JP2001091262A - 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体センサの可動部の突起部（ストッパ）
を確実に形成することが可能な製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 基板１０に対向するとともに振動可能に
支持された可動部４０と、突起部２１とを有する半導体
センサの製造方法において、基板上に犠牲層２０及び可
動部層４０ａを形成する工程と、可動部層に複数の貫通
孔４０ｂを形成する工程と、一部の貫通孔を可視光線を
透過するレジストＲ１にて閉塞するとともに閉塞されて
いない貫通孔４０ｂを介してエッチング液を導入し犠牲
層のエッチングを行う工程と、閉塞された貫通孔を開放
する工程と、開放された貫通孔を介して同貫通孔の直下
の犠牲層をエッチングにより除去する工程とを含んだ。
これにより、突起部形成にあたってレジストＲ１の直下
の犠牲層のエッチング状況を視認できるようになり、突
起部の形成が確実なものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対向すると
ともに同基板に振動可能に支持された可動部と、前記基
板と前記可動部との間に設けられ前記可動部のストッパ
として機能する突起部とを備えた加速度や角速度等を検
出する半導体センサの製造方法及び半導体センサに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】この種の半導体センサの製造方法として
は、例えば特開平８−２１９７９５号公報に開示されて
いるように、基板上に形成した絶縁膜をエッチングして
突起部を形成し、その上に犠牲層及び可動部となる層
（可動部層）を形成し、その後犠牲層をエッチングによ
り除去して可動部を形成する工程からなる製造方法が知
られている。この製造方法によれば、犠牲層の他に突起
部形成のための酸化膜を形成しなければならないこと、
犠牲層が突起部の上に形成されるために犠牲層の上面を
平坦化することが必要であること等から、工程が複雑と
なる。このため、基板上に犠牲層と可動部層とを形成し
た後に可動部層に貫通孔を設け、この貫通孔を介してエ
ッチング液を導入して犠牲層をエッチングし、これによ
り突起部を形成する方法が考えられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記製
造方法では、突起部を形成するためのエッチングの制御
が困難であるため、エッチング不足によって可動部層と
突起部間に空間が設けらず、或いはエッチング過多によ
り突起部が形成されない場合があり、また、突起部が形
成されたか否かを製造途中において確認することが困難
である等の製造上の問題がある。従って、本発明の目的
は、所望の形状を有する突起部を容易に形成し得る半導
体センサの製造方法及び半導体センサを提供することに
ある。

【０００４】

【本発明の概要（構成・作用・効果）】本発明の特徴
は、基板に空間を挟んで対向するとともに同基板に対し
振動可能に支持された可動部と、前記基板から前記可動
部に向けて突出する突起部とを有する半導体センサの製
造方法において、前記基板上に犠牲層を形成する工程
と、前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成す
る工程と、前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程
と、前記貫通孔のうちの一部の貫通孔を閉塞する工程
と、前記貫通孔のうちの閉塞されていない貫通孔を介し
てエッチング液を導入し前記犠牲層のエッチングを行う
第１エッチング工程と、前記閉塞された貫通孔を開放す
る工程と、前記開放された貫通孔を介して同貫通孔の直
下の前記犠牲層をエッチングにより除去する第２エッチ
ング工程とを含んだことにある。

【０００５】上記従来の方法では、可動部層に設けられ
た全ての貫通孔からエッチング液が導入されるため、突
起部は可動部層の貫通孔が設けられていない部分の直下
に形成される。このため、貫通孔を介して確認できる犠
牲層の膜厚から突起部が形成されているか否かを推測す
ることとなるが、犠牲層の膜厚が小さい場合には貫通孔
直下の犠牲層は消失しており、突起部が形成されている
ことの確認が難しい。また、突起部の形成される個所が
可動部層の直下であるため、半導体センサの製造途中に
おいて突起部を顕微鏡等で視認することもできない。

【０００６】これに対し、上記本発明の特徴によれば、
基板上に犠牲層及び可動部層を積層し、可動部層に複数
の貫通孔を形成し、その貫通孔のうちの一部を閉塞した
後に犠牲層のエッチングを行う。また、その後に閉塞さ
れた貫通孔を開放し、開放された貫通孔を介して同貫通
孔の直下の（基板に対する貫通孔の投射方向にある）犠
牲層をエッチングにより除去して突起部を形成する。こ
れにより、突起部は前記閉塞した後に開放した貫通孔を
構成する可動部層の周壁の直下部に頂部を有するように
形成される。

【０００７】従って、上記貫通孔を可視光線又は赤外線
を透過するレジスト等の材料により閉塞した場合には、
顕微鏡又は赤外線顕微鏡等によって閉塞された貫通孔の
直下を視認することができるので、貫通孔直下の犠牲層
を除去する前の段階において突起部が確実に形成される
状態になっているか否かが確認できる。また、貫通孔を
可視光線又は赤外線を透過しない材料により閉塞した場
合であっても、閉塞した貫通孔を開放した段階で同開放
された貫通孔の直下を視認することができるので、同様
に突起が確実に形成される状態になっているか否かが確
認できる。

【０００８】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板から前記可動部に向けて突出する突起
部とを有する半導体センサの製造方法において、前記基
板上に前記犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に前
記可動部となる可動部層を形成する工程と、前記可動部
層に複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を介し
て前記犠牲層に対し同犠牲層のエッチング速度を上昇さ
せる不純物を注入して拡散させる工程と、前記貫通孔を
介してエッチング液を導入して前記犠牲層をエッチング
する工程とを含んだことにある。

【０００９】これによれば、貫通孔を介して犠牲層中に
同犠牲層のエッチング速度を上昇させる不純物が注入さ
れ、注入された不純物は犠牲層中において等方的に拡散
する。このため、所定の時間が経過すると、不純物が拡
散していない部分（後に突起部となる部分）が、可動部
層の貫通孔が設けられていない部分の直下に頂部を有す
る突起状に形成される。このとき、不純物の拡散はエッ
チングに比べて制御しやすいので、後に突起部になる部
分の形状は狙いとする形状に精度よく形成できる。ま
た、不純物が拡散した犠牲層は不純物が拡散していない
犠牲層よりもエッチング速度が非常に大きくなる。この
ため、犠牲層をエッチングする工程において、不純物の
拡散した部分を除去するに必要な時間の変動（ばらつ
き）は小さい。以上により、所望の形状を有する突起部
を容易に得ることができる。

【００１０】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記可動部が前記基板方向に振動したときに同
可動部と当接するストッパ（突起部、突状部）とを備え
た半導体センサの製造方法において、前記基板上に犠牲
層を形成する工程と、前記犠牲層上に前記可動部となる
可動部層を形成する工程と、前記可動部層に複数の貫通
孔を形成する工程と、前記貫通孔を介しエッチング液を
導入して前記犠牲層を部分的にエッチングする工程と、
前記貫通孔を介し同貫通孔の直下にある犠牲層に同犠牲
層のエッチング速度を低下させる不純物を注入する工程
と、前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲
層を再度エッチングする工程とを含んだことにある。

【００１１】これによれば、貫通孔を介して導入される
エッチング液により犠牲層が部分的にエッチングされて
貫通孔の直下に底部を有するカップ状の穴が形成され
る。次いで、貫通孔を介して貫通孔の直下にある犠牲層
に同犠牲層のエッチング速度を低下させる不純物が注入
され、その後に犠牲層が再びエッチングされる。従っ
て、この２度目の犠牲層のエッチング工程において、貫
通孔直下の犠牲層はエッチングの進行が遅く、他の部分
の犠牲層はエッチングの進行が速い。この結果、貫通孔
の略中央部直下に頂部を有し、同貫通孔の下面側開口周
縁部直下に斜面を有する突起部が容易に且つ確実に形成
される。

【００１２】上記特徴を有する製造方法等により形成さ
れる本発明に係る半導体センサは、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記可動部が前記基板方向に振動したときに同
可動部と当接するストッパとを備えた半導体センサであ
って、前記可動部は複数の貫通孔を有し、前記ストッパ
は前記貫通孔の下面開口周縁上の任意の点を通り前記基
板の上面と直交する直線と交差する斜面を有している。

【００１３】従って、この半導体センサは、可動部が基
板方向に振動した際に同可動部が突起部と線接触し又は
点接触するため、可動部と突起部とが密着・固定するこ
とを確実に回避することができるものとなる。

【００１４】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板から前記可動部に向けて突出する突起
部とを有する半導体センサの製造方法において、前記基
板の上部であって前記突起部が形成されるべき部分を除
いた部分に同基板のエッチング速度を上昇させる不純物
を注入する工程と、前記基板上に犠牲層を形成する工程
と、前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成す
る工程と、前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程
と、前記貫通孔を介し第１のエッチング液を導入し前記
犠牲層を除去する工程と、前記貫通孔を介し第２のエッ
チング液を導入し前記基板をエッチングする工程とを含
んだことにある。

【００１５】これによれば、基板上部であって突起部が
形成されるべき部分を除いた部分に同基板のエッチング
速度を上昇させるための不純物が注入され、その基板上
に犠牲層が形成される。この時点においては、基板上面
に突起部が形成されておらず同基板の上面は平坦面とな
っているので、これに積層される犠牲層の下面及び上面
も平坦となる。従って、犠牲層の上部に形成される可動
部層の下面も平坦となるため、最終的に得られる可動部
の下面を平坦に形成でき、可動部の振動特性を所望のも
のとすることができる。また、従来のように、酸化膜と
犠牲層を形成する工程、酸化膜に突起部を形成するエッ
チング工程、及び突起部形成後に酸化膜上面を平坦化す
る工程を設ける必要もないので、製造工程の簡素化が図
られる。

【００１６】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記可動部から前記基板に向けて突出する突起
部とを有する半導体センサの製造方法において、前記基
板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に前記可
動部となる可動部層を形成する工程と、前記可動部層に
複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を介しエッ
チング液を導入して前記犠牲層のエッチングを開始する
とともに同犠牲層が前記可動部層の下面であって前記突
起部が形成されるべき部分に残存する状態となったとき
同エッチングを終了する工程と、前記可動部層を部分的
にエッチングし、前記犠牲層をエッチングして除去する
工程とを含んだことにある。

【００１７】これによれば、貫通孔を介して導入される
エッチング液により犠牲層のエッチングが開始されると
ともに、同犠牲層が前記可動部層の下面であって前記突
起部が形成されるべき部分に残存する状態となったとき
同エッチングが終了され、この状態において可動部層が
部分的にエッチングされる。このとき、残存する犠牲層
が可動部層のエッチングに対しマスクとして機能するた
め、可動部層の下面に突起部が確実に形成される。

【００１８】なお、この場合において、可動部層を部分
的にエッチングすることには、前記残存する犠牲層をマ
スクとして可動部層の表面に化学的変化を起こさせ（例
えば熱酸化させ）、同化学的に変化した部位が犠牲層と
同一のエッチング液により溶解するようにした後、犠牲
層をエッチングして除去する工程にて犠牲層とともにエ
ッチングすることが含まれる。

【００１９】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板から前記可動部側に突出する基板側突
起部と、前記可動部から前記基板側突起部に向けて突出
する可動部側突起部とを有する半導体センサの製造方法
において、前記基板上に犠牲層を形成する工程と、前記
犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工程
と、前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、前
記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層のエ
ッチングを開始するとともに同犠牲層が前記基板の上面
であって前記基板側突起部が形成されるべき部分と前記
可動部層の下面であって前記可動部側突起部が形成され
るべき部分との間に介在するようになったとき同エッチ
ングを終了する工程と、前記可動部層及び前記基板を部
分的にエッチングし、前記犠牲層をエッチングにより除
去する工程とを含んだことにある。

【００２０】これによれば、貫通孔を介して導入される
エッチング液により犠牲層のエッチングが開始され、犠
牲層が前記基板の上面であって基板側突起部が形成され
るべき部分と可動部層の下面であって可動部側突起部が
形成されるべき部分との間に介在するようになったとき
同エッチングが終了され、この状態において可動部層と
基板とが部分的にエッチングされる。このとき、残存す
る犠牲層が可動部層及び基板のエッチングに対しマスク
として機能するため、可動部層の下面及び基板の上面に
突起部が確実に形成される。

【００２１】なお、この場合において、可動部層及び基
板を部分的にエッチングすることには、前記犠牲層をマ
スクとして可動部層及び基板の表面に化学的変化を起こ
させ（例えば熱酸化させ）、同化学的に変化した部位が
犠牲層と同一のエッチング液により溶解するようにした
後、犠牲層をエッチングして除去する工程にて犠牲層と
ともにエッチングすることが含まれる。

【００２２】本発明の他の特徴は、基板に空間を挟んで
対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可
動部と、前記基板又は前記可動部から突出する突起部と
を有する半導体センサの製造方法において、前記基板上
に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に前記可動部
となる可動部層を形成する工程と、前記可動部層をエッ
チングして複数の貫通孔を形成するとともに同形成され
た貫通孔の下面側開口外周縁部の前記可動部層をエッチ
ングして同可動部層に同可動部層から前記基板に向けて
細くなる部分を形成する第１エッチング工程と、前記貫
通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層をエッチ
ングする第２エッチング工程とを含んだことにある。

【００２３】これにより、前記第１エッチング工程を、
ドライエッチングにより貫通孔を形成するとともに同貫
通孔の形成後も同ドライエッチングを継続して可動部層
の下面側に複数の突起部を形成する工程とし、前記第２
エッチング工程を、犠牲層を除去する工程とするときに
は、ドライエッチングによって突起部が形成されること
により犠牲層のエッチング時間の厳格な管理が不要とな
るため、簡単な方法で確実に突起部を形成することがで
きる。また、上記特徴においては、前記第１エッチング
工程により可動部層から基板に向けて細くなる部分が形
成される。従って、突起部を、貫通孔を介してエッチン
グ液を導入して犠牲層のエッチングを部分的に行う第２
エッチング工程にて形成するときには、このエッチング
の終了時点の時間的余裕（マージン）を大きくとること
ができるので、突起部をより確実に形成することができ
る。

【００２４】

【発明の実施の形態】＜第１実施形態＞以下、本発明の
第１実施形態について図１〜図４を参照しつつ説明す
る。なお、図１（Ａ）は同実施形態に係る半導体センサ
の平面図、図１（Ｂ）は同半導体センサの１−１線に沿
った断面図、図２は図１の１−１線に沿った断面を工程
別に示した図、図３は図２に示した可動部４０の近傍を
拡大して示した図、図４は製造途中における貫通孔４０
ｂの直下方向の状態を示した図である。

【００２５】この半導体センサは、シリコンからなる方
形状の基板１０と、基板１０上の周縁部に所定幅を有す
るように形成されたシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる
犠牲層２０と、犠牲層２０の上に形成されたシリコンか
らなる枠体３０と、枠体３０の内側に形成されたシリコ
ンからなる可動部（振動子）４０と、櫛歯状電極５０
ａ，５０ｂ，６０ａ，６０ｂとを備えている。

【００２６】可動部４０は、複数の貫通孔４０ｂを備
え、枠体３０の内側位置において梁１１ａ〜１１ｄによ
りＸ軸方向（図１（Ａ）の左右方向）及びＹ軸方向（図
１（Ａ）の上下方向）に振動可能となるように基板１０
に空間を挟んで対向する状態（同基板１０から僅かな距
離だけ浮いた状態）に支持されている。貫通孔４０ｂの
各々は、平面視において略方形状であり、その中心位置
が正方格子の各格子点上に位置するように配列されてい
る。また、図１（Ｂ）に示したように、貫通孔４０ｂを
形成する可動部４０の周壁は、基板１０の上面に垂直な
方向に沿って形成されている。

【００２７】可動部４０と同一材料からなる略Ｌ字状の
梁１１ａ〜１１ｄは、各内側端にて可動部４０に接続さ
れるとともに各外側端にて基板１０上に犠牲層２０を挟
んで形成されたベース部１２ａ〜１２ｄに接続されてい
て、可動部４０と同様に基板１０から僅かな距離だけ浮
いた状態となっている。また、梁１１ａ〜１１ｄであっ
て枠体３０の内側面３０ａから外側に延びる部分の側壁
と枠体３０との間、及びベース部１２ａ〜１２ｄの側壁
と枠体３０との間には、一定幅の空間が設けられてい
る。ベース部１２ｃの上にはアルミニウム等の導電金属
からなる方形状の電極パッド１３が形成されている。

【００２８】基板１０の上面には同基板１０から可動部
４０に向けて突出する突起部２１が設けられている。こ
の突起部２１は、可動部４０がＸ軸及びＹ軸に直交する
方向（Ｚ軸方向）に振動したときに当接するストッパと
して機能し、鏡面となっている可動部４０の下面（以
下、可動部４０の下面とは「可動部４０の基板１０側の
面又は犠牲層２０側の面」をいう。）が、鏡面となって
いる基板１０の上面（以下、基板１０の上面とは「基板
１０の可動部４０側の面又は犠牲層２０側の面」をい
う。）と面接触して固着状態となることを防止するため
に設けられている。

【００２９】可動部４０のＸ軸方向各外側には、櫛歯状
電極４１ａ，４１ｂが同可動部４０と一体的に形成され
ていて、可動部４０と同様に基板１０から僅かな距離だ
け浮いた状態となっている。この櫛歯状電極４１ａ，４
１ｂは、Ｘ軸方向外側に延設されるとともにＹ軸方向に
等間隔に配置された複数の電極指をそれぞれ備えてい
る。

【００３０】可動部４０のＹ軸方向各外側には、櫛歯状
電極４２ａ，４２ｂが同可動部４０と一体的に形成され
ていて、可動部４０と同様に基板１０から僅かな距離だ
け浮いた状態となっている。この櫛歯状電極４２ａ，４
２ｂは、Ｙ軸方向外側に延設されるとともにＸ軸方向に
等間隔に配置された複数の電極指をそれぞれ備えてい
る。

【００３１】櫛歯状電極５０ａ，５０ｂは、可動部４０
のＸ軸方向外側にそれぞれ形成されている。各櫛歯状電
極５０ａ，５０ｂは、Ｘ軸方向に延設されるとともにＹ
軸方向に等間隔に配置された複数の電極指を備えてい
て、これらの各電極指は櫛歯状電極４１ａ，４１ｂの各
電極指間の幅方向（Ｙ軸方向）中心位置に侵入してい
る。

【００３２】また、各櫛歯状電極５０ａ，５０ｂは、Ｘ
軸方向各外側においてパッド部５１ａ，５１ｂに接続さ
れている。パッド部５１ａ，５１ｂは、犠牲層２０の上
面に方形状に形成されていて、その周壁と枠体３０との
間には、一定幅の空間が設けられている。パッド部５１
ａ，５１ｂの上面にはアルミニウム等の導電金属で方形
状の電極パッド５２ａ，５２ｂが設けられている。かか
る櫛歯状電極５０ａ，５０ｂは、櫛歯状電極４１ａ，４
１ｂとともに可動部４０に対する駆動部を構成し、駆動
用信号の印加によって可動部４０を静電引力によりＸ軸
方向に励振する。

【００３３】櫛歯状電極６０ａ，６０ｂは、可動部４０
のＹ軸方向外側にそれぞれ形成されている。各櫛歯状電
極６０ａ，６０ｂは、Ｙ軸方向に延設されるとともにＸ
軸方向に等間隔に配置された複数の電極指を備えてい
て、これらの各電極指は櫛歯状電極４２ａ，４２ｂの各
電極指間の幅方向（Ｘ軸方向）中心位置に侵入してい
る。

【００３４】また、各櫛歯状電極６０ａ，６０ｂは、Ｙ
軸方向各外側においてパッド部６１ａ，６１ｂに接続さ
れている。パッド部６１ａ，６１ｂは、犠牲層２０の上
面に方形状に形成されていて、その周壁と枠体３０との
間には、一定幅の空間が設けられている。パッド部６１
ａ，６１ｂの上面にはアルミニウム等の導電金属で方形
状の電極パッド６２ａ，６２ｂが設けられている。かか
る櫛歯状電極６０ａ，６０ｂは、櫛歯状電極４２ａ，４
２ｂとともに可動部４０に対する検出部を構成し、可動
部４０のＹ軸方向の振動を検出するために用いられる。

【００３５】枠体３０の上面には、梁１１ａ〜１１ｄ、
可動部４０、櫛歯状電極４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２
ｂ、及び櫛歯状電極５０ａ，５０ｂ，６０ａ，６０ｂを
覆うように方形状のガラス蓋（図示省略）が固着されて
いる。これにより、可動部４０は、基板１０，犠牲層２
０、枠体３０と前記ガラス蓋とにより形成される密閉空
間内で振動するようになっている。

【００３６】次に、上記のように構成した半導体センサ
の製造方法について工程順に説明する。 （第１工程）先ず、図２（Ａ）に示したように、シリコ
ンからなる基板１０の上面上に約１μｍの厚さのシリコ
ン酸化膜である犠牲層２０と、約１０μｍのシリコンか
らなる上層３１を積層し、ＳＯＩ（Silicon-on-Insulat
or）ウエハを作製する。次いで、図２（Ｂ）に示したよ
うに、上層３１の上面全体にシリコン酸化膜３２を形成
する。

【００３７】（第２工程）次に、図２（Ｃ）に示したよ
うに、酸化膜３２の上面であって可動部４０（貫通孔４
０ｂを除く）、櫛歯状電極４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４
２ｂ，５０ａ，５０ｂ，６０ａ，６０ｂ、梁１１ａ〜１
１ｄ、ベース部１２ａ〜１２ｄ及び枠体３０に相当する
部分をレジスト膜Ｒ１にてマスクする。そして、上層３
１及び酸化膜３２をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）
等でエッチングして、後に可動部４０となる部分（以下
「可動部層４０ａ」という。）に貫通孔４０ｂを形成す
るとともに犠牲層２０上にベース部１２ａ〜１２ｄ、櫛
歯状電極５０ａ，５０ｂ，６０ａ，６０ｂ及び枠体３０
を形成し、櫛歯状電極４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ
及び梁１１ａ〜１１ｄに相当する部分を残す。この後、
レジストＲ１と酸化膜３２を除去する。

【００３８】（第３工程）次に、図２（Ｄ）に示したよ
うに、貫通孔４０ｂを一つおきに可視光線又は赤外線を
透過するレジストＲ２で閉塞する。即ち、貫通孔４０ｂ
は格子状に配設されているので、ある貫通孔４０ｂから
みて最短距離をもって隣接する貫通孔４０ｂを閉塞す
る。なお、図１（Ａ）においては、この閉塞される貫通
孔４０ｂに便宜上「×」を付している。また、レジスト
Ｒ２で閉塞する貫通孔４０ｂは上記した位置の貫通孔４
０ｂに限定されることはなく、基板１０上に設ける突起
部２１の位置、貫通孔４０ｂの数、同貫通孔４０ｂの形
状等に応じて適宜決定される。

【００３９】（第４工程・・・第１エッチング工程）次
いで、酸化シリコンを溶解するがシリコンを溶解するこ
とのないフッ酸水溶液（エッチング液）で満たされた槽
内にウエハを浸漬し、図２（Ｄ）に示したように、閉塞
されていない貫通孔４０ｂを介してフッ酸水溶液を導入
し、可動部層４０ａ、櫛歯状電極４１ａ，４１ｂ，４２
ａ，４２ｂ、及び梁１１ａ〜１１ｄと基板１０とに挟ま
れる犠牲層２０のエッチングを開始する。このエッチン
グは等方性エッチングであるので、フッ酸水溶液が導入
された貫通孔４０ｂの基板１０側の端部から等距離内の
犠牲層２０が除去される。

【００４０】ここで、上記犠牲層２０のエッチングにつ
いて詳述すると、図２（Ｄ）及び図３（Ａ）に示したよ
うに、先ずフッ酸水溶液が導入された貫通孔４０ｂの直
下にある基板１０が露呈する。そして、所定の時間が経
過して残存する犠牲層２０の頂部（犠牲層２０の可動部
層４０ａ側の上端面）が、レジストＲ２により閉塞され
ている貫通孔４０ｂの下面開口よりも僅かに小さくなっ
た時点でエッチングを停止する。換言すると、フッ酸水
溶液が導入された貫通孔４０ｂの直下にある基板１０が
露呈した後であって、フッ酸水溶液を導入した貫通孔４
０ｂのうち最短距離をもって隣接する二つの貫通孔４０
ｂ，４０ｂの間にあるレジストＲ２の下面（閉塞された
貫通孔４０ｂの下面）の周縁部が僅かに露呈し、且つ同
下面の直下（貫通孔４０ｂの投影方向）の基板１０は犠
牲層２０により覆われている状態にて、このエッチング
を終了する

【００４１】犠牲層２０が上記エッチングを終了すべき
状態にまでエッチングされたか否かは、種々の方法によ
り知ることができる。この実施形態においては、レジス
トＲ２に可視光線又は赤外線を透過するものを用いてい
るので（シリコンからなる可動部層４０ａは赤外線及び
可視光線の何れも透過させない）、顕微鏡又は赤外線顕
微鏡によって閉塞された貫通孔４０ｂの直下にある犠牲
層２０の状態をレジストＲ２の剥離前の段階において視
認することができる。

【００４２】この場合、図４（Ａ）に示したように、貫
通孔４０ｂの内側に略矩形の線と矩形の角部から放射状
に広がる稜線のみが視認できれば、上記エッチングを終
了すべき状態であると判断できる。一方、図４（Ｂ）に
示したように、略矩形とその中央部に点が視認でき、そ
の点と矩形の角部とを結ぶ稜線が視認できるときは、上
記エッチングを終了すべき状態以上にエッチングが進行
している状態であると判断できる。

【００４３】（第５工程・・・第２エッチング工程）次
に、レジストＲ２を酸素（Ｏ２）プラズマにより剥離
し、次いで図２（Ｅ）及び図３（Ｂ）に示したように、
異方性エッチング及びドライエッチングの一つであるＲ
ＩＥにより貫通孔４０ｂの直下にある犠牲層２０を除去
する。即ち、貫通孔４０ｂの下面から基板１０の上面に
垂直な方向に存在する犠牲層２０（貫通孔４０ｂの投射
方向に存在する犠牲層２０）を除去する。これにより、
図３（Ｃ）に示したように、可動部４０が基板１０から
所定の距離だけ浮いた状態に形成されるとともに、基板
１０から可動部４０に向けて突出する突起部２１が確実
に形成される。また、以上により、櫛歯状電極４１ａ，
４１ｂ，４２ａ，４２ｂ及び梁１１ａ〜１１ｄと基板１
０との間に存在した犠牲層２０も除去され、これらにつ
いても基板から所定の距離だけ浮いた状態に形成され
る。

【００４４】（第６工程）次いで、アルミ膜を電極パッ
ド１３，５２ａ，５２ｂ，６１ａ，６１ｂに相当する部
分にスパッタリング法等により形成し、電極パッド１
３，５２ａ，５２ｂ，６２ａ，６２ｂをそれぞれ形成す
る。最後に、真空中において前述したガラス蓋（図示省
略）を枠体３０上面に陽極接合等により固着する。な
お、上記アルミ膜を形成する工程は、この段階にて行う
必要はなく、貫通孔４０ｂを形成する前の段階で実施す
ることもできる。

【００４５】上記の第１実施形態に係る半導体センサの
製造方法においては、レジストＲ２を除去する前の製造
途中においても、貫通孔４０ｂを可視光線又は赤外線を
透過するレジストＲ２により閉塞しているので、顕微鏡
又は赤外線顕微鏡によって閉塞された貫通孔４０ｂの直
下を視認することができる。従って、閉塞されている貫
通孔４０ｂの直下の犠牲層２０をドライエッチングして
除去する次工程に進む前の時点で、そのドライエッチン
グを施せば突起部２１が確実に形成される状態になって
いるか否かが確認でき、製造効率や検査効率を向上する
ことができる。

【００４６】また、上記方法によれば、貫通孔４０ｂを
閉塞するレジストＲ２に可視光線又は赤外線を透過しな
いものを採用した場合であっても、レジストＲ２を除去
して閉塞した貫通孔４０ｂを開放した段階において、同
開放された貫通孔４０ｂの直下を視認することができる
ので、上記ドライエッチングを施せば突起部２１が確実
に形成される状態になっているか否かを確認することが
できる。

【００４７】なお、フッ酸水溶液で満たされた槽内にて
犠牲層２０のエッチング途中にあるＳＯＩウエハ（半導
体センサ）を振動させ、レジストＲ２が剥離するか否か
を確認することによっても、上記犠牲層２０のエッチン
グを終了すべき状態となったか否かを判断することがで
きる。これは、犠牲層２０の頂部が閉塞されている貫通
孔４０ｂの下面よりも大きい間は、ウエハを振動させて
もレジストＲ２にフッ酸水溶液による上方への力（レジ
ストＲ２の剥離方向への力）が作用しないので、レジス
トＲ２が剥離することはないが、犠牲層２０の頂部が閉
塞されている貫通孔４０ｂの下面よりも小さくなると、
ウエハを振動させたときにフッ酸水溶液がレジストＲ２
の下方に回りこみ、レジストＲ２に上方への力を加える
ため、犠牲層２０と密着性が良好でないレジストＲ２は
剥離することを利用したものである。なお、この方法で
は、レジストＲ２は、犠牲層２０の頂部がレジストＲ２
の下面から離れた時点以降においても剥離するので、レ
ジストＲ２が剥離しない状態から剥離した状態となった
時点で直ちに犠牲層２０のエッチングを中止する必要が
ある。

【００４８】なお、上記突起部２１と同一形状の突起を
製造する方法として、最初に貫通孔４０ｂを形成する際
に上記「×」印を付与した領域には貫通孔４０ｂを設け
ないようにしておき、形成された貫通孔４０ｂを介して
エッチング液を導入して犠牲層２０のエッチングを開始
し、同犠牲層２０の頂部が可動部層４０ａの上記「×」
を付与した領域の下面において、同領域よりも僅かに小
さい範囲をもって接触している状態となった時点で同エ
ッチングを停止し、その後上記「×」を付与した領域を
基板１０の上面と直交する方向にドライエッチングし
て、同「×」を付与した領域の可動部層４０ａと、その
直下に存在している犠牲層２０を除去する方法もある。

【００４９】次に、上記のように構成した半導体センサ
の使用態様について説明する。この半導体センサの使用
にあたっては、電極パッド１３，５２ａ，５２ｂ，６２
ａ，６２ｂを図示しない電気回路装置に接続しておく。
そして、電気回路装置は、可動部４０をその固有振動数
ｆ０でＸ軸方向に一定振幅で振動させるために、互いに
逆相の駆動用信号を電極パッド５２ａ，５２ｂにそれぞ
れ供給する。また、可動部４０のＹ軸方向の振動を検出
するために、互いに逆相の検出用信号を電極パッド６２
ａ，６２ｂに供給する。

【００５０】以上により、可動部４０は前記駆動部に発
生する静電引力により固有振動数ｆ０でＸ軸方向に一定
振幅で振動し、この状態においてＸ，Ｙ軸に直行するＺ
軸回りの角速度が働くと、可動部４０はコリオリ力によ
り同角速度に比例した振幅でＹ軸方向にも振動する。こ
の可動部４０のＹ軸方向の振動に伴い、可動部４０に接
続された櫛歯状電極４２ａ，４２ｂもＹ軸方向に振動す
るため、櫛歯状電極４２ａ，６０ａにおける静電容量
と、櫛歯状電極４２ｂ，６０ｂにおける静電容量とは互
いに逆方向に変化する。この静電容量の変化を表す信号
が、静電容量信号として電極パッド１３を介して電気回
路装置に入力される。電気回路装置は、この静電容量信
号を用いて前記Ｚ軸回りの角速度を導出する。

【００５１】＜第２実施形態＞次に、本発明の第２実施
形態について、図１（Ａ）及び図５を参照しつつ説明す
ると、第２実施形態は、その構成に関しては、突起部２
２の形状を除いて第１実施形態と同一である。即ち、図
１（Ａ）の２−２線に沿った断面であって可動部４０
（可動部層４０ａ）の周辺の拡大図である図５（Ｃ）に
示したように、突起部２２は、基板１０から可動部４０
に向けて突出していて、図１（Ａ）の２−２線に沿って
隣接する貫通孔４０ｂ，４０ｂの略中央部下方に先鋭な
頂部を有する形状を有している。

【００５２】この第２実施形態に係る半導体センサの製
造方法について説明すると、先ず、第１実施形態の第
１，第２工程と同一の工程を実施し、次いで図５に示し
た工程を実施する。

【００５３】即ち、図５（Ａ）に示したように、貫通孔
４０ｂの設けられていない部分の可動部層４０ａをマス
クとして、貫通孔４０ｂを介して犠牲層２０に対しリン
等の不純物ＩＰをイオン注入法により注入する。そし
て、ウエハを１０００℃程度に制御された拡散炉内に入
れ所定の時間（例えば、１０時間）加熱する。これによ
り、図５（Ｂ）に示したように、犠牲層２０のうち前記
突起部２２が形成されるべき部分（突起形成部分）２０
ｂを除いた部分（不純物拡散部分）２０ａに同不純物Ｉ
Ｐが拡散される。この結果、不純物ＩＰが拡散していな
い部分２０ｂは、図１（Ａ）の２−２線に沿って隣接す
る貫通孔４０ｂ，４０ｂの略中央部（可動部層４０ａの
貫通孔４０ｂが設けられていない部分）の直下に頂部を
有する突起状に形成される。

【００５４】次いで、図５（Ｃ）に示したように、貫通
孔４０ｂを介してエッチング液であるフッ酸水溶液を導
入して犠牲層２０のエッチングを開始し、不純物拡散部
分２０ａが消失すると予測される時間が経過した時点
で、このエッチングを終了する。このエッチングにおい
ては、不純物拡散部分２０ａのフッ酸水溶液に対するエ
ッチング速度は、突起形成部分２０ｂのそれよりも格段
に高くなっている。従って、不純物拡散部分２０ａはエ
ッチングの開始後直ちに消失する。

【００５５】以上により可動部４０と突起部２２とが形
成されるとともに、櫛歯状電極４１ａ，４１ｂ，４２
ａ，４２ｂ及び梁１１ａ〜１１ｄと基板１０との間に存
在した犠牲層２０も除去され、これらについても基板か
ら所定の距離だけ浮いた状態に形成される。この後は、
第１実施形態の第６工程と同一の工程が実施される。

【００５６】ここで、上記不純物の拡散について説明を
加える。不純物の拡散深さ（拡散の進行程度）は、拡散
速度を決定する主要因である拡散温度と拡散させる時間
とによって実質的に決定される。また、不純物の拡散
は、拡散炉内にウエハを入れて行われるが、炉内の温度
は、例えば１０００℃にて拡散させようとする場合、現
状１０００±１０℃内に容易に管理され得る。これによ
り、拡散速度は極めて精度良く制御される。また、犠牲
層２０に注入された不純物ＩＰの拡散速度は、犠牲層２
０のエッチング速度に比べて極めて小さいので、製造工
程上の時間的な管理も容易である。従って、不純物ＩＰ
の拡散により突起部２２の形状を決定する本実施形態に
よれば、所望の形状に極めて近似した突起形成部分２０
ｂ（即ち、突起部２２）を形成し得る。

【００５７】また、不純物であるリンが所定濃度以上に
拡散された犠牲層２０のフッ酸水溶液に対するエッチン
グ速度は、不純物濃度がそれ以下の犠牲層２０のエッチ
ング速度よりもかなり大きい。従って、不純物の拡散に
よりエッチング速度が極めて高くなった部分を先にエッ
チングして突起部２２を形成する本第２実施形態によれ
ば、このエッチングの開始時点から極めて短時間内で所
望形状の突起部２２が形成されるとともに、その後はそ
の突起部２２の形状の変化が緩やかに進行するので、所
望の形状に極めて近似した突起部２２を得ることがで
き、製造工程上の管理も容易なものとなる。

【００５８】なお、上記第２実施形態において、注入・
拡散される不純物はリンであったが、フッ酸水溶液等の
エッチング液に対し犠牲層２０のエッチング速度を上昇
させる物質であれば、他の物質であってもよい。

【００５９】＜第３実施形態＞次に、本発明の第３実施
形態について、図１（Ａ）及び図６を参照しつつ説明す
ると、第３実施形態は、その構成に関しては、第１実施
形態の突起部２１がストッパ（突起部、突状部）２３と
なっている点を除いて第１実施形態と同一である。即
ち、ストッパ２３は、図１（Ａ）の２−２線に沿った断
面であって可動部４０の周辺の拡大図である図６（Ｄ）
に示したように、貫通孔４０ｂの中心部下方において基
板１０から可動部４０に向けて突出する頂部（極大部）
を有するとともに、隣接する貫通孔４０ｂ，４０ｂの略
中央部直下に谷部（底部又は極小部）を有する丘状とな
っている。

【００６０】この第３実施形態に係る半導体センサの製
造工程について説明すると、先ず、第１実施形態の第
１，第２工程と同一の工程を実施し、次いで図６に示し
た工程を実施する。

【００６１】即ち、図６（Ａ）に示した状態のウエハに
対して、貫通孔４０ｂを介してエッチング液であるフッ
酸水溶液を導入し、図６（Ｂ）に示したように、可動部
層４０ａをマスクとして犠牲層２０のエッチングを開始
し、所定の深さまでエッチングした時点（基板１０が露
呈する前の時点）にて同エッチングを終了する。所定の
深さになったか否かは貫通孔４０ｂ直下の犠牲層２０の
膜厚を計測することにより判断する。この工程を第１ウ
エットエッチング工程とも称する。

【００６２】次に、図６（Ｃ）に示したように、可動部
層４０ａをマスクとし、貫通孔４０ｂを介して同貫通孔
４０ｂの直下（貫通孔４０ｂの投射方向）に存在する犠
牲層２０に不純物であるボロンをイオン注入法等により
打ち込む。これにより、犠牲層２０のうち前記ストッパ
２３の頂部が形成されるべき部分（頂部形成部分）２０
ｃにのみボロンが注入される。なお、犠牲層２０の途中
までボロンを注入してもよいが、後に実施される犠牲層
２０のエッチング工程にて同ボロンを注入した部分２０
ｃが剥離する可能性があるので、ボロンは基板１０の上
面に達するように注入しておく。

【００６３】次いで、図６（Ｄ）に示したように、貫通
孔４０ｂを介してエッチング液であるフッ酸水溶液を再
び導入して犠牲層２０をエッチングする。このとき、前
記ボロンの注入された部分２０ｃは、それ以外の部分よ
りもフッ酸水溶液に対するエッチング速度が小さくなっ
ているため、同エッチングによってボロン注入部分２０
ｃが多く残され、その他の部分が小さくなる。そして、
適当な時間が経過した時点で同エッチングを終了し、ス
トッパ２３の最終形状を得る。なお、この工程を第２ウ
エットエッチング工程とも称する。

【００６４】以上説明したように、上記第３実施形態の
半導体センサは、基板１０に空間を挟んで対向するとと
もに基板１０に対し振動可能に支持された可動部４０
と、可動部４０が基板１０の方向に振動したときに可動
部４０と当接するストッパ２３とを備え、その可動部４
０は複数の貫通孔４０ｂを有し、ストッパ２３は貫通孔
４０ｂの下面開口周縁上の任意の点を通り基板１０の上
面と直交する直線と交差する斜面を有している。換言す
れば、この半導体センサのストッパ２３は、可動部４０
が基板１０の方向へ振動した場合に、貫通孔４０ｂの下
面開口周縁部分と線状に接触するようになっている。ま
た、このような構造を有し、上記貫通孔４０ｂの下面開
口周縁部分が略四角形状であって、ストッパ２３が略球
面形状に形成される場合には、ストッパ２３は貫通孔４
０ｂの下面開口周縁部分の各辺の中央部と点（４点）に
て接触（点接触）する。

【００６５】このため、半導体センサの製造工程中に可
動部４０が基板１０又は犠牲層２０に面にて接触して貼
り付くことがなく、歩留まりの向上、及び生産効率の向
上を達成しうる半導体センサが提供される。

【００６６】また、上記第３実施形態に係る製造方法に
よれば、ストッパ２３の頂部を形成すべき部分の犠牲層
２０に同犠牲層２０のエッチング速度を低下させる不純
物（ボロン）が注入され、続いて犠牲層２０がエッチン
グされる。従って、この犠牲層のエッチング工程におい
て、貫通孔４０ｂの直下の犠牲層２０はエッチングの進
行が遅く、消失し難い。

【００６７】これに対し、不純物が注入されていない部
分の犠牲層２０（可動部層４０ａの貫通孔４０ｂが設け
られていない部分の直下の犠牲層２０）は、相対的にエ
ッチングの進行が速い。この結果、貫通孔４０ｂの略中
央部直下に頂部を有し、同貫通孔４０ｂの下面側開口周
縁部直下に斜面を有する形状のストッパ２３が容易に且
つ確実に形成される。

【００６８】なお、上記第３実施形態において、注入・
拡散される不純物はボロンであったが、フッ酸水溶液等
のエッチング液に対し犠牲層２０のエッチング速度を低
下させる物質であれば、他の物質であってもよい。

【００６９】＜第４実施形態＞次に、本発明の第４実施
形態について、図１（Ａ）、図７、及び図８を参照しつ
つ説明すると、第４実施形態は、その構成に関しては、
突起部２４を除いて第１実施形態と同一である。即ち、
図１（Ａ）の２−２線に沿った可動部４０周辺の拡大断
面図である図８（Ｄ）に示したように、突起部２４は、
基板１０から可動部４０に向けて突出していて、その断
面形状が略台形となっている。また、この突起部２４の
各々は、平面視において略方形状であり、それらが所定
の大きさの正方格子の格子点上に配列されている。

【００７０】以下、この第４実施形態に係る半導体セン
サの製造工程について説明する。 （第１工程）先ず、図７（Ａ）に平面図を、図７（Ｂ）
に断面図を示したように、シリコンからなる基板１０を
用意し、この基板１０の上部に突起部２４の頂部を形成
する部分を除く部分にリン等の不純物ＩＰをイオン注入
法により打ち込む。注入されたリンの濃度（不純物濃
度）は、１０^１７／ｃｍ^３以上とする。

【００７１】（第２工程）次いで、図８（Ａ）に示すよ
うに、この基板１０の上面上に約１μｍの厚さのシリコ
ン酸化膜である犠牲層２０と、約１０μｍのシリコンか
らなる上層３１を積層し、ＳＯＩ（Silicon-on-Insulat
or）ウエハを得る。その後、上層３１の上に図示しない
酸化膜を形成する。

【００７２】（第３工程）次に、第１実施形態と同様に
して、上層３１の上面であって可動部４０（貫通孔４０
ｂを除く）、櫛歯状電極４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２
ｂ，５０ａ，５０ｂ，６０ａ，６０ｂ、梁１１ａ〜１１
ｄ、ベース部１２ａ〜１２ｄ及び枠体３０に相当する部
分をレジストにてマスクする。そして、上層３１及び上
層３１の上の酸化膜をＲＩＥ等でエッチングして、可動
部層４０ａに貫通孔４０ｂを形成するとともに犠牲層２
０上に櫛歯状電極５０ａ，５０ｂ，６０ａ，６０ｂ及び
枠体３０を形成し、櫛歯状電極４１ａ，４１ｂ，４２
ａ，４２ｂ及び梁１１ａ〜１１ｄ、ベース部１２〜１２
ｄに相当する部分を残す。この後、前記レジストと前記
酸化膜を除去する。この状態が図８（Ｂ）に示した状態
である。

【００７３】（第４工程・・・犠牲層エッチング工程）
次いで、図８（Ｃ）に示したように、貫通孔４０ｂから
フッ酸水溶液（第１エッチング液）を導入し、犠牲層２
０を完全に除去する。

【００７４】（第５工程・・・突起部形成工程）次い
で、図８（Ｄ）に示したように、貫通孔４０ｂからフッ
硝酸水溶液（第２エッチング液）を導入し、基板１０の
エッチングを開始する。このフッ硝酸水溶液は、ＨＦ：
ＨＮＯ：ＣＨ_３ＣＯＯＨ＝１：３：８（体積比）とす
る。この結果、基板１０のリンが注入された部分は短時
間内に除去され、その時点でエッチングを終了する。基
板１０であってリンが注入されている部分（不純物の高
濃度領域）のエッチング速度は、それ以外の部分（不純
物の低濃度領域）のエッチング速度の１５０倍にも達す
る。従って、適当な時間だけ基板１０をエッチングする
ことにより高濃度領域部分を確実に除去でき、これによ
り基板１０上に確実に突起２４が形成される。また、エ
ッチングする時間が高濃度領域をエッチングするのに必
要な時間を多少越えても、低濃度領域の基板１０がエッ
チングされる量を少なくすることができるため、エッチ
ング時間を厳格に管理する必要が少なく、容易に所望形
状の突起部２４を形成することができる。

【００７５】（第６工程）次いで、アルミ膜を電極パッ
ド１３，５２ａ，５２ｂ，６１ａ，６１ｂに相当する部
分にスパッタリング法等により形成し、電極パッド１
３，５２ａ，５２ｂ，６２ａ，６２ｂをそれぞれ形成す
る。最後に、真空中において前述したガラス蓋（図示省
略）を枠体３０上面に陽極接合等により固着する。な
お、上記アルミ膜を形成する工程は、この段階にて行う
必要はなく、貫通孔４０ｂを形成する前の段階で実施す
ることもできる。

【００７６】以上に説明した上記第４実施形態の製造方
法によれば、基板１０に不純物ＩＰを注入して犠牲層２
０を積層するが、このとき基板１０の上面が平坦となっ
ているので、犠牲層２０に凹凸が生じることはない。従
って、基板上に突起部を形成した後に犠牲層２０及び可
動部層４０ａを積層する従来の技術では、可動部層の下
面に凹凸が形成され、可動部４０の振動特性に悪影響を
及ぼしていたところ、第４の実施形態に係る製造工程に
よれば、このような問題を回避することができる。ま
た、可動部４０の振動特性を良好とするために犠牲層の
上面をリフロー等により平坦化する工程を省略すること
ができ、全体の工程が簡素化される。

【００７７】なお、上記第４実施形態においては、突起
部２４は格子状に配列されるとともに平面視で方形状に
形成されていたが、基板１０の平面図である図９に示し
たように、線状に形成することもできる。この場合に
は、不純物ＩＰを注入しない部分を所定幅の線状部分と
し、不純物ＩＰをその線状部分の間に方形状に注入して
おき、可動部層４０ａ等を形成した後に基板１０をエッ
チングして突起部を形成する。

【００７８】また、上記第４実施形態においては、不純
物ＩＰとしてリンを使用したが、シリコンからなる基板
１０に注入することにより同基板１０のエッチング速度
を上昇させる物質であれば他の物質（ホウ素、砒素等）
を使用することもできる。また、上記第５工程で用いる
第２エッチング液は、上記フッ硝酸水溶液に限定され
ず、不純物の高濃度領域部分を選択的にエッチングする
水溶液を適宜組合せたものとすることができる。

【００７９】＜第５実施形態＞次に、本発明の第５実施
形態及びその変形例について、図１（Ａ）及び図１０〜
図１３を参照して説明する。なお、図１０〜図１３は、
図１（Ａ）の２−２線に沿った可動部４０（可動部層４
０ａ）周辺の断面図である。

【００８０】第５実施形態は、その構成に関しては、図
１０（Ｅ）に示したように基板１０から可動部４０に向
かって突出する基板側突起部２５と、可動部４０の貫通
孔４０ｂが設けられていない部分の下面から突起部２５
の頂部に向かい突出する可動部側突起部４０ｃとを有し
ている点においてのみ第１実施形態と異なっている。基
板側突起部２５の断面形状は略台形形状であり、可動部
側突起部４０ｃの断面形状は略逆台形形状である。

【００８１】次に、第５実施形態に係る半導体センサの
製造方法について図１（Ａ）及び図１０を参照しつつ説
明する。先ず、第１実施形態の第１工程と同一の工程を
実施し、ＳＯＩを形成する。次いで、図１０（Ａ）に示
したように、可動部層４０ａ（この時点においては上層
３１）の上に第１実施形態の第２工程と同様の所定形状
のマスクを形成する。次いで、図１０（Ｂ）に示したよ
うに、ＲIＥによって可動部層４０ａをエッチングして
可動部層４０ａに貫通孔４０ｂを形成する。

【００８２】次に、貫通孔４０ｂを介して酸化シリコン
を溶解するがシリコンを溶解することのないエッチング
液（フッ酸水溶液）を導入して犠牲層２０のエッチング
を開始する。そして、図１０（Ｃ）に示したように、残
存する犠牲層２０が、可動部層４０ａの貫通孔４０ｂが
設けられていない部分の下面の一部を露呈し、且つ可動
部層４０ａの可動部側突起部４０ｃが形成されるべき部
分を同部分より僅かに大きな面積をもって被覆するよう
に可動部層４０ａと接触するととともに、基板１０の基
板側突起部２５が形成されるべき部分を同部分より僅か
に大きな面積をもって被覆するように基板１０と接触す
る状態となった時点にて同エッチングを終了する。即
ち、犠牲層２０が基板１０の上面であって基板側突起部
２５が形成されるべき部分と可動部層４０ａの下面であ
って可動部側突起部４０ｃが形成されるべき部分との間
に介在し、犠牲層２０の他の部分は除去された状態とな
ったときに犠牲層２０のエッチングを終了する。

【００８３】そして、図１０（Ｄ）に示したように、貫
通孔４０ｂを介してシリコンを溶解するが酸化シリコン
を溶解することのないエッチング液であるフッ硝酸水溶
液を導入し、可動部層４０ａと基板１０とを部分的にエ
ッチングする。このとき、残存している犠牲層２０はマ
スクとして機能するため、基板１０は同基板１０と接触
している犠牲層２０の直下部において可動部層４０ａに
向かって突出するようにエッチングされ、可動部層４０
ａの下面は同可動部層４０ａと接触している犠牲層２０
の直上部において基板１０に向かって突出するようにエ
ッチングされる。最後に、図１０（Ｅ）に示したよう
に、貫通孔４０ｂを介してフッ酸水溶液を再び導入し、
残存する犠牲層２０をエッチングして除去する。

【００８４】以上、説明したように、第５実施形態に係
る製造方法によれば、基板１０の上部、及び可動部４０
の貫通孔４０ｂが設けられていない部分の下面に複数の
突起部２５，４０ｃが確実に形成される。

【００８５】次に、第５実施形態の半導体センサの製造
方法に関する第１の変形例について図１１を用いて説明
する。この第１変形例においては、図１１（Ａ）に示し
たように、上記第５実施形態等と同様な方法によって貫
通孔４０ｂを形成し、次いで図１１（Ｂ）に示したよう
に、貫通孔４０ｂの下部に犠牲層２０が残存するように
フッ酸水溶液で犠牲層２０をエッチングする。この段階
で、残存する犠牲層２０は、可動部層４０ａの貫通孔４
０ｂが設けられていない部分の下面の一部を露呈し、且
つ可動部層４０ａの可動部側突起部４０ｄが形成される
べき部分を同部分より僅かに大きな面積をもって被覆す
るように接触している状態となる。

【００８６】次いで、図１１（Ｃ）に示したように、貫
通孔４０ｂを介してフッ硝酸水溶液を導入し、可動部層
４０ａをエッチングする。このとき、残存している犠牲
層２０はマスクとして機能するため、可動部層４０ａの
下面は基板１０に向かって突出するようにエッチングさ
れる。一方、この変形例においては、基板１０は犠牲層
２０により覆われているためエッチングされない。最後
に、図１１（Ｄ）に示したように、貫通孔４０ｂを介し
てフッ酸水溶液を導入し、残存する犠牲層２０をエッチ
ングして除去する。以上により、可動部４０等が形成さ
れ、複数の突起部４０ｄが可動部４０の下面に確実に形
成される。

【００８７】次に、第５実施形態の半導体センサの製造
方法に関する第２の変形例について図１２を用いて説明
する。この第２変形例においては、図１２（Ａ）に示し
たように、上記第５実施形態等と同様な方法によって貫
通孔４０ｂを形成し、次いで図１２（Ｂ）に示したよう
に、フッ酸水溶液で犠牲層２０をエッチングする。但
し、貫通孔４０ｂの下部には犠牲層２０を残存させてお
く。

【００８８】次いで、図１２（Ｃ）に示したように、可
動部層４０ａの貫通孔４０ｂが設けられていない各部分
をマスクとし、ＲＩＥにより貫通孔４０ｂの直下（貫通
孔４０ｂの投射方向）に存在する犠牲層２０を除去す
る。

【００８９】次に、図１２（Ｄ）に示したように、貫通
孔４０ｂを介してフッ硝酸水溶液を導入し、基板１０と
可動部層４０ａをエッチングする。このとき、残存する
犠牲層２０はマスクとして機能するため、基板１０は同
基板１０と接触している犠牲層２０の直下部において可
動部層４０ａに向かって突出するようにエッチングさ
れ、可動部層４０ａの下面は同可動部層４０ａと接触し
ている犠牲層２０の直上部において基板１０に向かって
突出するようにエッチングされる。

【００９０】最後に、図１０（Ｅ）に示したように、貫
通孔４０ｂを介してフッ酸水溶液を導入し、残っている
犠牲層２０をエッチングして除去する。これにより、突
起部４０ｅと突起部２６が、それぞれ可動部４０の下面
及び基板１０の上面に互いに対向するように確実に形成
される。

【００９１】次に、第５実施形態の半導体センサの製造
方法に関する第３の変形例について図１３を用いて説明
する。この第３変形例においては、図１３（Ａ）に示し
たように、上記第５実施形態等と同様な方法によって貫
通孔４０ｂを形成し、次いで図１３（Ｂ）に示したよう
に、貫通孔４０ｂを介してフッ酸水溶液を導入し、犠牲
層２０のエッチングを開始する。そして、残存する犠牲
層２０が、可動部層４０ａの貫通孔４０ｂが設けられて
いない部分の下面の一部を露呈し、且つ可動部層４０ａ
の可動部側突起部４０ｆが形成されるべき部分を同部分
より僅かに大きな面積をもって被覆するように接触する
ととともに、基板１０の基板側突起部２７が形成される
べき部分を同部分より僅かに大きな面積をもって被覆す
るように接触する状態となった時点にて同エッチングを
終了する。

【００９２】次に、ウエハを約１０００℃の炉内に入れ
て酸素雰囲気中で加熱する。その結果、図１３（Ｃ）に
示したように、基板１０及び可動部層４０ａの貫通孔４
０ｂが設けられていない各部分の表面が熱酸化され、犠
牲層２０と同じ材質である酸化シリコン（ＳｉＯ_２）に
変化する。このとき、熱酸化は等方的に行われ、且つ可
動部層４０ａ及び基板１０と接触している犠牲層２０は
マスクとして機能する。このため、基板１０の熱酸化さ
れない部分は、基板１０と接触している犠牲層２０の直
下部において可動部層４０ａに向かって突出する形状と
なる。同様に、可動部層４０ａの貫通孔４０ｂが設けら
れていない各部分の熱酸化されない部分は、犠牲層２０
と接触している部分の直上部において基板１０に向かっ
て突出する形状となる。

【００９３】最後に、図１３（Ｄ）に示したように、貫
通孔４０ｂを介して導入されるフッ酸水溶液により、残
存する犠牲層２０と上記熱酸化された部分（何れも酸化
シリコン）をエッチングして除去する。この結果、互い
に対向する突起部２７，４０ｆが基板１０の上面及び可
動部４０の貫通孔４０ｂが設けられていない各部分の下
面にそれぞれ形成される。

【００９４】＜第６実施形態＞次に本発明の第６実施形
態について、図１（Ａ）及び図１（Ａ）の２−２線に沿
った断面図である図１４を参照して説明する。

【００９５】第６実施形態は、その構成に関しては、図
１４（Ｄ）に示すように、可動部４０の下部であって貫
通孔４０ｂの下面側開口外周縁部がエッチングされるこ
とにより、可動部層４０ａの下面が、基板１０に向けて
突出する逆三角形状の突起部を複数箇所に有するように
形成されていて、基板１０の上面は平坦となっている点
においてのみ第１実施形態と異なっている。

【００９６】次に、第６実施形態に係る半導体センサの
製造方法について図１４を参照しつつ説明する。先ず、
第１実施形態の第１工程と同一の工程を実施し、ＳＯＩ
ウエハを形成する。次いで、図１４（Ａ）に示したよう
に、可動部層４０ａ（この時点においては、上層３１）
の上に第１実施形態の第２工程と同様の所定形状のマス
クを形成する。次いで、図１４（Ｂ）に示したように、
ＲＩＥによって可動部層４０ａを基板１０の上面と垂直
な方向にエッチング（ドライエッチング）し、可動部層
４０ａに貫通孔４０ｂを形成する。

【００９７】そして、貫通孔４０ｂの形成後も貫通孔４
０ｂを介したドライエッチングを継続する。これによ
り、照射されたイオン（荷電粒子）は絶縁膜（Ｓｉ
Ｏ_２）である犠牲層２０に蓄積されるため、新たに到来
するイオンが貫通孔４０ｂの下面開口外周縁部の可動部
層４０ａをエッチングする。この結果、所定の時間が経
過すると、図１４（Ｃ）に示したように、可動部層４０
ａの下面側が、図１（Ａ）の２−２線に沿って隣接する
貫通孔４０ｂの略中心線上に頂部を有する円錐状にエッ
チングされ、同部位が基板１０に向けて細くなる。そし
て、前記可動部層４０ａに出現した頂部の面積が、可動
部４０のストッパとして機能するのに十分に小さくなっ
た時点で可動部層４０ａのエッチングを終了する。最後
に、図１４（Ｄ）に示したように、貫通孔４０ｂを介し
てフッ酸水溶液を導入して犠牲層２０をエッチングして
除去する。これにより、可動部４０の突起部４０ｄが形
成される。

【００９８】以上、説明したように、第６実施形態に係
る製造方法においては、可動部層４０ａにドライエッチ
ングにて貫通孔４０ｂを形成した後も所定時間だけ同ド
ライエッチングを継続するだけで、可動部層４０ａの下
部に突起部４０ｄが形成される。従って、工程を複雑化
せずに突起部４０ｄを形成することができる。また、突
起部４０ｄをウエットエッチングよりも制御し易いドラ
イエッチングにより形成するので、突起部４０ｄが容易
に形成される。更に、犠牲層２０に対してはウエットエ
ッチングを行うが、これは犠牲層２０が消滅する（除去
される）まで行えばよいので、犠牲層２０のエッチング
の管理も容易になる。

【００９９】＜第７実施形態＞次に第７実施形態につい
て、図１（Ａ）及び図１（Ａ）の２−２線に沿った断面
図である図１５を参照して説明する。

【０１００】第７実施形態は、その構成に関しては、図
１５（Ｄ）に示したように、可動部層４０ａの貫通孔４
０ｂの下面開口外周縁部がエッチングされることによ
り、可動部層４０ａの下面側に基板１０に向けて細くな
る逆台形状部４０ｅが形成されていて、基板１０の上面
には基板１０から可動部層４０ａの逆台形状部４０ｅに
向けて突出する突起部２８が形成されている点において
のみ、第１実施形態と異なっている。

【０１０１】次に、第７実施形態に係る半導体センサの
製造方法について図１５を参照しつつ説明する。先ず、
第１実施形態の第１工程と同一の工程を実施し、ＳＯＩ
ウエハを形成する。次いで、図１５（Ａ）に示したよう
に、可動部層４０ａ（この時点においては、上層３１）
の上に第１実施形態の第２工程と同様の所定形状のマス
クを形成する。次いで、図１５（Ｂ）に示したように、
ＲＩＥによって可動部層４０ａを基板１０の上面に垂直
な方向にエッチング（ドライエッチング）し、可動部層
４０ａに貫通孔４０ｂを形成する。

【０１０２】そして、貫通孔４０ｂの形成後も貫通孔４
０ｂを介したドライエッチングを継続する。これによ
り、照射されたイオン（荷電粒子）は絶縁膜（Ｓｉ
Ｏ_２）である犠牲層２０に蓄積されるため、新たに到来
するイオンが貫通孔４０ｂの下面開口外周縁部の可動部
層４０ａの下部をエッチングする。この結果、所定の時
間が経過すると、図１５（Ｃ）に示したように、可動部
層４０ａの下面側が、図１（Ａ）の２−２線に沿って隣
接する貫通孔４０ｂの略中心線上に頂部を有するように
エッチングされ、基板１０に向けて細くなる。

【０１０３】次に、貫通孔４０ｂを介してフッ酸水溶液
を導入し、犠牲層２０を所定の時間だけエッチングす
る。この結果、図１５（Ｄ）に示したように、犠牲層２
０の上部に可動部層４０ａに向けて突出する突起部２８
が形成されるとともに、可動部４０が形成される。

【０１０４】以上、説明したように、第７実施形態に係
る製造方法においては、可動部層４０ａにドライエッチ
ングにて貫通孔４０ｂを形成するとともに、その後も所
定時間だけ同ドライエッチングを継続して同可動部層４
０ａの貫通孔４０ｂが設けられていない部分の下部を基
板１０に向けて細くし（即ち、突起部２８を形成すべき
部分の直上に位置する可動部層４０ａの貫通孔４０ｂが
設けられていない各部分の幅を小さくし）、その後に犠
牲層２０をウエットエッチングして突起部２８を形成す
る。これにより、犠牲層２０のウエットエッチングの終
了時点についての時間的な余裕（余裕時間＝時間的なマ
ージン）を大きく取ることが可能となって、確実に突起
部２６が形成される。

【０１０５】ここで、上記ウエットエッチングの余裕時
間について説明を加える。図１６に示したように、可動
部層４０ａの貫通孔４０ｂが設けられていない各部分に
相当する部分（以下、構造物という。）の幅を２Ｌ、犠
牲層２０の膜厚をＴ、構造物の犠牲層２０側の端部から
構造物の中心線上にある犠牲層２０の下端までの距離を
Ａとし、等方性エッチングであるウエットエッチングの
速度（エッチングレート）をＲμｍ／分とすると、犠牲
層２０に突起部が形成されるまでの最短時間Ｔｍｉｎ
は、Ｔｍｉｎ＝Ｌ／Ｒ分となる。また、突起部が形成さ
れる最長時間（突起部がエッチング過多により消滅して
しまうまでの時間）Ｔｍａｘは、Ｔｍａｘ＝Ａ／Ｒ＝
（Ｌ^２＋Ｔ^２）^１／２／Ｒ分となる。従って、エッチン
グの余裕時間は、Ｔｍａｘ−Ｔｍｉｎ＝（（Ｌ^２＋
Ｔ^２）^１／２−Ｌ）／Ｒ分となる。

【０１０６】図１７は、上記計算に基づき、横軸に構造
物の幅の半分Ｌをとり、縦軸にエッチング余裕時間をと
ってこれらの関係を図示したものである。なお、図１７
においては、Ｔ＝４μｍ、Ｒ＝１μｍ／分としている。
図１７からも明らかなように、構造物の幅２Ｌが大きい
ほどエッチング余裕時間は小さくなり、幅Ｌが小さいほ
ど余裕時間は大きくなることが解る。

【０１０７】以上のことから、第７実施形態に係る製造
方法によれば、可動部４０の形状（貫通孔４０ｂの大き
さ、間隔等）に制約がある場合であっても、突起部２８
を形成すべき部分の直上に位置する可動部層４０ａの幅
を小さくした後に犠牲層２０をエッチングするので、突
起部２８を形成するための犠牲層２０のエッチング余裕
時間を大きくとることが可能となる。この結果、突起部
２８が確実に形成可能となり、またエッチング時間の管
理が容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （Ａ）は本発明の第１実施形態の概略平面図
であり、（Ｂ）は（Ａ）の１−１線に沿った断面図であ
る。

【図２】 図１に示した半導体センサの製造方法の工程
図である。

【図３】 図２の工程図の一部を拡大して示した図であ
る。

【図４】 図１に示した貫通孔から基板側を見た図であ
る。

【図５】 本発明の第２実施形態に係る製造方法の工程
図である。

【図６】 本発明の第３実施形態に係る製造方法の工程
図である。

【図７】 本発明の第４実施形態に係る製造方法の工程
図である。

【図８】 本発明の第４実施形態に係る製造方法の工程
図である。

【図９】 本発明の第４実施形態の変形例に係る基板の
平面図である。

【図１０】 本発明の第５実施形態に係る製造方法の工
程図である。

【図１１】 本発明の第５実施形態の第１変形例に係る
製造方法の工程図である。

【図１２】 本発明の第５実施形態の第２変形例に係る
製造方法の工程図である。

【図１３】 本発明の第５実施形態の第３変形例に係る
製造方法の工程図である。

【図１４】 本発明の第６実施形態に係る製造方法の工
程図である。

【図１５】 本発明の第７実施形態に係る製造方法の工
程図である。

【図１６】 本発明の第７実施形態の効果を説明するた
めに、各部の長さを図示した半導体センサの部分拡大図
である。

【図１７】 本発明の第７実施形態の効果を説明するた
めの構造物の幅とエッチングの余裕時間との関係を示す
図である。

【符号の説明】

１０…基板、１１ａ〜１１ｄ…梁、１２ａ〜１２ｄ…ベ
ース部、１３…電極パッド、２０…犠牲層、２１…突起
部（ストッパ）、３０…枠体、３１…上層、３２…シリ
コン酸化膜、４０…可動部、４０ａ…可動部層、４０ｂ
…貫通孔、４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ…櫛歯状電
極、５０ａ，５０ｂ，６０ａ，６０ｂ…櫛歯状電極、Ｒ
１，Ｒ２…レジスト。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千田 英美 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 千田 和身 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 岡山 倫久 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 長尾 勝 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内 Ｆターム(参考） 2F105 BB15 CC04 CD07 4M112 AA02 BA07 CA24 CA26 CA31 CA34 CA36 DA03 DA04 DA09 DA18 EA02 EA13 FA07 GA01

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
   板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板から
   前記可動部に向けて突出する突起部とを有する半導体セ
   ンサの製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
   程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔のうちの一部の貫通孔を閉塞する工程と、 前記貫通孔のうちの閉塞されていない貫通孔を介してエ
   ッチング液を導入し前記犠牲層のエッチングを行う第１
   エッチング工程と、 前記閉塞された貫通孔を開放する工程と、 前記開放された貫通孔を介して同貫通孔の直下の前記犠
   牲層をエッチングにより除去する第２エッチング工程と
   を含んだことを特徴とする半導体センサの製造方法。
2. 【請求項２】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
   板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板から
   前記可動部に向けて突出する突起部とを有する半導体セ
   ンサの製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
   程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を介して前記犠牲層に対し同犠牲層のエッチ
   ング速度を上昇させる不純物を注入して拡散させる工程
   と、 前記貫通孔を介してエッチング液を導入して前記犠牲層
   をエッチングする工程とを含んだことを特徴とする半導
   体センサの製造方法。
3. 【請求項３】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
   板に対し振動可能に支持された可動部と、前記可動部が
   前記基板方向に振動したときに同可動部と当接するスト
   ッパとを備えた半導体センサの製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
   程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層を
   部分的にエッチングする工程と、 前記貫通孔を介し同貫通孔の直下にある犠牲層に同犠牲
   層のエッチング速度を低下させる不純物を注入する工程
   と、 前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層を
   再度エッチングする工程とを含んだことを特徴とする半
   導体センサの製造方法。
4. 【請求項４】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
   板に対し振動可能に支持された可動部と、前記可動部が
   前記基板方向に振動したときに同可動部と当接するスト
   ッパとを備えた半導体センサにおいて、 前記可動部は複数の貫通孔を有し、 前記ストッパは前記貫通孔の下面開口周縁上の任意の点
   を通り前記基板の上面と直交する直線と交差する斜面を
   有してなることを特徴とする半導体センサ。
5. 【請求項５】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
   板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板から
   前記可動部に向けて突出する突起部とを有する半導体セ
   ンサの製造方法において、 前記基板の上部であって前記突起部が形成されるべき部
   分を除いた部分に同基板のエッチング速度を上昇させる
   不純物を注入する工程と、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
   程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を介し第１のエッチング液を導入し前記犠牲
   層を除去する工程と、 前記貫通孔を介し第２のエッチング液を導入し前記基板
   をエッチングする工程とを含んだことを特徴とする半導
   体センサの製造方法。
6. 【請求項６】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
   板に対し振動可能に支持された可動部と、前記可動部か
   ら前記基板に向けて突出する突起部とを有する半導体セ
   ンサの製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
   程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層の
   エッチングを開始するとともに同犠牲層が前記可動部層
   の下面であって前記突起部が形成されるべき部分に残存
   する状態となったとき同エッチングを終了する工程と、 前記可動部層を部分的にエッチングし、前記犠牲層をエ
   ッチングして除去する工程とを含んだことを特徴とする
   半導体センサの製造方法。
7. 【請求項７】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
   板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板から
   前記可動部側に突出する基板側突起部と、前記可動部か
   ら前記基板側突起部に向けて突出する可動部側突起部と
   を有する半導体センサの製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
   程と、 前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層の
   エッチングを開始するとともに同犠牲層が前記基板の上
   面であって前記基板側突起部が形成されるべき部分と前
   記可動部層の下面であって前記可動部側突起部が形成さ
   れるべき部分との間に介在するようになったとき同エッ
   チングを終了する工程と、 前記可動部層及び前記基板を部分的にエッチングし、前
   記犠牲層をエッチングにより除去する工程とを含んだこ
   とを特徴とする半導体センサの製造方法。
8. 【請求項８】基板に空間を挟んで対向するとともに同基
   板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板又は
   前記可動部から突出する突起部とを有する半導体センサ
   の製造方法において、 前記基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工
   程と、 前記可動部層をエッチングして複数の貫通孔を形成する
   とともに同形成された貫通孔の下面側開口外周縁部の前
   記可動部層をエッチングして同可動部層に同可動部層か
   ら前記基板に向けて細くなる部分を形成する第１エッチ
   ング工程と、 前記貫通孔を介しエッチング液を導入して前記犠牲層を
   エッチングする第２エッチング工程とを含んだことを特
   徴とする半導体センサの製造方法。
9. 【請求項９】請求項８に記載の半導体センサの製造方法
   において、前記第１エッチング工程はドライエッチング
   により前記貫通孔を形成するとともに同貫通孔の形成後
   も同ドライエッチングを継続して前記可動部層の下面側
   に複数の前記突起部を形成する工程であり、前記第２エ
   ッチング工程は前記犠牲層を除去する工程である半導体
   センサの製造方法。
10. 【請求項１０】請求項８に記載の半導体センサの製造方
    法において、前記第２エッチング工程は前記貫通孔を介
    してエッチング液を導入して前記犠牲層のエッチングを
    部分的に行うことにより、前記基板から突出する突起部
    を形成する工程である半導体センサの製造方法。