11的圓周方向顯示圖2之檢査裝置10的晶片電子零件收容部31的放大剖面圖。圖4係沿著晶片電子零件保持板11的直徑方向將圖2之檢査裝置10的晶片電子零件檢査部32切斷的放大剖面圖。圖5係沿著晶片電子零件保持板11的直徑方向將圖2之檢査裝置10的晶片電子零件排出部33切斷的放大剖面圖。圖6係概略顯示圖2之檢査裝置10之電性連接狀態的區塊圖。接著，圖7係概略顯示圖2之檢査裝置10的電性連 接狀態的電路圖。
圖2~圖7所示之晶片電子零件檢査裝置10 係由以下所構成：以板狀材料被形成在可暫時收容晶片電子零件(例如晶片電容器)的二以上的透孔11a互相近接的位置而成的晶片電子零件保持板11；被配置在與晶片電子零件保持板11的各透孔11a的兩開口部近接的位置的一對電極端子12a、12b；與一對電極端子12a、12b的各個作電性連接的檢査器14a、14b；及以對各檢査器供給有關電氣能量及檢査處理的訊號的方式與各檢査器作電性連接的控制器15。
控制器15供給至各檢査器之有關電氣能量的 訊號係各檢査器施加至各晶片電容器之有關檢査用電壓的訊號，以其代表例而言，係列舉指示檢査用電壓施加開始的訊號。
控制器15供給至各檢査器之有關檢査處理的 訊號係有關藉由各檢査器所為之各晶片電容器的電氣特性之檢査的訊號，以其代表例而言，係列舉指示藉由來自各檢査器之檢査用電壓的施加而在各晶片電容器所發生的電流的電流值的檢測開始的訊號。
晶片電子零件檢査裝置10係構成為：由檢査 器14a、14b的各個，透過電極端子12a、12b，對被收容在二以上的透孔11a的晶片電子零件(例如圖4所示之晶片電容器19a、19b、19c、19d、19e、19f)的各個，在預定的時期施加具有互相相同(或大致相同)的頻率的檢査用 電壓，可以各檢査器檢測藉由該檢査用電壓的施加而在各晶片電子零件所發生的電流值。
在檢査裝置10中，例如使用靜電電容(電氣 特性)之檢査器，來作為例如晶片電子零件的電氣特性之檢査器14a、14b之各個。
接著上述晶片電子零件檢査裝置10係在前述 控制器15具備有以對被收容在晶片電子零件保持板11的二以上的透孔11a的晶片電子零件的各個施加檢査用電壓的時期不會互相重複的方式進行控制的控制系統15a具有特徵。
上述「控制系統」意指「記錄有可以對被收 容在晶片電子零件保持板的二以上的透孔的晶片電容器的各個施加電壓的時期不會互相重複的方式進行控制的程式的電子計算機」。
在圖6及圖7所示之晶片電子零件檢査裝置 10中，與一個檢査器作電性連接的晶片電子零件(晶片電容器)為三個。在檢査器14a係透過切換器23a電性連接有三個晶片電容器19a、19b、19c。接著，在檢査器14b係透過切換器23b而電性連接有三個晶片電容器19d、19e、19f。
接著，上述控制器15所具備的控制系統係以 由各檢査器對各晶片電子零件(晶片電容器)施加檢査用電壓的時期全部不會互相重複的方式控制各檢査器。
圖8係針對可較佳使用在用以實施本發明之 檢査方法的晶片電子零件檢査裝置的基本構成，概略顯示其電性連接狀態的區塊圖。
圖8所示之晶片電子零件檢査裝置80的構成 係除了與一個檢査器作電性連接的晶片電子零件(晶片電容器)為一個、及控制器25的控制對象僅為各檢査器(未包含上述切換器)以外，係與圖6所示之晶片電子零件檢査裝置的構成相同。
在檢査器14a，並未使用如上所述之切換器而 電性連接有一個晶片電容器19a。接著，在檢査器14b係未使用如上所述之切換器而電性連接有一個晶片電容器19b。
如上所示，晶片電子零件檢査裝置亦可具有 與一個(各自的)檢査器作電性連接的晶片電子零件為一個的構成。但是，為了減少所使用的檢査器的數量，藉此減低檢査裝置的製造成本，以與一個檢査器作電性連接的晶片電子零件為二以上為佳。
接著，將本發明之晶片電子零件之檢査方法 ，以使用圖2~圖7所示之檢査裝置10，接著進行圖1所示之晶片電容器19之檢査時為代表例來進行說明。
本發明之晶片電子零件之檢査方法係包含將 以藉由同一規格分別顯示預定的同一電氣特性的方式所製造的二以上的檢査對象的晶片電子零件配置在互相近接的位置(具體而言，例如以圓盤狀晶片電子保持板的直徑方向配置在直線上之圖4、圖6、及圖7所示之晶片電容器 19a、19b、19c、19d、19e、19f)，將互相獨立的檢査器14a、14b，以檢査器14a檢査晶片電容器19a、19b、19c，且檢査器14b檢査晶片電容器19d、19e、19f的方式，與各晶片電容器作電性連接之後，由各檢査器，對各自的晶片電子零件施加具有互相相同或大致相同的頻率的檢査用電壓，以各檢査器檢測藉由該檢査用電壓的施加而在各晶片電子零件所發生的電流值，藉此檢查檢査對象之各晶片電子零件的電氣特性的檢査方法。
接著，本發明之晶片電子零件之檢査方法係 在不會互相重複的時期實施由各檢査器對各晶片電子零件(晶片電容器)施加檢査用電壓方面具有特徵。
圖9係顯示在本發明之晶片電子零件之檢査 方法中，由各檢査器對各晶片電容器(晶片電子零件)施加檢査用電壓的時期的圖。在圖9中所記入的橫軸係表示時間。以下係一面參照圖7及圖9，一面進行說明。
檢査器14a係在時間t11至時間t12的期間P11 ，對晶片電容器19a施加檢査用電壓。此外，同樣地，檢査器14a係在時間t21至時間t22的期間P21，對晶片電容器19b施加檢査用電壓。接著同樣地，檢査器14a係在時間t31至時間t32的期間P31，對晶片電容器19c施加檢査用電壓。
檢査器14b係在時間t41至時間t42的期間P41 ，對晶片電容器19d施加檢査用電壓。此外，同樣地，檢査器14b係在時間t51至時間t52的期間P51，對晶片電容 器19e施加檢査用電壓。接著，同樣地，檢査器14b係在時間t61至時間t62的期間P61，對晶片電容器19f施加檢査用電壓。
接著，在上述期間P11，由檢査器14a對晶片 電容器19a施加檢査用電壓，以檢査器14a檢測藉由該檢査用電壓的施加而在晶片電容器19a所發生的電流值，藉此檢查檢査對象的晶片電容器19a的電氣特性(若使用上述檢査裝置10時為靜電電容)。
同樣地，在上述期間P21、P31、P41、P51、P61 的各個，檢查晶片電容器19b、19c、19d、19e、19f的各個的電氣特性(靜電電容)。
如圖9所示，在本發明之晶片電子零件之檢 査方法中，在不會互相重複的時期實施由檢査器14a、14b的各個對各晶片電容器施加檢査用電壓。
因此，不會有例如根據在期間P41被施加檢査 用電壓的其他晶片電容器19d所發生的電訊號(電壓或電流)所發生的雜訊混入於在期間P11被施加檢査用電壓的晶片電容器19a所發生的電訊號(電壓或電流)，亦即在各個晶片電容器所發生的電訊號互相干擾的情形。
因此，藉由實施本發明之晶片電子零件之檢 査方法，可使用二台以上之檢査器，高速(短時間)且高精度地檢査大量的晶片電子零件的電氣特性(例如晶片電容器的靜電電容)。
以本發明之晶片電子零件之檢査方法(或檢査 裝置)所檢査的電子零件較佳為在相對向的表面具備有一對電極的零件。
以所被檢査的電子零件的代表例而言，係列 舉晶片電容器、晶片電阻器(包含晶片變阻器)、及晶片感應器。所被檢査的電子零件係以晶片電容器為特佳。
以本發明之晶片電子零件之檢査方法(或檢査 裝置)所檢査的電子零件的電氣特性，意指可根據施加至晶片電子零件的檢査用電壓(交變電壓)的電壓值、及藉由施加該檢査用電壓而在晶片電子零件所發生的電流(交流電流)的電流值所決定的電氣特性。
以如上所示之電氣特性的代表例而言，係列 舉靜電電容(電容)、電感、阻抗、導納(admittance)等。
其中，上述測定對象的晶片電子零件的種類 、及所測定的電氣特性並非一定為一對一對應。例如，關於上述晶片電容器以外的晶片電子零件(詳言之係關於晶片電容器以外的晶片電子零件的等效電路所表示的電容器)，亦可測定其靜電電容。例如，亦可測定晶片變阻器的靜電電容。
以檢査對象的二以上的晶片電子零件而言， 係使用以顯示預定的同一電氣特性的方式按照同一規格所製造者。
因此，上述檢査對象的二以上的晶片電子零 件係大多為同一製造批量者，但是亦可在如上所示之同一製造批量的晶片電子零件混合其他批量的晶片電子零件者 。但是，兩者製造批量的晶片電子零件係以互相顯示同一電氣特性的方式按照同一規格所製造者(通常係以互相作為同一製品來進行販賣為目的來製造者)。
藉由將二以上的檢査對象的晶片電子零件收 容在例如檢査裝置10的晶片電子零件保持板11的二以上的透孔11a的各個，可配置在互相近接的位置。
如前所述，上述「將二以上的檢査對象的晶 片電子零件配置在互相近接的位置」意指「以包含被配置在互相近接的位置的至少二個晶片電子零件的方式配置二以上的檢査對象的晶片電子零件」。
上述「互相近接的位置」較佳為「二個檢査 對象的晶片電子零件的距離為100mm以下的位置」，以「二個檢査對象的晶片電子零件的距離為50mm以下的位置」為更佳，以「二個檢査對象的晶片電子零件的距離為30mm以下的位置」為特佳。在任何態樣中，均以二個檢査對象的晶片電子零件的距離為1mm以上為更佳。
在二以上的檢査對象的晶片電子零件，係由 互相獨立的(各自的)檢査器14a、14b的各個被賦予檢査用電壓。若未使用互相獨立的檢査器(使用一台檢査器)，不會發生如前所述在各檢査器所檢測的各晶片電容器的電訊號互相干擾的問題(本發明之解決課題)之故。
在二以上的檢査對象的晶片電子零件係由各 檢査器被施加具有互相相同或大致相同的頻率的檢査用電壓。
被施加至二以上的檢査對象的晶片電子零件 的檢査用電壓互相大致相同，意指各自之檢査用電壓的頻率比其中最低的頻率為高，而且為1.1倍以下，較佳為1.05倍以下的頻率。
其中，如前述圖7及圖9所示，晶片電子零 件檢査裝置10在期間P11，可對晶片電容器19a施加檢査用電壓，控制器15係進行如以下所示之控制。
首先，控制器15係對切換器23a在時間t0供 給指示關閉與晶片電容器19a作電性連接的開閉器24a(形成為電性導通狀態)、打開開閉器24b、24c(形成為電性非導通狀態)的訊號。接著，控制器15係對檢査器14a在時間t11供給指示開始施加檢査用電壓的訊號(有關電氣能量的訊號)，而且指示開始檢測在晶片電容器19a所發生的電流的電流值的訊號(有關檢査處理的訊號)。
此外，控制器15係對切換器23b在時間t0供 給指示關閉與晶片電容器19d作電性連接的開閉器24d(形成為電性導通狀態)，打開開閉器24e、24f(形成為電性非導通狀態)的訊號。接著，控制器15係對檢査器14b在時間t41供給指示開始施加檢査用電壓的訊號，而且指示開始檢測在晶片電容器19d所發生的電流的電流值的訊號。
其中，由於在不會互相重複的時期實施：期 間P11中由檢査器14a對晶片電容器19a施加檢査用電壓、及期間P41中由檢査器14b對晶片電容器19d施加檢査用電壓，因此在由結束對晶片電容器19a施加檢査用電壓 的時間t12經過期間D之後的時間t41，開始對晶片電容器19d施加檢査用電壓。
接著同樣地，由於可對晶片電容器19d、晶片 電容器19b、晶片電容器19e、晶片電容器19c、及晶片電容器19f施加檢査用電壓，因此控制器15係進行與上述控制相同的控制。
其中，期間S1係從對切換器23a供給上述訊 號之後至開閉器24a關閉為止所需期間(以下稱為「開閉器動作期間」)。亦即，開閉器24a係在時間t11關閉，接著形成為電性導通狀態。同樣地期間S2、S3、S4、S5、S6係分別為開閉器24b、24c、24d、24e、24f的開閉器動作期間。
接著在本發明之晶片電子零件之檢査方法中 ，較佳為上述各檢査器結束對各晶片電子零件(例如晶片電容器)施加檢査用電壓之後，在根據上述檢査用電壓的電壓值、及施加上述檢査用電壓所檢測到的上述晶片電子零件的電流的電流值，決定該晶片電子零件的電氣特性之前，開始由有別於上述的其他檢査器對有別於上述的其他晶片電子零件施加檢査用電壓。藉此，與以一台檢査器依序檢查二以上的晶片電子零件的情形相比較，用以檢查檢査對象的晶片電子零件的全部所需時間會變短。
如圖7及圖9所示，若使用上述晶片電子零 件檢査裝置10時，檢査器14a係例如對晶片電容器19a，在時間t11開始施加檢査用電壓，接著在時間t12結束施加 檢査用電壓。接著，檢査器14a係根據上述檢査用電壓的電壓值、及藉由該檢査用電壓的施加而在晶片電容器19a所發生的電流的電流值，在時間t13決定晶片電容器的靜電電容(電氣特性)。
如上所示，檢査器14a係在上述時間t11與時 間t13之間的期間P12(以下稱為「電氣特性檢査期間」)，通常係在時間t12與時間t13之間的期間，根據上述電壓值及電流值，藉由例如資料處理(運算處理)來決定靜電電容。其中，期間P22、P32、P42、P52、P62係分別為晶片電容器19b、19c、19d、19e、19f的電氣特性檢査期間。
接著，如上所述，檢査器14a在時間t12結束 對晶片電容器19a施加檢査用電壓之後，在時間t13根據上述電壓值及電流值來決定電容器的靜電電容(電氣特性)之前，具體而言，在時間t41，開始由有別於上述之其他檢査器14b對有別於上述之其他晶片電容器19d施加檢査用電壓。
亦即，結束對晶片電容器19a施加檢査用電 壓的時間t12、與開始對接下來的晶片電容器19d施加檢査用電壓的時間t41之間的期間D係較佳為上述時間t12與檢査器14a決定晶片電容器19a的靜電電容的時間t13之間的期間為短。
同樣地，上述檢査器14b在時間t42結束對晶 片電容器19d施加檢査用電壓之後，在時間t43決定晶片電容器19d的靜電電容之前，具體而言在時間t21開始由 有別於上述的其他檢査器14a對有別於上述的其他晶片電容器19b施加檢査用電壓。接著以下亦藉由相同的順序，開始對晶片電容器19e、晶片電容器19c、接著晶片電容器19f施加檢査用電壓。
圖10係顯示在習知之晶片電子零件之檢査方 法中，若檢査合計6個晶片電子零件19a、19b、19c、19d、19e、19f時，由各檢査器對各晶片電容器(晶片電子零件)施加檢査用電壓的時期的圖。圖10中所記入的橫軸係表示時間。
檢査器14a係在時間t11至時間t12的期間P11 ，對晶片電容器19a施加檢査用電壓。而且，同樣地，檢査器14a係在時間t21至時間t22的期間P21，對晶片電容器19b施加檢査用電壓。接著同樣地，檢査器14a係在時間t31至時間t32的期間P31，對晶片電容器19c施加檢査用電壓。
檢査器14b係在時間t41至時間t42的期間P41 ，對晶片電容器19d施加檢査用電壓。而且，同樣地，檢査器14b係在時間t51至時間t52的期間P51，對晶片電容器19e施加檢査用電壓。接著同樣地，檢査器14b係在時間t61至時間t62的期間P61，對晶片電容器19f施加檢査用電壓。
在使用圖10所說明之習知之晶片電子零件之 檢査方法中，使用二以上的檢査器的目的在於在互相重複的時期對二個晶片電容器(晶片電子零件)施加檢査用電壓 ，以各二個同時檢查晶片電容器的靜電電容，藉此縮短檢査時間。
例如，在互相重複的時期實施期間P11中由檢 査器14a對晶片電容器19a施加檢査用電壓、及期間P41中由檢査器14b對晶片電容器19d施加檢査用電壓，藉此實現在高速(短時間)下的檢査。
但是，如前所述，例如，根據在期間P41被施 加檢査用電壓的晶片電容器19d所發生的電訊號(電壓或電流)所發生的雜訊會混入於在期間P11被施加檢査用電壓的晶片電容器19a所發生的電訊號(電壓或電流)。此外，在晶片電容器19d所發生的電訊號亦混入根據在晶片電容器19a所發生的電訊號所發生的雜訊。亦即在各個晶片電容器所發生的電訊號會互相干擾。同樣地，在晶片電容器19b、19e所發生的電訊號亦互相干擾，而且在晶片電容器19c、19f所發生的電訊號亦互相干擾。
因此，在習知之晶片電子零件之檢査方法中 ，係可使用二台或二台以上之檢査器來高速(短時間)檢査二以上的晶片電容器的電氣特性。例如圖10所示，可在時間t0與時間t1之間的期間(時間)檢査6個晶片電容器。 但是，如上所述，由於在各晶片電容器所發生的電訊號互相干擾，因此各個晶片電容器的電氣特性的檢査精度會降低。
相對於此，在本發明之晶片電子零件之檢査 方法中，係如圖9所示，例如，在時間t0與時間t2之間 的期間(時間)檢査6個晶片電容器。因此，與上述習知之晶片電子零件之檢査方法相比較，在本發明之晶片電子零件之檢査方法中，檢査所需時間係較長(時間t2>時間t1)。但是，在本發明之晶片電子零件之檢査方法中，由於在不會互相重複的時期實施對檢査對象的晶片電容器施加檢査用電壓，因此如上所述，不會有在各晶片電容器所發生的電訊號互相干擾的情形。因此，藉由實施本發明之檢査方法，若與上述習知之晶片電子零件之檢査方法相比較，雖然檢査時間稍微長，但是可使用二台以上之檢査器來高速(短時間)且高精度地檢査大量的晶片電容器(晶片電子零件)的電氣特性。
以下係詳加說明被使用在用以實施本發明之 晶片電子零件之檢査方法的檢査裝置(本發明之晶片電子零件之檢査裝置)的構成與較佳實施態樣。
圖2所示之晶片電子零件檢査裝置10所具備 的晶片電子零件保持板11在其形狀並未特別限制，但是通常設定為圓盤狀的形狀。
晶片電子零件保持板11的二以上的透孔11a 係在晶片電子零件保持板的表面，在複數同心圓上，配置在將該同心圓作等分割的位置。
在晶片電子零件檢査裝置10中，係按被收容 在於晶片電子零件保持板11的中心與周緣之間以直徑方向排列之合計6個透孔的6個晶片電子零件的每個，進行晶片電容器的電氣特性的檢査。在晶片電子零件保持板 11的中心與周緣之間以直徑方向排列之透孔數較佳為2~20個範圍內，更佳為4~12個範圍內。
晶片電子零件保持板11係可透過例如底板45 、及中心軸42作旋轉的方式被設置(固定)在基台41，使被配設在其背面側的旋轉驅動裝置43作動，藉此將中心軸42的周圍間歇性地進行旋轉。其中，晶片電子零件保持板11「間歇性地進行旋轉」意指按照將以晶片電子零件保持板11的旋轉方向(旋轉的圓周方向)互相鄰接的二個透孔的各個、及晶片電子零件保持板11的旋轉的中心位置相連結的二條直線所形成的每個角度(銳角)進行旋轉。
在晶片電子零件保持板11的透孔的各個，係 在晶片電子零件收容部31中，暫時收容有檢査對象的晶片電容器(晶片電子零件)，俾以檢査其電氣特性。
如圖3所示，在晶片電子零件收容部31係在 上述晶片電子零件保持板11的前方側(圖3中為左側)配設有晶片電子零件保持蓋件44。在晶片電子零件保持板11的後方側(圖3中為右側)係配設有底板45。在底板45係分別形成有在晶片電子零件保持板11之側的表面形成開口的複數氣體排出通路45a。各自的氣體排出通路係與氣體排出裝置(代表例為真空泵)46相連接。若使氣體排出裝置46進行作動時，由氣體排出通路45a被排出氣體，晶片電子零件保持板11與底板45之間的間隙成為被減壓的狀態(成為小於大氣壓的壓力)。
接著，使晶片電子零件保持板11一面以圖3 所記入的箭號49所示方向間歇性進行旋轉，一面藉由晶片電子零件供給裝置(圖2：47)對晶片電子零件保持蓋件44的內側供給晶片電容器19，且使氣體排出裝置46進行作動而使晶片電子零件保持板11與底板45之間的間隙形成為減壓狀態。藉此，晶片電容器暫時被收容在晶片電子零件保持板11的各個的透孔11a。其中，晶片電子零件保持板11與底板45之間的間隙係成為被減壓的狀態，因此若被收容在晶片電子零件保持板11的晶片電容器19移動至比圖3中最為上方的氣體排出通路45a更為上方的位置時，亦不會有晶片電容器19由透孔11a出現而落下的情形。
藉由上述晶片電子零件保持板11的間歇性的 旋轉移動，被收容在晶片電子零件保持板的透孔的晶片電容器係被送至圖2及圖4所示之晶片電子零件檢査裝置10的晶片電子零件檢査部32。
如圖4所示，由於將各晶片電容器與其電氣 特性之檢査器作電性連接，因此在與晶片電子零件保持板的各透孔11a的兩開口部近接的位置配置有一對電極端子12a、12b。
電極端子12a係透過被配設在其周圍的電性 絕緣性的筒體51被固定在底板45。電極端子12a及底板45的晶片電子零件保持板11之側的表面係以形成一個平滑平面的方式被施行例如研磨加工。
電極端子12b係被固定在電極端子支持板53 。電極端子支持板53係被固定在直動驅動裝置(圖2：54)。
使上述直動驅動裝置作動，且使電極端子支 持板53移動至晶片電子零件保持板11之側，藉此被支持在電極端子支持板53的各電極端子12b亦另外移動至晶片電子零件保持板11之側。藉此，各晶片電容器係被夾在電極端子12a、12b之間。因此，各晶片電容器的電極22a係與電極端子12a作電性連接，而且電極22b係與電極端子12b作電性連接。藉此，各晶片電容器係透過一對電極端子12a、12b而與各檢査器作電性連接。
其中，與配置一對電極端子的晶片電子零件 保持板的各透孔的兩開口部「近接的位置」意指當晶片電子零件被收容在各透孔時，各電極端子與各晶片電子零件作電性連接的位置，或者若形成為各電極端子可移動的構成時，藉由使各電極端子移動，可與各晶片電子零件作電性連接的位置。
接著，在晶片電子零件檢査部32，按照以晶 片電子零件保持板11的直徑方向排列成一列的6個晶片電容器19a、19b、19c、19d、19e、19f的每個，依照上述本發明之檢査方法，檢查其電氣特性。
圖7所示之晶片電子零件檢査裝置10所具備 之檢査器14a、14b為靜電電容之檢査器。檢査器14a、14b係分別具備有電源55、電壓計56、及電流計57。在電源55所發生的檢査用電壓係透過切換器23a或切換器 23b而被施加至各晶片電容器。檢査用電壓的電壓值係藉由電壓計56予以測定。藉由檢査用電壓的賦予，在各晶片電容器所發生的電流的電流值係藉由電流計57予以測定。為了高精度測定上述電壓值及電流值，在各檢査器具備有放大器58及電阻器59。
其中，亦可在圖2所示之晶片電子零件檢査 裝置的晶片電子零件檢査部32的圓周方向，另外配設與其他檢査器(有別於上述檢査器14a、14b之檢査電氣特性的檢査器)作電性連接的一對電極端子。
檢査電氣特性的晶片電容器係藉由晶片電子 零件保持板11的間歇性旋轉移動，被送至圖2及圖5所示之晶片電子零件檢査裝置10的晶片電子零件排出部33。
如圖5所示，在晶片電子零件排出部33係在 上述晶片電子零件保持板11的前方側(圖5中為下側)配設形成有複數個透孔61a的管件支持蓋件61。在管件支持蓋件61的透孔61a的各個係連接有構成晶片電容器(例如晶片電容器19a)的通路的管件62。但是，在圖2中，僅記入與管件支持蓋件61的透孔61a的各個相連接之管件62之中的一部分管件。
此外，在被配置在晶片電子零件保持板11的 後方側(圖5中為上側)的底板45，分別形成有在晶片電子零件保持板11之側的表面形成開口的複數氣體供給通路45b。各自的氣體供給通路45b係與加壓氣體供給裝置63相連接。
若使加壓氣體供給裝置63作動，加壓氣體被供給至氣體供給通路45b，例如加壓氣體被噴射至被收容在晶片電子零件保持板11的透孔11a的晶片電容器19a。藉此，晶片電容器係被排出至管件62。
例如，上述晶片電容器19a係在圖2所示之管件支持蓋件61所形成的複數個透孔61a之中，通過位於最為外周側之合計10個透孔61a。該10個透孔61a係分別透過管件62而與晶片電子零件收容容器64相連接。
因此，上述晶片電容器19a係透過與上述管件支持蓋件61的10個透孔61a相連接之合計10支管件62的任一者，被收容在按照所檢査出的電氣特性的晶片電子零件收容容器64。
14a、14b‧‧‧檢査器

Claims (9)

  1. 一種晶片電子零件之檢査方法，其係包含以下工程之進行檢査對象之各晶片電子零件的電氣特性的檢査的晶片電子零件之檢査方法：在將以分別根據同一規格顯示預定的同一電氣特性的方式所製造的二以上的檢査對象的晶片電子零件互相近接配置的狀態下，將互相獨立的檢査器與該晶片電子零件的各個作電性連接的工程；接著由各檢査器，對各自的晶片電子零件施加具有互相相同或大致相同的頻率的檢査用電壓，以各檢査器檢測藉由該檢査用電壓的施加而在各晶片電子零件所發生的電流值的工程，其特徵為：在不會互相重複的時期進行由各檢査器對各晶片電子零件施加檢査用電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶片電子零件之檢査方法，其中，上述晶片電子零件處於被保持在以可繞中心軸旋轉的方式被軸支在基台的晶片電子零件保持板的透孔的群組的狀態，該晶片電子零件保持板具備有以互相隔著間隔形成四列以上的同心圓的方式配置在圓盤上的透孔的群組，其中各列的透孔係位於由中心軸朝半徑方向延伸的直線上，對晶片電子零件施加檢査用電壓係針對位於由中心軸朝半徑方向延伸的直線上的透孔的群組，在不會互相重複的時期依序進行。
  3. 如申請專利範圍第2項之晶片電子零件之檢査方法，其中，透孔的群組以形成六列的同心圓的方式被配置在 圓盤上，接近圓盤外周的三列透孔的群組所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計三對電極端子的檢査器A來進行，接著接近圓盤的中心軸的三列透孔群所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計三對電極端子的檢査器B來進行。
  4. 如申請專利範圍第2項之晶片電子零件之檢査方法，其中，以透孔的群組形成八列同心圓的方式被配置在圓盤上，接近圓盤外周的四列透孔的群組所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計四對電極端子的檢査器A來進行，接著接近圓盤的中心軸的四列透孔群所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計四對電極端子的檢査器B來進行。
  5. 如申請專利範圍第2項之晶片電子零件之檢査方法，其中，以透孔的群組形成十二列同心圓的方式被配置在圓盤上，接近圓盤外周的四列透孔的群組所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計四對電極端子的檢査器A來進行，接近圓盤的中心軸的四列透孔群所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計四對電極端子的檢査器B來進行，接著位於接近上述外周側的四列透孔的群組與接近中心軸的四列透孔的群組之間的四列透孔的群組所保持的晶片電子零件的檢査係藉由具備有合計四對電極端子的檢査器C來進行。
  6. 如申請專利範圍第1項之晶片電子零件之檢査方法，其中，所被檢査的晶片電子零件為在相對向的表面具備 有一對電極的零件。
  7. 如申請專利範圍第1項之晶片電子零件之檢査方法，其中，所被檢査的晶片電子零件為晶片電容器。
  8. 如申請專利範圍第2項之晶片電子零件之檢査方法，其中，所被檢査的電氣特性為靜電電容。
  9. 一種晶片電子零件之檢査裝置，其係包含：以板狀材料被形成在可暫時收容晶片電子零件的二以上的透孔互相近接的位置而成的晶片電子零件保持板；被配置在與該晶片電子零件保持板的各透孔的兩開口部近接的位置的一對電極端子；與該一對電極端子的各個作電性連接的檢査器；及以對各檢査器供給有關電氣能量及檢査處理的訊號的方式與各檢査器作電性連接的控制器，由各檢査器透過電極端子，對被收容在二以上的透孔的晶片電子零件的各個，在預定的時期施加具有互相相同或大致相同的頻率的檢査用電壓，以各檢査器檢測藉由該檢査用電壓的施加而在各晶片電子零件所發生的電流值的晶片電子零件檢査裝置，其特徵為：在該控制器具備有以對被收容在晶片電子零件保持板的二以上的透孔的晶片電子零件的各個施加檢査用電壓的時期不會互相重複的方式進行控制的控制系統。
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