TW201339228A - 用於遮蔽電磁干擾、包含碳化氫複合材料之樹脂組成物 - Google Patents

用於遮蔽電磁干擾、包含碳化氫複合材料之樹脂組成物 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種用於遮蔽電磁干擾的樹脂組成物。更具體而言,本發明提供一種具有良好分散性、衝擊鬆弛及高導電性的樹脂組成物,該樹脂包含:(a)100重量份之樹脂,以該樹脂之100重量份為基準、(b)0.1至15重量份之於無氧化劑狀態下進行表面改質之奈米碳管;以及(c)1至40重量份的碳化合物、金屬、金屬化合物,或是其混合物。用於遮蔽電磁干擾、包含碳化氫複合材料的樹脂組成物,對用於電子控制單元材料以達到汽車輕量化特別實用,也因此可用高價的重金屬材料來取代。

Description

用於遮蔽電磁干擾、包含碳化氫複合材料之樹脂組成物 相關申請案的交互參照
本申請案根據35 U.S.C.§119主張於2012年1月12日向韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2012-0003846號之優先權,其完整揭露係已併入此案作為參考。
以下的揭露關於一種用於遮蔽電磁干擾(EMI,electromagnetic interference)、包含碳化氫複合材料之樹脂組成物。更具體來說,以下的揭露關於一種用於遮蔽EMI、擁有極佳的分散性及碰撞弛緩之高導性樹脂組成物,且其包含:(a)100重量份之樹脂;以該樹脂之100重量份為基準,(b)0.1至15重量份之於未使用各別氧化劑之次臨界水或超臨界水狀態下進行表面改質(以下稱為無氧化劑狀態)的奈米碳管;以及(c)1至40重量份的碳化合物、金屬、金屬化合物,或是其混合物。根據本發明之用於遮蔽EMI、包含碳化氫複合材料的樹脂組成物,對用於電子控制單元材料以達到汽車輕量化特別實用,也因此可用高價的重金屬材料來取代。
隨著個人電腦、行動電話及數位裝置之迅速供應,電子裝置之微型化以及積體化已使電磁波氾濫於工作場所與住家中。因此,電子產業已大幅發展,但電磁干擾之威脅仍持續不斷增加。
電磁干擾層出不窮,從造成電腦錯誤運算,至廠房燒毀之火災意外等,且陸續有人提出關於電磁干擾對人體的負面影響之研究結果,使得人們對於健康之關心及興趣提高。在此情況下,已加強對電磁干擾之 限制並已備妥其對策。
由於EMI遮蔽效果與導電性成正比,因此金屬通常是目前最常用的遮蔽EMI材料。
金屬材料反射電磁波,但例如塑膠等類似的絕緣材料容許電磁波穿過其中。EMI遮蔽已廣為人知。當電磁波到達電導體時,部份經金屬吸收並通過其中,但大部份都由金屬表面反射出去,不會進入金屬中。理由在於,當電磁波到達導體時,因電磁感應於導體中產生渦電流,而該電流反射電磁波。
已有諸多作法試圖賦予導電性於樹脂組成物,該組成物其後被用以讓車輛及各種電子設備、電子組件或電纜能展現遮蔽EMI功能或類似的功能。
本導電樹脂組成物之準備方法為將導電添加物,例如碳黑、碳纖、金屬粉末、鍍金屬之無機粉末,或金屬纖維混入高分子聚合物中。然而,只要沒有加入大量的導電添加物,就難以使導電樹脂組成物取得充份期望之導電程度。
此外,就使用例如碳黑、碳纖或類似物等碳材料之高分子聚合物的情況而言,由於加入大量無機材料,導致較高之樹脂硬度、表面粗糙度、及物理屬性劣化,也因此難以實現所需要的高導電特性。
同時,有人試圖使用奈米碳管作為導電添加物以將極佳的導電性賦予導電聚合物。
然而,當導電複合材料係藉由將奈米碳管混入高分子聚合物並進行擠壓-射出而獲得時,奈米碳管會因在擠壓-射出處理期間產生的剪應力而受到聚結或排列,且該奈米碳管會有缺陷地分散在導電高分子聚合物內,因此難以取得充份期望之導電程度。
如上所述,相關技術有分散性劣化、使用過量添加物、及無法達到期望程度之物理屬性等問題。
韓國專利申請案公開第2011-0000296號揭露「一種高分子聚合物/奈米碳管複合材料的形成方法以及一種根據該高分子聚合物/奈米碳管複合材料的形成方法所形成之高分子聚合物/奈米碳管複合材料, 此高分子聚合物/奈米碳管複合材料具有良好電磁干擾遮蔽效率,此方法包含:a)在溶液裡溶解第一個高分子聚合物樹脂以及奈米碳管(重量比為100:5至100:30)並進行超音波處理,以準備初步的複合材料;以及b)在擠壓機中混合初步複合材料以及第二個高分子聚合物樹脂(重量比為1:1至1:15)」。
此外,韓國專利申請案公開第2011-0104456號揭露「一種導電樹脂組成物,用以作為需要電波傳輸及接收功能的資訊科技裝置之成形材料,該導電樹脂組成物包含:a)30~60 wt%之高分子聚合物樹脂;b)3~15 wt%之作為導電材料的碳黑及2~10 wt%之作為導電材料的奈米碳管;以及c)30~55 wt%之碳纖以電性連接導電之碳黑及導電之奈米碳管」。
然而,根據前述專利文件裡所揭露之技術,仍難以將奈米碳管分散於樹脂中,以展現奈米碳管的最高效能,而需注入大量的奈米碳管以展現遮蔽EMI效果,也因此相較於例如碳黑或碳纖等現行之碳材料,高價位原料的使用較多,造成低經濟可行性。
[相關技術文件] [專利文件]
(專利文件1)韓國專利申請案公開第2011-0000296號(2011年1月3號)
(專利文件2)韓國專利申請案公開第2011-0104456號(2011年9月22號)
本發明之實施例旨在提供用於遮蔽EMI、含有展現強化物理屬性及極佳遮蔽EMI效果之碳化氫複合材料的樹脂組成物,其方法為使用在無氧化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管(carbon nanotube,CNT),從而提升該奈米碳管之分散性,並提升該奈米碳管、碳化合物、金屬、金屬化合物或是其混合物之互溶性,及提供使用上述樹脂組成物所製造的模製物件。
於一整體態樣,本發明提供用於遮蔽電磁干擾(electromagnetic interference,EMI)的樹脂組成物,該樹脂組成物包含(a)100重量份之樹脂;以該樹脂之100重量份為基準,(b)0.1至15重量份之於無氧 化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管;以及(c)1至40重量份之碳化合物、金屬、金屬化合物,或是其混合物。
根據本發明之用於遮蔽EMI的樹脂組成物,樹脂可為一種樹脂、兩種或更多種之共聚合物樹脂、或兩種或更多種混合物,選自包含下列之群組:聚縮醛樹脂(polyacetal resin)、壓克力樹脂(acryl based resin)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate resin)、苯乙烯樹脂(styrene based resin)、聚酯樹脂(polyester resin)、乙烯系樹脂(vinyl based resin)、聚苯醚樹脂(polyphenylene ether resin)、聚烯烴樹脂(polyolefin resin)、丙烯-丁二烯-苯乙烯樹脂共聚物樹脂(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer resin)、聚芳香酯樹脂(polyarylate resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)、聚醯胺醯亞胺樹脂(polyamindeimide resin)、聚芳碸樹脂(polyarylsulfone resin)、聚醚醯亞胺樹脂(polyetherimide resin)、聚醚樹脂(polyethersulfone resin)、聚苯硫樹脂(polyphenylene sulfide resin)、氟樹脂(fluorine based resin)、酚醛樹脂(polyimide resin)、聚醚酮樹脂(polyether ketone resin)、聚苯噁唑樹脂(polybenzoxazole resin)、聚噁二唑樹脂(polyoxadiazole resin)、聚苯並噻唑樹脂(polybenzothiazole resin)、聚苯并咪唑樹脂(polybenzimidazole resin)、聚砒啶樹脂(polypyridine resin)、聚三唑樹脂(polytriazole resin)、聚吡咯烷酮樹脂(polypyrrolidone resin)、聚二苯并呋喃樹脂(polydibenzofuran resin)、聚碸樹脂(polysulfone resin)、聚脲樹脂(polyurea resin)、聚磷氮基樹脂(polyphosphazene resin)、液晶高分子樹脂(liquid crystal polymer resin)、矽氧樹脂(silicon based resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚樹脂(phenol based resin)、及聚氨酯樹脂(polyurethane resin)。聚烯樹脂(polyolefin resin)較佳,且最重要的,聚丙烯(polypropylene)更佳。
根據本發明之用於遮蔽EMI之樹脂組成物中,在無氧化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管,可藉由僅用溶氧進行表面處理的奈米碳管取得。該溶氧溶於壓力為50到400 atm、溫度為100到600℃之間的次臨界水或超臨界水狀態下的水中,而不使用現存之氧化物如氧氧、空氣、臭氧、含氧水或類似物等等。可取得在次臨界水或超臨界水狀態下非有害、且因未使用氧化劑於促進處理及廢水處理,而以環境友善的方式進行過表面改質的奈米碳管,且奈米碳管束經縮小以藉此改善分散性。在次臨界水 或超臨界水以無氧化劑的狀態下進行之表面改質防止奈米碳管因使用氧化劑而被燃燒,藉此容許處理產率達到100%。
此外,奈米碳管可較佳地選自包含單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管、薄多壁奈米碳管、多壁奈米碳管、繩狀奈米碳管、及其組合之群組。
此外,在本發明中,以100重量份之樹脂為基準,可使用0.1~15重量份之在無氧化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管。本發明中在無氧化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管可改善機械屬性及導電性之平衡。若在無氧化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管之使用量少於0.1重量份,導電性可能降低,而無法展現遮蔽EMI效果。若使用量大於15重量份,可能無法獲得樹脂內之均勻分散,使處理性惡化。
於根據本發明之用於EMI遮蔽的樹脂組成物中,以100重量份樹脂為基準,可包含1到40重量份之碳化合物、金屬、金屬化合物、或其混合物。若碳化合物、金屬、金屬化合物、或其混合物之使用量少於1重量份導電性可能降低,而無法展現EMI遮蔽效果。若使用量大於40重量份,可能無法獲得樹脂內之均勻分散,使處理性惡化。
碳化合物係較佳地選自包含碳黑、石墨稀(graphene)、富勒烯(fullerene)、石墨、氧化石墨、碳纖及其混合物之群組,且金屬或金屬化合物係較佳地選自包含銅、鐵、鎳、鋁、鍚、鋅、銀、金、鎳銅合金、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AIN(AlN))、及其氧化物之群組。此外,碳化合物、金屬、或金屬化合物之平均粒子大小較佳地為0.001~300 μm;碳化合物之碳黑的平均粒子大小較佳地為0.01~0.5 μm;且石墨有粉末類型且平均粒子大小較佳地為1~300 μm。另外,碳纖較佳地為細纖維且平均粒子大小為0.01~10 μm。較佳地,鋁為粉末類型且平均粒子大小為0.1~50 μm。碳化合物之表面改質可於無氧化劑的狀態下,在壓力為50到400 atm之間且溫度為100到600℃之間的次臨界水或超臨界水中進行。
在無氧化劑的狀態下進行表面改質的奈米碳管,與碳化物、金屬、金屬化合物或其混合物之重量比可較佳地為1:0.01至100,以藉此有效地改善互溶性,但本發明並不限於此數值域。
模製物品可藉由混合本發明之用於遮蔽EMI的樹脂組成物 並使用先前已知的方法製成。這些各別成份之混合物經由傳統的擠壓成型處理可形成顆粒,且因此而形成之顆粒,根據其用途,透過擠壓成型、射出成型、熱成型等等,可製成模製物品,如片料、薄膜、結構等等。
此外,此模製物品為塑膠模製物品,能夠藉由控制遮蔽EMI效果容許熱傳導、靜電分散、或預防靜電,且更佳地為用於電子控制單元材料以使汽車輕量化,也因此可用高價的重金屬材料來取代。
圖1為呈現本發明較佳實施例中遮蔽電磁干擾(EMI)效果的圖。
本發明將參照以下範例加以詳述。
準備範例1:準備於無氧化劑狀態下進行表面改質之多壁奈米碳管
21克的多壁奈米碳管(以下簡稱為MWCNT,平均粒子大小:0.01 μm)透過循環幫浦與979克的蒸餾水混合,以在前處理池中準備MWCNT溶液。MWCNT溶液經由高壓注射幫浦、以30g/min之流率注入已由熱交換機預熱至150到200℃之前處理池中。將已預熱之溶液,在200℃、230atm至250atm的次臨界水以無氧化劑的狀態注入至表面改質反應器,並進行表面改質。以無氧化劑狀態下進行表面改質的產物再次轉移至熱交換器以首先冷卻至150℃,再藉由冷卻裝置冷卻至25℃,接著得到20.9g在無氧化劑狀態下持續進行表面改質的MWCNT。所得到之MWCNT於超臨界水中變為解凝聚狀態,以因此提升其分散性,且因氧含量低(0.1wt%)而具備較少奈米碳管缺陷,以因此展現高固有導電性及遮蔽EMI效果。
準備範例2:準備於有氧氣之氧化劑的狀態下進行表面改質之多壁奈米碳管
取得根據準備範例1之相同方法進行表面改質的MWCNT,惟其中氧氣作為氧化劑使用。壓縮到245 atm至252 atm的氣相氧以0.8g/min 之流率,與位於熱交換器前端的MWCNT溶液混合,並注入到已預熱至150到200℃之池中。由此得到的MWCNT於超臨界水中變為解凝聚狀態,以因此提升其分散性,但因為高含氧量(5.2wt%)受到氧化,造成許多奈米碳管的缺陷,且因此降低高固有導電性及惡化遮蔽EMI效能。
準備範例3:準備於無氧化劑狀態下進行表面改質之碳黑
取得根據準備範例1之相同方法進行表面改質的碳黑,惟碳黑用於代替MWCNT。
範例1
將855克的聚丙烯、25克於準備範例1的無氧化劑狀態下進行表面改質之MWCNT、及120克的碳黑(平均粒子大小:0.02 μm)注入旋轉雙螺旋擠壓機的料斗中。藉由於200℃下旋轉擠壓機之軸部,聚合物樹脂熔於桶子中、與碳材料揉合,並接著持續透過擠壓機的壓模射出。由擠壓機擠出之條狀聚丙烯透過製粒機形成傳統的短粒狀。
範例2
執行與範例1相同之步驟,惟準備範例1之50克的MWCNT、800克的聚丙烯、及150克的碳黑(平均粒子大小:0.02 μm)被用做組成物之不同內容。
範例3
執行與範例1相同之步驟,惟使用120克的碳纖(平均粒子大小:7 μm)代替碳黑。
範例4
執行與範例1相同之步驟,惟準備範例1之70克的MWCNT、680克的聚丙烯、及250克的碳黑(平均粒子大小:0.02 μm)被用做組成物之不同內容。
範例5
執行與範例1相同之步驟,惟使用250克的氧化鋁(Al2O3,平均粒子大小:10 μm)代替碳黑且準備範例1中之70克的MWCNT及680克的聚丙烯被用做其組成物之不同內容。
範例6
執行與範例1相同之步驟,惟準備範例3中在無氧化劑狀態下進行表面處理之碳黑用來代替範例1中未經表面處理之碳黑。
比較範例1
執行與範例1相同之步驟,惟準備範例2中使用氧進行表面改質之70克的MWCNT用來代替準備範例1的MWCNT。
比較範例2
執行與範例2相同之步驟,惟準備範例2中使用氧進行表面改質之50克的MWCNT用來代替準備範例1中的MWCNT。
比較範例3
執行與範例3相同之步驟,惟準備範例2中使用氧進行表面改質之25克的MWCNT用來代替準備範例1的MWCNT。
比較範例4
執行與範例1相同之步驟,同時使用800克的聚丙烯及200克的碳黑(平均粒子大小:0.02 μm),而不使用準備範例1的MWCNT。
比較範例5
執行與範例1相同之步驟,同時使用800克的聚丙烯及200克的碳纖(平均粒子大小:7 μm),而不使用準備範例1的MWCNT。
比較範例6
執行與範例1相同之步驟,同時使用準備範例1中之100克的MWCNT及900克的聚丙烯,而不使用碳黑。
比較範例7
執行與範例1相同之步驟,同時準備範例2中使用氧進行表面改質之100克的MWCNT用來代替準備範例1中的MWCNT,且使用900克的聚丙烯,而不使用碳黑。
比較範例8
執行與範例4相同之步驟,惟準備範例2中使用氧進行表面改質之70克的MWCNT用來代替準備範例1中的MWCNT。
比較範例9
執行與範例5相同之步驟,惟準備範例2中使用氧進行表面 改質之70克的MWCNT用來代替準備範例1中的MWCNT。
每個範例及比較範例中使用材料之使用量、片電阻、遮蔽EMI效果,以及耐衝擊強度呈現於以下表1。
*試驗方法
1.片電阻之測量
測量之進行係根據JISK 7194/ASTM D991使用MitsubishI Company的Loresta GP(MCP-T600)。
2.遮蔽EMI效力之測量
測量之進行係根據ASTM D4935使用Rhode & Schwartz Company的EMI系統。
3.耐衝擊強度之測量
測量之進行係根據ASTM D256使用Olsen Company的一種衝擊強度測量裝置。
範例1~5使用在無氧化劑狀態下進行表面改質的MWCNT,且奈米碳管及碳化合物或金屬氧化物之重量份受到更改。範例6使用在無氧化劑狀態下進行表面改質的MWCNT及碳黑。在範例1、2、3、8、及9中,使用在加入氧的狀態下進行表面改質之MWCNT,且奈米碳管及碳化合物之重量份受到更改。比較範例4和5呈現未加入奈米碳管時,碳化合物之遮蔽EMI效力的資料。比較範例6和7比較僅加入MWCNT時,無氧化劑狀態與有氧氣狀態下的遮蔽EMI效力。
當比較範例1-5與比較範例1-3、8、及9之差異僅在MWCNT之表面改質狀態的兩者時,使用在無氧化劑狀態下進行表面改質的MWCNT之範例1-5,比使用在有氧氣狀態下進行表面改質的MWCNT之比較範例1-3、8、及9呈現較低片電阻、較佳遮蔽EMI效力、及較佳耐衝擊強度。此外,根據比較範例4與5的結果,可看出期望的片電阻、遮蔽EMI效力、及耐衝擊強度若不使用經表面改質的奈米碳管則無法取得。此外,比較範例6與7呈現不使用碳化合物及金屬化合物、僅取決於奈米碳管的表面改質狀態之情況下,片電阻、遮蔽EMI效力、及耐衝擊強度之差異。因此,可證實使用在無氧化劑狀態下進行表面改質之奈米碳管的比較範例6,比使用在含氧化劑狀態下進表面改質之奈米碳管的比較範例7具有 較低片電阻及較高遮蔽EMI效力和耐衝擊強度。
因此,由上述結果可見,本發明中用於遮蔽EMI、包含樹脂、在無氧化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管、碳化合物、金屬、金屬化合物、或前述之混合物的樹脂組成物,具有低片電阻,且因此具有高導電性及較佳的衝擊鬆弛,及極佳的遮蔽EMI效果。
如前所述,本發明之用於遮蔽EMI、包含碳化氫複合材料的樹脂組成物使用於無氧化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管,以及碳化合物、金屬、金屬化合物、或前述之混合物作為複合材料,因此具備極佳的分散性、衝擊鬆弛及高導電性,且尤其具備遮蔽EMI效果。
此外,本發明之用於遮蔽EMI、包含碳化氫複合材料的樹脂組成物使用於無氧化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管,也因為排除酸類之使用,故能在環境友善的狀態下促進表面改質,並改善樹脂的分散性。
根據本發明之用於遮蔽EMI、包含碳化氫複合材料的樹脂組成物,對用於汽車輕量化的電子控制單元材料特別實用,也因此可用高價的重金屬材料來取代。
A‧‧‧電磁干擾遮蔽效果(dB)
B‧‧‧片電阻Ω/□

Claims (12)

  1. 一種用於遮蔽電磁干擾(electromagnetic interference,EMI)的樹脂組成物,該樹脂組成物包含:(a)100重量份的一樹脂;以該樹脂之100重量份為基準;(b)0.1至15重量份之於無氧化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管;以及;(c)1至40重量份的碳化合物、金屬、金屬化合物或其混合物。
  2. 如申請專利範圍第1項之用於遮蔽電磁干擾的樹脂組成物,其中,該樹脂為選自於包含下列樹脂之群組的一樹脂、兩種或更多種之共聚合物樹脂、或兩種或更多種混合物:一聚縮醛樹脂(polyacetal resin)、一壓克力樹脂(acryl based resin)、一聚碳酸酯樹脂(polycarbonate resin)、一苯乙烯樹脂(styrene based resin)、一聚酯樹脂(polyester resin)、一乙烯系樹脂(vinyl based resin)、一聚苯醚樹脂(polyphenylene ether resin)、一聚烯烴樹脂(polyolefin resin)、一丙烯-丁二烯-苯乙烯樹脂共聚物樹脂(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer resin)、一聚芳香酯樹脂(polyarylate resin)、一聚醯胺樹脂(polyamide resin)、一聚醯胺醯亞胺樹脂(polyamindeimide resin)、一聚芳碸樹脂(polyarylsulfone resin)、一聚醚醯亞胺樹脂(polyetherimide resin)、一聚醚樹脂(polyethersulfone resin)、一聚苯硫樹脂(polyphenylene sulfide resin)、一氟樹脂(fluorine based resin)、一酚醛樹脂(polyimide resin)、一聚醚酮樹脂(polyether ketone resin)、一聚苯噁唑樹脂(polybenzoxazole resin)、一聚噁二唑樹脂(polyoxadiazole resin)、一聚苯並噻唑樹脂(polybenzothiazole resin)、一聚苯并咪唑樹脂(polybenzimidazole resin)、一聚砒啶樹脂(polypyridine resin)、一聚三唑樹脂(polytriazole resin)、一聚吡咯烷酮樹脂(polypyrrolidone resin)、一聚二苯并呋喃樹脂(polydibenzofuran resin)、一聚碸樹脂(polysulfone resin)、一聚脲樹脂(polyurea resin)、一聚磷氮基樹脂(polyphosphazene resin)、一液晶高分子樹脂(liquid crystal polymer resin)、一矽氧樹脂(silicon based resin)、一環氧樹脂(epoxy resin)、一酚樹脂(phenol based resin)、及一聚氨酯樹脂(polyurethane resin)。
  3. 如申請專利範圍第1項之用於遮蔽電磁干擾的樹脂組成物,其中,該於無氧化劑狀態下進行表面改質的奈米碳管,係透過於壓力為50到400 atm且溫度為100到600℃之間的一次臨界水或超臨界水狀態下表面處理一奈米碳管而取得。
  4. 如申請專利範圍第1項之用於遮蔽電磁干擾的樹脂組成物,其中該奈米碳管係選自於包含以下內容之群組:一單壁奈米碳管、一雙壁奈米碳管、一薄多壁奈米碳管、一多壁奈米碳管、一繩狀奈米碳管及一其組合。
  5. 如申請專利範圍第1項之用於遮蔽電磁干擾的樹脂組成物,其中,該碳化合物係選自於包含碳黑、石墨稀(graphene)、富勒烯(fullerene)、石墨、氧化石墨、碳纖及一其混合物之群組。
  6. 如申請專利範圍第5項之用於遮蔽電磁干擾的樹脂組成物,其中,該碳化合物之表面改質係於無氧化劑的狀態下,在一壓力為50到400 atm之間且溫度為100到600℃之間的一次臨界水或超臨界水中進行。
  7. 如申請專利範圍第1項之用於遮蔽電磁干擾的樹脂組成物,其中,該金屬或金屬化合物係選自包含銅、鐵、鎳、鋁、鍚、鋅、銀、金、鎳銅合金、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、及其氧化物之群組。
  8. 如申請專利範圍第1項之用於遮蔽電磁干擾的樹脂組成物,其中,該碳化合物、金屬、或金屬化合物具有一平均粒子大小0.001~300 μm。
  9. 如申請專利範圍第1項之用於遮蔽電磁干擾的樹脂組成物,其中,該(b)在無氧化劑的狀態下進行表面改質的奈米碳管與該(c)碳化物、金屬、金屬化合物或其混合物(c)之重量比為1:0.01至100。
  10. 一種模製物品,將申請專利範圍第1至9項中任一項之該用於遮蔽EMI之樹脂組成物,藉由擠壓、射出、或熱成型而製成。
  11. 如申請專利範圍第10項之模製物品,其為一塑膠模製物品,藉由控制EMI遮蔽效果能夠容許熱傳導、靜電分散、或預防靜電。
  12. 如申請專利範圍第10項之模製物品,其中,該模製物品用於一種電子控制單元,以使汽車輕量化。
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