JPH11279792A - 錫−銀はんだ合金めっき層の形成方法 - Google Patents
錫−銀はんだ合金めっき層の形成方法Info
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- JPH11279792A JPH11279792A JP8127498A JP8127498A JPH11279792A JP H11279792 A JPH11279792 A JP H11279792A JP 8127498 A JP8127498 A JP 8127498A JP 8127498 A JP8127498 A JP 8127498A JP H11279792 A JPH11279792 A JP H11279792A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 錫−銀はんだ合金めっき層を形成する際に、
キレート剤などを含む合金めっき浴の使用を避け、かつ
品質が優れためっき層を形成する。 【解決手段】 被めっき物に、まず第１層の銀層をめっ
きし、次にこの銀層の上に第２層の錫層を第１層の銀め
っきの厚みの１．５倍以上の厚みでめっきし、続いて第
１および第２層のめっきをリフローする。
キレート剤などを含む合金めっき浴の使用を避け、かつ
品質が優れためっき層を形成する。 【解決手段】 被めっき物に、まず第１層の銀層をめっ
きし、次にこの銀層の上に第２層の錫層を第１層の銀め
っきの厚みの１．５倍以上の厚みでめっきし、続いて第
１および第２層のめっきをリフローする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は錫−銀はんだ合金め
っき層の形成方法に関するものであり、より詳しく述べ
るならばコネクタ、リードなどの被めっき物上に形成し
ためっき層上に導線、回路基板などを接合するためのは
んだ合金めっき層の形成方法に関するものである。
っき層の形成方法に関するものであり、より詳しく述べ
るならばコネクタ、リードなどの被めっき物上に形成し
ためっき層上に導線、回路基板などを接合するためのは
んだ合金めっき層の形成方法に関するものである。
【０００１】
【従来の技術】これまでに工業的に生産されてきた錫−
鉛はんだ合金めっき材は、はんだ付け性、耐食性などが
良好なために、コネクタやリード材などの電子部品の接
合に広く利用されてきた。しかしながら、近年鉛の有害
性が指摘されるようになり、鉛の使用を規制しようとす
る動きが世界的に生じている。例えば、屋外に廃棄され
た電子機器類が酸性雨にさらされると、機器内部に使用
されているはんだ（錫−鉛合金）やはんだめっきが腐食
されて鉛が溶けだし、これが原因で地下水や河川が汚染
されるという問題がある。環境汚染を防止するには、鉛
を含有しない物質を使用することが最善であり、従来の
錫−鉛はんだ合金めっき層に代わる鉛を含有しないめっ
きを開発する必要がある。
鉛はんだ合金めっき材は、はんだ付け性、耐食性などが
良好なために、コネクタやリード材などの電子部品の接
合に広く利用されてきた。しかしながら、近年鉛の有害
性が指摘されるようになり、鉛の使用を規制しようとす
る動きが世界的に生じている。例えば、屋外に廃棄され
た電子機器類が酸性雨にさらされると、機器内部に使用
されているはんだ（錫−鉛合金）やはんだめっきが腐食
されて鉛が溶けだし、これが原因で地下水や河川が汚染
されるという問題がある。環境汚染を防止するには、鉛
を含有しない物質を使用することが最善であり、従来の
錫−鉛はんだ合金めっき層に代わる鉛を含有しないめっ
きを開発する必要がある。
【０００２】鉛を含有しない、いわゆる鉛フリーめっき
としては錫−銀合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合
金、錫−銀合金めっき層などの幾つかの合金めっきが検
討されている。それらのなかでも、錫−銀合金めっきは
毒性がなく、はんだ付け性が良いなどの利点があり、鉛
フリーはんだめっきとして有望視されている。
としては錫−銀合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合
金、錫−銀合金めっき層などの幾つかの合金めっきが検
討されている。それらのなかでも、錫−銀合金めっきは
毒性がなく、はんだ付け性が良いなどの利点があり、鉛
フリーはんだめっきとして有望視されている。
【０００３】錫−銀はんだ合金めっき層の形成方法とし
ては、例えば、錫−銀合金めっき液を使用してめっきす
る方法が挙げられる。この方法では、銀イオンと錫イオ
ンの電位差が大きいのでめっきが難しく、めっき液にコ
ストの高い錯化剤（キレート剤）を大量に添加しなけれ
ばならない。さらに、銀と錫の電位差のために錫−銀合
金アノードが使用できず、そのために銀または錫塩をめ
っき浴に連続的に補給しなければならなかった。一方、
錫−銀はんだ合金めっき層では、光沢のあるめっき外観
を得ることが難しいという問題がある。無光沢のめっき
では、めっき表面からの粉の脱落が多く、めっき材のプ
レス加工の際などに問題となる。さらに、従来の錫−銀
合金めっきでは、加熱しあるいは長時間放置するとはん
だ付け性が劣化するという問題があた。また、特開昭５
０−１３６７号公報では、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｄ溶融浴への
浸漬めっきが行われているが、めっき後めっき層をダイ
スで絞らなければ所望の薄いめっきが得られない。
ては、例えば、錫−銀合金めっき液を使用してめっきす
る方法が挙げられる。この方法では、銀イオンと錫イオ
ンの電位差が大きいのでめっきが難しく、めっき液にコ
ストの高い錯化剤（キレート剤）を大量に添加しなけれ
ばならない。さらに、銀と錫の電位差のために錫−銀合
金アノードが使用できず、そのために銀または錫塩をめ
っき浴に連続的に補給しなければならなかった。一方、
錫−銀はんだ合金めっき層では、光沢のあるめっき外観
を得ることが難しいという問題がある。無光沢のめっき
では、めっき表面からの粉の脱落が多く、めっき材のプ
レス加工の際などに問題となる。さらに、従来の錫−銀
合金めっきでは、加熱しあるいは長時間放置するとはん
だ付け性が劣化するという問題があた。また、特開昭５
０−１３６７号公報では、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｄ溶融浴への
浸漬めっきが行われているが、めっき後めっき層をダイ
スで絞らなければ所望の薄いめっきが得られない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点に鑑みてなされたもので、外観が良好な錫−
銀はんだ合金めっき層を簡易に形成する方法を提供する
ことを目的としたものである。
術の問題点に鑑みてなされたもので、外観が良好な錫−
銀はんだ合金めっき層を簡易に形成する方法を提供する
ことを目的としたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明者が研究を行った結果、以下に示すめっき方法
を発明するに至った。すなわち本発明は、（１）錫−銀
はんだ合金めっき層の形成方法であって、下地めっきを
施したまたは下地めっきを施さない被めっき物に、まず
第１層の銀層をめっきし、次にこの銀層の上に第２層の
錫層を第１層の銀めっきの厚みの１．５倍以上の厚みで
めっきし、続いて第１及び第２層のめっきをリフローす
ることを特徴とする錫−銀はんだ合金めっき層の形成方
法、及び（２）被めっき物の温度を３００℃以下として
リフローを行い、かつ錫めっき層が溶融を開始して５秒
以内に被めっき物を急冷する（１）に記載の錫−銀はん
だ合金めっき層の形成方法である。以下本発明につき詳
しく説明する。
に本発明者が研究を行った結果、以下に示すめっき方法
を発明するに至った。すなわち本発明は、（１）錫−銀
はんだ合金めっき層の形成方法であって、下地めっきを
施したまたは下地めっきを施さない被めっき物に、まず
第１層の銀層をめっきし、次にこの銀層の上に第２層の
錫層を第１層の銀めっきの厚みの１．５倍以上の厚みで
めっきし、続いて第１及び第２層のめっきをリフローす
ることを特徴とする錫−銀はんだ合金めっき層の形成方
法、及び（２）被めっき物の温度を３００℃以下として
リフローを行い、かつ錫めっき層が溶融を開始して５秒
以内に被めっき物を急冷する（１）に記載の錫−銀はん
だ合金めっき層の形成方法である。以下本発明につき詳
しく説明する。
【０００６】本発明の特徴は、銀と錫を重ねてめっき
し、次にめっきをリフロー（加熱、溶融処理）する方法
により、錫−銀はんだ合金めっき層を得るところにあ
る。この方法により得られる錫−銀はんだ合金の組成は
好ましくは、Ａｇ３０重量％以下、残部Ｓｎであり、よ
り好ましくはＡｇ＝２〜１５重量％、残部Ｓｎである。
この組成のはんだの融点は２２１〜３５０℃である。
し、次にめっきをリフロー（加熱、溶融処理）する方法
により、錫−銀はんだ合金めっき層を得るところにあ
る。この方法により得られる錫−銀はんだ合金の組成は
好ましくは、Ａｇ３０重量％以下、残部Ｓｎであり、よ
り好ましくはＡｇ＝２〜１５重量％、残部Ｓｎである。
この組成のはんだの融点は２２１〜３５０℃である。
【０００７】被めっき物は、金属条、プレス加工したコ
ネクタ、リードフレームなどに、銅めっきやニッケルめ
っきの下地めっき施したもの、あるいは下地めっきを施
さないものである。本発明での第１層の銀めっきはシア
ン浴、ヨウ化物浴などの公知のめっき液であって、二硫
化炭素などの光沢剤を含有しないめっき液を使用して、
被めっき物の上にめっき層を電気めっきにより形成する
ことができる。めっき層は後の工程においてリフローさ
れるが、光沢剤を使用するとリフロー後のめっき外観が
悪くなるからである。銀めっきの厚みについての制限は
ないが、めっき外観、コスト等を考慮すると、２μｍ以
下が好ましい。次に、銀めっき層の上に第２層の錫めっ
き層を電気めっきにより形成する。錫めっき液は硫酸
浴、メタスルホン浴などの公知のめっき液のなかで、ア
ルデヒドなどの光沢剤を含有しないメタスルホン液が使
用することが好ましい。
ネクタ、リードフレームなどに、銅めっきやニッケルめ
っきの下地めっき施したもの、あるいは下地めっきを施
さないものである。本発明での第１層の銀めっきはシア
ン浴、ヨウ化物浴などの公知のめっき液であって、二硫
化炭素などの光沢剤を含有しないめっき液を使用して、
被めっき物の上にめっき層を電気めっきにより形成する
ことができる。めっき層は後の工程においてリフローさ
れるが、光沢剤を使用するとリフロー後のめっき外観が
悪くなるからである。銀めっきの厚みについての制限は
ないが、めっき外観、コスト等を考慮すると、２μｍ以
下が好ましい。次に、銀めっき層の上に第２層の錫めっ
き層を電気めっきにより形成する。錫めっき液は硫酸
浴、メタスルホン浴などの公知のめっき液のなかで、ア
ルデヒドなどの光沢剤を含有しないメタスルホン液が使
用することが好ましい。
【０００８】第１層と第２層の関係については、第１層
が銀で第２層が錫でなければならない。この理由は、第
１層を錫めっきにすると銀めっきの際に電位がより卑な
１層目の錫が溶けて貴な銀が析出し、いわゆる置換めっ
きが起こるからである。置換めっきが起こるとめっき表
面が粗くなり、めっき後にリフローしても表面は滑らか
にならない。またはんだ付け性も悪くなる。本発明での
錫めっきの厚みは、銀めっき厚みの１．５倍にする必要
がある。これは、錫めっきの厚みが銀めっきの１．５倍
以下では、めっき皮膜中の銀が錫に完全に溶けきらず、
合金化しないからである。リフロー後のめっき層の厚み
は０．８〜１．５μｍであることが好ましい。
が銀で第２層が錫でなければならない。この理由は、第
１層を錫めっきにすると銀めっきの際に電位がより卑な
１層目の錫が溶けて貴な銀が析出し、いわゆる置換めっ
きが起こるからである。置換めっきが起こるとめっき表
面が粗くなり、めっき後にリフローしても表面は滑らか
にならない。またはんだ付け性も悪くなる。本発明での
錫めっきの厚みは、銀めっき厚みの１．５倍にする必要
がある。これは、錫めっきの厚みが銀めっきの１．５倍
以下では、めっき皮膜中の銀が錫に完全に溶けきらず、
合金化しないからである。リフロー後のめっき層の厚み
は０．８〜１．５μｍであることが好ましい。
【０００９】リフローは、めっき材を大気または還元雰
囲気中にて加熱してめっき皮膜を溶融させ、次にめっき
材を急冷して行う。リフローと急冷により均一組成の錫
−銀合金が生成される。急冷は加熱炉から取り出された
めっき材に空気、水などを吹きつける、水中に浸漬する
などの手段により自然冷却より速い冷却速度を実現する
ことにより行う。リフローは、めっき材を連続的に加熱
炉内に入れて行う方法が一般的であるが、このときの被
めっき物の温度と、錫めっき皮膜の溶融開始から急冷す
るまでの時間とを適正な範囲に設定することにより、外
観良好で平滑な光沢めっき層を得ることができる。ま
た、リフローの温度管理はあらかじめ加熱炉の温度を設
定し、次に炉中の被めっき物の温度を熱電対を使用して
測定し、このデータをもとに加熱炉の温度を最適な値に
設定する。またリフローのための加熱方法は例えば熱風
循環炉中に条などの被めっき物を連続的に入れて行な
う。このような温度管理及び加熱方法にリフロープロセ
スを制御することを前提とすると、被めっき物の温度が
３００℃を越える場合にはめっきが外観が光沢にならず
白く曇ったり、あるいはクレーター状のめっき濡れ不良
（はじき）が発生する。同様に、第２層の比較的低融点
で最初に溶融される錫めっきが溶融を開始してから急冷
するまで時間が５秒を越える場合は、めっきはじきが発
生する。このようにリフロー後のめっきにはじきが発生
したものは、はんだ付け性が著しく悪い。したがって、
リフローする際の被めっき物の温度は３００℃以下でし
かも錫めっき皮膜が溶融を開始してから急冷を行うまで
の時間を５秒以内にすることが好ましい。
囲気中にて加熱してめっき皮膜を溶融させ、次にめっき
材を急冷して行う。リフローと急冷により均一組成の錫
−銀合金が生成される。急冷は加熱炉から取り出された
めっき材に空気、水などを吹きつける、水中に浸漬する
などの手段により自然冷却より速い冷却速度を実現する
ことにより行う。リフローは、めっき材を連続的に加熱
炉内に入れて行う方法が一般的であるが、このときの被
めっき物の温度と、錫めっき皮膜の溶融開始から急冷す
るまでの時間とを適正な範囲に設定することにより、外
観良好で平滑な光沢めっき層を得ることができる。ま
た、リフローの温度管理はあらかじめ加熱炉の温度を設
定し、次に炉中の被めっき物の温度を熱電対を使用して
測定し、このデータをもとに加熱炉の温度を最適な値に
設定する。またリフローのための加熱方法は例えば熱風
循環炉中に条などの被めっき物を連続的に入れて行な
う。このような温度管理及び加熱方法にリフロープロセ
スを制御することを前提とすると、被めっき物の温度が
３００℃を越える場合にはめっきが外観が光沢にならず
白く曇ったり、あるいはクレーター状のめっき濡れ不良
（はじき）が発生する。同様に、第２層の比較的低融点
で最初に溶融される錫めっきが溶融を開始してから急冷
するまで時間が５秒を越える場合は、めっきはじきが発
生する。このようにリフロー後のめっきにはじきが発生
したものは、はんだ付け性が著しく悪い。したがって、
リフローする際の被めっき物の温度は３００℃以下でし
かも錫めっき皮膜が溶融を開始してから急冷を行うまで
の時間を５秒以内にすることが好ましい。
【００１０】
【作用】本発明方法では、第１層及び第２層のめっき
厚みを変えることにより、任意の合金皮膜組成を安定し
て得ることができる；第１層及び第２層はそれぞれ純
銀及び純錫の電気めっきであり、合金めっきに比較する
とめっきが容易である；アノードとして銀アノードま
たは錫アノードが使用できるので、めっき中にこれらの
金属塩を浴に補給する必要がない；めっき液のコスト
は従来のはんだ合金電気めっき液に比較すると安く、液
の調整や管理も簡単であるなどが挙げられる。
厚みを変えることにより、任意の合金皮膜組成を安定し
て得ることができる；第１層及び第２層はそれぞれ純
銀及び純錫の電気めっきであり、合金めっきに比較する
とめっきが容易である；アノードとして銀アノードま
たは錫アノードが使用できるので、めっき中にこれらの
金属塩を浴に補給する必要がない；めっき液のコスト
は従来のはんだ合金電気めっき液に比較すると安く、液
の調整や管理も簡単であるなどが挙げられる。
【００１１】
【実施例】次に本発明の効果を実施例に基づいて具体的
に説明する。厚み０．２ｍｍのりん青銅（ＪＩＳ Ｃ
５１９１）の板を脱脂、酸洗した後に、厚み０．５μｍ
の銅下地めっきを施し、続いて表１及び表２に示すめっ
き液とめっき条件で、銀（第１層）及び錫めっき（第２
層）を行った。めっきを行うにあたり、第１層と第２層
のめっき時間をかえてめっき厚みの異なる試料を作製し
た。さらに、リフローする際の被めっき物温度と加熱時
間（リフロー時間）を変えた試料も作製した。評価に使
用した錫−銀はんだ合金めっき層製造条件を表３に示
す。
に説明する。厚み０．２ｍｍのりん青銅（ＪＩＳ Ｃ
５１９１）の板を脱脂、酸洗した後に、厚み０．５μｍ
の銅下地めっきを施し、続いて表１及び表２に示すめっ
き液とめっき条件で、銀（第１層）及び錫めっき（第２
層）を行った。めっきを行うにあたり、第１層と第２層
のめっき時間をかえてめっき厚みの異なる試料を作製し
た。さらに、リフローする際の被めっき物温度と加熱時
間（リフロー時間）を変えた試料も作製した。評価に使
用した錫−銀はんだ合金めっき層製造条件を表３に示
す。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】めっき試料の評価としては、めっき外観と
はんだ付け性の評価を行った。外観評価は目視で行い、
はんだ付け性評価は、ロジンエタノールフラックスを使
用してメニスコグラフ法で行った。耐熱剥離性は、めっ
き材を大気中１０５℃で１６８時間加熱し、試料を９０
度曲げた後再び水平に戻し、曲げた箇所を観察して剥離
の有無を確認した。評価結果を表３に示す。
はんだ付け性の評価を行った。外観評価は目視で行い、
はんだ付け性評価は、ロジンエタノールフラックスを使
用してメニスコグラフ法で行った。耐熱剥離性は、めっ
き材を大気中１０５℃で１６８時間加熱し、試料を９０
度曲げた後再び水平に戻し、曲げた箇所を観察して剥離
の有無を確認した。評価結果を表３に示す。
【００１５】
【表３】 備考 めっき外観：◎−光沢外観，○：半光沢，×：無光沢またははじき発生 リフロー時間：錫めっきの溶融開始から急冷までの時間（秒） 加熱とはんだ付け性：◎：濡れ時間１〜２秒，○：濡れ時間，×：はんだ塗 れない。加熱：大気中にて１５５℃、１６時間加熱を行い、その前後ではんだ付 性を◎，○，×で評価した。 耐熱剥離性：◎−剥離なし，○：一部剥離，×：完全に剥離
【００１６】表３のリフロー時間の起算時点である錫め
っき層の溶融は目視により測定した。また、光沢は鏡面
状のものを光沢、すりガラス状のものを半光沢、これ以
外を無光沢と判定した。表３の実施例１、２は本発明の
内容に従って製造しためっき試料を評価した結果であ
り、いずれもめっき外観は良くはんだ付け性も良好であ
った。比較例３は第１層を錫（Ｓｎ）めっき、第２層を
銀（Ａｇ）めっきと本発明の逆のめっき構造にしたもの
であるが、この場合にはめっき外観とはんだ付け性が悪
くなった。比較例４は錫のめっき厚みを銀の１．５倍未
満に設定したものが、この場合にははんだ付け性が悪く
なった。比較例５は被めっき物温度が３００℃をこえる
場合であり、めっき外観とはんだ付け性が悪い。比較例
６は錫めっき溶融開始から急冷までの時間が５秒をこえ
る場合であり、めっき外観とはんだ付け性が悪い。耐熱
剥離性は、実施例１、２ではめっき皮膜は剥離しなかっ
たが、比較例３〜６ではすべて剥離した。
っき層の溶融は目視により測定した。また、光沢は鏡面
状のものを光沢、すりガラス状のものを半光沢、これ以
外を無光沢と判定した。表３の実施例１、２は本発明の
内容に従って製造しためっき試料を評価した結果であ
り、いずれもめっき外観は良くはんだ付け性も良好であ
った。比較例３は第１層を錫（Ｓｎ）めっき、第２層を
銀（Ａｇ）めっきと本発明の逆のめっき構造にしたもの
であるが、この場合にはめっき外観とはんだ付け性が悪
くなった。比較例４は錫のめっき厚みを銀の１．５倍未
満に設定したものが、この場合にははんだ付け性が悪く
なった。比較例５は被めっき物温度が３００℃をこえる
場合であり、めっき外観とはんだ付け性が悪い。比較例
６は錫めっき溶融開始から急冷までの時間が５秒をこえ
る場合であり、めっき外観とはんだ付け性が悪い。耐熱
剥離性は、実施例１、２ではめっき皮膜は剥離しなかっ
たが、比較例３〜６ではすべて剥離した。
【００１７】
【発明の効果】以上記述したように、本発明のめっき方
法によれば、外観とはんだ付け性が良好な錫−銀はんだ
合金めっき層を簡易に得ることができる。
法によれば、外観とはんだ付け性が良好な錫−銀はんだ
合金めっき層を簡易に得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２５Ｄ 5/10 Ｃ２５Ｄ 5/10 // Ｈ０５Ｋ 3/34 ５１２ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５１２Ｃ
Claims (2)
- 【請求項１】 錫−銀はんだ合金めっき層の形成方法に
おいて、下地めっきを施したまたは下地めっきを施さな
い被めっき物に、まず第１層の銀層をめっきし、次にこ
の銀層の上に第２層の錫層を第１層の銀めっきの厚みの
１．５倍以上の厚みでめっきし、続いて第１および第２
層のめっきをリフローすることを特徴とする錫−銀はん
だ合金めっき層の形成方法。 - 【請求項２】 被めっき物の温度を３００℃以下として
リフローを行い、かつ前記錫めっき層が溶融を開始して
５秒以内に被めっき物を急冷することを特徴とする請求
項１記載の錫−銀はんだ合金めっき層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8127498A JPH11279792A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 錫−銀はんだ合金めっき層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8127498A JPH11279792A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 錫−銀はんだ合金めっき層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11279792A true JPH11279792A (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=13741802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8127498A Pending JPH11279792A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 錫−銀はんだ合金めっき層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11279792A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003013279A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 耐マイグレーション性に優れたリフローＳｎまたはＳｎ合金メッキ薄板の製造方法 |
| US6575354B2 (en) | 2000-11-20 | 2003-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing tin-silver alloy plating film, the tin-silver alloy plating film and lead frame for electronic parts having the film |
| JP2006505691A (ja) * | 2002-11-07 | 2006-02-16 | オウトクンプ オサケイティオ ユルキネン | 陰極支持体バーに良好な接触面を形成する方法および支持体バー |
| WO2008157529A2 (en) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Summit Corporation Of America | Method of manufacturing electrically conductive strips |
| JP5138827B1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-02-06 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
| JP2014029007A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-02-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP8127498A patent/JPH11279792A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6575354B2 (en) | 2000-11-20 | 2003-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing tin-silver alloy plating film, the tin-silver alloy plating film and lead frame for electronic parts having the film |
| JP2003013279A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 耐マイグレーション性に優れたリフローＳｎまたはＳｎ合金メッキ薄板の製造方法 |
| JP2006505691A (ja) * | 2002-11-07 | 2006-02-16 | オウトクンプ オサケイティオ ユルキネン | 陰極支持体バーに良好な接触面を形成する方法および支持体バー |
| WO2008157529A2 (en) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Summit Corporation Of America | Method of manufacturing electrically conductive strips |
| WO2008157529A3 (en) * | 2007-06-18 | 2009-10-29 | Summit Corporation Of America | Method of manufacturing electrically conductive strips |
| JP5138827B1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-02-06 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
| WO2013140850A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
| CN104246015A (zh) * | 2012-03-23 | 2014-12-24 | Jx日矿日石金属株式会社 | 电子部件用金属材料、使用其的连接器端子、连接器及电子部件 |
| US9330804B2 (en) | 2012-03-23 | 2016-05-03 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Metallic material for electronic components, and connector terminals, connectors and electronic components using same |
| JP2014029007A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-02-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
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