JP5449300B2 - 微小機械デバイス及びその製造方法 - Google Patents
微小機械デバイス及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5449300B2 JP5449300B2 JP2011262334A JP2011262334A JP5449300B2 JP 5449300 B2 JP5449300 B2 JP 5449300B2 JP 2011262334 A JP2011262334 A JP 2011262334A JP 2011262334 A JP2011262334 A JP 2011262334A JP 5449300 B2 JP5449300 B2 JP 5449300B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- material layer
- sacrificial layer
- sacrificial
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 139
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 18
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229950005499 carbon tetrachloride Drugs 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
- B81B3/001—Structures having a reduced contact area, e.g. with bumps or with a textured surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0102—Surface micromachining
- B81C2201/0105—Sacrificial layer
- B81C2201/0107—Sacrificial metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
図1を参照すると、本実施形態は、微小機械デバイス15を提供する。該微小機械デバイス15は、基板10、第一材料層12及びパターン化された第二材料層16を含む。前記第一材料層12は、前記基板10の表面に設置し、前記パターン化された第二材料層16は、一部の犠牲層14で支持され、前記第一材料層12との間に隙間がある。即ち、前記パターン化された第二材料層16は、前記第一材料層12と分離して設置する。前記パターン化された第二材料層16の前記第一材料層12に相対する表面に少なくとも一つの凸部22が設置される。
12 第一材料層
14 犠牲層
16 第二材料層
18 フォトレジスト層
20 凹槽
22 凸部
15 微小機械デバイス
Claims (3)
- 基板を提供し、該基板に第一材料層を形成する第一ステップと、
前記第一材料層に犠牲層を形成する第二ステップと、
前記犠牲層にパターン化された第二材料層を形成し、前記犠牲層の一部を露出させる第三ステップと、
前記犠牲層の露出された一部をドライエッチング方法でエッチングし、薄くならせて、前記犠牲層に複数の凹槽を形成する第四ステップと、
残した前記犠牲層をウェットエッチング方法でエッチングし、前記第一材料層と前記第二材料層との間に隙間を形成するとともに、前記第二材料層の前記第一材料層に相対する表面に凸部を形成する第五ステップと、
を含み、
前記第四ステップにおいて、反応性イオンエッチング方法で前記犠牲層をエッチングし、該反応性イオンエッチングする過程において、イオンが前記犠牲層に高エネルギーで衝突し、衝突された犠牲層に反応物が形成されて、前記凹槽の側壁に付着し、該凹槽の側壁に保護膜が形成され、前記第五ステップにおいて、前記凹槽の側壁に隣接する犠牲層をエッチングする速度は、前記凹槽の底部の犠牲層をエッチングする速度より遅くなり、犠牲層からなる凸部を形成することを特徴とする微小機械デバイスの製造方法。 - 前記第三ステップにおいて、
前記犠牲層の表面にフォトレジスト層を塗布する第一サブステップと、
前記フォトレジスト層に露光、現像を行って、パターン化されたフォトレジスト層を形成し、犠牲層の一部を露出させる第二サブステップと、
前記パターン化されたフォトレジスト層及び前記の露出された犠牲層に第二材料層を形成する第三サブステップと、
前記構造を有機溶剤に浸漬し、前記パターン化されたフォトレジスト層と、該パターン化されたフォトレジスト層に形成された第二材料層とを除去し、前記犠牲層にパターン化された第二材料層を形成する第四サブステップと、
を含むことを特徴とする、請求項1に記載の微小機械デバイスの製造方法。 - 前記第二材料層の厚さが、前記フォトレジスト層の厚さより、小さいことを特徴とする、請求項1又は2に記載の微小機械デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200710125261.6 | 2007-12-19 | ||
CN200710125261.6A CN101462691B (zh) | 2007-12-19 | 2007-12-19 | 刻蚀牺牲层形成间隙的方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008322711A Division JP2009148883A (ja) | 2007-12-19 | 2008-12-18 | 微小機械デバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012040684A JP2012040684A (ja) | 2012-03-01 |
JP5449300B2 true JP5449300B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=40787613
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008322711A Pending JP2009148883A (ja) | 2007-12-19 | 2008-12-18 | 微小機械デバイス及びその製造方法 |
JP2011262334A Active JP5449300B2 (ja) | 2007-12-19 | 2011-11-30 | 微小機械デバイス及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008322711A Pending JP2009148883A (ja) | 2007-12-19 | 2008-12-18 | 微小機械デバイス及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7811938B2 (ja) |
JP (2) | JP2009148883A (ja) |
CN (1) | CN101462691B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006002753B4 (de) * | 2006-01-20 | 2010-09-30 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Verfahren und Anordnung zur Bewertung der Unterätzung von tiefen Grabenstrukturen in SOI-Scheiben |
CN102234098B (zh) * | 2010-04-21 | 2014-02-26 | 汉积科技股份有限公司 | 微机电结构的制造方法 |
CN102153046A (zh) * | 2010-12-22 | 2011-08-17 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种利用两次膜层沉积和干湿法相结合制备半圆柱形微细沟槽的方法 |
CN102259828B (zh) * | 2011-07-04 | 2014-01-01 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体 |
DE102012206531B4 (de) * | 2012-04-17 | 2015-09-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats |
CN104576323B (zh) * | 2013-10-15 | 2017-12-01 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 一种金属图形化结构及方法 |
CN104576322B (zh) * | 2013-10-23 | 2017-07-18 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种金属同心圆环的制备方法 |
US9517927B2 (en) * | 2015-04-29 | 2016-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MEMS structure having rounded edge stopper and method of fabricating the same |
CN109095435A (zh) * | 2018-08-02 | 2018-12-28 | 北京大学 | 一种三维全金属微腔结构表面等离激元阵列加工方法 |
CN114273320B (zh) * | 2021-12-23 | 2022-11-08 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种半导体晶圆干刻后清洗工艺 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5258097A (en) * | 1992-11-12 | 1993-11-02 | Ford Motor Company | Dry-release method for sacrificial layer microstructure fabrication |
JP3896158B2 (ja) * | 1993-02-04 | 2007-03-22 | コーネル・リサーチ・ファウンデーション・インコーポレイテッド | マイクロ構造及びその製造のためのシングルマスク、単結晶プロセス |
JP3500780B2 (ja) * | 1995-06-29 | 2004-02-23 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの製造方法 |
JPH10135488A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体加工部品の製造方法 |
JPH10284771A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Nissan Motor Co Ltd | 微小装置の製造方法および微小装置 |
JP2001091262A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Toyota Motor Corp | 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ |
JP2001102597A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体構造およびその製造方法 |
US6538798B2 (en) * | 2000-12-11 | 2003-03-25 | Axsun Technologies, Inc. | Process for fabricating stiction control bumps on optical membrane via conformal coating of etch holes |
JP2002209298A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Seiko Epson Corp | コンデンサマイクロホンの製造方法、コンデンサマイクロホンおよび電子機器 |
US7005314B2 (en) * | 2001-06-27 | 2006-02-28 | Intel Corporation | Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications |
US20070045121A1 (en) * | 2002-05-07 | 2007-03-01 | Microfabrica Inc. | Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures and methods of and apparatus for producing such structures |
JP2003340796A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-02 | Ricoh Co Ltd | 静電型アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置 |
CN1317728C (zh) * | 2004-01-16 | 2007-05-23 | 清华大学 | 一种用牺牲层材料做支撑梁的微机械开关及制作工艺 |
DE102006001493B4 (de) * | 2006-01-11 | 2007-10-18 | Austriamicrosystems Ag | MEMS-Sensor und Verfahren zur Herstellung |
WO2008001252A2 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Nxp B.V. | Method for manufacturing mems devices with moveable structure |
-
2007
- 2007-12-19 CN CN200710125261.6A patent/CN101462691B/zh active Active
-
2008
- 2008-10-09 US US12/248,804 patent/US7811938B2/en active Active
- 2008-12-18 JP JP2008322711A patent/JP2009148883A/ja active Pending
-
2011
- 2011-11-30 JP JP2011262334A patent/JP5449300B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7811938B2 (en) | 2010-10-12 |
JP2009148883A (ja) | 2009-07-09 |
US20090160028A1 (en) | 2009-06-25 |
CN101462691B (zh) | 2011-08-24 |
CN101462691A (zh) | 2009-06-24 |
JP2012040684A (ja) | 2012-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5449300B2 (ja) | 微小機械デバイス及びその製造方法 | |
US7256105B2 (en) | Semiconductor substrate and thin processing method for semiconductor substrate | |
US7459399B2 (en) | Method for manufacturing probe structure of probe card | |
US9205443B2 (en) | Metal mask manufacturing method and metal mask | |
CN103663357B (zh) | 硅的刻蚀方法 | |
CN103738914A (zh) | Mems器件的制造方法 | |
JP2003251598A (ja) | 基板貫通エッチング方法 | |
KR101001666B1 (ko) | 마이크로 수직 구조체의 제조 방법 | |
US6497995B2 (en) | Method of machining glass | |
KR101033174B1 (ko) | 다단계 습식 식각을 이용한 유리 미세 가공 | |
JP5608462B2 (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
JP4865686B2 (ja) | 加速度センサの製造方法および加速度センサ | |
JP4994096B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置 | |
TWI364074B (en) | Method of forming spaces by etching sacrificial layer | |
CN108751123B (zh) | 一种接触窗的形成方法 | |
JP2010183208A (ja) | ウエットエッチング方法及び音叉型圧電素子片の加工方法 | |
KR20180039495A (ko) | 비아 홀 형성 방법 및 이를 포함하는 비아 콘택 제조 방법 | |
US7465601B2 (en) | Method of forming suspended structure | |
KR101868596B1 (ko) | 비아 홀 형성 방법 및 이를 포함하는 비아 콘택 제조 방법 | |
WO2022047978A1 (zh) | 一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片 | |
JP2022185882A (ja) | 微細構造体用モールドおよび微細構造体用モールドの製造方法 | |
US20040142252A1 (en) | Method of machining glass | |
CN117383508A (zh) | 双层金属引线的制造方法及mems器件 | |
KR100577691B1 (ko) | 금속층 미세 가공 방법. | |
CN110520392A (zh) | 制造由玻璃支承件支承的金属薄膜的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5449300 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |