CN117383508A

CN117383508A - 双层金属引线的制造方法及mems器件

Info

Publication number: CN117383508A
Application number: CN202311638638.3A
Authority: CN
Inventors: 郭大飞; 卜德冲; 范坤; 李琪; 刘亚萍; 王鹏; 李云飞
Original assignee: Silex Microsystems Technology Beijing Co ltd
Current assignee: Silex Microsystems Technology Beijing Co ltd
Priority date: 2023-12-01
Filing date: 2023-12-01
Publication date: 2024-01-12

Abstract

本公开提供了一种双层金属引线的制造方法及MEMS器件，其中的制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成层叠设置的第一金属层、绝缘层和第二金属层；所述绝缘层和所述第二金属层同层设置；在所述绝缘层上设置至少覆盖所述第二金属层的硬掩模，所述硬掩模露出所述绝缘层上的刻蚀槽，所述刻蚀槽用于露出所述第一金属层；采用湿法蚀刻，在所述刻蚀槽处的所述第一金属层上形成底切结构，得到所述双层金属引线。该制造方法能够避免双层金属引线产生不可控的底切。

Description

双层金属引线的制造方法及MEMS器件

技术领域

本公开涉及微机电系统技术领域，尤其涉及一种双层金属引线的制造方法及MEMS器件。

背景技术

在微机电芯片以及集成电路传感器制造中，涉及多种金属等多种膜层沉积及其图形化工艺，多种制造流程包括膜层沉积、光刻和刻蚀工艺。薄膜沉积是利用物理气相沉积PVD或化学气相沉积CVD的方法，在衬底(如晶圆)表面生长特定厚度所需膜层。其中，MEMS(Micro Electro Mechanical System，微机电系统)传感器中的双层金属引线因其良好的附着力、较低的残余应力和优异的导电性，被广泛应用于声学、力学和射频等MEMS传感器的制造领域。

然而，目前的双层金属引线的制造工艺，发现存在较为严重或不可控的金属底切(undercut)问题，会对MEMS器件的可靠性、电学性能和良率性能产生了较为明显的影响。

发明内容

鉴于上述问题，本公开提供了一种双层金属引线的制造方法及MEMS器件，能够避免双层金属引线产生不可控的、过大的底切。

第一方面，本公开通过一实施例提供如下的技术方案：

一种双层金属引线的制造方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成层叠设置的第一金属层、绝缘层和第二金属层；所述绝缘层和所述第二金属层同层设置；

在所述绝缘层上设置至少覆盖所述第二金属层的硬掩模，所述硬掩模露出所述绝缘层上的刻蚀槽，所述刻蚀槽用于露出所述第一金属层；

采用湿法蚀刻，在所述刻蚀槽处的所述第一金属层上形成底切结构，得到所述双层金属引线。

在一些实施例中，所述采用湿法蚀刻，在所述刻蚀槽处的所述第一金属层上形成底切结构，包括：

采用腐蚀液浸泡所述刻蚀槽处的所述第一金属层并保持设定时间，得到设定底切量的底切结构；所述设定时间与所述设定底切量正相关。

在一些实施例中，所述设定底切量和所述设定时间满足：

y＝A₄×t⁴+A₃×t³+A₂×t²+A₁×t+A₀；

其中，y为所述设定底切量，单位为微米；t为所述设定时间，单位为分钟；A₄的取值范围为[-0.2,-0.1]，A₃的取值范围为[1.5,2.0]，A₂的取值范围为[-7,-8]，A₁的取值范围为[14,15]，A₀的取值范围为[-9,-8]。

在一些实施例中，在所述衬底上形成层叠设置的第一金属层、绝缘层和第二金属层，包括：

在所述衬底上形成依次层叠的所述第一金属层和所述绝缘层；

通过光刻在所述绝缘层上形成露出所述第一金属层的沉积槽和刻蚀槽；

在所述沉积槽内形成第二金属层。

在一些实施例中，所述在所述沉积槽内形成第二金属层，包括：

在所述绝缘层上涂覆光刻胶，所述光刻胶覆盖所述沉积槽、所述刻蚀槽和所述绝缘层；

通过曝光显影去除位于所述沉积槽内的光刻胶；

在所述沉积槽内和所述光刻胶上沉积第二金属层的金属材料，去除位于所述光刻胶上的金属材料，形成位于所述沉积槽内的所述第二金属层。

在一些实施例中，所述在所述绝缘层上设置至少覆盖所述第二金属层的硬掩模，包括：

在所述绝缘层上设置覆盖所述绝缘层和所述刻蚀槽的硬掩模；

对所述硬掩模进行图形化，通过干法刻蚀露出所述刻蚀槽内的所述第一金属层。

在一些实施例中，所述第一金属层为钼或钼合金，所述绝缘层的材质为氮化铝。

在一些实施例中，所述第二金属层包括层叠设置的金层和钛钨合金层。

第二方面，基于同一发明构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：

一种MEMS器件，包括衬底和设置在所述衬底上的双层金属走线，所述双层金属走线采用第一方面实施例提供的制造方法制造获得。

在一些实施例中，所述MEMS器件为MEMS滤波器。

通过本公开的一个或者多个技术方案，本公开具有以下有益效果或者优点：

本公开提供了一种双层金属引线的制造方法，通过在绝缘层上设置至少覆盖第二金属层的硬掩模(Hardmask)，如此在采用湿法刻蚀刻蚀槽内的第一金属层时，硬掩模可以隔绝第一金属层和第二金属层通过腐蚀液或刻蚀液的相互接触，从而防止两者发生原电池效应，可以十分有效地控制第一金属层的底切量，克服了底切不可控导致的问题；另一方面，采用硬掩模覆盖第二金属层作为阻挡层，相比其他材料如光刻胶作阻挡层，利用硬掩模不易变形的特点可更精确的控制底切量。

上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本公开的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1A示出了本公开的在衬底上形成第一金属层和绝缘层的示意图；

图1B示出了本公开的在绝缘层上涂胶、曝光、显影和刻蚀形成刻蚀槽和沉积槽的示意图；

图1C示出了本公开的图1B在去除光刻胶后的示意图；

图1D示出了本公开的再次涂胶曝光显影后形成第二金属层的示意图；

图1E示出了本公开的形成第二金属层的示意图；

图1F示出了本公开的刻蚀第一金属层形成底切结构的示意图；

图2示出了根据本公开实施例的双层金属引线制造方法的流程示意图；

图3A示出了根据本公开实施例的在衬底上形成第一金属层和绝缘层的示意图；

图3B示出了根据本公开实施例的在绝缘层上涂胶、曝光、显影和刻蚀形成刻蚀槽和沉积槽的示意图；

图3C示出了根据本公开实施例的图1B在去除光刻胶后的示意图；

图3D示出了根据本公开实施例的再次涂胶曝光显影后形成第二金属层的示意图；

图3E示出了根据本公开实施例的形成第二金属层的示意图；

图3F示出了根据本公开实施例的在绝缘层上设置硬膜版的示意图；

图3G示出了根据本公开实施例的刻蚀第一金属层形成底切结构的示意图；

图4示出了根据本公开实施例的底切量与浸泡时间之间的拟合关系图。

附图标记说明：

10、衬底；20、第一金属层；30、绝缘层；31、刻蚀槽；32、沉积槽；40、第二金属层；PR、光刻胶；HM、硬掩模。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

研究表明，双层金属引线的底切量不可控的主要原因是在湿法刻蚀过程中，两种金属通过刻蚀液产生原电池效应导致的。图1A～图1F示出了一种双层金属引线的制造流程，具体包括：

1)在衬底10(如硅片，硅晶圆)上沉积依次层叠的第一金属层20和绝缘层30，如图1A所示；

2)采用光刻方法，通过在绝缘层30上涂覆光刻胶PR，然后进行曝光显影和干法刻蚀，在绝缘层30上形成露出第一金属层20的刻蚀槽31和沉积槽32，如图1B所示；

3)通过湿法工艺去除残留的光刻胶PR，如图1C所示；

4)再次涂覆光刻胶PR，通过曝光显影露出沉积槽32，接着在沉积槽32和光刻胶PR上生长第二金属层40，如图1D所示；

5)利用金属剥离工艺，去除光刻胶PR上的第二金属层40，然后再去除光刻胶PR，保留位于沉积槽32内的第二金属层40，如图1E所示；

6)刻蚀第一金属层20，形成底切结构(undercut，简称UC)，如图1F所示。

其中，在步骤6)的刻蚀金属的工艺，可分为干法刻蚀(各向异性)和湿法刻蚀(各向同性)。干法蚀刻是利用等离子体和表面薄膜反应，形成挥发物质；或者等离子体直接轰击材料表面去除被蚀刻材料。湿法刻蚀是采用不同种药液通过化学反应的方法去除被刻蚀材料。湿法刻蚀由于低成本、高选择比和大通量等特点，而被广泛用于微纳器件制造。

目前的湿法刻蚀多采用浸入式工艺，其大致流程是将待刻蚀晶圆放于专用花篮或特定装置后浸泡入特定的化学腐蚀液中，并设定晶圆腐蚀时间，在达到设定腐蚀时间后，再移入超纯去离子水中洗净残余反应产物和腐蚀溶液，然后干燥晶圆，最后去除光刻胶PR，完成金属图形化刻蚀。在此过程中，两种不同类型的金属在腐蚀液中开始接触，由于各金属的电势差异不同，因此在特定的腐蚀液环境中构成了微型原电池，导致了金属进行了原电池效应，使最后得到的第一金属层20存在底切过大或者底切量不受控制的问题。底切作为刻蚀工艺重要控制参数，对后续工艺影响极大，甚至影响到器件的可靠性、电学性能和良率性能。湿法刻蚀底切不可控特性，严重限制了湿法刻蚀的应用范围。

故而，为了解决目前湿法刻蚀导致的底切量不可控问题，第一方面，在一个可选的实施例中，请参阅图2，提供了一种双层金属引线的制造方法，包括步骤S21～S24，具体如下：

S21：提供衬底10。

在一些实施例中，衬底10可以是半导体衬底或玻璃衬底，若无特别说明，本公开实施例采用硅衬底。

S22：在衬底10上形成层叠设置的第一金属层20、绝缘层30和第二金属层40；绝缘层30和第二金属层40同层设置。

在双层金属引线的结构中，第一金属层20可以是黏附金属层，起到加强绝缘层30的附着力以及减少残余应力的作用。绝缘层30既可以起到绝缘作用也可以作为MEMS器件的功能层。第二金属层40具有优秀的导电性，可以作为导线使用，也可以作为下一道工序的粘附层使用。绝缘层30和第二金属层40同层设置，可以是第二金属层40嵌设在绝缘层30内，在垂直衬底10平面的厚度方向上，第二金属层40的底面可与绝缘层30的底面齐平或接近齐平，第二金属层40的顶面可与绝缘层30的顶面齐平或接近齐平。

以MEMS滤波器为例，第一金属层20可以是钼或钼合金，绝缘层30的材质可以是氮化铝，两者配合可以起到滤波作用。与之相应的，第二金属层40可以是层叠设置的金层(Au)和钛钨合金层(TiW)，其中的Au具有优秀的导电性能，可作为导线或引线使用，而TiW则作为下一道工序或膜层的粘附层使用。在垂直于衬底10的厚度方向上，金层和钛钨合金层的层叠位置可以相互转换，例如在一些区域，金层相对钛钨合金层更靠近第一金属层20，而在另一些区域，钛钨合金层相对金层更靠近第一金属层20。

在一些实施例中，第二金属层40也可以是铜金属层(Cu)与钛金属层(Ti)的复合膜层，其中Cu作为导线使用，Ti作为粘附层使用。

在一些实施例中，在衬底10上形成层叠设置的第一金属层20、绝缘层30和第二金属层40的步骤具体包括：在衬底10上形成依次层叠的第一金属层20和绝缘层30；通过光刻在绝缘层30上形成露出第一金属层20的沉积槽32和刻蚀槽31；在沉积槽32内形成第二金属层40。光刻是涂覆光刻胶PR，通过曝光显影进行图形化，然后再刻蚀出沉积槽32和刻蚀槽31。沉积槽32用于形成第二金属层40，刻蚀槽31用于在后续步骤中形成第一金属层20的底切结构。

在一些实施例中，形成第二金属层40的方法可以是：在绝缘层30上涂覆光刻胶PR，光刻胶PR覆盖沉积槽32、刻蚀槽31和绝缘层30；通过曝光显影去除位于沉积槽32内的光刻胶PR；在沉积槽32内和光刻胶PR上沉积第二金属层40的金属材料，去除位于光刻胶PR上的金属材料，形成位于沉积槽32内的第二金属层40。

在一些实施例中，形成第一金属层20和第二金属层40的方法可以是物理气相溅射或者化学气相沉积的方法，将对应的金属材料沉积到器件需求的厚度。

S23：在绝缘层30上设置至少覆盖第二金属层40的硬掩模HM，硬掩模HM露出绝缘层30上的刻蚀槽31，刻蚀槽31用于露出第一金属层20。

具体的，硬掩模(Hard Mask，HM)是一种通过化学气相沉积CVD生成的无机薄膜材料。其主要成分通常有TiN、SiN、SiO₂等。这些材料可以有效的隔绝第二金属层40接触后续湿法刻蚀所使用的腐蚀液或刻蚀液。

硬掩模HM的最小面积应当保证能够完全覆盖住第二金属层40，即硬掩模HM在衬底10上的正投影覆盖第二金属层40在衬底10上的正投影。较佳的实施例是先使硬掩模HM完全覆盖绝缘层30和第二金属层40，并通过图形化露出绝缘层30上的刻蚀槽31。例如，在绝缘层30上设置覆盖绝缘层30和刻蚀槽31的硬掩模HM；对硬掩模HM进行图形化，通过干法刻蚀露出刻蚀槽31内的第一金属层20。硬掩模HM的图形化是利用化学气相沉积CVD或者炉管沉积硬掩模HM的膜层，再通过涂覆光刻胶PR、曝光、显影等步骤得到所需的图案，再通过干法刻蚀可得到特定的图形。

S24：采用湿法蚀刻，在刻蚀槽31处的第一金属层20上形成底切结构，得到双层金属引线。

如前，湿法刻蚀可采用浸入式工艺，将待蚀刻的衬底10置于专用花篮或特定装置，然后浸入与第一金属层20的材质相匹配的化学腐蚀液或刻蚀液中，并设定腐蚀时间，在达到设定腐蚀时间后再移入超纯去离子水中洗净残余反应产物和腐蚀溶液，然后干燥衬底10，完成对第一金属层20的图形化刻蚀。

故而，本公开实施例提供的双层金属引线的制造方法，通过在绝缘层30上设置至少覆盖第二金属层40的硬掩模HM(Hardmask)，如此在采用湿法刻蚀刻蚀槽31内的第一金属层20时，硬掩模HM可以隔绝第一金属层20和第二金属层40通过腐蚀液或刻蚀液的相互接触，从而防止两者发生原电池效应，可以十分有效地控制第一金属层20的底切量，克服了底切不可控的问题；另一方面，采用硬掩模HM覆盖第二金属层40作为阻挡层，相比其他材料如光刻胶PR作阻挡层，利用硬掩模HM不易变形的特点可更精确的控制底切量。

硬掩模HM的使用不仅可以防止第一金属层20被过度底切，还可以实现底切量的精确控制。在一些实施例中，步骤S24包括：采用腐蚀液浸泡刻蚀槽31处的第一金属层20并保持设定时间，得到设定底切量的底切结构；设定时间与设定底切量正相关。也就是说，通过定量控制湿法刻蚀的腐蚀时间，可以定量控制底切量，显著地扩展了湿法刻蚀的应用范围。

通过大量实验和数据分析，发现在硬掩模HM的保护下，设定底切量与设定时间(或腐蚀时间，浸泡时间)之间具有多项式的拟合关系，具体如下：

y＝A₄×t⁴+ A₃×t³+ A₂×t²+ A₁×t+ A₀ (1)

其中，y为设定底切量，t为设定时间，A₄的取值范围为[-0.2,-0.1]，A₃的取值范围为[1.5,2.0]，A₂的取值范围为[-7,-8]，A₁的取值范围为[14,15]，A₀的取值范围为[-9,-8]。

为了更直观的说明上述方案，接下来结合MEMS滤波传感器进行说明。该MEMS滤波传感器使用硅晶圆作为衬底10，第一金属层20的材质为Mo，作为黏附层；第二金属层40的材质为Au/TiW，其中Au为引线，TiW为粘附层；绝缘层30的材质为TiW，与Mo配合作为滤波器件层。

双层金属引线的制造流程请参阅图3A～图3G，具体如下：

1)在衬底10(如硅片，硅晶圆)上沉积依次层叠的黏附金属层和绝缘层30，如图3A所示；

2)采用光刻方法，通过在绝缘层30上涂覆光刻胶PR，然后进行曝光显影和干法刻蚀，在绝缘层30上形成露出第一金属层20的刻蚀槽31和沉积槽32，如图3B所示；

3)通过湿法工艺去除残留的光刻胶PR，如图3C所示；

4)再次涂覆光刻胶PR，通过曝光显影露出沉积槽32，接着在沉积槽32和光刻胶PR上生长第二金属层40，如图3D所示；

5)利用金属剥离工艺，去除光刻胶PR上的第二金属层40，然后再去除光刻胶PR，保留位于沉积槽32内的第二金属层40，如图3E所示；

6)在绝缘层30上形成硬膜版，并通过图形化和干法刻蚀露出绝缘层30上的刻蚀孔和刻蚀孔内的第一金属层20，如图3F所示；

7)刻蚀第一金属层20，形成底切结构UC，如图3G所示。在图3G中，箭头指向位置的尺寸为底切结构的底切量。

故而，上述方案通过在金属的湿法刻蚀流程中增加硬膜版工艺，将第二金属层40包裹起来，并通过干法刻蚀暴露出被刻蚀的第一金属层20，从而在湿法刻蚀过程中防止第一金属层20和第二金属层40通过腐蚀液浸泡发生原电池效应，可非常有效地解决底切不可控制问题，避免出现过大的底切量。

另外，通过调整腐蚀液的浸泡时间即设定时间，可得到所需的精确的底切量。表1示出了大量双层金属引线样本在使用M2腐蚀液、在不同的浸泡时间下得到的底切结构的平均底切量。

表1：不同浸泡时间下第一金属层20(Mo)的平均底切量：

浸泡时间/min	平均底切量/μm
		1.5	0.982
1.9	1.332
		2.5	1.462
3.3	1.652
		4.0	1.833

基于表1的数据进行拟合，得到的拟合曲线可参阅图4，具体如下：

y＝-0.1498x⁴+ 1.7518x³- 7.4806x²+14.035x-8.3928 (2)

其中，y为平均底切量，单位为微米；x为浸泡时间，也就是设定时间，单位为分钟。

通过式(2)，可实现调整腐蚀液的浸泡时间，即蚀刻时间来精确控制刻蚀的底切量，从而可以显著地扩展湿法刻蚀的应用范围，进一步提高双层金属引线和对应的MEMS器件的综合性能。

另一方面，使用硬掩模作为第二金属层40的阻挡保护层，相比使用光刻胶作为第二金属层40的阻挡保护层，其优势在于：

1)由于材质的关系，光刻胶在腐蚀液下具有一定的腐蚀量，而硬掩模没有腐蚀量，因此能够提高底切量的控制精度；

2)使用光刻胶作阻挡层需要使用特定的去胶液再进行一次去胶工艺，而硬掩模的去除相对简单，不需要去胶，有利于简化工艺流程；

3)在测量底切量时，光刻胶工艺需要使用特定的机台进行对准，而硬掩模工艺可以使用显微镜直接测量，有利于加快生产周期；

4)光刻胶是带有一定毒性的有机物，需要特别处理；而硬掩模是无毒的，可使用氢氟酸直接处理；

5)在干法刻蚀进行图形化的过程中，光刻胶的刻蚀选择比是不可控的且消耗很大，而硬掩模的刻蚀选择比相对可控，从而有利于提高底切的控制精度。

第二方面，基于相同的发明构思，在另一个可选的实施例中，提供了一种MEMS器件，包括衬底和设置在衬底上的双层金属走线，双层金属走线采用第一方面实施例提供的制造方法制造获得。MEMS器件可以是声学、力学和射频等MEMS传感器。在一些实施例中，具体为MEMS滤波器。

由于MEMS器件是采用本公开实施例提供的MEMS器件的制造方法所获得的，其具体实现在介绍制备方法的过程中已经进行说明，故而基于本公开一些实施例所介绍的MEMS器件，本领域所属人员能够了解该MEMS器件的具体结构及变形，故而在此不再赘述。凡是采用本公开实施例的双层金属引线工艺所制造的MEMS器件均属于本发明所欲保护的范围。

总的来说，本公开实施例提供的双层金属引线的制造方法和对应的MEMS器件，具有如下的优势：

1)相较于传统的双层金属引线的刻蚀流程，本公开提供的方案具有更为稳定、可控和可重复性的金属底切结构的控制流程，工艺更为可靠，最大程度解决了金属刻蚀底切不可控问题，提高了双层金属引线以及对应的MEMS器件的综合性能，进一步改善了器件的可靠性、电学性能和良品率；

2)本公开的方案采用湿法刻蚀第一金属层，与干法刻蚀相比，湿法刻蚀具备成本低、选择性高和大通量等优势，而且设备运行更为可靠。

3)通过定量控制湿法刻蚀中的腐蚀液浸泡时间，实现了对第一金属层的底切量的可控性定量调整，支持根据设计需求定量调整湿法刻蚀的底切量，极大的扩展了湿法刻蚀的应用范围。

尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域内的普通技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

1.一种双层金属引线的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供衬底；

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述采用湿法蚀刻，在所述刻蚀槽处的所述第一金属层上形成底切结构，包括：

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述设定底切量和所述设定时间满足：

y＝A₄×t⁴+A₃×t³+A₂×t²+A₁×t+A₀；

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成层叠设置的第一金属层、绝缘层和第二金属层，包括：

在所述沉积槽内形成第二金属层。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述在所述沉积槽内形成第二金属层，包括：

通过曝光显影去除位于所述沉积槽内的光刻胶；

6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上设置至少覆盖所述第二金属层的硬掩模，包括：

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一金属层为钼或钼合金，所述绝缘层的材质为氮化铝。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二金属层包括层叠设置的金层和钛钨合金层。

9.一种MEMS器件，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的双层金属走线，所述双层金属走线采用如权利要求1～8中任一项所述制造方法制造获得。

10.如权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件为MEMS滤波器。