JP4594993B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関する。

緑、黄緑、黄、橙、赤色などの可視光を放出する半導体発光素子は、照明、車載、ディスプレイ、信号機などの広い用途を有する。半導体発光素子を高輝度とすると、屋外用途が拡大するだけでなく、駆動電流の低減により低消費電力とできる。

緑色〜赤色の可視光波長よりも長い約８７０ｎｍのバンドギャップ波長を有するＧａＡｓなどの基板上に半導体発光素子の発光層を形成すると、放出光のうち基板に向かう光が吸収され、光出力が低下する。

これに対して、黄緑色〜赤色の可視光波長よりも短い約５５０ｎｍのバンドギャップ波長を有するＧａＰ基板を用いると、基板による光吸収を低減でき、高輝度とすることが容易となる。

しかしながら、黄緑色〜赤色の可視光帯の光を放出するＩｎＧａＡｌＰ系半導体の格子定数は、ＧａＰの格子定数との差が数％と大きく、ＧａＰ基板上に低結晶欠陥密度のＩｎＧａＡｌＰ系積層体を直接結晶成長することが困難である。

ウェーハ接着工程の熱処理による発光部への悪影響を回避して、発光効率の良好な発光素子を提供する技術開示例がある（特許文献１）。この技術開示例によれば、格子整合が取れた第１の基板上に第１の半導体層を形成し、第２の基板とウェーハ接着を行った後、第１の基板を除去し、第２の基板と接着された第１の半導体層上に第２の半導体層を形成している。この場合、第１の半導体層を設けるために、第２の基板と、発光層を含む積層体との格子不整合を緩和できる。しかし、第１の半導体層がＩｎＧａＡｌＰ系材料であると表面が不安定状態となりやすく、結晶欠陥密度が大きくなりやすい。
特開２００１−１４４３２２号公報

結晶欠陥密度が低減され、信頼性が改善された半導体発光素子及びその製造方法を提供する。

本発明の一態様によれば、発光層を含み、Ｉｎ _ｘ （Ｇａ _ｙ Ａｌ _１−ｙ ） _１−ｘ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含む上部成長層と、前記発光層からの放出光を透過可能な透光性基板と、前記上部成長層と前記透光性基板との間に設けられた下地層であって、上面に前記上部成長層が結晶成長され、Ｉｎ、Ａｌ及びＰのいずれの元素をも実質的に含まず、少なくともＧａ及びＡｓの元素を含む化合物半導体からなる表面制御層と、下面が前記透光性基板と接着され、Ｉｎ _ｘ （Ｇａ _ｙ Ａｌ _１−ｙ ） _１−ｘ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる接着層と、を有し、前記表面制御層と前記上部成長層との間の界面における格子のずれは、前記接着層と前記透光性基板との間の界面における格子のずれよりも小さい、下地層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、第１の基板上に、バッファ層と、Ｉｎ、Ａｌ及びＰのいずれの元素をも実質的に含まず、少なくともＧａ及びＡｓの元素を含む化合物半導体からなる表面制御層と、Ｉｎ _ｘ （Ｇａ _ｙ Ａｌ _１−ｙ ） _１−ｘ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる接着層と、をこの順序で結晶成長する工程と、前記接着層の表面と、前記透光性基板と、を加熱状態で接着する工程と、前記第１の基板及び前記バッファ層を除去し、前記表面制御層を露出する工程と、露出した前記表面制御層の上に、発光層を含み、Ｉｎ _ｘ （Ｇａ _ｙ Ａｌ _１−ｙ ） _１−ｘ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含む上部成長層を結晶成長する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。

結晶欠陥密度が低減され、信頼性が改善された半導体発光素子及びその製造方法が提供される。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施形態にかかる半導体発光素子の模式断面図である。
透光性基板１０は、半導体発光素子からの放出光の波長に対して透過率が高く、放出光の吸収を抑制し、チップの外部へ高い光出力を放出できる。本実施形態は、ＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる発光層３２と、ＧａＰからなる透光性基板１０と、を有するものとするが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。

なお、本明細書において、ＩｎＧａＡｌＰとは、Ｉｎ_ｘ（Ｇａ_ｙＡｌ_１−ｙ）_１−ｘＰ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）なる組成式で表される材料であり、ｐ型不純物やｎ型不純物が添加されたものも含むものとする。

透光性基板１０としてｎ型ＧａＰ（ガリウム燐）からなる材料を用いると、そのバンドギャップ波長が約５５０ｎｍであるので、ＩｎＧａＡｌＰ系材料による５５０〜７００ｎｍの波長範囲の放出光の吸収が抑制され透過が可能である。また、緑色光の波長範囲は約５１０〜５４０ｎｍであり、ＧａＰのバンドギャップ波長よりも僅かに短いので光の透過率が僅かに低下する。しかしながら、ＧａＡｓ基板と比較すると透過率は高く高い光出力を得ることが可能である。さらに、ｎ型ＧａＰは導電性を有しており、透光性基板１０の下面に下側電極５０を配置することができる。

なお、バンドギャップ波長が約３６８ｎｍであるＺｎＯ（酸化亜鉛）を基板として用いると、可視光波長範囲の放出光を透過することができる。さらに、ＺｎＳｅ（セレン化亜鉛）を基板として用いると、５５０ｎｍ以上の波長範囲の放出光を透過することができる。

透光性基板１０（厚さ２５０μｍ）の上面と、下地層２３と、が接着界面１５において接着されている。また、下地層２３は、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ（厚さ０．５μｍ）からなる接着層２０と、ｎ型ＧａＡｓ（厚さ２０ｎｍ）からなる表面制御層２２と、を有している。接着された透光性基板１０と、下地層２３と、を結晶成長の下地基板とする。表面制御層２２の上には、上部成長層３９が形成されている。そして、表面制御層２２と上部成長層３９との間の界面における格子のずれは、下地層２３と透光性基板１０との間の界面における格子のずれよりも小さい。ここで、「格子のずれ」は、例えば、これら各層を構成する半導体の格子定数の差として定義することができる。

上部成長層３９は、下地基板の上に結晶成長されている。すなわち、上部成長層３９は、表面制御層２２の上に、ｎ型ＩｎＡｌＰからなるクラッド層（厚さ０．６μｍ、不純物濃度４×１０^１７ｃｍ^−３）３０、ＩｎＧａＡｌＰからなる発光層（厚さ０．６μｍ）３２、ｐ型ＩｎＡｌＰからなるクラッド層（厚さ０．６μｍ、不純物濃度４×１０^１７ｃｍ^−３）３４、ｐ型Ｉｎ_０．５（Ｇａ_０．３Ａｌ_０．７）_０．５Ｐからなる電流拡散層（厚さ１．５μｍ、不純物濃度１．５×１０^１８ｃｍ^−３）３６、ｐ^＋型ＧａＡｓからなるコンタクト層（厚さ０．１μｍ、不純物濃度２×１０^１８ｃｍ^−３）３８がこの順序で形成されたダブルヘテロ構造を有している。

発光層３２をｐ型Ｉｎ_０．５（Ｇａ_ｙＡｌ_１−ｙ）_０．５Ｐからなる多重量子井戸構造とすると、放出光波長の制御性が改善でき、しきい値電流の低減が容易となる。この場合、例えば井戸層はＧａ組成比ｙ＝０．９６、井戸幅を５ｎｍとし、バリア層はＧａ組成比ｙ＝０．２、バリア幅を８ｎｍとし、４０対の多重量子井戸とする。また、不純物濃度は、井戸層及びバリア層において、例えば８×１０^１６ｃｍ^−３とする。このようにすると、波長が約６２０ｎｍの赤色光を放出することができ、ＧａＰからなる透光性基板１０のバンドギャップ波長（約５５０ｎｍ）よりも波長が長いので透光性基板１０における光吸収を抑制できる。発光波長が橙、黄、黄緑、緑色の場合も、発光層３２の構造及び組成を適正に決定することができる。

ＧａＰとＩｎＧａＡｌＰとは数パーセントの格子のずれ（格子不整合）を生じるので、ＧａＰからなる基板上に結晶欠陥が低減された高品質なＩｎＧａＡｌＰ系成長層を直接形成することは困難である。これに対し、本実施形態では、ＧａＡｓと略格子整合したｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなる接着層２０上に、５０ｎｍ以下と薄いｎ型ＧａＡｓからなる表面制御層２２が形成されている。このために、下地層２３と格子整合され、転位などの結晶欠陥が低減された上部成長層３９を形成することが容易となる。

また、表面制御層２２の材料は、Ｉｎ、Ａｌ、Ｐを混晶構成元素として実質的に含まないＧａＡｓなどのIII−Ｖ族化合物半導体とし表面を安定に保って上部成長層３９を形成する。すなわち、接着層２０を設けることにより格子整合を容易とし、薄い表面制御層２２を設けることにより下地層２３の表面を安定に保つ。なお、 実質影響が出ない程度であれば、表面制御層２２の材料としてはＧａとＡｓとを含んでおり、Ｉｎ、Ａｌ、Ｐなど他の元素を僅かだが含むようにしても構わない。

図２は、放出光の透過率のＧａＡｓ膜厚依存性を表すグラフ図である。縦軸は透過率（％）、横軸はＧａＡｓ膜厚（μｍ）、をそれぞれ表す。波長が６２０ｎｍである赤色光の透過率を実線で表す。透過率は、膜厚が０．０１μｍでは略９８％であり、膜厚が０．０７μｍでは略８８％（Ｒ点）まで低下し、膜厚が０．１μｍでは略８３％までさらに低下する。

他方、波長が５９０ｎｍの黄色光の透過率を破線で表す。透過率は、膜厚が０．０１μｍでは略９７％であり、膜厚が０．０７μｍでは略８１％（Ｙ点）まで低下し、膜厚が０．１μｍでは略７４％までさらに低下する。また、波長が５７０ｎｍの緑色光の透過率を鎖線で表す。透過率は、膜厚が０．０１μｍでは略９５％であり、膜厚が０．０７μｍでは略７０％（Ｇ点）まで低下し、膜厚が０．１μｍでは略６０％までさらに低下する。このように波長が短くなる程透過率が低下するので、緑色光に対しても高輝度が可能となる７０％以上の透過率を保つには、表面制御層２２のＧａＡｓ膜厚を０．０７μｍ（７０ｎｍ）以下とすることが好ましい。

コンタクト層３８の上面には、リフトオフ法などを用いパターニングされ、ＡｕＺｎなどからなる上側電極４０が形成される。また、透光性基板１０の下面には、ＡｕＧｅなどからなる下側電極５０が形成される。なお、コンタクト層３８は、上側電極４０の下方のみが残され、上側電極４０との間でオーミック接触を形成している。

また、電流拡散層３６を低抵抗とし上側電極４０からの注入電流を発光層３２の面内に拡がりやすくしているが、上側電極４０の直下近傍は周辺部よりも電流密度が高く発光領域Ｇとなる。発光領域Ｇからの放出光は、上側電極４０を除く上方、チップの側方から放出される。ｎ型ＧａＰからなる透光性基板１０は透光性及び導電性を有しており、発光領域Ｇから下方へ向かう光が透光性基板１０内で吸収されることを抑制する。発光層３２から放出され透光性基板１０へ入射した光のうち、側面１０ａから直接外部に放出される光があり、また、下面１０ｂにおいて下側電極５０に反射された後に側面１０ａから外部に放出される光もある。

実際の発光素子のチップ断面において、上部成長層３９の厚さは略１０μｍ以下であるのに対して、透光性基板１０の厚さＴＣは１００〜３００μｍと厚いので、透光性基板１０における光吸収を抑制し側方への放出光を高めることが重要である。

図３は、第１の実施形態にかかる半導体発光素子の製造工程のうち、下地基板１１を形成する工程断面図である。まず、図３（ａ）のように、ｎ型ＧａＡｓからなる第１の基板（厚さ２５０μｍ）２８の上に、ｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層（厚さ０．５μｍ）２６、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなるバッファ層（厚さ０．５μｍ）２４、ｎ型ＧａＡｓからなる表面制御層（例えば厚さ２０ｎｍ）２２、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなる接着層（厚さ０．５μｍ）２０を、この順序でエピタキシャル結晶成長する。この場合、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなる接着層２０は、ＧａＡｓに対して略格子整合されている。なお、第１の基板２８の上にｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなるバッファ層２４を直接成長させることも出来るが、ｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層２６を間に挟む方がより結晶欠陥を低減することが容易である。

結晶成長法としては、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長)法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシャル）法、気相成長法などを用いることができる。

ＭＯＣＶＤ法の場合、原料として、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）などの有機金属、ＡｓＨ_３（アルシン）及びＰＨ_３（ホスフィン）などの水素化ガスを用い、結晶成長温度は約７００℃とする。また、ｐ型不純物として、Ｚｎ、Ｍｇを用い、ｎ型不純物としてＳｉを用いる。Ｚｎの原料はＤＭＺ（ジメチル亜鉛）またはＤＥＺ（ジエチル亜鉛）、Ｍｇの原料はＣｐ_２Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）、炭素の原料はＣＢｒ４（四臭化炭素）、Ｓｉの原料はＳｉＨ_４（シラン）などとする。

続いて、図３（ｂ）のように、ｎ型ＧａＰからなる透光性基板１０と、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなる接着層２０と、をウェーハ状態で密着し、水素または不活性ガス雰囲気中で熱処理により接着する。この場合、接着界面を１５で表す。熱処理の適正温度範囲は７７０〜８３０℃の間であり、例えば８００℃などとすることができる。

図３（ｃ）は接着後の状態を表す。接着層２０及び表面制御層２２は、格子定数が約５．６５３３オングストロムであるＧａＡｓと略格子整合されており、格子定数が約５．４５１２オングストロムである透光性基板１０とは格子不整合となっている。すなわち、透光性基板１０は、接着層２０に近い領域に転位などを生じやすくなっており、格子緩和されている。下地層２３を設けたことにより、透光性基板１０との接着界面１５の近傍に生じた転位などの格子欠陥が上部成長層３９にまで及ぶことが抑制できる。

さらに、図３（ｄ）のように、機械的研磨法及び溶液エッチング法の少なくともいずれかを用いて、第１の基板２８と、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２６と、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰバッファ層２４と、の積層を、分離除去する。この様にして、透光性基板１０上に、接着層２０と表面制御層２２とが積層された下地層２３が接着された下地基板１１が得られる。この場合、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなる接着層２０は、透光性基板１０と格子整合していない。なお、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなるバッファ層２４を選択的にエッチングすると、７０ｎｍ以下の薄い表面制御層２２を確実に残すことが容易となる。

図４は、第１の実施形態にかかる半導体発光素子の製造工程のうち、下地基板１１の上に上部成長層３９を形成する工程以降の工程断面図である。まず、図４（ａ）のように、下地基板１１の表面である表面制御層２２の上に、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなるクラッド層３０から始まる上部成長層３９を形成する。上部成長層３９は、最上部のｐ^＋型ＧａＡｓからなるコンタクト層３８以外は、ＩｎＧａＡｌＰからなる。ＭＯＣＶＤ法を用いる場合、結晶成長温度を、例えば約７００℃とする。

もし、ＧａＡｓ基板上に約７００℃において上部成長層３９を形成したのちに、約８００℃においてＧａＰ基板との接着を行うとする。この場合、ｐ型クラッド層３４のｐ型不純物としてＺｎを用いると、約７００℃の結晶成長温度よりも高い約８００℃の熱処理工程において、Ｚｎが発光層に拡散するなどにより結晶性が悪化し、光出力が低下する。

これに対して、本実施形態のように、下地基板１１の表面となる表面制御層２２の上に、上部成長層３９を接着温度よりも低い温度で形成すると、オーミック接触を良好に保ちつつ上部成長層３９の組成、キャリア濃度などを安定に保ち、高い光出力とすることが出来るのでより好ましい。

また、表面制御層２２は、凝集による組成不均一を生じやすいＩｎ、酸化しやすいＡｌ、蒸気圧が高いＰ、を実質的に含んでおらず、上部成長層３９を成長する直前の表面を安定的にかつ再現性よく制御することが容易であり、結晶欠陥の少ない上部成長層３９を形成できる。上部成長層３９を、真空中において連続して成長すると、結晶欠陥が低減され汚れが抑制され好ましい。なお、ガス切り替えを自動制御としたＭＯＣＶＤ装置を用いると、膜厚精度及び再現性良く上部成長層３９を形成することができ、生産性を高めることが容易となる。Ｉｎ、Ａｌ、Ｐを混晶構成元素に含まないIII−Ｖ族化合物半導体としては、ＧａＡｓの他に、ＧａＳｂ、ＧａＮなどがある。

続いて、図４（ｂ）のように、コンタクト層３８の上に上側電極４０を形成し、上側電極４０の非形成領域のコンタクト層３８を溶液エッチング法などを用いて除去する。ＧａＡｓからなるコンタクト層３８を表面全域に残すと、放出光を吸収し上方への光出力が低下するので、このように除去することが好ましい。さらに、透光性基板１０の下面に下側電極５０を形成し、ウェーハ製造工程を終了する。

図５は、第１の比較例にかかる半導体発光素子の模式断面図である。すなわち、ＧａＰからなる基板１１０上に、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなる接着層１２０が、接着界面１１１において接着されている。ｎ型ＩｎＧａＡｌＰからなるクラッド層１３０から始まる上部成長層１３９は、接着層１２０上に結晶成長される。接着層１２０は、Ｉｎ、Ａｌ、Ｐを含む混晶であり、表面におけるＡｌの酸化、Ｉｎの凝集、Ｐの蒸発、などを生じ制御が困難であり不安定となり、表面に酸化膜及び凹凸などを生じやすい。

すなわち、格子整合可能な接着層１２０上に形成された成長層１３９であっても、格子間原子及び空格子点のような点欠陥、転位、積層欠陥などの結晶欠陥が生じやすくなっている。このようにして、結晶欠陥密度が高くなり、非発光再結合が増加し、光出力が低下する。特に、通電動作により注入キャリアが非発光再結合すると、例えばダークラインのようになって結晶欠陥が発光層１３２内に拡がって行き、光出力が通電時間の経過とともに低下する。

図６は、第２の比較例にかかる半導体発光素子の模式断面図である。すなわち、ｎ型ＧａＡｓからなる基板（厚さ２５０μｍ）１２８上にｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層１２６を形成し下地基板とし、その上に上部成長層１３９を形成する。この場合、ウェーハ接着工程が不要であるので製造方法が簡素にできるが、基板１２８に向かう光Ｇａｂの吸収が大きく基板１２８の側方への放出光出力が低下し、高い光出力を得ることが困難となる。

（表１）は、結晶欠陥密度及び通電後の相対光出力の比較を表す。

第１の比較例では、１００時間通電後の相対光出力が初期の５０％以下にまで低下する。これは、接着層１２０の表面が酸化膜や凹凸を含んだ不安定な状態であるために生じた結晶欠陥が、通電動作により発光層１３２内に広がるためである。この場合、結晶欠陥密度は約１×１０^６個／ｃｍ^３と大きくなっている。このように、接着層１２０の表面が不安定であると、結晶成長の再現性及び均一性を低下させ、歩留まり及び生産性を高く保つことが困難となる。

第２の比較例では、表面が安定なＧａＡｓからなる基板１２８上に上部成長層１３９が形成されるために、結晶欠陥密度は約１×１０^３個／ｃｍ^３と小さく、通電後の相対光出力は９０％以上を保っている。ただし、ＧａＡｓからなる基板１２８における光吸収により光出力が本実施形態の光出力の３５〜５０％と低く、高輝度とすることが困難である。

本実施形態では、ＧａＰなどからなる透光性基板１０を用いるので、第２の比較例よりも光出力を高めることが容易である。また、発光層３２を含む上部成長層３９の結晶成長開始時の下地基板１１の表面制御層２２が、少なくともＧａ及びＡｓを含むＧａＡｓなどの化合物半導体であり表面が安定であるので、結晶欠陥密度が約３×１０^３個／ｃｍ^３となり第１の比較例の結晶欠陥密度よりも小さく、再現性及び均一性が高く高品質のエピタキシャル結晶が可能である。このために、長期通電動作に対して、光出力の低下を抑制し、高い信頼性を保つことが容易となる。また、製造歩留まりを改善し、生産性を高める発光素子の製造方法が可能となる。

本実施形態にかかり、赤、橙、黄、黄緑、緑色などの可視光を放出する半導体発光素子は高い光出力、すなわち高輝度を有し、照明、車載、ディスプレイ、信号機などの広い用途に用いることができる。このために、屋外用途が拡大するだけでなく、駆動電流の低減により低消費電力が容易となる。

以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかしながら本発明は、これら実施形態に限定されない。本発明を構成する基板、下地層、下地基板、接着層、表面制御層、上部成長層の材質、サイズ、形状、配置などに関して当業者が設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。

本発明の実施形態にかかる半導体発光素子の模式断面図 透過率のＧａＡｓ膜厚依存性を表すグラフ図 本実施形態の下地基板の工程断面図 本実施形態の工程断面図 第１の比較例にかかる半導体発光素子の模式断面図 第２の比較例にかかる半導体発光素子の模式断面図

符号の説明

１０ 透光性基板、２０ 接着層、２２ 表面制御層、２３ 下地層、２４、２６ バッファ層、２８ 第１の基板、３２ 発光層、３９ 上部成長層、Ｇ 発光領域

Claims (5)

1. 発光層を含み、Ｉｎ _ｘ （Ｇａ _ｙ Ａｌ _１−ｙ ） _１−ｘ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含む上部成長層と、
   前記発光層からの放出光を透過可能な透光性基板と、
   前記上部成長層と前記透光性基板との間に設けられた下地層であって、上面に前記上部成長層が結晶成長され、Ｉｎ、Ａｌ及びＰのいずれの元素をも実質的に含まず、少なくともＧａ及びＡｓの元素を含む化合物半導体からなる表面制御層と、下面が前記透光性基板と接着され、Ｉｎ _ｘ （Ｇａ _ｙ Ａｌ _１−ｙ ） _１−ｘ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる接着層と、を有し、前記表面制御層と前記上部成長層との間の界面における格子のずれは、前記接着層と前記透光性基板との間の界面における格子のずれよりも小さい、下地層と、
   を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記透光性基板は、ＧａＰからなり、
   前記表面制御層は、ＧａＡｓを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
3. 前記表面制御層の厚さは、７０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
4. 第１の基板上に、バッファ層と、Ｉｎ、Ａｌ及びＰのいずれの元素をも実質的に含まず、少なくともＧａ及びＡｓの元素を含む化合物半導体からなる表面制御層と、Ｉｎ _ｘ （Ｇａ _ｙ Ａｌ _１−ｙ ） _１−ｘ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる接着層と、をこの順序で結晶成長する工程と、
   前記接着層の表面と、透光性基板と、を加熱状態で接着する工程と、
   前記第１の基板及び前記バッファ層を除去し、前記表面制御層を露出する工程と、
   露出した前記表面制御層の上に、発光層を含み、Ｉｎ _ｘ （Ｇａ _ｙ Ａｌ _１−ｙ ） _１−ｘ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を含む上部成長層を結晶成長する工程と、
   を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
5. 前記第１の基板はＧａＡｓからなり、
   前記表面制御層は、ＧａＡｓを含むことを特徴とする請求項４記載の半導体発光素子の製造方法。

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