TW201120194A - Liquid crystalline polyester composition and electronic circuit board using the same - Google Patents

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201120194 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於液晶聚酯組成物及使用此之電子電路基板 ，更詳細地關於使用液晶聚酯組成物之絕緣薄膜及電子電 路基板的導熱性之改良。 【先前技術】 以往，已知使用絕緣材料的電子電路基板。圖2係顯 示該電子電路基板300之構造例的截面圖。於圖2所示的電 子電路基板中，在金屬基底3〇1上形成絕緣薄膜302’再形 成導電箔3 03當作配線圖型。於電子電路基板3 00上，使用 IC (Integrated Circuit)等的電子零件來形成組裝電路304 。各電子零件係與導電箔303所形成的配線圖型電連接。 組裝電路3 04係在動作時發熱，此熱除了由1C等來直接散 熱，亦經由絕緣薄膜302傳導至金屬基底301，由此金屬基 底301來散熱。因此，於使用金屬基底301的電子電路基板 中，可得到高的散熱效果。 爲了充分發揮金屬基底301的散熱效果，宜充分提高 絕緣薄膜3 02的導熱性。再者，於絕緣薄膜3 02中，關於耐 熱性或與導電箔3 0 3的密接性，亦希望充十分的性能。 除了導熱性高或耐熱性優異，還有吸濕性低等之理由 ，液晶聚酯係作爲電子電路基板用的絕緣薄膜形成材料而 受到注目。使用液晶聚酯薄膜的電子電路基板，例如在特 公平6-82893號公報、特開2004-3 1 5 678號公報、公平5-

S -5- 201120194 71630號公報中有記載。 特公平6-828 93號公報中揭示藉由將液晶聚酯與塡充 材的混合物擠壓成形爲板狀以作成平板，於此平板的表面 上層合銅，而製作印刷電路基板之方法（例如參照特公平 6-82893號公報的第12頁左欄第17行〜第44行等）。 又，曰本發明專利特開20 〇4-315678號公報中，揭示 使含有10〜35莫耳％的來自芳香族二胺之構造單位等的液 晶聚酯溶解於非質子性溶劑中，而改善液晶聚酯溶液的耐 腐蝕性之技術，或由此溶液的流延物中去除溶劑，而改善 電子電路基板用液晶聚酯薄膜的異向性或機械強度之方法 (例如參照特開2004-315678號公報的段落0002、0039等 )° 再者，特公平5 -7 1 63 0號公報中揭示，例如藉由含有 氧化鋁粉末或鎂粉末等的導熱率高之絕緣性無機粉末，而 改善液晶聚酯的導熱性，藉此而提高電路基板的散熱性之 方法（例如參照特公平5 -7 1 63 0號公報的第10頁右欄第24 行〜第39行等）。 【發明內容】 然而，若依照特公平6-8 2 8 93號公報的方法，由於使 用擠壓成形法，故使用液晶聚酯來成形爲100〜200μιη左右 的薄絕緣薄膜者係困難。此係因爲液晶聚酯的黏度高。然 而，作爲使用如上述的金屬基底之電子電路基板中所用之 絕緣薄膜，宜爲薄的薄膜。此係因爲薄膜愈薄，則該薄膜 201120194 的熱阻力愈減少，而可提高金屬箔303或組裝電路304與金 屬基底301之間的導熱性。特公平6_ 8 2 8 9 3號公報之實施例 1所揭不的液晶聚醋薄膜，係濟出厚度爲0.4mm，導熱率爲 1.5W/(m_K) (W係「瓦特」，爪係「公尺」，尺係「凱 耳文」’以下相同），此等値在用金屬基底的電子電路基 板中使用時係不充分。 再者，若藉由擠壓成形法來製作液晶聚酯薄膜’由於 在擠出方向中液晶聚酯顯著地配向，故導熱率對於擠出方 向（即與薄膜面平行的方向）有變高，對於薄膜厚度方向 有變低的傾向。 相對於此，於電子電路基板3 00中，必須在絕緣薄膜 3 02的厚度方向中傳送熱。於此點，擠壓成形法所製作的 液晶聚酯薄膜亦不適合作爲使用金屬基底的電子電路基板 中所用之絕緣薄膜。 特開2004-3 1 5678號公報的液晶聚酯薄膜，亦無法得 到充分高的導熱率。 另一方面’於特公平5_71630號公報中，藉由塡充氧 化鋁等的無機粉末，而提高液晶聚酯薄膜之導熱率。於特 公平5-71630號公報的方法中，該無機粉末的塡充量愈多 ’則導熱率愈高。然而，無機粉末的含量若太多，則在薄 膜內部發生空洞等的缺陷，導熱率變難以提高。因此，無 機粉末對液晶聚酯的塡充量係60體積％爲限度，推測在導 熱率的提高上有極限。 本發明之目的在於提供液晶聚酯組成物，其係適合於 201120194 作爲形成導熱性優異的液晶聚酯薄膜用之材料。 爲了達成該目的，本發明者對含有液晶聚酯、溶劑與 導熱塡充材的液晶聚酯組成物進行檢討，終於完成本發明 0 即，本發明提供一種液晶聚酯組成物，其係含有液晶 聚酯、溶劑與導熱塡充材的液晶聚酯組成物，其中相對於 前述液晶聚酯與前述導熱塡充材之和而言，前述導熱塡充 材的含量係50〜90體積％，而且作爲前述導熱塡充材，含 有0〜20體積％的體積平均粒徑O.lpm以上且未達Ι.Ομιη之 第1導熱塡充材、5〜40體積％的體積平均粒徑Ι.Ομιη以上 且未達5·0μπι之第2導熱塡充材、及40〜90體積％的體積平 均粒徑5.0 μηι以上30.0 μπι以下之第3導熱塡充材。 再者，本發明提供一種電子電路基板，其係具有散熱 用基板、設於該散熱用基板上的絕緣薄膜、與設於該絕緣 薄膜上的配線圖型形成用導電箔之電子電路基板，其中前 述絕緣薄膜係由上述液晶聚酯組成物的流延物中去除溶劑 所形成。 若依照本發明，於含有液晶聚酯、溶劑與導熱塡充材 的液晶聚酯組成物中，作爲導熱塡充材，藉由以比例計使 用〇〜20體積％的體積平均粒徑〇.ιμηι以上且未達l.〇Mm之 第1導熱塡充材、5〜40體積％的體積平均粒徑Ι.Ομηι以上 且未達5.0 μπι之第2導熱塡充材、40〜90體積％的體積平均 粒徑5.0μπι以上30.0μηι以下之第3導熱塡充材，而可比以往 還提高所得之液晶聚酯薄膜的導熱率。 -8 - 201120194 又，於本發明中，作爲絕緣薄膜，藉由使用採用上述 液晶聚酯組成物所形成之薄膜，而可提高所得之電子電路 基板的散熱效果，而且可使絕緣薄膜的耐熱性或與導電箔 的密接性亦成爲良好。 【實施方式】 實施發明的形態 本發明中的液晶聚酯組成物含有液晶聚酯、溶劑與導 熱塡充材。以下，說明本發明的1個實施形態之液晶聚酯 組成物及使用此之電子電路基板。 <電子電路基板之構造> 圖1係顯示本發明之1例的電子電路基板100之構造的 槪念截面圖。 如圖1中所示，電子電路基板100具有含金屬基底101 、液晶聚酯薄膜102及金屬箔103之積層構造》 金屬基底101例如是鋁、銅、不銹鋼等或此等的合金 等之金屬板。作爲金屬基底101，可使用與以往的電子電 路基板相同者。金屬基底101之厚度例如爲2.0mm。金屬基 底1 〇 1未必要是平板，例如亦可進行彎曲加工。 作爲液晶聚酯薄膜1 02，可使用採用本發明的液晶聚 酯組成物所得之液晶聚酯薄膜。如後述地，液晶聚酯薄膜 102係含有互相不同體積平均粒徑的導熱塡充材A、B、C (第1、2、3導熱塡充材）。液晶聚酯薄膜1 02的厚度例如 -9 - 201120194 爲 200μιη。 作爲金屬箔1〇3，例如使用銅箔等。於金屬箔103中， 例如亦可藉由蝕刻等來形成電路的配線圖型。而且，可使 用此配線圖型，於電子電路基板100上，組裝與圖2所示之 以往基板同樣的電子零件（圖1中未顯示）。作爲金屬箔 103，可使用與以往的電子電路基板同樣者。金屬箔103的 厚度例如爲7 0 μ m。 <液晶聚醋> 本發明所用的液晶聚酯較佳爲在熔融時顯示光學異向 性，在45 0°C以下的溫度形成異向性熔融體者。本實施形 態的液晶聚酯係含有以下式（1 ) 、（ 2 ) 、（ 3 )所示的 構造單位當作構造單位，較佳爲30〜80莫耳％的式（1 )所 示的構造單位、35〜10莫耳％的式（2 )所示的構造單位、 35〜10莫耳％的式（3 )所示的構造單位。 C 1 ) -O-Afi-CO- (2 ) -CO-Ar2-CO- (3 ) -X-Ar3-Y- 此處，Ar丨表示1，4-伸苯基、2,6-萘或4,4’-伸聯苯基。 Αο表示1，4-伸苯基、1，3-伸苯基或2,6-萘。Ar3表示1,4-伸 苯基或1,3-伸苯基。X係-NH-，Y表示-0-或- NH-。 構造單位（1)係由芳香族羥酸而來之構造單位，構 造單位（2)係由芳香族二羧酸而來之構造單位，構造單 位（3)係由芳香族二胺、具有羥基的芳香族胺、芳香族 -10- 201120194 胺基酸而來之構造單位’代替此等’亦可使用彼等的酯形 成性衍生物》 作爲羧酸的酯形成性衍生物’例如可舉出如促進羧基 生成聚酯的反應之醯氯化物、成爲酸酐等之反應活性高的 衍生物者、羧基經由酯交換反應生成聚酯的醇類或乙二醇 等與形成酯者等。 作爲酚性羥基的酯形成性衍生物’例如可舉出如藉由 酯交換反應生成聚酯般，酚性羥基與羧酸類形成酯者等。 作爲胺基的酯形成性衍生物，例如可舉出如藉由酯交 換反應生成聚酯般，胺基與羧酸類形成酯者等。 作爲本發明中使用的液晶聚酯之重複構造單位，可例 示下述者，惟不受此等所限定。 作爲構造單位（1)，例如可舉出由對羥基苯甲酸、 2-羥基-6-萘甲酸、4-羥基-4’-聯苯基羧酸而來的構造單位 等，於全部構造單位中亦可含有2種以上的前述構造單位 。於此等構造單位之中，較佳爲使用含有由2-羥基-6-萘甲 酸而來的構造單位之液晶聚酯。相對於全部構造單位而言 ，構造單位（1)較佳爲30〜80莫耳％，更佳爲40〜70莫耳 %，尤佳爲45〜65莫耳％。構造單位（1 )若超過80莫耳。/。 ，則溶解性有顯著降低的傾向，而若未達3 0莫耳％，則有 不顯示液晶性的傾向。 作爲構造單位（2 )，例如可舉出由對苯二甲酸 '間 苯二甲酸、2,6-萘二羧酸而來的構造單位等，於全部構造 單位中亦可含有2種以上的前述構造單位。於此等構造單 -11 - 201120194 位之中，從溶解性的觀點來看，較佳爲使用含有由間苯二 甲酸而來的構造單位之液晶聚酯。相對於全部構造單位而 言，構造單位（2)較佳爲35〜10莫耳％，更佳爲30〜15莫 耳％，尤佳爲27.5〜17.5莫耳％。構造單位（2)若超過35 莫耳％，則液晶性有降低的傾向，而若未達1 0莫耳％，則 溶解性有降低的傾向。 作爲構造單位（3 )，例如可舉出由3 -胺基苯酚、4 -胺 基苯酚、1,4-苯二胺、1,3-苯二胺、胺基苯甲酸而來的構 造單位等，於全部構造單位中亦可含有2種以上的前述構 造單位。於此等構造單位之中，從反應性的觀點來看，較 佳爲使用含有由4-胺基苯酚而來的構造單位之液晶聚酯。 相對於全部構造單位而言，構造單位（3)較佳爲35〜10 莫耳％，更佳爲30〜15莫耳％，尤佳爲27.5〜17.5莫耳％。 構造單位（3 )若超過3 5莫耳％，則液晶性有降低的傾向， 而若未達1 0莫耳％，則溶解性有降低的傾向。 構造單位（3)較佳爲與構造單位（2)實質上等量使 用。惟，相對於構造單位（2)而言，藉由使構造單位（3 )成爲-1 〇莫耳％〜+1 0莫耳％，亦可控制液晶聚酯的聚合 度。 本發明所使用的液晶聚酯之製造方法係沒有特別的限 定，例如可舉出藉由過剩量的脂肪酸酐來醯化對應於構造 單位（1)之芳香族羥酸、對應於構成單位（3)之具有羥 基的芳香族胺、芳香族二胺的酚性羥基及胺基而得到醯化 物，酯交換（聚縮合）所得之醯化物與對應於構造單位（ -12- 201120194 2)之芳香族二羧酸而熔融聚合之方法等。 作爲醯化物，亦可使用預先醯化而得之脂肪酸酯（例 如參照特開2〇〇2-22〇444號公報、特開20〇2-146003號公報 )0 於醯化反應中，脂肪酸酐的添加量，相對於酚性羥基 與胺基的合計而言，較佳爲1.0〜1.2倍當量，更佳爲1.05 〜1.1倍當量。脂肪酸酐的添加量若未達1.0倍當量，則在 酯交換（聚縮合）時醯化物或原料單體等進行昇華，反應 系有變容易阻塞的傾向，而若超過1.2倍當量，則所得之 液晶聚酯的著色有變顯著的傾向。 醯化反應較佳爲在1 3 0〜1 8 0 °C反應5分鐘〜1 0小時， 更佳爲在140〜160°C反應10分鐘〜3小時。 醯化反應中所使用的脂肪酸酐係沒有特別的限定，例 如可舉出醋酸酐、丙酸酐、丁酸酐、異丁酸酐、戊酸酐、 三甲基乙酸酐、2乙基己酸酐、單氯乙酸酐、二氯乙酸酐 、三氯乙酸酐、單溴乙酸酐、二溴乙酸酐、三溴乙酸酐、 單氟乙酸酐、二氟乙酸酐、三氟乙酸酐、戊二酸酐、馬來 酸酐、琥珀酸酐、β-溴丙酸酐等，此等亦可混合2種類以 上而使用。從價格與操作性的觀點來看，較佳爲醋酸酐、 丙酸酐、丁酸酐、異丁酸酐，更佳爲醋酸酐。 於酯交換中，醯化物的醯基較佳爲羧基的0.8〜1.2倍 當量。 酯交換較佳爲在130〜400°C以0.1〜50°C/分鐘之比例邊 升溫邊進行，更佳爲在1 5 0〜3 5 0 °C以〇 . 3〜5 °C /分鐘之比例 -13- 201120194 邊升溫邊進行。 於使醯化所得之脂肪酸酯與羧酸進行酯交換之際’爲 了使平衡移動，較佳爲使副生成的脂肪酸與未反應的脂肪 酸酐進行蒸發等而餾出到系外。 再者，醯化反應、酯交換亦可在觸媒的存在下進行。 作爲該觸媒，可使用以往作爲聚酯的聚合用觸媒之眾所周 知者，例如可舉出醋酸鎂、醋酸亞錫、鈦酸四丁酯、醋酸 鉛、醋酸鈉、醋酸鉀、三氧化銻等的金屬鹽觸媒、N，N-二 甲基胺基吡啶、N -甲基咪唑等的有機化合物觸媒等。 於此等觸媒之中，較宜使用N，N-二甲基胺基吡啶、N-甲基咪唑等之含有2個以上的氮原子之雜環狀化合物（例 如參照特開2002-146003號公報）。 該觸媒通常在單體類之投入時投入，於醯化後亦未必 要去除，當不去除該觸媒時，可直接進行酯交換。 酯交換所致的聚縮合通常係藉由熔融聚合來進行，但 亦可併用熔融聚合與固相聚合。固相聚合係由熔融聚合步 驟中抽出聚合物，然後，較佳爲進行粉碎以成爲粉末狀或 小片（flake )狀後，藉由眾所周知的固相聚合方法來進行 。具體地，例如可舉出在氮氣等的惰性環境下，於20〜 3 50°C，以固相狀態熱處理1〜30小時之方法等。固相聚合 係可攪拌，也可不攪拌而以靜置的狀態進行。再者，藉由 具備適當的攪拌機構，亦可使熔融聚合槽與固相聚合槽成 爲同一反應槽。固相聚合後，所得之液晶聚酯亦可藉由眾 所周知的方法進行九粒化、成形。 -14- 201120194 液晶聚酯的製造例如可使用分批裝置、連續裝置等來 進行。 <溶劑> 本發明的液晶聚酯組成物中所用的溶劑較佳爲非質子 性溶劑。溶劑的使用量只要能溶解液晶聚酯，則沒有特別 的限定，可按照用途來適宜選擇，但於1 0 〇重量份的溶劑 中較佳爲使用〇.〇1〜100重量份的液晶聚酯。液晶聚酯若 未達0 · 0 1重量份’則溶液黏度過低而有無法均勻塗佈的傾 向’若超過100重量份’則有高黏度化的傾向。從作業性 或經濟性的觀點來看，相對於1 〇 〇重量份的溶劑而言，液 晶聚酯更佳爲1〜50重量份，尤佳爲2〜40重量份。 作爲非質子性溶劑，例如可舉出丨_氯丁烷、氯苯、 1，1-一氯乙院、1，2 -二氯乙烷、氯仿、丨，丨，2,2 -四氯乙烷等 的鹵素系溶劑、二乙基醚、四氫呋喃、丨，4_二噁烷等的醚 系溶劑、丙酮、環己酮等的酮系溶劑、醋酸乙酯等的酯系 溶劑、γ -丁內醋等的內酯系溶劑、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙 酯等的碳酸酯系溶劑、三乙胺、吡啶等的胺系溶劑、乙腈 、丁二腈等的腈系溶劑、Ν，Ν’_二甲基甲醯胺、ν,Ν，_二甲 基乙醯胺 '四甲基脲、Ν_甲基吡咯烷酮等的醯胺系溶劑、 硝基甲院、硝基本等的硝基系溶劑、二甲亞颯環丁颯等 的硫化物系裕劑' 六甲基磷醯胺、三正丁基磷酸等的磷酸 系溶劑等。 於此等之中’從對環境的影響面來看，較宜使用不含 -15- 201120194 鹵素原子的溶劑。從溶解性的觀點來看，較宜使用偶極矩 爲3以上5以下的溶劑。具體地，更宜使用N，N’-二甲基甲 醯胺、N，N’-二甲基乙醯胺、四甲基脲、N -甲基吡咯烷酮 等的醯胺系溶劑、γ-丁內酯等的內酯系溶劑，特宜使用 Ν，Ν’-二甲基甲醯胺、Ν,Ν’-二甲基乙醯胺、Ν-甲基吡咯烷 酮0 <導熱塡充材> 如上述，於本實施形態中，液晶聚酯組成物含有互相 不同體積平均粒徑的導熱塡充材Α (第1導熱塡充材）、導 熱塡充材B (第2導熱塡充材）、導熱塡充材C (第3導熱塡 充材）。 相對於液晶聚酯及導熱塡充材之總和而言，導熱塡充 材A、B、C的總含量宜爲50〜90體積％。此係因爲藉由以 指定的比例使用導熱塡充材A、B、C，則即使導熱塡充材 的含量多，在薄膜內部也不易發生空涧等的缺陷，而可提 高導熱率。 作爲導熱塡充材A (第1導熱塡充材），選擇體積平均 粒徑0.1 μηι以上且未達1.0 μηι的粉末。相對於導熱塡充材A 、：B、C的總含量而言’本發明的液晶聚酯組成物中之導熱 塡充材A的含量係〇〜20體積％。 作爲導熱塡充材B (第2導熱塡充材），選擇體積平均 粒徑Ι.Ομιη以上且未達5.0μπι的粉末。相對於導熱塡充材a 、B、C的總含量而言，本發明的液晶聚酯組成物中之導熱 -16- 201120194 塡充材B的含量係5〜4〇體積％。 作爲導熱塡充材C (第3導熱塡充材），使 粒徑5.0 μΐΏ以上3 0.0 μΐΏ以下的粉末。相對於導 、Β、C的總含量而言，本發明的液晶聚酯組成 塡充材C的含量係4〇〜90體積％。 作爲導熱塡充材，其導熱率通常爲l〇W/( ，較佳爲3 0 W/ ( m · K )以上。例如，可使用由 、金屬氮化物及金屬碳化物中選出的一種或二 合物。導熱塡充材宜選自於週期表第II、III、 第7列爲止的元素之氧化物、氮化物及碳化物 例如可使用氧化鈹、氧化鎂、氧化鋁、氧化釔 氮化矽、氮化硼、氮化鋁、碳化矽等的一種類. 從提高導熱率的觀點等來看，作爲導熱塡 c，特佳爲使用氧化鋁或氮化鋁。 導熱塡充材A、B及C可皆由同種的化合物 可由不同種類的化合物所組成。 藉由使用如此的導熱塡充材A、B、C，可 薄膜的導熱率成爲6〜20W/(m.K)。 <其它成分> 如上述，於本實施形態，在液晶聚酯組成 互相不同體積平均粒徑的2種類或3種類之導熱;: 、C。於本實施形態，在液晶性聚酯組成物中 本發明目的之範圍內’亦可含有彼等以外0勺塡 用體積平均 熱塡充材A 物中之導熱 m - K )以上 金屬氧化物 種以上之化 IV屬各自到 。具體地， 、氧化鋅、 以上。 充材A、B、 所組成，亦 使液晶聚酯 物中，含有 眞充材A、B ，於不損害 充材等，例 -17- 201120194 如可含有眾所周知的塡充材、添加劑等。 作爲該塡充材，例如可舉出環氧樹脂粉末、蜜胺樹脂 粉末 '尿素樹脂粉末、胍胺樹脂粉末、苯乙烯樹脂等的有 機系塡料、矽石、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉻、高嶺土、碳 酸鈣、磷酸鈣等的無機塡料等。 作爲添加劑，可舉出眾所周知的偶合劑、沈降防止劑 、紫外線吸收劑、熱安定劑等。 又’於液晶性聚酯組成物中，在不損害本發明目的之 範圍內，亦可含有一種或二種以上的聚丙烯、聚醯胺 '聚 酯、聚苯硫醚、聚醚酮、聚碳酸酯、聚醚碾、聚苯基醚及 其改性物、聚醚醯亞胺等的熱塑性樹脂、甲基丙烯酸縮水 甘油酯與聚酯的共聚物等之彈性體等。 <液晶聚酯薄膜> 本發明中的液晶聚酯薄膜，係可對液晶聚酯溶解在溶 劑中而得之溶液，視需要藉由過濾器等過濾，而去除溶液 中所含有的微細異物後，添加導熱塡充材，將所得之液晶 聚酯組成物，例如藉由輥塗法、浸塗法、噴塗法、旋塗法 、簾幕塗佈法、縫塗法、網版印刷法等的各種手段，表面 平坦且均勻地流延到支持基材（本實施形態中可使用金屬 基底101或金屬箔103)上，然後去除溶劑而得。 溶劑的去除方法係沒有特別的限定，較佳爲藉由溶劑 的蒸發來進行。作爲將該溶劑蒸發之方法，可舉出加熱、 減壓、通風等之方法，其中從生產效率、操作性之點來看 -18- 201120194 ，較佳爲加熱使蒸發者，更佳爲邊通風邊加熱使蒸發者。 作爲此時的加熱條件，較佳爲包含在60〜2 00°C進行1〇分 鐘至2小時的預備乾燥之步驟，與在200〜400°C進行30分 鐘至5小時的熱處理之步驟。 如此所得之液晶聚酯薄膜的厚度係沒有特別的限定， 但從製膜性或機械特性之觀點來看，較佳爲〇_ 5〜500μηι， 從抑制熱阻力的觀點來看，更佳爲200μπι以下。 本發明的液晶聚酯組成物係腐蝕性低、操作容易，使 用該組成物所得之薄膜由於縱向（流延方向）與橫向（相 對於流延方向的直角方向）的異向性小，機械的強度優異 ，而且液晶聚酯本來具有高頻特性、低吸水性等的性能亦 優異，故不僅在本實施形態的電子電路基板，而且在其它 電子零件用的絕緣薄膜，亦非常適宜。 再者，說明書中使用的用語「薄膜」係包含薄片狀的 極薄薄膜至壁厚的薄膜爲止，其形態不僅爲薄片狀，亦包 含瓶狀的容器形態等。 實施例 以下，藉由實施例來顯示本發明的液晶聚酯樹脂組成 物、電子電路基板及其評價結果，惟以本發明不受以下的 實施例所限定。 (1 )液晶聚酯之製造 於具備攪拌裝置、扭矩計、氮氣導入管、溫度計及回 流冷卻器的反應器中，投入1 976g ( 10.5莫耳）2-羥基-6- -19- 201120194 萘甲酸、14 74g( 9.75莫耳）4-羥基乙腈、162 0g( 9.75莫 耳）間苯二甲酸及2374g(23.25莫耳）醋酸酐。以氮氣充 分置換反應器內後，於氮氣流下費15分鐘升溫到150 °C爲 止，保持溫度而使回流3小時》 然後，一邊餾去所餾出的副生成醋酸及未反應的醋酸 酐，一邊費1 7 〇分鐘升溫到3 0 0 °C爲止，將看到扭矩的上升 之時間點視爲反應結束，取出內容物。將所取出的內容物 冷卻到室溫爲止，以粉碎機進行粉碎後，得到比較低分子 量的液晶聚酯之粉末。使用島津製作所流動試驗儀CFT-500來測定所得之粉末流動開始溫度，結果爲23 5°C。藉由 對此液晶聚酯粉末，在氮氣環境下於223 °C施予3小時的加 熱處理，而進行固相聚合。固相聚合後的液晶聚酯之流動 開始溫度爲270°C。 (2 )液晶聚酯溶液之製造 將2200g上述（1 )所得之液晶聚酯加到7800g N，N-二 甲基乙醯胺（DMAc )中，於l〇〇°C加熱2小時，而得到液 晶聚酯溶液。此溶液黏度係3 20cP (厘泊）。此黏度値係 使用B型黏度計（東機產業製，「TVL-20型」，轉子編號 21 (旋轉數爲5rpm)，在23°C的測定溫度測定時之値。 (3)電子電路基板之製造 實施例1 使用體積平均粒徑0.3μιη的球狀α-氧化鋁粉末（住友 化學股份有限公司製“Sumicorundum ΑΑ-0.3”）當作第1導 熱塡充材，使用體積平均粒徑1.5 μηι的球狀氧化鋁粉末 -20- 201120194 (住友化學股份有限公司製“Sumicorundum AA-i.5”）當 作第2導熱塡充材’使用體積平均粒徑18Pm的球狀α-氧化 銘粉末（住友化學股份有限公司製“Sumicorundum ΑΑ-18” )當作第3導熱塡充材。 於上述（2 )所得之液晶聚酯溶液（固體成分22重量％ )中，添加導熱塡充材。此處，相對於液晶聚酯及導熱塡 充材之總和而言’導熱塡充材的塡充量爲70體積％。又， 作爲導熱塡充材’以比例計使用9體積％的第1導熱塡充材 、14體積％的第2導熱塡充材、77體積％的第2導熱塡充材 〇 其次，以離心脫泡機子來攪拌此液晶聚酯組成物5分 鐘後，以200μηι之厚度塗佈在厚度70μΐΏ的銅箔上。接著， 於l〇〇°C使乾燥20分鐘後，在320°C熱處理3小時。藉此，而 得到在表面上形成有銅箔（即導電箔）1〇3的液晶聚酯薄 膜 1 02。 然後，於導熱率140W/(m_K)、厚度2_〇mm的鋁合金 板上，層合上述的液晶聚酯薄膜。此時，使液晶聚酯薄膜 的表面（未形成銅范之面）與銘合金板之表面相接。而且 ，於壓力200kg/cm2、溫度3 40°C下，進行20分鐘的加熱處 理，而使此等鋁合金板與液晶聚酯薄膜進行熱接著，以製 作電子電路基板。 比較例1 除了僅使用第1導熱塡充材當作導熱塡充材以外，與 -21 - 201120194 實施例1同樣地製作電子電路基板。 比較例2 除了僅使用第2導熱塡充材當作導熱塡充材以外，與 實施例1同樣地製作電子電路基板。 比較例3 除了僅使用第3導熱塡充材當作導熱塡充材以外，與 實施例1同樣地製作電子電路基板。 (4 )評價試驗 對於如以上所得之電子電路基板（實施例1及比較例1 〜3 )，進行如以下的評價試驗。 A.導熱率 導熱率係藉由以下的方法求得熱擴散率、比熱及密度 ，進行下式的運算而算出。 導熱率=熱擴散率X比熱X密度 此處，導熱率係由上述各電子電路基板來製作縱 1〇111111><橫1〇111111><厚度0.1111111的樣品，藉由溫度波熱分析法 ，在室溫進行測定。作爲測定裝置，使用ai-Phase公司製 的 ai-Phase Mobile。 比熱係使用差示掃描熱量計（DSC)，藉由與藍寶石 標準物質的比較而測定。 -22- 201120194 又，密度係使用阿基米德法來測定。 B. T剝離強度 作爲T剝離強度試驗’藉由對各電子電路基板的銅箔 103鈾刻加工而形成寬度i〇mm的圖型，測定在垂直方向中 以5 0 m m /分鐘的速度拉剝此銅范圖型之際的強度（τ剝離 強度）。 C.耐焊熱 作爲耐焊熱試驗’將各電子電路基板裁切成縱50mm> 橫50mm的尺寸’去除左半部分的銅范i〇3 (因此尺寸爲 25mmx 50mm )，載置於300 °C的焊料浴上，放置4分鐘。然 後，目視觀察銅箔1 〇 3的起泡或剝落等之外觀不良。 表1中顯示此等評價試驗的結果。 表1 實施例1 比較例1 比較例2 比較例3 導熱率 (W/mk) 8.7 1.8 1.4 2.8 剝離強度 (N/cm) 10 3 7 8 耐焊熱 (300〇Cx4min) 無外觀不良 無外觀不良 無外觀不良 無外觀不良 如表1中所示，實施例1所得之電子電路基板係導熱率 爲8.7W/ ( m.K)之非常高，T剝離強度爲lON/cm，耐焊熱 -23- 201120194 試驗中亦沒有觀察到外觀不良。 比較例ι(導熱塡充材僅爲第1導熱塡充材）所得之電 子電路基板係導熱率爲1 _8W/ ( m · K ) ，T剝離強度爲 3 N/cm，與實施例1比較下爲極低之値。於耐焊熱試驗中， 沒有觀察到外觀不良。 比較例2 (導熱塡充材僅爲第2導熱塡充材）所得之電 子電路基板係導熱率爲1.4W/ ( m_K)，與實施例1比較下 爲極低之値。T剝離強度爲7N/cm，比實施例1還低。於耐 焊熱試驗中，沒有觀察到外觀不良。 比較例3 (導熱塡充材僅爲第3導熱塡充材）所得之電 子電路基板係導熱率爲2.8W/(m_K)，與實施例1比較下 爲極低之値。T剝離強度爲8N/cm，比實施例1還低。於耐 焊熱試驗中，沒有觀察到外觀不良。 由以上的評價結果可知，若依照本發明，可得到導熱 率極高的電子電路基板。 【圖式簡單說明】 圖1係槪念地顯示本發明的一實施形態之電子電路基 板的構造之截面圖。 圖2係槪念地顯示以往的電子電路基板的構造之截面 圖。 【主要元件符號說明】 A、B、C:導熱塡充材 -24- 201120194 100:電子電路基板 1 〇 1 ·'金屬基底 102 :液晶聚酯薄膜 103 :金屬箔 300:電子電路基板 3 0 1 :金屬基底 3 02 :絕緣薄膜 3 03 :導電箔 3 04 :組裝電路

Claims (1)

1. 201120194 七、申請專利範圍： 1 · ~種液晶聚酯組成物，其係含有液晶聚酯、溶劑 與導熱塡充材的液晶聚酯組成物，相對於前述液晶聚酯與 前述導熱塡充材之和而言，前述導熱塡充材的含量係50〜 9〇體積％，而且作爲前述導熱塡充材，含有〇〜20體積％ 的體積平均粒徑0.1 μιη以上且未達1.0 μπι之第1導熱塡充 材、5〜40體積％的體積平均粒徑Ι.Ομπι以上且未達 5.〇μιη之第2導熱塡充材、及40〜90體積％的體積平均粒 徑5.0 μιη以上30.0 μιη以下之第3導熱塡充材。 2.如申請專利範圍第1項之液晶聚酯組成物，其中 前述液晶聚酯具有下式（1)所示的第1構造單位、下式 (2)所示的第2構造單位與下式（3)所示的第3構造單 位，而且前述第1〜第3構造單位對全部構造單位之比， 係前述第1構造單位爲30〜80莫耳％，前述第2構造單位 爲35〜10莫耳％，且前述第3構造單位爲35〜10莫耳％ 9 (1) -O-Arj-CO-(2 ) -CO-Ar2-CO-(3 ) -Χ~Αγ3~Υ~ ΑΓ1 : 1，4-伸苯基、2,6-萘或4,4’-伸聯苯基 Ar2: 1，4-伸苯基、1，3-伸苯基或2,6-萘 Ar3 : 1，4-伸苯基或1,3-伸苯基 X : -NH-Y : -0-或-NH-。 -26- 201120194 3 ·如申請專利範圍第1或2項之液晶聚酯組成物， 其中前述導熱塡充材的一部分或全部係氧化鋁粉末。 4. 如申請專利範圍第1或2項之液晶聚酯組成物， 其中前述導熱塡充材的一部分或全部係氮化鋁粉末。 5. —種電子電路基板，其係具有散熱用基板、設於 該散熱用基板上的絕緣薄膜、與設於該絕緣薄膜上的配線 圖型形成用導電箔之電子電路基板，其前述絕緣薄膜係由 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶聚酯組成物的 流延物中去除溶劑而形成之薄膜。 6 .如申請專利範圍第5項之電子電路基板，其中絕緣 薄膜的導熱率係6〜20W/ ( m · K )。 S -27-