TW201132563A - Substrate-storing container - Google Patents

Description

201132563 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於將半導體晶圓或遮罩玻 基板予以收納、保管、搬送、輸送等時候使 容器。 【先前技術】 從前之基板收納容器，雖未圖示，係具 數枚半導體晶圓的前開盒之容器本體，及於 開口的正面中介著密封用之密合墊而自由裝 蓋體；被搭載於附屬在半導體加工裝置的蓋 〇 半導體晶圓，被形成特定的電路圖案 dicing)切出複數個半導體晶片。此外，容 ，分別藉由含有合成樹脂的特定的成形材料 於容器本體之內部兩側，於上下方向被配設 撐半導體晶圓的左右一對支撐片。 這樣的基板收納容器，在蓋體藉由蓋體 出後，半導體晶圓藉由專用的機械臂由容器 者是在收納了半導體晶圓的容器本體之開口 態地嵌合蓋體後，使容器本體內的空氣被置 體等。 然而最近幾年，隨著半導體零件的微細 間距化的發展，依循著此動向，在基板收納 璃等所構成的 用的基板收納 備整列收納複 此容器本體之 拆地被嵌合的 體開閉裝置等 ，藉由切片（ 器本體與蓋體 來射出成形。 複數水平地支 開閉裝置被取 本體取出，或 的正面密閉狀 換爲非活性氣 化或配線的窄 容器’也從防 201132563 止半導體晶圓的污染的觀點開始要求高密閉性與處埋的自 動化。此外，爲了要儘可能地抑制由容器本體或蓋體產生 釋出氣體或溶出離子而對半導體晶圓造成不良影響，而選 擇適切的成形材料或使容器本體與蓋體被氣體沖洗（gas purge)洗淨。 有鑑於前述情形，作爲容器本體之適切的成形材料， 使用減少添加物的高純度聚碳酸酯，作爲被安裝於容器本 體的構成零件的成形材料，使用聚對苯二甲酸丁二酯或聚 醚醚酮（參照專利文獻1 ' 2 )。 〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕 〔專利文獻1〕日本專利特開平1 0-2 1 1 6 8 6號公報 〔專利文獻2〕日本專利特開2004- 146676號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 從前之基板收納容器，係以前述方式構成，容器本體 藉由高純度的聚碳酸酯來成形，但是在半導體晶片的最小 加工線寬幅在45nm以下的場合，於半導體晶圓之銅配線步 驟或鋁蒸鍍步驟，會產生起因於聚碳酸酯的吸濕性之銅配 線的腐蝕’或者由於有機物的加水分解而於半導體晶圓形 成鹽基性有機物，而有使製品生產率降低之虞。 作爲解消相關問題的手段，可舉出把基板收納容器的 空氣置換爲非活性氣體或乾燥氣體的方法，在此方法的場 -6- 201132563 合’聚碳酸酯的吸水率比ο . 2 5 %還要大，所以根據氣體置 換而維持低濕度狀態的時間其實很短只有數十分鐘程度， 無法期待效果的持續。有鑑於這一點，檢討在基板收納容 器的保管區’常態性對基板收納容器供給非活性氣體或乾 燥氣體的方法，但此方法的場合，大量使用昂貴的非活性 氣體或乾燥氣體，所以有招致成本升高的問題。 進而’於基板收納容器之容器本體，亦有收納進行熱 處理而後冷卻的半導體晶片的場合，此時，會發生與半導 體晶圓接觸的容器本體之支撐片等的接觸部變形，或者是 含在基板收納容器的廢熱使容器本體的耐熱性較低的區域 變形，而有降低容器本體的正面的密封性之虞。結果，即 使把基板收納容器的空氣置換爲非活性氣體或乾燥氣體， 也可預見會發生無法期待效果的情形。 本發明係有鑑於前述問題而爲之發明，目的在於提供 可以減低吸濕性或水分透過性，抑制基板的有機污染之廉 價的基板收納容器。此外，本發明之其他目的爲提供可以 跨長期間維持氣體置換的效果的基板收納容器。 〔供解決課題之手段〕 於本發明爲了解決前述課題，特徵爲具備收納基板之 容器本體，及於此容器本體之開口中介著密合墊而自由裝 拆地被嵌合的蓋體；以含有吸水率在〇. 1 %以下，在8 0°c 加熱2 4小時下藉由動態頂部空間（d y n a m i c h e a d s p a c e )法 測定的總釋氣量在1 5ppm以下的合成樹脂之成形材料分別 201132563 成形這些容器本體與蓋體之基板收納容器，成形材料之合 成樹脂，係由環烯烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮、聚 對苯二甲酸丁二酯或是聚對苯二甲酸乙二酯所選擇之至少 一種，或者是這些之合金樹脂（alloyresin)。 又，置換在開口部被嵌合蓋體的容器本體內之氣體而 使其相對濕度爲5 %以下的場合，可以使此相對濕度爲5 % 以下的狀態保持2小時以上。 此外，可以使成形材料的合成樹脂的荷重撓曲溫度爲 120°C以上。 此外，可以於容器本體內具備基板支撐用的支撐體， 以含有荷重撓曲溫度爲1 20 °c以上、吸水率0.1 %以下的合 成樹脂的成形材料來成形此支撐體，同時此成形材料之合 成樹脂，係由環烯烴高分子、液晶高分子，、聚醚醚酮、聚 對苯二甲酸丁二酯或是聚對苯二甲酸乙二酯所選擇之至少 一種，或者是這些之合金樹脂。 此外，可以於容器本體的底部安裝底板，以含有荷重 撓曲溫度爲12〇r以上、吸水率0.1 %以下的合成樹脂之成 形材料成形此底板，同時此成形材料之合成樹脂，係由環 嫌烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸丁二 酯、聚對苯二甲酸乙二酯或者聚苯硫醚所選擇之至少一種 ’或者是這些之合金樹脂。 此外’可以於容器本體安裝氣體置換用之開閉閥，以 含有荷重撓曲溫度爲120。(：以上、吸水率0.1%以下的合成 樹脂之成形材料成形此開閉閥之一部分，同時此成形材料 -8 - 201132563 之合成樹脂，係由環嫌烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮 、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯或者聚苯硫 醚所選擇之至少一種，或者是這些之合金樹脂。 進而，亦可於蓋體安裝基板支撐用之保持器，以含有 荷重撓曲溫度爲120°C以上、吸水率0.1%以下的合成樹脂 之成形材料成形此保持器，同時此成形材料之合成樹脂， 係由環烯烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮、聚對苯二甲 酸丁二酯或聚對苯二甲酸乙二酯所選擇之至少一種，或者 是這些之合金樹脂。 此處，於申請專利範圍之基板，至少包含各種大小（ 例如Φ 200、3 00、45 0mm等）之半導體晶圓、液晶基板、 遮罩玻璃等。此基板，可爲單數也可爲複數。此外，容器 本體可以爲前開盒式，頂開盒式、底開盒式之任一種。 動態頂部空間（dynamic headspace)法（亦稱爲沖洗 及捕捉（purge and trap )法），一般而言爲頂部空間法之 —種’係在空氣或氮氣等氣體氣流下以氣相管柱層析（GC )評估由試料散發的化學物質之試驗法。進而，於成形材 料’除了合成樹脂以外，可適當添加提高剛性、導電性、 難燃性等的各種塡充材（fi 11 er )。 相關於本發明的基板收納容器，由防止在基板上附著 微粒或有機物的觀點來看，在合成樹脂材料錠藉由動態頂 部空間法來測定在8 〇。(：下加熱6 0分鐘的場合所發生的總釋 氣量的場合，總釋氣量最好是在】5 p p m以下，較佳者爲 1 Oppm以下。進而，針對相關於本發明的基板收納容器之 201132563 密封性，將基板收納容器設置於密封真空室內將此分別減 壓至-30kPa、-0.3kPa而靜置時，可以保持2個小時以上的 減壓狀態之性能爲佳。 根據本發明的話，因爲以含有吸水率在〇. 1 %以下， 在8(TC加熱24小時下藉由動態頂部空間法測定的總釋氣量 在15ppm以下的環烯烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮、 聚對苯二甲酸丁二酯或是聚對苯二甲酸乙二酯所選擇之至 少一種，或者是這些之合金樹脂來做爲基板收納容器的成 形材料之合成樹脂，所以可以降低基板收納容器內的濕度 。因此，可以抑制被收納於容器本體的基板的污染，防止 基板的電路圖案等的腐蝕。 〔發明之效果〕 根據本發明的話，具有可以廉價的提供可減低吸濕性 或水分透過性，抑制基板的有機污染之基板收納容器的效 果。 此外’使成形材料的合成樹脂之荷重撓曲溫度爲120 °C以上的話’可以抑制容器本體的密封性的降低，所以可 跨長期間維持基板收納容器的氣體置換的效果。 此外’於容器本體內具備基板支撐用的支撐體，以含 有荷重撓曲溫度爲120 °C以上、吸水率0.1%以下的合成樹 脂的成形材料來成形此支撐體，同時此成形材料之合成樹 脂’係由環烯烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮、聚對苯 二甲酸丁二酯或是聚對苯二甲酸乙二酯所選擇之至少—種 -10- 201132563 ’或者是這些之合金樹脂的話，可以於支撐體安全地支撐 基板’所以可以防止基板的位置偏移，或者防止對基板造 成不良影像的塵埃之發生。此外，可以使基板收納容器內 的相對濕度維持在5 %以下之較低的狀態達1小時以上。 此外’以含有荷重撓曲溫度爲1 2 0 t以上、吸水率〇 . 1 %以下的合成樹脂之成形材料成形氣體置換用的開閉閥之 一部分’同時此成形材料之合成樹脂，係由環烯烴高分子 、液晶高分子、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯 二甲酸乙二酯或者聚苯硫醚所選擇之至少一種，或者是這 些之合金樹脂的話’可以使基板收納容器內的相對濕度維 持在5 %以下之較低的狀態達1小時以上》 進而’以含有荷重撓曲溫度爲120 t以上、吸水率0.1 %以下的合成樹脂之成形材料成形基板支撐用之保持器， 同時此成形材料之合成樹脂，係由環烯烴高分子、液晶高 分子、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸丁二酯或聚對苯二甲酸乙 二酯所選擇之至少一種’或者是這些之合金樹脂的話，可 以使基板收納容器內的相對濕度保持在5 %以下之較低的 狀態達1小時以上。 【實施方式】 以下’參照圖面說明本發明較佳之實施型態，本實施 型態如圖1至圖5所示’具備可以整列收納複數枚半導體晶 圓W的容器本體1，及於此容器本體1之開口的正面6中介 著密封用之密合墊而被嵌合的蓋體2〇 ;以含有吸水率在 -11 - 201132563 〇 · 1 %以下總釋氣量在1 5 p p m以下的合成樹脂之成形材料分 別射出成形這些容器本體1與蓋體20，把開口的正面6被嵌 合蓋體20的容器本體1內置換爲氮氣氣體等非活性氣體而 使其相對濕度爲5 %以下時，使相對濕度在5 %以下的狀態 可以保持2小時以上。 半導體晶圓W，例如係由被切薄片的φ 3 00mm的圓形 矽晶圓所構成’於表面被形成特定的電路圖案，藉由切片 步驟之切片（dicing )切出複數之半導體晶片。此半導體 晶圓W ’爲了要有助於半導體封裝的薄型化，背面被背面 硏磨。 容器本體1，如圖1至圖3所示，被成形爲具備比半導 體晶圓W更大的底板2、於半導體晶圓w的收納空間由上方 對向於此底板2的頂板3、及上下連結這些底板2與頂板3之 後部間的背面壁4、及上下連結底板2與頂板3之左右兩側 部間的左右一對側壁5的前開盒式，以使開口的橫長之正 面6朝向水平橫方向的狀態定位而被搭載於附屬於半導體 加工裝置的蓋体開閉裝置上。 於容器本體1的內部兩側，換句話說，於兩側壁5的內 面，分別被對設水平支撐半導體晶圓W的支撐體之左右一 對支撐片7,此一對支撐片7於上下方向依特定的間距被複 數排列著，各支撐片7延伸於容器本體1的前後方向接觸於 半導體晶圓W的背面之周緣部側方。 於容器本體1的底板2的前後部，分別被安裝著對蓋體 開閉裝置的定位銷之定位用的定位設備8，於底板2的四角 -12- 201132563 落部附近分別被穿孔著圓形貫通孔。於各貫通孔，把基板 收納容器內部的空氣置換爲非活性氣體等之開閉閥9中介 著〇型環而自由裝拆地被嵌著。 開閉閥9，具備被嵌著於容器本體1的底板2的貫通孔 之圓筒形的閥本體，於此閥本體的內部，開閉流路的閥體 中介著線圈彈簧等彈性構件可上下動地被插入支撐著，於 閥本體之開口的上面或下面，被覆蓋著過濾氣體的過濾器 。這樣的開閉閥9，作爲給氣用過濾器而被嵌著於底板2後 部的貫通孔，同時於底板2前部的貫通孔被嵌著作爲排氣 用過爐器，被連接於氣體置換裝置等而把容器本體1內的 空氣置換爲氮氣氣體，發揮防止半導體晶圓W的表面氧化 等之類的功能。 於容器本體1的底板2，分別覆蓋底板2而使複數之定 位設備8與開閉閥9露出的底板1 〇透過締結螺絲選擇性地被 鎖住。此底板1 〇，被形成爲比底板2更小一點的類似形， 周緣部立起而被補強，於左右兩側部分別選擇性地被形成 搬送用之輸送軌。 於容器本體1的頂板3中央部附近，被自由裝拆地安裝 著供握持而自動搬送之用的機械臂凸緣11。容器本體1的 正面6，於周緣往外方向被膨出形成伸出輪網凸緣（rim flange ) 1 2，於此輪網凸緣12內自由裝拆的蓋體20藉由蓋 体開閉裝置被嵌合。此外，於容器本體1的背面壁4中央部 選擇性地被形成透明的窺視窗，藉此窺視窗，可由外部視 覺地觀察/把握容器本體1的內部。 -13- 201132563 蓋體20，如圖1、圖4、圖5所示，被構成爲具備於容 器本體1的開口之正面6自由裝拆地嵌合的正面看起來爲橫 長的筐體21，及覆蓋此筐體21的開口的正面6之表面板22 ，及中介於此筐體21與表面板22之間的上鎖機構23。 筐體21，基本上被形成爲具備框形四壁的淺底的約略 皿狀剖面，中央部由內面側往表面側被突出形成正面約略 爲箱形狀，於此中央部與四壁之左右兩側部之間分別被區 劃形成複數螺絲孔與上鎖機構23用的設置空間。於此筐體 2 1的四壁上下兩側部，分別被穿孔出上鎖機構2 3用的貫通 孔24 ’各貫通孔24對向於被穿孔於輪網凸緣12的內周面之 卡止孔。 於筐體21的內面，自由裝拆地被安裝著彈性保持半導 體晶圓W的前保持器25。此前保持器25，例如於筐體21的 內面兩側部分別具備自由裝拆地被安裝的縱長的框體，於 各框體的縱棧部，有由筐體2 1內面中央部方向傾斜同時延 伸的複數彈性片2 6上下排列而一體成形，於各彈性片2 6的 先端部’被一體成形出藉由V形溝保持半導體晶圓W的周 緣部前方之小的保持塊27。 筐體2 1的內面周緣部被形成框形的嵌合溝，於此嵌合 溝’被緊密地嵌著可彈性變形的唇式密合墊，此密合墊被 壓接於容器本體1之輪網凸緣12內。此密合墊，具備密接 於容器本體1的輪網凸緣1 2內之框形的基材，及由此基材 伸出而壓接於輪網凸緣I2的無縫密封片，及被凸出形成於 基材而壓接於嵌合溝內的基材用的定位嵌合突起，藉由特 -14- 201132563 定的成形材料來成形。 密合墊之密封片，係由基材斜向伸出在輪網凸 內周面適度地撓曲同時屈曲壓接，具有防止氣體由 納容器的外部侵入內部防止半導體晶圓W的污染， 跨長期間維持在以非活性氣體置換基板收納容器的 場合之氧氣濃度或相對濕度的功能。作爲密合墊的 料’例如可以舉出藉由；ί I S K 7 2 0 2測定的彈簧硬度 硬度）在80Hs以下之聚酯系、聚烯烴系、聚苯乙烯 塑性彈性體、氟化橡膠、IR橡膠等。 表面板2 2，以對應於筐體2 1的開口的表面的方 成爲橫長之平板，於左右兩側部，被分別穿孔著上 23用的操作口 28與複數之安裝孔，貫通此複數安裝 結螺絲藉由插鎖於筐體2 1的螺絲孔，而被定位固定 2 1的表面。 上鎖機構23，被構成爲具備於貫通表面板22的 2 8之蓋體開閉裝置的操作栓被旋轉操作的左右一對 ，及伴隨著各旋轉板的旋轉而於上下方向滑動的複 板，及伴隨著各滑動板的滑動而由筐體2 1的貫通孔 卡止於輪網凸緣12的卡止孔的複數卡止爪29 ;位於 器2 5的前方確保蓋體2 0的剛性。 接著，成形基板收納容器的容器本體1與蓋體 形材料之合成樹脂，選擇吸水率在0. 1 %以下，荷 溫度在120t以上，且在80 °C加熱24小時下藉由動 空間法測定的總釋氣量在1 5ppm以下的形式。具體 緣1 2的 基板收 同時可 內部的 成形材 (JIS A 系等熱 式被形 鎖機構 孔的締 於筐體 操作口 旋轉板 數滑動 24突出 前保持 20的成 重撓曲 態頂部 而言， -15- 201132563 係選擇由環烯烴高分子（COP )、液晶高分子（LCP )、 聚醚醚酮（PEEK)、聚對苯二甲酸丁二酯（PBT)或是聚 對苯二甲酸乙二酯（PET )所選擇之至少一種或者是這些 之合金樹脂。 合成樹脂的吸水率在0.1 %以下，是因爲在吸水率爲 0.1 %以下的場合，可以使基板收納容器的相對濕度處於5 %以下之較低的狀態可維持1個小時以上的緣故，相反的 ，在吸水率超過〇. 1 %的場合，即使把基板收納容器內的 相對濕度降低至5 %以下，也因爲由基板收納容器的表面 放出水分，所以無法跨長期間使相對濕度抑制在5 %以下 〇 由相關的吸水率的觀點來看，容器本體1與蓋體20的 合成樹脂，以吸水率可以達0.02%以下的環烯烴高分子或 液晶高分子最合適。選擇這些的話，把開口的正面6被嵌 合蓋體20的容器本體1內的空氣置換爲氮氣氣體等而使其 相對濕度爲5 %以下時，可以使相對濕度在5 %以下的狀態 保持2小時以上。 又，使用液晶高分子的場合，產生向異性的問題，所 以作爲解決對策最好是添加導電碳纖維等塡充材I 0〜40wt % 。此外，一般而言液晶高分子，分爲向熱（ thermotropic)型與向流（rheotropic)型兩種，此處作爲 成形材料使用的是向熱型液晶，定義爲在融溶狀態分子的 直鏈會高度配向顯示規則排列的液晶性質之合成樹脂》 這樣的液晶高分子，成形性良好，所以可以把基板收 -16- 201132563 納容器的壁厚抑制在不滿4 m m，較佳者爲2〜3 m m ’ 抑制，可以使基板收納容器的重量減輕10 %以上。 此外，液晶高分子，在成形時爲充分配向強度 面層，與配向不充分強度較低被表皮層包住的芯層 構造。因此，壁製作得越薄，表皮層的比率越大， 位面積之強度變大，例如使基板收納容器薄壁化也 強度提高。進而，使用液晶化的溫度爲2 5 0 °C以上 來成形，其後，施以退火處理的話，可以顯著減低 由基板收納容器產生的釋氣。 合成樹脂的荷重撓曲溫度被要求在12(TC以上 因爲荷重撓曲溫度在1 20 °C以上的場合，可以期待 體1的密封性的降低，或是把基板收納容器的空氣 非活性氣體等時候的效果。 亦即’半導體晶圓W，會在高溫狀態被熱處理 至8 0〜loot：，插入而保管於基板收納容器。此時 樹脂的荷重撓曲溫度若爲1 2 〇。(：以上的話，可以排 生與半導體晶圓W接觸的容器本體1的支撐片7等之 變形’或是蓄積於基板收納容器的熱使容器本體i 或是容器本體1的正面6的密封性降低等可能。結果 密合墊可以維持高的密封性，例如即使把基板收納 空氣置換爲非活性氣體或乾燥空氣，也可以期待優 果。 合成樹脂的總釋氣量的測定，最好是採用適於 析的動知頂部空間（d y n a m i c h e a d s p a c e )法。根據 藉由此 局的表 之二層 平均單 可以使 的形式 使用時 ，這是 容器本 置換爲 而冷卻 ，合成 除掉發 接觸部 變形， ，藉由 容器的 異的效 微量分 此動態 5 -17- 201132563 頂部空間法的話’與其他靜態頂部空間法不同，可以捕集 到目的成分的約略全量，可以期待使試料微量化，或是提 高檢測感度。 有鑑於以上之點’容器本體1的各支撐片7，爲了要抑 制或防止伴隨著與被熱處理的半導體晶圓W之接觸的變形 ’以含有荷重撓曲溫度在12(TC以上，吸水率在〇.丨％以下 的合成樹脂之成形材料來成形。作爲此成形材料之合成樹 脂’可以舉出環烯烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮、聚 對苯二甲酸T二酯或是聚對苯二甲酸乙二酯所選擇之至少 一種或者是這些之合金樹脂。其中，以剛性優異的液晶高 分子 '聚醚醚酮、聚對苯二甲酸丁二酯特佳。 如此般以合成樹脂成形各支撐片7的話，於支撐片7可 以安全地保持著半導體晶圓W，所以可以防止半導體晶圓 W的位置偏移’或是對半導體晶圓w造成不良影響的微粒 的發生。特別是液晶高分子、聚醚醚酮、或是聚對苯二甲 酸丁二酯’耐熱性優異，所以選擇性採用這些成形支撐片 7的話，可以減低伴隨著與被熱處理的半導體晶圓W的接 觸之有機物的產生，或是於此半導體晶圓W附著有機物的 情形。 容器本體1之各開閉閥9，也是除了線圈彈簧或過濾器 以外，以含有荷重撓曲溫度在1 2 0 °C以上，吸水率在0.1 % 以下的合成樹脂之成形材料來成形。作爲此合成樹脂，相 當於環烯烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮、聚對苯二甲 酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯或者聚苯硫醚所選擇之至 -18 - 201132563 少一種或者是這些之合金樹脂（alloyresin)。 以含有這樣的合成樹脂之成形材料來成形開閉閥9的 話，不會在氣體之置換時對氣體放出水分，或是於氣體置 換後的放置狀態，對基板收納容器的內部放出水分，可以 使基板收納容器的相對濕度維持在5 %以下之較低的値。 針對蓋體2 0之前保持器2 5，也爲了要抑制伴隨著與被 熱處理的半導體晶圓W之接觸的變形，而以含有荷重撓曲 溫度在1 2 0 °C以上，吸水率在0 · 1 %以下的合成樹脂之成形 材料來成形。作爲合成樹脂，可以舉出環烯烴高分子、液 晶高分子、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸丁二酯或是聚對苯二 甲酸乙二酯所選擇之至少一種或者是這些之合金樹脂，較 佳者爲剛性優異的液晶高分子、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸 丁二酯。 成形材料，亦可僅爲前述之合成樹脂，在基板收納容 器作爲工程內用而被使用的場合，由防止在半導體晶圓W 附著微粒，或是伴隨著靜電的放電之半導體晶圓W的損 傷的觀點，以適量添加導電性塡充材而調製爲較佳。作爲 導電性塡充材，可以舉出導電性碳黑、碳纖維、奈米碳管 、金屬纖維、金屬氧化物、導電性高分子等。此外，這些 材·料之1種與其他材料之合金，或這些之組合亦可。 例如’於先前所示之合成樹脂群所選擇的合成樹脂內 添加1 0〜3 Owt %的碳纖維的話，可以使基板收納容器的體 積電阻値成爲1 08 Ω以下，較佳者爲1 〇6 Ω。如此般使基板 收納容器的體積電阻値爲1 Ο8 Ω以下的話，可以防止被收 -19· 201132563 納於基板收納容器的半導體晶圓W附著微粒’或是防止伴 隨著靜電放電的半導體晶圓W的損傷。 根據前述構成的話，因爲使基板收納容器的成形材料 中的合成樹脂爲低水份率的合成樹脂，所以把基板收納容 器的內部以氮氣氣體（純度9 9 · 9 9 9 % )置換而使基板收納 容器的相對濕度降低至1 %，停止氣體的置換而靜置基板 收納容器，藉由預先設置的濕度計測定此基板收納容器內 的相對濕度的場合，可以讓此濕度保持1個小時以上。亦 即，可以使基板收納容器內的濕度維持得很低，所以可以 防止半導體晶圓W的污染，例如在半導體晶圓w的表面形 成電路圖案而保管之後，也可以謀求電路圖案的腐蝕防止 〇 此外’以含有吸水率在0 · 1 %以下，在8 0。(：加熱2 4小 時下藉由動態頂部空間法測定的總釋氣量在丨5 ppm以下的 合成樹脂之成形材料來成形具有由基板收納容器的外表面 往內表面連通的部分之容器本體1與蓋體20，或者開閉閥9 ’同時以含有吸水率在0 · 1 %以下’在8 〇 加熱2 4小時下 藉由動態頂部空間法測定的總釋氣量在〗5ppm以下的合成 樹脂之成形材料來成形與半導體晶圓W接觸的複數之支撐 片7與前保持器2 5 ’所以可跨長期間維持基板收納容器內 的相對濕度在5 %以下之較低的狀態。 進而’作爲這些之成形材料’除了前述特徵以外，選 擇荷重撓曲溫度在1 2 0 °C以上的成形材料的話，可以有效 地抑制與防止損害到基板收納容器的密封性，可以跨更爲 -20- 201132563 長期地維持基板收納容器內的相對濕度於很低之値。 又，基板收納容器的密封性並不充分的場合，外部的 空氣會侵入基板收納容器的內部，所以要維持基板收納容 器內的相對濕度於很低之値是困難的。因此，將基板收納 容器設置於密封真空室將此分別減壓至-3 OkPa、-0.3 kP a而 觀察基板收納容器的內部壓力的變遷時，以在減壓狀態下 可以密封維持基板收納容器爲較佳。 此外，在前述實施型態係於容器本體1的兩側壁5倂設 複數之支撐片7，但於容器本體1的兩側壁5 —體成形複數 之支撐片7亦可，於成形的容器本體1的兩側壁5上在稍後 再安裝另外的支撐片7亦可。此外，容器本體1之底板10, 亦可以與開閉閥9同樣的成形材料來成形，亦可省略。 進而，由在筐體21的內面中央部自由裝拆地安裝之縱 長的框體，與被架設於此框體之一對縱棧部間而在上下方 向上排列的複數彈性片26，及被形成於各彈性片26藉由V 形溝保持半導體晶圓W的周緣部前方的保持塊27來構成前 述實施形態的前保持器25亦可。 其次，與比較例一起說明本發明之實施例。 〔實施例〕 •基板收納容器內的相對濕度的測定 分別藉由表1所示的成形材料來成形圖1或圖2所示的 容器本體、支撐片、開閉閥、蓋體、及前保持器，分別製 造實施例1、2、3之基板收納容器。 -21 - 201132563 分別製造實施例1、2、3之基板收納容器之後’把把 閉的基板收納容器的內部以純度99·999%之氮氣氣體置換 而使基板收納容器的相對濕度降低至1% ’停止氣體的置 換而靜置基板收納容器，其後藉由預先設置於基板收納容 器內的濕度感測計測定濕度，計測基板收納容器內的相對 濕度超過5 %的時間，將計測値整理於表2。 •電阻率之測定 藉由電阻値測定器」三和MI Technos公司製造：型號 5 50 1 DM )分別測定實施例1、2、3之基板收納容器的表面 電阻値，整理於表2。基板收納容器的表面電阻値是根據 A S T M D 2 5 7標準’在溫度2 4 °C，濕度5 0 %的環境下測定的 •釋氣總量之測定 爲了測定實施例1、2、3之基板收納容器的成形材料 之釋氣量’於各材料錠〇」g，藉由動態頂部空間法，在高 純度的氦氣流通下’捕集在80它，6〇分鐘的條件下加熱的 場合所發生的釋放氣體而以氣相管柱層析法分析之後，以 正癸院爲標準物質計測/定量釋氣的總量，將其結果整理 於表2。 (比較例） 分別藉由表1所示的成形材料來成形圖1或圖2所示的 -22- 201132563 容器本體、支撐片、開閉閥、蓋體、及前保持器，製造比 較例之基板收納容器。如此進行製造比較例之基板收納容 器之後，與實施例同樣，測定基板收納容器內的相對濕度 、電阻率、釋氣總量而整理於表2。 〔表1〕 容器本體 蓋體 支撐片 前保持器 開閉閥 實施例1 合成樹脂 COP COP PBT PBT COP 吸水率(％) <0.01 <0.01 0.08 0.08 <0.01 荷重撓曲溫度 rc ) 123 123 205 205 123 實施例2 合成樹脂 LCP+導電CF 15wt% LCP+導電CF 15wt% LCP+導電CF 15wt% PEEK COP 吸水率(％) 0.02 0.02 0.02 0.08 <0.01 荷重撓曲溫度 fc ) 305 305 305 315 123 實施例3 合成樹脂 LCP+導電CF 15wt% COP PEEK PET PPS 吸水率(％) 0.02 <0.01 0.08 0.08 0.02 荷重撓曲溫度 rc ) 305 123 315 226 260 比較例 合成樹脂 PC+導電CF 1 Owt% PC PC+導電CF 1 Owt% PEEK PC 吸水率(％) 0.24 0.24 0.24 0.08 0.24 荷重撓曲溫度 rc ) 130 127 130 315 127 -23- 201132563 〔表2〕 表面電阻値(Ω ) 總釋氣量(ppm) 相對濕度5%之維持時間(min) 實施例1 1012 5 120 實施例2 104 0.3 120 實施例3 104 2 120 比較例 105 20 10 實施例1、2、3之基板收納容器，關於相對濕度的測 定、電阻率的測定、釋氣總量的測定，實際上可以得到良 好的結果。相對於此，比較例之基板收納容器，無法得到 良好的結果。 【圖式簡單說明】 圖1係模式顯示相關於本發明之基板收納容器之實施 型態之立體說明圖。 圖2係模式顯示由底面側所見之相關於本發明之基板 收納容器之實施型態之立體說明圖。 圖3係模式顯示相關於本發明之基板收納容器之實施 型態之剖面說明圖。 圖4係模式顯示相關於本發明之基板收納容器之實施 型態之蓋體之平面說明圖。 圖5係模式顯示相關於本發明之基板收納容器之實施 型態之蓋體之側面說明圖。 【主要元件符號說明】 1 :容器本體 -24 - 201132563 2 :底板 3 :頂板 4 :背面壁 5 :側壁 6 :正面 7 :支撐片（支撐體） 9 :開閉閥 1 2 :輪網凸緣（r i m f 1 a n g e ) 20 :蓋體 2 1 :筐體 2 2 :表面板 2 3 :上鎖機構 2 5 :前保持器（保持器） W :半導體晶圓（基板） -25-

Claims (1)

1. 201132563 七、申請專利範圍： 1 一種基板收納容器，其特徵爲 具備·收納基板之谷器本體，及於此容器本體之開口 部中介著密合墊而自由裝拆地被嵌合的蓋體，其中以含有 吸水率在0.1 %以下且在80。(：加熱24小時下藉由動態頂部 空間（dynamic headspace)法測定的總釋氣量在15ppm# 下的合成樹脂之成形材料而分別成形此些容器本體與蓋體 9 成形材料之合成樹脂，係爲由環烯烴高分子、液晶高 分子、聚酸醚酮、聚對苯二甲酸丁二酯或是聚對苯二甲酸 乙二醋所選擇之至少一種或者是此些之合金樹脂（all〇y resin )。 2 _如申請專利範圍第1項之基板收納容器，其中置換 在開口部被嵌合蓋體的容器本體內之氣體而使其相對濕度 爲5 %以下的場合’可以使此相對濕度爲5 %以下的狀態保 持2小時以上。 3 .如申請專利範圍第1或2項之基板收納容器，其中 使成形材料的合成樹脂的荷重撓曲溫度爲1 2 (TC以上。 4.如申請專利範圍第1、2或3項之基板收納容器，其 中於容器本體內具備基板支撐用的支撐體，以含有荷重撓 曲溫度爲1 2 0 °C以上、吸水率〇. 1 %以下的合成樹脂的成形 材料來成形此支撐體，同時此成形材料之合成樹脂，係由 環燃烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸丁 二酯或是聚對苯二甲酸乙二酯所選擇之至少一種，或者是 -26- 201132563 這些之合金樹脂。 5 ·如申請專利範圍第1〜4項之任一項之基板收納容 器’其中於容器本體安裝氣體置換用之開閉閥，以含有荷 重撓曲溫度爲1 2 0 °c以上、吸水率0 · 1 %以下的合成樹脂之 成开< 材料成形此開閉閥之一部分，同時此成形材料之合成 樹脂’係由環稀烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮、聚對 苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯或者聚苯硫醚所選 擇之至少一種，或者是這些之合金樹脂。 6 _如申請專利範圍第1〜5項之任一項之基板收納容 器’其中於蓋體安裝基板支擦用之保持器，以含有荷重撓 曲溫度爲120 °C以上、吸水率0.1%以下的合成樹脂之成形 材料成形此保持器，同時此成形材料之合成樹脂，係由環 烯烴高分子、液晶高分子、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸丁二 醋或聚對苯二甲酸乙二酯所選擇之至少一種，或者是這些 之合金樹脂。 -27-