KR20120073282A - 금속염 함유 조성물, 기판 및 기판의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 많은 금속 원료에 응용 가능하고, 스퍼터링법과 같은 정도의 치밀하고 균일한 금속산화물 피막을 형성하기 위하여 사용할 수 있는 금속염 함유 조성물, 상기 금속염 함유 조성물을 사용하여 얻어지는 금속복합체 막을 표면에 형성한 기판 및 상기 기판을 더 가열함으로써 얻어지는 금속복합체 막을 표면에 형성한 기판의 제공을 목적으로 한다. 또한 본 발명은 그와 같은 금속복합체 막을 표면에 형성한 기판의 제조 방법의 제공을 목적으로 한다. 본 발명에서는 금속염, 시스형 구조를 가지는 다가 칼본산 및 용매를 함유하는 금속염 함유 조성물로, 금속염에 대한 다가 칼본산의 몰비가 0.5 이상 4.0 이하이고, 수분 함유량 0.05 중량% 이상인 금속염 함유 조성물을 도포법에 사용하여 기판 상에 도포한다. 그 후에 2단계의 가열 처리를 한다.
Description
본 발명은 기판 상에 금속산화물 막을 형성하기 위하여 사용하는 금속염 함유 조성물로, 금속염, 시스(cis)형 구조를 가지는 다가(多價) 칼본산 및 용매(물을 포함)를 함유하는 금속염 함유 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이 금속염 함유 조성물을 사용하여 얻어지는 금속복합체 막 및 금속산화물 박막이 표면에 형성된 기판 및 금속산화물 박막이 표면에 형성된 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
여러 가지의 금속화합물 박막을 각종 기판 표면에 코팅(coating)하는 기술로서, 스퍼터링(sputtering)법, 진공증착법 등의 기상법, 졸-겔(sol-gel)법, 유기산 금속염 또는 유기금속착체의 열분해 등에 의한 용액법이 알려져 있다.
먼저, 스퍼터링법은 치밀하고 균질한 금속화합물 박막을 기판 표면에 형성하는 것이 가능하며, 현재 주류의 방법이다. 그러나 기판 표면이 복잡하게 얽힌 형상을 갖는 경우, 음영진 부분에 금속산화물 박막을 형성시키는 것은 불가능하다.
다음에, 기상법은 고진공 분위기 하에서 박막을 조정할 필요가 있고, 비용(cost)이 소요되는 수법이다. 또한, 결정성이 높은 금속화합물 박막은 얻기 어렵다는 문제점을 가진다. 또한, 스퍼터링법과 마찬가지로, 기판 표면이 복잡하게 얽힌 형상을 갖는 경우, 그림자(影)가 되어 있는 부분에 금속산화물 박막을 형성시키는 것은 불가능하다.
다음으로, 졸겔법은 반응에 시간이 소요되는 금속알콕시드 등 원료의 가수분해, 중축합과정을 필요로 하는 외에 겔(gel)화 반응 제어가 어렵고 겔화해버리면 도포하기 어렵다는 문제가 있다.
마지막으로, 유기산 금속염 또는 유기금속 착체가 열분해하는 용액법은, 표면이 복잡하게 얽힌 형상이더라도 상압 하에서 금속산화물 박막을 형성하는 것이 가능하다. 이 방법은, 전구체가 되는 유기산 금속염 또는 유기금속 착체를 유기 용매로 용해하고 스핀코팅(spin coating) 등으로 기판 상에 도포한 후, 상합 하의 공기 중에서 열분해시키는 것만으로 박막을 형성시킬 수 있기 때문에, 비교적 간편한 방법이다. 그러나 스퍼터링법과 같이, 치밀하고 균질한 금속산화물 박막을 형성하는 것은 곤란하며, 아세트산염이나 알콕시드 등 제한된 원료에 대해서만 응용 가능하다는 문제가 있다.
「졸-겔법 및 유기-무기 하이브리드 재료」기술정보협회, 2007년 8월 31일, p3-17
상술한 종래 기술에서는, 알콕시드, 아세트산염 등 특정한 금속염을 사용했을 때에만, 기판 상에 균일한 금속산화물 박막을 제조하는 것이 가능하였다. 이 때문에, 보다 많은 종류의 금속 원료를 사용할 수 있고, 치밀하고 균일한 금속산화물 박막을 용이하게 제조할 수 있는 방법이 요구되고 있었다.
본 발명은, 많은 금속 원료에 응용 가능하며, 또한 스퍼터링법과 같은 정도의 치밀하고 균일한 금속산화물 피막을 형성하기 위하여 사용할 수 있는 금속염 함유 조성물의 제공을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 이 금속 함유 조성물을 사용하여 얻어지는 금속복합체 막을 표면에 형성한 기판, 상기 기판을 더 가열함으로써 얻어지는 금속복합체 막을 표면에 형성한 기판의 제공을 목적으로 한다. 이에 더하여, 본 발명은 이 금속복합체 막을 표면에 형성한 기판의 제조 방법의 제공을 목적으로 한다.
본 발명자들은 유리, 실리콘, 금속, 세라믹 등의 재료로 구성되는 기판에 도포법에 의해 금속산화물 박막을 형성시키는 방법에 관하여 예의 검토한 결과, 금속 원료가 되는 금속화합물 및 시스형 구조 부위를 적어도 1개 함유하는 다가 칼본산을 특정 비율로 혼합하고, 물을 함유한 용매에 이들을 용해시킨 용액(금속염 함유 조성물)을 도포액으로 하면, 기판 상에 치밀하고 균질한 금속산화물 박막을 형성 가능하다는 것을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
구체적으로, 본 발명은,
금속염,
-C(COOH)=C(COOH)-의 시스형 구조를 가지는 다가 칼본산, 및
용매를
함유하는 금속염 함유 조성물로,
금속염에 대한 다가 칼본산의 몰비가 0.5 이상 4.0 이하이고,
수분 함유량이 0.05 중량% 이상이고,
기판 상에 도포하여 소성함으로써 금속산화물 박막을 형성하기 위하여 사용되는 금속염 함유 조성물에 관한 것이다.
또한, 본 발명은,
금속염,
-C(COOH)=C(COOH)-의 시스형 구조를 가지는 다가 칼본산, 및
용매를 함유하고,
금속염에 대한 다가 칼본산의 몰비가 0.5 이상 4.0 이하이고, 수분 함유량이 0.05 중량% 이상인 용액을 기판 표면에 도포하고, 100℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 가열 건조함으로써 얻어지는, 금속복합체 막이 표면에 형성된 기판에 관한 것이다.
또한, 본 발명은,
금속염,
-C(COOH)=C(COOH)-의 시스형 구조를 가지는 다가 칼본산, 및
용매를 함유하고, 금속염에 대한 다가 칼본산의 몰비가 0.5 이상 4.0 이하이고, 수분 함유량이 0.05 중량% 이상인 용액을 기판 표면에 도포하는 도포공정,
100℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 상기 용액을 가열 건조하는 1차 가열공정, 및
1차 가열공정 후의 기판을 400℃ 이상의 온도에서 더 가열하는 2차 가열공정을 포함하는 금속산화물 박막이 표면에 형성된 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
시스형 구조 부위를 갖지 않은 다가 칼본산을 사용했을 경우, 기판 상에 얻어지는 금속산화물 박막의 균일성이 저하되었기 때문에 시스형 구조 부위가 필요하다는 것이 확인되어 있다. 더욱이 본 발명에 있어서의 다가 칼본산의 C=C 결합은, 방향 고리를 구성하는 탄소-탄소 이중결합일 수도 있다.
본 발명에서, 금속염, 시스형 구조를 가지는 다가 칼본산, 및 용매를 함유하는 용액(도포액)은, 용액으로서의 수분 함유량이 0.05 중량% 이상일 필요가 있다. 금속염은 수화물일 수도 있고, 용매가 물을 함유한 것일 수 있다. 도포액 전체로서는 수분을 0.05 중량% 이상 함유하면 충분하다.
금속염에 대한 다가 칼본산의 첨가량이 너무 적으면 금속화합물 박막의 균일성이 저하되고, 반대로 너무 많으면 소성시 기판 상의 막 내의 유기분이 너무 많아지기 때문에 막의 균일성이 저하된다. 이 때문에, 금속염에 대한 다가 칼본산의 몰비는, 0.5 이상 4.0 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.8 이상 2.0 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.
금속염 함유 조성물(도포액) 내의 금속염 함유량(농도)에 관해서는, 금속염이 용매 내에 용해하면 충분하기 때문에 특별히 한정은 되지 않지만, 목적으로 하는 금속산화물 박막의 막 두께에 따라서 적의 조절할 수 있다. 더욱이, 실용적인 막 두께를 얻는다는 관점에서는, 금속염 함유량이 0.005 mol/L 이상 1 mol/L 이하인 것이 바람직하다.
금속염 함유 조성물은, 도포액으로서 스프레이(spray), 스핀 코트(spin-coat), 스크린(screen) 인쇄, 애플리케이터(applicator), 바 코터(bar coater), 롤 코트(roll coat), 그라비어 코트(gravure coat) 등을 이용하는 도포법에 있어서의 공지된 수법에 의해 기판 상에 도포할 수 있다. 이때, 도포액은 도포 수법의 특성에 맞추어 도포시 막 두께가 균일하게 되도록 도포하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서 사용할 수 있는 용매는, 금속염 및 다가 칼본산을 안정적으로 용해할 수 있으면 충분하기 때문에 특별히 한정은 되지 않지만, 예를 들면 물, 메타놀, 에타놀, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 3-메톡시 메틸 부타놀, N-메틸 필로리돈, 텔피네올 등을 들 수 있다.
상기 금속염은, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Cr, W, Fe, Ni, Cu, Ag, Zn, Al, Ga, In, Sn, 및 Sb으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 염인 것이 바람직하다.
상기 금속염은, 질산염, 황산염, 칼본산염, 할로겐화물, 알콕시드 및 아세틸아세톤염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속염인 것이 바람직하다.
상기 다가 칼본산은, 말레인산, 시트라콘산, 프탈산 및 트리메리트산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다. 분해온도가 낮고, 보다 치밀한 금속산화물 박막이 생성된다는 점에서, 특별히 말레인산이 바람직하다. 더욱이 상기 다가 칼본산의 무수물 및 물을 함유하는 용매를 함께 사용함으로써 용액 내에서 다가 칼본산을 발생시킬 수도 있다.
또한, 본 발명은,
금속염,
-C(COOH)=C(COOH)-의 시스형 구조를 가지는 다가 칼본산, 및
용매를 함유하고,
금속염에 대한 다가 칼본산의 몰비가 0.5 이상 4.0 이하이고, 수분 함유량이 0.05 중량% 이상인 용액을 기판 표면에 도포하고, 100℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 가열 건조함으로써 얻어지는, 금속복합체 막을 표면에 형성한 기판을, 400℃ 이상의 온도에서 더 가열함으로써 얻어지는, 금속산화물 막을 표면에 형성한 기판에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적, 다른 목적, 특징 및 이점은 첨부 도면 참조 하에 이하의 바람직한 실시예의 상세한 설명으로부터 명확하게 된다.
본 발명에 따르면, 각종 금속 원료를 도포법에 응용하여 종래의 도포법보다 치밀하고도 균일한 금속산화물 박막을 저비용(cost)으로 기판 상에 제조하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시예 1의 1차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 2는 비교예 1의 1차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 3은 비교예4의 1차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 4는 비교예5의 1차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 5는 실시예 1의 2차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 6은 비교예 1의 2차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 7은 비교예4의 2차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 8은 비교예5의 2차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 9는 비교예 14의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 10은 비교예 15의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 2는 비교예 1의 1차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 3은 비교예4의 1차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 4는 비교예5의 1차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 5는 실시예 1의 2차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 6은 비교예 1의 2차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 7은 비교예4의 2차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 8은 비교예5의 2차 가열 후의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 9는 비교예 14의 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 10은 비교예 15의 기판 표면의 SEM 사진이다.
이하, 본 발명의 실시예에 관하여 적의 도면을 참작하면서 설명한다.
[실시예 1]
질산아연육수화물 0.8924g(0.003 mol), 말레인산 0.5221g(0.0045 mol), 3-메톡시-3-메틸-1-부타놀(MMB, 제품명 솔핏파인그레이드, 큐라레(주)제) 7.96g을 혼합하고, 초음파 배스(bath)에서 10~30분동안 초음파 처리하여 금속염 함유량이 0.3 mol/L인 용액(금속염 함유 조성물)을 조제하고, 그 성상을 확인하였다.
다음에,조제한 용액을 슬라이드 글라스(유리기판) 상에 스핀 코트(2000rpm×30초 동안)한 후,송풍건조로로 150℃×10분 동안 1차 가열한 후, 기판 표면에 형성된 금속복합체 박막의 외관 관찰을 하였다. 그리고 전기 머플로(muffle furnace)로 500℃×30분 동안 공기 중에서 기판을 2차 가열(소성)한 후, 기판 표면에 형성된 금속산화물 박막의 외관 관찰을 하였다. 기판 표면에 형성된 금속복합체 박막 및 금속산화물 박막의 막 두께는,0.03㎛ 이상 0.053㎛ 이하의 범위이었다.
[실시예 2~실시예 46]
금속염, 다가 칼본산,몰비,용매를 변경하고, 실시예1과 같은 조작을 하였다. 또한, 1차 가열 후 및 2차 가열 후에 기판 표면의 외관 관찰을 하였다.실시예 1~실시예 46의 조성 및 관찰 결과를 표 1에 나타내었다.
표 1에 있어서, 몰비는 금속염에 대한 다가 칼본산의 몰비를 의미한다. 외관 1은 1차 가열 후의 금속복합체 박막의 외관, 외관 2는 2차 가열 후의 금속산화물 박막의 외관을 의미한다. 크랙(crack)은 2차 가열 후의 금속산화물 박막에 있어서의 크랙의 유무를 의미한다. 또한, 실시예 43~실시예 46에 있어서는, 2 종류의 금속질산염을 동일 몰수로 혼합한 것을 사용하였다.
또한, 표1 및 후술하는 표 2에 있어서의 3-메톡시-3-메틸-1-부타놀(MMB)은, 물을 0.05 중량% 정도 함유하고 있다.
[비교예 1~비교예 13]
금속염으로서 질산아연을 사용하고, 칼본산 등의 종류나 사용량을 변경하고, 실시예 1과 같은 조작을 하였다. 또한, 실시예 1과 같은 관찰을 하였다. 그 결과를 도 2에 나타내었다. 기판 표면에 형성되는 금속복합체 박막 및 금속산화물 박막의 막 두께는 0.05㎛ 이상 1㎛ 이하의 범위이었다.
실시예 1~실시예 46에서는, -C(COOH)=C(COOH)-의 시스형 구조를 가지는 다가 칼본산을 금속염에 대하여 1.5배의 몰비로 혼합하고 용매로 용해시켰는데, 모든 실시예에서도 용액(금속염 함유 조성물)의 성상은 투명한 액체이었다. 이 때문에, 스핀 코트에 의해 슬라이드 글라스 상에 균일하게 도포하는 것이 가능하였다. 또한, 1차 건조 후의 기판 상에 형성되는 금속복합체 박막은 균일하고 백탁이나 크랙은 인지되지 않았다.
한편, 비교예 7~비교예 9, 비교예 11 및 비교예 12에서는, 금속염과 칼본산 등을 용매와 혼합하여도 용해시킬 수 없거나 곧 겔형으로 되어 스핀 코트에 의해 슬라이드 글라스 상에 도포할 수 없었다. 또한, 이들 이외의 비교예에서는 투명한 용액이 되었으나, 1차 가열 후의 기판을 관찰하면 박막이 백탁하거나 표면에 얼룩 또는 크랙이 발생하였다. 그와 같은 기판은 2차 가열 후에도 같은 상태이었다.
(1차 건조 후에 형성되는 금속복합체)
여기서, 질산아연육수화물 0.8924g(0.003 mol), 말레인산 0.5221g(0.0045 mol), 메타놀 7g, 물 1g을 혼합하고, 초음파 배스에서 10~30분 동안 처리함에 따라 용해시켰다. 그 후에, 용매를 증발시킴으로써 담백색 분체가 얻어졌다. 이 분체를 150℃에서 10분 동안 가열하면 분체의 색이 노란색~갈색으로 변색되었다.
이러한 노란색~갈색의 분체를 CDCl3 용액으로 용해시키고, 1H-NMR 스펙트럼을 측정하면 피크(peak)는 나타나지 않았다. 한편, D2O 용액으로 용해시키고 동일하게 1H-NMR 스펙트럼을 측정하면 케미컬 시프트(chemical shift)의 위치에 피크가 관측되고, 말레인산만의 NMR 스펙트럼과 비교하여 저 자장 시프트되어 있었다.
아연과 결합하고 있지 않은 말레인산이 잔존하고 있는 경우, CDCl3 용액으로 말레인산이 용해되기 때문에, 노란색~갈색의 상기 분체를 CDCl3 용액으로 용해시킨 샘플에서 말레인산의 NMR 스펙트럼이 자연히 관측되는 것이다. 그러나 말레인산의 NMR 스펙트럼이 관찰되지 않았기 때문에 D2O 용액으로 용해시킨 경우의 스펙트럼의 케미컬 시프트 상황으로부터 생각하여 상기 분체는 아연:말레인산=1:1의 착체일 것으로 추측되었다.
아연 이외의 2가 금속염 및 -C(COOH)=C(COOH)-의 시스형 구조를 가지는 말레인산 이외의 다가 칼본산을 용매로 용해시킨 용액에 대해서도 상기와 같은 검토를 한 결과, 금속: 말레인산=1:1의 착체로 추측되는 NMR 스펙트럼의 케미컬 시프트가 관측되었다. 따라서 1차 건조공정 후에, 기판 표면에는 하기 식으로 표시되는 금속복합체의 박막이 형성되는 것으로 추정되었다. 하기 화학식 1에 있어서, M은 2가 금속이다.
[화학식 1]
(기판 표면의 전자현미경 사진)
실시예 1에서 제작한 기판의, 1차 가열 후의 기판 표면(도포액을 스핀 코트한 면)의 주사형 전자현미경(SEM) 사진을 도 1에 나타내었다. 또한, 비교예 1, 비교예 4 및 비교예 5에서 제작한 기판의 1차 가열 후의 기판 표면(도포액을 스핀 코트한 면)의 SEM 사진을 각각 도 2, 도 3 및 도 4에 나타내었다.
실시예 1의 기판 표면은 균일하고, 치밀한 금속복합체 박막이 형성되어 있는 것이 확인되었다. 한편, 비교예 1의 기판은 응집체의 형성 및 치밀도가 낮은 막이 형성되어 있는 것이 확인되었고, 비교예 4의 기판은 응집체의 형성이 확인되었으며, 비교예 5의 기판은 응집체의 형성이 확인되어, 균일하고 치밀한 막은 형성할 수 없었다.
또한, 실시예 1에서 제조한 기판의 2차 가열 후의 기판 표면(도포액을 스핀 코트한 면)의 주사형 전자현미경(SEM) 사진을 도 5에 나타내었다. 또한, 비교예 1, 비교예4 및 비교예5에서 제조한 기판의 2차 가열 후의 기판 표면(도포액을 스핀 코트한 면)의 SEM 사진을 각각 도 6, 도 7 및 도 8에 나타내었다.
실시예 1의 기판 표면은 균일하고 치밀한 금속산화물 박막이 형성되어 있는 것이 확인되었다. 한편, 비교예 1, 비교예4 및 비교예5의 기판은 불균일하고, 크랙이 많이 인지되어 금속산화물 박막을 형성시킨 기판으로서의 실용적 가치는 인정되지 못하였다.
(2차 가열 온도)
2차 가열은, 400℃ 이상의 온도로 할 필요가 있고, 상기 실시예에서는 500℃로 하였다. 2차 가열의 상한 온도는 기판의 내열온도에 따라 결정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 슬라이드 글라스보다 내열온도가 낮은 기판이면 400℃에 가까운 온도에서 2차 가열하는 것이 바람직하고, 반면에 슬라이드 글라스보다 내열온도가 높은 기판이면 기판의 내열온도에 가까운 고온에서 2차 가열하는 것이 가능하다.
(1차 가열의 효과)
[비교예 14]
조제한 용액을 슬라이드 글라스 상에 스핀 코트한 후에, 송풍건조로로 150℃×10분 동안 가열하지 않고 전기 머플로(muffle furnace)로 500℃×30분 동안 공기 중에서 기판을 가열(소성)한 것 이외는 대체로 실시예 1과 동일한 조작을 하고, 기판 표면에 형성된 금속산화물 박막의 외관을 관찰하였다. 즉, 실시예 1에 있어서 1차 가열을 생략하고 기판 상에 금속산화물 박막을 형성시켰다.
비교예 14의 기판 표면(도포액을 스핀 코트한 면)을 외관 관찰한 결과, 균일성은 어느 정도 보이기는 하지만 전체에 반상흔(斑狀痕)이 발생되어 있었다. 이 때문에 금속산화물 박막을 형성시킨 기판으로서의 실용적 가치는 인정되지 않았다. 비교예 14의 박막 표면의 전자현미경 사진을 도 9에 나타내었다. SEM 사진으로부터 가는 크랙이 발생되어 있는 것을 확인하였다.
실시예 1과 비교예 14의 비교로부터, 동일한 도포액을 기판 상에 도포하여도 소정의 온도에서 1차 가열 및 2차 가열을 차례로 행하지 않으면, 치밀하고 균일한 금속산화물 박막을 기판 상에 형성시킬 수 없다는 것이 확인되었다.
(수분 함유량의 영향)
[비교예 15]
수분 함유량을 0.03 중량%로 한 것 이외에는, 대체로 실시예 1과 동일한 조작을 행하였다. 또한, 실시예 1과 동일한 외관 관찰 및 SEM 사진 촬영을 하였다. 외관을 관찰하였을 때, 어느 정도 균일하였지만, SEM 사진을 보면 가는 크랙이 전면(全面)에 발생되어 있는 것이 확인되었다. 비교예 15의 기판 표면(도포액을 스핀 코트한 면)의 SEM 사진을 도 10에 나타내었다.
실시예 1과 비교예 15의 비교로부터, 도포액 내에 수분을 함유하지 않으면, 치밀하고 균일한 금속산화물 박막을 기판 상에 형성시킬 수 없다는 것이 확인되었다.
상기 설명으로부터 당업자에게는 본 발명의 많은 개량이나 다른 실시예가 명확하다. 따라서 상기 설명은 예시로서만 해석되어야 하고, 본 발명을 실행하는 최적의 예를 당업자에게 교시할 목적으로 제공된 것이다. 본 발명의 정신을 일탈하지 아니 하고 그 구조 및/또는 기능의 상세를 실질적으로 변경할 수 있다.
본 발명의 금속염 함유 조성, 기판 및 기판의 제조 방법은, 코팅막, 투명도전성 막을 가지는 기판의 제조 등, 반도체 분야 등에 있어서 유용하다.
Claims (16)
- 금속염,
-C(COOH)=C(COOH)-의 시스형 구조를 가지는 다가 칼본산, 및
용매를
함유하는 금속염 함유 조성물로,
금속염에 대한 다가 칼본산의 몰비가 0.5 이상 4.0 이하이고,
수분 함유량이 0.05 중량% 이상이고,
기판 상에 도포하여 소성함으로써 금속산화물 박막을 형성하기 위하여 사용되는 금속염 함유 조성물. - 제1항에 있어서, 상기 금속염은 Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Cr, W, Fe, Ni, Cu, Ag, Zn, Al, Ga, In, Sn, 및 Sb으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 염인 금속염 함유 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 금속염은 질산염, 황산염, 칼본산염, 할로겐화물, 알콕시드 및 아세틸아세톤염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속염인 금속염 함유 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 다가 칼본산은 말레인산, 시트라콘산, 프탈산 및 트리메리트산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 금속염 함유 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 금속염의 함유량이 0.005 mol/L 이상 1 mol/L 이하인 금속염 함유 조성물.
- 금속염,
-C(COOH)=C(COOH)-의 시스형 구조를 가지는 다가 칼본산, 및
용매를 함유하고,
금속염에 대한 다가 칼본산의 몰비가 0.5 이상 4.0 이하이고, 수분 함유량이 0.05 중량% 이상인 용액을 기판 표면에 도포하고, 100℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 가열 건조함으로써 얻어지는, 금속복합체 막을 표면에 형성한 기판. - 제6항에 있어서, 상기 금속염은 Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Cr, W, Fe, Ni, Cu, Ag, Zn, Al, Ga, In, Sn, 및 Sb으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 염인 기판.
- 제6항에 있어서, 상기 금속염은 질산염, 황산염, 칼본산염, 할로겐화물, 알콕시드 및 아세틸아세톤염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속염인 기판.
- 제6항에 있어서, 상기 다가 칼본산은 말레인산, 시트라콘산, 프탈산 및 트리메릿산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 기판.
- 제6항에 있어서, 상기 금속염의 함유량이 0.005 mol/L 이상 1 mol/L 이하인 기판.
- 제6항에 따른 기판을, 400℃ 이상의 온도에서 더 가열함으로써 얻어지는, 금속산화물막을 표면에 형성한 기판.
- 금속염,
-C(COOH)=C(COOH)-의 시스형 구조를 가지는 다가 칼본산, 및
용매를 함유하고,
금속염에 대한 다가 칼본산의 몰비가 0.5 이상 4.0 이하이고, 수분 함유량이 0.05 중량% 이상인 용액을 기판 표면에 도포하는 도포공정,
100℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 상기 용액을 가열 건조하는 1차 가열공정, 및
1차 가열공정 후의 기판을 400℃ 이상의 온도에서 더 가열하는 2차 가열공정을 포함하는 금속산화박막이 표면에 형성된 기판의 제조 방법. - 제12항에 있어서, 상기 금속염은 Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Cr, W, Fe, Ni, Cu, Ag, Zn, Al, Ga, In, Sn, 및 Sb으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 염인 기판의 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 금속염은 질산염, 황산염, 칼본산염, 할로겐화물, 알콕시드 및 아세틸아세톤염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속염인 기판의 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 다가 칼본산은 말레인산, 시트라콘산, 프탈산 및 트리메릿산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 기판의 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 금속염의 함유량이 0.005 mol/L 이상 1 mol/L 이하인 기판의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2009/004912 WO2011036730A1 (ja) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | 金属塩含有組成物、基板、基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120073282A true KR20120073282A (ko) | 2012-07-04 |
KR101315268B1 KR101315268B1 (ko) | 2013-10-08 |
Family
ID=43768666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127010069A KR101315268B1 (ko) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | 금속염 함유 조성물, 기판 및 기판의 제조 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8999450B2 (ko) |
EP (1) | EP2484633B1 (ko) |
JP (1) | JP4635116B1 (ko) |
KR (1) | KR101315268B1 (ko) |
CN (1) | CN102548895B (ko) |
TW (1) | TWI473759B (ko) |
WO (1) | WO2011036730A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012144384A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Tokyo Institute Of Technology | 導電性酸化亜鉛膜の製造方法 |
MA35368B1 (fr) * | 2013-01-09 | 2014-09-01 | Taibah University | Méthode de synthèse de précurseurs pour la production de l'oxyde de molybdène moo3 et de matériaux conséquents |
TWI537213B (zh) * | 2014-09-15 | 2016-06-11 | 許國明 | 氧化銦奈米柱及其製造方法 |
US10241409B2 (en) * | 2015-12-22 | 2019-03-26 | AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. | Materials containing metal oxides, processes for making same, and processes for using same |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5126932B1 (ko) | 1971-03-12 | 1976-08-10 | ||
JPS57200209A (en) | 1981-06-03 | 1982-12-08 | Hitachi Ltd | Composition for forming metal oxide coating and the process for forming the same |
JPS6411977A (en) | 1987-07-03 | 1989-01-17 | Kanegafuchi Chemical Ind | Production of thin film of oxide superconductive compound |
JPH0542048Y2 (ko) | 1987-07-14 | 1993-10-22 | ||
JP2644777B2 (ja) | 1987-11-11 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | モジュール連携テスト方法 |
US5273776A (en) * | 1991-12-06 | 1993-12-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for forming thermistor thin film |
JPH0912976A (ja) | 1995-07-04 | 1997-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 誘電体保護膜形成用ペースト |
JP3007961B2 (ja) | 1998-03-13 | 2000-02-14 | 工業技術院長 | 金属酸化物薄膜の製造方法 |
JP3870776B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2007-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 金属酸化物薄膜用組成物及びパターン状金属酸化物薄膜の製造方法 |
JP4287124B2 (ja) | 2002-01-11 | 2009-07-01 | 株式会社日本触媒 | 金属酸化物被着体およびその製造方法 |
JP4373797B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2009-11-25 | 株式会社クレハ | フィルム及びその製造方法 |
JP4323156B2 (ja) * | 2002-06-19 | 2009-09-02 | 株式会社日本触媒 | 微粒子含有金属酸化物膜およびその形成方法 |
JP2004359532A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-12-24 | Jsr Corp | タンタル酸化物膜形成用組成物、タンタル酸化物膜およびその製造方法 |
JP2005029408A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Nippon Shokubai Co Ltd | 金属酸化物膜の形成方法 |
JP5080816B2 (ja) * | 2007-01-09 | 2012-11-21 | 株式会社Adeka | 塗布液組成物および該塗布液組成物を用いる金属酸化物膜の製造方法 |
-
2009
- 2009-09-28 US US13/498,563 patent/US8999450B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-28 CN CN200980161771.6A patent/CN102548895B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-28 JP JP2010537179A patent/JP4635116B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-28 KR KR1020127010069A patent/KR101315268B1/ko active IP Right Grant
- 2009-09-28 EP EP09849761.3A patent/EP2484633B1/en not_active Not-in-force
- 2009-09-28 WO PCT/JP2009/004912 patent/WO2011036730A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-08-19 TW TW99127640A patent/TWI473759B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4635116B1 (ja) | 2011-02-23 |
US8999450B2 (en) | 2015-04-07 |
EP2484633B1 (en) | 2016-12-21 |
CN102548895A (zh) | 2012-07-04 |
TWI473759B (zh) | 2015-02-21 |
EP2484633A1 (en) | 2012-08-08 |
CN102548895B (zh) | 2015-09-30 |
EP2484633A4 (en) | 2014-01-22 |
JPWO2011036730A1 (ja) | 2013-02-14 |
KR101315268B1 (ko) | 2013-10-08 |
US20120230900A1 (en) | 2012-09-13 |
TW201119936A (en) | 2011-06-16 |
WO2011036730A1 (ja) | 2011-03-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160831 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180903 Year of fee payment: 6 |