TW201043727A - Wafer carrier track - Google Patents

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* I 201043727 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 • 本發明之實施例大體而言係關於用於氣相沉積之設備 及方法，且更特定言之，係關於化學氣相沉積系統、反 應器及其製程。 【先前技術】 Ο 〇 通常藉由利用多種製造程序來製造光電或太陽能元 件、半導體元件或其他電子元件以操縱一基材之表面。 此等製造製程可包括沉積、退火、蝕刻、摻雜、氧化、 氮化及許多其他製程。大體而言，該等製造設備通常將 部分或整個基礎基材併入該電子元件之最終架構。舉例 而言，光電元件通常形成於一砷化鎵晶圓上，該砷化鎵 晶圓經合併為該最終光電元件之内部部件。 磊晶移植（ELO)為用於製造薄膜元件及材料之一不 *用技術，其未將該基礎基材併入該等最終製造元件 中μ阳層、薄膜或材料係成長或沉積於一犧牲層上， 該犧牲層係藉由化學氣相沉積（cvd)製程或金屬有機 CVD(MOCVD)製程配置於諸如砷化鎵晶圓之成長基材 上。隨後’在濕酸浴中選擇性地則掉該犧牲層，同時 ❹⑺餘刻製程期間使遙晶材料與成長基材分離。該經 =晶：料為一薄層或薄膜且通常稱為el〇薄膜或蟲 每一遙晶薄膜通常含有相對於諸如光電或太陽 4 201043727 能元件、半導體元件或其他電子元件之特定元件具有變 化組合物之眾多層。 • 該CVD製程包括藉由氣相化學前驅物之反應成長或 Λ沉積蟲晶薄膜之步驟。在MOCVD製程期間，該等化學 前驅物中至少一者為金屬有機化合物，亦即，具有金屬 原子及含有有機片段之至少一個配位體的化合物。 一眾多類型之CVD反應器可用於極不同應用中。舉例而 ❹g，CVD反應器包括單一或大塊晶圓反應器、大氣慶及 低壓反應H、周圍溫度及高溫反應_，以〗電衆增強反 應器。此等獨特設計解決在CVD製程期間遭遇之多種挑 戰，諸如耗盡效應、污染問題、反應器維護、產出率及 生產成本。 因此，對於CVD反應器及製程而言，需要以與藉由當 前已知之CVD裝備及製程相比污染更小、時 率之消耗更小及更便宜之更有效方式在基材上成= U 薄膜堆疊。 【發明内容】 本發明之實施例大體上關於用於化學氣相沉積（CVD ) 之裝置及方法。一實施例中，提供一種用於在氣相沉積 反應器系統内懸浮及橫移一晶圓載具之晶圓載具軌道， 其包括：一軌道組件的一上段，其配置於該軌道組件之 一下段之上；一氣穴，其形成於該軌道組件之該上p與 201043727 其沿該上段的一上表面延伸；

邛搭接接頭具有延伸遠於該軌道組件之該導引路徑及該 該下段之間；一導引路徑， 兩個側表面’其在該導引』 並且彼此平行，其中該導; 伸；複數個氣孔，其位於3 二個側表面的一上表面。在某些實例巾，該軌道組件的 該上段及/或下段可獨立地含有石英。該軌道組件的該下 &可為一石英板。该軌道組件的該上段及該下段可被融 合在一起。 在某些實施例中’該軌道組件的該上段及/或下段之每 —者獨立地含有石英《該軌道組件的該下段可為一石英 板°該軌道組件的該上段及該下段可被融合在一起。 在其他實例中’一氣體通口自該軌道組件之上段之側 表面穿過該軌道組件之上段的一部分延伸至氣穴中。複 數個氣孔可共計約10個孔至約50個孔，較佳約2〇個孔 至約40個孔。每一氣孔可具有在約0.005 »寸至約〇.〇5 吋，較佳約0.01吋至約〇.〇3吋之範圍内的直徑。 在另一實施例中’該晶圓載具軌道具有配置在該導引 路挺上的一懸浮晶圓載具。在某些範例中，該懸浮晶圓 栽具具有至少一個配置在一下表面内的壓痕囊。在其他 6 201043727 實例中，該懸浮晶圓載具具有至少二個配置在一下表面 内的壓痕囊。 • 纟其他實施例中，晶圓載具轨道系統可含有端對端串 ^聯配置之兩個或兩個以上的晶圓載具軌道。在一實施例 中’提供該晶圓載具轨道系統’其包括：一第一晶圓載 具軌道之-上部搭接接頭，其配置於—第二晶圓载具軌 道之一下部搭接接頭之上；_排氣通σ，其形成於該第 Ο 一晶圓載具軌道之該上部搭接接頭與該第二晶圓載具執 道之該下部搭接接頭之間m引㈣，其位於 該第-晶圓載具軌道之一上表面上並與該第二晶圓载具 軌道之一上表面上的一第二導引路徑對準。在一些實例 中，該第二晶圓載具執道之一上部搭接接頭可配置於一 第三晶圓載具軌道之一下部搭接接頭之上。 在另-實施例中，提供一種用於在氣相沉積反應器系 統内懸浮及橫移晶圓載具之晶圓載具軌道，其包括：一 〇 軌道組件’其具有形成其内的一氣穴；一導引路徑，其 沿該軌道組件的一上表面延伸；複數個氣孔，其位於該 導引路徑内且從該軌道組件之該上表面延伸至該氣穴 中；以及，一上部搭接接頭，配置於該軌道組件之一端 處，與一下部搭接接頭，其配置於該軌道組件之該相對 端處，其中該上部搭接接頭延伸該導引路徑之一部分， 而該一下部搭接接頭具有延伸遠於該軌道組件之該導引 路徑的一上表面。 至少一個側表面可配置於該軌道組件上且沿著導引路 201043727 Ο 控在該導引路徑上方延伸4 —些實例巾兩個側表面 可配置於該軌道組件上且沿著導引路徑在該導引路徑上 方延伸。導引路徑通常在該兩個側表面之間延伸。在— 實施例中，該軌道組件之上段可配置於該軌道組件之下 段之上。該軌道組件之上段可具有沿著該上表面延伸之 導引路徑。氣穴可形成於該軌道組件之上段與下段之 間。在一些實例中，該執道組件之上段及下段可被融合 在一起。在一些實施例中，該轨道組件含有石英。該執 道組件之上段及下段可獨立地含有石英。在一實例中， 該軌道組件之下段為一石英板。 在其他實施例中，氣體通口自該軌道組件之側表面延 伸至氣穴中。氣體通口可用以使懸浮氣體穿過該軌道組 件之側表面流進氣穴，並自該軌道組件之上表面上之複 數個氣孔流出。複數個氣孔可共計約1 〇個孔至約5〇個 孔’較佳約20個孔至約40個孔。每一氣孔可具有在約 w 0·005吋至約0.05吋，較佳約0.01吋至約〇·〇3吋之範圍 内的直徑。 【實施方式】 本發明之實施例大體而言係關於諸如金屬有機CVD (MOCVD )製程之化學氣相沉積（CVD )之一裝置及方 法。如本文所陳述，本發明之實施例經描述為其係關於 一大氣壓CVD反應器及金屬有機前驅物氣體。然而，應 8 201043727 注意，本發明之彼等態樣並非限於供大氣壓CVD反應器 或金屬有機前驅物氣體使用，但適用於其他類型之反應 器系統及前驅物氣體。為更好地理解本發明之裝置及其 使用方法之新穎性，下文參閱該等隨附圖式。

根據本發明之一實施例，提供一種大氣壓cvd反應 器。該CVD反應器可用以在諸如碎化録基材之一基材上 提供多個磊晶層。此等磊晶層可包括砷化鋁鎵、砷化鎵 及神化磷鎵。此等以層可成長在糾化鎵基材上以用 於稱後移除，以便該基材可經再使用以產生額外材料。 在一實施例中，該CVD反應器可用以提供太陽能電池。 此等太陽能電池可進-步包括單接面、異接面或其他組 態。在-實施例中’該CVD反應器可經裝設以將2 5瓦 特晶圓形成在10公分x10公分之基材上。在一實施例 中’該CVD反應器可提供每分鐘約丨個基材至每分鐘約 10個基材之產出率範圍。 第1A圖至第1E圖描繪如本文所描述之一實施例中描 述之反應mCVD反應器或腔室。反應器1〇〇含有 配置於反應器主體組件1()2上之反應器蓋組件細。反 應器蓋組件200及其組件進一步圖示於第2A圖至第犯 圖中且反應器主體、组件1G2進—步圖示於第3圖中。 反應器蓋組件200含有一喷射器或隔離器，即隔離器 組件500 ’其配置於兩個喷淋頭（即嘴淋頭組件7〇〇 )之 間。反應器蓋組件200亦含有排氣組件_。帛K圖描 繪含有諸如腔室M 16G、腔室站162之兩個沉積站的反 9 201043727 應器100。腔室站160含有喑妯a5知钟_ 3另Τ淋頭組件700及隔離器組 件遍’而腔室站162含有嗔淋頭組件7〇〇及排氣組件 _。在-實施例中’隔離器組件·可用以流動氣體以 將噴淋頭組件700兩者彼此分離，而排氣組件8〇〇可用 以將反應器1〇〇之内部環境隔離連接至面板112之另一 反應器。 在本文所述之許多實施例中，噴淋頭組件7〇〇中之每 Ο 一者可為模組化喷淋頭組件，隔離器組件500中之每一 者可為模組化隔離器組件，且排氣組件8〇〇中之每一者 可為模組化排氣組件。如達成特定製程條件所需，喷淋 頭組件700、隔離器組件500及/或排氣組件8〇〇中之任 者可自反應器蓋組件200移除，且可用相同或不同組 件來替代。喷淋頭組件700、隔離器組件500及/或排氣 組件800之該等模組化組件可經獨立地裝設以用於定位 在一 CVD反應器系統内。 在本文所述之替代實施例中’雖然提供反應器1〇〇之 其他組態，但其未圖示於諸圖中。在—實施例中，反應 器100之反應器蓋組件200含有由兩個噴淋頭組件700 刀離之二個排氣組件8 0 0 ’以便反應器蓋組件2 〇 〇相繼 含有第一排氣組件、第一喷淋頭組件、第二排氣組件、 第二噴淋頭組件及第三排氣組件。在另一實施例中，反 應器100之反應器蓋組件200含有由兩個噴淋頭組件7〇0 分離之三個隔離器組件50〇，以便反應器蓋組件2〇〇相 繼含有第一隔離器組件、第一喷淋頭組件、第二隔離器 201043727 組件、第二喷淋頭組件及第三隔離器組件。 在另一實施例中，反應器100之反應器蓋組件2〇〇含 有由兩個喷淋頭組件7 0 0分離之兩個隔離器組件5 〇 〇及 一個排氣組件800 ,以便反應器蓋組件2〇〇相繼含有第 • 一隔離器組件、第一喷淋頭組件、第二隔離器組件、第 二噴淋頭組件及第一排氣組件。在另—實例中，反應器 蓋組件200可相繼含有第一隔離器組件、第一噴淋頭組 〇 件第一排氣組件、第二噴淋頭組件及第二隔離器組件。 在另—實例中，反應器蓋組件200可相繼含有第一排氣 組件、第一噴淋頭組件、第一隔離器組件、第二噴淋頭 組件及第二隔離器組件。 在另實施例中，反應器1〇〇之反應器蓋組件2〇〇含 有由兩個噴淋頭組件700分離之兩個排氣組件8〇〇及一 個隔離器組件500，以便反應器蓋組件2〇〇相繼含有第 一排氣組件、第一喷淋頭組件、第二排氣組件、第二嘴 〇 淋頭組件及第一隔離器組件 '在另一實例中，反應器蓋 組件200可相繼含有第一排氣組件、第一噴淋頭組件、 第一隔離器組件、第二噴淋頭組件及第二排氣組件。在 另實例中，反應器蓋組件200可相繼含有第一隔離器 ‘組件H淋頭組件1 —排氣組件1二喷淋頭組 件及第二排氣組件。 » 反應器主體組件1〇2在一端含有面板11〇且在相對端 含有面板112。面板110及面板112可各自獨立地用以將 類似於或不同於反應器100之額外反應器耦接在一起， 11 4 * 201043727 或耦接一端蓋、一端板、一晶圓/基材處置器或另一元 件。在一實例中’反應器100之面板110可耦接至另一 反應器（未圖示）之面板Π2。類似地，反應器1〇〇之 面板112可麵接至另一反應器（未圖示）之面板1丨〇。密 ' 封件、間隔件或〇型環可配置於兩個接合面板之間。在 一實施例中’該密封件可含有諸如鎳或鎳合金之金屬。 在一實例中，該密封件為一刃狀金屬密封件。在另一實 0 施例中’該密封件含有聚合物或彈性體，諸如可購自

DuPont Performance Elastomers L.L.C 之 KALHEZ®彈性 體密封件。在另一實施例中，該密封件可為一螺旋密封 件或一 Η型密封件。該密封件或〇型環應形成一氣密密 封件’以防止或大幅減少周圍氣體進入反應器1 〇〇。在 使用或生產期間’可在極少或無氧、水或二氧化碳之情 況下維持反應器1 〇〇。在一實施例中，可在獨立地約1 〇〇 ppb (十億分率）或更少，較佳約ppb或更少，更佳 C) 約1 PPb或更少’且更佳約1〇〇 ppt (萬億分率）或更少 之氧濃度、水濃度及/或二氧化碳濃度之情況下維持反應 器 100。 側面120及側面1 30沿著反應器主體組件102之長度 延伸。側面120具有上表面128且侧面130具有上表面 138。反應器主體組件1〇2之上表面114及上表面116在 上表面128與上表面138之間延伸》上表面114在反應 器主體組件102上（僅位於内部）且與面板11〇平行， 且上表面11 6在反應器主體組件1 〇2上（僅位於内部） 12 201043727 且與面板112平行。氣體入口 i23耦接至側面ι2〇且自 其延伸。該懸浮氣體或載送氣體可經由氣體入口 123引 入至反應器100中。該懸浮氣體或載送氣體可含有氮、 氦、氬、氫或其混合物。 w 第1F圖描繪根據本文所描述之一實施例之反應器 1〇〇’反應器100麵接至溫度調節系統19〇並且包括反應 器主體組件102及反應器蓋組件2〇〇。在第ip圖中將溫 0 度調節系統190圖示為具有三個熱交換器180a、180b及 180c。然而，溫度調節系統19〇可具有耦接至反應器1〇〇 之各部分且與各部分形成流體連通之1、2、3、4、5個 或更多個熱交換器。熱交換器l80a、l8〇b或i8〇c中之 每一者可含有至少一個液體供應器182及至少一個液體 回流器184。每一液體供應器182可藉由導管186耦接 至反應器100上之入口並與其形成流體連通，而每一液 體回流器184可藉由導管1S6耦接至反應器1〇〇上之出 ◎ 口並與其形成流體連通。導管186可包括管路（pipe)、配 管（tubing)、軟管、其他中空管線或其組合。閥188可用 於液體供應器182與入口之間或液體回流器184與出口 之間的每一導管186上。 反應器主體組件102耦接至作為熱調節系統之部件的 至少一個熱交換器並與其形成流體連通。在一些實施例 中，反應器主體組件102可耦接至兩個、三個或更多個 熱交換器並與其形成流體連通。第1B圖描纷入口 118& 及出口 118b，其耦接至反應器100之下部部分1〇4及該 13 201043727 熱調節系統’並與反應器100之下部部分1〇4及該熱調 節系統形成流體連通。 ♦ 在一實施例中，入口 122a、122b及122c，及出口 126a、 126b及126c搞接至側面120並自其延伸。至少—個熱 * 交換器耦接至入口 122a、122b及122c，及出口 126&、 126b及126c並與其形成流體連通。入口 122a、122b及 122c可接收來自該等熱交換器之液體，而出口 126心12讣 ❹及i26c將該液體送回至該熱交換器。在一實施例中，每 一入口 122a、122b或122c定位於比每一各別出口 126a、 126b或126c更低之位置，以便流動液體自每一入口 122a、122b或122c向上流過每一連接通路至每一各別出 口 126a、126b 或 126c。 在另一實施例中’入口 132a、132b及132c，及出口 136a、136b及136c耦接至側面130並自其延伸。至少一 個熱交換器耦接至入口 132a、132b及132c ,及出口 〇 136a、136b及136c並與其形成流體連通。入口 132a、 132b及132c可接收來自該熱交換器之液體，而出口 13 6a、13 6b及13 6c將該液體送回至該熱交換器。 第1C圖至第1D圖圖示反應器主體組件1〇2，其含有 流體通路 124a、124b、124c、134a、134b 及 134c。在一 實例中’流體通路124a在側面120内且沿著反應器主體 組件102之部分長度延伸。流體通路124a耦接至入口 122a及出口 126a並與其形成流體連通。又，流體通路 134a在側面130内且沿著反應器主體組件1〇2之部分長 14 201043727 度延伸。流體通路13 4a耦接至入口 132a及出口 13 6a並 與其形成流體連通。 在另一實例令，流體通路124b在反應器主體組件1 02 内之架子或支架臂146内且沿著反應器主體組件102之 ’ 部分長度延伸。流體通路124b耦接至入口 122b及出口 126b並與其形成流體連通。又，流體通路134b在反應 器主體組件102内之架子或支架臂146内且沿著反應器 ❹ 主體組件之部分長度延伸。流體通路i34b麵接至入 口 13 2b及出口 13 6b並與其形成流體連通。 在另一實例中’流體通路124c自側面120延伸，穿過 反應器主體組件102之寬度，並至侧面13〇。流體通路 124c耦接至入口 122c及出口 132c並與其形成流體連 通。又，流體通路124c自侧面130延伸，穿過反應器主 體組件102之寬度，並至侧面13〇。流體通路12躭耦接 至入口 126c及出口 136c並與其形成流體連通。 〇 在另一實施例中，反應器主體組件102含有配置於其 中之晶圓載具軌道400及加熱燈系統6〇〇。加熱燈系統

可配置於晶圓載具軌道400之 一墊圈或一0型環之間隔件142 4〇〇之下表面與支架臂140之上 15 201043727 表面之間》又，諸如一墊圈或一 〇型環之間隔件144可 配置於晶圓載具轨道_之上表面與失臂148之下表面 之間@ 1%件142及間隔件144用以形繞晶圓載具 *軌道400之間隔或間隙，其有助於晶圓載具軌道4〇〇之 ，熱管理。在一實例中，支架臂146之上表面具有用於容 納間隔件142之凹槽。又，爽臂148之下表面具有用於 容納間隔件1 4 4之凹槽。 〇 第2A圖至第2C圖描繪根據本文所描述之另一實施例 之反應器蓋組件200。反應器蓋組件2〇〇含有配置於蓋 支撐件210上之喷淋頭組件7〇〇及隔離器組件5〇〇 (腔 室站160)與喷淋頭組件7〇〇及排氣組件8〇〇 (腔室站 162 )。第2D圖描繪如一實施例中所描述之在反應器蓋組 件200内容納之蓋支撐件21〇。蓋支撐件21〇具有下表 面208及上表面212。凸緣22〇自蓋支撐件21〇向外延 伸且具有下表面222。在將反應器蓋組件2〇〇配置於反 〇 應器主體組件102上時’凸緣220有助於支撐反應器蓋 組件200。凸緣220之下表面222可與反應器主體組件 102之上表面114、116、128及138實體接觸。 在一實施例中’喷淋頭組件700可配置於蓋支撐件21〇 之噴淋頭通口 230及250内，隔離器組件500可配置於 蓋支撐件210之隔離器通口 240内，且排氣組件8〇〇可 配置於蓋支撲件210之排氣通口 260内》該氣體或排氣 組件之幾何形狀通常與各別通口之幾何形狀匹配。每一 喷淋頭組件700及喷淋頭通口 230、250可獨立地具有矩 16 201043727 形或正方形幾何形狀。-製程路徑（諸如在製造製程期 間=圓載具480沿著晶圓載具軌道向前行進之路徑） .沿著蓋支料21G之長度以及晶圓載具軌道4⑽延伸。 . 纟淋頭通口 23。具有長度232及寬度234且噴淋頭通 口 250具有長度252及寬度254。隔離器組件5⑼及隔 離器通π 240可獨立地具有矩形或正方形幾何形狀。隔 離器通口 240具有長度242及寬度24〇排氣組件_ 〇及排氣通口 260可獨立地具有矩形或正方形幾何形狀。 排氣通口 260具有長度262及寬度264。 該製程路徑沿著喷淋頭通口 230之長度232及其中之 第一噴淋頭組件延伸，沿著隔離器通口 24〇之長度242 及其中之隔離器組件延伸，沿著喷淋頭通口 25〇之長度 252及其中之第二噴淋頭組件延伸，且沿著排氣通口 之長度262及其中之排氣組件延伸。又，該製程路徑垂 直於或大體上垂直於噴淋頭通口 230之寬度234及其中 〇 之第一喷淋頭組件、垂直於隔離器通口 240之寬度244 及其中之隔離器組件、垂直於喷淋頭通口 250之寬度254 及其中之第二喷淋頭組件’且垂直於排氣通口 260之寬 度264及其中之排氣組件延伸。 在一些實例中，第一喷淋頭組件700、隔離器組件 500、第二喷淋頭組件700及排氣組件8〇0彼此緊鄰且沿 著一沿蓋支樓件之長度延伸之製程路徑而連續配置。隔 離器組件500以及排氣組件800可各自具有一寬度，該 寬度大體上相同於或大於該製程路徑之寬度。又，隔離 17 201043727 器組件500或排氣組件800可獨立地具有一寬度，該寬 度大體上相同於或大於第一及第二喷淋頭組件700之寬 度。 在一實施例中，噴淋頭組件700獨立地具有正方形幾 何形狀，且隔離器組件5〇〇及排氣組件8〇〇具有正方形 幾何形狀。在一實例中，隔離器通口 240之寬度244及 隔離器組件500之寬度可橫跨該腔室内部之寬度延伸。 Ο在另一實例中，排氣通口 260之寬度264及排氣組件800 之寬度可橫跨該腔室内部之寬度延伸。 在一些實施例中，噴淋頭通口 23〇之寬度234、喷淋 頭通口 250之寬度254及每一喷淋頭組件7〇〇之寬度可 獨立地在約3吋至約9吋，較佳約5吋至約7吋之範圍 内（例如，約6吋）。又’喷淋頭通口 230之長度232、 噴淋頭通口 250之長度2〗2及每一喷淋頭組件7〇〇之長 度可獨立地在約3吋至約9吋，較佳約5吋至約7吋之 ^ 範圍内（例如，約6吋）。 在其他實施例中，隔離器通口 240之寬度244及隔離 器組件500之寬度可獨立地在約3吋至約12吋，較佳約 4吋至約8吋，且更佳約5吋至約6吋之範圍内。又， • 隔離器通口 240之長度242及隔離器組件500之長度可 • 獨立地在約0.5吋至約5吋，較佳約丨吋至約4吋，約 15吋至約2吋之範圍内。 在其他實施例中，排氣通口 26〇之寬度264及排氣組 件8 0 〇之寬度可獨立地在約3忖至約〗2对，較佳約4吋 18 201043727 至約8吋，且更佳約5吋至約6吋之範圍内。又，排氣 通口 260之長度262及排氣組件8〇〇之長度可獨立地在 約0.5吋至約5吋’較佳約1吋至約4吋，約1 5忖至約 2吋之範圍内。 反應器蓋組件200可耦接至作為熱調節系統之部件的 至少一個熱交換器並與其形成流體連通。在一些實施例 中’反應器盖組件200可麵接至兩個、三個或更多個熱 0 交換器並與其形成流體連通。 如第2Α圖中所描繪，反應器蓋組件2〇〇之熱調節系統 含有入口 214a、216a 及 218a’及出口 214b、216b 及 218b。 每一對入口及出口耦接至延伸貫穿反應器蓋組件2〇〇之 通路並與其形成流體連通。入口 214a、216a及218a可 接收來自該熱交換器之液體，而出口 214b、216b& 218b 將該液體送回至該熱交換器。在一些實施例中，該溫度 調節系統利用熱交換器以獨立地將反應器主體組件i 〇2 〇 及/或反應器蓋組件200維持在約25(rc至約35〇t之範圍 内’較佳約275°C至約325t之範圍内，較佳約290。(3至 約310C之範圍内（諸如約3〇〇。〇）的溫度下。 第2B圖至第2C圖圖示流體通路224、226及228。流 體通路224配置於入口 214a與出口 214b之間，入口 214a 及出口 214 b可麵接至一熱交換器並與其形成流體流 通。流體通路224配置於喷淋頭組件7〇〇與排氣組件8〇〇 之間。又’流體通路226配置於入口 216a與出口 216b 之間’且流體通路228配置於入口 218a與出口 218b之 19 201043727 間，其兩者可獨立地耦接至一熱交換器並與其形成流體 流通。流體通路226配置於喷淋頭組件700與隔離器組 件5 0 0之間，且流體通路2 2 8配置於喷淋頭組件7 0 0盘 ' 隔離器組件500之間。 • 流體通路224部分地形成於凹槽2 13與板223之間。 類似地’流體通路226部分地形成於凹槽215與板225 之間’且流體通路22 8部分地形成於凹槽217與板227 0 之間。凹槽213、215及217可形成於蓋支撐件210之下 表面208内。第2D圖描繪覆蓋凹槽213、215及217分 別的板223、225及227。 在一實施例中’提供用於氣相沉積之反應器蓋組件 2〇〇,其包括彼此緊鄰配置於蓋支撐件210上之第一喷淋 頭組件700及隔離器組件500，及彼此緊鄰配置於蓋支 揮件210上之第二喷淋頭組件7〇〇及排氣組件8〇〇，其 中隔離器組件500配置於第一與第二噴淋頭組件7〇〇之 C) 間’且第二喷淋頭組件700配置於隔離器組件500與排 氣組件800之間。 在另一實施例中’提供用於氣相沉積之反應器蓋組件 20〇 ’其包括腔室站160，其具有彼此緊鄰配置於蓋支撐 件210上之第一噴淋頭組件7〇〇及隔離器組件5〇〇 ;及 腔室站162’其具有彼此緊鄰配置於蓋支撐件21〇上之 第二喷淋頭組件700及排氣組件800，其中隔離器組件 500配置於第一與第二喷淋頭組件7〇〇之間，且第二噴 淋頭組件700配置於隔離器組件5〇〇與排氣組件8〇0之 20 201043727 間。 在另一實施例中，提供用於氣相沉積之反應器蓋組件 200 ’其包括彼此緊鄰連續且線性地配置於蓋支撐件2 j 〇 ‘ 上之第一喷淋頭組件700、隔離器組件500、第二喷淋頭 ‘組件700及排氣組件800，其中隔離器組件500配置於 第一與第二喷淋頭組件700之間，且第二喷淋頭組件700 配置於隔離器組件500與排氣組件800之間。 0 在另一實施例中，提供用於氣相沉積之反應器蓋組件 200，其包括彼此緊鄰連續且線性地配置於蓋支撐件21〇 上之第一喷淋頭組件700、隔離器組件500、第二噴淋頭 組件700及排氣組件800 ;及溫度調節系統丨9〇，其具有 至少一個液體或流體通路，但通常可具有兩個、三個或 更多個液體或流體通路，諸如延伸貫穿蓋支撲件21〇之 流體通路224、226及2M。溫度調節系統19〇進一步具 有耦接至流體通路224、226及228並與其形成流體連通 Ο 之至少一個入口（諸如入口 214a、216a及218a)及至少 一個出口（諸如出口 214b、216b 及 2i8b)。入口 2l4a、 216a及218a’及出口 214b、21讣及2l8b中之每一者可 獨立地耦接至貯液器、熱交換器或諸如熱交換器18〇&、 18〇1>及180()之多個熱交換器並與其形成流體連通。在 一實例中’該貯液器可含有或為水、醇、乙二醇、乙二 醇喊、有機溶劑或其混合物之源。 在一實例中，第-喷淋頭組件7〇〇可配置於溫度調節 系統190之兩個獨立流體通路之間，該等流體通路延伸 21 201043727 穿過反應器蓋組件200。在另一實例中，第二喷淋頭組 件700可配置於溫度調節系統190之兩個獨立流體通路 之間’該等流體通路延伸穿過反應器蓋組件200。在另 一實例中，隔離器組件500可配置於溫度調節系統1 9〇 之兩個獨立流體通路之間’該等流體通路延伸穿過反應 器蓋組件200。在另一實例中，排氣組件8〇〇可配置於 溫度調節系統19〇之兩個獨立流體通路之間，該等流體 0 通路延伸穿過反應器蓋組件200。 在另一實施例中’提供用於氣相沉積之反應器蓋組件 2〇〇,其包括腔室站160,其具有彼此緊鄰配置於蓋支撐 件210上之第一噴淋頭組件7〇〇及隔離器組件5〇〇 ;腔 至站162’其具有彼此緊鄰配置於蓋支標件21〇上之第 二喷淋頭組件700及排氣組件800,其中隔離器組件5〇〇 配置於第一與第二喷淋頭組件7〇〇之間；及溫度調節系 統 190 〇 在一實施例中，第一噴淋頭組件7〇〇、隔離器組件 500、第二喷淋頭組件7〇〇及排氣組件8〇〇彼此緊鄰並沿 著蓋支撐件210之長度而連續配置。在一些實施例中， 700更 隔離器組件500可具有比第一或第二喷淋頭組件 長之寬度。在其他實施例中，隔離器組件5〇〇可具有比

一或第二喷淋頭組件7〇〇更短 排氣組件800可具有比 之長度。 22 201043727 在一些實例令，坌 At 500、第一啥獻_5第—喷淋頭组件700、隔離器組件 5〇〇第一喷淋頭組件 护幾何开u甘 件_獨立地具有矩 /、他實例中，苐-噴淋頭組件700及第 二喷淋頭組件700且古τ + y u 弟 ”有正方形幾何形狀。蓋支撐件210 可s有一材料或由該材料製 针展成诸如鋼、不銹鋼、300 以不_、鐵1、鉻、_、銘、其合金或其组合。 實施例提供第一噴淋頭組件700、第二噴淋頭組件 Ο Ο 或隔離器組件500獨立地且有·一 八有.一主體，其含有配置於 -下部部分上之一上部部分；一中心通道，其在該主體 之内表面之間延伸穿過該主體之上部部分及下部部分， 且平行於延伸穿過該主體之—中心軸；—擴散板，其具 有複數個第-孔且配置於該中心通道内；—上部管板， 其具有複數個第二孔且配置於中心通道内擴散板下方； -下部管板’其具有複數個第三孔且配置於中心通道内 上部管板下S。喷淋頭、组件7〇〇或隔離器組件5〇〇中之 任一者獨立地可進一步具有自該上部管板延伸至該下部 管板之複數個管’其中每一管耦接至來自複數個第二孔 之一個別孔及來自複數個第三孔之一個別孔並與其形成 流體連通。 在另一實施例中，排氣組件8〇0含有：一主體，其具 有配置於一下部部分上之一上部部分；一中心通道，其 在該主體之内表面之間延伸穿過該主體之上部部分及下 部部分，且平行於延伸穿過該主體之一中心軸；一排氣 出口，其配置於該主體之上部部分上；一擴散板，其具 23 201043727 有複數個第一孔且配置於該中心通道内；一上部管板， 其具有複數個第二孔且配置於中心通道内擴散板下方； 一下部管板，其具有複數個第三孔且配置於中心通道内 上部管板下方。排氣組件800可進一步含有自上部管板 延伸至下部管板之複數個管，其中每一管耦接至來自第 一複數個孔之一個別孔及來自第三複數個孔之一個別孔 並與其形成流體連通。 〇 第4A圖至第4E圖描繪根據本文所描述之一實施例之 曰曰圓載具軌道400。在另一實施例中，提供用於懸浮及 槟過基材感^:器（諸如在如反應器1〇〇之氣相沉積反應 器系統内之懸浮晶圓載具48〇 )之晶圓載具軌道4〇〇，其 包括配置於晶圓載具軌道4〇〇之下段412上的晶圓載具 軌道400之上段410。氣穴43〇形成於晶圓載具軌道4〇〇 之上段410與下段4 12之間。兩個側表面41 6沿著晶圓 載具轨道400之上段410延伸並彼此平行。導引路徑420 Ο 在兩個側表面41 6之間並沿著上段4 1 〇之上表面41 8延 伸複數個氣孔43 8配置於導引路徑420内且自上段410 之上表面418延伸，穿過上段410,並至氣穴430中。 在另一實施例中，上部搭接接頭44〇配置於晶圓載具 軌道400之一端處’且下部搭接接頭45〇配置於晶圓載 具軌道400之相對端處’其中上部搭接接頭44〇沿著導 引路徑420之一部分及側表面416延伸。上部搭接接頭 440具有延伸遠於下段412之下表面442。下部搭接接頭 450具有延伸遠於晶圓載具軌道4〇〇之導引路徑42〇及 24 201043727 侧表面416之上表面452 β ◎

G 大體而言，晶圓載具軌道400之上段410及/或下段412 可獨立地含有石英。在一些實例中，晶圓載具軌道4〇〇 之下#又412可為一石英板。晶圓載具軌道4〇〇之上段41〇 及下段412可被融合在—起。在一特定實例中，上段41〇 及下段412皆含有石英且被融合在一起於其間形成氣 八。雖然在晶圓載具軌道4〇〇之上段41〇及/或下段412 中所含有之石英通常為透明，但是在一些實施例中，晶 圓載具執道400之部分可含有不透明石英。 在另實施例中，氣體通口 434自晶圓載具轨道4〇〇 之側表面402延伸並至氣穴43〇中。在一實例中，氣體 通口 434延伸穿過上段41〇。複數個氣孔438可共計約 10個孔至約50個孔，較佳約2〇個孔至約4〇個孔。氣 孔438中之每一者可具有在約0.005忖至約0.05对，較 佳約0.01吋至約〇·03吋之範圍内的直徑。 在其他實施例中，晶圓載具軌道系統可含有端對端串 聯配置之兩個或兩個以上晶圓載具軌道4〇〇，如第奶圖 至第4Ε圖中所描繪。在—實施例中，提供該晶圓載具軌 道系統，其包括：第-晶圓载具執道彻之上部搭接接 頭秦其配置於第二晶圓載具執道彻之下部搭接接 頭450之上；一排氣通口，其形成於第一晶圓載具軌道 400之上部搭接接頭44〇與第二晶圓載具軌道彻之下 部搭接接頭450之間；及-第-導引路徑，其位於第一 晶圓载具軌道之上表面上並與第二晶圓載具軌道 25 201043727 400之上表面上的一第二導引路徑對準。在一些實例中， 第二晶圓載具軌道400之上部搭接接頭440可配置於第 二晶圓載具軌道400 (未圖示）之下部搭接接頭450之 上。 在另一實施例中’提供用於在諸如反應器1〇〇之氣相 沉積反應器系統内懸浮及橫過懸浮晶圓載具48〇之晶圓 載具軌道400’其包括具有以下元件之晶圓載具執道 0 400 :形成於其中之氣穴430 ;導引路徑420，其沿著晶 圓載具軌道400之上表面延伸；複數個氣孔438，其在 導引路徑420内且自晶圓載具軌道4〇〇之上表面延伸並 至氣穴430中；及配置於晶圓載具轨道4〇〇之一端處的 上部搭接接頭440及配置於晶圓載具軌道4〇〇之相對端 處的下部搭接接頭450’其中上部搭接接頭440延伸導 引路徑420之一部分且下部搭接接頭45〇具有延伸遠於 晶圓載具軌道400之導引路徑420之上表面。 D 至少一個側表面可配置於晶圓載具軌道4〇〇上且沿著 導引路徑4 2 0並在其上方延伸。在一些實例十，兩個側 表面416配置於晶圓載具軌道4〇〇上且沿著導引路徑420 並在其上方延伸。導引路徑420可在兩個侧表面416之 間延伸。在一實施例中，晶圓載具軌道4〇〇之上段41〇 可配置於晶圓載具軌道400之下段412之上。晶圓載具 軌道400之上段410可具有沿著該上表面延伸之導引路 徑420。氣穴430可形成於晶圓載具軌道400之上段410 與下段412之間。在一些實例中，晶圓載具軌道4〇〇之 26 201043727 上段410及下段412可被融合在一起。在一些實施例中， aa圓載具軌道400含有石英。晶圓載具轨道400之上段 410及下段412可獨立地含有石英。在—實例中，晶圓 載具轨道400之下段412為一石英板。 在其他實施例中’氣體通口 434自晶圓載具軌道400 之側表面延伸並至氣穴430中。氣體通口 434可用以使 懸浮氣體穿過晶圓載具軌道400之側表面流進氣穴 ❹ 430 ’並自晶圓載具軌道400之上表面上之複數個氣孔 43 8流出。複數個氣孔43 8可共計約1 〇個孔至約5〇個 孔’較佳約20個孔至約40個孔。每一氣孔438可具有 在約0.005吋至約〇.〇5吋，較佳約〇 〇1吋至約〇 〇3吋 之範圍内的直徑。 在另一實施例中’第12A圖至第12E圖描繪懸浮晶圓 载具480’其可用以經由多種處理腔室載運一基材，該 等處理腔室包括如本文所描述之CVD反應器，以及用於 〇 沉積或蝕刻之其他處理腔室。懸浮晶圓載具480具有短 側面471、長側面473、上表面472及下表面474。雖然 用矩形幾何形狀來圖示懸浮晶圓載具480，但是其亦可 具有正方形幾何形狀、圓形幾何形狀或其他幾何形狀。 懸浮晶圓載具480可含有石墨或其他材料或由石墨或其 他材料形成。懸浮晶圓載具480通常穿過CVD反應器， 其中短側面471面向前，而長側面473面向CVD反應器 之側面。 第2 A圖至第12B圖描繪根據本文所描述之一實施例 27 201043727 之懸浮晶圓載具480。第12A圖圖示懸浮晶圓載具480 之俯視圖’該晶圓載具在上表面472上含有3個壓痕 475。晶圓或基材可定位於壓痕475内，同時在一製程期 間經由CVD反應器將其轉移。雖然上表面472經圖示具 * 有3個壓痕475,但是其可具有或多或少壓痕，包括無 壓痕。舉例而言，懸浮晶圓載具480之上表面472可含 有用於含有晶圓或基材之〇、1、2、3、4、5、6、7、8、 ◎ 9、10、12個或更多個壓痕。在一些實例中，一個晶圓/ 基材或多個晶圓/基材可直接配置於不具有壓痕之上表 面472上。 第12B圖圖示如本文之一實施例中所描述之懸浮晶圓 載具480之仰視圖，該懸浮晶圓載具在下表面474上含 有壓痕478。壓痕478可用以助於在懸浮晶圓載具48〇 下方引入氣墊後立即使懸浮晶圓載具480懸浮。氣流可 經導引於壓痕478處，該壓痕累積氣體以形成氣墊。懸 Ο 浮晶圓載具480之下表面474可不具有壓痕，或可具有 一個壓痕478(第12B圖）、兩個壓痕478(第12C圖至 第12E圖）、三個壓痕478 (未圖示）或更多個壓痕。壓 痕478中之每一者可具有直或漸縮（tapered)側面。在一 實例中，每一壓痕478具有漸縮側面，以使得側面476 比具有更多漸變角度之侧面477更陡（steep)或更險 (abrupt)。壓痕478内之側面477可為漸縮以補償遍及懸 浮晶圓載具480上之熱梯度。又，側面477可為漸縮或 成角度的以有助於形成氣囊並在沿著晶圓載具軌道4〇〇 28 201043727 舉升並移動/橫過懸浮晶圓載具480時維持該氣囊低於懸 浮晶圓載具480。在另一實例中，壓痕478具有直或大 體上直的側面及漸縮側面，以使得側面476為直的或大 體上直的且側面477具有一錐度（taper)/角度，或側面477 '為直的或大體上直的且側面476具有一錐度/角度。或 者，壓痕478可具有所有直側面，以使得側面476及側 面477為直的或大體上直的。 0 在另一實施例中’第12C圖至第12E圖圖示懸浮晶圓 載具480之仰視圖，該晶圓載具在下表面474上含有兩 個壓痕478。兩個壓痕478有助於在懸浮晶圓載具480 下方引入氣墊後立即使懸浮晶圓載具480懸浮。氣流可 經導引於壓痕478處，該壓痕累積氣體以形成氣墊。壓 痕478可具有直或漸縮側面。在一實例中，如第1 〇E圖 中所圖示’壓痕478具有所有直側面以使得侧面476及 側面477為直的，例如’垂直於下表面474之平面。在 〇 另一實例t ,如第10F圖中所圖示，壓痕478具有所有 漸縮側面以使得側面476比具有更多漸變角度之侧面 477更陡或更險。壓痕478内之侧面477可為漸縮以補 償遍及懸浮晶圓載具480上之熱梯度。或者，壓痕478 可具有直側面與漸縮側面之一組合，以使得侧面476為 直的且侧面477具有一錐度，或側面477為直的且側面 476具有一錐度。 懸浮晶圓載具480含有一熱通量，該熱通量自下表面 474延伸至上表面472，且延伸至配置於其上之任何基 29 201043727 材。該熱通量可由處理系統之内壓力與長度來控制。懸 浮晶圓載具480之輪廓可為漸縮以補償來自其他源之熱 • 損失。在一製程期間，熱穿過懸浮晶圓載具48〇之邊緣 (諸如短侧面471及長側面473)而損失。然;而，該熱 知失可藉由減小該懸浮中之通道間隙使更多熱通量進入 懸浮晶圓載具480之邊緣來得以補償。 在另一實施例中，晶圓載具軌道400含有配置於導引 ❹路& 420上之懸浮晶圓載具48〇。在一些實例中，懸浮 晶圓載具480具有配置於下表面内之至少一個壓痕囊。 在其他實例中，懸浮晶圓載具48〇具有配置於下表面内 之至少兩個壓痕囊。 第5 A圖至第5D圖描繪根據本文所描述之實施例之用 於諸如反應器1〇〇之氣相沉積腔室之隔離器組件5〇〇。 在一實施例中，隔離器組件500包括：主體5〇2，其具 有上部部分506及下部部分504 ;及中心通道516，其延 〇 伸穿過主體502之上部部分506及下部部分5〇4。上部 部分506含有上表面507。中心通道516在主體5〇2之 内表面509之間延伸，且平行於延伸穿過主體5〇2之中 心轴501。擴散板530含有複數個氣孔532且配置於中 心通道516内。在一實例中，擴散板53〇配置於凸緣或 凸耳510上。在另一實例中，隔離器組件5〇〇不含有配 置於其中之擴散板530。 隔離器組件500進一步含有上部管板54〇，該上部管 板具有複數個氣孔542且配置於擴散板53〇下方之中心 30 201043727 通道516内。隔離器組件500亦含有下部管板55〇，該 下部管板具有複數個氣孔552且配置於上部管板54〇下 方之中心通道516内。複數個充氣管58〇自上部管板54〇 . 延伸至下部管板550，其中每一管耦接至來自複數個氣 ' 孔542之一個別孔及來自複數個氣孔552之一個別孔並 與其形成流體連通。在本文所述之許多實施例中，充氣 管580中之每一者彼此平行或大體上彼此平行，以及平 0行（或大體上平行）於中心軸501延伸。在一替代實施 例中（未圖示）充氣管580中之每一者可以相對於中心 轴501之一預定角度延伸，諸如在約丨。至約15。或更大 之範圍内。 隔離器組件500可用以藉由提供穿過進氣通口 522並 進入孔穴53 8、548及558之流動路徑來分散氣體，諸如 淨化虱體、刖驅物軋體及/或載送氣體。孔穴形成於 中心通道516内之上部板520與擴散板53()之間。孔穴 〇 548形成於中心通道516内之擴散板53〇與上部管板54〇 之間。孔穴558形成於中心通道516内之上部管板54〇 與下部管板5 5 0之間。 在另一實施例中，隔離器組件5〇〇包括：主體5〇2, 其含有上部部分506及下部部分5〇4，其中上部部分5〇6 含有延伸至下部部分504之上的一凸緣；令心通道516, ，，主體502之内表面509之間延伸穿過主體5〇2之上 邛。卩π 506及下部部分504’且平行於延伸穿過主體5〇2 轴501,擴散板530’其含有複數個氣孔532且配 31 201043727 置於中心通道516内；上部管板540,其含有複數個氣 孔542且配置於中心通道516内擴散板53〇下方；下部 管板550，其含有複數個氣孔552且配置於中心通道516 内上部管板540下方；及複數個充氣管58〇，其自上部 管板540延伸至下部管板550,其中每一管麵接至來自 複數個氣孔542之一個別孔及來自複數個氣孔552之一 個別孔並與其形成流體連通。 · 在另一實施例中，隔離器組件500包括：主體502， 其含有上部部分506及下部部分504，其中上部部分506 自主體502之中心軸501鄰近地延伸遠於下部部分504 且下部部分504平行於中心軸501延伸遠於上部部分 506，中心通道516 ’其在主體502之内表面509之間延 伸穿過主體502之上部部分506及下部部分504，且平 行於中心轴501;擴散板530’其含有複數個氣孔532且 配置於中心通道516内；上部管板540，其含有複數個 氣孔542且配置於中心通道516内擴散板530下方；下 部管板550 ’其含有複數個氣孔552且配置於中心通道 516内上部管板540下方；及複數個充氣管58〇，其自上 部管板540延伸至下部管板550 ,其中每一管麵接至來 自複數個氣孔542之一個別孔及來自複數個氣孔552之 一個別孔並與其形成流體連通。 在另一實施例中，隔離器組件500包括：主體502， 其含有上部部分506及下部部分504;中心通道516，其 在主體502之内表面509之間延伸穿過主體5 02之上部 32 201043727 部分506及下部部分504 ’且平行於延伸穿過主體502 之中心軸501 ;擴散板53 0 ’其含有複數個氣孔532且配 置於中心通道516内；上部管板540，其含有複數個氣 孔542且配置於擴散板530下方之中心通道516内；及 下部管板550，其含有複數個氣孔552且配置於上部管 板540下方之中心通道516内。

在另一實施例中，隔離器組件5〇0包括：主體502， 其含有上部部分506及下部部分5〇4 ;中心通道516，其 在主體502之内表面5〇9之間延伸穿過主體5〇2之上部 部分506及下部部分5〇4，且平行於延伸穿過主體5〇2 之中〜軸501，上部管板540，其含有複數個氣孔532且 配置於中心通道516内擴散板530下方；下部管板55〇, “有複數個氣孔542且配置於中心通道5! 6内上部管 板540下方；及複數個充氣管580，其自上部管板54〇 延伸至下部管板55〇，其中 丹〒每一官耦接至來自複數個氣 孔532之一個別孔及來自複數個氣孔542之一個別孔並 與其形成流體連通。 在些實施例中，隔離器組件5〇〇為一模組化喷淋頭 、、件主體5G2之上部部a 5()6及下部部分 地含有一材料，諸如鋤 ^ 针諸如鋼、不錢鋼、则系列不錄鋼、鐵、 錄、絡、銷、叙、甘人 八〇金或其組合。在一實例中，主 502之上部部分5〇6 及下°卩°卩分504各自獨立地含有不 銹鋼或其合金^ 不 在一實施例中，隔離 器、、且件500含有配置於主體5〇2 33 201043727 之上部部分506上之氣體入口 560。上部板520可配置 於主體502之上部部分506之上表面上且氣體入口 560 可配置於該板上。該板可含有一材料，諸如鋼、不銹鋼、 300系列不錄鋼、鐵、鎳、鉻、钥、魅、其合金或其組 ’ 合。在一些實例中，該板具有延伸穿過其中之進氣通口 522°氣體入口 56〇具有延伸穿過進氣通口 522之入口管 564。入口喷嘴562可耦接至入口管564之一端且配置於 0 該板上方。在另一實例中，該喷淋頭主體之上部部分506 之上表面具有圍繞中心通道516之凹槽508。一 〇型環 了配置於凹槽508内。擴散板530可配置於在中心通道 516内自主體5〇2之側表面突出的凸耳或凸緣上。 在一實施例中，複數個充氣管58〇可具有計數在約5〇〇 個管至約1，500個管，較佳約700個管至約12〇〇個管， 且更佳約800個管至約^00個管之範圍内（例如，約 9〇0個管）的管。在一些實例中’每一管可具有在約0.5 O em至約2em，較佳約至約」2^之範圍内（例 如，約lcm)的長度。在其他實例中，每一管可具有在 約〇.〇〇5叶至約〇.05对，較佳約0.01对至約〇·〇3对之 範圍内的直徑。在些實例中，該等管為皮下注射針。 該等管可含有一材料或由該材料製成’諸如鋼、不銹鋼、 則系列不錄鋼、鐵、錄、鉻、翻、銘、其合金或其組 合。 在-實施例中，位於擴散板53〇上之複數個氣孔M2 的每-孔具有比位於上部管板54〇上之複數個氣孔Μ 34 201043727 的每一孔更大之直徑。另外’位於擴散板530上之複數 個氣孔532的每一孔具有比位於下部擴散板上之複數個 氣孔552的每一孔更大之直徑。又，位於上部管板540 上之複數個氣孔542的每一孔具有與位於下部管板55〇 上之複數個氣孔552的每一孔相同之直徑或大體上相同 之直徑。

在一實施例中，擴散板530可含有一材料或由該材料 製成，諸如鋼、不銹鋼、3 00系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、 鉬、鋁、其合金或其組合。擴散板530可含有計數在約 20個孔至約200個孔，較佳約25個孔至約55個孔，且 更佳約40個孔至約60個孔之範圍内的孔。擴散板53〇 之每一孔可具有在約0·005吋至約〇 〇5吋，較佳約〇〇1 吋至約0.03吋之範圍内的直徑。在另一實施例中，上部 管板540及/或下部管板55〇可獨立地含有一材料或由該 材料獨立地製成’諸如鋼、不錄鋼、3⑻系列不錄鋼、 鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合。上部管板54〇 及/或下部管板550可獨立地具有約5〇〇個孔至約15〇〇 個孔’較佳、約700個孔至、約“Μ個孔，且更佳約_ 個孔至約Moo個孔。上部管板54〇及/或下部管板55〇 之每-孔可獨立地具有在約〇 〇〇5吋至約〇 〇5吋較佳 約0.01彳至約0.03对之範圍内的直徑。在另一實施例 中’隔離器組件500可具有在約10個孔/平方吋（每平 方叶之孔數）至約6〇個孔/平方对，較佳約15個孔/平方 吋至約45個孔/平方吋’且更佳約2〇個孔/平方吋至約 35 201043727 36個孔/平方吋之範圍内的氣體孔密度及/或管數。 在一實例中’隔離器組件500之主體502的上部部分 506之上表面為金屬板。在其他實例中，隔離器組件5〇〇 可具有矩形幾何形狀或正方形幾何形狀'在另一實施例 中’隔離器組件500之主體502進一步含有一溫度調節 系統。該溫度調節系統（諸如溫度調節系統19〇 )可含 有在主體502内延伸之流體通路518，且可具有麵接至 ❹ 流體通路518並與其形成流體連通之入口 514a及出口 514b。入口 514a及出口 514b可獨立地耦接至一貯液器 或至少一個熱交換器（諸如如第1F圖中所描繪之溫度調 節系統190内之熱交換器i80a、18〇b或i8〇c)並與其形 成流體連通。 第ό圖描繪加熱燈組件600，其可用以加熱如本文之 實施例中所描述之氣相沉積反應器系統内之晶圓或基 材’以及晶圓載具或基材支撐件。在一實施例中，提供 Ο 加熱燈組件600,其包括：燈罩610,其配置於支撐基座 602之上表面606上且含有第一燈座62〇a及第二燈座 620b，複數個燈624，其自第一燈座620a延伸至第二燈 座620b，其中每一燈624具有一撕裂燈絲或一非撕裂燈 絲’且配置於支撐基座602之上表面606上的反射器650 配置於第一燈座620a與第二燈座620b之間。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩61 〇， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b ;第一複數個燈624，其自第一燈 36 201043727 座620a延伸至第二燈座620b，其中該第一複數個燈中 之每一燈具有一撕裂燈絲；第二複數個燈624，其自第 一燈座620a延伸至第二燈座620b，其中該第二複數個 ' 燈中之每一燈具有一非撕裂燈絲；及反射器650，其在 • 第一燈座620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座602 之上表面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 我 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 〇 620a及第二燈座620b ;第一複數個燈624，其自第一燈 座620a延伸至第二燈座620b，其中該第一複數個燈中 之每一燈具有一撕裂燈絲；第二複數個燈624，其自第 一燈座620a延伸至第二燈座620b，其中該第二複數個 燈中之每一燈具有一非撕裂燈絲，且第一複數個燈624 相繼或交替地配置於第二複數個燈624之間，同時在第 一燈座與第二燈座之間延伸。又，反射器650可在第一 〇 燈座620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座602之 上表面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b;複數個燈624,其自第一燈座620a 延伸至第二燈座620b，其中複數個燈624含有相繼或交 替地配置於彼此之間的一第一組燈及一第二組燈，該第 一組燈中之每一燈含有一撕裂燈絲，且該第二組燈中之 每一燈含有一非撕裂燈絲；及反射器650，其在第一燈 37 201043727 座620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座602之上 表面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， ^ 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 • 620a及第二燈座620b ;複數個柱622，其配置於第一燈 座620a及第二燈座620b上；複數個燈624，其自第一 燈座620a延伸至第二燈座620b，其中每一燈具有一撕 ^ 裂燈絲或一非撕裂燈絲；及反射器650，其在第一燈座 〇 620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座602之上表 面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b ;複數個柱622，其配置於第一燈 座620a及第二燈座620b上；複數個燈624，其自第一 燈座620a延伸至第二燈座620b，其中每一燈具有一撕 〇 裂燈絲或一非撕裂燈絲，且每一燈具有配置於第一燈座 620a上之兩個柱622之間的第一端及配置於第二燈座 620b上之兩個柱622之間的第二端；及反射器650，其 在第一燈座620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座 602之上表面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b ;複數個柱622，其配置於第一燈 座620a及第二燈座620b上；複數個燈624，其自第一 38 201043727 燈座620a延伸至第二燈座620b，其中每一燈具有配置 於第一燈座620a上之兩個柱622之間的第一端及配置於 第二燈座620b上之兩個柱622之間的第二端；及反射器 ' 650，其在第一燈座620a與第二燈座620b之間配置於支 •撐基座602之上表面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b ;複數個柱622，其配置於第一燈 ❹ 座620a及第二燈座620b上；複數個燈624，其自第一 燈座620a延伸至第二燈座620b ;及反射器650,其在第 一燈座620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座602 之上表面606上。 在另一實施例中，提供用於氣相沉積反應器系統之加 熱燈組件600，其包括：燈罩610，其配置於支撐基座 602之上表面606上且含有第一燈座620a及第二燈座 〇 620b ;複數個燈624，其自第一燈座620a延伸至第二燈 座620b ;及反射器650,其在第一燈座620a與第二燈座 620b之間配置於支撐基座602之上表面606上。 在一實施例中，反射器650之上表面含有金或金合 金。在一些實例中，至少一個鏡沿著支撐基座602之上 表面606延伸，且以約90°之角度面向反射器650。在其 他實例中，加熱燈組件600含有沿著支撐基座602之上 表面606延伸、彼此面向及以約90°之角度面向反射器 650的兩個鏡。 39 201043727 位於加熱燈組件600内之複數個燈624可共計約1〇個 燈至約100個燈，較佳約20個燈至約5〇個燈，且更佳 約30個燈至約40個燈。在一實例中，加熱燈組件6〇〇 含有約34個燈。實施例提供每一燈可與電源、獨立開關 及控制器電氣接觸。該控制器可用以獨立地控制每—燈 之功率。 在其他實施例中’位於加熱燈組件6〇0内之支撐基座 ❹ 602及每一燈座620a或620b可獨立地含有一材料或由 該材料製成’諸如鋼、不銹鋼、30〇系列不銹鋼、鐵、 鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合。在一些實例中，第 一燈座620a或第二燈座620b可獨立地含有不銹鋼或其 合金或由不銹鋼或其合金製成。第一燈座620a或第二燈 座620b獨立地可具有在約2〇〇〇 w/m2-K至約3,〇〇〇 W/m2-K，較佳約 2,300 w/m2_K 至約 2 7〇〇 w/m2_K 之範 圍内的冷卻係數。在一實例中，該冷卻係數為約2,5〇〇 〇 w/m2_K。在其他實施例中，第一燈座620a及第二燈座 620b各自具有在約〇 〇〇1吋至約〇」吋之範圍内的厚度。 根據本文所描述之多個實施例，第1〇A圖描繪非撕裂 燈絲燈670且第10B圖描繪撕裂燈絲燈680。非撕裂燈 絲燈670含有燈泡672及非撕裂燈絲674，而撕裂燈絲 燈680含有燈泡682及撕裂燈絲684。如貫穿本文之實 施例中所描述，複數個燈624通常含有非撕裂燈絲燈 670、撕裂燈絲燈68〇或非撕裂燈絲燈670與撕裂燈絲燈 680之混合物。 40 201043727 第11A圖至第up圖描繪不同複數個燈，其可為燈624 且用以調整氣相沉積反應器（諸如反應器100 )内之晶 圓載具軌道（諸如晶圓載具軌道4〇〇 )、晶圓載具或基材 支撐件（諸如懸浮晶圓載具48〇)及/或晶圓或基材（諸 如晶圓90 )上的熱輪廓（heat profiie)，如本文之實施例 中所描述。在一實施例中，第11A圖圖示含有全部非撕 裂燈絲燈670之複數個燈且第丨1B圖圖示含有全部撕裂 ❹燈絲燈68〇之複數個燈。在另一實施例中，第11 c圖圖 示相繼或交替地含有非撕裂燈絲燈670及撕裂燈絲燈 680之複數個燈。在其他實施例中’第11D圖圖示複數 個燈，其在每兩個非撕裂燈絲燈670之間含有一撕裂燈 絲燈680，而第11E圖圖示複數個燈，其在每兩個撕裂 燈絲燈680之間含有一非撕裂燈絲燈670。第1 if圖圖 示複數個燈’其連續或交替地含有非撕裂燈絲燈67〇及 撕裂燈絲燈680 ’然而’每一燈彼此間隔比第丨丨a圖至 Ο 第iiE圖中之該等燈更遠。 在其他實施例中，提供一種用於藉由加熱燈組件600 在諸如反應器100之氣相沉積反應器系統内加熱諸如懸 浮晶圓載具480之基材或基材感受器之方法，其包括以 下步驟：將基材感受器之下表面暴露至自加熱燈組件6〇〇 發射之能量’及將該基材感受器加熱至一預定溫度，其 中加熱燈組件600含有：燈罩610，其配置於支樓基座 602之上表面606上且含有至少一個燈座620a或620b ; 複數個燈624,其自該等燈座中至少一者延伸；及反射 41 201043727 器650，其配置於支撐基座6〇2之上表面上緊鄰 該燈座且在該等燈下方。 該方法之實施例進一步提供加熱燈組件600含有具有 撕裂燈絲燈680、非撕裂燈絲之燈或含 燈絲之燈的現合物。在一實施例中，該等燈中 具有撕裂燈絲燈68〇。撕裂燈絲燈68〇可具有在第一端 與第二端之間的—中心。撕裂燈絲燈68〇之第一端及第 二端可維持比撕裂燈絲燈68〇之中心更暖。因此，該基 材感受器之外邊緣可維持比該基材感受器之中心點更 暖。 在另實施例中，該等燈中之每一者具有非撕裂燈絲 燈670。非撕裂燈絲燈670可具有在第一端與第二端之 間的一中心。非撕裂燈絲燈670之中心可維持比非撕裂 燈絲燈670之帛—端及第二端更暖。因此，該基材感受 器之令心點可維持比該基材感受器之外邊緣更暖。 在另一實施例中，複數個燈624具有撕裂燈絲燈及非 撕裂燈絲燈。在一實施例中，撕裂燈絲燈080及非撕裂 燈絲燈670相繼地配置於彼此之間。每一燈可獨立地與 一電源及一控制器電氣接觸。該方法進一步包括以下步 驟：獨立地調整流至每一燈之電量。在一實例中，撕裂 燈絲燈680可具有在第一端與第二端之間的一中心。撕 裂燈絲燈680之第一端及第二端經維持比撕裂燈絲燈 680之中心更暖。因此，該基材感受器之外邊緣可維持 比該基材感受器之—中心點更暖。在另一實例中，非撕 42 201043727 裂燈絲燈670可具有在第—端與第二端之間的一中心。 非撕裂燈絲燈670之中心可維持比非撕裂燈絲燈67〇之 第一端及第二端更暖。因此，該基材感受器之中心點可 維持比該基材感受器之外邊緣更暖。 在各種實施例中，該方法提供該基材感受器可為基材 載具或晶圓載具。燈罩610可具有第一燈座62〇a及第二 燈座620b。第一燈座62〇a及第二燈座62〇b可彼此平行 〇 或大體上彼此平行。在一實例中，反射器650可配置於 第一燈座62〇a與第二燈座62〇b之間。第一燈座62〇a及 第一燈座620b各自具有在約o.ooi d寸至約〇.1忖之範圍 内的厚度。該等燈座之預定厚度有助於維持該等燈座之 恆定溫度。因此，第一燈座620a及第二燈座62〇b可各 自獨立地維持在約275。(：至約375。(：，較佳約30(rc至約 350°C之範圍内的溫度。 第7A圖至第7D圖描繪根據本文所描述之實施例之用 〇 於諸如反應器10〇之氣相沉積腔室之噴淋頭組件700。 在一實施例中，喷淋頭組件700包括：主體7〇2，其具 有上部部分706及下部部分704;及中心通道716，其延 伸穿過主體702之上部部分706及下部部分704。上部 4为706含有上表面707。中心通道716在主體702之 内表面709之間延伸’且平行於延伸穿過主體7〇2之中 轴701。擴散板73 0含有複數個氣孔732且配置於中 心通道716内。在一實例中，擴散板73〇配置於凸緣或 凸耳710上。在另一實例中，噴淋頭組件7〇〇不含有配 43 201043727 置於其中之視情況任選的擴散板730。 喷淋頭組件700進一步含有上部管板74〇，該上部管 板具有複數個氣孔742且配置於中心通道716内擴散板 730下方。喷淋頭組件700亦含有下部管板75〇,該下部 ' 管板具有複數個氣孔752且配置於中心通道716内上部 管板740下方。複數個充氣管78〇自上部管板74〇延伸 至下部管板75 0’其中每一管耦接至來自複數個氣孔742 〇 之一個別孔及來自複數個氣孔7 5 2之一個別孔並與其形 成流體連通。在本文所述之許多實施例中，充氣管78〇 中之每一者彼此平行或大體上彼此平行以及平行於中心 軸701延伸。在一替代實施例中（未圖示）充氣管78〇 中之每一者可以相對於中心軸7〇1之一預定角度延伸， 諸如在約1。至約15。或更大之範圍内。 喷淋頭組件700可用以藉由提供穿過進氣通口 722並 進入孔穴738、748及758之流動路徑來分散氣體，諸如 〇 淨化氣體、前驅物氣體及/或載送氣體。孔穴738形成於 中心通道716内之上部板720與擴散板73〇之間。孔穴 748形成於中心通道716内之擴散板73〇與上部管板74〇 之間。孔八758形成於中心通道716内之上部管板740 與下部管板750之間。 在另一實施例中，喷淋頭組件7〇〇包括：主體7〇2， 其含有上部部分7〇6及下部部分704，其中上部部分706 含有L伸於下部部分704之上的一凸緣；中心通道716， 其在主體702之内表面7〇9之間延伸穿過主體7〇2之上 44 201043727 部。卩分706及下部部分7〇4，且平行於延伸穿過主體7〇2 之中心軸701 ;擴散板73〇,其含有複數個氣孔732且配 置於中心通道716内；上部管板74〇,其含有複數個氣 孔742且配置於中心通道716内擴散板73〇下方，·下部 . 管板750,其含有複數個氣孔752且配置於中心通道716 内上部管板740下方；及複數個充氣管780，其自上部 管板740延伸至下部管板750，其中每一管耦接至來自 0 複數個氣孔742之一個別孔及來自複數個氣孔752之一 個別孔並與其形成流體連通。 在另一實施例中，噴淋頭組件7〇0包括：主體702， 其含有上部部分706及下部部分704，其中上部部分7〇6 自主體702之中心軸701鄰近地延伸遠於下部部分7〇4 且下部部分704平行於中心轴701延伸遠於上部部分 706 ;中心通道716，其在主體702之内表面709之間延 伸穿過主體7Ό2之上部部分706及下部部分704，且平 〇 行於中心軸701 ;擴散板730 ’其含有複數個氣孔732且 配置於中心通道716内；上部管板740，其含有複數個 氣孔742且配置於中心通道716内擴散板730下方；下 部管板750，其含有複數個氣孔752且配置於中心通道 716内上部管板74〇下方；及複數個充氣管78〇，其自上 部管板740延伸至下部管板750,其中每一管耦接至來 • 自複數個氣孔742之一個別孔及來自複數個氣孔752之 一個別孔並與其形成流體連通。 在另一實施例中，喷淋頭組件700包括：主體7〇2， 45 201043727 其含有上部部分706及下部部分704 ;中心通道7 1 6，其 在主體702之内表面709之間延伸穿過主體7〇2之上部 部分706及下部部分704，且平行於延伸穿過主體7〇2 之中心軸701 ;擴散板730，其含有複數個氣孔732且配 置於中心通道716内；上部管板74〇，其含有複數個氣 孔742且配置於中心通道716内擴散板73〇下方；及下 部管板750，其含有複數個氣孔752且配置於中心通道 716内上部管板740下方。 〇 在另一實施例中’喷淋頭組件700包括：主體702， 其含有上部部分706及下部部分704 ;中心通道716，其 在主體702之内表面709之間延伸穿過主體702之上部 邛为706及下部部分704，且平行於延伸穿過主體702 之中心轴7〇1;上部管板740,其含有複數個氣孔732且 配置於中心通道716内擴散板730下方；下部管板75〇， 其含有複數個氣孔742且配置於中心通道716内上部管 〇 板740下方；及複數個充氣管780，其自上部管板740 延伸至下部管板750，其中每一管耦接至來自複數個氣 孔732之一個別孔及來自複數偭氣孔742之一個別孔並 與其形成流體連通。 在一些實施例中，喷淋頭組件700為一模組化喷淋頭 組件。主體702之上部部分706及下部部分7〇4可獨立 地含有一材料，諸如鋼、不銹鋼、3〇〇系列不銹鋼、鐵、 鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合。在一實例中，主體 702之上部部分706及下部部分7〇4各自獨立地含有不 46 201043727 錄鋼或其合金。 Ο 〇 在一實施例中，喷淋頭組件700含有配置於主體7〇2 之上部部分706上的氣體入口 760。上部板72〇可配置 於主體702之上部部分706之上表面上且氣體入口 76〇 可配置於該板上。該板可含有一材料，諸如鋼、不銹鋼、 300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組 合。在一些實例中，該板具有延伸穿過其之進氣通口 722。氣體入口 76〇具有延伸穿過進氣通口 722之入口管 764。入口喷嘴762可耦接至入口管764之一端且配置二 該板上方。在另一實例中，該噴淋頭主體之上部部分7〇6 之上表面具有圍繞中心通道716之凹槽708。一 〇型環 可配置於凹槽708内。擴散板73〇可配置於在中心通道 716内自主體702之側表面突出的凸耳或凸緣上π 在-實施例中，複數個充氣管可具有計數在約_ 個管至約1,500個管’較佳約700個管至、約1，200個管， 且更佳約_個管至約個管之範圍内（例如，約 9〇〇個管）的管。在—些實例中，每一管可具有在約〇 5 cm至約2cm，較佳的. 敉佳約0.8 cm至約之範圍内（例 如約lcm)的長度。在其他實例中每一管可具 約0.005吋至約〇.〇5对， 、 7 較佳約〇·〇1吋至約0.03 of之 範圍内的直徑。在—此杳 些實例中，該等管為皮下注射針。 該等管可含有一；^ ^或由該材料製成，諸如鋼、不銹鋼、 300系列不錄鋼、鐵 合。 鐵錄、鉻、钥、銘、其合金或其組 47 201043727 在一實施例中，位於擴散板730上之複數個氣孔732 的每-孔具有比位於上部管板740上之複數個氣孔742 的每-孔更大之直徑。另外’位於擴散板730上之複數 個氣孔732的每一孔具有比位於下部擴散板上之複數個 氣孔752的每一孔更大之直徑。X，位於上部管板740 上之複數個氣孔742的每一孔具有與位於下部管板75〇 Ο Ο 上之複數個氣孔752的每一孔相同之直徑或大體上相同 之直徑。 在一實施例中，擴散板730可含有一材料或由該材料 製成，諸如鋼、不錄鋼、3〇〇系列不錄鋼、鐵、錄、絡、 銷、铭、其合金或其組合。擴散板73〇可含有計數在約 20個孔至約200個孔，較佳約25個孔至約75個孔，且 更佳約40個孔至約6〇個孔之範圍内的孔。擴散板頂 之每一孔可具有在約0.005忖至約〇 〇5时，較佳約〇 〇1 叶至約0.03时之範圍内的直徑。在另一實施例中，上部 管板740及/或下部管板75〇可獨立地含有一材料或由該 材料獨立地製成’諸如鋼、不錄鋼、则系列不錄鋼、 鐵、鎳、鉻、鉬、銘、其合金或其組合。上部管板74〇 及/或下部管板750可獨立地具㈣5〇〇個孔至約^0 個孔’較佳約個孔至約個孔，且更佳約綱 個孔至約1，000個孔。上部管板74〇及/或下部管板75〇 之每-孔可獨立地具有在約〇 〇〇5对至約〇 〇5时較佳 約〇.〇1对至約0.03叶之範圍内的直徑。在另一實施例 中，喷淋頭組件700可具有在約1〇個孔/平方对（每平 48 201043727 方对之孔數）至約6 0個孔/平方d寸，較佳約1 $個孔/平方 吋至約45個孔/平方吋，且更佳約2〇個孔/平方吋至約 36個孔/平方吋之範圍内的氣體孔密度及/或管數。 在一實例中’喷淋頭組件700之主體702的上部部分 J 706之上表面為一金屬板。在其他實例中，噴淋頭組件 700可具有矩形幾何形狀或正方形幾何形狀。在另一實 施例中，噴淋頭組件700之主體7〇2進一步含有一溫度 ❹調節系統。該溫度調節系統（諸如溫度調節系統i 9〇 ) 可含有在主體702内延伸之液體或流體通路718，且可 具有耦接至流體通路718並與其形成流體連通之入口 714a及出口 714b。入口 714a及出口 714b可獨立地耦接 至一貯液器或至少一個熱交換器（諸如如第11?圖中所描 繪之溫度調節系統190内之熱交換器18〇a、18〇b或18〇c) 並與其形成流體連通。 第8A圖至第8D圖描繪根據本文所描述之實施例之用 〇 於諸如反應器100之氣相沉積腔室之排氣組件800。在 一實施例中，排氣組件8〇〇包括：主體8〇2，其具有上 部部分806及下部部分8〇4 ;及中心通道8丨6，其延伸穿 過主體802之上部部分8〇6及下部部分8〇4。上部部分 8〇6含有上表面8〇7。中心通道816在主體8〇2之内表面 809之間延伸，且平行於延伸穿過主體802之中心軸 8〇1。擴散板830含有複數個氣孔832且配置於中心通道 816内。在一實例中，擴散板83〇配置於凸緣或凸耳Μ。 上。在另-實例中，排氣組件議不含有配置於其中之 49 201043727 視情況任選的擴散板830。 排氣組件800進一步含有上部管板84〇，該上部管板 具有複數個氣孔842且配置於擴散板830下方之辛心通 道816内。排氣組件800亦含有下部管板850，該下部 * 管板具有複數個氣孔854且配置於中心通道816内上部 管板840下方。複數個排氣管88〇自上部管板840延伸 至下部管板850 ’其中每一管耦接至來自複數個氣孔842 ❹之一個別孔及來自複數個氣孔854之一個別孔並與其形 成流體連通。在本文所述之許多實施例中，充氣管88〇 中之每一者彼此平行或大體上彼此平行以及平行於中心 軸801延伸。在一替代實施例中，充氣管88〇中之每一 者可以相對於中心軸801之一預定角度延伸，諸如在約 1°至約15。或更大之範圍内。 排氣組件800經由排氣通口 822及孔穴838、848及 858拉動真空或減小内壓力。孔穴838形成於中心通道 © 816内之上部板820與擴散板83〇之間。孔穴848形成 於中心通道816内之擴散板83〇與上部管板84〇之間。 孔穴858形成於中心通道816内之上部管板84〇與下部 管板850之間。 在另一實施例中，排氣組件8〇〇包括：主體8〇2，其 含有上部部分806及下部都公^ . 汉r 〇|砟刀804 ’其中上部部分8〇6 含有延伸於下部部分8〇4之上的一凸緣；中心通道^， 其在主體802之内表面809之間延伸穿過主體8〇2之上 部部分806及下部部分804’且平行於延伸穿過主體組 50 201043727 之中心轴801 ;擴散板830，其含有複數個氣孔832且配 置於中心通道816内；上部管板840，其含有複數個氣 孔842且配置於中心通道816内擴散板830下方；下部 -管板850,其含有複數個氣孔854且配置於中心通道816 内上部管板840下方；及複數個排氣管880，其自上部 管板840延伸至下部管板850，其中每一管耦接至來自 複數個氣孔842之一個別孔及來自複數個氣孔854之一 個別孔並與其形成流體連通。 〇 . 在另一實施例中，排氣組件800包括：主體802，其 含有上部部分806及下部部分804，其中上部部分806 自主體802之中心軸801鄰近地延伸遠於下部部分804 且下部部分_804平行於中心轴801延伸遠於上部部分 806 ;中心通道816 ’其在主體802之内表面8〇9之間延 伸穿過主體802之上部部分806及下部部分804，且平 行於中心軸801 ;擴散板830，其含有複數個氣孔832且 〇 配置於中心通道816内；上部管板840，其含有複數個 氣孔84—2且配置於中心通道816内擴散板830下方；下 部管板850，其含有複數個氣孔854且配置於中心通道 816内上部管板840下方；及複數個排氣管88〇，其自上 部管板840延伸至下部管板850，其中每一管耦接至來 自複數個氣孔842之一個別孔及來自複數個氣孔854之 一個別孔並與其形成流體連通。 在另一實施例中，排氣組件800包括：主體802，其 含有上部部分806及下部部分804;中心通道816，其在 51 201043727 主體802之内表面809之間延伸穿過主體802之上部部 分806及下部部分8〇4，且平行於延伸穿過主體8〇2之 中心軸801 ;擴散板830，其含有複數個氣孔832且配置 • 於中心通道816内；上部管板840 ’其含有複數個氣孔 • 842且配置於中心通道8〗6内擴散板830下方；及下部 管板850,其含有複數個氣孔854且配置於中心通道816 内上部管板840下方。 〇 在另一實施例中，排氣組件800包括：主體802，其 含有上部部分806及下部部分8〇4;中心通道816，其在 主體802之内表面8〇9之間延伸穿過主體8〇2之上部部 分806及下部部分8〇4，且平行於延伸穿過主體8〇2之 中心軸801，上部管板84〇，其含有複數個氣孔832且配 置於中心通道816内擴散板830下方；下部管板85〇， 其含有複數個氣孔842且配置於中心通道816内上部管 板840下方；及複數個排氣管88〇，其自上部管板8切 〇延伸至下部管板85〇,其中每一管耗接至來自複數個氣 之個別孔及來自複數個氣孔842之一個別孔並 與其形成流體連通。 二實施例中，排氣組件800為一模組化噴淋頭組 件。主體8G2之上部部& _及下部部&刚可獨立地 含有一材料’諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、 ‘錄、鉻、n其合金或其組合。在-實例中，主體 802之上部部分8〇6及下部部各自獨立地含有不 銹鋼或其合金。 52 201043727 Ο Ο 在一實施例中’排氣組件800含有配置於主體8〇2之 上邛部分806上的排氣出口 860。上部板82〇可配置於 主體802之上部部分806之上表面上且排氣出口 86〇可 配置於該板上。該板可含有一材料，諸如鋼、不銹鋼、 3〇〇系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組 合。在一些實例中’該板具有延伸穿過其之排氣通口 822。排氣出口 86〇具有延伸穿過排氣通口 822之排氣管 864。排氣喷嘴862可耦接至排氣管8μ之一端且配置於 該板上方。在另一實例中，該喷淋頭主體之上部部分806 之上表面具有圍繞中心通道816之凹槽8〇8。一 〇型環 可配置於凹槽808 β。擴散板830可配置於在中心通道 816内自主體8〇2之側表面突出的凸耳或凸緣上。 在一實施例中’複數個排氣管88〇可具有計數在約5 個管至約50個管，較佳約7個管至約3〇個f，且更佳 約1〇個管至約2〇個管之範圍内（例如，約14個管）的 管。在一些實例中，每—f可具有在約仏m至約2cm， 較佳約0.8 cm至約丨.2⑽之範圍内（ 认且* ，叼1 cm) 的長度。在其他實例中’每一管可具有在約〇ι忖至約 〇·4时’較佳、約〇.2忖至、約〇.3忖之範圍内（例如約㈣ 直徑。在-實例中’排氣組件8。。含有單一列之 ^另―實施例中’複數個排„刚可具有計數在約 _個S•至約1，500個管’較佳約 輿0 * 主約1，200個 巨，且更佳約800個管至約i 〇〇〇個管 s弋範圍内（例如， 53 201043727 約900個管）的管。古 05c…2 / —些實例中’每-管可具有在約 二二 佳約°.8cm至約1…範圍内 2約1cm)的長度。在其他實例中，每一管可具 对之範圍内的直徑。 …❹則至約。，。3 —在-些實例中，該等管為皮下注射針。該等管可含有 Ο Ο —材料或由該材料製成，諸如鋼、不銹鋼、300系列不 錄鋼、鐵、錄、鉻、銷、铭、其合金或其組合。 在實施例中，位於擴散板83〇上之複數個氣孔⑽ 的每-孔具有比位於上部管板84〇上之複數個氣孔M2 的每-孔更大之直徑。另外，位於擴散板請上之複數 個氣孔832的每-孔具有比位於下部擴散板上之複數個 氣孔854的每-孔更大之直徑。又，位於上部管板840 上之複數個氣孔842的每一孔具有與位於下部管板 上之複數個氣孔854的每一孔相同之直徑或大體上相同 之直徑。 ，在一實施例中，擴散板83〇可含有一材料或由該材料 製成，諸如鋼、不鎊鋼、3〇〇系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、 鉬、鋁、其合金或其組合。在另一實施例中，擴散板83〇 可含有計數在約5個孔至約50個孔，較佳約7個孔至約 30個孔，且更佳約丨〇個孔至約2〇個孔之範圍内（例如， 約14個孔）的孔。擴散板83〇之每一孔可具有在約^ 时至約0.4吋，較佳約〇·2吋至約〇·3吋之範圍内（例如， 約0.23吋）的直徑。在一實例中，擴散板83〇含有單一 54 201043727 列之孔。在另-實施例中，擴散板請可含有計數在約 20個孔至約200個孔，較佳約乃個孔至約55個孔，且 更佳約40個孔至約 之每一孔可具有在約 6〇個孔之範圍内的孔。擴散板83〇 0.005吋至約0.05吋，較佳約〇.〇1 吋至約0.03吋之範圍内的直徑。 在另-實施例中’上部管板84〇及/或下部管板“Ο可 獨立地含有一材料或由該材料獨立地製成，諸如鋼、不

銹鋼、300系列不錄鋼、鐵、錄、絡、翻、紹、其合金 或其組合。在一實施例中’上部管板84〇及，或下部管板 850可獨立地具有計數在約5個孔至約5〇個孔，較佳約 7個孔至約30個孔，且更佳約1〇個孔至約2〇個孔之範 圍内（例如，約14個孔）的孔。上部管板84〇及/或下 部管板850之每一孔可獨立地具有在約〇 ι忖至約〇 4 忖’較佳約0.2叶至約〇.3吋之範圍内（例如，約〇 23 对）的直徑。在另-實施例中，排氣組件8⑽可具有在 約5個孔/平方，才（每平方对之孔數）至約…固孔坪方 吋，較佳約8個孔/平方吋至約25個孔/平方吋，且更佳 約1〇個孔/平方对至約20個孔/平方对之範圍内的氣體孔 密度及/或管數。 在另一實施例中，上部管板84〇及/或下部管板85〇可 獨立地具有約500個孔至約I·個孔，較佳約谓個 孔至約1，200個孔’且更佳約8〇〇個孔至約個孔。 上部管板840及/或下部管板85()之每—孔可獨立地具有 在約〇.005时至約〇·05吋，較佳約〇·〇1吋至約0.03忖 55 201043727 之範圍内的直徑。 在一實例中，排氣組件8〇〇之士触。 〒_之主體802的上部部分8〇6 之上表面為一金屬板。在其#音-fe丨rl·» 、他貫例中’排氣組件800可 具有矩形幾何形狀或正方形幾 u塚U形狀。在另一實施例 中，排乱組件8 0 0之主體r ο 9、也 . 體802進—步含有一溫度調節系 統。該溫度調節系統（諸如、、田存 々 、居如/皿度調節系統190)可含有

在主體802内延伸之液贈亦、脚、文A 狀體或机體通路818,且可具有耦 接至流體通路8 1 8並與立形志、士辨$、文 Ο /…、办或机體連通之入口 814a及出 口 814b。入口 814a 及屮 π δΐ/iu-r^ ^ 及出口 81仆可獨立地耦接至一貯液 器或至少一個熱交換器（諸如如帛1F圖中所描繪之溫度 調節系統19〇内之熱交換器18〇&、18扑或i8〇c)並與其 形成流體連通。 在其他實施例中，可用於氣相沉積腔室中之排氣組件 800具有：主體802,其含有配置於下部部分8〇4上之上 部部分806;中心通道816，其在主體8〇2之内表面8〇9 Q 之間延伸穿過主體802之上部部分806及下部部分8〇4, 且平行於延伸穿過主體802之中心軸8〇1 ;排氣出口 860’其配置於主體802之上部部分8〇6上；擴散板83〇, 其含有複數個氣孔832且配置於中心通道gw内；上部 管板840,其含有複數個氣孔842且配置於中心通道816 .内擴散板830下方；下部管板85〇,其含有複數個氣孔 . 852且配置於中心通道816内上部管板84〇下方；及複 數個充氣管880，其自上部管板840延伸至下部管板 850 ’其中每一管耦接至來自複數個氣孔842之一個別孔 56 201043727 及來自複數個氣孔852之一個別孔並與其形成流體連 通。 排氣組件800可進一步含有配置於主體8〇2之上部部 •分806之上表面上的上部板820。排氣出口 86〇可配置 .於上部板820上。上部板820可含有一材料或由該材料 製成’諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、錄、絡、 钥、銘、其合金或其組合。上部板820通常具有延伸穿 過其之一排氣通口。排氣出口 860具有延伸穿過排氣通 G 口 822之排氣管864。在一實例中，排氣喷嘴862可耦 接至排氣管864之一端且配置於上部板820上方。在另 一實例中，該排氣組件主體之上部部分8〇6之上表面具 有圍繞中心通道816之凹槽808。一 〇型環可配置於凹 槽808内。擴散板830可配置於在中心通道816内自主 體802之側表面突出的凸耳或凸緣上。 第9A圖至第9F圖描繪如由本文之實施例所描述之反 ❹ 應器系統1 〇〇〇，即一 CVD系統其含有多個反應器 1100a、1100b 及 1100c。反應器 ll〇〇a、11〇〇b 及 1 i〇〇c 可為與反應器100相同之反應器或可為反應器丨00之修 改變型。在一實施例中，如第9A圖至第9C圖中所圖示， 反應器1100a耦接至反應器1100b，反應器ii〇〇b耦接至 反應器1100c。反應器ll〇〇a之一端在介面1〇12處耦接 至端蓋1050,而反應器ii〇〇a之另一端在介面1〇14處叙 接至反應器1100b之一端。反應器ii〇〇b之另一端在介 面1016處耦接至反應器1100c之一端，而反應器ii〇〇c 57 201043727 之另一端在介面1016處耦接至端板1002。 第9D圖至第9F圖描繪在反應器ii〇〇b與反應器n〇〇c 之間的介面1018之部分的近視圖。在另一實施例中，反 應器1100b含有具有下部搭接接頭145〇之晶圓載具軌道 1400且反應器11 〇〇c含有具有上部搭接接頭丨44〇之晶圓 載具軌道1400。 排氣淨化通口 1080可配置於反應器11 〇〇b内之晶圓載 具軌道1400與反應器1100c内之晶圓載具軌道ι4〇〇之 〇 間。排氣淨化通口 1080與通路1460形成流體連通，通 路1460自排氣淨化通口 1〇8〇延伸至晶圓載具轨道14〇〇 下方。與排氣組件8 0 0類似之排氣組件1 〇 5 8配置於反應 器1100b之反應器蓋組件上。排氣組件i 〇5 8可用以移除 來自排氣淨化通口 1080之氣體。排氣組件1〇58含有排 氣出口 1060、排氣喷嘴1〇62及排氣管1064。 在另一實施例中’反應器系統1 〇〇〇可含有除反應器 Q n00a、uoob及1100c之外的額外反應器（未圖示）。在 一實例中’在反應器系統i 〇〇〇中包括第四反應器。在另 實例中，在反應器系統1000中包括第五反應器。在不 同組態及實施例中，反應器系統1000可具有1、2、3、 4、5、6、7、8、9、10個或更多個反應器。在其他實施 例中’反應器11 〇〇a、11 00b及11 〇〇c或未圖示之其他反 應器可在每一反應器中含有1、2、3、4個或更多個喷淋 頭組件（未圖示）。 在本文所述之替代實施例中，雖然提供反應器i 1〇〇a、 58 201043727 1_及1100c之其他組態，但其未圖示於諸圖中。在— 實施例中，反應器UOOa、110〇u u〇〇c中之每一者可 .含有由兩個喷淋頭組件分離之三個排氣組件，以便該等 反應器蓋組件中之任一者可相繼含有第一排氣組件、第 ' 一喷淋頭組件、第二排#i纽杜、势 ., m 矛徘虱組件第二噴淋頭組件及第三 排氣組件。在另-實施例中，反應器ll〇〇a、U00b或 1100c中之每—者可含有由兩個喷淋頭組件分離之三個 ❹隔離H組件’以便該反應器蓋組件相繼含有第—隔離器 件帛f淋頭組件、第二隔離器組件、第二喷淋頭 組件及第三隔離器組件。 —在另—實施例中，反應器u〇〇a、11〇讥或u〇〇c中之 >者可含有由兩個喷淋頭組件分離之兩個隔離器組件 及一個排氣組件，以便該等反應器蓋組件中之任一者可 相繼含有[隔離器組件1 —喷淋頭組件、第二隔離 器組件、第二噴淋頭組件及第一排氣組件。在另-實例 〇 \料反應器蓋組件中之任―者可相繼含有第一隔離 °D、·件第一噴淋頭組件、第一排氣組件、第二喷淋頭 p件及第二_ n組件。在另_實例中’該等反應器蓋 ’牛中之任一者可相繼含有第一排氣組件、第一喷淋頭 組件、第一隔離器組件、第二喷淋頭組件及第二隔離器 組件。 在另一實施例中，反應器1100a、1100b或1100c中之 者可含有由兩個噴淋頭組件分離之兩個排氣組件及 個隔離器組件，以便該等反應器蓋組件中之任一者可 59 201043727 相繼含有第一排氣組件、第一喷淋頭組件、第二排氣組 件、第二喷淋頭組件及第一隔離器組件。在另一實例中， 該等反應器蓋組件中之任一者可相繼含有第一排氣組 件、第一噴淋頭組件、第一隔離器組件、第二噴淋頭組 件及第一排氣組件。在另一實例中，該等反應器蓋組件 中之任一者可相繼含有第一隔離器組件、第一喷淋頭組 件、第一排氣組件、第二喷淋頭組件及第二排氣組件。 Ο Ο 如本文之實施例中所描述，反應器100、反應器系統 1000及此等反應器之變型可適用於多種、m〇CVD 及/或磊Ba /儿積製程以在晶圓或基材上形成材料分類。在 一實施例中，第III/V族材料——其含有第m族（例如， 蝴、銘、鎵或銦）之至少一種元素及第¥族（例如，氮、 私申或録）之至少—種元素可形成或沉積於晶圓上。 沉積材料之實例可含有氮化鎵、構化銦、碟化銦鎵、神 化鎵、砷化鋁鎵、其衍生物、其合金、其多層或其組合。 在本文之#•實施例中，該等沉積材料可為磊晶材料。 雖然該沉積材料或蟲晶材料可含有一個層，但是通常含 有多個層。在—些實例中’該蟲晶材料含有具有石申化嫁 具有坤化紹鎵之另一層。在另-實例中，該屋 曰曰材料含有—耗鎵緩衝H化㈣鈍化層及-珅 1鎵主動層。該珅化鎵緩衝層可具有在約⑽nm至約 鈍化圍内（諸如約300 nm)的厚度，該砷化銘鎵 :=在約10nm至約…範圍内（諸… 的厚度’且該坤化鎵主動層具有在約5〇“m至約 201043727 2,000 nm之範圍内（諸如約ι 〇〇〇的厚度。在一些 實例中，該磊晶材料進—步含有第二砷化鋁鎵鈍化層。 在實施例中’用於反應器ι00或反應器系統1000中 ‘之_體可含有胂、氩、氣、氮、氫或其混合物。在 • m中’ 4製程氣體含有諸如胂之_前驅物。在其他 實施例中胃第-前驅物可含有鋁前驅物、鎵前驅物、 銦前驅物或其組合，且該第二前驅物可含有氮前驅物、 ❹礎前驅物、砷前驅物、銻前驅物或其組合。 在實施例中’該CVD反應器可經裝設以將氮供應至 該反應器，以在入口及出口處沿著該反應器之軌道浮置 該基材。氫/胂混合物亦可用以在該出口與入口之間沿著 該CVD反應器 < 軌道浮置該基材。、沿著該軌道之平臺可 包括入口氮隔離區、預熱排氣、氫/胂混合物預熱隔離 區、砷化鎵沉積區、砷化鎵排氣、砷化鋁鎵沉積區、砷 化鎵N-層沉積區、砷化鎵p_層沉積區、含磷砷化氫隔離 〇 區、第一含磷砷化鋁鎵沉積區、含磷砷化鋁鎵排氣、第 二含磷砷化鋁鎵沉積區、氫/胂混合物冷卻隔離區、冷卻 排氣及出口氮隔離區。穿過反應器之基材之溫度在通過 該入口隔離區時可增加，或在穿過該等區時可維持，戋 在靠近該胂冷卻隔離區時可降低。 在另一實施例中，該CVD反應器可經裝設以將氮供應 至該反應器，以在入口及出口處沿著該反應器之軌道浮 置該基材。氩/胂混合物亦可用以在該出口與入口之間产 著該CVD反應器之軌道浮置該基材。沿著該軌道之平臺 201043727 可包括入口氮隔離區、預熱排氣、氫/肺混合物預熱隔離 區、排氣、沉積區、排氣、氫/胂混合物冷卻隔離區、冷 •部排氣及出σ氮隔離區。穿過該反應n系統之基材之溫 度在通過該入口隔離區時可增加，在穿過該沉積區時可 維持，且在靠近該胂冷卻隔離區時可降低。 在另一實施例中，該CVD反應器可經裝設以將氮供應 至該反應器’以在入口及出口處沿著該反應器之軌道浮 ◎ 置該基材。氫/胂混合物亦可用以在該出口與入口之間沿 著該CVD反應器之軌道浮置該基材。沿著該軌道之平臺 可包括入口氮隔離區、具有流量平衡限制器之預熱排 氣、活性氫/胂混合物隔離區、砷化鎵沉積區、砷化鋁鎵 /儿積區、砷化鎵Ν_層沉積區、砷化鎵ρ層沉積區、含磷 砷化鋁鎵沉積區、冷卻排氣及出口氮隔離區。穿過該反 應器之基材之溫度在通過該入口隔離區時可增加，或在 穿過該等沉積區時可維持，或在靠近該冷卻排氣時可降 〇 低。 在另一實施例中，該CVD反應器可經裝設以將氮供應 至該反應器，以在入口及出口處沿著該反應器之軌道浮 置該基材。氫/胂混合物亦可用以在該出口與入口之間沿 . 著該CVD反應器之軌道浮置該基材。沿著該軌道之平臺 可包括入口氮隔離區、具有流量平衡限制器之預熱排 氣、砷化鎵沉積區、砷化鋁鎵沉積區、砷化鎵N_層沉積 區石申化鎵層沉積區、含填珅化銘鎵沉積區、具有流 里平衡限制器之冷卻排氣及出口氮隔離區。穿過該反應 62 201043727 器之基材之溫度在通過該入口隔離區時可增加，或在穿 過該等沉積區時可維持，或在靠近該冷卻排氣時可降低。 . 第17圖圖示第七組態800。該CVD反應器可經裝設 崎氮供應至該反應ϋ，以在人π及出π處沿著該反應 器之轨道浮置該基材。氩/胂混合物亦可用以在該出口與 入口之間沿著該CVD反應器之轨道浮置該基材。沿著該 軌道之平臺可包括入口氮隔離區、預熱排氣、沉積區、 〇 冷卻排氣及出口氮隔離區。穿過該反應器之基材之溫度 在通過該入口隔離區時可增加，或在穿過沉積區時可維 持’或在靠近該冷卻排氣時可降低。 在實施例中，該CVD反應器可經裝設以磊晶成長含 有砷化鎵材料及砷化鋁鎵材料之雙異質結構，以及磊晶 成長含有砷化鋁材料之一橫向過度成長犧牲層。在一些 實例中，砷化鎵、砷化鋁鎵及砷化鋁材料可以約i pm/min 之速率加以沉積。在一些實施例中，該CVD反應器可具 〇 有每分鐘約6個晶圓至每分鐘約1 〇個晶圓之產出率。 在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以提供每分鐘 一個10 cmxl〇 em基材之沉積速率。在一實施例中，該 CVD反應器可經裝設以提供一 3〇〇 nrn砷化鎵緩衝層。 在一實施例中’該CVD反應器可經裝設以提供一 30 nm 石申化紹鎵鈍化層。在一實施例中，該CVD反應器可經裝 設以提供一 1，〇〇〇 nm砷化鎵主動層。在一實施例中，該 CVD反應器可經裝設以提供一 3 〇 nm神化銘嫁鈍化層。 在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以提供小於 63 201043727 1χ104每平方公分之差排密度、99%之光致發光效率及 25〇奈秒之光致發光壽命。 在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以提供具有5 nm沉積+-0.5 nm之磊晶橫向過度成長層、大於ιχ1〇6之 蝕刻選擇性、零針孔及大於每小時0.2 mm之砷化鋁蝕刻 速率。 在一實施例中’該CVD反應器可經裝設以提供對於 〇 300 °C以上溫度不大於1 0。(：之中心至邊緣溫度非均勻 性、不超過5之V-III比率及700。(：之最高溫度。 在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以提供一沉積 層’該沉積層具有一 300 nm砷化鎵緩衝層、一 5 nm珅 化銘犧牲層、一 l〇nm神化銘嫁窗層、一 700nm石申化鎵 lxlO17石夕主動層、一 3〇〇 nm石申化銘鎵lxl〇19c P+層及 一 300 nm 砷化鎵 ixi〇19cp+層。 在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以提供一沉積 Ο 層’該沉積層具有一 300 nm砷化鎵緩衝層、一 5 nm砷 化銘犧牲層、一 1〇 nm填化銦錁窗層、一 700 nm石申化鎵 1x10矽主動層、一 100nm砷化鎵CP層、一 3 00 nm 鱗化銦鎵P窗層、一 2〇 nm填化銦鎵1x1020 p+穿隨接面 層、一2〇11111磷化銦鎵1><1〇2〇]^+穿隧接面層、一3〇11111 神化铭鎵窗、一 400 nm麟化銦鎵N主動層、一 1〇〇 nm 填化銦鎵P主動層、一 30 nm砷化鋁鎵p窗及一 3〇〇 nm 砷化鎵P+接觸層。 儘管前文針對本發明之實施例，但可在不脫離本發明 64 201043727 之基本範脅的情況下設計本發明之其他及更多實施例 且本發明之範疇係由以下申請專利範圍來決定。 ‘ 【圖式簡單說明】 因此，可詳細地理解本發明之上述特徵結構之方式， 即上文簡要概述之本發明之更特定描述可參照實施例進 行，-些實施例圖示於附加圖式中。然而，應注意，附 ^ 加圖式僅圖示本發明之丨眚丨 _ _ ^ 0 八i貫施例，且因此不欲視為其 範壽之限制，因為本發明可允許其他同等有效之實施例。 第1A圖至第1E圖描緣根據本文所描述之實施例之一 CVD反應器； 第1 F圖描繪根據本文所# # + α . 低佩不又所榣述之另一實施例之耦接至 一溫度調節系統之一 CVD反應器； 第圖至第2C圖描繪根據本文所描述之實施例之一 反應器蓋組件； 〇 第2D圖描繪根撼太令私》丄 據本文所描述之實施例之反應器蓋支 撐件； 第3圖描繪根據本文所描述之實施例之-反應器主體 組件； 第4Α圖至第4ε圖描 _抱續根據本文所描述之實施例之一 晶圓載具轨道； 第5Α圖至箆 圖描繪根據本文所描述之實施例之一 隔離器組件； 65 201043727 第ό圖描繪根據本文所描述之實施例之〜加熱燈組 件； 第7Α圖至第7D圖描繪根據本文所描述之實施例之一 * 喷淋頭組件； - 第8 Α圖至第8D圖描繪根據本文所描述之實施例之— 排氣組件； 第9A圖至第9F圖描繪根據本文所描述之實施例之含 有多個CVD反應器之一 CVD系統； 〇 第10A圖至第10B圖描繪根據本文所描述之實施例之 燈； 第UA圖至第11F圖描繪根據本文所描述之其他實施 例之複數個燈； 第12A圖至第12B圖描繪根據本文所描述之另一實施 例之一懸浮基材載具；及 第12C圖至第12E圖描繪根據本文所描述之另一實施 Ο 例之其他懸浮基材載具。 【主要元件符號說明】 90 晶圓 110 面板 100 反應器 112 面板 102 反應器主體組 114 上表面 116 上表面 104 下部部分 118a 入口 66 201043727

118b 出口 142 間隔件 120 側面 144 間隔件 122a 入口 146 支架臂 122b 入口 148 夹臂 122c 入口 /出口 160 腔室站 123 氣體入口 162 腔室站 124a 流體通路 180a 熱交換器 124b 流體通路 180b 熱交換器 124c 流體通路 180c 熱交換器 126a 出口 182 液體供應器 126b 出口 184 液體回流is 126c 入口 /出口 186 導管 128 上表面 188 閥 130 側面 190 溫度調節系統 132a 入口 200 反應器蓋組件 132b 入口 208 下表面 132c 入口 /出口 210 蓋支撐件 134a 流體通路 212 上表面 134b 流體通路 213 凹槽 134c 流體通路 214a 入口 136a 出口 214b 出口 136b 出口 215 凹槽 136c 出口 /出口 216a 入口 138 上表面 216b 出口 67 201043727

217 凹槽 402 側表面 218a 入口 410 上段 218b 出口 412 下段 220 凸緣 416 側表面 222 下表面 418 上表面 223 板 420 導引路徑 224 流體通路 430 氣穴 225 板 434 氣體通口 226 流體通路 438 氣孔 227 板 440 上部搭接接頭 228 流體通路 442 下表面 230 噴淋頭通口 450 下部搭接接頭 232 長度 452 上表面 234 寬度 471 短側面 240 隔離器通口 472 上表面 242 長度 473 長側面 244 寬度 474 下表面 250 噴淋頭通口 475 壓痕 252 長度 476 側面 254 寬度 477 側面 260 排氣通口 478 壓痕 262 長度 480 懸浮晶圓載具 264 寬度 500 隔離器組件 400 晶圓載具軌道 501 中心軸 68 201043727

502 主體 564 入口管 504 下部部分 580 充氣管 506 上部部分 600 加熱燈組件 507 上表面 602 支撐基座 508 凹槽 606 上表面 509 内表面 610 燈罩 5 10 凸耳 620a 第一燈座 5 14a 入口 620b 第二燈座 514b 出口 622 柱 516 中心通道 624 燈 518 流體通路 650 反射器 520 上部板 670 非撕裂燈絲燈 522 進氣通口 672 燈泡 530 擴散板 674 非撕裂燈絲 532 孔 680 撕裂燈絲燈 538 孔穴 682 燈泡 540 上部管板 684 撕裂燈絲 542 氣孔 700 喷淋頭組件 548 孔穴 701 中心軸 550 下部管板 702 主體 552 孔 704 下部部分 558 孔穴 706 上部部分 560 氣體入口 707 上表面 562 入口喷嘴 708 凹槽 69 201043727

709 内表面 804 下部部分 710 凸耳 806 上部部分 714a 入口 807 上表面 714b 出π 808 凹槽 716 中心通道 809 内表面 718 流體通路 810 凸耳 720 上部板 814a 入口 722 進氣通口 814b 出口 730 擴散板 816 中心通道 732 孔 818 流體通路 738 孔穴 820 上部板 740 上部管板 822 排氣通口 742 孔 830 擴散板 748 孔穴 832 子L 750 下部管板 838 孔穴 752 840 上部管板 758 孔穴 842 760 氣體入口 848 孔穴 762 入口喷嘴 850 下部管板 764 入口管 852 子L 780 充氣管 858 孔穴 800 排氣組件 860 排氣出口 801 中心軸 862 排氣喷嘴 802 主體 864 排氣管 70 201043727 880 排氣管/充氣管 1058 排氣組件 1000 反應器系統 1060 排氣出口 1100a 反應器 1062 排氣噴嘴 1100b 反應器 1064 排氣管 1100c 反應器 1080 排氣淨化通口 1002 端板 1400 晶圓載具軌道 1012 介面 1440 上部搭接接頭 1014 介面 1450 下部搭接接頭 1016 介面 1460 通路 1018 介面 1050 端蓋 Ο 71

Claims (1)

1. 201043727 七、申請專利範圍： 1. 一種用於在一氣相沉積反應器系統内懸浮及橫移一 晶圓載具之晶圓載具軌道，其包含： 一軌道組件的一上段，其配置於該軌道組件之 一下段之上； 一氣穴，其形成於該執道組件之該上段與該下 段之間； Ο 一導引路徑’其沿該上段的一上表面延伸； 兩個侧表面，其在該導引路徑上方沿該導引路 徑延伸，並且彼此平行，其中該導引路徑在該兩個側 表面之間延伸； 複數個氣孔’其位於該導引路徑内且從該上段 之該上表面延伸穿過該上段至該氣穴中；以及 一上部搭接接頭，配置於該軌道組件之一端 〇 處，與一下部搭接接頭，其配置於該軌道組件之該相 對端處，其中該上部搭接接頭延伸該二個側表面及該 導引路徑之一部分，而該一下部搭接接頭包含延伸遠 於該軌道組件之該導引路徑及該二個側表面之一上 表面。 2. 如請求項第1項所述之晶圓載具軌道，其中該軌道組 件的該上段包含石英。 72 201043727 3. 如請求項第1項所述之晶圓載具轨道，其中該軌道組 件的該下段包含石英。 4. 如請求項第1項所述之晶圓載具軌道，其中該軌道組 件的該上段及該下段之每一者獨立地包含石英。 5·如哨求項第4項所述之晶圓載具軌道，其中該執道组 〇 件的該上段及該下段可被融合在一起。 6·如明求項第5項所述之晶圓載具轨道，其中該軌道組 件的該上段及該下段包含石英。 7·如明求項第6項所述之晶圓載具軌道，其中該軌道組 件的該下段包含石英板。 8’如明求項第1項所述之晶圓載具轨道，其中一氣體通 β 口自該鈾、* z , ^、、且件之該上段之一側表面穿過該軌道組 件之該上JIU Μ 丰又的一部分延伸至該氣穴中。 9 _如請求項笛、 乐1項所述之晶圓載具軌道，其中該複數個 裁1 孔包 1 Λ 3約丨〇個孔至約50個孔。 10.如請求項谊〇 产 乐9項所述之晶圓載具軌道，其中該複數個 氣孔包！％ 3 4 2〇個孔至約40個孔。 73 201043727 11’如咐求項第i。項所述之晶圓載具軌道，其中每一氣 孔具有在約0.005对至約0.05叶之範圍内的直徑。 月求項第11項所述之晶圓載具執道，其中該直徑 在約〇·〇1吋至約0 03吋之範圍内。 如明求項第1項所述之晶圓載具軌道，其進一步包含 〇 I置在料引路m浮晶圓載具，且該懸浮晶 圓載具包含至少一個配置在一下表面内的壓痕囊。 14. 如請求項第13項所述之晶圓載具軌道，其中該懸浮 圓載具包含至少二個配置在該下表面内的壓痕囊。 15. 如請求項第13項所述之晶圓載具軌道，其中該懸浮 晶圓載具包含石墨。 C) 16·種晶圓载具軌道系統，其包含至少兩個如請求項第 1項所述之晶圓載具軌道，該晶圓載具轨道系統包含： 一第一晶圓載具轨道之一上部搭接接頭，其配 置於一第二晶圓載具軌道之一下部搭接接頭之上； 一排氣通口，其形成於該第一晶圓載具軌道之 該上部搭接接頭與該第二晶圓載具軌道之該下部搭 接接頭之間；及 一第一導引路徑，其位於該第一晶圓載具軌道 74 201043727 之一上表面上並與該第二晶圓載具執道之一上表面 上的一第二導引路徑對準。 17. 如請求項第16項所述之晶圓載具軌道系統其包含： 該第二晶圓載具軌道之一上部搭接接頭，其配 置於一第三晶圓載具軌道之一下部搭接接頭之上。 18. —種用於在一氣相沉積反應器系統内懸浮及橫移— 晶圓載具之晶圓載具轨道，其包含： 一軌道组件’其具有形成其内的一氣穴； —導引路徑，其沿該執道組件的一上表面延 伸； 複數個氣孔’其位於該導引路徑内且從該轨道 組件之該上表面延伸至該氣穴中；以及 一上部搭接接頭’配置於該軌道組件之一端 處，與一下部搭接接頭，其配置於該軌道組件之該相 對端處’其中該上部搭接接頭延伸該導引路徑之一部 分’而該一下部搭接接頭包含延伸遠於該軌道組件之 該導引路徑的一上表面。 19. 如請求項第18項所述之晶圓載具軌道，進一步包含： 至少一個侧表面，其配置於該軌道組件上且沿 著該導引路徑在該導引路徑上方延伸。 75 201043727 20·如請求項第19項所述之晶圓載具軌道，其中兩個侧 表面配置於該執道系且件上且沿著該導路徑在該導 引路徑上方延伸。 21·如請求項第20項所述之晶圓載具軌道’其中該導引 路杈在該兩個側表面之間延伸。 〇 如叻求項帛18項所述之晶圓載具執道’其中該軌道 組件包含石英。 3·如明求項第18項所述之晶圓載具軌道，其進一步包 含該執道組件的一上段，其配置於該軌道組件之一下 段之上。 24. 如請求項第23項所述之晶圓載具軌道，其中該軌道 〕 組件的該上段包含沿該上表面延伸的該導引路徑。 25. 如請求項第23項所述之晶圓載具軌道，其中該氣穴 形成於該軌道組件的該上段及該下段之間。 %·如請求項第23項所述之晶圓載具軌道，其中該軌道 組件的該上段及該下段可被融合在—起。 2人如請求項第26項所述之晶圓載具轨道，其中該軌道 組件的該上段及該下段包含石英。 76 201043727 28·如請求項第23 組件的兮 所述之曰曰圓栽具軌道，其中該執道 件的該下段包含石英板。 通口自：第18項所述之晶圓载具轨道，其中一氣體 該轨道組件之一側表面延伸至該氣穴中。 3 0.如請求項筮〗R Ο Ο 所述之晶圓载純道，纟巾該複數 轧孔包含約10個孔至約5〇個孔。 31.^請求項帛30項所述之晶圓載具軌道，其中該複數 個氧孔包含約2〇個孔至約4〇個孔。 32·如請求項帛31項所述之晶圓载具軌道，其中每-氣 孔具有在約0.005吋至約。.〇5吋之範圍内的直徑。 月求項第12項所述之晶圓載具執道其中該直徑 在約0.01吋至約0.03吋之範圍内。 Μ.如請求項第18項所述之晶圓載具軌道，其進一步包 含配置在該導引路徑上的-懸浮晶圓载具，且該懸浮 晶圓栽具包含至少-個配置在一下表面内的壓痕囊。 35.如請求項第34項所述之晶圓載具執道，其中該懸浮 晶圓載具包含至少二個配置在該下表面内的壓痕囊。 77 201043727 36.如請求項第34項所述之晶圓載具軌道，其中該懸浮 晶圓載具包含石墨。

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