TW201249554A - Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, and storage medium - Google Patents

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Kousuke Yoshihara
Yuichi Yoshida
Taro Yamamoto
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Tokyo Electron Ltd
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Description

201249554 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 【0001】 —上本發明係關於—種基板清洗方法、基板清洗裝置及存放有實 施該基板清洗方法之程式之記憶媒體，將表面係疏水性之基板，、 例如塗佈有用於浸液曝光之光卩且之基板，或是於浸液曝光後更受 到顯影處理之基板等表面加以清洗。 【先前技術】 【0002】 自以往係藉由為半導體製造步驟之__之光阻步驟， ‘係基板之半導體晶圓(以下稱晶圓〕表面，並於曝光後顯影以g 之塗佈、败娜置輪進行光阻 【0003】 於如此一連串處理中，當顯影處理時^ ^ 部位以形成圖案。X，為將光阻之溶解先^溶解性 有==广自以:⑽ 液乘=流之溶解物及顯影 ’此旋轉清洗無法充分去除溶解產物， 然而 闊時雖未被視為-問題，但—旦線二以往圖案線寬寬 產物作為顯影缺陷出現之機率即告提言g侍狹f，殘留之溶解 解產物殘留’無法稱得上是可⑶清洗， 在此，本申請案之申請人曾提議使 同時使清洗液自清洗液料朝晶’使晶圓旋轉並 。丨莧吐，接著使清洗液 201249554 喷嘴稍微朝晶圓外方側移動，使>^2氣體自氣體喷嘴朝晶圓中心部 噴吐以形成乾燥區域之核心，接著使清洗液喷嘴噴吐清洗液，並 同時朝晶圓外方側移動’俾使不被此乾燥區域追上(專利文獻1)。 依此方法可獲得之清洗效果高，具有可在短時間内完成清洗之優 點。 【0006】 另一方面，元件圖案傾向於細微化、薄膜化日漸獲得進展， 伴隨此，業界對提高曝光之解析度之要求聲浪正逐漸升高。在此， 為更加改良藉由既存之光源，例如氟化氬(ArF)或氟化氪(KrF)進行 之曝光技術以提尚解析度，吾人曾探討一種方法，於基板表面形 成有光可透射之液相之狀態下進行曝光(以下稱「浸液曝光」。）。 次液曝光係在例如超純水中使光透射之技術，利用下列特徵進 行：波長在水中會縮短，故193nm之ArF波長在水中實質上會變 成 134nm。 【0007】 作為如此之/叉液曝光之諫題之一可舉出一可能性，亦即於水 :商殘留在日Ba®上之狀態下將晶圓自曝絲置朝塗佈顯影裝置輸 曝光後，晶圓雖會受到熱處理，但晶圓上若存在有水滴，或 是該水滴乾燥而產生係水之污潰之所謂水潰，即會對直正下方之 ΐ案解析造私良辟。因此需清洗曝光後之《表面以去除水 【0008】 且為在進仃浸液曝光處理時提高曝光; ί描=性並魏與—光裝置_之處理能 二表，成斥水性高，触水之靜態接觸角 在伴護膜二之;但提兩倾膜之斥水性恰會使/]、水滴殘留 21 = t ^，增大°又’該所謂水之靜態接觸角係如圖 滴外Ϊ之圓田弧而二付^於基板表面’以剖面觀察水滴時，就形成水 、’ 、5，基板表面上之切線與該表面形成角度Θ。且水 201249554 之靜態接觸角有時會因顯影處理而降低。以下，僅稱接觸角之記 載係指靜態接觸角，且係顯示顯影處理前之水之靜態接觸角。 [0009] 又，若為在曝光機浸液部中進行掃描而導致微粒殘留於基板 表面，該微粒即會被導入曝光機浸液部下方側之液體中，於各掃 置發生因該微粒而產生之顯影缺陷，故在開始進行浸液曝光 刖需清洗晶圓表面以確實去除微粒。然而若藉由專利文獻丨之方 法提高晶圓表面之接觸角，亦即提高該表面之斥水性，即會導致 在遠離晶圓之中心附近之區域難以充分去除微粒(浸液曝光前)或 是水滴(浸液曝光後）。 ’ 【0010】 其理由在於：如圖26(a)所示，使清洗液r自清洗液噴嘴u 朝晶圓w中心喷吐並遍及晶圓w全面，接著如圖26(b)所示，藉 由使N2氣體自氣體噴嘴12喷吐而在晶圓w之中心部形成乾燥^ 域之核、，此日守，因晶圓W表面之斥水性高，較薄的液體膜^二 以相§快之速度移動，因此導致此較薄的液體膜遭 水滴Μ殘留。又，於接近晶圓w中心之區域，因清洗 ，晶圓W中心部噴吐’且此區域之離心力小，故清洗 質上不發生水滴之殘留。 门Λ 【ooli】 且有人更曾探討一方法，在不使用該保護膜之情形下使 水性更高(疏水性大)之光阻膜(水之靜態接觸角在85度以上 如此之光阻時，於顯影後晶圓表面之斥水性亦高， 之方法中存在有如下之問題。 [0012】 晶圓表面之斥水性不甚高時，亦即水之接觸角不甚大日士 ，液朝晶圓中心部喷吐並擴開至全面後，乾燥核心二張 牯，如圖27(a)所示，朝晶圓外方流動之清洗液會沿凹 圖案表面牽賊留於絲_之凹部13内之清洗Υ = 液自該凹部13排出。相對於此，晶圓表面上之水 201249554 85度，絲燥核心、之擴張速度會變得相當快 較薄的^咖晶®外方流動之速度會贿相當快，=目、27⑼所 ll内凹K先内會自該液體膜中被撕裂而留在該凹部 要因。雖因已述之理由，此顯影缺陷幾乎不發 之區域，但在該區域外側則會頻繁發生。 、 【0013】 、’、' * 文獻2中記載有—清洗方法，使處理液嗔嘴自晶圓 中心朝闕lGmm〜l5mm之位置急速移動，其後自&喷嘴迅^ t圓中心部之乾燥，使處 嘴以3mm/秒以下之速度朝晶圓周緣掃描。然而此專利文獻2中未 ,-技術，即當晶圓表面具有大到85度以上之接觸:時中〇 ^貫自晶圓中心部附近乃至於周緣清洗該表面的技術。具體而 言’會發生下^問題，㈣清洗液噴嘴與氣體喷嘴之大小導致無 法順利形成麟區域，或是喷嘴移動速度慢，處理時間+。… ^專利文獻1]日本特請6侧號卿7、縣咖、 [專利文獻2]W02”724號公報(圖7、段落嶋、〇〇43) 【發明内容】 [發明所欲解決之課題] 【0014】 鑑於上述之情形，本發明之目的在於提供一種技術，於 性材料之表面上即使水之靜態接觸角如在85度以上可 之、、主 效果亦高，且可在短時間内完成清洗。 汽先 [解決課題之手段] 【0015】 本發明之基板清洗方法係清洗水之靜態接觸角在85度以上之 基板表面，其特徵在於包含下列步驟： 又 201249554 令基板固持部水平_基板，俾使基板巾心部與旋轉中心部 一致； 偏ίΐΐ板部繞著錯直軸旋轉，並同時使清洗液自清洗喷 U基板中‘卩噴吐，以藉由㈣力使該清洗液擴開至基板表面 wiifi板轉部持續旋轉，變更絲上清洗液之嗔吐位置 基板中㈣之偏心位置’並在已設定清洗液噴吐位置中之 氣射做氣射奴㈣喷吐位置 ^ 1面之距離為9mm〜15mm之狀熊下，使 該氣體喷嘴朝該基板中心部喷吐，以形成清洗液^燥區 其後，_令基板_部㈣並使清洗 燥區域朝外擴張之速度慢之速度朝基板周=位置以車乂槐 【0016】 莉 動 通之驅動機構使該清洗液喷嘴及氣體噴嘴一體移 基板置嘴移動變更基板上清洗液之喷吐位^至= 【0017】 上之ίϊ$另方法係清洗水之靜態接觸㈣度以 清洗Κΐ由並f由噴嘴固持部-體移動之第1 一致轉板_部斜_基板，俾使級中心轉驟中心部 雜錄旋轉，並同時使清洗液自第1清 應中，吐，以藉_心力使該清洗液擴開至i 使基板固持部旋轉，令喷嘴固持部移動 洗月偏離基板中心部之偏心位置喷吐ί:ί 洗液之噴吐健中之氣體喷吐位置側界面與1之^= 201249554 置中之清洗液喷吐位置側界面之距離為9mm〜 =體自該氣體喷嘴朝該基板中心部喷吐，以形成清2=燥 接著々喷固持部移動，俾使第1清洗 ^，=氣1止叙縣板中心部綠 σ之喷吐減之距雜基板巾心部與基板上氣 男晉 之距離近之狀態下，開始自該第2清洗、^立置 其後持續令基板固持部旋轉，在清 J ’及 朝外擴張猶 【0018】 ^ 緣位ί喷ί謂第嘴朝乾燥區域之外 清洗效果之範圍内清洗液開奸卜：立置」f包含於在不影響 ，中，例而言有例如因噴嘴驅動機構U '' 而導致軸之細職獅i [0019】 上之又其方法係清洗水之靜態接觸角在85度以 液噴嘴及氣财嘴，m持部-n移動之清洗 致； 、 中 心部與旋轉t心部 201249554 液朝噴 體噴吐位置側界面與氣體之噴吐位置^清=液噴ί 备朝邊基板中心部料’成清洗液之乾燥區域；、 s娀及氣體’並令喷嘴固持部朝與為形成該乾燥 基板固持部旋轉，在喷吐清洗液之狀態下以較該 速度慢之速度，使清洗液之喷吐位置朝基板 【0020】 巧板清洗方法中，亦可構成清洗液噴嘴，俾使#氣體喷嘴 自基板中心部姻緣移鱗，清洗液喷嘴投影在基板表面上 二區域不位於燥區勒，且清洗液自此清H冑嘴朝傾斜方向 噴吐，且或是亦可將清洗液喷嘴安裝在喷嘴固持部上，俾使嗜主 洗液喷嘴之方向可變更’ JL調整清洗液喷嘴之方向，俾^ 喷嘴自基板中心部朝周緣移動時，基板表面上喷吐口之 < 不位於乾燥區域内。 【0021】 此等基板清洗方法中，例如可於產生該乾燥區域後，隨清洗 液之喷吐位置择近基板周緣降低基板之轉速，此時，可控制基板 轉速，俾使清洗液之噴吐位置上之離心力在計算上一定。且^基 板=可係使顯影液在經曝光之基板表面喷吐並經顯影後之基板: 此時該基板表面係例如該光阻表面。且該基板係例如塗佈有光阻 且處於浸液曝光前之階段之基板，或經浸液曝光且處於顯 階段之基板。 10 201249554 【0022】 之 具有卉=====嶋-以上 -致ΐ板固持。P，水平固持基板’俾使基板中心部與旋轉中心部 構，令該基板固持部繞著錯直軸旋轉； 喷吐’厂Μ紫’使清洗液朝由該基㈣持部所固持之基板表面 畅縣細铸叙基絲面喷吐； f =，輸出控制信號，俾使實行下列』，及 心部旋，f同時使清洗液自清洗液喷嘴朝基板中 接著持病清洗液擴開録板表面整體； 至偏離美^7 ί板固持雜轉，變更基板上清洗液之喷吐位置 側界面之雜t面H反上氣體之喷吐位置之清洗液喷吐位置 吐，以形成，先液之乾燥區域；及〜、i—亥基板中心部噴 清洗轉，使清洗液於該偏心位置喷吐之 移動。^w餘區_外擴張之速度慢之速度朝基板周緣 【0023】 ' 相對多貪嘴驅動機構 與基板上id ft ?噴錄置之氣體私位置側界面 15xnm 【0024】 ，吐位置之h洗液噴吐位置側界面之距齡Q_ 上之=====觸角在_ 201249554 基板固持部’水平固持基板，俾使基板中心部與旋轉中心a 致， 丨 旋轉機構，令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉； 第1清洗液喷嘴及第2氣體噴嘴，使清洗液朝由該基 部所固持之基板表面喷吐； 土版固持 噴鳴驅動機構，用以分別使該第1清洗液喷嘴、第主 喷嘴及氣體噴嘴一體移動；及 /〜液 控制部，輸出控制信號，俾使實行下列步驟： 令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉並同時使清洗液自 、主 接著持續令基板固持部旋轉，令喷嘴固持部移動，俾传本 液自第1清洗液喷嘴朝偏離基板中心部之偏心位置噴吐，並在已 ΐΐ清ΐ液之喷吐位置中之氣體喷吐位置側界面與氣體之嘴吐位 A Μ之Ζ月'先液喷吐位置側界面之距離為9mm〜l5mm之狀能下使 ^自該氣體喷嘴|腫基板k部喷吐，以形成清洗液之^乞燥^ 邱7喷嘴固持部移動’俾使第1清洗液喷嘴離開基板中心 。’f停止《t錢體且基板巾心部與清洗液自第2清洗嘴喷 雜基板巾㈣與氣體倾在基板上之投影位 k之狀‘％下開始使清洗液自該第2清洗液噴嘴噴吐； 嗔吐iiS續ί基板固持部旋轉’在清洗液自第2清洗液喷嘴 液·^植之織之速度，使清洗 置之Ξ二部與清洗液自第2清洗液喷嘴噴吐之喷吐位 亦包含此基板上氣體喷嘴之投影位置之距離近」 滴第 喷嘴之清洗液而自氣體噴嘴落下之液 【0025】 12 201249554 疏水性表置係清洗水之靜態接觸角在85度以上之具有 基板固4 在於包含： 一致； &十口持基板’俾使基板中心部與旋轉中心部 構:产玄基板固持部繞著鉛直軸旋轉； 喷吐Γ巧嘴’使清洗液朝由絲板畴部賴狀基板表面 氣體田朝由該基板’部所固持之基板表面喷吐； 及、-栈構，用以使該清洗液喷嘴及氣體喷嘴分別移動； ’輪出控制信號’俾使實行下列步驟： 一致了土板ϋ持部水平_絲，俾使基板巾，與旋轉中心部 嘴朝基繞者ϊ直f旋轉並同時使清洗液自清洗液喷 整體；σ 、σ，以猎由離心力使該清洗液擴開至基板表面 液朝:ίίί基ί固持部旋轉，令喷嘴固持部移動，俾使清洗 仿罢/中丨ΐ 位置側界面與氣體之喷吐位置中之清洗液喷吐 ㈣H之距離為9mm〜15mm之狀態τ使氣體自該氣體喷嘴 板ΐ心部噴吐’以形成清洗液之乾燥區域丨、、 吐清洗液及氣體，並令喷嘴固持部朝與為形成該乾焊 動’於該乾燥區域之外緣位i; 其後持讀令基板固持部旋轉，在喷吐清洗 朝外擴張之速度慢之速度，使清洗液 【0026】 該Μ清洗裝置中，例如可構成清洗液喷嘴為使 斜方向喷吐’俾使當氣體喷嘴自基板中心部_緣移動時，清洗 13 201249554 j基板表面之投影區域不位於乾燥區域内，且可將、、主 亦編面上之娜域不位於乾燥區^ 心^喷俾使清洗液喷嘴使清洗液朝該偏 速，該控制:可㈡ 朝該偏心位置“後:於例如清洗液喷嘴使清洗液 位置離心力在將液之料位置聽贿，於喷吐 【0027】 時，ί板供給顯f彡狀顯影處理後進行清洗 上水if =在85如上絲示_處理前之基板 處ί:ϊίϊ=Γί行’故難以正確測定顯影處理後，清： 二：接觸角’故如此定義靜態接觸角。 呈有記憶媒體可用於清洗水之靜態接觸角在85度以上之 ϊ，ϋ徵=之基板表面之裝置内，存放有在電腦上動作之程 步驟群組，俾使實行上述基板清洗方法。 【0029】 轉产之Ϊ在85度以上之具有高斥水性之基板表面進行旋 供二位置至心部供給清洗液後’變更基板上清洗液之 位置之々ίΐ基板中心部之偏心位置，並在基板上清洗液噴吐 位置側界面與基板上氣體噴吐位置之清洗液噴吐 部噴」界米成ΐΐΐ 9ιΓ〜15mm之狀態τ使氣體朝該基板中心 、形成h洗液之乾燥區域，其後，持續令基板旋轉並使清 201249554 洗液之供給位置讀該乾燥區麵外舰之速度慢之 周緣移動，故可麟之清洗效果高，且可在短時㈣完成清洗扳 又，如自後述之評價試驗所得知，特別是若使本發明適用於對娘 曝光之基板絲供給顯織錢行顯影後之基板，即可使發生^ ，缺陷之機将低至幾近完全沒有之狀態，對產量之提昇極具貢 獻。 可if而附著於噴嘴之液滴於所形成之乾燥區 域洛下，故可更確貫地降低顯影缺陷發生之機率。 【實施方式】 【0030】 [第1實施形態] 妒能將3日f之基板清洗裝置組合在顯影裝置中之實施 f圓^之此面=1?2係一基板固持部，抽吸吸附基板，例 t口曰曰0 W之月面側中央部以將其固持於水平姿熊。
由旋轉軸21與包含_機構 g = J =〜之狀態下進行旋轉及昇降又，^例=以 圓W之中心位於旋轉夾盤2之旋轉轴2i上。 【0031】 成開，二盤;卜巧，w，並於上方侧形 32 35之底面形成有排=二3口5 ^其剖面士形成為凹部狀。於液承接部 W上溢出或是被甩出 由^^排出口 36將自晶圓 裝置外部排出。且#承接部35所储存之顯影液或清洗液朝 且於Η喊34外侧設相 15 201249554 37。又’雖已省 3根基板支持销二不，但設有昇降銷，係貫通圓形板34之例如 構之協力作=f曰HI，昇降銷與未經圖示之基板輪‘ 【〇〇33f將曰曰®傳遞至旋轉夾盤2。 為基，洗㈣包細彡液噴嘴 呈沿由旋轉失般2 U g 5:顯影液喷嘴23包含:喷吐口 23a， 缝狀(參照圖文2.7； 曰曰圓W直徑方向延伸之帶狀，例如狹 顯影液供給系25。此t 顯影液供給路24，例如配管連接 制設備等。、如液仏、、，°糸25包含顯影液供給源、供給控 【0034】 此喷由係支持構件之喷嘴臂26 —端側所支持， 97 'ti* 纟而側則與包含未經圖示之昇降機構之移動美i# 27連接，且移動基體27構成為 j = 之未經圖示之、，沿朝X方向延伸ΐ弓^^^3Ϊ構 於此萸鳴待α-ρ部29進行喷嘴前端部之清洗等。 【0035】 清洗液喷嘴4包含喷吐口 4〇(參照圖4)，經由:主峰游 管連接清洗液供給f 43。此清包含ί洗 液供給源:供給控制設備等’供給控制設備包含‘ j 之泵及，等。且清洗液嘴嘴4如圖3所示，經由噴嘴、持立二. 定於噴嘴臂怀此喷嘴臂44與包含昇降機構之動、。 此移動基體45構成為稍糾機構―龍岭移圖 TF之驅動源，_如刻導構件Μ衫與齡彡㈣ 二 擾之情【ioif向移動。且圖中46係清洗液喷嘴4之待命部。干 氣體喷嘴5經由配管連接氣體供給系51，於 ^ 給系51包含係非活性氣體之N2(氮)氣體供給源、供給控=備 16 201249554 等。且氣體喷嘴5固定於例如喷嘴固持部41，構成為 臂44與清洗液喷嘴4 一齊移動。 猎由0 【0037】 接著使用顯示清洗液R及A氣體G噴吐之狀態之 關於清洗液喷嘴4與氣體喷嘴5之分離位置。圖中4A、 °兄月 清洗液及氣體分別自清洗液噴嘴4之喷吐口 4〇、氣體 顯了 吐口 5〇朝晶圓W噴吐之清洗液噴吐(供給)/f立置、氣體喷吐= 位置。且此清洗液喷吐位置4人係噴吐口 4〇朝清洗液喷吐方向^ 之投影區域，氣體喷吐位置5A係喷吐α %朝 L i ί於晶圓W之投影區域。清洗液喷吐位置4A之氣體喷 吐位置5八側界面與氣體喷吐位置5A之清洗液喷吐 二，d為9mm〜15mm，如後述，上述之距離 A則界 曰守取‘，於本實施形態中可設定此大小於夂 f 12.35mm 4G之口徑為4.3職，氣體噴嘴5 ^ t 之供給位置中心與氣體‘ 【0038] —且圖中7係由電腦所構成之控制 以貫行此顯影裝置進行之後述動作中之夂= &含程式， 據該程式輸出用以控制下列者之ϋ传=為俾使根 25、顯影液噴嘴23移 市顯影液供給系 【0039】 接著說明關於使用上述顯货 後加以清洗之一連串步置使係基板之晶圓W顯影，其 置，顯影液喷嘴23、清洗液喷嘴外杯3卜内杯32處於下降^立 位置待命之狀態下，—旦氣體喷嘴5分別於既定待命 —日由未4较基板輸送機構將該表面 201249554 塗佈有光阻，且經浸祕光後之晶圓巾 示之昇降鎖之協力作用而使晶圓w^遞“ 中，使用高斥水性之材質作為光阻，因此晶圓w 表面之水之靜態接觸角為例如90度。 【0040】 嘴23接内杯32設定於上昇位置，並自顯影液噴 爲23朝日日囡W上供給顯影液，藉由口^ ^ 此射，例如將㈣液料23之如n 23a=；：自= 麵之位置，然後，使晶圓W以例如_〜1驗興之^ ΪίίΪ二並3吐"B以帶狀噴吐顯影液D，㈤時使顯影 ίΛ"®之旋轉半徑方向，亦即自晶圓科側朝中央 二_ & ?^口 23&呈帶狀喷吐之顯影液〇例如圖5中示意地 IS i ^ /外側_侧並列，俾使相互無_，藉此以螺 二t 面Λ體供給顯影液D。又’因旋轉中之晶圓〜之 之液體膜晶81 %表面朝外側擴開’結果使薄膜狀 成，圓w表面。又，光阻之溶解性部位溶解於顯影 液D中，其後留下形成圖案之非溶解性部位。 【0041】 曰圓t著φίίΓί喷嘴4 f此顯影液噴嘴23互相調換並配置於 曰曰0 +央。卩上方，再於緊接在顯影液喷嘴23停止供 tR自清洗封嘴4噴吐以清洗晶® w表^下 於此;#_ ’藉柄知此清洗步 [0042] 步驟1 :如圖6⑻所示，使清洗液噴嘴4與晶圓w c 3並將其奴於自晶圓W表面起例如15mm高二置中使旋轉 以例如麵哪之轉速旋轉，並同時自清洗液喷嘴4使^ 洗液R ’例如純水以例如250ml/分鐘之流量朝晶圓w中 吐例如5秒鐘。藉此清洗液R因離心力自晶圓w中 缘 201249554 擴開’藉由清洗液R將每影该、、土 4占 指晶圓W中心點及其附液洗掉。又，所謂晶圓W中心部C意 【0043】 步驟2 :接著使旋轉失般2以1 轉速旋轉並同時使喷嘴臂‘照圖2):，=1 如: 使清洗液喷嘴4自晶圓W中 ® 6_不’ 體嗔嘴5，俾與晶圓w中心部c相^ 夕動，藉此定位氣 250ml/分鐘之流量使清、_ 相對。此日^洗液喷嘴4以例如 移動。又，緊同時f例如150麵/秒之速度 心部€相對後令氣體U止，氣體喷嘴5與晶圓W中 性氣體之n2 G_5朝斜心部c吹送氣體，例如係非活 【0044】 ^ c 5 ^t<〇
表面露出之乾燥區域6因^心導膜破碎’晶圓W 之接觸角為90度，斥水性高 ^ ^日二81 W ^面上因水 洗液R噴吐之位置。圖6(文草乙”域^會在—瞬間擴張至清 其中係乾燥區域6。且清魅虛線頒不乾燥區域6之周緣，顯示 6大致為直獲25mm之圓形。_動，故於此日穩之乾燥區域 [0045] 故於該直獲二:士圓:::部彡喷吐而向外擴開， 心力亦對其發生作用，但早^面積“洗較量多，且離 該撞擊而朝外擴門你貪吐之〉月洗液R衝擊該中心部c，因 試驗推敲可知，7 ^=洗效果大。因此自後述之評價 陳乾w域6在一瞬間擴大，已述之圖27_ 19 201249554 示之現象亦可s兒是完全不可能發生，可確實將圖案之凹部内之清 洗液R排出。 【0046】 步驟3 .於乾燥區域6形成後使氣體噴吐結束，接著如圖6(c) 所示，藉由喷嘴臂44令清洗液喷嘴4、氣體噴嘴5朝晶圓w周緣 一體移動。自為形成乾燥區域6而開始供給氣體起至停止為止之 時間為例如0.5秒。 π 【0047】 +藉由此步驟3，在晶圓W旋轉之狀態下，使清洗液R自清洗 液喷嘴4喷吐。設定清洗液喷嘴4之移動速度為較乾燥區域6朝 外側擴大之速度慢之速度，例如5mm/秒。若藉由清洗液喷嘴4使 清洗液朝晶圓W中心部C喷吐，其後不使清洗液喷吐而僅吹送 N、2氣體G，即會使乾燥區域6朝外侧擴大，而上述所謂「乾燥區 域6朝外側擴張之速度」係此時之速度。晶圓w表面之斥水性高， 故如已述乾燥區域6擴張之速度快，因此若使清洗液喷嘴4之移 動速度快於乾燥區域6擴張之速度，即會如圖27(b)所示使清洗液 R殘留。且此步驟3中，如圖9所示，可控制晶圓w之轉速，俾 使清洗液R於各喷吐位置因晶圓w旋轉產生之離心力 -定。步驟3開始時之轉速為例如2〇〇〇rpm。 。十“ 【0048】 如此控制轉速之理由在於吾人欲使供給至晶圓W上每一單位 面積之β洗液R之量於晶圓W面内一致，藉此即使在遠離晶圓w 之，心部C之區域中獲得之清洗效果亦高。又，只要可獲得如此 效果’即使在清洗液R之各喷吐位置上晶圓貿旋轉所產生之離 心土非為一定，亦可控制晶圓w之轉速，俾使清洗液及之供給位
置愚接近晶圓W中心晶圓W之轉速愈高，換言之，俾使清洗液R 之供給位置愈接近晶圓W周緣晶圓W之轉速兪低。. 【0049】 ’一 步驟3開始時之轉速宜為例如2〇〇〇rpm〜3〇〇〇rpm，高於 3000rpm會導致發生水氣等問題，且低於⑻印以則又會使乾燥 20 201249554 Ξί6 速度變慢，處理時’長。且為實現處理時間之縮 二』Ϊ;驟3中噴嘴之移動速度雖宜盡量快，但若二又會 使isr故宜不超過—。 之位i，ΐί嘴4二中心一旦抵達自晶圓w周緣稍微靠中心 日二，停止自氣體喷嘴5噴吐Ν2氣體 ； 喷吐相同之時點’但亦可在清崎止喷】ΐΐί 【0051】 此例ΪΪ ί停止喷吐清洗液R後’以相同之轉速(於 侧擴大，乾燥二#二°藉此乾燥_朝外 轉速繼浐私〜^^ΛΛΛ、 j日日® W周緣後’於此例中使晶圓W之 其乾⑶液喷：^::::上之液滴以使 w又丄顯影後之晶圓W±"形成有係圖案之凹部，此凹邱内得親 角降低之部分。本發明之：二 清洗步驟。雌減給顯織之料性表面之基板 2板表面而言，雖因藉由顯影液改變光月= 表接^之角^上 201249554 處理前之^^進彳τ，故難以正確般齡彡處理後清洗 角 此絲靜態接觸角。 體内之程文連ί 2 I〜4係藉由CPU讀取存放於控制部7記憶 信號加以輸出^^彳^命令卿贿已述各機構動作之控制 【0054】 有古ΪΐΪΪί形態’對具有表面上水之接觸角在85度以上之且 對1Ϊ·Ϊφ /面之晶圓W進行顯影後，當旋轉清洗時，在 自ΐ中心部朝偏 清洗ί ί後，使清洗液R之供給位置 較該度6慢ίϊ度s ί 絲晶® w周緣義。因此可獲得之清洗i果 =ί圓W之轉速愈低，藉此使對晶圓w上每 離晶圓w中心部之區域獲得之親效果亦高。鼠如 斥水㈣之紐輯黯祕光之技術而言 【0055】 「，ίϊ Ιί發明中’於步驟2之内，亦即當形成乾燥區域6時， 在m上清洗液喷吐位置之氣體喷吐位置側界面斑晶圓 w上氣财吐位置之清洗㈣錄制界面之輯d # 15mm之狀態下使氣體朝晶圓w中心部喷吐」係必要 本 明中，就自後述實驗發現此距離d之適當數值處而言有直 / 22 201249554 【0056】 [第2實施形態] 此實施形態中，清洗液喷嘴4及
同之喷嘴臂分別獨立移動。又，5構成為可藉由不 圓W中心部C喷吐，接著使清洗9液#，= 4使^洗液朝晶 心部C起算梢外側，並定位氣體2 ^自日日圓w之中 相對，自此氣體喷嘴5朝該中心部 ^匕因W之中心部C 6。其後’使清洗㈣嘴4在喷吐清洗^之2 乾燥區域
之周緣部附近(圖10(a)、⑻)，接著 ；t動=圓W
乾燥(圖陶)。另一方面，氣體嘴τ ^土 jf R ’使晶圓W G以形成錢區域6後，停対吐％氣體〜卩供給N2氣體 [0057】
離係盘第！ ^施(开之夜^ 4及氣體喷嘴5之分離距 中心；ί喑Λ广 中，氣體喷嘴5在對晶圓貿之 之上方/1 2乳體形成乾燥區域6後’雖位於該中心部C 實施形態°聯嶋+ _得與第1 喷喈4 實f形態中，在圖6⑻、⑼之動作後，移動清洗液 H Ϊ吐 氣體喷嘴5繼續使&氣體G朝該晶圓W之中 【0058】 [弟3實施形態] 古^，因供給顯影液或清洗液會導致杯體3内之氛圍中濕度提 :，知' 別是緊接在供給清洗液]^後，經供給該清洗液R之周圍之 $圍中濕度會提高。因此，於第1實施形態之步驟^中，當氣體 喷嘴5，隨清洗液喷嘴4而自晶圓中心部c朝周緣部移動時，有 ，圍之氛圍之水分附著於氣體喷嘴5表面而形成液滴，該液滴自 氣體喷嘴5朝乾燥區域6落下，進入形成於該處之四部内，而導 致發生顯影缺陷之虞。在此說明關於可抑制如此落下之液滴所導 致之顯影缺陷之實施形態。 23 201249554 【0059】 圖11顯示與圖1之顯影裝置構成相同之顯影襄置 圖1之顯影裝置構成相同之處則賦予與圖1相同關於與 說明，而以顯影鹱置70中與圆1之顯影裝置之差異省略其 之。設於顯影裝置70之第1清洗液噴嘴71對應清洗\中心說明 此清洗液喷嘴4構成相同。且此顯影裝置7〇中設有〜之貪嘴4，與 嘴72，與第1清洗液噴嘴71互相獨立對晶圓W供二1清洗液噴 2清洗液喷嘴72與清洗液喷嘴71相同，經由清洗耷洗夜。第 接與清洗液供給系43構成相同之清洗液供給系7/。文供給略73連 【0060】 ° 如圖12(a)所示，各清洗液喷嘴71、72及 嘴固持部41固定於喷嘴臂44，與第i實施形態相=嘴S經由嘴 晶圓w之徑向相互一體移動。圖中71a、72&分^ :構成為可沿 7卜72之各清洗液喷吐口 ’如圖12(b)所示=係清洗液噴嘴 下方使清洗液R噴吐。 為可分別朝金^亩 【0061】、 ° 自清洗液噴嘴71朝晶圓w噴吐之 吐位置侧界面與自氣體喷嘴5朝晶圓w嗔吐^ f吐位置之氣體喷 洗^吐位置側界面之距離d與第1實施·^體噴吐位置之清 〜15_。且沿各噴嘴71、％及5之移二相同，設定為9mm 吐口 50之中心P1與第2清洗液喷嘴氣體喷嘴5之噴 之距離d2設定為例如17 9m 貫吐口 72a之中心P2 該中心P1與該中心P2之距離之移動方向垂直之方向， 5與各喷嘴之移動方向平 。清洗液喷嘴7卜 G可分別朝晶圓W中心部喷吐，此=歹卜俾清洗液R、N2氣聽 清洗液喷嘴72之排列方向所構ίΓί，向與氣體喷嘴5 =^_於_，㈣销Θ她D 4G。。各喷 ^:先液賀嘴72朝乾燥區域6之 配置各賀嘴，俾當自第2 =液=切供給清洗液之供給 ^奢洗液R時，為自第 曰® W之中心部與氣 日日SJW之中心部之距離 之物近之狀II。所謂「晶圓 24 201249554 巾心部與自第2清洗液喷嘴72噴吐清洗液R之噴吐位 is； ral^ c w 5 ^ 嘴72及相同之情形。亦即’第2清洗液喷 、广P ^ 貧麵之位置係將因來自第2清洗液喷嘴72之清洗 液R而自氣體喷嘴落下之液滴去除之位 【0062】 牛驟使關^及圖14說明使用此顯影裝置7Q進行清洗之各 i乾各I洗液喷嘴71、72及氣體噴嘴5之動作 ^乾^域6之變動，圖14顯示清洗液R及氣體G自各喷嘴喷 ;tr、14中之虛線分職晶圓^之直經、晶价w 【0063] <—^驟81:與第1實施形態相同，供給顯影液後如圖13(a)所示， 扠疋弟1清洗液喷嘴71於與晶圓…之中心部c相對，且自晶圓 =表面起例如15mm高之位置，使旋轉夾盤2以例如1〇〇〇印=之 輅速旋轉，並同時自清洗液喷嘴71朝晶圓w之中心部c，以例 =250ml/分鐘之流量使清洗液R喷吐例如5秒鐘(圖M(a))。又， 清洗液尺因離心力自晶圓…之中心部C朝周緣擴開，顯影液因清 洗液R而被洗掉。 【0064】 步-V S2 ·接著使旋轉夾盤2以.I500rpm以上，例如2〇〇〇rpm 之轉速旋轉，並同時如圖13(b)所示，使清洗液喷嘴71朝自晶圓 W之中心部c起算稍外之外側移動，並使清洗液喷嘴72移動， 以接近晶圓W之中心部，藉此定位氣體喷嘴5，俾與晶圓w之中 心部C相對。此時第1清洗液喷嘴71以例如250ml/分鐘之流量喷 吐清洗液R並同時以例如150mm/秒之速度移動。又，氣體喷嘴5 緊接在與晶圓W之中心部C相對後朝該中心部C吹送氣體，例如 係非活性氡體之N2氣體G ’與第1實施形態相同，形成乾燥區域 6 °乾耜區域6擴大至因第1清洗液喷嘴71而使清洗液R喷吐之 位置(圖13(b))。 、 25 201249554 【0065】 =S3 :自氣體噴㈣始起例如G 5 1清时嘴71如清洗&接 w m y； 2ι^ 5 (14⑹嘴嘴72朝晶圓界之直經上移動 、、广p + 私動速度為弟2清洗液喷嘴72朝晶圓W噴吐、、主、、杰 S董+ί位於晶圓W之直徑上時，可自該第2清洗液ί嘴 ϋΓ卩歓之乾親域6之外緣錄供給清洗 速度，例如為150mm/秒。 〜无/夜之 【0066】 朝曰二嘴繼續移動’如上述’自第2清洗液噴嘴72 二f液R之噴吐位置—旦位於日日日® W之直徑上 圓W以例如25G卿之速度%^ =該^嘴72朝晶 自外二t 置」亦包含在不影響清洗效果之範圍内針對 Ιΐίίί；;5^5 2 動機構3 1如Λ之例中’舉例而言有例如因噴嘴之驅 置稍微乾燥區域擴紅軸料致清洗液之噴吐位 置稍ϋ『區域之外緣位置錯開之情形等。 72及，及圖14(e)所示，接著，清洗液喷嘴Μ、 之遠产、#u $曰曰圓冒周緣以較乾燥區域6朝外侧擴大之速度 示，I T _。如此於各喷嘴移動中，如® 15所 液、'高ι-ίΐΐ形成於清洗液噴嘴71及氣體噴嘴5，而導致該 ESF==:= 26 201249554 步驟S6 :又，自第2清洗液喷嘴72喷吐清洗 旦抵達自挪w麟域微接近t <錄， 晶圓W周緣2〜10mm之位置(圖Ι3(ί))，即停 4 嘴72命土清洗液R(圖_。又，晶^貧 ===轉，娜域6辦;:= 速設定為 此第3實施形態中亦在對晶圓w之中心部c供 後液R之供給位置朝自該中⑽c偏心之偏心位置移R 亚在日日圓W上氣體喷吐位置之清洗、、存哈 ，之氣體喷吐位置侧界面之距離為9麵〜15麵面=^^ :=之中心紅吹送職〇，產生乾燥區域6之= 旋轉並使清洗液R之供給位置以較該乾燥區域6向外 ί ΐίίΐίίίΐί圓Μ緣移動。因此與第1實施形態相 72供仏、青、先液^^:土且形成乾無區域6，自第2清洗液喷嘴 6之二H Ϊ月洗液喷嘴71及氣體喷嘴5朝較乾燥區域 滴區域移動，故可抑制因自此等喷嘴滴落之液 【0070】 -[第4實施形態] 之壯實Ϊ形態之清洗方法係使用與第1實施形態中所使用 使二二ΪΪΪ置Ϊ行，清洗液喷嘴4及氣體喷嘴5 -體移動。 氣體喷嘴5之動作之圖a加以說明，而 ；輪係各贺嘴之移動方向之圖中之左右方向為X方 i右1雕稱配严有清洗液噴嘴4之一側(圖16 *右側)為+x側，配
料第1實施形態相同，供給顯影液後，清洗液尺自清 ^ ^ 4朝晶® W之中心部C噴吐(圖1_，在喷吐清洗液R 27 201249554 之狀態下使清洗液喷嘴4及氣體噴嘴5朝+χ 喷嘴5，俾與M W之中心部C相對。又，自力二: 中心部C供給Ν2氣體G以形成乾燥區域6(圖 開始經過既㈣間後，停止供給N2氣體G及清洗夂， =6在晶® W上擴大之速度_之速度使清洗液喷嘴*及氣體 喷鳴5朝-X方向移動(圖16(c))。此時喷嘴4、5 黏 ' 150mm/秒。 讚…之私動速度例如為 【0072】 又，清洗液喷嘴4通過晶B W之中心部c上方 始噴吐清錄R，騎對乾域6巾上述之外緣位置供給= 液R(圖16(d))。其後，在自清洗液噴嘴4喷吐清洗液R之狀能， 喷嘴4及氣體喷嘴5以較乾燥區域6朝外側擴大^速度 ，、、又，例如5mm/秒朝-X方向移動，乾燥區域6因應清洗 =鳴4之移動朝外侧擴大(圖吨》。然後，清洗液喷嘴[一旦_ 動至晶圓W周緣部附近，即停止噴吐清洗液R，*第 ^ 之步驟4相同，使晶圓W乾燥。 弟1貝_悲 【0073】 右二^”實施形態中其喷嘴配置亦與第1實施形態相同，故呈 ί後二貫??m錄。且此第4實施形態中在N2氣體喷 嘖ΐ、主側區域配置氣體喷嘴5，清洗液喷嘴4 育吐h洗液並同時在朝晶圓w周緣移動時氣體噴嘴5在 ^ =外側移。動’故液滴即使自氣體喷嘴5朝晶圓W落下，亦"ϋ 乾燥區域6内落下。因此可更確實地抑制顯影缺陷之發生。 乾4實施形態中雖於乾燥區域6形成後，噴嘴4、^通過 滴故有Ϊ滴附著於移動中之各噴嘴，而導致該液 抓、*&域6洛下之虞，但如此喷嘴移動時乾燥區域6 嘴4心s力小之晶圓買中心部，可抑制在乾燥區域6上移動之各喷 乾炉動距離’故相較於第1實施形態，可抑制液滴落;於 缺惟第3實施縣可更確實地抑制此因液轉致之顯影 28 201249554 • [0074] 此貫施形態中，為抑制喷嘴移動中液辦 之待命區域如圖17⑻、（b)。此例中，構^ ’亦I構成噴嘴 放之容器4C内之空間，容器4C内設6為^開 待命中吹送乾燥氣體以使該噴嘴4乾燥；及排氣於复嘴4 待命區域46内供給之乾燥氣體排氣。如此構待^ H以使對 期間内，使此喷:二 f洗液喷嘴4落下於乾燥區域6。圖中4B係氣; i嘴；鄰中區域46相同：二 以加熱器’藉由此加熱器之^ 【0075】 [第5實施形態] 接著說明關於係第4實施形能夕樹游外 實施形態巾朗行之清洗實施形態。此 顯影裝置相同，但如圖18^ ^、構成雖大致與弟1實施形態之 X方向軸為旋射^，驗χ 倾成為可以 【0076】 /口/、χ方向水平垂直之γ方向傾斜。 先，關於第5實施形態之清洗方法。首' 下方之清洗ϋ嘴I y朝清洗液喷吐方向之錯直 吐。接著於噴吐清洗液R =顯，液後之晶圓w之中心部c喷 ㈣方向軸，定彳域體噴^下彳^·^^嘴4及氣體喷嘴5 供給N2氣體G $俾與晶圓w之中心部c相對， 【0^】 之中心部c形成乾燥區域6(圖19(a))。 清洗液噴嘴4朝Y方向及清洗液R，如圖18(b)所示，使 、 ° 、斜’俾清洗液噴嘴4之喷吐口 40投影於 29 201249554 晶圓W上之投影區域49不位在乾燥區域6内，复 施形悲相同，以較乾燥區域6在晶圓w上彳产^ = 度’ 嘴4及氣體喷嘴5朝·χ方^動(二9^3" 又，於清洗液噴嘴4通過晶圓w之中心部 例如較乾舰域6外緣斜之外雛 方供給清洗液而變化其傾斜角= i獅區域6之外緣位置供給清洗液r(圖19(c))。iv夜盘γ f 1態相同，在清洗液R自清洗液噴嘴4 之;^1； 1、主 ίί上4 f崎嘴5以較乾燥區域6朝外側擴1:速产ί: 之步驟4相同，周緣部附近，即與第1實施形態 [0079】 此苐5實施形態中具有盘第4眘始4 燥區域ό形成後，去斬署5骑、喊办、入4相同之效果，且在乾 使清洗液喷嘴4傾^俾^土口 4〇 ，域6更外側時， 側，藉此可抑制液滴L自清洗液喷嘴6之外 變更ΐ=，㈣止液相同’ [苐ό實施形態] 給位置與其他實郷態_ % aa® t，液R之供 ，之氣體喷吐位置側界面與^ w喷吐 吐位置側界蚊麟d與已述之各實施雜大小^力洗液喷 30 201249554 【0081】 —如此以傾斜之方式設置清洗液喷嘴 貫施形態相狀程序進行清洗處理， 、，於.以與第4 洗液喷嘴4及氣體喷嘴5朝_乂方向移 6形成後’使清 面之清洗液喷嘴4之鄕區域4D在乾“=^麵於晶圓W表 如圖2〇⑻所示，液滴L自清洗液喷嘴4ϋ 士 ·^外側區域移動， 燥區域6之外側落下。因此，清&时ί 4二:，會在乾 度或清洗㈣嘴4與氣时嘴5之Υ财—2於水平軸之角 施形式實施關於第6實 中心部c形成乾燥區以在晶圓W之 洗液R ’以較乾燥區域6在晶圓w τ叫氣體G及清 β稍外之外側，、、主爷、$ ρ ρ ^上方，一旦位於例如較乾燥區域
21(c)) 〇 ^ ΓΙ f R 5P ^ 4 « W 止，繼清嫩 液滴L自清洗液喷嘴4在貝乾^4 多f^間内，抑制 始喷吐後，氣f^域6内洛下，且在清洗液重新開
自氣體噴嘴‘乾域1之綱羯’故可抑制液滴L 【0084】 下 可因應清爷^ 第6只知开久邊中，亦與第1實施形態相同，亦 制部…7發送制晶圓W之旋轉速度。且可根據自控 作’分別實施上影裝置各部位之動 31 201249554 【0085】 雖然正式上來說，本㈣之基板清洗裝置可應祕在 液曝光之圖案形成系統中清洗使用斥水性高之細之基板 ς 巧，，顯影後之基板時’但亦適於清洗浸祕光前之基板 疋>月洗處於浸液曝光後且處於顯影前之階段之基板。且體而+一， 舉例而言有就基板之光阻上形成有斥水性高之保護膜之該^， ϊίίΪΪ保護膜而塗佈有斥水性高之光阻之基板，於浸ί曝光 刖進巧之、情形：且可舉例而言有於⑨液曝光後以藥液去 膜丄亚清洗該驗之情形’或就未形絲龍而塗佈有斥水性°言 之光阻之基板，於浸液曝光後去除液滴之情。 ν 【0086】 =下參照圖22、圖23並同時簡單說明關於使本發明之 液曝光之圖案形成系統中之例。此系統中，曝^ ί===觀取=面;及傳遞機= 【0087】 於載具站B1之内側連接有框體122包圍其周圍 處理部B2中自前側依序交互排列設置有：架座單元;’此 加熱冷卻系單元；及主輸送機構A2、A夜里 早兀U4、U5之各單元之間傳遞晶圓w。 处里 係設置於由區隔壁123所包圍之空二該區隔A2、A3 成：一面部，位於自載且站觀臾，儿义由下列者構 ㈣3側；及背面部Γ成為後 ====單元m、 U5側之一面側與左側之一面侧。且圖中i24、口广二二： 液之溫度調節裝置或包含溫調節用導管等 【0088】 201249554 例如圖23所示，液處理單元U4、u A 影液等藥練納部126上堆4複數^、1細、在光阻液或顯 (C〇T)127^lf^^(DEV^3^^ 5 ，單:m、U2、U3其構成係堆疊有；=二= γ ’以進行由液處理單元U4、U5所進行 二單ίί合包含加熱㈣)晶81 w之加熱單元“ k 【0089】 於處理部B2.中架座單元'U3之内側，經由介 m。齡面㈣其物_圖22 ‘ 气1遞所構成，沿前後方向設置於處理部： 送部㈣。第室部:及第2基板輸 =明之基板清洗裝置 處理之加熱單元_)及“ 【0090】 簡單說明關於上述系統中晶圓w之移動過程 一 ^ 12f 3有晶圓W之載具C1載置於載置台120上，即盘開i 1，二巧具3之蓋體，並藉由傳遞機構A1取出晶圓‘ 卻單元所進行之基板之溫度調㈣。*颇⑽水化處理或冷 【0091】 内，^；^由主主輪送機構八2將晶圓W送入塗佈單元(伽阳 晶圓m使光阻膜成膜。然後，藉由主輸送機構μ將 曰曰【oSL卜/㈣，送人加鮮元並概定溫度鋪^烤處理。 33 201249554 加应ί著卩單元t使結束烘烤處理之晶圓w冷卻，魏經由 木座早兀U3之傳遞單元將其送入介面部B3，钶 將其送入曝光部B4内。又，於夯 ，、二由此"面4 3 H# > 於先阻膜上塗佈次液曝光用保護膜 Μ“早ϊ ί冷卻後，以處理部B2中之單元(ITC)塗佈 ^二其後，雖可將晶圓W送入曝光部B4以進行浸液 水先仁亦可在浸液曝光前藉由設於介面部B3之未絲ρι+^太& 明之清洗裝置進行清洗。 之未、L之本發 【0093】 然後，藉由第2基板輸送部131B將結束浸液 二由加熱單元加熱晶圓"後，使其回到栽置ί 【0095】 [評價試驗] [用於實驗之晶圓及裝置] — 佈斥水性高之光阻，接著進行浸液曝光，再以_ r t水之接觸角為92度。組‘ 裝置中’除具有清洗液喷嘴4及氣體喷嘴5可分 動控制之構成之一點外與第1實施形態相同。又，接觸 •w ; ％各部位不同而微妙變化，故在此所謂接觸角係晶‘
W表面各部位接觸角之平均值。 3日W 【0096】 [評價試驗η 201249554 第1實施形態中步驟1内朝晶圓中心部喷吐之清洗液噴吐流 量為250ml/秒，晶圓轉速為500rpm。且步驟2(圖6(b)及圖8)中， 清洗液喷吐位置中之氣體喷吐位置侧界面與氣體噴吐位置中之清 洗液喷吐位置側界面之距離d為12.35mm。且於步驟2中，清洗 液噴嘴4朝晶圓周緣開始移動之時點之晶圓轉速(參照圖9)為 300〇rpm，清洗液喷嘴4之移動速度為6.5mm/秒。其;^參數為記 載於第1實施形態之數值。如此清洗晶圓，其後使其乾燥，測定 妹貝影缺陷得知，缺陷處於晶圓中心僅存在有1個，於全面僅存在 有3個。 ' 【0097】 [評價試驗2] 設定變更每一晶圓上清洗液喷吐位置中之氣體噴吐位置侧界 面與氣體喷吐位置中之清洗液喷吐位置侧界面之距離d，其他條件 則與評價試驗1相同進行實驗，並測定清洗處理後各晶圓w之缺 陷數(微粒數）。圖24係顯示該結果之曲線圖，該界面之間之距離 d 為 7.35mm、9.85mm、12.35mm、14.85mm、17.35mm、19 85mm、 22.35mm時缺陷數分別為810個、43〇個、25個、422個、89i個、 個、62個。距離d若過小即會引起無法形成乾燥區域石或 乾燥不及等不良情形’且距離d若過爛又麵間在廣大區域引 起乾燥而導致缺陷數增多。實用上來說缺陷數宜在500、個以下， 故為抑制缺陷數，若考慮到此實驗結果及裝置組裝或加工之誤 差，可以說該距離d有效之範圍為9mm〜15mm。 °、 【0098】 [評價試驗3]
—&除N2氣體自氣體噴嘴5喷吐以形成乾燥區域6後，使清洗液 ^為^以、1 〇mm/秒之等速朝晶圓周緣移動外，與評價試驗1相同 進行清洗。缺陷處為303，相較於清洗液喷嘴4之移動速产A 之評似驗丨缺陷衫。自此顯示倾之=== 普缺陷數。 35 201249554 .【圖式簡單說明】 【0099】 圖1係顯示依本發明第1實施形態之與顯影裝置組合之反 清洗裝置之縱剖面圖。 圖2係顯不依上述第1實施形態之基板清洗裝置之俯視圖。 圖3係清洗液喷嘴、氣體噴嘴及其周圍構成構件之立體圖.。 圖4係以一部分剖面顯示用於依上述第丨實施形態之基 洗裝置中之清洗液喷嘴與氣體喷嘴之側視圖。 月 圖5係顯示對晶圓供給顯影液之方法一例之立體圖。 圖6(a)〜(c)係階段性顯示上述第丨實施形態中清洗顯 圓之情形之說明圖。 圖7⑻、（b)係階段性顯示上述第！實施形態中清洗 晶圓之情形之說明圖。 、〜说< 圖8係顯示朝晶圓中心部喷吐&氣體以使乾 形之說明圖。 ν'、八疋 圖9係顯示清洗液噴吐位置與晶圓轉速之關係之關係圖。 圖10(a)〜(c)係階段性顯示本發明第 之晶圓之情形之說明圖。 。τ π此，肩衫後 圖11係顯示依本發明第3實施形態之與 清洗裝置之縱剖面圖。 貝。衣直‘、且σ之基板 圖12係設於該基板清洗裝置-中之喷嘴構成圖。 -之說 明圖 圖13⑻〜_顯示第3實施形態中清洗晶圓時喷嘴位置， 之晶顯示本㈣第3實施賴巾清洗顯影後 之侧本發料3實卿g _及祕晶_動之噴嘴 之晶賴示本刺第4實獅態巾清洗顯影後 圖 17⑻、（b)係喷嘴之待命區域構成 圖 36 201249554 圖18(a)、（b)係顯 之基板清洗裝置中之、&本發明第5實施形態之基板清洗方法 圓之情形之說明圖。 ’、’、°亥弟5貫施形態中清洗顯影後之晶 態之基板清洗方法 圖21(a)〜(c)係階段成成圖。 圓之情形之說明圖。”'、、不5亥第6實施形態中清洗顯影後之晶 圖22係顯示έ 圖。 讀有軸影裝置之塗麵影粒-例之俯視 圖23係顯示組褒有該顯 圖。 〜^衣置之塗佈顯影裝置一例之立體 圖24係顯示評價試驗 情形之說明圖。、 ’、丁以自知之β洗方法清洗晶圓表面之 圖27(a)、（b)係示意地顯 情形之說明圖。 白知之β洗方法清洗晶圓表面之 【主要元件符號說明】 【0100】…. Α1 :傳遞機構 Α2 ' A3 ·’主輸送機構 Β1 :載具站 Β2 :處理部 Β3 :介面部 Β4 :曝光部 BARC :抗反射處理膜形成單元 C1 :載具 CO :緩衝晶圓匣盒 201249554 c:晶圓中心部 d、dl〜d3 :距離 D :顯影液 fl :轉速 G : N2氣體(氣體） ITC :單元 L :液滴 Μ :水滴 PI、Ρ2 ··中心 ΡΕΒ ··加熱單元. R ··清洗液 S1〜S6、1〜4 :步驟
Ul、U2、U3、U6 :架座單元 U4、U5 :液處理單元 W :晶圓 Θ :角 2:旋轉夹盤 3 :杯體 4、 11、71、72 :清洗液喷嘴(喷嘴、清洗喷嘴) 4Α :清洗液喷吐(供給)位置 4C:容器 4D :投影區域 5、 12 :氣體喷嘴(喷嘴） 5Α :氣體喷吐(供給)位置 1〜4 :步驟 6:乾燥區域 7 :控制部 13 :凹部 21 :旋轉轴 22 :驅動機構 38 201249554 23 :顯影液喷嘴(喷嘴） 23a、40、50 :喷吐口 24 :顯影液供給路 25 :顯影液供給系 26、 44 :喷嘴臂 27、 45 :移動基體 28 :引導構件(導軌） 29 :喷嘴待命部 31 :外杯 32..:内杯 33 :昇降部 34 :圓形板 35 .液承接部 36 :排放排出口 37 :環狀構件 41 :喷嘴固持部 42、 73 :清洗液供給路 43、 74 :清洗液供給系 46、4B :待命區域(待命部） 47 :乾燥喷嘴 48 排氣管 49 :投影區域 51 ::氣體供給系 70 :顯影裝置 71a、72a :清洗液喷吐口 120 :載置部(載置台） 121 :開合部 122 :框體 — 123 :區隔壁 124、125 :溫度調節裝置或溫濕度調節單元 39 201249554 126 :藥液收納部 127 :塗佈單元(COT) 128 :顯影單元(DEV) 130A :第1輸送室 130B :第2輸送室 131A、131B :基板輸送部

Claims (1)

  1. 201249554 七、申請專利範圍： 峨及齡 基板畴成大致水平，—面令基板繞著鍾 喷吐綺洗賴纽対，對賊狀純上的中心部 ^清洗噴嘴進行㈣，以使得承接該清洗噴嘴所喷吐 ϊ離的位置’從基板上的中心部祕板上的周緣移動二ί 面職承接清洗液之基板上的 心；形成乾燥^出乳體，達既定時間’藉以在基板上的中 已^基板上的中心部形成乾燥區域後，令該清洗噴 ’ ^彳，m液之絲上驗置祕板上㈣緣連續: —面從該承接清洗液之基板上的位 ::二Γ面沿著該承接清洗液4板上的位置之移 z如申請專概目第i項之基板清洗方法，其中，八 ϊί驟=ίΐ旋轉速度以下述方式階段性或連續 H置ίίϊΐ卜1旋轉速度進行旋轉；於該承接清洗液之基^ 狀態下，基板以較該第1旋轉速度低 距離其中’該—定 4:如申請專利範圍第i或2項之基板清洗方法，盆中，該 ，的1吐步驟中，於離開基板周緣2mm〜10職的位二^ 出該、;月洗液，並於停止後仍使該基板維持進行旋轉Τ . 41 201249554 5包;種基板清洗裝置，進減㈣清洗及絲；其雛在於： ^板固持機構，將基板水平固持； 基板ίί:=旋:得碰固持機構所固持的基板繞著與該 ’對_轉之基板上喷吐出m π洗贺鳴驅動機構，令該清洗喷嘴進行 ，體噴嘴，對於旋轉之基板上噴吐出氣體； 氣體喷嘴驅動機構，令該氣體喷嘴進行 該清洗噴 嘴诞基板晴機構、該婦驅動機構 爲驅動枝構及该氣體噴嘴驅動機構進行控制；且 該控制機構係用來實行下列步驟： 著與轉絲板―獅持献财平，一面繞 亥/月洗喷爲，對於旋轉之基板上的中心部喷吐 利用該清洗喷嘴驅動機構’令該清洗喷嘴進行移動，，以二 承巧清洗嘴嘴所喷吐清洗液之^^板上的位置，從其板 于 部朝基板上的周緣部移動一定距離； 土 $中〜 •^將該承接清洗液之基板上的位置從 喷嘴，對於基板= 區域；及 騎間，錯以在基板上的中心部形成乾燥 已在基板上的中心部形成乾燥區域後，利用 移動，以使該承接清洗液:基 吐氣體之基板上的位置，一面 、貝“角 開該一奴離該基板上的位 徑而移動。 構，令該氣體喷嘴連續地進行=機 吐氣體之甚如卜心罢·了Π使付承接該軋體贺嘴所噴 置離 的位置之移動路 42 201249554 6. 如申請專利範圍第5項之基板清洗裝置，其中，該控制機構 利用該旋轉驅動機構，使基板之旋轉速度以下述方式階段性或連 續性地變化：於該承接清洗液之基板上的位置位在基板上之中心 部的狀態下，基板以第1旋轉速度進行旋轉；於該承接清洗液之 基板上的位置位在基板上之周緣部的狀態下，基板以較該第丨旋 轉速度低的第2旋轉速度進行旋轉。 7. 如申請專利範圍第5或6項之基板清洗裝置，其中，該— 距離在9mm以上，i5mm以下。 ^ 8·如申請專利範圍第5或6項之基板清洗裝置，其中，該控制 機構令清洗喷嘴，鶴機構鑛麟·板周緣2mm〜1Gmm ^位 g，再彳τ止喷吐出該清洗液，並於停止後仍使該基板維持進行旋 絲9± /重基板清洗方法，將基板固持而使其繞著鉛直軸進行旋 自清洗喷嘴的喷吐口朝基板表面喷吐，同時使該清 的位置，基板中心對向的位置移動到與基板周緣對向 其特徵在於包含下列步驟： 令基板目持部水平_基板，贿基板t _與旋轉中心部 的表面整體 板的======= 接^令基油持部持續旋轉，並喷吐㈣清洗液， 同時使基 板上偏 的令心部嘖吐進面從氣體噴嘴朝該狀態之基板 洗液，同時使該清洗喷嘴朝基板周緣進行移動丁疋轉亚哈。 及 並噴吐出清 43 201249554 ,、、A l〇.如申請專利範圍第9項之基板清洗方法，其中，該偏離中 偏U位置係設定成使得：清洗液喷吐位置中之氣體喷吐位 則界面、與藉由氣體喷嘴喷吐出氣體之氣體噴吐位置 液°貧吐位糊界_距離為9mm〜15mm。 移動LUf專利範圍第9項之基板清洗方法，其中，該朝周緣 斗付罢中，持續令基板固持部進行旋轉，並使得清洗液的喷 動。1父该乾燥區域往外擴張之速度慢的速度，朝基板周緣移 範圍第9項之基板清洗方法，其巾，該變更至 進^置的>驟係使該基板的轉速在1500rpm以上的誦聊而 水之板清洗紐’其巾’該基板為 中，該= 圍第9 1 14項中任—項之基板清洗方法，其 lOmnT的位土置,動的步驟中’於離開基板上之周'緣2麵〜 的位私止嘴吐出該清洗液，而使該基板維持進行旋轉。 44
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