TW201044941A - Manufacturing method for circuit board, and circuit board - Google Patents

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Takayuki Kita
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Description

201044941 六、發明說明： 【名务明戶斤屬^ 4員】 發明領域
本發明係有關於一種包含為安裝半導體等之零件而設 之空腔構造之多層之電路基板之製造方法及電路基板。 t 冬好 J 發明背景 近年，伴隨電子機器之小型薄型化及高功能化，對構 成電子機器之電子電路之電路基板亦要求較高之配線收容 性。尤其在安裝猎度之提昇目的下，在稱為母板之多層印 刷配線板上進而安裝已安裝有半導體等之零件之電路基板 之形態亦已增加。 又，手機及數位相機等小型電子機器*RF等各種模組 及LED之相關電子零件之安裝，有一種包含可降低電子零 件安裝後之安裝電路板之高度之通稱ltcc(l〇w Temperature Co-fired Ceramics)之低溫焙燒積層陶瓷基板及 藉樹脂成形而製成之立體電路基板等之空腔構造或零件内 設構造之多層之電路基板亦已受到矚目。 第8A圖係顯示習知之陶瓷製之電路基板之戴面圖。習 知之LTCC等之陶瓷基板係第8A圖所示之多層之電路基 板。陶瓷基板係於陶瓷基材上積層複數片形成有配線導 體、衝孔而成之孔洞或空腔部之開口 55之軟質陶免片5〇， 並加以焙燒而形成。焙燒通常在低溫焙燒陶瓷時係9 〇 〇以 下’玻璃陶瓷基板則在1〇〇〇。(：以下進行。 201044941 又 8B圖侧示習知之樹脂製之電路基板之截面 中，•紅讀叙多層之電路基板 s曰成形係於下側之基板52上形成模塑樹脂層m 純具相使，⑽其表面上軸 電路。 。:、、；上述之陶瓷製之基板在低溫焙燒陶瓷時亦須在 900°C左右之高溫下進行燒結’而其所致軟質陶瓷片之收縮 則難以確保尺寸健及電_度。進而，包含空腔構造之 $成在内製造前置時間較長，製造成本亦較高。 又，藉樹脂成形而形成空腔構造之多層之電路基板， 若在成形剛形成導通孔，則成形時之樹脂流動所致導通孔 之變形將可能導致電路間之絕緣劣化或短路之發生。故 而’使全層為内部導通孔(IVH)構造之層間連接技術在製程 上或構造上尚有問題。為加以解決，已採用在樹脂成形後 设置非貫通孔或貫通孔，並藉導電性鍍敷或導電物質形成 導通孔之方法。然而，其不易對應小徑孔，而有難以實現 近年所要求之微細規格之問題。 又’上述之陶瓷基板及藉樹脂成形而製成之電路基板 之膨脹係數與供以安裝搭載基板之母板（多層印刷配線板 等）之膨脹係數之值大為不同，對母板安裝該等基板時，亦 多受到各種限制。 因此，迄今，亦已開發經預浸片等黏著層而積層與作 為母板之多層印刷配線板實質上使用相同材料之複數電略 基板，並包含空腔構造之多層之電路基板。另’與本申靖 201044941 之發明相關之先行技術文獻資訊則已知有諸如專利文獻 1、專利文獻2。 然而，上述習知之使用預浸片之多層之電路基板雖可 確保電路基板間之黏著強度，但對其等加熱加壓時，可能 自黏著層之預浸片朝空腔内部流出樹脂，而在對空腔安裝 零件時發生問題。故而，與上述之樹脂成形之電路基板相 同，將發生樹脂之流動，故使全層為IVH連接在構造上及製 程上均極為困難。 尤其，具有空腔構造之基板在其性質上要求小型、高 度小及配線設計之細線化，特別強烈要求空腔上部之空腔 壁面與其近旁存在之連接接盤之距離之縮短可達成之小型 化。 第9A、9B圖係顯示習知之電路基板與電路基板之製造 方法之問題之截面圖。上側基板61之撓曲量P受到上側基板 61之層構造及設計圖形所致之殘銅率等影響’在現實之產 品設計規格及現行之製程上，刻意控制撓曲量甚為困難。 相對於此，亦已考量相對於上側基板之開口面積而縮 小黏著層之開口面積，但包含黏著層之樹脂朝空腔底部滲 出之寬度在内，空腔底部之面積將過小，而設計上之限制 之影響將增大，且亦不符前述之要求，故現實上無法成功 解決。 對於上述之要求，如第9a、9B圖所示，在加熱加壓時， 樹脂已發生自黏著層63流出之問題，且上側基板61亦發生 了撓曲。 201044941 先行技術文獻 專利文獻 【專利文獻1】特開平9-199824號公報 【專利文獻2】特開2007-59844號公報 【發明内容】 發明揭示 本發明之電路基板之製造方法包含以下步驟：製作具 有開口部且於表層上形成有電路與絕緣覆膜層之上側基 板；製作於表層上形成有電路與絕緣覆膜層之下側基板； 製作包含貫通孔與貫通孔中已充填之導電糊之基板間連接 片；積層下側基板、基板間連接片與上側基板並予以加熱 加壓。而，在形成下側基板之步驟中，下側基板之前述絕 緣覆膜層在積層下側基板、基板間連接片與上側基板後， 絕緣覆膜層之形成端將形成在其與上側基板之開口部之端 部或基板間連接片之開口部之端部之間具有間隙。加熱加 壓步驟則包含對基板間連接片與上側基板之開口部及間隙 内填入緩衝材之步驟。藉此，上側基板將不致發生撓曲， 並可避免樹脂自基板間連接片之端面流出，同時避免導通 孔之通孔朋塌等變形，而有效率地製造包含凹狀之空腔部 之形成以及具有較高之層間連接可靠度且全層構造之 電路基板。 又，本發明之電路基板係由包含開口部並於表層設有 電路與絕緣覆膜層之上側基板與於表層設有電路與絕緣覆 膜層之下側基板經包含開口部並設有層間連接用之導通孔 201044941 - 之基板間連接片而積層，上側基板之開口部與基板間連接 . Μ之開口部則構成空腔，基板間連接片之開Π部面積形成 大於上側基板之開口部面積，下側基板之絕緣覆膜層之端 部與基板間連接片之開口部之端部之間設有間隙。 藉此，即可在空腔底部確保半導體安裝時之模塑用樹 脂之流動路徑空間，並避免水分為外界所吸收。因此可維 持或提昇高溫高濕下之電絕緣性，並提昇半導體安裝之可 靠度。 Ο 如上所述，本發明在下側基板之絕緣覆膜層之形成端 與空腔壁面之間設置間隙，而可避免上側基板之撓曲，並 實現模穴共面性（平坦度）之提昇，且緩和導通孔（通孔)及連 接接盤之配置等設計上之限制。因此，可獲致共同提昇半 - 導體等之零件安裝之效率及零件安裝步驟之良率之效果。 圖式簡單說明 第1Α圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 〇 ^ 第1B圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 第1C圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 第1D圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 第1E圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 7 201044941 第2 A圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 第2B圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 第3 A圖係顯示本發明實施例之電路基板與要部概況之 截面圖。 第3B圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 要部概況之截面圖。 第4 A圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第4B圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第4C圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第4 D圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第4E圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第4 F圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第5A圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第5 B圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 8 201044941 第5 C圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第6 A圖係顯示本發明實施例之下側基板之製造方法之 截面圖。 第6 B圖係顯示本發明實施例之下側基板之製造方法之 截面圖。 第6C圖係顯示本發明實施例之下側基板之製造方法之 截面圖。 第6D圖係顯示本發明實施例之下側基板之製造方法之 截面圖。 第7A圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7B圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7C圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7 D圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7 E圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7 F圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7 G圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 9 201044941 第7H圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第8 A圖係習知之電路基板之截面圖。 第8B圖係習知之電路基板之截面圖。 第9A圖係顯示習知之電路基板與電路基板之製造方法 之問題之截面圖。 第9B圖係顯示習知之電路基板與電路基板之製造方法 之問題之截面圖。 【實施方式3 用以實施發明之形態 (第1實施例） 本實施例中，將先說明本實施例之電路基板之基本構 造，其次則說明本實施例之電路基板之構成要素與其它實 例。 第1E圖係顯示本實施例之電路基板之截面圖。積層基 板之下側基板2上重疊構成有包含空腔11之積層基板之上 側基板1。 首先，參照第1A〜E、2A、2B圖說明基本之製程。第1A-E 圖係顯示本實施例之電路基板之製造方法之電路基板之截 面圖。 如第1A圖所示，製作於表層上形成有電路之上側基板1 與下側基板2。上側基板1與下側基板2均包含於貫通孔23充 填有導電糊24之導通孔，並經導通孔而層間連接兩面表層 之電路。 10 201044941 其次，如第1B圖所示，製作已於貫通孔中充填有導電 糊24之基板間連接片3。此時’基板間連接片3呈現絕緣樹 脂半固化之狀態（以下稱為「B階段狀態」）。 上側基板1及基板間連接片3係分別於包含其中央部之 領域設有一定面積之開口部5、開口部6之構造。包含黏著 層4之基板間連接片3係由與上侧基板1及下側基板2不同之 材料所構成’又’基板間連接片3包含在B階段狀態之基板 材料上已形成之貫通孔中充填有導電糊而成之導通孔，而 具備基板之黏著與層間之電性連接之功能。 另’上側基板1、下側基板2、基板間連接片3之構造及 其等之準備之製造方法之細節則留待後述。 其次，如第1C圖所示’依序積層下側基板2、基板間連 接片3、上侧基板1 ’並予加熱加壓（真空熱壓）而進行成形固 化。藉此，可經基板間連接片3而黏著下側基板2與上側基 板1，而如第1D圖所示般形成多層之電路基板1〇。上側基板 1之開口部5及基板間連接片3之開口部6構成在相同位置之 上下呈略同等之大小’而構成電路基板10之空腔11部分。 接著，如第1E圖所示’於上側基板1表面之連接電極等 之一部分電路圖形以外之領域選擇性地形成作為絕緣覆膜 層之阻焊層7，並對隨後露出之導體施予鍍鎳及鍍金處理。 即，在上側基板1與下側基板2之表面一部分以外之領域選 擇性地形成絕緣覆膜層之步驟之後，再對露出之表面進行 形成鑛金層之步驟。 另，本實例中，雖藉第1E圖所示之步驟進行上側基板 11 201044941 但亦可藉第1A圖之準備步驟進行形成 之阻焊層7之形成， 其細節則留待後述 弟1C圖之採用熱壓之加熱加壓步驟，因存在開口 欠尤其上側宜經第2Α圖所示之緩衝材8而由第2Β 圖所不之SUS板8b所鱗後乃進行之。 又緩衝材8之流動性宜低於B階段狀態之基板間連接 片3之树脂之流動性，緩衝材8則適用表層包含脫模層8&之 石夕氧橡膠或異丁稀橡膠等。 上述之緩衝材8將在第1C圖之步驟之真空熱壓裝置昇 溫之過程中流動，並如第2B圖所示，加壓注入於開口部5、 6之空洞部（空腔U) ’並均一加壓被積層物之全面。又，亦 可於脫模層8樓錢橡膠或異丁烯橡膠等之間使用包含流 動性材料之緩衝材。又，亦可使用包含體積與開口部5、6 之容積大致相同之凸部之模具進行加熱加壓。 本實施例之電路基板-如第3确之顯示電路基板與電 路基板之製造方法之要部概況之截面圖射，作為下側基 板2之絕緣覆膜層之阻焊層7設成其形成端％在與上側基板 !之開口部5之端部5a或基板間連接片3之開口獅之端％ 之間已隔有間隙R。即’阻焊層7之形成❹與空腔壁面之a 間設有間隔（間隙R)。 又，本實施例之電路基板之製造方法一如第祀圖之要 部細節概況圖所示’加熱加壓步驟係對間隙尺填入緩衝材而 進行。 另，第3B圖中，緩衝材8對上側基板卜下側基板2、基 12 201044941 板間連接片3及阻焊層7所施之壓力則如箭號所示。 如第3B圖所示，在阻焊層7之形成設計上於空腔u之底 部設有空間’而可發生緩衝片對空腔丨丨之底部壁面之填 入。結果’即可抑制基板間連接片3之樹脂流出而控制形 狀，並產生與上側基板丨之撓曲及變形反向之反作用力成分 (箭號）’而可抑制空腔11之撓曲。 又，構成空腔11之壁面之基板間連接片3之開口部面積 宜大於上側基板1之開口部面積。調整基板間連接片3之開 口部面積及阻焊層7之形成領域所影響之間隙R之設計值， 即可凋整緩衝片之填入量，並控制空腔之高度。 進而’上述之間隙R亦可選擇性地加以設置。即，上側 基板1及基板間連接片3之端部6a正下方之下側基板2上配 線有電路圖形時’則需要用以覆蓋其等之阻焊層7。此時， 僅於電路圖形部分與其近旁形成阻焊層7，不存在電路圖形 之部分則形成間隙R之間隔，即可獲致相同之效果。 藉上述没计上之調整，可使撓曲量為〇，而避免撓曲及 變形。 ⑴上側基板1之說明 以下說明第1A圖之步驟中使用之上側基板1之構造與 製程。第4、5圖係顯示本實施例之上側基板之製造方法之 電路基板之截面圖。 首先，第4A圖中，使用預浸片21(以下稱為膠片21)作 為基板材料。預浸片21係300x250mm，厚約100/z m之B階 段狀態之基板材料之預浸片（以下稱為「膠片」）。膠片21 13 201044941 使用諸如對«織布之基材浸滲有熱@性環氧樹脂之複合 材料等’亦可使用於稱為母板之印刷g己線板。踢片21之兩 面上設有脫杈片22a、22b。脫模片22a、22b係於單面上塗 布有厚約12 // m之㈣、之脫模劑之㈣片，可使用諸如聚對 苯二甲酸乙二醋（P〇ly趾咖此了卿她心㈣。 其次，如第4B圖所示，於兩面上黏著有脫模片22a、22b 之膠片21之預定部分利时射加玉法等形成貫通孔23。 接者’如第4C圖所示，對貫通孔23充填導電糊24。充 填方法可藉使用印刷機(未圖示)於脫模片瓜必上直接印 刷導電糊24而進行。此時，脫模片mb可發揮印刷遮 罩之功能與避免膠片21之表面汙染之功能。 然後’如第4D圖所示，自膠片21之兩面制離脫模片 22a ' 22b ° 再，如第犯圖所示，以金屬猪25a、25b炎入膠片21而 予以積層。 、其次，如第4F圖所示，藉熱壓進行全面之加熱加壓， 並使膠片21IU化。此時，導電糊2惰被壓縮而使兩面之金 屬箔25a與金屬箔25b電性連接。 然後’如5A圖所示’選擇性地糾等之金屬箱25a 與金屬fi]而製得形成有祕_26之2層之電路基板 20。 其次，如第_所示，在包含中央部之領域内形成一 定面積（Π)賴Xl0mm)之開口部5。開口部5之形成方 法則包含第5A圖之步驟中選擇性地蝕刻中央部之金 14 201044941 屬箔25a、25b後，藉雷射加工加以切除之方法，以 及使用模具而衝孔之加工方法或使用銑刀進行刻模加 工之方法等。 另，第5B圖所示之已形成有開口部5之電路基板2〇亦可 為第1A圖之步驟所使用之上側基板1。然而，如第5c圖所 示，以形成有作為絕緣覆膜層之阻焊層7者作為上側基板1 則更佳。如此，在上側基板1之平面形態之階段下形成阻焊 〇 層，則可實現製造步驟上之容易性之確保及生產性之提昇。 (ii)下側基板2之說明 以下’說明第1A圖之步驟中使用之下側基板2之構造與 製程。第6A〜6D®#、顯示製造方法之下舰板之截面圖。 首先，如第6A圖所示，準備藉第4A〜4F、5α〜5(：圖之 • 步驟而形成之2層之電路基板20。 •其次，準備帛侧所示狀態之膠⑽^與金屬猪％ —片另第4D圖之狀態之膠片31一如上述，係經第从〜仍 〇 冑之步驟而製成者。如第6D圖所示，在定位台（未圖示)上 載置金屬羯35與膠片3卜而於其上積層電路基板2〇作為内 層用之核心基板，進而再積層膠片31、金屬紹。暫時黏 著其等而製成積層構造物。 ’、、、;後如第6C圖所示’藉熱壓而對上述之積層構造物 王面加熱加壓而令之成形固化，並黏著膠片3卜金屬猪35 及電路基板20而开;成多層構造。此時，導電糊^則被壓縮 而使表月之金屬、名35藉導電糊34而與内層之電路基板π之 電路圖形電性連接。 15 201044941 接著，如第6D圖所示，藉蝕刻等方式選擇性地女除金 屬箔35而形成電路圖形36。 再，在相當於上側基板1之開口部及空腔底部之下侧基 板2上選擇性地形成作為絕緣覆膜層之阻焊層7。此則説明 於第3A、3B圖之要部概況圖中。 本實施例之阻焊層7在前述第1(^圖之採用熱壓之加熱 加壓步驟中’如第3A圖所示’接近開口部之端部之側之阻 焊層7之形成端7a已形成在其與上側基板丨之開口部5之端 部5a或基板間連接片3之開口部6之端部6a之間具有間隙 R。即，下側基板2之絕緣覆膜層之阻焊層7在積層下側基板 2、基板間連接片3及上側基板丨後，其形成端7a將形成在其 與上側基板1之開口部5之端部5a或基板間連接片3之開口 部6之端部6a之間具有間隙。 即，下側基板2上之阻焊層7之形成宜以上側基板丨之開 口部5之端部5 a為基準而進行。 另，以基板間連接片3之開口部6之端部6a為基準時， 在第1C圖之藉熱壓之加熱加壓之步驟後，間隙值將因 樹脂自基板間連接片3之端部6a流出而減小。 此時’使基板間連接片3之開口部面積大於上側基板丄 之開口部面積，則可確保所欲之間隙尺值。 又，使基板間連接片3之開口部面積大於上側基板丄之 開口部面積而產生之空間與間隙R之空間，在半導體等之零 件安裝步驟中’可於空腔底部確保作為模塑用樹脂之流^ 路徑之空間，並避免水分為外界所吸收。藉此而可維持或 16 201044941 - 提昇尚溫高濕下之電絕緣性，並提昇半導體安裝之可靠度。 • 另構成4層以上而多層化時，可以4層以上之多岸之 電路基板作心層狀核,。基板而重複實虹述步驟。 、又’亦可藉包含已於貫通孔中充填#導電糊而成之層 用之導通孔之膠片，而積層於表層上設有電路之兩 面或夕層之配線基板（包含本發明之電路基板），而構成 之電路基板。 θ 〇 又，具有表層電路之配線基板亦可藉導電性鍍敷所形 成‘通孔而與作為核心基板之内層之電路基板2〇層間連 接而構❹層之線基板。作為核心、基板之内層基板亦 為已藉導電性鑛敷形成之導通孔而表背或層間連接者。 尤/、採用包含貫通孔、鍍敷通孔之基板，可提高散熱性。 (Η〇基板間連接片3之說明 以下，說明基板間連接片3之構造與製程。即，以下說 月第1B圖之步驟中使用之基板間連接片3之構造與製程。第 〇 7A 7H圖係顯示基板間連接片3之製造方法之基板間連接 片3之裁面圖。 如第7A圖所示，準備於載體膜42上形成有厚約100"m 之有機系之黏著層41之300X25〇mm之尺寸之片材。另，黏 著層41之厚度可在3〇〜3〇〇em之範圍内選定任意值。黏著 層41之厚度宜對應零件安裝之零件高度而選定。本實施例 中’係就黏著層41之厚度約為100/zm之情況加以說明。 片材之構成係就載體膜42使用PET(聚對苯二曱酸乙二 酉曰）’並就黏著層41使用填料已充填比例較高之熱固性樹 17 201044941 月曰。黏著層41具體上係對55〜9〇wt%之严好 填料之氧化石夕及氧化銘等無機物之粉混合有作為 芯材之玻璃織布等之美材。 並未使用作為 因此’本實施例之片 低於通常之破璃環氧積層板之熱熱膨服係數 璃轉化溫度之狀態下之厚度方其在低於玻 ^啊心上側基板卜下㈣以之衫之⑹脹係數心為 脂之預浸片之厚財向之膨㈣數叫;^麵布環氣樹 片材係充填有填料之比例較高者故、為冲_。又， 低流祕，亦可視需要㈣合樹1而為確保 形成::面:第_〜一之領域内 檟之開口部6。開口部6之 ^ 步驟之處理而於載體膜42存在時進行^ I考量製造 —開口 •之形成㈣可藉使用模具 订，但宜藉雷射加工進行切除。尤其 力口工而進 41乃以環氧樹脂作為与，㈣成含有^，之黏著層 氧化石夕及氧化叙等作為填料部分時，宜使以上之 _之二氧化碳雷射進行切除。如此 制9·4〜1〇 6 樹脂流動。其機制則說明如下。雷射加工能=端面之 41中之填料所吸收而轉換為熱能。環氧樹脂則=著層 變性，作為核部之填料與已變性之環氧樹脂所構^鳴而 層則沿切除端面而 f月曰所構成之變質 之樹脂流動。纟抑貝層則可抑制來自切除端面 藉此，在第出圖之步驟之加熱加壓時，可避免來自基 18 201044941 板間連接片3之端面之樹脂流出，並避免導通孔之通孔崩 塌等變形。又，並可避免水分為外界所吸收。藉此而可維 持或提昇高溫高濕下之電絕緣性。進而，亦可避免填料及 樹脂成分自開口部6之端面脫落等而導致廢料之產生。 又，開口部6之面積宜大於第5B圖之步驟所形成之上側 基板1之開口部5之面積。開口部5若為一邊A(mm)之正方 形，則開口部6為一邊(A+a)(mm)之正方形，a之值宜設為A 〇 之〇·5〜。舉例δ之’若開口部5為一邊i〇mm之正方形， 開口部6則可在一邊50〜100 " m之範圍内形成大於開口部 5。藉此，即可减保對應基板間連接片3之樹脂流出之間隙， 並對形成於前述之上側基板1之開口部5之端部兄之阻焊層 7進行嵌合’而具有避免基板間連接片3之樹脂流出之效果。 其次，如第7C圖所示’於片材之載體膜42之相反側貼 合脫模片42a。另’脫模片42a亦可對片材之包含載體膜42 上之兩面上貼合。脫模片42a係於單面上塗布有厚約12# m 〇 之矽系之脫模劑之塑膠片，可使用諸如聚對苯二甲酸乙二 酯。 接著，如第7D圖所示，剝離載體膜42。然後，如第7E 圖所示，在已剝離載體膜42之面上使用真空貼合裝置而在 真空狀態下貼合脫模片42b。藉此，如圖所示，開口部6中 可形成脫模片42a、42b已接觸之接觸部45。 另，真空貼合裝置包含貼合輥(未圖示），藉此而可對脫 模片42a、42b加熱加壓，並對片材進行貼合。此時，本實 施例中，在真空狀態下進行貼合，故脫模片之接觸部45將 19 201044941 朝開口部6内凹入，無須以貼合輥對該部分加熱加壓，即可 保持僅以真空壓力接觸之狀態。因此，可輕易於後述之第 7H圖所示之步驟中進行脫模片42a、42b之剝離。 進而’於開口香卩6設置接觸部45 ’即可提高黏著層41之 剛性，並輕易進行後續步驟之雷射孔加工及糊劑充填等步 驟之片材處理。 另’雖已說明使用包含贴合輥之真空貼合裝置之實 例’但亦可使用真空加壓裝置而對片材貼合脫模片。此時， 若在真空狀態下進行貼合作業，亦可於開口部6設置接觸部 45 ° 又’上述之第7D圖中一旦剝離载體膜42後，在第7E圖 之步驟中貼合脫模片4 2 b之步驟之目的則在形成接觸部 45。除可提高前述之處理性，在後續步驟之雷射孔加工時， 亦為雷射加工上之最佳條件，故於兩面上貼合同質材料之 脫模片42a、42b。 其次，如第7F圖所示，於開口部6以外之領域内利用雷 射加工法等而形成貫通孔43。然後，如第7GS1所示，對貫 通孔43充_電糊44。充填方法簡S4C®所示之步驟相 5進仃接著，如第7H圖所示，自片材之上下剝離脫模 片42a、42b，而製成基板間連接片3。 另以上之說明中，雖以第1圖說明經已製成之基板間 ，片3而積層上側基板卜下側基幻之實例，但亦可採用 略為不同之方法。 '、p亦可私用僅剝離連接片背面之脫模片桃，並準 20 201044941 備脫模片42a仍貼合於表面之狀態之基板間連接片3，再以 包含脫模片42a之面之相反面作為接觸面而將基板間連接 片3定位積層於下側基板2上而暫壓接複數點。然後在真空 狀態下藉貼合而暫壓接全面之製造方法。 採用上述製造方法之目的係因本實施例之基板間連接 片3係低流動性且剛性較高者，故複數點之暫壓接亦可能在 熱壓步驟時發生位置偏移，為予避免故而加以採用。脫模 片42a之存在可維持已充填之導電糊之狀態，並對下側基板 2均一地暫壓接包含開口部6之基板間連接片3之全面。然 後’剝離脫模片42a ’並於基板間連接片3上積層上側基板 1，再經與第1D圖之後之步驟相同之步驟，即可製成電路基 板。 藉以上之實施例中說明之製造方法製得之電路基板乃 全層IVH(Inner Via Hole)構造且包含可安裝電子零件之空 腔11，進而乃可對多層印刷配線板等母板進行安裝之構 造。尤其，構成本實施例之電路基板之上側基板1、下側基 板2可選擇與母板相同之基板材料。 又’連接上側基板1與下侧基板2之基板間連接片3由厚 度方向之熱膨脹係數低於該等基板之材料所構成，故可抑 制翹曲量，並提昇與母板間之安裝之可靠度。 又’基板間連接片3由低流動性之材料所構成，故可避 免樹脂朝空腔11内部流出，以及樹脂流動所導致導通孔之 變形，而實現具備較高層間連接可靠度之全層IVH構造。 進而，本實施例之電路基板之製造方法無須焙燒步 21 201044941 驟、孔加工步驟或樹脂成形步驟，即可有效率地輕易進行 下陷成凹狀之空腔u部之形成，且無須更換模具等，即可 提供對應絲於” m子零件之高度之電路基板。 另’本實施财，雖以2層之電路騎2g為上側基板卜 而以4層之電路基板30為下側基板2而加以說明但上側基 板1及下側基板2之層數並不受限於此。 又，上側基板1及下側基板2已說明係破璃織布基材環 氧樹脂浸滲材料已固化者，衫限於_織布，亦可使用 醯胺等之不織布之基材。浸滲之樹脂 凡在基板間連接片所使用之材料之厚度方向之熱膨服係數 之比較上符合本發明目的之構造，即可對料路基板之規 格而選用各種樹脂。 又 選擇性地形狀上側基板與下側基板之面上之絕 緣覆膜層雖已說明為感光型之阻焊層，值亦可使用路@ L 之零件配置圖用之絕緣覆膜材料而形成之 再形態亦不限 於感光型，亦可使用感光性薄膜。進而，拉 右使用油墨穿通 孔之截面呈台形形狀之金属版或網版等，亦可葬r刷、去 形成凸狀之絕緣覆膜層。 又，實施例中已說明之基板及金屬箔、簿 ， /吁/ϊ寺材料之 積層步驟，係適當包含在已靜置於定位台上之材料及美拓^ 上，藉CCD等辨識裝置辨識定位用標記（或孔祠）而進—:位 再積層後，藉加熱衝頭進行加熱加壓，而暫時黏著固—之 步驟者。為簡化說明而予以省略。 又’設有開口部5之狀態之上側基板1與下側臭板2之面 22 201044941 方向之線熱膨脹係數宜大致相等。大致相等則可進而抑制 形成於基板間連接片3上之導通孔之變形（通孔崩塌）。具體 而言，可對應開口部5之面積，而設定上側基板1或下側基 板2之殘銅率、層數、厚度等以實現之。 Ο
進而，黏著層4亦可使用熱塑性樹脂（聚苯硫醚(PPS)、 聚醚醚酮(PEEK)、聚醚礙(PES))及熱塑性聚醯亞胺等。條 件僅須符合與本實施例中已例示之基板間連接片之黏著層 4同等或更佳之低膨脹率或雷射加工性，或者層間連接性即 可。 產業之可利用性 本發明係因應近年之電路基板之多層化、高密度化之 要求者。本發明所提供之電路基板作為習知LTCC(低溫焙 燒積層陶瓷基板)之替代技術，在生產性、可靠度及製造成 本上均較有利。適用於以玻璃環氧樹脂積層構成之多層印 刷配線板為母板之安裝形態，本發明之產業上利用可能性 極高。 C圖式1簡單_說^明】 第1A圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 戴面圖。 第1B圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 第1C圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 第1D圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 23 201044941 截面圖。 第1E圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 第2A圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 第2B圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 截面圖。 第3A圖係顯示本發明實施例之電路基板與要部概況之 截面圖。 第3B圖係顯示本發明實施例之電路基板之製造方法之 要部概況之截面圖。 第4A圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第4B圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第4 C圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第4D圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第4E圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第4F圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第5A圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 24 201044941 截面圖。 第5B圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第5 C圖係顯示本發明實施例之上側基板之製造方法之 截面圖。 第6A圖係顯示本發明實施例之下側基板之製造方法之 截面圖。 第6 B圖係顯示本發明實施例之下側基板之製造方法之 截面圖。 第6C圖係顯示本發明實施例之下側基板之製造方法之 截面圖。 第6 D圖係顯示本發明實施例之下側基板之製造方法之 截面圖。 第7A圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7B圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7C圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7D圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7 E圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7F圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 25 201044941 面圖。 第7G圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第7H圖係顯示本發明實施例之連接片之製造方法之截 面圖。 第8A圖係習知之電路基板之截面圖。 第8B圖係習知之電路基板之截面圖。 第9A圖係顯示習知之電路基板與電路基板之製造方法 之問題之截面圖。 第9B圖係顯示習知之電路基板與電路基板之製造方法 之問題之截面圖。 【主要元件符號說明】 1…上側基板 11···空腔 2···下側基板 20…電路基板 3…基板間連接片 21…預浸片 4…黏著層 22a、22b…脫模片 5、6…開口部 23…貫通孔 5a、6a…端部 24…導電糊 7…阻焊層 25a、25b…金屬箔 7a…形成端 26···電路圖形 8…緩衝材 30…電路基板 8a…脫模層 31…膠片 8b."SUS 板 34…導電糊 10…電路基板 35…金屬箔 26 201044941 36…電路圖形 51…模塑樹脂層 41…黏著層 52…基板 42…載體膜 55…開口 42a、42b…脫模片 61…上側基板 43…貫通孔 63…黏著層 44…導電糊 P…撓曲量 45…接觸部 R…間隙 50…軟質陶瓷片 Ο 〇 27

Claims (1)

  1. 201044941 七、申請專利範圍： 1. 一種電路基板之製造方法，包含以下步驟： 製作具有開口部且於表層上形成有電路與絕緣覆 膜層之上側基板； 製作於表層上形成有電路與絕緣覆膜層之下側基 板； 製作包含貫通孔與前述貫通孔中已充填之導電糊 之基板間連接片； 積層前述下側基板、前述基板間連接片與前述上側 基板並予以加熱加壓； 而，在前述形成下側基板之步驟中，前述下側基板 之前述絕緣覆膜層在積層前述下側基板、前述基板間連 接片與前述上側基板後，前述絕緣覆膜層之形成端將形 成在其與前述上側基板之開口部之端部或前述基板間 連接片之開口部之端部之間具有間隙， 前述加熱加壓步驟包含對前述基板間連接片與前 述上側基板之開口部以及前述間隙内填入緩衝材之步 驟。 2. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，前述基 板間連接片之開口部面積大於前述上側基板之前述開 口部之面積。 3. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，前述上 側基板及前述下側基板係使用浸滲於基材内之樹脂已 固化者， 28 201044941 刚述基板間連接片係於載體膜上形成有包含盈機 物之填料與熱固性樹脂且不含芯材之黏著層者。 4_Γ料鄕圍第1奴㈣基板之製造方法，前述基 =連接片材料係使用厚度方向之熱膨脹佩低於構 成則述上側基板及前述下侧基板之材料之厚度方向之 熱膨脹係數者。 5·如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，前述製
    乍上侧基板之步驟中’對前述上側基板製作已對貫通孔 充填有導電糊而成之導通孔， 刖述製作下側基板之步驟中，則對前述下側基板製 作已對貫通孔充填有導電糊而成之導通孔， 透過前述導通孔則可層間連接兩面表層之電路。 6.如申請專利範圍第丨項之電路基板之製造方法，前述製 作基板間連接片之步驟中，前述基板間連接片係即皆段 狀態者， 且，前述緩衝材之流動性係低於前述基板間連接片 之流動性。 如申請專利範圍第6項之電路基板之製造方法，前述緩 衝材係於表層包含脫模層之矽氧橡膠或異丁烯橡膠。 —種電路基板，係透過包含開口部並設有層間連接用之 導通孔之基板間連接片，積層包含開口部並於表層設有 電路與絕緣覆膜層之上側基板、以及於表層設有電路與 絕緣覆膜層之下側基板， 且以前述上側基板之前述開口部與前述基板間連 29 201044941 接片之前述開口部構成空腔， 前述基板間連接片之開口部面積形成大於前述上 側基板之開口部面積， 前述下側基板之絕緣覆膜層之端部與前述基板間 連接片之開口部之端部之間設有間隙。 9.如申請專利範圍第8項之電路基板，前述上側基板及前 述下側基板係使用浸滲於基材内之樹脂已固化者， 月’J述基板間連接片係包含無機物之填料與熱固性 樹脂且不含芯材之黏著層之前述熱固性樹脂已固化者。 1〇·如申請專利範圍第8項之電路基板，前述基板間連接片 材料係^用厚度方向之熱膨脹係數低於構成前述上側 ^ 側基板之材料之厚度方向之熱膨脹係數 者。 30
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