CN102473664A - 基板收纳容器 - Google Patents
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Abstract
提供一种能够降低吸湿性及水分透过性、抑制基板的有机污染的便宜的基板收纳容器。具备将多片半导体晶片整齐排列收纳的前开盒型的容器主体(1)、和经由密封用的衬垫拆装自如地嵌合在该容器主体(1)的开口的正面(6)上的盖体(20),将这些容器主体(1)和盖体(20)用含有吸水率为0.1%以下、在80℃下加热24小时而通过动态顶空法测量的总脱气量为15ppm以下的合成树脂的成形材料分别注射成形。使成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
Description
技术领域
本发明涉及在将由半导体晶片或屏蔽玻璃等构成的基板收纳、保管、搬运、输送等时使用的基板收纳容器。
背景技术
以往的基板收纳容器虽然没有图示,但具备将多片半导体晶片整齐排列收纳的前开盒的容器主体、和经由密封用的衬垫拆装自如地嵌合在该容器主体的开口的正面上的盖体,搭载在附属于半导体加工装置的盖体开闭装置等上。
半导体晶片形成有规定的电路图案,通过切块切出多个半导体芯片。此外,容器主体和盖体分别通过含有合成树脂的规定的成形材料注射成形。在容器主体的内部两侧,在上下方向上配设有多个水平地支承半导体晶片的左右一对支承片。
这样的基板收纳容器在将盖体通过盖体开闭装置拆下后,从容器主体中将半导体晶片通过专用的机器人取出、或在收纳有半导体晶片的容器主体的开口的正面上以密闭状态嵌合盖体后,将容器主体内的空气置换为惰性气体等。
可是,近年来,半导体零件的细微化及配线的窄间距化不断发展,沿着该动向,对于基板收纳容器,从半导体晶片的防污染的观点看,要求较高的密闭性和处理的自动化。此外,为了尽可能抑制从容器主体或盖体产生脱气或析出离子而给半导体晶片带来不良影响,选择适当的成形材料,或将容器主体和盖体进行气体净化清洗。
鉴于以上所述,作为容器主体的适当的成形材料,使用减少了添加物的高纯度的聚碳酸酯,作为安装在容器主体上的构成零件的成形材料,使用聚对苯二甲酸丁二醇酯或聚醚醚酮(参照专利文献1、2)。
专利文献1:特开平10-211686号公报
专利文献2:特开2004-146676号公报。
发明内容
以往的基板收纳容器如以上那样构成,容器主体由高纯度的聚碳酸酯成形,但在使半导体芯片的最小加工的线宽为45nm以下的情况下,在半导体晶片的铜配线工序及铝蒸镀工序中,发生起因于聚碳酸酯的吸湿性的铜配线的腐蚀、或通过有机物的水解而在半导体晶片上形成碱性的有机物,产品成品率有可能下降。
作为解决该问题的手段,可以举出将基板收纳容器的空气置换为惰性气体或干燥空气的方法,但在该方法的情况下,由于聚碳酸酯的吸水率较大为0.25%,所以维持基于气体的置换的低湿度状态的时间为几十分钟左右非常短,不能期待效果的持续。鉴于这一点,研究了在基板收纳容器的保管区中、对基板收纳容器总是供给惰性气体或干燥空气的方法,但在该方法的情况下,由于大量使用高价的惰性气体或干燥空气,所以有导致高成本的问题。
进而,在基板收纳容器的容器主体中,有收纳热处理而冷却的半导体晶片的情况,但此时,有可能与半导体晶片接触的容器主体的支承片等接触部变形、或通过闷在基板收纳容器中的热使容器主体的耐热性较低的区域变形、容器主体的正面的密封性下降。结果,可以预想到即使将基板收纳容器的空气置换为惰性气体或干燥空气、也不能期待效果的状况。
本发明是鉴于上述情况而做出的,目的是提供一种能够降低吸湿性及水分透过性、抑制基板的有机污染的便宜的基板收纳容器。此外,另一目的是提供一种能够持续长期维持气体置换的效果的基板收纳容器。
在本发明中,为了解决上述课题,是具备收纳基板的容器主体、和经由衬垫拆装自如地嵌合在该容器主体的开口部上的盖体、将这些容器主体和盖体用含有吸水率为0.1%以下、在80℃下加热24小时而通过动态顶空法测量的总脱气量为15ppm以下的合成树脂的成形材料分别成形的基板收纳容器,其特征在于,
使成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
另外,在将在开口部上嵌合有盖体的容器主体内的气体置换而使其相对湿度为5%以下的情况下,能够将该相对湿度为5%以下的状态保持两小时以上。
此外,可以使成形材料的合成树脂的载荷挠曲温度为120℃以上。
此外,也可以是,在容器主体内具备基板支承用的支承体,将该支承体用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形,并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
此外,可以是,在容器主体的底部安装底盘,将该底盘用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形,并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、或聚苯硫醚中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
此外,可以是,在容器主体上安装气体置换用的开闭阀,将该开闭阀的一部分用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形,并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、或聚苯硫醚中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
进而,可以是,在盖体上安装基板支承用的保持器,将该保持器用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形,并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
这里,在技术方案中的基板中,至少包括各种大小(例如,φ200、300、450mm等)的半导体晶片、液晶基板、屏蔽玻璃等。该基板既可以是单个,也可以是多个。此外,容器主体是前开盒型、顶开盒型、底开盒型的哪种都可以。
所谓动态顶空法(也称作净化和捕捉法),一般是顶空法的一种,是指在空气或氮气等气体气流下将从试料放散的化学物质用气相色谱仪(GC)评价的试验法。进而,在成形材料中,除了合成树脂以外,还适当添加提高刚性、导电性、难燃性等的各种填料。
有关本发明的基板收纳容器从防止在基板上附着颗粒及有机物的观点看,在将在合成树脂材料的小球在80℃下被加热60分钟的情况下产生的总脱气量通过动态顶空法测量的情况下,总脱气量可以为15ppm以下,优选的是10ppm以下。进而,关于有关本发明的基板收纳容器的密封性,优选的是在将基板收纳容器设置到密封腔室中、将它们分别减压到-30kPa、-0.3kPa而放置时、能够将减压状态保持两小时以上的性能。
根据本发明,由于使基板收纳容器的成形材料的合成树脂为从吸水率为0.1%以下、在80℃下加热24小时而通过动态顶空法测量的总脱气量为15ppm以下的环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂,所以能够使基板收纳容器内的湿度变低。因而,能够抑制收纳在容器主体中的基板的污染、防止基板的电路图案等的腐蚀。
根据本发明,具有能够便宜地提供能够降低吸湿性及水分透过性、抑制基板的有机污染的基板收纳容器的效果。
此外,如果使成形材料的合成树脂的载荷挠曲温度为120℃以上,则能够抑制容器主体的密封性的下降,所以能够持续长期维持基板收纳容器的气体置换的效果。
此外,如果将基板支承用的支承体用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形,并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂,则能够将基板安全地支承在支承体上,所以能够防止基板的位置偏差、或产生给基板带来不良影响的尘埃。此外,能够将使基板收纳容器内的相对湿度低到5%以下的状态维持1小时以上。
此外,如果将气体置换用的开闭阀的一部分用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形,并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、或聚苯硫醚中选择的至少一种、或者它们的合金树脂,则能够将使基板收纳容器内的相对湿度低到5%以下的状态维持1小时以上。
进而,如果将基板支承用的保持器用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形、并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂,则能够将基板收纳容器内的相对湿度以5%以下的较低的值保持1小时以上。
附图说明
图1是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的立体说明图。
图2是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的从底面侧观察的立体说明图。
图3是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的截面说明图。
图4是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的盖体的俯视说明图。
图5是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的盖体的侧视说明图。
具体实施方式
以下,如果参照附图说明本发明的优选的实施方式,则本实施方式如图1至图5所示,具备能够整齐排列收纳多片半导体晶片W的容器主体1、和经由密封用的衬垫嵌合在该容器主体1的开口的正面6上的盖体20,将这些容器主体1和盖体20用含有吸水率为0.1%以下、总脱气量为15ppm以下的合成树脂的成形材料分别注射成形,将在开口的正面6上嵌合有盖体20的容器主体1内置换为氮气等惰性气体而使其相对湿度为5%以下时,能够将相对湿度5%以下的状态保持两小时以上。
半导体晶片W例如由较薄地切片的φ300mm的圆硅晶片构成,在表面上形成规定的电路图案,通过切块工序的切块而切割出多个半导体芯片。该半导体晶片W为了有利于半导体封装的薄型化而将背面进行后磨削。
容器主体1如图1至图3所示,成形为具备比半导体晶片W大的底板2、隔开半导体晶片W的收纳空间从上方对置于该底板2的顶板3、将这些底板2与顶板3的后部间上下连结的背面壁4、和将底板2与顶板3的左右两侧部间上下连结的左右一对侧壁5的前开盒型,在将开口的横长的正面6朝向水平横向的状态下定位搭载到附属于半导体加工装置的盖体开闭装置上。
在容器主体1的内部两侧、换言之在两侧壁5的内面上,分别成对设置有作为水平地支承半导体晶片W的支承体的左右一对支承片7,该一对支承片7在上下方向上以规定的间距排列多个,各支承片7在容器主体1的前后方向上延伸,接触在半导体晶片W的背面的周缘部侧方上。
在容器主体1的底板2的前后部,分别安装有对于盖体开闭装置的定位销的定位用的定位件8,在底板2的四角部附近分别穿孔有圆贯通孔。在各贯通孔中,经由O形环拆装自如地嵌装着将基板收纳容器的内部的空气置换为惰性气体等的开闭阀9。
开闭阀9具备嵌装在容器主体1的底板2的贯通孔中的圆筒形的阀主体,在该阀主体的内部,经由螺旋弹簧等弹性部件可上下运动地插入支承着将流路开闭的阀体,在阀主体的开口的上表面或下表面上,覆盖安装着将气体过滤的过滤器。这样的开闭阀9作为给气用过滤器嵌装在底板2后部的贯通孔中,并且作为排气用过滤器嵌装在底板2前部的贯通孔中,连接在气体置换装置等上而将容器主体1内的空气置换为氮气,发挥功能以防止半导体晶片W的表面氧化等。
在容器主体1的底板2上,经由连结小螺钉有选择地螺装覆盖底板2而使多个定位件8和开闭阀9分别露出的底盘10。该底盘10形成为比底板2小一圈的类似的形状,周缘部起立而被加强,在左右两侧部分别有选择地形成搬运用的输送机轨道。
在容器主体1的顶板3中央部附近,拆装自如地安装着用来把持而自动搬运的机器人用凸缘11。容器主体1的正面6隆起形成有在周缘上向外方伸出的轮辋凸缘12,在该轮辋凸缘12内通过盖体开闭装置嵌合拆装自如的盖体20。此外,在容器主体1的背面壁4中央部上有选择地形成透明的窥视窗,通过该窥视窗,从外部在视觉上观察、掌握容器主体1的内部。
盖体20如图1、图4、图5所示,具备拆装自如地嵌合在容器主体1的开口的正面6上的正面视横长的箱体21、覆盖该箱体21的开口的正面6的表面板22、和夹设在这些箱体21与表面板22之间的上锁机构23而构成。
箱体21基本上形成为具备框形的周壁的浅底的截面大致盘形,中央部从背面侧朝向表面侧突出形成为正面大致箱形,在该中央部与周壁的左右两侧部之间,与多个螺纹凸台一起分别划分形成上锁机构23用的设置空间。在该箱体21的周壁的上下两侧部,分别穿孔有上锁机构23用的贯通孔24,各贯通孔24对置于穿孔在轮辋凸缘12的内周面上的卡止孔。
在箱体21的背面上,拆装自如地安装弹性地保持半导体晶片W的前保持器25。该前保持器25例如具备分别拆装自如地安装在箱体21的背面两侧部上的纵长的框体,在各框体的纵棂部上,上下排列一体形成有一边向箱体21的背面中央部方向倾斜一边延伸的多个弹性片26,在各弹性片26的前端部上,一体形成将半导体晶片W的周缘部前方通过V形槽保持的较小的保持块27。
在箱体21的背面周缘部上形成有框形的嵌合槽,在该嵌合槽中,紧密嵌合能够弹性变形的唇型的衬垫,该衬垫压接在容器主体1的轮辋凸缘12内。该衬垫具备紧贴在容器主体1的轮辋凸缘12内的框形的基材、从该基材延伸而压接在轮辋凸缘12上的环形的密封片、和突出形成在基材上而压接在嵌合槽内的基材用的定位嵌合突起,由规定的成形材料成形。
衬垫的密封片从基材斜向延伸,一边适度挠曲一边弯曲压接在轮辋凸缘12的内周面上,防止气体从基板收纳容器的外部侵入到内部而防止半导体晶片W的污染,并且发挥功能以持续长期维持将基板收纳容器的内部用惰性气体置换的情况下的氧浓度及相对湿度。作为衬垫的成形材料,可以举出例如通过JIS
K7202测量的弹簧硬度(JIS A硬度)为80Hs以下的聚酯类、聚烯烃类、聚苯乙烯类等的热塑性弹性体、氟橡胶、IR橡胶等。
表面板22形成为横长的平板,以使其对应于箱体21的开口的表面,在左右两侧部上,分别与上锁机构23用的操作口28一起穿孔有多个安装孔,通过将贯通该多个安装孔的连结小螺钉螺插到箱体21的螺纹凸台中,定位固定到箱体21的表面上。
上锁机构23具备被贯通表面板22的操作口28的盖体开闭装置的操作销旋转操作的左右一对旋转板、随着各旋转板的旋转而在上下方向上滑动的多个滑动板、和随着各滑动板的滑动而从箱体21的贯通孔24突出并卡止到轮辋凸缘12的卡止孔中的多个卡止爪29而构成,位于前保持器25的前方而确保盖体20的刚性。
将基板收纳容器的容器主体1和盖体20成形的成形材料的合成树脂选择吸水率为0.1%以下、载荷挠曲温度为120℃以上、并且在80℃下加热24小时而通过动态顶空法测量的总脱气量为15ppm以下的类型。具体而言,选择从环烯聚合物(COP)、液晶聚合物(LCP)、聚醚醚酮(PEEK)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
合成树脂的吸水率为0.1%以下是因为,在吸水率为0.1%以下的情况下,能够将使基板收纳容器内的相对湿度降低到5%以下的状态维持1小时以上,是因为相反在吸水率超过0.1%的情况下,即使使基板收纳容器内的相对湿度降低到5%以下,也从基板收纳容器的表面释放水分,所以不能持续长时间将相对湿度抑制为5%以下。
从该吸水率的观点看,容器主体1与盖体20的合成树脂中,能够使吸水率为0.02%以下的环烯聚合物或液晶聚合物是最适合的。如果选择它们,则将在开口的正面6上嵌合盖体20的容器主体1内的空气置换为氮气等而使其相对湿度为5%以下时,能够将相对湿度为5%以下的状态保持两小时以上。
另外,在使用液晶聚合物的情况下,发生各向异性的问题,所以作为对策,优选的是将导电碳纤维等填料添加10~40wt%。此外,一般将液晶聚合物分类为热致型和溶致型的两种,这里,是作为成形材料使用的热致型的,定义表示在熔融状态下分子的直链高度地取向而有规则地排列的液晶状cor性质的合成树脂。
这样的液晶聚合物由于成形性良好,所以能够将基板收纳容器的壁厚抑制为不到4mm、优选的是2~3mm,通过该抑制,能够使基板收纳容器的重量变轻10%以上。
此外,液晶聚合物由在成形时充分取向而强度较高的表面层、和取向不充分而强度较低、被表皮层包裹的核心层的2层构造。因此,越是做成薄壁,则表皮层的比率越增加,每单位面积的强度越大,即使将基板收纳容器做成薄壁也能够使强度提高。进而,如果使用液晶化的温度为250℃以上的类型成形、然后实施退火处理,则能够在使用时显著地降低从基板收纳容器产生的脱气。
合成树脂的载荷挠曲温度要求120℃以上,这是因为,在载荷挠曲温度是120℃以上的情况下,能够防止容器主体1的密封性的下降、或期待将基板收纳容器的空气置换为惰性气体等时的效果。
即,有将半导体晶片W在高温状态下热处理、冷却到80~100℃、插入到基板收纳容器中而保管的情况。此时,如果合成树脂的载荷挠曲温度是120℃以上,则能够消除与半导体晶片W接触的容器主体1的支承片7等接触部变形、或通过闷在基板收纳容器中的热使容器主体1变形、容器主体1的正面6的密封性下降的担心。结果,由于能够通过衬垫维持较高的密封性,所以即使将基板收纳容器的空气置换为惰性气体或干燥空气,也能够期待良好的效果。
在合成树脂的总脱气量的测量中,优选的是采用适合于微量分析的动态顶空法。根据该动态顶空法,与其他的静态顶空法等不同,能够捕集目的成分的大致全部量,能够使试料微量化、或期待检测灵敏度的提高。
鉴于以上的点,容器主体1的各支承片7为了抑制防止伴随着与热处理后的半导体晶片W的接触的变形,由含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形。作为该成形材料的合成树脂,可以举出从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。在它们之中,特别优选的是刚性良好的液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯。
如果用这样的合成树脂成形各支承片7,则能够在支承片7上安全地保持半导体晶片W,所以能够防止半导体晶片W的位置偏差、或给半导体晶片W带来不良影响的颗粒的产生。特别是,液晶聚合物、聚醚醚酮、或聚对苯二甲酸丁二醇酯由于耐热性良好,所以只要有选择地采用它们而成形支承片7,就能够降低伴随着与热处理后的半导体晶片W的接触的有机物的产生、或防止在该半导体晶片W上附着有机物。
容器主体1的各开闭阀9也除了螺旋弹簧及过滤器以外,由含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形。作为该合成树脂,从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、或聚苯硫醚(PPS)中选择的至少一种、或者它们的合金树脂符合。
如果通过含有这样的合成树脂的成形材料成形开闭阀9,则不会在气体的置换时向气体释放水分、或在气体置换后的放置状态下向基板收纳容器的内部释放水分,能够将基板收纳容器的相对湿度维持为5%以下的较低的值。
关于盖体20的前保持器25,也为了抑制伴随着与热处理后的半导体晶片W的接触的变形,用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形。作为合成树脂,可以举出从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂,优选地可以是刚性良好的液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯。
成形材料也可以只是上述合成树脂,但在将基板收纳容器作为工序内用使用的情况下,从防止在半导体晶片W上附着颗粒、或伴随着静电的放电的半导体晶片W的损伤的观点看,优选的是适量添加导电性填料而调制。作为导电性填料,可以举出导电性碳黑、碳纤维、碳纳米管、金属纤维、金属氧化物、导电性聚合物等。此外,也可以是这些材料的1种与其他材料的合金、它们的组合。
例如,如果在从前面所示的合成树脂群中选择的合成树脂中添加10~30wt%的碳纤维,则能够使基板收纳容器的体积电阻值为108Ω以下、优选的是106Ω。如果这样使基板收纳容器的体积电阻值为108Ω以下,则能够防止在收纳在基板收纳容器中的半导体晶片W上附着颗粒、或者伴随着静电的放电的半导体晶片W的损伤。
根据上述结构,由于使基板收纳容器的成形材料中的合成树脂为低水分率的合成树脂,所以在将基板收纳容器的内部用氮气(纯度99.999%)置换而使基板收纳容器内的相对湿度低到1%、停止气体的置换而将基板收纳容器放置、通过预先设置在该基板收纳容器内的湿度计测量相对湿度的情况下,能够将该湿度保持1小时以上。因而,能够将基板收纳容器内的湿度维持得较低,所以能够防止半导体晶片W的污染,即使在半导体晶片W的表面上形成电路图案并保管后,也能够实现电路图案的防止腐蚀。
此外,由于将具有从基板收纳容器的外表面向内表面连通的部分的容器主体1和盖体20、或开闭阀9用吸水率为0.1%以下、在80℃下加热24小时而通过动态顶空法测量的总脱气量为15ppm以下的成形材料成形、并且将与半导体晶片W接触的多个支承片7和前保持器25用吸水率为0.1%以下、在80℃下加热24小时而通过动态顶空法测量的总脱气量为15ppm以下的成形材料成形,所以能够持续长期将基板收纳容器内的相对湿度维持为5%以下的较低的状态。
进而,如果作为这些成形材料、选择除了上述特征以外、载荷挠曲温度为120℃以上的成形材料,则能够有效地抑制防止损害基板收纳容器的密封性、持续更长期地将基板收纳容器内的相对湿度维持得较低。
另外,在基板收纳容器的密封性不充分的情况下,在基板收纳容器的内部侵入外部的空气,所以难以将基板收纳容器内的相对湿度维持得较低。所以,优选的是,在将基板收纳容器设置到密封腔室中而将它们分别减压到-30kPa、-0.3kPa、观察基板收纳容器的内部压力的推移时,能够将基板收纳容器在减压状态下维持密封。
此外,在上述实施方式中,在容器主体1的两侧壁5上排列设置多个支承片7,但也可以在容器主体1的两侧壁5上一体成形多个支承片7,或者也可以在成形的容器主体1的两侧壁5上之后安装分体的支承片7。此外,容器主体1的底盘10既可以由与开闭阀9同样的成形材料成形,或者也可以省略。
进而,将上述实施方式的前保持器25由拆装自如地安装在箱体21的背面中央部上的纵长的框体、架设在该框体的一对的纵棂部间而在上下方向上排列的多个弹性片26、和形成在各弹性片26上、通过V槽保持半导体晶片W的周缘部前方的保持块27构成。
接着,将本发明的实施例与比较例一起说明。
〔实施例〕
・基板收纳容器内的相对湿度的测量
将图1及图2所示的容器主体、支承片、开闭阀、盖体、及前保持器通过表1所示的成形材料分别成形,分别制造实施例1、2、3的基板收纳容器。
在分别制造实施例1、2、3的基板收纳容器后,将密闭的基板收纳容器的内部用纯度99.999%的氮气置换而使基板收纳容器内的相对湿度下降到1%,停止气体的置换而将基板收纳容器放置,然后,通过用预先设置在基板收纳容器内的湿度传感器测量湿度,计测基板收纳容器内的相对湿度超过5%的时间,将计测值汇总在表2中。
・电阻率的测量
将实施例1、2、3的基板收纳容器的表面电阻值通过电阻值测量器(三和MIテクノス社制:模型5501DM)分别测量,汇总到表2中。基板收纳容器的表面电阻值以ASTM
D257为依据,在温度24℃、湿度50%的环境下测量。
・脱气总量的测量
为了测量实施例1、2、3的基板收纳容器的成形材料的脱气量,对材料小球0.1g,通过动态顶空法,捕集在高纯度氦流通下、在80℃、60分钟的条件下加热的情况下产生的脱气而以气相色谱仪分析后,以n-癸烷为标准物质计测、定量脱气的总量,将其结果汇总到表2中。
〔比较例〕
将图1及图2所示的容器主体、支承片、开闭阀、盖体、及前保持器通过表1所示的成形材料分别成形,制造出比较例的基板收纳容器。这样制造比较例的基板收纳容器后,与实施例同样,测量基板收纳容器内的相对湿度的测量、电阻率的测量、脱气总量,汇总到表2中。
[表1]
容器主体 | 盖体 | 支承片 | 前保持器 | 开闭阀 | |
实施例1 | |||||
合成树脂 | COP | COP | PBT | PBT | COP |
吸水率(%) | <0.01 | <0.01 | 0.08 | 0.08 | <0.01 |
载荷挠曲温度(℃) | 123 | 123 | 205 | 205 | 123 |
实施例2 | |||||
合成树脂 | LCP+导电CF15wt% | LCP+导电CF15wt% | LCP+导电CF15wt% | PEEK | COP |
吸水率(%) | 0.02 | 0.02 | 0.02 | 0.08 | <0.01 |
载荷挠曲温度(℃) | 305 | 305 | 305 | 315 | 123 |
实施例3 | |||||
合成树脂 | LCP+导电CF15wt% | COP | PEEK | PET | PPS |
吸水率(%) | 0.02 | <0.01 | 0.08 | 0.08 | 0.02 |
载荷挠曲温度(℃) | 305 | 123 | 315 | 226 | 260 |
比较例 | |||||
合成树脂 | PC+导电CF10wt% | PC | PC+导电CF10wt% | PEEK | PC |
吸水率(%) | 0.24 | 0.24 | 0.24 | 0.03 | 0.24 |
载荷挠曲温度(℃) | 130 | 127 | 130 | 315 | 127 |
[表2]
表面电阻值(Ω) | 总脱气量(ppm) | 相对湿度5%的维持时间(min) | |
实施例1 | 1012 | 5 | 120 |
实施例2 | 104 | 0.3 | 120 |
实施例3 | 104 | 2 | 120 |
比较例 | 105 | 20 | 10 |
实施例1、2、3的基板收纳容器关于相对湿度的测量、电阻率的测量、脱气总量的测量,能够得到非常良好的结果。相对于此,比较例的基板收纳容器不能得到良好的结果。
附图标记说明
1 容器主体
2 底板
3 顶板
4 背面壁
5 侧壁
6 正面
7 支承片(支承体)
9 开闭阀
12 轮辋凸缘
20 盖体
21 箱体
22 表面板
23 上锁机构
25 前保持器(保持器)
W 半导体晶片(基板)。
Claims (6)
1.一种基板收纳容器,是具备收纳基板的容器主体、和经由衬垫拆装自如地嵌合在该容器主体的开口部上的盖体、将这些容器主体和盖体用含有吸水率为0.1%以下、在80℃下加热24小时而通过动态顶空法测量的总脱气量为15ppm以下的合成树脂的成形材料分别成形的基板收纳容器,其特征在于,
使成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
2.如权利要求1所述的基板收纳容器,其特征在于,在将在开口部上嵌合有盖体的容器主体内的气体置换而使其相对湿度为5%以下的情况下,能够将该相对湿度为5%以下的状态保持两小时以上。
3.如权利要求1或2所述的基板收纳容器,其特征在于,使成形材料的合成树脂的载荷挠曲温度为120℃以上。
4.如权利要求1、2或3所述的基板收纳容器,其特征在于,在容器主体内具备基板支承用的支承体,将该支承体用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形,并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
5.如权利要求1~4中任一项所述的基板收纳容器,其特征在于,在容器主体上安装气体置换用的开闭阀,将该开闭阀的一部分用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形,并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、或聚苯硫醚中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
6.如权利要求1~5中任一项所述的基板收纳容器,其特征在于,在盖体上安装基板支承用的保持器,将该保持器用含有载荷挠曲温度为120℃以上、吸水率为0.1%以下的合成树脂的成形材料成形,并且使该成形材料的合成树脂为从环烯聚合物、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚对苯二甲酸乙二醇酯中选择的至少一种、或者它们的合金树脂。
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120523 |