TW201338967A - 電子零件用金屬材料、使用其之連接器端子、連接器及電子零件 - Google Patents

電子零件用金屬材料、使用其之連接器端子、連接器及電子零件 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種具有低插拔性、低晶鬚性及高耐久性之電子零件用金屬材料、使用其之連接器端子、連接器及電子零件。電子零件用金屬材料具備基材、於基材上以選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu組成之群中之1種或2種以上構成的下層、及於下層上以由Sn及In(A構成元素)中之一者或兩者及Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir(B構成元素)中之1種或2種以上組成之合金構成的上層，下層之厚度為0.05 μm以上，上層之厚度為0.005 μm以上且0.6 μm以下，於上層中，A構成元素/(A構成元素+B構成元素)[mass%](以下，稱為Sn+In比例)與鍍敷厚度[μm]之關係為鍍敷厚度≦8.2×(Sn+In比例)-0.66[此處，(Sn+In比例)≧10 mass%]。

Description

電子零件用金屬材料、使用其之連接器端子、連接器及電子零件
本發明係關於一種電子零件用金屬材料、使用其之連接器端子、連接器及電子零件。
於作為民生用及車載用電子機器用連接零件之連接器中，使用有對黃銅或磷青銅之表面實施有Ni或Cu之底層鍍敷，進而於其上實施有Sn或Sn合金鍍敷之材料。Sn或Sn合金鍍敷通常要求低接觸電阻及高焊料潤濕性之特性，進而，近年來亦要求減小藉由加壓加工使鍍敷材料成形而成之公端子及母端子接合時之插入力。又，於製造步驟中有時會於鍍敷表面產生引起短路等問題之針狀結晶即晶鬚，而亦必須良好地抑制該晶鬚。
相對於此，於專利文獻1中，揭示有一種電接點材料，其特徵在於具備：接點基材、形成於上述接點基材之表面且由Ni或Co或者兩者之合金構成的底層、及形成於上述底層之表面的Ag-Sn合金層；上述Ag-Sn合金層中之Sn之平均濃度未達10質量%，且上述Ag-Sn合金層中之Sn之濃度會以自與上述底層之界面至上述Ag-Sn合金層之表層部增大之濃度梯度變化。而且根據其內容，記載有如下情況：耐磨耗性、耐蝕性、加工性優異之電接點材料，以及可以極低價製造上述電接點材料。
又，於專利文獻2中，揭示有一種電氣電子零件用材料，其特徵在於：於至少表面由Cu或Cu合金構成之基體之上述表面，隔著由Ni或Ni合金層構成之中間層，形成有均含有Ag3Sn(ε相)化合物之厚度0.5~20 μm之由Sn層或Sn合金層構成的表面層。而且根據其內容，記載有 如下情況：目的在於提供一種電氣電子零件用材料與其製造方法、及使用該材料之電氣電子零件，上述電氣電子零件用材料其表面層之熔點較Sn低，焊接性優異，又不會產生晶鬚，焊接後所形成之接合部之接合強度較高，同時其接合強度亦不易於高溫下隨時間下降，故作為引線材料較佳，又，即便於高溫環境下使用時亦可抑制接觸電阻之上升，亦不會導致與對象材料之間之連接可靠性下降，因此作為接點材料亦較佳。
[專利文獻1]日本特開平4-370613號公報
[專利文獻2]日本特開平11-350189號公報
然而，於專利文獻1所記載之技術中，與近年來所要求之插入力之減小化或晶鬚產生之有無之關係並不明確。又，由於Ag-Sn合金層中之Sn之平均濃度未達10質量%，而Ag-Sn合金層中之Ag之比例相當多，故而對於氯氣、亞硫酸氣體、硫化氫等氣體之耐氣體腐蝕性不充分。
又，於專利文獻2所記載之技術中，為含有Ag3Sn(ε相)化合物之厚度0.5~20 μm之由Sn層或Sn合金層構成之表面層，與專利文獻1同樣地，於該厚度時無法使插入力充分地下降。進而亦記載有由Sn層或Sn合金層構成之表面層之Ag3Sn(ε相)之含量以Ag換算為0.5~5質量%，而留有如下問題：由Sn層或Sn合金層構成之表面層中之Sn之比例較多，而由Sn層或Sn合金層構成之表面層之厚度亦較厚，故而會產生晶鬚。
如此，先前之具有Sn-Ag合金/Ni底層鍍敷構造之電子零件用金屬材料於插拔性或晶鬚方面存在問題，關於耐久性(耐熱性、耐氣體腐蝕性、高焊料潤濕性、耐微滑動磨耗性等)，亦難以設為可充分滿足之規格，因而並未明確。
本發明係為了解決上述課題而完成者，其課題在於提供一種具有低插 拔性(所謂低插拔性係指使公端子與母端子接合時產生之插入力較低之情況)、低晶鬚性及高耐久性之電子零件用金屬材料、使用其之連接器端子、連接器及電子零件。
本發明人等進行了深入研究，結果發現：於基材上依序設置下層與上層，將特定金屬用於下層及上層，且形成特定之厚度或附著量及組成，藉此可製作低插拔性、低晶鬚性及高耐久性均具備之電子零件用金屬材料。
基於以上之見解而完成之本發明於一態樣中係一種電子零件用金屬材料，其低晶鬚性、低插拔性、耐微滑動磨耗性及耐氣體腐蝕性優異，具備基材、於上述基材上以選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu組成之群中之1種或2種以上構成的下層、及於上述下層上以由Sn及In(A構成元素)中之一者或兩者及Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir(B構成元素)中之1種或2種以上組成之合金構成的上層，上述下層之厚度為0.05 μm以上，上述上層之厚度為0.005 μm以上且0.6 μm以下，於上述上層中，A構成元素/(A構成元素+B構成元素)[mass%](以下，稱為Sn+In比例)與鍍敷厚度[μm]之關係為鍍敷厚度≦8.2×(Sn+In比例)-0.66[此處，(Sn+In比例)≧10 mass%]。
再者，於本發明中，Sn+In比例[mass%]排除0與100 mass%。
本發明之電子零件用金屬材料於另一態樣中係一種電子零件用金屬材料，其低晶鬚性、低插拔性、耐微滑動磨耗性及耐氣體腐蝕性優異，具備基材、於上述基材上以選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu組成之群中之1種或2種以上構成的下層、及於上述下層上以由Sn及In(A構成元素)中之一者或兩者及Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir(B構成元素)中之1種或2種以上組成之合金構成的上層，上述下層之鍍敷附著量為0.03 mg/cm2以上，上述上層之鍍敷附著量為7 μg/cm2以上且600 μg /cm2以下，於上述上層中，A構成元素/(A構成元素+B構成元素)[mass%](以下，稱為Sn+In比例)與鍍敷附著量[μg/cm2]之關係為鍍敷附著量≦8200×(Sn+In比例)-0.66[此處，(Sn+In比例)≧10 mass%]。
本發明之電子零件用金屬材料於一實施形態中，上述上層之鍍敷厚度為0.05 μm以上。
本發明之電子零件用金屬材料於另一實施形態中，上述上層之鍍敷附著量為40 μg/cm2以上。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述上層之Sn+In比例[mass%]與鍍敷厚度[μm]之關係為鍍敷厚度≧0.03×e0.015×(Sn+In比例)。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述上層之Sn+In比例[mass%]與鍍敷附著量[μg/cm2]之關係為鍍敷附著量≧27.8×e0.017×(Sn+In比例)。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述上層係於成膜上述B構成元素於上述下層後，成膜上述A構成元素，藉此利用上述A構成元素與B構成元素之擴散而形成。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述擴散係藉由熱處理而進行。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述上層中之A構成元素以Sn與In之合計為50 mass%以上，於上述上層中，進而含有選自由As、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn組成之群中之1種或2種以上的金屬作為合金成分。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述上層中之B構成元素以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir之合計為50 mass%以上，於上述上層中，進而含有選自由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、 Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及Zn組成之群中之1種或2種以上的金屬作為合金成分。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述下層之合金組成以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu之合計為50 mass%以上，進而含有選自由B、P、Sn及Zn組成之群中之1種或2種以上。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，自上述上層之表面測得的維氏硬度為Hv100以上。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，自上述上層之表面測得的壓痕硬度為1000 MPa以上。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，自上述上層之表面測得的維氏硬度為Hv1000以下。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，自上述上層之表面測得的壓痕硬度為10000 MPa以下。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述上層之表面的算術平均高度(Ra)為0.1 μm以下。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述上層之表面的最大高度(Rz)為1 μm以下。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述上層之表面的反射濃度為0.3以上。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，於利用XPS(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，表示上述上層之A構成元素Sn或In之原子濃度(at%)最高值的位置(D1)、表示上述上層之B構成元素Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir之原子濃度(at%)最高值的位置(D2)、表示上述下層之Ni、Cr、Mn、Fe、Co或Cu之原子濃度(at%)最高值的位置(D3)係自最表面以D1、D2、D3之順序存在。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，於利用XPS(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，上述上層之A構成元素Sn或In之原子濃度(at%)之最高值及上述上層之B構成元素Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir之原子濃度(at%)之最高值分別為10 at%以上，上述下層之Ni、Cr、Mn、Fe、Co或Cu之原子濃度(at%)為25%以上之深度為50 nm以上。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，於利用XPS(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，關於從最表面起0.02 μm之範圍內之原子濃度(at%)的比，A構成元素/(A+B)構成元素為0.1以上。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述下層之剖面的維氏硬度為Hv300以上。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述下層之剖面的壓痕硬度為2500 MPa以上。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述下層之剖面的維氏硬度為Hv1000以下。
本發明之電子零件用金屬材料於又一實施形態中，上述下層之表面的壓痕硬度為10000 MPa以下。
本發明於又一態樣中係一種連接器端子，其將本發明之電子零件用金屬材料用於接點部分。
本發明於又一態樣中係一種連接器，其使用有本發明之連接器端子。
本發明於又一態樣中係一種FFC端子，其將本發明之電子零件用金屬材料用於接點部分。
本發明於又一態樣中係一種FPC端子，其將本發明之電子 零件用金屬材料用於接點部分。
本發明於又一態樣中係一種FFC，其使用有本發明之FFC端子。
本發明於又一態樣中係一種FPC，其使用有本發明之FPC端子。
本發明於又一態樣中係一種電子零件，其將本發明之電子零件用金屬材料用於外部連接用電極。
本發明於又一態樣中係一種電子零件，其將本發明之電子零件用金屬材料用於壓入型端子，上述壓入型端子係如下之端子：於安裝於外殼之安裝部的一側及另一側分別設置有母端子連接部及基板連接部，將上述基板連接部壓入形成於基板之通孔而安裝於上述基板。
只要利用本發明，即可提供一種具有低插拔性、低晶鬚性及高耐久性之電子零件用金屬材料、使用其之連接器端子、連接器及電子零件。
10‧‧‧電子零件用金屬材料
11‧‧‧基材
12‧‧‧下層
13‧‧‧上層
圖1係表示本發明之實施形態之電子零件用金屬材料之構成的模式圖。
圖2係實施例17之XPS(X射線光電子光譜法)之Depth測定結果。
以下，對本發明之實施形態之電子零件用金屬材料進行說明。如圖1所示，實施形態之電子零件用金屬材料10中，於基材11之表面形成有下層12，於下層12之表面形成有上層13。
<電子零件用金屬材料之構成>
(基材)
作為基材11，並無特別限定，例如，可使用銅及銅合金、Fe系材料、 不鏽鋼、鈦及鈦合金、鋁及鋁合金等金屬基材。又，亦可為使樹脂層複合於金屬基材而成者。所謂使樹脂層複合於金屬基材而成者，舉例來說，有FPC或FFC基材上之電極部分等。
(上層)
上層13必須為以由Sn及In(A構成元素)中之一者或兩者及Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir(B構成元素)中之1種或2種以上組成之合金構成的合金。
Sn及In為具有氧化性之金屬，但具有在金屬中相對柔軟之特徵。由此，即便於Sn及In表面形成有氧化膜，於例如將電子零件用金屬材料作為接點材料而接合公端子與母端子時，亦可容易地削去氧化膜，而使接點成為金屬彼此，故可獲得低接觸電阻。
又，Sn及In對於氯氣、亞硫酸氣體、硫化氫氣體等氣體之耐氣體腐蝕性優異，例如，於將耐氣體腐蝕性較差之Ag用於上層13、將耐氣體腐蝕性較差之Ni用於下層12、將耐氣體腐蝕性較差之銅及銅合金用於基材11之情形時，具有提高電子零件用金屬材料之耐氣體腐蝕性之功能。再者，Sn及In中，由於根據厚生勞動省之關於健康障礙防止之技術方針，對In之規範較為嚴格，故較佳為Sn。
Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir具有在金屬中具有相對耐熱性之特徵。由此，抑制基材11或下層12之組成向上層13側擴散而提高耐熱性。又，該等金屬與上層13之Sn或In形成化合物而抑制Sn或In之氧化膜形成，從而提高焊料潤濕性。再者，於Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir中，就導電率之觀點而言，更理想為Ag。Ag之導電率較高。例如於將Ag用於高頻之信號用途之情形時，藉由集膚效應而使阻抗電阻變低。
上層13之厚度必須為0.005 μm以上且0.6 μm以下。若上層13之厚度未達0.005 μm，則耐氣體腐蝕性較差，當進行氣體腐蝕試驗時外觀會變 色。又，耐微滑動磨耗性亦較差，而接觸電阻增加。另一方面，若上層13之厚度超過0.6 μm，則Sn或In之凝著磨耗(adhesive wear)較大，又，來自較硬之基材11或下層之薄膜潤滑效果下降而使插拔力變大，亦產生晶鬚。
上層13之附著量必須為7 μg/cm2以上且600 μg/cm2以下。此處，對以附著量進行定義之理由進行說明。例如，於利用螢光X射線膜厚計測定上層13之厚度之情形時，存在如下情形：因形成於上層13與其下方之下層12之間之合金層，而導致測定之厚度之值產生誤差。另一方面，於以附著量進行控制之情形時，可不受合金層之形成狀況之影響，而進行更為準確之品質管理。
若上層13之附著量未達7 μg/cm2，則耐氣體腐蝕性較差，當進行氣體腐蝕試驗時外觀會變色。又，耐微滑動磨耗性亦較差，而接觸電阻增加。另一方面，若上層13之附著量超過600 μg/cm2，則Sn或In之凝著磨耗較大，又，來自較硬之基材11或下層之薄膜潤滑效果下降而使插拔力變大，亦產生晶鬚。
於上層中，A構成元素/(A構成元素+B構成元素)[mass%](以下，稱為Sn+In比例)與鍍敷厚度[μm]之關係必須為鍍敷厚度≦8.2×(Sn+In比例)-0.66[此處，(Sn+In比例)≧10 mass%]。若鍍敷厚度未進入該範圍內，則插入力較高且插拔性較差，而產生晶鬚，且耐微滑動磨耗性亦變差，耐氣體腐蝕性亦較差。
於上層中，A構成元素/(A構成元素+B構成元素)[mass%](以下，稱為Sn+In比例)與鍍敷附著量[μg/cm2]之關係必須為鍍敷附著量≦8200×(Sn+In比例)-0.66[此處，(Sn+In比例)≧10 mass%]。若鍍敷附著量未進入該範圍內，則插入力較高且插拔性較差，而產生晶鬚，且耐濕性亦較差，耐微滑動磨耗性亦變差。
上層13之厚度較佳為0.05 μm以上。若上層13之厚度未達0.05 μm， 則存在耐插拔性較差之情形，若進行反覆插拔，則存在上層被削去而接觸電阻升高之情形。
上層13之附著量較佳為40 μg/cm2以上。若上層13之附著量未達40 μg/cm2，則存在耐插拔性較差之情形，若進行反覆插拔，則存在上層被削去而接觸電阻升高之情形。
上層13之Sn+In比例[mass%]與鍍敷厚度[μm]之關係較佳為鍍敷厚度≧0.03×e0.015×(Sn+In比例)。若鍍敷厚度未進入該範圍內，則存在耐熱性及焊料潤濕性較差之情形。
上層13之Sn+In比例[mass%]與鍍敷附著量[μg/cm2]之關係較佳為鍍敷附著量≧27.8×e0.017×(Sn+In比例)。
若鍍敷附著量未進入該範圍內，則存在耐熱性及焊料潤濕性較差之情形。
上層13之A構成元素以Sn與In之合計為50 mass%以上，剩餘合金成分亦可由選自由Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn組成之群中之1種或2種以上的金屬構成。存在藉由該等金屬使低插拔性、低晶鬚性、及耐久性(耐熱性、耐氣體腐蝕性、焊料潤濕性等)等進一步提高之情形。
上層13之B構成元素以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir之合計為50 mass%以上，剩餘合金成分亦可由選自由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及Zn組成之群中之1種或2種以上的金屬構成。存在藉由該等金屬使低插拔性、低晶鬚性、及耐久性(耐熱性、耐氣體腐蝕性、焊料潤濕性等)等進一步提高之情形。
(下層)
在基材11與上層13之間必須形成以選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu組成之群中之1種或2種以上構成的下層12。藉由使用選自由Ni、Cr、 Mn、Fe、Co及Cu組成之群中之1種或2種以上的金屬形成下層12，而形成較硬之下層，藉此提高薄膜潤滑效果且提高低插拔性，下層12會防止基材11之構成金屬向上層13擴散，而抑制耐熱性試驗或耐氣體腐蝕性試驗後之接觸電阻增加及焊料潤濕性劣化等，從而提高耐久性。
下層12之厚度必須為0.05 μm以上。若下層12之厚度未達0.05 μm，則存在如下情形：來自較硬之下層之薄膜潤滑效果下降而使低插拔性變差，基材11之構成金屬變得易於向上層13擴散，而耐熱性試驗或耐氣體腐蝕性試驗後之接觸電阻易增加及焊料潤濕性易劣化等，從而耐久性變差。
下層12之Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu之附著量必須為0.03 mg/cm2以上。此處，對以附著量進行定義之理由進行說明。例如，於利用螢光X射線膜厚計測定下層12之厚度之情形時，存在如下情形：因與上層13及基材11等形成之合金層，而導致所測定之厚度之值產生誤差。另一方面，於以附著量進行控制之情形時，可不受合金層之形成狀況之影響，而進行更為準確之品質管理。若下層12之Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu之附著量未達0.03 mg/cm2，則存在如下情形：來自較硬之下層之薄膜潤滑效果下降而使低插拔性變差，基材11之構成金屬變得易於向上層13擴散，而耐熱性試驗或耐氣體腐蝕性試驗後之接觸電阻易增加及焊料潤濕性易劣化等，從而耐久性變差。
下層12之合金組成以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu之合計為50 mass%以上，亦可進而含有選自由B、P、Sn及Zn組成之群中之1種或2種以上。藉由下層12之合金組成成為此種構成，而使下層更為硬化，藉此薄膜潤滑效果進一步提高而提高低插拔性，且下層12之合金化進一步防止基材11之構成金屬向上層擴散，而抑制耐熱性試驗或耐氣體腐蝕性試驗後之接觸電阻增加及焊料潤濕性劣化等，從而提高耐久性。
(擴散處理)
上層13亦可為於成膜上述B構成元素於下層12後，成膜A構成元素，藉此利用A構成元素與B構成元素之擴散而形成者。例如於A構成元素為Sn、B構成元素為Ag之情形時，Ag向Sn之擴散迅速，藉由自然擴散而形成Sn-Ag合金層。藉由形成合金層而使Sn之凝著力變得更小，藉此獲得低插拔性，又，亦可進一步提高低晶鬚性及耐久性。
(熱處理)
使上層13形成後，為了提高低插拔性、低晶鬚性、耐久性(耐熱性、耐氣體腐蝕性、焊料潤濕性等)，亦可實施熱處理。藉由熱處理使上層13之A構成元素與B構成元素變得更易於形成合金層，而使Sn之凝著力變得更小，藉此可獲得低插拔性，又，亦可進一步提高低晶鬚性及耐久性。再者，關於該熱處理，可適當選擇處理條件(溫度×時間)。又，亦可不特別進行該熱處理。
(後處理)
亦可於上層13上，或於上層13上實施熱處理後，為了提高低插拔性或耐久性(耐熱性、耐氣體腐蝕性、焊料潤濕性等)而實施後處理。藉由後處理，使潤滑性提高，而可獲得更低之插拔性，又，上層13之氧化受到抑制，而可提高耐熱性、耐氣體腐蝕性及焊料潤濕性等耐久性。作為具體之後處理，有使用抑制劑之磷酸鹽處理、潤滑處理、矽烷偶合處理等。再者，關於該後處理，可適當選擇處理條件(溫度×時間)。又，亦可不特別進行該後處理。
<電子零件用金屬材料之特性>
自上層13之表面測得的維氏硬度較佳為Hv100以上。若上層13之表面之維氏硬度為Hv100以上，則藉由較硬之上層而提高薄膜潤滑效果，提高低插拔性。又，另一方面，上層13表面(自上層之表面測得)之維氏硬度較佳為Hv1000以下。若上層13之表面之維氏硬度為Hv1000以下，則彎 曲加工性提高，於對本發明之電子零件用金屬材料進行加壓成形之情形時，於成形之部分不易產生裂痕，而抑制耐氣體腐蝕性(耐久性)下降。
上層13之表面的壓痕硬度較佳為1000 MPa以上。若上層13之表面的壓痕硬度為1000 MPa以上，則藉由較硬之上層13而提高薄膜潤滑效果，提高低插拔性。又，另一方面，上層13之表面的壓痕硬度較佳為10000 MPa以下。若上層13之表面的壓痕硬度為10000 MPa以下，則彎曲加工性提高，於對本發明之電子零件用金屬材料進行加壓成形之情形時，於成形之部分不易產生裂痕，而抑制耐氣體腐蝕性(耐久性)下降。
上層13之表面之算術平均高度(Ra)較佳為0.1 μm以下。若上層13之表面之算術平均高度(Ra)為0.1 μm以下，則相對容易腐蝕之凸部變少而變得平滑，因此耐氣體腐蝕性提高。
上層13之表面之最大高度(Rz)較佳為1 μm以下。若上層13之表面之最大高度(Rz)為1 μm以下，則相對容易腐蝕之凸部變少而變得平滑，因此耐氣體腐蝕性提高。
上層13之表面之反射濃度較佳為0.3以上。若上層13之表面之反射濃度為0.3以上，則相對容易腐蝕之凸部變少而變得平滑，因此耐氣體腐蝕性提高。
下層12之維氏硬度較佳為Hv300以上。若下層12之維氏硬度為Hv300以上，則下層更加硬化，藉此進一步提高薄膜潤滑效果而提高低插拔性。又，另一方面，下層12之維氏硬度較佳為Hv1000以下。若下層12之維氏硬度為Hv1000以下，則彎曲加工性提高，於對本發明之電子零件用金屬材料進行加壓成形之情形時，於成形之部分不易產生裂痕，而抑制耐氣體腐蝕性(耐久性)下降。
下層12之壓痕硬度較佳為2500 MPa以上。若下層12之壓痕硬度為2500 MPa以上，則下層更加硬化，藉此進一步提高薄膜潤滑效果而提高低插拔 性。又，另一方面，下層12之壓痕硬度較佳為10000 MPa以下。若下層12之壓痕硬度為10000 MPa以下，則彎曲加工性提高，於對本發明之電子零件用金屬材料進行加壓成形之情形時，於成形之部分不易產生裂痕，而抑制耐氣體腐蝕性(耐久性)下降。
於利用XPS(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，表示上層13之A構成元素Sn或In之原子濃度(at%)最高值的位置(D1)、表示上層13之B構成元素Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir之原子濃度(at%)最高值的位置(D2)、表示下層12之Ni、Cr、Mn、Fe、Co或Cu之原子濃度(at%)最高值的位置(D3)較佳為自最表面以D1、D2、D3之順序存在。於自最表面並非以D1、D2、D3之順序存在之情形時，有如下之虞：無法獲得充分之耐氣體腐蝕性，當對電子零件用金屬材料進行氯氣、亞硫酸氣體、硫化氫氣體等氣體腐蝕試驗時其被腐蝕，而與氣體腐蝕試驗前相比接觸電阻大幅增加。
於利用XPS(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，上層13之A構成元素Sn或In之原子濃度(at%)的最高值及上層13之B構成元素Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir之原子濃度(at%)的最高值分別為10 at%以上，下層12之Ni、Cr、Mn、Fe、Co或Cu之原子濃度(at%)為25%以上之深度較佳為50 nm以上。於上層13之A構成元素Sn或In之原子濃度(at%)的最高值及上層13之B構成元素Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir之原子濃度(at%)的最高值分別未達10 at%，且下層12之Ni、Cr、Mn、Fe、Co或Cu之原子濃度(at%)為25 at%以上之深度未達50 nm之情形時，有基材成分向上層13擴散而使低插拔性或耐久性(耐熱性、耐氣體腐蝕性、焊料潤濕性等)變差之虞。
於利用XPS(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，關於從最表面起0.02 μm之範圍內之原子濃度(at%)的比，較理想為A構成元素/(A+B) 構成元素為0.1以上。若未達0.1，則有如下之虞：當進行氯氣、亞硫酸氣體、硫化氫氣體等氣體腐蝕試驗時發生腐蝕，而與氣體腐蝕試驗前相比外觀大幅變色。
<電子零件用金屬材料之用途>
本發明之電子零件用金屬材料之用途並無特別限定，例如可列舉將電子零件用金屬材料用於接點部分之連接器端子、將電子零件用金屬材料用於接點部分之FFC端子或FPC端子、將電子零件用金屬材料用於外部連接用電極之電子零件等。再者，關於端子，壓接端子、焊接端子、壓入配合端子等並不取決於與配線側之接合方法。就外部連接用電極而言，有對片(tab)實施有表面處理之連接零件、或實施有表面處理用於半導體之凸塊下金屬(Under Bump Metal)之材料等。
又，既可使用以上述方式形成之連接器端子而製作連接器，亦可使用FFC端子或FPC端子而製作FFC或FPC。
又，本發明之電子零件用金屬材料亦可用於壓入型端子，上述壓入型端子係如下之端子：於安裝於外殼之安裝部的一側及另一側分別設置有母端子連接部及基板連接部，將該基板連接部壓入形成於基板之通孔而安裝於該基板。
連接器上，既可公端子與母端子之兩者為本發明之電子零件用金屬材料，亦可僅公端子或母端子中之一者為本發明之電子零件用金屬材料。再者，藉由將公端子與母端子之兩者設為本發明之電子零件用金屬材料，而進一步提高低插拔性。
<電子零件用金屬材料之製造方法>
作為本發明之電子零件用金屬材料之製造方法，可使用濕式(電氣、無電解)鍍敷、乾式(濺鍍、離子鍍等)鍍敷等。
[實施例]
以下，將本發明之實施例與比較例一併表示，但該等係為了更好地理解本發明而提供者，並非意欲限定本發明。
作為實施例及比較例，於以下之表1~6所示之條件下分別製作藉由依序設置基材、下層、上層並進行熱處理而形成之試樣。
分別於表1中表示基材之製作條件，於表2中表示下層之製作條件，於表3中表示上層之製作條件，於表4中表示熱處理條件。又，分別於表5(表5-1、表5-2、表5-3)中表示各實施例中所使用之各層之製作條件及熱處理之條件，於表6中表示各比較例中所使用之各層之製作條件及熱處理之條件。
(厚度之測定)
上層、下層之厚度係對不具有上層、下層之元素之基材分別實施表面處理，且分別利用螢光X射線膜厚計(Seiko Instruments製造之SEA5100，準直器0.1 mmΦ)測定實際之厚度。例如，於鍍Sn之情形時，若基材為Cu-10質量%Sn-0.15質量%P，則由於基材中具有Sn而未知準確之鍍Sn之厚度，因此利用基材之組成中不具有Sn之Cu-30質量%Zn來測定厚度。
(附著量之測定)
利用硫酸或硝酸等使各試樣酸解，並藉由ICP(感應耦合電漿)發射光譜分析測定各金屬之附著量。再者，具體所使用之酸視具有各自之樣品之組成而不同。
(組成之決定)
基於測得之附著量而算出各金屬之組成。
(層構造之決定)
所獲得之試樣之層構造係由藉由XPS(X射線光電子光譜法)分析而得之深度(Depth)分佈決定。分析之元素為上層、下層之組成與C及O。將該等元素設為指定元素。又，將指定元素之合計設為100%，而分析各元素之濃度(at%)。XPS(X射線光電子光譜法)分析中之厚度，係對應於分析之圖之橫軸的距離(以SiO2換算之距離)。
又，所獲得之試樣之表面亦利用XPS(X射線光電子光譜法)分析之Survey測定進行定性分析。定性分析之濃度之解析度設為0.1 at%。
作為XPS裝置，使用ULVAC-PHI股份有限公司製造之5600MC，設為極限真空：5.7×10-9 Torr、激發源：單色化AlK α、輸出：210 W、檢測面積：800 μmΦ、入射角：45度、掠出角：45度、無中和槍，並於以下之濺鍍條件下進行測定。
離子種類：Ar+
加速電壓：3 kV
掃描區域：3 mm×3 mm
速率：2.8 nm/min.(SiO2換算)
(評價)
對各試樣進行以下評價。
A.插拔力
插拔力係使用市售之回焊鍍Sn母端子(090型住友TS/矢崎090II系列母端子非防水/F090-SMTS)，與實施例及比較例之經鍍敷之公端子進行插拔試驗，藉此進行評價。
試驗中所使用之測定裝置為Aikoh Engineering製造之1311NR，且以公銷釘之滑動距離5 mm進行評價。將樣品數設為5個，由於插入力與拔去力同等，故插拔力係採用對各樣品之最大插入力之值加以平均所得之值。作為插拔力之對照材，採用比較例1之樣品。
插拔力之目標與比較例1之最大插拔力相比未達85%。比較例2與比較例1之最大插入力相比為90%，其以相較於比較例2使插拔力更大幅地減小為目標。
B.晶鬚
晶鬚係藉由JEITA RC-5241之荷重試驗(球壓頭法)進行評價。即，對各樣品進行荷重試驗，並利用SEM(JEOL公司製造，型式JSM-5410)以100~10000倍之倍率觀察荷重試驗結束後之樣品，而觀察晶鬚之產生狀況。以下表示荷重試驗條件。
球壓頭之直徑：Φ1 mm±0.1 mm
試驗荷重：2 N±0.2 N
試驗時間：120小時
樣品數：10個
作為目標之特性係不產生長度20 μm以上之晶鬚，但作為最大之目標，設為1條晶鬚都不產生。
C.接觸電阻
接觸電阻係使用山崎精機研究所製造之接點模擬器CRS-113-Au型，於接點荷重50 g之條件下利用4端子法進行測定。將樣品數設為5個，採用各樣品之最小值至最大值之範圍。作為目標之特性係接觸電阻10 mΩ以下。
D.耐熱性
耐熱性係測定大氣加熱(155℃×1000 h)試驗後之樣品之接觸電阻而進行評價。作為目標之特性係接觸電阻10 mΩ以下，但作為最大之目標，設為接觸電阻於耐熱性試驗前後未產生變化(同等)。
E.插拔性
利用針對插入力記載之方法進行10次插拔試驗，以插拔試驗後之接觸電阻進行評價。作為目標之特性係接觸電阻10 mΩ以下。
F.耐微滑動磨耗性
耐微滑動磨耗性係使用山崎精機研究所製造之精密滑動試驗裝置CRS-G2050型，於滑動距離0.5 mm、滑動速度1 mm/s、接觸荷重1 N、滑動次數500來回之條件下對滑動次數與接觸電阻之關係進行評價。樣品數係設為5個，且採用各樣品之最小值至最大值之範圍。作為目標之特性係滑動次數100次時接觸電阻為50 mΩ以下。
G.耐氣體腐蝕性
耐氣體腐蝕性係於下述試驗環境下進行評價。耐氣體腐蝕性之評價係已結束環境試驗之試驗後之樣品的外觀與接觸電阻。再者，作為目標之特性係外觀未變色與試驗後之接觸電阻為10 mΩ以下。
硫化氫氣體腐蝕試驗
硫化氫濃度：10 ppm
溫度：40℃
濕度：80%RH
曝露時間：96 h
樣品數：5個
H.焊料潤濕性
焊料潤濕性係對鍍敷後之樣品進行評價。使用焊料測試儀(Rhesca公司製造之SAT-5000)，並使用市售之25%松香甲醇焊劑作為焊劑，利用彎面(meniscograph)法測定焊料潤濕時間。焊料係使用Sn-3Ag-0.5Cu(250℃)。樣品數係設為5個，且採用各樣品之最小值至最大值之範圍。作為目標之特性係零交叉時間(Zero cross time)5秒(s)以下。
I.彎曲加工性
彎曲加工性係使用W字型之模具，於試樣之板厚與彎曲半徑之比為1之條件下彎曲90°進行評價。評價係利用光學顯微鏡觀察彎曲加工部表面，於未觀察到裂痕之情形之判斷為實用上不存在問題之情形時設為○，將發現裂痕之情形設為×。
J.維氏硬度
上層之維氏硬度係自樣品表面以荷重980.7 mN(Hv0.1)、荷重保持時間15秒扎入箭形物而進行測定。
又，下層之維氏硬度係自下層剖面以荷重980.7 mN(Hv0.1)、荷重保持時間15秒扎入箭形物而進行測定。
K.壓痕硬度
上層之壓痕硬度係藉由超微小硬度試驗(Elionix製造之ENT-2100)，於樣品表面以荷重0.1 mN扎入箭形物而進行測定。
又，下層之壓痕硬度係自下層剖面以荷重980.7 mN(Hv0.1)、荷重保持 時間15秒扎入箭形物而進行測定。
L.表面粗糙度
表面粗糙度(算術平均高度(Ra)及最大高度(Rz))之測定係依據JIS B 0601，使用非接觸式三維測定裝置(三鷹光器公司製造，型式NH-3)而進行。截止點為0.25 mm，測定長度為1.50 mm，且平均每個試樣測定5次。
M.反射濃度
反射濃度係使用濃度計(ND-1，日本電色工業公司製造)進行測定。
實施例1~89係低插拔性、低晶鬚性及高耐久性之任一者均優異之電子零件金屬材料。
比較例1係對照材。
比較例2係使比較例1之對照材之鍍Sn變薄而製作者，但產生有長度20 μm以上之晶鬚。又，耐微滑動磨耗性較差且接觸電阻增加。
比較例3係與比較例2相比未實施熱處理而製作者，但產生有長度20 μm以上之晶鬚。又，耐微滑動磨耗性較差且接觸電阻增加。
比較例4係與比較例1相比對下層實施鍍Cu而製作者，但產生有長度20 μm以上之晶鬚。又，耐微滑動磨耗性較差且接觸電阻增加。
比較例5係與比較例1之對照材相比對下層較厚地實施鍍Ni而製作者，但與比較例1相比，特性未變化。
比較例6中，上層之Sn+In之比例為10 mass%以下，因此耐氣體腐蝕性較差。
比較例7亦與比較例6同樣地耐氣體腐蝕性較差。
比較例8中，由於鍍敷厚度較8.2×(Sn+In比例)-0.66厚，故插拔力高於目標，而產生有長度20 μm以上之晶鬚。
比較例9中，由於未實施下層之鍍敷，故插入力高於目標。
比較例10中，由於未實施上層之鍍敷，故耐微滑動磨耗性較差且接觸電阻增加。又，耐氣體腐蝕性亦較差。
比較例11中，由於下層之鍍敷極薄，故插拔力高於目標。
比較例12中，由於上層之鍍敷極薄，故耐微滑動磨耗性較差且接觸電阻增加。又，耐氣體腐蝕性亦較差。
比較例13中，由於上層之鍍敷厚度超過0.6 μm，且鍍敷厚度較8.2×(Sn+In比例)-0.66厚，故產生有20 μm以上之晶鬚，且插拔力高於目標。
比較例14中，由於上層之鍍敷厚度超過0.6 μm，且鍍敷厚度較8.2×(Sn+In比例)-0.66厚，故產生有20 μm以上之晶鬚，且插拔力高於目標。
比較例15中，由於上層之鍍敷厚度較8.2×(Sn+In比例)-0.66厚，故產生有20 μm以上之晶鬚，插拔力高於目標，且耐微滑動磨耗試驗後之接觸電阻較高。
比較例16中，由於上層之鍍敷厚度較8.2×(Sn+In比例)-0.66厚，故產生有20 μm以上之晶鬚，插拔力高於目標，且耐微滑動磨耗試驗後之接觸電阻較高。
比較例17中，由於下層之鍍敷極薄，故於利用XPS(X射線光電子光譜法)之Depth測定中下層之Ni、Cr、Mn、Fe、Co或Cu之原子濃度(at%)為25%以上的深度較目標薄，因此插拔力高於目標。
比較例18係與實施例17相比，使Sn與Ag之鍍敷順序顛倒而製作者，於利用XPS(X射線光電子光譜法)之Depth測定中，表示上層A構成元素Sn或In之原子濃度(at%)最高值的位置(D1)、表示上層B構成元素Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir之原子濃度(at%)最高值的位置(D2)係以D2、D1之順序存在，因此耐氣體腐蝕性較差。
比較例19中，由於上層中不存在B構成元素，而上層之B構成元素Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir之原子濃度(at%)之最高值為目標以下，故耐熱性較差。
比較例20係對上層極薄地實施鍍Sn而製作者，於利用XPS(X射線光電子光譜法)之Depth測定中，表示上層之Sn或In之原子濃度(at%)最高值的位置(D1)為10 at%以下，因而耐氣體腐蝕性較差。
比較例21中，由於上層之Sn+In之比例為10 mass%以下，於利用XPS(X射線光電子光譜法)之Depth測定中從最表面起0.02 μm之範圍內A構成元素[at%]/(A層+B層)構成元素[at%]未達0.1，且A構成元素之比 例非常少，不存在Ag3Sn而存在Ag相，因此耐氣體腐蝕性較差。
比較例22亦因與比較例21相同之理由而耐氣體腐蝕性較差。
又，於圖2中表示實施例17之XPS(X射線光電子光譜法)之Depth測定結果。由圖2可知：表示上層之Sh或In之原子濃度(at%)最高值的位置(D1)、表示Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir之原子濃度(at%)最高值的位置(D2)係以D1、D2之順序存在，且D1為35 at%，D2為87%。又，關於從最表面起0.02 μm之範圍內之原子濃度(at%)的比，可知A構成元素/(A+B)構成元素為0.1以上。即，於該範圍內，A構成元素(Sn)之最低濃度為10 at%，而此時之B構成元素(Ag)之濃度為90 at%，A構成元素/(A+B)構成元素成為0.1。
10‧‧‧電子零件用金屬材料
11‧‧‧基材
12‧‧‧下層
13‧‧‧上層

Claims (33)

  1. 一種電子零件用金屬材料，其低晶鬚性、低插拔性、耐微滑動磨耗性及耐氣體腐蝕性優異，具備：基材、於該基材上以選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu組成之群中之1種或2種以上構成的下層、及於該下層上以由Sn及In(A構成元素)中之一者或兩者及Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir(B構成元素)中之1種或2種以上組成之合金構成的上層；該下層之厚度為0.05 μm以上；該上層之厚度為0.005 μm以上且0.6 μm以下；於該上層中，A構成元素/(A構成元素+B構成元素)[mass%](以下，稱為Sn+In比例)與鍍敷厚度[μm]之關係為鍍敷厚度≦8.2×(Sn+In比例)-0.66[此處，(Sn+In比例)≧10 mass%]。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件用金屬材料，其耐插拔性優異，該上層之鍍敷厚度為0.05 μm以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之電子零件用金屬材料，其耐熱性及焊料潤濕性優異，該上層之Sn+In比例[mass%]與鍍敷厚度[μm]之關係為鍍敷厚度≧0.03×e0.015×(Sn+In比例)。
  4. 一種電子零件用金屬材料，其低晶鬚性、低插拔性、耐微滑動磨耗性及耐氣體腐蝕性優異，具備：基材、於該基材上以選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu組成之群中之1種或2種以上構成的下層、及於該下層上以由Sn及In(A構成元素)中之一者或兩者及Ag、Au、 Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir(B構成元素)中之1種或2種以上組成之合金構成的上層；該下層之鍍敷附著量為0.03 mg/cm2以上；該上層之鍍敷附著量為7 μg/cm2以上且600 μg/cm2以下；於該上層中，A構成元素/(A構成元素+B構成元素)[mass%](以下，稱為Sn+In比例)與鍍敷附著量[μg/cm2]之關係為鍍敷附著量≦8200×(Sn+In比例)-0.66[此處，(Sn+In比例)≧10 mass%]。
  5. 如申請專利範圍第4項之電子零件用金屬材料，其耐插拔性優異，該上層之鍍敷附著量為40 μg/cm2以上。
  6. 如申請專利範圍第4項之電子零件用金屬材料，其耐熱性及焊料潤濕性優異，該上層之Sn+In比例[mass%]與鍍敷附著量[μg/cm2]之關係為鍍敷附著量≧27.8×e0.017×(Sn+In比例)。
  7. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，該上層係於成膜該B構成元素於該下層後，成膜該A構成元素，藉此利用該A構成元素與B構成元素之擴散而形成。
  8. 如申請專利範圍第7項之電子零件用金屬材料，其中，該擴散係藉由熱處理而進行。
  9. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，該上層中之A構成元素以Sn與In之合計為50 mass%以上，於該上層中，進而含有選自由As、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn組成之群中之1種或2種以上的金屬作為合金成分。
  10. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，該上層中之B構成元素以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir之合計為50 mass%以上，於該上層中，進而含有選自由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、 Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及Zn組成之群中之1種或2種以上的金屬作為合金成分。
  11. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，該下層之合金組成以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu之合計為50 mass%以上，進而含有選自由B、P、Sn及Zn組成之群中之1種或2種以上。
  12. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其自該上層之表面測得的維氏硬度為Hv100以上。
  13. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其自該上層之表面測得的壓痕硬度為1000 MPa以上。
  14. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其自該上層之表面測得的維氏硬度為Hv1000以下，具有高彎曲加工性。
  15. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其自該上層之表面測得的壓痕硬度為10000 MPa以下，具有高彎曲加工性。
  16. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，該上層之表面的算術平均高度(Ra)為0.1 μm以下。
  17. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，該上層之表面的最大高度(Rz)為1 μm以下。
  18. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，該上層之表面的反射濃度為0.3以上。
  19. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，於利用XPS(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，表示該上層之A構成元素Sn或In之原子濃度(at%)最高值的位置(D1)、表示該上層之B構成元素Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir之原子濃度(at%)最高值的位置(D2)、表示該下層之Ni、Cr、Mn、Fe、Co或Cu之原子濃度(at%)最高值的位置(D3)係自最表面以D1、D2、D3之順序存在。
  20. 如申請專利範圍第19項之電子零件用金屬材料，其中，於利用XPS(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，該上層之A構成元素Sn或In之原子濃度(at%)的最高值及該上層之B構成元素Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir之原子濃度(at%)的最高值分別為10 at%以上，該下層之Ni、Cr、Mn、Fe、Co或Cu之原子濃度(at%)為25%以上的深度為50 nm以上。
  21. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，於利用XPS(X射線光電子光譜法)進行Depth分析時，關於從最表面起0.02 μm之範圍內之原子濃度(at%)的比，A構成元素/(A+B)構成元素為0.1以上。
  22. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，該下層之剖面的維氏硬度為Hv300以上。
  23. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其中，該下層之剖面之壓痕硬度為2500 MPa以上。
  24. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其具有高彎曲加工性，該下層之剖面的維氏硬度為Hv1000以下。
  25. 如申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料，其具有高彎曲加工性，該下層之表面的壓痕硬度為10000 MPa以下。
  26. 一種連接器端子，其將申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料用於接點部分。
  27. 一種連接器，其使用有申請專利範圍第26項之連接器端子。
  28. 一種FFC端子，其將申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料用於接點部分。
  29. 一種FPC端子，其將申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料用於接點部分。
  30. 一種FFC，其使用有申請專利範圍第28項之FFC端子。
  31. 一種FPC，其使用有申請專利範圍第29項之FPC端子。
  32. 一種電子零件，其將申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料用於外部連接用電極。
  33. 一種電子零件，其將申請專利範圍第1或4項之電子零件用金屬材料用於壓入型端子，該壓入型端子係如下之端子：於安裝於外殼之安裝部的一側及另一側分別設置有母端子連接部及基板連接部，將該基板連接部壓入形成於基板之通孔而安裝於該基板。
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