TW201119936A - Metal-salt-containing composition, substrate, and method for producing substrate - Google Patents

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201119936 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用以於基板上形成金屬氧化物膜之 含有金屬鹽之組成物，該含有金屬鹽之組成物係含有金屬 鹽、具有順式構造之多元羧酸、及溶劑（包含水）。又，本發 明關於-種使用此種含有金屬鹽之組成物所得之於表面形 成有金屬複合物膜及金屬氧化物薄膜之基板、以及一種於 表面形成有金屬氧化物薄膜之基板的製造方法。 【先前技術】 u，丨王必双衣囬《扠綱；已 去有濺真空蒸鑛法等氣相法、溶膠凝膠法（S。卜㈣）、 有機酸金屬鹽或有機金屬錯合物之熱分解等溶液法。 、濺鍍法可於基板表面形成緻密且均質的金屬化 合物薄膜’為現在主流之方法 '然而，基板表面= 狀時，要使金屬氧化物薄膜形成於陰影的部分是不可能的。 整，=要：：法係必須要在高真空環境下進行薄膜調 I疋需要費用的方法。又，具有難以獲得结 屬化合物薄膜之課題。與 日日阿之金 有複雜形狀時，要使金屬同地，當基板表面具 不可能的。要使金屬乳化物薄膜形成於陰影的部分是 其次，溶膠凝膠法⑽训除 屬醇鹽等原料的水解彳反應費時之金 制困難、若凝膠化則難以塗佈之課題。冑料化反應控 最後，將有機酸金屬鹽或有機 i屬錯合物熱分解之溶 201119936 液法即使表面為複雜之形狀，亦可於常壓下形成金屬氧 匕物4膜。此方法，因為是僅將為前驅物之有機酸金屬鹽 或有機金屬錯合物溶解於有機溶劑中再以旋塗法等塗佈 於基板上後’纟常壓下空氣中使之熱分解即可形成薄膜， 故為較簡便之方法。然@，卻難以如錢鍍法般形成緻密且 均質之金屬氧化物薄膜’其課題為僅能使用乙酸鹽和醇脑 等有限之原料。 1 專利文獻1 :日本特開2003·267705號公報 專利文獻2:日本特開平9-012976號公報 專利文獻3 :日本特開昭64_1 1977號公報 專利文獻4 :曰本特開平1 1-256342號公報 非專利文獻1:「溶膠«法及有機·無機混成材料」 技術資訊協會、2007年8月31曰、ρ3 ΐ7 【發明内容】 上述先前技術’僅在使用有醇鹽（alkoxide)、乙酸睡等 特定之金屬鹽時]能於基板上製作均勾之金屬氧化：薄 膜。因此’係要求—種可使用更多種類之金屬原料且可易 於製造緻密且均勻之金屬氧化物薄獏之方法。 本發明之目的係提供—種含有金屬鹽之組成物，其 使用大部分的金屬原料，且可用以形成與難法相同程 之緻密且均勻之金屬氧化物被膜。又，本發明之目的係 供-種使用該種含有金屬鹽之組成物所得之於表面 金屬複合物膜之基板、及將該基板進—步加熱所得之於 面形成有金屬複合物膜之基板。進而本發明之目的係提 4 201119936 —種於表面形成有此種金屬複合物膜之基板之製造方法。 本發明人等針對以塗佈法於玻璃 '矽、金屬、陶瓷等 材料所構成之基板形成金屬氧化物薄膜之方法進行努力探 纣、’’σ果發現以特定比率將作為金屬原料之金屬化合物與 至少含有一個順式構造部位之多元羧酸加以混合，再以該 等溶解於含有水之溶劑所成之溶液（含有金屬鹽之組成物） 作為塗佈液，則可於基板上形成緻密且均質之金屬氧化物 薄臈，而完成本發明。 /具體而言，本發明係關於一種含有金屬鹽之組成物， 其係含有金屬鹽、具有_c(cooh)=c(c〇〇h)_之順式構造的 多元羧酸、與溶劑， 相對於金屬鹽之多元羧酸的莫耳比為〇 5以上、4 〇以 下， 水分含量為0.05重量％以上， 係用於藉由塗佈於基板上進行燒成來形《金屬氧化物 薄臈。 又，本發明關於一種於表面形成有金屬複合物膜之基 板，其係將溶液塗佈於基板表面，再以1〇〇t以上25〇tw 下之溫度加熱乾燥，藉此而得， 八中°玄/合液含有金屬鹽、具有 之順式構造的多元羧酸與溶劑，相對於金屬鹽之多元羧酸 的莫耳比為0.5以上4.0以下，水分含量為〇 〇5重量％以上。 又，本發明關於一種表面形成有金屬氧化薄膜之基板 之製造方法，其係具有以下步驟： 201119936 將溶液塗佈於基板表面之塗佈步驟，其中，該溶液含 有金屬鹽、具有_c(cooh)=c(cooh)-之順式構造的多元叛 酸與溶劑’相對於金屬鹽之多元羧酸的莫耳比為〇·5以上 4·0以下’水分含量為0.05重量％以上； 以l〇(TC以上250〇C以下之溫度，將上述溶液加以加熱 乾燥之一次加熱步驟； 將一次加熱步驟後之基板進一步以4〇(rc以上之溫产 加以加熱之二次加熱步驟。 當使用不具有順式構造部位之多元羧酸時，因為基板 上所得之金屬氧化物薄膜的均句性會降低，故確認到順式 構造部位是必要的。又，本發明中之多元㈣的^鍵結 亦可為構成芳香環之碳-碳雙鍵。 凡返，含有金 …--7〜硬暇與； 之溶液（塗佈液），作為溶液之水分含量必須為〇 〇5重量 上°金屬鹽可為水合物’溶劑可為含有水者^塗佈液 只要含有水分為〇.〇5重量y。以上即足夠。 相對於金屬鹽之多元羧酸的添加量若過少’則 二：Γ的均勻性會降低’相反地若過多，則燒成時』 的膜中的有機成分會變得過多，故膜 ’ 因此’相對於金屬鹽之多元緩酸的莫耳比，：:二 I- > 4 π ,Μ -Γ- 干又住马 0.5 上4.0以下，更佳為0.8以上、2 〇以下。 含有金屬鹽之組成物（塗佈液）中之 度）’只要金屬鹽會溶解於溶劑中即 麗、含量 可視所要之金屬氧化物薄膜的膜厚，適當 6 201119936 獲得實用之膜厚的觀點來看’金屬鹽的含量較佳在 0.005m〇l/L 以上、lm〇1/L 以下。 > 3有金屬鹽之組成物，可以塗佈液的形式，利用喷霧、 紅塗*網版印刷、塗抹機（appUeatQr)、棒塗機、輥塗、凹版 塗佈等塗佈法中習知的手法來塗佈於基板上。此時，較佳 係塗佈液配合塗佑丰、、土 室佈手法的特性，以塗佈時之膜厚呈均勻的 方式塗佈。 發月中可使用之溶劑，只要是可安定溶解金屬鹽及 夕元竣酸即足夠，並不特別限定，可舉出例如水、甲醇、 乙醇乙一醇、丙二醇、I3.丙二醇、1，3-丁二醇、3-曱氧 基甲基丁醇、N-甲基料燒嗣、松油醇一等。 上述金屬鹽較佳係選自纟Mg、Ca、Sr、Ba、Π

Zr Hf Nb、Ta、Cr、w、Fe、Ni、Cu、Ag、ZmhGa、

In、Sn及Sb構成之群之i種以上的鹽。 上述金屬鹽較佳係選自由確酸鹽、硫酸鹽、叛酸鹽、 函化物:醇鹽及乙醯丙酮鹽構成之群之丨種以上的金屬鹽。 “多兀羧齩較佳係選自由馬來酸、焦檸檬酸 ⑽_le aeid) '苯二甲酸及苯三甲酸構成之群之^種以上 尤佳為馬來酸，因為分紐 化物薄膜。又，亦:用形成更緻密的金屬氧 ^ , 了藉由一併使用上述多元羧酸的酐、鱼 含水之溶劑，來使得溶液中產生多元叛酸。 ” 又甘本發明係關於—種於表面形成有 基板，其係將由以下方式 扨犋之 膜之美板.隹牟 大斤得之於表面形成有金屬複合物 、土板進一步再以400°c以上之溫度加熱所得者. 201119936 將溶液塗佈於基板表面’再以l〇(rc以上25(rc以下之 溫度加熱乾燥，其中，該溶液含有金屬鹽、具有 -C(COOH) = C(COOH)-之順式構造的多元羧酸與溶劑，相對 於金屬鹽之多元羧酸的莫耳比為〇5以上4〇以下，水分含 量為0.05重量％以上。 本發明之上述目的、其他目的、特徵及優點在參考所 附之圖式下’由以下之較佳實施態樣的詳細說明可明瞭。 本發明可將各種金屬原料應用於塗佈法並以低花費於 基板上製作相較於以往之塗佈法更緻密且均勻之金屬氧化 物薄膜。 【實施方式】 以下參照適當圖式說明本發明之實施形態。 [實施例1] 將硝酸辞六水合物0.8924g(0.003mol)、馬來酸 0-5 221g(〇.〇〇45mol)、3-甲氧基 _3-曱基-1-丁醇（MMB、製品 名索魯菲特發因古雷德（音譯）、kuraray(股）製）7.96g加以混 合’再以超音波浴進行1 〇〜30分鐘超音波處理，調製金屬 鹽含量為0.3mol/L的溶液（含有金屬鹽之組成物），再確認 其之性狀。 接著，將所調製之溶液旋塗於載玻片（玻璃基板）上 (2000rpmx30秒）後’以送風乾燥爐15〇。〇><10分鐘一次加熱 後’進行形成於基板表面之金屬複合物薄膜之外觀觀察。 再以電氣馬弗爐（muffle furnace)以500°C χ30分鐘於空氣中 將基板二次加熱（燒成）後，進行形成於基板表面之金屬氧化 8 201119936 物薄膜的外觀觀察。又，形成於基板表面之金屬複合物薄 膜及金屬氧化物薄膜的膜厚為〇_〇3μπι以上、0.05μπι以下之 範圍。 [實施例2〜46] 改變金屬鹽、多元羧酸、莫耳比、溶劑，進行與實施 例1相同之操作。又’於一次加熱後及二次加熱後進行基 板表面之外觀觀察。將實施例1〜46之組成及觀察結果示於 表1。 又’表1中’所謂莫耳比係指相對於金屬鹽之多元竣 酸的莫耳比。外觀1為一次加熱後之金屬複合物薄膜的外 觀，外觀2為二次加熱後之金屬氧化物薄膜的外觀。破裂 係指二次加熱後之金屬氧化物薄膜中是否有破裂。又實 施例43〜46中，係使用2種金屬硝酸鹽經等莫耳混合而成 之物。 又，表1及後述之表2中之3-甲氧基·3_曱基I 丁醇 (ΜΜΒ)係含有水為0.05重量％左右 201119936 表1 贲施例 金屬 陰離子 多元羧酸 莫耳比 溶劑 溶液水份童 (重量⑽ 1 馬來酸 MMB 4 2 12.5 3 苯二甲酸 4 苯三甲酸 1.5 MMB 4 5 焦檸檬酸 6 馬來酸酐 'MMB/^K=90/10(wtW 12.5 7 κιη ' 86 8 NU3 2 水 84 9 3 81 10 2n 甲醇 11 乙醇 12 乙二醇 4 13 丙二醇 14 η-甲基吡咯烷ΙΪ 15 ch3co〇· 16 乙醯丙酮 水 86 17 Cl 18 Br 19 丁氣基^ 20 Ti 異丙氣基· 21 Mg 22 Ca 23 Sr 24 Ba N〇3 25 y 26 ...........27 Ti *"*2*r… …亍ii:·.’· 馬來酸 28 Hf 1.5 29 Nb 30 Ta 31 Cr 32 W ΜΜΒ 0.08 33 Fe 34 Ni Νϋ3 35 Cu 36 Ag 37 Al 38 Ga 39 In 40 Si ziis* 41 Sn 42 Sb 43 Irr+Sn ν〇3· 44 In+Zn 45 Sn+Zn 46 Sb+Sn 溶液性狀 透明 外觀1 外觀2 破裂 均勻 均勻 無 10 201119936 [比較例1〜1 3 ] 金屬鹽係使用硝酸鋅’改變羧酸等之種類和使用量， 進行與實施例1相同之操作。並進行與實施例1相同之觀 察。將其之結果示於表2。又，形成於基板表面之金屬複合 物薄膜及金屬氧化物薄膜的膜厚為〇·〇5μιη以上、Ιμηι以下 之範圍。 11 201119936

外觀2 發生白濁、破裂| 有不均 發生白濁、破裂 無法塗佈 發生白濁、破裂 無法塗佈 發生白濁、破裂1 外觀1 發生白濁、破裂 有不均 發生白濁、破裂 無法塗佈 1發生白濁、破裂 j 無法塗佈 發生白濁、破裂 溶液性狀 透明 不溶 凝膠化 透明 繼化 透明 溶液水份量 (wt%) 溶劑 MMB i 莫耳比 〇 S卜 ΙΟ 羧酸等 m 馬來酸 苯二甲酸 琥珀酸 琥珀酸醯胺 魅L E- E- 1 1 ! 1 1 ! 則淋消 酲！ 1 i i i 檸檬酸 草酸 ~ΞζΜ'ή"" 乙醯丙酮 陰離子 金屬 C NJ 比較例 cM：co：Trii〇：co：r^-：co：a>；o ί ： ： ： ： ： J 5 丨 丨 丨丨丨 丨 丨 { 丨 CJ CO 201119936 實施例1〜46中，將具有-C(COOH) = C(COOH)-之順式構 造的多元缓酸以相對於金屬鹽為15肖的莫耳比加以混合 使之’合解於溶劑’每-實施例中溶液(含有金屬鹽之組成物) Z狀為透明之液體。因此，可利用旋塗均勾塗佈於載玻 上。又，形成於一次乾燥後之基板上之金屬複合物薄膜 均勻且未確認到白濁或破裂。 另方面，比較例7〜9、1 1、12中，即使將金屬鹽與 羧馱等和,合劑加以混合，亦無法使之溶解，或無法馬上成 為凝膠狀利用旋塗塗佈於載玻片上…該等以外的比較 ^中雖成為透明之溶液，但觀察一次加熱後之基板，薄 膜白濁或於表面發生不均勻。此種基板在二次加熱後亦為 相同狀態。 (一次乾燥後所形成之金屬複合物） 此處，將硝酸鋅六水合物〇 8924g(〇 〇〇3m〇1)、馬來酸 a’5221g((K_5m〇1)、曱醇7g、水lg加以混合以超音波 冷進行10〜30分鐘處理使之溶解。其後，藉由使溶劑蒸發 獲侍淡白色之粉體。將該粉體以1 5(TC加熱10分鐘，則粉體 的顏色變成黄色〜茶色。 將此黄色〜茶色之粉體溶於CDC13溶液，測定1H-NMR 光4並未出現峰。另一方面’溶於d2〇溶液，同樣地測定 1H NMR光5普則於化學位移（chemical shift)之位置觀測到峰， 與僅馬來酸之NMR光譜相比，為低磁場位移。 當殘留有未與鋅鍵結之馬來酸時，因為馬來酸會溶解 於CDCh溶液，故在CDCh溶液中溶解有黄色〜茶色之上述 13 201119936 粉體所成之試樣應該會觀測到馬來酸之NMR光譜。然而並 未觀察到馬來酸之NMR光错，故從溶於D2Q溶液時之光譜 的化學位移狀況來思考，推測上述粉體為鋅：馬來酸十ι 之錯合物。 又，針對將鋅以外之2價金屬鹽、具有 -qCOOH^CHCOOH)-之順式構造的馬來酸以外之多元羧酸 溶解於溶劑而成之溶液進行與上述相同之探討，結果觀測 到推測為金屬：馬來酸: i之錯合物之NMR光譜的化學 位移。因此，推測-次乾燥步驟後，於基板表面形成了下 式所f示金屬複合物之薄膜。又，下記式中河為2價金屬。

(基板表面之電子顯微鏡照片） .、將實施例1中所製作之基板之一次加熱後基板表面（旋 塗有塗佈液之面）的掃描型電子顯微鏡（SEM)照片示於圖 1。又’將比較例1、4、5中所製作之基板之一次加熱後基 板表面（旋塗有塗佈液之面）的SEM照片分別示於圖2、3、4。 確認到實施例1之基板表面為均勻，形成有緻密之金 屬複5物4膜。另一方面，確認到比較例1之基板有凝集 體的形成及形成有緻密度低之膜，比較例4之基板確認到 凝集體的形成，比較例5之基板確認到凝集體的形成，而 並無法形成均勻、緻密的膜。 又，將實施例1中所製作之基板的二次加熱後基板表 14 201119936 面（旋塗有塗佈液之面）的掃描型電子顯微鏡（SEM)照片示於 圖5。又’將比較例1、4、5中所製作之基板的二次加熱後 基板表面（旋塗有塗佈液之面）的SEM照片分別示於圖6、 Ί、％。 確遇到實施例1之基板表面為均勻，形成有緻密之金 屬氧化物薄骐。另一方面，確認到比較例1、4、5之基板 不均勻’有多處破裂’未確認到有作為形成有金屬氧化物 薄膜之基板的實用價值。 (二次加熱溫度） 二次加熱必須為400°C以上之溫度，上述實施例為 500°C。二次加熱之上限溫度較佳係依據基板之耐熱溫度來 決定。例如若為耐熱溫度低於載玻片之基板的話，較佳係 以接近400 C之溫度進行二次加熱，相反地若為耐熱溫度高 於載玻片之基板的話，則可以接近基板耐熱溫度之高溫進 4亍二次加熱。 (一次加熱之效果） [比較例14] 將所调製之溶液旋塗於載玻片上後，不以送風乾燥爐 進行150°〇10分鐘加熱’而是以電氣馬弗爐以5〇〇〇Cx3() 分鐘在空氣中將基板加以加熱（燒成），除此之外係進行與實 施例1全部相同之操作，再觀察形成於基板表面之金屬氧 化物薄膜的外觀。亦即，實施例1中省略一次加熱而於基 板上形成金屬氧化物薄膜。 外觀觀察比較例14之基板表面（旋塗有塗佈液之面）的 15 201119936 釔果，雖然可一定程度地見到均勻性，但整體發生了斑狀 痕。因此，未確認到作為形成有金屬氧化物薄膜之基板的 實用價值。又，將比較例14之薄膜表面的電子顯微鏡照片 示於圖9。由SEM照片確認到細微的破裂發生。 由實施例1與比較例丨4之比較來看，確認到即使塗佈 相同的塗佈液於基板上，但若未以一定之溫度順序進行一 次加熱及二次加熱的話，則無法於基板上形成緻密且均勻 之金屬氧化物薄膜。 (水含量之影響） [比較例15] 水分含量為0.03重量％，除此之外進行與實施例丨完 全相同之操作。又，進行與實施例丨相同之外觀觀察及se^ 照片攝影。觀察外觀之結果，雖為一定程度均勻，但見了 SEM照片，則確認到於整面發生細微的破裂。又，將比較 例15之基板表面（旋塗有塗佈液之面）的SEM照片示於 10 〇 由實施例1與比較例15之比較，確認到若於塗佈液中 不含水分，則無法於基板上形成緻密且均勻之金屬氧化物 薄膜。 由上述說明，對於本發明所屬技術領域中具有通常知 識者而言，可明瞭本發明之許多改良和其他實施形態。因 此，上述說明應僅解釋成是舉例，係提供來用以教示本發 明所屬技術領域中具有通常知識者實行本發明之最佳態 樣。可於不超出本發明之精神下，實f上變更其之詳細構 16 201119936 造及/或機能。 (產業利用性） 本發明之含有金屬鹽之組成物、基板、基板之製造方 法係有用於具有塗膜、透明導電性膜之基板之製造等、半 導體領域等。 【圖式簡單說明】 圖1係實施例1之一次加熱後之基板表面的SEM照片。 圖2係比較例1之一次加熱後之基板表面的SEM照片。 圖3係比較例4之一次加熱後之基板表面的SEM照片。 圖4係比較例5之一次加熱後之基板表面的SEM照片。 圖5係實施例1之二次加熱後之基板表面的SEM照片。 圖6係比較例1之二次加熱後之基板表面的SEM照片。 圖7係比較例4之二次加熱後之基板表面的δΕΜ照片。 圖8係比較例5之二次加熱後之基板表面的SEM照片。 圖9係比較例1 4之基板表面的SEM照片。 圖1 0係比較例1 5之基板表面的SEM照片。 【主要元件符號說明】 無 17

Claims (1)

1. 201119936 七、申請專利範圍： -種!1 金屬鹽之組成物’其係含有金屬鹽 具有 -C(C〇〇H)=C(CO叫之順式構造的；：：：屬鹽' 也， 少70幾酸與溶劍， 相對於金屬鹽之多元㈣的h 下， q υ.5以上、4.0以 水分含量為0.05重量％以上， 係用於藉由塗佈於基板上進行 薄膜。 心双果形成金屬氧化物 2. 如申請專㈣圍第！項之含有金屬鹽之 中，該金屬鹽係選自由Mg、Ca、Sr 八 Nb、Ta、Cr、w、Fe、Ni'Cu、Ag、z:/Ai、7，、 及Sb構成之群之i種以上的鹽。 a In、Sn 3. 如申請專利範圍第i項之含有金屬鹽之組成物，其 中，該金屬鹽係選自由确酸鹽、硫酸鹽、紋酸鹽、函化物、、 醇鹽及乙醯丙酮鹽構成之群之1種以上的金屬鹽。 4. 如申請專利範圍第1項之含有金屬鹽之1成物，其 中，該多元缓酸係選自由馬來酸、焦摔樣酸、苯二甲酸及 苯三甲酸構成之群之1種以上。 士申明專利範圍第1項之含有金屬鹽之組成物，其 中。亥金屬鹽之含量為〇.〇〇5mol/L以上、im〇i/L以下。 6.種於表面形成有金屬複合物膜之基板，係將溶液 塗佈於基板表面，再以1〇〇。(：以上25(TC以下之溫度加熱乾 燥而知’其中该溶液含有金屬鹽、具有_c(c〇〇H) = c(c〇〇H)_ 之順式構造的多元羧酸與溶劑，相對於金屬鹽之多元羧酸 18 201119936 水分含I為〇·〇5重量％以 的莫耳比為0.5以上、4〇以下 上。 7. 如申請專利範圍第6項之基板，其中，該金屬鹽係 選自由 Mg、Ca、Sr、Ba、γ、Ti、以、Hf、Nb、^、 W、Fe、Ni、Pn a ' Ag、Zn、A卜 Ga、In、Sn 及 Sb 構成之 群之1種以上的鹽。 8. 如申請專利範圍第6項之基板，其中，該金屬鹽係 選自由硝酸鹽 '硫酸鹽、羧酸鹽、齒化物、醇鹽及乙醯丙 酮鹽構成之群之1種以上的金屬鹽。 9. 如申請專利範圍第6項之基板，其中，該多元羧酸 係選自由馬來酸、焦擰檬酸、苯二曱酸及笨三甲酸構成之 群之1種以上。 10·如申請專利範圍第6項之基板，其中，該金屬鹽之 含 $ 為 0.005m〇l/L 以上、lm〇1/L 以下。 —種於表面形成有金屬氧化物膜之基板，其係將申 °月專利範圍第6項之基板進一步以400 °C以上之溫度加熱所 得。 12·—種表面形成有金屬氧化薄膜之基板之製造方 法’其係具有以下步驟： 將溶液塗佈於基板表面之塗佈步驟，其中該溶液含有 金屬鹽、具有-C(C00H)=C(C00H)-之順式構造的多元竣酸 與溶劑’相對於金屬鹽之多元羧酸的莫耳比為〇·5以上4 〇 以下’水分含量為〇.〇5重量％以上； 以lOOt以上250t以下之溫度將該溶液加以加熱乾燥 19 201119936 之一次加熱步驟； 將一次加熱步驟後之基板進一步以400°C以上之溫度 加以加熱之二次加熱步驟。 13. 如申請專利範圍第12項之基板之製造方法，其 中，該金屬鹽係選自由Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、 Nb、Ta、Cr、W、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、A卜 Ga、In、Sn 及Sb構成之群之1種以上的鹽。 14. 如申請專利範圍第12項之基板之製造方法，其 中，該金屬鹽係選自由硝酸鹽、硫酸鹽、羧酸鹽、鹵化物、 醇鹽及乙醯丙酮鹽構成之群之1種以上之金屬鹽。 1 5.如申請專利範圍第12項之基板之製造方法，其 中，該多元羧酸係選自由馬來酸、焦檸檬酸、苯二曱酸及 苯三曱酸構成之群之1種以上。 16.如申請專利範圍第12項之基板之製造方法，其 中，該溶液中之該金屬鹽的含量為〇.〇〇5mol/L以上' 1 mol/L 以下。 八、圖式. (如次頁） 20