TW201144156A - Tape adhering apparatus and tape adhering method - Google Patents
Tape adhering apparatus and tape adhering method Download PDFInfo
- Publication number
- TW201144156A TW201144156A TW100105357A TW100105357A TW201144156A TW 201144156 A TW201144156 A TW 201144156A TW 100105357 A TW100105357 A TW 100105357A TW 100105357 A TW100105357 A TW 100105357A TW 201144156 A TW201144156 A TW 201144156A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- strip
- attached
- airtight
- speed
- airtight space
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 5
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 abstract description 44
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 3
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 3
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001247287 Pentalinon luteum Species 0.000 description 1
- 241000239226 Scorpiones Species 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLQUFIHWVLZVTJ-UHFFFAOYSA-N carbosulfan Chemical compound CCCCN(CCCC)SN(C)C(=O)OC1=CC=CC2=C1OC(C)(C)C2 JLQUFIHWVLZVTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000003229 sclerosing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
201144156 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於在對半導體晶圓 ^ ^ 切割用條帶的貼著 專所使用之條帶貼著裝置及條帶貼 百乃,去,尤其係有關於 適合將條帶貼著於低剛性之貼著對象物的裝置等。 【先前技術】 在半導體製程在將切割用條帶貼著於半導體晶圓時, 例如如第1 7圖所示,將晶圓42載置 圓ώ戰直於基座41後,利用在 表面貼著橡膠的輥4“戈圓筒形的塊件等從上方推壓條帶 43而貼著。可是,因為此方法是在大氣中作業所以空氣 易混入晶圓42與條帶43之間。在此狀態進行切割(晶片分 割)時’在晶片發生裂開或碎片。 因此,提議在真空環境下貼著條帶的貼著裝置。例如, 在專利文獻1’記載一種條帶貼著裝置50,如第18圖所示, 係包括:室52,係在内部具有氣密空間51 ;橡膠片56, 係將氣畨空間51隔間成第1及第2氣密空間5 3、5 4,並 將晶圓55載置於上面;架座58,係在橡膠片56的上方保 持條帶57;以及第1及第2空氣流路59、60,係將第i及 第2氣密空間5 3、5 4切換成真空/大氣狀態。 在條帶貼著裝置50 ’在將第1及第2氣密空間53、54 設為真空狀態後,僅將第2氣密空間54切換成大氣壓,使 在第1及第2氣密空間53、54之間產生差壓。藉此,使橡 膠片56膨脹’並將晶圓55向上推,而使晶圓55與條帶 201144156 57的黏著面(背面)抵接。若依據本條帶貼著裝置5〇,可在 真空環境下將條帶57與晶圓55黏合,並可防止空氣混入 兩者之間。 專利文獻 專利文獻1 :專利第4143488號公報 【發明内容】 【發明所欲解決之課題】 如上述所不,若依據專利文獻i所記载的條帶貼著裝 置,可防止空氣混入晶圓與條帶之間。可是,要求除了那 種性能以外,還可降低在貼著條帶時對晶圓所施加之負荷 的裝置。 即’隨著電子機器的小型化等,電路邁向微細化的超 薄型半導體晶片正普及化。當然,在成為該半導體晶片之 源的晶圓亦急速地邁向薄型化。這種薄型的晶圓不僅原本 的強度低,而且易發生赵曲。因而,該晶圓對來自上下的 推壓或撞擊極弱,可能在貼著條帶時發生裂開或碎片。又, 在感測器用之晶片的情況,可能搭載危的構造物(例如反射 光的超小型反射鏡等)。在此情況,亦因為可能在貼著條帶 時引起構造物的損壞,所以要求慎重的處理。 這種問題未限定為將條帶貼著於晶圓的情況,例如在 將條帶貼著於超薄型之玻璃板的情況等,只要是將條帶貼 者於低剛性之貼著對象物的情況,大致會一樣地發生。 因此,本發明係鑑於上述之習知技術的問題點而開發 4 201144156 目的在於提供一種條帶貼著裝置等,該條帶貼著裝 在將條帶料於低㈣之貼㈣ 對象物的負荷,以防止貼著對象物的損壞或受損。_ 【解決課題之手段】 為了達成該目的,本發明之一形態的條帶貼著裝置, ,、特徵在於包括:容器,係在内部具有 枝收外尸— 方乳《空間,彈性片’ 方^㈣、空間隔間成位於上方的第!氣密空間與位於下 !的第2氣密空間,並將條帶貼著對象物載置於該第 條帶保持構件’係在該第1氣密空間内保持條 :著二該條帶位於與載置於該彈性片的條帶貼著對象物 隔者既疋距離的位置;及氣壓切換 楚”〜 “吳予奴,係切換該第1及 第軋饴王間的加壓及降壓;在將該第丨+ ^ ^ ^ At 弟1及第2軋密空間 二:脹…後’將該第2氣密空間進行加壓,使該彈性 2;,並將該條帶貼著對象物向上推,而貼著於該條帶 寺控制該第2氣密空間的加壓量 、 脹竦声户仳A —面使該彈性片的膨 脹速度攸低速往高速分段地變 物貼著於該條帶。 自將該條帶貼著對象 使用I:發明之一形態的條帶貼著方法,其特徵在於: 條π貼著裝置,在將該第丨及 狀態後,將該第2氣密*間進“厂”設為真空 並將…屡,使該彈性片膨脹, 並將該條帶貼著對象物而 該第2… 貼著於該條帶時,控制
以 軋达I間的加壓量,一面使兮A 低速往高速分段地變化,一面:=性:的膨脹速度從 該條-,該條帶貼著裝置係包括:容器,係在内部具有氣 201144156 密空間,’彈性片,係將該 氣密空間與位於下方的第”广間成位於上方的第! 物載置於該第!氣密,1#丨…立將條帶貼者對象 軋莕二間側,條帶保持 氣密空間内保持條帶 H k在及第1 的條帶I 使该條▼位於與载置於該彈性片 的條π貼者對象物隔著 段,係切換該第i及笛… 及氣壓切換手 第2氣进空間的加壓及 【發明效果】 如以上所示,若依據本發明, 的貼葚斟条此士 在將條帶貼者於低剛性 的貼者對象物時,可減低對貼著對象物 著對象物的損壞或受損。 、何,而防止貼 【實施方式】 八-人,一面參照圖面—面詳 離。/ + 砰、,,田次明本發明的實施形 L 在此,以將本發明的條帶貼著F t 圓貼荽七m , 冲者裝置應用於對半導體晶 圓貼者切割用條帶的情況為例加以說明。 第1圖表示本發明之條帶貼著裝置之 條帶目军· a# ® 1 貫'細*开/ I、此 '、▼、者裝置1大致上由以下 ^ ^ ^ 件所構成,裝置本體2 ; 供排虱機構3,係向裝置本體2供仏办 .,/Λ, ^ ώ供、、二軋(潔淨空氣)及氮 氣,或從裝置本體2抽出空氣箄. 裔I μ 、,控制部4 ,係控制空 亂等的供給排出時序。 裝置本體2是用以進行貼著摇 m ^ 了 "者刼作的裝置。裝置本體2 形成圆简形。此裝置本體2包括: 古发― 至〔吞态)6’係在内部具 有虱社、二間5 ;橡膠片1 〇 ,係將氣 密* Η 7 “ 肘心工間5隔間成第!氣 在二間7與第2氣密空間8,並在 在上面载置圓板形的晶圓 201144156 9 ;條帶架 ip ^ ’一,、 係在橡膠片1 〇的上方保持條帶11 ;第1供 J ^ 3备向第1氣密空間7供給氮氣,或從第1氣密 U抽出空氣;第2供排氟管14,係向第2氣密空間8 供°二氣或從第2氣密空間8抽出空氣;及真空度感測 器15 ’係檢剛出氣密空間5的真空度。 室6係由以二分割所形成之上側室(上蓋)6a及下側室 (基座)6b所構成向上方凹下的凹部形成於上側室6a的内 [丨用以確保氣密空間5之氣密性的密封環1 6配置於上側 及下側室6a、6b之間。 v的第1及第2供排氣管13、14舖設於下側室6b 的内部_。在這些管中第2供排氣管14的開口部,如第2A、 圖斤示附s又鑽設多個小孔的網孔蓋14 a。 又,在下側室6b的上面,如笛,m 〜古命& 如第1圖所示’形成具有既 疋间度的複數片間隔片17。 沉一 < 二間隔片17如第3Α、Β圖 所不,配置成以第2供排氣管 <開口部為中心的十字形。 進而,在下側室6b的上面,如笛,m Λ , ΛΑ 如第1圖所示,設置伸縮 自如的橡膠片1〇。橡膠片1〇 兩法换娜姑 列如利用氯丁二稀橡膠或乙 丙烯橡膠等在氣體遮斷性優 U 的彈性體形成較佳。此外, 為了防止橡膠片1〇受損,間 n 和片17亦利用與橡膠片10相 冋的材料形成較佳。 在橡膠片10的周邊部上, (g, , ^ 如第4A圖所示,設置上視 圖上0 %形的套環18。藉由以 ^ βκ 每、,糸將套環18固定於下側 至6b,而固定橡膠片1〇。在 ^ ^ , 18,如第4A ' B圖所示, 肜成複數個槽19。利用這些样 9 y ’套環18之内側空間7a 201144156 與外側空間7b連通。此 架12 , ΐττπ β 槽9亦可形成於後述的條帶 亦可形成於套環18及條帶架12之 在套環18的上面,如第] _ 形的條帶芊12太此 斤不,载置上視圖上圓環 硬化性二:架12的上面,貼著在背面塗布Μ 俜在ί! 性樹脂等之黏著劑的條帶1卜條帶" 形或皺紋。 藉此,防止條帶11的變 此外,條帶11的安裝未限 貼著,亦可作成利用2片㈣表;/條帶架12之上面的 舍伟p , 月朱攸表貪夾入條帶U,只要是不 吏條W產生變形或皺紋者,㈣形態都可。 供排氣機構3由以下之爐杜上 供給源料冓成’供給氮氣的氮氣 …p 一氣的空氣供給源I真空栗23,係抽 二乳或氮氣;第i電磁閥以争 真介 置氮軋供給源21及 與第1供排氣管13之間;第2電磁闕26,係設 笛q φ 一 Ζ及異工泵23與第2供排氣管“之間; 二電磁間27’係設置於第2電磁閥26與空氣供給源μ 二’〜控制閥28,係設置於第2電磁閥 電磁閥27之間。 谋2^Λ電磁閱24係為了將第1供排氣管13與氮氣供給 … 23選擇性連接所包括。第2電磁閱26係為 了將第2供排氣管14與第3電磁閥2?或真空㈣選擇性 連接所包括。又,第3電磁閥27係為了將第2供排氣管 Η㈣控制閥28或空氣供給源22選擇性連接:: 流$控制閥28係為了限制空氣流量所包括。 8 201144156 控制部4係因應於真 時器4a的輪出,控制第! 益15的輸出或内建之定 作,而控制裝置本體2之^第3電磁閥24、26、27的動 /降壓。 及第2氣密空間7、8的加壓 一 ’—面參照第1圖至第i 5圖 該構成之條帶貼著#署〗 5圖,—面說明使用具有 帶π之黏著劑使用^ Γ貼著方法。此夕卜,在此,以條 首先,在第Γ圖樹脂的情況為例加以說明。 開,而對第2氣密心 電磁閥26.向真空栗23側打 叩3了笫2軋社、空間(位於 進行降壓環境氣體化。在該狀二之下方的氣密空間” 導俨日η α # 〇Χ 〜、,打開上側室6a,並將半 導體SB0 9載置於橡膠片 子牛 11的皆而r机w 、 上面中央。接者,將條帶 (黏者面)貼著於條帶 箬斟進地11Z* 系的上面,而且將已貼 者對丰機"的條帶架12載置於套環18上。 在關閉上側室6a後’如第7圖所示 24向真空泵23側打開,而蔣笛】似 磁閥 ’第1供排氣管13與真空泵 連接。因而,從第1氣密办 A密:間(位於條帶10之上方的氣密 工間)7抽空氣,而進杆降厭戸讲 > 挪 衣兄氣體化(第5圖的步驟si)。 此時,如第8圖所示,膝贫τ & 圃所不將第1電磁、閥24間歇地向氮洛 供給源21側打開’而向第1氣密空間7注入氮氣。這是為 了降低第!氣密空仏”的氧氣濃度’以在氧氣濃度 境下進行貼著作業。 即,UV硬化性樹脂係厭氣性強,在氧氣濃度高的# 下黏貼時’硬化作用降低1而’在後面的製程照射絷: 線時,未硬化的UV硬化性樹脂就殘留。在此情況,在從條 201144156 離切割後的日日圓9(晶片)時,曰 如上述所干,6笛0片難韌離。因而, 所不向第1軋进空間7注 低,以防止πν熥仆Ht拟 虱乳’使氧氣濃度降 I方止UV硬化性樹脂的硬化作用降低。 注入氮氣作業可如第圖9所示進行。 一 從第1氣密空fa1 7 & t 5,在已 度達到第i設定真* _ 、莕工間7的真空 布^又疋具二度後,將第1供 ^ 21 ^ ^ ' ¥轧营13與氮氣供給 運接,再向第1氣密空間7注 S13)。麸後,5坌彳 > 入氮軋(步驟S11至 …後,至第1氣密空間 空度持續1λ氣 > 具二度達到第2設定真 工又付項左入亂氣’在達 氮氣的注入次數是否、“, ⑦疋真工度的時間點判別 判別έ士果曰^達到設定次數(步驟叫至⑽。若 力⑴、·Ό果疋達到設定 S16) ^ 1 - ^ 斤抽真空,而抽氮氣(步驟 在使第1氣密空間7之殘留t 狀態,對該空間H 殘留氣•度變成1%以下之 工間7進行降壓環境氣 真空度 '第2設定直" 在此,第1設定 二度及设定次數係可任意地設定。 硬化性招":注入氮氣製程係如上述所示,因為是顧慮到㈣ ㈣产.曰的特性’所以在制UV硬化性樹脂以外之黏著 劑的情況可省略。 接著,如第〗 圖所示,在保持第1氣密空間7之真空 壓的狀態,關閉第2雷路„ 〇c 電磁閥26,而關閉第2供排氣管14, 使第2氣密空間8變成密閉。此時,在第2氣密空間8, 因為發生自_,而-些空氣流入,所以在第i及第2 氣密空間7、8之間產生一些差壓。 …果橡耀片10緩慢地膨膜,將橡膠片10上的晶圓 9緩慢地向上推。利用這種低速之向上推,使㈣9與條 201144156 帶11的黏著面抵接(第5圖的步驟S2),使晶圓g的中心 首先與條帶11接觸。 即,在將晶圓9載置於如橡膠片1〇之不穩定之基座上 的情況,若以高速將晶圓9向上推,晶圓9的姿勢不一致 地傾斜,晶圓9在橡膠片1〇上滑動,而位置易位移。相反 地’藉由緩慢地將晶圓9向上推,可在仍然不動地保持晶 圓9之姿勢或位置下’使晶圓9與條帶u接觸,而可確實 地從晶圓9的中心貼著。 接著,如第U圖所示,將第2電磁閥26向空氣供給 源22側打開,而且將第3電磁閥27向流量控制闊28側打 開’奎限制流量之狀態向第2供排氣管14供給空氣。藉此, 將第2氣密空間8設為降壓環境氣體,而使第丄及第2氣 密空間7、8之間的差墨變大,使橡膠片1()的膨脹速度從 低速變成中速(第5圖的步驟S3)。 此中速貼者與後述的高速貼著相比,橡膠片Μ的膨服 ㈣9之向上㈣力小。在本製程,藉由以低壓 進仃晶圓9對條帶11的壓住,在 ^ 个f蚵日日圓9施加過大的 負何下,逐漸擴大條帶丨丨與晶圓9的貼著區域。 在晶圓9與條帶U抵接的部分,因為條帶u貼著於 晶圓9而將晶圓9補強’所以抑制晶圓9的裂開或碎片。 本製程係在最低限度地抑制對晶圓9的負荷下,擴大如上 述所示之補強的區域’將條及條帶架以與晶圓9 一 抵it上推W如使晶圓9之上面的約5成至7成與條帶11 抵接。 201144156 此外,中速貼著時之橡膠片10的膨脹速度(膨脹壓力) 被設定成能將晶圓9以不會使其損壞之壓住壓力壓在條帶 U的速度(膨脹壓力)。其中,因為不會損壞之壓住壓力係 根據晶圓9之厚度或形狀(翹曲的程度)等而異,所以實際 運轉時的速度係因應於所使用之晶圓9的狀態而適當地決 定0 然後,在貼著區域達到晶圓之上面的約5成至7成, 而發生晶圓9之裂開或碎片的危險性變低的階段,如第】2 圖所示’將第3電磁閥27向空氣供給源22側打開,使第 1及第2氣密空間7、8之間的差壓變成更大。藉此,使橡 膠片ίο的膨脹速度從中速變成高速(第5圖的步驟s4), ,晶圓9對條帶11的壓住壓力增加。利用此高速貼著,將 晶圓9之上面整體貼著於條帶丄i。 又,在高速貼著時,將條帶11及晶圓9壓在上側室 '的頂面,橋正晶圓9的勉曲,而且提高晶圓9與條帶^ 的4接|±。此時’因為條帶】i作用為保護晶圓9之上面的 保護構件’所以晶圓9的表面不會受損。 叙祕錢[中速貼著及高速貼著的㈣係可利用 構I:進行’例如可利用在控制部4所内建的定時器4a 成為因應於時間經過而切換。 26,而I ’如第13圖所示,關閉第1及第2電磁閥24、 氣密空η :第1及第2供排氣管13、14,並將第1及苐2 昼在㈣η 8密閉。依此方式,在既定時間保持將晶圓9 之狀態,使條帶11與晶圓9的黏著穩定(第5 201144156 圖步驟S5)。 接者如第14圖所示,在仍然關閉第2電磁閥26下, ::第1電磁閥24向氮氣供給源21側打開,向第i氣密空 7i、’、、°氮⑧°错此’以低速使橡膠片1G收縮,並使條帶 、晶圓9及條帶架12緩慢地下降(第5圖步驟S6)。 然後’使條帶架彳9@ ,。 與套環1 8抵接後,亦以低速使橡 膠片1 0繼續收縮,而從B圓Q认 從日日囫9的下面將橡膠片1 0緩慢地 :離。藉此,在剝離橡勝g〗η拉 ,片1 〇時,防止大的拉伸負荷施加 於晶圓9。 接著’如第15圖所示’將第2電磁閥26向真空泵23 ^開,從第2氣密空間8抽空氣。藉此,以高速使橡膠 ^收縮,並使平坦化(第5圖步驟S7)。最後,打開上 :至與條帶架12 -起取出已貼著晶圓9之狀態的條 π 11,而作業結束。 册如以上所不’右依據本實施形態,在將晶圓9貼著於 :咿U時’如第6圖所示’因為一面將橡膠片1〇的膨脹 、、度從低速分段地向高速切換—面貼著(第5圖步驟S2至 J)所以可在將對晶圓9的負荷抑制成最低限度之狀態貼 者。因而,即使是低剛性的晶圓9,亦可—面防止晶圓9 之破損或損壞,一面貼著條帶u。 又,若依據本實施形態,進行低速貼著,因為首先使 ,圓9的中心與條帶u接觸,在以後的中速貼著及高速貼 者’可從晶圓9的中心向外周依序逐漸貼著。因而,即使 在晶圓9與條帶11之間存在空氣的情況,亦可一面使空氣 201144156 向外側逃出,一面將晶圓9貼著於條帶1 1,而可防止空氣 混入兩者之間。 進而’若依據本實施形態,如第3A圖所示,將以第2 供排軋笞14的開口部為中心配置成十字形的複數個間隔 片17形成於下側室6b的上面。因而,在將第2氣密空間 8設為降壓環境氣體時,可防止空氣殘留。 即,在未設置間隔片1 7的情況,如第1 6A圖所示,在 經由第2供排氣管14吸入空氣時,橡膠片丨〇被第2供排 氣管14吸入,而封閉第2供排氣管.14的開口部。結果, 無法從第2氣密空間8吸入空氣,而空氣殘留。 這種狀態例如在第5圖之步驟S1的抽真空時發生,而 第2氣密空間8相對第1氣密空間7為正壓,&法使橡膠 片1 〇變成完全平坦化。又,在該狀態移至第5圖之步驟 S2的低速貼著製程時,因為第2氣密空間8相對第)氣密 空間7為正壓,所以正當解除了 f 2氣密空間8之抽空氣 時,橡膠片10以比較快的速度開始膨脹,而以比所要更高 上推。這在轉移至第5圖之步驟83的中 速貼著製程時亦一樣地發生’而無法適當地控制晶圓9對 條帶11的壓住壓力。 相對地在设置了間隔片17的情況,如第1圖所示, 經由第2供排氣管14吸入空氣,亦橡膠片ι〇與間隔片17 抵接*妨礙對第2供排氣管14的吸入,此時,第2氣密 空間8内的空氣如第3八圖之箭號D所示,因為從相鄰之間 隔片17的工隙向第2供排氣管】4流入,所以亦不會發生 14 201144156 間隔片 17妨礙來自第2氣密空 依此方式’藉由設置間隔片17 的抽真空時,可防止空氣殘留於第 之步驟S2、S3的製程,可適當地控制 或晶圓9對條帶11的壓住壓力。 間8之抽空氣的事。 ’在第5圖之步驟S1 2氣密空間8,在以後 晶圓9之向上推速度、 此外’間隔片17的高度無特別限定。可因應於來自第 2氣密空Pa”之抽真空壓力或橡膠片1。的材質適當地決 疋。又,間隔片η的配置形狀未限定為十字形,,例如亦 可作成以第2供排氣管14的開口部為中心之放射狀等其他 的形狀…未特別使其具有規則性,亦可作成將複數個 間隔片Π離散地配置於第2供排氣管14之開口部的周邊。 又,若依據本實施形態,如第2Α、Β圖所示,因為將 網孔蓋Ua附設於第2供排氣管14的開口部,所以可在防 亡往第2供排氣管14之橡膠片i。的吸入下,擴大吸入空 氣時的有效截面積(第2供排氣管14的直徑)^ 雖然以上說明了本發明之實施形態,但是本發明未限 定為該構成’可在中請專利範圍所記載之本發明的範圍内 進行各種變更。 例如’在該實施形態,雖然舉例表示將本發明的條帶 貼著裝置應用於切割用條帶對線圈彈簧的貼著,但是本發 明亦可廣泛應用於在實施形態所舉例表示者以外的情況, 例如將保護用條帶貼著於玻璃板的情況等。 又’在該實施形態,雖然以低速貼著、中速貼著及高 速貼著之三階段的速度切換將晶圓9貼著於條帶u,但是 15 201144156 在具有充分之厚度之晶圓9的情況,或橡膠片1〇的材質是 難滑動的情況’亦可作成省略低速貼[而從中速貼著: 始操作。 汗 進而,在該實施形態,雖然在低速貼著時,利用第2 氣密空間8側的自然浪漏使橡膠片1〇緩慢地膨脹但是未 必要利用自然线漏’亦可藉由向帛2氣密空間8供給比中 速貼著時更少量的空氣,使橡膠片1〇的膨脹速度低速化。 又,在該實施形態,雖然作為向第i及第2氣密空間 7、8供給氣體的供給源’包括氮氣供給源、21及空氣供給 源22’但是向第i及第2氣密空間卜8所供給之氣體只 要是可進行第1及帛2氣密空間7、8之加壓及降壓者即 可,亦可係氮氣、空氣以外的氣體。 進而’在該實施形態、,雖然配合半導體晶圓的一般形 狀’裝置本體2、橡膠片1〇及條帶架12各自形成為圓筒 形、圓形及圓環形,但是裝置本體2等的形狀未限定如此, 例如亦可採用矩形等其他的形狀。 又’在該實施形態’雖然第1及第2氣密空間7、8之 任一個都將供給氣體的供給口及吸入的吸入口共用化,但 是亦可作成這些係個別地設置。 雖然該實施形態的一部分或全部係記載成如以下的附 記所示’但是未限定為以下所示者。 (附記1)一種條帶貼著裝置,係包括··容器,係在内 具有氣也工間,彈性片,係將該氣密空間隔間成位於上 方的第1氣密空間與位於下方的第2氣密空間,並將條帶 16 201144156 &對u載置於Μ丨氣密^間側;條帶保持構件,传 在該第i氣密空間内保持條帶,並使該條帶位於與載置於 該彈性片的條帶貼著對象物隔著既定距離的位置;及氣壓 切換手段,係切換該第丨及第2氣密 礼在二間的加壓及降壓; 該條帶貼著裝置係在將該第1及 及第2氣密空間設為真空狀 態後’將該第2氣密空間進扞知厭 门進仃加壓’使該彈性片膨脹,並 將該條帶貼著對象物向上推, — 而貼者於該條帶時,控制該 第2氧岔空間的加壓量,一 使該彈性片的膨脹速度從低 速在尚速分段地變化,一面 成鞭 面將該條帶貼著對象物貼著於該 條f 〇 ^ (附t己2)如附記!之條帶貼著裝置,其中至該條帶貼 著對象物與該條帶的抵接面 既疋1為止’利用能以 不會發生知壞的壓住壓力蔣兮 土刀將該條帶貼著對象物壓在該條 的第1速度使該彈性片膨脹,紗 …、、後,將該彈性片的膨脹速 度切換成比該第1速度更快 疋 & ^ 从 的第2速度,使該條帶貼著對 象物之貼著面的整體與該條帶抵接。 (附記3)如附記2之條饿从 <條▼貼著裝置,其中在以該第 速度使彈性片膨脹之前,以 1 社—· 比該第1速度更慢的第3速度, 使該彈性片膨脹’而使該條帶 帶抵接。 料貼鞋象物的h部與該條 (附記4)如附記3之條帶貼著裝置, 及第2氣密空間設為真空 于該第1 广— %、後,藉由在仍然保持該第1 氣岔空間之真空狀態下封閉 1 ]該苐2氣密空間,而以該第 速度使該彈性片膨脹。 β第3 17 201144156 (附記^附記2、3或4之條帶貼著|置, 該第2速度使彈性片膨騰時,在該條帶物 帶抵接之狀態’將該條帶貼著對象物與該條帶向上推: 推到該氣密空間的頂面。 而
(附記6)如附記1至R 中包括間隔片,該間隔二 條帶貼著裝置,其 ”1的底面之門 故置於該彈性片的下面與該氣密 二間的底面之間,並配置於從該第2氣: 吸氣口的周邊。 叹八虱體之 (附記7)如附記6之條帶貼著裝置其中 該間隔片,該複數個間隔片配 又 個 字形或放射形。 及軋口為中心的十 φ :附記/)如附記1至7之任-項之條帶貼著裝置,政 中將網孔盍附設於從該第 "- ,ΙΜ7 1 項之條帶貼著裝詈,甘 將該第1及第2氣密办叫,* 空間間歇地供給氮氣。工…I狀態時’向該第1氣密 *將該二Γ第著方法,係使用條帶貼著裳置, 密空間進行= 真空狀態後,將該… 物向上推,貼著… 並將該條帶貼著對象 推貼者於該條帶,.該條帶 了泵 係在内部具有氣密空間,·彈性 ;括··容器, 位於上方的第!氣密空間與位於下間隔間成 將條帶點著對象物裁置於該第 :密空間,並 乳在二間側;條帶保持構 18 201144156 件,係在該第i氣密空間内保持條帶,並使該條帶位於與 載置;該彈丨生片的條帶貼著對象物隔著既定距離的位置; 及虱[切換手段’係切換該第i及第2氣密空間的加壓及 降壓,該條帶貼著方法係在將該條帶貼著對象物向上推 時控制該第2氣密空間的加壓量,—面使該彈性片的膨 脹速度從低速往高速分段地變化’一面將該條帶貼著對象 物貼著於該條帶。 J附記⑴如附記】。之條帶貼著方法,其中至該條帶 貼著對象物與該條帶的抵接面積達到既定量為止,利用能 以不會發生損壞的壓住壓力將該條帶貼著對象物壓在該: 帶的第1速度使該彈性片膨脹,然後,將該彈性片的膨脹 速度切換成比該第1速度更快的第2速度,使該條帶貼著 對象物之貼著面的整體與該條帶抵接。 (附記12)如附記u之條帶貼著方法,其中在以該第i 速度使彈性片膨脹之前,以比該第1速度更慢的第3速度’ 使該彈性片膨脹’而使該條帶貼著對象物的中心部與該條 帶抵接。 (附記13)如附記12之條帶貼著方法,其中在將該第i 及第2氣密空間設為真空狀態後,藉由在仍然保持該第丄 氣密空間之真空狀態下封閉該第2氣密空間,而以該第3 速度使該彈性片膨脹。 (附記⑷如附記"、12或13之條帶貼著方法,其中 在以該第2速度使彈性片膨脹時,在該條帶貼著對象物盘 該條帶抵接之狀態’將該條帶貼著對象物與該條帶向上 19 201144156 推,而推到該氣密空間的頂面。 (附記1 5 )如附記]η ;p,< 至14之任一項之條帶貼著方法, 其中將 UV硬化性格f· Ht·也」 ’ 9 I的黏著劑塗布於該條帶的黏著 面’·在將該第1及第2齑金 風*达二間設為真空狀態時,向該第 1氣密空間間歇地供給氮氣。 以在2010年3月16日所申請之日 58629為基礎的優先權,在此取入 本專利申請係主張 本專利申請特願2010 — 該揭不的全部。 【工業上的可應用性】 本發明係可應用於在對半導體晶圆貼著切割用條帶等 所使用之條帶貼著裝置及條帶貼著方法。 【圖式簡單說明】 第1圖係表不本發明夕你.日卜贫 乃之條▼貼者裝置之一實施形態的 剖面圖。 第2A圖係將第1圖之第 的上視圖。 2供排氣管之開口部放大表示 第2B圖係第2A圖之nB— flB剖面圖。 第3A圖係將第1圖之間隔片放大表示的上視圖。 第3B圖係第3A圖之m B_羾B剖面圖。 第4A圖㈣帛1圖之橡膠片及套環放大表示的上視 第4B圖係第4A圖 之IVB— IVB剖面圖 20 201144156 第5圖係表示使用條帶貼著裝置之條帶貼著方法之步 驟的主流程圖。 ’ 第6圖係表示第i及第2氣密空間之壓力轉移之狀態 的圖。 . 第7圖係貼著條帶時的製程圖,是表示抽真空製程的 圖。 第8圖係貼著條帶時的製程圖’是表示注入氮氣製程 的圖。 第9圖係表示抽真空製程時之注入氣氣步驟的副流程 圖。 第10圖係貼著條帶時的製程圖’是表示低速貼著製程 的圖。 第11圖係貼著條帶時的製程圖,是表示中速貼著製程 的圖。 的圖 第12圖係貼著條帶時的製程圖,是表 示高速貼著製程 圖 第13圖係貼著條帶時的製程圖’是表示穩定化製程的 的圖 第14圖係貼著條帶時的製程圖 ’是表示橡膠收縮製程 第15圖係貼著條帶時的製程圖 程的圖。 第1 6A圖係用以說明第4A圖及第佔 ’是表示橡膠平坦化製 用效果的圖’係表示未設置間隔片 圖之間隔片之作 之形態的 圖 21 201144156 第1 6B圖係用以說明第4A圖及第4B圖之間隔片之作 用效果的圖,係表示設置間隔片之形態的圖。 第1 7圖係表示相關之條帶貼著方法之一例的圖。 第1 8圖係表示相關之條帶貼著方法之其他的例子的 【主要元件符號說明】 1 條帶貼著裝置 2 裝置本體 3 供排氣機構 4 控制部 4a 定時器 5 氣密空間 6 室 6a 上側室 6b 下側室 7 第1氣密空間 7a 套環之内側空間 7b 套環之外側空間 8 第2氣密空間 9 半導體晶0 10 橡膠片 11 切割用條帶 12 條帶架 22 201144156 13 第1供排氣管 14 第2供排氣管 14a網孔蓋 15 真空度感測器 16 密封環 17 間隔片 18 套環 19 槽 21 氮氣供給源 22 空氣供給源 23 真空泵 24 第1電磁閥 26 第2電磁閥 27 第3電磁閥 28 流量控制閥 23
Claims (1)
- 201144156 七、申請專利範圍: 種條帶貼著裝置’其特徵在於包括: 容器,係在内部具有氣密空間; *彈ϋ片知' 將該氣密空間隔間成位於上方的第1氣密 /、;下方的第2氣密空間,並將條帶貼著對象物载 置於該第1氣密空間側; 條帶保持構件, 使該條帶位於與載置 定距離的位置;及 係在該第1氣密空間内保持條帶,並 於該彈性片的條帶貼著對象物隔著既 氣屋切換手段 及降壓; 係切換該第1及第2氣密空間的加壓 在將該第1及第2氣密空間設為真空狀態後,將該第 2氣密空間進行加壓,使該彈性片膨脹,並將該條帶貼著 對象物向上推’而貼著於該條帶時,控制該第〗氣密空間 的加壓量面使該彈性片的膨脹速度從低速往高速分段 地變化,一面將該條帶貼著對象物貼著於該條帶。 2. 如申請專利範圍帛j項之條帶貼著裝置,其中至該 條帶貼著對象物與該條帶的抵接面積達到既定量為止,: 用能以不會發生損壞的壓住壓力將該條帶貼㈣象物壓在 該條帶的帛1速度使該彈性片膨脹,然後,將該彈性片的 膨脹速度切換成比該第!速度更快的帛2速度,使該條帶 貼著對象物之貼著面的整體與該條帶抵接。 3. 如申請專利範圍第2項之條帶貼著裝置,其中在以 該第1速度使彈性片膨脹之前,A比該第i速度更慢的第 24 201144156 3速度,使該彈性片膨脹, 叩便該條帶貼著對象物的 部與該條帶抵接。 了豕物的中〜 4. 如申請專利範圍第3 條帀貼著裝置,苴中, 該第1及第2氣密空間設為真办 + ^在將 二狀心後,藉由在仍然保拉 該第1氣密空間之真空狀 丹工狀態下封閉該第2 該第3速度使該彈性片膨脹。 、 5. 如申請專利範圍第2 — 項之條π貼著裝置,其中在 該第2速度使彈性片膨脹時, 、 ^ . 在該條f貼著對象物與該條 _土’將該條帶貼著對象物與該條帶向上推,而 推到該氣密空間的頂面。 _6.如申請專利範圍第1項之條帶貼著裝置,其中包括 間隔片’該間隔片設置於哕强 r^ ^ 、 罝於該弹性片的下面與該氣密空間的 底面之間,並配置於從該第 友 沾田i X第2軋密空間吸入氣體之吸氣口 的周遷。 7.如申明專利觀圍帛6項之條帶貼著裝置,其中設置 複數個該間隔片,該複數個間隔片配置成以該吸氣口為中 心的十字形或放射形。 8·如申請專利範圍第1 嫌 + 、之條▼貼者裝置,其中將網 孔蓋附設於從該第2氣荦办 礼在工間吸入氣體之吸氣口。 9.如申明專利乾圍第i項之條帶貼著裝置其中將㈣ 硬化性樹脂製的黏著劑塗布於該條帶的黏著面; 在將該第1及第+ ,^ 軋在二間设為真空狀態時,向該第 1氣密空間間歇地供給氮氣。 25 1 〇. 一種條帶貼著方法,苴 2 电其特徵在於:使用條帶貼著裝 201144156 置,在將該第1及第2氣密空間設為真空狀 2氣密”進行加壓,使該彈性片膨脹, ,第 對象物向上推,而貼芸#兮放 -條贡貼著 的… 者於該條帶時’控制該第2氣密空間 地變°化二一面使該彈性片的膨膜速度從低速往高速分段 面將該條帶貼著對象物貼著於該條帶; 該條帶貼著裝置係包括·· 容器,係在内部具有氣密空間; 空間下氣密空間隔間成位於上方的第1氣密 置於該第! 一* 2乳密空間’並將條帶貼著對象物載 々、弟1軋密空間側; 使二::: =件’係在該第1氣密空間内保持條帶,並 定距離的位置:τ於該彈性“條帶貼著對象物隔著既 及降ί壓切換手段,係切換該第1及第2氣密空間的加壓 26
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010058629A JP5126260B2 (ja) | 2010-03-16 | 2010-03-16 | テープ貼付装置及びテープ貼付方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201144156A true TW201144156A (en) | 2011-12-16 |
TWI532646B TWI532646B (zh) | 2016-05-11 |
Family
ID=44648734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100105357A TWI532646B (zh) | 2010-03-16 | 2011-02-18 | The tape is attached to the device and the tape is attached to the method |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20120312468A1 (zh) |
JP (1) | JP5126260B2 (zh) |
KR (1) | KR101388120B1 (zh) |
CN (2) | CN102804358B (zh) |
TW (1) | TWI532646B (zh) |
WO (1) | WO2011114618A1 (zh) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5893887B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2016-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR101632043B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2016-06-20 | 샤프 가부시키가이샤 | 로드록 장치 및 이를 구비한 진공처리장치 |
JP5687647B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2015-03-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置 |
CN104037113B (zh) * | 2013-03-04 | 2018-05-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理腔室的供气装置以及去夹持方法 |
JP6053150B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2016-12-27 | リンテック株式会社 | 光照射装置および照射方法 |
CN104692028B (zh) * | 2015-02-02 | 2017-04-05 | 电子科技大学 | 一种可选择真空吸附或电磁吸附的传送带吸附装置 |
JP5797863B1 (ja) * | 2015-05-29 | 2015-10-21 | オリジン電気株式会社 | 接合部材製造装置及び接合部材の製造方法 |
JP6573231B2 (ja) * | 2016-03-03 | 2019-09-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP7000129B2 (ja) * | 2017-11-15 | 2022-01-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置 |
KR102516339B1 (ko) | 2018-04-06 | 2023-03-31 | 삼성전자주식회사 | 광 조사기용 덮개 구조물과 이를 구비하는 광 조사장치 및 이를 이용한 다이 접착 방법 |
CN112020768A (zh) * | 2018-04-24 | 2020-12-01 | 迪思科高科技(欧洲)有限公司 | 用于将保护胶带贴附在半导体晶片上的装置和方法 |
CN110687753B (zh) * | 2018-07-06 | 2020-12-04 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种气动装置和光刻装置 |
JP2021129038A (ja) * | 2020-02-14 | 2021-09-02 | 株式会社ディスコ | テープ貼着装置 |
JP2022062986A (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-21 | 富士電機株式会社 | 半導体検査装置および半導体ウエハの検査方法 |
CN113363219B (zh) * | 2021-05-11 | 2024-02-06 | 苏州通富超威半导体有限公司 | 一种bga产品、热压设备及热压工艺 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5307568A (en) * | 1991-09-09 | 1994-05-03 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system |
JPH0686342U (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-13 | 川崎製鉄株式会社 | 真空ピンセット |
JPH10233430A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ貼付け装置 |
JP4022306B2 (ja) * | 1998-03-03 | 2007-12-19 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの接着方法及び接着装置 |
JP2001284218A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Canon Inc | 保管庫、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
JP4143488B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2008-09-03 | Necエンジニアリング株式会社 | テープ貼付装置 |
CN101335196B (zh) * | 2004-05-25 | 2011-04-13 | 有限会社都波岐精工 | 胶带粘结装置 |
JP4666519B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2011-04-06 | リンテック株式会社 | シート貼付装置 |
-
2010
- 2010-03-16 JP JP2010058629A patent/JP5126260B2/ja active Active
-
2011
- 2011-02-09 KR KR1020127021722A patent/KR101388120B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-09 US US13/578,117 patent/US20120312468A1/en not_active Abandoned
- 2011-02-09 CN CN201180014099.5A patent/CN102804358B/zh active Active
- 2011-02-09 CN CN201510279238.7A patent/CN105047586B/zh active Active
- 2011-02-09 WO PCT/JP2011/000713 patent/WO2011114618A1/ja active Application Filing
- 2011-02-18 TW TW100105357A patent/TWI532646B/zh active
-
2015
- 2015-11-27 US US14/953,226 patent/US9390948B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011114618A1 (ja) | 2011-09-22 |
KR101388120B1 (ko) | 2014-04-23 |
KR20120125502A (ko) | 2012-11-15 |
CN105047586A (zh) | 2015-11-11 |
JP2011192859A (ja) | 2011-09-29 |
US20120312468A1 (en) | 2012-12-13 |
US20160079098A1 (en) | 2016-03-17 |
US9390948B2 (en) | 2016-07-12 |
TWI532646B (zh) | 2016-05-11 |
CN102804358A (zh) | 2012-11-28 |
CN105047586B (zh) | 2018-02-27 |
CN102804358B (zh) | 2015-05-27 |
JP5126260B2 (ja) | 2013-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201144156A (en) | Tape adhering apparatus and tape adhering method | |
KR101522948B1 (ko) | 테이프 첩부 장치 | |
US10141210B2 (en) | Purge module and load port having the same | |
JP2007065521A (ja) | 基板貼合装置 | |
US20140169929A1 (en) | Transport arm, transport apparatus and transport method | |
JP6463303B2 (ja) | 弾性膜、基板保持装置、基板研磨装置、基板保持装置における基板吸着判定方法および圧力制御方法 | |
TWI541133B (zh) | Sheet Adhesive Device and Paste Method | |
JP2008028208A (ja) | 基板貼合装置 | |
JP2013232582A (ja) | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 | |
WO2008067098A3 (en) | Applications of polycrystalline wafers | |
US20140053974A1 (en) | Lamination method and lamination system | |
JP5957330B2 (ja) | ウェーハ貼着装置 | |
JP2004055833A (ja) | 薄板状部材の吸着装置 | |
JP2009071145A (ja) | 半導体ウエハ等の板状部材のダイシングテープ貼付け方法及び装置 | |
JP5451838B2 (ja) | テープ貼付装置及びテープ貼付方法 | |
JP2011166047A (ja) | ガス導入装置およびガス導入の方法 | |
KR20200031175A (ko) | 초고진공 이송 및 저장 | |
KR20130078797A (ko) | 기판 처리장치 및 기판 처리방법 | |
JPWO2009044469A1 (ja) | テープ接着方法および電子部品製造方法 | |
KR101557141B1 (ko) | 개선된 기판 흡착용 에어 배관 장치, 및 이를 구비한 기판 흡착 스테이지, 흡착 방법, 및 코팅 장치 | |
JPH09225768A (ja) | 基板保持装置 | |
KR20190006321A (ko) | 신축성 기판 구조체 제조장치 및 신축성 기판 구조체 제조방법 | |
JP2013016621A (ja) | 貼着方法 | |
JP2011142277A (ja) | 半導体ダイの製造方法 |