CN101462691B - 刻蚀牺牲层形成间隙的方法 - Google Patents

刻蚀牺牲层形成间隙的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101462691B
CN101462691B CN200710125261.6A CN200710125261A CN101462691B CN 101462691 B CN101462691 B CN 101462691B CN 200710125261 A CN200710125261 A CN 200710125261A CN 101462691 B CN101462691 B CN 101462691B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
forms
etching
gap
material layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200710125261.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101462691A (zh
Inventor
易里成荣
李群庆
范守善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CN200710125261.6A priority Critical patent/CN101462691B/zh
Priority to US12/248,804 priority patent/US7811938B2/en
Priority to JP2008322711A priority patent/JP2009148883A/ja
Publication of CN101462691A publication Critical patent/CN101462691A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101462691B publication Critical patent/CN101462691B/zh
Priority to JP2011262334A priority patent/JP5449300B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/001—Structures having a reduced contact area, e.g. with bumps or with a textured surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0102—Surface micromachining
    • B81C2201/0105—Sacrificial layer
    • B81C2201/0107—Sacrificial metal

Abstract

本发明涉及一种刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底上沉积一第一材料层，在第一材料层上沉积一牺牲层；在牺牲层上形成图形化的第二材料层；干法刻蚀部分牺牲层；湿法刻蚀部分剩余牺牲层，在第一材料层和第二材料层之间形成间隙，使牺牲层在第二材料层上靠近第一材料层的一侧形成凸点。

Description

刻蚀牺牲层形成间隙的方法
技术领域
本发明涉及一种微电子领域形成间隙的方法，尤其涉及一种刻蚀牺牲层形成间隙的方法。
背景技术
在微电子制造工艺，特别是在MEMS制造工艺中，常常需要在两种材料层之间形成间隙，目前形成间隙的主要方法是先在两种需要形成间隙的材料之间沉积一层牺牲层，然后通过刻蚀的方法除掉部分牺牲层从而形成间隙。刻蚀的方法主要有两种，一种是湿法刻蚀，一种是干法刻蚀。
湿法刻蚀也叫做化学湿法腐蚀，即通过具有腐蚀性的液体腐蚀牺牲层的方式除去牺牲层，在两种材料之间形成间隙。湿法刻蚀的优点为成本较低且操作简单，可以选择性地刻蚀不同的材料，但是其缺点为各向同性腐蚀，即横向和纵向的腐蚀速率相同，导致腐蚀形成的图形分辨率低。
干法刻蚀技术是一个非常广泛的概念，所有不涉及化学腐蚀液体的刻蚀技术都称为干法刻蚀，其中，反应离子刻蚀是应用最广泛的干法刻蚀。干法刻蚀的优点为具有各向异性的特点，所刻蚀出的图形分辨率较高，但是其缺点为对材料的刻蚀无选择性，刻蚀过程操作复杂，无法实现量产。
随着大规模集成电路技术和微机械技术的发展，微电子器件对材料的微细结构的精度要求越来越高，所需在两种材料之间形成的间隙也越来越小，为满足设计的要求，牺牲层需尽量薄。但是，牺牲层变薄后，在对其刻蚀时产生两种负作用：如果用湿法刻蚀，无法满足微细结构对精度的要求，且由于间隙很小，牺牲层两端的材料层易形成粘附现象；如果用干法刻蚀，虽然可以很好的控制微细结构的精度，但是由于干法刻蚀的反应离子刻蚀具有较高能量，会因为轰击对牺牲层之外的材料造成损伤，影响材料的性能。
C.H.Mastrangelo提到一种刻蚀牺牲层在两层材料之间形成间隙的方法(请参见“Adhesion-related failure mechanisms in micromechanical devices”，C.H.Mastrangelo，Tribology Letters，Vol3，P223(1997))。该方法首先在一材料层上沉积一牺牲层，通过干法刻蚀在牺牲层中形成凹槽，然后在牺牲层上沉积图形化的另一材料层，使部分牺牲层暴露出，形成刻蚀牺牲层的窗口，因为牺牲层上凹槽的存在，此材料层上存在一向下的凸点。通过湿法刻蚀去掉牺牲层，在两层材料层之间形成间隙，由于凸点的存在可以防止上下两层材料粘附的现象，但是由于凸点是由材料层本身构成，并不能达到较为理想的防止粘附现象，而由于牺牲层上凹槽的存在，造成在该牺牲层上沉积图形化的另一材料层时的工艺复杂，故整个过程工艺繁琐，不适合大规模生产。
因此，确有必要提供一种刻蚀牺牲层形成间隙的方法，该方法工艺简单，适合大规模生产，且可有效避免两材料层之间形成粘附。
发明内容
本技术方案涉及一种刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底上沉积一第一材料层；在第一材料层上沉积一牺牲层；在牺牲层上形成图形化的第二材料层；干法刻蚀部分牺牲层；湿法刻蚀部分剩余牺牲层，在第一材料层和第二材料层之间形成间隙，使牺牲层在第二材料层上靠近第一材料层的一侧形成凸点。
与现有技术相比较，本技术方案所提供的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，直接利用牺牲层本身在第一材料层和第二材料层的间隙内形成凸点结构，有效避免了第一材料层与第二材料层之间因为间隙较小而造成相互粘附的现象，且该方法工艺简单，易操作，适合量产。
附图说明
图1是本技术方案实施例刻蚀牺牲层形成间隙的过程示意图。
图2是本技术方案实施例刻蚀牺牲层形成间隙的方法的流程图。
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本技术方案刻蚀牺牲层形成间隙的方法。
请参阅图1及图2，本技术方案实施例提供一种刻蚀牺牲层14形成间隙的方法，其具体包括以下步骤：
(一)提供一硅基底10，在该硅基底10上沉积一第一材料层12。
本技术方案中，沉积的方法可选择等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)或者低压化学气相沉积法(LPCVD)，本实施例优选为PECVD。
所述第一材料层12的材料包括金属、合金或复合材料，第一材料层12的厚度不限，本实施例第一材料层12的材料优选为铜，其厚度为100纳米。
(二)在第一材料层12上沉积一牺牲层14。
所述牺牲层14的材料包括二氧化硅或金属，其厚度与需要在两材料层之间形成的间隙的宽度有关，本技术方案所提供的方法可以刻蚀出的最小间隙宽度为10纳米，故牺牲层14的厚度大于等于10纳米。本实施例中，牺牲层14的厚度为4微米。
(二)在牺牲层14上形成图形化的第二材料层16。
本实施例中，采用金属剥离工艺在牺牲层14上形成一图形化的第二材料层16，其具体包括以下步骤：在牺牲层14的上表面刷一层光刻胶18后，通过光刻技术刻蚀部分光刻胶18，形成图形化的光刻胶18，暴露出部分牺牲层14；通过PECVD或者LPCVD在图形化的光刻胶18和暴露出的牺牲层14上沉积第二材料层16；将经上述步骤所得的结构浸入一有机溶液中，除去图形化的光刻胶18和沉积在其上的第二材料层16，在牺牲层14上形成一图形化的第二材料层16。
所述第二材料层16的材料为金属、合金或复合材料，第二材料层16的厚度不限，本实施例第二材料层16的材料优选为金属铜，其厚度为100纳米。
所述有机溶液为丙酮、四氯化碳或氯仿等可溶解光刻胶的有机物溶液。
所述光刻胶18的厚度大于第二材料层16的厚度，此确保沉积在光刻胶18上的第二材料层16不会与沉积在暴露出的牺牲层14上的第二材料层16连接。当光刻胶18溶于丙酮中后，沉积在光刻胶18上的部分第二材料层16脱落，从而在牺牲层14上形成图形化的第二材料层16。
可以理解，在牺牲层14上形成一图形化的第二材料层16的方法不限于金属剥离工艺。
(三)干法刻蚀部分牺牲层14。
在上述步骤二中，在牺牲层14上形成图形化的第二材料层16的同时，由于牺牲层14上光刻胶和部分第二材料层16的去除，使该部分的牺牲层14暴露出来，形成刻蚀窗口，采用干法刻蚀中的反应离子刻蚀技术从该刻蚀窗口对牺牲层14进行刻蚀，直至牺牲层14的厚度减少
Figure GSB00000396125000041
刻蚀之后，在牺牲层14上形成多个凹槽20。
本实施例中，首先通过一定时间的干法刻蚀一定厚度的牺牲层14，通过上述时间和厚度计算出此干法刻蚀的速度。然后，根据此速度，通过控制刻蚀时间，刻蚀牺牲层14，使牺牲层14的厚度减少即干法刻蚀后牺牲层的厚度为2微米。
在此干法刻蚀过程中，由于离子对牺牲层14的高能量轰击，牺牲层14的材料形成副产物，粘附到凹槽20两侧的内壁上，在凹槽20两侧的内壁形成一层保护膜。
可以理解，上述干法刻蚀的方法还包括化学辅助离子束刻蚀或磁控增强离子束刻蚀等。
(四)湿法刻蚀剩余牺牲层14，同时在第一材料层12和第二材料层16之间形成间隙，使牺牲层14在第二材料层16上靠近第一材料层12的一侧形成凸点22。
将步骤(三)中所得到的结构置于腐蚀溶液中，浸泡3分钟-1小时后，取出上述结构，采用去离子水对其进行清洗，然后使用氮气吹干上述结构。
在上述浸泡过程中，牺牲层14在上述腐蚀溶液中逐渐被腐蚀，溶解到该腐蚀溶液中，因此在第一材料层12和第二材料层16之间形成间隙。
所述腐蚀溶液为一缓冲溶液，包括HF和NH4OH的混合溶液或HF的水溶液等。该缓冲溶液的PH值为3-4.5。本实施例中，缓冲溶液优选为HF和NH4OH的混合溶液，其PH值为4。
在上述牺牲层14的腐蚀过程中，由于凹槽20侧壁处的牺牲层14外包覆了一层由副产物构成的保护膜，该保护膜可降低凹槽20两侧的内壁的牺牲层14被刻蚀的速度。故凹槽20侧壁的牺牲层14的腐蚀速度相对于凹槽20底部的牺牲层14的腐蚀速度较小，因此在上述缓冲溶液中浸泡之后，牺牲层14的靠近第一材料层12的部分首先被腐蚀完，在第一材料层12和第二材料层16之间形成间隙，同时，靠近第二材料层16的牺牲层材料部分剩余，形成凸点22，与第二材料层16相连接。
可以理解，在一定湿法刻蚀速度下，所述凸点22的大小与湿法刻蚀的时间有关，当刻蚀时间较短时，形成的凸点22较大，但是如果刻蚀时间太短，便无法在第一材料层12和第二材料层16之间形成间隙；当刻蚀时间较长时，所形成的凸点22较小，但是如果时间太长，则无法在间隙内形成凸点22。
本技术方案所提供的刻蚀牺牲层14在两种材料层之间形成间隙的方法，在形成间隙的同时，直接利用牺牲层14本身在第一材料层12和第二材料层16的间隙内形成凸点22，该凸点22可有效避免第一材料层12与第二材料层16之间因为间隙较小而造成相互粘附的现象，且操作简单，适合量产。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (18)

1.一种刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其包括以下步骤：
提供一硅基底，在该基底上沉积一第一材料层；
在第一材料层上沉积一牺牲层；
在牺牲层上形成图形化的第二材料层；
干法刻蚀部分牺牲层，使得该部分牺牲层被减薄，在该干法刻蚀部分牺牲层中，由于离子对牺牲层的高能量轰击，牺牲层形成副产物粘附到该被减薄的牺牲层的内侧壁上形成保护膜；以及湿法刻蚀剩余牺牲层，在第一材料层和第二材料层之间形成间隙，使牺牲层在第二材料层上靠近第一材料层的一侧形成凸点。
2.如权利要求1所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的第一材料层的材料为金属或复合材料。
3.如权利要求1所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的第二材料层的材料为金属或复合材料。
4.如权利要求1所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的牺牲层材料为二氧化硅或金属。
5.如权利要求1所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的牺牲层的厚度大于等于20纳米。
6.如权利要求1所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积或低压化学气相沉积。
7.如权利要求1所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的在牺牲层上形成图形化的第二材料层的方法为金属剥离工艺。
8.如权利要求7所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的在牺牲层上形成图形化的第二材料层的方法具体包括以下步骤：
在牺牲层的表面刷一层光刻胶；
光刻该光刻胶，形成图形化的光刻胶，使部分牺牲层暴露出来；
在图形化的光刻胶和暴露出的牺牲层上沉积第二材料层；
将上述步骤形成的结构浸入一有机溶液中浸泡一段时间，除去图形化的光刻胶和沉积在图形化的光刻胶上的第二材料层，在牺牲层上形成图形化的第二材料层。
9.如权利要求8所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述有机溶液为丙酮、四氯化碳或氯仿。
10.如权利要求8所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的光刻胶的厚度大于第二材料层的厚度。
11.如权利要求8所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的沉积第二材料层的方法为等离子体增强化学气相沉积或低压化学气相沉积。
12.如权利要求1所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的干法刻蚀部分牺牲层步骤中，使牺牲层的厚度减少至，在牺牲层上刻蚀多个凹槽，并在凹槽的侧壁上形成保护膜。
13.如权利要求1所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的干法刻蚀工艺包括反应离子刻蚀、化学辅助离子束刻蚀或磁控增强离子束刻蚀。
14.如权利要求1所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的湿法刻蚀剩余牺牲层的过程包括以下步骤：将干法刻蚀后的结构置于腐蚀液中浸泡一段时间；取出该结构，采用去离子水对其进行清洗；用氯气吹干上述清洗后的结构。
15.如权利要求14所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的湿法刻蚀的腐蚀液为PH值3-4.5的缓冲溶液。
16.如权利要求15所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述缓冲溶液包括HF和NH4OH的混合溶液或HF的水溶液。
17.如权利要求2所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所述的第一材料层的材料为合金。
18.如权利要求3所述的刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其特征在于，所送的第二材料层的材料为合金。
CN200710125261.6A 2007-12-19 2007-12-19 刻蚀牺牲层形成间隙的方法 Active CN101462691B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200710125261.6A CN101462691B (zh) 2007-12-19 2007-12-19 刻蚀牺牲层形成间隙的方法
US12/248,804 US7811938B2 (en) 2007-12-19 2008-10-09 Method for forming gaps in micromechanical device and micromechanical device
JP2008322711A JP2009148883A (ja) 2007-12-19 2008-12-18 微小機械デバイス及びその製造方法
JP2011262334A JP5449300B2 (ja) 2007-12-19 2011-11-30 微小機械デバイス及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200710125261.6A CN101462691B (zh) 2007-12-19 2007-12-19 刻蚀牺牲层形成间隙的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101462691A CN101462691A (zh) 2009-06-24
CN101462691B true CN101462691B (zh) 2011-08-24

Family

ID=40787613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200710125261.6A Active CN101462691B (zh) 2007-12-19 2007-12-19 刻蚀牺牲层形成间隙的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7811938B2 (zh)
JP (2) JP2009148883A (zh)
CN (1) CN101462691B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006002753B4 (de) * 2006-01-20 2010-09-30 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Verfahren und Anordnung zur Bewertung der Unterätzung von tiefen Grabenstrukturen in SOI-Scheiben
CN102234098B (zh) * 2010-04-21 2014-02-26 汉积科技股份有限公司 微机电结构的制造方法
CN102153046A (zh) * 2010-12-22 2011-08-17 中国科学院光电技术研究所 一种利用两次膜层沉积和干湿法相结合制备半圆柱形微细沟槽的方法
CN102259828B (zh) * 2011-07-04 2014-01-01 上海先进半导体制造股份有限公司 与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体
DE102012206531B4 (de) * 2012-04-17 2015-09-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats
CN104576323B (zh) * 2013-10-15 2017-12-01 中航（重庆）微电子有限公司 一种金属图形化结构及方法
CN104576322B (zh) * 2013-10-23 2017-07-18 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种金属同心圆环的制备方法
US9517927B2 (en) * 2015-04-29 2016-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. MEMS structure having rounded edge stopper and method of fabricating the same
CN109095435A (zh) * 2018-08-02 2018-12-28 北京大学 一种三维全金属微腔结构表面等离激元阵列加工方法
CN114273320B (zh) * 2021-12-23 2022-11-08 江阴江化微电子材料股份有限公司 一种半导体晶圆干刻后清洗工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5258097A (en) * 1992-11-12 1993-11-02 Ford Motor Company Dry-release method for sacrificial layer microstructure fabrication
CN1522223A (zh) * 2001-06-27 2004-08-18 英特尔公司 在微机电结构应用中形成间隙的牺牲层技术
CN1558437A (zh) * 2004-01-16 2004-12-29 清华大学 一种用牺牲层材料做支撑梁的微机械开关

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2154357C (en) * 1993-02-04 2004-03-02 Kevin A. Shaw Microstructures and single-mask, single-crystal process for fabrication thereof
JP3500780B2 (ja) * 1995-06-29 2004-02-23 株式会社デンソー 半導体力学量センサの製造方法
JPH10135488A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体加工部品の製造方法
JPH10284771A (ja) * 1997-04-07 1998-10-23 Nissan Motor Co Ltd 微小装置の製造方法および微小装置
JP2001091262A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Toyota Motor Corp 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ
JP2001102597A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Fuji Electric Co Ltd 半導体構造およびその製造方法
US6538798B2 (en) * 2000-12-11 2003-03-25 Axsun Technologies, Inc. Process for fabricating stiction control bumps on optical membrane via conformal coating of etch holes
JP2002209298A (ja) * 2001-01-11 2002-07-26 Seiko Epson Corp コンデンサマイクロホンの製造方法、コンデンサマイクロホンおよび電子機器
US20070045121A1 (en) * 2002-05-07 2007-03-01 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures and methods of and apparatus for producing such structures
JP2003340796A (ja) * 2002-05-29 2003-12-02 Ricoh Co Ltd 静電型アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置
DE102006001493B4 (de) * 2006-01-11 2007-10-18 Austriamicrosystems Ag MEMS-Sensor und Verfahren zur Herstellung
WO2008001252A2 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Nxp B.V. Method for manufacturing mems devices with moveable structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5258097A (en) * 1992-11-12 1993-11-02 Ford Motor Company Dry-release method for sacrificial layer microstructure fabrication
CN1522223A (zh) * 2001-06-27 2004-08-18 英特尔公司 在微机电结构应用中形成间隙的牺牲层技术
CN1558437A (zh) * 2004-01-16 2004-12-29 清华大学 一种用牺牲层材料做支撑梁的微机械开关

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
C.H.Mastrangelo.Adhesion-related failuremechanisms inmicromechanical devices.《Tribology Letters》.1997,第3卷(第3期),第223-238页. *
胡耀志等.反应离子刻蚀的机理及其实验研究方法.《真空科学与技术》.1988,第8卷(第3期),第183-190页. *

Also Published As

Publication number Publication date
US20090160028A1 (en) 2009-06-25
US7811938B2 (en) 2010-10-12
JP2012040684A (ja) 2012-03-01
JP5449300B2 (ja) 2014-03-19
JP2009148883A (ja) 2009-07-09
CN101462691A (zh) 2009-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101462691B (zh) 刻蚀牺牲层形成间隙的方法
JP3859637B2 (ja) ガラス基板のビアホールの形成方法
US7459399B2 (en) Method for manufacturing probe structure of probe card
CN106115602B (zh) Mems器件及其制造方法
JP6235023B2 (ja) シリコンエッチング法
CN103738914B (zh) Mems器件的制造方法
JP5353101B2 (ja) 微細構造体形成方法
CN102079503B (zh) 构成mems器件的硅衬底的刻蚀方法
EP1383707B1 (en) Fabrication of silicon micro mechanical structures
US8071460B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
CN111099555B (zh) 一种适用于圆片级真空封装的玻璃腔体制造方法
JP2007035679A (ja) エッチングマスクおよびドライエッチング方法
JP5608462B2 (ja) インプリントモールドの製造方法
JP4865686B2 (ja) 加速度センサの製造方法および加速度センサ
JP2008016553A (ja) 半導体装置の製造方法
US11427731B2 (en) Adhesive silicon oxynitride film
CN108751123B (zh) 一种接触窗的形成方法
TWI364074B (en) Method of forming spaces by etching sacrificial layer
CN117105166A (zh) 微细加工方法
CN102030303B (zh) 微结构制造方法
JP2006210485A (ja) ドライエッチング方法
CN114988348A (zh) Mems中磁性材料的刻蚀方法
CN103066094B (zh) 一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法
CN117383508A (zh) 双层金属引线的制造方法及mems器件
CN116675179A (zh) Mems器件的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant