TWI719093B - 附鍍錫之銅端子材料的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明為一種作為壓接於由鋁線材構成之電線的終端的端子，使用銅或銅合金基材，不易發生電蝕，且錫層之密接性優良的附鍍錫之銅端子材料的製造方法，其係具有：在由銅或銅合金構成的基材上以0.1μm以上5.0μm以下的厚度形成鎳含有率為5質量%以上50質量%以下的鋅鎳合金層之鋅鎳合金層形成步驟、及在鋅鎳合金層上實施鍍錫而形成錫層之鍍錫步驟；更佳在鍍錫步驟後具有於40℃以上160℃以下保持30分鐘以上，使鋅鎳合金層的鋅擴散至錫層之擴散處理步驟。

Description

附鍍錫之銅端子材料的製造方法
本發明係有關於一種作為壓接於由鋁線材構成之電線的終端的端子使用，對由銅或銅合金構成之基材的表面實施由錫或錫合金構成之鍍敷的附鍍錫之銅端子材料的製造方法。
本案係基於2015年12月15日所申請之日本特願2015-244311及2016年7月29日所申請之日本特願2016-150740，主張其優先權，將其內容援用於此。
以往，係藉由在以銅或銅合金構成之電線的終端部壓接以銅或銅合金構成的端子，並將此端子連接至設於其他機器的端子，而將該電線連接於上述其他機器。 又，為達電線之輕量化等，有時會以鋁或鋁合金構成電線，來替代由銅或銅合金構成。
例如，專利文獻1中揭示一種由鋁合金構成的汽車線組用鋁電線。
此外，若以鋁或鋁合金構成電線(導線)、以銅或銅合金構成端子，當水滲入端子與電線的壓接部 時，有時會發生由不同金屬之電位差所引起的電蝕。而且，伴隨該電線的腐蝕，有發生在壓接部之電阻值的上昇或壓接力的降低之虞。
作為防止此種由不同金屬之電位差所引起的腐蝕的方法，有例如專利文獻2~4所記載者。
於專利文獻2中，基材係由鐵或鐵合金形成，而在此基材與錫層之間形成由對基材具有犧牲防蝕作用之金屬所構成的防蝕層，作為該防蝕層，可舉出鋅、鋅鎳合金或黃銅、鐵鉻合金等。
又，專利文獻3所揭示之連接器用電接點材料係具有由金屬材料構成的基材、形成於基材上的合金層與形成於合金層表面的導電性皮膜層，該合金層係含有Sn作為必需成分，而且進一步含有選自Cu、Zn、Co、Ni及Pd的1種或2種以上之添加元素；導電性皮膜層則確認含有Sn3O2(OH)2之氫氧化氧化物。而且，其中記載，藉由含此Sn3O2(OH)2之氫氧化氧化物的導電性皮膜層，使在高溫環境下的耐久性提升，可經長時間維持低接觸電阻。
再者，專利文獻4中揭示一種鍍Sn材料，其係於銅或銅合金的表面，依序具有基底鍍Ni層、中間鍍Sn-Cu層及表面鍍Sn層的鍍Sn材料，其中基底鍍Ni層係以Ni或Ni合金構成，中間鍍Sn-Cu層係以至少在接觸表面鍍Sn層之一側形成有Sn-Cu-Zn合金層的Sn-Cu系合金所構成，表面鍍Sn層則以含有5~1000質量ppm的Zn 之Sn合金所構成，且於最表面進一步具有Zn濃度超過0.1質量%且至10質量%為止的Zn高濃度層。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2004-134212號公報
專利文獻2：日本特開2013-218866號公報
專利文獻3：日本特開2015-133306號公報
專利文獻4：日本特開2008-285729號公報
然而，如專利文獻2記載，在設置由鋅或鋅合金構成的層作為防蝕層時，如欲於該防蝕層上進行鍍錫，則有發生錫取代，而使防蝕層與錫層的密接性變差的問題。
又，如專利文獻3設置Sn3O2(OH)2之氫氧化氧化物層時，亦有在暴露於腐蝕環境或加熱環境之際迅速於氫氧化氧化物層發生缺損而使持續性變低的問題。甚而，如專利文獻4在Sn-Cu系合金層上層合Sn-Zn合金，且於最表層具有鋅濃化層者，有在Sn-Cu合金層的銅露出於表層時對鋁線材的防蝕效果消失，且鍍Sn-Zn合金的生產性較差的問題。
本發明係有鑑於前述之課題而完成者，茲以 提供一種作為壓接於由鋁線材構成之電線的終端的端子，使用銅或銅合金基材，不易發生電蝕，且錫層之密接性優良的附鍍錫之銅端子材料的製造方法為目的。
本發明之附鍍錫之銅端子材料的製造方法係具有：鋅鎳合金層形成步驟，係在由銅或銅合金構成的基材上以0.1μm以上5.0μm以下的厚度形成鎳含有率為5質量%以上50質量%以下的鋅鎳合金層、及鍍錫步驟，係在前述鋅鎳合金層上實施鍍錫而形成錫層。
藉由在鍍錫步驟前，形成含有既定量的鎳的鋅鎳合金層，可抑制鍍錫時的取代反應，而使錫層的密接性提升。此時，若鋅鎳合金層中的鎳含有率未達5質量%，則於鍍錫時會發生取代反應，致錫層的密接性顯著降低。
又，藉由在錫層下方形成鋅鎳合金層，鋅鎳合金層中的金屬鋅會擴散而濃縮於錫層的表面。由於此金屬鋅的腐蝕電位與鋁相近，故可抑制與鋁製電線接觸時之電蝕的發生。此時，若鋅鎳合金層中的鎳含有率超過50質量%，則鋅無法充分擴散，而無法獲使表面的腐蝕電位降低之效果。
此外，之所以將鋅鎳合金層的厚度作成0.1μm以上5.0μm以下，乃因厚度未達0.1μm時，無使表面的腐蝕電位降低之效果，而超過5.0μm，對端子實施沖壓加工 時有發生破裂之虞。
對如此製成之端子材料進行加工所得到的端子，由於鋅會由錫層下方的鋅鎳合金層朝錫層的表面部分緩緩地擴散而至，因此，金屬鋅層可維持高濃度。又，萬一因摩耗等而致錫層的全部或一部分消失時，仍可藉由其下方的鋅鎳合金層抑制電蝕的發生。
於本發明之附鍍錫之銅端子材料的製造方法中，前述鋅鎳合金層的結晶構造較佳為γ相單相。
由於γ相其耐蝕性高於η相，可抑制鍍錫時的取代反應，而能夠顯著抑制界面處的空隙產生。
於本發明之附鍍錫之銅端子材料的製造方法中，在前述鋅鎳合金層形成步驟前，宜具有在前述基材的表面以0.1μm以上5.0μm以下的厚度形成鎳含有率為80質量%以上之由鎳或鎳合金構成的基底層之基底層形成步驟。
藉由在基材設置由鎳或鎳合金構成的基底層厚形成鋅鎳合金層，可提高鋅鎳合金層的密接性。若基底層的厚度未達0.1μm，缺乏提高鋅鎳合金層的密接性之效果；若厚度超過5.0μm，縱使進行成膜其效果仍會達飽和。該基底層中的鎳含有率若未達80質量%則缺乏提高密接性之效果。
又，藉由設置此基底層，亦有防止銅從由銅或銅合金構成的基材向鋅鎳合金層或錫層擴散之效果。
於本發明之附鍍錫之銅端子材料的製造方法 中，在前述鍍錫步驟後宜具有於40℃以上160℃以下保持30分鐘以上，使前述鋅鎳合金層的鋅擴散至前述錫層之擴散處理步驟。
前述之鋅鎳合金層中之金屬鋅的擴散在常溫下也會發生；而藉由在此溫度條件下實施擴散處理，可使鋅的擴散更迅速地發生。若未達40℃，則缺乏使鋅在短時間內擴散之效果。若暴露於40℃以上的溫度30分鐘以上，則可於錫層的表面確實地形成金屬鋅之濃縮層。若超過160℃，反而錫會朝鋅鎳合金層側擴散，而阻礙鋅的擴散。若進一步超過190℃則錫層會熔融，鋅鎳合金層排斥熔融錫而產生斥錫部位，因而不佳。
於本發明之附鍍錫之銅端子材料的製造方法中，宜為前述基材預先經由沖壓加工形成為環箍材，前述環箍材係形成為帶板狀，而且，在順沿其長度方向的承載部上，待成形為端子的複數個端子用構件係以沿前述承載部的長度方向隔著間隔地排列的狀態分別連結於前述承載部。
藉由預先對端子用構件進行加工，基材的端面亦形成有鋅鎳合金層及錫層，包含端面皆可發揮優良的防蝕效果。
根據本發明之附鍍錫之銅端子材料的製造方法，藉由在鍍錫步驟前形成含有鎳的鋅鎳合金層，可抑制 鍍錫時的取代反應，而使錫層的密接性提升。再者，藉由擴散至錫層的表面而形成的金屬鋅層，可抑制與鋁製電線接觸所致之電蝕的發生。而且，藉由來自錫層下方之鋅鎳合金層的擴散可將金屬鋅層維持於高濃度，而能夠形成長時間耐蝕性優良的端子。
1‧‧‧附鍍錫之銅端子材料
2‧‧‧基材
3‧‧‧基底層
4‧‧‧鋅鎳合金層
5‧‧‧錫層
6‧‧‧氧化物層
7‧‧‧金屬鋅層
10‧‧‧端子
11‧‧‧連接部
12‧‧‧電線
12a‧‧‧芯線
12b‧‧‧被覆部
13‧‧‧芯線封堵部
14‧‧‧被覆封堵部
第1圖為表示本發明之附鍍錫之銅合金端子材料的製造方法的一實施形態的流程圖。
第2圖為示意性表示根據本發明之製造方法所製造的附鍍錫之銅合金端子材料之實施形態的剖面圖。
第3圖為實施形態之端子材料的平面圖。
第4圖為顯示鋅鎳合金層表面之X光繞射圖形的圖。
第5圖為試料2之端子材料的剖面的顯微鏡照片。
第6圖為試料2之端子材料的表面部分之根據XPS分析之深度方向的各元素的濃度分布圖。
第7圖為試料2之端子材料的表面部分之深度方向的化學狀態解析圖，(a)為與錫、(b)為與鋅有關的解析圖。
第8圖為測定不具有試料2、試料8之端子材料及鍍層的銅製端子材料各者之電流腐蝕經過所得的圖譜。
第9圖為試料13之端子材料的剖面的顯微鏡照片。
第10圖為表示應用實施形態之端子材料的端子之實 例的立體圖。
第11圖為表示壓接有第10圖之端子的電線之終端部的前視圖。
[實施發明之形態]
茲說明本發明實施形態之附鍍錫之銅端子材料的製造方法。
先就藉由本實施形態之製造方法所形成的附鍍錫之銅端子材料加以說明，此附鍍錫之銅端子材料1，係如第3圖示出其整體，為用以成形複數個端子的帶板狀之環箍材，在順沿長度方向的承載部21上，沿承載部21的長度方向隔著間隔地配置待成形為端子的複數個端子用構件22，各端子用構件22係經由細寬度的連結部23連結於承載部21。各端子用構件22係成形為例如如第10圖所示之端子10之形狀，透過由連結部23予以切斷，即完成端子10。
此端子10，於第10圖之例中係顯示母端子，自前端起依序一體形成有：嵌合公端子(省略圖示)的連接部11、供封堵由電線12露出之芯線12a的芯線封堵部13、供封堵電線12之被覆部12b的被覆封堵部14。
第11圖係表示對電線12封堵端子10的終端部構造，芯線封堵部13直接接觸電線12的芯線12a。
而且，此附鍍錫之銅端子材料1係如第2圖 示意性地示出其剖面，在由銅或銅合金構成的基材2上依序層合由鎳或鎳合金構成的基底層3、鋅鎳合金層4、錫層5，並進一步於錫層5上，在形成於其最表面的氧化物層6下方形成金屬鋅層7。
其次，就此附鍍錫之銅端子材料1的製造方法加以說明。
基材2只要為由銅或銅合金構成者，則其組成不特別限定。
然後，依序實施：將此基材2藉由沖壓加工等加工成第3圖所示形狀之環箍材(基材加工步驟)；供於此環箍材形成由鎳或鎳合金構成的基底層3之基底層形成步驟；供形成鋅鎳合金層4之鋅鎳合金層形成步驟；形成由錫或錫合金構成的錫層5之鍍錫步驟；形成錫層5後，藉由在既定的溫度保持一定時間而使鋅鎳合金層的鋅擴散至錫層之擴散處理步驟。
以下，依循第1圖之流程圖個別加以說明。
<基材加工步驟>
藉由對此板材實施裁斷、鑽孔等加工，而成形為如第3圖所示將複數個端子用構件22經由連結部23連結於承載部21而成的環箍材。沖壓加工後，藉由進行脫脂、酸洗等處理來清淨表面。
<基底層形成步驟>
於基材加工步驟後的環箍材形成基底層3。
供形成此基底層3的鍍鎳或鍍鎳合金只要是可獲得緻密之鎳主體的膜者則不特別限定，可使用周知之瓦特浴或胺基磺酸浴、檸檬酸浴等，藉由電鍍而形成。作為鍍鎳合金，可利用鎳鎢(Ni-W)合金、鎳磷(Ni-P)合金、鎳鈷(Ni-Co)合金、鎳鉻(Ni-Cr)合金、鎳鐵(Ni-Fe)合金、鎳鋅(Ni-Zn)合金、鎳硼(Ni-B)合金等。
若斟酌向端子10的加壓彎曲性與對銅的障壁性，較理想為由胺基磺酸浴所得之純鍍鎳。
如此形成的基底層3，其厚度為0.1μm以上5.0μm以下，鎳含有率為80質量%以上。此基底層3具有防止銅由基材2向鋅鎳合金層4或錫層5擴散之機能，其厚度若未達0.1μm，缺乏防止銅的擴散之效果；超過5.0μm則於沖壓加工時容易發生破裂。基底層3的厚度更佳為0.3μm以上2.0μm以下。
又，其鎳含有率未達80質量%時，防止銅向鋅鎳合金層4或錫層5擴散之效果較小。此鎳含有率較佳取90質量%以上。
<鋅鎳合金層形成步驟>
供形成鋅鎳合金層4的鍍鋅鎳合金，只要為能以所期望組成獲得緻密的膜者則不特別限定，可使用周知之硫酸鹽浴或氯化物鹽浴、中性浴等。為防止在鍍錫步驟中的錫置換，重要的是將鎳含有率控制為既定的值。
此時，藉由調整鍍敷浴中之鋅與鎳的濃度比，可調整鋅鎳合金層4的鎳含有率及結晶構造。
此鋅鎳合金層4，其厚度為0.1μm以上5.0μm以下，含有鋅、鎳，而且與錫層5相接而亦含有錫。此鋅鎳合金層4的鎳含有率為5質量%以上50質量%以下。
此鋅鎳合金層4的厚度若未達0.1μm，無使表面的腐蝕電位降低之效果；超過5.0μm則對端子10實施沖壓加工時有發生破裂之虞。鋅鎳合金層4的厚度更佳為0.3μm以上2.0μm以下。
鋅鎳合金層4的鎳含有率若未達5質量%，於供形成錫層5之後述之鍍錫時會發生取代反應，致鍍錫(錫層5)的密接性顯著降低。鋅鎳合金層4中的鎳含有率超過50質量%則無使表面的腐蝕電位降低之效果。此鎳含有率更佳取7質量%以上20質量%以下。
又，此鋅鎳合金層4較佳為γ相單相。由於γ相其耐蝕性高於η相，可抑制鍍錫時的取代反應，而能夠顯著抑制界面處的空隙產生。
為獲得γ相單相之鍍鋅鎳層，宜使用弱酸性的硫酸浴或氯化物浴等酸性浴，將浴中的鋅與鎳之比率控制成γ相單相。
屬γ相單相的判別可透過對實施過鍍鋅鎳的素材藉由X光繞射法進行解析來確認。使用銅作為X光源時，於2θ=36.5°與2θ=38.3°附近可確認η相、於2θ=43.1°附近可確認γ相的峰。第4圖(a)表示為γ相與 η相的混相狀態，該圖(b)表示γ相的單相狀態。由於γ相的峰與銅的峰相近，隨鍍層厚度不同亦有時會與銅的峰重疊而無法確認。鎳濃度較低時之鋅鎳合金的主相為η相與γ相，可藉由η相的有無來判別是否為γ單相。
<鍍錫步驟>
供形成錫層5的鍍錫或鍍錫合金可藉由周知方法來進行，可使用例如有機酸浴(例如酚磺酸浴、烷磺酸浴或烷醇磺酸浴)、氟硼酸浴、鹵素浴、硫酸浴、焦磷酸浴等的酸性浴、或者鉀浴或鈉浴等的鹼浴進行電鍍。
此外，若斟酌高速下的鍍敷皮膜形成、與鍍敷皮膜的緻密度及鋅的擴散容易度，較佳使用酸性的有機酸浴或硫酸浴。
於此步驟形成的錫層5較佳為厚度0.1μm以上10μm以下，過薄的話，有導致焊料潤濕性的降低及接觸電阻的降低之虞；過厚的話，則有導致表面動摩擦係數增大，而於連接器等使用時的裝卸阻力變大之虞。
<擴散處理步驟>
此擴散處理步驟係於素材的表面溫度達40℃以上160℃以下的溫度保持30分鐘以上。藉此擴散處理，鋅鎳合金層中的鋅會擴散至錫層上，而於表面薄薄地形成金屬鋅層。由於鋅的擴散會迅速發生，藉由暴露在40℃以上的溫度30分鐘以上，可形成金屬鋅層7。惟，若超過160 ℃，反而錫會朝鋅鎳側擴散而阻礙鋅的擴散；而且超過190℃時，鋅鎳合金會排斥熔融錫，而於錫層5形成斥錫部位，因此不加熱至超過190℃的溫度。
如此製成的附鍍錫之銅端子材料1，全體而言在基材2上依序層合有由鎳或鎳合金構成的基底層3、鋅鎳合金層4、錫層5；而該錫層5的表面薄薄地形成有氧化物層6，於該氧化物層6下方形成有金屬鋅層7。
金屬鋅層7，例如鋅濃度為5at%以上40at%以下且厚度以SiO2換算形成為1nm以上10nm以下。
此外，於最表面形成有鋅或錫之氧化物層6。
然後，藉由沖壓加工等直接以環繼材狀態加工成第10圖所示端子10之形狀，並將連結部23切斷，由此形成為端子10。
第11圖係表示對電線12封堵端子10的終端部構造，芯線封堵部13直接接觸電線12的芯線12a。
就此端子10，由於在錫層5的最表面之氧化物層6的下方形成有金屬鋅層7，縱為壓接於鋁製芯線12a之狀態，由於金屬鋅的腐蝕電位與鋁極為接近，故可防止電蝕的發生。此時，由於能以第3圖之環箍材之狀態實施鍍敷處理，並實施熱處理，因此基材2也不會由端子10的端面露出，從而可發揮優良的防蝕效果。
而且，由於在錫層5下方形成有鋅鎳合金層4，且此鋅會朝錫層5的表面部分擴散而至，可抑制因摩耗等所致之金屬鋅層7的消失，金屬鋅層7可維持於高濃 度。又，萬一因摩耗等而致錫層5的全部或一部分消失時，由於其下方的鋅鎳合金層4的腐蝕電位與鋁相近，故可抑制電蝕的發生。
此外，本發明不限於上述實施形態，在不悖離本發明意旨的範圍內可施加種種變更。
於上述實施形態中，係於鍍錫步驟後設置擴散處理步驟，惟此擴散處理步驟非為一定必要者，亦可未經過擴散處理步驟而加工成端子。若經過前述之擴散處理步驟，鋅會迅速擴散而較佳；然，即使未經過擴散處理步驟，藉由預先放置於例如10℃以上的常溫下，金屬鋅仍會由鋅鎳合金層4擴散至錫層5，可於錫層5的表面形成金屬鋅層7。
實施例
將基材之銅板進行電解脫脂、酸洗後，依序實施作為基底層之鍍鎳、鍍鋅鎳合金、鍍錫。各鍍敷條件如下。又，藉由此等鍍敷處理所得之基底層、鋅鎳合金層厚度係採用表1所示厚度。又，試料1未形成基底層，試料9未實施鍍鋅鎳合金。關於鍍鎳合金，就試料2係實施鍍鎳-鐵、就試料4係實施鍍鎳-磷，就試料5則是實施鍍鎳-鎢。
<鍍鎳條件>
‧鍍敷浴組成
胺基磺酸鎳：300g/L
氯化鎳：5g/L
硼酸：30g/L
‧浴溫：45℃
‧電流密度：5A/dm2
<鍍鋅鎳合金條件>
‧鍍敷浴組成
硫酸鋅七水合物：75g/L
硫酸鎳六水合物：180g/L
硫酸鈉：140g/L
‧pH=2.0
‧浴溫：45℃
‧電流密度：5A/dm2
此鍍鋅鎳合金條件為鎳含有率為15質量%之實例，鋅鎳合金層中的鎳含有率係透過調整鍍敷浴中之鋅與鎳的濃度比，而調成表1所示含有率。
<鍍錫條件>
‧鍍敷浴組成
甲磺酸錫：200g/L
甲磺酸：100g/L
光澤劑
‧浴溫：25℃
‧電流密度：5A/dm2
此外，鎳含有率係使用電子束微分析器(EPMA)日本電子股份有限公司製JXA-8530F，對以既定鍍敷條件僅由鍍鋅鎳合金成膜的試料自表面以加速電壓6.5kV進行觀察，以Φ30μm的束徑進行測定。
關於鋅鎳層的結晶構造，係於實施鍍鋅鎳並形成錫層前，對表面藉由X光繞射法進行解析來確認。使用銅作為X光源。
Figure 105141632-A0202-12-0016-1
其次，對該附鍍層之銅板中的試料5~8以表1所示溫度條件實施擴散處理而作成試料。對所得試料，測定錫層表面之金屬鋅層的厚度與濃度，就腐蝕電流、彎曲加工性、界面空隙的有無、接觸電阻進行測定、評定。
<金屬鋅層的厚度與濃度>
就金屬鋅層的厚度與濃度，係對各試料，使用ULVAC-PHI股份有限公司製XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)分析裝置：ULVAC PHI model-5600LS，一面將試料表面以氬離子進行蝕刻一面藉由XPS分析進行測定。其分析條件如下。
X光源：Standard MgKα 350W
通過能量：187.85eV(Survey)、58.70eV(Narrow)
測定間隔：0.8eV/step(Survey)、0.125eV(Narrow)
對試料面之光電子量測角：45deg
分析區域：約800μmΦ
對於厚度，係使用預先以同機種測得之SiO2的蝕刻速率，由測定所需的時間算出「SiO2換算膜厚」。
SiO2的蝕刻速率的算出方法，係將厚度20nm的SiO2膜，針對其中2.8×3.5mm的長方形區域以氬離子進行蝕刻，除以將SiO2膜蝕刻20nm所需的時間來算出。若為上述分析裝置時，由於需要8分鐘，故蝕刻速率為2.5nm/min。XPS的深度解析度約為0.5nm而優良，但由於以Ar離子束蝕刻的時間係隨各材料而異，因此，為了獲得膜厚其本身的數值，而必須調達膜厚為已知且呈平坦的試料，來算出蝕刻速率。因上述情形非為容易者，因此便利用以由膜厚為已知的SiO2膜所算出之蝕刻速率來規 定，由蝕刻所需之時間所算出的「SiO2換算膜厚」。因此，需注意「SiO2換算膜厚」係與實際的氧化物之膜厚不同。若以SiO2換算蝕刻速率來規定膜厚，即使實際的膜厚不明，由於為同一定義，仍可定量地評定膜厚。
<腐蝕電流>
對於腐蝕電流，係將餘留直徑2mm的露出部並以樹脂被覆的純鋁線與餘留直徑6mm的露出部並以樹脂被覆的試料，以距離1mm使露出部相對向地設置，測定在23℃的5質量%食鹽水中流經鋁線與試料之間的腐蝕電流。腐蝕電流測定係使用北斗電工股份有限公司製無電阻電流計HA1510，比較將試料在150℃加熱1小時後與加熱前的腐蝕電流。比較1000分鐘的平均電流值。
<彎曲加工性>
對於彎曲加工性，係以壓延方向為長度方向的方式切出試片，使用JISH3110所規定的W彎曲試驗治具，與壓延方向呈直角方向地以9.8×103N的負載實施彎曲加工。其後，以立體顯微鏡進行觀察。彎曲加工性評定係將試驗後的彎曲加工部未看出明確的裂痕之程度評為「優」；將雖可看出裂痕，但未因產生之裂痕而看到銅合金母材的露出之程度評為「良」；將因產生之裂痕而使銅合金母材露出之程度評為「不良」。
<接觸電阻>
接觸電阻的測定方法係依據JCBA-T323，使用4端子接觸電阻試驗機(山崎精機研究所股份有限公司製：CRS-113-AU)，以滑動式(1mm)測定負載0.98N時的接觸電阻。對平板試料的鍍層表面實施測定。
<界面空隙>
鍍錫時的錫取代所產生之界面空隙的有無，係對試樣以截面拋光儀進行剖面加工，以電解放射型掃描電子顯微鏡觀察鎳鋅合金層與錫層的界面附近處，將可看出超過直徑0.3μm之明確的空隙者評為有；將無明確的空隙者評為無。
將此等結果示於表2。
Figure 105141632-A0202-12-0019-2
第5圖為針對試料7之剖面的顯微鏡照片， 可確認自基材側形成有基底層(鎳層)、鋅鎳合金層、錫層，但無法判別錫層的最表面部。
第6圖為試料7之根據XPS分析的表面部分之深度方向的各元素的濃度分布圖，可知鋅濃度較高的金屬鋅層存在於表面附近。
第7圖為試料7之深度方向的化學狀態解析圖。由鍵結能的化學位移，可判斷從最表面至1.25nm的深度，氧化物為主體，2.5nm以後金屬鋅為主體。
由表2之結果可知，以厚度0.1μm以上5.0μm以下形成鎳含有率為5質量%以上50質量%以下的鋅鎳合金層後實施鍍錫而成的試料1~8，極少產生或完全未看出由錫取代所引起的空隙，具有優良的電蝕防止效果，且彎曲加工性亦良好。其中，為γ單相之鋅鎳合金層的試料3~8，完全未看出空隙。
又，在基材與鋅鎳合金層之間形成有厚度為0.1μm以上5.0μm以下，且鎳含有率為80質量%以上之基底層的試料4~8係具有比不具有基底層的試料1更優良的電蝕防止效果，其中，作為擴散處理而於40℃以上160℃以下的溫度保持30分鐘以上的試料7，8其彎曲加工性良好，且接觸電阻也比其他者更低，為特別優良之結果。
相對於此，比較例之試料9，由於未形成鋅鎳合金層，而為高腐蝕電流。又，就試料10，其鋅鎳合金層的厚度超過5.0μm，發生了鍍敷面的致命破裂，彎曲加工性較差。就試料11，由於鋅鎳合金層的鎳含有率未達5 質量%，產生了界面空隙，錫層的密接性較差，於彎曲加工時產生了裂痕。就試料12，鋅鎳合金層的鎳含有率超過50質量%，鋅的擴散不充分而使腐蝕電流偏高。就試料13，由於鋅鎳合金層薄至0.07μm，鋅的擴散不充分而使腐蝕電流偏高。
此外，第8圖係表示試料7及試料9之腐蝕電流的測定結果。作為參考，對於未實施鍍敷的無氧銅(C1020)之端子材料亦示出其值。腐蝕電流為正值且愈大則鋁線受到愈多的電流腐蝕，如此第8圖所示，可知實施例之試料7其腐蝕電流較小，可抑制電蝕的發生。
第9圖為試料11的剖面觀察結果，可知於鍍錫時鋅鎳合金層經受錫取代反應，形成明確的空隙，使接合界面變得更雜亂。
產業上可利用性
本發明雖為使用銅或銅合金基材的端子，但可作為壓接於由鋁線材構成之電線的終端也不會發生電蝕的端子而利用。

Claims (4)

  1. 一種附鍍錫之銅端子材料的製造方法，其係壓接於由鋁或鋁合金構成之電線的終端的端子用的附鍍錫之銅端子材料的製造方法，其特徵為具有：鋅鎳合金層形成步驟，係在由銅或銅合金構成的基材上以0.1μm以上5.0μm以下的厚度形成鎳含有率為5質量%以上50質量%以下的鋅鎳合金層、與鍍錫步驟，係在前述鋅鎳合金層上實施鍍錫而形成錫層、及擴散處理步驟，係在前述鍍錫步驟後具有於40℃以上160℃以下保持30分鐘以上60分鐘以下，使前述鋅鎳合金層的鋅擴散至前述錫層，並於錫層表面形成金屬鋅層。
  2. 如請求項1之附鍍錫之銅端子材料的製造方法，其中前述鋅鎳合金層的結晶構造為γ相單相。
  3. 如請求項1或2之附鍍錫之銅端子材料的製造方法，其中在前述鋅鎳合金層形成步驟前，具有在前述基材的表面以0.1μm以上5.0μm以下的厚度形成鎳含有率為80質量%以上之由鎳或鎳合金構成的基底層之基底層形成步驟。
  4. 如請求項1之附鍍錫之銅端子材料的製造方法，其中前述基材係預先經由沖壓加工形成為環箍材，前述環箍材係用以形成複數個端子的帶板狀之環箍材，而且，在順沿其長度方向的承載部上，沿前述承載部的長度方向隔著間隔連結有待成形為端子的複數個端子用構件。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11211729B2 (en) 2017-01-30 2021-12-28 Mitsubishi Materials Corporation Terminal material for connectors, terminal, and electric wire termination structure
JP6686965B2 (ja) 2017-05-16 2020-04-22 三菱マテリアル株式会社 錫めっき付銅端子材及び端子並びに電線端末部構造
JP6620897B2 (ja) * 2017-07-28 2019-12-18 三菱マテリアル株式会社 錫めっき付銅端子材及び端子並びに電線端末部構造
JP7167932B2 (ja) * 2017-10-30 2022-11-09 三菱マテリアル株式会社 防食端子材及び防食端子並びに電線端末部構造
CN109326532B (zh) * 2018-09-30 2019-11-01 深圳市创智成功科技有限公司 一种半导体制造工艺中焊锡防腐蚀的处理方法
CN111962107A (zh) * 2020-08-07 2020-11-20 扬州市景杨表面工程有限公司 一种片式元器件铜镍锡电镀方法
CN113957450B (zh) * 2021-09-24 2023-09-05 江西腾江铜业有限公司 一种铜线加工用表层镀锡设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6613451B1 (en) * 1998-09-11 2003-09-02 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Metallic material
CN102677109A (zh) * 2012-05-31 2012-09-19 南京工程学院 沼气罐表面厚度可调节γ晶型锌-镍合金制备方法
TW201338967A (zh) * 2012-03-23 2013-10-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp 電子零件用金屬材料、使用其之連接器端子、連接器及電子零件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0841681A (ja) * 1994-07-25 1996-02-13 Kobe Steel Ltd Ｎｉ−Ｚｎ系合金めっき鋼板の製法
JP3953169B2 (ja) * 1997-12-26 2007-08-08 株式会社神戸製鋼所 かん合型接続端子用めっき材の製造方法
JP2000144482A (ja) * 1998-09-11 2000-05-26 Nippon Mining & Metals Co Ltd 金属材料
JP2000169996A (ja) * 1998-09-28 2000-06-20 Nippon Mining & Metals Co Ltd 金属材料
JP4043834B2 (ja) * 2002-05-02 2008-02-06 古河電気工業株式会社 めっき材料とその製造方法、それを用いた電気・電子部品
JP4477295B2 (ja) 2002-10-10 2010-06-09 古河電気工業株式会社 自動車ワイヤハーネス用アルミ電線
JP4402132B2 (ja) * 2007-05-18 2010-01-20 日鉱金属株式会社 リフローＳｎめっき材及びそれを用いた電子部品
CN103534389A (zh) * 2011-05-10 2014-01-22 Jx日矿日石金属株式会社 镀Ni金属板、熔接结构体、以及电池用材料的制造方法
JP5875350B2 (ja) * 2011-11-30 2016-03-02 三井金属鉱業株式会社 電解銅合金箔及びキャリア箔付電解銅合金箔
JP2013218866A (ja) 2012-04-09 2013-10-24 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 端子付き電線及びその製造方法
JP2013227630A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Autonetworks Technologies Ltd コネクタ用めっき端子
TW201413068A (zh) * 2012-07-02 2014-04-01 Mitsubishi Materials Corp 插拔性優良之鍍錫銅合金端子材料及其製造方法
EP2960999B1 (en) * 2013-02-22 2018-03-21 Furukawa Electric Co., Ltd. Terminal, wiring connection structure, and method for manufacturing terminal
JP2014164927A (ja) * 2013-02-23 2014-09-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 圧着端子および接続構造体
EP2799595A1 (de) * 2013-05-03 2014-11-05 Delphi Technologies, Inc. Elektrisches Kontaktelement
JP2015133306A (ja) 2014-01-16 2015-07-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 コネクタ用電気接点材料及びその製造方法
MY185288A (en) * 2015-11-27 2021-04-30 Mitsubishi Materials Corp Tin-plated copper terminal material, terminal, and wire terminal part structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6613451B1 (en) * 1998-09-11 2003-09-02 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Metallic material
TW201338967A (zh) * 2012-03-23 2013-10-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp 電子零件用金屬材料、使用其之連接器端子、連接器及電子零件
CN102677109A (zh) * 2012-05-31 2012-09-19 南京工程学院 沼气罐表面厚度可调节γ晶型锌-镍合金制备方法

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Publication number Publication date
US10301737B2 (en) 2019-05-28
KR20180094933A (ko) 2018-08-24
TW201736643A (zh) 2017-10-16
EP3392382A4 (en) 2019-07-24
MX2018006603A (es) 2019-07-15
CN108368627B (zh) 2020-07-14
US20180347062A1 (en) 2018-12-06
JP6226037B2 (ja) 2017-11-08
EP3392382A1 (en) 2018-10-24
CN108368627A (zh) 2018-08-03
JP2017110290A (ja) 2017-06-22
KR102537040B1 (ko) 2023-05-25

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