JP4569167B2 - 外力検知センサの製造方法 - Google Patents
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Description
2 支持基板
3 素子基板
5 振動体
16 凹部
16a 凹部の天面
17 メンブレン
20 貫通部
Claims (5)
- シリコンにより形成された素子基板の裏面側に凹部を形成すると共にこの裏面側の凹部に対応した表面側にメンブレンを形成する工程と、前記素子基板の凹部の天面に導電性材料から成るエッチングストップ層を設ける工程と、前記素子基板の裏面側をガラス材料の支持基板に陽極接合する工程と、前記素子基板のメンブレンを表面側から前記エッチングストップ層に達するまで貫通ドライエッチングして、センサ素子を形成する工程と、を含む外力検知センサの製造方法。
- 凹部は素子基板の裏面中央部に形成することを特徴とした請求項1記載の外力検知センサの製造方法。
- シリコンにより形成された素子基板のセンサ素子形成領域に表裏両面側から凹部を形成加工してメンブレンを形成し、メンブレンの裏面側の凹部の天面に導電性材料から成るエッチングストップ層を形成し、その後に、素子基板の裏面側にガラス材料の支持基板を陽極接合し、メンブレンを表面側から前記エッチングストップ層に達するまで貫通ドライエッチングにより加工してセンサ素子を形成することを特徴とする外力検知センサの製造方法。
- エッチングストップ層のドライエッチング速度に対する素子基板のドライエッチング速度の比である選択比が1以上となる導電性材料によってエッチングストップ層が形成されていることを特徴とした請求項1乃至請求項3の何れか1つに記載の外力検知センサの製造方法。
- センサ素子は可動素子であることを特徴とした請求項1乃至請求項4の何れか1つに記載の外力検知センサの製造方法。
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