JPWO2011036730A1 - 金属塩含有組成物、基板、基板の製造方法 - Google Patents
金属塩含有組成物、基板、基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2011036730A1 JPWO2011036730A1 JP2010537179A JP2010537179A JPWO2011036730A1 JP WO2011036730 A1 JPWO2011036730 A1 JP WO2011036730A1 JP 2010537179 A JP2010537179 A JP 2010537179A JP 2010537179 A JP2010537179 A JP 2010537179A JP WO2011036730 A1 JPWO2011036730 A1 JP WO2011036730A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal salt
- substrate
- metal
- carboxylic acid
- polyvalent carboxylic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G25/00—Compounds of zirconium
- C01G25/02—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
- C01B13/32—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation or hydrolysis of elements or compounds in the liquid or solid state or in non-aqueous solution, e.g. sol-gel process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
- C01G19/02—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G3/00—Compounds of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G3/00—Compounds of copper
- C01G3/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G33/00—Compounds of niobium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G37/00—Compounds of chromium
- C01G37/02—Oxides or hydrates thereof
- C01G37/027—Chromium dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G39/00—Compounds of molybdenum
- C01G39/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G49/00—Compounds of iron
- C01G49/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G53/00—Compounds of nickel
- C01G53/04—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G9/00—Compounds of zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G9/00—Compounds of zinc
- C01G9/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1283—Control of temperature, e.g. gradual temperature increase, modulation of temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
- C01P2006/82—Compositional purity water content
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
金属塩と、
−C(COOH)=C(COOH)−のシス型構造を有する多価カルボン酸と、
溶媒と、
を含有する金属塩含有組成物であって、
金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5以上4.0以下であり、
水分含有量が0.05重量%以上であり、
基板上に塗布して焼成することにより金属酸化物薄膜を形成するために用いる、金属塩含有組成物に関する。
金属塩と、
−C(COOH)=C(COOH)−のシス型構造を有する多価カルボン酸と、
溶媒とを含有し、
金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5以上4.0以下であり、水分含有量が0.05重量%以上である溶液を基板表面に塗布し、100℃以上250℃以下の温度で加熱乾燥することにより得られる、金属複合体膜を表面に形成した基板に関する。
金属塩と、
−C(COOH)=C(COOH)−のシス型構造を有する多価カルボン酸と、
溶媒とを含有し、金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5以上4.0以下であり、水分含有量が0.05重量%以上である溶液を基板表面に塗布する塗布工程と、
100℃以上250℃以下の温度で前記溶液を加熱乾燥する一次加熱工程と、
一次加熱工程後の基板をさらに400℃以上の温度で加熱する二次加熱工程と、
を有する金属酸化薄膜を表面に形成した基板の製造方法に関する。
金属塩と、
−C(COOH)=C(COOH)−のシス型構造を有する多価カルボン酸と、
溶媒とを含有し、
金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5以上4.0以下であり、水分含有量が0.05重量%以上である溶液を基板表面に塗布し、100℃以上250℃以下の温度で加熱乾燥することにより得られる、金属複合体膜を表面に形成した基板を、さらに400℃以上の温度で加熱することにより得られる、金属酸化物膜を表面に形成した基板に関する。
硝酸亜鉛六水和物 0.8924g(0.003mol)、マレイン酸 0.5221g(0.0045mol)、3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノール(MMB、製品名ソルフィットファイングレード、クラレ(株)製) 7.96gを混合し、超音波バスで10〜30分間超音波処理して金属塩の含有量が0.3mol/Lの溶液(金属塩含有組成物)を調製し、その性状を確認した。
金属塩、多価カルボン酸、モル比、溶媒を変え、実施例1と同様の操作を行った。また、一次加熱後及び二次加熱後に基板表面の外観観察を行った。実施例1〜46の組成及び観察結果を、表1に示す。
金属塩として硝酸亜鉛を使用し、カルボン酸等の種類や使用量を変え、実施例1と同様の操作を行った。また、実施例1と同様の観察を行った。その結果を、表2に示す。なお、基板表面に形成される金属複合体薄膜及び金属酸化物薄膜の膜厚は、0.05μm以上1μm以下の範囲であった。
ここで、硝酸亜鉛六水和物 0.8924g(0.003mol)、マレイン酸 0.5221g(0.0045mol)、メタノール 7 g、水1gを混合し、超音波バスで10〜30分間処理することにより溶解させた。その後、溶媒を蒸発させることで淡白色の粉体が得られた。この粉体を150℃で10分間加熱すると、粉体の色が黄色〜茶色に変色した。
実施例1で作製した基板の、一次加熱後の基板表面(塗布液をスピンコートした面)の走査型電子顕微鏡(SEM)写真を、図1に示す。また、比較例1、4、5で作製した基板の、一次加熱後の基板表面(塗布液をスピンコートした面)のSEM写真を、それぞれ図2、3、4に示す。
二次加熱は、400℃以上の温度とする必要があり、上記実施例では500℃とした。二次加熱の上限温度は基板の耐熱温度によって決めることが好ましい。例えば、スライドグラスより耐熱温度が低い基板であれば400℃に近い温度で二次加熱することが好ましく、逆にスライドグラスよりも耐熱温度が高い基板であれば、基板の耐熱温度に近い高温で二次加熱することが可能である。
[比較例14]
調製した溶液を、スライドガラス上にスピンコートした後、送風乾燥炉にて150℃×10分間加熱することなく、電気マッフル炉で500℃×30分間空気中で基板を加熱(焼成)した以外は、すべて実施例1と同様の操作を行い、基板表面に形成された金属酸化物薄膜の外観を観察した。すなわち、実施例1において一次加熱を省略して基板上に金属酸化物薄膜を形成させた。
[比較例15]
水分含有量を0.03重量%とした以外は、すべて実施例1と同様の操作を行った。また、実施例1と同様の外観観察及びSEM写真撮影を行った。外観を観察したところ、ある程度均一であったが、SEM写真を見ると、細かいクラックが全面に発生していることが確認された。なお、比較例15の基板表面(塗布液をスピンコートした面)のSEM写真を、図10に示す。
Claims (16)
- 金属塩と、
−C(COOH)=C(COOH)−のシス型構造を有する多価カルボン酸と、
溶媒と、
を含有する金属塩含有組成物であって、
金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5以上4.0以下であり、
水分含有量が0.05重量%以上であり、
基板上に塗布して焼成することにより金属酸化物薄膜を形成するために用いる、金属塩含有組成物。 - 前記金属塩がMg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、W、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Al、Ga、In、Sn及びSbからなる群より選択される1種以上の塩である請求項1に記載の金属塩含有組成物。
- 前記金属塩が硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物、アルコキシド及びアセチルアセトン塩からなる群から選択される1種以上の金属塩である請求項1に記載の金属塩含有組成物。
- 前記多価カルボン酸がマレイン酸、シトラコン酸、フタル酸及びトリメリット酸からなる群より選択される1種以上である請求項1に記載の金属塩含有組成物。
- 前記金属塩の含有量が0.005mol/L以上1mol/L以下である請求項1に記載の金属塩含有組成物。
- 金属塩と、
−C(COOH)=C(COOH)−のシス型構造を有する多価カルボン酸と、
溶媒とを含有し、
金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5以上4.0以下であり、水分含有量が0.05重量%以上である溶液を基板表面に塗布し、100℃以上250℃以下の温度で加熱乾燥することにより得られる、金属複合体膜を表面に形成した基板。 - 前記金属塩がMg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、W、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Al、Ga、In、Sn及びSbからなる群より選択される1種以上の塩である請求項6に記載の基板。
- 前記金属塩が硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物、アルコキシド及びアセチルアセトン塩からなる群から選択される1種以上の金属塩である請求項6に記載の基板。
- 前記多価カルボン酸がマレイン酸、シトラコン酸、フタル酸及びトリメリット酸からなる群より選択される1種以上である請求項6に記載の基板。
- 前記金属塩の含有量が0.005mol/L以上1mol/L以下である請求項6に記載の基板。
- 請求項6に記載の基板を、さらに400℃以上の温度で加熱することにより得られる、金属酸化物膜を表面に形成した基板。
- 金属塩と、
−C(COOH)=C(COOH)−のシス型構造を有する多価カルボン酸と、
溶媒とを含有し、金属塩に対する多価カルボン酸のモル比が0.5以上4.0以下であり、水分含有量が0.05重量%以上である溶液を基板表面に塗布する塗布工程と、
100℃以上250℃以下の温度で前記溶液を加熱乾燥する一次加熱工程と、
一次加熱工程後の基板をさらに400℃以上の温度で加熱する二次加熱工程と、
を有する金属酸化薄膜を表面に形成した基板の製造方法。 - 前記金属塩がMg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、W、Fe、Ni、Cu、Ag、Zn、Al、Ga、In、Sn及びSbからなる群より選択される1種以上の塩である請求項12に記載の基板の製造方法。
- 前記金属塩が硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物、アルコキシド及びアセチルアセトン塩からなる群から選択される1種以上の金属塩である請求項12に記載の基板の製造方法。
- 前記多価カルボン酸がマレイン酸、シトラコン酸、フタル酸及びトリメリット酸からなる群より選択される1種以上である請求項12に記載の基板の製造方法。
- 前記溶液における前記金属塩の含有量が0.005mol/L以上1mol/L以下である請求項12に記載の基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2009/004912 WO2011036730A1 (ja) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | 金属塩含有組成物、基板、基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4635116B1 JP4635116B1 (ja) | 2011-02-23 |
JPWO2011036730A1 true JPWO2011036730A1 (ja) | 2013-02-14 |
Family
ID=43768666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010537179A Expired - Fee Related JP4635116B1 (ja) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | 金属塩含有組成物、基板、基板の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8999450B2 (ja) |
EP (1) | EP2484633B1 (ja) |
JP (1) | JP4635116B1 (ja) |
KR (1) | KR101315268B1 (ja) |
CN (1) | CN102548895B (ja) |
TW (1) | TWI473759B (ja) |
WO (1) | WO2011036730A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012144384A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Tokyo Institute Of Technology | 導電性酸化亜鉛膜の製造方法 |
MA35368B1 (fr) | 2013-01-09 | 2014-09-01 | Taibah University | Méthode de synthèse de précurseurs pour la production de l'oxyde de molybdène moo3 et de matériaux conséquents |
TWI537213B (zh) * | 2014-09-15 | 2016-06-11 | 許國明 | 氧化銦奈米柱及其製造方法 |
US10241409B2 (en) * | 2015-12-22 | 2019-03-26 | AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. | Materials containing metal oxides, processes for making same, and processes for using same |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5126932B1 (ja) | 1971-03-12 | 1976-08-10 | ||
JPS57200209A (en) | 1981-06-03 | 1982-12-08 | Hitachi Ltd | Composition for forming metal oxide coating and the process for forming the same |
JPS6411977A (en) | 1987-07-03 | 1989-01-17 | Kanegafuchi Chemical Ind | Production of thin film of oxide superconductive compound |
JPH0542048Y2 (ja) | 1987-07-14 | 1993-10-22 | ||
JP2644777B2 (ja) | 1987-11-11 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | モジュール連携テスト方法 |
US5273776A (en) | 1991-12-06 | 1993-12-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for forming thermistor thin film |
JPH0912976A (ja) | 1995-07-04 | 1997-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 誘電体保護膜形成用ペースト |
JP3007961B2 (ja) | 1998-03-13 | 2000-02-14 | 工業技術院長 | 金属酸化物薄膜の製造方法 |
JP3870776B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2007-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 金属酸化物薄膜用組成物及びパターン状金属酸化物薄膜の製造方法 |
JP4287124B2 (ja) | 2002-01-11 | 2009-07-01 | 株式会社日本触媒 | 金属酸化物被着体およびその製造方法 |
CN1293128C (zh) * | 2002-04-23 | 2007-01-03 | 株式会社吴羽 | 薄膜及其制造方法 |
JP4323156B2 (ja) | 2002-06-19 | 2009-09-02 | 株式会社日本触媒 | 微粒子含有金属酸化物膜およびその形成方法 |
JP2004359532A (ja) | 2003-04-09 | 2004-12-24 | Jsr Corp | タンタル酸化物膜形成用組成物、タンタル酸化物膜およびその製造方法 |
JP2005029408A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Nippon Shokubai Co Ltd | 金属酸化物膜の形成方法 |
JP5080816B2 (ja) * | 2007-01-09 | 2012-11-21 | 株式会社Adeka | 塗布液組成物および該塗布液組成物を用いる金属酸化物膜の製造方法 |
-
2009
- 2009-09-28 JP JP2010537179A patent/JP4635116B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-28 KR KR1020127010069A patent/KR101315268B1/ko active IP Right Grant
- 2009-09-28 EP EP09849761.3A patent/EP2484633B1/en not_active Not-in-force
- 2009-09-28 US US13/498,563 patent/US8999450B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-28 CN CN200980161771.6A patent/CN102548895B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-28 WO PCT/JP2009/004912 patent/WO2011036730A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-08-19 TW TW99127640A patent/TWI473759B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102548895B (zh) | 2015-09-30 |
TW201119936A (en) | 2011-06-16 |
EP2484633A4 (en) | 2014-01-22 |
US20120230900A1 (en) | 2012-09-13 |
EP2484633B1 (en) | 2016-12-21 |
JP4635116B1 (ja) | 2011-02-23 |
KR101315268B1 (ko) | 2013-10-08 |
CN102548895A (zh) | 2012-07-04 |
EP2484633A1 (en) | 2012-08-08 |
TWI473759B (zh) | 2015-02-21 |
WO2011036730A1 (ja) | 2011-03-31 |
US8999450B2 (en) | 2015-04-07 |
KR20120073282A (ko) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10258252A (ja) | Bi系強誘電体薄膜形成用塗布液およびこれを用いて形成した強誘電体薄膜、強誘電体メモリ | |
JP4635116B1 (ja) | 金属塩含有組成物、基板、基板の製造方法 | |
TWI548640B (zh) | A zinc oxide film forming composition, and a method for producing a zinc oxide film | |
KR101289950B1 (ko) | 니오브 2-에틸헥사노에이트 유도체, 그 유도체의 제조방법, 그 유도체를 함유하는 유기산 금속염 조성물, 및 그조성물을 이용한 박막의 제조 방법 | |
KR20080033106A (ko) | 도포액 및 이 도포액을 이용한 티탄산계 세라믹스막의제조방법 | |
JP6887770B2 (ja) | Pzt強誘電体膜の形成方法 | |
KR100304408B1 (ko) | Bi계 유전체 박막형성용 도포액 및 이것을 사용하여 형성한 유전체 박막, 유전체 메모리 및 이들의 제조방법 | |
TW200536785A (en) | Coating solutions for use in forming bismuth-based paraelectric or ferroelectric thin films, and bismuth-based paraelectric or ferroelectric thin films | |
JP2014154825A (ja) | LaNiO3薄膜形成用組成物及びこの組成物を用いたLaNiO3薄膜の形成方法 | |
US6086957A (en) | Method of producing solution-derived metal oxide thin films | |
JP2012136487A (ja) | セラミックス膜形成用組成物の製造方法、圧電セラミックス膜及び2−エチルヘキサン酸ビスマスの製造方法 | |
KR101531606B1 (ko) | 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막 | |
US20010022990A1 (en) | Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films and a method of forming bismuth-based ferroelectric thin films using the coating solutions | |
JP2019099775A (ja) | 平坦化膜形成用塗布液およびその製造方法、ならびに平坦化膜付き金属箔コイルおよびその製造方法 | |
KR20140078543A (ko) | 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막 | |
JPH1087329A (ja) | Ti系複合金属酸化膜形成用塗布液及びこれを用いて形成した誘電体薄膜 | |
WO2015056587A1 (ja) | LaNiO3薄膜形成用組成物及びこの組成物を用いたLaNiO3薄膜の形成方法 | |
JP2010113989A (ja) | 薄膜導電膜の形成方法 | |
JP4932183B2 (ja) | 有機酸金属塩組成物及び該組成物を用いた薄膜の製造方法 | |
JP2019099774A (ja) | 平坦化膜形成用塗布液およびその製造方法、ならびに平坦化膜付き金属箔コイルおよびその製造方法 | |
JPH0559995B2 (ja) | ||
JP3984400B2 (ja) | 透明導電膜形成用塗布液、透明導電膜およびその製造方法 | |
JPH0570122A (ja) | 透明酸化アルミニウム前駆体ゲル状物からの薄膜製造方法 | |
JPH06115908A (ja) | サーミスタ薄膜の形成方法 | |
JP2004339057A (ja) | Bi系強誘電体薄膜形成用塗布液およびこれを用いたBi系強誘電体薄膜の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20101111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101116 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4635116 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |