JP2001053210A - リードフレーム、その外装めっきの製造方法、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム、その外装めっきの製造方法、及び、半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低コストで環境問題に対応するＰＰＦ及びそ
の外装めっきの製造方法を提供する。 【解決手段】 外装めっきとして形成する合金を、Ｓｎ
−Ｐｂに代えて、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂ
ｉ、又は、Ｓｎ−Ｉｎのいずれかの合金を用いるＰＰＦ
は、低コストで環境問題に対応することができる。ま
た、外装めっきを形成する際に、合金めっき処理に代え
て、複数の単金属めっき層を熱処理して合金化するＰＰ
Ｆの製造方法では、工程管理が容易となる。
の外装めっきの製造方法を提供する。 【解決手段】 外装めっきとして形成する合金を、Ｓｎ
−Ｐｂに代えて、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂ
ｉ、又は、Ｓｎ−Ｉｎのいずれかの合金を用いるＰＰＦ
は、低コストで環境問題に対応することができる。ま
た、外装めっきを形成する際に、合金めっき処理に代え
て、複数の単金属めっき層を熱処理して合金化するＰＰ
Ｆの製造方法では、工程管理が容易となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム、
その外装めっきの製造方法、及び、半導体装置の製造方
法に関し、より詳細には、リードフレーム、その外装め
っきの製造方法、及び、半導体装置における製造方法の
低コスト化や環境問題対策に関するものである。
その外装めっきの製造方法、及び、半導体装置の製造方
法に関し、より詳細には、リードフレーム、その外装め
っきの製造方法、及び、半導体装置における製造方法の
低コスト化や環境問題対策に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】モールドＩＣの組立てに用いられるリー
ドフレーム（以下、Ｌ／Ｆと呼ぶ）には、ＩＣチップと
の間でボンデイングするための内装めっき、及び、ＩＣ
の外部回路と接続するための外装めっきが必要である。
図５は、従来のモールドＩＣの組立て工程のフローチャ
ートである。従来のモールドＩＣの組立て工程は、内装
Ａｇめっきをする内装Ａｇめっき工程１０１、ＩＣチッ
プを載せるチップマウント工程１０２、ＩＣチップに金
線を接続するワイヤボンディング工程１０３、ＩＣチッ
プ全体を封入する樹脂封入工程１０４、外装Ｓｎ−Ｐｂ
めっきをする外装Ｓｎ−Ｐｂめっき工程１０５、ＩＣを
個々に切り離す仕上げ工程１０６、及び、ＩＣをテスト
し選別する選別工程１０７をこの順に有する。同図の内
装Ａｇめっき工程１０１は、Ｌ／Ｆメーカが担当し、チ
ップマウント工程１０２、ワイヤボンディング工程１０
３、及び、樹脂封入工程１０４は、半導体メーカが担当
し、外装Ｓｎ−Ｐｂめっき工程１０５は、めっき業者が
担当し、仕上げ工程１０６、及び、選別工程１０７は、
半導体メーカが担当する。
ドフレーム（以下、Ｌ／Ｆと呼ぶ）には、ＩＣチップと
の間でボンデイングするための内装めっき、及び、ＩＣ
の外部回路と接続するための外装めっきが必要である。
図５は、従来のモールドＩＣの組立て工程のフローチャ
ートである。従来のモールドＩＣの組立て工程は、内装
Ａｇめっきをする内装Ａｇめっき工程１０１、ＩＣチッ
プを載せるチップマウント工程１０２、ＩＣチップに金
線を接続するワイヤボンディング工程１０３、ＩＣチッ
プ全体を封入する樹脂封入工程１０４、外装Ｓｎ−Ｐｂ
めっきをする外装Ｓｎ−Ｐｂめっき工程１０５、ＩＣを
個々に切り離す仕上げ工程１０６、及び、ＩＣをテスト
し選別する選別工程１０７をこの順に有する。同図の内
装Ａｇめっき工程１０１は、Ｌ／Ｆメーカが担当し、チ
ップマウント工程１０２、ワイヤボンディング工程１０
３、及び、樹脂封入工程１０４は、半導体メーカが担当
し、外装Ｓｎ−Ｐｂめっき工程１０５は、めっき業者が
担当し、仕上げ工程１０６、及び、選別工程１０７は、
半導体メーカが担当する。
【０００３】図５の組立て工程では、外装Ｓｎ−Ｐｂめ
っき工程１０５をめっき業者が担当するので、工程１０
２〜工程１０７を連続して同一の生産ラインでは行うこ
とができない。このため、搬送に要する時間やコストが
増加し、生産の合理化や品質管理をする上で、障害にな
るという欠点を有していた。また、樹脂封入されたＩＣ
チップは、外装Ｓｎ−Ｐｂめっき工程１０５で、酸やア
ルカリに浸漬されるため、ＰＫＧ吸湿や薬品残査の可能
性がある。
っき工程１０５をめっき業者が担当するので、工程１０
２〜工程１０７を連続して同一の生産ラインでは行うこ
とができない。このため、搬送に要する時間やコストが
増加し、生産の合理化や品質管理をする上で、障害にな
るという欠点を有していた。また、樹脂封入されたＩＣ
チップは、外装Ｓｎ−Ｐｂめっき工程１０５で、酸やア
ルカリに浸漬されるため、ＰＫＧ吸湿や薬品残査の可能
性がある。
【０００４】上記欠点を克服するため、Ｌ／Ｆメーカ
は、半導体メーカに出荷する際に、内装Ａｇめっき工程
１０１、及び、外装Ｓｎ−Ｐｂめっき工程１０５を予め
行った外装めっき済みリードフレーム（Ｐｒｅ−Ｐｌａ
ｔｅｄ Ｆｒａｍｅ、以下、ＰＰＦと呼ぶ）を製造する
ことで対応している。このＰＰＦによって、半導体メー
カは、工程１０２、工程１０３、工程１０４、工程１０
６、工程１０７を連続して同一の生産ラインで行うこと
ができる。例えば、特公平０１−０００８１８号公報に
は、このような従来のＰＰＦに関する技術が掲載されて
いる。この技術では、外装めっきにＳｎ−Ｐｂを用いる
Ｓｎ−Ｐｂめっき、及び、Ｃｕ素材にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ
をめっきするＰｄめっきが実用化されている。
は、半導体メーカに出荷する際に、内装Ａｇめっき工程
１０１、及び、外装Ｓｎ−Ｐｂめっき工程１０５を予め
行った外装めっき済みリードフレーム（Ｐｒｅ−Ｐｌａ
ｔｅｄ Ｆｒａｍｅ、以下、ＰＰＦと呼ぶ）を製造する
ことで対応している。このＰＰＦによって、半導体メー
カは、工程１０２、工程１０３、工程１０４、工程１０
６、工程１０７を連続して同一の生産ラインで行うこと
ができる。例えば、特公平０１−０００８１８号公報に
は、このような従来のＰＰＦに関する技術が掲載されて
いる。この技術では、外装めっきにＳｎ−Ｐｂを用いる
Ｓｎ−Ｐｂめっき、及び、Ｃｕ素材にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ
をめっきするＰｄめっきが実用化されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｓｎ−Ｐｂめ
っきは、めっき性能は優れているものの、Ｐｂによる環
境汚染の観点からＰｂを代替金属に変える必要がある。
しかし、現在利用できる代替金属は融点が低いので低温
の組立て工程が要求され、また、機械的強度が小さい
（ビッカース硬度が約１０）という欠点がある。また、
Ｐｄめっきは、金属Ｐｄパラジウム（レアメタル）の生
産地が限られ、安定供給に不安があり、高コストでもあ
る。
っきは、めっき性能は優れているものの、Ｐｂによる環
境汚染の観点からＰｂを代替金属に変える必要がある。
しかし、現在利用できる代替金属は融点が低いので低温
の組立て工程が要求され、また、機械的強度が小さい
（ビッカース硬度が約１０）という欠点がある。また、
Ｐｄめっきは、金属Ｐｄパラジウム（レアメタル）の生
産地が限られ、安定供給に不安があり、高コストでもあ
る。
【０００６】本発明は、上記したような従来の技術が有
する問題点を解決するためになされたものであり、低コ
ストで環境問題に対応するＰＰＦ及びその外装めっきの
製造方法を提供することを目的とする。
する問題点を解決するためになされたものであり、低コ
ストで環境問題に対応するＰＰＦ及びその外装めっきの
製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のリードフレームは、アイランドを含む内装
領域に内装めっきが形成され、アウタリードを含む外装
領域に外装めっきが形成されたリードフレームにおい
て、前記内装めっきがＡｇであり前記外装めっきがＳｎ
−Ａｇであることを特徴とする。
め、本発明のリードフレームは、アイランドを含む内装
領域に内装めっきが形成され、アウタリードを含む外装
領域に外装めっきが形成されたリードフレームにおい
て、前記内装めっきがＡｇであり前記外装めっきがＳｎ
−Ａｇであることを特徴とする。
【０００８】本発明のリードフレームは、外装めっきに
安定供給が可能なＰｂの代替金属としてＡｇを用いたこ
とで、低コストで環境問題に対応することができる。
安定供給が可能なＰｂの代替金属としてＡｇを用いたこ
とで、低コストで環境問題に対応することができる。
【０００９】本発明のリードフレームは、前記外装めっ
き中におけるＡｇのＳｎに対する重量比が２〜４％であ
ることが好ましい。この場合、外装めっきのぬれ性と組
立て性を向上できる。
き中におけるＡｇのＳｎに対する重量比が２〜４％であ
ることが好ましい。この場合、外装めっきのぬれ性と組
立て性を向上できる。
【００１０】また、本発明のリードフレームでは、前記
外装めっきをＳｎ−Ａｇに代えてＳｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂ
ｉ、Ｓｎ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｚｎ、又は、Ｓｎ−Ｓｂのいず
れかとすることができる。
外装めっきをＳｎ−Ａｇに代えてＳｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂ
ｉ、Ｓｎ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｚｎ、又は、Ｓｎ−Ｓｂのいず
れかとすることができる。
【００１１】前記外装めっき中におけるＣｕのＳｎに対
する重量比が０．２〜５％であることも本発明の好まし
い態様である。この場合、外装めっきのぬれ性を向上で
きる。
する重量比が０．２〜５％であることも本発明の好まし
い態様である。この場合、外装めっきのぬれ性を向上で
きる。
【００１２】また、本発明のリードフレームの外装めっ
きの製造方法は、アウタリードを含む外装領域に複数の
単金属めっき層を形成するステップと、前記複数の単金
属めっき層を熱処理により合金化し外装めっきを形成す
るステップとを有することを特徴とする。
きの製造方法は、アウタリードを含む外装領域に複数の
単金属めっき層を形成するステップと、前記複数の単金
属めっき層を熱処理により合金化し外装めっきを形成す
るステップとを有することを特徴とする。
【００１３】本発明のリードフレームの外装めっきの製
造方法は、合金めっき材料を利用しためっき処理に代え
て、複数の単金属めっき層を形成した後に、この複数の
単金属めっき層を融合して合金化することにより外装め
っきを形成するので、めっき処理の管理が容易となり、
更に低コストのＰＰＦが製造できる。
造方法は、合金めっき材料を利用しためっき処理に代え
て、複数の単金属めっき層を形成した後に、この複数の
単金属めっき層を融合して合金化することにより外装め
っきを形成するので、めっき処理の管理が容易となり、
更に低コストのＰＰＦが製造できる。
【００１４】更に、本発明の半導体装置の製造方法で
は、本発明のリードフレームの製造方法で製造されたリ
ードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、
チップマウント及びワイヤボンディングの作業完了後に
行う樹脂封入工程以降に、ケミカルエッチング又はメデ
ィアホーニングすることを特徴とする。この場合、めっ
き表面の再度活性化が可能となる。
は、本発明のリードフレームの製造方法で製造されたリ
ードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、
チップマウント及びワイヤボンディングの作業完了後に
行う樹脂封入工程以降に、ケミカルエッチング又はメデ
ィアホーニングすることを特徴とする。この場合、めっ
き表面の再度活性化が可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】ＰＰＦの説明に先立って、半導体
メーカが行うＩＣ製造工程について説明する。ＩＣ製造
工程は、シリコン・ウエーハ上にＩＣ回路を作り込む前
工程、及び、ＩＣを包装し出荷するまでの後工程を有す
る。後工程は、シリコン・ウエーハを個々のＩＣに切り
分けるダイシング工程、ＩＣチップをＬ／Ｆ上に載せる
マウント工程、ＩＣチップの電極とＬ／Ｆのリードを金
線で接続するボンディング工程、モールド樹脂でＩＣチ
ップを封入する封入工程、Ｌ／Ｆから個々のＩＣを切り
離し商標や品名を捺印する仕上げ工程、ＩＣの電気的特
性を測定し選別する選別工程、及び、特性や外観、信頼
性を検査する検査工程をこの順に有する。モールドＩＣ
の組立て工程は、この後工程の中に含まれ、半導体メー
カがＰＰＦを必要とするのは、マウント工程である。
メーカが行うＩＣ製造工程について説明する。ＩＣ製造
工程は、シリコン・ウエーハ上にＩＣ回路を作り込む前
工程、及び、ＩＣを包装し出荷するまでの後工程を有す
る。後工程は、シリコン・ウエーハを個々のＩＣに切り
分けるダイシング工程、ＩＣチップをＬ／Ｆ上に載せる
マウント工程、ＩＣチップの電極とＬ／Ｆのリードを金
線で接続するボンディング工程、モールド樹脂でＩＣチ
ップを封入する封入工程、Ｌ／Ｆから個々のＩＣを切り
離し商標や品名を捺印する仕上げ工程、ＩＣの電気的特
性を測定し選別する選別工程、及び、特性や外観、信頼
性を検査する検査工程をこの順に有する。モールドＩＣ
の組立て工程は、この後工程の中に含まれ、半導体メー
カがＰＰＦを必要とするのは、マウント工程である。
【００１６】以下、本発明の実施形態例のリードフレー
ムについて図面を参照して説明する。図１は、本発明の
第１実施形態例のＰＰＦを採用したモールドＩＣの組立
て工程のフローチャートである。同図のモールドＩＣの
組立て工程では、内装Ａｇめっき工程１０１、及び、外
装Ｓｎ−Ａｇめっき工程１０５Ａは、Ｌ／Ｆメーカが担
当し、チップマウント工程１０２〜選別工程１０７は、
半導体メーカが担当する。
ムについて図面を参照して説明する。図１は、本発明の
第１実施形態例のＰＰＦを採用したモールドＩＣの組立
て工程のフローチャートである。同図のモールドＩＣの
組立て工程では、内装Ａｇめっき工程１０１、及び、外
装Ｓｎ−Ａｇめっき工程１０５Ａは、Ｌ／Ｆメーカが担
当し、チップマウント工程１０２〜選別工程１０７は、
半導体メーカが担当する。
【００１７】図２（ａ）及び（ｂ）は、ＩＣ製造に用い
られるＬ／Ｆの拡大図及び外形図である。同図（ａ）に
示すように、Ｌ／Ｆは、Ｌ／Ｆ中央のダイをボンディン
グするためのアイランド１１、ＩＣチップの表面電極と
直接接続されるインナリード１２、パッケージや基板の
電極と接続されるアウタリード１３、及び、Ｌ／Ｆ間の
リード部分を機械的に結合しているタイバー１４で構成
される。
られるＬ／Ｆの拡大図及び外形図である。同図（ａ）に
示すように、Ｌ／Ｆは、Ｌ／Ｆ中央のダイをボンディン
グするためのアイランド１１、ＩＣチップの表面電極と
直接接続されるインナリード１２、パッケージや基板の
電極と接続されるアウタリード１３、及び、Ｌ／Ｆ間の
リード部分を機械的に結合しているタイバー１４で構成
される。
【００１８】同図（ｂ）に示すように、Ｌ／Ｆは、細長
い金属板（Ｃｕ系或いはＦｅ系合金）をエッチングや金
型打ち抜きでパターン形成して、複数が連結した状態で
製造される。その後、アイランド１１、及び、インナリ
ード１２の少なくとも先端部分を含む内装領域２には、
単金属Ａｇめっきによって厚さ１〜１０μｍの内装めっ
きが形成される。また、アウタリード１３、及び、イン
ナリード１２の一部を含む外装領域１が、合金Ｓｎ−Ａ
ｇめっきによってＡｇ組成（めっき合金皮膜中のＡｇと
Ｓｎとの重量比）０〜４％で厚さ４〜２０μｍの外装め
っきが形成されることで、ＰＰＦが完成する。この場
合、外装めっきを、Ａｇ組成で３．５％に厚さで８μｍ
程度にすると、めっきのぬれ性（基板接合に用いられる
半田に対するなじみの程度）及び組立性が共に良好とな
る。
い金属板（Ｃｕ系或いはＦｅ系合金）をエッチングや金
型打ち抜きでパターン形成して、複数が連結した状態で
製造される。その後、アイランド１１、及び、インナリ
ード１２の少なくとも先端部分を含む内装領域２には、
単金属Ａｇめっきによって厚さ１〜１０μｍの内装めっ
きが形成される。また、アウタリード１３、及び、イン
ナリード１２の一部を含む外装領域１が、合金Ｓｎ−Ａ
ｇめっきによってＡｇ組成（めっき合金皮膜中のＡｇと
Ｓｎとの重量比）０〜４％で厚さ４〜２０μｍの外装め
っきが形成されることで、ＰＰＦが完成する。この場
合、外装めっきを、Ａｇ組成で３．５％に厚さで８μｍ
程度にすると、めっきのぬれ性（基板接合に用いられる
半田に対するなじみの程度）及び組立性が共に良好とな
る。
【００１９】ここで、ウィスカについて説明する。ウィ
スカは、めっき槽中の残留応力が駆動力となって結晶が
針状に成長する現象であり、化学Ｓｎめっきで顕著に現
れ、電気回路をショートさせる原因にもなる。一般にＳ
ｎに数％のある種の添加元素を加えた合金めっきでは発
生しにくいとされているが、融点や機械的特性の観点か
ら、Ｐｂフリーめっきでは従来めっきに比べ添加元素の
量が制限されるため従来Ｓｎ−Ｐｂに比べて、ウィスカ
抑制効果の低下が懸念される。本実施形態例においてリ
ード成形後に熱処理や表面処理を実施することによって
ウィスカ抑制の効果が期待できる。
スカは、めっき槽中の残留応力が駆動力となって結晶が
針状に成長する現象であり、化学Ｓｎめっきで顕著に現
れ、電気回路をショートさせる原因にもなる。一般にＳ
ｎに数％のある種の添加元素を加えた合金めっきでは発
生しにくいとされているが、融点や機械的特性の観点か
ら、Ｐｂフリーめっきでは従来めっきに比べ添加元素の
量が制限されるため従来Ｓｎ−Ｐｂに比べて、ウィスカ
抑制効果の低下が懸念される。本実施形態例においてリ
ード成形後に熱処理や表面処理を実施することによって
ウィスカ抑制の効果が期待できる。
【００２０】上記実施形態例によれば、内装めっきにＡ
ｇを形成させ、外装めっきにＳｎ−Ａｇを形成させるこ
とで、低コストで環境問題に対応するＰＰＦが提供でき
る。
ｇを形成させ、外装めっきにＳｎ−Ａｇを形成させるこ
とで、低コストで環境問題に対応するＰＰＦが提供でき
る。
【００２１】図３は、外装めっきに用いる合金の総合評
価を示す表である。本発明の第２実施形態例のＰＰＦで
は、外装めっきに用いる合金をＳｎ−Ａｇに代えて他の
合金を用いる点が、先の実施形態例と異なる。図３中の
印は、合金の種類ごとに判定した評価項目（コスト、ぬ
れ性、及び、信頼性）に対する評価結果であり、“◎”
は最良、“○”は良、“△”は普通、“×”は不適応を
示している。
価を示す表である。本発明の第２実施形態例のＰＰＦで
は、外装めっきに用いる合金をＳｎ−Ａｇに代えて他の
合金を用いる点が、先の実施形態例と異なる。図３中の
印は、合金の種類ごとに判定した評価項目（コスト、ぬ
れ性、及び、信頼性）に対する評価結果であり、“◎”
は最良、“○”は良、“△”は普通、“×”は不適応を
示している。
【００２２】総合評価の対象として示されたＳｎ−Ａ
ｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ、及び、Ｓｎ−Ｉｎと、こ
れには示されないＳｎ−Ｚｎ、及び、Ｓｎ−Ｓｂとが、
外装めっきの合金として用いられる。特に、外装めっき
にＳｎ−Ｃｕ合金を用いた場合、Ｃｕ組成を０．２〜５
％にすると、優れためっきのぬれ性が得られる。
ｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ、及び、Ｓｎ−Ｉｎと、こ
れには示されないＳｎ−Ｚｎ、及び、Ｓｎ−Ｓｂとが、
外装めっきの合金として用いられる。特に、外装めっき
にＳｎ−Ｃｕ合金を用いた場合、Ｃｕ組成を０．２〜５
％にすると、優れためっきのぬれ性が得られる。
【００２３】上記実施形態例によれば、条件に適応する
合金を選択することで、外装めっきに用いる合金の種類
が広がる。
合金を選択することで、外装めっきに用いる合金の種類
が広がる。
【００２４】ここで、本発明の第１実施形態例の外装め
っきの製造方法について述べる。第１実施形態例の外装
めっきの製造方法は、合金めっき材料を用いためっき処
理に代えて複数の単金属めっき層をまず形成し、次いで
これを熱処理することにより、複数の単金属めっき層を
合金化し、外装めっきを形成する。本実施形態例の外装
めっきの製造方法は、図１の外装Ｓｎ−Ａｇめっき工程
１０５Ａで採用される。
っきの製造方法について述べる。第１実施形態例の外装
めっきの製造方法は、合金めっき材料を用いためっき処
理に代えて複数の単金属めっき層をまず形成し、次いで
これを熱処理することにより、複数の単金属めっき層を
合金化し、外装めっきを形成する。本実施形態例の外装
めっきの製造方法は、図１の外装Ｓｎ−Ａｇめっき工程
１０５Ａで採用される。
【００２５】ＰＰＦの製造工程には、Ｌ／Ｆの内装領域
２に部分めっきを形成する内装めっき工程、及び、Ｌ／
Ｆの外装領域１に部分めっきを形成する外装めっき工程
がある。夫々のめっき工程の前に、Ｌ／Ｆのめっきを行
う領域は、めっき液に触れるように露出させ、Ｌ／Ｆの
めっきを行わない領域は、めっき液に触れないように、
ゴム又はプラスチックからなるマスクで予め包み込んで
ある。
２に部分めっきを形成する内装めっき工程、及び、Ｌ／
Ｆの外装領域１に部分めっきを形成する外装めっき工程
がある。夫々のめっき工程の前に、Ｌ／Ｆのめっきを行
う領域は、めっき液に触れるように露出させ、Ｌ／Ｆの
めっきを行わない領域は、めっき液に触れないように、
ゴム又はプラスチックからなるマスクで予め包み込んで
ある。
【００２６】本実施形態例の外装めっきの製造方法は、
予めマスクが内装領域２を包み込んでいるＬ／Ｆを用い
る。第１ステップとして、外装領域１に単金属めっき処
理により複数の単金属めっき層を形成する。単金属めっ
き層は、対応する単金属めっき処理において、組成及び
厚さを制御し管理することができる。第２ステップとし
て、外装領域１を熱処理することにより複数の単金属め
っき層を融合させて合金化し、外装めっきを形成する。
形成された外装めっきは、従来の製造方法と同様な効果
がある。
予めマスクが内装領域２を包み込んでいるＬ／Ｆを用い
る。第１ステップとして、外装領域１に単金属めっき処
理により複数の単金属めっき層を形成する。単金属めっ
き層は、対応する単金属めっき処理において、組成及び
厚さを制御し管理することができる。第２ステップとし
て、外装領域１を熱処理することにより複数の単金属め
っき層を融合させて合金化し、外装めっきを形成する。
形成された外装めっきは、従来の製造方法と同様な効果
がある。
【００２７】なお、本実施形態例では、内装めっき工程
と外装めっき工程とがこの順に行われる例を説明した
が、この順序は逆にしてもよい。
と外装めっき工程とがこの順に行われる例を説明した
が、この順序は逆にしてもよい。
【００２８】上記実施形態例によれば、単金属めっき処
理は合金めっき処理に比べ管理が容易なため、合金めっ
き処理に代えて、複数の単金属めっき処理と熱処理とを
用いることで、工程管理が容易となり更に低コストのＰ
ＰＦが製造できる。
理は合金めっき処理に比べ管理が容易なため、合金めっ
き処理に代えて、複数の単金属めっき処理と熱処理とを
用いることで、工程管理が容易となり更に低コストのＰ
ＰＦが製造できる。
【００２９】図４は、本発明の第１実施形態例の外装め
っきの製造方法で製造したＰＰＦを用いたモールドＩＣ
の組立て工程のフローチャートである。樹脂封入工程１
０４と仕上げ工程１０６との間にめっき表面活性化工程
１０８を新たに挿入した点が、先の実施形態例と異な
る。
っきの製造方法で製造したＰＰＦを用いたモールドＩＣ
の組立て工程のフローチャートである。樹脂封入工程１
０４と仕上げ工程１０６との間にめっき表面活性化工程
１０８を新たに挿入した点が、先の実施形態例と異な
る。
【００３０】めっき表面活性化工程１０８は、ケミカル
エッチングやメディアホーニングを実施することで、め
っき表面を再度活性化する。メディアホーニングは、通
常の高圧水によるばりとり（ジェットホーニング）に代
えて、ナイロンビーズやガラスビーズ等のメディアによ
るばりとりを用いたものである。めっき表面活性化工程
１０８は、とても有効なプロセスではあるが、高信頼性
が要求される場合やユーザからの要求がある場合のみ実
施する。
エッチングやメディアホーニングを実施することで、め
っき表面を再度活性化する。メディアホーニングは、通
常の高圧水によるばりとり（ジェットホーニング）に代
えて、ナイロンビーズやガラスビーズ等のメディアによ
るばりとりを用いたものである。めっき表面活性化工程
１０８は、とても有効なプロセスではあるが、高信頼性
が要求される場合やユーザからの要求がある場合のみ実
施する。
【００３１】上記実施形態例によれば、チップマウント
Ａ３、ワイヤボンディングＡ４、又は、樹脂封入Ａ５で
は、めっき表面の酸化、汚染、及び、傷の物理的ダメー
ジを管理する必要がなくなる。
Ａ３、ワイヤボンディングＡ４、又は、樹脂封入Ａ５で
は、めっき表面の酸化、汚染、及び、傷の物理的ダメー
ジを管理する必要がなくなる。
【００３２】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明のリードフレーム、その外装
めっきの製造方法、及び、半導体装置の製造方法は、上
記実施形態例の構成にのみ限定されるものでなく、上記
実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施したリー
ドフレーム、その外装めっきの製造方法、及び、半導体
装置の製造方法も、本発明の範囲に含まれる。
づいて説明したが、本発明のリードフレーム、その外装
めっきの製造方法、及び、半導体装置の製造方法は、上
記実施形態例の構成にのみ限定されるものでなく、上記
実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施したリー
ドフレーム、その外装めっきの製造方法、及び、半導体
装置の製造方法も、本発明の範囲に含まれる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＰＰＦで
は、外装めっきの合金にＰｂの代替金属を用いたので、
低コストで環境問題に対応することができ、更に、その
外装めっきの製造方法では、単金属めっき層を熱処理し
て合金化するので、低コストの製造が容易になる。この
ため、ＩＣ製造の後工程の管理が容易になり、ＴＡＴ
（製品の製作に要する時間）が短縮され低コストや信頼
性向上にもつながる。
は、外装めっきの合金にＰｂの代替金属を用いたので、
低コストで環境問題に対応することができ、更に、その
外装めっきの製造方法では、単金属めっき層を熱処理し
て合金化するので、低コストの製造が容易になる。この
ため、ＩＣ製造の後工程の管理が容易になり、ＴＡＴ
（製品の製作に要する時間）が短縮され低コストや信頼
性向上にもつながる。
【図１】本発明の第１実施形態例のＰＰＦを採用したモ
ールドＩＣの組立て工程のフローチャートである。
ールドＩＣの組立て工程のフローチャートである。
【図２】同図（ａ）及び（ｂ）は、ＩＣ製造に用いられ
るＬ／Ｆの拡大図及び外形図である。
るＬ／Ｆの拡大図及び外形図である。
【図３】外装めっきに用いる合金の総合評価を示す表で
ある。
ある。
【図４】本発明の第１実施形態例の外装めっきの製造方
法で製造したＰＰＦを用いたモールドＩＣの組立て工程
のフローチャートである。
法で製造したＰＰＦを用いたモールドＩＣの組立て工程
のフローチャートである。
【図５】従来のモールドＩＣの組立て工程のフローチャ
ートである。
ートである。
１ 外装領域 ２ 内装領域 １１ アイランド １２ インナリード １３ アウタリード １４ タイバー １０１ 内装Ａｇめっき工程 １０２ チップマウント工程 １０３ ワイヤボンディング工程 １０４ 樹脂封入工程 １０５ 外装Ｓｎ−Ｐｂめっき工程 １０５Ａ 外装Ｓｎ−Ａｇめっき工程 １０６ 仕上げ工程 １０７ 選別工程 １０８ めっき表面活性化工程
Claims (7)
- 【請求項１】 アイランドを含む内装領域に内装めっき
が形成され、アウタリードを含む外装領域に外装めっき
が形成されたリードフレームにおいて、 前記内装めっきがＡｇであり、前記外装めっきがＳｎ−
Ａｇであることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 前記外装めっき中におけるＡｇのＳｎに
対する重量比が２〜４％である、請求項１に記載のリー
ドフレーム。 - 【請求項３】 前記外装めっきをＳｎ−Ａｇに代えてＳ
ｎ−Ｃｕとした請求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 前記外装めっき中におけるＣｕのＳｎに
対する重量比が０．２〜５％である、請求項３に記載の
リードフレーム。 - 【請求項５】 前記外装めっきをＳｎ−Ａｇに代えてＳ
ｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｚｎ、又は、Ｓｎ−Ｓｂ
のいずれかとした、請求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項６】 アウタリードを含む外装領域に複数の単
金属めっき層を形成するステップと、前記複数の単金属
めっき層を熱処理により合金化し外装めっきを形成する
ステップとを有することを特徴とする、リードフレーム
の外装めっきの製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載のリードフレームの外装
めっきの製造方法で製造されたリードフレームを用いた
半導体装置の製造方法において、 チップマウント及びワイヤボンディングの作業完了後に
行う樹脂封入工程以降に、ケミカルエッチング又はメデ
ィアホーニングすることを特徴とする、半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22760499A JP2001053210A (ja) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | リードフレーム、その外装めっきの製造方法、及び、半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22760499A JP2001053210A (ja) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | リードフレーム、その外装めっきの製造方法、及び、半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001053210A true JP2001053210A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16863555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22760499A Pending JP2001053210A (ja) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | リードフレーム、その外装めっきの製造方法、及び、半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001053210A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7391116B2 (en) | 2003-10-14 | 2008-06-24 | Gbc Metals, Llc | Fretting and whisker resistant coating system and method |
| JP2009263786A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
| JP2009263785A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
| JP5138827B1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-02-06 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
| CN105366751A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-02 | 王文领 | 一种煤化工气化洗涤黑水高温闪蒸气的节能环保型综合回收利用方法 |
| USRE45987E1 (en) | 2003-09-11 | 2016-04-26 | Renesas Electronics Coporation | Electronic component and method of manufacturing the same |
-
1999
- 1999-08-11 JP JP22760499A patent/JP2001053210A/ja active Pending
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| CN105366751A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-02 | 王文领 | 一种煤化工气化洗涤黑水高温闪蒸气的节能环保型综合回收利用方法 |
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