TW201519966A - 基板清洗裝置、基板清洗方法及非臨時性記憶媒體 - Google Patents

基板清洗裝置、基板清洗方法及非臨時性記憶媒體 Download PDF

Info

Publication number
TW201519966A
TW201519966A TW103118328A TW103118328A TW201519966A TW 201519966 A TW201519966 A TW 201519966A TW 103118328 A TW103118328 A TW 103118328A TW 103118328 A TW103118328 A TW 103118328A TW 201519966 A TW201519966 A TW 201519966A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
nozzle
substrate
cleaning liquid
gas
cleaning
Prior art date
Application number
TW103118328A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI568507B (zh
Inventor
Atsushi Ookouchi
Kousuke Yoshihara
Hiroshi Ichinomiya
Hirosi Nisihata
Ryouichirou Naitou
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201519966A publication Critical patent/TW201519966A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI568507B publication Critical patent/TWI568507B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

本發明旨在提供一種基板清洗裝置、基板清洗方法及非臨時性記憶媒體。 其中，令基板旋轉，同時依序對基板之中心部噴吐清洗液及氣體，噴吐此等者之噴嘴朝基板之周緣側移動後，將清洗液之噴吐切換至設定於偏離第1清洗液噴嘴之移動軌跡之位置之第2清洗液噴嘴，噴吐清洗液並噴吐氣體，同時使兩噴嘴朝基板之周緣側移動，移動各噴嘴，俾自第2清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離，與自氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離之差逐漸減小。

Description

基板清洗裝置、基板清洗方法及非臨時性記憶媒體
本發明係關於使基板旋轉，同時以清洗液清洗基板之表面之技術。 本申請案根據2013年5月28日於日本所申請之特願2013－112395號、2014年1月29日於日本所申請之特願2014－014864號、及2014年3月20日於日本所申請之特願2014－058221號，主張優先權，將其內容沿用於此。
作為用來於半導體晶圓等基板形成光阻圖案之曝光處理，已知使液體存在於基板之表面而進行曝光之液浸曝光。為抑制光阻迴繞至基板周端或背面，用於液浸曝光之光阻，係使用斥水性高者。對曝光後基板進行之顯影處理中，對基板供給顯影液，使例如曝光部分溶解，接著令基板旋轉，同時對該基板供給清洗液例如純水，自基板之表面洗去溶解產物。具體而言，已知自清洗液噴嘴噴吐清洗液，同時該清洗液噴嘴自基板之中心部朝基板之周緣部掃描之手法。
然而形成光阻之基底膜之斥水性低（接觸角小），故使用斥水性高（接觸角大）之光阻之曝光後基板中，曝光部分與未曝光部分之接觸角之差異大。因此，若供給顯影液後供給清洗液，即會發生所謂「液體碎裂」之現象，於基板之表面易於留下液滴。此液滴乾燥後成為殘渣，係半導體元件良率降低之要因。
做為基底膜，有機材所構成之抗反射膜雖係主流，但最近有人探討接觸角更小的無機材所構成之抗反射膜，此時曝光部分與未曝光部分之接觸角之差異更大，殘渣更易於發生。
對曝光部分與未曝光部分之接觸角之差異大的基板進行上述之清洗時，延遲清洗液噴嘴之掃描速度相當有效，但會成為裝置處理能力降低之要因。特別是塗布顯影裝置中，市場要求每1小時處理200片以上，故業界期望出現可維持高處理能力，同時實現減少殘渣之手法。
作為解決此之清洗方法，日本專利第4040074號中記載一技術，對基板噴吐清洗液後，對基板之中心部噴吐氮氣，形成乾燥區域核。其後清洗液之噴吐位置朝基板之外方側移動，同時氣體之噴吐位置亦移動，乾燥區域朝外方側擴張，且記載一技術，氣體之噴吐位置移動時，氣體噴嘴之移動速度於基板之周緣側之區域變快。日本特開2004－14972號（段落0044）中記載一技術，清洗基板時，朝基板噴吐之液體及氣體之混合體所包含之氣體之流量，隨著接近基板之周緣部而變更。且日本專利第4350989號（圖5、段落0050、0053、0057）中記載一技術，隨著接近基板之周緣，氣體之噴射角增大，氣體之壓力減弱，均一乾燥。又，日本專利第5151629號（圖4～圖6）中記載一技術，自一噴嘴朝基板某區域噴吐氣體後，自另一噴嘴朝同一區域噴吐氣體。吾人預測今後業界將更要求清洗之精度，為實現減少殘渣，業界將要求更進一步的改良。
鑒於如此之情事，本發明之目的在於提供一種基板清洗裝置、基板清洗方法及非臨時性記憶媒體，令基板旋轉，同時以清洗液清洗基板之表面時，抑制清洗處理後液滴之殘留，減少殘渣。
本發明係一種基板清洗裝置，令基板旋轉，同時使用清洗液及氣體清洗基板，其特徵在於包含： 基板固持部，水平固持基板； 旋轉機構，令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉； 第1清洗液噴嘴及第2清洗液噴嘴，用來分別對由該基板固持部所固持之基板供給清洗液； 氣體噴嘴，對由該基板固持部所固持之基板噴吐氣體； 噴嘴移動部，用來使該第1清洗液噴嘴、第2清洗液噴嘴及氣體噴嘴移動；及 控制部，輸出控制信號，俾實行下列步驟： 自該第1清洗液噴嘴對基板之中心部噴吐清洗液； 接著，使該清洗液之噴吐位置自該基板之中心部朝周緣側移動後，自該氣體噴嘴對該中心部噴吐氣體； 接著，自第1清洗液噴嘴及氣體噴嘴分別噴吐清洗液及氣體，同時使該第1清洗液噴嘴及該氣體噴嘴之各噴吐位置朝基板之周緣側移動；及 其次自該第1清洗液噴嘴切換清洗液之噴吐至第2清洗液噴嘴，自第2清洗液噴嘴噴吐清洗液，並自氣體噴嘴噴吐氣體，同時使該第2清洗液噴嘴及該氣體噴嘴之各噴吐位置朝基板之周緣側移動； 且該第2清洗液噴嘴中，設定噴吐位置於偏離第1清洗液噴嘴之噴吐位置之移動軌跡之位置， 若自第2清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為d2，自氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為d3， 則自第2清洗液噴嘴噴吐清洗液時，d3＜d2，且隨著第2清洗液噴嘴朝基板之周緣側移動，d2與d3之差逐漸減小。
依另一觀點之本發明，係一種基板清洗裝置，令基板旋轉，同時使用清洗液及氣體清洗基板，其特徵在於包含： 基板固持部，水平固持基板； 旋轉機構，令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉； 第1噴嘴移動部，將用來對由該基板固持部所固持之基板供給清洗液之清洗液噴嘴，及噴吐氣體之氣體噴嘴加以固持； 第2噴嘴移動部，將對由該基板固持部所固持之基板噴吐氣體之氣體噴嘴加以固持，設於該第1噴嘴移動部之外；及 控制部，輸出控制信號，俾實行下列步驟： 自該清洗液噴嘴對基板之中心部噴吐清洗液； 接著，使第1噴嘴移動部移動，自該第1噴嘴移動部之氣體噴嘴對該中心部噴吐氣體； 接著，以清洗液噴嘴之噴吐位置較第1噴嘴移動部之氣體噴嘴之噴吐位置更位於基板之周緣側之狀態，噴吐清洗液並自該氣體噴嘴噴吐氣體，同時使第1噴嘴移動部朝基板之周緣側移動；及 其次，自第2噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體，並自該清洗液噴嘴噴吐清洗液，同時使第1噴嘴移動部及第2噴嘴移動部朝基板之周緣側移動； 且控制兩噴嘴移動部之移動速度，俾若自清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為L1， 自第2噴嘴移動部之氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為L2， 則自該第2噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體時， L2＜L1，且隨著第1噴嘴移動部及第2噴嘴移動部朝基板之周緣側移動，L1與L2之差逐漸減小。
依又一觀點，本發明係一種基板清洗方法，令基板旋轉，同時使用清洗液及氣體清洗基板，其特徵在於包含下列程序： 將基板水平固持於基板固持部； 令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉，同時自第1清洗液噴嘴對基板之中心部噴吐清洗液； 接著，使該清洗液之噴吐位置朝基板之周緣側移動後， 自氣體噴嘴朝該基板之中心部噴吐氣體； 接著，自第1清洗液噴嘴及氣體噴嘴分別噴吐清洗液及氣體，同時使該第1清洗液噴嘴及該氣體噴嘴之各噴吐位置朝基板之周緣側移動；及 其次將清洗液之噴吐自該第1清洗液噴嘴切換至第2清洗液噴嘴，自第2清洗液噴嘴噴吐清洗液並自氣體噴嘴噴吐氣體，同時使該第2清洗液噴嘴及該氣體噴嘴之各噴吐位置朝基板之周緣側移動； 且該第2清洗液噴嘴中，噴吐位置設定於偏離第1清洗液噴嘴之噴吐位置之移動軌跡之位置， 若自第2清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為d2， 自氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為d3， 則自第2清洗液噴嘴噴吐清洗液時，d3＜d2，且隨著第2清洗液噴嘴朝基板之周緣側移動，d2與d3之差逐漸減小。
依又一觀點，本發明係一種基板清洗方法，令基板旋轉，同時使用清洗液及氣體清洗基板，其特徵在於使用： 第1噴嘴移動部，將用來對基板供給清洗液之清洗液噴嘴，及噴吐氣體之氣體噴嘴加以固持；及 第2噴嘴移動部，將對基板噴吐氣體之氣體噴嘴加以固持，設於該第1噴嘴移動部之外； 且包含下列程序： 將基板水平固持於基板固持部； 令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉，同時自該清洗液噴嘴對基板之中心部噴吐清洗液； 接著，使第1噴嘴移動部移動，自該第1噴嘴移動部之氣體噴嘴對該中心部噴吐氣體； 接著，以清洗液噴嘴之噴吐位置較第1噴嘴移動部之氣體噴嘴之噴吐位置更位於基板之周緣側之狀態，噴吐清洗液並自該氣體噴嘴噴吐氣體，同時使第1噴嘴移動部朝基板之周緣側移動；及 其次，自第2噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體並自該清洗液噴嘴噴吐清洗液，同時使第1噴嘴移動部及第2噴嘴移動部朝基板之周緣側移動； 且控制兩噴嘴移動部之移動速度，俾若自清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為L1， 自第2噴嘴移動部之氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為L2， 則自該第2噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體時，L2＜L1，且隨著第1噴嘴移動部及第2噴嘴移動部朝基板之周緣側移動，L1與L2之差逐漸減小。
依又一觀點，本發明係一種非臨時性記憶媒體，儲存有在基板清洗裝置之電腦上動作之程式，俾於基板清洗裝置實行該基板清洗方法。
本發明使用清洗液噴嘴及氣體噴嘴，令基板旋轉，同時依序對基板之中心部噴吐清洗液及氣體，噴吐此等者之噴嘴朝基板之周緣側移動後，將清洗液之噴吐切換至設定於偏離第1清洗液噴嘴之移動軌跡之位置之第2清洗液噴嘴，噴吐清洗液並噴吐氣體，同時使兩噴嘴朝基板之周緣側移動，移動各噴嘴，俾自第2清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離，與自氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離之差逐漸減小。因此於基板之周緣側之區域，氣體之噴吐位置逐漸接近液界面。因此愈係基板之接近周緣之區域，以氣體推壓液界面之力愈逐漸增強而可提高清洗效果，可抑制清洗液之液體殘留或液體碎裂，良好地進行清洗。
且依另一觀點之本發明中，令基板旋轉，同時依序對基板之中心部噴吐清洗液及乾燥用氣體後，自設於一噴嘴移動部之清洗液噴嘴噴吐清洗液，並自設於另一噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體。又，各噴嘴移動部朝基板之周緣側移動時，移動速度不同，氣體之噴吐位置逐漸接近液界面。因此愈係基板之接近周緣之區域，以氣體推壓液界面之力愈逐漸增強，獲得相同之效果。
使用圖1～圖4說明關於本發明之基板清洗裝置適用於顯影裝置之實施形態。顯影裝置（基板清洗裝置）中，於角型之框體9內排列配置2個杯體模組1。杯體模組1，包含： 旋轉吸盤11，係固持晶圓W之基板固持部；及 杯體10，用來收集自晶圓W飛散之清洗液或溶解物。 旋轉吸盤11隔著旋轉軸12連接旋轉機構13及未圖示之昇降機構，可以固持晶圓W之狀態旋轉及昇降。又，本實施形態中，晶圓W自上方觀察順時針旋轉。
於旋轉吸盤11之下方設有圓形板14、及環構件15。且設有上方側開口之杯體10，俾包圍旋轉吸盤11上之晶圓W。杯體10，皆由圓筒狀之外杯體16，與內杯體17構成。於外杯體16，設有昇降機構18，可任意昇降。且於杯體10之下方，設有由環狀凹部構成之液體承接部19。自晶圓W滴落，或被甩掉，由杯體10承接之顯影液或清洗液，流入液體承接部19，自設於液體承接部19之底部之排放排出口20朝外部被排出。
如圖2所示，於框體9內，在每一杯體模組1，分別設有沿與杯體模組1之排列方向（左右方向）正交之方向延伸之顯影用噴嘴臂60與清洗用噴嘴臂30。顯影用噴嘴臂60，可順著沿杯體模組1之排列方向（左右方向）延伸之導軌63，藉由未圖示之驅動部移動，且可藉由未圖示之昇降部任意昇降。於顯影用噴嘴臂60之前端部，設有顯影液噴嘴62，藉由顯影用噴嘴臂60，在旋轉吸盤11之旋轉中心部，與自杯體模組1起於圖2中靠左之噴嘴匯流排61之間移動。顯影液噴嘴62，經由配管65連接顯影液供給部64，可自顯影液噴嘴62之前端噴吐既定之流量之顯影液。
且清洗用噴嘴臂（以下記載為「噴嘴臂」）30，如圖3所示可順著沿左右方向延伸之導軌33，藉由未圖示之驅動部移動，且可藉由未圖示之昇降部任意昇降。噴嘴臂30、設於上述之噴嘴臂30之驅動部及昇降部，構成噴嘴移動部。於噴嘴臂30之前端部，如圖4所示設有噴吐例如純水等清洗液之第1清洗液噴嘴41及第2清洗液噴嘴43，與係噴吐作為乾燥用氣體之例如氮氣之氣體噴嘴之第1氮氣噴嘴51及第2氮氣噴嘴53。此等噴嘴41、43、51、53，在杯體模組1之上方區域與自杯體模組1起於圖2中靠右之待命區域之間移動。於待命區域，設有作為各清洗液噴嘴41、43之液體承接部之噴嘴匯流排21。
第1清洗液噴嘴41，經由例如配管45連接第1清洗液供給部46。此第1清洗液供給部46，包含清洗液供給源、泵、閥等，可自第1清洗液噴嘴41之前端噴吐清洗液。第2清洗液噴嘴43，亦與第1清洗液噴嘴41相同，經由配管47連接第2清洗液供給部48，可自第2清洗液噴嘴43噴吐清洗液。第1氮氣噴嘴51，經由配管55，連接包含氮氣供給源、泵、閥等之第1氮氣供給部56。可自第1氮氣噴嘴51，噴吐氮氣。第2氮氣噴嘴53，亦經由配管57，連接包含氮氣供給源、泵、閥等之第2氮氣供給部58。
說明關於噴嘴臂30中第1清洗液噴嘴41、第2清洗液噴嘴43、第1氮氣噴嘴51及第2氮氣噴嘴53之配置。又，以下說明中，為便於說明，自第1清洗液噴嘴41及第2清洗液噴嘴43噴吐之清洗液，分別記載為第1清洗液及第2清洗液，自第1氮氣噴嘴51及第2氮氣噴嘴53噴吐之氮氣，分別記載為第1氮氣及第2氮氣。且後述之所謂「噴吐位置」，意指自清洗液噴嘴（41、43），或氣體噴嘴（51、53）噴吐之清洗液、或氣體，噴吐至晶圓W之表面時晶圓W上之噴吐區域之大致中心部。且以X，Y座標表示噴吐位置時，晶圓W之中心部係原點，沿X方向延伸之軸係X軸，沿Y方向延伸之軸係Y軸，於後述之圖6～圖10中，右側及上側係「正之區域」。
第1清洗液噴嘴41中，其噴吐位置R1配置於X＝30mm，Y＝0mm之位置時，第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1，設成X＝15mm，Y＝0mm。第2清洗液噴嘴43，在第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1位於X＝30mm，Y＝0mm時，其噴吐位置R2設置成以晶圓W之中心部為中心，繞著第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1順時針旋轉之位置，例如X＝26mm，Y＝－15mm之位置。第2氮氣噴嘴53，在第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1位於X＝15mm，Y＝0mm時，其噴吐位置N2，設定於將第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1，以晶圓W之中心部為中心，逆時針旋轉，且其與X軸之距離，較第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2自X軸起之距離短之位置。此例中，第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2，設定為例如對X＝13mm，Y＝7.5mm之位置噴吐。且第2氮氣噴嘴53，設成朝晶圓W之周緣之方向噴吐，第1清洗液噴嘴41、第2清洗液噴嘴43及第1氮氣噴嘴51，設成朝正下方噴吐。且第1氮氣噴嘴51之噴吐之前端部之高度，設定為晶圓W之表面之上方25mm之高度，第2氮氣噴嘴53之噴吐之前端部之高度，設定為晶圓W之表面之上方5mm之高度。
且基板清洗裝置，如圖5所示包含控制部5。圖5中之27係匯流排，匯流排27連接CPU22、記憶體23、及用來實行基板清洗裝置進行之後述之動作中各步驟之程式24。圖5中25，係噴嘴移動部所包含之驅動部，26，係噴嘴移動部所包含之昇降部。此控制部5，根據該程式24，輸出用來將用來移動噴嘴臂30之驅動部、昇降部、清洗液供給部46、48、氮氣供給部56、58及用來驅動旋轉吸盤11之旋轉機構13及杯體10之昇降機構18等，加以控制之控制信號。且此程式，由例如光碟、硬碟、磁光碟等記憶媒體收納，安裝於控制部5。
接著說明關於第1實施形態之作用。例如，將經曝光處理之晶圓W，藉由未圖示之外部之搬運機構，傳遞至旋轉吸盤11，俾晶圓W之中心部與旋轉中心一致。接著外杯體16上昇後，以例如1000rpm之旋轉速度使晶圓W旋轉，顯影液噴嘴62位於晶圓W之周緣之上方。其後晶圓W持續旋轉，自顯影液噴嘴62噴吐顯影液，同時自晶圓W之外側朝中心部移動，其後對該中心部持續供給顯影液既定時間。供給顯影液後，晶圓W之表面之光阻膜之例如溶解性部位即溶解，留下不溶解性之區域。其後噴嘴臂30移動，俾取代顯影液噴嘴62，進行用來去除顯影液及溶解物之清洗程序。參照圖6～圖13，同時詳述關於此清洗程序即知，此清洗程序，以以下步驟進行。圖6～圖10，示意化地顯示噴嘴臂30，及自各噴嘴41、43、51、53噴吐之清洗液或氮氣之噴吐位置，於進行噴吐之清洗液及氮氣之噴吐位置，附上影線。
(步驟1) 首先如圖6所示，噴嘴臂30移動至P0所示之位置，第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1位於晶圓W之中心部。其後，如圖11所示，以例如1000rpm之旋轉速度使晶圓W旋轉，同時自第1清洗液噴嘴41以30ml／秒之流量供給清洗液，例如純水例如10秒期間。藉此，對晶圓W供給之第1清洗液，因晶圓W旋轉造成的離心力自晶圓W之中心部朝周緣部擴散，顯影液由清洗液洗去。
(步驟2) 接著維持晶圓W旋轉，同時以自第1清洗液噴嘴41噴吐第1清洗液之狀態，如圖7所示使噴嘴臂30沿X方向往右側移動至P1，使第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1位於晶圓W之中心部。此時，第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1，自晶圓W之中心部朝X方向右側遠離15mm。又，如圖12所示，自第1氮氣噴嘴51，朝晶圓W之中心部吹送氮氣。
晶圓W之中心部中，離心力小，故即使該第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1自晶圓W之中心部朝周緣側移動，亦可以清洗液之表面張力維持液膜撐開之狀態。在此朝液膜吹送氮氣，藉此液膜破裂，形成晶圓W之表面露出之乾燥區域。形成此乾燥區域後，即藉由晶圓W旋轉造成的離心力與液膜之表面張力，朝晶圓W之周緣側拽拉液膜。因此乾燥區域，瞬間擴張至對應第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1之位置（以晶圓W之中心部為中心，通過第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1之同心圓）。
(步驟3) 接著維持晶圓W旋轉，自第1清洗液噴嘴41及第1氮氣噴嘴51分別噴吐清洗液及氣體，直接如圖8所示使噴嘴臂30朝晶圓W之X方向右側移動15mm，而位於P2。亦即第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1，移動至自晶圓W之中心部朝X方向右側遠離30mm之位置，且第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1，移動至自晶圓W之中心部朝X方向右側遠離15mm之位置，藉此，乾燥區域亦擴張至對應第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1之位置。因此步驟3中，如圖13所示，伴隨著噴嘴臂30移動，隨著第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1與晶圓W之中心部之距離增加，液界面逐漸朝晶圓W之周緣方向移動。
此時，如圖14所示，於對應第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1之位置，發生強烈之液流，在接近液界面之位置噴吐氮氣，藉此捲起液流之內緣，藉由捲起此液，將液滴、產物推往晶圓W之周緣側，故可發揮強大之清洗力。
(步驟4) 噴嘴臂30移動至位置P2後，如圖9所示停止第1清洗液之噴吐，開始第2清洗液之噴吐，且停止第1氮氣之噴吐，開始第2氮氣之噴吐。設定第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2，俾第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1自晶圓W之中心部遠離30mm時，第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2與晶圓W之中心部之距離為30mm，亦即第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1、第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2，位在以晶圓W之中心部為中心之同一圓上。因此即使將噴吐清洗液之噴嘴自第1清洗液噴嘴41切換為第2清洗液噴嘴43，形成於晶圓W之表面之液界面之位置亦不變化。且如已述第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1自晶圓W之中心部遠離30mm時，設定第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1，俾自晶圓W之中心部朝右側遠離15mm。又，設置第2氮氣噴嘴53，俾此時第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2自晶圓W之中心部遠離15mm。因此即使將噴吐氮氣之噴嘴自第1氮氣噴嘴51切換為第2氮氣噴嘴53，自氮氣之噴吐位置至液界面之距離亦不變化。
且第2氮氣噴嘴53，相較於第1氮氣噴嘴51之噴吐流量，噴吐大流量之氮氣，且如圖4所示噴吐口朝晶圓W之周緣側。因此，藉由切換為第2氮氣噴嘴53，吹送氮氣造成的推壓液界面之力增強。此時，氮氣之噴吐位置與清洗液之噴吐位置接近時，有因噴吐氣體之沖擊引起清洗液液體飛濺之虞。設定第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2與第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2之距離，俾較第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1與第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1之距離長。因此即使切換為第2氮氣噴嘴53，氮氣之流量增大，亦可抑制液體飛濺。
(步驟5) 接著噴嘴臂30朝晶圓W之周緣側，沿X方向以15mm／秒之速度移動。圖10顯示噴嘴臂30位於較P2接近晶圓W之周緣之P3之狀態。自第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2至晶圓W之中心部之距離d2，與自第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2至晶圓W之中心部之距離d3之差（d2－d3），如圖15所示，相較於噴嘴臂30位於P2時，位於P3時較短。
在此說明關於伴隨著噴嘴臂30移動該d2、d3之各變化。以已述之X－Y座標平面（x≧0）表示噴嘴之噴吐位置。噴嘴臂30自P2沿x方向朝右側移動距離k時，第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2，及第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2各噴嘴之座標，如圖16（a）所示， 噴嘴臂30位於P2時之N2＝（Na，Nb） 噴嘴臂30位於P2時之R2＝（Ra，Rb） 噴嘴臂30移動距離k後之N2＝（Na＋k，Nb） 噴嘴臂30移動距離k後之R2＝（Ra＋k，Rb）。 因此移動距離為x時，d2及d3中， 噴嘴臂30位於P3時之d2＝√[（Ra＋x）2 ＋Rb2 ] 噴嘴臂30位於P3時之d3＝√[（Na＋x）2 ＋Nb2 ]。
噴嘴臂30沿X方向朝右側移動時，第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2自晶圓W之中心部起之距離d2，可描繪為圖16（b）中如（1）之曲線。且考慮噴嘴臂30沿X方向朝右側移動時，自第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2至晶圓W之中心部之距離d3即知，第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2，較第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2更處於接近X軸之位置，更處於接近晶圓W之中心部之位置。因此d3較d2，移動前（x＝0）至晶圓W之中心部之距離較小，朝X方向右側移動與d2相同之距離時，增加率大。因此顯示噴嘴臂30之移動距離x與噴嘴之噴吐位置自晶圓W之中心部起之距離d3之曲線，可描繪為圖16（b）中如（2）之曲線。因此自第2清洗液噴嘴43噴吐清洗液，自第2氮氣噴嘴53噴吐氮氣，噴嘴臂30直接沿X方向朝右側往晶圓W之周緣移動時，清洗液之噴吐位置自晶圓W之中心部起之距離d2，與氮氣之噴吐位置自晶圓W之中心部起之距離d3之差（d2－d3），隨著噴嘴臂30移動逐漸減短。
如前述使晶圓W旋轉，同時供給清洗液，故清洗液之液界面之位置，係清洗液之噴吐位置之稍微朝內側，沿圓周之位置。因此，自該第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2至晶圓之中心部之距離d2，與自第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2至晶圓之中心部之距離d3之差，係自氮氣之噴吐位置至液界面之距離。圖17係顯示自晶圓W之中心部至液界面之距離，及液界面與氮氣之噴吐位置之脫離距離（d2－d3）之變化之特性圖。如圖17所示，直到噴嘴臂30移動至P2之位置（液界面自晶圓W之中心部起30mm之位置），使用第1清洗液噴嘴41及第1氮氣噴嘴51進行清洗，故液界面與氮氣之噴吐位置之距離不變而為一定。接著噴嘴臂30到達P2（液界面自晶圓W之中心部起30mm之位置）後，切換清洗液及氣體之噴吐為第2清洗液噴嘴43及第2氮氣噴嘴53。因此其後，隨著噴嘴臂30沿X軸朝晶圓W之周緣側移動，液界面與氮氣之噴吐位置相互逐漸接近。
探討關於晶圓之靠周緣之區域中氮氣之供給位置接近液界面時之作用。藉由晶圓W旋轉造成的離心力，沿晶圓之周方向沖走清洗液，清洗晶圓W之表面時，愈係晶圓W之靠周緣之部位，愈有大量清洗液自晶圓W之中心部側湊過來，故清洗液之液膜變厚。清洗液之液膜變厚後，即會因不易流動而易於發生液體殘留或液體碎裂。上述之實施形態中，遠離晶圓W之中心部30mm以上之區域中，氮氣之噴吐流量增大。因此，以氮氣朝周緣方向推壓液界面之力增強。且遠離晶圓W之中心部30mm以上之區域中，隨著噴嘴臂30接近晶圓W之周緣，氮氣之噴吐位置接近液界面。因此以氮氣推壓液界面之力隨著接近晶圓W之周緣逐漸增大。因此晶圓W之靠周緣之區域中，隨著液界面接近晶圓W之周緣，清洗液之量逐漸增加，但朝晶圓之周緣方向推壓液界面之力亦增大，故可抑制液體殘留或液體碎裂。
上述之實施形態中，使用第1清洗液噴嘴41及第1氮氣噴嘴51，令晶圓W旋轉，同時對晶圓W之中心部依序噴吐清洗液及氮氣，使兩噴嘴41、51朝晶圓W之周緣側移動。更於其後，切換清洗液之噴吐至設定於遠離第1清洗液噴嘴41之移動軌跡之位置之第2清洗液噴嘴43，且切換氮氣之噴吐至第2氮氣噴嘴53。又，進行清洗液之噴吐及氣體之噴吐，同時令兩噴嘴43、53朝晶圓W之周緣側移動，藉此氮氣之噴吐位置逐漸接近液界面。因此愈係晶圓W之接近周緣之區域，以氮氣推壓液界面之力愈強，清洗效果愈高，可抑制清洗液之液體殘留或液體碎裂，可良好地進行清洗。 又，在噴嘴臂30之移動途中使用第2清洗液噴嘴43及第2氮氣噴嘴53。第2氮氣噴嘴53氮氣之噴吐流量多，故推壓液界面之力強，亦可使清洗液之噴吐位置與氮氣之噴吐位置之距離增大，故可抑制液體飛濺。
且上述之實施形態中，於共通之噴嘴臂30設置第1清洗液噴嘴41、第2清洗液噴嘴43、第1氮氣噴嘴51及第2氮氣噴嘴53。因此，可使各噴嘴之驅動系共通，故可降低基板清洗裝置之成本，且噴嘴臂30或驅動系之設置空間亦可較狹窄。且晶圓W之表面中氮氣之噴吐位置，與清洗液之液界面之距離，如後述，宜在9mm～17mm之範圍內，宜藉由事前模擬，分別設定噴嘴之位置，俾氮氣之噴吐位置，與清洗液之液界面之距離在此範圍內變化。
且噴嘴臂30處於P1之位置時，亦可不設定為：第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2，與第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1，位在以晶圓之中心部為中心之相同的同心圓上。且噴嘴臂30位於P1時，第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2，亦可係較此時第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1更接近晶圓W之中心部之位置。
且本發明，不限定為設置第2氮氣噴嘴53，亦可在步驟4以下之程序中，使用第1氮氣噴嘴51清洗晶圓W。此時亦可隨著清洗液之液界面接近晶圓W之周緣，令氮氣之噴吐位置接近液界面。因此可隨著液界面接近晶圓W之周緣，增強推壓液界面之力，故可獲得同樣的效果。
且第1清洗液噴嘴41、第2清洗液噴嘴43、第1氮氣噴嘴51、第2氮氣噴嘴53，亦可分別設於可個別獨立移動之噴嘴移動部。且亦可不設置第2氮氣噴嘴53而僅使用第1氮氣噴嘴51，於步驟4以下之程序中亦清洗晶圓W。且本發明，於基板的水之接觸角大時效果大，例如水的接觸角在65°以上，清洗光阻膜之表面時效果更大。
且第1實施形態中，雖於步驟4，停止第1氮氣噴嘴51之噴吐，自第2氮氣噴嘴53噴吐氮氣，但步驟4及步驟5中，自第2清洗液噴嘴43及第2氮氣噴嘴53分別噴吐清洗液及氣體時，自第1氮氣噴嘴51噴吐例如少流量之氣體之情形，亦包含於本發明之技術範圍。
[第1實施形態之變形例] 且作為第1實施形態之變形例，噴嘴臂30，亦可設為迴旋臂。亦即第1實施形態中，噴嘴臂30沿X方向移動，藉此使各噴嘴沿直線移動，但亦可使各噴嘴如描繪圓弧軌跡般移動。圖18顯示如此之例，作為噴嘴臂30於圖18中，使用以O1為旋轉中心迴旋之構成者。驅動部，係使臂迴旋之未圖示之旋轉部，且設有未圖示之昇降部，噴嘴臂30可任意昇降。因此噴嘴臂30、驅動部及昇降部係噴嘴移動部。第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1與第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1，設在通過晶圓W之中心部之圓弧軌跡上。此實施形態之情形下，於步驟2使噴嘴臂30迴旋，藉此第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1遠離晶圓W之中心部15mm而移動，此時第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1位於晶圓W之中心部。
且步驟3中，第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1遠離晶圓W之中心部30mm而移動。此時第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1，雖接近液界面，但接近之距離極小，故第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1與液界面之距離，可當作大致未變化而呈一定。且於步驟4分別切換為自第2清洗液噴嘴43及第2氮氣噴嘴53噴吐清洗液及氮氣後，步驟5中，使噴嘴臂30迴旋，令各噴嘴朝晶圓W之周緣側移動。
說明關於因使噴嘴臂30迴旋，第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2自晶圓W之中心部起之距離，與第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2自晶圓W之中心部起之距離之差之關係。圖18中之V，係噴嘴臂30之旋轉軸O1與晶圓之中心部之距離，u及θ係表示既定之噴吐位置之參數，於圖18中，表示噴嘴臂30處於P4之位置時第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2之參數。u，係遠離以旋轉軸O1為中心，通過晶圓W之中心部之圓弧軌跡之距離（朝圓弧軌跡之外側偏離為＋，朝中心側偏離為－），θ係噴嘴臂30之旋轉角度（噴嘴位在連結旋轉軸O1與晶圓W之中心部之直線上時為0，順時針之旋轉方向為＋）。
旋轉軸O1在晶圓之區域外，噴嘴自晶圓W之中心部朝周緣移動後，在θ為0度～90度之範圍內到達晶圓W之周緣。考慮到使噴嘴臂30迴旋時自設於噴嘴臂30之噴嘴之噴吐位置至晶圓中心部之距離d之變化即知， d＝√[u2 ＋2uV＋2V2 －2V（u＋V）cosθ]。 因此使噴嘴臂30迴旋時噴嘴之噴吐位置與晶圓之中心部之距離，由噴嘴臂30之旋轉軸O1與晶圓W之中心部之距離V、旋轉角度θ、偏離圓弧軌跡之距離u決定。
因此使如圖18所示之臂迴旋時第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2自晶圓W之中心部起之距離d2之變化，以圖19中之（3）所示之實線表示。且使臂迴旋時第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2自晶圓W之中心部起之距離d3之變化，以圖19中之（4）所示之實線表示。因此，隨著使臂迴旋，令噴嘴臂30朝晶圓W之周緣方向迴旋，第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2與晶圓W之中心部之距離d2，及第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2與晶圓W之中心部之距離d3之差（d2－d3）逐漸減短。因此，隨著噴嘴臂30朝晶圓之周緣移動，液界面與氮氣之噴吐位置之距離逐漸接近，推壓液界面之力增強。因此可抑制液體殘留或液體碎裂。
[第2實施形態] 且作為依第2實施形態之基板清洗裝置，亦可包含2條噴嘴臂。第2實施形態，例如圖20、圖21所示，包含除未包含第2清洗液噴嘴43外，與第1實施形態所示之噴嘴臂30相同之第1噴嘴臂38，及包含另一氮氣噴嘴59之第2噴嘴臂39。圖中60係顯影用噴嘴臂，61係顯影液用噴嘴匯流排，63係導軌。第2噴嘴臂39與噴嘴臂30相同，由驅動部、昇降部支持，沿與第1噴嘴臂38之導軌33平行延伸之導軌69移動。第2噴嘴臂39，在晶圓W上與第1噴嘴臂38移動之區域不同之區域，例如自晶圓W之中心部沿X方向左側之區域移動。且另一氮氣噴嘴59，與第1氮氣噴嘴51及第2氮氣噴嘴53相同，經由配管70連接另一氮氣供給部71。
使用圖22～圖26說明以依第2實施形態之基板清洗裝置清洗晶圓W之清洗處理。步驟1及步驟3，如圖22、23所示係與第1實施形態所示之步驟1～步驟3相同之程序，第1噴嘴臂38移動，俾R1、N1依序位於晶圓W之中心部。第2噴嘴臂39中，自另一氮氣噴嘴59噴吐之氮氣之噴吐位置N3自例如晶圓W之中心部，沿X方向於作為圖中朝左方向60mm之位置之地點待命。
(步驟4) 如圖24所示第1清洗液噴嘴41之噴吐位置R1位於自晶圓W之中心部30mm之位置，第1氮氣噴嘴51之噴吐位置N1位於自晶圓W之中心部15mm之位置後，噴吐氮氣之噴嘴自第1氮氣噴嘴51切換為第2氮氣噴嘴53。
(步驟5) 其後第1噴嘴臂38，移動至第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2自晶圓W之中心部起之距離（此例中為60mm），與另一氮氣噴嘴59之噴吐位置N3自晶圓W之中心部起之距離相等之位置。此期間內進行第2清洗液之噴吐，與第2氮氣之噴吐，第2氮氣噴嘴53，較第1氮氣噴嘴51流量大，故步驟5中，較步驟1～3可更以強力推壓液界面。
(步驟6) 其後，切換噴吐氮氣之噴嘴為另一氮氣噴嘴59，第1噴嘴臂38及第2噴嘴臂39朝晶圓W之周緣方向移動。圖25顯示將氮氣之噴吐自第2氮氣噴嘴53切換至另一氮氣噴嘴59後之狀態。此時第1噴嘴臂38，如圖26所示沿X方向，朝右側移動，而第2噴嘴臂39，沿X方向朝左側移動。且第2噴嘴臂39之移動速度，設定為較第1噴嘴臂38快之速度。因此自清洗液之噴吐位置至晶圓W之中心部之距離L1，與自氮氣之噴吐位置至晶圓W之中心部之距離L2之差逐漸減小。舉一例而言，L2－L1自17mm接近至9mm。其結果，另一氮氣噴嘴59之噴吐位置N3，隨著接近晶圓W之周緣側接近液界面，故氮氣推壓液界面之力逐漸增加。因此可抑制液體殘留或液體碎裂，獲得與第1實施形態相同之效果。 且自第2噴嘴臂39之另一氮氣噴嘴59噴吐氣體，同時該第2噴嘴臂39朝晶圓W之周緣側移動時，自第1噴嘴臂38之氮氣噴嘴51、53噴吐例如少量氣體，亦包含於技術範圍內。
在此第1實施形態或是第2實施形態中，描述關於對晶圓W之中心部供給清洗液後自第1氮氣噴嘴51對該中心部吹送氮氣時之較佳例。如先前技術之欄所言，光阻與基底之接觸角之差大時於基底之側易有液體殘留，發生液體殘留後即成為殘渣缺陷(因存在殘渣導致顯影缺陷)之要因。例如於基底使用矽氧化膜時，該接觸角之差相當大，故如此之時更宜進行可抑制液體殘留之清洗處理。注意晶圓W之中心部附近即知，此部分離心力弱，故易於發生液體殘留。在此於晶圓W之中央部延長第1氮氣之噴吐時間亦係有效之手法，但處理時間變長，有成為處理能力降低之要因之虞。
就如此之觀點而言，作為有效之手法之一例，可舉將第1氮氣噴嘴51之噴吐之前端部之高度設定於晶圓W之表面之上方，例如5mm之高度之例。此時，自第1氮氣噴嘴51之前端部至晶圓W之表面之距離減短，可抑制自第1氮氣噴嘴51噴吐之氮氣到達晶圓W之表面止氣體之擴散，可以更強的剪斷應力推壓液界面。 又，提高氮氣之剪斷應力，且前半以低流量供給氮氣，形成乾燥核（液之中央部之乾燥區域）後，後半以高流量供給氮氣，擴大乾燥核。依如此之手法，可更抑制晶圓W之中心部之液體殘留。低流量之時間與高流量之時間不限於相同。關於具體例記載於後述之實施例欄。
且記載關於用來抑制晶圓W之中心部以外之區域中之液體殘留之有效之手法。作為此手法之一，若以依第1實施形態之第2氮氣噴嘴53為例，即係如圖27所示，設置第2氮氣噴嘴53，俾氮氣之噴吐方向相對於水平面之角度θ2為例如45度之角度。所謂氮氣之噴吐方向，係自噴吐口噴吐之氣流之中心所朝之方向。 自第2氮氣噴嘴53對晶圓W之表面傾斜噴吐氮氣後，即對形成於晶圓W之表面之液界面施加之剪斷應力，較對晶圓W垂直噴吐氮氣時對形成於晶圓W表面之液界面施加之剪斷應力大。第2氮氣噴嘴53之氮氣之噴吐方向相對於水平面之角度θ2為45度時對液界面施加之剪斷應力，較角度θ2為90度時對液界面施加之剪斷應力強1.5倍。如此設定第2氮氣噴嘴53之氮氣之噴吐方向相對於水平面45度，增大對液界面施加之剪斷應力，即使加快噴嘴臂30之掃描速度亦可抑制液體殘留或液體碎裂。 設定第2氮氣噴嘴53之氮氣之噴吐方向相對於水平面90度時，亦可因氮氣之流量大，對液面獲得大的剪斷應力，但有液體飛濺或霧靄發生之虞。因此傾斜設定第2氮氣噴嘴53之氮氣之噴吐方向有效，特別是相對於水平面設定為45度有利。
且就第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2與液之內緣（液界面）之間之距離，用來減少殘渣之適當的距離，對應晶圓W上光阻之種類、基底膜之材質、清洗處理之配方等不同。因此，宜作為清洗處理之處理類別中之參數加入該距離，藉由選擇處理類別決定該距離。第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2與液之內緣之間之距離，在氮氣之噴吐方向自水平面傾斜時，例如設定氮氣之噴吐方向相對於水平面45度時，可藉由調整第2氮氣噴嘴53之高度變更。
例如圖28所示，第2氮氣噴嘴53之前端部自晶圓W之表面起之高度為h1時，晶圓W表面上自第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2至第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2之距離例如為d11。 又，如圖29所示，噴嘴臂30上昇，俾第2氮氣噴嘴53之前端部自晶圓W之表面起之高度為h2後，第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2，即於晶圓W之表面朝第2氮氣噴嘴53之前端部傾斜之方向移動。另一方面，第2清洗液噴嘴43，設置成朝正下方噴吐，故即使噴嘴臂30昇降於晶圓W表面第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2亦不變。因此第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2，接近第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2，自第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2至第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2之距離為d12。如此藉由使噴嘴臂30昇降，可變更自第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2至第2清洗液噴嘴43之噴吐位置R2之距離。又，第2清洗液噴嘴43之清洗液之噴吐方向，亦可不朝正下方，只要例如係與第2氮氣噴嘴53之氣體之噴吐方向不同之角度（相對於水平面之角度），亦可傾斜。
在此如圖27所示，預先對應晶圓W之清洗處理之類別，事前求取自第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2至液界面之內緣之適當的距離，於控制部5中之記憶體23，記憶使晶圓W之清洗處理之類別（配方），與噴嘴臂30之高度之設定值相對應之資料。又，以控制部5自記憶體23讀取對應晶圓W之清洗處理之類別之噴嘴臂30之高度，對昇降部26輸出使噴嘴臂30昇降之控制信號。因此對應晶圓W之批次選擇清洗處理之類別時，亦決定噴嘴臂30之高度。清洗處理之類別中，參數亦可僅噴嘴臂30之高度，此時，設定複數噴嘴臂30之高度之際，各高度係清洗處理之類別。
藉由如此構成，可對應晶圓W之清洗處理之類別，設定自第2氮氣之噴吐位置N2至液界面之內緣為適當的距離，故即使於晶圓W之中心部以外之區域亦可抑制清洗液之液體殘留或液體碎裂，良好地進行清洗。
藉由設定氮氣之噴吐方向與水平面之角度θ2為例如30度～60度雖可增強剪斷應力，但設定角度θ2為45度±5度時剪斷應力更強，可獲得更大的效果。
揭示本發明之一態樣之第1實施形態中，使用第1清洗液噴嘴41（以R1表示噴吐位置）、第2清洗液噴嘴43（以R2表示噴吐位置）、第1氮氣噴嘴51（以N1表示噴吐位置）及第2氮氣噴嘴53（以N2表示噴吐位置），確保圖16（b）及圖17所示之特性。亦即，第1實施形態中，設定4個噴嘴41、43、51、53之配置佈局，俾使用1條噴嘴臂30，沿作為該噴嘴臂30之導軌延伸之方向之X方向移動時，液界面與氮氣之噴吐（供給）位置之關係為圖17所示之關係。
然而，亦可藉由組合4個噴嘴41、43、51、53之佈局，與使用之噴嘴臂之條數及移動方向，以第1實施形態所記載之構成以外之構成，使液界面與氮氣之噴吐（供給）位置之關係為圖17所示之關係。亦可例如使用2條噴嘴臂，於一方之噴嘴臂配置各噴嘴41、43、51、53中的2個，於另一方之噴嘴臂配置剩下的2個，藉由移動兩噴嘴臂，進行與第1實施形態相同之動作。此時，雙方之噴嘴臂可相互遠離移動，亦可使一方之噴嘴臂朝X方向移動，另一方之噴嘴臂朝Y方向移動，設定配置佈局，俾與第1實施形態之動作相同。列舉此等例於以下。
首先使用1條噴嘴臂30朝一方向移動時，亦可呈將圖6所示之噴嘴41、43、51、53之佈局，亦即噴吐位置R1、R2、N1、N2之佈局，以R1為中心旋轉90度之佈局，噴嘴臂30沿Y方向移動。此時，噴嘴臂30，與Y方向之移動機構組合。
其次描述關於噴嘴41、43、51、53分散於2條噴嘴臂30A、30B之例。為避免說明之煩雜化，不作為噴嘴41、43、51、53之佈局記載，代之以使用各噴嘴41、43、51、53之噴吐位置R1、R2、N1、N2記載。例如將「第1清洗液噴嘴41設於噴嘴臂，俾其噴吐位置R1位於如圖之位置」之表現，作為「噴嘴臂使R1位於如圖之位置」之表現簡化。
圖30係N1、N2位於一方之噴嘴臂30A，R1、R2位於另一方之噴嘴臂30B之例，顯示R1位於晶圓W之中心部之狀態。圖31顯示兩噴嘴臂30A、30B移動成N1位於晶圓W之中心部之狀態，圖32顯示將清洗液及氮氣之噴吐自R1、N1切換至R2、N2之位置。圖30～圖32分別對應圖6～圖8。
且圖33雖係N1、N2位於一方之噴嘴臂30A，R1、R2位於另一方之噴嘴臂30B之例，但兩噴嘴臂30A、30B之Y方向之位置不同。圖33～圖35顯示兩噴嘴臂30A、30B依序移動之狀態，分別對應圖6～圖8。如此作為兩噴嘴臂30A、30B以沿X方向排列之狀態沿X方向移動，以獲得與第1實施形態相同之作用之R1、R2、N1、N2之另一佈局，可舉出圖36～圖49。
圖50雖係R2、N2位於一方之噴嘴臂30A，R1、N1位於另一方之噴嘴臂30B之例，但R1、N1位於沿Y方向遠離之位置。此時，一方之噴嘴臂30B沿Y方向（與噴嘴臂30之導軌33延伸之方向正交之方向）移動。圖50～圖52顯示兩噴嘴臂30A、30B依序移動之狀態，分別對應圖6～圖8。如此作為兩噴嘴臂30A、30B之一方沿Y方向移動，另一方沿X方向移動，以獲得與第1實施形態相同之作用之R1、R2、N1、N2之另一佈局，可舉出圖53～圖59。
且描述關於使用1條可沿X方向、Y方向雙方向移動之噴嘴臂，獲得第1實施形態之作用之手法。圖60係於1條噴嘴臂80設置1個清洗液噴嘴與1個氮氣噴嘴之例，清洗液噴嘴及氮氣噴嘴之噴吐位置分別顯示為N、R。亦即，此例中，噴嘴臂80沿X方向、Y方向移動，藉此R兼作為R1及R2，N兼作為N1、N2。圖60～圖62顯示噴嘴臂80依序移動之狀態，分別對應圖6～圖8。此例中，以R表示噴吐位置之1個清洗液噴嘴，至圖62所示之位置止，用作為第1清洗液噴嘴41，自圖62所示之位置之後的移動階段中，用作為第2清洗液噴嘴43，例如圖63所示，噴嘴臂80沿Y軸方向移動。
並且圖64中，使用2條噴嘴臂30、80，於一方之噴嘴臂30，為獲得與第1實施形態相同之作用，配置R1、R2、N1、N2。又，於另一方之噴嘴臂80，設置第2實施形態所記載之另一氮氣噴嘴59（噴吐位置顯示為N3）。此例中，一方之噴嘴臂30之移動模式，雖與第1實施形態相同，但如第2實施形態所記載N2位於自例如晶圓W之中心部60mm之位置時，自N2切換為N3。因此此例中另一方之噴嘴臂80之移動速度，如第2實施形態所記載，較一方之噴嘴臂30之移動速度快。又，另一方之噴嘴臂80之移動速度，亦可與一方之噴嘴臂30之移動速度相同。
圖64之例雖係噴嘴臂30、80沿X方向移動之例，但噴嘴臂30、80沿Y方向移動時，R1、R2、N1、N2、N3之佈局，如圖65所示。且噴嘴臂30、80如作為第1實施形態之變形例所示旋轉時，R1、R2、N1、N2、N3之佈局，如圖66所示。
[實施例1] 為評價本發明，使用依第1實施形態之基板清洗裝置，對使用評價圖案曝光之晶圓W供給顯影液，進行依實施例及比較例之清洗處理，計算圖案之缺陷。在用於實施例之晶圓W之表面形成之光阻膜與抗反射膜之接觸角差，為37.8°。設定清洗處理中晶圓之旋轉速度為750rpm，設定噴嘴臂30之移動速度為10mm／秒。且作為比較例，使用與實施例相同之構成之基板清洗裝置，步驟2結束後，不切換清洗液噴嘴及氮氣噴嘴，以朝晶圓噴吐第1清洗液及第1氮氣之狀態，沿X方向朝晶圓W之周緣移動噴嘴臂30，清洗晶圓。此時自氣體之噴吐位置至液界面之距離一定。比較例中，可確認2561個圖案之缺陷，而實施例中，圖案之缺陷減少到8個，可確認本發明之清洗效果高。
[評價試驗] 為調查氮氣之噴吐位置與清洗液之液界面之脫離距離，對晶圓W之清洗效果造成的影響，進行以下評價試驗。基板清洗裝置中，藉由變更設置於噴嘴臂30之第1氮氣噴嘴51之位置，設定以下7種液界面與氮氣之噴吐位置之距離，僅使用第1清洗液噴嘴41及第1氮氣噴嘴51，對使用評價圖案曝光之晶圓W供給顯影液後，進行清洗。清洗晶圓W後，進行乾燥處理，計算存在於自晶圓之中心部起12～15cm之區域之圖案之缺陷之數量。結果如以下表1。 [表1]<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> 脫離距離 </td><td> 7mm </td><td> 9mm </td><td> 11mm </td><td> 13mm </td><td> 15mm </td><td> 17mm </td><td> 19mm </td></tr><tr><td> 圖案之缺陷 </td><td> 264 </td><td> 6 </td><td> 8 </td><td> 5 </td><td> 13 </td><td> 10 </td><td> 52 </td></tr></TBODY></TABLE>
可以說為充分抑制圖案之缺陷之數量，氮氣噴吐位置與液界面之距離，宜設定於9mm～17mm之範圍內。
[實施例2] 為評價本發明，使用依第1實施形態之基板清洗裝置，對使用評價圖案曝光之晶圓W供給顯影液，設定第1氮氣噴嘴51之前端部之高度為晶圓W之上方25mm與5mm，進行清洗處理，形成圖案，檢查晶圓W之表面。計算自晶圓W之中心部起3cm以內之殘渣缺陷（顯影缺陷）。設定第1氮氣噴嘴51之前端部之高度為晶圓W之上方25mm時之缺陷為8個，設定第1氮氣噴嘴51之前端部之高度為晶圓W之上方5mm時之缺陷為3個。可以說藉由設定第1氮氣噴嘴51之前端部之高度較低，可減少晶圓W之中心部附近之液體殘留。
[實施例3] 為調查相對於水平面以45度之角度噴吐之氮氣之噴吐位置與清洗液之液界面之距離，對晶圓W之清洗效果造成的影響，進行以下評價試驗。基板清洗裝置中，將設置於噴嘴臂30之第2氮氣噴嘴53設置為自水平面起45度之角度，其設置位置朝晶圓W之中心側移動。設定第2氮氣噴嘴53之噴吐位置N2與清洗液之液界面之距離為Amm、A＋1mm、A＋2mm 3種時，該距離為A＋1mm時，缺陷較Amm約多3倍，為A＋2mm時約多6倍。因此可理解，藉由變更距離可使清洗效果變化。
以上，雖已參照附圖同時說明關於本發明之適當的實施形態，但本發明不由相關例限定。吾人應理解，只要是孰悉該技藝者，於申請專利範圍所記載之構想範疇內，當然可達成各種變更例或修正例，關於此等者，當然亦屬於本發明之技術範圍內。
1‧‧‧杯體模組
11‧‧‧旋轉吸盤
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧杯體
12‧‧‧旋轉軸
13‧‧‧旋轉機構
14‧‧‧圓形板
15‧‧‧環構件
16‧‧‧外杯體
17‧‧‧內杯體
18‧‧‧昇降機構
19‧‧‧液體承接部
20‧‧‧排放排出口
30‧‧‧清洗用噴嘴臂
60‧‧‧顯影用噴嘴臂
62‧‧‧顯影液噴嘴
65‧‧‧配管
64‧‧‧顯影液供給部
41‧‧‧第1清洗液噴嘴
43‧‧‧第2清洗液噴嘴
51‧‧‧第1氮氣噴嘴
53‧‧‧第2氮氣噴嘴
45‧‧‧配管
46‧‧‧第1清洗液供給部
47‧‧‧配管
48‧‧‧第2清洗液供給部
55‧‧‧配管
56‧‧‧第1氮氣供給部
57‧‧‧配管
58‧‧‧第2氮氣供給部
圖1係顯示依第1實施形態之基板清洗裝置之縱剖面圖。
圖2係顯示依第1實施形態之基板清洗裝置之俯視圖。
圖3係顯示噴嘴臂之構成之立體圖。
圖4係顯示噴嘴臂之前端部之立體圖。
圖5係顯示依第1實施形態之控制部之構成之說明圖。
圖6係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖7係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖8係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖9係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖10係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖11係顯示基板之清洗程序中晶圓之清洗之情形之說明圖。
圖12係顯示基板之清洗程序中晶圓之清洗之情形之說明圖。
圖13係顯示基板之清洗程序中晶圓之清洗之情形之說明圖。
圖14係顯示以氮氣推壓液界面之情形之說明圖。
圖15係顯示噴嘴臂移動時之清洗液噴嘴及氮氣噴嘴之位置之說明圖。
圖16(a)~(b)係顯示噴嘴臂之移動距離與自噴吐位置至晶圓中心部之距離之關係之說明圖。
圖17係顯示噴嘴臂之移動距離，與液界面和氮氣之噴吐位置之距離之關係之特性圖。
圖18係顯示依第1實施形態之變形例之基板清洗裝置之俯視圖。
圖19係顯示噴嘴臂之迴旋角度與噴嘴之自晶圓中心部之距離之關係之特性圖。
圖20係顯示依第2實施形態之基板清洗裝置之縱剖面圖。
圖21係顯示依第2實施形態之基板清洗裝置之俯視圖。
圖22係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖23係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖24係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖25係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖26係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖27係顯示本發明之依實施形態之其他例之基板清洗裝置之側視圖。
圖28係說明本發明之依實施形態之其他例之基板清洗裝置之作用之說明圖。
圖29係說明本發明之依實施形態之其他例之基板清洗裝置之作用之說明圖。
圖30係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖31係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖32係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖33係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖34係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖35係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖36係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖37係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖38係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖39係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖40係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖41係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖42係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖43係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖44係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖45係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖46係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖47係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖48係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖49係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖50係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖51係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖52係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖53係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖54係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖55係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖56係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖57係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖58係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖59係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖60係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖61係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖62係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖63係顯示基板之清洗程序中噴嘴臂之位置及自噴嘴噴吐之狀態之說明圖。
圖64係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖65係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
圖66係顯示設置於噴嘴臂之噴嘴之例之說明圖。
1‧‧‧杯體模組
11‧‧‧旋轉吸盤
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧杯體
12‧‧‧旋轉軸
13‧‧‧旋轉機構
14‧‧‧圓形板
15‧‧‧環構件
16‧‧‧外杯體
17‧‧‧內杯體
18‧‧‧昇降機構
19‧‧‧液體承接部
20‧‧‧排放排出口
30‧‧‧清洗用噴嘴臂
60‧‧‧顯影用噴嘴臂
62‧‧‧顯影液噴嘴
65‧‧‧配管
64‧‧‧顯影液供給部
41‧‧‧第1清洗液噴嘴
43‧‧‧第2清洗液噴嘴
51‧‧‧第1氮氣噴嘴
53‧‧‧第2氮氣噴嘴
45‧‧‧配管
46‧‧‧第1清洗液供給部
47‧‧‧配管
48‧‧‧第2清洗液供給部
55‧‧‧配管
56‧‧‧第1氮氣供給部
57‧‧‧配管
58‧‧‧第2氮氣供給部

Claims (20)

  1. 一種基板清洗裝置，一面令基板旋轉，一面使用清洗液及氣體清洗基板，其特徵在於包含： 基板固持部，水平固持基板； 旋轉機構，令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉； 第1清洗液噴嘴及第2清洗液噴嘴，用來分別對由該基板固持部所固持之基板供給清洗液； 氣體噴嘴，對由該基板固持部所固持之基板噴吐氣體； 噴嘴移動部，用來使該第1清洗液噴嘴、第2清洗液噴嘴及氣體噴嘴移動；及 控制部，輸出控制信號，以實行下列步驟： 自該第1清洗液噴嘴對基板之中心部噴吐清洗液； 接著，使該清洗液之噴吐位置自該基板之中心部朝周緣側移動後，自該氣體噴嘴對該中心部噴吐氣體； 接著，一面自第1清洗液噴嘴及氣體噴嘴分別噴吐清洗液及氣體，一面使該第1清洗液噴嘴及該氣體噴嘴之各噴吐位置朝基板之周緣側移動；及 其次，將清洗液之噴吐自該第1清洗液噴嘴切換至第2清洗液噴嘴，一面自第2清洗液噴嘴噴吐清洗液，並自氣體噴嘴噴吐氣體，一面使該第2清洗液噴嘴及該氣體噴嘴之各噴吐位置朝基板之周緣側移動； 且該第2清洗液噴嘴的噴吐位置，係設定於偏離第1清洗液噴嘴之噴吐位置的移動軌跡之位置， 若自第2清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為d2，且自氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為d3，則自第2清洗液噴嘴噴吐清洗液時，d3＜d2，且隨著第2清洗液噴嘴朝基板之周緣側移動，d2與d3之差逐漸減小。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板清洗裝置，其中 將該第1清洗液噴嘴、第2清洗液噴嘴及氣體噴嘴，設於共通之噴嘴移動部。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板清洗裝置，其中 設有該第1清洗液噴嘴、第2清洗液噴嘴及氣體噴嘴中至少1個噴嘴之噴嘴移動部，可與設有其他噴嘴之噴嘴移動部個別獨立移動。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板清洗裝置，其中 該氣體噴嘴包含： 第1氣體噴嘴，在對基板之中心部噴吐氣體時使用；及 第2氣體噴嘴，設於自該第1氣體噴嘴之移動軌跡偏離之位置，在一面自該第2清洗液噴嘴噴吐清洗液，一面將清洗液及氣體之各噴吐位置朝基板之周緣側移動時使用。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板清洗裝置，其中 該第2氣體噴嘴中氣體之噴吐流量，係設定成大於該第1氣體噴嘴中氣體之噴吐流量。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板清洗裝置，其中 將該第2清洗液噴嘴及第2氣體噴嘴，設於可以昇降機構任意昇降之共通之噴嘴移動部， 該第2氣體噴嘴之氣體之噴吐方向，係在相對於水平面成30度～60度之範圍內傾斜， 且包含控制部，該控制部包含記憶部，該記憶部儲存著以基板之清洗處理之類別與第2氣體噴嘴之噴吐口相對於基板之高度相對應之資料，該控制部將和選自於複數之清洗處理之類別中的清洗處理之類別相對應之第2氣體噴嘴的噴吐口之高度自該記憶部中讀取，對該昇降機構輸出控制信號。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板清洗裝置，其中 該第2氣體噴嘴之氣體之噴吐方向，相對於水平面成45度±5度。
  8. 一種基板清洗裝置，一面令基板旋轉，一面使用清洗液及氣體清洗基板，其特徵在於包含： 基板固持部，水平固持基板； 旋轉機構，令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉； 第1噴嘴移動部，將用來對於由該基板固持部所固持之基板供給清洗液之清洗液噴嘴，及噴吐氣體之氣體噴嘴加以固持； 第2噴嘴移動部，將對於由該基板固持部所固持之基板噴吐氣體之氣體噴嘴加以固持，與該第1噴嘴移動部個別設置；及 控制部，輸出控制信號，俾實行下列步驟： 自該清洗液噴嘴對基板之中心部噴吐清洗液； 接著，使第1噴嘴移動部移動，自該第1噴嘴移動部之氣體噴嘴對該中心部噴吐氣體； 接著，於清洗液噴嘴之噴吐位置較第1噴嘴移動部之氣體噴嘴之噴吐位置更位於基板之周緣側之狀態，一面噴吐清洗液並自該氣體噴嘴噴吐氣體，一面使第1噴嘴移動部朝基板之周緣側移動；及 其次，一面自第2噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體，與自該清洗液噴嘴噴吐清洗液，一面使第1噴嘴移動部及第2噴嘴移動部朝基板之周緣側移動； 並控制兩噴嘴移動部之移動速度，俾若自清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為L1，而自第2噴嘴移動部之氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為L2，則於自該第2噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體時，L2＜L1；且隨著第1噴嘴移動部及第2噴嘴移動部朝基板之周緣側移動，L1與L2之差逐漸減小。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板清洗裝置，其中 於由該第1噴嘴移動部所固持之氣體噴嘴之移動軌跡偏離之位置設有其他氣體噴嘴， 該其他氣體噴嘴，於該氣體噴嘴之噴吐位置自基板之中心部朝基板之周緣側移動後，且於自第2噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體前，朝基板之周緣側移動，同時噴吐氣體， 自該其他氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離，較自該清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為短。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板清洗裝置，其中 該其他氣體噴嘴中氣體之噴吐流量，係設定成大於由該第1噴嘴移動部所固持之氣體噴嘴的氣體之噴吐流量。
  11. 一種基板清洗方法，一面令基板旋轉，一面使用清洗液及氣體清洗基板，其特徵在於包含下列程序： 將基板水平固持於基板固持部； 一面令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉，一面自第1清洗液噴嘴對基板之中心部噴吐清洗液； 接著，使該清洗液之噴吐位置朝基板之周緣側移動後，自氣體噴嘴朝該基板之中心部噴吐氣體； 接著，一面自第1清洗液噴嘴及氣體噴嘴分別噴吐清洗液及氣體，一面使該第1清洗液噴嘴及該氣體噴嘴之各噴吐位置朝基板之周緣側移動；及 其次將清洗液之噴吐自該第1清洗液噴嘴切換至第2清洗液噴嘴，一面自第2清洗液噴嘴噴吐清洗液並自氣體噴嘴噴吐氣體，一面使該第2清洗液噴嘴及該氣體噴嘴之各噴吐位置朝基板之周緣側移動； 且該第2清洗液噴嘴的噴吐位置，係設定於自第1清洗液噴嘴之噴吐位置的移動軌跡偏離之位置， 若自第2清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為d2，自氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為d3，則自第2清洗液噴嘴噴吐清洗液時d3＜d2，且隨著第2清洗液噴嘴朝基板之周緣側移動，d2與d3之差逐漸減小。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板清洗方法，其中 將該第1清洗液噴嘴、第2清洗液噴嘴及氣體噴嘴，設於共通之噴嘴移動部。
  13. 如申請專利範圍第11項之基板清洗方法，其中 設有該第1清洗液噴嘴、第2清洗液噴嘴及氣體噴嘴中至少1個噴嘴之噴嘴移動部，可與設有其他噴嘴之噴嘴移動部個別獨立移動。
  14. 如申請專利範圍第11項之基板清洗方法，其中 該氣體噴嘴包含： 第1氣體噴嘴，在對基板之中心部噴吐氣體時使用；及 第2氣體噴嘴，設於自此第1氣體噴嘴之移動軌跡偏離之位置，在一面自該第2清洗液噴嘴噴吐清洗液，一面清洗液及氣體之各噴吐位置朝基板之周緣側移動時使用。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板清洗方法，其中 該第2氣體噴嘴中氣體之噴吐流量，係設定成大於該第1氣體噴嘴的氣體之噴吐流量。
  16. 一種基板清洗方法，一面令基板旋轉，一面使用清洗液及氣體清洗基板，其使用：第1噴嘴移動部，將用來對基板供給清洗液之清洗液噴嘴，及噴吐氣體之氣體噴嘴加以固持；及第2噴嘴移動部，將對基板噴吐氣體之氣體噴嘴加以固持，且與該第1噴嘴移動部個別設置； 該基板清洗方法包含下列程序： 將基板水平固持於基板固持部； 一面令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉，一面自該清洗液噴嘴對基板之中心部噴吐清洗液； 接著，使第1噴嘴移動部移動，自該第1噴嘴移動部之氣體噴嘴對該中心部噴吐氣體； 接著，於清洗液噴嘴之噴吐位置較第1噴嘴移動部之氣體噴嘴之噴吐位置更位於基板之周緣側之狀態，一面噴吐清洗液並自該氣體噴嘴噴吐氣體，一面使第1噴嘴移動部朝基板之周緣側移動；及 其次，一面自第2噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體並自該清洗液噴嘴噴吐清洗液，一面使第1噴嘴移動部及第2噴嘴移動部朝基板之周緣側移動； 且控制兩噴嘴移動部之移動速度，俾若自清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為L1，且自第2噴嘴移動部之氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為L2，則自該第2噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體時L2＜L1，且隨著第1噴嘴移動部及第2噴嘴移動部朝基板之周緣側移動，L1與L2之差逐漸減小。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板清洗方法，其中 於由該第1噴嘴移動部所固持之氣體噴嘴之移動軌跡偏離之位置設有其他氣體噴嘴， 該基板清洗方法更包含一程序，於該其他氣體噴嘴自該氣體噴嘴之噴吐位置自基板之中心部朝基板之周緣側移動後，且於自第2噴嘴移動部之氣體噴嘴噴吐氣體前，一面使該第1噴嘴移動部朝基板之周緣側移動，一面自該其他氣體噴嘴噴吐氣體， 且自該其他氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離，較自該清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離短。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板清洗方法，其中 將該其他氣體噴嘴中氣體之噴吐流量，設定成大於由該第1噴嘴移動部所固持之氣體噴嘴的氣體之噴吐流量。
  19. 如申請專利範圍第11項之基板清洗方法，其中 由該基板固持部所固持之基板，係為使用水之接觸角在65度以上之光阻膜加以曝光，且其後受供給顯影液之基板。
  20. 一種非臨時性記憶媒體，儲存有在基板清洗裝置之電腦上動作之程式，用來於基板清洗裝置實行一面令基板旋轉，一面使用清洗液及氣體清洗基板的基板清洗方法，該基板清洗方法包含下列程序： 將基板水平固持於基板固持部； 一面令該基板固持部繞著鉛直軸旋轉，一面自第1清洗液噴嘴對基板之中心部噴吐清洗液； 接著，使該清洗液之噴吐位置朝基板之周緣側移動後，自氣體噴嘴朝該基板之中心部噴吐氣體； 接著，一面自第1清洗液噴嘴及氣體噴嘴分別噴吐清洗液及氣體，一面使該第1清洗液噴嘴及該氣體噴嘴之各噴吐位置朝基板之周緣側移動；及 其次，將清洗液之噴吐自該第1清洗液噴嘴切換至第2清洗液噴嘴，一面自第2清洗液噴嘴噴吐清洗液並自氣體噴嘴噴吐氣體，一面使該第2清洗液噴嘴及該氣體噴嘴之各噴吐位置朝基板之周緣側移動； 且該第2清洗液噴嘴之噴吐位置，係設定於自第1清洗液噴嘴之噴吐位置之移動軌跡偏離之位置， 若自第2清洗液噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為d2，自氣體噴嘴之噴吐位置至基板之中心部之距離為d3，則自第2清洗液噴嘴噴吐清洗液時d3＜d2，且隨著第2清洗液噴嘴朝基板之周緣側移動，d2與d3之差逐漸減小。
TW103118328A 2013-05-28 2014-05-26 基板清洗裝置、基板清洗方法及非臨時性記憶媒體 TWI568507B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013112395 2013-05-28
JP2014014864A JP6007925B2 (ja) 2013-05-28 2014-01-29 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
JP2014058221A JP6102807B2 (ja) 2013-05-28 2014-03-20 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201519966A true TW201519966A (zh) 2015-06-01
TWI568507B TWI568507B (zh) 2017-02-01

Family

ID=52338346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103118328A TWI568507B (zh) 2013-05-28 2014-05-26 基板清洗裝置、基板清洗方法及非臨時性記憶媒體

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP6007925B2 (zh)
KR (1) KR102126591B1 (zh)
TW (1) TWI568507B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107470225A (zh) * 2017-08-28 2017-12-15 广州沃安实业有限公司 一种清洗机
TWI666688B (zh) * 2017-08-31 2019-07-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法以及基板處理裝置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI661477B (zh) 2015-06-18 2019-06-01 日商思可林集團股份有限公司 基板處理裝置
JP6613206B2 (ja) * 2015-06-18 2019-11-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6960489B2 (ja) * 2016-03-31 2021-11-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6807162B2 (ja) * 2016-04-13 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI643683B (zh) * 2017-10-19 2018-12-11 Scientech Corporation 流體供應裝置
JP2019169624A (ja) * 2018-03-23 2019-10-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像方法
CN115069639B (zh) * 2022-05-31 2023-11-14 江苏卓玉智能科技有限公司 半导体晶圆的清洗装置
WO2024014346A1 (ja) * 2022-07-14 2024-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT501653B1 (de) * 2003-11-18 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd Substrat-reinigungsverfahren, substrat-reinigungsvorrichtung und computer-lesbares aufzeichnungsmedium
CN100501931C (zh) * 2004-04-23 2009-06-17 东京毅力科创株式会社 基板清洗方法、基板清洗装置
KR100846690B1 (ko) 2004-06-04 2008-07-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 세정 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置
KR100940136B1 (ko) * 2006-08-29 2010-02-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치
KR101433868B1 (ko) * 2006-10-02 2014-08-29 램 리서치 아게 디스크와 같은 물체의 표면에서 액체를 제거하기 위한 장치 및 방법
JP5090089B2 (ja) 2006-10-19 2012-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5151629B2 (ja) * 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP4780808B2 (ja) 2009-02-03 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP5538102B2 (ja) * 2010-07-07 2014-07-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄方法および基板洗浄装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107470225A (zh) * 2017-08-28 2017-12-15 广州沃安实业有限公司 一种清洗机
TWI666688B (zh) * 2017-08-31 2019-07-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法以及基板處理裝置
US10854481B2 (en) 2017-08-31 2020-12-01 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP6007925B2 (ja) 2016-10-19
JP2015008267A (ja) 2015-01-15
KR102126591B1 (ko) 2020-06-24
KR20140139969A (ko) 2014-12-08
TWI568507B (zh) 2017-02-01
JP2015008273A (ja) 2015-01-15
JP6102807B2 (ja) 2017-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI568507B (zh) 基板清洗裝置、基板清洗方法及非臨時性記憶媒體
US9805958B2 (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
JP6314779B2 (ja) 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置
TWI666068B (zh) 基板之洗淨裝置及基板之洗淨方法
US9378988B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
JPH1154394A (ja) 液膜形成装置及びその方法
JPWO2005050724A1 (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102424125B1 (ko) 현상 방법
US9625821B2 (en) Developing apparatus
KR20190015998A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP6508721B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2017188665A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101950047B1 (ko) 기판 세정 건조 방법 및 기판 현상 방법
TWI797159B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
JP6814847B2 (ja) 現像方法
JP2016072344A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2000311846A (ja) レジスト現像方法およびレジスト現像装置
JP2023045958A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN220691256U (zh) 液处理装置
CN116878240A (zh) 一种马兰戈尼干燥方法和晶圆处理装置
KR20080072248A (ko) 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 후면 세정방법