TW201312261A

TW201312261A - 製造遮罩之方法

Info

Publication number: TW201312261A
Application number: TW101133681A
Authority: TW
Inventors: Valeriy Prushinskiy; Won-Sik Hyun; Heung-Yeol Na; Min-Soo Kim; Young-Shin Pyo; Jae-Min Hong
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2011-09-15
Filing date: 2012-09-14
Publication date: 2013-03-16
Also published as: JP5524272B2; KR101854796B1; KR20130044388A; JP2013064190A; CN102998897B; US8927180B2; CN102998897A; TWI560514B; US20130071775A1

Abstract

一種製造遮罩之方法，其可包含形成初始肋條及移除初始肋條之邊緣部份以形成最終肋條，每一個最終肋條具有小於初始肋條之頂寬。初始肋條間之空間可小於由最終肋條所限定之狹縫寬度。

Description

製造遮罩之方法

相關申請案之交互參照

本申請案參照並主張自先前於2011年9月15日向韓國智慧財產局申請，序號為10-2011-0093072之韓國申請案的所有權益，其揭露之內容將納於此處做為參照。

本發明大致上係關於一種製造遮罩之方法。更具體而言，本發明係關於一種使用於沉積製程之沉積遮罩或使用於曝光製程之光罩的製造方法。

平板顯示器或半導體裝置之形成可包含沉積薄圖樣於基板上之步驟。舉例而言，薄圖樣可使用沉積遮罩直接形成於基板上。或者，薄圖樣可藉轉印於光罩上之圖樣形成於一沉積於基板上之層上。最近，為了達到高密度半導體裝置或高解析度平板顯示器之技術需求，需要能夠沉積或轉印高解析度圖樣於基板上之沉積遮罩或光罩。

本發明之實施例提供一種製造高準度精良圖樣遮罩之方法。

根據本發明之實施例，製造遮罩之方法可包含圖樣化遮罩基板以形成初始肋條、以及移除初始肋條之上邊緣部份以形成限定狹縫並具有小於初始肋條的頂寬之最終肋條。

於一些實施例中，初始肋條之形成與最終肋條之形成可包含至少一微影製程。

於一些實施例中，初始肋條之形成可包含形成第一光阻圖樣於遮罩基板之頂面上，第一光阻圖樣具有大於最終肋條之頂寬；形成第二光阻圖樣於遮罩基板之底面上以面對第一光阻圖樣，第二光阻圖樣具有實質上與最終肋條之底寬相等之底寬；使用第一光阻圖樣與第二光阻圖樣作為蝕刻遮罩，蝕刻遮罩基板之頂面與底面以形成第一凹部與第二凹部；形成第三光阻圖樣以覆蓋第一光阻圖樣與第一凹部；及使用第一光阻圖樣、第二光阻圖樣、與第三光阻圖樣作為蝕刻遮罩，蝕刻遮罩基板以形成限定初始肋條側壁之貫穿孔。

於一些實施例中，第一光阻圖樣間之空間可小於狹縫之寬度。

於一些實施例中，最終肋條之形成可包含形成下光阻圖樣以覆蓋第二光阻圖樣及初始肋條之側壁部份；及使用第一至第三光阻圖樣與下光阻圖樣作為蝕刻遮罩，蝕刻初始肋條之上邊緣部份。於平面圖中，下光阻圖樣具有實質上相等於最終肋條頂寬之寬度。

於一些實施例中，最終肋條的形成可包含移除第一至第三光阻圖樣；形成下光阻圖樣以覆蓋初始肋條之底面及側壁；形成上光阻圖樣於初始肋條之頂面上，上光阻圖樣具有實質上相等於最終肋條頂寬之寬度並面對下光阻圖樣；及使用上及下光阻圖樣作為蝕刻遮罩，蝕刻初始遮罩之上邊緣部份。

於其他實施例中，貫穿孔之形成可以使用濕蝕刻製程之等向蝕刻方式執行。

於一些實施例中，遮罩可為用於沉積製程之沉積遮罩或用於微影製程之光罩。

於一些實施例中，每一個最終肋條可具有鏡面對稱梯型部份，其頂寬可大於底寬，且最終肋條可包含自其頂面邊緣沿著垂直方向往下延伸之線性側壁、及自線性側壁邊緣以向上凹之方式延伸至其底面邊緣之弧狀側壁。

根據本發明之實施例，製造遮罩之方法可包含使用微影製程形成初始肋條；以及使用微影製程移除初始肋條之上邊緣部份以形成限定狹縫並具有小於初始肋條頂寬的頂寬之最終肋條。最終肋條可包含鏡面對稱梯型部份，其頂寬較其底寬大，且最終肋條可包含自其頂面邊緣沿著垂直方向往下延伸之線性側壁及自線性側壁邊緣以向上凹之方式延伸至其底面邊緣之弧形側壁。

於一些實施例中，初始肋條之形成可包含形成第一光阻圖樣於遮罩基板之頂面上，該第一光阻圖樣包含以小於狹縫寬度之空間排列之部分，且每一個第一光阻圖樣之該部份具有較最終肋條頂寬大之寬度；形成第二光阻圖樣於遮罩基板之底面上，第二光阻圖樣包含多個部份，每一個該部份可具有實質上相等於最終肋條底寬之寬度，並可對準穿過第一光阻圖樣對應部份之中心之軸；使用第一光阻圖樣作為蝕刻遮罩，蝕刻遮罩基板之頂面以形成深度可小於最終肋條之線性側壁垂直長度之第一凹部；使用第二光阻圖樣作為蝕刻遮罩，蝕刻遮罩基板之底面以形成深度可小於最終肋條之弧形側壁高度之第二凹部；形成第三光阻圖樣以覆蓋第一光阻圖樣與第一凹部；以及使用第一至第三光阻圖樣作為蝕刻遮罩，蝕刻遮罩基板以形成具有曲線長度大於最終肋條之弧形側壁之曲線長度之曲線側壁。

於一些實施例中，最終肋條之形成可包含形成下光阻圖樣以覆蓋第二光阻圖樣及初始肋條之延展曲線側壁的一部份；以及使用下光阻圖樣作為蝕刻遮罩，蝕刻初始肋條之延展曲線側壁以形成具有線性側壁及弧形側壁之最終肋條。於平面圖中，下光阻圖樣可具有實質上相等於最終肋條頂寬之寬度。

於一些實施例中，最終肋條之形成可包含移除第一至第三光阻圖樣；形成下光阻圖樣以覆蓋初始肋條之底面與延展曲線側壁；形成上光阻圖樣於初始肋條之頂面上，上光阻圖樣包含多個部份，該些部份的每一個可具有實質上相等於最終肋條頂寬之寬度且可對準穿過下光阻圖樣對應部份中心之軸；以及使用上與下光阻圖樣作為蝕刻遮罩，蝕刻初始肋條之上邊緣部份以形成具有線性側壁及弧形側壁之最終肋條。

於一些實施例中，遮罩可為用於平板顯示器和/或半導體裝置沉積製程之沉積遮罩、或可為用於平板顯示器和/或半導體裝置微影製程之光罩。

於一些實施例中，延展曲線側壁之形成可以使用濕蝕刻製程之等向蝕刻方式執行。

本發明之例示性實施例現將藉參照顯示例示性實施例之附圖而更完整的描述。本發明之例示性實施例可，然而，被以許多不同形式實施，且不應被解釋為受限於本文中所提出之實施例。相反地，此些實施例之提供使此揭露通徹並完整且將完整傳達本發明實施例之概念予習知技藝人。於圖中，層與區域之厚度為了清楚而被誇大。圖中相似之參照符號指示相似之元件，且因此相似元件之描述將被省略。

將被理解的是，當提到一元件連結(connected)或是耦合(coupled)至其他元件時，其可被直接連接或耦合至該其他元件，或可有中介元件出現。相對地，當提到一元件直接連結或直接耦合於其他元件上時，無中介元件存在。全文中相似之數字指示相似之元件。如使用於本文之詞語「和/或」包含任一及全部相關所列項目之一或多個結合。用以描述元件與層間之關係的其他字彙應被以相同方式解釋之(例如，「中間(between)」相對於「直接中間(directly between)」、「相鄰(adjacent)」相對於「直接相鄰(directly adjacent)」、「於…上(on)」對於「直接於…上(directly on)」)。

應被理解的是，雖然用語「第一」「第二」等可用於本文以描述不同的元件、組成、區域、層、和/或部分，此些元件、組成、區域、層、和/或部分不應被此些用語所限制。此些用語僅用來分辨一元件、組成、區域、層、或部分與其他元件、組成、區域、層、或部分。因此，以下討論之第一元件、組成、區域、層、或部分可被稱為第二元件、組成、區域、層、或部分而不背離例示性實施例之教示。

空間相對性用語，例如「於…下(beneath)」、「以下(below)」、「較…低(lower)」、「以上(above)」、「較…高(upper)」等可被用於本文以簡化如描繪於圖示之元件或特徵相對於其他元件或特徵之關係的描述。應被理解的是，除了圖示所描繪之方向外，空間相對性用語意圖包含裝置使用與操作上之不同方向。舉例而言，若圖中的裝置被倒置，被描述在另一元件或特徵「於…下(beneath)」、「以下(below)」之元件或特徵，將會被定位於在另一元件或特徵「以上(above)」。因此，例示性用語「以下(below)」可同時包含以上或以下之方向。裝置可被以其他方式定位(旋轉90度或其他方向)，且本文所用之空間相對性描述將依此解釋。

此處之用詞係用以描述具體實施例，而無作為例示性實施例限制之意圖。除非內文中清楚指出，本文所使用之單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」係意圖包含複數形式。應被更進ㄧ步理解的是，若使用用詞「包含(comprises)」、「包含(comprising )」、「包括(includes)」、和/或「包括(including)」於本文中以指明所列特徵、成分、步驟、操作、元件、和/或組成之存在時，不排除ㄧ或多個其他特徵、成分、步驟、操作、元件、組成、和/或群組存在或附加於其中。

本發明之例示性實施例藉例示性實施例之理想實施例(及中間結構)概要繪示之剖面繪示於本文描述之。因此，可預期例如製造技術和/或容許誤差導致之繪示形狀的不同。從而，本發明之例示性實施例不應被解釋為受限於本文描繪區域之具體形狀，而是包含例如製造所產生之形狀誤差。舉例而言，描繪為矩形之植入區域可具有圓形或弧形特徵和/或其邊緣之植入濃度於具梯度變化而非二進制的於植入與非植入區域變化。同樣地，藉植入形成埋藏區域可能導致經由植入的發生於埋藏區域與表面間區域的一些植入。因此，描繪於圖之區域係示意性的，且其之形狀不意圖描繪裝置之區域的真實形狀且不意圖限制例示性實施例之範圍。

除非另外定義，本文所使用之所有用語(包含技術與科學用語)具有與本發明實施例所屬之技術領域之習知技藝人於通常理解下相同之意義。應被更進ㄧ步了解的是，除非本文明確定義，例如那些通用字典所定義之用語，應被解釋為具有與其相關領域內容ㄧ致之意義，且不應被理想化或過於正式的解釋。

為了簡化起見，以下將參照本實施例之範例而描述，其中遮罩係用於沉積設備，例如平板顯示器之製造的沉積遮罩，但本發明之例示性實施例可不限於此。舉例而言，本文描述之製造遮罩之方法可被應用於製造各種遮罩，例如用以製造半導體裝置之沉積遮罩或用於微影製程之光罩。

於一些實施例中，沉積遮罩可用於沉積層之作用，例如作為有機電致發光(EL)顯示裝置之電極(即陽極與陰極)及有機發光層。於其他實施例中，沉積遮罩可用以使用熱沉積法或電子束沉積法以形成圖樣於半導體晶圓上。

光罩可用於使用微影製程以轉印提供於其上之圖樣影像於提供於基板上之光阻層上。於一些實施例中，光罩之圖樣影像可對應至組成薄膜電晶體之元件或是液晶顯示裝置之像素電極。於其他實施例中，光罩之圖樣影像可對應至至少一個組成半導體裝置之元件。

第1圖係為用以製造平板顯示器之沉積設備之剖面圖。

參照第1圗，沉積設備10可包含腔室100、沉積源200、遮罩組件300、固定元件400。

可設置腔室100以提供沉積製程空間。於後者中，可執行沉積製程以供應有機材料並沉積有機發光層於基板S上。真空泵浦(圖未示)可與腔室100連接以減少腔室100之壓力。

於一些實施例中，沉積源200可提供於腔室100內部空間之下部以供應有機材料至提供於腔室100內部空間之上部基板S之沉積表面。遮罩組件300可包含遮罩框架320與遮罩340，且可設置於腔室100內部空間之上部以面對沉積源200。基板S可設置於遮罩組件300上。基板S可以ㄧ預定之距離與遮罩組件300垂直分離設置。另外，於平面圖中，基板S可與遮罩框架320之開口322的整個開口區域重疊。自沉積源200供應之有機材料可經由遮罩框架320之開口322與遮罩340之狹縫圖樣(圖未示)沉積於基板S之沉積表面上。從而，沉積於基板S上之有機層可包含有機圖樣，有機圖樣之形狀可對應至遮罩340的那些狹縫圖樣。固定元件400可設置於自沉積源200供應有機材料至基板S之路徑外以支持遮罩組件300之邊緣部份。

第2圖係為描繪第1圗之遮罩組件的放大透視圖。

參照第2圖，遮罩組件300可包含遮罩框架320與複數個遮罩340。

遮罩框架320可被塑型為似具有開口322提供於其中之矩形平面。遮罩340可以焊接製程之方法固定於遮罩框架320上。遮罩框架320可以高硬度即對外力呈現低形變特性之金屬材料形成。開口322可形成以具有足夠大到完全覆蓋沉積製程之目標物件(例如，第1圗中基板S之顯示區域)的開口區域且，例如被塑型似矩形。

下文中，為了簡化之緣故，分別使用第一方向I與第二方向II指示平行於遮罩框架320長邊與短邊之方向，且使用第三方向III以指示遮罩框架320之法線方向，如第2圖所示。

每一個遮罩340可被塑型似沿第二方向拉長之矩形平面。遮罩340可為以金屬薄膜形成之精良金屬框架。舉例而言，遮罩340可包含以不鏽鋼、殷鋼、鎳、鈷或任何其合金形成之層。於遮罩340之縱向方向 (即第二方向II)，每一個遮罩340可具有提供於其中心區域之圖樣區域350、提供於中心區域兩邊之焊接區域342與344。複數個遮罩340可沿著第一方向I一維地彼此相鄰排列於遮罩框架320上。每一個遮罩340可設置以覆蓋遮罩框架320之開口322。遮罩340之焊接區域342與344可焊接至遮罩框架320之長邊。

第3圖係為第2圖之圖樣區域的一部份之放大剖面圖。

參照第2圖與第3圖，每一個遮罩340之圖樣區域350可包含定義複數個狹縫352之複數個最終肋條354與354’。每一個狹縫352可具有由分別放置於其左邊與右邊的兩個最終肋條354與354’限定之區域。於一些實施例中，最終肋條354與354’可具有與彼此相同之形狀。

最終肋條354可具有較其底面354b寬之頂面354a，且對於穿過其中心點之平面具有鏡面對稱。舉例而言，最終肋條354可塑型似具有對稱梯形之剖面。最終肋條354可包含線性側壁354c，每一個線性側壁354c自頂面354a之邊緣於垂直方向往下延伸、及弧形側壁354d，每一個弧形側壁354d以向上凹之方式自對應之線性側壁354c邊緣延伸至底面354b之邊緣。

狹縫352可包含分別被最終肋條354與354’之弧形側壁354d與354’d限定之入口352a及分別被最終肋條354與354’之線性側壁354c與354’c 限定之出口352b。自沉積源200(於第1圖中)供應之有機材料可經由遮罩框架320之開口322及狹縫352之入口352a與出口352b沉積於基板S(於第1圖中)之沉積表面上。

為了實現高解析度平板顯示器，遮罩340應設置具有精良圖樣。舉例而言，最終肋條354與354’應形成以具有縮小之間距(pitch)和/或縮小之尺寸。然而，最終肋條354與354’尺寸之縮小可能導致製造遮罩340的製程中之技術困難。舉例而言，線性側壁354c與354’c可能以不具所需之尺寸形成或線性側壁354c與354’c自最終肋條354與354’消失。若線性側壁354c與354’c不以所需之結構形成，最終肋條354與354’可能具有減少之硬度且可能變形或扭曲。此將造成遮罩340之圖樣失敗。

上述之困難可藉根據本發明例示性實施例之遮罩製造方法克服。舉例而言，該方法可包含分別形成最終肋條354與354’之線性側壁354c與354’c，以便具有所需之尺寸、形狀、和/或結構。後文中，根據本發明例示性實施例製造遮罩之方法將藉參照附圖更詳細描述之。

第4A圖至第4H圖係為描繪根據本發明實施例製造遮罩之方法的剖面圖，且第4I圖係為描繪根據本發明實施例製造遮罩之方法的步驟之流程圖。

參照第3圖與第4A圖至第4H圖，製造遮罩之方法包含以如關於第4A圖至第4E圖描述之形成初始肋條之步驟與以如關於第4F圖至第4G圖描述之形成最終肋條354與354’之步驟。初始肋條可形成以具有較最終肋條354與354’寬之頂面，且最終肋條354與354’之形成可包含移除初始肋條之頂面兩端部份。於一些實施例中，初始肋條之形成可包含至少一微影製程(如關於第4A圖至第4E圖之描述)且最終肋條之形成可包含至少一微影製程(如關於第4F圖至第4G圖之描述)。

參照4A圖，可提供遮罩基板MS以形成初始肋條及形成狹縫圖樣(參照第4I圖，階段401)。遮罩基板可為以不鏽鋼、殷鋼、鎳、鈷或任何其合金形成之金屬板。

參照第4B圖，第一光阻圖樣PR-1可形成於遮罩基板MS之頂面上(參照第4I圖，階段402)。第一光阻圖樣PR-1可形成以具有大於最終肋條354與354’之頂面之寬度。第一光阻圖樣PR-1間之空間可小於狹縫352之出口352b的寬度。第二光阻圖樣PR-2可形成於遮罩基板MS之底面上(參照第4I圖，階段402)。第二光阻圖樣PR-2可形成以具有對應至最終肋條354與354’的底面寬度之寬度。第二光阻圖樣PR-2可形成於遮罩基板MS之底面上以面對提供於遮罩基板MS頂面上之第一光阻圖樣PR-1，並以便對準穿過第一光阻圖樣PR-1中心點之軸。

參照第4C圖，可使用第一光阻圖樣PR-1作為蝕刻遮罩，蝕刻遮罩基板MS之頂面以形成第一凹部E1(參照第4I圖，階段403)。第一凹部E1可形成以具有較最終肋條354與354’之線性側壁354c與354’c的垂直長度淺之深度。可使用第二光阻圖樣PR-2作為蝕刻遮罩以蝕刻遮罩基板MS之底面以形成第二凹部E2(參照第4I圖，階段403)。第二凹部E2可形成以具有分別較最終肋條354與354’之弧形側壁354d與354’d的垂直厚度淺之深度。可使用等向蝕刻製程(例如濕蝕刻製程)分別形成第ㄧ凹部E1與第二凹部E2。

參照第4D圖，第三光阻圖樣PR-3可形成於遮罩基板MS之頂面上以覆蓋第一光阻圖樣PR-1與第一凹部E1(參照第4I圖，階段404)。

參照第4E圖，可分別使用第一光阻圖樣PR-1、第二光阻圖樣PR-2、與第三光阻圖樣PR-3遮罩做為蝕刻遮罩，蝕刻基板MS之底面以擴充第二凹部E2(參照第4I圖，階段405)。執行第二凹部E2之擴充以暴露第ㄧ凹部E1之底面並形成分別藉延展之曲線側壁354d-1與354’d-1限定之初始肋條354-1與354’-1。延展曲線側壁354d-1與354’d-1可形成以具有延展接近第ㄧ凹部E1之部分，且因此延展曲線側壁354d-1與354’d-1的每一個可具有較弧形側壁354d與354’d大之曲線長度。第二凹部E2之擴充可利用等向蝕刻製程(例如濕蝕刻製程)以執行。

下文中，形成最終肋條354與354’之步驟將藉參照第4F圖至第4H圖描述。

參照第4F圖，下光阻圖樣PR-L1可形成於遮罩基板MS之底面上以覆蓋設置於初始肋條354-1與354’-1上之第二光阻圖樣PR-2 (參照第4I圖，階段406)。於一些實施例中，下光阻圖樣PR-L1可延展至部份覆蓋延展曲線側壁354d-1與354’d-1。下光阻圖樣PR-L1可形成以定義最終肋條354與354’之位置與占區平面。舉例而言，下光阻圖樣PR-L1可具與最終肋條相同平面形狀之部分。

參照第4G圖，可分別使用第一光阻圖樣PR-1、第二光阻圖樣PR-2、第三光阻圖樣PR-3、與下光阻圖樣PR-L1做為蝕刻遮罩，蝕刻初始肋條354-1與354’-1分別之延展曲線側壁354d-1與354’d-1以形成最終肋條354與354’(參照第4I圖，階段407)。最終肋條354與354’可形成以分別具有線性側壁354c與354’c 與分別具有弧形側壁354d與354’d。於一些實施例中，曲線側壁354d-1與354’d-1之蝕刻可以等向蝕刻製程(例如濕蝕刻製程) 或非等向蝕刻製程執行。

參照第4H圖，可移除第一光阻圖樣PR-1、第二光阻圖樣PR-2、第三光阻圖樣PR-3、與下光阻圖樣PR-L1以暴露最終肋條354與354’ (參照第4I圖，階段408)。於一些實施例中，最終肋條354與354’可形成以限定狹縫352。

第5A圖至第5I圖係為描繪根據本發明其他實施例製造遮罩的方法之剖面圖，且第5J圖係為描繪根據本發明其他實施例製造遮罩之方法的步驟流程圖。

參照第3圖與第5A圖至第5I圖，製造遮罩之方法可包含藉第5A圖至第5E圖描繪的形成初始肋條之步驟(參照第5J圖，階段501-505)及藉第5H圖和第5I圖描繪的形成最終肋條354與354’之步驟。初始肋條可形成以具有較最終肋條354與354’寬之頂面，且最終肋條之形成可包含移除初始肋條頂面兩端部份。於一些實施例中，初始肋條之形成可包含至少一微影製程(如第5A圖至第5E圖所描繪)且最終肋條之形成可包含至少一微影製程(如第5F圖至第5I圖所描繪)。

於一些實施例中，可以實質上與關於第4A圖至第4E圖描述之相同方法執行顯示於第5A圖至第5E圖之形成初始肋條之步驟，因此為了簡化之目的，此些步驟將不再更詳細描述。下文中，根據本發明其他實施例形成最終肋條354與354’之步驟將藉參照第5F圖至第5I圖描述。

參照第5F圖，可分別移除第一光阻圖樣PR-1、第二光阻圖樣PR-2、與第三光阻圖樣PR-3以暴露初始肋條354-1與354’-1(參照第5J圖，階段506)。

參照第5G圖，下光阻圖樣PR-L2可形成以整個覆蓋底面354b-1與354’b-1及初始肋條354-1與354’-1之延展曲線側壁354d-1與354’d-1(參照第5J圖，階段507)。上光阻圖樣PR-U2可形成於初始肋條354-1與354’-1之頂面上(參照第5J圖，階段507)。上光阻圖樣PR-U2可形成以定義最終肋條354與354’之位置與占區平面。舉例而言，上光阻圖樣PR-U2可包含與最終肋條354與354’相同平面形狀之部分。上光阻圖樣PR-U2可形成於初始肋條354-1與354’-1上以面對下光阻圖樣PR-L2並以便對準穿過下光阻圖樣PR-L2中心點之軸。

參照第5H圖，可分別使用上光阻圖樣PR-U2與下光阻圖樣PR-L2作為蝕刻遮罩，蝕刻初始肋條354-1與354’-1之頂面。從而，分別移除藉上光阻圖樣PR-U2暴露之初始肋條354-1與354’-1的部份(參照第5J圖，階段508)。最終肋條354與354’可形成以分別具有線性側壁354c與354’c、弧形側壁354d與354’d、頂面354a與354a’及底面354b與354’b。於一些實施例中，可以等向蝕刻製程(例如濕蝕刻製程) 或非等向蝕刻製程執行初始肋條354-1與354’-1部份移除。

參照第5I圖，可分別移除上光阻圖樣PR-U2與下光阻圖樣PR-L2以分別暴露最終肋條354與354’ (參照第5J圖，階段509)。於一些實施例中，最終肋條354與354’可形成以限定狹縫352。

根據先前所述之本發明之例示性實施例，最終肋條的形成可包含形成初始肋條及移除初始肋條的邊緣部份。於此，初始肋條可形成以具有較最終肋條大之頂寬，且初始肋條間之空間可小於最終肋條所定義之狹縫寬度。作為移除初始肋條邊緣部份的結果，每一個最終肋條可具有小於初始肋條之頂寬。

根據前述之遮罩製造方法，縱然於案例中肋條應具有小間隔與小尺寸以符合遮罩圖樣為型化之需求，遮罩可製造包含足以滿足尺寸與形狀之技術需求之精良圖樣。從而，可能防止遮罩之精良圖樣變形。

根據先前所述之本發明之例示性實施例，可提供具高準度精良圖樣遮罩。另外，可能防止遮罩之精良圖樣變形。從而，遮罩可滿足高密度半導體裝置或高解析度平板顯示器之技術需求。舉例而言，遮罩可用以轉印或沉積其上之圖樣於目標物體上。

雖然已具體顯示及描述本發明之例示性實施例，應被所述技術領域習知技藝人所了解的是，各種形式與細節上之變化可於不脫離所附之申請專利範圍之精神與範疇下實施。

10．．．沉積設備

100．．．腔室

200．．．沉積源

300．．．遮罩組件

320．．．遮罩框架

322．．．開口

340．．．遮罩

341、342、344．．．焊接區域

350．．．圖樣區域

352．．．狹縫

352a．．．進口

352b．．．出口

354、354’．．．最終肋條

354-1、354’-1．．．初始肋條

354b、354’b、354b-1、354’b-1．．．底面

354a、354’a、354a-1、354’a-1．．．頂面

354c、354’c．．．線性側壁

354d、354’d．．．弧形側壁

354d-1、354’d-1．．．曲線側壁

400．．．固定元件

401、402、403、404、405、406、407、408、501、502、503、504、505、506、507、508、509．．．步驟

S．．．基板

MS．．．遮罩基板

PR-1、PR-2、PR-3、PR-L1、PR-L2、PR-U2．．．光阻圖樣

E1、E2．．．凹部

本發明更完整之鑑賞與其許多附隨之優點將藉同時參照以上之詳細描述與考慮附圖而容易的被顯而易知及更佳的理解，其中相似的參照符號指示相同或相似之元件，其中：
第1圖係為描繪用以製造平板顯示器之沉積裝置之剖面圖；
第2圖係為描繪第1圖之遮罩組件之放大透視圖；
第3圖係為第2圖之圖樣區域的一部份之放大剖面圖；
第4A圖至第4H圖係為描繪根據本發明實施例之製造遮罩之方法的剖面圖；
第4I圖係為描繪根據本發明實施例製造遮罩之方法的步驟之流程圖；
第5A圖至第5I圖係為描繪根據本發明其他實施例製造遮罩之方法的剖面圖；以及
第5J圖係為描繪根據本發明其他實施例製造遮罩之方法的步驟流程圖。
應被注意的是，此些圖意圖描繪使用於本實施例之方法、結構和/或材料之ㄧ般特徵，並補充提供於上所寫之描述。然而，此些圖並非真實尺寸，且可能無法準確的反射任一給定實施例之精確結構或表現特徵，且不應被解釋為定義或限制例示性實施例價值或特性之範圍。舉例而言，相對厚度與分子、層、區域和/或結構元件之定位為了清楚可能被省略或放大。不同圖中使用相似或相同之參照符號係意圖指示相似或相同元件或特徵的存在。

401、402、403、404、405、406、407、408．．．步驟

Claims

一種製造遮罩之方法，其包含以下步驟：
圖樣化一遮罩基板以形成多個初始肋條；以及
移除該些初始肋條之多個上邊緣部份以形成限定多個狹縫之多個最終肋條，該些最終肋條之頂寬係小於該些初始肋條之頂寬。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該些初始肋條與該些最終肋條中的每一個之形成包含至少一微影製程。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該些初始肋條之形成包含以下步驟：
形成一第一光阻圖樣於該遮罩基板之一頂面上，該第一光阻圖樣具有大於該些最終肋條之頂寬的頂寬；
形成一第二光阻圖樣於該遮罩基板之一底面上以面對該第一光阻圖樣，該第二光阻圖樣具有實質上與該些最終肋條之底寬相等之底寬；
使用該第一光阻圖樣與該第二光阻圖樣作為多個蝕刻遮罩，蝕刻該遮罩基板之該頂面與該底面以形成一第一凹部與一第二凹部；
形成一第三光阻圖樣以覆蓋該第一光阻圖樣與該第一凹部；以及
使用該第一光阻圖樣、該第二光阻圖樣、與該第三光阻圖樣作為多個蝕刻遮罩，蝕刻該遮罩基板以形成限定該些初始肋條之多個側壁之ㄧ貫穿孔。
如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該第一光阻圖樣間之ㄧ空間小於該些狹縫之寬度。
如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該些最終肋條之形成包含以下步驟：
形成一下光阻圖樣以覆蓋該第二光阻圖樣及該些初始肋條之該些側壁部份；以及
使用該第一光阻圖樣、該第二光阻圖樣、該第三光阻圖樣、與該下光阻圖樣作為多個蝕刻遮罩，蝕刻該些初始肋條之該些上邊緣部份，
其中，於平面圖中該下光阻圖樣具有實質上相等於該些最終肋條頂寬之寬度。
如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該些最終肋條的形成包含以下步驟：
移除該第一光阻圖樣至該第三光阻圖樣；
形成一下光阻圖樣以覆蓋該些初始肋條之多個底面及該些側壁；
形成一上光阻圖樣於該些初始肋條之多個頂面上，該上光阻圖樣具有實質上相等於該些最終肋條之頂寬之寬度並面對該下光阻圖樣；以及
使用該上光阻圖樣及該下光阻圖樣作為多個蝕刻遮罩，蝕刻該些初始肋條之該些上邊緣部份。
如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該貫穿孔之形成係以使用一濕蝕刻製程之ㄧ等向蝕刻方式執行。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該遮罩係用於一沉積製程之ㄧ沉積遮罩及用於一微影製程之ㄧ光罩的其中之ㄧ。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該些最終肋條的每一個具有頂寬大於其底寬之一鏡面對稱梯型部份；且
該最終肋條包含自該最終肋條之頂面邊緣沿著一垂直方向往下延伸之ㄧ線性側壁、及自該線性側壁之邊緣以一向上凹之方式延伸至該最終肋條之底面邊緣之ㄧ弧狀側壁。
一種製造遮罩之方法，其包含以下步驟：
使用一微影製程形成一初始肋條；以及
使用一微影製程移除該初始肋條之多個上邊緣部份以形成限定一狹縫之ㄧ最終肋條，該最終肋條具有小於該初始肋條之頂寬的頂寬；
其中該最終肋條包含頂寬較其底寬大之一鏡面對稱梯型部份；且
該最終肋條包含自該最終肋條之頂面邊緣沿著一垂直方向往下延伸之ㄧ線性側壁、及自該線性側壁之邊緣以一向上凹之方式延伸至該最終肋條之底面邊緣之ㄧ弧形側壁。
如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該初始肋條之形成包含以下步驟：
形成ㄧ第一光阻圖樣於一遮罩基板之ㄧ頂面上，該第一光阻圖樣包含排列於小於該狹縫之寬度之ㄧ空間的多個部份，且該第一光阻圖樣之該些部份的每一個具有較該最終肋條之該頂寬大之ㄧ寬度；
形成ㄧ第二光阻圖樣於該遮罩基板之ㄧ底面上，該第二光阻圖樣包含多個部份，該些部份的每一個具有實質上相等於該最終肋條之底寬之寬度，並對準穿過該第一光阻圖樣之ㄧ對應部份之中心之ㄧ軸；
使用該第一光阻圖樣作為一蝕刻遮罩，蝕刻該遮罩基板之該頂面以形成一第一凹部，其具有小於該最終肋條之該線性側壁之一垂直長度之深度，及使用該第二光阻圖樣作為一蝕刻遮罩，蝕刻該遮罩基板之該底面以形成一第二凹部，其具有小於該最終肋條之該弧形側壁之ㄧ高度之深度；
形成ㄧ第三光阻圖樣以覆蓋該第一光阻圖樣與該第一凹部；以及
使用該第一光阻圖樣、該第二光阻圖樣、與該第三光阻圖樣作為多個蝕刻遮罩，蝕刻該遮罩基板以形成該初始肋條之一延展曲線側壁，其具有大於該最終肋條之該弧形側壁之ㄧ曲線長度之ㄧ曲線長度。
如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該最終肋條之形成包含以下步驟：
形成ㄧ下光阻圖樣以覆蓋該第二光阻圖樣及該初始肋條之該延展曲線側壁的一部份；以及
使用該下光阻圖樣作為一蝕刻遮罩，蝕刻該初始肋條之該延展曲線側壁以形成具有該線性側壁及該弧形側壁之該最終肋條；
其中，於平面圖中該下光阻圖樣具有實質上相等於該最終肋條之該頂寬之寬度。
如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該遮罩為用於一平板顯示器與ㄧ半導體裝置的ㄧ沉積製程之ㄧ沉積遮罩、以及為用於該平板顯示器與該半導體裝置之ㄧ微影製程之ㄧ光罩的其中之ㄧ。
如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該初始肋條之該延展曲線側壁之形成係以使用一濕蝕刻製程之ㄧ等向蝕刻方式執行。
如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該最終肋條之形成包含以下步驟：
移除該第一光阻圖樣、該第二光阻圖樣、與該第三光阻圖樣；
形成ㄧ下光阻圖樣以覆蓋該初始肋條之ㄧ底面與該延展曲線側壁；
形成ㄧ上光阻圖樣於該初始肋條之ㄧ頂面上，該上光阻圖樣包含多個部份，該些部份的每一個具有實質上相等於該最終肋條之該頂寬之寬度且對準穿過該下光阻圖樣之一對應部份之中心之ㄧ軸；以及
使用該上光阻圖樣與該下光阻圖樣作為多個蝕刻遮罩，蝕刻該初始肋條之該些上邊緣部份以形成具有該線性側壁及該弧形側壁之該最終肋條。
如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該遮罩為用於一平板顯示器與ㄧ半導體裝置的ㄧ沉積製程之ㄧ沉積遮罩、以及用於該平板顯示器與該半導體裝置之ㄧ微影製程之ㄧ光罩的其中之ㄧ。
如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該初始肋條之該延展曲線側壁之形成係以使用一濕蝕刻製程之ㄧ等向蝕刻方式執行。