201250963 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體裝置及半導體裝置之製造方法。 【先前技術】 近年以來 ’ SON ( Small Outline Non-leaded Package )、QFN ( Quad Flat Non Leaded Package )等之封裝型半 導體裝置被廣爲製造。圖77中，將QFN型之半導體裝置 之一例，以剖面圖加以顯示（例如參照專利文獻1 )。圖 77所示半導體裝置90係具備樹脂外殼91、和基台引線92 、和半導體晶片93、和引線端子94、連接導線95»半導 體晶片93係固定於基台引線92，介著連接導線95，與引 線端子94連接。如此半導體裝置90係使用引線框加以製 造。引線框係將〇 · 2mm程度厚度之金屬板，經由精密加壓 所成之打穿或蝕刻，形成成爲期望圖案而製造者。 使用引線框製造半導體裝置90之時，於基台引線92 設置半導體晶片93，將半導體晶片93與引線端子94，以 連接導線9 5連接之後，將引線框以樹脂外殻91加以被覆 。之後，切斷不需要之引線框部分加以去除。 伴隨各種電子機器之小型化，求得半導體裝置90之 小型化。做爲小型化之一的方法，可進行縮小半導體裝置 90之厚度方向尺寸。由金屬板形成之基台引線92及引線 端子94之厚度係在達成半導體裝置90之薄型化時，會成 爲不利之要素。爲此，提案有不使用引線框，製造封裝形 -5- 201250963 態之半導體裝置。例如，有於金屬製之基台上，經由電鍍 形成端子，於後經由蝕刻基台加以除去之手法（例如，參 照專利文獻1 )。 但是’不使用引線框，如上所述經由電鍍形成端子之 時，端子之厚度係成爲2 0μπι，有易於從樹脂外殻脫落之 可能性。在不使用引線框製造半導體裝置下，端子之拉伸 強度之確保則成爲課題。 以上，除了上述例之外，還有種種之半導體裝置之製 造方法。例如，專利文獻2所記載之方法中，首先，於平 坦性高之金屬板，形成外部電極銲墊部。接著，將金屬板 及外部電極銲墊部，以絕緣性樹脂薄膜層被覆。接著，於 絕緣性樹脂薄膜層，形成開口部後，於開口部，形成金屬 薄膜配線部。接著，將金屬薄膜配線部，以絕緣性樹脂薄 膜層被覆。經由重覆如此工程，層積複數之金屬薄膜配線 部。接著，將金屬板經由蝕刻加以除去，形成多層配線基 板。於多層配線基板，搭載半導體晶片，導通多層配線基 板之金屬薄膜配線部與半導體晶片之電極。 如此半導體裝置之製造方法中，形成金屬薄膜配線部 時，爲了蝕刻形成於金屬板上之金屬膜’進行微影技術。 爲將金屬薄膜配線部順序形成於金屬板上’微影技術亦順 序進行。爲了進行微影技術，需形成光罩’準備曝光裝置 ，非常麻煩。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕 -6 - 201250963 〔專利文獻1〕日本特開2009-246395號公報 〔專利文獻2〕日本特開2001-257288號公報 【發明內容】 〔發明欲解決之課題〕 本發明’係以上述情事爲根本而想到者，提供可防止 端子之脫落之半導體裝置及半導體裝置之製造方法爲第i 課題。 本發明’係以上述情事爲根本而想到者，提供可有效 率製造半導體裝置之半導體裝置之製造方法爲第2課題。 〔爲解決課題之手段〕 本發明之第1層面所提供之半導體裝置係具備··具有 複數之電極的半導體元件、和導通上述複數之電極的複數 之端子、和被覆上述半導體元件之封閉樹脂之半導體裝置 ，其特徵係上述封閉樹脂係露出上述半導體元件之厚度方 向之一方之端面地，被覆上述複數之端子，上述複數之端 子之任一的第1之端子係配置於與上述複數之電極之任一 之第1之電極，在上述厚度方向視之重疊之位置，具備接 觸於上述第1之端子與上述第1之電極之兩者的導電連接 構件。 較佳之實施形態中，上述第1之端子之厚度爲 0.02~0.03mm。 較佳之實施形態中，上述第1之端子係具備複數之金 201250963 屬層；上述複數之金屬層係包含與上述導電連接構件接觸 之第1之金屬層，和配置於上述厚度方向中上述第1之金 屬層之一方側，由與上述第1之金屬層不同之材質所成的 第2之金屬層》 較佳爲，上述第2之金屬層係較上述第1之金屬層爲 厚而形成者。 例如，上述第1之金屬層係金或鈀製，上述第2之金 屬層係鎳製。 較佳之實施形態中，上述導電連接構件係具備：接觸 於上述第1之電極的柱狀構件、和固定上述柱狀構件與上 述第1之端子的固定構件。 例如，上述柱狀構件係銅或金製之支柱。 例如，上述固定構件係焊錫。 例如，上述固定構件係可爲銀製。 其他之較佳實施形態中，上述導電連接構件係焊錫突 起電極。 較佳之實施形態中，上述複數之端子係於上述厚度方 向視之，排列成格子狀。 較佳之實施形態中，上述複數之端子係具有與上述封 閉樹脂接觸之粗糙面。 較佳之實施形態中，上述封閉樹脂係露出與上述厚度 方向正交之第1之方向之上述第1之端子之一方之端面地 ，被覆上述第1之端子。 例如，上述封閉樹脂之厚度爲0.2〜0.3mm。 201250963 較佳之實施形態之一中，具備：上述厚度方向視之， 配置於與上述半導體元件重疊之位置的追加之半導體元件 、導通上述追加之半導體元件之追加之複數之端子。 較佳上述追加之半導體元件係具有複數之追加之電極 ，具備連接上述複數之追加之電極、與上述複數之追加之 端子的複數導線。 較佳係上述封閉樹脂係露出上述厚度方向之上述複數 之追加端子之一方之端面地，被覆上述複數之追加端子。 較佳係上述複數之追加端子係配置成包圍上述複數之 端子之矩形狀。 本發明第2之層面所提供之半導體裝置之製造方法， 其特徵係具備：於基台形成複數之端子的工程、和於上述 基台之厚度方向視之，與上述複數之端子重疊地，設置半 導體元件的工程、和將上述複數之端子及上述半導體元件 ，以樹脂加以封閉的工程、和除去上述基台的工程；上述 半導體元件係具有複數之電極，設置上述半導體元件之工 程係包含形成接觸上述複數之電極之一的第1之電極、和 上述複數之端子之一的第1之端子的導電連接構件的工程 〇 較佳之製造方法其中，形成上述複數之端子的工程係 包含於上述基台，形成金屬鍍層的工程。 較佳之製造方法中，形成上述導電連接構件的工程係 具備：於上述第1之電極，形成向上述厚度方向立起之柱 狀構件的工程、和固定上述柱狀構件與上述第1之端子的 201250963 工程。 較佳係形成上述柱狀構件之工程中，形成銅或金之支 柱。 較佳之例中，固定上述柱狀構件與上述第1之端子的 工程係使用焊錫材料進行者。 其他較佳之例中，固定上述柱狀構件與上述第1之端 子的工程係使用銀糊進行者。 其他較佳之製造方法中，形成上述導電連接構件之工 程中，形成焊錫突起電極。 更佳之例中，具備於上述複數之端子之至少任一者， 施以粗糙面形成處理的工程。 較佳之製造方法中，具備：於上述半導體元件，設置 具有複數之追加電極的追加之半導體元件的工程、和於上 述基台，形成複數之追加端子的工程、和連接上述複數之 追加之電極、與上述複數之追加之端子的工程。 較佳係，形成上述複數之追加端子的工程係包含於上 述基台，形成金屬鍍層的工程。 本發明之其他特徵及優點，則參照附加圖面，經由以 下進行之詳細說明，可更爲明瞭。 【實施方式】 以下，關於根據本發明之半導體裝置及半導體裝置之 製造方法，參照圖1〜圖1 4具體加以說明。 -10- 201250963 <第l-A實施形態> 圖1〜圖3係顯示根據本發明之第1 - A實施形態之半 導體裝置。本實施形態之半導體裝置A1係具有半導體元 件10、和1..對之端子3、和1對之導電連接構件4、和封 閉樹脂6。然而，以下說明所使用之X、y，z方向係相互 正交之方向，z方向係封閉樹脂6、半導體元件10及端子 3之厚度方向。又，以下之中，令z方向之圖1中下側爲 底側，圖1中上側爲表側。 如圖1所示，半導體裝置A1係，於基板B1經由焊錫 5加以固定使用。於基板B1之表面上，形成未圖示之配 線圖案。焊錫5係導通未圖示之配線圖案與1對之端子3 。然而，於圖3中，省略基板B1及焊錫5。· 封閉樹脂6係完全被覆半導體元件10,露出1對之端 子3之底面3a及側面3b地，被覆1對之端子3 »封閉樹 脂6係例如由黑色之環氧樹脂所成，形成呈向X方向延長 之長方體狀。做爲一例，封閉樹脂6之X方向尺寸係 2.10mm，y方向尺寸係1.60mm，z方向尺寸係0.2〜0.3mm °此等之尺寸係對應半導體元件1 0之大小·，適切變更而 得者。 半導體元件10係由Si等之半導體材料所成，於內部 製作有微細電路》於半導體元件10之底面，設置1對之 電:極11。1對之電極11係於X方向隔離而設置。1對之電 極係連接於半導體元件10內之微細電路。半導體元件 1 0係組裝於電子電路加以使用。此時，將1對之電極1 1 -11 - 201250963 係經由與電子電路內之配線連接，半導體元件1 〇則發揮 其功能。然而，本實施形態中，爲了說明之簡化，將電極 11之個數定爲2個。電極Π之個數係對應半導體元件10 之機能，適切變更而得者。 1對之端子3係如圖2所示，於X方向隔離，且該一 部分，於z方向視之，與1對之電極11重疊加以配置》 各端子3係形成呈向X方向延長，z方向所視呈矩形狀，X 方向之長度例如爲〇.2mm »如圖1所示，配置於X方向之 圖中右側之端子3之右端部，係z方向視之，突出於與半 導體元件1 〇不重疊之位置，右方之側面3b係與封閉樹脂 6之右側之側面成爲同一面。配置於X方向之圖中左方之 端子3之左端部，係z方向視之，突出於與半導體元件10 不重疊之位置，左方之側面3b係與封閉樹脂6之左側之 側面成爲同一面。更且，各端子3之底面3a係與封閉樹 脂6之底面6a成爲同一面者。然而，端子3之個數係對 應半導體元件10之電極11之個數，對應半導體元件10 之機能，適切變更而得者。 端子3係例如具有0.02~0.03 mm之厚度。如圖3所示 ，端子3係具備第1之金屬層310、第2之金屬層320及 第3之金屬層330。第1之金屬層310係金或鈀製，z方 向之厚度係成爲5 μπι。第1之金屬層310係配置於z方向 之表面側，與導電連接構件4接觸。第2之金屬層320係 由與第1之金屬層310不同之材質所成，ζ方向之厚度形 成呈較第1之金屬層310爲厚。具體而言，第2之金屬層 -12- 201250963 3 20係鎳製，z方向之厚度係成爲20μιη。圖3所示之例中 ，第2之金屬層320係與第1之金屬層310之底面接觸地 加以配置。第3之金屬層330係金製，ζ方向之厚度係成 爲5μιη。第3之金屬層330係配置於ζ方向之底面側。端 子3之底面3a係第3之金屬層330之底面。 1對之導電連接構件4係各如圖1所示，於ζ方向視 之，設於重合電極11與端子3之間。各導電連接構件4 係具備柱狀構件4 1及固定構件42。柱狀構件4 1係例如銅 或金製之支柱，形成呈以ζ方向爲高度方向之圓柱狀。如 圖3所示，柱狀構件41之ζ方向之表面係與電極11接觸 ，柱狀構件41之ζ方向之底面係與第1之金屬層310接 觸。經由此柱狀構件41，導通電極1 1與端子3。固定構 件42係例如無鉛焊錫或高融點焊錫，被覆端子3之表面 之一部分與柱狀構件4 1。此固定構件42係固定柱狀構件 41與端子3。圖3所示之例中，固定構件42係亦接觸於 電極11，固定柱狀構件41與電極11。 然而，本實施形態中，柱狀構件41雖接觸於端子3 ’ 於柱狀構件41與端子3間，有可能有使固定構件42進入 之情形。於此時，固定構件42爲焊錫之故，不影響端子3 與電極1 1之導通。 將半導體裝置A1連接於基板B 1之焊錫5係如圖1所 示，被覆端子3之底面3a與側面3b地加以形成。 接著，對於半導體裝置A1之製造方法之一例，參照 圖4〜8說明如下》 -13- 201250963 半導體裝置A1之製造中，使用基台7。基台7係例 如z方向之厚度爲〇.l25mm程度之銅板。基台7係例如2 方向視之，爲矩形狀，含有多數之半導體裝置A1之大小 〇 製造半導體裝置A1之時，首先準備基台7,進行於 基台7之表面，形成複數之端子3的工程。形成端子3之 工程中，例如經由無電解鍍層處理，於基台7之表面整體 ’形成金屬鍍層。本實施形態中，首先形成金鍍層，接著 形成鎳鍍層，之後形成金或鈀之鍍層。於此後，經由蝕刻 金屬鍍層，成爲期望之形狀。經由如此，如圖4所示，可 將多數之端子3，形成於基台7上。然而，最初形成之金 鍍層則成爲第3之金屬層330，鎳鍍層則成爲第2之金屬 層3 20、金或鈀之鍍層則成爲第1之金屬層310〇 接著，進行形成導電連接構件4之工程。此工程中， 於半導體裝置10之各電極11，進行形成柱狀構件41之工 程。此工程係例如對於半導體元件10，設置具有對應於柱 狀構件41之開口的光阻劑，於開口部分塡充金或銅而進 行。或是’事先準備設置支柱之半導體元件1〇亦可。接 著，如圖5所不’進行於端子3設置焊錫材料42A之工程 、和將安裝柱狀構件41之半導體元件1〇，設置於基台7 上之工程。設置焊錫材料42之工程，係例如可經由印刷 加以進行。將半導體元件10設置於基台7上之工程係將 基台7在迴焊爐加熱’融解焊錫材料42A，使柱狀構件41 ’觸及印刷有焊錫材料42A之處所，將半導體元件按 -14- 201250963 壓於基台7而進行。經由此工程，於焊錫材料4 2 A，按入 柱狀構件41’焊錫材料42A成爲被覆柱狀構件41之形狀 。硬化此焊錫材料42A者是爲固定構件42。經由以上之 工程’如圖6所示’形成導電連接構件4，藉由導電連接 構件4’半導體元件1〇係連接於端子3。 接著’進行形成封閉樹脂6之工程。於此工程中，將 複數之端子3及半導體元件1〇，以樹脂加以封閉。於圖7 中，顯示形成封閉樹脂6後之狀態。此工程係例如可經由 轉移成形法加以進行。於此方法中，進行將基台7設置於 模具，於模具內流入液化之環氧樹脂的處理。 接著，進行除去基台7之工程。除去基台7之工程， 係經由將基台7從底面側蝕刻而進行。然而，鈾刻處理係 進行機械性硏磨即可，使用融解銅之液劑而進行亦可》經 由此工程，如圖8所示，各端子3之底面3a則露出於封 閉樹脂6之底面側。 圖8所示之狀態下，封閉樹脂6係z方向視之，與基 台7爲相同尺寸。經由切斷圖8之封閉樹脂6，可得圖1 所示半導體裝置A 1。於切斷封閉樹脂6時，例如沿圖8 所示虛線C，進行切斷。此時，端子3之端部亦被切斷。 如此之時，如圖1所示’成爲側面3b從封閉樹脂6露出 之構成。 接著，對於半導體裝置A1及該製造方法之作用，加 以說明。 各端子3係經由鍍層處理，形成於基台7之表面之故 -15- 201250963 ，各端子3之厚度係與以往說明所示之半導體裝置9〇 2 引線端子94之厚度比較成爲較薄者。上述製造方法係医j 此，適於達成半導體裝置A1之薄型化。 如圖1所示，各端子3係經由焊錫5固定於基板B1 。如上所述，端子3因較薄之故，與封閉樹脂6接觸之面 積爲少，於半導體裝置A1有無意圖之力被施加之時，各 端子3則會有黏貼於焊錫5下，從封閉樹脂6脫落之疑慮 。但是，於本實施形態中，各端子3係經由固定構件42， 固定於柱狀構件41。爲此，即使各端子3與封閉樹脂6之 接觸面積爲小之時，各端子3則難以從封閉樹脂6脫落。 因此，半導體裝置A1係達成端子3之薄型化，仍可確保 可靠性。又，端子3固定於柱狀構件41之故，除去基台7 之時，端子3則難以脫落，可期待不良產生率的改善。此 情形，在效率化半導體裝置A1之製造工程下爲較佳者。 本Η施形態中，於製造工程中，包含切斷端子3之工 程。於切斷端子3時，於切斷面，產生將端子3向ζ方向 拉伸之力。爲此，切斷用之邊緣則拉伸端子3，有將端子 3從封閉樹脂6脫落之疑慮。但是，本實施形態中，端子 3薄型化之故，切斷端子3時之切斷面亦變小，邊緣拉伸 端子3之力亦會變小。更且，端子3薄型化之故，可易於 防止在於切斷端子3時，產生毛邊。因此，半導體裝置 Α1係較佳地防止製造時所產生之不良因素。 本實施形態中，各端子3係經由第1〜第3之金屬層 310、320、330所構成。其中，最厚之第2之金屬層320 -16- 201250963 係較爲硬質，相較於金等難以變形。爲此，可更防止切斷 端子3之工程而產生之毛邊。又，鎳相較於金比較便宜， 使第2之金屬層320變厚，在經濟上亦爲較佳。 本實施形態中，端子3之側面3 b則從封閉樹脂6露 出。此構成係如上述，可經由調整切斷封閉樹脂6時之位 置而容易實現。端子3之厚度及構造係在進行此製造方法 時所期望者。具體而言，端子3經由電鍍較以往爲薄地加 以形成之故，可使切斷工程順利地進行，可期待製造工程 之效率化。 如圖1所示，焊錫5係被覆端子3之側面3b而形成 。此構造係與焊錫5僅接觸於底面3a之時比較，在提高 端子3與焊錫5之接合力，安定地將半導體裝置A1安裝 於基板B1之下，爲較佳者。 本實施形態中，各端子3係z方向視之，與半導體元 件1 〇重疊而配置。此係在小型化封閉樹脂6之z方向所 視之尺寸下，爲較佳之構成。 本實施形態中，於各端子3之底面3 a側，配置反應 性低之金所成第3之金屬層3 3 0。如此構成係將基台7使 用液劑除去之時，爲較佳者。 然而，於上述實施形態中，做爲固定構件42雖使用 焊錫，但亦可使用銀糊形成固定構件42。此時，完成之固 定構件42係成爲銀製。 圖3所示之例中，各端子3之表面（圖中上面）係雖 成爲接觸於封閉樹脂6之平坦之面，如於圖9擴大所示， -17- 201250963 各端子3之表面係形成微小之凹凸，做爲粗糙面亦可。形 成各端子3之後，進行粗糙面形成處理，於各端子3之表 面，可形成微小之凹凸。粗糙面形成處理例如可經由噴砂 加工加以進行。於各端子3之表面形成微小之凹凸時，則 增加各端子3與封閉樹脂6之接觸面積。爲此，可使各端 子3難以從封閉樹脂6脫落。又，如圖9所示，增加端子 3之表面與固定構件42之接觸面積，亦補強端子3與固定 構件42之接合強度。 各端子3係如圖2所示，z方向視之爲長矩形狀者。 各端子3係具有沿長矩形之各邊之4個側面。此等4個側 面中，除了側面3 b之外的3個側面，係經由封閉樹脂6 被覆，接觸於封閉樹脂6 »於此等側面，形成微小之凹凸 而成爲粗糙面時，亦可增加各端子3與封閉樹脂6之接觸 面積。更且，經由於側面3 b，設置具有微小凹凸之粗糙面 ，更可提高端子3與焊錫5之接合力。 圖1 〇〜圖1 4係顯示本發明之其他之實施形態。然而 ’於此等圖中，與上述實施形態同一或類似之要素，則附 上與上述實施形態相同之符號。 <第2-A實施形態> 圖1 〇係顯示根據本發明之第2-A實施形態之半導體 裝置。圖1 0所示半導體裝置A2係做爲導電連接構件4， 使用焊錫突起電極43，其他之構成與半導體裝置A1相同 -18 - 201250963 焊錫突起電極43之形成係對於半導體元件i〇，使用 具有對應於焊錫突起電極43之形狀的開口之光阻劑而進 行。或是’事先準備設置焊錫突起電極43之半導體元件 10亦可。本實施形態中’端子3係介著焊錫突起電極43 ’固定於半導體元件1〇之電極11。爲此，半導體裝置A2 下’端子3係難以從封閉樹脂6剝離。因此，使用半導體 裝置A2之構成，可達成端子3之薄型化，仍可確保可靠 性。 <第3-A實施形態> 圖1 1〜圖1 3係顯示根據本發明之第3 - A實施形態之 半導體裝置。然而’封閉樹脂6係例如黑色，雖由外部無 法看見內部，爲了方便說明，圖12中，顯示封閉樹脂6 之內部。本實施形態之半導體裝置A3係具備封閉樹脂6 、3個半導體元件10A、10B、10C、和25個之端子3、9 個焊錫突起電極4 3、1 6條之導線4 W、及接合構件8 1、 82。半導體裝置A3係區域陣列型之半導體裝置之一例， 如圖1 3所示，2 5個端子3係排列成z方向所視之格子狀 。25個之端子3中，外側之1 6個係與半導體元件1 〇B、 1 0C連接，內側之9個係與半導體元件1 0A連接。本實施 形態中，各端子3係Z方向視之，成爲正方形。 封閉樹脂6係完全被覆半導體元件10A、10B、10C、 各焊錫突起電極43、各導線4W、及接合構件81、82，露 出各端子3之底面3a地，被覆各端子3。封閉樹脂6係例 -19- 201250963 如由環氧樹脂所成，形成呈Z方向所視正方形狀。 半導體元件10A係由Si等之半導體材料所成，於內 部製作有微細電路。圖1 2所示例中，半導體元件1 0 A係 z方向視之，成爲正方形，配置於16個端子3所成矩形框 之內側。於半導體元件1 〇 A之底面，設置z方向視之排列 成格子狀之9個之電極11。各電極11係連接於半導體元 件10A內之微細電路。然而，電極11之個數係對應半導 體元件1 〇 A之機能，適切變更而得者。 25個端子3中內側之9個端子3，係配置於z方向視 之與半導體元件10A重疊之位置。更具體而言，9個端子 3係與設於半導體元件10A之底面之9個電極11對向而 配置者。各焊錫突起電極43係本發明之導電連接構件， 接合各電極11與端子3。 半導體元件10B係由Si等之半導體材料所成，於內 部製作有微細電路。圖1 1所示例中，半導體元件1 〇B係 z方向視之，成爲較半導體元件1 〇 A爲小的正方形。半導 體元件10B之底面係介著接合構件81，固定於半導體元 件10A之表面。於半導體元件10B之表面，設置8個之電 極12。8個電極12係空出半導體元件10B之z方向所視 中央部分，配置於表面之周緣部。圖 Π所示之例中，各 電極12係配疊於半導體元件10B之表面之各邊之兩端及 中央附近。各電極12係連接於半導體元件10B內之微細 電路。然而，電極12之個數係對應半導體元件10B之機 能，適切變更而得者。 -20- 201250963 半導體元件10C係由Si等之半導體材料所成，於內 部製作有微細電路。圖1 1所示例中，半導體元件1 0 C係 Z方向視之，成爲較半導體元件10B爲小的正方形。半導 體元件10C之底面係介著接合構件82，固定於半導體元 件10B之表面。於半導體元件10C之表面，設置8個之電 極13。圖11所示例中，8個電極13係X方向視之或y方 向視之，配置於與8個電極12不重疊之位置》各電極13 係連接於半導體元件10C內之微細電路。然而，電極13 之個數係對應半導體元件10C之機能，適切變更而得者。 接合構件81、82係例如DAF膠帶。如圖1 1所示， 接合構件8 1係z方向所視略呈矩形狀，被覆半導體元件 1 〇 A表面之大部分。如前所述，半導體元件1 〇 A之電極 1 1係設於底面側。爲此，可將接合構件81之大小成爲與 半導體元件10A幾近相同程度之大小。此係在將較大尺寸 之半導體元件10B設置於半導體元件10A上時，可有利地 作用。接合構件82係設置於8個電極1 2所作成之框之內 側。然而，做爲接合構件8 1、82，不限於DAF膠帶，可 使用絕緣糊。 如圖1 1所示，各電極12、13係經由金製之導線4W ，與各端子3連接。導線4W之形成係例如使用市售之打 線用毛細管加以進行。
製造如此半導體裝置A3之時，除了製造半導體裝置 A1之工程，具備有於半導體元件10A上設置半導體元件 10B ' 10C之工程，和將電極12、13與端子3以導線4W -21 - 201250963 加以連接之工程。此等工程係於形成封閉樹脂6之工 進行。又，設置半導體裝置A3之半導體元件10A之 ，係相當於設置半導體裝置A1之半導體元件10之工 半導體裝置A3係組裝於各種電子機器之基板加 用。爲達成基板之小型化，於同一面積內組裝更多之 體元件者爲有效的。半導體裝置 A3中，於半導體 10A之表面，半導體元件10B則更於半導體元件10B 面，固定半導體元件10C。根據如此構成時，與將3 導體元件1 〇A、1 OB、1 0C，各別加以樹脂封閉，組裝 子電路之時比較，可增加每一單位面積之半導體元件 數。因此，半導體裝置A3係達成基板之小型化下， 有利之構成。 上述半導體裝置A3中，雖於半導體元件10A設 導體元件1〇8、10(：，半導體元件1〇八則僅設置半導 件10B之構成亦可。又，於半導體元件10C，可實施 置其他之半導體元件之構成。 <第4-A實施形態> 圖1 4係顯示根據本發明之4-A實施形態之半導 置。圖14所示半導體裝置A4係具備2個半導體元件 、1〇Ε、和1對之端子3、4個焊錫突起電極43、44 封閉樹脂6»如圖14所示，半導體裝置A4中，半導 置10D與半導體元件10E係重璺於z方向加以配置。 體裝置A4之其他之構成係與半導體裝置A2相同。 程前 工程 程。 以使 半導 元件 之表 個半 於電 之個 具備 置半 體元 更設 體裝 1 0D 、及 體裝 半導 -22- 201250963 半導體元件10D係由Si等之半導體材料所成，於內 部製作有微細電路。如圖14所示，半導體元件10D乃具 備設於表面之1對之電極14、和1對之銅製矽貫通電極（ Through Silicon Via、以下稱 TSV) 15。如圖 14 所示，各 TSV15係連接於1對之電極14之任一者，將半導體元件 10D之半導體材料貫通於z方向。各TSV15之z方向之圖 14中下端係連接於焊錫突起電極43。連接於各TSV15之 焊錫突起電極43，係連接於各端子3。 半導體元件10E係由Si等之半導體材料所成，於內 部製作有微細電路。如圖14所示，於半導體元件10E之 底面，設置1對之電極16。1對之電極16係與半導體元 件10E內之微細電路連接。各電極16係連接於焊錫突起 電極44。連接於各電極16之焊錫突起電極44係各別連接 於半導體元件10D之1對電極14之任一者。 根據如此構成時，與將2個半導體元件10D ' 10E， 各別加以樹脂封閉，組裝於電子電路之時比較，可增加每 一單位面積之半導體元件之個數。因此，半導體裝置A4 係達成基板之小型化下，具備有利之構成。 根據本發明之半導體裝置之製造方法及半導體裝置係 非限定於上述之實施形態者。根據本發明之半導體裝置之 製造方法及半導體裝置之具體構成係可做種種設計，變更 自如。上述實施形態中，做爲基台7雖使用銅板，可使用 除了銅板之外者做爲基台7。例如，做爲基台7，可使用 紙。此時，除去基台7係將基台7從封閉樹脂6剝離而進 -23- 201250963 行。此時，無需進行將基台7以液劑加以溶解之工程之故 ，於端子3之底面3a側，設置金製之第3之金屬層330 之必要性則下降。於此時，令第3之金屬層3 3 0以較便宜 之銀或鈀加以形成亦可。 又，於上述實施形態中，端子3係雖經由第1〜第3 之金屬層310、3 20、3 3 0所構成，但本發明非限定於此構 成。端子3可爲單一之金屬層，或經由更多數之金屬層所 構成亦無妨》又，第1〜第3之金屬層310、320、330亦 不限定於上述之例，適切加以選擇亦無妨。 又，上述實施形態中，雖將形成端子3之工程，以無 電解鍍層處理加以進行，使用可形成薄膜狀之端子3之其 他之方法亦無妨。例如，經由濺鍍處理，可形成類似之端 子3 » 半導體裝置A3之半導體元件10A之固定方法雖採用 半導體裝置A2之構成，但此不過是一例而已。半導體裝 置A3之半導體元件10A之固定方法係採用半導體裝置A1 、A2之任一構成亦無妨。又，半導體裝置A4之半導體元 件10D之固定方法雖採用半導體裝置A2之構成，但此不 過是一例而已。半導體裝置A4之半導體元件10D之固定 方法係採用半導體裝置Al、A2之任一構成亦無妨。 以下，關於爲達成本發明之第1之課題之解決之半導 體裝置及半導體裝置之製造方法，參照圖15〜圖36具體 加以說明。 -24 - 201250963 <第1 - B實施形態> 圖15〜圖17係顯示根據本發明之第1-B實施形態之 半導體裝置。本實施形態之半導體裝置A5係具有半導體 元件1 〇、和1對之端子3、和1對之導電連接構件4、和 封閉樹脂6。然而，以下說明所使用之X、y，z方向係相 互正交之方向，z方向係封閉樹脂6、半導體元件10及端 子3之厚度方向。又，以下之中，令z方向之圖15中下 側爲底側，圖1 5中上側爲表側。 如圖15所示，半導體裝置A5係，於基板B1經由焊 錫5加以固定使用。於基板B1之表面上，形成未圖示之 配線圖案。焊錫5係導通未圖示之配線圖案與1對之端子 3。然而，於圖17中，省略基板B1及焊錫5。 封閉樹脂6係完全被覆半導體元件10，露出1對之端 子3之底面3a及側面3b地，被覆1對之端子3。封閉樹 脂6係例如由黑色之環氧樹脂所成，圖1 5所示形成呈向X 方向延長之長方體狀。做爲一例，封閉樹脂6之X方向尺 寸係 2.10mm，y方向尺寸係 1.60mm，z方向尺寸係 〇· 2〜0.3 mm。此等之尺寸係對應半導體元件1〇之大小，適 切變更而得者。 半導體元件10係由Si等之半導體材料所成，於內部 製作有微細電路。於半導體元件10之底面，設置1對之 電極1 1。1對之電極1 1係於X方向隔離而設置。1對之電 極11係連接於半導體元件10內之微細電路。半導體元件 10係組裝於電子電路加以使用。此時，將〗對之電極11 -25- 201250963 係經由與電子電路內之配線連接，半導體元件1 〇則發揮 其功能。然而，本實施形態中，爲了說明之簡化，將電極 11之個數定爲2個。電極11之個數係對應半導體元件1〇 之機能，適切變更而得者。 1對之端子3係如圖16所示，於X方向隔離，且該一 部分，於Ζ方向視之，與1對之電極11重疊加以配置。 各端子3係形成呈向X方向延長，ζ方向所視呈矩形狀，X 方向之長度例如爲0.2mm。如圖15所示，配置於X方向 之圖中右側之端子3之右端部，係2方向視之，突出於與 半導體元件1 0不重疊之位置，右方之側面3b係與封閉樹 脂6之右側之側面成爲同一面。配置於X方向之圖中左方 之端子3之左端部，係ζ方向視之，突出於與半導體元件 1 〇不重疊之位置，左方之側面3 b係與封閉樹脂6之左側 之側面成爲同一面。更且，各端子3之底面3 a係與封閉 樹脂6之底面6a成爲同一面者。然而，端子3之個數係 對應半導體元件10之電極11之個數，對應半導體元件10 之機能，適切變更而得者。 1對之端子3中，各別形成貫通於ζ方向之貫通孔 301。如圖16所示，貫通孔301係ζ方向視之爲圓形，設 於與電極11重疊之位置。 如圖17所示，端子3係例如0.02-0.03mm之厚度， 具備第1之金屬層310、第2之金屬層320及第3之金屬 層330。第1之金屬層310係鈀製，ζ方向之厚度係成爲 5μπι。第1之金屬層310係配置於ζ方向之表面側。第2 -26- 201250963 之金屬層320係由與第1之金屬層310不同之材質所成， z方向之厚度形成呈較第〗之金屬層310爲厚。具體而言 ，第2之金屬層320係鎳製，z方向之厚度係成爲20μιη。 圖17所示之例中，第2之金屬層320係與第1之金屬層 310之底面接觸地加以配置。第3之金屬層330係由與第 2之金屬層320不同之材質所成。第3之金屬層具體而言 爲金製，ζ方向之厚度係成爲5 μπι。第3之金屬層330係 配置於ζ方向之底面側。端子3之底面3a係第3之金屬 層330之底面。 於第1〜第3之金屬層310、320、3 30中，各別貫通 於ζ方向，形成第1之開口部3 la、第2之開口部32a及 第3之開口部33a。第1之開口部31a、第2之開口部32a 及第3之開口部33a係ζ方向視之，爲同一形狀，形成貫 通孔3 0 1。 1對之導電連接構件4係各別如圖1 5所示，於z方向 視之，設於重合電極1 1與貫通孔3 01之間，導通電極1 1 與端子3。各導電連接構件4係具備柱狀構件41及固定構 件42。 柱狀構件41係例如銅或金製之支柱，形成呈以z方 向爲高度方向之圓柱狀。如圖1 6所示，柱狀構件41係於 ζ方向視之，配置於貫通孔3 01之內側。如圖17所示，柱 狀構件41之ζ方向之表面，係與電極11接觸。柱狀構件 41係進入貫通孔301內，柱狀構件41之底面41a之ζ方 向之位置係與端子3之底面3a爲相同之位置。底面41a -27- 201250963 係接觸於焊錫5。 固定構件42係塡充貫通孔301內，被覆柱狀構件41 地加以形成。圖17所示例中，電極π之—部分亦被被覆 。經由固定構件42，端子3係固定於柱狀構件4 1。固定 構件42之底面42a係於z方向，與端子3之底面3a爲相 同位置。底面42a係接觸於焊錫5。此固定構件42係例如 銀製。 將半導體裝置A5連接於基板B1之焊錫5係如圖15 所示，被覆端子3之底面3 a與側面3 b地加以形成。 接著，對於半導體裝置A5之製造方法之一例，參照 圖18〜24說明如下。 半導體裝置A5之製造中，使用基台7。基台7係例 如z方向之厚度爲〇. 125mm程度之銅板。基台7係例如z 方向視之，爲矩形狀，含有多數之半導體裝置A5之大小 〇 製造半導體裝置A5之時，首先準備基台7，進行於 基台7之表面，形成複數之端子3的工程。形成端子3之 工程中，首先進行形成第3之金屬層330之工程。此工程 中，例如經由無電解鍍層處理，於基台7之表面整體，形 成金鍍層。於此後，經由蝕刻金鍍層，成爲期望之形狀。 經由如此處理，如圖1 8所示，可形成有形成第3之開口 部33a之複數之第3之金屬層330。 接著，進行形成第2之金屬層3 2 0之工程。此工程係 經由無電解鍍層處理，於第2之金屬層320上形成鎳鍍層 -28- 201250963 ，經由蝕刻鎳鍍層之不要部分加以除去而進行。經由 程，如圖19所示，可形成有形成第2之開口部32a 數之第2之金屬層320。 接著，進行形成第1之金屬層310之工程。此工 經由無電解鍍層處理，於第2之金屬層320上形成鈀 層，經由蝕刻鈀鑛層之不要部分加以除去而進行。經 工程，如圖20所示，可形成有形成第1之開口部3 複數之第1之金屬層310。由此工程，形成具有凹部 之端子3。然而，凹部301A之底面係基台7之表面。 接著，進行形成導電連接構件4之工程。此工程 於半導體元件1 〇之各電極1 1，進行形成柱狀構件4 1 程。此工程係例如對於半導體元件1 〇，設置具有對應 狀構件41之開口的光阻劑，於開口部分塡充金或銅 行。或是，事先準備設置支柱之半導體元件1〇亦可 著，如圖21所示，進行於各凹部301A設置銀糊42B 程、和將安裝柱狀構件41之半導體元件1 0，設置於 7上之工程。設置銀糊42B之工程，係例如可經由印 以進行。將半導體元件1〇設置於基台7上之工程’ 狀構件4 1插入銀糊42B地，將半導體元件1 0按壓於 7而進行。經此工程，如圖22所示，於銀糊42B，按 狀構件41，柱狀構件41之底面41 a係接觸於基台Ί 且，銀糊42B係成爲被覆柱狀構件41之形狀。硬化 糊4 2 B者係固定構件4 2。經由以上之工程，形成導 接構件4，藉由導電連接構件4，半導體元件1 0係連 此工 之複 程係 之鍍 由此 la之 301 A 中， 之工 於柱 而進 。接 之工 基台 刷加 係柱 基台 入柱 '0更 此銀 電連 接於 -29- 201250963 端子3。 接著’進行形成封閉樹脂6之工程。於此工程中，將 複數之端子3及半導體元件1 〇，以樹脂加以封閉。於圖 23中’顯示形成封閉樹脂6後之狀態。此工程係例如可經 由轉移成形法加以進行。於此方法中，進行將基台7設置 於模具，於模具內流入液化之環氧樹脂的處理。 接著’進行除去基台7之工程。除去基台7之工程， 係經由將基台7從底面側蝕刻而進行。然而，蝕刻處理係 進行機械性硏磨即可，使用融解銅之液劑而進行亦可。經 由此工程’如圖24所示，端子3之底面3a、柱狀構件41 之底面41a、及固定構件42之底面42a則從於封閉樹脂6 之底面6a露出。又，凹部301A係成爲貫通孔301。 圖24所示之狀態下，封閉樹脂6係z方向視之，與 基台7爲相同尺寸。經由切斷圖24之封閉樹脂6，可得圖 1 5所示半導體裝置A 5。於切斷封閉樹脂6時，例如沿圖 24所示虛線C，進行切斷。此時，端子3之端部亦被切斷 。如此之時，如圖1 5所示，成爲側面3 b從封閉樹脂6露 出之構成。 接著，對於半導體裝置A5及該製造方法之作用，加 以說明。 上述半導體裝置A5中，於形成於端子3之貫通孔 3 0 1，侵入柱狀構件4 1，經由塡充於貫通孔3 0 1內之固定 構件42，端子3係固定於柱狀構件41。如此之構造時， 固定構件42與端子3之接觸面積係相較於不設置貫通孔 -30- 201250963 301，於端子3設置固定構件42之時’大幅地變 在強力固定端子3與柱狀構件41下，爲較佳者。 將半導體裝置A5安裝於基板B1之狀態下， 固定於焊錫5。爲此，於半導體裝置A5有無法 被施加時，會有端子3附著於焊錫5下，從封閉 落之疑慮。但是，本實施形態中，如上所述，端 固定於柱狀構件41，難以產生如此之脫落。因此 裝置A5係達成可靠性之提升下，具備較佳之構与 如上所述，半導體裝置A5中，是爲端子3 之構成之故，易於達成端子3之薄型化。爲此， 台7設置金屬鍍層而形成端子3，之後除去基台 ，製造半導體裝置A5。根據如此製造方法時， 往說明所記載，使用引線形成端子之時比較，可 其薄型化。 更且，本實施形態中，於設於各端子3之貫 內，進入有柱狀構件4 1。如此構成，係易於窄化 件10與端子3之間隔，適於達成半導體裝置A5 〇 本實施形態中，於製造工程中，包含切斷端 程。於切斷端子3時，於切斷面，產生將端子3 拉伸之力。爲此，切斷用之邊緣則拉伸端子3, 3從封閉樹脂6脫落之疑慮。但是，本實施形態 3薄型化之故，切斷端子3時之切斷面亦變小， 端子3之力亦會變小。更且，端子3薄型化之故 大。此係 端子3亦 預期之力 樹脂6脫 子3強力 ，半導體 它。 難以脫落 以在於基 7之方法 例如與以 大幅期望 通孔3 0 1 半導體元 之薄型化 子3之工 向z方向 有將端子 中，端子 邊緣拉伸 ，可易於 -31 - 201250963 防止在於切斷端子3時，產生毛邊。因此，半導體裝置 A5係較佳地防止製造時所產生之不良因素。 本實施形態中，各端子3係經由第1〜第3之金屬層 310、320、330所構成。其中，最厚之第2之金屬層320 係較爲硬質，相較於金等難以變形。爲此，可更防止切斷 端子3之工程而產生之毛邊。又，鎳相較於金比較便宜， 使第2之金屬層320變厚，在經濟上亦爲較佳。 本實施形態中，端子3之側面3 b則從封閉樹脂6露 出。此構成係如上述，可經由調整切斷封閉樹脂6時之位 置而容易贸現。端子3之厚度及構造係在進行此製造方法 時所期望者。 如圖15所示，焊錫5係被覆端子3之側面3b而形成 。此構造係與焊錫5僅接觸於底面3a之時比較，在提高 端子3與焊錫5之接合力，安定地將半導體裝置A5安裝 於基板B1之下，爲較佳者。 本實施形態中，各端子3係z方向視之，與半導體元 件1 〇重疊而配置。此係在小型化封閉樹脂6之Z方向所 視之尺寸下，爲較佳之構成。 上述製造方法係於凹部301A，設置銀糊42B。如此之 時，與於平坦之面設置銀糊42B之時比較，銀糊42B係易 於貯留於凹部301A內。爲此，可防止銀糊42B向無法預 期之位置擴散。此情形，在達成半導體裝置A5之可靠性 之提升下爲較佳者。同時，可防止銀糊42B不必要的擴散 。此係在各端子3之z方向所視面積變小之前提下爲有利 -32- 201250963 的。可使端子3之z方向所視面積變小時’可達成封閉樹 脂6之X、y方向尺寸之小型化。 然而，上述製造方法中，雖每當於形成第1〜第3之 金屬層3 1 0、3 2 0、3 3 0進行蝕刻，但集中蝕刻處理加以進 行亦無妨。 然而，於上述實施形態中，爲形成固定構件42雖使 用了銀糊42B，但亦有可使用無鉛銲錫或高融點銲錫之情 形。惟，本實施形態中，貫通孔301爲貫通於z方向之形 狀之故，做爲固定構件42使用焊錫之時，於形成焊錫5 時，固定構件42之一部分則會產生從貫通孔301流出至 基板B1側之情形。 圖18所示之例中，各端子3之表面（圖中上面）係 雖成爲接觸於封閉樹脂6之平坦之面，如於圖25擴大所 示，各端子3之表面係形成微小之凹凸，做爲粗糙面亦可 。形成各端子3之後，進行粗糙面形成處理，於各端子3 之表面，可形成微小之凹凸。粗糙面形成處理例如可經由 噴砂加工加以進行。於各端子3之表面形成微小之凹凸時 ，則增加各端子3與封閉樹脂6之接觸面積。爲此，可使 各端子3難以從封閉樹脂6脫落。 各端子3係如圖16所示，z方向視之爲長矩形狀者。 各端子3係具有沿長矩形之各邊之4個側面。此等4個側 面中，除了側面3 b之外的3個側面，係經由封閉樹脂6 被覆，接觸於封閉樹脂6。於此等側面，形成微小之凹凸 而成爲粗糙面時’亦可增加各端子3與封閉樹脂6之接觸 -33- 201250963 面積。更且，經由於側面3 b，設置具有微小凹凸之粗糙面 ，更可提高端子3與焊錫5之接合力。 圖26〜圖36係顯示本發明之其他之實施形態。然而 ，於此等圖中，與上述實施形態同一或類似之要素，則附 上與上述實施形態相同之符號。 <第2-B實施形態> 圖26及圖27係顯示根據本發明之第2-B實施形態之 半導體裝置。圖26及圖27所示半導體裝置A6中，代替 貫通孔301，設置第1之開口部31a及第2之開口部3 2a 所成凹部3 02,其他之構成與半導體裝置A5相同。 如圖27所示，半導體裝置A6中，與半導體裝置A5 不同，於第3之金屬層330，未形成開口部。爲此，凹部 302之底面係第3之金屬層330之表面。伴隨此構成，柱 狀構件41之底面41a及固定構件42之底面42a係接觸於 第3之金屬層330之表面。 形成半導體裝置A6之第3之金屬層330之工程中， 如圖27所示，形成無開口狀態之第3之金屬層330即可 〇 如此半導體裝置A6中，凹部3 02爲未貫通z方向之 形狀，固定構件42與焊錫5則經由第3之金屬層3 30隔 開》爲此’例如爲形成焊錫5而進行加熱，以此熱即使融 解固定構件42，固定構件42亦不會發生流出至基板B1 側。因此’半導體裝置A 6中，做爲固定構件4 2，不採用 -34 - 201250963 銀糊，採用焊錫之時，亦不會產生問題。 <第3-B實施形態> 圖29及圖30係顯示根據本發明.之第3-B實施形態之 半導體裝置。圖29及圖30所示半導體裝置A7係做爲導 電連接構件4，具備焊錫突起電極43。半導體裝置A7之 端子3中，設置嵌合於焊錫突起電極43之貫通孔3 03。半 導體裝置A7之其他之構成係與半導體裝置A5相同。 半導體裝置A7之第1〜第3之金屬層310、320、330 中，z方向視之爲圓形，設置第1之開口部31b、第2之 開口部32b及第3之開口部33b。如圖30所示，第1〜第 3之開口部3 lb、32b、33b係各別愈是z方向之表面側， 直徑愈大地加以形成。貫通孔3 03係經由此等第1〜第3 之開口部31b、32b、33b所構成。如此貫通孔3 03係例如 可經由蝕刻加以形成。本實施形態中，焊錫突起電極43 之底面43a係與端子3之底面3a，在z方向爲相同位置， 接觸於焊錫5。 焊錫突起電極43之形成係對於半導體元件10之電極 11而言，可經由使用已知之方法加以形成。或是，事先準 備設置焊錫突起電極43之半導體元件10亦可。 於如此半導體裝置A7中，經由在於端子3設置貫通 孔3 03，較使用平坦之端子3之情形，可增加焊錫突起電 極43與端子3之接觸面積。此係在提升端子3與焊錫突 起電極43之接合強度下爲較佳者。更且，於貫通孔303 -35- 201250963 侵入焊錫突起電極43之故’易於窄化半導體元件10與端 子3之間隔。 <第4-B實施形態> 圖3 1及圖32係顯示根據本發明之第4-B實施形態之 半導體裝置。圖31及圖32所示半導體裝置A8中，於各 端子3，代替貫通孔303，設置第1之開口部31b及第2 之開口部32b所成凹部3 04，其他之構成與半導體裝置A7 相同。 如圖32所示，半導體裝置A8中，與半導體裝置A7 不同，於第3之金屬層330，未形成開口部β爲此，凹部 304之底面係第3之金屬層330之表面。伴隨此構成，焊 錫突起電極43之底面43a係接觸於第3之金屬層330之 表面。 如此半導體裝置A8中，凹部3 04爲未貫通z方向之 形狀，焊錫突起電極43與焊錫5則經由第3之金屬層33〇 隔開。爲此，例如爲形成焊錫5而進行加熱，以此熱即使 融解焊錫突起電極43，焊錫突起電極43之—部分亦不會 發生流出至基板B 1側。於焊錫5流入多餘之焊錫時，在 基板B1上無意圖之處所可能附著焊錫5,影容將及於半 導體裝置A8之動作。根據本實施形態時，可將此不妥防 範於未然。 <第5-B實施形態> -36- 201250963 圖3 3〜圖3 5係顯示根據本發明之第5 - B實施形態之 半導體裝置。然而，封閉樹脂6係例如黑色，雖由外部無 法看見內部，爲了方便說明，圖33中，顯示封閉樹脂6 之內部。本實施形態之半導體裝置A9係具備封閉樹脂6 、3個半導體元件l〇A、10B、10C、和25個之端子3、9 個焊錫突起電極43、1 6條之導線4W、及接合構件8 1、 82。半導體裝置A9係區域陣列型之半導體裝置之一例， 如圖35所示，25個端子3係排列成z方向所視之格子狀 。25個之端子3中，外側之1 6個係與半導體元件1 0B、 10C連接，內側之9個係與半導體元件10A連接。本實施 形態中，各端子3係z方向視之，成爲正方形。 封閉樹脂6係完全被覆半導體元件10A、10B、10C、 各焊錫突起電極43、各導線4W、及接合構件81、82，露 出各端子3之底面3a地，被覆各端子3。封閉樹脂6係例 如由環氧樹脂所成，形成呈z方向所視正方形狀》 半導體元件10A係由Si等之半導體材料所成，於內 部製作有微細電路。圖3 3所示例中，半導體元件1 0 A係 z方向視之，成爲正方形，配置於16個端子3所成矩形框 之內側。於半導體元件1 〇 A之底面，設置z方向視之排列 成格子狀之9個之電極11。各電極11係連接於半導體元 件10A內之微細電路。然而，電極11之個數係對應半導 體元件1 0 A之機能，適切變更而得者。 25個端子3中內側之9個端子3 ’係配置於z方向視 之與半導體元件10A重疊之位置。更具體而言，9個端子 -37- 201250963 3係與設於半導·體元件10A之底面之9個電極11對向而 配置者。於此等9個端子3，設置與半導體裝置A9之凹 部3 04相同之凹部3 04。接觸於凹部3 04與電極1 1地，設 置焊錫突起電極43。各焊錫突起電極43係本發明之導電 連接構件，導通各電極11與各端子3，且加以接合》 半導體元件10B係由Si等之半導體材料所成，於內 部製作有微細電路。圖3 3所示例中，半導體元件1 0B係 z方向視之，成爲較半導體元件1 0 A爲小的正方形。半導 體元件10B之底面係介著接合構件81，固定於半導體元 件10A之表面。於半導體元件10B之表面，設置8個之電 極12。8個電極12係空出半導體元件10B之z方向所視 中央部分，配置於表面之周緣部。圖33所示之例中，各 電極12係配®於半導體元件10B之表面之各邊之兩端及 中央附近。各電極12係連接於半導體元件10B內之微細 電路。然而，電極12之個數係對應半導體元件10B之機 能，適切變更而得者。 半導體元件10C係由Si等之半導體材料所成，於內 部製作有微細電路。圖33所示例中，半導體元件10C係 z方向視之，成爲較半導體元件1 0B爲小的正方形。半導 體元件10C之底面係介著接合構件82，固定於半導體元 件10B之表面。於半導體元件10C之表面，設置8個之電 極13»圖33所示例中，8個電極13係X方向視之或y方 向視之，配置於與8個電極12不重疊之位置。各電極13 係連接於半導體元件10C內之微細電路。然而，電極13 -38- 201250963 之個數係對應半導體元件1 0C之機能，適切變更而得者。 接合構件81、82係例如DAF膠帶。如圖33所示， 接合構件81係z方向所視略呈矩形狀，被覆半導體元件 10A表面之大部分。如前所述，半導體元件10A之電極 1 1係設於底面側。爲此，可將接合構件8 1之大小成爲與 半導體元件10A幾近相同程度之大小。此係在將較大尺寸 之半導體元件10B設置於半導體元件10A上時，可有利地 作用。接合構件82係設置於8個電極1 2所作成之框之內 側》然而，做爲接合構件8 1、82，不限於DAF膠帶，可 使用絕緣糊。 如圖3 3所示，各電極12、1 3係經由金製之導線4 W ，與各端子3連接。導線4W之形成係例如使用市售之打 線用毛細管加以進行。 製造如此半導體裝置 A9之時，進行於半導體元件 10A上設置半導體元件10B、10C之工程，和將電極12、 1 3與端子3以導線4W加以連接之工程。此等工程係於形 成封閉樹脂6之工程前進行。又，設置半導體裝置A9之 半導體元件10A之工程，係相當於設置半導體裝置A5之 半導體元件1 〇之工程。 半導體裝置A9係安裝於組裝於各種電子機器之基板 而加以使用。爲達成基板之小型化，於同一面積內組裝更 多之半導體元件者爲有效的。半導體裝置A9中，於半導 體元件10A之表面，半導體元件10B則更於半導體元件 10B之表面，固定半導體元件10C。根據如此構成時，與 201250963 將3個半導體元件10A、10B、10C，各別加以樹脂封閉， 組裝於電子電路之時比較，可增加每一單位面積之半導體 元件之個數。因此，半導體裝置A9係達成電路基板之小 型化下，具備有利之構成》 上述半導體裝置A9中，雖於半導體元件10A設置半 導體元件l〇B、10C，半導體元件10A則僅設置半導體元 件10B之構成亦可。又，於半導體元件10C，可實施更設 置其他之半導體元件之構成。 <第6-B實施形態> 圖3 6係顯示根據本發明之第6 _B實施形態之半導體 裝置。圖36所示半導體裝置A10係具備封閉樹脂6、2個 半導體元件10D、10E、1對之端子3、4個焊錫突起電極 43 '44。如圖36所示，半導體裝置A10中，半導體元件 10D與半導體元件10E係重疊於z方向加以配置。半導體 裝置A10之其他之構成係與半導體裝置A8相同。 半導體元件10D係由Si等之半導體材料所成，於內 部製作有微細電路。如圖36所示，半導體元件10D乃具 備設於表面之1對之電極14、和1對之銅製矽貫通電極（ Through Silicon Via、以下稱 TSV) 15。如圖 36 所示，各 TSV15係連接於1對之電極14之任一者，將半導體元件 10D之半導體材料貫通於z方向。各TSV15之z方向之圖 36中下端係連接於焊錫突起電極43。連接於各TSV15之 焊錫突起電極43，係連接於各端子3» -40- 201250963 半導體元件10E係由Si等之半導體材料所成 部製作有微細電路。如圖36所示，於半導體元件 底面，設置1對之電極16。1對之電極16係與半 件10E內之微細電路連接。各電極16係連接於焊 電極44。連接於各電極16之焊錫突起電極44係各 於半導體元件10D之1對電極14之任一者。 根據如此構成時，與將2個半導體元件10D 各別加以樹脂封閉，組裝於電子電路之時比較，可 一單位面積之半導體元件之個數。因此，半導體裝 係達成基板之小型化下，具備有利之構成。 爲達成本發明之第1之課題之解決之半導體裝 導體裝置之製造方法，非限定於上述實施形態，具 成係可設計變更自如成種種形態。上述實施形態中 基台7雖使用銅板，可使用除了銅板之外者做爲基 例如，做爲基台7，可使用紙。此時，除去基台7 係將基台7從封閉樹脂6剝離而進行。此時，無需 基台7以液劑加以溶解之工程之故，於端子3之j 側，設置金製之第3之金屬層3 3 0之必要性則下降 時’令第3之金屬層3 30以較便宜之銀或鈀加以形 〇 上述實施形態中，雖將形成端子3之工程，以 鍍層處理加以進行，使用可形成薄膜狀之端子3 方法亦無妨。例如，經由濺鍍處理，可形成類似之 ，於內 10E之 導體元 錫突起 別連接 、10E， 增加每 置 A 1 0 置及半 體之構 ，做爲 :台7。 之工程 進行將 產面3 a 。於此 成亦可 無電解 .其他之 端子3 -41 - 201250963 又，於上述實施形態中，端子3係雖經由第1〜第3 之金屬層310、320、330所構成，但本發明非限定於此構 成。端子3可爲單一之金屬層，或經由更多數之金屬層所 構成亦無妨。又，第1〜第3之金屬層310、320、330亦 不限定於上述之例，適切加以選擇亦無妨。例如，令第1 之金屬層3 1 0以金加以形成亦無妨。 半導體裝置A9之半導體元件10A之固定方法雖採用 半導體裝置A8之構成，但此不過是一例而已。半導體裝 置A9之半導體裝置10A之固定方法係採用半導體裝置 A5〜A8之任一構成亦無妨。又，半導體裝置A10之半導體 裝置10D之固定方法雖採用半導體裝置A8之構成，但此 不過是一例而已。半導體裝置A10之半導體元件10D之 固定方法係採用半導體裝置A5〜A8之任一構成亦無妨。 (付記1 ) 具備：具有複數之電極的半導體元件、 和導通上述複數之電極的複數之端子、 和被覆上述半導體元件之封閉樹脂、 之半導體裝置中， 上述封閉樹脂係露出上述半導體元件之厚度方向之一 方之端面地，被覆上述複數之端子， 上述複數之端子之任一的第1之端子係配置於與上述 複數之電極之任一之第1之電極，在於上述厚度方向視之 重疊之位置， -42- 201250963 具備接觸於上述第1之端子與上述第1之電極之兩者 的導電連接構件； 與上述厚度方向正交之第1之方向視之，上述導電連 接構件與上述第1之端子重疊爲特徵之半導體裝置。 (付記2 ) 上述第1之端子之厚度爲0.02〜0.03mm之記載於付記 1之半導體裝置。 (付記3 ) 上述第1之端子係具備複數之金屬層； 上述複數之金屬層係包含第1之金屬層，和配置於上 述厚度方向中上述第1之金屬層之一方側，由與上述第1 之金屬層不同之材質所成的第2之金屬層的記載於付記2 之半導體裝置。 (付記4 ) 上述第2之金屬層係較上述第1之金屬層爲厚而形成 的記載於付記3之半導體裝置。 (付記5 ) 上述第1之金屬層係金或鈀製’上述第2之金屬層係 鎳製的記載於付記3或4之半導體裝置。 -43 - 201250963 (付記6 ) 於上述第1之金屬層，形成貫通於上述厚度方向之第 1之開口部， 上述導電連接構件係進入上述第1之開口部內的記載 於付記3至5之任一項之半導體裝置。 (付記7 ) 上述導電連接構件係塡充上述第1之開口部的記載於 付記6之半導體裝置。 (付記8 ) 於上述第2之金屬層，形成於上述厚度方向視之與上 述第1之開口部重疊之第2之開口部， 上述導電連接構件之一部分係進入上述第2之開口部 內的記載於付記6或7之半導體裝置。 (付記9 ) 上述導電連接構件係塡充上述第2之開口部的記載於 付記8之半導體裝置。 (付記1 〇 ) 上述複數之金屬層係包含配置於上述厚度方向中上述 第2之金屬層之一方側，由與上述第2之金屬層不同之材 質所成的第3之金屬層的記載於付記3至9之任一項之半 -44- 201250963 導體裝置。 (付記1 1 ) 上述導電連接構件係接觸於上述第3之金屬層之上述 厚度方向之另一方側之面的記載於付記10之半導體裝置 (付記1 2 ) 上述第3之金屬層之上述厚度方向之一方側之端面係 從上述封閉樹脂露出， 於上述第3之金屬層，形成於上述厚度方向視之與上 述第2之開口部重疊之第3之開口部， 上述導電連接構件之一部分係進入上述第3之開口部 內的記載於付記10之半導體裝置。 (付記1 3 ) 上述導電連接構件係塡充上述第3之開口部的記載於 付記1 2之半導體裝置。 (付記1 4 ) 上述導電連接構件係具備：接觸於上述第1之電極的 柱狀構件、和將上述柱狀構件固定於上述第1之端子的固 定構件， 上述第1之方向視之，上述固定構件與上述第1之端 -45- 201250963 子重疊的記載於付記1乃至13之任一者之半導體裝置。 (付記1 5 ) 上述第1之方向視之，上述柱狀構件與上述第1之端 子重疊的記載於付記〗4之半導體裝置。 (付記1 6 ) 上述柱狀構件係銅或金製之支柱的記載於付記1 4或 15之半導體裝置。 (付記1 7 ) 上述固定構件係焊錫的記載於付記1 4乃至1 6之任一 者之半導體裝置。 (付記1 8 ) 上述固定構件係銀製的記載於付記1 4乃至1 6之任一 者之半導體裝置。 (付記1 9 ) 上述導電連接構件係焊錫突起電極的記載於付記1乃 至13之任一者之半導體裝置。 (付記20 ) 上述複數之端子係於上述厚度方向視之，排列成格子 -46 - 201250963 狀的記載於付記1乃至19之任一者之半導體裝置。 (付記2 1 ) 上述複數之端子係具有與上述封閉樹脂接觸之粗糙面 的記載於付記1乃至20之任一者之半導體裝置。 (付記22 ) 上述封閉樹脂係露出上述第1之方向之上述第1之端 子之一方之端面地，被覆上述第1之端子的記載於付記I 乃至21之任一者之半導體裝置。 (付記2 3 ) 上述封閉樹脂之厚度爲0.2〜0.3 mm的記載於付記1乃 至22之任一者之半導體裝置。 (付記2 4 ) 具備：上述厚度方向視之，配置於與上述半導體元件 重疊之位置的追加之半導體元件、 導通上述追加之半導體元件之追加之複數之端子的記 載於付記1乃至21之任一者之半導體裝置。 (付記2 5 ) 上述追加之半導體元件係具有複數之追加之電極， 具備連接上述複數之追加之電極、與上述複數之追加 • 47- 201250963 之端子的複數導線的記載於付記24之半導體裝置。 (付記26) 上述封閉樹脂係露出上述厚度方向之上述複數之追加 端子之一方之端面地，被覆上述複數之追加端子的記載於 付記25之半導體裝置。 (付記27) 上述複數之追加端子係配置成包圍上述複數之端子之 矩形狀的記載於付記24乃至26之任一者之半導體裝置。 (付記2 8 ) 具備：於基台形成複數之端子的工程、 於上述複數之端子之任一之第1之端子，於上述基台 之厚度方向，形成凹陷凹部的工程、 和於上述基台之厚度方向視之，與上述第1之端子重 疊地，設置上述半導體元件的工程、 和將上述複數之端子及上述半導體元件，以樹脂加以 封閉的工程、 和除去上述基台的工程； 上述半導體元件係具有複數之電極， 設置上述半導體元件之工程係包含形成接觸上述複數 之電極之一的第1之電極、和形成於上述第1之端子之凹 部之兩者的導電連接構件的工程爲特徵之半導體裝置之製 •48- 201250963 造方法。 (付記2 9 ) 形成上述複數之端子的工程係包含於上述基台，形成 金屬鍍層的工程的記載於付記28之半導體裝置之製造方 法。 (付記3 0 ) 形成上述凹部之工程係包含於上述金屬鍍層，施以蝕 刻的工程的記載於付記29之半導體裝置之製造方法。 (付記3 1 ) 包含於上述金屬鍍層上，形成追加之金屬鍍層的工程 > 形成上述凹部之工程係包含於上述追加之金屬鍍層， 施以蝕刻的工程的記載於付記29或30之半導體裝置之製 造方法。 (付記3 2 ) 形成上述導電連接構件的工程係具備：於上述第1之 電極’形成向上述厚度方向立起之柱狀構件的工程、和固 定上述柱狀構件與上述第1之端子的工程的記載於付記28 至31之任一項之半導體裝置之製造方法。 -49- 201250963 (付記3 3 ) 形成上述柱狀構件之工程中，形成銅或金之支柱的記 載於付記32之半導體裝置之製造方法。 (付記3 4 ) 固定上述柱狀構件與上述第1之端子的工程係於上述 凹部包含設置焊錫材料之工程的記載於付記32或33之半 導體裝置之製造方法。 (付記3 5 ) 固定上述柱狀構件與上述第1之端子的工程係包含於 上述凹部設置銀糊之工程的記載於付記32或33之半導體 裝置之製造方法。 (付記3 6 ) 形成上述導電連接構件之工程係包含於上述第1之電 極與上述凹部間，形成焊錫突起電極的工程的記載於付記 28至31之任一項之半導體裝置之製造方法。 (付記3 7 ) 具備於上述複數之端子之至少任一者，施以粗糙面形 成處理的工程者的記載於付記28至36之任一項之半導體 裝置之製造方法。 -50- 201250963 (付記3 8 ) 具備：於上述半導體元件，設置具有複數之追加電極 的追加之半導體元件的工程、和於上述基台，形成追加之 複數之端子之工程、 和連接上述複數之追加之電極、與上述複數之追加之 端子的工程的記載於付記28至37之任一項之半導體裝置 之製造方法》 (付記3 9 ) 形成上述追加之複數之端子的工程係包含於上述基台 ，形成金屬鍍層的工程的記載於付記38之半導體裝置之 製造方法。 以下，關於爲達成本發明之第2之課題之解決之半導 體裝置、半導體裝置之製造方法及半導體裝置之安裝構造 ，參照圖37〜圖76具體加以說明。 <第1_C實施形態> 圖37係有關本發明之第1-C實施形態之半導體裝置 之安裝構造之剖面圖。 同圖所示安裝構造801係具備半導體裝置100、和安 裝基板810、和焊錫層820。 安裝基板8 1 〇係例如印刷配線基板。安裝基板8 1 0係 例如包含絕緣基板、和形成於該絕緣基板之圖案電極（圖 示省略）。半導體裝置100係搭載於安裝基板810。焊錫 -51 - 201250963 層820係介入存在於半導體裝置100與安裝基板810之間 。焊錫層820係接合半導體裝置100與安裝基板810。 半導體裝置1 00係具備半導體晶片1、和配線層2、 和2個導電連接構件4、和封閉樹脂部60。圖中’爲了理 解上之方便，將一部分之構成誇張顯示。尤其’配線層2 之厚度係相較封閉樹脂部60之厚度，薄得很多。 半導體晶片1係例如LSI晶片。半導體晶片1中，形 成微細電路。於本實施形態中，半導體晶片1係裸晶晶片 。爲此，於半導體晶片1中，未形成再配線層。半導體晶 片1係包含2個晶片電極1 a。2個晶片電極1 a係於方向 X相互隔離。各晶片電極1 a係導通於形成於半導體晶片1 內之微細電路。然而，本實施形態中，爲了說明之簡化， 將晶片電極la之個數定爲2個。然而，晶片電極la之個 數係對應半導體晶片1之種類，適切變更而得者。 配線層2係支持半導體晶片1。配線層2係包含複數 之電極膜21、22、23、和複數之絕緣層24、25'和導通 構件26、27。圖37中，各別雙雙顯示電極膜21、22、23 、絕緣層24、25、291、2 92及導通構件26、27。 電極膜2 1、2 2、2 3係各別由導電性材料所成。電極 膜2 1、22、23之厚度（方向Z之尺寸）係各別爲例如 0.01〜0.03mm。電極膜21、22、23係於方向Z，配置於相 互不同之位置。 2個電極膜2 1係相互於方向X隔離。本實施形態中 ，各電極膜21係方向Z視之，配置於與半導體晶片1重 -52- 201250963 叠之位置。更具體而言，各電極膜21係方向Z視之（χγ 平面視之’以下相同），配置於重疊於半導體晶片1之晶 片電極1 a之位置。本實施形態之電極膜2 1之個數係對應 晶片電極1 a之個數者，半導體晶片1之種類不同，電極 膜21之個數亦會成爲2個以外之情形。對於電極膜22、 2 3之個數亦相同。 各電極膜21係具有電極面216及電極面217。電極面 2 1 6及電極面2 1 7係互爲朝向相反側。電極面2 1 6係朝向 半導體晶片1之位置側。電極面2 1 6係挾著後述之導電連 接構件4，對向於晶片電極ia。另一方面電極面217係朝 向與半導體晶片1之位置側相反之輒。 圖38中模式性描述電極膜21。各電極膜21係於方向 Z視之’形成呈設計之圖案形狀。具體而言、如圖3 8所 示’電極膜21係具有第1部分213、和第2部分214、和 連結部215。第1部分213、和第2部分214係於方向Z 視之，呈較大之形狀。連結部215係連接於第1部分213 及第2部分214。連結部215係導通第1部分213和第2 部分214。連結部215係呈線狀。 2個電極膜22係相互於方向X隔離。本實施形態中 ，各電極膜22係方向Z視之，配置於與電極膜21重疊之 位置。 各電極膜22係具有電極面226及電極面227。電極面 226及電極面227係互爲朝向相反側。電極面226係朝向 電極膜2 1之位置側。電極面226係挾著後述之導通構件 -53- 201250963 26，對向於電極膜21。另一方面電極面227係朝向 體晶片1之位置側相反之側。 各電極膜22係與電極膜2 1相同，於方向z視 成呈設計之圖案形狀β 2個電極膜23係相互於方向X隔離。本實施 ，各電極膜23係方向Ζ視之，配匱於與電極膜22 位置。 各電極膜23係具有電極面236及電極面237。 23 6及電極面23 7係互爲朝向相反側。電極面237 電極膜2 2之位置側。電極面2 3 7係挾著後述之導 27，對向於電極膜22。另一方面電極面236係朝向 體晶片1之位置側相反之側。 各電極膜23係與電極膜21相同，於方向Ζ視 成呈設計之圖案形狀。 本贲施形態中，各電極膜21、22、23係皆具 層311、和第2層312、和第3層313。第1層311 或鈀所成。第1層311之厚度（方向Ζ之尺寸）係 5 μηι。第2層312係由與構成第1層311材料不同 之所成。構成第2層3 12之材料，係例如鎳。第2 之厚度（方向Ζ之尺寸）係較第1層311之厚度爲 2層312之厚度係例如20 μηι。第3層313係由與構 層312材料不同之材料之所成》構成第3層313之 係例如金或鈀。第3層313之厚度（方向Ζ之尺寸 第2層312之厚度爲薄。第3層313之厚度係例如 與半導 之，形 形態中 重铿之 電極面 係朝向 通構件 與半導 之，形 有第1 係由金 例如爲 之材料 層3 1 2 厚。第 成第2 材料， )係較 5 μτη。 -54- 201250963 於電極膜21，電極面217則構成第1層311，於電極 膜22，電極面227則構成第1層311，於電極膜23，電極 面237則構成第1層31 1。另一方面，於電極膜21，電極 面216則構成第3層313，於電極膜22，電極面226則構 成第3層313，於電極膜23，電極面236則構成第3層 3 1 3 〇 各電極膜21、22、23之第1層311之厚度，互爲相 同亦可。同樣地，各電極膜21、22' 23之第2層312之 厚度，互爲相同亦可。同樣地，各電極膜21、22、23之 第3層313之厚度，互爲相同亦可。 本實施形態中，於電極膜21、22之任一者，第3層 3 1 3較第1層3 1 1更位於半導體晶片1之位置側。另—方 面，各電極膜23之任一者，第1層311較第3層313更 位於半導體晶片1之位置側。 與本實施形態不同，各電極膜21、22、23係不具有 層積金屬層之層積構造，由單一材料所成亦可。例如電極 膜21、22、23，係由銅、或鋁構成亦可。 絕緣層24、25係各別由絕緣材料所成。構成絕緣層 24、25之絕緣材料係例如以環氧系樹脂、聚矽氧系樹脂、 聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、氰酸酯系樹脂、酚系樹 脂、或萘系樹脂之任一樹脂爲主成分爲佳。各絕緣層24、 25之最大厚度（方向Z之尺寸）係例如〇.〇2〜〇.〇6mm。 絕緣層2 4係向X Y平面擴展之形狀。絕緣層2 4係介 入存在於電極膜21及電極膜22之間。絕緣層24係接觸 -55- 201250963 於電極膜21之電極面217與電極膜22之電極面226 絕緣層24係具有側面246、247。側面246、247 坦，互爲朝向相反側。 絕緣層25係向XY平面擴展之形狀。絕緣層25 積於絕緣層24。絕緣層25係介入存在於電極膜22及 膜23之間》絕緣層25係接觸於電極膜22之電極面 與電極膜23之電極面23 7。 絕緣層2 5係具有側面2 5 6、2 5 7與絕緣面2 5 9。 256、257係平坦，互爲朝向相反側。側面256係與 246成爲同一面。同樣地，側面257係與側面247成 一面。絕緣面259係朝向與半導體晶片1之位置側相 側。絕緣面25 9係平坦的。自絕緣面259露出電極膜 絕緣面259係與電極膜23之電極面236爲同一面。 ，半導體裝置1〇〇安裝於安裝基板810之狀態中，電 23之電極面236係接合於焊錫層820。 絕緣層291、292係各別稱爲底塗層，由絕緣材 成。做爲構成絕緣層291、292之材料，例如可列舉 樹脂。絕緣層291係接觸於電極膜21。本實施形態中 緣層291係介入存在於絕緣層24與封閉樹脂部60之 絕緣層292係接觸於電極膜22。本實施形態中，絕 292係介入存在於絕緣層24與絕緣層25之間。 各導通構件26係貫通絕緣層24。導通構件26係 存在於電極膜21及電極膜22之間。導通構件26係 Z視之，配置於重疊於電極膜21及電極膜22之兩者 係平 乃層 電極 227 側面 側面 爲HP 反之 23。 然而 極膜 料所 環氧 ，絕 間。 緣層 介入 方向 之位 -56- 201250963 置。導通構件26係接觸於電極膜21及電極膜22。導通構 件26係自電極膜21或電極膜22向方向Ζ，呈立起之形 狀。介著導通構件26，導通電極膜21及電極膜22。 各導通構件26係具有導電連絡部261、與導電性接合 層2 62。導電連絡部261係例如由銅等之導電性材料所成 。本實施形態中’導電連絡部261係接觸於電極膜22之 電極面226。另一方面，導電性接合層262係例如由焊錫 或銀所成。導電性接合層262係介入存在於導電連絡部 261及電極膜21之間，接觸於導電連絡部261及電極膜 21。導電性接合層262係接合導電連絡部261及電極膜21 〇 各導通構件27係具有與導通構件26相同之構成。各 導通構件27係貫通絕緣層25。導通構件27係介入存在於 電極膜22及電極膜23之間。導通構件26係方向Ζ視之 ，配置於重疊於電極膜22及電極膜23之兩者之位置。導 通構件27係接觸於電極膜22及電極膜23 »導通構件27 係自電極膜22或電極膜23向方向Ζ，呈立起之形狀。介 著導通構件· 27，導通電極膜22及電極膜23。相較於導通 構件27之方向X之尺寸，電極膜23之方向X之尺寸者 較大。爲此，將電極膜23與焊錫層820之接合面積，即 使與令焊錫層820與導通構件27接合之時比較，亦可能 會變大。 各導通構件27係具有導電連絡部271、與導電性接合 層2 72。導電連絡部27 1係例如由銅等之導電性材料所成 -57- 201250963 。本實施形態中，導電連絡部271係接觸於電極膜23 電極面237。另一方面，導電性接合層272係例如由焊 或銀所成。導電性接合層272係介入存在於導電連絡 271及電極膜22之間，接觸於導電連絡部271及電極 22。導電性接合層272係接合導電連絡部271及電極膜 〇 各導電連接構件4係方向Z視之，介入存在於重踁 晶片電極la及電極膜21之間。又，導電連接構件4係 向Z視之，接觸於重疊之晶片電極la與電極膜21。介 導電連接構件4，導通晶片電極la及電極膜21。導電 接構件4係例如由焊錫所成。 封閉樹脂部60係被覆半導體晶片1、和配線層2、 導電連接構件4。具體而言，封閉樹脂部60係被覆半導 晶片1之晶片電極1 a、和配線層2之電極膜2 1及絕緣 24 '和導電連接構件4。封閉樹脂部60係具有樹脂側 61、62 〇樹脂側面61、62係互爲朝向相反側。樹脂側 61係平坦，與絕緣層24之側面246成爲同一面。樹脂 面62係平坦，與絕緣層24之側面247成爲同一面。封 樹脂部60係例如由黑色之環氧系樹脂所成。 接著，使用圖39〜圖56，對於半導體裝置1〇〇之 造方法加以說明。以下，與上述構成相同或類似之構成 則附上相同之符號，省略其說明。 首先，製造框架7 1 (參照圖39 )、框架72 (參照 40 )、框架73 (參照圖41 )。 之 錫 部 膜 22 之 方 著 連 和 體 層 面 面 側 閉 製 圖 -58- 201250963 製造圖39所示框架71時，準備基台712。基台712 係例如厚度爲0.125mm程度之銅所成之板。基台712之平 面所視之面積係較由複數之半導體晶片1之平面所視之面 積大得多。 接著，如同圖所示，於基台712，進行形成具有互爲 朝向相反側之電極面216及電極面217的電極膜21的工 程。電極膜21係直接形成於基台712。即，於基台712與 電極膜21間，不介著絕緣層等，接觸電極膜21與基台 712地，於基台712形成電極膜21。 形成電極膜21之工程中，首先形成第3層313。形成 第3層313之工程中，例如經由無電解鍍層處理，於基台 7 1 2之表面整體，形成鍍層。本實施形態中，該鏟層係由 金或鈀所成。接著，將形成於基台712之表面整體之鍍層 ，經由蝕刻處理，成爲期望之形狀》如此，於基台712形 成第3層313。 接著，於基台712與第3層313上，形成鍍層。本實 施形態中，該鍍層係由鎳所成。接著，對於該鍍層，進行 與形成第3層3 1 3之方法之蝕刻處理相同之蝕刻處理。如 此，於第3層313上形成第2層312。 接著，於基台712與第2層312上，形成鍍層。本實 施形態中，該鍍層係由金或鈀所成。接著，對於該鍍層， 進行與形成第3層3 1 3之方法相同之蝕刻處理。如此，於 第2層312上形成第1層311。 如上所述，於基台712，經由層積第3層313與第2 -59- 201250963 層312與第1層311，製造包含基台712、和形成於基台 712之電極膜21的框架71。於框架71中，電極膜21之 電極面216係接觸於基台712，電極膜21之電極面217係 朝向基台7 1 2之相反側。 如圖40所示，與製造框架71相同地，於基台722， 進行形成具有互爲朝向相反側之電極面226及電極面227 的電極膜22的工程。電極膜22係直接形成於基台722。 於框架72中，電極膜22之電極面226係接觸於基台722 ，電極膜22之電極面227係朝向基台722之相反側。 如圖41所示，與製造框架71相同地，於基台732, 進行形成具有互爲朝向相反側之電極面23 6及電極面237 的電極膜23的工程》電極膜23係直接形成於基台732。 於框架73中，電極膜23之電極面236係接觸於基台73 2 ，電極膜23之電極面237係朝向基台73 2之相反側。 接著，如圖42所示，於框架73上形成於絕緣層25’ 。形成絕緣層25’係可使用旋塗法、CVD (Chemical Vapor Deposition )法、或 PVD ( Physical Vapor Deposition )法 。接著，部分除去絕緣層2 5 ’。由此，於絕緣層2 5 ’，形成 開口 249。自開口 249露出電極膜23之電極面237。 爲了部分除去絕緣層25’，首先於絕緣層25’之整面， 塗佈光阻劑。接著，對於此光阻劑，施以曝光處理，形成 光阻圖案。接著，將此光阻圖案做爲掩膜’蝕刻絕緣層 25、 接著，如圖43所示，於絕緣層25’之開口 249，形成 -60- 201250963 導電連絡部2 7 1。導電連絡部2 7 1係例如由電鍍所开 接著，如圖44所示，於導電連絡部271塗佈 黏著劑8 8 2。導電性黏著劑8 8 2係例如焊錫或銀糊 ’於基台722上，形成接觸於電極膜22之絕緣層 絕緣層292 ’之形成係例如將液狀之樹脂材，塗佈 722而進行。 接著，導電連絡部271與電極膜22之電極面 持導電性黏著劑882地，將框架72按壓於導電連絡 及絕緣層2 5 ’。如圖4 5所示，經由固化導電性黏著 ’固定框架72、和導電連絡部271及絕緣層25，。 電性黏著劑8 82係經由固化，變化成上述之導電性 272。如此’接合導電連絡部271及電極膜22之 227。又’形成接觸於電極膜22之電極面227與電f 之電極面237之導通構件27。經由固定框架72、 連絡部271及絕緣層25’，位於電極膜23之電極面 之電極膜22 ’則對於電極膜23而言，相對性加以 與本實施形態不同，接合導電連絡部271與電極面 後，在挾於基台722與絕緣層25’之間隙，經由注 之樹脂材料，形成絕緣層292,亦可。 接著，如圖46所示，從框架72除去基台722 ’露出電極膜22之電極面226。爲了除去基台722 可機械性硏磨基台722。或，爲了除去基台722， 融基台722之液劑，將基台722溶融。之後所述基 去，亦與除去基台722同樣加以進行即可。然而， 多成。 導電性 。接著 292、 於基台 227挾 部271 劑8 8 2 又，導 接合層 電極面 亟膜23 和導電 23 7側 固定。 227之 入液狀 。由此 ，例如 使用溶 台之除 構成電 -61 - 201250963 極面226之第3層3 13 (參照圖37 )係經由金所成之時， 即使溶融基台722之時，亦可防止溶融第3層313。 接著，如圖47〜圖51所示，重覆與參照圖42〜圖46 所說明之工程相同之工程，於絕緣層2 5 ’上，形成絕緣層 24’及電極膜21。具體而言係如下所述。 如圖47所示，於絕緣層25’上，形成絕緣層24’。接 著，部分除去絕緣層24’。由此，於絕緣層24’，形成開口 248。自開口 248露出電極膜22之電極面226。 接著，如圖48所示，於絕緣層24’之開口 248，形成 導電連絡部261。 接著，如圖49所示，於導電連絡部261塗佈導電性 黏著劑.881 »接著，與於基台712上，形成絕緣層292’相 同地，形成接觸於電極膜21之絕緣層291’。絕緣層291’ 之形成係例如將液狀之樹脂材，塗佈於基台7 1 2而進行。 接著，導電連絡部261與電極膜21之電極面217挾 持導電性黏著劑881地，將框架71按壓於導電連絡部261 及絕緣層24’。如圖50所示，經由固化導電性黏著劑881 ’固定框架71、和導電連絡部261及絕緣層24’。又，導 電性黏著劑8 8 1係經由固化，變化成上述之導電性接合層 262。如此’接合導電連絡部261及電極膜21之電極膜 217。又’形成接觸於電極膜21之電極面217與電極膜22 之電極面226之導通構件26。經由固定框架71、和導電 連絡部261及絕緣層24’，位於電極膜21之電極面217側 之電極膜22’則對於電極膜21而言，相對性加以固定。 -62- 201250963 同樣地，位於電極膜21之電極面217側之電極膜23，對 於電極膜2 1而言，相對加以固定。與本實施形態不同， 接合導電連絡部261與電極面217之後，在基台712與絕 緣層24 ’之間隙，經由注入液狀之樹脂材料，形成絕緣層 291 ’亦可。 接著，如圖51所示，從框架71除去基台712。由此 ，露出電極膜21之電極面216。 經由以上，形成圖5 1所示中間品85 1。 接著，如圖52所示，準備含晶片電極1 a之半導體晶 片1。接著，於半導體晶片1之晶片電極la，塗佈導電性 黏著劑89 1。於本實施形態中，導電性黏著劑89 1係焊錫 〇 接著，將導電性黏著劑8 9 1挾於晶片電極1 a與電極 膜21地，於中間品851搭載半導體晶片1。如圖53所示 ，經由固化導電性黏著劑89 1，於中間品85 1，固定半導 體晶片1。又，導電性黏著劑8 9 1係經由固化，形成導電 連接構件4。如此，將導電連接構件4，接合於晶片電極 la與電極膜21之電極面216。然而，本實施形態中，雖 將半導體晶片1搭載於複數個中間品85 1，在同圖中，顯 示搭載於中間品851之複數之半導體晶片1中之一個半導 體晶片1。又，將半導體晶片1固定於中間品8 5 1時，於 晶片電極1 a不塗佈導電性黏著劑8 9 1，於電極膜2 1，塗 佈導電性黏著劑891亦可。 如圖5 4所示，將半導體晶片1與電極膜21，以封閉 -63- 201250963 樹脂部60’加以被覆。封閉樹脂部60’之形成係例如可經由 轉移成形法加以進行。轉移成形法中，進行將中間品8 5 1 設置於模具，於模具內流入液化之樹脂的處理。 接著，如圖55所示，從框架73除去基台732。由此 ，露出電極膜23之電極面236與絕緣層25’之絕緣面259 。電極膜23及絕緣層25’係形成於平坦之表面基台732之 故，電極膜23之電極面236、和絕緣層25’之絕緣面259 係成爲同一面。 接著，如圖55所示，沿2點虛線991，經由切斷封閉 樹脂部60’，製造圖56所示之半導體裝置100。然而，經 由切斷封閉樹脂部60’，於封閉樹脂部60形成樹脂側面 61、62，於絕緣層24形成側面246、247，於絕緣層25形 成側面256、25 7。然後，樹脂側面61與側面246與側面 256係成爲同一面。同樣地，樹脂側面62與側面247與側 面257係成爲同一面。 接著，對於本實施形態之作用效果加以說明。 本fl施形態中，經由將電極膜21直接形成於基台712 ，形成框架7 1 »經由如此構成時，即使不存在導通構件 26,亦可預先將圖案形狀之電極膜21，形成於基台712。 一般而言，爲了進行微影技術，需要形成光罩，準備曝光 裝置》爲了進行微影技術，準備曝光裝置，是非常麻煩的 •本K施形態中，無需形成含某圖案形狀之電極膜21之 框架71之後，進行爲形成電極膜21之微影技術。爲此， 於半導體裝置100之製造工程中，無需於形成導通構件26 -64 - 201250963 之後，進行爲形成電極膜2 1之微影技術。因此，根據本 實施形態之方法時，可達成半導體裝置製造之效率化。 本實施形態中，更具備經由將電極膜23直接形成於 基台732，形成框架73之工程。經由如此構成時，即使不 存在需接合電極膜23之半導體裝置100之接合對象物（ 本實施形態中，爲絕緣層25及導通構件27)，亦可預先 將圖案形狀之電極膜23，形成於基台732。本實施形態中 ，無需形成含某圖案形狀之電極膜23之框架73之後，進 行爲形成電極膜23之微影技術。爲此，於半導體裝置1 〇〇 之製造工程中，無需於形成上述接合對象物後，進行爲形 成電極膜23之微影技術。因此，根據本實施形態之方法 時，可達成半導體裝置製造之效率化。 本實施形態中，形成配線層2之工程係包含於電極膜 21之電極面217側，對於電極膜21而言，相對性固定電 極膜23之工程、和從框架73除去基台73 2之工程。根據 如此方法時，電極膜23與電極膜21係於電極膜21之厚 度方向（半導體裝置100中，與半導體晶片1之厚度方向 Z —致），配置於相互不同之位置。爲此，根據本實施形 態之方法時，可有效率獲得在於方向Z，將在相互不同之 位置配置之電極膜21、23，被配線層2所包含之構成。 本實施形態中，形成導電連接構件4之工程，係在對 於電極膜2 1而言，相對性固定電極膜23之工程後進行。 即，參照圖52、53說明，將半導體晶片1搭載於中間品 851之工程係在參照圖49、50說明，將框架71固定於導 -65- 201250963 電連絡部261與絕緣層24’之工程後進行。根據如此 時，於配置複數之電極膜2 1、23之中間品85 1，搭載 體晶片1之前，可明確電極膜21、23等是否成爲意 形狀及構造（即，是否爲不良品）。爲此，於中間品 爲不良品之時，可避免將半導體晶片1搭載於該中 851。因此，根據本實施形態之方法時，可達成半導 置產率之提升。 有關本苡施形態之方法中，從框架73除去基台 之工程，係於形成導電連接構件4之工程後進行。即 照圖54、55說明，除去基台732之工程係在參照圖 53說明，將半導體晶片1搭載於中間品85 1之工程後 。如此構成時，電極膜23之電極面236係可能成爲 膜2 1、22、23中，與半導體晶片1最遠之部位。如 極面23 6係可能成爲接合於焊錫層820之接合面。又 於本55施形態之方法中，在對於電極膜2 1而言，相 固定電極膜23之工程之前，將電極膜23及基台732 緣層25’加以被覆。如此構成時，如圖37、56所示， 膜23之電極面236與絕緣層25之絕緣面259則成爲 面。即，電極膜23係嵌入絕緣層25地加以配置。此 適於將電極膜23與絕緣層25之接觸面積變大。將電 23與絕緣層25之接觸面積變大係可使電極膜23與絕 25之接合力變大。因此，在從焊錫層820，在電極® 從絕緣層25脫落之方向，受到力量之時，可防止電 23從絕緣層25脫落。 構成 半導 圖之 85 1 間品 體裝 732 ，參 52 ' 進行 電極 此電 ，關 對性 以絕 電極 同一 係， 極膜 緣層 I 23 極膜 -66- 201250963 <第1 -C實施形態之第1變形例> 接著，對於本發明之第1-C實施形態之第1變形例加 以說明。 圖5 7係有關本變形例之半導體裝置之剖面圖》 本變形例係與半導體裝置100之製造方法相比，形成 配線層2之工程有所不同。爲此，圖57所示半導體裝置 Ml中，配線層2之上下方向與半導體裝置100相反。半 導體裝置101中，電極面217、227、236係朝向半導體晶 片1之位置側。另一方面，電極面216、226、237係朝向 與半導體晶片1之位置側相反之側。本實施形態中，電極 膜23之電極面23 6係挾著導電連接構件4，對向於晶片電 極la。又，XY平面所視之電極膜21、22、23之位置係與 半導體裝置1〇〇之位置不同。 本實施形態中，各電極膜23係方向Z視之，配置於 與半導體晶片1重疊之位置。更具體而言，各電極膜23 係方向Z視之，配置於重疊於半導體晶片1之晶片電極 1 a之位置。 另一方面，各電極膜21、22之任一者，第1層311 較第3層3 1 3更位於半導體晶片1之位置側。另一方面， 電極膜23之任一者中，第3層313較第1層311更位於 半導體晶片1之位置側。 絕緣層25之絕緣面25 9係接觸於封閉樹脂部60。 導電連接構件4係挾於電極膜23與晶片電極la。各 -67- 201250963 導電連接構件4係介入存在於電極膜23與晶片電極la 間，接觸於電極膜23之電極面23 6與晶片電極la。半 體裝置101安裝於安裝基板810之狀態中，焊錫層820 接合於電極膜21。 接著，對於半導體裝置1〇1之製造方法加以說明。 首先，進行與參照圖39〜49說明之工程相同之工 ，製造圖5 8所示製品。接著，如圖5 9所示，於框架 殘留基台712下，從框架73除去基台73 2。經由以上， 成圖5 9所示中間品8 5 2。 接著，如圖60所示，將中間品85 2反轉之後，與 造半導體裝置1〇〇之時相同地，進行以下之工程。 如同圖所示，於半導體晶片1之晶片電極1 a，塗佈 電性黏著劑891。於本實施形態中，導電性黏著劑891 焊錫。 接著，將導電性黏著劑89 1挾於晶片電極1 a與電 膜23地，於中間品852搭載半導體晶片1。如圖61所 ，經由固化導電性黏著劑891，於中間品852，固定半 體晶片1 »又，導電性黏著劑891係經由固化，變化成 電連接構件4»如此，將導電連接構件4，接合於晶片 極la與電極膜23之電極面23 6。然而，本實施形態中 雖將半導體晶片1搭載於複數個中間品8 5 2，在同圖中 顯示搭載於中間品852之複數之半導體晶片1中之一個 導體晶片1。又，將半導體晶片1固定於中間品8 5 2時 於晶片電極1 a不塗佈導電性黏著劑89 1，於電極膜23 之 導 係 程 71 形 製 導 係 極 示 導 導 電 半 -68- 201250963 塗佈導電性黏著劑8 9 1亦可。 如圖62所示，將半導體晶片丨與絕緣層25，與電極膜 23 ’以封閉樹脂部60,加以被覆。封閉樹脂部60,之形成係 例如可經由轉移成形法加以進行。轉移成形法中，進行將 中間品852設置於模具，於模具內流入液化之樹脂的處理 〇 接著’如圖63所示，從框架71除去基台712。由此 ，露出電極膜21之電極面216。 接著’如圖63所示，沿2點虛線991，經由切斷封閉 樹脂部60’，製造半導體裝置101。 接著’對於本變形例之作用效果加以說明。 本變形例中，經由將電極膜23直接形成於基台732， 形成框架73。如此構成時，由於與關於半導體裝置1〇〇所 述相同之理由，可達成半導體裝置之製造之效率化。 本變形例中，更具備經由將電極膜21直接形成於基 台712’形成框架71之工程。如此構成時，由於與關於半 導體裝置100所述相同之理由，可達成半導體裝置之製造 之效率化》 本變形例中，形成配線層2之工程係包含於電極膜2 3 之電極面23 7側，對於電極膜23而言，相對性固定電極 膜21之工程、和從框架71除去基台712之工程（參照圖 62、圖63 )»根據如此方法時，電極膜21與電極膜23係 於電極膜23之厚度方向（半導體裝置101中，與半導體 晶片1之厚度方向Z —致），配置於相互不同之位置。爲 -69- 201250963 此，根據本變形例之方法時，可有效率獲得在於方向Z， 將在相互不同之位置配置之電極膜2 1、2 3，被配線層2所 包含之構成。 本變形例中，形成導電連接構件4之工程，係在對於 電極膜23而言，相對性固定電極膜21之工程後進行。即 ，參照圖60、6 1說明，將半導體晶片1搭載於中間品852 之工程係在將框架71固定於導電連絡部261與絕緣層24’ 之工程後進行。根據如此構成時，於配置複數之電極膜21 、23之中間品8 52，搭載半導體晶片1之前，可明確電極 膜21、23等是否成爲意圖之形狀及構造（即，是否爲不 良品）。爲此，於中間品8 5 2爲不良品之時，可避免將半 導體晶片1搭載於該中間品8 52。因此，根據本變形例之 方法時，可達成半導體裝置產率之提升》 <第1-C實施形態之第2變形例> 接著，對於本發明之第1-C實施形態之第2變形例加 以說明。 圖64係有關本變形例之半導體裝置之剖面圖。 同圖所示半導體裝置102係在導電連接構件4包含柱 狀構件41與固定構件42之部分，與半導體裝置100不同 。柱狀構件41係銅或金所成支柱。柱狀構件4 1係向方向 Z延伸之圓柱狀。固定構件42係將柱狀構件4 1固定於電 極膜2 1。固定構件42係例如由銀或焊錫所成。將半導體 晶片1搭載於圖51所示之中間品8 5 1時，在晶片電極1 a -70- 201250963 設置柱狀構件41之狀態下，於柱狀構件41與電極膜21 間’介入存在銀糊或焊錫糊。由此，半導體晶片〗則固定 於中間品85 1。然後，銀糊或焊錫糊則成爲固定構件42。 如此之構成時，亦可得與半導體裝置100相同的效果 <第1 -C實施形態之第3變形例> 接著，對於本發明之第1-C實施形態之第3變形例加 以說明。 圖65係有關本變形例之半導體裝置之剖面圖。 本變形例係與半導體裝置1 0 1之製造方法相比，製造 配線層2之工程有所不同。爲此，半導體裝置103中，電 極膜23之電極面23 7則朝向半導體晶片1之位置側，電 極膜23之電極面23 6則朝向與半導體晶片1之位置側相 反之側。本實施形態中，電極膜23之電極面23 7係挾著 導電連接構件4，對向於晶片電極la» 接著，對於半導體裝置1 03之製造方法加以說明。 首先，經由參照圖3 9〜圖41說明之方法，製造框架 71 、 72 、 73 ° 接著，如圖66所示，準備含晶片電極la之半導體晶 片1。接著，於半導體晶片1之晶片電極1 a，塗佈導電性 黏著劑891 (本變形例中，省略圖示）。 接著，將導電性黏著劑891挾於晶片電極la與電極 膜23地，於框架73搭載半導體晶片1。經由固化導電性 -71 - 201250963 黏著劑891，於框架73，固定半導體晶片1。又，導電性 黏著劑8 9 1係經由固化，變化成導電連接構件4。如此， 將導電連接構件4，接合於晶片電極la與電極膜23之電 極面23 7。 接著，如圖67所示，將半導體晶片1與基台732與 電極膜23，以封閉樹脂部60’加以被覆。封閉樹脂部60’ 之形成係例如可經由轉移成形法加以進行。轉移成形法中 ，進行將框架73設置於模具，於模具內流入液化之樹脂 的處理。 接著，從框架73除去基台732。由此，電極膜23之 電極面236則從封閉樹脂部60’露出。 接著，如圖68所示，翻轉圖67所示之製品》 接著，如圖69〜圖71所示，重覆與參照圖43〜圖51 所說明之工程相同之工程，形成絕緣層24’、25’及電極膜 21、22。具體而言係如下所述。 如圖69所示，於封閉樹脂部60’及電極膜23上，形 成於絕緣層25’。接著，部分除去絕緣層25’。接著，形成 導電連絡部271 »接著，於導電連絡部27 1塗佈導電性黏 著劑882 (省略圖示）。接著，形成絕緣層292’》接著， 導電連絡部271與電極膜22之電極面227挾持導電性黏 著劑882地，將框架72按壓於導電連絡部271及絕緣層 25’。經由固化導電性黏著劑882，固定框架72、和導電 連絡部271及絕緣層25’。又，導電性黏著劑8 82係經由 固化，變化成上述之導電性接合層2 72。如此，接合導電 -72- 201250963 連絡部271及電極膜22之電極面227。又，形成接觸於電 極膜22之電極面227與電極膜23之電極面236之導通構 件27。經由固定框架72、和導電連絡部271及絕緣層25, ’位於電極膜23之電極面236側之電極膜22，則對於電 極膜23而言，相對性加以固定。接著，從框架72除去基 台 722。 接著，如圖70所示，形成絕緣層24’等之後，配置框 架71。接著，從框架71除去基台712，翻轉圖71所示製 品。 接著，如圖71所示，沿2點虛線991，經由切斷封閉 樹脂部60’，製造半導體裝置103。 接著，對於本變形例之作用效果加以說明。 本變形例中，經由將電極膜23直接形成於基台732， 形成框架73。如此構成時，與半導體裝置101同樣地，可 達成半導體裝置之製造之效率化。 本變形例中，更具備經由將電極膜21直接形成於基 台712，形成框架71之工程。如此構成時，與半導體裝置 101同樣地，可達成半導體裝置之製造之效率化。 本變形例中，形成配線層2之工程係包含於電極膜2 3 之電極面23 7側，對於電極膜23而言，相對性固定電極 膜21之工程、和從框架71除去基台712之工程（參照圖 70)。根據如此方法時，電極膜21與電極膜23係於電極 膜23之厚度方向（半導體裝置103中，與半導體晶片1 之厚度方向Z—致），配置於相互不同之位置。爲此，根 -73- 201250963 據本變形例之方法時，可有效率獲得在於方向Z，將在相 互不同之位置配置之電極膜21、23，被配線層2所包含之 構成。 <第2-C實施形態> 圖72係有關本發明之第2-C實施形態之半導體裝置 之安裝構造之剖面圖。 同圖所示安裝構造802係具備半導體裝置200、和安 裝基板810、和焊錫層820。半導體裝置200係搭載於安 裝基板810»安裝基板810與焊錫層820係與1-C實施形 態相同之故，省略說明。 半導體裝置200係具備半導體晶片1、和配線層2、 和2個導電連接構件4、和封閉樹脂部60。半導體晶片1 及導電連接構件4係與第1 -C實施形態相同之故，省略說 明。 本實施形態中，配線層2係包含複數之電極膜23、和 複數之導通構件281、和複數之引線282。電極膜23之具 體構成係與上述半導體裝置1〇3之構成相同之故，省略說 明。 各引線2 82係由銅等之導體所成。各引線2 82之厚度 (方向Z之尺寸）係較電極膜23之厚度爲更厚。各引線 282之厚度例如爲〇.1〜〇.4mm。各引線282係具有與複數 之電極膜23之任一者重题之部位。 各導通構件281係介入存在於電極膜23與引線282 -74- 201250963 之間。導通構件281係方向Z視之，配置於重疊於電極膜 23及引線282之兩者之位置。導通構件281係接觸於電極 膜23及引線2 82。介著導通構件281，導通電極膜23及 引線2 82。導通構件281係例如由焊錫所成。 封閉樹脂部60係包含第1樹脂部65及第2樹脂部66 〇 第1樹脂部65係稱之爲底塗料，被覆晶片電極ia、 和導電連接構件4、和電極膜23。第1樹脂部65係具有 樹脂面65 1。樹脂面651係平坦，與電極膜23之電極面 23 6成爲同一面。第1樹脂部65係例如由環氧樹脂所成。 第2樹脂部66係被覆半導體晶片1、和導通構件28 1 、和引線2 8 2。從第2樹脂部6 6不會露出半導體晶片1及 導通構件28、1。另一方面，引線2 82之一部分係由第2樹 脂66部露出。引線2 82中從第2樹脂部66露出之部分， 係接合於焊錫層820。 接著’對於半導體裝置200之製造方法加以說明。 經由經過半導體裝置103之製造工程相同之工程，製 造圖66所示製品。 接著’如圖73所示，形成第1樹脂部65。第1樹脂 部65係將液狀之樹脂材料，滴入電極膜23或電極膜23 之附近。結果，樹脂材料係流入基台732與半導體晶片1 之間’佔據基台732與半導體晶片1間之空間。之後，經 由硬化樹脂材料，形成第i樹脂部65。硬化樹脂材料時， 電極膜2 3與導電連接構件4與半導體晶片1則被固定。 -75- 201250963 接著，如圖74所示，從框架73除去基台7 3 2 »經由 除去基台732，露出電極膜23之電極面236與第1樹脂部 65之樹脂面651。電極膜23及第1樹脂部65係形成於平 坦之表面基台73 2之故，電極膜23之電極面23 6、和第1 樹脂部65之樹脂面651係成爲同一面。 接著，同圖所示，將導電性黏著劑8 9 2，塗佈於電極 膜23。於本實施形態中，導電性黏著劑8 92係由焊錫所成 接著，將電極膜23與引線282挾著導電性黏著劑892 ，將半導體晶片1配置引線282 »之後，如圖75所示，固 化導電性黏著劑892，固定電極膜23與引線282。導電性 黏著劑8 92係經由固化，變化成導通構件281。 接著’如圖76所示，形成被覆半導體晶片1、第1樹 脂部65、和導通構件281、引線282的第2樹脂部66，。 構成第2樹脂部66’之材料係使用與構成第1-C實施形態 之封閉樹脂部60’的材料相同者即可。 接著’同圖所示，沿2點虛線992，經由切斷第2樹 脂部66’，製造半導體裝置200。 本實施形態中，經由將電極膜23直接形成於基台732 ，形成框架73。如此構成時，由於與關於半導體裝置1〇1 所述相同之理由，可達成半導體裝置之製造之效率化。 本發明係非限定於上述之實施形態者》本發明之各部 具體構成係可做種種設計，變更自如《例如，第1-C實施 形態中’做爲配線層2，雖顯示包含電極膜2 1、22、23之 -76- 201250963 3層之例子，配線層2之電極層可爲3層以上。 (付記1 ) 包含：準備包含晶片電極之半導體晶片之工程、 經由將具有互爲朝向相反側之第丨電極面及第2電極 面的第1電極膜，直接形成於第1基台，形成第1框架工 程、 形成接觸於上述第1電極面與上述晶片電極的導電連 接構件的工程、 從上述第1框架除去上述第1基台之工程、 形成接觸於上述第2電極面的導通構件的工程的半導 體裝置之製造方法。 (付記2 ) 更具備：經由將第2電極膜直接形成於第2基台，形 成第2框架之工程、 於上述第1電極膜之上述第2電極面側，對於上述第 1電極膜而言’相對加以固定上述第2電極膜的工程、 從上述第2框架除去上述第2基台的工程之記載於付 記1之半導體裝置之製造方法。 (付記3 ) 形成上述導電連接構件之工程係，於固定上述第2電 極膜之工程後加以進行的記載於付記2之半導體裝置之製 -77- 201250963 造方法。 (付記4 ) 於固定上述第2電極膜之工程前，更具備將上述第2 電極膜及上述第2基台，以絕緣層被覆的工程、 除去上述第2基台之工程係於形成上述導電連接構件 之工程後加以進行的記載於付記3之半導體裝置之製造方 法。 (付記5 ) 更具備形成被覆上述半導體晶片之封閉樹脂部之工程 的記載於付記1乃至4之任一者之半導體裝置之製造方法 (付記6 ) 形成上述封閉樹脂部之工程係，於形成上述導電連接 構件之工程後進行的記載於付記5之半導體裝置之製造方 法》 (付記7 ) 上述半導體晶片係裸晶的記載於付記1乃至6之任一 者之半導體裝置之製造方法。 (付記8 ) -78- 201250963 上述第1電極膜之厚度爲〇·〇1〜0.03mm的記載於付記 1乃至7之任一者之半導體裝置之製造方法。 (付記9 ) 形成上述第1框架之工程中’將上述第1電極膜經由 電鍍加以形成的記載於付記1乃至8之任一者之半導體裝 置之製造方法。 (付記1 〇 ) 具備：包含晶片電極之半導體晶片、 和於上述半導體晶片之厚度方向，含有配置於互爲不 同之位置的複數之電極膜的配線層、 和被覆上述晶片電極、及上述複數之電極膜之任—者 的封閉樹脂部； 上述配線層係包含導通構件， 上述導通構件係具有上述複數之電極膜中，於上述厚 度方向，接觸於相互鄰接之任二個之電極膜中之一方，且 位於上述2個電極膜間的導電連絡部、和接合上述2個電 極膜之另一方及上述導電連絡部的導電性接合層的半導體 裝置。 (付記1 1 ) 上述配線層係包含上述複數之電極膜中，於上述厚度 方向，介入存在於相互鄰接之任二個之電極膜間之絕緣層 -79- 201250963 :上述2個電極膜之一方係具有朝向上述厚度方向之一方 的電極面，上述絕緣層係具有與上述電極面同一面之絕緣 面之付記1 〇所記載之半導體裝置。 (付記1 2 ) 上述電極面係朝向與上述半導體晶片之位置側相反之 側之付記1 1所記載之半導體裝置。 (付記1 3 ) 上述導通構件係貫通上述絕緣層記載於付記1 1或1 2 之半導體裝置。 (付記1 4 ) 上述各電極膜之厚度爲0.01〜0.03mm的記載於付記 10乃至13之任一者之半導體裝置》 (付記1 5 ) 更具備接觸於上述晶片電極之導電連接構件； 上述複數之電極膜係包含接觸於上述導電連接構件的 第1電極膜； 上述第1電極膜係接觸於上述導電連絡部的記載於付 記10乃至14之任一者之半導體裝置。 (付記1 6 ) -80- 201250963 更具備接觸於上述晶片電極之導電連接構件； 上述複數之電極膜係包含接觸於上述導電連接構件的 第1電極膜； 上述第1電極膜係接觸於上述導電性接合層的記載於 付記10乃至14之任一者之半導體裝置。 (付記1 7 ) 上述各電極膜係包含金或鈀所成第1層 '和層積於上 述第1層，且由鎳所成第2層的記載於付記10乃至16之 任一者之半導體裝置。 (付記1 8 ) 上述絕緣層之厚度爲0.02〜0.06mm的記載於付記11 之半導體裝置。 (付記1 9 ) 上述封閉樹脂部係包含被覆上述晶片電極及上述複數 之電極膜之任一者的第1樹脂部、和被覆上述半導體晶片 及上述第1樹脂部的第2樹脂部的記載於付記1〇乃至18 之任一者之半導體裝置。 (付記20) 具備記載於付記10乃至19之任一者之半導體裝置、 和支持上述半導體裝置之安裝基板、 -81 - 201250963 介入存在於上述半導體裝置及上述安裝基板間之焊錫 層的半導體裝置之安裝構造。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕顯示根據本發明之第ι-a實施形態之半導體 裝置之剖面圖。 〔圖2〕圖1所示半導體裝置之底面圖。 〔圖3〕圖1所示半導體裝置之主要部擴大剖面圖。 〔圖4〕顯示圖1所示半導體裝置之製造方法之一例 中，於基台形成端子之狀態的主要部平面圖。 〔圖5〕顯示圖1所示半導體裝置之製造方法之一例 中，設置半導體元件之工程的主要部剖面圖。 〔圖6〕顯示圖1所示半導體裝置之製造方法之一例 中，設置半導體元件之狀態的主要部剖面圖。 〔圖7〕顯示圖1所示半導體裝置之製造方法之一例 中，形成封閉樹脂之狀態的主要部剖面圖。 〔圖8〕顯示圖1所示半導體裝置之製造方法之一例 中，除去基台之狀態的主要部剖面圖。 〔圖9〕更詳細顯示較佳端子之形狀圖。 〔圖10〕顯示根據本發明之第2-A實施形態之半導 體裝置之剖面圖。 〔圖Π〕顯示根據本發明之第3 - A實施形態之半導 體裝置之平面圖。 〔圖1 2〕沿圖1 1之XI-XI線的剖面圖。 -82- 201250963 〔圖13〕圖U所示半導體裝置之底面圖。 〔圖Ϊ 4〕顯示根據本發明之第4_ a實施形態之半導 體裝置之剖面圖。 〔圖15〕顯示根據本發明之第1-B實施形態之半導體 裝置之剖面圖。 〔圖16〕圖15所示半導體裝置之底面圖。 [Μ 17〕圖15所示半導體裝置之主要部擴大剖面圖 〇 〔圖18〕顯示圖15所示半導體裝置之製造方法之— 例中’於基台形成第3之金屬層之狀態的主要部平面圖。 〔圖19〕顯示圖15所示半導體裝置之製造方法之一 例中’於基台形成第2之金屬層之狀態的主要部平面圖。 〔圖20〕顯示圖15所示半導體裝置之製造方法之一 例中’於基台形成第1之金屬層之狀態的主要部平面圖。 〔圖21〕顯示圖15所示半導體裝置之製造方法之— 例中’形成導電連接構件之工程的主要部剖面圖。 〔圖22〕顯示圖15所示半導體裝置之製造方法之一 例中’形成導電連接構件之狀態的主要部剖面圖。 〔圖23〕顯示圖15所示半導體裝置之製造方法之一 例中，形成封閉樹脂之狀態的主要部剖面圖。 〔圖24〕顯示圖15所示半導體裝置之製造方法之一 例中’除去基台之狀態的主要部剖面圖。 〔圖2 5〕更詳細顯示較佳端子之形狀圖。 〔圖26〕顯示根據本發明之第2_β實施形態之半導體 -83- 201250963 裝置之主要部剖面圖。 〔圖27〕圖26之半導體裝置之主要部擴大剖面圖。 〔圖28〕顯示圖26所示半導體裝置之製造方法之一 例的主要部平面圖。 〔圖29〕顯示根據本發明之第3_B實施形態之半導體 裝置之剖面圖。 〔圖30〕圖29所示半導體裝置之主要部擴大剖面圖 〇 〔圖3 1〕顯示根據本發明之第4-B實施形態之半導體 裝置之剖面圖。 〔圖32〕圖31所示半導體裝置之主要部擴大剖面圖 〇 〔圖33〕顯示根據本發明之第5-B實施形態之半導體 裝置之平面圖。 〔圖34〕沿圖33之XXXIV-XXXIV線的剖面圖》 〔圖35〕圖33所示半導體裝置之底面圖。 〔圖36〕顯示根據本發明之第6-B實施形態之半導體 裝置之剖面圖。 〔圖37〕爲說明根據本發明之第1_C實施形態之半導 體裝置之安裝構造的剖面圖。 〔圖38〕圖37所示電極膜之平面圖。 〔圖39〕顯示根據本發明之第1-C實施形態之半導體 裝置之製造方法所形成框架之剖面圖。 〔圖40〕顯示根據本發明之第〗-C實施形態之半導體 -84- 201250963 裝置之製造方法所形成框架之剖面· 〔圖41〕顯示根據本發明之第 裝置之製造方法所形成框架之剖面圖 〔圖42〕顯示根據本發明之第 裝置之製造方法之一工程之剖面圖。 〔圖43〕顯示緊接圖42之一工 〔圖44〕顯示緊接圖43之一工 [圖45〕顯示緊接圖44之—工 〔圖46〕顯示緊接圖45之一工 〔圖47〕顯示緊接圖46之一工 〔圖48〕顯示緊接圖47之一工 〔圖49〕顯示緊接圖48之一工 〔圖50〕顯示緊接圖49之一工 〔圖51〕顯示緊接圖50之一工 〔圖52〕顯示緊接圖51之一工 〔圖53〕顯示緊接圖52之一工 〔圖54〕顯示緊接圖53之一工 〔圖55〕顯不緊接圖54之一工 〔圖56〕顯示緊接圖55之一工 〔圖57〕顯示根據本發明之第 形例之半導體裝置之剖面圖。 〔圖5 8〕顯示根據本發明之第 形例，半導體裝置之製造方法之工程 〔圖59〕顯示緊接圖58之一工 1-C實施形態之半導_ J ° 1-C實施形態之半導體 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 程之剖面圖。 1-C實施形態之第1變 1-C實施形態之第1變 丨之剖面圖。 程之剖面圖。 -85- 201250963 〔圖60〕顯示緊接圖59之一工程之剖面圖。 〔圖61〕顯示緊接圖60之—工程之剖面圖。 〔圖62〕顯示緊接圖61之一工程之剖面圖。 〔圖63〕顯示緊接圖62之一工程之剖面圖。 〔圖64〕顯示根據本發明之第〗_C實施形態之第2變 形例之半導體裝置之剖面圖。 〔圖65〕顯示根據本發明之第丨_C實施形態之第3變 形例之半導體裝置之剖面圖。 〔圖66〕顯示根據本發明之第i-c實施形態之第3變 形例，半導體裝置之製造方法之工程之剖面圖。 〔圖67〕顯示緊接圖66之一工程之剖面圖。 〔圖68〕顯示緊接圖67之一工程之剖面圖。 〔圖69〕顯示緊接圖68之一工程之剖面圖。 〔圖70〕顯示緊接圖69之一工程之剖面圖。 〔圖71〕顯示緊接圖70之一工程之剖面圖。 〔圖72〕顯示根據本發明之第2-C實施形態之半導體 裝置之剖面圖。 〔圖73〕顯示根據本發明之第2_C實施形態之半導體 裝置之製造方法之一工程之剖面圖。 〔圖74〕顯示緊接圖73之一工程之剖面圖。 〔圖75〕顯示緊接圖74之一工程之剖面圖。 〔圖76〕顯示緊接圖75之一工程之剖面圖。 〔圖77〕顯示以往之半導體裝置之一例的剖面圖》 •86- 201250963 【主要元件符號說明】 A1〜A10:半導體裝置 B1 :基板 100、 101、 102、 103、 200 ：半導體裝置 1 :半導體晶片 1 a ·晶片電極 10、 10A、10B ' 10C ' 10D、10E ：半導體元件
11、 12、 13、 14、 16:電極 15: TSV 3 :端子 3 0 1 :貫通孔 301 A :凹部 302 :凹部 3 0 3 :貫通孔 304 :凹部 3 1 0 :第1之金屬層 3 1 a、3 1 b :第1之開口部 3 20:第2之金屬層 32a、32b :第2之開口部 3 3 0 :第3之金屬層 3 3 a、3 3 b :第3之開口部 4 :導電連接構件 4 1 :柱狀構件 42 :固定構件 -87- 201250963 43、44:焊錫突起電極 4W :導線 5 :焊錫 6 :封閉樹脂 7 :基台 81、82 :接合構件 801、802:安裝構造 810 :安裝基板 8 2 0 :焊錫層 2 :配線層 21 :電極膜 21 3 :第1部分 214 :第2部分 2 1 5 :連結部 216、217:電極面 22 :電極膜 226、227 :電極面 23 :電極膜 236、237:電極面 24' 25、24、25’、291、292、291、2925 ：絕緣層 246、 247、 256、 257 ：側面 248、 249:開口 2 5 9 :絕緣面 2 6、2 7 :導通構件 -88- 201250963 261、 271 :導電連絡部 262、 272:導電性接合層 281 :導通構件 282 :引線 3 1 1 :第1層 312 :第2層 313 :第3層 60、 60’ ：封閉樹脂部 61、 62 :樹脂側面 65 :第1樹脂部 6 5 1 :樹脂面 6 6 :第2樹脂部 71、72、73 :框架 712、 722、 732 ：基台 8 5 1，8 5 2 :中間品 881、882、891、892:導電性黏著劑 991 ' 992 ： 2點虛線 X，Y，Z :方向 X，y，z : 方向 -89-