TW201411299A - 用以測試沉積製程之遮罩組件、包含該遮罩組件之沉積設備及使用該遮罩組件之沉積製程的測試方法 - Google Patents

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Abstract

一種沉積設備，包含沉積源、沉積室、遮罩阻件及傳送單元。遮罩阻件包含支撐構件、開關構件及傳動構件。支撐構件具有第一開口，配置以允許沉積材料穿過，同時支撐穿過之沉積材料沉積於其上之基座基板。開關構件容納於支撐構件內並具有小於第一開口之第二開口。傳動構件配置以依照遮罩組件之移動而相對於基座基板改變第二開口之位置。

Description

用以測試沉積製程之遮罩組件、包含該遮罩組件之沉積設備及使用該遮罩組件之沉積製程的測試方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年9月4日向韓國智慧財產局提出之申請案之優先權效益，該申請案號為10-2012-0097799，本申請案之揭露藉此併入其全部內文以作為參考。
本發明之實施例之態樣係有關於一種用以測試沉積製程之遮罩阻件、包含遮罩阻件之沉積設備以及使用遮罩組件之沉積製程的測試方法。
平板顯示器或半導體裝置可藉由沉積有機或無機材料於基座基板而製得。為此，沉積製程也可進行於沉積設備中。沉積設備可包含真空室、在真空室中之至少沉積源、遮罩以及傳送基座基板之傳送單元。沉積製程之測試可進行以在進行沉積製程以製造平板顯示器或半導體裝置之前，評估是否沉積製程(例如進行於沉積設備中)是適當的。可使用測試基板以測試沉積製程。例如，在測試基板上可測量沉積材料的厚度和均勻性是沉積製程測試的一部份。為此，所測得的厚度和均勻性可與參考厚度及均勻性進行比較。
當測試製程的沉積設備具有用以沉積不同材料的多個沉積源時，可能需要多個測試基板。例如，測試基板可被依序裝載入沉積設備，並分別沉積不同材料於不同測試基板上。然後可量測沉積於對應之測試基板上之每一沉積材料的厚度和均勻性。
本發明之實施例提供能夠測試使用複數個沉積源的測試基板之沉積製程的遮罩組件。進一步的實施例提供了包含遮罩組件之沉積設備，以及沉積製程中使用遮罩組件的測試方法。
依據本發明之例示性實施例，提供一種用以測試沉積製程的遮罩組件。遮罩組件包含支撐構件，具有第一開口，配置以允許沉積材料穿過，同時當遮罩組件以第一方向移動時，支撐穿過之沉積材料沉積於其上之基座基板、開關構件，容納於支撐構件內並具有小於第一開口之第二開口、以及傳動構件，配置以依照遮罩組件之移動移動開關構件，以相對於基座基板改變第二開口之位置。
支撐構件可包含具有第一開口之底部，以及自底部彎曲以支撐基座基板之側壁。
開關構件可配置以依照遮罩組件之移動而於與第一方向相反之方向相對於基座基板而移動。
第二開口可於實質上垂直於第一方向之第二方向延伸。
開關構件較第一開口可具有較大面積且可位於底部上。
遮罩組件更可包含位於底部上之軌道單元，以及耦合至開關構件並嵌入至軌道單元以允許開關構件沿著軌道單元移動之耦合單元。
傳動構件係可配置以依照遮罩阻件之移動而旋轉。開關構件係可配置以依照傳動構件之旋轉而移動。
傳動構件可包含第一小齒輪，配置以藉由一摩擦力而旋轉。
傳動構件更可包含第二小齒輪，配置以接受來自第一小齒輪之原動力以及接觸開關構件之側表面。
開關構件可包含位於開關構件之側表面上且配置以接合第二小齒輪之鋸齒的鋸齒。
傳動構件可包含交替排列之N極部及S極部，且可配置以藉由磁力而旋轉。
依據本發明之另一例示性實施例，提供一種用以測試沉積製程的遮罩組件。遮罩組件包含一支撐構件，具有第一開口，配置以穿過沉積材料，同時當遮罩組件移動時，支撐穿過之沉積材料沉積於其上之基座基板、開關構件，容納於支撐構件內並包含具有小於第一開口之第二開口的可旋轉構件、以及傳動構件，配置以依照遮罩組件之移動轉動可旋轉構件，以相對於基座基板改變第二開口之位置。
支撐構件可包含具有第一開口之底部，以及自底部彎曲以支撐基座基板之側壁。
開關構件更可包含旋轉軸，耦合至可旋轉構件以轉動可旋轉構件。
第一開口可包含左方第一開口及右方第一開口。開關構件可包含重疊左方第一開口之左方開關構件以及重疊右方開關構件之右方第一開口。
傳動構件可包含第一傳動構件，配置以於第一方向轉動以及第二傳動構件，配置以依照支撐構件之移動並與第一方向相反之第二方向轉動。相對於基座基板之左方開關構件之可旋轉構件之第二開口之位置係可配置以藉由第一傳動構件之旋轉而改變。相對於基座基板之右方開關構件之可旋轉構件之第二開口之位置係可配置以藉由第二傳動構件之旋轉而改變。
每一第一傳動構件及第二傳動構件可包含第一小齒輪，配置以藉由摩擦力而旋轉。
每一第一及第二傳動構件更可包含第二小齒輪，配置以接受來自第一小齒輪之原動力以及接觸開關構件之側表面。
每一第一及第二傳動構件可包含盤型磁性構件，包含交替排列之N極部及S極部。磁性構件係可配置以藉由磁力而旋轉。
依據本發明之又一例示性實施例，提供一種沉積設備。沉積設備包含：複數個沉積源，配置以沉積沉積材料；沉積室，容納沉積源；用以測試沉積製程之遮罩組件，當沉積源沉積沉積材料於基座基板上時，遮罩組件係配置以耦合至基座基板同時移動穿過沉積室；以及傳送單元，配置以移動遮罩組件穿過沉積室。遮罩組件包含支撐構件，具有第一開口，配置以允許沉積材料穿過，同時支撐穿過之沉積材料沉積於其上之基座基板、開關構件，容納於支撐構件內並具有小於第一開口之第二開口、以及傳動構件，配置以依照遮罩組件之移動而相對於基座基板改變第二開口之位置。
傳送單元可包含複數個滾輪，配置以移動遮罩組件穿過沉積室。
傳動構件係可配置以依照遮罩組件之移動而旋轉。第二開口之位置係可配置以藉由傳動構件之旋轉而改變。
沉積室可包含配置以耦合基座基板至遮罩組件之裝載區、容納沉積源之沉積區、以及配置以自遮罩組件去耦合基座基板之卸載區。
傳動構件可包含複數個小齒輪。小齒輪中之一者係可配置以接觸開關構件之側表面，以相對於基座基板改變第二開口之位置。
沉積室可包含位於沉積區之側壁上之複數個傳送架，以對應於沉積源或沉積源之間的空間。
小齒輪之另一者係可配置以接觸傳送架，以相對於基座基板改變第二開口之位置。
沉積設備更可包含配置以自卸載區返回遮罩組件至裝載區之返回單元，以及容納返回單元之返回室。
返回室可包含位於返回室之側壁上之返回架。
傳動構件可包含盤型磁性構件，包含交替排列之N極部及S極部。沉積室可包含位於沉積區之側壁上以對應沉積源之複數個磁性傳送構件，每一磁性傳送構件包含交替排列之N極部及S極部。
支撐構件可包含具有第一開口之底部，以及自底部彎曲以支撐基座基板之側壁。
開關構件係可配置以依照遮罩組件之移動而於與遮罩組件移動之方向相反之方向相對於基座基板而移動。
開關構件可包含可旋轉構件，配置以藉由遮罩組件之移動而轉動。
依據本發明之再一例示性實施例，提供一種使用遮罩組件之沉積製程的測試方法。測試方法包含：輸入遮罩組件至容納複數個沉積源之沉積室之沉積區，遮罩組件包含支撐基座基板之支撐構件以及具有開口之開關構件；自複數個沉積源沉積相對應的複數個沉積材料至基座基板上；移動遮罩組件穿過沉積區；以及依照遮罩組件之移動且相對於基座基板改變開關構件之開口之位置。
測試方法更可包含：自沉積區退出遮罩組件，以及自沉積區之出口返回遮罩組件至沉積區之入口。
開關構件之開口之位置的改變可包含相對於與遮罩組件移動之方向相反之方向的基座基板移動開關構件。
開關構件之開口之位置的改變可包含依照遮罩組件之移動轉動開關構件。
複數個沉積材料可包含對應之複數個不同沉積材料。
依據上述及其他實施例，遮罩組件使用一測試基板以測試具有供應對應之多個沉積材料之多個沉積源之沉積設備之沉積製程。遮罩組件接受相對之沉積材料於測試基板之不同區域。由於可降低用以測試沉積製程之測試基板的數量，測試成本可降低且用以測試沉積製程之時間也可縮短。
依據上述及其他實施例，在沉積設備中，相對於測試基板之開關構件之第二開口之位置可依照遮罩組件之移動而改變。第二開口之位置對於每一沉積源而言是改變的。因此，沉積材料沉積於測試基板之不同區域。
MA、MA10、MA20、MA30：遮罩阻件
10：支撐構件
20：開關構件
30：傳動構件
OP1：第一開口
OP2：第二開口
SUB：基底基板
CP、RCP：天花板部
TP：傳送單元
M1、M2、M3、M4：沉積材料
S1、S2、S3、S4：沉積源
B1、B2、B3：分隔壁
D1：第一方向
D2：第二方向
D3：第三方向
CB：沉積室
100：裝載區
200：沉積區
300：卸載區
210、220、230、240：沉積區
SW1、RSW1：第一側壁
SW2、RSW2：第二側壁
30-L：第一旋轉構件
30-R：第二旋轉構件
10-SW：側壁
10-BP、RBP、BP：底部
30-RA1：第一旋轉軸
30-RA2：第二旋轉軸
30-P1：第一小齒輪
30-P2：第二小齒輪
30-P3：第三小齒輪
TH-L、TH-R：通孔
RP-L：第一軌道單元
RP-R：第二軌道單元
CM-L：第一耦合塊
CM-R：第二耦合塊
20L：左方開關構件
20R：右方開關構件
20-L：左方可旋轉構件
20-R：右方可旋轉構件
20-RAL：左方旋轉軸
20-RAR：右方旋轉軸
20-LOP：左方第二開口
20-ROP：右方第二開口
TR1、TR2、TR3、TR4：傳送架
TM1、TM2、TM3：磁性傳送構件
30-M1：盤型磁性構件
RCB：返回室
RTP：返回單元
RTR：返回架
當結合附圖考慮以及藉由參考下列詳細描述時，本發明的上述和其它方面和特徵將變得顯而易見，其中：
第1圖係為依據本發明之例示性實施例之沉積設備之平面圖；
第2圖係為依據本發明之例示性實施例之第1圖中沉積設備之一部分之第一剖面圖；
第3圖係為第1至2圖中沉積設備之一部分之第二剖面圖；
第4A圖係為依據本發明之例示性實施例之用以測試沉積製程之遮罩組件之透視圖；
第4B圖係為第4A圖之遮罩組件之爆炸透視圖；
第5A圖係為依據本發明之另一例示性實施例之用以測試沉積製程之遮罩組件之透視圖；
第5B圖係為第5A圖之遮罩組件之爆炸透視圖；
第6A圖係為依據本發明之又一例示性實施例之用以測試沉積製程之遮罩組件之透視圖；
第6B圖係為第6A圖之遮罩組件之爆炸透視圖；
第7圖係為依據本發明之另一例示性實施例之第1圖中沉積設備之一部分之第一剖面圖；
第8圖係為第1圖及第7圖中沉積設備之一部分之第二剖面圖；
第9圖係為依據本發明之例示性實施例之第1圖及第7至8圖中沉積設備之一部分之透視圖；
第10圖係為依據本發明之另一例示性實施例之第1圖及第7-8圖中沉積設備之一部分之透視圖；
第11圖係為第10圖中沉積設備之一部分之放大透視圖；
第12圖係為依據本發明之另一例示性實施例之沉積設備之平面圖；
第13圖係為第12圖中沉積設備之一部分之第一剖面圖；以及
第14圖係為第12至13圖中沉積設備之一部分之第二剖面圖。
應理解的是，當一元件或層被稱為“上”、“連接至”、或“耦合至”另一元件或層時，它可以直接連接至或耦合至其他元件，或者可以存在一個或多個中間元件或層。相反地，當一元件被稱為“直接在”、“直接連接至”或“直接耦合至”另一元件或層時，則不存在中間元件或層。相同的數字意指相似的元件。如本文所用，術語“及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何及所有組合。
應理解的是，儘管術語第一、第二等，可以使用本文中以描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分應不被這些術語所限制。這些術語僅用來區分一個元件、部件、區域、層、或部分與另一個元件、部件、區域、層、或部分。因此，而不脫離本發明之教示下，下列第一元件、部件、區域、層、或部分可以被稱為第二元件、部件、區域、層、或部分。
空間相對術語，如“在...之下”、“在下面”、“較低”、“之上”、“上”及其類似物，可被用於本文中以便於描述圖中一元件或特徵關係對另一元件或特徵。將理解的是，空間相對術語意在包含除了在附圖中描述的方位之外，所使用或操作的裝置的不同方位。例如，若附圖中的裝置被翻轉，被描述為在其他元件或特徵的“下方”或“之下”的元件，將被定向為在其他元件或特徵的“上方”。因此，例示性術語“在...下面”可以包括上方和下方兩種方位。裝置可被另外定位(旋轉90度或者在其它方位)並相應地解釋本文所用的空間相對描述。
本文使用的術語是僅用於描述特定實施例，而不是用以限制本發明。如本文所用，單數形式“一”、“一”及“該”也用以包括複數形式，除非上下文清楚地另有指示。將進一步理解的是，術語“包括”、“包含”、“包含”及/或“包括”，在本說明書中使用時，指定存在所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件，但不排除一個或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或它們的組的存在或添加。
除非另有定義，本文所用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有相同的含義，如本發明所屬技術領域中具有通常知識者之一所通常理解。將進一步理解的是，術語，例如在常用字典中定義，應解釋為具有與它們的含義相一致的含義，因此在相關領域的上下文中，將不被解釋為理想化或過於正式的意義，除非明確如此界定外。在下文中，本發明將參考附圖以詳細解釋。
第1圖係為依據本發明之例示性實施例之沉積設備之平面圖。第2圖係為依據本發明之例示性實施例之第1圖中沉積設備之一部分之第一剖面圖。第3圖係為第1至2圖中沉積設備之一部分之第二剖面圖。
請參閱第1至3圖，沉積設備包含沉積室CB、複數個沉積源S1至S4、用以測試沉積製程之遮罩組件MA以及傳送單元TP。第1至3圖顯示四個沉積源S1至S4作為一例。
沉積室CB具有在進行沉積製程之第一方向D1中之延伸形狀。沉積室CB在實質上垂直第一方向D1之第二方向D2中包含第一側壁SW1、面對第一側壁SW1之第二側壁SW2、連接於第一側壁SW1和第二側壁SW2之間的底部BP以及和天花板部CP。底部BP在實質上垂直於第一方向D1及第二方向D2之第三方向D3中面對天花板部CP。
沉積室CB依據功能被劃分成多個區域。沉積室CB包含裝載區100、沉積區200及卸載區300。
基底基板SUB被裝載至或耦合至裝載區100中的遮罩組件MA。基底基板SUB可以是用以測試是否沉積製程是適當的以製造顯示面板或其他半導體裝置，在使用沉積製程以製造顯示面板或半導體裝置之前。用以製造顯示面板或半導體裝置之基板可使用為基座基板SUB。例如，基板可用為顯示面板，但不限於有機發光二極體顯示器。基底基板SUB可包括，例如，玻璃、矽、金屬或塑料。
沉積源S1至S4設置於(例如，容納)沉積區200中。沉積源S1至S4沿第一方向D1彼此隔開。在其它實施例中，沉積源的數量和排列可能自第1至3圖所示而改變。
沉積源S1至S4可分別提供不同的沉積材料M1至M4。沉積源S1至S4可例如提供有機材料及/或無機材料。每一沉積源S1至S4可包含一容器以容納各自的沉積材料M1至M4以及一加熱單元以蒸發沉積材料M1至M4。
沉積區200被劃分成複數個單個的沉積區210至240。沉積源S1至S4分別被容納在單個沉積區210至240。單個沉積區210至240藉由複數個分隔壁B1至B3分區。
基座基板SUB在卸載區300中被卸載或自遮罩組件MA去耦合。門可安裝於裝載區100和沉積區200之間(例如，在沉積區的入口)以及沉積區200和卸載區300之間(例如，在沉積區的出口)。此外，裝載區100、沉積區200及卸載區300中的壓力可彼此不同。取決於沉積製程，沉積區200可能需要被保持在真空狀態下。
裝載或耦合到基底基板SUB的遮罩組件MA穿過包含沉積區200之沉積室CB。遮罩組件MA藉由傳送單元TP而傳送(例如，從沉積區200的一端移動到另一端)。遮罩組件MA包括支撐構件10、開關構件20及傳動構件30。支撐構件10包括第一開口OP1，藉此沉積材料M1至M4自沉積源M1至M4進入或通過，並支撐基底基板SUB。
開關構件20容納於支撐構件10內。開關構件20包括小於第一開口OP1之第二開口OP2。穿過第一開口OP1的沉積材料M1至M4在穿過第二開口OP2之後沉積在基底基板SUB上。
傳動構件30依照遮罩組件MA之移動以及相對於基座基板SUB以改變第二開口OP2之位置。例如，當遮罩組件MA在第一沉積源S1上時，第二開口OP2相對於基座基板SUB之位置可不同於當遮罩組件MA在第四沉積源S4上時，第二開口相對於基座基板SUB之位置。
傳送單元TP包括複數個滾輪。滾輪安裝在第一側壁SW1和第二側壁SW2上。滾輪與支撐構件10接觸。支撐構件10依據滾輪之旋轉在第一方向D1移動。滾輪可藉由設置於沉積室CB外之馬達而操作。滾輪之操作也可以藉由開啟或關閉馬達而控制。傳送單元TP並不限於滾輪或此滾輪實施。在其它實施例中，傳送單元TP可包括不同的傳送裝置，如傳送帶，以取代滾輪。
第4A圖係為依據本發明之例示性實施例之用以測試沉積製程之遮罩組件之透視圖。第4B圖係為第4A圖之遮罩組件之爆炸透視圖。
請參閱第4A圖和第4B圖，支撐構件10包括底部10-BP和側壁10-SW。第一開口OP1經由底部10-BP而形成。側壁10-SW自底部10-BP彎曲。當以一平面圖觀看時，底部10-BP具有矩形形狀。側壁10-SW自具有矩形形狀之底部10-BP的四側之一者彎曲。側壁10-SW包括連接至底部10-BP之四側的垂直部分及連接至垂直部分並接觸基底基板SUB的水平部分。
開關構件20設置在底部10-BP上以重疊第一開口OP1。開關構件20被側壁10-SW所包圍並具有矩形形狀。開關構件20較第一開口OP1具有較大的面積。
第二開口OP2在實質上垂直於第一方向D1之第二方向中延伸。例如，第二開口OP2可為狹縫，其在第二方向D2之長度長於第一方向D1之寬度。
傳動構件30(見第3圖)可依照遮罩組件MA之移動而旋轉。傳動構件30之旋轉力傳遞到開關構部件20且開關構件20藉由此旋轉力而移動。導致傳動構件30旋轉的原動力可以是，但不限於，機械構件，例如馬達、與外部構件的摩擦(例如，摩擦力)等。
如第4A及4B圖所示，傳動構件30包括配置在相反方向以旋轉之第一和第二旋轉構件30-L和30-R。第一和第二旋轉構件30-L和30-R在第二方向D2中被設置於彼此面對之側壁10-SW上。本發明並不限於此，在其它實施例中，可能不存在第一及第二旋轉構件30-L及30-R之其一。
每一第一和第二旋轉部件30-L和30-R包括第一小齒輪30-P1、第二小齒輪30-P2、第三小齒輪30-P3、第一旋轉軸30-RA1以及第二旋轉軸30-RA2。第一小齒輪30-P1接收來自外部源的動力。
第一旋轉軸30-RA1連接第一小齒輪30-P1至第二小齒輪30-P2以自第一小齒輪30-P1傳輸動力至第二小齒輪30-P2。第一和第二旋轉構件30-L和30-R之第一旋轉軸30-RA1嵌入在第二方向D2中彼此面對之側壁10-SW形成之通孔TH-L及TH-R。
第三小齒輪30-P3耦合至(例如，接合)第二小齒輪30-P2以接收來自第二小齒輪30-P2的動力。第三小齒輪30-P3藉由使用來自第二小齒輪30-P2的動力而移動開關構件20。連接到第三小齒輪30-P3的第二旋轉軸30-RA2固定至底部10-BP。
在其它實施例中，每一第一及第二旋轉構件30-L及30-R之第一、第二及第三小齒輪30-P1、30-P2及30P3可以不具有鋸齒圖案之盤型旋轉構件更換。依據另一實施例，每一第一及第二旋轉構件30-L及30-R之第三小齒輪30-P3可以被省略並包括接觸開關構件20之第二小齒輪30-P2。依據另一實施例，每一第一及第二旋轉構件30-L及30-R之第一小齒輪30-P1可以被省略且第一旋轉軸30-RA1可藉由機械構件而連接，例如，馬達。此外，第一及第二旋轉構件30-L和30-R可以包括至少一個小齒輪。在其它實施例中，包括在第一及第二旋轉構件30-L及30-R中小齒輪的數量可能會改變。
開關構件20包括複數個側表面。在側表面中，面對第二方向D2及與第二方向D2相反之一方向的兩個相對的側表面分別接觸第一及第二旋轉構件30-L和30-R之第三小齒輪30-P3。面對第二方向D2及與第二方向D2相反之一方向的相對的側表面可包括接合第三小齒輪30-P3之鉅齒的鋸齒。
由於第三小齒輪30-P3及開關構件20的兩個側表面之間的接合，當一動力施加第三小齒輪30-P3時，開關構件20的位置相對於基底基板SUB而改變。依據開關構件20之位置的改變，第二開口OP2的位置相對於基底基板SUB而改變。在其它實施例中，側表面之鋸齒，其面對第二方向D2及與第二方向D2相反的方向，可以被省略。
依據第一及第二旋轉構件30-L和30-R之第一小齒輪30-P1的旋轉，開關構件20之位置被改變。當第一旋轉構件30-L之第一小齒輪30-P1以反時針方向轉動且第二旋轉構件30-R之第一小齒輪30-P1以順時針方向轉動時，開關構件20以與第一方向D1相反之一方向移動。
第5A圖係為依據本發明之另一例示性實施例之用以測試沉積製程之遮罩組件MA10之透視圖。第5B圖係為第5A圖之遮罩組件MA10之爆炸透視圖。在第5A及5B圖中的遮罩組件MA10具有相似於第4A及4B圖所示遮罩組件MA的結構，因此不再重覆詳細描述相同的結構。
請參閱第5A及5B圖，遮罩組件MA10更包括彼此隔開並設置於(例如，位於)支撐構件10之底部10-BP的第一及第二軌道單元RP-L及RP-R。第一軌道單元RP-L及第二軌道單元RP-R在第一方向D1延伸。
此外，遮罩組件MA10包括第一及第二耦合單元(例如，第一及第二耦合塊CM-L及CM-R)分別耦合至第一及第二軌道單元RP-L及RP-R，使得第一及第二耦合塊CM-L及CM-R分別沿著第一及第二軌道單元RP-L及RP-R移動。第5B圖顯示兩個第一耦合塊CM-L及兩個第二耦合塊CM-R以作為例子。
第一耦合塊CM-L及第二耦合塊CM-R連接至開關構件20之下表面。因此，開關構件20藉由分別耦合到第一及第二軌道RP-L及RP-R之第一及第二耦合塊CM-L和CM-R而穩定地移動。因此，開關構件20可更牢固地耦合至或接合傳動構件30。
第6A圖係為依據本發明之又一例示性實施例之用以測試沉積製程之遮罩組件MA20之透視圖。第6B圖係為第6A圖之遮罩組件MA20之爆炸透視圖。在第6A及6B圖中的遮罩組件MA20具有相似於第4A及4B圖所示遮罩組件MA的結構，因此不再重覆詳細描述相同的結構。
請參閱第6A及6B圖，遮罩組件MA20包含支撐構件10、至少一左方開關構件20L及/或右方開關構件20R以及傳動構件30(見第3圖)。支撐構件10包括至少一穿過其而形成的第一開口OP1。如第6B圖所示，支撐構件10包括四個第一開口OP1。
遮罩組件MA20包括複數個左方及右方開關構件20L及20R。例如，左方及右方開關構件20L及20R的數量可相同於第一開口OP1的數量。也就是說，如第6B圖所示，四個左方及右方開關構件20L及20R設置(或位於)對應的四個第一開口OP1。四個左方及右方開關構件20L及20R包括兩個左方開關構件20L及兩個右方開關構件20R。
每一左方開關構件20L包含左方可旋轉構件20-L及左方第二開口20-LOP以及左方旋轉軸20-RAL。左方旋轉軸20-RAL耦合至左方可旋轉構件20-L以轉動左方可旋轉構件20-L。
每一右方開關構件20R包含右方可旋轉構件20-R及右方第二開口20-ROP以及右方旋轉軸20-RAR。右方旋轉軸20-RAR耦合至右方可旋轉構件20-R以轉動右方可旋轉構件20-R。左方旋轉軸20-RAL及右方旋轉軸20-RAR耦合至底部10-BP。
左方可旋轉構件20-L及右方可旋轉構件20-R依照遮罩組件MA20之移動而旋轉。左方可旋轉構件20-L及右方可旋轉構件20-R以彼此相反的方向旋轉。在其它實施例中，遮罩組件MA20可包括左方開關構件20L或右方開關構件20R。
當第一旋轉構件30-L之第一小齒輪的30-P1以反時針方向旋轉時，左方可旋轉構件20-L以反時針方向旋轉。當第二旋轉構件30-R之第一小齒輪30-P1以順時針方向旋轉時，右方可旋轉構件20-R以順時針方向旋轉。由於左方可旋轉構件20-L的轉動，左方第二開口20-LOP的位置相對於基底基板SUB而改變。此外，右方第二開口20-ROP的位置依照右方可旋轉構件20-R的轉動在基底基板SUB上而改變。
第7圖係為依據本發明之另一例示性實施例之第1圖中沉積設備之一部分之第一剖面圖。第8圖係為第1圖及第7圖中沉積設備之一部分之第二剖面圖。第9圖係為依據本發明之一例示性實施例之第1圖及第7至8圖中沉積設備之一部分之透視圖。
在第7至9圖中，相同的標號表示第1至6B圖中相同的元件，因此不再重覆詳細描述相同的元件。此外，第7至9圖顯示作為一例之第5A及5B圖所示之遮罩組件MA10以及包含滾輪之傳送單元TP。
遮罩組件MA10藉由設置於第一及第二側壁SW1及SW2上之滾輪TP在第一方向D1而移動。例如，遮罩組件MA10之支撐構件10接觸滾輪TP。因此，當滾輪TP停止運作時，遮罩組件MA10可能會停止移動。
當遮罩組件MA10通過沉積室CB時，遮罩組件MA10可能會在每一單一沉積區210至240(見第1圖)停止移動。當遮罩組件MA10停止移動時，沉積材料沉積在基底基板SUB上。因此，當遮罩組件MA10通過沉積室CB時，沉積材料M1至M4沉積在不同區域之基底基板SUB中。
例如，遮罩組件MA10可在第一沉積源S1停止移動。在此例子中，第二開口OP2之位置相對於基座基板SUB被定義為第一位置。從第一沉積源S1蒸發之第一沉積材料M1通過第一開口OP1和第二開口OP2沉積於基底基板SUB之區域中。在第一沉積源S1停止移動一沉積期間(例如，一預定期間)之遮罩組件MA10以第一方向D1再次移動。在此例子中，開關構件20以與第一方向D1相反之方向移動。
遮罩組件MA10在第二沉積源S2停止移動。第二開口OP2相對於基座基板SUB之位置被定義為第二位置。第二位置不同於第一位置，因為第二開口OP2在與第一方向D1(即，遠離第一位置)相反的方向移動，由於第二開口OP2在第一位置。即，為了到達第二位置，相較於第二開口OP2移動至第一位置，第二開口OP2必須進一步以與第一方向D1相反的方向上移動。因此，從第二沉積源S2蒸發之第二沉積材料M2經由第一開口OP1及第二開口OP2在不同於第一沉積材料M1沉積之基底基板SUB之區域中而沉積。
接著，遮罩組件MA10在每一第三及第四沉積源S3及S4停止移動。當遮罩組件MA10完全通過沉積室CB之沉積區200時，第一至第四沉積材料M1至M4沉積在基座基板SUB之不同區域中。之後，量測沉積於基座基板SUB上之每一第一至第四沉積材料的厚度和均勻性。所測得的厚度和均勻性係比較於參考厚度和均勻值。因此，依據所比較之結果，沉積室CB之沉積製程被測試以觀察其是否適合用以製造顯示設備(或其他半導體裝置)。
如第7至9圖所示，依據本示例性實施例之沉積設備包括設置於沉積室CB之每一第一及第二側壁SW1及SW2的複數個傳送架TR1至TR4。傳送架TR1至TR4位於沉積區200中。
第7至9圖顯示傳送架TR1至TR4設置於第一側壁SW1及第一旋轉構件30-L之第一小齒輪30-P1(見第5B圖)。傳送架TR1至TR4彼此間隔分開。傳送架TR1至TR4設置以一對一對應於沉積源S1至S4。相較於沉積源S1至S4，傳送架TR1至TR4在第一方向D1的設置更接近裝載區100。在本發明之另一實施例中，傳送架以一對一對應於分隔壁B1至B3(或沉積源S1到S4之間的空間)。也就是說，在第一沉積源S1之前不存在傳送架。
當遮罩組件MA10以第一方向D1移動時，第一旋轉構件30-L之第一小齒輪30-P1依序接合傳送架TR1至TR4。例如，當第一小齒輪30-P1完成第一傳送架TR1的接合時，第二開口OP2位於第一位置，而當第一小齒輪30-P1完成第二傳送架TR2的接合時，第二開口OP2位於第二位置。如第9圖所示，當第一小齒輪30-P1接合第二傳送架TR2時，開關構件20以對應於第二傳送架TR2之長度的長度相對於基底基板SUB以與第一方向D1相反之方向移動。
在另一實施例中，第6A及6B圖中遮罩組件MA20之左方可旋轉構件20-L可藉由第一旋轉構件30-L之第一小齒輪30-P1以及設置於第一側壁SW1之傳送架TR1至TR4的接合而以反時針方向旋轉。此外，第二可旋轉構件20-R可藉由第二旋轉構件30-R之第一小齒輪30-P1以及設置於第二側壁SW2之傳送架TR1至TR4的接合而以順時針方向旋轉。
第10圖係為依據本發明之另一例示性實施例之第1圖及第7至8圖中沉積設備之一部分以及遮罩組件MA30之透視圖。第11圖係為第10圖中包含遮罩組件MA30之沉積設備之一部分之放大透視圖。在第10及11圖中，相同的參考標號表示第1至9圖中相同的元件，因此因此不再重覆詳細描述相同的元件。
請參閱第10和11圖，沉積設備包括設置於沉積室CB之側壁SW1及SW2上之複數個磁性傳送構件TM1到TM3。每一磁性傳送構件TM1至TM3包括N極部和S極部，其係彼此交替排列。每一磁性傳送構件TM1到TM3在第一方向D1延伸。磁性傳送構件TM1至TM3是用以取代第9圖之傳送架TR1至TR4。
如第10及11圖所示，遮罩組件MA30之每一第一及第二旋轉構件30-L及30-R包括盤型磁性構件30-M1。盤型磁性構件30-M1也包括N極部和S極部，其係沿其圓周彼此交替地排列。因此，第一小齒輪30-P1(見第4B圖)可以盤型磁性構件30-M1取代。
當遮罩組件MA30以第一方向D1移動時，盤型磁性構件30-M1靠近每一磁性傳送構件TM1至TM3而移動。盤型磁性構件30-M1可自磁性傳送構件TM1至TM3而分隔開。盤型磁性構件30-M1可藉由盤型磁性構件30-M1之N極部及S極部以及磁性傳送構件TM1至TM3之間的磁力，例如，吸引力及/或排斥力，而旋轉。
例如，當盤型磁性構件30-M1通過第二磁性傳送構件TM2時，開關構件20在與第一方向D1相反之方向以對應於第二磁性傳送構件TM2之長度的長度而移動。依據本例示性實施例，由於摩擦不存在於盤型磁性構件30-M1及磁性傳送構件TM1至TM3之間，外來物質不產生於沉積區200中。在其它實施例中，第二小齒輪30-P2及第三小齒輪30-P3也可以盤型磁性構件取代。
第12圖係為依據本發明之另一例示性實施例之沉積設備之平面圖。第13圖係為第12圖中沉積設備之一部分之第一剖面圖。第14圖係為第12-13圖中沉積設備之一部分之第二剖面圖。在第12至14圖中，相同的參考標號表示第1至11圖中相同元件，因此不再重覆詳細描述相同的元件。
請參閱第12至14圖，沉積設備包含沉積室CB、複數個沉積源S1至S4、遮罩組件MA及傳送單元TP(見第2圖)。沉積設備更包含返回室RCB及返回單元RTP。返回單元RTP設置在返回室RCB中以自卸載區300返回遮罩阻件MA至裝載區100。返回單元RTP可能被配置，例如，包括傳送帶或一組滾輪(或一些其它的傳送設備)以及傳送單元TP。返回單元RTP移動遮罩組件MA自分離或去耦合之基座基板SUB(見第3圖)。
返回室RCB包括第一側壁RSW1、在第二方向D2面對第一側壁RSW1之第二側壁RSW2、底部RBP以及天花板部RCP。返回單元RTP可設置於第一側壁RSW1及第二側壁RSW2上。
返回室RCB可以進一步包含設置於返回室RCB之第一或第二側壁RSW1或RSW2中至少一者上之返回架RTR。返回架RTR也可設置於每一第一和第二側壁RSW1和RSW2上。
遮罩組件MA以遮罩組件MA進入(例如，被耦合至或在控制下放置)傳送單元TP(例如，對應於裝載區100)之沉積室CB(例如，對應於卸載區300)之相反端進入(例如，被耦合至或在控制下放置)返回單元RTP。為了在遮罩組件MA進入傳送單元TP之前返回開關構件20至位置，每一返回架RTR可具有相當於傳送架TR1至TR4之長度總和的長度。當遮罩組件MA以與第一方向D1相反之方向移動時，傳動構件30(例如，第一旋轉構件30-L或第二旋轉構件30-R)之小齒輪30-P及30-P2(見第4B圖)分別接合設置於第一及第二側壁RSW1及RSW2上之返回架RTR。
當遮罩組件MA完全通過返回架RTR時，開關構件20以第一方向D1相對於遮罩組件MA以對應於返回架RTR之長度的長度移動。即，在遮罩組件MA進入傳送單元TP之前，完全通過返回架RTR之開關構件20的位置返回到其原始位置的位置。
依據另一個實施例，當每一第一及第二旋轉構件30-L及30-R包含盤型磁性構件30-M1(請參閱第10及11圖)，返回架RTR可以磁性返回構件取代，其N極部和S極部彼此交替排列。
雖然已經描述了本發明的例示性實施例，應當理解的是，在本文附圖中所請求保護之本發明的精神及範疇以及其等同物中，本發明不應限制於這些例示性實施例，但可被本發明所屬技術領域中具有通常知識者進行不同改變及修改。
MA：遮罩阻件
10：支撐構件
20：開關構件
30：傳動構件
OP1：第一開口
OP2：第二開口
SUB：基底基板
CP：天花板部
BP：底部
TP：傳送單元
M1、M2、M3、M4：沉積材料
S1、S2、S3、S4：沉積源
B1、B2、B3：分隔壁
D1：第一方向
D3：第三方向

Claims (37)

  1. 一種用以測試沉積製程之遮罩組件，包含：
    一支撐構件，具有一第一開口，配置以允許沉積材料穿過，同時當該遮罩組件以一第一方向移動時，支撐穿過之該沉積材料沉積於其上之一基座基板；
    一開關構件，容納於該支撐構件內並具有小於該第一開口之一第二開口；以及
    一傳動構件，配置以依照該遮罩組件之移動移動該開關構件，以相對於該基座基板改變該第二開口之一位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩組件，其中該支撐構件包含：
    一底部，具有該第一開口；以及
    一側壁，自該底部彎曲以支撐該基座基板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之遮罩組件，其中該開關構件係配置以依照該遮罩組件之移動而於該第一方向相反之一方向相對於該基座基板而移動。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之遮罩組件，其中該第二開口於實質上垂直於該第一方向之一第二方向延伸。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之遮罩組件，其中該開關構件較該第一開口具有較大面積且位於該底部上。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之遮罩組件，更包含：
    一軌道單元，位於該底部上；以及
    一耦合單元，耦合至該開關構件並嵌入至該軌道單元以允許該開關構件沿著該軌道單元移動。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩組件，其中
    該傳動構件係配置以依照該遮罩阻件之移動而旋轉，且
    該開關構件係配置以依照該傳動構件之旋轉而移動。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之遮罩組件，其中該傳動構件包含一第一小齒輪，配置以藉由一摩擦力而旋轉。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之遮罩組件，其中該傳動構件更包含一第二小齒輪，配置以接受來自該第一小齒輪之一原動力以及接觸該開關構件之一側表面。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之遮罩組件，其中該開關構件包含位於該開關構件之該側表面上且配置以接合該第二小齒輪之一鋸齒的一鋸齒。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之遮罩組件，其中該傳動構件
    包含交替排列之一N極部及一S極部，且
    配置以藉由一磁力而旋轉。
  12. 一種用以測試沉積製程之遮罩組件，包含：
    一支撐構件，具有一第一開口，配置以穿過沉積材料，同時當該遮罩組件移動時，支撐穿過之該沉積材料沉積於其上之一基座基板；
    一開關構件，容納於該支撐構件內並包含具有小於該第一開口之一第二開口的一可旋轉構件；以及
    一傳動構件，配置以依照該遮罩組件之移動轉動該可旋轉構件，以相對於該基座基板改變該第二開口之一位置。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之遮罩組件，其中該支撐構件包含：
    一底部，具有該第一開口；以及
    一側壁，自該底部彎曲以支撐該基座基板。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之遮罩組件，其中該開關構件更包含耦合至該可旋轉構件以轉動該可旋轉構件之一旋轉軸。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之遮罩組件，其中
    該第一開口包含一左方第一開口及一右方第一開口，且
    該開關構件包含重疊該左方第一開口之一左方開關構件以及重疊該右方第一開口之一右方開關構件。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之遮罩組件，其中
    該傳動構件包含一第一傳動構件，配置以於一第一方向轉動以及一第二傳動構件，配置以依照該支撐構件之移動並與該第一方向相反之一第二方向轉動，
    相對於該基座基板之該左方開關構件之該可旋轉構件之該第二開口之該位置係配置以藉由該第一傳動構件之旋轉而改變，且
    相對於該基座基板之該右方開關構件之該可旋轉構件之該第二開口之該位置係配置以藉由該第二傳動構件之旋轉而改變。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之遮罩組件，其中每一該第一傳動構件及該第二傳動構件包含一第一小齒輪，其配置以藉由一摩擦力而旋轉。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之遮罩組件，其中每一該第一傳動構件及該第二傳動構件更包含一第二小齒輪，其配置以接受來自該第一小齒輪之一原動力以及接觸該開關構件之一側表面。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之遮罩組件，其中
    每一該第一傳動構件及該第二傳動構件包含一盤型磁性構件，其包含交替排列之一N極部及一S極部，且
    該磁性構件係配置以藉由一磁力而旋轉。
  20. 一種沉積設備，包含：
    複數個沉積源，配置以沉積沉積材料；
    一沉積室，容納該複數個沉積源；
    用以測試沉積製程之一遮罩組件，當該沉積源沉積該沉積材料於一基座基板上時，該遮罩組件係配置以耦合至該基座基板同時移動穿過該沉積室；以及
    一傳送單元，配置以移動該遮罩組件穿過該沉積室，
    其中該遮罩組件包含：
    一支撐構件，具有一第一開口，配置以允許該沉積材料穿過，同時支撐穿過之該沉積材料沉積於其上之該基座基板；
    一開關構件，容納於該支撐構件內並具有小於該第一開口之一第二開口；以及
    一傳動構件，配置以依照該遮罩組件之移動而相對於該基座基板改變該第二開口之一位置。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之沉積設備，其中該傳送單元包含複數個滾輪，配置以移動該遮罩組件穿過該沉積室。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之沉積設備，其中
    該傳動構件係配置以依照該遮罩組件之移動而旋轉，且
    該第二開口之該位置係配置以藉由該傳動構件之旋轉而改變。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之沉積設備，其中該沉積室包含：
    一裝載區，配置以耦合該基座基板至該遮罩組件；
    一沉積區，容納該沉積源；以及
    一卸載區，配置以自該遮罩組件去耦合該基座基板。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之沉積設備，其中
    該傳動構件包含複數個小齒輪，且
    該複數個小齒輪中之一者係配置以接觸該開關構件之一側表面，以相對於該基座基板改變該第二開口之該位置。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之沉積設備，其中該沉積室包含位於該沉積區之一側壁上之複數個傳送架，以對應於該沉積源或該沉積源之間的空間。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之沉積設備，其中該複數個小齒輪之另一者係配置以接觸該複數個傳送架，以相對於該基座基板改變該第二開口之該位置。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之沉積設備，更包含：
    一返回單元，配置以自該卸載區返回該遮罩組件至該裝載區；以及
    一返回室，容納該返回單元。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之沉積設備，其中該返回室包含位於該返回室之一側壁上之一返回架。
  29. 如申請專利範圍第23項所述之沉積設備，其中
    該傳動構件包含一盤型磁性構件，包含交替排列之一N極部及一S極部，且
    該沉積室包含位於該沉積區之一側壁上以對應該沉積源之複數個磁性傳送構件，每一磁性傳送構件包含交替排列之一N極部及一S極部。
  30. 如申請專利範圍第23項所述之沉積設備，其中該支撐構件包含：
    一底部，具有該第一開口；以及
    一側壁，自該底部彎曲以支撐該基座基板。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之沉積設備，其中該開關構件係配置以依照該遮罩組件之移動而於與該遮罩組件移動之一方向相反之一方向相對於該基座基板而移動。
  32. 如申請專利範圍第30項所述之沉積設備，其中該開關構件包含一可旋轉構件，配置以藉由該遮罩組件之移動而轉動。
  33. 一種使用遮罩組件之沉積製程的測試方法，該測試方法包含：
    輸入該遮罩組件至容納複數個沉積源之一沉積室之一沉積區，該遮罩組件包含支撐一基座基板之一支撐構件以及具有一開口之一開關構件；
    自該複數個沉積源沉積相對應的複數個沉積材料至該基座基板上；
    移動該遮罩組件穿過該沉積區；以及
    依照該遮罩組件之移動而相對於該基座基板改變該開關構件之該開口之一位置。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之測試方法，更包含：
    自該沉積區退出該遮罩組件；以及
    自該沉積區之一出口返回該遮罩組件至該沉積區之一入口。
  35. 如申請專利範圍第33項所述之測試方法，其中該開關構件之該開口之該位置的改變包含於與該遮罩組件移動之一方向相反之一方向相對於該基座基板移動該開關構件。
  36. 如申請專利範圍第33項所述之測試方法，其中該開關構件之該開口之該位置的改變包含依照該遮罩組件之移動轉動該開關構件。
  37. 如申請專利範圍第33項所述之測試方法，其中該複數個沉積材料包含對應之複數個不同沉積材料。
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