TW201351463A - 積層陶瓷電容器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可滿足小型化及大電容化之需求且可有效地抑制成為鳴響之原因之振動之積層陶瓷電容器。積層陶瓷電容器10-1在26層之內部電極層13中之存在於積層方向中央之14層之內部電極層13之中央部分，具有第一孤立電極部所有部分13a，該第一孤立電極部所有部分13a共存有連續電極部CEP及未與該連續電極部CEP電性連續之至少1個孤立電極部IEP。

Description

積層陶瓷電容器

本發明係關於一種包括電容器本體之積層陶瓷電容器，該電容器本體具有將複數個內部電極層隔著介電層積層而成之構造。

這種積層陶瓷電容器會因為在沿著積層方向鄰接之內部電極層之對向部分間產生之電場，而在介於該內部電極層間之介電層中產生由電致伸縮效應(Electrostrictive effect)引起之機械應變，從而在積層陶瓷電容器中產生由該機械應變引起之振動。另外，眾所周知，在將積層陶瓷電容器安裝在電路基板之狀態下產生之所謂鳴響之原因為所述振動。

作為抑制所述振動(所述鳴響)之較佳之方法，已知如下方法，即，(1)利用低介電常數材料形成所述介電層來抑制所述機械應變，(2)設為像將所述內部電極層分割成兩部分那樣之形狀，僅利用由存在於該兩部分中間之介電層形成之部分來抑制所述機械應變(參照下述專利文獻1)。

但是，根據所述方法(1)，由於為了確保大靜電電容，無法避免內部電極層及介電層之層數增加，故而難以滿足近年來對小型化及大電容化之需求。而且，根據所述方法(2)，由於為了確保大靜電電容，無法避免積層陶瓷電容器之尺寸增加，故而難以滿足近年來對小型化及大電容化之需求。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-193352號公報

本發明之目的在於提供一種可滿足小型化及大電容化之需求且可有效地抑制成為鳴響之原因之振動之積層陶瓷電容器。

為了達成所述目的，積層陶瓷電容器之特徵在於包括：電容器本體，具有將複數個內部電極層隔著介電層積層而成之構造；且所述複數個內部電極層中之至少存在於積層方向中央之至少1層內部電極層在其中央部分包括第一孤立電極部所有部分，該第一孤立電極部所有部分共存有連續電極部及未與該連續電極部電性連續之孤立電極部。

根據本發明，由於在第一孤立電極部所有部分存在孤立電極部，故而在沿著積層方向鄰接之內部電極層(至少一者具有第一孤立電極部所有部分之內部電極層)之對向部分間產生之電場小於兩者均不具有第一孤立電極部所有部分之情況，由此，在介於該內部電極層間之介電層中，由電致伸縮效應引起之機械應變減小，藉由該機械應變減小，而有效地抑制在積層陶瓷電容器中產生之振動。由此，在將積層陶瓷電容器安裝在電路基板之情形時，亦可藉由抑制在該積層陶瓷電容器中產生之振動，來有效地抑制以該振動為原因之鳴響。

又，因為無論在積層方向上鄰接之內部電極層(至少一者具有第一孤立電極部所有部分之內部電極層)之一第一孤立電極部所有部分之孤立電極部與另一者以何種形態對向，均可在該孤立電極部與另一者之間形成串聯電容，故而利用該串聯電容填補形成在兩者之間之電 容，而可有效地抑制積層陶瓷電容器之靜電電容降低。

總之，根據本發明，由於可滿足小型化及大電容化之需求，且可有效地抑制成為鳴響之原因之振動，故而可確實地達成預期之目的。

本發明之所述目的及除此以外之目的、構成特徵及作用效果可藉由以下說明及附圖而明瞭。

10-1‧‧‧積層陶瓷電容器

10-2‧‧‧積層陶瓷電容器

11‧‧‧電容器本體

12‧‧‧外部電極

13‧‧‧內部電極層

13a‧‧‧第一孤立電極部所有部分

13b‧‧‧第二孤立電極部所有部分

14‧‧‧介電層

C1‧‧‧電容

C2‧‧‧電容

C2'‧‧‧電容

C3‧‧‧電容

CEP‧‧‧連續電極部

CEPa‧‧‧連續電極部

CEPb‧‧‧連續電極部

CL‧‧‧切斷線

Cs‧‧‧串聯電容

Cs'‧‧‧串聯電容

DL‧‧‧介電生胚

H1‧‧‧高度

H2‧‧‧高度

H3‧‧‧高度

IEP‧‧‧孤立電極部

IEPa‧‧‧孤立電極部

IEPb‧‧‧孤立電極部

L1‧‧‧長度

L2‧‧‧長度

L3‧‧‧長度

L4‧‧‧長度

L5‧‧‧長度

PL‧‧‧內部電極圖案

PLa‧‧‧薄層部分

TDA1‧‧‧與積層方向中央對應之三維區域

TH‧‧‧貫穿孔

W1‧‧‧寬度

W2‧‧‧寬度

W3‧‧‧寬度

W4‧‧‧寬度

W5‧‧‧寬度

圖1(A)係沿寬度方向中央切斷第一實施形態之積層陶瓷電容器之縱剖面圖，圖1(B)係該積層陶瓷電容器之沿圖1(A)之B-B線之縱剖面圖。

圖2(A)係圖1(A)及圖1(B)所示之內部電極層中之具有第一孤立電極部所有部分之內部電極層之俯視圖，圖2(B)係圖1(A)及圖1(B)所示之內部電極層中之具有第一孤立電極部所有部分、且隔著介電層與圖2(A)所示之內部電極層對向之內部電極層之俯視圖，圖2(C)係圖2(A)及圖2(B)所示之第一孤立電極部所有部分之放大圖。

圖3(A)及圖3(B)係利用第一孤立電極部所有部分之孤立電極部實現之靜電電容之降低抑制之說明圖。

圖4(A)及圖4(B)係表示圖1(A)及圖1(B)所示之積層陶瓷電容器之變化例之與圖1(A)及圖1(B)對應之縱剖面圖。

圖5(A)係沿寬度方向中央切斷第二實施形態之積層陶瓷電容器之縱剖面圖，圖5(B)係該積層陶瓷電容器之沿圖5(A)之B-B線之縱剖面圖。

圖6(A)係圖5(A)及圖5(B)所示之內部電極層中之具有第一孤立電極部所有部分及第二孤立電極部所有部分之內部電極層之俯視圖，圖6(B)係圖5(A)及圖5(B)所示之內部電極層中之具有第一孤立電極部所有部分及第二孤立電極部所有部分、且隔著介電層與圖6(A)所示之內 部電極層對向之內部電極層之俯視圖，圖6(C)係圖2(A)及圖2(B)所示之第二孤立電極部所有部分之放大圖。

圖7(A)及圖7(B)係圖6(A)及圖6(B)所示之第二孤立電極部所有部分之形成方法之說明圖。

圖8(A)及圖8(B)係表示圖6(A)及圖6(B)所示之內部電極層之變化例之與圖6(A)及圖6(B)對應之俯視圖。

圖9(A)及圖9(B)係表示圖6(A)及圖6(B)所示之內部電極層之其他變化例之與圖6(A)及圖6(B)對應之俯視圖。

圖10(A)及圖10(B)係表示圖6(A)及圖6(B)所示之內部電極層之進而其他變化例之與圖6(A)及圖6(B)對應之俯視圖。

圖11係具有圖10(A)及圖10(B)所示之內部電極層之積層陶瓷電容器之與圖5(B)對應之縱剖面圖。

圖12(A)及圖12(B)係表示圖6(A)及圖6(B)所示之內部電極層之其他變化例之與圖6(A)及圖6(B)對應之俯視圖。

圖13(A)及圖13(B)係表示圖5(A)及圖5(B)所示之積層陶瓷電容器之變化例之與圖5(A)及圖5(B)對應之縱剖面圖。

《第一實施形態》 <積層陶瓷電容器10-1之構造>

首先，對積層陶瓷電容器10-1之構造進行說明。圖1(A)及圖1(B)所示之積層陶瓷電容器10-1包括：大致長方體形狀之電容器本體11，其長度、寬度及高度之基準尺寸具有長度>寬度=高度之關係、或長度>寬度>高度之關係；及1對外部電極12，其設置在該電容器本體11之長度方向兩端部。

電容器本體11具有將26層內部電極層13隔著介電層14積層而成之構造，且在高度方向之上側及下側存在僅積層著介電層14之邊界(無 符號)。應對小型化及大電容化之實際之積層陶瓷電容器中之內部電極層之實際上之層數達到100以上，但是由於亦存在與附圖之關係，故而，以下，按照26層內部電極層13，適當地對構造等進行說明(關於下述第二實施形態亦同樣)。

各內部電極13包括鎳、銅、鈀、銀等金屬，各自之厚度為1μm左右，且具有大致相同之大致矩形狀輪廓。26層內部電極層13中之從上數第奇數層之內部電極層13之左邊電性連接於左側之外部電極12，且從上數第偶數層之內部電極層13之右邊電性連接於右側之外部電極12。

各介電層14、上側邊界及下側邊界包含鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鋯酸鈦酸鈣、鋯酸鋇、氧化鈦等鐵電體，各介電層14之厚度為1μm左右，上側邊界及下側邊界之厚度為40μm左右。

如圖1所示，26層內部電極層13中之存在於積層方向中央之14層內部電極層13在其中央部分具有下述第一孤立電極部所有部分13a。圖2(A)表示具有第一孤立電極部所有部分13a之14層內部電極層13中之在圖1中從上數第奇數層之內部電極層13之上表面，圖2(B)表示該14層內部電極層13中之在圖1中從上數第偶數層之內部電極層13之上表面。

圖1中以兩點鏈線表示之TDA1表示與上一段中之「積層方向中央」對應之三維區域，該三維區域係在將在積層方向上鄰接之內部電極層13之對向部分之長度設為L1，將寬度設為W1，將26層內部電極層13存在之高度設為H1時，由從長度L1減去L2及L3所得之尺寸、從寬度W1減去W2及W3所得之尺寸、及從高度H1減去H2及H3所得之尺寸大致特定出來。而且，上一段中之「其中央部分」係由從長度L1減去L2及L3所得之尺寸、以及從寬度W1減去W2及W3所得之尺寸大致 特定出來。此外，較佳為L2及L3之尺寸在長度L1之30~50%之範圍內，較佳為W2及W3之尺寸在寬度W1之5~50%之範圍內，且較佳為H2及H3之尺寸在高度H1之5~50%之範圍內。

如圖2(C)所示，第一孤立電極部所有部分13a係指具有各種大小之複數個貫穿孔TH者之共存有電性上連續之連續電極部CEP及未與該連續電極部CEP電性連續之至少1個孤立電極部IEP之部分。該圖2(C)係基於利用掃描型電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope)觀察作為試製品之第一孤立電極部所有部分13a而得之圖像(倍率為1000倍)，根據觀察結果，孤立電極部IEP之存在位置係稍大貫穿孔TH之內側，孤立電極部IEP之形狀及大小有各種各樣。

<積層陶瓷電容器10-1之較佳製法例>

接著，對所述積層陶瓷電容器10-1之較佳製法例進行說明。在製作時，準備：內部電極用糊(paste)，其包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、容易形成殘留碳之乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等各種添加劑；以及介電層用漿料(slurry)，其包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯丁醛(黏合劑)、及分散劑等各種添加劑。而且，以特定厚度塗敷介電層用漿料，且進行乾燥，而製作介電生胚(dielectric green sheet)，並且按照矩陣排列而將與單位面積獲得數量對應之數量之大致矩形輪廓之內部電極用糊層印刷至該介電生胚上，且進行乾燥，而製作帶內部電極圖案之介電生胚。而且，以特定數之介電生胚、特定數之帶內部電極圖案之介電生胚、及特定數之介電生胚並列之方式依序進行積層且相互壓合，而製作未煅燒積層體。然後，將未煅燒積層體切斷成格子狀，而製作與電容器本體11對應之未煅燒晶片。接著，將複數個未煅燒晶片投入至煅燒爐，在與所述鎳粉末及所述鈦酸鋇粉末對應之特定溫度分佈下進行煅燒(包括脫黏合劑處理及煅燒處理)。而且，在經過煅燒之晶片之長度方向兩端部塗佈與內部電極用糊大致相同組成之外 部電極用糊，實施燒附處理，而製作1對外部電極。

該製法例中，關鍵點係使所述煅燒過程之脫黏合劑處理中之溫度保持時間縮短，使未煅燒晶片之積層方向中央之碳殘留量升高，藉由煅燒處理中之殘留碳燃燒，而形成局部性之強還原環境，來進行介電層之燒結，並且實現內部電極層之球狀化及連續性之降低。由此，在經過煅燒之晶片之積層方向中央之複數個內部電極層之中央部分形成與第一孤立電極部所有部分13a對應之部分。

<利用積層陶瓷電容器10-1所獲得之作用、效果>

如上所述，積層陶瓷電容器10-1在26層內部電極層13中之存在於積層方向中央之14層內部電極層13之中央部分具有第一孤立電極部所有部分13a，該第一孤立電極部所有部分13a共存有連續電極部CEP及未與該連續電極部CEP電性連續之至少1個孤立電極部IEP。

即，由於在各第一孤立電極部所有部分13a至少存在1個孤立電極部IEP，故而在沿著積層方向鄰接之內部電極層13(至少一者具有第一孤立電極部所有部分13a之內部電極層13)之對向部分間產生之電場小於兩者均不具有第一孤立電極部所有部分13a之情況，由此，在介於該內部電極層13間之介電層中，由電致伸縮效應引起之機械應變減小，藉由該機械應變減小，而有效地抑制在積層陶瓷電容器10-1中產生之振動。由此，在將積層陶瓷電容器10-1安裝在電路基板之情形時，亦可藉由抑制在該積層陶瓷電容器10-1中產生之振動，來有效地抑制以該振動為原因之鳴響。

又，由於在各第一孤立電極部所有部分13a至少存在1個孤立電極部IEP，故而在沿著積層方向鄰接之內部電極層13(至少一者具有第一孤立電極部所有部分13a)中，可獲得一個第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEP與另一個第一孤立電極部所有部分13a之連續電極部CEP及孤立電極部IEP對向之形態、一個第一孤立電極部所有部 分13a之孤立電極部IEP與另一個第一孤立電極部所有部分13a之連續電極部CEP對向之形態、一個第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEP與另一個第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEP對向之形態、或一個第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEP與不具有第一孤立電極部所有部分13a之內部電極層13對向之形態等。

即，因為無論在積層方向上鄰接之內部電極層13(至少一者具有第一孤立電極部所有部分13a之內部電極層13)之一個第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEP與另一者以何種形態對向，在該孤立電極部IEP與另一者之間均可形成串聯電容，故而利用該串聯電容填補形成在兩者之間之電容，而可有效地抑制積層陶瓷電容器10-1之靜電電容降低。

此處，利用圖3(A)及圖3(B)對上一段之靜電電容降低之抑制具體地進行說明。圖3(A)表示上側之第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEPa與下側之第一孤立電極部所有部分13a之連續電極部CEPb及孤立電極部IEPb對向之狀態。在該狀態下，在上側之第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEPa與連續電極部CEPa之間產生電容C1，在上側之第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEPa與下側之第一孤立電極部所有部分13a之連續電極部CEPb之間產生電容C2，在上側之第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEPa與下側之第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEPb之間產生電容C2'，在下側之第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEPb與連續電極部CEPb之間產生電容C3。

電容C1與電容C2形成如圖3(B)之上側所示之串聯電容Cs，電容C1、電容C2'與電容C3形成如圖3(B)之下側所示之串聯電容Cs'。由於該等串聯電容Cs及Cs'填補形成在上側之第一孤立電極部所有部分13a與下側之第一孤立電極部所有部分13a之間之電容，故而可有效地抑 制積層陶瓷電容器10-1之靜電電容降低。

雖然省略圖示，但是在上側之第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEPa與下側之第一孤立電極部所有部分13a之連續電極部CEPb對向之情形時，亦可至少形成串聯電容Cs，又，在上側之第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEPa與下側之第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEPb對向之情形時，亦可至少形成串聯電容Cs'，進而，在上側之第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEPa與不具有下側之第一孤立電極部所有部分13a之內部電極13對向之情形時，亦可形成串聯電容Cs，因此，在該等情形時，亦可有效地抑制積層陶瓷電容器10-1之靜電電容降低。

總之，根據所述積層陶瓷電容器10-1，由於可滿足小型化及大電容化之需求，且可有效地抑制成為鳴響之原因之振動，故而可確實地達成預期之目的。

<積層陶瓷電容器10-1之變化例>

在以上之說明中，表示了在26層內部電極層13中之存在於積層方向中央之14層內部電極層13之中央部分具有第一孤立電極部所有部分13a之積層陶瓷電容器10-1，當在存在於積層方向中央之1層~13層內部電極層13之中央部分具有第一孤立電極部所有部分13a之情形時、在存在於積層方向中央之15層~25層內部電極層13之中央部分具有第一孤立電極部所有部分13a之情形時、或在26層內部電極層13全部之中央部分具有第一孤立電極部所有部分13a之情形時(參照圖4(A)及圖4(B))，亦可獲得與所述相同之作用、效果。

《第二實施形態》

首先，對積層陶瓷電容器10-2之構造進行說明。圖5(A)、及圖5(B)所示之積層陶瓷電容器10-2在構造上與第一實施形態之積層陶瓷電容器10-1不同之方面係如圖5所示，26層內部電極層13中之存在於 積層方向中央之14層內部電極層13除了在其中央部分具有第一孤立電極部所有部分13a以外，還在其周邊部分具有下述第二孤立電極部所有部分13b。

圖6(A)表示包括第一孤立電極部所有部分13a及第二孤立電極部所有部分13b之14層內部電極層13中之在圖5中從上數第奇數層之內部電極層13之上表面，圖6(B)表示該14層內部電極層13中之在圖5中從上數第偶數層之內部電極層13之上表面。根據該等圖可知，第二孤立電極部所有部分13b設置在存在於積層方向中央之14層內部電極層13之除外部電極連接邊以外之3邊部分。

上上一段中之「其周邊部分」係由設定在長度L1兩側之L4及L5之尺寸、以及設定在寬度W1兩側之W4及W5之尺寸大致特定出來。此外，較佳為L4及L5之尺寸在長度L1之0.1~5%之範圍內，且較佳為W4及W5之尺寸在寬度W1之0.1~10%之範圍內。

如圖6(C)所示，第二孤立電極部所有部分13b係指具有各種大小之複數個貫穿孔TH者之共存有電性上連續之連續電極部CEP及未與該連續電極部CEP電性連續之至少1個孤立電極部IEP之部分。該圖6(C)係基於利用掃描型電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope)觀察作為試製品之第二孤立電極部所有部分13b而得之圖像(倍率為1000倍)，根據觀察結果，孤立電極部IEP之存在位置係稍大貫穿孔TH之內側或形成在周緣之稍大凹部(無符號)之內側，孤立電極部IEP之形狀及大小各種各樣。

<積層陶瓷電容器10-2之較佳製法例>

接著，對所述積層陶瓷電容器10-2之較佳製法例、尤其是與所述

<積層陶瓷電容器10-1之較佳製法例>不同之地方進行說明。

在所述<積層陶瓷電容器10-1之較佳製法例>之「製作帶內部電極圖案之介電生胚之步驟」中，如圖7(A)及圖7(B)所示，在介電生胚 DL上之內部電極圖案PL之周邊整體形成該內部電極圖案PL之厚度變薄之部分(以下稱為薄層部分PLa)。該薄層部分PLa除了可以係厚度隨著向外側而逐漸變薄之部分以外，亦可以係整體都薄之部分、或在周緣產生有磨痕之部分。又，該薄層部分PLa之形成可藉由內部電極用糊之黏度調節或印刷速度調節(例如絲網印刷時之刮刀速度)等而簡單地實現。此外，圖7(A)及圖7(B)所示之CL係所述<積層陶瓷電容器10-1之較佳製法例>之「將未煅燒積層體切斷成格子狀之步驟」中之切斷線。

若在內部電極圖案PL中有這種薄層部分PLa，則在所述<積層陶瓷電容器10-1之較佳製法例>之「對未煅燒晶片進行煅燒之步驟」中，由於該薄層部分PLa之厚度薄，故而容易實現煅燒處理中之球狀化及連續性之降低，由此，在經過煅燒之晶片之積層方向中央之複數個內部電極層之周邊部分形成與第二孤立電極部所有部分13b對應之部分。

<利用積層陶瓷電容器10-2所獲得之作用、效果>

如上所述，積層陶瓷電容器10-2在26層內部電極層13中之存在於積層方向中央之14層內部電極層13之中央部分具有第一孤立電極部所有部分13a，該第一孤立電極部所有部分13a共存有連續電極部CEP及未與該連續電極部CEP電性連續之至少1個孤立電極部IEP，並且在該14層內部電極層13之周邊部分具有第二孤立電極部所有部分13b，該第二孤立電極部所有部分13b共存有連續電極部CEP及未與該連續電極部CEP電性連續之至少1個孤立電極部IEP。

即，由於在各第一孤立電極部所有部分13a及各第二孤立電極部所有部分13b至少存在1個孤立電極部IEP，故而在沿著積層方向鄰接之內部電極層13(至少一者具有第一孤立電極部所有部分13a之內部電極層13)之對向部分間產生之電場小於兩者均不具有第一孤立電極部 所有部分13a及第二孤立電極部所有部分13b之情況，由此，在介於該內部電極層13間之介電層中，由電致伸縮效應引起之機械應變減小，藉由該機械應變減小，而有效地抑制在積層陶瓷電容器10-2中產生之振動。由此，在將積層陶瓷電容器10-2安裝在電路基板之情形時，亦可藉由抑制在該積層陶瓷電容器10-2中產生之振動，來有效地抑制以該振動為原因之鳴響。

又，由於在各第一孤立電極部所有部分13a及各第二孤立電極部所有部分13b至少存在1個孤立電極部IEP，故而在沿著積層方向鄰接之內部電極層13(至少一者具有第一孤立電極部所有部分13a)中，除了在前述<利用積層陶瓷電容器10-1所獲得之作用、效果>中所述之形態以外，還可獲得一個第二孤立電極部所有部分13b之孤立電極部IEP與另一個第二孤立電極部所有部分13b之連續電極部CEP及孤立電極部IEP對向之形態、一個第二孤立電極部所有部分13b之孤立電極部IEP與另一個第二孤立電極部所有部分13b之連續電極部CEP對向之形態、一個第二孤立電極部所有部分13b之孤立電極部IEP與另一個第二孤立電極部所有部分13b之孤立電極部IEP對向之形態、或一個第二孤立電極部所有部分13b之孤立電極部IEP與不具有第二孤立電極部所有部分13b之內部電極層13對向之形態等。

即，因為無論在積層方向上鄰接之內部電極層13(至少一者具有第一孤立電極部所有部分13a之內部電極層13)之一個第一孤立電極部所有部分13a之孤立電極部IEP與另一者以何種形態對向，在該孤立電極部IEP與另一者之間均可形成串聯電容，故而利用該串聯電容填補形成在兩者之間之電容，而可有效地抑制積層陶瓷電容器10-2之靜電電容降低，並且因為無論在積層方向上鄰接之內部電極層13(至少一者具有第二孤立電極部所有部分13b之內部電極層13)之一個第二孤立電極部所有部分13b之孤立電極部IEP與另一者以何種形態對向，在該 孤立電極部IEP與另一者之間均可形成串聯電容，故而利用該串聯電容填補形成在兩者之間之電容，而可有效地抑制積層陶瓷電容器102之靜電電容降低。由於後者之靜電電容降低之抑制作用與利用圖3(A)及圖3(B)在前述<利用積層陶瓷電容器10-1所獲得之作用、效果>中說明之內容基本相同，故而省略此處之說明。

進而，由於各內部電極層13之周緣容易因邊緣效應而產生電場之集中，故而有以下之虞，即，介於該內部電極層13間之介電層14之周緣及其外側部分之由電致伸縮效應引起之機械應變增加，而在該介電層14之周緣之外側部分產生裂縫。但是，由於具有第二孤立電極部所有部分13b之內部電極層13形成如上所述之串聯電容，故而由邊緣效應引起之電場之集中得到緩解，由此，使介電層14之周緣及其外側部分之由電致伸縮效應引起之機械應變減小，而可消除在該介電層14之周緣之外側部分產生裂縫之虞。

<積層陶瓷電容器10-2之變化例>

在以上之說明中，表示了第二孤立電極部所有部分13b設置在存在於積層方向中央之14層內部電極層13之除外部電極連接邊以外之3邊部分之積層陶瓷電容器10-2，但是在第二孤立電極部所有部分13b設置在存在於積層方向中央之14層內部電極層13之與外部電極連接邊鄰接之2邊部分之情形時(參照圖8(A)及圖8(B))、第二孤立電極部所有部分13b設置在存在於積層方向中央之14層內部電極層13之與外部電極連接邊鄰接之1邊上之情形時(參照圖9(A)及圖9(B)、以及圖10(A)及圖10(B))、或第二孤立電極部所有部分13b設置在存在於積層方向中央之14層內部電極層13之與外部電極連接邊對向之1邊部分之情形時(參照圖12(A)及圖12(B))，亦可獲得與所述相同之作用、效果。

尤其是如圖10(A)及圖10(B)所示，即便為內部電極層13之與外部電極連接邊鄰接之1邊，在第二孤立電極部所有部分13b之位置不對稱 之2種內部電極層13之情形時，如圖11所示，亦可製成像第二孤立電極部所有部分13b每隔1層地存在於圖中之左右兩側那樣之構造。

此外，在以上之說明中，表示了在26層內部電極層13中之存在於積層方向中央之14層內部電極層13之周邊部分具有第二孤立電極部所有部分13b之積層陶瓷電容器10-2，但是與第一孤立電極部所有部分13a同樣地，當在存在於積層方向中央之1層~13層內部電極層13之周邊部分具有第二孤立電極部所有部分13b之情形時、在存在於積層方向中央之15層~25層內部電極層13之周邊部分具有第二孤立電極部所有部分13b之情形時、或在26層內部電極層13全部之周邊部分具有第一孤立電極部所有部分13a之情形時(參照圖13(A)及圖13(B))，亦可獲得與所述相同之作用、效果。

10-1‧‧‧積層陶瓷電容器

11‧‧‧電容器本體

12‧‧‧外部電極

13‧‧‧內部電極層

13a‧‧‧第一孤立電極部所有部分

14‧‧‧介電層

H1‧‧‧高度

H2‧‧‧高度

H3‧‧‧高度

L1‧‧‧長度

L2‧‧‧長度

L3‧‧‧長度

TDA1‧‧‧與積層方向中央對應之三維區域

W1‧‧‧寬度

W2‧‧‧寬度

W3‧‧‧寬度

Claims (10)

1. 一種積層陶瓷電容器，其特徵在於包括：電容器本體，其具有將複數個內部電極層隔著介電層積層而成之構造；且上述複數個內部電極層中之至少存在於積層方向中央之至少1層內部電極層在其中央部分具有第一孤立電極部所有部分，該第一孤立電極部所有部分共存有連續電極部及未與該連續電極部電性連續之孤立電極部。
2. 如請求項1之積層陶瓷電容器，其中上述第一孤立電極部所有部分設置在上述複數個內部電極層之全部中。
3. 如請求項1之積層陶瓷電容器，其中上述複數個內部電極層中之至少存在於積層方向中央之至少1層內部電極層在其周邊部分中之至少1邊部分具有第二孤立電極部所有部分，該第二孤立電極部所有部分共存有連續電極部及未與該連續電極部電性連續之孤立電極部。
4. 如請求項2之積層陶瓷電容器，其中上述複數個內部電極層中之至少存在於積層方向中央之至少1層內部電極層在其周邊部分中之至少1邊部分具有第二孤立電極部所有部分，該第二孤立電極部所有部分共存有連續電極部及未與該連續電極部電性連續之孤立電極部。
5. 如請求項3之積層陶瓷電容器，其中上述第二孤立電極部所有部分設置在上述複數個內部電極層之全部中。
6. 如請求項4之積層陶瓷電容器，其中 上述第二孤立電極部所有部分設置在上述複數個內部電極層之全部中。
7. 如請求項3至6中任一項之積層陶瓷電容器，其中上述複數個內部電極層具有大致矩形輪廓，且上述第二孤立電極部所有部分設置在內部電極層之除外部電極連接邊以外之3邊部分。
8. 如請求項3至6中任一項之積層陶瓷電容器，其中上述複數個內部電極層具有大致矩形輪廓，且上述第二孤立電極部所有部分設置在內部電極層之與外部電極連接邊鄰接之2邊部分。
9. 如請求項3至6中任一項之積層陶瓷電容器，其中上述複數個內部電極層具有大致矩形輪廓，且上述第二孤立電極部所有部分設置在內部電極層之與外部電極連接邊鄰接之1邊部分。
10. 如請求項3至6中任一項之積層陶瓷電容器，其中上述複數個內部電極層具有大致矩形輪廓，且上述第二孤立電極部所有部分設置在內部電極層之與外部電極連接邊對向之1邊部分。