KR101021805B1 - 전도성 고분자 화합물의 제조 방법 - Google Patents

전도성 고분자 화합물의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전도성 고분자 화합물의 제조 방법에 관한 것으로, 커플링 에이전트, 필러 및 고분자 재료와 같은 재료를 준비하는 단계와, 상기 커플링 에이전트를 용제에 희석하는 단계와, 상기 커플링 에이전트가 희석된 용제에 상기 필러 및 고분자 재료를 첨가 혼합하는 단계와, 상기 필러 및 고분자 재료가 혼합된 혼합재료에 대한 초음파 분산 처리를 실시하는 단계와, 초음파 분산 처리가 완료된 혼합 재료를 건조하는 단계 및 상기 건조된 혼합 재료를 컴파운딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조 방법을 제공한다.

Description

전도성 고분자 화합물의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTIVE POLYMER COMPOUND}
본 발명은 전도성 고분자 화합물의 제조 방법에 관한 것으로, 화합물 원료의 정량 투입과 고른 분산을 통해 전도성 고분자 화합물의 특성을 향상시킬 수 있으며, 사출 공정에 적용할 수 있는 전도성 고분자 화합물의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 고분자는 합성섬유, 고무, 플라스틱류로 일반적으로 전기가 통하지 않는 부도체이다. 하지만, 전도성 고분자는 이러한 부도체의 특성에 전기 전도성 및 열 전도성이 부여된 고분자이다.
이러한 전도성 고분자는 휴대용 통신 기기의 내장 안테나, 투명 전도체, 전자파 차폐용 박막, 이차전지, 전기변색소자, 발광다이오드, 레이저, 초고속 스위치, 비선형 광학 소자, 감광 재료, 광 기록 소재, 트랜지스터, 다양한 종류의 화학, 생물 센서(sensor), 분자 크기의 전자소자(molecular electronics), 쉴드캔 등으로 다양하다. 이와 같이 전도성 고분자는 양산이 쉬운 제조 공정과 낮은 생산 단가 그리고, 플라스틱과 같은 특성을 갖고 있기 때문에 많은 장점이 있다.
종래의 전도성 고분자는 전처리 및 분사 공정을 실시한 다음 컴파운딩 공정을 실시한다.
이를 좀더 구체적으로 설명하면, 종래의 전도성 고분자는 도전성 필러(filler)를 전처리하고 분산 공정을 실시한다. 이후, 앞서 전처리 및 분산 처리된 필러와 고분자 재료를 컴파운딩 장비에 투입하여 이들을 혼합한다.
하지만, 종래의 경우 사출 재료 즉, 분쇄되지 않은 고분자 재료를 투입하기 때문에 정량 조절이 매우 어려웠다. 또한, 밀도차이가 커서 골고루 분산시키기 어려운 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기의 제반 문제를 해결하기 위하여 창출된 것으로, 고분자 재료와 필러와의 혼합 및 이들의 분산 분포를 균일하게 할 수 있고, 투입되는 재료량의 조절이 용이하여 열 전도성 및 전기 전도성 특성이 우수하여 열전도나 전자파 차폐등에 사용되는 전도성 고분자 화합물의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 커플링 에이전트, 필러 및 고분자 재료와 같은 재료를 준비하는 단계와, 상기 커플링 에이전트를 용제에 희석하는 단계와, 상기 커플링 에이전트가 희석된 용제에 상기 필러 및 고분자 재료를 첨가 혼합하는 단계와, 상기 필러 및 고분자 재료가 혼합된 혼합재료에 대한 초음파 분산 처리를 실시하는 단계와, 초음파 분산 처리가 완료된 혼합 재료를 건조하는 단계 및 상기 건조된 혼합 재료를 컴파운딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조 방법을 제공한다.
상기 고분자 재료는 분쇄하여 미분화된 것을 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 고분자 재료와 필러가 혼합된 혼합물의 량을 100으로 할 경우, 상기 커플링 에이전트는 0.5 내지 5%를 첨가되는 것을 특징으로 한다.
상기 혼합물은 40 내지 99.5wt%의 고분자 재료와, 0.5 내지 60wt%의 필러를 희석된 용액에 첨가 혼합하는 것을 특징으로 한다.
상기 초음파 분산 처리는 연속식 초음파 장치 또는 배치식 초음파 장치를 사용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고분자 재료와 필러 및 커플링 에이전트가 혼합된 전도성 고분자 화합물에 있어서, 고분자 재료 40 내지 99.5 중량부와, 필러 0.5 내지 60 중량부가 혼합된 혼합물과, 상기 혼합물의 량을 100으로 할 경우 0.5 내지 5% 범위 내에서 상기 혼합물에 더 첨가되는 커플링 에이전트를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물을 제공한다.
상기 혼합물의 량이 1kg일 때, 용재의 량은 2리터의 비율로 첨가하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 제1항 내지 제5항 중 어느 한항의 제조 방법으로 제조된 전도성 고분자 화합물의 사출 성형을 통해 제조된 열 전도 및 전자파 차폐 기능을 갖는 제품을 제공한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 전처리 및 분산 공정시 고분자 재료를 미리 준비하고, 이를 분쇄 하여 미분화함으로 인해 투입되는 재료량을 효과적으로 조절할 수 있고, 분산 분포를 균일하게 할 수 있으며, 컴파운딩 공정시 별도의 재료 투입없이 진행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 화합물의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 2는 일 실시예에 따른 연속식 초음파 장치를 설명하기 위한 개념도.
도 3은 일 실시예에 따른 배치식 초음파 장치를 설명하기 위한 개념도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 화합물의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 연속식 초음파 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 배치식 초음파 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 전도성 고분자 화합물을 제조하기 위해 사출에 사용되는 고분자 재료, 필러 및 커플링 에이전트 그리고, 희석을 위한 용제를 마련하다. 즉, 전도성 고분자 화합물 제조를 위한 재료를 준비한다(S110).
이때, 상기 고분자 재료로는 PC(polycarbonate), PPS(poly(phenylene sulfide)), PBT(poly(butylene terephthalate)), PA66(homopolyamide based on hexamethylenediamine and adipic acid), PP(Poly prophylene), PE(polyethylene), PMMA(poly(methyl methacrylate)), EVA(Ethylene Vinyl Acetate), PVB(Poly Vinyl Butyral), PEK(Poly Ether Ketone) 중 어느 하나를 사용한다.
또한, 본 실시예에서는 상술한 고분자 재료를 분쇄하여 미분화시킨다. 이때, 고분자 재료의 입도는 1 내지 100 미크론 범위로 유지하는 것이 효과적이다. 이를 통해 분산과 혼합이 용이하게 이루어질 수 있다.
또한, 고분자 재료의 입도는 상기 범위보다 크게 할 경우에는 고분자 재료의 뭉침 현상이 발생하는 단점이 있다. 물론 상기 범위보다 더 미세한 사이즈로 고분자 재료의 입도를 조정하는 것도 가능하다. 하지만, 1미크론 이상이 범위로 하는 것이 작업상 및 후속 공정상 유리하다.
또한, 상기 첨가제로 사용되는 필러로는 탄소 나노튜브(CNT), 카본 파이버(Carbon fiber), 그라핀(Graphene), 금속 파우더(metal powder) 및 그라파이트(graphite) 중 어느 하나를 사용한다.
상기 금속 파우더로는 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 로듐(Rh), 루테늄(Ru) 또는 주석(Sn) 등과 같은 금속 미립자 또는 산화주석, 산화인듐, 산화인듐주석(ITO), 산화안티몬, 산화안티몬아연 또는 산화안티몬주석 등과 같은 금속산화물 미립자를 사용할 수 있다.
그리고, 커플링 에이전트로는 실란을 사용한다. 물론 고분자 재료별로 실란의 종류를 선택하는 것이 가능하다.
그리고, 상기 물질들의 용해 및 희석을 위한 용제로는 알콜, 물 또는 혼합 용제를 사용한다.
이어서, 상기 재료들을 혼합하는 혼합 공정을 실시한다. 즉, 커플링 에이전트를 용제에 희석한다. 그리고, 커플링 에이전트가 희석된 용제에 고분자 재료와 필러를 첨가 혼합한다(S120).
이와 같이 커플링 에이전트 즉, 실란을 용제에 먼저 희석함으로 인해 후속 첨가제인 필러와 고분자 재료 간의 결합력을 더욱 향상시킬 수 있다. 즉, 실란을 고분자 재료와 필러를 첨가한 이후 희석하는 것에 비하여 그 결합력이 증대한다.
이때, 상기 고분자 재료와 필러가 혼합된 혼합물의 량을 100으로 할 경우, 상기 커플링 에이전트는 0.5 내지 5% 범위 내에서 첨가되는 것이 바람직하다. 그리고, 고분자 재료 40 내지 99.5 중량부와, 필러 0.5 내지 60 중량부가 희석된 용액에 첨가된다.
이때 용제의 량은 필러의 종류와 함량에 따라 조정하되 충분히 교반이 일어나는 정도로 혼합한다. 실시예로서, 적정한 용제의 양은 고분자 재료와 필러의 합이 2kg일 경우에는 알콜의 경우는 4리터가 적정하다. 즉, 상기 혼합물의 량이 1kg일 때, 용재의 량은 2리터의 비율로 첨가한다.
그리고, 고분자 재료와 필러의 혼합량은 상기 범위 내에서 각각의 용도와 재료에 따라 다양하게 적용될 수 있다.
본 발명의 한 예로서, 정전기 방지 재료용도로 사용하기 위하여 PBT 97-99wt%, CNT 1-3wt%로 혼합물을 만들고, 이 혼합물 량의 0.5%에 해당하는 실란을 첨가한 다. 이후, 초음파 처리하고 혼합한 후 사출 시료에 대하여 일반적인 저항 측정기를 이용하여 전기 저항을 측정시 그 측정값은 시료의 전 구간에 대하여 균일하게 0.1 내지 1MΩ대의 저항을 측정할 수 있다.
이어서, 상기와 같이 혼합된 재료 내의 필러의 분산 극대화를 위해 초음파 분산 처리 공정을 실시한다(S130).
상술한 재료 준비와 재료의 혼합 및 분산은 연속식 초음파 장치를 이용하거나 배치식 장치를 이용하여 수행할 수 있다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이 연속식 초음파 장치의 경우, 교반기를 갖는 탱크(100)와, 탱크로부터 혼합된 재료를 정량 공급하는 정량 펌프(110)와, 혼합된 재료의 필러를 초음파를 이용하여 분산시키는 초음파 장치(120)와, 분산된 혼합 재료를 담는 수납욕조(130)를 구비한다.
이러한 연속식 초음파 장치를 이용하는 경우, 본 실시예에서는 먼저 앞서 언급한 방법으로 커플링 에이전트, 고분자 재료 및 필러가 용제에 혼합된 재료를 상기 탱크(100)의 내부 공간에 충진시킨다. 이때, 교반기가 탱크(100) 내부에 위치하여 혼합된 재료를 교반한다. 이어서, 정량 펌프(110)를 통해 일정량의 혼합 재료만을 초음파 장치(120)에 제공한다. 이때, 제공되는 재료의 량과 그 혼합 비율을 일정할 수 있다. 이는 상기 고분자 재료가 파우더 형태로 미분화되어 있기 때문이다. 이어서, 초음파 장치(120) 내부의 초음파 처리를 통해 고분자 재료 내에 필러가 균일하게 분산될 수 있다. 이후, 초음파 처리가 완료된 혼합 재료는 수납 욕조(130)를 통해 외부로 반출되고, 별도의 건조 오븐에 의해 건조된다.
또한, 도 3에서와 같이 배치식 초음파 장치는 분산 준비용 욕조(200)와, 초음파 발진 장치(210)를 구비하고, 별도의 건조 오븐(300)을 구비한다.
이를 사용할 경우, 앞서 언급한 바와 같이 혼합된 재료를 분산 준비용 욕조(200) 내에 충진시킨다. 이후, 이 분산 준비용 욕조(200)를 초음파 발진 장치(210) 상에 위치하여 초음파 처리를 실시한다. 이를 통해 필러가 균일하게 분산된다. 이후, 상기 욕조(200)를 건조 오븐(300)에서 건조시킨다(S140).
상술한 바와 같이 초음파 처리와 건조 공정이 완료된 이후 컴파운딩 공정을 진행한다(S150).
컴파운딩 공정은 컴파운딩 장비를 통해 실시하되 컴파운딩 장비로는 동방향 이축 압축기(twin screw extruder) 또는 코 니더(co-kneader)를 사용하는 것이 바람직하다.
이때, 본 실시예에서는 컴파운딩 공정시 별도의 혼합을 수행하지 않는다. 이는 앞서 언급한 바와 같이 이미 전처리 및 분산 공정시 원하는 양에 해당하는 재료들이 첨가되고, 이들이 고르게 분사되었기 때문이다. 이로인해 컴파운딩 공정시 재료의 량을 균일하게 투입할 수 있다.
이와 같이 미리 혼합된 고분자 재료/필러/실란을 한번에 투입함으로 인해 공정을 단순화할 수 있다. 즉, 더욱 단순화된 컴파운딩을 실시할 수 있다.
이와 같이 본 실시예의 전도성 고분자 화합물을 제작하고, 이를 사출 성형을 통해 다양한 형태의 제품의 제작이 가능하다. 즉, 열 전도 및 전자파 차폐 기능을 갖는 제품의 제작이 가능하다.
이러한 열 전도 및 전자파 차폐 기능을 갖는 제품으로 휴대용 통신기기의 내장 안테나의 동판 대체, 각종 쉴드캔 대체, 각종 전자기기의 방열판(heat sink), LED 조명, LED 디스플레이(display), 각종 인버터(Invert)등과 자동차용 ECU 관련 부품, 자동차의 금속 대체 경량소재 등 현재 적용되고 있는 기능성 금속 부품에의 대체 적용이 가능하다. 그리고, 각종 제전 트레이(tray)나 지그류, 정전기 방지용 시트(sheet)등에도 사용될 수 있다.
본 실시예의 전도성 고분자 화합물은 0.5 내지 5wt%의 실란과, 0.5 내지 60wt%의 필러와, 40 내지 99wt%의 고분자 재료를 포함하되, 전처리 및 분산 공정시 실란, 필러 및 고분자 재료를 함께 혼합한 이후 컴파운딩을 통해 제조된다. 이는 앞서 언급한 성분 함량비를 재조정한 것으로 해당 값이 필요에 따라 1~10 wt%범위 내로 가변될 수 있다.
100 : 탱크
110 : 정량 펌프
120 : 초음파 장치
130 : 욕조

Claims (8)

  1. 커플링 에이전트와, 탄소 나노튜브(CNT), 카본 파이버(Carbon fiber), 그라핀(Graphene), 금속 파우더(metal powder) 및 그라파이트(graphite) 중 어느 하나를 포함하는 필러 및 PC(polycarbonate), PPS(poly(phenylene sulfide)), PBT(poly(butylene terephthalate)), PA66(homopolyamide based on hexamethylenediamine and adipic acid), PP(Poly prophylene), PE(polyethylene), PMMA(poly(methyl methacrylate)), EVA(Ethylene Vinyl Acetate), PVB(Poly Vinyl Butyral), PEK(Poly Ether Ketone) 중 어느 하나를 포함하는 고분자 재료를 준비하는 단계;
    상기 커플링 에이전트를 용제에 희석하는 단계;
    상기 커플링 에이전트가 희석된 용제에 상기 필러 및 고분자 재료를 첨가 혼합하는 단계;
    상기 필러 및 고분자 재료가 혼합된 혼합물에 대한 초음파 분산 처리를 실시하는 단계;
    초음파 분산 처리가 완료된 혼합물을 건조하는 단계; 및
    상기 건조된 혼합물을 컴파운딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 재료는 분쇄하여 미분화된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 재료와 필러가 혼합된 혼합물의 량을 100으로 할 경우, 상기 커플링 에이전트는 0.5 내지 5%를 첨가되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 혼합물은 40 내지 99.5wt%의 고분자 재료와, 0.5 내지 60wt%의 필러를 희석된 용액에 첨가 혼합하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 초음파 분산 처리는 연속식 초음파 장치 또는 배치식 초음파 장치를 사용하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101234258B1 (ko) * 2011-04-04 2013-02-18 금오공과대학교 산학협력단 폴리부틸렌 테레프탈레이트/그래핀 복합체와 그 제조방법
WO2013105757A1 (en) * 2012-01-12 2013-07-18 Hanwha Chemical Corporation Resin composition for emi shielding, comprising carbon hydride composite
KR101301203B1 (ko) 2012-11-12 2013-08-29 (주)창림이엔지 열 전도성 및 전기 전도성을 갖는 고분자 화합물의 제조 방법
WO2017150748A1 (ko) * 2016-03-02 2017-09-08 주식회사 대신테크젠 자동차 조명 하우징 적용을 위한 고열전도성 복합조성물 및 그 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100386379B1 (ko) * 2000-12-29 2003-06-02 삼성종합화학주식회사 정온도 특성이 우수한 전도성 고분자 수지 및 그 제조방법
KR20070075937A (ko) * 2006-01-17 2007-07-24 도레이새한 주식회사 반사 방지 필름
KR20090127777A (ko) * 2008-06-09 2009-12-14 제이엘씨(주) 도전성 무기 나노체가 혼합된 도전성 고분자 조성물
KR100964561B1 (ko) 2009-06-01 2010-06-21 박기호 도전성 점착제 조성물

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100386379B1 (ko) * 2000-12-29 2003-06-02 삼성종합화학주식회사 정온도 특성이 우수한 전도성 고분자 수지 및 그 제조방법
KR20070075937A (ko) * 2006-01-17 2007-07-24 도레이새한 주식회사 반사 방지 필름
KR20090127777A (ko) * 2008-06-09 2009-12-14 제이엘씨(주) 도전성 무기 나노체가 혼합된 도전성 고분자 조성물
KR100964561B1 (ko) 2009-06-01 2010-06-21 박기호 도전성 점착제 조성물

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101234258B1 (ko) * 2011-04-04 2013-02-18 금오공과대학교 산학협력단 폴리부틸렌 테레프탈레이트/그래핀 복합체와 그 제조방법
WO2013105757A1 (en) * 2012-01-12 2013-07-18 Hanwha Chemical Corporation Resin composition for emi shielding, comprising carbon hydride composite
KR101329974B1 (ko) 2012-01-12 2013-11-13 한화케미칼 주식회사 복합탄소소재를 포함하는 전자파 차폐용 수지 조성물
US9505903B2 (en) 2012-01-12 2016-11-29 Hanwha Chemical Corporation Resin composition for EMI shielding, comprising carbon hydride composite
KR101301203B1 (ko) 2012-11-12 2013-08-29 (주)창림이엔지 열 전도성 및 전기 전도성을 갖는 고분자 화합물의 제조 방법
WO2017150748A1 (ko) * 2016-03-02 2017-09-08 주식회사 대신테크젠 자동차 조명 하우징 적용을 위한 고열전도성 복합조성물 및 그 제조방법

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