JP2009154289A - プレリリース構造デバイス - Google Patents
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Abstract
解放前の構造を有するデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
解放前の構造を有するデバイス(100)は、少なくとも1つの第1の材料を基礎とする少なくとも1つの第1層(102)を有する少なくとも1つの第1の積層体を有し、第1の積層体は、少なくとも1つの第2の材料を基礎とする少なくとも1つの第2層(104)を有する第2の積層体に対向配置されている。デバイス(100)は更に、第1及び/又は第2の積層体内に形成された少なくとも1つの閉じた空洞(112)を有し、空洞(112)は、第1の積層体の、解放前の構造を形成する部分(114)と第2の積層体との間に配置されている。デバイス(110)は更に、空洞(112)内に配置され且つ第1の積層体の部分(114)を第2の積層体に連結する少なくとも1つのスペーサ(116)を有する。
【選択図】図3
Description
− 少なくとも1つの第1の材料を基礎とする少なくとも1つの第1層を有する少なくとも1つの第1の積層体であり、少なくとも1つの第2の材料を基礎とする少なくとも1つの第2層を有する第2の積層体の上に、あるいはそれに対向して配置された、少なくとも1つの第1の積層体、
− 第1及び/又は第2の積層体内に形成された少なくとも1つの、例えば閉じた、空洞であり、第1の積層体の、解放前の構造を形成する部分と第2の積層体との間に配置された、少なくとも1つの閉じた空洞、
− 空洞内に配置され、且つ第1の積層体の前記部分と第2の積層体との間に延在する、すなわち、第1の積層体の前記部分を第2の積層体に連結あるいは接続する、少なくとも1つのスペーサ、
を有する。
− 少なくとも1つの第1の材料を基礎とする少なくとも1つの第1層を有する第1の積層体内に、且つ/或いは少なくとも1つの第2の材料を基礎とする少なくとも1つの第2層を有する第2の積層体内に、少なくとも1つの凹部を、該凹部内に少なくとも1つの突起を残存させながら形成する形成工程、
− 第1の積層体を第2の積層体の上に、あるいはそれに対向させて接合する接合工程であり、凹部が、第1の積層体の、解放前の構造を形成する部分と第2の積層体との間に配置された、例えば閉じた、空洞を形成し、突起が、第1の積層体の前記部分と第2の積層体との間に延在する、すなわち、第1の積層体の前記部分を第2の積層体に連結するスペーサを形成する、接合工程、
を有する。
− 上述の、解放前の構造を有するデバイスを製造する方法を実行する工程、
− 空洞への少なくとも1つのアクセスを形成する工程、
− スペーサを第1若しくは第2の積層体に機械的に連結している、第1若しくは第2の積層体の少なくとも1つの部分、及び/又はスペーサの全て若しくは一部をエッチングする工程であり、第1の積層体の前記部分を第2の積層体から解放する工程、
を有する。
− 空洞への少なくとも1つのアクセスを形成する工程、
− スペーサを第1若しくは第2の積層体に機械的に連結している、第1若しくは第2の積層体の少なくとも1つの部分、及び/又はスペーサの全て若しくは一部をエッチングする工程であり、第1の積層体の前記部分を第2の積層体から解放する工程;
を有する。
図面において、次の図へ進むことを容易にするよう、相異なる図の類似部分又は等価部分には同一の参照符号を付する。また、図をみやすいものとするため、図示される様々な部分は必ずしも同一の尺度で示していない。
102、204、1014 第1層(ユースフル層)
104、1002 第2層(基板)
106、1004 誘電体層
108 基板
112、1006 空洞(凹部)
114、214、1020 第1層の部分
116、116a、116b、1008 スペーサ(突起)
118、1018 アクセス(トレンチ)
1012 弱められた領域
Claims (18)
- 解放前の構造を有するデバイスであって:
少なくとも1つの第1の材料を基礎とする少なくとも1つの第1層を有する少なくとも1つの第1の積層体であり、少なくとも1つの第2の材料を基礎とする少なくとも1つの第2層を有する第2の積層体に対向配置された、少なくとも1つの第1の積層体、
前記第1及び/又は第2の積層体内に形成された少なくとも1つの閉じた空洞であり、前記第1の積層体の、前記解放前の構造を形成する部分と前記第2の積層体との間に配置された、少なくとも1つの閉じた空洞、
前記空洞内に配置され、且つ前記第1の積層体の前記部分を前記第2の積層体に連結する、少なくとも1つのスペーサ、
を有するデバイス。 - 前記第1及び/又は第2の積層体は更に、前記第1層と前記第2層との間に配置された少なくとも1つの中間層を有し、前記空洞は、前記中間層、前記第1層、及び/又は前記第2層に形成されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記中間層は、例えば前記第1及び/又は第2の材料の酸化物である誘電体材料、及び/又は半導体酸化物を基礎とする、請求項2に記載のデバイス。
- 複数のグループのスペーサを有し、各グループの前記スペーサは、前記第1層、前記第2層又は中間層の主面に平行な面内で、その他のグループの前記スペーサとは異なる断面を有する、請求項1乃至3の何れか一項に記載のデバイス。
- 隣接し合う2つのスペーサ間の距離が前記第1の積層体の前記部分の厚さの約50倍より小さくなるように前記空洞内に散在する複数のスペーサを有する、請求項1乃至4の何れか一項に記載のデバイス。
- 前記第1の材料は半導体材料である、請求項1乃至5の何れか一項に記載のデバイス。
- 前記第2の材料は半導体材料、又は例えばガラス及び/又はシリカである誘電体材料である、請求項1乃至6の何れか一項に記載のデバイス。
- 前記第1及び/又は第2の積層体内に、前記第1及び/又は第2の積層体の薄層化を後に実行することを可能にする少なくとも1つの弱められた領域を有する、請求項1乃至7の何れか一項に記載のデバイス。
- 解放前の構造を有するデバイスを製造する方法であって:
少なくとも1つの第1の材料を基礎とする少なくとも1つの第1層を有する第1の積層体内に、且つ/或いは少なくとも1つの第2の材料を基礎とする少なくとも1つの第2層を有する第2の積層体内に、少なくとも1つの凹部を、該凹部内に少なくとも1つの突起を残存させながら形成する形成工程、
前記第1の積層体を前記第2の積層体に対向させて接合する接合工程であり、前記凹部が、前記第1の積層体の、前記解放前の構造を形成する部分と前記第2の積層体との間に配置された閉じた空洞を形成し、前記突起が、前記第1の積層体の前記部分を前記第2の積層体に連結するスペーサを形成する、接合工程、
を有する方法。 - 前記第1及び/又は第2の積層体は更に、少なくとも1つの中間層を有し、前記凹部は、前記中間層、前記第1層、及び/又は前記第2層に形成され、且つ前記中間層は、前記接合工程の後、前記第1層と前記第2層との間に配置される、請求項9に記載の方法。
- 前記凹部を形成する前記形成工程は、複数のグループの突起を残存させ、各グループの前記突起は、前記第1層、前記第2層又は前記中間層の主面に平行な面内で、その他のグループの前記突起とは異なる断面を有し、前記突起は、前記接合工程の後、前記第1の積層体の前記部分と前記第2の積層体との間に延在するスペーサを形成する、請求項9又は10に記載の方法。
- 前記第1及び/又は第2の積層体を薄くする薄層化工程を更に有する請求項9乃至11の何れか一項に記載の方法。
- 前記第1及び/又は第2の積層体内に少なくとも1つの弱められた領域を形成する工程を更に有し、前記薄層化工程は、前記弱められた領域の位置で少なくとも1つの破砕工程を行うことによって実行される、請求項12に記載の方法。
- 前記凹部及び前記突起は、前記第1及び/又は第2の積層体に少なくとも1つのリソグラフィ工程及び少なくとも1つのエッチング工程を行うことによって形成される、請求項9乃至13の何れか一項に記載の方法。
- 前記接合工程は、前記第1の積層体と前記第2の積層体との間で行われる分子結合又は陽極封止である、請求項9乃至14の何れか一項に記載の方法。
- デバイス内に構造を形成する方法であって:
請求項9乃至15の何れか一項に記載の、解放前の構造を有するデバイスを製造する方法を実行する工程、
前記空洞への少なくとも1つの経路を形成する工程、
前記スペーサを前記第1若しくは第2の積層体に機械的に連結している、前記第1若しくは第2の積層体の少なくとも1つの部分、及び/又は前記スペーサの全て若しくは一部をエッチングする工程であり、前記第1の積層体の前記部分を前記第2の積層体から解放する工程、
を有する方法。 - 請求項1乃至8の何れか一項に記載のデバイスの構造を解放する方法であって:
前記空洞への少なくとも1つの経路を形成する工程、
前記スペーサを前記第1若しくは第2の積層体に機械的に連結している、前記第1若しくは第2の積層体の少なくとも1つの部分、及び/又は前記スペーサの全て若しくは一部をエッチングする工程であり、前記第1の積層体の前記部分を前記第2の積層体から解放する工程;
を有する方法。 - 前記空洞への前記経路を形成する工程は、少なくとも1つのリソグラフィ工程及び少なくとも1つのエッチング工程によって行われる、請求項16又は17に記載の方法。
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