JP2004205523A - 水平振動の垂直型memsジャイロスコープ及びその作製方法 - Google Patents

水平振動の垂直型memsジャイロスコープ及びその作製方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 工程ステップが短縮し且つ信頼性を向上させる。
【解決手段】 基板300と、基板の一面に固定されている支持台310と、支持台に固定され基板に平行して浮いており、一方の領域が基板に平行する所定の方向に振動可能な駆動構造物320と、駆動構造物に固定され駆動構造物と同一の平面上に配され、基板に対し垂直方向に振動可能な検出構造物330と、駆動構造物及び検出構造物の上部に配され基板に接合されているキャップウェハ350と、キャップウェハの下端の所定の領域に形成され、検出構造物の垂直方向への変位を測定する垂直変位検出固定電極334aと、を含む。
【選択図】 図2

Description

本発明は、各種の機器で発生する回転角速度を測定するためのMEMS(Micro Electro−Mechanical System)ジャイロスコープに係り、より詳しくは、駆動質量体の運動と検出質量体の運動とが相互独立して行われる水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープに係る。
一般に、回転角速度を検出するためのジャイロスコープは、既に従来から船舶、航空機等で航法装置用の核心部品として使用されてきており、現在では、MEMS技術の発達に伴い、自動車の航法装置や、または高倍率のビデオカメラの手ぶれを検出しこれを補償する装置にも使用されている。
この種のジャイロスコープは、第1軸方向に一定に振動する質量体に垂直な第2軸方向に一定の角速度の回転力を受ける時、前記2つの軸に直交する第3軸方向にコリオリの力(Coriolis force)が発生する原理を用いる機器であって、コリオリの力による検出質量体の変位を静電容量の変化に変更して回転角速度を検出する。
ジャイロスコープは、コリオリの力を発生し、またこれを検出するために、その内部に所定の方向に振動可能な質量体及び検出電極を備えている。以下、ジャイロスコープ内の質量体が振動する方向を‘駆動方向’と称し、ジャイロスコープに回転角速度が入力される方向を‘入力方向’と称し、質量体に発生するコリオリの力を検出する方向を‘検出方向’と称する。
駆動方向と入力方向及び検出方向は、空間上で相互に直交する方向に設定される。通常、MEMS技術を用いたジャイロスコープでは、基板の板面に平行し、相互に直交する2つの方向(以下、これを‘水平方向’と称する)と基板の板面に垂直な一方向(以下、‘垂直方向’と称する)から構成された3つの方向に座標軸を設定する。
通常、ジャイロスコープは、水平型(Z軸)ジャイロスコープと垂直型(X軸またはY軸)ジャイロスコープとに大別される。水平型ジャイロスコープは、駆動方向及び検出方向が水平方向、入力方向が垂直方向(Z軸)のジャイロスコープであり、垂直型ジャイロスコープは、入力方向がX軸またはY軸方向のジャイロスコープである。
SOI(sillicon on insulator)構造を用いる従来の水平型ジャイロスコープは、基板に垂直なZ軸方向を中心にして入力される角速度しか測定できないため、一平面上における2軸の角速度が測定できないという不具合がある。従って、多軸角速度が検出できるジャイロスコープを作製しようとする場合、垂直に素子を配する組立工程が更に必要となる。これは、莫大な組立費用をもたらすことはもとより、性能、信頼性を阻害するという不具合がある。
前記のような問題点を解決するために、水平方向の回転角速度を検出する垂直型MEMSジャイロスコープに係る研究が進められているが、水平方向(X軸またはY軸)の入力角速度を測定するためには、質量体を垂直に駆動する駆動電極を具備したり、或いは質量体の垂直変位を検出するための検出電極を具備する必要がある。
垂直方向の駆動電極または検出電極を作製する従来の方法は、基板上に固定された固定電極と固定電極の上方に固定電極と隔てられている可動電極を形成する方法である。かかる電極が駆動電極として使用される場合には、可動電極と固定電極との間に可変する電圧を印加して可動電極を駆動し、検出電極として使用される場合には、固定電極と可動電極との間の距離に応じて変化する静電力を検出して角速度を測定する。
ところが、このような構造を有する電極は、可動電極が固定電極の上方に配設された構造を有するため、その作製が極めて困難であるという短所がある。すなわち、前記のような電極を作製するためには、まず基板上に固定電極を形成する工程を行った後、固定電極上に犠牲層を蒸着する。それから、犠牲層上に可動電極を形成し犠牲層を取り除く。このように、電極の形成には、数多くの工程を必要とする。
また、可動電極の垂直方向への変位を精度よく測定するためには、可動電極と固定電極との間隔を狭くする必要があり、この結果、可動電極と固定電極との粘着現象が発生するおそれがあるという不具合も抱えている。
図1(a)は、水平型MEMSジャイロスコープの断面図であり、図1(b)は、垂直振動の垂直型MEMSジャイロスコープの断面図である。同図に示すように、基板100、200上に支持台110、210が形成され、支持台上にはMEMS構造物500、600が作製されており、MEMS構造物500、600の上部には、キャップウェハ150、250が接合されている。キャップウェハ150、250同士の接合は、真空チャンバで行われるが、この場合、ジャイロスコープ内部の真空度の保持のためにキャップの下部に所定の空間160、260を形成することで十分な空間を確保する。
MEMS構造物500、600は、駆動構造物120、220と、検出構造物130、230、及び電極アンカー140、240と、を含み、支持台110,210に一部が固定された状態で基板の上方に浮いている。駆動構造物120、220は、所定の方向に振動する駆動質量体と、駆動質量体を駆動する駆動電極、及び駆動質量体の振動による変位を検出する検出電極と、を含む構造を意味する。検出構造物130、230は、所定の方向に振動する検出質量体及び検出質量体の変位を検出する検出電極を含む構造を意味する。各検出電極からの電気信号は、電極アンカー140、240及びキャップウェハ150、160に形成されたビアホール170、270から外部電極180、280に出力される。
水平型MEMSジャイロスコープの場合、駆動質量体及び検出質量体の変位を検出するための各々の検出電極は、駆動質量体及び検出質量体と同一の平面上に配され、各々の可動電極は、対応する質量体と一緒に水平方向に振動する。
しかし、垂直振動の垂直型MEMSジャイロスコープの場合は、駆動質量体を基板に垂直な方向に駆動するための駆動電極及び駆動質量体の変位の検出のための検出電極の構成が、検出質量体の検出電極のそれとは異なる。駆動質量体の側面に形成されたくし状構造の駆動電極及び検出電極においては、垂直方向に振動する可動電極は、固定電極より垂直方向への長さが短くなければならない。この結果、製造工程が複雑化せざるを得なく、水平型MEMSジャイロスコープの作製工程とは両立できないという短所がある。また、駆動質量体の側面に形成される駆動電極で駆動質量体を垂直方向に駆動するが、この際、駆動質量体の変位は、上下において非線形的であるという問題がある。
本発明は、前記のような従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、駆動質量体の駆動方向に垂直に加えられる回転力により振動する検出質量体の変位を検出するための検出電極をキャップウェハに構成することにより、水平型ジャイロスコープの作製工程と同一の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープ及びその作製方法を提供することである。
前記目的を達成するための本発明の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープは、基板と、前記基板の一方の領域の上面に固定されている支持台と、前記支持台の上面に固定され前記基板に平行して浮いており、一方の領域が前記基板に平行する所定の方向に振動可能な駆動構造物と、前記駆動構造物に固定され前記駆動構造物と同一の平面上に配され、一方の領域が前記基板に対し垂直方向に振動可能な検出構造物と、前記駆動構造物及び前記検出構造物の上部に配され前記基板に接合されているキャップウェハ、及び前記キャップウェハの下端の所定の領域に形成され、前記検出構造物の垂直方向への変位を測定する垂直変位検出固定電極と、を含む。
好ましくは、前記駆動構造物は、前記基板に平行する所定の方向に振動可能な駆動質量体と、一方の面は前記支持台の上面に固定され、他方の面は前記駆動質量体の一方の面に固定され、前記駆動質量体を前記所定の水平方向に移動可能にする複数の支持ビームと、前記駆動質量体を前記所定の水平方向に振動させる駆動電極、及び前記駆動質量体の水平方向への変位を測定する水平変位検出電極と、を含む。
好ましくは、前記駆動電極は、くし状構造を有し、前記支持台の上面に固定されている固定駆動電極と駆動質量体の側面に形成された可動駆動電極とから構成される。
また、前記水平変位検出電極は、くし状構造を有し、前記支持台の上面に固定されている水平変位固定検出電極と駆動質量体の側面に形成された水平変位可動検出電極とから構成される。
好ましくは、前記検出構造物は、前記基板に対し垂直方向に振動可能な検出質量体と、一方の面は前記検出質量体の一方の面に固定され、他方の面は前記駆動質量体の一方の面に固定され、前記検出質量体が前記基板に対し垂直方向に移動可能にする複数の支持ビーム、及び前記検出質量体の垂直方向への変位を測定する垂直変位可動検出電極と、を含む。
好ましくは、前記垂直変位可動検出電極は、前記検出質量体の側面に形成されたくし状構造の電極から構成されることを特徴とする。
好ましくは、前記キャップウェハは、前記基板と前記ウェハ内部の真空度の保持のために前記垂直変位固定検出電極部分を除く他の部分が垂直変位固定検出電極部分より広い真空空間を形成することを特徴とする。
また、本発明の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープは、前記支持台の上面に配され、前記垂直変位固定検出電極に電気的に接続される検出電極アンカーを更に含む。
そして、前記キャップウェハは、ビアホールを有し、前記検出電極アンカーは、前記ビアホールから外部電極に電気的に接続される。
前記目的を達成するための本発明の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープの作製方法は、基板と、支持台と、検出電極アンカーと、一方の領域が前記基板に対し平行方向に振動可能な駆動構造物、及び一方の領域が前記基板に対し垂直方向に振動可能な検出構造物と、を含む構造物ウェハの形成ステップと、キャップウェハの形成ステップと、前記キャップウェハの下端の一方の領域に前記検出構造物の垂直方向への変位を測定するための垂直変位固定検出電極を形成するステップと、前記構造物ウェハ及び前記キャップウェハをアノード接合するステップ、及び前記垂直変位固定検出電極に電気的に接続される外部電極を形成するステップと、を含む。
好ましくは、前記構造物ウェハの形成ステップは、基板、絶縁膜、及び導電膜がラミネートされた多層膜を形成するステップと、前記導電膜に構造物マスクによってエッチングホールを形成するステップ、及び前記支持台の領域を除く前記絶縁膜をエッチングして取り除くステップと、を含む。
好ましくは、前記キャップウェハの形成ステップは、前記検出構造物の垂直変位を測定する電極に対応する電極キャップパターンを形成するステップと、前記基板及び前記キャップウェハの内部の真空空間に対応するパターンを形成するステップ、及び前記キャップ検出電極アンカーと外部電極とを接続するためのビアホールを形成するステップと、を含む。
好ましくは、前記アノード接合するステップは、前記基板と前記ウェハ内部を真空化するために真空チャンバで行うことを特徴とする。
以上で説明したように、本発明によると、検出質量体の垂直変位を検出するための検出電極をキャップウェハに構成することにより、工程ステップが短縮し、信頼性が向上した垂直型MEMSジャイロスコープを作製することができる。また、水平型ジャイロスコープと同一の工程で作製するため、水平型1軸と水平型2軸を同一の基板上に構成することで3軸MEMSジャイロスコープの作製が容易になるという効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明をより具体的に説明する。
図2は、本発明に係る水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープの断面を概略的に示す図である。本発明の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープは、基板300と、支持台310と、駆動構造物320と、検出構造物330と、垂直変位固定検出電極334aと、キャップウェハ350、及び外部電極380と、から構成される。
約525μmのシリコン基板300の一方の領域上にMEMS構造物を支持する約3μmのシリコン酸化膜(SiO2)で形成された支持台310が配される。
一部が支持台310の上面に固定され基板300に平行して浮いているMEMS構造物は、駆動構造物320と、検出構造物330、及び検出電極アンカー340と、から構成され、約40μm厚さの導電物質(Si)で形成される。
図3は、水平振動のX軸MEMSジャイロスコープの駆動構造物320及び検出構造物330の構成を示す平面図である。駆動構造物320は、駆動質量体321と、複数の支持ビーム322と、複数の駆動電極323、及び複数の水平変位検出電極324と、から構成される。
MEMS構造物に如何なる外力も存在しない場合、駆動質量体321は、Y軸方向に弾性力を有する複数の支持ビーム322により固定された状態で基板300の上方に浮いている。駆動電極323は、その一部が支持台310の上面に固定されている固定駆動電極323a及び駆動質量体321の上下の側面に設けられる可動駆動電極323bから構成されるくし状構造に形成される。駆動電極323に交流電圧が印加されると、駆動質量体321はY軸方向に振動する。この際、振動周波数は例えば約8kHzになるように設定する。水平変位検出電極324は、その一部が支持台310の左右の上面に固定されている水平変位固定検出電極324a及び駆動質量体321の左右の側面に設けられる水平変位可動検出電極324bから構成されたくし状構造に形成される。駆動質量体321がY軸方向に振動すると、水平変位可動検出電極324bも駆動質量体321と一緒にY軸方向に振動する。水平変位検出電極324は、水平変位固定検出電極324aと水平変位可動検出電極324bとの相対距離の変化による両電極間の静電容量の変化を検出する。
検出構造物330は、検出質量体331と、複数の支持ビーム332、及び垂直変位可動検出電極334bと、から構成される。検出質量体331は、Z軸方向に弾性を有する複数の支持ビーム332を介し、駆動質量体321に接続されている。検出質量体331は、駆動質量体321と同一の平面上に配され、駆動質量体321が振動すると、駆動質量体321と一緒にY軸方向に振動する。Y軸方向に振動中の駆動質量体321及び検出質量体331にX軸方向に回転するΩの角速度を有する外力が入力されると、駆動質量体321及び検出質量体331は、Z軸方向にコリオリの力を受ける。Z軸方向に弾性を有する複数の支持ビーム332に接続された検出質量体331だけが前記コリオリの力を受け、Z軸方向に振動する。
図4は、垂直変位固定検出電極の断面図である。垂直変位検出電極334は、検出質量体331の垂直変位を検出するためのものであって、キャップウェハ350の下部に形成される垂直変位固定検出電極334aと検出質量体331の側面に形成される垂直変位可動検出電極334bとから構成される。検出質量体331の振動に伴い、両電極間の間隔dに反比例する両電極間の静電容量が可変するようになる。この静電容量の変化量を測定して検出質量体331の垂直(Z軸)変位及びコリオリの力を算出する。
前記におけるZ軸方向に働くコリオリの力は、駆動質量体321のY軸方向への移動速度と外力によるX軸回転角速度の外積に比例する。従って、前記両検出電極324、334で測定した静電容量からコリオリの力及び質量体の移動速度の算出が可能であるため、外部入力回転角速度が分かる。
MEMS構造物は、超小型であることから微細な埃等による汚染または微細な周辺の電気的信号に対しても敏感に反応する。そのため、MEMS構造物が形成された基板300の上面にガラスのような物質で形成されたキャップウェハ350を接合する。また、本発明では、微細素子を数kHzに振動させる必要があるため、素子の安定的作動のために内部空間360の真空状態化が求められる。従って、垂直変位固定検出電極334aの部分を除くキャップウェハ350の領域を深く形成することで一定の真空度が保持できるようにする。また、キャップウェハ350の下面355にチタン等のようなゲッター物質を成膜して空気及び埃等が吸着できるようにする。
駆動質量体321及び検出質量体331のY軸方向への振動中にX軸に回転する角速度Ωの回転力が入力されると、検出質量体331は、Z軸方向にコリオリの力を受け、Z軸方向に振動するようになる。検出質量体331のZ軸方向への変位を測定するために検出質量体331の内側面にくし状構造の垂直変位可動検出電極334bが形成され、検出構造物330の上部に対応するキャップウェハ350の下端面に垂直変位固定検出電極334aが形成される。支持台310の上面に配される検出電極アンカー340は、導電物質(Si)で形成され、垂直変位可動検出電極334bに電気的に接続され、キャップウェハ350のビアホール370から外部電極380に電気信号を出力する。
図5(a)乃至図5(h)は、本発明に係る水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープの作製工程を示す図である。同図に示すように、水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープの作製工程は、構造物ウェハの形成ステップ(図5(a)、図5(b))、キャップウェハの形成ステップ(図5(c)乃至図5(e))、垂直変位固定検出電極を形成するステップ(図5(f))、構造物ウェハ及びキャップウェハをアノード接合するステップ(図5(g))、及び外部電極を形成するステップ(図5(h))と、からなる。
基板と、支持台と、MEMS構造物を形成するための構造物ウェハの形成ステップは、基板400、絶縁膜410、及び導電膜415がラミネートされた多層膜を形成するステップ(図5a)と、導電膜415に構造物マスクによってエッチングホールを形成するステップ、及び支持台の領域を除く前記絶縁膜410をエッチングして取り除くステップ(図5b)と、を含む。
図5(a)に示す多層膜を形成するステップは、約525μm厚さのシリコン基板400上に絶縁膜410を形成するために、高温(800〜1200)で酸素及び水蒸気をシリコン基板400の表面と化学反応させ、約3μm厚さのシリコン酸化膜(SiO2)を成膜した後、その上部に約40μm厚さのMEMS構造物を形成するシリコン導電膜415を成膜するステップからなる。
次いで、MEMS構造物のパターンを画いたマスクを作製し、マスクの形状通りに導電膜にエッチングホールを形成する。駆動構造物420と、検出構造物430、及び検出電極アンカー440とから構成されるMEMS構造物を形成するために、化学物質或いは反応性ガスを使用して支持台を除く他の部分を選択的にエッチングして取り除く。
キャップウェハを形成するステップは、電極キャップパターンを形成するステップ(図5(c))、真空空間を形成するパターンを形成するステップ(図5(d))、及びビアホールを形成するステップ(図5(e))を含む。
ガラス基板450をエッチングしてMEMS構造物の垂直変位固定検出電極434aが形成されるパターンを形成(図5(c))した後、内部の真空度を保持するに足りる空間の確保のためにこれに対応するパターン455を形成(図5(e))する。MEMS構造物の検出電極アンカーに対応する位置にビアホール470を形成(図5(f))し、検出電極アンカーと外部電極480とを接続する。
キャップウェハの下部に電極を形成するために、キャップウェハの下部の垂直変位固定検出電極434aの領域とその他の所定の領域455にチタン層を形成する。このチタン層は、本装置の内部空間の真空度の保持と埃等を吸着する役割を果たす。
MEMS構造物の安定的作動のために、両ウェハの内部空間460を所定の真空度に保持する必要がある。従って、構造物ウェハとキャップウェハとをアノード接合する際には、真空チャンバ内で行う。
以上では、本発明の好適な実施例について図示し説明したが、本発明は、上述した特定の実施例に限定されるものではなく、請求の範囲で請求する本発明の要旨を逸脱することなく当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば誰でも各種の変形実施が可能であることはもとより、そのような変更は請求の範囲の記載内にある。
信頼性が向上し且つ性能に優れている垂直型MEMSジャイロスコープを簡単な作製工程で作製することにより、船舶、航空機、自動車等の航法装置や高倍率のビデオカメラの手ぶれを検出しこれを補償する装置等に使用することができる。
(a)水平型MEMSジャイロスコープの断面図である。(b)垂直振動の垂直型MEMSジャイロスコープの断面図である。 本発明に係る水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープの断面図である。 水平振動のX軸MEMSジャイロスコープにおけるMEMS構造物の構成をより詳しく示す平面図である。 本発明に係る水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープにおける垂直変位固定検出電極の構成を示す断面図である。 (a)〜(h)本発明の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープの作製工程を示す図である。
符号の説明
100、200、300 基板
110、210、310 支持台
120、220、320 駆動構造物
321 駆動質量体
322、332 支持ビーム
323 駆動電極
324 水平変位検出電極
130、230、330 検出構造物
331 検出質量体
334 垂直変位検出電極
140、240、340 検出電極アンカー
150、250、350 キャップウェハ

Claims (13)

  1. 基板と、
    前記基板の一方の面に固定されている支持台と、
    前記支持台に固定され前記基板に平行して浮いており、前記基板に平行する所定の方向に振動可能な駆動構造物と、
    前記駆動構造物に固定され前記駆動構造物と同一の平面上に配され、前記基板に対し垂直方向に振動可能な検出構造物と、
    前記駆動構造物及び前記検出構造物の上部に配され前記基板に接合されているキャップウェハ、及び
    前記キャップウェハの所定の領域に形成され、前記検出構造物の垂直方向への変位を測定する垂直変位検出固定電極と、
    を含むことを特徴とする水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープ。
  2. 前記駆動構造物は、
    前記基板に平行する所定の方向に振動可能な駆動質量体と、
    一方の面は前記支持台の上面に固定され、他方の面は前記駆動質量体の一方の面に固定され、前記駆動質量体を前記所定の水平方向に移動可能にする複数の支持ビームと、
    前記駆動質量体を前記所定の水平方向に振動させる駆動電極、及び
    前記駆動質量体の水平方向への変位を測定する水平変位検出電極と、
    を含むことを特徴とする請求項1に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープ。
  3. 前記駆動電極は、くし状構造を有し、前記支持台の上面に固定されている固定駆動電極と駆動質量体の側面に形成された可動駆動電極とから構成されることを特徴とする請求項2に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープ。
  4. 前記水平変位検出電極は、くし状構造を有し、前記支持台の上面に固定されている水平変位固定検出電極と駆動質量体の側面に形成された水平変位可動検出電極とから構成されることを特徴とする請求項2に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープ。
  5. 前記検出構造物は、
    前記基板に対し垂直方向に振動可能な検出質量体と、
    一方の面は前記検出質量体の一方の面に固定され、他方の面は前記駆動質量体の一方の面に固定され、前記検出質量体が前記基板に対し垂直方向に移動可能にする複数の支持ビーム、及び
    前記検出質量体の垂直方向への変位を測定する垂直変位可動検出電極と、
    を含むことを特徴とする請求項1に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープ。
  6. 前記垂直変位可動検出電極は、前記検出質量体の側面に形成されたくし状構造の電極から構成されることを特徴とする請求項5に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープ。
  7. 前記キャップウェハは、前記基板と前記ウェハ内部の真空度の保持のために、前記垂直変位固定検出電極が形成されている領域を除く他の領域が、垂直変位固定検出電極領域より広い真空空間を形成することを特徴とする請求項1に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープ。
  8. 前記支持台の上面に配され、前記垂直変位固定検出電極に電気的に接続される検出電極アンカーを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープ。
  9. 前記キャップウェハは、ビアホールを有し、前記検出電極アンカーは、前記ビアホールから外部電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープ。
  10. 基板と、支持台と、検出電極アンカーと、一方の領域が前記基板に対し平行方向に振動可能な駆動構造物、及び一方の領域が前記基板に対し垂直方向に振動可能な検出構造物と、を含む構造物ウェハの形成ステップと、
    キャップウェハの形成ステップと、
    前記キャップウェハの一部の領域に前記検出構造物の垂直方向への変位を測定するための垂直変位固定検出電極を形成するステップと、
    前記構造物ウェハ及び前記キャップウェハをアノード接合するステップ、及び
    前記垂直変位固定検出電極に電気的に接続される外部電極を形成するステップと、
    を含むことを特徴とする水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープの作製方法。
  11. 前記構造物ウェハの形成ステップは、
    基板、絶縁膜、及び導電膜がラミネートされた多層膜を形成するステップと、
    前記導電膜に構造物マスクによってエッチングホールを形成するステップ、及び
    前記支持台の領域を除く前記絶縁膜をエッチングして取り除くステップと、
    を含むことを特徴とする請求項10に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープの作製方法。
  12. 前記キャップウェハの形成ステップは、
    前記検出構造物の垂直変位を測定する電極に対応する電極キャップパターンを形成するステップと、
    前記基板及び前記キャップウェハの内部の真空空間に対応するパターンを形成するステップ、及び
    前記キャップ検出電極アンカーと外部電極とを接続するためのビアホールを形成するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項10に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープの作製方法。
  13. 前記アノード接合するステップは、
    前記基板と前記ウェハ内部を真空化するために真空チャンバで行うことを特徴とする請求項10に記載の水平振動の垂直型MEMSジャイロスコープの作製方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101371149B1 (ko) 2012-01-18 2014-03-06 주식회사 에스알파워 멤즈 기반의 자이로스코프

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100501723B1 (ko) * 2003-12-17 2005-07-18 삼성전자주식회사 Sms 웨이퍼를 이용한 자이로스코프 제조방법 및 이방법에 의해 제조된 자이로스코프
DE102005015584B4 (de) * 2005-04-05 2010-09-02 Litef Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauteils
US7567752B2 (en) 2006-11-24 2009-07-28 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Image alignment system with overlying frame in display
US8508039B1 (en) 2008-05-08 2013-08-13 Invensense, Inc. Wafer scale chip scale packaging of vertically integrated MEMS sensors with electronics
US7934423B2 (en) 2007-12-10 2011-05-03 Invensense, Inc. Vertically integrated 3-axis MEMS angular accelerometer with integrated electronics
US8250921B2 (en) 2007-07-06 2012-08-28 Invensense, Inc. Integrated motion processing unit (MPU) with MEMS inertial sensing and embedded digital electronics
US8952832B2 (en) 2008-01-18 2015-02-10 Invensense, Inc. Interfacing application programs and motion sensors of a device
US8462109B2 (en) 2007-01-05 2013-06-11 Invensense, Inc. Controlling and accessing content using motion processing on mobile devices
US8141424B2 (en) 2008-09-12 2012-03-27 Invensense, Inc. Low inertia frame for detecting coriolis acceleration
US8020441B2 (en) * 2008-02-05 2011-09-20 Invensense, Inc. Dual mode sensing for vibratory gyroscope
US20080166114A1 (en) * 2007-01-09 2008-07-10 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Image deblurring system
US20080182344A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Steffen Mueller Method and system for determining deformations on a substrate
US8042396B2 (en) * 2007-09-11 2011-10-25 Stmicroelectronics S.R.L. Microelectromechanical sensor with improved mechanical decoupling of sensing and driving modes
US8640541B2 (en) * 2009-05-27 2014-02-04 King Abdullah University Of Science And Technology MEMS mass-spring-damper systems using an out-of-plane suspension scheme
TWI384198B (zh) * 2009-07-09 2013-02-01 Univ Nat Chiao Tung Angle measurement gyroscope system and angle estimation method
US8375791B2 (en) * 2009-07-13 2013-02-19 Shanghai Lexvu Opto Microelectronics Technology Co., Ltd. Capacitive MEMS gyroscope and method of making the same
US8483806B2 (en) 2010-02-04 2013-07-09 The Boeing Company Systems and methods for non-contact biometric sensing
US8689631B1 (en) * 2011-06-23 2014-04-08 The United States Of America As Represented By Secretary Of The Navy High sensitivity mechanical gyro with reduced quadrature error
EP2544370B1 (en) * 2011-07-06 2020-01-01 Nxp B.V. MEMS resonator
US9212051B1 (en) 2011-08-04 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for forming MEMS assemblies incorporating getters
CN102520376B (zh) * 2011-12-22 2014-01-15 中北大学 十字电流型三轴矢量磁传感器
TWI453371B (zh) 2011-12-30 2014-09-21 Ind Tech Res Inst 一種具振盪模組的微機電系統裝置
JP6398348B2 (ja) * 2014-06-12 2018-10-03 セイコーエプソン株式会社 機能素子、機能素子の製造方法、電子機器、および移動体
JP6485260B2 (ja) * 2015-07-10 2019-03-20 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体
DE102015213450A1 (de) * 2015-07-17 2017-01-19 Robert Bosch Gmbh MEMS Drehratensensor mit kombiniertem Antrieb und Detektion
US10948294B2 (en) * 2018-04-05 2021-03-16 Analog Devices, Inc. MEMS gyroscopes with in-line springs and related systems and methods
CN113676620B (zh) * 2020-05-14 2022-12-23 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 移动机构及其形成方法、驱动方法、电子设备和成像装置
CN113965691B (zh) * 2020-07-21 2022-12-02 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 移动机构及其形成方法、驱动方法、电子设备和成像装置
CN114264293B (zh) * 2021-11-22 2023-04-11 陕西华燕航空仪表有限公司 一种高抗振动型全对称mems陀螺仪传感器结构

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6044707A (en) * 1997-06-20 2000-04-04 Aisin Seiki Kabushiki Kaisha Angular rate sensor
DE19844686A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-06 Fraunhofer Ges Forschung Mikromechanischer Drehratensensor und Verfahren zur Herstellung
KR100314622B1 (ko) * 1999-06-15 2001-11-17 이형도 마이크로 센서 및 그 패키지방법
US6430998B2 (en) * 1999-12-03 2002-08-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonant element
JP2001174264A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Murata Mfg Co Ltd 共振素子およびその振動調整方法
KR100436367B1 (ko) * 2001-12-14 2004-06-19 삼성전자주식회사 수직 진동 질량체를 갖는 멤스 자이로스코프
KR20030077754A (ko) * 2002-03-27 2003-10-04 삼성전기주식회사 마이크로 관성센서 및 그 제조 방법
JP2003344445A (ja) * 2002-05-24 2003-12-03 Mitsubishi Electric Corp 慣性力センサ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101371149B1 (ko) 2012-01-18 2014-03-06 주식회사 에스알파워 멤즈 기반의 자이로스코프

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