JP2008244074A - 窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】より発光効率の高い窒化物半導体発光素子を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層を成長させてなる窒化物半導体発光素子の製造方法において、該活性層を成長させる前の窒化物半導体層、または該活性層の成長途中あるいは成長後のいずれかにおける成長結晶表面に、サーファクタント材料を接触させることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法である。サーファクタント材料は、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｍｇ、Ｚｎ、ＳｉまたはＧｅからなることが好ましい。
【選択図】なし

Description

本発明は、窒化物半導体発光素子の製造方法に関し、より詳しくは、活性層の結晶品質が向上され、発光効率の高い窒化物半導体発光素子に関する。

一般に、窒化物半導体発光素子の活性層には、互いにバンドギャップの異なるＩｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ井戸層とＩｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ障壁層（ｘ₁＞０、ｘ₂≧０、ｘ₁＞ｘ₂）とを交互に積層させてなる多重量子井戸構造が採用されている（たとえば特許文献１）。この多重量子井戸構造にすることにより、発光に寄与するキャリアの状態密度を確保しつつ、２〜５ｎｍ程度の薄い井戸層厚で発光層を形成することができるため、バルクのＩｎＧａＮ層を活性層とした場合よりも発光効率の高い素子を得ることが可能である。

しかし、活性層が多重量子井戸構造を有する場合、井戸層と障壁層とは、Ｉｎの組成比が異なり、したがって表面エネルギーが異なることから、井戸層／障壁層界面および障壁層／井戸層界面を急峻にすることが困難である。このような急峻でない界面においては、発光層である井戸層の厚さが空間的に不均一となる。一般に、量子効率は、井戸層の厚さに大きく依存することから、井戸層厚が不均一な部分が存在すると、量子効率の低い部分が生じることとなるため、発光素子全体としての発光効率が低くなってしまう。

ここで、特許文献２には、発光効率の向上を目的として、多重量子井戸層の結晶成長時にＳｉを不純物としてドープすることが記載されている。しかしながら、この方法の場合には、結晶成長時に不純物をドーピングするため結晶品質が悪化するという問題がある。

また、特許文献３には、ＡｌＧａＡｓ活性層の成長前もしくは成長途中に成長を中断して微量のインジウム（Ｉｎ）を結晶表面に添加することが開示されている。しかしながら、この場合、活性層はＩｎを含んでいないため、結晶内へＩｎが拡散し取り込まれることによるデバイスへの影響が懸念される。また、添加するＩｎの量を活性層のＡｌ組成に対して５原子％未満となるように、添加量を精密に制御しなければならず、またＩｎの供給量には制限がある。
特開平６−２６８２５７号公報 特開２０００−２６１１０６号公報 特開平９−２１４０５２号公報

本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、より発光効率の高い窒化物半導体発光素子を得ることができる製造方法を提供することを目的とする。

本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層を成長させてなる窒化物半導体発光素子の製造方法において、該活性層を成長させる前の窒化物半導体層、または該活性層の成長途中あるいは成長後のいずれかにおける成長結晶表面に、サーファクタント材料を接触させることを特徴とする。ここで、上記窒化物半導体層とは、ｎ型窒化物半導体層であってもよく、ｐ型窒化物半導体層であってもよい。

上記サーファクタント材料は、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｍｇ、Ｚｎ、ＳｉまたはＧｅからなることが好ましい。

また、本発明においては、上記活性層は、互いにバンドギャップが異なる井戸層と障壁層とを交互に積層することにより形成され、少なくとも１の井戸層を成長させた後、その表面にサーファクタント材料を接触させることが好ましい。ここで、上記井戸層は、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）からなることが好ましい。

また、上記ｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層の成長は、有機金属気相成長法を用いて行なわれることが好ましい。

本発明によれば、たとえば青色発光の窒化物半導体発光ダイオード素子などの窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。

以下、実施の形態を示して本発明の方法を詳細に説明する。図１は、本発明の好ましい実施形態を示す概略工程図であり、窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を示すものである。

本実施実施形態においては、まず基板１０１上に、ｎ型窒化物半導体層１０２を、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により形成する。基板１０１としては、たとえばサファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯなどを使用することができる。また、ｎ型窒化物半導体層１０２は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-xーyＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）から形成され、ＧａＮバッファ層、ＡｌＮバッファ層およびアンドープ層などを含む。

次に、活性層１０３を成長させる工程に移る。本実施形態の活性層１０３は、図１に示されていないが、互いにバンドギャップの異なる井戸層と障壁層とを交互に積層されてなる多重量子井戸構造を有するものであり、当該多重量子井戸構造を形成するために、まず井戸層をｎ型窒化物半導体層１０２上に、ＩＩＩ族源としてのトリメチルインジウム（ＴＭＩ）およびトリメチルガリウム等、Ｖ族源としてのアンモニア等を用いた有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により積層させる（井戸層成長工程）。当該井戸層は、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）とすることができる。

ついで、井戸層成長後の成長中断工程において、積層された上記井戸層の表面に、サーファクタント材料を接触させる（サーファクタント供給工程）。ここで、井戸層成長中断工程とは、上記ＩＩＩ源である原料ガス、Ｖ族源である原料ガスのいずれかを供給しない工程を意味する。このように、井戸層成長後の成長中断工程において、井戸層表面にサーファクタント材料を接触させると、その上に形成する障壁層が該井戸層を覆う際に、２次元成長層成長（ＦＭモード）の方が、３次元成長層モード（Ｖ−Ｗモード）と比較して、系全体のエネルギーが小さくなるため、結果として井戸層／障壁層の界面の急峻性、平坦性を向上させることができ、井戸層の厚さを均一にすることができる。その結果、得られる窒化物半導体発光素子の発光効率が向上する。以下、当該サーファクタント供給工程について詳細に説明する。

本発明におけるサーファクタント材料とは、ヘテロ界面において、平坦性および／または急峻性を制御できるものと定義される。そのなかでも、特に、ヘテロ界面近傍の窒化物半導体層の成長モードを２次元層成長（ＦＭモード）に変化させやすい、すなわち、表面エネルギーが小さい材料であることが好ましい。より具体的には、本発明におけるサーファクタント材料は、窒化物半導体発光素子において主に用いられるＧａＮの一般的な表面エネルギー値（約２．０Ｊ／ｍ²）よりも小さい表面エネルギーを有する材料であることが好ましい。このようなサーファクタント材料としては、たとえば、Ｉｎ（表面エネルギー０．６９Ｊ／ｍ²、以下同じ）、Ａｌ（１．１６Ｊ／ｍ²）、Ｇａ（０．８３Ｊ／ｍ²）、Ｍｇ（０．７６Ｊ／ｍ²）、Ｚｎ（１．０２Ｊ／ｍ²）、Ｓｉ（１．２９Ｊ／ｍ²）、Ｇｅ（１．０３Ｊ／ｍ²）、Ｓｎ（０．７１Ｊ／ｍ²）、Ｓｂ（０．６８Ｊ／ｍ²）、Ｂｉ（０．５５Ｊ／ｍ²）、Ｒｂ（０．１１Ｊ／ｍ²）、Ｃｓ（０．０９Ｊ／ｍ²）、Ｎａ（０．２６Ｊ／ｍ²）などの元素を挙げることができる。なお、表面エネルギーとは、分子間力と表面間力によって決定される表面の全エネルギーのことを意味し、たとえば、接触角測定などにより測定することができる。

さらに、サーファクタント材料は、一般に接触させた表面に浮き上がる性質を有しており、一部結晶内に取り込まれ得ることから、窒化物半導体発光素子の作製に通常使用される３族元素やｎ型あるいはｐ型不純物元素であることがより好ましい。具体的には、３族元素のサーファクタント材料としてＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ｎ型不純物元素のサーファクタント材料としてＳｉ、Ｇｅおよびｐ型不純物元素のサーファクタント材料としてＺｎ、Ｍｇを挙げることができる。

結晶表面に上記サーファクタント材料を接触させる具体的手段としては、特に制限されないが、サーファクタント材料である元素を含有する有機金属化合物を原料ガスとして、有機金属気相成長を行なう方法を好適に用いることができる。原料ガスとしては、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルインジウム；トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）；トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリエチルガリウム；シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ₂Ｍｇ）、エチルシクロペンタジエニルマグネシウム（ＥｔＣｐ₂Ｍｇ）；ジメチルジンク（ＤＭＺｎ）、ジエチルジンク（ＤＭＺｎ）；シラン（ＳｉＨ₄）、トリメチルシリコン（ＴＭＳｉ）、トリエチルシリコン（ＴＥＳｉ）；ゲルマン（ＧｅＨ₄）、テトラメチルゲルマン（ＴＭＧｅ）などを用いることができる。

当該サーファクタント供給工程における有機金属気相成長の条件は、特に制限されないが、たとえばＴＭＩを原料ガスとしてＩｎを供給する場合、サーファクタントとしての十分な効果を得るためには、ＴＭＩの供給分圧を１０^-3Ｔｏｒｒ以上とすることが好ましい。なお、井戸層成長後の成長中断工程において、供給されている原料ガスとサーファクタント材料である元素を含有する有機金属化合物が同一である場合には、別途この有機金属化合物ガスを供給することを要しない。

本実施形態において、たとえばサーファクタント材料としてＩｎを用いる場合、活性層はＩｎＧａＮより構成されており、Ｉｎを含んでいるため、サーファクタント材料としてのＩｎ供給量と、活性層、特には井戸層成長時のＩｎ供給量のバランスを調整することにより、サーファクタント材料としてのＩｎ供給量を大きくすることが可能である。また、活性層はＩｎを含む層であるため、サーファクタント材料であるＩｎの結晶内への拡散による結晶、デバイスへの影響は小さい。

本実施形態においては、活性層の成長中断工程、すなわち、ＩＩＩ族源の原料ガス、Ｖ族源の原料ガスいずれか一方を供給しない工程において、サーファクタント材料である元素を含有する有機金属化合物を供給するものであるが、この方法は、活性層の成長中にサーファクタント材料を接触させてサーファクタント材料をドーピングさせる、すなわち、ＩＩＩ族源の原料ガスおよびＶ族源の原料ガスを供給しながら、さらにサーファクタント材料である元素を含有する有機金属化合物を供給する方法と比較して、結晶品質の悪化が小さいという利点を有する。

続く工程において、上記サーファクタント材料により処理がなされた井戸層表面上に、障壁層を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により積層させる（障壁層成長工程）。障壁層は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-xーyＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）とすることができる。本実施形態では、上記井戸層成長工程、サーファクタント供給工程、および障壁層成長工程を計６回行なうことにより多層構造である活性層１０３を完成させる。

次に、活性層１０３の最表面である障壁層上に、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により、ｐ型窒化物半導体層１０４を積層させる。ｐ型窒化物半導体層１０４は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-xーyＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）から構成することができるが、Ａｌを含有するクラッド層とＧａＮ層とをこの順に形成した多層構造とすることが好ましい。以上により、基板１０１上にｎ型窒化物半導体層１０２、活性層１０３およびｐ型窒化物半導体層１０４が順次形成された発光素子構造が作製される（図１（ａ））。

最後に、従来公知の方法を用いて電極を形成し、窒化物半導体発光ダイオード素子が完成する（図１（ｂ））。図１（ｂ）において、透光性のオーミック電極１０５としては、Ｐｄ、Ｎｉ、ＩＴＯ、ｎ−ＧａＮなどを用いることができる。また、ｎ側パッド電極１０６およびｐ側パッド電極１０７としては、ＡｕやＴｉ／Ａｌなどが選択される。

以上のような本実施形態の窒化物半導体発光ダイオード素子は、活性層１０３を構成する各井戸層の表面上にサーファクタントが供給されているため、その上の障壁層が井戸層表面を覆う際、２次元成長モードが支配的となり、そのことにより界面の急峻性が向上し、各井戸層の厚さの均一性が向上する。その結果、発光ダイオード素子の発光効率が従来と比較して大きく改善する。

次に、上記実施形態の変形例について述べる。まず、上記実施形態においては、サーファクタントの供給は、各井戸層の成長後であって障壁層成長前の成長中断工程に行なわれるが、これに限定されるものではない。障壁層の成長後の成長中断工程において、該障壁層表面にサーファクタント材料を接触させ、その後井戸層を成長させるようにしてもよい。勿論、井戸層表面および障壁層表面の双方にサーファクタントの供給を行なうようにしてもよい。障壁層表面のみへのサーファクタントの供給が行なわれる場合であっても、その上の井戸層が障壁層表面を覆う際、２次元成長モードが支配的となり、その結果、界面の急峻性が向上し、発光効率の向上が期待される。

また、上記のような、活性層を構成する井戸層／障壁層界面へのサーファクタントの供給、すなわち、活性層の成長途中の成長中断工程における結晶表面へのサーファクタントの供給に限定されるものではなく、たとえば、活性層を成長させる前の成長中断工程におけるｎ型窒化物半導体層の最表面上や、活性層の最上層成長後の成長中断工程における活性層最上層表面上にサーファクタント材料を接触させるようにしてもよい。このような場合であっても、ｎ型窒化物半導体層を活性層が覆う際、２次元成長モードが支配的となり、その結果、ｎ型窒化物半導体層と活性層との界面の急峻性が向上し、発光効率の向上が期待される。ただし、井戸層の厚さの均一性により大きく寄与することから、少なくとも井戸層成長後、該井戸層表面にサーファクタントを供給することが好ましい。また、ｐ型半導体層上に活性層を形成する態様においては、当該ｐ型半導体層の表面上にサーファクタント材料を接触させるようにしてもよい。

また、井戸層と障壁層とを交互に積層させた多層構造からなる活性層において、ｎ型窒化物半導体層に接する層は、井戸層、障壁層のいずれであってもよく、ｐ型窒化物半導体層に接する層もまた、井戸層、障壁層のいずれであってよい。活性層の多層構造における井戸層および障壁層の積層繰返し数も上記に限定されるものではなく、適宜選択される。

さらに、電極の構成は、上記の構成（図１（ｂ）の構成）のような片面２電極構造に限られるものではなく、たとえば、別途用意した導電性の支持基板にｐ型窒化物半導体層１０４を貼り合わせ、基板１０１を除去した後、光取り出し側であるｎ型窒化物半導体層１０２表面に電極を形成するとともに、上記支持基板とｐ型窒化物半導体層１０４との間に、たとえばＡｌ、Ｐｔ、Ａｇなどの反射率が高い金属層を形成した上下電極構造とすることもできる。

以下、実施例および比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜実施例１＞
図１に示される構造の窒化物半導体発光ダイオード素子を以下の方法により作製する。まず、サファイアからなる基板１０１を用意し、ＭＯＣＶＤ装置の反応炉内にセットする。そして、反応炉内に水素を流しながら、基板１０１の温度を１０５０℃まで上昇させて、基板１０１の表面（Ｃ面）のクリーニングを行なう。次に、基板１０１の温度を５１０℃まで低下させ、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアおよびＴＭＧ（トリメチルガリウム）を反応炉内に流して、基板１０１の表面（Ｃ面）上にＧａＮからなるバッファ層をＭＯＣＶＤ法により約２０ｎｍの厚さで積層する。次いで、基板１０１の温度を１０５０℃まで上昇させて、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアおよびＴＭＧ、不純物ガスとしてシランを反応炉内に流して、ＳｉがドーピングされたＧａＮからなるｎ型窒化物半導体下地層（キャリア濃度：１×１０¹⁸／ｃｍ³）をＭＯＣＶＤ法によりバッファ層上に６μｍの厚さで積層する。続いて、キャリア濃度が５×１０¹⁸／ｃｍ³となるようにＳｉをドーピングしたこと以外はｎ型窒化物半導体下地層と同様にして、ＧａＮからなるｎ型窒化物半導体コンタクト層をＭＯＣＶＤ法によりｎ型窒化物半導体下地層上に０．５μｍの厚さで積層して、バッファ層、ｎ型窒化物下地層およびｎ型窒化物半導体コンタクト層からなるｎ型窒化物半導体層１０２を形成する。

次に、井戸層成長工程として、基板１０１の温度を７００℃まで低下させ、キャリアガスとして窒素、原料ガスとしてアンモニア、ＴＭＧおよびＴＭＩ（トリメチルインジウム）を反応炉内に流して、ｎ型窒化物半導体コンタクト層上に２．５ｎｍの厚さのＩｎ_0.15Ｇａ_0.75Ｎ井戸層を成長させる。続いて、サーファクタント供給工程として、基板１０１の温度を７００℃に維持し、キャリアガスとして窒素、原料ガスとしてＴＭＩのみを反応炉に流して、Ｉｎ_0.15Ｇａ_0.75Ｎ井戸層表面にＩｎ（インジウム）をサーファクタントとして供給する。続いて、障壁層成長工程として、基板１０１の温度を７００℃に維持し、キャリアガスとして窒素、原料ガスとしてアンモニアおよびＴＭＧを反応炉内に流して、ＧａＮ障壁層を１８ｎｍの厚さで積層する。これら井戸層成長工程、サーファクタント供給工程および障壁層成長工程を１周期として、合計６周期行ない、活性層１０３とする。

次いで、基板１０１の温度を９５０℃に上昇させ、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニア、ＴＭＧおよびＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、不純物ガスとしてＣＰ₂Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を反応炉内に流して、Ｍｇが１×１０²⁰／ｃｍ³の濃度でドーピングされたＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎからなるｐ型窒化物半導体クラッド層をＭＯＣＶＤ法により活性層１０３上に約３０ｎｍの厚さで積層する。次に、基板１０１の温度を９５０℃に保持し、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアおよびＴＭＧ、不純物ガスとしてＣＰ₂Ｍｇを反応炉内に流して、Ｍｇが１×１０²⁰／ｃｍ³の濃度でドーピングされたＧａＮからなるｐ型窒化物半導体コンタクト層をＭＯＣＶＤ法によりｐ型窒化物半導体クラッド層上に０．１μｍの厚さで積層して、ｐ型窒化物半導体クラッド層およびｐ型窒化物半導体コンタクト層からなるｐ型窒化物半導体層１０４を形成する。

次に、基板１０１の温度を７００℃まで低下させ、キャリアガスとして窒素を反応炉内に流して、アニーリングを行なった後、ウェハーを反応炉から取り出し、最上層のｐ型窒化物半導体層１０４の表面に所定の形状にパターニングされたマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置でｐ型窒化物半導体層１０４側からエッチングを行ない、ｎ型窒化物半導体コンタクト層の表面を露出させる。エッチング後、最上層にあるｐ型窒化物半導体層１０４側のほぼ全面にＰｄを含む透光性のオーミック電極１０５を７ｎｍの厚さで形成し、その上の所定の位置にＡｕよりなるｐ側パット電極１０７を０．５μｍの膜厚で形成する。さらに、エッチングにより露出させたｎ型窒化物半導体コンタクト層の表面にはＴｉとＡｌを含むｎ側パット電極１０６を形成して、窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる。

＜実施例２〜７＞
サーファクタント材料を、それぞれＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｚｎとすること以外は実施例１と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる（実施例２〜７とする）。原料ガスには、それぞれＴＭＡ、ＴＭＧ、ＳｉＨ₄、ＴＭＧｅ、ＣＰ₂Ｍｇ、ＤＭＺｎを使用する。

＜実施例８＞
サーファクタント供給工程において、キャリアガスとしての窒素、原料ガスとしてＴＭＩとともに、ＮＨ₃ガスを供給したこと以外は、実施例１と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる。

＜実施例９〜１４＞
サーファクタント供給工程を、障壁層成長後に行なう、すなわち、障壁層表面にサーファクタント材料を接触させること以外は実施例２〜７と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる（実施例９〜１４とする）。原料ガスは、実施例２〜７と同じである。また、ＮＨ₃の供給は行なわない。

＜実施例１５〜２０＞
サーファクタント供給工程を、ｎ型窒化物半導体層１０２成長後に行なう、すなわち、ｎ型窒化物半導体層１０２表面にサーファクタント材料を接触させること以外は実施例９〜１４と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる（実施例１５〜２０とする）。

＜比較例１＞
上記サーファクタント供給工程を行なわなかったこと以外は実施例１と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を作製する。

得られた実施例１〜２０の窒化物半導体発光ダイオード素子の発光効率は、比較例１と比べ、いずれも向上させることができる。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の好ましい実施形態を示す概略工程図であり、窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法の一例を示す図である。

符号の説明

１０１ 基板、１０２ ｎ型窒化物半導体層、１０３ 活性層、１０４ ｐ型窒化物半導体層、１０５ オーミック電極、１０６ ｎ側パッド電極、１０７ ｐ側パッド電極。

Claims (5)

1. 基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層を成長させてなる窒化物半導体発光素子の製造方法において、
   前記活性層を成長させる前の窒化物半導体層、または前記活性層の成長途中あるいは成長後のいずれかにおける成長結晶表面に、サーファクタント材料を接触させることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
2. 前記サーファクタント材料は、Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｍｇ、Ｚｎ、ＳｉまたはＧｅからなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
3. 前記活性層は、互いにバンドギャップが異なる井戸層と障壁層とを交互に積層することにより形成され、
   少なくとも１の井戸層を成長させた後、その表面にサーファクタント材料を接触させることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
4. 前記井戸層は、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
5. 前記ｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層の成長は、有機金属気相成長法を用いて行なわれることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。

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