JP2022185882A - 微細構造体用モールドおよび微細構造体用モールドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】柔軟な表面にも二重リエントラント構造を形成可能な微細構造体用モールドおよび微細構造体用モールドの製造方法を提供する。【解決手段】本開示の微細構造体用モールドは、表面３１に複数の凹部１２を備える基板３０と、表面３１上に設けられ、複数の貫通孔２２を備える犠牲層２０と、を備え、凹部１２と貫通孔２２とは、それぞれ互いに繋がっており、犠牲層２０が、貫通孔２２の凹部１２側の開口部の周囲に、凹部１２側に向かって突出する突出部２４を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、微細構造体用モールドおよび微細構造体用モールドの製造方法に関する。

防汚表面やセルフクリーニング表面を形成するために、固体表面に撥液性を付与する研究が進められている。固体表面に撥液性を付与する技術としては、固体表面をフッ素樹脂、シリコン樹脂など撥液性を有する材料でコーティングする技術が知られている。

また、表面に撥液性を付与する他の技術としては、固体表面に微細な凹凸などの微細構造を形成することで、撥液性を付与する技術がある。

微細構造を形成することで撥液性を付与する技術としては、非特許文献１に、二重リエントラント構造（２重凹型構造）を備えたＳｉ表面が開示されている。非特許文献１に開示された表面は二重リエントラント構造によって、水や有機溶媒などの任意の液体に対し高い撥液性を備えている。

Ｔ．Ｌ．Ｌｉｕ ａｎｄ Ｃ．－Ｊ． Ｋｉｍ，Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．３４６， ｎｏ．６２１３，ｐｐ．１０９６－１１００，２０１４

しかし、非特許文献１の場合、Ｓｉのような剛体の表面に微細構造を形成しているので、柔らかい材質に適用することが困難であり、応用の範囲が限られていた。

本発明は、上記の事情を鑑みなされた発明であり、柔らかい材質の表面にも二重リエントラント構造を形成可能な微細構造体用モールドおよび微細構造体用モールドの製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提案している。
（１）本発明の一態様に係る微細構造体用モールドは、表面に複数の凹部を備える基板と、
前記表面上に設けられ、複数の貫通孔を備える犠牲層と、
を備え、
前記凹部と前記貫通孔とは、それぞれ互いに繋がっており、
前記犠牲層が、前記貫通孔の前記凹部側の開口部の周囲に、前記凹部側に向かって突出する突出部を備える。

（２）上記（１）に記載の微細構造体用モールドは、前記基板が単層基板であってもよい。

（３）上記（１）に記載の微細構造体用モールドは、前記基板が、ベース基材と、前記ベース基材上に設けられる、中間層と、前記中間層上に設けられ、前記凹部を備える凹部形成層とを備えてもよい。

（４）上記（３）に記載の微細構造体用モールドは、前記中間層がエッチングを抑制するエッチング抑制層であってもよい。

（５）上記（３）に記載の微細構造体用モールドは、前記ベース基材と、前記凹部形成層と、が光透過性材料からなり、前記中間層が前記光透過性材料と光不透過性材料とからなるマスクパターン層であってもよい。

（６）上記（３）～（５）のいずれか１つに記載の微細構造体用モールドは、前記凹部が、平面部と、曲面部とからなり、前記平面部が前記中間層の表面に位置してもよい。

（７）上記（１）または（２）に記載の微細構造体用モールドは、前記凹部が半球状であってもよい。

（８）本発明の一態様に係る微細構造体用モールドの製造方法は、
基板上に第１レジスト層を形成する第１レジスト層形成工程と、
前記第１レジスト層形成工程後に、前記第１レジスト層に露光を行う第１露光工程と、
前記第１露光工程後に、前記第１レジスト層に突出部形成用パターンを形成する第１現像工程と、
第１現像工程後に、エッチングによって、前記基板に突出部形成用凹部を形成する第１凹部形成工程と、
第１凹部形成工程後に、前記突出部形成用パターンを形成した前記第１レジスト層を除去する第１レジスト層除去工程と、
前記第１レジスト層除去工程後に、前記基板上に犠牲層を形成する第２レジスト層形成工程と、
前記第２レジスト層形成工程後に、前記犠牲層に露光を行う第２露光工程と、
前記第２露光工程後に、現像を行い、前記犠牲層に貫通孔を形成する、第２現像工程と、
前記第２現像工程後に、等方性エッチングを行い、前記基板に凹部を形成する第２凹部形成工程と、
を備える。

（９）上記（８）に記載の微細構造体用モールドの製造方法は、前記第１凹部形成工程の前記エッチングが異方性エッチングであってもよい。

（１０）上記（８）に記載の微細構造体用モールドの製造方法は、前記第１凹部形成工程の前記エッチングが等方性エッチングであってもよい。

（１１）上記（８）～（１０）のいずれか１つに記載の微細構造体用モールドの製造方法は、前記基板が単層基板であってもよい。

（１２）上記（８）～（１０）のいずれか１つに記載の微細構造体用モールドの製造方法は、
前記基板が、
ベース基材と、
前記ベース基材上に設けられる、中間層と、
前記中間層上に設けられる、凹部形成層とを
備えてもよい。

（１３）上記（１２）に記載の微細構造体用モールドの製造方法は、前記中間層がエッチングを抑制するエッチング抑制層であってもよい。

（１４）上記（１２）に記載の微細構造体用モールドの製造方法は、前記ベース基材と、前記凹部形成層と、が光透過性材料からなり、前記中間層が前記光透過性材料と光不透過性材料とからなるマスクパターン層であってもよい。

（１５）上記（１４）に記載の微細構造体用モールドの製造方法は、第１露光工程および第２露光工程において、ベース基材側から露光してもよい。

本開示の上記態様によれば、柔らかい材質の表面にも二重リエントラント構造を形成可能な微細構造体用モールドおよび微細構造体用モールドの製造方法を提供することができる。

第１実施形態に係る微細構造体用モールドの模式平面図である。 図１中に示された微細構造体用モールドのＦ１－Ｆ１線に沿う模式断面図である。 図２の微細構造体用モールドの拡大断面図である。 二重リエントラント構造と液体との接触角を説明するための図である。 第１実施形態の製造方法を示すフローチャートである。 図５の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 図５の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 図５の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 図５の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 図５の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 図５の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 第２実施形態に係る微細構造体用モールドの模式平面図である。 図７中に示された微細構造体用モールドのＦ７－Ｆ７線に沿う模式断面図である。 第２実施形態の製造方法を示すフローチャートである。 第３実施形態に係る微細構造体用モールドの模式平面図である。 図１０中に示された微細構造体用モールドのＦ１０－Ｆ１０線に沿う模式断面図である。 図１１の微細構造体用モールドの拡大断面図である。 第３実施形態の製造方法を示すフローチャートである。 図１３の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 図１３の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 図１３の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 図１３の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 第４実施形態に係る微細構造体用モールドの模式平面図である。 図１５中に示された微細構造体用モールドのＦ１５－Ｆ１５線に沿う模式断面図である。 第４実施形態の製造方法を示すフローチャートである。 図１７の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 図１７の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 図１７の製造方法の製造工程の一例を示す図である。 実施例１のＰＤＭＳ膜のＳＥＭ観察の結果を示す図である。 比較例１のＰＤＭＳ膜のＳＥＭ観察の結果を示す図である。 実施例１のＰＤＭＳ膜および比較例１のＰＤＭＳ膜の接触角測定の結果を示す図である。

＜第１実施形態＞
以下、図１および図２を参照し、第１実施形態の微細構造体用モールドを説明する。図１は、第１実施形態に係る微細構造体用モールドの模式平面図であり、図２は、図１の微細構造体用モールド１００のＦ１－Ｆ１線に沿う断面図である。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。以下の説明では、互いに同一又は類似の機能を有する構成に、同一の符号を付す。互いに同一又は類似の機能を有する構成については、繰り返し説明しない場合がある。

なお、本明細書において、Ｘ方向は、基板３０の表面３１と平行な方向である。Ｙ方向は、基板３０の表面３１と平行な方向であり、かつ、Ｘ方向と直交する方向である。Ｚ方向は、基板３０の厚さ方向であり、Ｘ方向とＹ方向と直交する。Ｚ方向に上の方向とは、Ｚ方向に沿って、基板３０から犠牲層２０に向かう方向である。Ｚ方向に下の方向とは、Ｚ方向に沿って、犠牲層２０から基板３０に向かう方向である。

第１実施形態に係る微細構造体用モールド１００は、表面３１に複数の凹部１２を備える基板３０と、表面３１上に設けられ、複数の貫通孔２２を備える犠牲層２０と、を備え、凹部１２と貫通孔２２とは、それぞれ互いに繋がっており、犠牲層２０が、貫通孔２２の凹部１２側の開口部の周囲に、凹部１２側に向かって突出する突出部２４を備える。以下、各部について説明する。

（基板）
第１実施形態の基板３０は、ベース基材３２、中間層３４、凹部形成層３６を備える。このような基板としては、例えば、Ｓｉ基板と表面Ｓｉ層の間にＳｉＯ_２を挿入したＳＯＩ基板がある。

「ベース基材」
ベース基材３２の材質は、特に限定されない。ベース基材３２としては、例えば、Ｓｉ基板、ガラス基板などを用いることができる。ベース基材の厚さは特に限定されない。例えば、厚さは、１００μｍ～５００μｍである。

「中間層」
中間層３４は、ベース基材３２上に設けられる。中間層３４は、エッチングを抑えるエッチング抑制層である。中間層３４の材質は、凹部１２を形成する際にエッチングされにくい（エッチング速度が大きく低下する）のであれば、特に限定されない。中間層３４としては、ＳｉＯ_２層、Ｃｒなどの金属層などを用いることができる。中間層３４の厚さは特に限定されない。中間層３４の厚さは、例えば、１μｍ～１０μｍである。

「凹部形成層」
凹部形成層３６は、中間層３４上に設けられる。凹部形成層３６の表面（基板３０の表面）３１には、凹部１２が形成されている。凹部形成層３６の材質は、特に限定されないが、例えば、Ｓｉである。第１実施形態の微細構造体用モールド１００では、凹部１２の平面部１４が中間層３４の表面に位置する。凹部形成層３６の厚さは形成する凹部１２の大きさによって適宜調整できる。凹部形成層３６の厚さは、例えば、1μｍ～３０μｍである。

「凹部」
凹部１２は、平面部１４と曲面部１６とからなる。第１実施形態では、平面部１４の形状は特に限定されないが、例えば、円形である。曲面部１６は、平面部１４と連続して接続される。また、曲面部１６は、平面部１４の周囲に存在する。撥液性を改善するためには、微細構造と液体との接触面積を小さくすることが好ましい。基板３０の表面３１と平行な方向における曲面部１６の最大長さ（円形の場合、直径）Ｗは例えば、１μｍ～５０μｍである。平面部１４を設けることで、微細構造体用モールド１００で作製される微細構造と液体との接触面積を小さくすることができる。また、曲面部１６のＺ方向の最大長さ（高さ）ｈは、例えばＷの０．１倍～１倍である。

凹部１２は、凹部形成層３６の表面３１に複数設けられている。凹部１２の数は撥液性が得られるのであれば、特に限定されない。凹部１２は、互いに一定間隔で配置されていることが好ましい。凹部１２の配置間隔が狭いほど、微細構造体用モールド１００で形成された微細構造体に係る圧力を低減できる。また、凹部１２の配置間隔が広い程、液体が微細構造の間に入りやすくなり、撥液性を保ちにくくなる。そのため、配置間隔としては、例えば、曲面部１６の最大長さＷの２倍～１０倍である。

（犠牲層）
犠牲層２０は、基板３０の表面３１上に設けられる。微細構造体用モールド１００に樹脂などの柔軟な樹脂を流し込み、樹脂を固めた後に、犠牲層２０を有機溶剤などで溶解させることで、柔軟な樹脂からなる微細構造を壊さずに微細構造体用モールド１００から剥離することができる。犠牲層２０の材質は、モールド内で微細構造を形成した後、有機溶剤などで剥離できるのであれば、特に限定されない。犠牲層２０としては、例えば、フォトレジストなどを用いることができる。犠牲層２０の厚さは、例えば、１～３０μｍである。

「貫通孔」
犠牲層２０は複数の貫通孔２２を備える。貫通孔２２と凹部１２とはそれぞれ互いに繋がっている。貫通孔２２のＸ方向の範囲と貫通孔２２に繋がっている凹部１２のＸ方向の範囲とは重複する。同様に、貫通孔２２のＹ方向の範囲と貫通孔２２に繋がっている凹部１２のＹ方向の範囲とは重複する。基板３０の表面３１と平行な方向における貫通孔２２の断面形状（ＸＹ平面での形状）は特に限定されず、例えば、円状、四角状などであってもよい。特に好ましくは、貫通孔２２の断面形状は円状である。貫通孔２２の断面における最大長さ（貫通孔２２が円状の場合は直径）Ｗは、特に限定されないが、例えば、曲面部１６の最大長さの０．２倍～０．５倍である。基板３０の表面３１と平行な方向において、貫通孔２２の最大長さは、曲面部１６の最大長さ（直径）Ｗよりも小さい。

犠牲層２０は、貫通孔２２の凹部１２側の開口部の周囲に、凹部１２側に向かって突出する突出部２４を備える。突出部２４は、犠牲層２０と基板３０との界面から基板３０側の領域に存在する犠牲層２０の一部である。突出部２４があることで、微細構造体用モールド１００に樹脂を流し込んで固めた際に、二重リエントラント構造を形成することができる。犠牲層２０および基板３０の界面Ｔと突出部２４とのなす角度（図３に記載の角度）θは、微細構造体用モールド１００により形成した二重リエントラント構造と液体との接触角θγが３０°よりも小さくなるのであれば特に限定されない（図４）。図３は、図２の断面図の一部拡大図であり、図４は、微細構造体用モールド１００を用いて形成した微細構造（二重リエントラント構造）３００と液体４００との接触角を説明するための図である。角度θは、例えば、8０°～１００°である。

＜微細構造体用モールドの製造方法＞
次に、図５、図６Ａ～６Ｆを用い、第１実施形態に係る微細構造体用モールド１００の製造方法Ｓ１００について説明する。図５は、第１実施形態の製造方法を示すフローチャートである。図６Ａ～６Ｆは、図５の製造方法の製造工程の一例を示す図である。基板３０上に第１レジスト層５０を形成する第１レジスト層形成工程Ｓ１と、第１レジスト層形成工程Ｓ１後に、第１レジスト層５０に露光を行う第１露光工程Ｓ２と、第１露光工程Ｓ２後に、第１レジスト層５０に突出部形成用パターン５１を形成する第１現像工程Ｓ３と、第１現像工程Ｓ３後に、エッチングによって、基板３０に突出部形成用凹部６０を形成する第１凹部形成工程Ｓ４と、第１凹部形成工程Ｓ４後に、突出部形成用パターン５１を形成した第１レジスト層５０を除去する第１レジスト層除去工程Ｓ５と、第１レジスト層除去工程Ｓ５後に、犠牲層２０を形成する第２レジスト層形成工程Ｓ６と、第２レジスト層形成工程Ｓ６後に、犠牲層２０に露光を行う第２露光工程Ｓ７と、第２露光工程Ｓ７後に、現像を行い、犠牲層２０に貫通孔２２を形成する、第２現像工程Ｓ８と、第２現像工程Ｓ８後に、等方性エッチングを行い、凹部１２を形成する第２凹部形成工程Ｓ９と、を備える。以下、各工程について説明する。

（第１レジスト層形成工程Ｓ１）
第１レジスト層形成工程Ｓ１において、基板３０上に第１レジスト層５０を形成する(図６Ａ）。例えば、基板３０上にフォトレジストを塗布し、第１レジスト層５０を形成して、第１レジスト層形成基板を得る。第１レジスト層５０を形成するためのフォトレジストはネガ型レジスト、ポジ型レジストどちらを使用してもよい。フォトレジストとしては、ｍｉｃｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ社製ＡＺ Ｐ４２１０などを用いることができる。第1実施形態では、基板３０は、ベース基材３２、中間層３４、凹部形成層３６を備える。

第１レジスト層の厚さは特に限定されないが、例えば、１～１０μｍである。第１レジスト層の形成方法は特に限定されないが、例えばスピンコートによって形成することができる。基板は、フッ化水素酸の水溶液で洗浄してもよい。

(第１露光工程）
第１露光工程Ｓ２では、第１レジスト層形成工程Ｓ１後に、所定の穴のパターンが形成されたフォトマスクなどを用い、第１レジスト層に対し、公知の方法で露光する。

（第１現像工程）
第１現像工程Ｓ３では、第１露光工程Ｓ２の後に、第１レジスト層５０に突出部形成用パターン５１を形成する（図６Ｂ）。具体的には、現像液に露光後の基板を浸漬することで、第１レジスト層の一部を除去し、基板上に突出部形成用パターンを形成する。

（第１凹部形成工程）
第１凹部形成工程Ｓ４では、第１現像工程Ｓ３後に、エッチングによって、突出部形成用凹部６０を形成する（図６Ｃ）。第１実施形態では、等方性エッチングを行う。等方性エッチングとは、エッチングの反応が全ての方向に向かって起こるエッチングである。突出部形成用凹部６０は、ＤＲＩＥ（ｄｅｅｐ ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）で形成することができる。エッチングの条件は適宜調整することができる。エッチングガスは、エッチングする材質によって、変えることができる。例えば、Ｓｉを等方性エッチングする場合は、ＳＦ_６を用いることができる。

（第１レジスト層除去工程Ｓ５）
次に、第１レジスト層除去工程Ｓ５では、第１凹部形成工程Ｓ４の後に、突出部形成用パターン５１を形成した第１レジスト層５０を除去する。第１レジスト層５０の除去の方法は特に限定されない。例えば、露光後のレジストを溶解可能な溶剤を用いて除去してもよいし、Ｏ_２プラズマ等のアッシングで除去してもよい。溶剤としては、アセトン、イソプロパノールが挙げられる。溶剤を用いて第１レジスト層５０を除去する場合は、溶剤中に基板を浸漬し、超音波洗浄を行うことが好ましい。

（第２レジスト層形成工程）
第２レジスト層形成工程Ｓ６では、第１レジスト層除去工程Ｓ５の後に、基板３０上に犠牲層２０を形成する(図６Ｄ）。第１レジスト層５０を除去した後の基板３０上にフォトレジストを塗布し、犠牲層２０を形成する。犠牲層２０を形成するためのフォトレジストは、ネガ型レジスト、ポジ型レジストどちらを使用してもよい。フォトレジストとしては、例えば、ｍｉｃｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ社製ＡＺ Ｐ４９０３などを用いることができる。犠牲層２０の厚さは、例えば、５～３０μｍである。

（第２露光工程）
第２露光工程Ｓ７では、第２レジスト層形成工程Ｓ６後に、犠牲層２０に露光を行う。例えば、所定の穴のパターンが形成されたフォトマスクを用い、犠牲層２０に対し、公知の方法で露光する。なお、突出部形成用凹部６０の中心位置と、後の工程で形成される貫通孔の中心位置が合うように、フォトマスクの位置合わせを行う。

（第２現像工程）
第２現像工程Ｓ８では、第２露光工程Ｓ７後に、現像を行い、犠牲層２０に貫通孔を形成する（図６Ｅ）。具体的には、現像液に露光後の基板を浸漬することで、犠牲層２０の一部を除去し、犠牲層２０に貫通孔２２を形成する。

(第２凹部形成工程）
第２凹部形成工程Ｓ９では、第２現像工程Ｓ８後に、等方性エッチングを行い、基板３０に凹部１２を形成する（図６Ｆ）。微細構造体用モールドの製造方法Ｓ１００において、基板３０が中間層３４を備えているので、中間層３４でエッチングの速度が大きく低下する。一方凹部形成層３６の等方性エッチングは進行する。これによって、中間層３４の表面の位置に凹部１２の平面部１４が形成され、それ以外の部分において、曲面部１６が形成される。また、突出部形成用凹部６０に入り込んだ犠牲層２０の一部はエッチングされず、当該犠牲層２０の一部の周囲にある凹部形成層３６がエッチングされることで、突出部２４が形成される。基板３０に凹部１２および突出部２４が形成されることで、微細構造体用モールド１００が得られる。

（微細構造体の製造方法）
得られた微細構造体用モールド１００の貫通孔２２に樹脂（例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ））を流し込む。微細構造体用モールド１００内で、樹脂を硬化反応などで固化させ、微細構造体３００を形成する。微細構造体３００を形成後、有機溶剤などで犠牲層２０を除去することで微細構造体３００を得ることができる。樹脂を流し込む前に、樹脂と微細構造体用モールド１００との剥離を促すための剥離層（例えばＣ_４Ｆ_８の薄層）を形成してもよい。

＜第２実施形態＞
以下、図７および図８を参照し、第２実施形態の微細構造体用モールド１００Ａを説明する。図７は第２実施形態に係る微細構造体用モールドの模式平面図であり、図８は、図７の微細構造体用モールド１００のＦ７－Ｆ７線に沿う断面図である。第２実施形態に係る微細構造体用モールド１００Ａは、表面３１Ａに複数の凹部１２Ａを備える基板３０Ａと、表面３１Ａ上に設けられ、複数の貫通孔２２を備える犠牲層２０と、を備え、凹部１２Ａと貫通孔２２とは、それぞれ互いに繋がっており、犠牲層２０が、貫通孔２２の凹部１２Ａ側の開口部の周囲に、凹部１２Ａ側に向かって突出する突出部２４を備える。以下、各部について説明する。

（基板）
第１実施形態の基板３０Ａは、単層基板である。単層基板としては、例えば、Ｓｉ基板がある。基板３０Ａの表面３１Ａには、凹部１２Ａが形成されている。基板３０Ａの厚さは、特に限定されない。基板３０Ａの厚さは、例えば、１００μｍ～５００μｍである。

「凹部」
凹部１２Ａは、半球状である。基板３０Ａの表面３１Ａと平行な方向における凹部１２Ａの最大長さ（直径）Ｗ２は例えば、１μｍ～５０μｍである。また、曲面部１６のＺ方向の最大長さ（高さ）ｈ２は、例えばＷ２の０．１倍～１倍である。

凹部１２Ａは、基板３０Ａの表面３１Ａに複数設けられている。凹部１２Ａの数は撥液性が得られるのであれば、特に限定されない。凹部１２Ａは、互いに一定間隔で配置されていることが好ましい。凹部１２Ａの配置間隔が狭いほど、微細構造体用モールド１００で形成された微細構造体に係る圧力を低減できる。また、凹部１２Ａの配置間隔が広い程、液体が微細構造の間に入りやすくなり、撥液性を保ちにくくなる。配置間隔としては、例えば、凹部１２Ａの最大長さＷ２の２倍～１０倍である。

「貫通孔」
貫通孔２２の断面における最大長さ（貫通孔２２が円状の場合は直径）は、特に限定されないが、例えば、凹部１２Ａの最大長さＷ２の０．２倍～０．５倍である。

＜微細構造体用モールドの製造方法＞
次に、図９を用い、第２実施形態に係る微細構造体用モールドの製造方法Ｓ１００Ａについて説明する。図９は、第２実施形態の製造方法を示すフローチャートである。複層の基板である基板３０の代わりに単層基板である基板３０Ａを用いる以外、第１レジスト層形成工程Ｓ１～第２現像工程Ｓ８までの工程は微細構造体用モールドの製造方法Ｓ１００と同じである。

(第２凹部形成工程）
第２凹部形成工程Ｓ９Ａでは、第２現像工程Ｓ８後に、等方性エッチングを行い、基板３０に凹部１２Ａを形成する。微細構造体用モールドの製造方法Ｓ１００Ａにおいて、基板３０Ａは単層基板であるので、半球状の凹部１２Ａが形成される。基板３０Ａに凹部１２Ａが形成されることで、微細構造体用モールド１００Ａが得られる。

＜第３実施形態＞
以下、図１０および図１１を参照し、第３実施形態の微細構造体用モールド１００Ｂを説明する。図１０は、第３実施形態に係る微細構造体用モールド１００Ｂの模式平面図であり、図１１は、図１０の微細構造体用モールド１００ＢのＦ１０－Ｆ１０線に沿う断面図である。

第３実施形態に係る微細構造体用モールド１００Ｂは、表面３１に複数の凹部１２Ｂを備える基板３０と、表面３１上に設けられ、複数の貫通孔２２を備える犠牲層２０Ｂと、を備え、凹部１２Ｂと貫通孔２２とは、それぞれ互いに繋がっており、犠牲層２０Ｂが、貫通孔２２の凹部１２Ｂ側の開口部の周囲に、凹部１２Ｂ側に向かって突出する突出部２４Ｂを備える。以下、各部について説明する。

「凹部」
凹部１２Ｂは、平面部１４Ｂと曲面部１６Ｂとからなる。第３実施形態では、平面部１４Ｂの形状は特に限定されないが、例えば、円形である。曲面部１６Ｂは、平面部１４Ｂと連続して接続される。また、曲面部１６Ｂは、平面部１４Ｂの周囲に存在する。撥液性を改善するためには、微細構造と液体との接触面積を小さくすることが好ましい。基板３０の表面３１と平行な方向における曲面部１６Ｂの最大長さ（円形の場合、直径）Ｗ３は例えば、１μｍ～５０μｍである。第３実施形態では、最大長さＷ３は、犠牲層２０と凹部形成層３６との界面の位置での曲面部１６Ｂの長さとなる。平面部１４Ｂを設けることで、微細構造体用モールド１００で作製される微細構造と液体との接触面積を小さくすることができる。また、曲面部１６ＢのＺ方向の最大長さ（高さ）ｈ３は、例えばＷ３の０．１倍～１倍である。

凹部１２Ｂは、凹部形成層３６の表面３１に複数設けられている。凹部１２Ｂの数は撥液性が得られるのであれば、特に限定されない。凹部１２Ｂは、互いに一定間隔で配置されていることが好ましい。凹部１２Ｂの配置間隔が狭いほど、微細構造体用モールド１００で形成された微細構造体に係る圧力を低減できる。また、凹部１２Ｂの配置間隔が広い程、液体が微細構造の間に入りやすくなり、撥液性を保ちにくくなる。そのため、配置間隔としては、例えば、曲面部１６Ｂの最大長さＷ３の２倍～１０倍である。

（犠牲層）
犠牲層２０Ｂは、基板３０の表面３１上に設けられる。微細構造体用モールド１００Ｂに樹脂などの柔軟な樹脂を流し込み、樹脂を固めた後に、犠牲層２０Ｂを有機溶剤などで溶解させることで、柔軟な樹脂からなる微細構造を壊さずに微細構造体用モールド１００Ｂから剥離することができる。犠牲層２０Ｂの材質は、モールド内で微細構造を形成した後、有機溶剤などで剥離できるのであれば、特に限定されない。犠牲層２０Ｂとしては、例えば、フォトレジストなどを用いることができる。犠牲層２０Ｂの厚さは、例えば、1～３０μｍである。

犠牲層２０Ｂは複数の貫通孔２２を備える。貫通孔２２と凹部１２Ｂとはそれぞれ互いに繋がっている。貫通孔２２のＸ方向の範囲と貫通孔２２に繋がっている凹部１２ＢのＸ方向の範囲とは重複する。同様に、貫通孔２２のＹ方向の範囲と貫通孔２２に繋がっている凹部１２ＢのＹ方向の範囲とは重複する。基板３０の表面３１と平行な方向における貫通孔２２の断面形状（ＸＹ平面での形状）は特に限定されず、例えば、円状、四角状などであってもよい。特に好ましくは、貫通孔２２の断面形状は円状である。貫通孔２２の断面における最大長さ（貫通孔２２が円形の場合は直径）３は、特に限定されないが、例えば、曲面部１６Ｂの最大長さＷ３の０．２倍～０．５倍である。基板３０の表面３１と平行な方向において、貫通孔２２の最大長は、曲面部１６Ｂの最大長さ（直径）Ｗ３よりも小さい。

犠牲層２０Ｂは、貫通孔２２の凹部１２Ｂ側の開口部の周囲に、凹部１２Ｂ側に向かって突出する突出部２４Ｂを備える。突出部２４Ｂがあることで、微細構造体用モールド１００に樹脂を流し込み、固めた際に、二重リエントラント構造を形成することができる。犠牲層２０Ｂおよび基板３０の界面を延長した方向Ｔ２と突出部２４Ｂとのなす角度（図１２に記載の角度）θ２は、微細構造体用モールド１００Ｂにより形成した二重リエントラント構造と液体との接触角θγが３０°よりも小さくなるのであれば特に限定されない。図１２は、図１１の微細構造体用モールド１００Ｂの拡大断面図である。角度θ２は、８０°～１００°である。また、断面において、凹部１２Ｂと犠牲層２０Ｂとの境界点Ｂから突出部２４ＢまでのＸ方向の距離ｄは、曲面部１６Ｂの最大長さＷ３の５分の１以下が好ましい。距離ｄを最大長さＷの５分の１以下とすることで、高い撥液性を表面に付与することができる。

＜微細構造体用モールドの製造方法＞
次に、図１３、図１４Ａ～１４Ｄを用い、第３実施形態に係る微細構造体用モールド１００Ｂの製造方法Ｓ１００Ｂについて説明する。図１３は、第３実施形態の製造方法を示すフローチャートである。図１４Ａ～１４Ｄは、図１３の製造方法の製造工程の一例を示す図である。基板３０上に第１レジスト層５０を形成する第１レジスト層形成工程Ｓ１と、第１レジスト層形成工程Ｓ１後に、第１レジスト層５０に露光を行う第１露光工程Ｓ２と、第１露光工程Ｓ２後に、第１レジスト層５０に突出部形成用パターン５１を形成する第１現像工程Ｓ３と、第１現像工程Ｓ３後に、異方性エッチングによって、基板３０に突出部形成用凹部６０Ｂを形成する第１凹部形成工程Ｓ４Ｂと、第１凹部形成工程Ｓ４Ｂ後に、突出部形成用パターン５１を形成した第１レジスト層５０を除去する第１レジスト層除去工程Ｓ５と、第１レジスト層除去工程Ｓ５後に、犠牲層２０Ｂを形成する第２レジスト層形成工程Ｓ６Ｂと、第２レジスト層形成工程Ｓ６Ｂ後に、犠牲層２０Ｂに露光を行う第２露光工程Ｓ７Ｂと、第２露光工程Ｓ７Ｂ後に、現像を行い、犠牲層２０Ｂに貫通孔２２を形成する、第２現像工程Ｓ８Ｂと、第２現像工程Ｓ８Ｂ後に、等方性エッチングを行い、凹部１２Ｂを形成する第２凹部形成工程Ｓ９Ｂと、を備える。以下、各工程について説明する。

（第１凹部形成工程）
第１凹部形成工程Ｓ４Ｂでは、第１現像工程Ｓ３後に、エッチングによって、突出部形成用凹部６０Ｂを形成する（図１４Ａ）。第３実施形態では、異方性エッチングを行う。異方性エッチングは、エッチングの反応に異方性がある（例えば、１方向に向かってエッチングの反応が起こる）エッチングである。突出部形成用凹部６０Ｂは、ＤＲＩＥ（ｄｅｅｐ ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）で形成することができる。エッチングの条件は適宜調整することができる。エッチングガスは、エッチングする材質によって、変えることができる。Ｓｉを異方性エッチングする場合は、例えばボッシュプロセスを用いることができる。

（第２レジスト層形成工程）
第２レジスト層形成工程Ｓ６Ｂでは、第１レジスト層除去工程Ｓ５の後に、基板３０上に犠牲層２０Ｂを形成する(図１４Ｂ）。具体的には、第１レジスト層５０を除去した後の基板３０上にフォトレジストを塗布し、犠牲層２０Ｂを形成する。犠牲層２０Ｂを形成するためのフォトレジストは、ネガ型レジスト、ポジ型レジストどちらを使用してもよい。フォトレジストとしては、例えば、ｍｉｃｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ社製ＡＺ Ｐ４９０３などを用いることができる。犠牲層２０Ｂの厚さは、例えば、５～３０μｍである。

（第２露光工程）
第２露光工程Ｓ７Ｂでは、第２レジスト層形成工程Ｓ６Ｂ後に、犠牲層２０Ｂに露光を行う。例えば、所定の穴のパターンが形成されたフォトマスクを用い、犠牲層２０Ｂに対し、公知の方法で露光する。なお、突出部形成用凹部６０Ｂの中心位置と、後の工程で形成される貫通孔２２の中心位置が合うように、フォトマスクの位置合わせを行う。

（第２現像工程）
第２現像工程Ｓ８Ｂでは、第２露光工程Ｓ７Ｂ後に、現像を行い、犠牲層２０Ｂに貫通孔２２を形成する（図１４Ｃ）。具体的には、現像液に露光後の基板を浸漬することで、犠牲層２０Ｂの一部を除去し、犠牲層２０Ｂに貫通孔２２を形成する。

(第２凹部形成工程）
第２凹部形成工程Ｓ９Ｂでは、第２現像工程Ｓ８Ｂ後に、等方性エッチングを行い、基板３０に凹部１２Ｂを形成する（図１４Ｄ）。微細構造体用モールドの製造方法Ｓ１００において、基板３０が中間層３４を備えているので、中間層３４でエッチング速度が大きく低下する。凹部形成層３６の等方性エッチングは進む。これによって、中間層３４の表面の位置に凹部１２Ｂの平面部１４Ｂが形成され、それ以外の部分において、曲面部１６Ｂが形成される。突出部形成用凹部６０Ｂに入り込んだ犠牲層２０Ｂの一部はエッチングされず、当該犠牲層２０Ｂの一部の周囲にある凹部形成層３６がエッチングされることで、突出部２４Ｂが形成される。基板３０に凹部１２Ｂおよび突出部２４Ｂが形成されることで、微細構造体用モールド１００Ｂが得られる。

＜第４実施形態＞
以下、図１５および図１６を参照し、第４実施形態の微細構造体用モールドを説明する。図１５は、第４実施形態に係る微細構造体用モールド１００Ｃの模式平面図であり、図１６は、図１５の微細構造体用モールド１００ＣのＦ１５－Ｆ１５線に沿う断面図である。

第４実施形態に係る微細構造体用モールド１００Ｃは、表面３１Ｃに複数の凹部１２Ｃを備える基板３０Ｃと、表面３１Ｃ上に設けられ、複数の貫通孔２２を備える犠牲層２０と、を備え、凹部１２Ｃと貫通孔２２とは、それぞれ互いに繋がっており、犠牲層２０が、貫通孔２２の凹部１２Ｃ側の開口部の周囲に、凹部１２Ｃ側に向かって突出する突出部２４を備える。以下、各部について説明する。

（基板）
第４実施形態の基板３０Ｃは、ベース基材３２Ｃ、中間層３４Ｃ、凹部形成層３６Ｃを備える。

「ベース基材」
ベース基材３２Ｃは、光透過性材料からなる。光透過性材料は特に限定されないが、例えばガラスである。ベース基材の厚さは特に限定されない。例えば、厚さは、３００μｍである。

「中間層」
中間層３４Ｃは、ベース基材３２Ｃ上に設けられる。中間層３４Ｃは、光を通す光透過性材料と光を通さない光不透過性材料とからなる。中間層３４Ｃには、光透過性材料と光不透過性材料とによって、貫通孔および突出部形成用パターンが形成されている。即ち、中間層３４Ｃはフォトマスクの機能を有するマスクパターン層である。中間層３４Ｃの材料は、フォトマスクの機能を有するのであれば、特に限定されない。中間層３４Ｃとしては、光透過性材料として例えばＳｉＯ_２、光不透過性材料として例えば、Ｃｒなどの金属層などを用いることができる。中間層３４Ｃの厚さは特に限定されない。中間層３４Ｃの厚さは、例えば、０．５μｍ～１μｍである。

「凹部形成層」
凹部形成層３６Ｃは、中間層３４Ｃ上に設けられる。凹部形成層３６Ｃの表面（基板３０Ｃの表面）３１Ｃには、凹部１２Ｃが形成されている。凹部形成層３６Ｃの材質は、例えば、光透過性材料である。光透過性材料は特に限定されないが、例えばガラスである。凹部形成層３６Ｃの厚さは形成する凹部１２Ｃの大きさによって適宜調整できる。凹部形成層３６Ｃの厚さは、例えば、1μｍ～３０μｍである。

「凹部」
凹部１２Ｃは、平面部１４Ｃと曲面部１６Ｃとからなる。第４実施形態では、平面部１４Ｃの形状は特に限定されないが、例えば、円形である。曲面部１６Ｃは、平面部１４Ｃと連続して接続される。また、曲面部１６Ｃは、平面部１４Ｃの周囲に存在する。撥液性を改善するためには、微細構造と液体との接触面積を小さくすることが好ましい。基板３０Ｃの表面３１Ｃと平行な方向における曲面部１６Ｃの最大長さ（円形の場合、直径）Ｗ４は例えば、１μｍ～５０μｍである。平面部１４Ｃを設けることで、微細構造体用モールド１００Ｃで作製される微細構造と液体との接触面積を小さくすることができる。また、曲面部１６のＺ方向の最大長さ（高さ）ｈ４は、例えばＷ４の０．１倍～１倍である。

凹部１２Ｃは、凹部形成層３６Ｃの表面３１Ｃに複数設けられている。凹部１２Ｃの数は撥液性が得られるのであれば、特に限定されない。凹部１２Ｃは、互いに一定間隔で配置されていることが好ましい。凹部１２Ｃの配置間隔が狭いほど、微細構造体用モールド１００Ｃで形成された微細構造体に係る圧力を低減できる。また、凹部１２Ｃの配置間隔が広い程、液体が微細構造の間に入りやすくなり、撥液性を保ちにくくなる。そのため、配置間隔としては、例えば、曲面部１６Ｃの最大長さＷ４の２倍～１０倍である。

＜微細構造体用モールドの製造方法＞
次に、図１７、図１８Ａ～Ｃを用い、第４実施形態に係る微細構造体用モールドの製造方法Ｓ１００Ｃについて説明する。図１７は、第４実施形態の製造方法を示すフローチャートである。図１８Ａ～Ｃは、図１７の製造方法の製造工程の一例を示す図である。基板３０Ｃ上に第１レジスト層５０を形成する第１レジスト層形成工程Ｓ１と、第１レジスト層形成工程Ｓ１後に、第１レジスト層５０に露光を行う第１露光工程Ｓ２Ｃと、第１露光工程Ｓ２Ｃ後に、第１レジスト層５０に突出部形成用パターン５１を形成する第１現像工程Ｓ３Ｃと、第１現像工程Ｓ３Ｃ後に、エッチングによって、基板３０に突出部形成用凹部６０を形成する第１凹部形成工程Ｓ４と、第１凹部形成工程Ｓ４後に、突出部形成用パターン５１を形成した第１レジスト層５０を除去する第１レジスト層除去工程Ｓ５と、第１レジスト層除去工程Ｓ５後に、犠牲層２０を形成する第２レジスト層形成工程Ｓ６と、第２レジスト層形成工程Ｓ６後に、犠牲層２０に露光を行う第２露光工程Ｓ７Ｃと、第２露光工程Ｓ７Ｃ後に、現像を行い、犠牲層２０に貫通孔２２を形成する、第２現像工程Ｓ８Ｃと、第２現像工程Ｓ８Ｃ後に、等方性エッチングを行い、凹部１２を形成する第２凹部形成工程Ｓ９Ｃと、を備える。

(第１露光工程）
第１露光工程Ｓ２Ｃでは、第１レジスト層形成工程Ｓ１後に、ベース基材３２Ｃ側から公知の方法で露光をする。中間層３４Ｃがフォトマスクとして機能するため、フォトマスクは必要ない。

（第１現像工程）
第１現像工程Ｓ３Ｃでは、第１露光工程Ｓ２Ｃの後に、第１レジスト層５０に突出部形成用パターン５１Ｃを形成する（図１８Ａ）。具体的には、現像液に露光後の基板を浸漬することで、第１レジスト層の一部を除去し、基板上に突出部形成用パターン５１Ｃを形成する。

（第２露光工程）
第２露光工程Ｓ７Ｃでは、第２レジスト層形成工程Ｓ６後に、ベース基材３２Ｃ側から犠牲層２０に公知の方法で露光を行う。なお、中間層３４Ｃがフォトマスクとして機能するので、別のフォトマスクは必要とせず、フォトマスクの位置合わせを行う必要もない。

（第２現像工程）
第２現像工程Ｓ８Ｃでは、第２露光工程Ｓ７Ｃ後に、現像を行い、犠牲層２０に貫通孔を形成する（図１８Ｂ）。具体的には、現像液に露光後の基板を浸漬することで、犠牲層２０の一部を除去し、犠牲層２０に貫通孔２２を形成する。

(第２凹部形成工程）
第２凹部形成工程Ｓ９Ｃでは、第２現像工程Ｓ８Ｃ後に、等方性エッチングを行い、基板３０Ｃに凹部１２Ｃを形成する(図１８Ｃ）。微細構造体用モールドの製造方法Ｓ１００Ｃにおいて、中間層３４Ｃがエッチングされないように凹部形成層３６Ｃの厚さに応じてエッチングプロセスを変更する。第４実施形態では、平面部１４Ｃおよび曲面部１６Ｃを備える凹部１６Ｃが形成される。突出部形成用凹部６０に入り込んだ犠牲層２０の一部はエッチングされず、当該犠牲層２０の一部の周囲にある凹部形成層３６Ｃがエッチングされることで、突出部２４が形成される。基板３０Ｃに凹部１２Ｃおよび突出部２４が形成されることで、微細構造体用モールド１００Ｃが得られる。

以上、本開示の微細構造体用モールドについて詳述した。本発明の技術的範囲は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

その他、本発明の趣旨に逸脱しない範囲で、前記実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、前記した変形例を適宜組み合わせてもよい。

次に、本発明の実施例について説明するが、実施例での条件は、本発明の実施可能性及び効果を確認するために採用した一条件例であり、本発明は、この一条件例に限定されるものではない。本発明は、本発明の要旨を逸脱せず、本発明の目的を達成する限りにおいて、種々の条件を採用し得るものである。

（実施例１の微細構造体用モールドの作製）
ＳＯＩウェハ（Ｓｉ層：１５μｍ／ＳｉＯ_２層：２μｍ／Ｓｉ基板：３００μｍ）をフッ化水素酸５０％水溶液で洗浄した。次に、洗浄したウェハにスピンコートで第１レジスト層（ＡＺ Ｐ４２１０；厚さ２．５μｍ）を形成した。穴の配列パターンをリソグラフィ（露光、現像）で形成した。穴の直径は１５μｍとした。次にＤＲＩＥ（ｄｅｅｐ ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）で等方性エッチング（エッチングガス：ＳＦ_６、ガス流量：４５０ｓｃｃｃｍ、ＲＦパワー：１５００Ｗ、ＬＦパワー：５０Ｗ、エッチング時間：７５秒）を行い、突出部形成用凹部を形成し、次にアセトンおよびイソプロパノールを用い超音波洗浄を行った。洗浄後のウェハにスピンコートで犠牲層（ＡＺ Ｐ４９０３、厚さ １８μｍ）を形成し、リソグラフィで穴（直径１０μｍ）のパターンを形成した。パターン形成後のウェハに対し、等方性エッチング（エッチング時間：８分）を行い、実施例１の微細構造体形成用モールドを作製した。

（比較例１の微細構造体用モールドの作製）
Ｓｉ基板上にスピンコートでレジスト層（ｍｉｃｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ社製ＡＺ Ｐ４９０３、厚さ：１８μｍ）を形成し、穴の配列パターンをリソグラフィ（露光、現像）で形成した。穴の直径は１０μｍとした。次にＤＲＩＥ（ｄｅｅｐ ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）で等方性エッチング（エッチングガス：ＳＦ_６、ガス流量：４５０ｓｃｃｃｍ、ＲＦパワー １５００Ｗ、ＬＦパワー５０Ｗ、エッチング時間：５分）を行い、比較例１の微細構造体用モールドを作製した。

（実施例１の微細構造体の作製）
実施例１の微細構造体用モールドの表面にＣ_４Ｆ_８の薄層を形成した。その後、液体状のＰＤＭＳ（Ｓｙｌｇａｒｄ １８４）を混合比１０：１で混合し、ウェハ上にスピンコート（５００ｒｐｍ）で２回製膜した。その後、泡を無くすために、真空チャンバにウェハを入れ、８０℃１時間で加熱した。その後アセトンで犠牲層を溶解し、表面に微細構造体を形成したＰＤＭＳ膜を得た。得られたＰＤＭＳ膜のＳＥＭ画像を図１９に示す。図１９（ａ）は、倍率４００倍の観察像であり、図１９（ｂ）は、微細構造体の１つを拡大した図である。

（比較例１の微細構造体の作製）
比較例１の微細構造体用モールドの表面にＣ_４Ｆ_８の薄層を形成した。その後、液体状のＰＤＭＳ（Ｓｙｌｇａｒｄ １８４）を混合比１０：１で混合し、ウェハ上にスピンコート（５００ｒｐｍ）で２回製膜した。その後、泡を無くすために、真空チャンバにウェハを入れ、８０℃１時間で加熱した。その後、モールドからＰＤＭＳ膜を剥離し、表面に微細構造体を形成したＰＤＭＳ膜を得た。得られたＰＤＭＳ膜のＳＥＭ画像を図２０に示す。図２０（ａ）は、倍率４００倍の観察像であり、図２０（ｂ）は、微細構造体の１つを拡大した図である。

（接触角の測定）
得られたＰＤＭＳ膜に対し、接触角測定を行った。接触角は、カメラで撮影した液滴の写真から求めた。接触角測定に用いた液体は、水、グリセロール、信越化学社製ＨＩＶＡＣ Ｆ－４、信越化学社製ＫＦ９６Ｌ－２ＣＳ、エタノール、アセトン、イソプロパノールとした。得られた結果を図２１に示す。図２１の横軸は液体の表面張力（ｍＮ／ｍ）であり、縦軸は液体とＰＤＭＳ膜との接触角（°）を示す。

図２１に示すように、実施例１のＰＤＭＳ膜は、表面張力１８.３ｍＮ／ｍ～７２ｍＮ／ｍの液体に対しても接触角１２０°以上の高い撥液性を示した。一方、比較例１のＰＤＭＳ膜は、表面張力３０ｍＮ／ｍ～７２ｍＮ／ｍでは接触角１２０°以上の高い撥液性を示したが、表面張力３０ｍＮ／ｍ未満では、撥液性が急激に低下した。したがって、本開示の微細構造体用モールドを用いれば、柔軟性のある材料に高い撥液性を付与することができることが確認された。

１２ 凹部、２０ 犠牲層、３０ 基板、２２ 貫通孔、２４ 突出部、１００ 微細構造体用モールド

Claims (15)

1. 表面に複数の凹部を備える基板と、
   前記表面上に設けられ、複数の貫通孔を備える犠牲層と、
   を備え、
   前記凹部と前記貫通孔とは、それぞれ互いに繋がっており、
   前記犠牲層が、前記貫通孔の前記凹部側の開口部の周囲に、前記凹部側に向かって突出する突出部を備える、微細構造体用モールド。
2. 前記基板が単層基板である、請求項１に記載の微細構造体用モールド。
3. 前記基板が、
   ベース基材と、
   前記ベース基材上に設けられる、中間層と、
   前記中間層上に設けられ、前記凹部を備える凹部形成層とを
   備える、請求項１に記載の微細構造体用モールド。
4. 前記中間層がエッチングを抑制するエッチング抑制層である、請求項３に記載の微細構造体用モールド。
5. 前記ベース基材と、前記凹部形成層と、が光透過性材料からなり、
   前記中間層が前記光透過性材料と光不透過性材料とからなるマスクパターン層である、請求項３に記載の微細構造体用モールド。
6. 前記凹部が、平面部と、曲面部とからなり、
   前記平面部が前記中間層の表面に位置する、請求項３～５のいずれか１項に記載の微細構造体用モールド。
7. 前記凹部が半球状である、請求項１または２に記載の微細構造体用モールド。
8. 基板上に第１レジスト層を形成する第１レジスト層形成工程と、
   前記第１レジスト層形成工程後に、前記第１レジスト層に露光を行う第１露光工程と、
   前記第１露光工程後に、前記第１レジスト層に突出部形成用パターンを形成する第１現像工程と、
   第１現像工程後に、エッチングによって、前記基板に突出部形成用凹部を形成する第１凹部形成工程と、
   第１凹部形成工程後に、前記突出部形成用パターンを形成した前記第１レジスト層を除去する第１レジスト層除去工程と、
   前記第１レジスト層除去工程後に、前記基板上に犠牲層を形成する第２レジスト層形成工程と、
   前記第２レジスト層形成工程後に、前記犠牲層に露光を行う第２露光工程と、
   前記第２露光工程後に、現像を行い、前記犠牲層に貫通孔を形成する、第２現像工程と、
   前記第２現像工程後に、等方性エッチングを行い、前記基板に凹部を形成する第２凹部形成工程と、
   を備える、微細構造体用モールドの製造方法。
9. 前記第１凹部形成工程の前記エッチングが異方性エッチングである、請求項８に記載の微細構造体用モールドの製造方法。
10. 前記第１凹部形成工程の前記エッチングが等方性エッチングである、請求項８に記載の微細構造体用モールドの製造方法。
11. 前記基板が単層基板である、請求項８～１０のいずれか１項に記載の微細構造体用モールドの製造方法。
12. 前記基板が、
    ベース基材と、
    前記ベース基材上に設けられる、中間層と、
    前記中間層上に設けられる、凹部形成層とを
    備える、請求項８～１０のいずれか１項に記載の微細構造体用モールドの製造方法。
13. 前記中間層がエッチングを抑制するエッチング抑制層である、請求項１２に記載の微細構造体用モールドの製造方法。
14. 前記ベース基材と、前記凹部形成層と、が光透過性材料からなり、
    前記中間層が前記光透過性材料と光不透過性材料とからなるマスクパターン層である、請求項１２に記載の微細構造体用モールドの製造方法。
15. 第１露光工程および第２露光工程において、
    ベース基材側から露光する、請求項１４に記載の微細構造体用モールドの製造方法。

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