TW201241873A - Methods and apparatus for controlling photoresist line width roughness - Google Patents

Description

201241873 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上關於用於控制光阻線寬粗糙度的設備與 方法’詳言之’關於用於半導體處理技術中控制光阻線 寬粗糙度的方法與設備。 【先前技術】 積體電路已進展至複雜的元件，該等複雜元件在單— 晶片上可包括數百萬個部件（例如電晶體、電容器與電 阻器)。晶片設計的進展持續需要更快的電路系統與更大 的電路在度。對於更大電路密度的需求使得在積體電路 部件的尺度上的減少成為必要之務。 當積體電路部件的π # / 例如減少至次微米尺 ΐ因此C構件放置在半導體積體電路上給定的區域 材精嫁且準確地轉移甚小的特徵結構至基 俞來众二’微影術（lith°graphy)製程已變得 至μ h ㈣確且準確㈣徵結構轉移 土 月望中具高解析度的微 合的光源，該光源可提供期望波長範_“要具有適 之用。再者，微的輕射以供暴露 UWR)最小的光阻線寬粗糙度 將特徵結構轉移到光阻層上 陷的光罩以將期望的 f要無缺 極端紫外光（e t L構轉移到光阻層上。最近， 于 Γ 尤（extreme uitrav;」* 輕射源已被用 4 201241873 於提供短的暴露波長，讀提供基材上更加減少的最小 可轉印尺寸。然而，在這麼小的尺度下，光阻層的邊緣 的粗糙度已變得愈來愈難以控制。 第1圖十田繪基材100的示範性頂部剖面視圖，該基材 100具有圖案化光阻層1G4，該光阻層⑽配置在待钱刻 的目標材料102上。開口106被界定在圖案化光阻層104 之間，易於暴露下伏的蝕刻用的目標材料102而轉移特 徵、構至目橾材料102上。然而，微影術暴露製程的不 準確控制或低解析度可能引發不良的光阻；| UM的臨界 尺度’因❿造成讓人無法接受的線寬㈣度（lwr)i〇8'。 光阻層104的大線寬粗链度（LWR) 108可能造成特徵 結構不準確地轉移到目標材料iQ2，故最後導致元件失 效及良率有所損失。 因此，需要-種方法與設備以控制及盡量減少線寬粗 糙度（LWR)’以便獲得具有期望臨界尺度的圖案化光阻 層。 【發明内容】 本心月提供用於控制及修飾光阻層的線寬粗糖度 (LWR )的方法與設備。一個實施例中’ 一種用於控制 -置；土材上的光阻層之線寬粗糖度的設備包括：腔室 主體，5亥腔至主體具有界定内部處理區域的頂壁、側壁 與底壁’微波功率產生器’該微波功率產生器透過波導 201241873 件（wa—) _該腔室主體；以及—或多個線圈或 磁體，該等線圈或磁體配置在該腔室主體的外周邊周圍 且鄰接該波導件；以及一翁、、盾j.. ^ 及轧源，该軋源透過氣體遞送通 路耦接該波導件。 另實施ί歹J中，一種用於控制配置於基材上的光阻層 之線寬粗經度的方法包括以下步驟：在處理腔室中生成 電场1¾處埋腔室具有基材，該基材配置於該處理腔室 中，其中該基材具有圖案化光阻層，該圖案化綠層配 置在該基材上’供應氣體混合物至.配置在該基材上的圖 案化光阻層；在該處理腔室中生成磁 作用，以在氣體混合物中形卿；以及；:形 理腔室中的電漿修整該圖案化光阻層的邊緣輪廓。 尚有另一實施例，其中一種用於控制配置於基材上的 光阻層m㈣度的方法包括以下步驟：供應氣體混 合物進入處理腔室，該處理腔室具有基材，該基材配置 於該處理腔室中，其中該基材具有圖案化光阻層，該圖 案化光阻層配置在該基材上；施加微波功率至該處理腔 至，以在該處理腔室中生成電場；施加DC或AC功率至 —或多個線圈或磁體以生成磁場，該等線圈或磁體配置 在該處理腔室的外周邊周圍；透過磁場與電場的交互作 用’在氣體混合物中形成電漿；以及使用形成在該處理 腔室中的電漿修整圖案化光阻層的邊緣輪靡。

【實施方式J 201241873 本發明的實施例包括用於控制配置在基材上的光阻層 之線寬粗糙度（LWR )的方法與設備。在暴露/顯影製程 之後透過在光阻層上執行電子迴旋共振（eleeti>Qn cyclotron resonance (ECR))電漿製程，可控制光阻層之 線寬粗糙度（LWR )。執行電子迴旋共振（ECR )電聚製 程是為了提供奈米等級的化學與電子研磨（grinding )製 程’以使光阻層圖案的邊緣平滑，因而使光阻層的平滑 圖案邊緣具有最小的圖案邊緣粗糙度以用於後續的蝕刻 製程。 第2圖描繪根據本發明的電子迴旋共振（ECR )電裝 反應器2 0 0的一個實施例之示意剖面圖，該反應器2 〇 〇 適合用於執行電子迴旋共振（ECR)電漿製程。一種適 合用於執行本發明的此類蝕刻反應器可購自美國加州 Santa Clara的應用材料公司。應考量在此也可運用其他 適合的電漿處理腔室，該等腔室包括購自其他製造商的 腔室。 電漿反應器200包括處理腔室252，該處理腔室252 具有腔室主體210。該處理腔室2 52是高真空容器，而 具有耦接至該容器的真空泵228。處理腔室252的腔室 主體210包括頂壁222、側壁224與底壁226，該等壁在 該腔室主體中界定内部處理區域2 1 2。側壁224的溫度 是透過使用含液體的導管（圖中未示）控制，該等導管 位在側壁224中及/或側壁224周圍。底壁226連接電接 地端23 0。 201241873 處理腔室252包括支撐底座214。該支撐底座214延 伸通過該處理腔室252的底壁226進入處理區域212。 支撐底座214可接收基材25〇以使該基材25〇配置於該 支撐底座214上以供處理。支撐底座214透過匹配網路 2 16 搞接射頻.（rf )偏壓功率源（bias p〇wer source) 218 而至電接地端232。偏壓功率源218大體上能夠產生RF 訊號，該RF訊號具有約50 kHz至約6〇 MHz的可調頻 率及約0至5 000瓦的偏壓功率。偏壓功率源2 i 8可視情 況為DC或脈衝式DC源。 微波功率產生器202透過波導件220將功率耦合至處 理腔室252的處理區域212。可在微波功率產生器2〇2 與波導件220之間配置介電窗2〇4。一個實施例中，介 電窗204可由石英玻璃、陶瓷材料或類似物所製造。 一或多個線圈段或磁體208 (圖中顯示為2〇8A ·與 208B )配置在處理腔室252的外周邊周圍。給予線圈段 或磁體208的功率是由DC功率源或低頻AC功率源（圖 中未示）所控制。線圈段或磁體2〇8大體上是以對稱樣 式（symmetric pattern )間隔開，並且以交替磁極的方式 排列（即，交替的北極（N)與南極（s))。配置在處理 腔室252周邊周圍的線圈段或磁體2〇8傾向將所生成的 電漿「推」向内部處理區域212中的圓圈區域的中間。 線圈段或磁體208生成位在垂直於電場方向上的磁場， 其中微波被導進該處理腔室252。線圈段或磁體2〇8可 包含永久磁體、電磁體或其他類似裝置，這些裝置能夠 201241873 生成磁場並且塑形内部處理區域212中所生成的場。氣 源206可耦接波導件22〇以遞送處理氣體進入處理腔室 252。磁場引發電子沿磁場線248盤旋運行（的…），同 時微波功率在電子純運行賴Η子能量。磁場與電 場之間的交互作用引發由氣源2〇6供應的氣體解離並且 形成電子迴旋共振（ECR )電聚。ECR電襞可包括磁場、 自由電荷（諸如電子與離子）、自由基或中性原子，該電 漿可自旋（spin)並且朝基材表面25〇移動。自旋電子 與來自氣體混合物的解離的離子或電荷結合，而可用環 繞模式（circular mode)沿磁場線248朝基材表面加速， 以便研磨基材表面上形成的結構。首先參考第3圖，第 3圖描繪磁場中的電子軌道302。因磁場可能引發電子在 内部處理區域212中沿磁場線3G4自旋及旋繞（_γ1)， 該等電子可能以環繞運動3〇2朝基材表面移動。 在回參考第2圖’可沿處理腔室252的軸線縱向移動 線圈段或磁體208,以調整内部處理區域212中生成的 最大磁場的點的軸向位置。也可使用其他能夠生成充分 磁場強度以促進形成ECR電漿的磁場源。 基材處理期間，腔室2 5 2内部内的氣體壓力可被控制 在預定範圍中。一個實施例中，腔室252的内部處理區 域2内的氣體Μ力維持在約〇〗至9 9 9毫托。可將基 材250維持在介於約攝氏1〇度至約攝氏5〇〇度之間的溫 度0 控制器240包括中央處理單元（CPU) 244、記憶體242 201241873 以及支援電路246，該控制器250耦接反應器202的各 部件以助於控制本發明的製程。記憶體242可為任何電 腦可讀媒體，諸如隨機存取記憶體（RAM )、唯讀記憶體 (ROM )、軟碟機、硬碟機或任何其他型式、在反應器 202或CPU 244本地端或遠端的數位儲存器。支援電路 246耦接CPU 244以用習知方式支援cpu 244。這些電 路包括高速緩衝存儲器、功率源供應器、時脈電路、輸 入/輸出電路系統及次系統與類似物。當儲存在記憶體 242中的軟體常式或一系列的程式指令由cpu 244執行 時會引發反應器2 0 0執行本發明的電毁製程。 第2圖僅顯示可用於實行本發明的各類冑聚反應器的 一個示範性配置。例如，可使用不同的耦合機制將不同 種類的微波功率、磁功率與偏壓功率耦合進入電漿腔 室。一些應用中，可在與基材所處的腔室不同的腔室（例 如遠端電漿源）中生成不同種類的電漿，而接著使用此 技術領域中已知技術使該電漿受到引導進入該腔室。 第4圖說明根據本發明一個實施例的執行光阻線寬粗 糙度（LWR)控制製帛400的-個實施例的流程圖。製 程400可儲存在記憶體242中做為指令，該等指令是由 控制器240執行以引發在ECR電漿處理腔室中執行製程 400 ’該ECR電激處理腔室是諸如第2圖中所綠的咖 電漿反應器200或者其他適合的反應器。 製程400是於方塊術以提供基# (諸如綠於第2圖 的基材250 )至處理腔室252以供處理而開始。基材 10 201241873 可具有待钱刻的目標材才斗512，該目標材料5i2配置於 該基材250上’如第5圖所示。一個實施例中，使用光 阻線寬粗糙度（LWR)控制製程4〇〇的待蝕刻目標材料 512可以是介電層、金屬層、陶瓷材料或其他適合的材 料。一個貫施例中，待蝕刻的目標材料5〗2可以是形成 為半導體製造中所用的閘極結構或接觸結構或層間介電 結構（ILD )的介電材料。適合的介電材料之範例包括： Si02、SiON、SiN、SiC、Si0C、Si0CN、a_c 或類似物。 另一實施例中，待蝕刻的目標材料5丨2可以是形成為金 屬間介電結構（IMD )或其他適合結構的金屬材料。適 合的金屬層之範例包括Cu、A卜w、Ni、Cr或類似物。 在方塊404，可以在基材250上執行光阻線寬粗糙度 (LWR)控制製程400以研磨、修飾及修整光阻層514 的邊緣516,如第5圖所示。透過在ECR處理腔室中於 基材25〇上配置的光阻層si4上實施eCR電聚製程而執 行光阻線寬粗糙度（LWR )控制製程400 ^如前文所討 論，在ECR電漿製程中激發的電子是以環繞運動方式移 動及加速。如第5圖中所繪，電子的環繞移動5〇4可以 平滑地研磨、碰撞及磨光（polish away)光阻層514的 不均勻邊緣5 1 6。可連續地執行該製程，直到達成光阻 層5 14的期望程度的粗糙度（例如筆直，如虛線5丨〇所 示）為止。藉由良好地控制電子動量，光阻層514的不 均勻表面以及來自邊緣5 1 6的突出可以逐漸地被平拍 化’因而有效地將光阻線寬粗糙度（LWR )控制在期望 201241873 =最小範圍内。電子動量、離子密度、離子質量或電荷 濃度可由磁場與電場間交互作用所生成的功率以及所供 應的氣體控制。—個實施例中，藉由調整供應以生成微 波場與磁場的功率，可獲得不同的電子動量或遷移率。 在方塊406,於ECR電漿製程期間，可調整、研磨、 修飾、控制光阻層514的線寬粗糙度（LWR)。處理期間， 可控制數個製程參數以將光阻層514的線寬粗糖度維持 在期望範圍。—個實施例中’可供應約50瓦至約2〇〇〇 瓦間的微波功率至處理腔室。在處理腔室中生成的磁場 可以被控制在約500 G至約1〇〇〇G之間。可使用介於約 1〇〇瓦至約2〇00瓦之間的DC&/或AC功率以在處理腔 室中生成磁場。可以將處理腔室的壓力控制在約〇5毫 托至約5 00毫托之間。可供應處理氣體進入處理腔室， 以助於修飾、修整及控制光阻層514的邊緣粗糙度。因 為選以用於光阻層5 14的材料經常是有機材料，可選擇 含氧氣體做為被供應進入處理腔室的處理氣體而助於研 磨及修飾光阻層514的粗糙度與輪廓。適合的含氧氣體 之範例包括〇2、N2〇、N〇2、〇3、h2〇、c〇、c〇2與類似 物。也可同時或個別供應其他種類的處理氣體進入處理 腔室，以助於修飾光阻層514的粗糙度。適合的處理氣 體之範例包括N2、NH3、Ch或惰氣（諸如Ar或He)。 可以約10 seem至約500 sccm之間（例如約1〇〇 sccm至 約200 sccm之間）的流速供應處理氣體進入處理腔室。 可執行該製程達約30秒至約200秒之間。在一個特別的 12 201241873 貫施例t，供貞〇2氣體進人處理腔室做為處理氣體，以 與光阻層514反應，以便修整及修飾配置在基材25〇上 的光阻層5 1 4的線寬粗較度（LWR )。 如前文所討論，在-個實施例中，透過調整供應以生 成微波場與磁場的功率，可獲得*同的電子動量或遷移 率’因而提供不同的碰撞能量以修飾或修整光阻層的邊 緣粗糙度。在期望有更高電子移動動量的實施例中，可 供應更高的功率以生成微波場與磁場，因而提供更高的 碰撞能量以修飾或修整光阻層的粗糙度。相較之下，在 期望有更低電子移動動量的實施例中，可供應更低的功 率以生成微波場與磁場，因而提供更低的碰撞能量以僅 只如所需般溫和地平滑化及磨光光阻層的粗糙度而不蝕 刻下伏層。 可持續地執行光阻線寬粗糙度（LWR)控制製程4〇〇, 直到達成期望的光阻層514的最小粗糙度為止。在一個 實施例中，光阻層514的線寬粗糙度513可以被控制在 低於約3.0nm的範圍中，諸如介於約丨〇nm與約丨 之間。可在抵達終點訊號（該訊號指示達成期望的光阻 層514之粗糙度）之後，終結光阻線寬粗糙度（lwr) 控制製程400。或者，可透過預設時間模式終結光阻線 寬粗糙度（LWR)控制製程400。一個實施例中，可執 行光阻線寬粗糙度（LWR)控制製程4〇〇達約1〇〇秒之 間及約500秒之間。 第6圖描繪已在上面執行光阻線寬粗糙度（lwr)控 13 201241873 制製程4〇〇的光阻芦 β 5 1 4之。面視圖的一示範性實施 例°在光阻線寬粗經度（Lwr )如^ Α丨也』 控制製程400之後，獲 得平滑的邊緣表面。光阻芦 尤丨居514的粗糙度以一種方式受 到平滑化及修整，該方弋愈旦、士 ,， ' "方式盡里減少光阻層514的邊緣粗 ‘度並且使光阻層514的邊緣形態平滑。在光阻層5 μ 中Φ成的平^邊緣表面在圖案化光阻層$ Μ中界定銳利 且界定良好的開口 604，以異* nr △ ^ 4以暴路下伏的目標材料512以 供蝕刻’因而蝕刻精確且筆直的開口寬度606以待形成 為遮罩層。在-個實施例中，開σ 6〇4的寬度6〇6可被 控制在約15 nm至約35 nm之間。 個貫施例中，可藉由一蝕刻製程蝕刻下伏的目標材 料512，該㈣製程是在與用於執行線寬祕度（lwr) 控制製程相同的腔室（諸如繪於第2圖的腔室2〇〇)中 執行另I細例中’可藉由-蝕刻製程蝕刻下伏的目 標材料512,該蝕刻製程是於整合在群集系統中的任何 -他不同的適合的蝕刻腔室中執行’線寬粗糙度（lwr ) 處理腔室可併至該群集系統中。尚有另—實施例，其中 可藉由一蝕刻製程蝕刻下伏的目標材料5 U，該蝕刻製 程是在任何其他不@的適合的钱刻腔室巾執行，該等兹 刻腔至包括單獨自立（stand_ai〇ne )的腔室，該等單獨 自立的腔至與線寬粗糙度（LWR )處理腔室分開或與可 將線寬粗糙度（LWR)處理腔室併入的群集系統分開。 個實施例中，用於執行線寬粗糙度（LWR )製程的 氣體混合物配置成有別於用於蝕刻下伏目標材料512的 14 201241873 軋體混合物。—個實施财 製程的氣_合物包括含氧層（\=丁=«度（戰） 下伏目標材料512的氣體混合物包二)音=於钱刻 氟碳氣體、含氯氣體、含演氣體、人括二素氣：(諸如 田 3氟軋體、類似物）。 产（TO發明提供用於控制與修飾光阻層的線寬粗糙 = = 法與設備。該方法與設備可以有利地在 、路之後控制、㈣與修整配置在基材上的 輪廊、線寬粗糖度與尺度，因而提供準確的光 層中開口的臨界尺度控制，於是後續的姓刻製程可擁 有針對下伏層（該下伏層是透過開口而受到姓刻）的準 確的轉移臨界尺度。 月J文所述者為涉及本發明的實施例，可不背離本發明 基本範缚而設計本發明其他與進—步的實施例，本發明 的範疇由下文中的申請專利範圍所決定。 【圖式簡單說明】 藉由參考附圖中所說明的本發明實施例，可獲得於發 明内容中簡要總結的本發明之更詳細的說明，而能詳細 瞭解及達成本發明於發明内容中所記載的特徵。 第1圖描繪此技術領域中習知上配置在基材上的圖案 化光阻層之示範結構的頂視圖； 第2圖描繪根據本發明的一個實施例所用的電子迴旋 共振（ECR.)電漿反應器之示意剖面視圖； 15 201241873 第3圖描繪根據本發 — + n ^ 個只施例的電子軌道圖； 第4圖描繪根據本發明—

n 個貫鉍例在基材上執行ECR 電漿製程的製程流程圖； 第5圖描繪根據本發明— x ^ 個貫施例的鄰近光阻層行進 的電子執道頂視圖；以及 第6圖也繪根據本發明_個實施例的配置於基材上的 光阻層之線寬粗糖度的輪廊。 為了助於瞭解，如可能則使用相同元件符號指定共通 於各圖的相同元件。應慮及一個實施例的元件與特徵可 有利地結合其他實施例而無須進一步記敘。 然而應注意附圖僅說明此發明的示範性實施例，而不 應將該等附圖視為限制本發明之範齊，因為本發明可容 許其他等效實施例。 【主要元件符號說明】 204介電窗 206氣源 208線圈段或磁體 2 1 0腔室主體 2 1 2内部處理區域 2 1 4支樓底座 2 1 6匹配網路 2 1 8偏壓功率源 100基材 102目標材料 104光阻層 106 開口 108線寬粗糙度 200 電子迴旋共振 (ECR)電漿反應器 202微波功率產生器 16 201241873 220 波導件 250 基材表面 222 頂壁 252 處理腔室 224 側壁 302 電子軌道 226 底壁 304 磁場線 228 真空泵 400 製程 230 電接地端 402-406 步驟 232 電接地端 504 環繞移動 240 控制器 5 10 虛線 242 記憶體 5 12 目標材料 244 中央處理單元 5 14 光阻層 (CPU) 5 16 不均勻的邊緣 246 支援電路 604 開口 248 磁場線 17

Claims (1)

1. 201241873 七、申請專利範圍： 1. 一種用於控制配置於一基材上的一光阻層之一線寬 粗糙度的設備，包括： 一腔室主體’该腔室主體具有界定一内部處理區 域的一頂壁、側壁與一底壁； 一微波功率產生器，該微波功率產生器透過一波 導件（waveguide )輕接該腔室主體；以及 一或多個線圈或磁體’该專線圈或磁體配置在該 腔室主體的一外周邊周圍且鄰接該波導件；以及 一氣源，該氣源透過一氣體遞送通路耦接該波導 件0 2. 如請求項1所述的設備，進一步包含： —基材支撐組件’該基材支撐組件配置在該腔室 主體中延伸通過該腔室主體的該底壁。 3. 如請求項2所述的設備，進一步包含： —RF偏壓功率，該RF偏壓功率耦接該基材支撐 組件。 4. 如請求項1所述的設備，進-步包含： "電匈，s亥介電窗配置在該微波功率產生器與 該波導件之間。 18 201241873 5. 如清求項丨所述的設備，其中該等線圈或磁體是永久 磁體或電磁體。 6. 如請求項！所述的設備，其中該處理腔室耦接接地端。 7. 如請求項3所述的設備，其中耦接該基材支撐組件的 β RF偏壓功率躺接接地端。 8 ·種用於控制配置於一基材上的一光阻層之線寬粗 糖度的方法，包括以下步驟： 在一處理腔室中生成一電場，該處理腔室具有— 基材’該基材配置於該處理腔室中，其中該基材具有 一圖案化光阻層’該圖案化光阻層配置在該基材上； 供應一氣體混合物至配置在該基材上的該圖案 化光阻層； 在s亥處理腔室中生成一磁場以與該電場交互作 用’以在該氣體混合物中形成一電漿；以及 以形成在該處理腔室中的該電漿修整該圖案化 光阻層的一邊緣輪廓。 9.如睛求項8所述的方法，其中生成該電場進一步包含 以下步驟： 施加一微波功率至該處理腔室以生成該電場。 19 201241873 1 0.如請求項8所述的方法’其中生成該磁場進一少包含 以下步驟： 施加一 DC或AC功率至一或多個線圈或磁艘以 生成該磁場，該等線圈或磁體配置在該處理腔室的该 外周邊周圍。 11. 如請求項1〇所述的方法，其中該等線圈或磁體是永 久磁體或電磁體。 12. 如請求項8所述的方法，其中供應該氣體混合物進/ 步包含以下步驟： 供應一含氧氣體進入該處理腔室.。 13. 如請求項12所述的方法’其中該含氧氣體是〇2。 14·如請求項8所述的方法，其中修整該圖案化光阻層的 該邊緣輪廓進一步包含以下步驟： 調整在該處理腔室中所生成的該磁場與該電場 之間的該交互作用。 15·如請求項14所述的方法，其中調整該交互作用進— 步包含以下步驟： 控制該光阻層的該邊緣輪廓具有低於 v J -u nm 20 201241873 的一線寬粗链度。 16.如請求項8所述的方法，進一步包含以下步驟： 透過配置在該處理腔室中的一基材支撐組件供 應一 RF偏壓功率給該基材。 1 7.如請求項8所述的方法，進—步包含以下步驟： 使用該修整過的圖案化光阻層做為一蝕刻遮罩 而姓刻該基材。 1 8. —種用於控制配置於—基材上的一光阻層之線寬粗 糙度的方法，包括以下步驟： 供應一氣體混合物進入一處理腔室，該處理腔室 具有一基材，該基材配置於該處理腔室中，其中該基 材具有一圖案化光阻層，該圖案化光阻層配置在該基 材上； 施加一微波功率至該處理腔室，以在該處理腔室 中生成一電場； 施加DC或AC功率至一或多個線圈或磁體以生 成°亥磁場，該等線圈或磁體配置在該處理腔室的一外 周邊周圍； 透過6亥磁場與該電場的交互作用，在該氣體混合 物中形成一電漿；以及 使用形成在該處理腔室中的該電漿修整該圖案 21 201241873 化光阻層的一邊緣輪廓。 19. 如請求項1 8所述的方法，其中修整該圖案化光阻層 的該邊緣輪廓進一步包含以下步驟： 控制該光阻層的該邊緣輪廓具有低於約3.0 nm 的一線寬粗链度。 20. 如請求項1 8所述的方法，其中供應該氣體混合物進 一步包含以下步驟： 供應一含氧氣體進入該處理腔室。 22