TW201240106A - Compound semiconductor substrate, method for producing compound semiconductor substrate, and light-emitting element - Google Patents

Description

201240106 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種化合物半導體基板、化合物半導體基 板的製造方法及發光元件，具體而言，本發明關於一種化 合物半導體基板、該化合物半導體基板的製造方法以及該 發光元件，該化合物半導体基板是用來穩定地供給—種可 抑制因通電而導致的順向電壓上昇且可實現高亮度的發光 元件。 【先前技術】 先前，已知有一種在GaAs基板上形成發光層與電流 擴散層的發光元件。 例如，已知有一種發光元件，此發光元件是在GaAs 基板上形成由四元A1GaInP所構成的發光層與由Gap所構 成的電流擴散層而成。此GaP電流擴散層，可藉由以下方 法來製作：在發光層側，先根據有機金屬氣相磊晶成長法

(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 法，以下簡稱為 m〇VPE 法）形成比較薄的電流擴散層（以下稱為薄膜電流擴散層） 後，根據氫化物氣相磊晶成長法（Hydride phase EPiUXy法，以下簡㈣請£法）形成比較厚的電流擴散 層（以下稱為厚膜電流擴散層）。例如，Gap電流擴散層會成 長到使全體達到200 " m程度的厚度。 進而’為了實現由AlGalnP所構成的發光元件的進一 201240106 步高亮度化，而除去光吸收性的GaAs基板，並代替此GaAs 基板，接合光透過性的GaP基板。先前已知有一種發光元 件’該發光元件在該接合界面上形成以高濃度進行摻雜的 InGaP中間層’而藉此充分地減低接合界面中的元件串聯 電阻，並使發光元件的切換響應性良好（專利文獻丨）。 〔先行技術文獻〕 (專利文獻） 專利文獻1 :曰本特開2007-324551號公報。 【發明内容】 (發明所欲解決的問題） 本發明人經過深入研究的結果，了解到如上述的直接 接合型發光元件，四元發光層與GaP基板的接合界面中的 氧、碳等不純物濃度，在每批產品中並非固定而不穩定。 又，這種接合界面的氧、碳等不純物，一旦進行通電 便會擴散至四元發光層側而補償載子。因&，了解到由於 此現象，會使順向電壓上昇，而使製造出來的發光元件對 於順向電壓的壽命特性惡化。 本發明是有鑑於上述問題而進行開發，提供_種化人 ==，該化合物半導體基板中，即使在四元發: 制；雷:接合界面中發生氧、碳等不純物，也可抑 發順向電壓上昇的情況’藉此可抑制所製造出來的 發光元件對於順向電遷的壽命特性發生惡化本發明 201240106 亦提供一種該化合物半導體基板的製造方法、以及由這種 化合物半導體基板所製造出來的發光元件。 (用來解決問題的手段） 為了達成上述目的’本發明提供一種化合物半導體基 板’該化合物半導體基板至少具有四元發光層，該四元發 光層是在η型GaP窗層上依序積層由（AlxGai x)yIniyP(但 是’ 〇<χ<1 ’ 〇<y<1)所構成的η型包覆層、由 (Alx’Ga丨_x’）y.lni-y,p(其中’ wq，〇<〆<〇所構成的活性層 (主動層）、以及由其中，〇<χ<1 ’ 〇<y<1) 所構成的p型包覆層而成，且該化合物半導體基板，是在 四凡發光層中的位於上述n型◦杼窗層側的主表面（第二主 面）的相反側的主表面（第一主面）上，積層有電流擴散層即 Ρ型GaP層而成，其中，所述化合物半導體基板的特徵在 於： 在上述η型GaP窗層與上述四元發光層之間，形成有 不純物擴散抑制層，該不純物擴散抑制層是由 (Alx.,Ga丨-x")y’’ln】 y„p(其令，〇<χ"<χ<1，〇<〆,<】）所構成，且 該不純物擴散抑制層的Α1組成低於上述η型包覆層。 像這樣，若是一種化合物半導體基板，該化合物半導 體基板在η型GaP窗層與四元發光層之間形成有不純物擴 散抑制層，當對由這種化合物半導體基板所製造出來的發 ^元件通電時，即使n型GaP窗層與四元發光層之間的接 口界面中的氧、碳等不純物擴散也會被不純物擴散抑制層 捕獲’而不會到達四元發光層。因此，可抑制順向電壓上 201240106 昇’而藉此可抑制所製造出來的發光元件對於順向電壓的 壽命特性惡化。 又’在此時’較佳是決定上述由（AlxGa丨-Jyln^P所構 成的η型包覆層的組成的χ值的範園在〇7$χ<1〇，而決 定上述由（AlyGai-xOrln^y.iP所構成的不純物擴散抑制層 的組成的X"值的範圍在〇.5$χ"<〇.々。 又’上述不純物擴散抑制層的膜厚，較佳是在0.0 1 // m以上。 若像這樣地形成不純物擴散抑制層，則可更確實 地抑 制通電後的順向電壓上昇。 又’本發明提供一種發光元件，該發光元件的特徵在 於：是由本發明的化合物半導體基板所製造而成。 若是這樣地製造出來的發光元件，則由於對於順向電 壓的壽命特性非常良好，可在高亮度狀態下長期間使用。 本發明提供一種化合物半導體基板的製造方法，該製 造方法至少具有以下步驟：磊晶成長四元發光層的步驟， 此步驟磊晶成長該四元發光層，所述四元發光層是在η型 GaAs基板上依序積層由（AlxGai x)yIni yp(其中，〇<χ<ι， 〇<y<l)所構成的η型包覆層、由（Alx,Gaix)yinh以其中， 0<x<l 0<y <丨）所構成的活性層、以及由 (AlxGai_x)yIni_yP(其中，〇<χ<卜〇<y<l)所構成的p裂包覆 層而成； 曰曰成長p型GaP層的步驟，此步驟將作為電流擴散 層的該pf GaP層，磊晶成長於上述四元發光層中的與上 201240106 述Π型GaAs基板側處於相反側的主表面（第一主面）上； 自上述四元發光層除去η型GaAs基板的步驟；以及 貼合η型GaP窗層的步驟，此步驟將該η型〇aP窗層 貼合於已除去該n型GaAs基板後的一側的上述四元發光 層的主表面（第二主面）側上； 其中’所述化合物半導體基板的製造方法的特徵在於： 在蟲晶成長上述四元發光層前，在上述η型GaAs基 板上積層不純物擴散抑制層，該不純物擴散抑制層是由 該不純物擴散抑制層的A1組成低於上述n型包覆層，然 後，在該不純物擴散抑制層上磊晶成長上述四元發光層， 或者是在貼合上述"Gap窗層冑，於上述四元發光層的 第二主面側上積層上述不純物擴散抑制層，藉此在上述貼 合步驟令貼合上述不純物擴散抑制層與η $ GaP窗層，而 製造化合物半導體基板，該化合物半導體基板在上述订型 W窗層與上述四元發光層之間形成有上述不純物擴散抑 制層。 右疋廷種製造方法’則可在n型GaP窗層與四元發光 層之間確實地形成上述不純物擴散抑制層。藉此可製造一 =合物半導體基板，這種化合物半導體練可作為一種 昱合光兀件的原料，該發光元件在通電時的順向電壓上 受到抑制因而對於順向電壓的壽命特性良好。 (發明的效果） 如以上說明，本發明的化合物半導體基板’由於在η 201240106 型⑽窗層與四元發光層之間形成有A1組成低於n型包覆 層的不純物擴散抑制層，當對由這種化合物半導體基板所 製造出來的發光元件通電時，即使n $ Gap窗層與四元發 光層之間的接合界面t的氧、碳等不純物擴散也會被不純 物擴散抑制層捕獲，因此可抑制順向電壓上昇。 又，若於磊晶成長四元發光層前，在GaAs基板上積 層上述不純物擴散抑制層，然後在該不純物擴散抑制層上 磊晶成長四元發光層，或者於貼合〇型Gap窗層前，在四 元發光層的第二主面側上積層上述不純物擴散抑制層，則 可確實地製造出一種高品質化合物半導體基板，該化合物 半導體基板在η型GaP窗與四元發光層之間形成有上述不 純物擴散抑制層。 進而，由這種化合物半導體基板所製造出來的發光元 件’由於對於順向電壓的壽命特性良好，可在高亮度的狀 態下長期間使用。 【實施方式】 以下’一邊參照隨附圖式一邊具體說明本發明的實施 形態’但本發明並未限定於這些實施形態。 第1圖是表示本發明的化合物半導體基板的一例的概 略圖。第i圖中所表示的化合物半導體基&卜是在^ GaP窗層（GaP基板）2上，形成由（AlrGaLdlr^fp所構 成的η型不純物擴散抑制層3，然後在該不純物擴散抑制 201240106 層3上形成發光層4。 並且，在該發光層4上，蛔

根據MOVPE法形成p型GaP 薄膜電流擴散層5，進而在呼 , 而在5亥P型GaP薄膜電流擴散層5 上，根據HVPE法形成D刑r ^ 々珉Gap厚膜電流擴散層6。 作為上述發光層4，例如|^ ^如了作成依序積層以下各層的 四元發光層4 :由（AlvGa, 、τ 、山aKx)yIn| yp(其中，〇<χ<ι，〇<y<i) 所構成的η型包覆層41、由 田非摻雜（Alx.Ga丨-x,)y,ln丨-y,p(其 中，〇<X，<! , 所構成的活性層42 、由 (AlxGahJylm.yPf其中，〇< , x 1 ’ 〇<y<l)所構成的P型包覆 層43 〇 此外’此處所述的「非#雜」是意指「不積極添加摻 雜物」’而非連化合物半導體基板的製造步驟上不可避免合 混:而含有的摻雜物成分（例如1〇χΐ〇Ι3〜ι〇χ l〇16atomS/cm3左右）都排除掉。 又’此處的上述由（Alx„Gai x")y,,Ini y p所構成的不純物 擴散抑制層3的A1組成’形成為比由（AlxGa,.x)ylni-yP所 構成的η型包覆層41的〜組成更小H衫上述不 純物擴散抑制層3的A1組成的X"值，比歧上述η型包覆 層41的組成的χ值更小即可，例如可將值的範圍設在 〇·5$Χ〃<〇·7,而將X值的範圍設在0.7。<1.0。 進而右將上述不純物擴散抑制層3的膜厚作成〇〇1 β X上則可更確實地抑制通電後的順向電壓的上昇， 、較佳又，較佳是膜厚在4心以下。若膜厚在4〆爪 以下貝可抑止應力及差排影響活性層而使品質特性惡化 201240106 的情況。 由這種化合物半導體基板1所製造的發光元件在通電 時’有可能會造成：n型Gap窗層2與四元發光層4之間 的接合界面上的氧、碳等不純物向四元發光層4擴散，補 償了載子而使順向電壓上昇，導致對於順向電壓的壽命特 性惡化》 然而，本發明中，因為在n型GaP窗層2與四元發光 層4之間形成有上述不純物擴散抑制層3，因此上述不純 物即使擴散也會被上述不純物擴散抑制層3捕獲，而不會 到達四7L發光層4。因此，可作成一種可抑制順向電壓上 昇且壽命特性良好的發光元件。 又可使用這種化合物半導體基板1來製造如第2圖 所示的發光元件1 〇。 此發光元件1〇中，在第丨圖所示的化合物半導體基板 1的厚膜電流_ 6上的大約中央處，形成有第一電極 11 ’該第-電極U是用來對四元發光層4施加發光驅動電 經’而該第-電極η的周圍領域被作為自四元發光層4來 的光取出領域。又，第二電極12被形成在。型Gap窗層2 :第二主表面側的全面上。又，接合塾13被配置於第一電 極11的申央部上，該接合墊丨 A A 疋用來接合電極導線且由

Au等所構成。 像這樣製造出的發光元件10，對 性肖U 野於順向電壓的壽命特 良好’而可在高亮度的狀態下長期間使用。 此外，本發明的化合物半導體基板i的上述各層之 201240106 間，亦可根據需要而插入各種層。 以下’一邊參照第4圖所示的流程圖，一邊說明第】 圖所示的化合物半導體基板1的製造方法。 首先，如步驟1所示，準備！！型GaAs基板來作為成 長用基板’在洗淨該基板後’將該基板放入MOVPE反應 器中，在上述η型GaAs基板上磊晶成長m的n 型GaAs緩衝層。 接著，如步驟2所示，在n型GaAs緩衝層上形成由 (AlrGabcVImfP所構成的η型不純物擴散抑制層3，且 使所形成的η型不純物擴散抑制層3的膜厚在〇〇丨“ m以 上。 接著，如步驟3所示，在上述不純物擴散抑制層3上， 以下列順序蠢晶成長各層來作為四元發光層4 :由 (AlxGabOylm.yP所構成的厚〇 8〜4 〇 v m的η型包覆層4卜 由（Alx.Gai-x，)y.Ini_y,p所構成的厚〇 4〜2 〇 # m的活性層 42、以及由（AlxGa丨·x)yin丨yP所構成的厚〇 8〜4 〇/z m的p 型包覆層43。 此外’此時將決定上述不純物擴散抑制層3的A1組成 的x”值’設成比決定n型包覆層41的A1組成的χ值更小。 例如可將χ〃值的範圍設在0.5$ χ〃<0.7,而將X值的範圍設 在 各 χ<1.〇。 此外，上述各層的磊晶成長是根據公知的MOVPE法 來進行。作為Α卜Ga、in、ρ的各成分源的原料氣體，本 案並未加以限定，但例如可使用以下的氣體。 201240106 .A1源氣體：三曱基鋁（TMa1)、三乙基鋁（TEA1)等。 • Ga源氣體：三甲基鎵（TMGa)、三乙基鎵（TEGa)等。 • In源氣體：三甲基銦（TMIn)、三乙基銦（TEIn)等。 .p源氣體：三曱基磷（TMP)、三乙基磷（TEP)、膦（ph3)等。 又’作為摻雜物氣體，可使用以下的氣體。 (P型摻雜物） .Mg源：雙環戊二烯鎂（Cp2Mg)等。 .Zn源：二曱基鋅（DMZn)、二乙基鋅（DEZn)等。 (η型摻雜物） .Si源：單矽烷等的矽氫化物等。 接著進入步驟4，根據MOVPE法在p型包覆層43上 異質蠢晶成長厚度〇·5〜1〇 A m的p型GaP薄膜電流擴散層 5 ’而得到MO磊晶晶圓。進而，以HVPE法在上述MO磊 晶晶圓上氣相成長厚度5以m〜200 // m的p型GaP厚膜電流 擴散層6。 HVPE法’具體而言是一邊在容器内將ΠΙ族元素即金 屬Ga加熱保持於規定溫度，一邊在該金屬Ga上導入氣化 氮’藉此根據下述（1)式的反應來生成GaC卜而與載體氣體 即H2氣體一起供給至基板上。

Ga(液體）+HC1(氣體）—GaCl(氣體）+1/2Η2(氣體）.··（1) 成長溫度例如設定成640°C以上且860。(：以下。又，V 族70素即P(麟）’例如是將膦（PH3)與載體氣體即H2氣體一 起供給至基板上。進而’ p型摻雜物即Zn(鋅），是以二甲 基鋅（DMZn)的形式來供給’並根據如下述（2)式的反應來形 12 201240106 成p型GaP磊晶層。

GaCl(氣體）+ PH3(氣體） —GaP(固體）+ HC1(氣體）+ H2(氣體） 接著，如步驟5所示，根據蝕刻等除去n型GaAs基 板及η型GaAs緩衝層。然後如步驟6所示，將n型Gap 窗層（GaP基板）2貼合至已藉由除去〇型GaAs基板而露出 的不純物擴散抑制層3上，來製造化合物半導體基板i。

GaAs基板與四元發 而是在除去GaAs基 在四元發光層4的第 ，然後貼合不純物擴 又，亦可不如上述方法般在η型 光層4之間積層不純物擴散抑制層3， 板之後’於貼合η型GaP窗層2前， 一主面側上積層不純物擴散抑制層3 散抑制層3與η型GaP窗層2來製造化合物半導體基板 又’亦可在四元發光層的第 之間，夾有η型GalnP層。 二主面側與η型GaP基板 又’雖然並非進行限定，但可在以上步驟結束之後， 如下述方法來製造發光元件10。 η空蒸錄法形成第一電極u及第二電極12，進 而在第-電㈣上配置接合塾13,然後在適當的溫度下 施加電極固疋用的烘烤。㈣，根據切割而晶片化，使用 Ag糊漿等導電性糊漿，將第二電極a 的兼用為支持體的端子電極，並以跨接接於未0不出來 子電極的形態來接合Au製的導線，進而形° U與別的端 可由上述化合物半導體基板 ：旨模’藉此 元件10。 田如第2圖所示的發光 13 201240106 [實施例] 以下’表不實驗例來更具體地說明本發明，但本發明 並非限定於這些實驗例。 (實施例） 首先如下述般製造出如第1圖所示的化合物半導體 基板。 根據MOVPE >套，在厚度28〇#m&n型GaAs基板上 依序磊晶成長出0.5" m的n型GaAs緩衝層、3 〇"瓜的四 兀發光層、2.5" m的p型Gap薄膜電流擴散層。上述四元 發光層’是藉由依序磊晶成長下列各層而構成：由 (Al〇.85Ga().15)0.45in() 55p(亦即 χ=〇 85)所構成的 〇 8 v 瓜的 口 型包覆層、由（AluGa")。·。;^。55ρ所構成的〇 6 " m的活性 層、由（Al0.85Ga0.1 5 )0 45in〇55p所構成的i 6ym的p型包覆 層。 此時，在上述η型GaAs緩衝層與四元發光層（n型包 覆層）之間，積層由（八10.5〇&0.5)0 45111〇55?(亦即）^:=05)所構 成的η型不純物擴散抑制層。然後，根據HVpE法，在上 述P型GaP薄膜電流擴散層上，磊晶成長厚度15〇#m的p 型GaP厚膜電流擴散層，再進行η型GaAs基板的除去， 並將厚度200 的η型GaP窗層接合至已除去該n型 GaAs基板後的四元發光層的第二主面側（亦即不純物擴散 抑制層的η型包覆層的相反側的主表面上）。 此外’作為上述磊晶成長的原料氣體，是使用三甲基 14 201240106 膦（PH3)、 嫁（TMGa)、三甲基銦（TMIn)、三曱基紐（tmai) 以及胂（AsH3)。 此岈’製造出來的不 …μ外别層的膜厚為（1)〇 m(亦即未形成不純物擴散抑制層 ^；ϋ·〇1 β m ^ (3)0.3 β 叫机一這四種水準的化合物半導體基板並在這四 種水準的化合物半導體基板上形成第—及第二電極，作成 LED燈泡。 對於這樣製造出來的LED燈泡，在溫度阶下流通 100小時、50mA的電流。將此時的結果表示於下述表卜 又，此時的上述各㈣燈泡中的通電時間與順向電壓的變 也率的關係表示於圖3 〇 ----不純物擴散抑制屉厚度 間（h) ⑴無 (2)0.01β m IT ΨΊ /W /ψ- ^ (3)0.3 u m (4^1 5 // m - 0 0 0 \ * J ^ ^ fJL ill 〇 -_L6 1.6 0 -0.1 〇 __32 3.8 0.1 0 Λ __100 5.9 0.3 0.1 V 0 像這樣，若對由如（1)的不具有不純物擴散抑制層的化 _物半導體基板所製造出來的led燈泡通電，則接合界面 的不純物會擴散至四元發光層’而這些不純物補償了載 子。因此，通電時間越長順向電壓便越上昇，通電經過i 00 小時的情況下，順向電壓足足上昇了約6〇/〇。 然而’對由如（2)〜(4)的形成有不純物擴散抑制層的化 201240106 合物半導體基板所製造出來的LED燈泡通電的情況下，由 於接合界面的氧 抑制層捕獲，因 在通電經過100 、碳等不純物即使擴散也會被不純物擴散 而幾乎不會到達四元發光層。因此，即使 小時的情況下，（2)中的順向電壓僅上昇 請/3)中的順向電壓僅上昇G.1%，而（4)中的順向電壓 完全沒有上昇。亦即，順向電壓的上昇受到抑㈣，而可得 到長時間穩定的順向電壓值。 此外，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形 態僅為例*，任何具有與本發明的申請專利範圍所記載的 技術思想在實質上相同的構成，且發揮同樣作用效果的技 術，亦包含在本發明的技術範圍中。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明的化合物半導體基板的概略剖面 圖的一例的圖。 第2圖是表示本發明的發光元件的概略剖面圖 的圖。 第3圖是表示實驗例中，對於不純物擴散抑制層的厚 度在4個水準上作變化的LED燈泡，通電時間與順向電壓 的變化率的關係的圖。 第4圖是表示本發明的化合物半導體基板的製造方法 的步驟流程的一例的圖。 201240106 【主要元件符號說明】 1 化合物半導體基板 2 GaP窗層 3 不純物擴散抑制層 4 發光層 5 薄膜電流擴散層 6 厚膜電流擴散層 10 發光元件 11 第一電極 12 第二電極 13 接合墊 41 η型包覆層 42 活性層 43 Ρ型包覆層

17 S

Claims (1)

1. 201240106 七、申請專利範圍： 1. 一種化合物半導體基板，該化合物半導體基板具有四 兀發光層’該四元發光層是在η型GaP窗層上依序積層由 (AlxGabX)yIn丨-yp(其中，〇<χ<1 ’ 〇<y<l)所構成的n型包覆 層、由（八1"’(}&1_>£,\,1111?(其中，0<乂,<1’0<丫,<1)所構成的 活性層、以及由（AlxGai—x)yini.yp(其中，〇<χ<1，〇<;/<1)所 構成的Ρ型包覆層而成，且該化合物半導體基板，是在四 兀發光層中的位於上述η型GaP窗層側的主表面（第二主面） 的相反側的主表面（第一主面）上，積層有電流擴散層即ρ 型GaP層而成’其中’所述化合物半導體基板的特徵在於： 在上述η型GaP窗層與上述四元發光層之間，形成有 不純物擴散抑制層，該不純物擴散抑制層是由 其中，〇<χ〃<χ<1，〇<〆’<〇所構成，且 該不純物擴散抑制層的Α1組成低於上述η型包覆層。 2·如請求項1所述的化合物半導體基板，其中： 決戌述由（AlxGai_x)yIrii_yP所構成的η型包覆層的組 成的X值的範圍在0.7$ χ<1·〇，而決定上述由 (Al^’Gan^yJnKP所構成的不純物擴散抑制層的組成的 X"值的範圍在〇.5$x〃<〇.7。 3·如請求項1所述的化合物半導體基板，其中： 上述不純物擴散抑制層的膜厚在〇.〇 1 // m以上。 18 201240106 4·如請求項2所述的化合物半導體基板，其中： 上述不純物擴散抑制層的膜厚在〇〇丨从m以上。 5· 一種發光元件，該發光元件的特徵在於： 是由上述請求項1至請求項4中任一項所述的化合物 半導體基板所製造而成。 6. 一種化合物半導體基板的製造方法，該製造方法至少 具有以下步驟： 磊晶成長四7G發光層的步驟，此步驟磊晶成長該四元 發光層，所述四元發光層是在n f GaAS基板上依序積層 由（AlxGai.x)yIni_yP(其中，0<x<1，〇<y<lw構成的 n 型包 覆層、由(其中，wq，〇<〆<〇所構成 的活性層、以及由（AlxGa丨·x)yIn〗yP(其中，〇<χ<1，〇<y<i) 所構成的P型包覆層而成； 磊晶成長ρ型Gap層的步驟，此步驟將作為電流擴散 層的該GaP層，蟲晶成長於上述四元發光層中的與上 述η型GaAs基板側處於相反側的主表面（第一主面）上； 自上述四元發光層除去nS GaAs基板的步驟；以及 貼合η型GaP窗層的步驟，此步驟將該n㉟Gap窗層 貼合於已除去該η # GaAs基板後的一側的上述四元發光 層的主表面（第二主面）側上； 其中，所述化合物半導體基板的製造方法的特徵在於： 19 201240106 在遙晶成長上述_ 四冗發光層前，在上述η型GaAs基 板上積層不‘’屯物擴散抑制層，該不純物擴散抑制層是由 (Alx Gah )y lni_y’’p(其中，，〇<〆，<)所構成，且 該不純物擴散抑制層的A1組成低於上述η型包覆層，然 後’在該不純物擴散抑制層上磊晶成長上述四元發光層， 或者是在貼合上述iGapf層冑，於上述四元發光層的 第二主面側上積層上述不純物擴散抑制層，藉此在上述貼 σ步驟中貼合上述不純物擴散抑制層與η型GW窗層，而 製w化合物半導體基板，該化合物半導體基板在上述η型 GaP窗層與上述四元發光層之間形成有上述不純物擴散抑 制層。 20