JPH1154590A - 基板搬送制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成膜室での所定の処理に要する時間を考慮し
た上で、基板を搬送することができる時間間隔を設定し
て、搬送装置による搬送処理を支障なく実施し、更に、
搬送途中の基板が意図しない状態で停滞してしまうこと
を回避して、基板の熱履歴による品質低下を防止する。 【解決手段】 同一の処理を行う成膜室Ｒ１、Ｒ２を備
えて、これら処理室群に対する基板の搬送を同一の搬送
装置Ｔ３によって行う装置において、成膜室での成膜処
理を行うに要する時間を当該処理室群に含まれる処理室
数で割算し、この結果の内から最大値の時間をタクトタ
イムに設定し、当該タクトタイムに従った時間間隔で基
板を搬送する。また、タクトタイムに従った時間間隔で
処理室毎の基板搬送を行わせ、更に、当該基板搬送に際
して、一の処理室Ｒ１での処理が終了した後に所定の待
機時間Ｗをもって当該処理室からの基板搬出を実行さ
せ、他の処理室Ｒ２に対する基板搬送が終了した後に当
該一の処理室Ｒ１からの基板搬出が行われるようにし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板に所定
の成膜処理を施す半導体製造装置やＬＣＤ用基板に所定
の成膜処理を施すＬＣＤ製造装置等といった基板処理装
置を制御する技術に関し、特に、同一の処理を行う複数
の処理室に対して同一の搬送装置によって基板の搬送を
行わせる基板搬送制御に関する。

【０００２】

【従来の技術】処理対象の基板に複数の処理室において
一連の処理を順次実施する基板処理装置としては、例え
ば図５に示すような、１枚或いは少数枚の基板を順次直
列的に処理する枚葉インライン形式のＬＣＤ製造装置が
知られている。このＬＣＤ製造装置では、ロード側カセ
ットスタンドＳ１に大気搬送機Ｔ１が連接され、該搬送
機Ｔ１にはゲートバルブＬＶ１を介してロード側基板予
備室Ｌ１が連接され、更に、ロード側基板予備室Ｌ１に
はゲートバルブＬＶ２を介して真空搬送機Ｔ２が連接さ
れ、該搬送機Ｔ２にはゲートバルブＬＶ３を介して基板
予備加熱室Ｈが連接されている。

【０００３】また、真空搬送機Ｔ２にはゲートバルブＬ
Ｖ４を介して第１成膜室Ｒ１が連接され、該第１成膜室
Ｒ１にはゲートバルブＬＶ５を介して真空搬送機Ｔ３が
連接され、該搬送機Ｔ３にはゲートバルブＬＶ６を介し
て第２成膜室Ｒ２が連接され、該第２成膜室Ｒ２にはゲ
ートバルブＬＶ７を介して真空搬送機Ｔ４が連接され、
該搬送機Ｔ４にはゲートバルブＬＶ８を介して第３成膜
室Ｒ３が連接されている。また、真空搬送機Ｔ４にはゲ
ートバルブＬＶ９を介してアンロード側基板予備室Ｌ２
が連接され、該アンロード側基板予備室Ｌ２にはゲート
バルブＬＶ１０を介して大気搬送機Ｔ５が連接され、更
に、該搬送機Ｔ５にはアンロード側カセットスタンドＳ
２が連接されている。

【０００４】このようなＬＣＤ製造装置では、ロード側
から搬入された処理対象の基板が、搬送機Ｔ１〜Ｔ５に
より各処理室を順次搬送されて所定の処理が施され、第
１成膜室Ｒ１〜第３成膜室Ｒ３でそれぞれ異なる膜種の
成膜処理が施されてアンロード側から搬出される。な
お、このような基板の搬送制御や基板に対する処理の制
御は図示していないコントローラによってなされる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のような直列構成
のＬＣＤ製造装置では、各膜種の成膜処理を行う成膜室
が１つずつしかないため、高いスループットを実現する
ことができなかった。そこで、同一の膜種の成膜処理を
行う成膜室を複数個備えて、これら成膜室で同一な成膜
処理を分担することにより、基板を順次投入して処理を
行う場合のスループットを向上させる基板処理装置（Ｌ
ＣＤ製造装置）が開発されている。

【０００６】このようなＬＣＤ製造装置としては、例え
ば、搬送機を収容したメインフレームに対して複数の成
膜室を連接し、これら成膜室の内の複数の成膜室を同一
の成膜処理を並列的に行う成膜室として、これら成膜室
に対して同一の搬送機により基板の搬送処理を行う枚葉
クラスタ形式の基板処理装置や、図１を参照して後述す
るように、同一の成膜処理を並列的に行う処理室を複数
個備えて、これら処理室に対する基板の搬送を同一の搬
送装置によって行う並列構成の枚葉インライン形式の基
板処理装置等がある。

【０００７】しかしながら、このような並列構成の基板
処理装置にあっては、２つ以上の成膜室に対して同一の
搬送装置で基板の搬送を行うこととなるため、一の成膜
室に対する基板搬送と他の成膜室に対する基板搬送とを
同時に行わなければならないといった搬送処理間の干渉
が発生してしまうといった問題があった。そして、この
ような搬送処理間の干渉が生じてしまう場合には、例え
ば基板が搬送機に把持されたままで停滞してしまうとい
ったように処理途中の基板を温度管理し得ない環境下に
長時間晒してしまう事態が発生し、基板に意図しない熱
履歴を与えてしまって製品歩留まりを低下させてしまう
といった問題を招いていた。

【０００８】本発明は、上記従来の事情に鑑みなされた
もので、処理室での所定の処理に要する時間を考慮した
上で、処理対象の基板を搬送することができる時間間隔
を設定して、搬送装置による搬送処理を支障なく実施す
ることを目的とする。更に、本発明は、搬送途中の基板
が意図しない状態で停滞してしまうことを回避して、基
板の熱履歴による品質低下を防止することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明では、同一の処理
を行う処理室を複数個備えて、これら処理室（処理室
群）に対する基板の搬送を同一の搬送装置によって行う
基板処理装置において、処理室での処理能力を上回って
搬送した基板が停滞を生じてしまわないように、処理対
象の基板を搬送する時間間隔を設定して、当該設定に従
って搬送処理を実行させる。

【００１０】すなわち、処理室での基板処理及び当該処
理室に対する基板の搬送を行うための時間を当該処理室
群に含まれる処理室数で割り算し、この結果の内で最大
値となる時間以上の時間をタクトタイムに設定し、当該
タクトタイムに従った時間間隔で搬送装置によって基板
を搬送する。これにより、各処理室での処理時間と基板
搬送のタイミングとの不整合に起因した基板の停滞を回
避することができるとともに、基板が意に反して熱履歴
を受けてしまう事態が防止される。

【００１１】また、本発明では、上記のようにしてタク
トタイムに従った時間間隔で搬送装置により処理室毎の
基板搬送を行わせ、更に、当該搬送装置による基板搬送
に際して、一の処理室での処理が終了した後に所定の待
機時間をもって当該処理室からの基板搬出を実行させ
る。これにより、同一の処理室群に属する他の処理室に
対する基板搬送が終了した後に、当該一の処理室からの
基板搬出が行われ、これら処理室に対する搬送処理間で
の干渉が回避されて搬送処理を支障なく実施することが
できる。更に、温度管理が行い難い搬送途中の状態より
も、待機時間に基づいて比較的温度管理が行い易い処理
室内（成膜室内）に基板をより長く滞在させることによ
り、意図しない熱履歴が生じてしまう事態を防止するこ
とができる。

【００１２】なお、本発明では好ましい態様として、成
膜室に対して、成膜処理が終了した後の基板が搬送を待
機する時間では恒温制御する。これによって、基板が受
ける熱履歴をより少なくして、成膜処理された基板の高
品質な基板の成膜処理を実現する。

【００１３】本発明は、基板処理装置を操作するオペレ
ータがタクトタイム等を計算して設定することによって
も実施できるが、好ましくは、上記のような基板搬送制
御方法を行うための処理手順をグロプラムに作成し、基
板処理装置を制御するコントローラ（コンピュータ）に
当該プロスラムをインストールして実施するのが好まし
い。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図面を参照
して説明する。図１には、本実施形態に係る並列構成の
枚葉インライン形式のＬＣＤ製造装置の構成を示してあ
り、このＬＣＤ製造装置をコントローラＣＴにより制御
することにより本実施形態に係る基板制御方法が実施さ
れる。このＬＣＤ製造装置は、ロボットアームから成る
搬送機Ｔ１〜Ｔ７で１枚或いは少数枚の基板を搬送し、
各処理室Ｒ１〜Ｒ８、Ｈ、Ｂ１で当該基板に順次所定の
処理を施すが、成膜室Ｒ１及びＲ２、成膜室Ｒ４及びＲ
５、成膜室Ｒ６及びＲ７が当該基板に対して同一の成膜
処理を施す処理室として並列的に配設されている。すな
わち、成膜室Ｒ１及びＲ２が第１の成膜処理を並列的に
行う処理室群、成膜室Ｒ４及びＲ５が第２の成膜処理を
並列的に行う処理室群、成膜室Ｒ６及びＲ７が第３の成
膜処理を並列的に行う処理室群として備えられている。

【００１５】このＬＣＤ製造装置では、ロード側カセッ
トスタンドＳ１に大気搬送機Ｔ１が連接され、該搬送機
Ｔ１にはゲートバルブＬＶ１を介してロード側基板予備
室Ｌ１が連接され、更に、ロード側基板予備室Ｌ１には
ゲートバルブＬＶ２を介して真空搬送機Ｔ２が連接さ
れ、該搬送機Ｔ２には基板予備加熱室Ｈが連接されてい
る。基板予備加熱室ＨにはゲートバルブＬＶ３を介して
真空搬送機Ｔ３が連接され、該搬送機Ｔ３には第１成膜
室Ｒ１と第２成膜室Ｒ２とがそれぞれゲートバルブＬＶ
４とＬＶ５とを介して並列的に連接されている。

【００１６】また、真空搬送機Ｔ３には第３成膜室がゲ
ートバルブＬＶ６を介して連接され、第３成膜室Ｒ３に
はゲートバルブＬＶ７を介して真空搬送機Ｔ４が連接さ
れ、該搬送機Ｔ４には第４成膜室Ｒ４と第５成膜室Ｒ５
がそれぞれゲートバルブＬＶ８とＬＶ９を介して並列的
に連接されている。また、搬送機Ｔ４にはバッファ室Ｂ
１が連接され、該バッファ室Ｂ１には真空搬送機Ｔ５が
連接されている。また、搬送機Ｔ５には第６成膜室Ｒ６
と第７成膜室Ｒ７とがそれぞれゲートバルブＬＶ１０と
ＬＶ１１とを介して並列的に連接され、更に、搬送機Ｔ
５には第８成膜室Ｒ８がゲートバルブＬＶ１２とを介し
て並列的に連接されている。

【００１７】また、第８成膜室Ｒ８にはゲートバルブＬ
Ｖ１３を介して真空搬送機Ｔ６が連接され、真空搬送機
Ｔ６にはゲートバルブＬＶ１４を介してアンロード側基
板予備室Ｌ２が連接され、該アンロード側基板予備室Ｌ
２にはゲートバルブＬＶ１５を介して大気搬送機Ｔ７が
連接され、更に、該搬送機Ｔ７にはアンロード側カセッ
トスタンドＳ２が連接されている。

【００１８】ここで、上記の搬送機Ｔ１〜Ｔ７は、コン
トローラＣＴによる制御の下にそれぞれ独立して基板搬
送動作を行う。そして、これらの搬送機の内で真空搬送
機Ｔ３は、並列的に成膜処理を行う成膜室Ｒ１及びＲ
２、更には、基板予備加熱室Ｈ及び第３成膜室Ｒ３に対
する基板の搬送を行う。また、真空搬送機Ｔ４は、並列
的に成膜処理を行う成膜室Ｒ４及びＲ５、更には、第３
成膜室Ｒ３及びバッファ室Ｂ１に対する基板の搬送を行
う。また、真空搬送機Ｔ５は、並列的に成膜処理を行う
成膜室Ｒ６及びＲ７、更には、バッファ室Ｂ１及び第８
成膜室Ｒ８に対する基板の搬送を行う。したがって、ロ
ード側から搬入された処理対象の基板は、搬送機により
各処理室を順次搬送されて所定の処理（上記の並列処理
を行う成膜室群ではいずれかの成膜室での成膜処理）が
施され、所定の成膜処理が施された基板がアンロード側
から搬出される。

【００１９】上記のような装置構成において、コントロ
ーラＣＴが以下に説明するようにして、搬送機Ｔ１〜Ｔ
７が処理対象の基板を搬送する時間間隔をタクトタイム
Ｔ、並列的な成膜処理を行う成膜室での待機時間Ｗを加
味したタクト制御時間を設定し、これらに従って各搬送
機に搬送処理を行わせる。

【００２０】まず、同一の成膜処理を行う成膜室群を構
成している第１成膜室Ｒ１と第２成膜室Ｒ２、或いは、
第４成膜室Ｒ４と第５成膜室Ｒ５、或いは、第６成膜室
Ｒ６と第７成膜室Ｒ７のように、搬送機が複数の成膜室
に並列的に基板の搬送処理を行う場合のタクトタイムＴ
は、一例として式（１）として求めることができる。ま
た、これら以外の直列的に配設されている第３成膜室Ｒ
３及び第８成膜室Ｒ８のように、搬送機が１つの成膜室
に基板の搬送処理を行う場合のタクトタイムＴは、一例
として式（２）として求めることができる。

【００２１】

【数１】 ＡＴ≧Ｐ＋Ｒ＋２Ｂ＋３Ｎ・・・・・式（１） ここに、Ａ：並列室数（Parallel Number）、 Ｔ：タクトタイム（Tact Time）、 Ｂ：基板搬送時間（Board Transfer Time）、 Ｎ：通信時間（Network Time）、 Ｒ：成膜準備時間（Process Preparation Time）、 Ｐ：成膜時間（Process Time）、 なお、Ｒ＝Ｓ＋Ｅ、 Ｓ：調圧時間（Pressure Control Time）、 Ｅ：排気時間（Exhaust Time）、

【００２２】

【数２】Ｔ≧Ｐ＋Ｒ＋Ｂ＋２Ｎ・・・・・式（２）

【００２３】なお、上記の式（１）は、第１の成膜室群
を構成している第１成膜室Ｒ１及び第２成膜室Ｒ２と、
これら成膜室に対して並列的に搬送処理を行う第３搬送
機Ｔ３とを例にとると、図２に示すようにして求められ
る。まず、Ｎ1とＮ3をコントローラＣＴから第３搬送機
Ｔ３へ搬送コマンドを送信するに要する時間、Ｂ1とＢ2
を搬送コマンドに応じて第３搬送機Ｔ３が実際に搬送動
作を完了するに要する時間、Ｎ2をコントローラＣＴか
ら第１成膜室Ｒ１へ成膜処理コマンドを送信するに要す
る時間、Ｐ＋Ｒを第１成膜室Ｒ１が実際に成膜処理を実
行して完了するに要する時間とし、Ｎ1＝Ｎ2＝Ｎ3＝
Ｎ、及び、Ｂ1＝Ｂ2＝Ｂと見なす。

【００２４】ここで、第１成膜室Ｒ１への搬送処理に着
目するが、第１の成膜室群は２つの成膜室Ｒ１、Ｒ２か
ら成るため、第１成膜室Ｒ１に次の基板が搬送されて来
るまでには最大２Ｔの時間がある。したがって、第３搬
送機Ｔ３が第１成膜室Ｒ１へ基板を搬送して、処理が終
了した基板を第１成膜室Ｒ１から下流の第３成膜室Ｒ３
へ搬送する処理は、２つのタクトタイム（２Ｔ）以内で
行われなければならない。すなわち、２Ｔ≧Ｎ1＋Ｂ1＋
Ｎ2＋Ｐ＋Ｒ＋Ｎ3＋Ｂ2＝Ｐ＋Ｒ＋２Ｂ＋３Ｎとなり、
これを並列関係にある成膜室の数Ａを用いて一般化する
と式（１）に示すようになる。

【００２５】以下、本例では、成膜時間Ｐを、第１成膜
室Ｒ１と第２成膜室Ｒ２ではそれぞれ１１０秒、第４成
膜室Ｒ４と第５成膜室Ｒ５ではそれぞれ１５０秒、第６
成膜室Ｒ６と第７成膜室Ｒ７ではそれぞれ１５０秒、第
３成膜室Ｒ３では７０秒、第８成膜室Ｒ８では６５秒と
し、成膜準備時間Ｒ＝３０秒、基板搬送時間Ｂ＝４０
秒、通信時間Ｎ＝２秒として、具体的な数値を用いて説
明する。

【００２６】第１成膜室Ｒ１と第２成膜室Ｒ２のそれぞ
れのタクトタイムＴは、式（１）より、成膜室数Ａ＝２
として、 ２Ｔ≧１１０＋３０＋２×４０＋３×２ ≧２２６、 Ｔ≧１１３（秒）となる。

【００２７】また、第４成膜室Ｒ４と第５成膜室Ｒ５、
及び、第６成膜室Ｒ６と第７成膜室Ｒ７のそれぞれのタ
クトタイムＴは、式（１）より、成膜室数Ａ＝２とし
て、 ２Ｔ≧１５０＋３０＋２×４０＋３×２ ≧２６６、 Ｔ≧１３３（秒）となる。

【００２８】また、第３成膜室Ｒ３のタクトタイムＴ
は、式（２）より、 Ｔ≧７０＋３０＋４０＋２×２ ≧１４４（秒）となる。

【００２９】また、第８成膜室Ｒ８のタクトタイムＴ
は、式（２）より、 Ｔ≧６５＋３０＋４０＋２×２ ≧１３９（秒）となる。

【００３０】これら各成膜室毎のタクトタイムの内で最
大タクトタイムを選択すると、第３成膜室Ｒ３の１４４
秒である。本例では、この１４４秒をＬＣＤ製造装置で
の基板搬送を行うためにタクトタイムＴとして、このタ
クトタイムＴ（１４４秒）の間隔で搬送機により基板を
搬送する。このタクトタイム毎にカセットＳ１からＬＣ
Ｄ製造装置へ基板を投入することにより、成膜処理を行
うに十分な時間間隔をもって基板の搬送をスムースに行
うことができる。なお、本例では最大となる時間（１４
４秒）を採用しているが、この時間（１４４秒）以上の
時間を基板搬送間隔に採用してもよく、スムースな基板
搬送を実現することができる。

【００３１】更に言えば、並列的に処理を行う成膜室群
に対して、成膜室での基板成膜処理及び当該成膜室に対
する基板の搬送処理を行うための時間（Ｐ＋Ｒ＋２Ｂ＋
３Ｎ）を当該処理室群に含まれる室数（Ａ）で割り算し
て、処理室１つ当たりの必要時間を求め、この時間の内
で最大となる時間以上の時間をタクトタイムとして外部
から基板を投入するようにしたことにより、投入された
基板を成膜室群の内のいずれかの成膜室で十分な時間を
もって成膜処理することを保証できる。このため、投入
された基板が搬送途中で成膜処理待ちしなければならな
い事態を防止することができ、これによって、渋滞のな
いスムースな搬送処理を実行することができる。

【００３２】ここで、１つの搬送機に対して並列的に成
膜処理を行う成膜室が複数備えられていることから、例
えば搬送機Ｔ３が受け持つ搬送処理は１タクトタイム内
に複数存在することになる。この結果、例えば成膜室Ｒ
１が成膜処理を終了した時点で他の成膜室Ｒ２に対する
基板搬送を即座に開始した場合、成膜室Ｒ１から基板を
搬出する処理と成膜室Ｒ２へ基板を搬入する処理とが干
渉してしまう可能性がある。

【００３３】このような干渉の発生を、タクトタイムを
２００秒、第１成膜室Ｒ１と第２成膜室Ｒ２との成膜時
間をそれぞれ１５０秒、搬送時間を４０秒、成膜準備時
間を２０秒として、図３を参照して具体的に説明する。
すなわち、第１成膜室Ｒ１で成膜処理を終えた基板は第
３搬送機Ｔ３で第３成膜室Ｒ３へ搬送されることとなる
が、これと時期を同じくして、次のタクトタイムのタイ
ミングで第３搬送機Ｔ３は第２成膜室Ｒ２へ次の基板を
搬送することとなる。したがって、図３に示すように、
第１成膜室Ｒ１から第３成膜室Ｒ３への基板の搬送処理
を成膜処理後に即座に開始してしまうと、第２成膜室Ｒ
２への基板の搬送処理と干渉が生じ、当該基板が基板予
備加熱室Ｈで停滞し不正な熱履歴が生じてしまうことに
もなっていた。

【００３４】本例では、この搬送処理間の干渉を防止す
るため、図４に示すように、第１成膜室Ｒ１で成膜処理
を終えた後にあっても即座に基板の搬出を行わず、当該
成膜室Ｒ１内で所定の待機時間Ｗを過ぎた後に当該基板
を搬出するようにして、次のタクトタイムのタイミング
で第３搬送機Ｔ３が第２成膜室Ｒ２へ次の基板を搬送す
ることを支障なく実行させる。そして、第１成膜室Ｒ１
内に待機させた基板は、第２成膜室Ｒ２への基板搬送が
終了した後に、第３搬送機Ｔ３によって搬出されて第３
成膜室Ｒ３へ搬送される。なお、コントローラＣＴの制
御によって、成膜室内は成膜処理終了後は恒温状態とな
っており、当該成膜室内に待機させた基板に不都合な熱
履歴が生じてしまうことがないようになっている。

【００３５】本例では、この待機時間Ｗを含めた成膜室
での滞在時間をタクト制御時間Ｃとしており、このタク
ト制御時間Ｃによって上記の式（１）で求められるタク
トタイムＴを補正して、補正されたタクトタイムＴを用
いてコントローラＣＴが基板搬送処理を制御する。すな
わち、成膜処理を行うために成膜室に滞在時間すること
となる時間は（Ｒ＋Ｐ）であることから、待機時間Ｗを
加えて、タクト制御時間Ｃは式（３）のように表され
る。そして、式（１）中の成膜室での滞在時間に相当す
る部分（Ｒ＋Ｐ）を待機時間Ｗを加えた滞在時間（Ｒ＋
Ｐ＋Ｗ）で置き換えると、式（４）が得られる。

【００３６】ここで、次の基板の搬送処理との干渉を避
けるためには、成膜室での滞在時間（タクト制御時間
Ｃ）が上記の式（１）で求められるタクトタイムＴ以上
である必要があるので、式（５）に示す関係が得られ
る。そして、式（４）及び式（５）から式（６）に示す
関係が得られる。この式（６）を満たすタクト制御時間
Ｃは所定の待機時間Ｗを包含したものであり、この待機
時間Ｗを所定値に設定することにより、不都合な熱履歴
を防止して、干渉のないスムースな搬送処理を実施する
ことができる。

【００３７】

【数３】Ｃ＝Ｒ＋Ｐ＋Ｗ・・・・・式（３）

【００３８】

【数４】Ｃ≦２Ｔ−２Ｂ−３Ｎ・・・・・式（４）

【００３９】

【数５】Ｔ≦Ｃ・・・・・式（５）

【００４０】

【数６】 Ｔ≦Ｃ≦２Ｔ−２Ｂ−３Ｎ・・・・・式（６）

【００４１】具体的には、並列関係にある第１成膜室Ｒ
１と第２成膜室Ｒ２との成膜時間（Ｐ）が１１０秒、成
膜準備時間（Ｒ）が３０秒、上記の式（１）で求められ
るタクトタイムが１４４秒とすると、タクト制御時間Ｃ
は式（４）から、 Ｃ＝Ｒ＋Ｐ＋Ｗ ＝３０＋１１０＋Ｗ ＝１４０＋Ｗ、 となる。

【００４２】また、式（６）から待機時間Ｗを求める
と、 Ｔ≦Ｃ≦２Ｔ−２Ｂ−３Ｎ、 １４４≦１４０＋Ｗ≦２×１４４−２×４０−３×２、 ４≦Ｗ≦６２、 となる。すなわち、上記の各条件の下では、待機時間Ｗ
は４秒以上６２秒以下に設定される。

【００４３】そして、待機時間Ｗを例えば５秒とする
と、タクト制御時間Ｃは１４５秒となり、上記の各条件
の下では、基板は第１成膜室Ｒ１或いは第２成膜室Ｒ２
に１４５秒間滞在することとなる。なお、搬送速度が若
干低下しても不都合な熱履歴を回避するとともに十分な
成膜時間を確保するためには、待機時間Ｗはでき得るだ
け大きな値に設定するのが好ましく、上記の例では待機
時間Ｗを６２秒として、タクト制御時間Ｃを２０２秒と
するのが好ましい。

【００４４】上記した基板制御方法は、すべてソフトウ
ェアにより自動計算を行い、基板処理装置のタクトタイ
ムや各成膜室での待機制御等の自動制御を行うことによ
り実施されるが、このようなソフトウエアではなく、各
計算・制御処理を行うためのハードウエアを用いて実施
することもできる。また、本発明は枚葉インライン形式
の基板処理装置以外に、枚葉クラスタ形式の基板処理装
置等にも適用することができ、要は、同一の搬送機によ
って複数の処理室（成膜室やバッファ室等）に対する搬
送処理を実施する必要がある装置であれば適用可能であ
る。したがって、枚葉クラスタ形式の基板処理装置にお
いてクラスタの数やクラスタの角数には特に限定はな
く、また、枚葉式といえども数枚の基板を一度に搬送処
理して成膜処理する装置であっても本発明を適用するこ
とができる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
成膜処理等の所定の処理に要する時間から求めたタクト
タイムの最大時間以上の時間を基板搬送の時間間隔を規
定するタクトタイムとし、このタクトタイムに従って基
板搬送処理を行うようにしたため、干渉のない最適な搬
送処理が実現され、スループットも向上する。また、成
膜室での滞在時間を制御するようにしたため、干渉のな
い搬送制御を実現できるだけではなく、基板の熱履歴を
一定にすることができ、製品の品質を一定にすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態に係る枚葉インライン形
式のＬＣＤ製造装置の構成を示す図である。

【図２】 搬送処理の流れを説明するタイムチャートで
ある。

【図３】 搬送処理間の干渉を説明するタイムチャート
である。

【図４】 搬送処理間の干渉を待機時間によって回避す
ることを説明するタイムチャートである。

【図５】 枚葉インライン形式のＬＣＤ製造装置の構成
の一例を示す図である。

【符号の説明】

Ｔ１〜Ｔ７・・・搬送機、 Ｓ１、Ｓ２・・・カセット
スタンド、Ｌ１・・・ロード側基板予備室、 Ｌ２・・
・アンロード側基板予備室、Ｈ・・・基板予備加熱室、
Ｒ１〜Ｒ８・・・成膜室、ＣＴ・・・コントローラ、

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同一の処理を並列的に行う処理室を複数
   個備えて、当該処理室群に対する基板の搬送を同一の搬
   送装置によって行う基板処理装置に対して、 処理室での基板処理及び当該処理室に対する基板の搬送
   を行うための時間を当該処理室群に含まれる処理室数で
   割り算し、この結果の内で最大値となる時間以上の時間
   をタクトタイムに設定し、当該タクトタイムに従った時
   間間隔で搬送装置によって基板を搬送することを特徴と
   する基板搬送制御方法。
2. 【請求項２】 同一の処理を並列的に行う処理室を複数
   個備えて、当該処理室群に対する基板の搬送を同一の搬
   送装置によって行う基板処理装置に対して、 前記処理室群が基板処理に要する時間に基づいてタクト
   タイムを設定して、当該タクトタイムに従った時間間隔
   で搬送装置により処理室毎の基板搬送を行わせ、 更に、当該搬送装置による基板搬送に際して、一の処理
   室での処理が終了した後に所定の待機時間をもって当該
   処理室からの基板搬出を実行させることにより、他の処
   理室に対する基板搬送が終了した後に当該一の処理室か
   らの基板搬出が行われるようにしたことを特徴とする基
   板搬送制御方法。
3. 【請求項３】 同一の処理を並列的に行う処理室を複数
   個備えて、当該処理室群に対する基板の搬送を同一の搬
   送装置によって行う基板処理装置において、 処理室での基板処理及び当該処理室に対する基板の搬送
   を行うための時間を当該処理室群に含まれる処理室数で
   割り算し、この結果の内で最大値となる時間以上の時間
   をタクトタイムに設定して、コントローラによる制御の
   下に当該タクトタイムに従った時間間隔で搬送装置によ
   って処理室毎の基板搬送を行わせ、 更に、当該搬送装置による基板搬送に際して、コントロ
   ーラによる制御の下に、一の処理室での処理が終了した
   後に所定の待機時間をもって当該処理室からの基板搬出
   を実行させて、他の処理室に対する基板搬送が終了した
   後に当該一の処理室からの基板搬出を行うようにしたこ
   とを特徴とする基板処理装置。