JP2000306905A - 薄膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハのエッジ・エリアにおいても成膜の膜厚
調整が可能で、ウェハ面内均一性が良好に維持できる薄
膜形成装置を提供する。 【解決手段】複数の半導体ウェハＷはベルトコンベアＢ
により搬送され、連続的に薄膜形成の処理が３つのデポ
ジション・チャンバーＣ１〜Ｃ３によってなされる。各
チャンバーＣ１〜Ｃ３内において、ガス供給部１０１を
隔てて半導体ウェハＷの搬送方向の前後にガス排気部１
０２（１０２Ｆ，１０２Ｂ）が設けられ、かつこのガス
排気部１０２は、排気口が複数に細分化され、それぞれ
排気配管Ｐ（Ｐ１〜Ｐ６）を有して排気量（または排気
圧）が調整できる。
調整が可能で、ウェハ面内均一性が良好に維持できる薄
膜形成装置を提供する。 【解決手段】複数の半導体ウェハＷはベルトコンベアＢ
により搬送され、連続的に薄膜形成の処理が３つのデポ
ジション・チャンバーＣ１〜Ｃ３によってなされる。各
チャンバーＣ１〜Ｃ３内において、ガス供給部１０１を
隔てて半導体ウェハＷの搬送方向の前後にガス排気部１
０２（１０２Ｆ，１０２Ｂ）が設けられ、かつこのガス
排気部１０２は、排気口が複数に細分化され、それぞれ
排気配管Ｐ（Ｐ１〜Ｐ６）を有して排気量（または排気
圧）が調整できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造におけ
る薄膜形成装置に係り、特に常圧で半導体ウェハ上に薄
膜を形成する連続型の薄膜形成装置における排気機構の
改良に関する。
る薄膜形成装置に係り、特に常圧で半導体ウェハ上に薄
膜を形成する連続型の薄膜形成装置における排気機構の
改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、一般的な連続型の常圧薄膜形成
装置の構成を示す概略図である。複数のウェハＷはベル
トコンベアＢにより搬送され、連続的に薄膜形成の処理
がなされる。このような連続式の処理系には、膜の均一
性を改善するために一般に３つのデポジション・チャン
バーＣ１１〜Ｃ１３が配備されている。
装置の構成を示す概略図である。複数のウェハＷはベル
トコンベアＢにより搬送され、連続的に薄膜形成の処理
がなされる。このような連続式の処理系には、膜の均一
性を改善するために一般に３つのデポジション・チャン
バーＣ１１〜Ｃ１３が配備されている。
【０００３】すなわち、これらのチャンバーＣ１１〜Ｃ
１３には薄膜を形成するためのガスが供給され、かつ反
応済み及び未反応のガスが排気され、ウェハＷが３つの
チャンバーＣ１１〜Ｃ１３直下を通過する間に所定の厚
さの薄膜（例えばＳｉＯ2）が形成されるようになって
いる。また、チャンバーＣ１１〜Ｃ１３に対向するベル
トコンベアＢによる搬送台下にはヒーターＨが配備さ
れ、搬送されるウェハＷを成膜に適した温度まで上昇さ
せる。
１３には薄膜を形成するためのガスが供給され、かつ反
応済み及び未反応のガスが排気され、ウェハＷが３つの
チャンバーＣ１１〜Ｃ１３直下を通過する間に所定の厚
さの薄膜（例えばＳｉＯ2）が形成されるようになって
いる。また、チャンバーＣ１１〜Ｃ１３に対向するベル
トコンベアＢによる搬送台下にはヒーターＨが配備さ
れ、搬送されるウェハＷを成膜に適した温度まで上昇さ
せる。
【０００４】図６は、従来のデポジション・チャンバー
Ｃ１１〜Ｃ１３の一つの構成を示す概観図である。例え
ばチャンバーＣ１１には、ウェハ搬送方向に直交する方
向に複数並んだガス供給管を有するガス供給部３０１
と、ウェハ薄膜形成時の反応済みのガス及び反応しきれ
なかった未反応のガスを排気する排気装置の排気配管が
設けられたガス排気部３０２が備えられている。ガス排
気部３０２は上記ガス供給部３０１を隔ててウェハの搬
送方向の前後に設けられ、それぞれ１本ずつ排気配管Ｐ
Ｆ，ＰＢが配備されている。
Ｃ１１〜Ｃ１３の一つの構成を示す概観図である。例え
ばチャンバーＣ１１には、ウェハ搬送方向に直交する方
向に複数並んだガス供給管を有するガス供給部３０１
と、ウェハ薄膜形成時の反応済みのガス及び反応しきれ
なかった未反応のガスを排気する排気装置の排気配管が
設けられたガス排気部３０２が備えられている。ガス排
気部３０２は上記ガス供給部３０１を隔ててウェハの搬
送方向の前後に設けられ、それぞれ１本ずつ排気配管Ｐ
Ｆ，ＰＢが配備されている。
【０００５】上記ガスの排気はウェハの成膜の制御に影
響を及ぼす。すなわち、排気が強くなる（排気の流量が
大きい）と、ウェハ上で反応するガスの量が減少し、そ
の結果、ウェハ上に堆積する膜が薄くなり、逆に排気が
弱くなる（排気の流量が小さい）と、ウェハ上で反応す
るガスの量が増え、その結果、ウェハ上に堆積する膜が
厚くなる。
響を及ぼす。すなわち、排気が強くなる（排気の流量が
大きい）と、ウェハ上で反応するガスの量が減少し、そ
の結果、ウェハ上に堆積する膜が薄くなり、逆に排気が
弱くなる（排気の流量が小さい）と、ウェハ上で反応す
るガスの量が増え、その結果、ウェハ上に堆積する膜が
厚くなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、排気配
管（ＰＦ，ＰＢ）は上記ガス供給部３０１を隔ててウェ
ハの搬送方向の前後に１本ずつ配備されている。よっ
て、従来技術ではウェハ搬送方向の前後では排気の調整
が可能であるが、ウェハ搬送方向に対して交差する左右
方向の調整は不可能である。
管（ＰＦ，ＰＢ）は上記ガス供給部３０１を隔ててウェ
ハの搬送方向の前後に１本ずつ配備されている。よっ
て、従来技術ではウェハ搬送方向の前後では排気の調整
が可能であるが、ウェハ搬送方向に対して交差する左右
方向の調整は不可能である。
【０００７】例えば、半導体ウェハＷの成膜が、ウェハ
搬送方向での中央エリアＭと比べてエッジ・エリアＥ
１、Ｅ２が厚かったり薄かったりした場合、前後の排気
配管ＰＦ，ＰＲにおける排気の調整によって膜厚を制御
することは不可能である。
搬送方向での中央エリアＭと比べてエッジ・エリアＥ
１、Ｅ２が厚かったり薄かったりした場合、前後の排気
配管ＰＦ，ＰＲにおける排気の調整によって膜厚を制御
することは不可能である。
【０００８】このように従来では、搬送される半導体ウ
ェハＷの成膜に対し、ウェハ面内の均一性を考えた場
合、ウェハＷの搬送方向エッジ・エリアＥ１、Ｅ２以外
の中央エリアＭは、ベルトコンベアＢのスピード安定
性、供給ガスの流量安定性により良好に維持でき、問題
とならない。しかし、ウェハのエッジ・エリアＥ１、Ｅ
２は、膜厚差の変動が他と比べて大きく、しかも制御不
可能なため、堆積膜厚の高精度な面内均一性を要求され
た場合、問題である。
ェハＷの成膜に対し、ウェハ面内の均一性を考えた場
合、ウェハＷの搬送方向エッジ・エリアＥ１、Ｅ２以外
の中央エリアＭは、ベルトコンベアＢのスピード安定
性、供給ガスの流量安定性により良好に維持でき、問題
とならない。しかし、ウェハのエッジ・エリアＥ１、Ｅ
２は、膜厚差の変動が他と比べて大きく、しかも制御不
可能なため、堆積膜厚の高精度な面内均一性を要求され
た場合、問題である。
【０００９】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
のであり、その課題は、ウェハのエッジ・エリアにおい
ても成膜の膜厚調整が可能で、ウェハ面内均一性が良好
に維持できる薄膜形成装置を提供することにある。
のであり、その課題は、ウェハのエッジ・エリアにおい
ても成膜の膜厚調整が可能で、ウェハ面内均一性が良好
に維持できる薄膜形成装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成装置
は、搬送される複数の半導体ウェハがチャンバー内を通
過することによって連続的に成膜される薄膜形成装置に
おいて、前記チャンバー内に設けられたガス供給部と、
前記チャンバー内において前記ガス供給部を隔てて前記
半導体ウェハの搬送方向の前後に設けられたガス排気部
とを具備し、前記ガス排気部の一つは少なくとも排気口
が複数に細分化され、それぞれ排気配管を有することを
特徴とする。
は、搬送される複数の半導体ウェハがチャンバー内を通
過することによって連続的に成膜される薄膜形成装置に
おいて、前記チャンバー内に設けられたガス供給部と、
前記チャンバー内において前記ガス供給部を隔てて前記
半導体ウェハの搬送方向の前後に設けられたガス排気部
とを具備し、前記ガス排気部の一つは少なくとも排気口
が複数に細分化され、それぞれ排気配管を有することを
特徴とする。
【００１１】また、本発明の薄膜形成装置は、搬送され
る複数の半導体ウェハがチャンバー内を通過することに
よって連続的に成膜される薄膜形成装置において、前記
チャンバー内に設けられたガス供給部と、前記チャンバ
ー内において前記ガス供給部を隔てて前記半導体ウェハ
の搬送方向の前後左右それぞれに排気量が調整できる排
気配管を設けたガス排気部とを具備したことを特徴とす
る。
る複数の半導体ウェハがチャンバー内を通過することに
よって連続的に成膜される薄膜形成装置において、前記
チャンバー内に設けられたガス供給部と、前記チャンバ
ー内において前記ガス供給部を隔てて前記半導体ウェハ
の搬送方向の前後左右それぞれに排気量が調整できる排
気配管を設けたガス排気部とを具備したことを特徴とす
る。
【００１２】本発明によれば、各排気配管の流量がそれ
ぞれ調整できる環境が配備される。各排気配管におい
て、薄膜形成時のガス排気の流れを制御できればウェハ
面内の膜厚均一性の向上が実現できる。
ぞれ調整できる環境が配備される。各排気配管におい
て、薄膜形成時のガス排気の流れを制御できればウェハ
面内の膜厚均一性の向上が実現できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は、本発明の第１の実
施形態に係る薄膜形成装置の要部構成を示す概観図、
（ｂ）はウェハ上の成膜に関し排気の影響に対するエリ
アを示すウェハ拡大図である。
施形態に係る薄膜形成装置の要部構成を示す概観図、
（ｂ）はウェハ上の成膜に関し排気の影響に対するエリ
アを示すウェハ拡大図である。
【００１４】複数の半導体ウェハＷはベルトコンベアＢ
により搬送され、連続的に薄膜形成の処理がなされる。
このような連続式の処理系には、成膜の膜厚均一性を改
善するために本発明に係る３つのデポジション・チャン
バーＣ１〜Ｃ３が配備されている。
により搬送され、連続的に薄膜形成の処理がなされる。
このような連続式の処理系には、成膜の膜厚均一性を改
善するために本発明に係る３つのデポジション・チャン
バーＣ１〜Ｃ３が配備されている。
【００１５】すなわち、これらのチャンバーＣ１〜Ｃ３
には薄膜を形成するためのガスが供給／排気され、ウェ
ハＷが３つのチャンバーＣ１〜Ｃ３直下を通過する間に
ウェハ面均一な所定の薄膜（例えばＳｉＯ2）が形成さ
れるようになっている。また、チャンバーＣ１〜Ｃ３に
対向するベルトコンベアＢによる搬送台下にはヒーター
Ｈが配備され、搬送されるウェハＷを成膜に適した温度
まで上昇させる。
には薄膜を形成するためのガスが供給／排気され、ウェ
ハＷが３つのチャンバーＣ１〜Ｃ３直下を通過する間に
ウェハ面均一な所定の薄膜（例えばＳｉＯ2）が形成さ
れるようになっている。また、チャンバーＣ１〜Ｃ３に
対向するベルトコンベアＢによる搬送台下にはヒーター
Ｈが配備され、搬送されるウェハＷを成膜に適した温度
まで上昇させる。
【００１６】この実施形態では図示されるように、各チ
ャンバーＣ１〜Ｃ３内において、ガス供給部１０１を隔
てて半導体ウェハＷの搬送方向の前後にガス排気部１０
２（１０２Ｆ，１０２Ｂ）が設けられ、かつこのガス排
気部１０２は、排気口が複数に細分化され、それぞれ排
気配管Ｐ（後述するＰ１〜Ｐ６）を有して排気量（また
は排気圧）が調整できる。
ャンバーＣ１〜Ｃ３内において、ガス供給部１０１を隔
てて半導体ウェハＷの搬送方向の前後にガス排気部１０
２（１０２Ｆ，１０２Ｂ）が設けられ、かつこのガス排
気部１０２は、排気口が複数に細分化され、それぞれ排
気配管Ｐ（後述するＰ１〜Ｐ６）を有して排気量（また
は排気圧）が調整できる。
【００１７】２列で搬送されてくるウェハをＷ１、Ｗ２
とすると、例えば、排気配管Ｐは２列で搬送されてくる
ウェハの一つ当たり３つのエリア、すなわち、搬送方向
におけるエッジ・エリアＥ１，中央エリアＭ，エッジ・
エリアＥ２に対応して設けられている（図１（ｂ）参
照）。すなわち、ウェハＷ上の成膜に関し排気の影響が
エリアＥ１，Ｍ，Ｅ２に分割され、これが調整できるよ
うになる。
とすると、例えば、排気配管Ｐは２列で搬送されてくる
ウェハの一つ当たり３つのエリア、すなわち、搬送方向
におけるエッジ・エリアＥ１，中央エリアＭ，エッジ・
エリアＥ２に対応して設けられている（図１（ｂ）参
照）。すなわち、ウェハＷ上の成膜に関し排気の影響が
エリアＥ１，Ｍ，Ｅ２に分割され、これが調整できるよ
うになる。
【００１８】従ってこの実施形態では、排気配管Ｐは、
排気部１０２（１０２Ｆ、１０２Ｂ）の１つに対して６
本がウェハの搬送方向に対して交差するように分岐して
設けられている。よって、前後の排気部１０２Ｆ，１０
２Ｂで合計１２本の流量調整可能な排気配管Ｐが設けら
れている。
排気部１０２（１０２Ｆ、１０２Ｂ）の１つに対して６
本がウェハの搬送方向に対して交差するように分岐して
設けられている。よって、前後の排気部１０２Ｆ，１０
２Ｂで合計１２本の流量調整可能な排気配管Ｐが設けら
れている。
【００１９】図２（ａ）は、デポジション・チャンバー
Ｃ１１〜Ｃ１３の一つで、ウェハ搬送方向前方の排気部
１０２Ｆの詳細を示す構成図である。排気配管Ｐはここ
ではそれぞれをＰ１〜Ｐ６と表記する。仕切り板ＰＲＴ
は、排気口（排気部屋ともいう）ＥＸをそれぞれ排気配
管Ｐ１〜Ｐ６に対応するように分割している（ＥＸ１〜
ＥＸ６）。排気配管Ｐ１〜Ｐ６はそれぞれ排気量（また
は排気圧）を調整するバルブ機構、例えばバタフライ・
バルブＶ１〜Ｖ６が備えられている（図２（ｂ））。
Ｃ１１〜Ｃ１３の一つで、ウェハ搬送方向前方の排気部
１０２Ｆの詳細を示す構成図である。排気配管Ｐはここ
ではそれぞれをＰ１〜Ｐ６と表記する。仕切り板ＰＲＴ
は、排気口（排気部屋ともいう）ＥＸをそれぞれ排気配
管Ｐ１〜Ｐ６に対応するように分割している（ＥＸ１〜
ＥＸ６）。排気配管Ｐ１〜Ｐ６はそれぞれ排気量（また
は排気圧）を調整するバルブ機構、例えばバタフライ・
バルブＶ１〜Ｖ６が備えられている（図２（ｂ））。
【００２０】上記バタフライ・バルブＶ１〜Ｖ６による
ガス排気量の制御によって、上記図１（ｂ）の各ウェハ
Ｗ１、Ｗ２に関するエリアＥ１，Ｍ，Ｅ２それぞれにお
ける成膜の厚さを調整することができる。排気配管Ｐ１
〜Ｐ６は共通に太い排気配管Ｐ０に繋がり、共通排気経
路が設けられている。
ガス排気量の制御によって、上記図１（ｂ）の各ウェハ
Ｗ１、Ｗ２に関するエリアＥ１，Ｍ，Ｅ２それぞれにお
ける成膜の厚さを調整することができる。排気配管Ｐ１
〜Ｐ６は共通に太い排気配管Ｐ０に繋がり、共通排気経
路が設けられている。
【００２１】すなわち、図２及び図１（ｂ）を参照する
と、１つの排気部１０２当り次の作用がある。 （１）バルブＶ１による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ１におけるエリアＥ１の堆積膜の膜厚が小さく／大
きく制御される。 （２）バルブＶ２による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ１におけるエリアＭの堆積膜の膜厚が小さく／大き
く制御される。 （３）バルブＶ３による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ１におけるエリアＥ２の堆積膜の膜厚が小さく／大
きく制御される。 （４）バルブＶ４による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ２におけるエリアＥ１の堆積膜の膜厚が小さく／大
きく制御される。 （５）バルブＶ５による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ２におけるエリアＭの堆積膜の膜厚が小さく／大き
く制御される。 （６）バルブＶ６による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ２におけるエリアＥ２の堆積膜の膜厚が小さく／大
きく制御される。
と、１つの排気部１０２当り次の作用がある。 （１）バルブＶ１による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ１におけるエリアＥ１の堆積膜の膜厚が小さく／大
きく制御される。 （２）バルブＶ２による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ１におけるエリアＭの堆積膜の膜厚が小さく／大き
く制御される。 （３）バルブＶ３による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ１におけるエリアＥ２の堆積膜の膜厚が小さく／大
きく制御される。 （４）バルブＶ４による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ２におけるエリアＥ１の堆積膜の膜厚が小さく／大
きく制御される。 （５）バルブＶ５による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ２におけるエリアＭの堆積膜の膜厚が小さく／大き
く制御される。 （６）バルブＶ６による排気流量の増／減により、ウェ
ハＷ２におけるエリアＥ２の堆積膜の膜厚が小さく／大
きく制御される。
【００２２】このように、排気部１０２は、しきり板Ｐ
ＲＴで分割された排気口（または排気部屋）ＥＸ１〜Ｅ
Ｘ６と、これに対応する、排気流量調整用のバタフライ
・バルブＶ１〜Ｖ６が配備された排気配管Ｐ１〜Ｐ６
と、この排気配管Ｐ１〜Ｐ６が共通に繋がる太い排気配
管Ｐ０とから構成される。
ＲＴで分割された排気口（または排気部屋）ＥＸ１〜Ｅ
Ｘ６と、これに対応する、排気流量調整用のバタフライ
・バルブＶ１〜Ｖ６が配備された排気配管Ｐ１〜Ｐ６
と、この排気配管Ｐ１〜Ｐ６が共通に繋がる太い排気配
管Ｐ０とから構成される。
【００２３】この排気部１０２は上述のようにデポジシ
ョン・チャンバー１つ当たり前後に設けられる（１０２
Ｆ，１０２Ｂ）。デポジション・チャンバーはＣ１〜Ｃ
３で３個配設されるから、搬送されるウェハＷは、本発
明構成の６個の排気部１０２を通過することになり、そ
れぞれのガス排気量が適宜調整されることによって、ウ
ェハ上の成膜は、高精度でウェハ面内均一性を維持する
ことが期待できる。
ョン・チャンバー１つ当たり前後に設けられる（１０２
Ｆ，１０２Ｂ）。デポジション・チャンバーはＣ１〜Ｃ
３で３個配設されるから、搬送されるウェハＷは、本発
明構成の６個の排気部１０２を通過することになり、そ
れぞれのガス排気量が適宜調整されることによって、ウ
ェハ上の成膜は、高精度でウェハ面内均一性を維持する
ことが期待できる。
【００２４】上記構成の成膜過程は次のようである。搬
送されるウェハＷ（ここではＷ１，Ｗ２の２列であるが
１列でもかまわない）は、ヒーターＨで４００〜５００
℃に加熱されながら、デポジション・チャンバーＣ１、
Ｃ２，Ｃ３を通過する。各チャンバーＣ１、Ｃ２，Ｃ３
内には図３に示すようなガス供給部１０１のインジェク
ターＩＮＪからガス（例えばＳｉＨ4 ，Ｏ2 ，Ｎ2 ）が
噴き出し、ウェハＷ上にＳｉＯ2 膜を形成する。反応し
たガス及び反応しきれなかった未反応ガスは、各排気部
１０２における排気口ＥＸ１〜ＥＸ６から排気流量がそ
れぞれ調整されるバルブＶ１〜Ｖ６を備えた排気配管Ｐ
１〜Ｐ６及び共通排気配管Ｐ０を介してチャンバー外に
排気される。
送されるウェハＷ（ここではＷ１，Ｗ２の２列であるが
１列でもかまわない）は、ヒーターＨで４００〜５００
℃に加熱されながら、デポジション・チャンバーＣ１、
Ｃ２，Ｃ３を通過する。各チャンバーＣ１、Ｃ２，Ｃ３
内には図３に示すようなガス供給部１０１のインジェク
ターＩＮＪからガス（例えばＳｉＨ4 ，Ｏ2 ，Ｎ2 ）が
噴き出し、ウェハＷ上にＳｉＯ2 膜を形成する。反応し
たガス及び反応しきれなかった未反応ガスは、各排気部
１０２における排気口ＥＸ１〜ＥＸ６から排気流量がそ
れぞれ調整されるバルブＶ１〜Ｖ６を備えた排気配管Ｐ
１〜Ｐ６及び共通排気配管Ｐ０を介してチャンバー外に
排気される。
【００２５】上記構成によれば、排気をブロック毎に調
整できるため、堆積膜のウェハ面内均一性が大幅に向上
する。また、ウェハの搬送スピードを上げても従来技術
よりウェハ面内均一性の悪化は格段に低く抑えることが
できる。よって、供給ガスの流量を増大させ、ウェハ搬
送スピードを上げてもウェハ面内の膜厚均一性を維持す
ることが期待でき、信頼性を保ったまま生産性向上に寄
与する。
整できるため、堆積膜のウェハ面内均一性が大幅に向上
する。また、ウェハの搬送スピードを上げても従来技術
よりウェハ面内均一性の悪化は格段に低く抑えることが
できる。よって、供給ガスの流量を増大させ、ウェハ搬
送スピードを上げてもウェハ面内の膜厚均一性を維持す
ることが期待でき、信頼性を保ったまま生産性向上に寄
与する。
【００２６】さらに、本発明の排気流量調整機構を備え
たデポジション・チャンバーＣ１，Ｃ２，Ｃ３により、
単一のデポジション・チャンバー自体の成膜の膜厚制御
性能が大幅に向上する。このため、例えばデポジション
・チャンバー１個でも良好な膜厚制御が可能であり、薄
膜形成装置のデポジション・チャンバー数を削減するこ
とができる。
たデポジション・チャンバーＣ１，Ｃ２，Ｃ３により、
単一のデポジション・チャンバー自体の成膜の膜厚制御
性能が大幅に向上する。このため、例えばデポジション
・チャンバー１個でも良好な膜厚制御が可能であり、薄
膜形成装置のデポジション・チャンバー数を削減するこ
とができる。
【００２７】図４は、本発明の第２の実施形態に係る薄
膜形成装置の要部構成を示す概観図である。第１の実施
形態と同様に複数のウェハＷがベルトコンベアＢにより
搬送され、ヒーターＨで適温に加熱されながらデポジシ
ョン・チャンバーＣ２１を通過し、連続的に薄膜形成の
処理がなされる。
膜形成装置の要部構成を示す概観図である。第１の実施
形態と同様に複数のウェハＷがベルトコンベアＢにより
搬送され、ヒーターＨで適温に加熱されながらデポジシ
ョン・チャンバーＣ２１を通過し、連続的に薄膜形成の
処理がなされる。
【００２８】この第２の実施形態では、デポジション・
チャンバーＣ２１に関し、第１の実施形態と同様のガス
供給部２０１を隔ててウェハＷの搬送方向の前後左右そ
れぞれに、排気量が調整できる排気配管Ｐ２１〜Ｐ２４
をそれぞれ設けたガス排気部２０２Ｆ，２０２Ｂ，２０
２Ｌ，２０２Ｒを備えている。図示しないが排気配管Ｐ
２１〜Ｐ２４それぞれにはバタフライ・バルブのような
排気流量調整機構が設けられている。
チャンバーＣ２１に関し、第１の実施形態と同様のガス
供給部２０１を隔ててウェハＷの搬送方向の前後左右そ
れぞれに、排気量が調整できる排気配管Ｐ２１〜Ｐ２４
をそれぞれ設けたガス排気部２０２Ｆ，２０２Ｂ，２０
２Ｌ，２０２Ｒを備えている。図示しないが排気配管Ｐ
２１〜Ｐ２４それぞれにはバタフライ・バルブのような
排気流量調整機構が設けられている。
【００２９】搬送される半導体ウェハＷの成膜に対し、
ウェハ面内の均一性悪化は、図示のようなウェハＷの搬
送方向エッジ・エリアＥ１１、Ｅ１２の膜厚の変動が搬
送方向中央エリアＭ０に比べて大きいことに起因する。
よって、ウェハＷの搬送方向の左右に排気部（排気ユニ
ット）２０２Ｌ，２０２Ｒを設けることにより、ウェハ
搬送方向エッジ・エリアＥ１１、Ｅ１２の膜厚調整が可
能となる。これにより、ウェハ上の成膜に関し良好なウ
ェハ面内均一性を維持することができる。
ウェハ面内の均一性悪化は、図示のようなウェハＷの搬
送方向エッジ・エリアＥ１１、Ｅ１２の膜厚の変動が搬
送方向中央エリアＭ０に比べて大きいことに起因する。
よって、ウェハＷの搬送方向の左右に排気部（排気ユニ
ット）２０２Ｌ，２０２Ｒを設けることにより、ウェハ
搬送方向エッジ・エリアＥ１１、Ｅ１２の膜厚調整が可
能となる。これにより、ウェハ上の成膜に関し良好なウ
ェハ面内均一性を維持することができる。
【００３０】なお、上記構成のデポジション・チャンバ
ーＣ２１は１個示したが、複数でもかまわない。また、
排気量が調整できる各排気配管Ｐ２１〜Ｐ２４はそれぞ
れさらに複数に細分化されていてもよい。
ーＣ２１は１個示したが、複数でもかまわない。また、
排気量が調整できる各排気配管Ｐ２１〜Ｐ２４はそれぞ
れさらに複数に細分化されていてもよい。
【００３１】上記構成によれば、排気をウェハ搬送方向
の前後左右それぞれのブロック毎に調整できるため、堆
積膜のウェハ面内均一性が大幅に向上する。また、ウェ
ハの搬送スピードを上げても従来技術よりウェハ面内均
一性の悪化は格段に低く抑えることができる。よって、
供給ガスの流量を増大させ、ウェハ搬送スピードを上げ
てもウェハ面内の膜厚均一性を維持することが期待で
き、信頼性を保ったまま生産性向上に寄与する。
の前後左右それぞれのブロック毎に調整できるため、堆
積膜のウェハ面内均一性が大幅に向上する。また、ウェ
ハの搬送スピードを上げても従来技術よりウェハ面内均
一性の悪化は格段に低く抑えることができる。よって、
供給ガスの流量を増大させ、ウェハ搬送スピードを上げ
てもウェハ面内の膜厚均一性を維持することが期待で
き、信頼性を保ったまま生産性向上に寄与する。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
成膜用のガスを流すデポジション・チャンバーの排気口
及び排気配管を細分化し、各排気配管に排気流量（また
は排気圧）調整機構を取り付けることで薄膜形成時のガ
スの流れを制御し、ウェハ上の堆積膜厚の面内均一性を
向上させることができる。これにより、半導体デバイス
の品質向上に寄与すると共に、高信頼をもって生産性の
向上が達成できる薄膜形成装置が提供できる。
成膜用のガスを流すデポジション・チャンバーの排気口
及び排気配管を細分化し、各排気配管に排気流量（また
は排気圧）調整機構を取り付けることで薄膜形成時のガ
スの流れを制御し、ウェハ上の堆積膜厚の面内均一性を
向上させることができる。これにより、半導体デバイス
の品質向上に寄与すると共に、高信頼をもって生産性の
向上が達成できる薄膜形成装置が提供できる。
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜
形成装置の要部構成を示す概観図、（ｂ）はウェハ上の
成膜に関し排気の影響に対するエリアを示すウェハ拡大
図である。
形成装置の要部構成を示す概観図、（ｂ）はウェハ上の
成膜に関し排気の影響に対するエリアを示すウェハ拡大
図である。
【図２】（ａ）は、デポジション・チャンバーの一つ
で、ウェハ搬送方向前方の排気部の詳細を示す構成図、
（ｂ）は排気部に備えられた排気流量（または排気圧）
調整用のバルブ機構の構成図である。
で、ウェハ搬送方向前方の排気部の詳細を示す構成図、
（ｂ）は排気部に備えられた排気流量（または排気圧）
調整用のバルブ機構の構成図である。
【図３】ガス供給部におけるインジェクターを示す構成
図である。
図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る薄膜形成装置の
要部構成を示す概観図である。
要部構成を示す概観図である。
【図５】一般的な連続型の常圧薄膜形成装置の構成を示
す概略図である。
す概略図である。
【図６】従来のデポジション・チャンバーの一つの構成
を示す概観図である。
を示す概観図である。
Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）…半導体ウェハ、Ｂ…ベルトコンベ
ア、Ｃ１〜Ｃ２，Ｃ２１…デポジション・チャンバー、
Ｈ…ヒーター、１０１，２０１…ガス供給部、１０２
（１０２Ｆ，１０２Ｂ），２０２Ｆ，２０２Ｂ，２０２
Ｌ，２０２Ｒ…ガス排気部、ＰＡＲＴ…仕切り板、ＥＸ
（ＥＸ１〜ＥＸ６）…排気口（排気部屋）、Ｐ（Ｐ１〜
Ｐ６），Ｐ０，Ｐ２１〜Ｐ２４…排気配管、Ｖ１〜Ｖ６
…バタフライ・バルブ、ＩＮＪ…インジェクター。
ア、Ｃ１〜Ｃ２，Ｃ２１…デポジション・チャンバー、
Ｈ…ヒーター、１０１，２０１…ガス供給部、１０２
（１０２Ｆ，１０２Ｂ），２０２Ｆ，２０２Ｂ，２０２
Ｌ，２０２Ｒ…ガス排気部、ＰＡＲＴ…仕切り板、ＥＸ
（ＥＸ１〜ＥＸ６）…排気口（排気部屋）、Ｐ（Ｐ１〜
Ｐ６），Ｐ０，Ｐ２１〜Ｐ２４…排気配管、Ｖ１〜Ｖ６
…バタフライ・バルブ、ＩＮＪ…インジェクター。
Claims (4)
- 【請求項１】 搬送される複数の半導体ウェハがチャン
バー内を通過することによって連続的に成膜される薄膜
形成装置において、 前記チャンバー内に設けられたガス供給部と、 前記チャンバー内において前記ガス供給部を隔てて前記
半導体ウェハの搬送方向の前後に設けられたガス排気部
とを具備し、 少なくとも前記ガス排気部の一つは排気口が複数に細分
化され、それぞれ排気配管を有して排気量が調整できる
ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 前記排気配管経路内に流量を調整できる
バルブ機構を配備していることを特徴とする請求項１記
載の薄膜形成装置。 - 【請求項３】 前記排気口は前記半導体ウェハの搬送方
向に交差する方向に３つ以上並び、さらに前記排気配管
各々が共通につながる共通排気経路を具備したことを特
徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。 - 【請求項４】 搬送される複数の半導体ウェハがチャン
バー内を通過することによって連続的に成膜される薄膜
形成装置において、 前記チャンバー内に設けられたガス供給部と、 前記チャンバー内において前記ガス供給部を隔てて前記
半導体ウェハの搬送方向の前後左右それぞれに排気量が
調整できる排気配管を設けたガス排気部とを具備したこ
とを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115009A JP2000306905A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115009A JP2000306905A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306905A true JP2000306905A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14652026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11115009A Pending JP2000306905A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000306905A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7647887B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-01-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Thin film forming apparatus |
| JP2012521097A (ja) * | 2009-03-16 | 2012-09-10 | アルタ デバイセズ，インコーポレイテッド | 蒸着用反応装置蓋アセンブリ |
| KR20140037198A (ko) * | 2011-06-09 | 2014-03-26 | 싱귤러스 엠오씨브이디 게엠바하 아이. 지알. | 인라인 화학 기상 증착을 위한 방법 및 시스템 |
-
1999
- 1999-04-22 JP JP11115009A patent/JP2000306905A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7647887B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-01-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Thin film forming apparatus |
| JP2012521097A (ja) * | 2009-03-16 | 2012-09-10 | アルタ デバイセズ，インコーポレイテッド | 蒸着用反応装置蓋アセンブリ |
| KR20140037198A (ko) * | 2011-06-09 | 2014-03-26 | 싱귤러스 엠오씨브이디 게엠바하 아이. 지알. | 인라인 화학 기상 증착을 위한 방법 및 시스템 |
| JP2014523479A (ja) * | 2011-06-09 | 2014-09-11 | シンギュラス エムオーシーヴィディー ゲーエムベーハー イー．ゲール． | インライン式の化学気相成長の方法及びシステム |
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