TW201304015A - 薄膜電晶體陣列基板、包含該薄膜電晶體陣列基板之有機發光顯示裝置、以及製造該有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

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Abstract

薄膜電晶體陣列基板包含位於基板上的一薄膜電晶體，此薄膜電晶體包含主動層、閘極電極、源極電極、汲極電極、設置於主動層與閘極電極之間之第一絕緣層、以及設置於閘極電極以及源極電極與汲極電極之間之第二絕緣層；一像素電極，其係位於第一絕緣層及第二絕緣層之上，此像素電極連接於源極電極與汲極電極之其中之一；一電容，其包含與閘極電極設置於同一層之下電極、以及與像素電極包含相同之材料之上電極；一第三絕緣層，其係直接位於第二絕緣層與像素電極之間、及位於下電極與上電極之間；以及一第四絕緣層，其係覆蓋源極電極、汲極電極、以及上電極，並暴露像素電極。

Description

薄膜電晶體陣列基板、包含該薄膜電晶體陣列基板之有機發光顯示裝置、以及製造該有機發光顯示裝置之方法
在此揭露的實施例係關於一種薄膜電晶體(TFT)陣列基板、包含該薄膜電晶體陣列基板之有機發光顯示裝置、以及製造該有機發光顯示裝置之方法。
平板顯示裝置，如有機發光顯示裝置及液晶顯示(LCD)裝置，包含薄膜電晶體(TFT)、電容及連接薄膜電晶體與電容之接線。
根據一實施例，提供一種薄膜電晶體(TFT)陣列基板，其包含薄膜電晶體，其係設置於基板上，薄膜電晶體包含主動層、閘極電極、源極電極、汲極電極、設置於主動層與閘極電極之間之第一絕緣層、以及設置於閘極電極及源極電極與汲極電極之間之第二絕緣層；像素電極，其係設置於第一絕緣層及第二絕緣層之上，像素電極係連接於源極電極及汲極電極之其中之一；電容，其包含與閘極電極設置於同一層之下電極，並包含含有與像素電極相同之材料之上電極；第三絕緣層，其係直接設置於第二絕緣層與像素電極之間、及下電極與上電極之間；以及第四絕緣層，其係覆蓋源極電極、汲極電極、以及上電極，並暴露出像素電極。
第一絕緣層可共同地設置於主動層之上，並位於下電極之下。
第二絕緣層可不設置於上電極與下電極之間。
第三絕緣層的厚度可小於第二絕緣層的厚度。
第三絕緣層的厚度可等於或大於約500埃(A)，及等於或小於約2000A。
第三絕緣層之介電常數可大於第一絕緣層之介電常數。
第三絕緣層可包含矽氮化物(SiNx)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、以及三氧化二鋁(Al2O3)中之至少一種。
第一絕緣層、第二絕緣層、以及第三絕緣層可依序地設置於像素電極與基板之間，且第一絕緣層至第三絕緣層中之相鄰的絕緣層之折射率可彼此不相同。
像素電極可包含透明導電氧化物(TCO)。
透明導電氧化物可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)中之至少一種。
像素電極可更包含半透射金屬層。
半透射金屬層可設置於包含透明導電氧化物的層上。
半透射金屬層可包含銀(Ag)、銀合金、鋁(Al)、以及鋁合金中之至少一種。
薄膜電晶體陣列基板更可包含設置於半透射金屬層之上的保護層。
保護層可包含透明導電氧化物。
像素電極之側表面可對齊第三絕緣層之側表面。
上電極之側表面可對齊第三絕緣層之側表面。
連接於像素電極之源極電極及汲極電極之其中之一之一部份可覆蓋於像素電極。
源極電極及汲極電極可包含具有蝕刻率不同於像素電極及上電極之蝕刻率的材料。
薄膜電晶體陣列基板更可包含由與源極電極及汲極電極相同之材料所形成墊片電極。
墊片電極可與源極電極及汲極電極設置於同一層上。
根據一實施例，提供一種有機發光顯示裝置，其包含薄膜電晶體，其係設置於基板上，薄膜電晶體包含主動層、閘極電極、源極電極、汲極電極、設置於主動層與閘極電極之間之第一絕緣層、以及設置於閘極電極及源極電極與汲極電極之間之第二絕緣層；像素電極，其係設置於第一絕緣層及第二絕緣層之上，像素電極連接於源極電極及汲極電極之其中之一；電容，其包含與閘極電極設置於同一層之下電極，並包含含有與像素電極相同之材料之上電極；第三絕緣層，其係直接設置於第二絕緣層與像素電極之間、及下電極與上電極之間；第四絕緣層，其係覆蓋源極電極、汲極電極、以及電容，並暴露出像素電極；有機發光層，其係設置於像素電極之上；以及反電極，其係設置於有機發光層之上。
反電極可為反射有機發光層所發射之光線之反射電極。
根據一實施例，提供一種製造薄膜電晶體陣列基板之方法，此方法包含形成半導體層於基板上，並使用第一遮罩製程圖樣化半導體層以形成薄膜電晶體之主動層；形成第一絕緣層，堆疊第一導電層於第一絕緣層之上，並使用第二遮罩製程圖樣化第一導電層以形成薄膜電晶體之閘極電極及電容之下電極；形成第二絕緣層，並以第三遮罩製程於第二絕緣層中形成開口以暴露出主動層之源極區與汲極區及電容之上電極；依序形成第三絕緣層及第二導電層於第三遮罩製程所產生之結構上，並以第四遮罩製程同時地或依序地圖樣化第三絕緣層及第二導電層以形成像素電極、上電極、以及直接設置於下電極上的介電膜；形成第三導電層於第四遮罩製程所產生之結構上，並以第五遮罩製程圖樣化第三導電層以形成源極電極及汲極電極；以及形成第四絕緣層並以第六遮罩製程移除第四絕緣層之一部份以暴露出像素電極。
此方法更可包含在以第二遮罩製程形成閘極電極後，以離子雜質摻雜源極區及汲極區。
第四遮罩製程可包含第一蝕刻製程以蝕刻第三絕緣層，及第二蝕刻製程以蝕刻第二導電層。
第三導電層可包含具有蝕刻率不同於第二導電層之材料之蝕刻率的材料。
此方法更可包含以第五遮罩製程形成含有與源極電極及汲極電極相同材料的墊片電極。
第二導電層可由依序堆疊透明導電層及半透射導電層所形成。
此方法更可包含形成保護層於半透射導電層之上。
第三絕緣層可被形成使其厚度小於第二絕緣層之厚度。
第三絕緣層可由介電常數高於第一絕緣層之介電常數之材料所形成。
本申請案主張於2011年7月14日向韓國智慧財產局提出申請，申請號為10-2011-0070027，發明名稱為“薄膜電晶體陣列基板、包含該薄膜電晶體陣列基板之有機發光顯示裝置、以及製造該有機發光顯示裝置之方法(THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE)”之申請案的優先權效益，其揭露的全部內容整合於此以供參照。
例示性實施例將在下文中參照附圖進行更完整的描述。然而，其可以用不同的形式實施，並不應理解為受限於這裡所提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使此處揭露的內容徹底且完全，並將完全地傳達其範疇給本領域之通常知識者。
圖式中，層及區域的尺寸可被誇大以詳細說明。也將被了解到的是當一層或元件被稱為位於另一層或基板之“上”時，其可直接位於其它層或基板之上，而一個或多個中間層也可能存在。此外，也將被了解到的是當一層被稱為位於另一層之“下”時，其可直接在下方，而也可能會存在一個或多個中間層。另外，也將被了解到的是當一層被稱為位於二層之間時，其可為此二層之間的唯一層，或也可能會存在一個或多個中間層。整份說明書中，相似的參考標號代表相似的元件。
第1圖係為根據一實施例描繪有機發光顯示裝置1之截面圖。
參閱第1圖，有機發光顯示裝置1之基板10可包含至少可設置一有機發光層120的像素區PXL1、至少可設置一薄膜電晶體的薄膜電晶體(TFT)區TFT1、至少可設置一電容的電容區CAP1、以及至少可設置一墊片電極418的墊片區PAD1。
薄膜電晶體之主動層212可設置於基板10之上，且緩衝層11可設置於電晶體區TFT1之中。
基板10可為透明基板，如玻璃基板或包含聚對苯二甲酸乙酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚對萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate, PEN)、或其類似物的塑膠基板。
為了平坦化基板10並防止雜質元素滲入基板10，緩衝層11可設置於基板10之上。緩衝層11可具有包含矽氮化物(silicon nitride)及/或矽氧化物(silicon oxide)的單層結構或多層結構。
主動層212可設置於緩衝層11之上。主動層212可由包含非晶矽(amorphous silicon)或結晶矽(crystalline silicon)的半導體所形成，並可包含通道區212c及以離子雜質摻雜通道區212c周圍所形成的源極區212a及汲極區212b。
閘極電極214可設置於主動層212之上以對應於主動層212之通道區212c。可為閘絕緣膜之第一絕緣層13可設置於閘極電極214與主動層212之間。閘極電極214可具有包含選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、以及銅(Cu)之至少一種金屬之單層結構或多層結構。
源極電極218a及汲極電極218b可設置於閘極電極214之上以各別連接於主動層212之源極區212a及汲極區212b。可為層間絕緣膜之第二絕緣層15可設置於源極電極218a與汲極電極218b以及主動層212之間。源極電極218a及汲極電極218b可具有包含選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、以及銅(Cu)之至少一種金屬之單層結構或多層結構。
第四絕緣層19可設置於第二絕緣層15之上以覆蓋源極電極218a與汲極電極218b。
第一絕緣層13可做為閘極絕緣膜使用。第二絕緣層15可作為薄膜電晶體區TFT1中之層間絕緣膜使用。第一絕緣層13及第二絕緣層15中的每一個可為無機絕緣膜。無機絕緣膜可包含二氧化矽(SiO2)、矽氮化物(SiNx)、矽氧氮化物(SiON)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鋇鍶(barium strontium titanate, BST)、鈦酸鋯鉛(lead zirconium titanate, PZT)等。
可做為閘極絕緣膜之第一絕緣層13並不作為電容之介電膜使用，下文中將會解釋。因此，第一絕緣層13可適當地根據薄膜電晶體之閘極絕緣膜之特性來設計，而不需考慮電容之介電常數相關的特性。例如，矽氮化物(SiNx)，其常做為電容之介電膜使用以增加靜電容量，若也作為薄膜電晶體之閘極絕緣膜使用時，漏電流可能會發生在薄膜電晶體中。然而，根據本實施例，電容之介電膜與薄膜電晶體之閘極絕緣膜可如第1圖所示分別形成。介電膜與閘極絕緣膜可僅各別考慮電容及薄膜電晶體之特性來選擇。
在像素區PXL1中，與將於下文中解釋之電容之上電極317以相同之材料形成的像素電極117，可設置於基板10、緩衝層11、第一絕緣層13、以及第二絕緣層15之上。
第三絕緣層116可設置於像素電極117及第二絕緣層15之間。緩衝層11、第一絕緣層13、第二絕緣層15、以及第三絕緣層116可由基板10向像素電極117依序設置於像素電極117與基板10之間。
設置於基板10與像素電極117之間的絕緣層，也就是緩衝層11、第一絕緣層13、第二絕緣層15、以及第三絕緣層116，可被形成以具有不同的折射率。具有不同折設率的絕緣層可交替地設置以做為分布布拉格反射器(distributed Bragg reflector, DBR)。因此可改善有機發光層120所發出的光線之使用效率。
雖然緩衝層11、第一絕緣層13、第二絕緣層15、以及第三絕緣層116可如第1圖所示以形成個別的單一個層，但緩衝層11、第一絕緣層13、第二絕緣層15、以及第三絕緣層116也可能具有多層結構。
像素電極117可直接設置於第三絕緣層116之上。第三絕緣層116及像素電極117可在同一個遮罩製程中使用相同的遮罩來圖樣化。因此，像素電極117及第三絕緣層116可分享同一個蝕刻側表面。例如，第三絕緣層116的蝕刻側表面可對齊像素電極117的蝕刻側表面。
像素電極117可以用透明導電材料形成，使光線可朝像素電極117發射。透明導電材料可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)中之至少一種。
有機發光層120可被形成於像素電極117之上，而由有機發光層120所發射的光線可經過由透明導電材料所形成的像素電極117朝向基板10發射。
第四絕緣層19可被形成於像素電極117周圍。暴露像素電極117之開口C3可形成於第四絕緣層19中出。有機發光層120可設置於開口C3中。
有機發光層120可由低分子量有機材料或高分子量有機材料所形成。若有機發光層120以低分子量有機材料形成，電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等可堆疊於有機發光層120周圍。也可堆疊其他各種層。低分子量有機材料的例子可包含銅鈦菁(copper phthalocyanine, CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(N, N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB)、及三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)。若有機發光層120以高分子量有機材料所形成，除了有機發光層120以外可提供電洞傳輸層。電洞傳輸層可由聚-(3,4)-乙烯-二羥基噻吩(poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene, PEDOT), 聚苯胺(polyaniline, APNI)等所形成。高分子量有機材料的例子可包含聚-對苯乙烯(poly-phenylenevinylene, PPV)基高分子量有機材料及聚茀(polyfluorene)基高分子量有機材料。又，無機材料更可設置於有機發光層120、像素電極117與反電極121之間。
反電極121可作為共用電極設置於有機發光層120之上。在第1圖之有機發光顯示裝置l中，像素電極117可作為陽極，而反電極121可作為陰極。像素電極117作為陰極，而反電極121作為陽極也是可能的。
反電極121可為包含反射材料的反射電極。反電極121可包含銀(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、以及氟化鋰/鋁(LiF/Al)中之至少一種。若反電極121為反射電極，有機發光層120發出的光線可被反電極121反射且可經由以透明導電材料所形成的像素電極117朝向基板10傳送。
覆蓋像素電極117周圍部份的第四絕緣層19可作為像素電極117與反電極121之間的像素定義膜(pixel defining film)。
第四絕緣層19可為有機絕緣膜。第四絕緣層19可包含商用聚合物，如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)、聚苯乙烯(polystyrene, PS)、具有酚基(phenol group)的聚合物衍生物、丙烯基(acryl-based)聚合物、亞醯胺基(imide-based)聚合物、丙烯乙醚基聚合物(acryl ether-based)、醯胺基(amide-based)聚合物、氟基(fluorine-based)聚合物、對二甲苯基(p-xylene-based)聚合物、乙烯醇基(vinyl alcohol-based)聚合物、其混合物類等。
第四絕緣層19可覆蓋薄膜電晶體之源極電極218a及汲極電極218b。源極電極218a及汲極電極218b之其中之一可電性連結於像素電極117。雖然在第1圖表示源極電極218a連結於像素電極117，但像素電極117也可能電性連結於汲極電極218b。
源極電極218a及汲極電極218b其中之一連接於像素電極117之一部份可設置於像素電極117之上。如下所述，在圖樣化像素電極117後，再圖樣化源極電極218a及汲極電極218b。因此，源極電極218a及汲極電極218b可由具有蝕刻率不同於像素電極117之材料所形成。
在電容區CAP1中，可與薄膜電晶體之閘極電極214以相同材料形成之電容之下電極314、可與像素電極117以相同材料形成之電容之上電極317、以及直接設置於下電極314及上電極317之間的第三絕緣層316可設置於基板10及緩衝層11之上。
第二絕緣層15可設置於薄膜電晶體之閘極電極214以及源極電極218a與汲極電極218b之間。第二絕緣層15不設置於電容之上電極317及下電極314之間。因此，第二絕緣層15主要並不做為電容之介電膜。例如，如第1圖所示，第二絕緣層15可稍微地與下電極314之外部部份重疊。如下所述，當暴露出下電極314之開口C2 (看第4B圖)藉由圖樣化第二絕緣層15而形成時，重疊的外部部份可被留下。
當第二絕緣層15被圖樣化時，若電容之下電極314完全露出，漏電流可能發生於下電極314及形成於第三絕緣層316之上的上電極317之間。因此，第二絕緣層15可部份地覆蓋於下電極314的外部部份而非完全露出下電極314。可防止漏電流發生於上電極317及下電極314之間。
可作為薄膜電晶體之層間絕緣膜之第二絕緣層15，在考慮到薄膜電晶體的特性下，可被設計為具有厚度相同或大於預設的厚度。由於電容之靜電容量傳統上均隨著介電膜的厚度的增加而減少，若介電膜具有與層間絕緣膜的厚度相同的厚度，靜電容量可能減少。
第1圖所示之第二絕緣層15不做為電容之介電膜使用。可作為介電膜使用之第三絕緣層316可較第二絕緣層15為薄。因此，可防止靜電容量降低。當第三絕緣層316的厚度等於或大於約500埃(A)且等於或小於約2000A時，可保持適當的靜電容量。
可作為介電膜使用的第三絕緣層316可由具有高介電常數的絕緣材料形成。如前所述，第三絕緣層316可以與作為閘極絕緣膜的第一絕緣層13分開形成。當第三絕緣層316由具有介電常數高於第一絕緣層13的介電常數的材料所形成時，靜電容量可增加。靜電容量可因此增加而不需要增加電容的面積。因此，像素電極117的面積可相對增加，而因此，有機發光顯示裝置1的孔徑比(aperture ratio)可增加。
第三絕緣層316可為無機絕緣膜。例如，第三絕緣層316可包含二氧化矽(SiO2)、矽氮化物(SiNx)、矽氧氮化物(SiON)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鋇鍶(barium strontium titanate, BST)、鈦酸鋯鉛(lead zirconium titanate, PZT)之至少一種。
又，如下所述，上電極317及第三絕緣層316可在同一個遮罩製程中圖樣化。上電極317及第三絕緣層316可具有相同的蝕刻表面。例如，上電極317的側表面可對齊第三絕緣層316的側表面。
第四絕緣層19可設置於上電極317之上。第四絕緣層19可為有機絕緣膜。第四絕緣層19可包含具有低介電常數的有機絕緣材料且可設置於反電極121與上電極317之間。因此，可能形成於反電極121與上電極317之間的寄生電容(parasitic capacitance)可被降低，且因此，由可防止於寄生電容導致的訊號干擾。
在墊片區PAD1中，作為外部驅動裝置之連接端點的墊片電極418可設置於有機發光顯示裝置1的外部區域。
第1圖中，墊片電極418可由與源極電極218a及汲極電極218b相同的材料所形成。又，墊片電極418可設置於與源極電極218a及汲極電極218b於相同層上。墊片電極418可直接設置於第二絕緣層15之上。
閘極電極214、像素電極117、以及上電極317被形成後，墊片電極418才被形成。因此，形成閘極電極214、像素電極117或上電極317的材料並未覆蓋墊片電極418。在設置形成閘極電極214、像素電極117或上電極317的材料於墊片電極418之上或由墊片電極418移除這種材料的過程中，墊片電極418的可靠性不會被降低。
雖然未顯現於第1圖中，有機發光顯示裝置1更可包含封裝構件(未繪於圖中)以封裝包含像素區PXL1、電容區CAP1及薄膜電晶體區TFT1之顯示區。封裝構件可形成為包含玻璃材料、金屬膜的基板，或為透過交替設置有機絕緣膜及無機絕緣膜的封裝薄膜。
根據一實施例製造有機發光顯示裝置1的方法將會參照第2A圖至第7B圖來說明。
第2A圖及第2B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置1之方法之第一遮罩製程之截面圖。
參閱第2A圖，緩衝層11及半導體層12可依序形成於基板10之上。
緩衝層11及半導體層12可利用多種沉積法來沉積，如電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)、大氣壓力化學氣相沉積(atmospheric pressure CVD, APCVD)、以及低壓化學氣相沉積(low pressure CVD, LPCVD)。
半導體層12可由非晶矽或結晶矽來形成。結晶矽可由結晶化非晶矽來形成。結晶化非晶矽的方法的例子可包含快速熱退火(rapid thermal annealing, RTA)、固相結晶化(solid phase crystallization, SPC)、準分子雷射退火(excimer laser annealing, ELA)、金屬誘發結晶化(metal induced crystallization, MIC)、金屬誘發側向結晶化(metal induced lateral crystallization, MILC)、或順序橫向固化(sequential lateral solidification, SLS)。
第一光阻PR1可被施加於半導體層12上，而第一遮罩製程可使用包含光阻隔部M11及光傳輸部M12的第一光遮罩M1來執行。雖然未繪於圖中，在使用曝光裝置(未繪於圖中)執行曝光後，可執行一連串的步驟如顯影(developing)、蝕刻(etching)、以及剝離(stripping)或灰化(ashing)。
第2B圖係為描繪第一遮罩製程所產生結構的截面圖。
參閱第2B圖，半導體層12對應於第一光遮罩M1的光阻隔部M11的部份可被圖樣化以形成薄膜電晶體之主動層212之通道區212c。
第3A圖及第3B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置1之方法之第二遮罩製程之截面圖。
參閱第3A圖，第一絕緣層13及第一導電層14可依序形成於第2B圖之第一遮罩製程所產生的結構之上。
第一絕緣層13可為由二氧化矽(SiO2)、矽氮化物(SiNx)、矽氧氮化物(SiON)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鋇鍶(barium strontium titanate, BST)、鈦酸鋯鉛(lead zirconium titanate, PZT)之至少一種所形成的無機絕緣膜。第一導電層14可具有選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、以及銅(Cu)之至少一種金屬所形成的單層結構或多層結構。
第二光阻PR2可被施加於第一導電層14之上。第二遮罩製程可使用包含光阻隔部M21T及M21C及光傳輸部M22的第二光遮罩M2來執行。
第3B圖係為描繪第二遮罩製程所產生之結構的截面圖。
參閱第3B圖，第一導電層14對應於第二光遮罩M2的光阻隔部M21T的部份可被圖樣化以形成薄膜電晶體的閘極電極214。第一導電層14對應於光阻隔部M21C的部份可被圖樣化以形成電容的下電極314。
第一絕緣層13設置於薄膜電晶體之閘極電極214及主動層212之間的部份可作為閘極絕緣膜，但第一絕緣層13設置於下電極314之下的部份則不作為電容的介電膜。因此，在第一絕緣層13之材料的選擇上可僅考慮薄膜電晶體的特性而不需考慮電容的特性。
第二遮罩製程所產生之結構可以用離子雜質來摻雜。離子雜質可為硼(B)離子雜質或磷(P)離子雜質。所產生之結構可使用薄膜電晶體的主動層212作為目標並提供1×1015atoms/cm2或更多的摻雜量來摻雜。
主動層212可包含源極區及汲極區212a及212b及設置於源極區及汲極區212a及212b之間的通道區212。源極區及汲極區212a及212b可以使用閘極214做為自我校準遮罩(self-aligned mask)以離子雜質來摻雜。
同時，雖然未繪示於第3A圖及第3B圖，接線，如連接到閘極電極214的掃描線也可以在第二遮罩製程中藉由圖樣化第一導電層14來形成。
第4A圖及第4B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置1之方法之第三遮罩製程之截面圖。
參閱第4A圖，第二絕緣層15可形成於第3B圖之第二遮罩製程所產生之結構之上。
第二絕緣層15可為由二氧化矽(SiO2)、矽氮化物(SiNx)、矽氧氮化物(SiON)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鋇鍶(barium strontium titanate, BST)、鈦酸鋯鉛(lead zirconium titanate, PZT)中之至少一種所形成的無機絕緣膜。例如，第二絕緣層15可由具有折射率不同於第一絕緣層13之折射率之材料所形成。
第三光阻PR3可被施加於第二絕緣層15。第三遮罩製程可使用包含光阻隔部M31及光傳輸部M32T及M32C的第三光遮罩M3來執行。
第4B圖係為描繪第三遮罩製程所產生之結構的截面圖。
參閱第4B圖，第二絕緣層15對應於第三光遮罩M3之光傳輸部M32T的部份可被形成以包含部分暴露主動層212之源極區212a及汲極區212b的開口C1，而第二絕緣層15對應於光傳輸部M32C的部份可被圖樣化以形成暴露電容之下電極314的開口C2。
第5A圖及第5B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置1之方法之第四遮罩製程之截面圖。
參閱第5A圖，第三絕緣層16及第二導電層17可依序形成於第4B圖之第三遮罩製程所產生之結構之上。第三絕緣層16及第二導電層17可依序堆疊於電容的下電極314及第二絕緣層15之上。
第三絕緣層16可為選自二氧化矽(SiO2)、矽氮化物(SiNx)、矽氧氮化物(SiON)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鋇鍶(barium strontium titanate, BST)、鈦酸鋯鉛(lead zirconium titanate, PZT)中之至少一種材料所形成的無機絕緣膜。第三絕緣層16可由具有折射率不同於第一絕緣層13及第二絕緣層15之折射率之材料所形成。
第二導電層17可由透明導電氧化物所形成。例如，第二導電層17可由選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)之材料所形成。
第四光阻PR4可被施加於第二導電層17。第四遮罩製程可使用包含光阻隔部M41X及M41C及光傳輸部M42的第四光遮罩M4來執行。
第5B圖係為描繪第四遮罩製程所產生之結構的截面圖。
參閱第5B圖，第三絕緣層16及第二導電層17對應於第四光遮罩M4之光阻隔部M41X的部份可被圖樣化以形成像素電極117及設置於像素電極117之下的第三絕緣層16。第三絕緣層16及第二導電層17對應於光阻隔部M41C的部份可被圖樣化以形成第三絕緣層(介電膜) 316及電容的上電極317。
雖然第三絕緣層16及第二導電層17可在相同的遮罩製程中被圖樣化，但蝕刻可執行二次。第三絕緣層16的蝕刻及第二導電層17蝕刻可分開執行。
第三絕緣層16及第二導電層17可在相同的遮罩製程中被蝕刻，以蝕刻第三絕緣層16及第二導電層17的表面。第三絕緣層16與像素電極117之蝕刻表面可彼此相同而第三絕緣層(介電膜) 316與上電極317之蝕刻表面可彼此相同。當設置於像素電極117之下的第三絕緣層116及第三絕緣層(介電膜) 316被蝕刻時，像素電極117及上電極317可作為蝕刻遮罩，而因此，其蝕刻表面可實質上彼此相同。例如，像素電極117的側表面可對齊第三絕緣層116的側表面，而第三絕緣層(介電膜) 316的側表面可對齊上電極317的側表面。
第三絕緣層16可直接設置於上電極317與下電極314之間。因此，第三絕緣層16可作為電容的第三絕緣層(介電膜) 316。第三絕緣層16並未設置於薄膜電晶體中。因此，第三絕緣層16不作為閘極絕緣膜。第三絕緣層16的材料及厚度的選擇可以僅考慮電容的特性而不需要考慮薄膜電晶體的特性。因此，增加了設計自由度。
第6A圖及第6B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置1之方法之第五遮罩製程之截面圖。
參閱第6A圖，第三導電層18可形成於第5B圖之第四遮罩製程所產生之結構之上。第三導電層18可填入暴露源極區212a及汲極區212b之開口C1中。
第三導電層18可具有單層結構或多層結構且可由選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、以及銅(Cu)之至少一種金屬所形成。
第五光阻PR5可被施加於第三導電層18。第五遮罩製程可使用包含光阻隔部M51T及M51P及光傳輸部M52的第五光遮罩M5來執行。
第6B圖係為描繪第五遮罩製程所產生之結構的截面圖。
參閱第6B圖，第三導電層18對應於第五光遮罩M5之光阻隔部M51T的部份可被圖樣化以形成經由開口C1個別連結於主動層212之源極區212a及汲極區212b的源極電極218a及汲極電極218b。第三導電層18對應於光阻隔部M51P的部份可被圖樣化以形成墊片區的墊片電極418。
當第三導電層18被蝕刻以形成源極電極218a及汲極電極218b時，像素電極117及上電極317也可暴露於蝕刻劑，以蝕刻第三導電層18。因此，第三導電層18可由具有蝕刻率不同於像素電極117及上電極317之蝕刻率的材料所形成。
源極電極218a及汲極電極218b之其中之一可電性連結於像素電極117。在第6A圖及第6B圖中之像素電極117被形成後，源極電極218a及汲極電極218b則可被圖樣化。因此，連接於像素電極117之源極電極218a及汲極電極218b之其中之一之一部份可被形成以覆蓋於像素電極117。
雖然未繪於圖中，但接線，如連接到源極電極218a及/或汲極電極218b的資料線也可以在第五遮罩製程中藉由圖樣化第三導電層18來形成。
第7A圖及第7B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置1之方法之第六遮罩製程之截面圖。
參閱第7A圖，第四絕緣層19可施加於第6B圖之第五遮罩製程所產生之結構之上。第四絕緣層19可為有機絕緣層。特別的是，若第四絕緣層19為光敏有機絕緣膜，可不必使用額外的光阻。
第六遮罩製程可使用包含光阻隔部M61及光傳輸部M62X及M62P的第六光遮罩M6來執行。
第7B圖係為描繪第六遮罩製程所產生之結構的截面圖。
參閱第7B圖，第四絕緣層19對應於光傳輸部M62X的部份可被移除以形成暴露像素電極117之開口C3。第四絕緣層19對應於光傳輸部M62P的部份可被移除以形成部分暴露墊片電極418之第四開口C4。
暴露像素電極117之開口C3不僅可界定發光區，並可增加反電極121 (見第1圖)與像素電極117的邊界之間的距離。因此，可防止電場集中於像素電極117的邊界且可防止短路發生於像素電極117與反電極121之間。
雖然未繪於圖中，但可經由在第六遮罩製程之後於像素電極117之上形成有機發光層120及於有機發光層120之上形成可為共用電極之反電極121 (見第1圖)來形成第1圖的有機發光顯示裝置1。又，封裝構件(未繪於圖中)可進一步形成於反電極121 (見第1圖)之上。
根據另一實施例的有機發光顯示裝置2將參照第8圖，並針對與第1圖之有機發光顯示裝置1的差異來說明。
第8圖係為根據另一實施例描繪有機發光顯示裝置2之截面圖。
參閱第8圖，有機發光顯示裝置2之基板10包含可設置至少一有機發光層120之像素區PXL2、可設置至少一薄膜電晶體之薄膜電晶體區TFT2、可設置至少一電容之電容區CAP2、以及可設置至少一墊片電極418之墊片區PAD2。薄膜電晶體區TFT2及墊片區PAD2可以與有機發光顯示裝置1之薄膜電晶體區TFT1及墊片區PAD1相同。
在像素區PXL2中，與電容之上電極317以相同的材料所形成之像素電極117-1可設置於基板10、緩衝層11、第一絕緣層13、第二絕緣層15、以及第三絕緣層116之上。
若有機發光顯示裝置2為底部發射有機發光顯示裝置，則像素電極117-1可為透明電極而反電極121可為反射電極。
有機發光層120可形成於像素電極117-1之上，而有機發光層120所發出的光線可透過由透明導電材料所形成的像素電極117-1向基板10發射。
有機發光顯示裝置2之像素電極117-1可具有包含透明導電層117a及設置於透明導電層117a之上的半透射金屬層117b的多層結構。
反電極121可作為反射鏡，而半透射金屬層117b可作為半透射鏡。有機發光層120所發出的光線可在反電極121與半透射金屬層117b之間共振。
因此，有機發光顯示裝置2之光使用效率能利用由於鏡像效應所產生的共振效應及由可設置於像素電極117-1之下的第一至第三絕緣層13、15、以及116的分散型布拉格反射(DBR)效應所產生的共振效應來改善。
半透射金屬層117b可由選自銀、銀合金、鋁、以及鋁合金中之至少一種材料所形成。為了作為相對於可作為反射電極之反電極121的共振鏡，半透射金屬層117b可具有等於或小於約300 A的厚度。
特別的是，若半透射金屬層117b包含銀(Ag)，由於源極電極218a及汲極電極218b可能形成於半透射金屬層117b形成之後，當源極電極218a及汲極電極218b受到蝕刻時，包含銀的半透射金屬層117b可能會受損。因此，可進一步地提供用於保護銀的保護層117c於半透射金屬層117b之上。保護層117c可由包含氧化銦錫(ITO)或諸如此類的透明導電氧化物所形成。
包含半透射金屬層117b的像素電極117-1可在第四遮罩製程中圖樣化。當另一個導電層不覆蓋於像素電極117-1之上時，像素電極117-1可單獨圖樣化。
若另一個導電層(未繪於圖中)進一步形成於像素電極117-1之上且導電層與像素電極117-1同時被圖樣化以具有相同圖樣時，可能無法輕易地蝕刻像素電極117-1。特別的是，若半透射金屬層117b包含銀，由於半透射金屬層117b可能很容易受到損傷，可能難以使用鏡像效應形成共振結構。然而，如第8圖所示，像素電極117-1可被單獨圖樣化以作為具有共振結構的半透射鏡。因此可較容易形成共振鏡。
有機發光顯示裝置2之像素電極117-1及電容之上電極317可以由相同的材料所形成。雖然未繪於圖中，上電極317可包含由底部開始依序設置的透明導電層、半透射金屬層、以及保護層，如同像素電極117-1。
藉由總結及回顧，在平板顯示裝置的形成中，薄膜電晶體、電容、以及接線在基板上被精細地圖樣化。為了在基板上形成如此精細的圖樣，常藉由使用遮罩以光微影術(photolithography)來轉移圖樣。
光微影術需要均勻地施加光阻於欲形成圖案的基板上，並使用如步進曝光器(stepper)之曝光裝置來曝光光阻，若光阻為正光阻則顯影光阻，再以光阻的剩餘部份蝕刻形成於基板上的圖樣，且於圖樣形成後移除光阻不必要的剩餘部份。
當使用光微影術時，可預先準備包含所需圖樣的遮罩，而準備遮罩的成本增加製造平板顯示裝置的成本。又，當執行複雜的步驟時，平板顯示裝置的製造程序可能變得複雜且製造時間可能增加，而因此平板顯示裝置的總製造成本可能增加。
在此揭露的實施例可提供薄膜電晶體(TFT)陣列基板及包含使用簡單製造程序的方法製造的薄膜電晶體陣列基板的有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置可具有良好的訊號傳輸特性。
更詳細地說，本發明之薄膜電晶體陣列基板、包含此薄膜電晶體陣列基板之有機發光顯示裝置、以及製造包含此薄膜電晶體陣列基板之有機發光顯示裝置之方法提供以下的功效。
電容的介電膜及薄膜電晶體的閘極絕緣膜可形成為分離的絕緣層。因此，絕緣層可個別根據電容的特性及薄膜電晶體的特性來適當地設計。
電容的介電膜的厚度可輕易地控制。因此，可增加孔徑比。
共振鏡可以僅從一個像素電極來圖樣化，不需要堆疊導電層於作為共振結構之半透射鏡的像素電極上。因此，可輕易提供共振鏡。
墊片電極可於後處理(post-process)中形成。因此，可防止墊片電極的可靠性下降。
薄膜電晶體陣列基板及有機發光顯示裝置僅執行六個遮罩製程即可製造。
例示性實施例已在此揭露，而雖然使用特定的術語，但僅用於以通用及描述性的意義來說明，而非以限制為目的。在一些例子中，除非有特別指出，對本申請案所屬領域之通常知識者很明顯的是，與特定實施例有關所描述的特點、特性及/或元件可被單獨使用，或與其它實施例有關所描述的特點、特性及/或元件一起使用。因此，本領域之通常知識者將了解到的是，任何未脫離本發明之精神與範疇，而對形式及細節所做出的各種改變均應包含於後附之申請專利範圍中。
1、2．．．有機發光顯示裝置
10．．．基板
11．．．緩衝層
12．．．半導體層
13．．．第一絕緣層
14．．．第一導電層
15．．．第二絕緣層
16．．．第三絕緣層
17．．．第二導電層
18．．．第三導電層
19．．．第四絕緣層
116、316．．．第三絕緣層
117、117-1．．．像素電極
117a．．．透明導電層
117b．．．半透射金屬層
117c．．．保護層
120．．．有機發光層
121．．．反電極
212．．．主動層
212a．．．源極區
212b．．．汲極區
212c．．．通道區
214．．．閘極電極
218a．．．源極電極
218b．．．汲極電極
314．．．下電極
317．．．上電極
418．．．墊片電極
PXL1、PXL2．．．像素區
TFT1、TFT2．．．薄膜電晶體區
CAP1、CAP2．．．電容區
PAD1、PAD2．．．墊片區
PR1．．．第一光阻
PR2．．．第二光阻
PR3．．．第三光阻
PR4．．．第四光阻
PR5．．．第五光阻
PR6．．．第六光阻
C1、C2、C3、C4．．．開口
M1．．．第一光遮罩
M2．．．第二光遮罩
M3．．．第三光遮罩
M4．．．第四光遮罩
M5．．．第五光遮罩
M6．．．第六光遮罩
M11、M21T、M21C、M31、M41X、M41C、M51T、M51P、M61．．．光阻隔部
M12、M22、M32T、M32C、M42、M52、M62X、M62P．．．光傳輸部
參照附圖並詳細描述例示性實施例，上述及其他的特徵對本領域之通常知識者來說將會變的更為明顯，其中：
第1圖係為根據一實施例描繪有機發光顯示裝置之截面圖；
第2A圖及第2B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置之方法之第一遮罩製程之截面圖；
第3A圖及第3B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置之方法之第二遮罩製程之截面圖；
第4A圖及第4B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置之方法之第三遮罩製程之截面圖；
第5A圖及第5B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置之方法之第四遮罩製程之截面圖；
第6A圖及第6B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置之方法之第五遮罩製程之截面圖；
第7A圖及第7B圖係為描繪製造有機發光顯示裝置之方法之第六遮罩製程之截面圖；以及
第8圖係為根據另一實施例描繪有機發光顯示裝置之截面圖。
1．．．有機發光顯示裝置
10．．．基板
11．．．緩衝層
13．．．第一絕緣層
15．．．第二絕緣層
19．．．第四絕緣層
116、316．．．第三絕緣層
117．．．像素電極
120．．．有機發光層
121．．．反電極
212．．．主動層
212a．．．源極區
212b．．．汲極區
212c．．．通道區
214．．．閘極電極
218a．．．源極電極
218b．．．汲極電極
314．．．下電極
317．．．上電極
418．．．墊片電極
PXL1．．．像素區
TFT1．．．薄膜電晶體區
CAP1．．．電容區
PAD1．．．墊片區
C3．．．開口

Claims (32)

  1. 一種薄膜電晶體(TFT)陣列基板，其包含：
    一薄膜電晶體，其係設置於一基板上，該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極、一汲極電極、設置於該主動層與該閘極電極之間之一第一絕緣層、以及設置於該閘極電極及該源極電極與該汲極電極之間之一第二絕緣層；
    一像素電極，其係設置於該第一絕緣層及該第二絕緣層之上，該像素電極係連接於該源極電極及該汲極電極之其中之一；
    一電容，其包含與該閘極電極設置於同一層之一下電極，並包括包含與該像素電極相同之材料之一上電極；
    一第三絕緣層，其係直接設置於該第二絕緣層與該像素電極之間及該下電極與該上電極之間；以及
    一第四絕緣層，其係覆蓋該源極電極、該汲極電極、以及該上電極，並暴露出該像素電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該第一絕緣層係共同地設置於該主動層之上，並位於該下電極之下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該第二絕緣層並未設置於該上電極與該下電極之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該第三絕緣層的厚度係小於該第二絕緣層的厚度。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該第三絕緣層的厚度係等於或大於約500埃(A)，並等於或小於約2000A。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該第三絕緣層之介電常數係大於該第一絕緣層之介電常數。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該第三絕緣層係包含矽氮化物(SiNx)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、以及三氧化二鋁(Al2O3)之至少一種。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該第一絕緣層、該第二絕緣層、以及該第三絕緣層係依序地設置於該像素電極與該基板之間，且該第一絕緣層至該第三絕緣層中之相鄰的絕緣層之折射率係彼此不相同。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該像素電極包含一透明導電氧化物(TCO)。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該透明導電氧化物係包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)之至少一種。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該像素電極更包含一半透射金屬層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該半透射金屬層係設置於包含該透明導電氧化物的層之上。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該半透射金屬層包含銀(Ag)、銀合金、鋁(Al)、以及鋁合金之至少一種。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜電晶體陣列基板，更包含一保護層，其係設置於該半透射金屬層之上。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該保護層包含該透明導電氧化物。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該像素電極之側表面係對齊該第三絕緣層之側表面。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該上電極之側表面係對齊該第三絕緣層之側表面。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中連接於該像素電極之該源極電極及該汲極電極之其中之一之一部份係覆蓋於該像素電極。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該源極電極及該汲極電極包含具有蝕刻率不同於該像素電極及該上電極之蝕刻率的材料。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列基板，更包含一墊片電極，其係由與該源極電極及該汲極電極相同之材料所形成。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該墊片電極係與該源極電極及該汲極電極設置於同一層上。
  22. 一種有機發光顯示裝置，其包含：
    一薄膜電晶體，其係設置於一基板上，該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極、一汲極電極、設置於該主動層與該閘極電極之間之一第一絕緣層、以及設置於該閘極電極及該源極電極與該汲極電極之間之一第二絕緣層；
    一像素電極，其係設置於該第一絕緣層及該第二絕緣層之上，該像素電極連接於該源極電極及該汲極電極之其中之一；
    一電容，其包含與該閘極電極設置於同一層之一下電極，並包含含有與該像素電極相同之材料之一上電極；
    一第三絕緣層，其係直接設置於該第二絕緣層與該像素電極之間及該下電極與該上電極之間；
    一第四絕緣層，其係覆蓋該源極電極、該汲極電極、以及該電容，並暴露出該像素電極；
    一有機發光層，其係設置於該像素電極之上；以及
    一反電極，其係設置於該有機發光層之上。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之有機發光顯示裝置，其中該反電極係為反射該有機發光層所發射之光線之一反射電極。
  24. 一種製造薄膜電晶體陣列基板之方法，該方法包含：
    於一基板上形成一半導體層，並使用一第一遮罩製程圖樣化該半導體層以形成一薄膜電晶體之一主動層；
    形成一第一絕緣層，堆疊一第一導電層於該第一絕緣層之上，並使用一第二遮罩製程圖樣化該第一導電層以形成該薄膜電晶體之一閘極電極及一電容之一下電極；
    形成一第二絕緣層，並以一第三遮罩製程於該第二絕緣層中形成一開口以暴露出該主動層之一源極區與一汲極區及該電容之一上電極；
    依序形成一第三絕緣層及一第二導電層於該第三遮罩製程所產生之結構上，並以一第四遮罩製程同時地或依序地圖樣化該第三絕緣層及該第二導電層以形成一像素電極、該上電極、以及直接設置於該下電極上的一介電膜；
    形成一第三導電層於該第四遮罩製程所產生之結構上，並以一第五遮罩製程圖樣化該第三導電層以形成一源極電極及一汲極電極；以及
    形成一第四絕緣層並以一第六遮罩製程移除該第四絕緣層之一部份以暴露出該像素電極。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該方法更包含在以該第二遮罩製程形成該閘極電極後，以離子雜質摻雜該源極區及該汲極區。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第四遮罩製程包含一第一蝕刻製程以蝕刻該第三絕緣層，及一第二蝕刻製程以蝕刻該第二導電層。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第三導電層包含具有蝕刻率不同於該第二導電層之材料之蝕刻率的材料。
  28. 如申請專利範圍第24項所述之方法，更包含以該第五遮罩製程形成含有與該源極電極及該汲極電極相同材料的一墊片電極。
  29. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第二導電層係以依序堆疊一透明導電層及一半透射導電層所形成。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之方法，更包含形成一保護層於該半透射導電層之上。
  31. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第三絕緣層係形成使厚度小於該第二絕緣層之厚度。
  32. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第三絕緣層係以介電常數高於該第一絕緣層之介電常數之材料所形成。

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