JP2004333502A - 外力検知センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】素子基板3の裏面3bに凹部16を形成してメンブレン17を形成する。次に、凹部16の天面16aに導電性材料から成るエッチングストップ層18を形成する。そして、シリコンの素子基板3とガラスの支持基板2を陽極接合した後に、素子基板3の表面3a側からエッチングストップ層18に至る貫通部20をドライエッチングによって複数個形成してセンサ素子1を形作る。然る後に、エッチングストップ層18をフッ化水素酸水溶液によってウエットエッチング除去する。導電性材料のエッチングストップ層18は、貫通部20の側壁面にノッチが形成されるのを防止すると共に、過剰エッチングを防止する。これにより、設計通りに寸法精度良くセンサ素子1を製造することができ、出力感度の安定性に優れた外力検知センサを提供できる。
【選択図】図1
Description
2 支持基板
3 素子基板
5 振動体
16 凹部
16a 凹部の天面
17 メンブレン
20 貫通部
Claims (5)
- シリコンにより形成された素子基板の裏面側に凹部を形成すると共にこの裏面側の凹部に対応した表面側にメンブレンを形成する工程と、前記素子基板の凹部の天面に導電性材料から成るエッチングストップ層を設ける工程と、前記素子基板の裏面側をガラス材料の支持基板に陽極接合する工程と、前記素子基板のメンブレンを表面側から前記エッチングストップ層に達するまで貫通ドライエッチングして、センサ素子を形成する工程と、を含む外力検知センサの製造方法。
- 凹部は素子基板の裏面中央部に形成することを特徴とした請求項1記載の外力検知センサの製造方法。
- シリコンにより形成された素子基板のセンサ素子形成領域に表裏両面側から凹部を形成加工してメンブレンを形成し、メンブレンの裏面側の凹部の天面に導電性材料から成るエッチングストップ層を形成し、その後に、素子基板の裏面側にガラス材料の支持基板を陽極接合し、メンブレンを表面側から前記エッチングストップ層に達するまで貫通ドライエッチングにより加工してセンサ素子を形成することを特徴とする外力検知センサの製造方法。
- エッチングストップ層のドライエッチング速度に対する素子基板のドライエッチング速度の比である選択比が1以上となる導電性材料によってエッチングストップ層が形成されていることを特徴とした請求項1乃至請求項3の何れか1つに記載の外力検知センサの製造方法。
- センサ素子は可動素子であることを特徴とした請求項1乃至請求項4の何れか1つに記載の外力検知センサの製造方法。
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