JP2012521095A - 加熱ランプシステム及びその方法 - Google Patents
加熱ランプシステム及びその方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012521095A JP2012521095A JP2012500905A JP2012500905A JP2012521095A JP 2012521095 A JP2012521095 A JP 2012521095A JP 2012500905 A JP2012500905 A JP 2012500905A JP 2012500905 A JP2012500905 A JP 2012500905A JP 2012521095 A JP2012521095 A JP 2012521095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lamp
- lamps
- assembly
- heating
- lamp holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 98
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 58
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 58
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 55
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 41
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 35
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 28
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 27
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 25
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 56
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 167
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 139
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 75
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 48
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 47
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 38
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 33
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 33
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 31
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 23
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 22
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 19
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URRHWTYOQNLUKY-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[P] Chemical compound [AlH3].[P] URRHWTYOQNLUKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012688 phosphorus precursor Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4557—Heated nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着(CVD)用装置及び方法に関する。一の実施例では、CVD反応装置システム用の加熱ランプアセンブリが設けられており、このアセンブリは、支持ベースの上面上に配置されており、第1のランプホルダから第2のランプホルダへ延在する複数のランプを有するランプハウジングを具える。このランプは、分割フィラメントランプ及び/又は非分割フィラメントを有していても良く、いくつかの例では、分割及び非分割フィラメントが、第1及び第2のランプホルダの間に交互に配置されていても良い。第1及び第2のランプホルダの間の支持ベースの上面上にリフレクタを設けても良い。別の実施例では、この方法は、ウエハキャリアの下面を加熱ランプアセンブリから生じるエネルギィに露出させるステップと、当該ウエハキャリアを所定の温度に加熱するステップと、を具えている。
【選択図】図6
【選択図】図6
Description
本発明の実施形態は、一般的に、蒸着のための装置及び方法に関し、特に、化学蒸着システム、反応装置、及びそのプロセスに関するものである。
太陽電池や太陽電池デバイス、半導体デバイス、又は他の電子機器は、通常、基板の表面を操作するための各種の製造プロセスを利用して製造されている。これらの製造プロセスは、蒸着、熱処理、エッチング、ドーピング、酸化、窒化、及び多くの他のプロセスを含まれる場合がある。エピタキシャルリフトオフ(ELO)は、材料の層が成長基板に堆積してその後成長基板から除去される、薄膜デバイスや材料を製造するためのあまり一般的でない手法である。エピタキシャル層、フィルム、又は、材料は、化学蒸着(CVD)プロセス又は金属有機CVD(MOCVD)プロセスにより、ガリウムヒ素ウエハなどの、成長基板上に堆積される犠牲層上に成長又は堆積される。その後、エピタキシャル材料がELOエッチングプロセス中に成長基板から分離されている間、犠牲層を選択的にウェット酸浴でエッチング除去する。孤立したエピタキシャル材料は、通常、ELOフィルムやエピタキシャル膜と呼ばれる、薄い層又はフィルムであってもよい。各エピタキシャル膜は、一般的に、太陽光発電や太陽光発電装置、半導体デバイス、又は、他の電子機器などの特定のデバイスに対し組成を変化させた多数の層を含んでいる。
CVDプロセスは、気相の化学的前駆体の反応によって、エピタキシャル膜を成長又は堆積することを含む。MOCVDプロセス中、化学的前駆体の少なくとも1つは、金属−有機化合物、すなわち、金属の原子及び有機フラグメントを含む少なくとも1つの配位子を有する化合物である。
非常に異なるアプリケーションのために、数多くのタイプのCVD反応装置がある。例えば、CVD反応装置は、プラズマ助長反応装置だけでなく、単一又はバルクのウエハ反応装置、大気圧及び低圧の反応装置、周囲温度及び高温の反応装置を含む。これらの明確な設計は、空乏効果、汚染の問題、反応装置のメンテナンス、スループット、及び、生産コストなどの、CVDプロセス中に発生する種々の課題を解決する。
したがって、現在知られているCVD装置及びプロセスによりも少ない汚染、高いスループット及び安価でより効率的に、基板上にエピタキシャル薄膜や材料を成長させるための、CVDプロセス、反応装置及びプロセスに対する必要性がある。
本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着(CVD)プロセスに用いる装置及び方法に関する。一の実施例では、蒸着反応装置システム用の加熱ランプアセンブリが提供されており、これは、支持ベースの上面上に配置された、第1のランプホルダと第2のランプホルダを有するランプハウジングと、第1のランプホルダから第2のランプホルダへ延在している複数のランプであって、各ランプが分割フィラメントランプまたは非分割フィラメントランプを有する複数のランプと、第1のランプホルダと第2のランプホルダの間の支持ベースの上面上に配置したリフレクタを具える。
いくつかの実施例では、この複数のランプは、第1のランプホルダから第2のランプホルダへ延在する第1の複数のランプであって、各ランプが分割フィラメントランプを有する第1の複数のランプと、第1のランプホルダから第2のランプホルダへ延在する第2の複数のランプであって、各ランプが非分割フィラメントを有する第2の複数のランプと、を具える。いくつかの例では、第1の複数のランプは、連続的に、あるいは、第2の複数のランプの間に交互に配置されており、第1と第2のランプホルダの間に延在している。いくつかの例では、各ランプが第1のランプホルダ上の2本のポストの間に配置された第1の端部と、第2のランプホルダの上の2本のポストの間に配置された第2の端部と、を有する。
別の実施例では、蒸着反応装置システム用の加熱ランプアセンブリが提供されており、これは、支持ベースの上面上に配置した第1のランプホルダと第2のランプホルダを有するランプハウジングと、第1のランプホルダ上に配置した複数のポストと、第2のランプホルダ上に配置した別の複数のポストと、第1のランプホルダから第2のランプホルダに延在する複数のランプを具える。各ランプは、第1のランプホルダ上の2本のポストの間に配置した第1の端部と、第2のランプホルダ上の2本のポストの間に配置した第2の端部をと有していても良い。
多くの例では、リフレクタ、又は、少なくともリフレクタの上面が、金又は金合金を含んでいる。いくつかの例では、2枚のミラーが支持ベースの上面に沿って延在し、互いに対向しており、リフレクタ又は上面から約90°の角度で延在している。
加熱ランプアセンブリ内の複数のランプは、約10個のランプ乃至約100個のランプで、好ましくは約20のランプ乃至約50のランプ、より好ましくは、約30のランプ乃至約40のランプであっても良い。一の例では、加熱ランプアセンブリが34のランプを具えている。実施例は、各ランプが電源、独立したスイッチ、及びコントローラと電気的に接続していても良い。コントローラは、各ランプへの電力を個別に制御するのに使用することができる。
その他の実施例では、加熱ランプアセンブリ内の支持ベースと各ランプホルダが、独立して、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、これらの合金、又はこれらの組合せといった材料を含む、あるいはこれらの材料で作製されている。いくつかの例では、第1のランプホルダ又は第2のランプホルダが、独立して、ステンレス鋼又はこの合金を含む、あるいはこれから作製されている。第1のランプホルダ又は第2のランプホルダは、独立して、約2000W/m2−K乃至約3000W/m2−K、好ましくは約2300W/m2−K乃至約2700W/m2−Kの範囲内の冷却効率を有する。一例では、この冷却効率が約2500W/m2−Kである。別の実施例では、第1のランプホルダと第2のランプホルダの厚さが、約0.001インチ乃至約0.1インチの範囲内である。
ここに述べた別の実施例では、加熱ランプアセンブリによって蒸着反応装置システム内の基板又は基板サセプタを加熱する方法が提供されており、この方法は、加熱ランプアセンブリから放射されたエネルギィに基板サセプタの下面を露出させるステップと、基板サセプタを所定の温度に加熱するステップを具え、加熱ランプアセンブリは、支持ベースの上面上に設けられた、少なくとも一のランプホルダを有するランプハウジングと、この少なくとも一のランプホルダから延在する複数のランプと、支持ベースの上面上に、ランプホルダの隣でランプの下に配置したリフレクタと、を具える。
この方法の実施例は、更に、ランプを有する加熱ランプアセンブリを提供しており、これは、分割フィラメントランプ、非分割フィラメントランプ、あるいは分割又は非分割フィラメントのいずれか一方を含む混合ランプを有する。一の実施例では、各ランプが分割フィラメントランプを有する。分割フィラメントランプは、第1の端部と第2の端部に間の中心を有する。分割フィラメントランプの第1及び第2の端部は、分割フィラメントランプの中心より、暖かく維持され得る。従って、基板サセプタの外側エッジは、基板サセプタの中心エッジより暖かく維持されることがある。
別の実施例では、各ランプが非分離フィラメントランプを有する。非分離フィラメントランプは、第1の端部及び第2の端部の間に中心を有していても良い。非分割フィラメントランプの中心は、非分割フィラメントランプの第1及び第2の端部より暖かく維持されていても良い。従って、基板サセプタの中心点は、基板サセプタの外側端部より暖かく維持されても良い。
別の実施例では、複数のランプが分割フィラメントランプと非分割フィラメントランプを有している。一の実施例では、分割フィラメントランプと非分割フィラメントランプが互いの間に連続的に配置されている。各ランプは、独立して、電源とコントローラへ電気的に接続している。この方法は更に、各ランプに流れる電気量を独立して調整するステップを具える。一例では、分割フィラメントランプは、第1の端部と第2の端部との間に中心を有していても良い。分割フィラメントランプの第1及び第2の端部は、分割フィラメントランプの中心より暖かく維持されていても良い。従って、基板サセプタの外側エッジは、基板サセプタの中心点より暖かく維持されていても良い。別の例では、非分割フィラメントランプが、第1の端部と第2の端部の間に中心を有していても良い。非分割フィラメントランプの中心は、非分割フィラメントランプの第1及び第2の端部より暖かく維持されていても良い。従って、基板サセプタの中心点は、基板サセプタの外側エッジより暖かく維持されていても良い。
様々な実施例において、この方法は、基板サセプタが基板キャリアあるいはウエハキャリアであっても良い。ランプハウジングは、第1のランプホルダと第2のランプホルダを有していても良い。第1のランプホルダと第2のランプホルダは、互いに平行又はほぼ平行であっても良い。一例では、リフレクタが第1のランプホルダと第2のランプホルダの間に配置されていても良い。第1のランプホルダと第2のランプホルダは、それぞれ、約0.001インチ乃至約0.1インチの範囲内の厚さを有する。ランプホルダのあらかじめ決められた厚さは、ランプホルダを一定温度に維持する働きをする。従って、第1のランプホルダと第2のランプホルダは、各々独立して、約250℃乃至約400℃、好ましくは約275℃乃至約375℃、好ましくは、約300℃乃至約350℃の範囲内の温度に維持するようにしても良い。
別の実施例では、方法が、加熱ランプアセンブリを用いて、ウエハキャリアトラックに沿って蒸着反応装置システム内の第1の処理チャンバを通ってウエハキャリアを移動させることによって蒸着反応装置システム内の基板又は基板サセプタを加熱し、ウエハキャリアの下面を加熱ランプアセンブリから放射されるエネルギィに露出させ、ウエハキャリアを第1の温度に加熱するステップを具え、この加熱ランプアセンブリがウエハキャリアトラックの下に配置されており、複数のランプを具えている。この方法は更に、ウエハキャリアをウエハキャリアトラックに沿って蒸着反応装置システム内の第2の処理チャンバを通って移動させ、ウエハキャリアの下面を加熱ランプアセンブリから放射されるエネルギィに露出させ、ウエハキャリアを第2の温度に加熱するステップを具える。
多くの例では、ウエハキャリアは浮上したウエハキャリアである。この方法は更に、ウエハキャリアの下面をウエハキャリアトラックの上面上に配置した複数の孔から流れる浮上ガスに露出させて、ウエハキャリアを持ち上げるステップを具える。ウエハキャリアの第1及び第2の温度は、独立して、約250℃乃至約350℃の範囲内、好ましくは約275℃乃至約325℃の範囲内、より好ましくは、約290℃乃至約310℃の範囲内、例えば、約300℃であっても良い。
したがって、上記本発明の特徴を列挙する方法を詳細に理解することができ、簡単に上述したように要約された発明のより特定の記載を、そのうちのいくつかは添付図面に記載されている実施形態を参照することによって得ることができる。しかし、添付図面は本発明の単に代表的な実施形態を例示しており、本発明は他の同等に効果的な実施形態を許容することができるため、その範囲を限定すると見なされないことに注意すべきである。
図1A−1Eは本明細書中に記載の実施形態に係るCVD反応装置を示す。図1Fは本明細書中に記載の他の実施形態に係る温度調節システムに連結されたCVD反応装置を示す。
図2A−2Cは本明細書中に記載の実施形態に係る反応装置の蓋アセンブリを示す。図2Dは本明細書中に記載の実施形態に係る反応装置の蓋サポートを示す。
図3は本明細書中に記載の実施形態に係る反応装置の本体アセンブリを示す。
図4A−4Eは本明細書中に記載の実施形態に係るウエハキャリアトラックを示す。
図5A−5Dは本明細書中に記載の実施形態に係るアイソレータアセンブリを示す。
図6は本明細書中に記載の実施形態に係る加熱用ランプアセンブリを示す。
図7A−7Dは本明細書中に記載の実施形態に係るシャワーヘッドアセンブリを示す。
図8A−8Dは本明細書中に記載の実施形態に係る排気アセンブリを示す。
図9A−9Fは本明細書中に記載の実施形態に係る複数CVD反応装置を含むCVDシステムを示す。
図10A−10Bは本明細書中に記載の実施形態に係るランプを示す。
図11A−11Fは本明細書中に記載の他の実施形態に係る複数のランプを示す。
図12A−12Bは本明細書中に記載の別の実施形態に係る浮揚する基板キャリアを示す。図12C−12Eは本明細書中に記載の別の実施形態に係る他の浮揚する基板キャリアを示す。
本発明の実施形態は、一般に、金属−有機CVD(MOCVD)プロセスのような化学蒸着(CVD)の装置及び方法に関する。ここに記載のように、本発明の実施形態は、それらが大気圧CVD反応装置と有機−金属前駆体ガスに関連するものとして記載される。しかしながら、本発明の態様は、大気圧CVD反応装置又は金属−有機前駆体ガスとの使用に限定されるものではなく、他のタイプの反応装置システム及び前駆体ガスに適用可能であることに注意のこと。本発明の装置とその使用方法の新規性をより良く理解するために、以下の記載において添付の図面を参照する。
本発明の一実施形態によれば、大気圧CVD反応装置が提供される。CVD反応装置は、ガリウムヒ素基板などの基板上に複数のエピタキシャル層を提供するために使用される。これらのエピタキシャル層は、アルミニウムガリウムヒ素、ガリウムヒ素、及びリンガリウムヒ素を含むことができる。これらのエピタキシャル層は、後に除去するためガリウムヒ素基板上に成長され、基板は追加の材料を生成するために再利用できる。一実施形態では、CVD反応装置は太陽電池を提供するために使用されることがある。これらの太陽電池は、更に、単接合、ヘテロ接合、又はその他の構成を含むことができる。一実施形態では、CVD反応装置は、10センチメートルの基板で10センチメートルで2.5ワットのウエハを開発するように構成することができる。一実施形態では、CVD反応装置は、毎分約1基板から毎分約10基板のスループットを提供することができる。
図1A−1Eは、本明細書に記載する実施形態で記載したように、反応装置100、CVD反応装置又はチャンバを示している。反応装置100は、反応装置本体アセンブリ102上に配置された反応装置の蓋アセンブリ200を含んでいる。反応装置の蓋アセンブリ200及びそのコンポーネントは、更に図2A−2Dに示されており、反応装置本体アセンブリ102は、更に図3に示されている。
反応装置の蓋アセンブリ200は、インジェクタ又はアイソレータ、2つのシャワーヘッドアセンブリの間に配置されたアイソレータアセンブリ500、シャワーヘッド阿線ビル700を含んでいる。反応装置の蓋アセンブリ200は、また、排気アセンブリ800を含んでいる。図1Cは、チャンバステーション160、162のような2つの蒸着ステーションを含む反応装置100を示している。チャンバステーション160は、シャワーヘッドアセンブリ700とアイソレータアセンブリ500を含んでおり、一方チャンバステーション162は、シャワーヘッドアセンブリ700及び排気アセンブリ800を含んでいる。一実施形態において、アイソレータアセンブリ500は、両シャワーヘッドアセンブリ700を互いに分離するためのガスを流すために使用することができ、一方排気アセンブリ800は、フェースプレート112に接続された別の反応装置から反応装置100の内部環境を隔離するために使用される。
ここに記載された多くの実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ700の各々はモジュール式のシャワーヘッドアセンブリとすることができ、アイソレータアセンブリ500の各々はモジュール式のアイソレータアセンブリとすることができ、排気アセンブリ800の各々はモジュラー式の排気アセンブリとすることができる。シャワーヘッドアセンブリ700、アイソレータアセンブリ500、及び/又は、排気アセンブリ800のいずれかは、反応装置の蓋アセンブリ200から除去されてもよいし、特定のプロセス条件のために希望により同一又は異なるアセンブリに置き換えてもよい。シャワーヘッドアセンブリ700、アイソレータアセンブリ500、及び/又は、排気アセンブリ800のモジュラー式のアセンブリは、CVD反応装置システム内に位置決めされるようそれぞれ構成することができる。
ここに記載された別の実施形態において、反応装置100の他の構成が提供されているが、図面に記載されていない。一実施形態では、反応装置100の反応装置の蓋アセンブリ200は、2つのシャワーヘッドアセンブリ700によって分離された3つの排気アセンブリ800を含んでおり、その結果、反応装置の蓋アセンブリ200は、順次、第1の排気アセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第2の排気アセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ及び第3の排気アセンブリを含んでいる。別の実施形態では、反応装置100の反応装置の蓋アセンブリ200は、2つのシャワーヘッドアセンブリ700で分離された3つのアイソレータアセンブリ500を含み、その結果、反応装置の蓋アセンブリ200は、順次、第1のアイソレータアセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第2のアイソレータアセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ及び第3のアイソレータアセンブリを含んでいる。
別の実施形態において、反応装置100の反応装置の蓋アセンブリ200は、2つのシャワーアセンブリ700によって分離された2つのアイソレータアセンブリ500及び1つの排気アセンブリ800を含み、その結果、反応装置の蓋アセンブリ200は、順次、第1のアイソレータアセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第2のアイソレータアセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ及び第1の排気アセンブリを含んでいる。別の例では、反応装置の蓋アセンブリ200は、順次、第1のアイソレータアセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第1の排気アセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ及び第2のアイソレータアセンブリを含んでいる。別の例では、反応装置の蓋アセンブリ200は、順次、第1の排気アセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第1のアイソレータアセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ及び第3のアイソレータアセンブリを含んでいる。
別の実施形態において、反応装置100の反応装置の蓋アセンブリ200は、2つのシャワーアセンブリ700によって分離された2つの排気アセンブリ800及び1つのアイソレータアセンブリ700を含み、その結果、反応装置の蓋アセンブリ200は、順次、第1の排気アセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第2の排気アセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ及び第1の排気アセンブリを含んでいる。別の例では、反応装置の蓋アセンブリ200は、順次、第1の排気アセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第1のアイソレータアセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ及び第2の排気アセンブリを含んでいる。別の例では、反応装置の蓋アセンブリ200は、順次、第1のアイソレータアセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第1の排気アセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ及び第2の排気アセンブリを含んでいる。
反応装置の本体アセンブリ102は、一方の端部のフェースプレート110及び反対側の端部のフェースプレート112を含んでいる。フェースプレート110及び112は、反応装置100と類似又は異なる追加の反応装置と連結するために、又は、エンドキャップ、エンドプレート、ウエハ/基板のハンドラ、又は別のデバイスと連結するために、それぞれ利用される。一例では、反応装置100のフェースプレート110は、別の反応装置(図示せず)のフェースプレート112に連結することができる。同様に、反応装置100のフェースプレート112は、別の反応装置(図示せず)のフェースプレート110に連結することができる。シール、スペーサ、又はOリングが、2つの接合フェースプレートの間に配置されることがある。一実施形態において、シールは、ニッケルやニッケル合金などの金属を含むことがある。一例において、シールはナイフエッジメタルシールである。別の実施形態において、シールは、デュポンパフォーマンスエラストマー社から入手可能なKALREZ(登録商標)エラストマーのような、ポリマー又はエラストマーを含む。別の実施形態において、シールがヘリックスシール又はHシールである。シールやOリングは、周囲ガスの反応装置100への浸入を防ぐか大幅に減少させるために気密シールを形成する。反応装置100は、使用又は製造中、ほとんどあるいは全く酸素、水、又は炭酸ガスがない状態で維持することができる。一実施形態では、反応装置100は、それぞれ約100ppb(10億分の1)以下、好ましくは約10ppb以下、更に好ましくは約1ppb以下、更に好ましくは約100ppt(1兆分の1)以下の酸素濃度、水分濃度、及び/又は、二酸化炭素濃度で維持される。
側面120及び130は、反応装置の本体アセンブリ102の長さに沿って延びている。側面120は上面128を有し、側面130は上面138を有している。反応装置の本体アセンブリ102の上面114及び116は、上面128と138との間に延びている。上面114は、反応装置の本体アセンブリ102のすぐ内側でフェースプレート110と平行であり、上面116は、反応装置の本体アセンブリ102のすぐ内側でフェースプレート112と平行である。ガス入口123は、側面120に連結され、側面120から延びている。浮上ガス又はキャリアガスは、ガス入口123を通して反応装置100内に投与することができる。浮上ガス又はキャリアガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、水素、又はそれらの混合物を含むことができる。
図1Fは、本明細書に記載の一実施形態に従って、温度調節システム190に連結した、反応装置の本体アセンブリ102及び反応装置の蓋アセンブリ200を含む、反応装置100を示す。温度調節システム190は、3つの熱交換器180a、180b及び180cを有するものとして、図1Fに示されている。しかし、温度調節システム190は、反応装置100のさまざまな部分と流体連通するとともに連結する、1、2、3、4、5あるいはそれ以上の個数の熱交換器を有することができる。熱交換器180a、180b又は180cの各々は、少なくとも1つの液体供給路182と少なくとも1つの液体リターン路184を含むことができる。各液体リターン路184は、導管186によって反応装置100の出口と流体連通して連結することができる一方、各液体供給路182は、導管186によって反応装置100の入口と流体連通して連結されてもよい。導管186は、パイプ、チューブ、ホース、他の中空線、又はそれらの組み合わせを含めることができる。バルブ188は、液体供給路182と入口との間又は液体リターン路184と出口との間の各導管186上で使用することができる。
反応装置の本体アセンブリ102は、熱調節システムの一部として、少なくとも一つの熱交換器と連結されて流体連通する。いくつかの実施形態では、反応装置の本体アセンブリ102は、2つ、3つ又はそれ以上の個数の熱交換器と流体連通接するとともに連結されていてもよい。図1Bは、反応装置100の下部104及び熱調節システムとの流体連通するとともに連結する、入口118a及び出口118bを示している。
一実施形態では、入口122a、122b及び122cと出口126a、126b及び126cとは、側面120と連結し、側面120から延びている。少なくとも1つの熱交換器は、入口122a、122b及び122cと出口126a、126b及び126cと流体連通するとともに連結されている。出口126a、126b及び126cは、熱交換器に液体を送り返す一方、入口122a、122b及び122cは、熱交換器から液体を受け取る。一実施形態では、各入口122a、122b又は122cは、それぞれの出口126a、126b及び126cよりも低い位置に位置決めされて配置されており、その結果、各入口122a、122b又は122cからの流動液体は、それぞれの接続経路を介して各出口126a、126b又は126cに上向きに流れる。
別の実施形態では、入口132a、132b及び132cと出口136a、136b及び136cとは、側面130に連結し、側面130から延びている。少なくとも1つの熱交換器は、入口132a、132b及び132cと出口136a、136b及び136cとに流体連通するとともに連結されている。出口136a、136b及び136cは熱交換器に液体送り返す一方、入口132a、132b及び132cは熱交換器から液体を受け取る。
図1C−1Dは、流体経路124a、124b、124c、134a、134b及び134cを含む、反応装置の本体アセンブリ102を示している。一例では、流体経路124aは、側面120内であって反応装置の本体アセンブリ102の部分的な長さに沿って延びている。流体経路124aは、入口122a及び出口126aと連結されて流体連通する。また、流体経路134aは、側面130内であって反応装置の本体アセンブリ102の部分的な長さに沿って延びている。流体経路134aは、入口132a及び出口136aと連結されて流体連通する。
別の例では、流体経路124bは、反応装置の本体アセンブリ102内及び突起やブラケットのアーム146内であって反応装置の本体アセンブリ102の部分的な長さに沿って延びている。流体経路124bは、入口122b及び出口126bと連結されて流体連通する。また、流体経路134bは、反応装置の本体アセンブリ102内及び突起やブラケットのアーム146内であって反応装置の本体アセンブリ102の部分的な長さに沿って延びている。流体経路134bは、入口132b及び出口136bと連結されて流体連通する。
別の例では、流体経路124cは、側面120から、反応装置の本体アセンブリ102の幅を介して、側面130に延びている。流体経路124cは、入口122c及び出口132cと流体連通するとともに連結されている。また、流体経路124cは、側面130から、反応装置の本体アセンブリ102の幅を介して、側面130に延びている。流体経路124cは、入口126c及び出口136cと連結されて流体連通する。
別の実施形態において、反応装置の本体アセンブリ102は、ウエハキャリアトラック400及びその内部に配置された加熱ランプアセンブリ600を含んでいる。加熱ランプシステムは、ウエハキャリアトラック400、ウエハキャリア、及び反応装置100内あるいは上に配置されたウエハ90を加熱するために使用される。ウエハキャリアトラック400は、ブラケットアーム146のような突起の上にある。一般的に、ウエハキャリアトラック400は、ブラケットアーム146及びクランプアーム148との間に配置される。ブラケットアーム146は、そこを通って横断する流体経路124b及び134bを含んでいる。
一実施形態では、ガスケット又はOリングのようなスペーサは、ウエハキャリアトラック400の下面とブラケットアーム146の上面との間に配置される。また、ガスケットやOリングなどの別のスペーサは、ウエハキャリアトラック400の上面とクランプアーム148の下面との間に配置される。スペーサは、ウエハキャリアトラック400の熱管理を助けるウエハキャリアトラック400の周りのスペース又はギャップを形成するために使用される。一例では、ブラケットアーム146の上面はスペーサを収納するための溝を有する。同様に、クランプアーム148の下面は、スペーサを収納するための溝を有する。
図2A−2Cは、本明細書に記載の別の実施形態に係る反応装置の蓋アセンブリ200を示している。反応装置の蓋アセンブリ200は、シャワーヘッドアセンブリ700及びアイソレータアセンブリ500(チャンバステーション160)とシャワーヘッドアセンブリ700及び蓋サポート210上に配置された排気アセンブリ800(チャンバステーション162)とを含んでいる。図2Dは、一実施形態で記載したように、反応装置の蓋アセンブリ200内に含まれている蓋サポート210を示している。蓋サポート210は下面208と上面212を有している。フランジ220は、蓋サポート210から外側に延びており、下面222を有している。反応装置の本体アセンブリ102上に配置されたときに、フランジ220は、反応装置の蓋アセンブリ200をサポートすることができる。フランジ220の下面222は、反応装置の本体アセンブリ102の上面114、116、128及び138と物理的に接触している。
一実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ700は、蓋サポート210のシャワーヘッドポート230及び250内に配置され、アイソレータアセンブリ500は、蓋サポート210のアイソレータポート240内に配置され、排気アセンブリ800は、蓋サポート21の排気ポート260内に配置される。ガスや排気アセンブリの形状は、一般的にそれぞれのポートの形状と一致する。各シャワーヘッドアセンブリ700とシャワーヘッドポート230及び250は、それぞれ、矩形又は正方形の形状を持つことができる。プロセスパス−浮上ウエハキャリア480が製造ステップ中ウエハのキャリアトラック400に沿って前方に移動する経路のような−は、ウエハキャリアトラック400と同様に蓋サポート210の長さに沿って延びている。
シャワーヘッドポート230は長さ232と幅234とを有し、シャワーヘッドポート250は長さ252と幅254を有している。アイソレータアセンブリ500及びアイソレータポート240は、それぞれ、矩形又は正方形の形状を持つことができる。アイソレータポート240は長さ242と幅244を有している。排気アセンブリ800及び排気ポート260は、それぞれ、矩形又は正方形の形状を持つことができる。排気ポート260は長さ262と幅264を有している。
プロセスパスは、シャワーヘッドポート230及びその中の第1のシャワーヘッドアセンブリの長さ232に沿って延び、アイソレータポート240及びその中のアイソレータアセンブリの長さ242に沿って延び、シャワーヘッドポート250及びその中の第2のシャワーヘッドアセンブリの長さ252に沿って延び、排気ポート260及びその中の排気アセンブリの長さ262に沿って延びている。また、プロセスパスは、シャワーヘッドポート230及びその中の第1のシャワーヘッドアセンブリの幅234に対し、アイソレータポート240及びその中のアイソレータアセンブリの幅244に対し、シャワーヘッドポート250及びその中の第2のシャワーヘッドアセンブリの幅254に対し、排気ポート260及びその中の排気のアセンブリの幅264に対し、それぞれ垂直又は実質的に垂直に延びている。
いくつかの例では、第1のシャワーヘッドアセンブリ700、アイソレータアセンブリ500、第2のシャワーヘッドアセンブリ700及び排気アセンブリ800は、互いに連続して、蓋サポートの長さに沿って延在するプロセスパスに沿って配置されている。排気アセンブリ800と同様に、アイソレータアセンブリ500は、プロセスパスの幅と実質的に同一又はそれよりも大きい幅を有している。また、アイソレータアセンブリ500又は排気アセンブリ800は、それぞれ、第1及び第2のシャワーヘッドアセンブリ700の幅と実質的に同一又はそれよりも大きい幅を有している。
一実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ700はそれぞれ正方形の形状を有し、アイソレータアセンブリ500と排気アセンブリ800は正方形の形状を有している。一例では、アイソレータポート240の幅244及びアイソレータアセンブリ500の幅は、チャンバの内部の幅を横切って延在することができる。別の例では、排気ポート260の幅264と排気アセンブリ800の幅は、チャンバの内部の幅を横切って延在することができる。
いくつかの実施形態では、シャワーヘッドポート230の幅234、シャワーヘッドポート250の幅254、及び、各シャワーヘッドアセンブリ700の幅は、それぞれ、約3インチ乃至約9インチ、好ましくは約5インチ乃至約7インチの範囲内、例えば約6インチである。また、シャワーヘッドポート230の長さ232、シャワーヘッドポート250の長さ252、及び、各シャワーヘッドアセンブリ700の長さは、それぞれ、約3インチ乃至約9インチ、好ましくは約5インチ乃至約7インチの範囲内、例えば約6インチである。
他の実施形態では、アイソレータポート240の幅244及びアイソレータアセンブリ500の幅は、それぞれ、約3インチ乃至約12インチ、好ましくは約4インチ乃至約8インチ、更に好ましくは約5インチ乃至約6インチの範囲内である。また、アイソレータポート240の長さ242及びアイソレータアセンブリ500の長さは、それぞれ、約0.5インチ乃至約5インチ、好ましくは約1インチ乃至約4インチ、更に好ましくは、約1.5インチ乃至約2インチの範囲内である。
他の実施形態では、排気ポート260の幅264及び排気アセンブリ800の幅は、それぞれ、約3インチ乃至約12インチ、好ましくは約4インチ乃至約8インチ、更に好ましくは約5インチ乃至約6インチの範囲内である。また、排気ポート260の長さ262及び排気アセンブリ800の長さは、それぞれ、約0.5インチ乃至約5インチ、好ましくは約1インチ乃至約4インチ、更に好ましくは約1.5インチ乃至約2インチの範囲内である。
反応装置の蓋アセンブリ200は、熱調節システムの一部としての少なくとも1つの熱交換器と流体連通するとともに連結されていてもよい。いくつかの実施形態では、反応装置の蓋アセンブリ200は、2、3又はそれ以上の個数の熱交換器と流体連通するとともに連結されていてもよい。
反応装置の蓋アセンブリ200の熱制御システム190(図1F)は、図2Aに示すように、入口214a、216a及び218aと出口214b、216b及び218bとを含んでいる。入口と出口の各ペアは、反応装置の蓋アセンブリ200全体に延在する経路と連結されて流体連通する。出口214b、216b及び218bが、熱交換器180a−180cのような熱交換器に液体送り返す一方、入口214a、216a及び218aは、熱交換器から液体を受け取ることができる。いくつかの実施形態では、温度調節システム190は、約250℃乃至約350℃、好ましくは約275℃乃至325℃、更に好ましくは約290℃乃至310℃の範囲内、例えば約300℃の温度に、反応装置の本体アセンブリ102及び/又は反応装置の蓋アセンブリ200をそれぞれ維持するために、熱交換器180a−180cを利用する。
図2B−2Cは流体経路224、226及び228を示している。流体経路224は、熱交換器に連結されて流体連通する、入口214aと出口214bとの間に配置されている。流体経路224は、シャワーヘッドアセンブリ700と排気アセンブリ800との間に配置される。また、流体経路226は、入口216aと出口216bとの間に配置され、流体経路228は、それぞれが熱交換器に連結されて流体連通する、入口218aと出口218bとの間に配置される。流体経路226は、シャワーヘッドアセンブリ700とアイソレータアセンブリ500との間に配置され、流体経路228は、シャワーヘッドアセンブリ700とアイソレータアセンブリ500との間に配置される。
流体経路224は部分的に溝213とプレート223との間に形成される。同様に、流体経路226は部分的に溝215とプレート225との間に形成され、流体経路228は部分的に溝217とプレート227との間に形成される。溝213、215及び217は、蓋サポート210の下面208内に形成することができる。図2Dは、溝213、215及び217をそれぞれカバーするプレート223、225及び227を示している。
一実施形態では、蓋サポート210に隣同士に配置された第1のシャワーヘッドアセンブリ700及びアイソレータアセンブリ500、及び、蓋サポート210に隣同士に配置された第2のシャワーヘッドアセンブリ700及び排気アセンブリ800を含む、蒸着用反応装置の蓋アセンブリ200が設けられ、アイソレータアセンブリ500は、第1及び第2のシャワーヘッドアセンブリ700の間に配置され、第2のシャワーヘッドアセンブリ700は、アイソレータアセンブリ500と排気アセンブリ800との間に配置される。
別の実施形態では、蓋サポート210に隣同士に配置された第1のシャワーヘッドアセンブリ700及びアイソレータアセンブリ500を有するチャンバステーション160と、蓋サポート210に隣同士に設けられた第2のシャワーヘッドアセンブリ700及び排気アセンブリ800を有するチャンバステーション162とを含む、蒸着用反応装置の蓋アセンブリ200が設けられ、アイソレータアセンブリ500は、第1及び第2シャワーヘッドアセンブリ700の間に配置され、第2のシャワーヘッドアセンブリ700は、アイソレータアセンブリ500及び排気アセンブリ800の間に配置される。
別の実施形態において、蓋サポート210に連続して直線的に隣同士に配置された、第1のシャワーヘッドアセンブリ700、アイソレータアセンブリ500、第2のシャワーヘッドアセンブリ700及び排気アセンブリ800を含む、蒸着用反応装置の蓋アセンブリ200が設けられ、アイソレータアセンブリ500は、第1及び第2のシャワーヘッドアセンブリ700の間に配置され、第2のシャワーヘッドアセンブリ700は、アイソレータアセンブリ500及び排気アセンブリ800の間に配置される。
別の実施形態において、蓋サポート210に連続して直線的に隣同士に配置された、第1のシャワーヘッドアセンブリ700、アイソレータアセンブリ500、第2のシャワーヘッドアセンブリ700及び排気アセンブリ800を含む、蒸着用反応装置の蓋アセンブリ200が設けられ、温度調節システム190が、少なくとも1つの液体又は液体経路、しばしば蓋サポート210の全体に延在する液体経路224、226及び228のような、2、3あるいはそれ以上の液体又は液体経路を有する。温度調節システム190は、更に、流体経路224、226及び228と流体連通するとともに連結された、入口214a、216a及び218aのような少なくとも1つの入口と、出口214b、216b及び218bのような少なくとも1つの出口と、を有する。入口214a、216a及び218aと出口214b、216b及び218bとの各々は、それぞれ、液体貯留装置、熱交換器又は熱交換器180a、180b及び180cなどの複数の熱交換器と流体連通するとともに連結される。一例では、液体貯留装置は、ソース水、アルコール、グリコール、グリコールエーテル、有機溶剤、又は、これらの混合物を含むことができる。
一例では、第1のシャワーヘッドアセンブリ700は、反応装置の蓋アセンブリ200を介して延在する温度調節システム190の2つの独立した流体経路の間に配置される。別の例では、第2のシャワーヘッドアセンブリ700は、反応装置の蓋アセンブリ200を介して延在する温度調節システム190の2つの独立した流体経路の間に配置される。別の例では、アイソレータアセンブリ500は、反応装置の蓋アセンブリ200を介して延在する温度調節システム190の2つの独立した流体経路の間に配置される。別の例では、排気アセンブリ800は、反応装置の蓋アセンブリ200を介して延在する温度調節システム190の2つの独立した流体経路の間に配置される。
別の実施形態では、蓋サポート210に隣同士に配置された、第1のシャワーヘッドアセンブリ700及びアイソレータアセンブリ500とを有するチャンバステーション160と、蓋サポート210に隣同士に配置された、第2のシャワーヘッドアセンブリ700及び排気アセンブリ800とを有するチャンバステーション162とを含む、蒸着用反応装置の蓋アセンブリ200が設けられ、アイソレータアセンブリ500は、第2及び第2シャワーヘッドアセンブリ700と温度調節システム190との間に配置される。
一実施形態では、第1のシャワーヘッドアセンブリ700、アイソレータアセンブリ500、第2のシャワーヘッドアセンブリ700及び排気アセンブリ800は、蓋サポート210の長さに沿って連続して隣同士に配置されている。いくつかの実施形態において、アイソレータアセンブリ500は、第1又は第2のシャワーヘッドアセンブリ700よりも長い幅を持つことができる。他の実施形態では、アイソレータアセンブリ500は、第1又は第2のシャワーヘッドアセンブリ700よりも短い長さを有することができる。いくつかの実施形態では、排気アセンブリ800は、第1又は第2のシャワーヘッドアセンブリ700よりも長い幅を持つことができる。他の実施形態では、排気アセンブリ800は、第1又は第2のシャワーヘッドアセンブリ700よりも短い長さを有することができる。
いくつかの例では、第1のシャワーヘッドアセンブリ700、アイソレータアセンブリ500、第2のシャワーヘッドアセンブリ700及び排気アセンブリ800は、矩形の形状をそれぞれ持っている。他の例では、第1のシャワーヘッドアセンブリ700と第2のシャワーヘッドアセンブリ700は、正方形の形状を持っている。蓋サポート210は、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、それらの合金、又はそれらの組合せなどの材料を含むかそれらの材料から作られる。
実施形態は、アイソレータアセンブリ500又は第1又は第2のシャワーヘッドアセンブリ700の各々が、それぞれ、下部504又は704に配置された上部506又は706を含む本体502又は702と、本体502又は702の内面509又は709間に、上部506又は706及び下部504又は704を介して延び、本体502又は702を介して延在する中心軸501又は701に対し平行な、中央チャネル516又は716と、第1の複数の孔532又は732を有し、中央チャネル516又は716内に配置されている追加の拡散プレート530又は730と、を有している。アイソレータアセンブリ500又は第1又は第2のシャワーヘッドアセンブリ700は、それぞれ、第2の複数の孔542又は742を有し、中央チャネル516又は716内であって選択的に拡散プレート530又は730の下に配置された、上側チューブプレート540又は740、及び、第3の複数の孔552又は752を有し、中央チャネル516又は716内であって上側チューブプレート540又は740の下に配置された下側チューブプレート550又は750、を有している。どちらかのシャワーヘッドアセンブリ700又はアイソレータアセンブリ500は、それぞれ更に、上側チューブプレート540又は740から下側チューブプレート550又は750に延在する複数のガスチューブ580又は780を有しており、ガスチューブ580又は780のそれぞれは、第2の複数の孔542又は742からの個々の孔及び第3の複数の孔552又は752からの個々の孔と連結されて流体連通する。
別の実施形態では、排気アセンブリ800は、下部804上に配置された上部806を有する本体802と、上部806及び下部804を介して、本体802の内面809の間に、本体802を介して延在する中心軸801と平行に延在する、集中チャンネル816と、本体802の上部806上に配置した排気出口860と、第1の複数の孔832を有し、中央チャネル816内に配置された追加の拡散プレート830と、第2の複数の孔842を有し、中央チャネル816内であって選択的に拡散プレート830(もし存在すれば)の下に配置された、上側チューブプレート840と、第3の複数の孔852を有し、中央チャネル816内であって上側チューブプレート840の下に配置された、下側チューブプレート850と、を含んでいる。排気アセンブリ800は、更に、上側チューブプレート840から下側チューブプレート850に延在する複数の排気チューブ880を含んでおり、排気チューブ880の各々が、第2の複数の孔842の個々の孔及び第3の複数の孔852の個々の孔と連結されて流体連通する。
図4A−4Eは、本明細書に記載した一実施形態に係るウエハキャリアトラック400を示している。別の実施形態では、ウエハキャリアトラック400の下部セグメント412上に配置されたウエハキャリアトラック400の上部セグメント410を含む、反応装置100のような蒸着反応装置システム内のウエハキャリア480を浮上させるように、基板のサセプタを浮上させて横断させるためのウエハキャリアトラック400を設けている。ガスキャビティ430は、ウエハキャリアトラック400の上部セグメント410と下部セグメント412との間に形成されている。二つの側面416は、ウエハキャリアトラック400の上部セグメント410に沿って互いに平行に延びている。ガイドパス420は、2つの側面416の間で、上部セグメント410の上面418に沿って延びている。複数のガス孔438は、ガイドパス420内に配置され、上部セグメント410の上面418から、上部セグメント410を介して、ガスキャビティ430へと延びている。
別の実施形態では、上側ラップジョイント440はウエハキャリアトラック400の一端に配置されており、下側ラップジョイント450はウエハキャリアトラック400の反対側の端部に配置されており、上側ラップジョイント440は、ガイドパス420及び側面416の一部に沿って延びている。上側ラップジョイント440は、下部セグメント412よりも更に延在する下面442を有している。下側ラップジョイント450は、ウエハキャリアトラック400のガイドパス420及び側面416より更に延在する上面452を有している。
一般的に、ウエハキャリアトラック400の上部セグメント410及び/又は下部セグメント412は、それぞれ、石英を含むことができる。いくつかの例では、ウエハキャリアトラック400の下部セグメント412は石英板である。ウエハキャリアトラック400の上部セグメント410及び下部セグメント412は、一緒に融合させることができる。一具体例では、上部セグメント410及び下部セグメント412の両方は、石英を含んでおり、一緒に融合させてそれらの間にガスキャビティを形成する。ウエハキャリアトラック400の上部セグメント410及び/又は下部セグメント412に含まれる石英は通常透明であるが、いくつかの実施形態では、ウエハキャリアトラック400の一部が不透明な石英を含むこともある。
別の実施形態では、ガスポート434は、ウエハキャリアトラック400の側面402からガスキャビティ430内へと延びている。一例では、ガスポート434は、上部セグメント410を介して延びている。複数のガス孔438は、約10の孔乃至約50の孔、好ましくは約20の孔乃至約40の孔、の数である。ガス孔438のそれぞれは、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。
他の実施形態では、ウエハキャリアトラックシステムは、図4D−4Eに示すように、端部と端部とを直列に配置した2つあるいはそれ以上のウエハキャリアトラック400を含むことができる。一実施形態では、第2のウエハキャリアトラック400の下側ラップジョイント450上に配置された第1のウエハキャリアトラック400の上側ラップジョイント440と、第1のウエハキャリアトラック400の上側ラップジョイント440と第2のウエハキャリアトラック400の下側ラップジョイント450との間に形成された排気ポートと、第2のウエハキャリアトラック400の下面上の第2のガイドパスと整列した第1のウエハキャリアトラック400の上面上の第1のガイドパスと、を含むウエハキャリアトラックシステムが設けられている。いくつかの例では、第2のウエハキャリアトラック400の上側ラップジョイント440は、第3のウエハキャリアトラック400(図示せず)の下側ラップジョイント450上に配置されることがある。
別の実施形態では、その内部に形成されたガスキャビティ430を有するウエハキャリアトラック400と、ウエハキャリアトラック400に沿って延在するガイドパス420と、ガイドパス420の内部であってウエハキャリアトラック400からガスキャビティ430内へと延在する複数のガス孔438と、ウエハキャリアトラック400の一端に配置された上側ラップジョイント440及びウエハキャリアトラック400の反対側の端部に配置された下側ラップジョイント450と、を含む、反応装置100などの蒸着反応装置システム内で浮上ウエハキャリア480を浮上させて横断するためのウエハキャリアトラック400が設けられており、上側ラップジョイント440はガイドパス420の一部を延ばし、下側ラップジョイント450はウエハキャリアトラック400のガイドパス420よりも更に延在する上面を有している。
少なくとも一つの側面は、ウエハキャリアトラック400上に配置され、ガイドパス420に沿ってその上に延在する。いくつかの例では、2つの側面416は、ウエハキャリアトラック400上に配置され、ガイドパス420に沿ってその上に延在する。ガイドパス420は、2つの側面416の間で延ばすことができる。一実施形態では、ウエハキャリアトラック400の上部セグメント410は、ウエハキャリアトラック400の下部セグメント412の上に配置することもできる。ウエハキャリアトラック400の上部セグメント410は、上面に沿って延在するガイドパス420を有することができる。ガスキャビティ430は、ウエハキャリアトラック400の上部セグメント410と下部セグメント412との間に形成することができる。いくつかの例では、ウエハキャリアトラック400の上部セグメント410及び下部セグメント412は一緒に融合させることができる。いくつかの実施形態では、ウエハキャリアトラック400は石英を含む。ウエハキャリアトラック400の上部セグメント410及び下部セグメント412は、それぞれ、石英を含むことができる。一例では、ウエハキャリアトラック400の下部セグメント412は石英板である。
他の実施形態では、ガスポート434は、ウエハキャリアトラック400の側面からガスキャビティ430へと延びている。ガスポート434は、ウエハキャリアトラック400の上面を介して、ガスキャビティ430内に、ウエハキャリアトラック400の上面上の複数のガス孔438から、浮上ガスを流すために利用される。複数のガス孔438は、約10の孔乃至約50の孔、好ましくは約20の孔乃至約40の孔、の数である。ガス孔438のそれぞれは、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。
別の実施形態では、図12A−12Eは、蒸着又はエッチングのために使用される他の処理チャンバと同様に、本明細書に記載のCVD反応装置を含む各種の処理チャンバを介して基板を搬送するために使用することができる浮上ウエハキャリア480を示している。浮上ウエハキャリア480は、短辺471、長辺473、上面472及び下面474を有している。浮上ウエハキャリア480は矩形の形状で示されているが、また正方形の形状、円形の形状、又は他の形状を有することができる。浮上ウエハキャリア480は、グラファイトや他の材料を含むかそれらの材料から形成される。浮上ウエハキャリア480は、通常、長辺473がCVD反応装置の側面に対し向かい合う一方、CVD反応装置を介して前方に向かう短辺471へ移動する。
図12A−12Bは、本明細書に記載された一実施形態に係る浮上ウエハキャリア480を示している。図12Aは、上面472の3つの凹み475を含む浮上ウエハキャリア480の上面図を示している。ウエハ又は基板は、プロセス中CVD反応装置を介して転送させながら、凹み475内に位置決めされる。3つの凹み475で示されているが、上面472は、凹みが無い状態を含む、より多いあるいはより少ない凹みを有することができる。例えば、浮上ウエハキャリア480の上面472は、ウエハ又は基板を収容するために、0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、12又はそれ以上の凹みを含むことができる。いくつかの例では、1つのウエハ/基板又は複数のウエハ/基板が、凹みを持っていない上面472上に直接配置される。
図12Bは、一実施形態で記載されているように、下面474上に凹み478を含む浮上ウエハキャリア480の底面図を示している。凹み478は、浮上ウエハキャリア480下でのガスクッションの導入により浮上ウエハキャリア480を浮揚させる助けとして使用される。ガス流量は、ガスクッションを形成するためにガスを蓄積する凹み478で方向付けられる。浮上ウエハキャリア480の下面474は、凹みがない場合もあり、又は1つの凹み478の場合(図12B)、2つの凹み478の場合(図12C−12E)、3つの凹み478の場合(図示せず)あるいはそれ以上の場合がある。凹み478のそれぞれは、直線状又はテーパ状の側面を有することができる。一例では、各凹み478は、側面476が角度の緩やかな変化を有する側面477より急勾配あるいはより急激に変化するような、テーパ状の側面を有している。凹み478内の側面477は、浮上ウエハキャリア480を横断する温度勾配を補正するために、テーパ状となっている。また、側面477は、ウエハキャリアトラック400に沿って浮上ウエハキャリア480を浮上させて移動/搬送させる一方、ガスポケットを形成して浮上ウエハキャリア480の下にガスポケットを維持するために、テーパ状又は斜めに形成されている。別の例では、凹み478は、側面476が直線状又は実質的に直線状であり、側面477がテーパ/角度を有するかあるいは側面477が直線状又は実質的に直線状であり、側面476がテーパ/角度を有するように、直線状又は実質的に直線状の側面及びテーパ状の側面を有する。また、凹み478は、側面476及び477が直線状又は実質的に直線状となるように、すべて直線状の側面とすることができる。
別の実施形態において、図12C−12Eは下面474に2つの凹み478を含む浮上ウエハキャリア480の底面図を示す。2つの凹み478は、浮上ウエハキャリア480下へのガスクッションの導入により、浮上ウエハキャリア480を浮揚させる助けとなる。ガス流量は、ガスクッションを形成するためにガスを蓄積する凹み478で方向付けられる。凹み478は直線状又はテーパ状の側面を有することができる。一例では、図10Eに示すように、凹み478は、側面476及び477が直線状、例えば、下面474の平面に対し垂直となるように、すべて直線状の側面を有する。別の例では、図10Fに示すように、凹み478は、側面476が、多くが角度の緩やかな変化を有する側面477より急勾配又はより急激であるように、すべてテーパ状の側面を有している。凹み478内の側面477は、浮上ウエハキャリア480を横断する温度勾配を補正するために、テーパ状となっている。また、凹み478は、側面476が直線状であり、側面477がテーパ状かあるいは側面477が直線状であり、側面476がテーパを有するように、直線状の側面とテーパ状の側面との組み合わせを有することもできる。
浮上ウエハキャリア480は、下面474から上面472及びその上に配置された任意の基板へと延在する、熱流束を含んでいる。熱流束は、処理システムの内部圧力と長さの両方によって制御される。浮上ウエハキャリア480のプロファイルは、他のソースからのヒートロスを補償するために、テーパ状となっている。プロセス中、短辺471及び長辺473のような浮上ウエハキャリア480のエッジ部を介して、熱が失われている。しかし、失われた熱は、浮上中のチャネルのギャップを減らすことにより、浮上ウエハキャリア480のエッジ部により多くの熱流束を許容することによって、補償することができる。
別の実施形態では、ウエハキャリアトラック400は、ガイドパス420上に配置された浮上ウエハキャリア480を含む。いくつかの例では、浮上ウエハキャリア480は下面内に配置された少なくとも1つの凹みポケットを有している。他の例では、浮上ウエハキャリア480は、下面内に配置された少なくとも2つの凹みポケットを有している。
図5A−5Dは、本明細書に記載された実施形態に従って、反応装置100のような、蒸着チャンバのためアイソレータアセンブリ500を示している。一実施形態において、アイソレータアセンブリ500は、上部506及び下部504を有する本体502と、本体502の上部506及び下部504を介して延在する中央チャネル516と、を含んでいる。上部506は上面507を含んでいる。中央チャネル516は、本体502の内面509の間であって本体502を介して延在する中心軸501に平行に、延びている。拡散プレート530は、複数のガス孔532を含み、中央チャネル516内に配置されている。一例では、拡散プレート530は、フランジ又は突起510上に配置されている。別の例では、アイソレータアセンブリ500は、その中に配置された拡散プレート530を含んでいない。
アイソレータアセンブリ500は、複数のガス孔542を有し、中央チャネル516内であって拡散プレート530の下に配置された、上側チューブプレート540を含んでいる。アイソレータアセンブリ500は、また、複数のガス孔552を有し、中央チャネル516内であって上側チューブプレート540の下に配置された、下側チューブプレート550を含んでいる。複数のガスチューブ580は、上側チューブプレート540から下側チューブプレート550へと延び、各チューブは、複数のガス孔542からの個々の孔及び複数のガス孔552からの個々の孔と連結して流体連通している。ガスチューブ580の各々は、ここに記載された多くの実施形態において、中心軸501に対してと同様に、互いに、平行又は実質的に平行に延びている。図示しない代替の実施形態では、ガスチューブ580の各々は、約1°乃至約15°又はそれ以上の範囲内の、中心軸501に対する所定の角度で延びている。
アイソレータアセンブリ500は、入口ポート522を通ってキャビティ538、548及び558に流路を提供することによって、パージガス、前駆体ガス、及び/又は、キャリアガスのようなガスを分散させるために使用される。キャビティ538は、中央チャネル516内において、上部プレート520と拡散プレート530との間に形成されている。キャビティ548は、中央チャネル516内において、拡散プレート530と上側チューブプレート540との間に形成されている。キャビティ558は、中央チャネル516内において、上側チューブプレート540と下側チューブプレート550との間に形成されている。
別の実施形態では、アイソレータアセンブリ500は、上部506及び下部504を含み、上部506が下部504上に延在するフランジを含む本体502と、本体502の上部506及び下部504を介して、本体502の内面509の間に、本体502を介して延在する中心軸501と平行に延在する中央チャネル516と、複数のガス孔532を含み、中央チャネル516内に配置された拡散プレート530と、複数のガス孔542を含み、中央チャネル516内であって拡散プレート530の下に配置された上側チューブプレート540と、複数のガス孔552を含み、中央チャネル516内であって上側チューブプレート540の下に配置された下側チューブプレート550と、上側チューブプレート540から下側チューブプレート550へと延び、各チューブが複数のガス孔542からの個々の孔及びガス孔552からの個々の孔と連結して流体連通する複数のガスチューブ580と、を含んでいる。
別の実施形態では、アイソレータアセンブリ500は、上部506及び下部504を含み、上部506が下部504を超えて本体502の中心軸501から隣接して延在するとともに、下部504が上部506を超えて本体502の中心軸501に対し平行に延在する本体502と、本体502の上部506及び下部504を介して、本体502の内面509の間に、中心軸501に平行に延在する中央チャネル516と、複数のガス孔532を含み、中央チャネル516内に配置された拡散プレート530と、複数のガス孔542を含み、中央チャネル516内であって拡散プレート530の下に配置された上側チューブプレート540と、複数のガス孔552を含み、中央チャネル516内であって上側チューブプレート540の下に配置された下側チューブプレート550と、上側チューブプレート540から下側チューブプレート550へと延び、各チューブが複数のガス孔542からの個々の孔及びガス孔552からの個々の孔と連結して流体連通する複数のガスチューブ580と、を含んでいる。
別の実施形態では、アイソレータアセンブリ500は、上部506及び下部504を含む本体502と、本体502の上部506及び下部504を介して、本体502の内面509の間に、本体502を介して延在する中心軸501に平行に延在する中央チャネル516と、複数のガス孔532を含み、中央チャネル516内に配置された拡散プレート530と、複数のガス孔542を含み、中央チャネル516内であって拡散プレート530の下に配置された上側チューブプレート540と、複数のガス孔552を含み、中央チャネル516内であって上側チューブプレート540の下に配置された下側チューブプレート550と、を含んでいる。
別の実施形態では、アイソレータアセンブリ500は、上部506及び下部504を含む本体502と、本体502の上部506及び下部504を介して、本体502の内面509の間に、本体502を介して延在する中心軸501に平行に延在する中央チャネル516と、複数のガス孔532を含み、中央チャネル516内であって拡散プレート530の下に配置された上側チューブプレート540と、複数のガス孔542を含み、中央チャネル516内であって上側チューブプレート540の下に配置された下側チューブプレート550と、上側チューブプレート540から下側チューブプレート550へと延び、各チューブが複数のガス孔532からの個々の孔及び複数のガス孔542からの個々の孔と連結して流体連通する複数のガスチューブ580と、を含んでいる。
いくつかの実施形態において、アイソレータアセンブリ500はモジュール式のシャワーヘッドアセンブリである。本体502の上部506及び下部504は、それぞれ、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、それらの合金、又はそれらの組み合わせなどの材料を含むことができる。一例では、本体502の上部506及び下部504は、それぞれ、ステンレス鋼又はその合金を含んでいる。
一実施形態において、アイソレータアセンブリ500は、本体502の上部506に配置されたガス導入口560を含んでいる。上部プレート520は本体502の上部506の上面に配置され、ガス導入口560はプレート上に配置される。プレートは、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組み合わせなどの材料を含むことができる。いくつかの例では、プレートは、そこを通って延在する入口ポート522を有している。ガス導入口560は、入口ポート522を介して延在する入口チューブ564を有している。入口ノズル562は入口チューブ564の一端に連結され、プレートの上方に配置される。別の例では、シャワーヘッド本体の上部506の上面は、中央チャネル516を包含する溝508を有している。Oリングは溝508内に配置されることがある。拡散プレート530は、中央チャネル516内において、本体502の側面から突出する突起やフランジに配置される。
一実施形態において、複数のガスチューブ580は、約500のチューブ乃至約1500のチューブ、好ましくは約700のチューブ乃至約1200のチューブ、より好ましくは約800のチューブ乃至約1000のチューブの範囲内、例えば約900の数のチューブを有することができる。いくつかの例において、それぞれのチューブは、約0.5cm乃至約2cm、好ましくは約0.8cm乃至約1.2cmの範囲内、例えば約1cmの長さを有することができる。他の例において、それぞれのチューブは、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。いくつかの例では、チューブは皮下注射針である。チューブは、鋼、ステンレス鋼、300系のテンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組み合わせなどの材料を含むかそれらの材料から作製される。
一実施形態では、拡散プレート530上の複数のガス孔532のそれぞれの孔は、上側チューブプレート540上の複数のガス孔542のそれぞれの孔よりも大きな直径を有している。更に、拡散プレート530上の複数のガス孔532のそれぞれの孔は、下側の拡散プレート上の複数のガス孔552のそれぞれの孔よりも大きな直径を有している。また、上側チューブプレート540上の複数のガス孔542のそれぞれの孔は、下側チューブプレート550上の複数のガス孔552のそれぞれの孔と同じ又は実質的に同じ直径を有している。
一実施形態では、拡散プレート530は、鋼、ステンレス鋼、300系のテンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組合せなどの材料を含むかそれらの材料から作製される。拡散プレート530は、約20の孔乃至約200の孔、好ましくは約25の孔乃至約55の孔、より好ましくは約40の孔乃至約60の孔の範囲内の数の孔を含むことができる。拡散プレート530のそれぞれの孔は、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。別の実施形態において、上側チューブプレート540及び/又は下側チューブプレート550は、それぞれ、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組合せなどの材料を含むかそれらの材料から作製される。上側チューブプレート540及び/又は下側チューブプレート550は、それぞれ、約500の孔乃至約1500の孔、好ましくは約700の孔乃至約1200の孔、より好ましくは約800の孔乃至約1000の孔を有している。上側チューブプレート540及び/又は下側チューブプレート550のそれぞれの孔は、それぞれ、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。別の実施形態においては、アイソレータアセンブリ500は、約10孔/平方インチ(平方インチ毎の孔の数)乃至約60孔/平方インチ、好ましくは約15孔/平方インチ乃至約45孔/平方インチ、更に好ましくは約20孔/平方インチ乃至約36孔/平方インチの範囲内のチューブのガス孔密度及び/又は数を有している。
一例では、アイソレータアセンブリ500の本体502の上部506の上面は金属製のプレートである。他の例では、アイソレータアセンブリ500は、矩形の形状又は正方形の形状を持つことができる。別の実施形態においては、アイソレータアセンブリ500の本体502は、更に、温度調節システムを含んでいる。温度調節システム190などの温度調節システムは、本体502内に延在する流体経路518を含むことができ、また、流体経路518と連結された流体連通される入口514a及び出口514bを有することができる。入口514a及び出口514bは、それぞれ、図1Fに示されるように、液体貯留器又は温度調節システム190内の熱交換器180a、180b又は180cのような、少なくとも1つの熱交換器と連結されて流体連通している。
図6は、本明細書中の実施形態で記載したように、蒸着反応装置システム内のウエハキャリア又は基板サポートと同様に、ウエハ又は基板を加熱するために使用される、加熱ランプアセンブリ600を示している。一実施形態では、サポートベース602の上面606に配置され、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bを含むランプハウジング610と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへ延在する複数のランプ624と、を含み、各ランプ624が分割フィラメント又は非分割フィラメントを有し、サポートベース602の上面606に配置されたリフレクタ650が、第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bとの間に配置されている、加熱ランプアセンブリ600が提供されている。
別の実施形態では、加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606上に配置され、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bを含むランプハウジング610と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへと延在する第1の複数のランプ624であって、第1の複数のランプのそれぞれのランプが非分割フィラメントを有する第1の複数のランプ624と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへと延在する第2の複数のランプ624であって、第2の複数のランプのそれぞれのランプが非分割フィラメントを有する第2の複数のランプ624と、第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bとの間でサポートベース602の上面606上に配置されたリフレクタ650と、を含んでいる。
別の実施形態では、加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606上に配置され、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bを含むランプハウジング610と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへと延在する第1の複数のランプ624であって、第1の複数のランプのそれぞれのランプが分割フィラメントを有する第1の複数のランプ624と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへと延在する第2の複数のランプ624であって、第2の複数のランプのそれぞれのランプが非分割フィラメントを有する第2の複数のランプ624と、を含むことができ、第1の複数のランプ624が、第1及び第2のランプホルダ間を延在する一方、第2の複数のランプ624間に順次又は交互に配置されている。また、リフレクタ650は、第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bとの間でサポートベース602の上面606上に配置することができる。
別の実施形態において、加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606上に配置され、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bを含むランプハウジング610と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへと延在する複数のランプ624と、を含み、複数のランプ624は互いに順次又は交互に配置された第1グループのランプ及び第2グループのランプを含み、第1グループのランプのそれぞれのランプが分割フィラメントを含み、第2グループのランプのそれぞれのランプが非分割フィラメントを含み、リフレクタ650が第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bとの間でサポートベース602の上面606上に配置されている。
別の実施形態において、加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606上に配置され、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bを含むランプハウジング610と、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620b上に配置された複数のポスト622と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへと延在する複数のランプ624と、を含み、各ランプが分割フィラメント又は非分割フィラメントを有し、リフレクタ650が第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bとの間でサポートベース602の上面606上に配置されている。
別の実施形態において、加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606上に配置され、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bを含むランプハウジング610と、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620b上に配置された複数のポスト622と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへと延在する複数のランプ624と、を含み、各ランプが分割フィラメント又は非分割フィラメントを有し、各ランプが、第1のランプホルダ620a上の2つのポスト622間に配置された第1の端部及び第2のダンプホルダ620b上の2つのポスト622間に配置された第2の端部を有し、リフレクタ650が第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bとの間でサポートベース602の上面606上に配置されている。
別の実施形態において、加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606上に配置され、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bを含むランプハウジング610と、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620b上に配置された複数のポスト622と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへと延在する複数のランプ624と、を含み、各ランプが、第1のランプホルダ620a上の2つのポスト622間に配置された第1の端部及び第2のダンプホルダ620b上の2つのポスト622間に配置された第2の端部を有し、リフレクタ650が第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bとの間でサポートベース602の上面606上に配置されている。
別の実施形態において、加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606上に配置され、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bを含むランプハウジング610と、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620b上に配置された複数のポスト622と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへと延在する複数のランプ624と、第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bとの間でサポートベース602の上面606上に配置されているリフレクタ650と、を含んでいる。
別の実施形態において、サポートベース602の上面606上に配置され、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bを含むランプハウジング610と、第1のランプホルダ620aから第2のランプホルダ620bへと延在する複数のランプ624と、第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bとの間でサポートベース602の上面606上に配置されているリフレクタ650と、を含む、蒸着反応装置システムのために加熱ランプアセンブリ600が提供されている。
一実施形態において、加熱ランプアセンブリ600はリフレクタ650を含み、及び/又は、リフレクタ650の上面は、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、それらの合金、又はそれらの組み合わせなどの反射性金属を含んでいる。多くの例において、リフレクタ650及び/又はリフレクタ650の上面は、金又は金合金を含んでいる。ウエハキャリアトラック400の下面は、加熱ランプアセンブリ600内のランプ624から放出され、リフレクタ650、リフレクタ650の上面、及び/又は、各ミラー652から反射された、放射線に露出される。放出された放射線は、反応装置100内の、ウエハキャリアトラック400、浮上ウエハキャリア460及びウエハ90によって吸収される。ここ記載されるプロセスのいくつかの実施形態では、ウエハキャリアトラック400、浮上ウエハキャリア460、及び/又は、ウエハ90は、それぞれ、約250℃乃至約350℃、好ましくは約275℃乃至約325℃、更に好ましくは約290℃乃至約310℃の範囲内の温度、例えば約300℃の温度に、放射された照射線によって加熱される。
加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606に沿って延び、サポートベース602の上面606に垂直又は実質的に垂直である、少なくとも1つのミラー652を含むことができる。いくつかの例では、ミラー652は、蒸着されたあるいはその上に配置された反射コーティングを有する各ランプホルダ620a又は620bの内側面である。他の例では、ミラー652は、各ランプホルダ620a又は620bの内側面に装着あるいは接着された、予め製造されたあるいはモジュール形式のミラーまた反射材料であってもよい。少なくとも1つのミラー652は、一般的に、表面606の平面に対して約90°の角度でリフレクタ650に向かって直面するように位置決めされる。好ましくは、ここに記載された別の実施態様において、加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606に沿って延在する2つのミラー652を含んでいる。両方のミラーはサポートベース602の上面606に垂直又は実質的に垂直であり、両方のミラー652はそれらの間のリフレクタ650に向かって互いに直面するように位置決めされる。2つのミラー652のそれぞれは、表面606の平面に対し約90°の角度でリフレクタ650に向かって直面している。各ミラー及び/又は各ミラー652の上面は、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、それらの合金、又はそれらの組み合わせなどの反射性金属を含んでいる。多くの例では、各ミラー652及び/又は各ミラー652の上面は、金又は金合金を含んでいる。
示されていない別の実施形態では、各ミラー652は、90°より大きい角度乃至約135°までの範囲内の角度のように、表面606の平面に対し90°よりも大きい角度でリフレクタ650から見て少し外側に向くよう位置決めされる。90°よりも大きい角度で位置決めされたミラー652は、ウエハキャリアトラック400、浮上ウエハキャリア460、又は、反応装置100内の他の部分又は表面に向かってエネルギィを導くために利用される。代替の実施形態では、加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606に沿って3つ以上のミラー652を含むことができる。
加熱ランプアセンブリ600内の複数のランプ624は、約10のランプ乃至約100のランプ、好ましくは約20のランプ乃至約50のランプ、より好ましくは約30のランプ乃至約40のランプの数とすることができる。一例では、加熱ランプアセンブリ600は、約34のランプを含んでいる。実施形態は、各ランプが、電源、独立したスイッチ及びコントローラと電気的に接続されるように提供する。コントローラは独立して各ランプへの電力を制御するために使用されることがある。
他の実施形態では、加熱ランプアセンブリ600内のサポートベース602と各ランプホルダの620a又は620bは、それぞれ、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデンな、アルミニウム、それらの合金又はそれらの組合せなどの材料を含むかそれらの材料から作製される。いくつかの例では、第1のランプホルダ620a又は第2のランプホルダ620bは、それぞれ、ステンレス鋼又はそれらの合金を含むかそれらの材料から作製される。第1のランプホルダ620a又は第2のランプホルダ620bは、それぞれ、約2000W/m2−K乃至約3000W/m2−K、好ましくは約2300W/m2−K乃至約2700W/m2−Kの範囲内の冷却効率を有することができる。一例では、冷却効率は約2500W/m2−Kである。他の実施形態では、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bは、それぞれ、約0.001インチ乃至約0.1インチの範囲内の厚さを有している。
ここに記載された複数の実施形態に従って、図10Aは非分割フィラメントランプ670を示し、図10Bは分割フィラメントランプ680を示している。分割フィラメントランプ680はバルブ682と非スプリットフィラメント684を含む一方、非分割フィラメントランプ670はバルブ672と非スプリットフィラメント674を含んでいる。ここに実施形態を介して記載されているように、複数のランプ624は、一般的に、非分割フィラメントランプ670、分割フィラメントランプ680、又は、非分割フィラメントランプ670と分割フィラメントランプ680との混合物を含んでいる。
図11A−11Fは、実施形態に記載されているように、反応装置100などの蒸着反応装置内において、ウエハキャリアトラック400などのウエハキャリアトラック、浮上ウエハキャリアトラック480などのウエハキャリア又は基板サポート、及び/又は、ウエハ90などのウエハ又は基板、のヒートプロファイルを調整するために利用される、ランプ624などの異なる複数のランプを示している。一実施形態において、図11Aはすべての非分割フィラメントランプ670を含む複数のランプを示し、図11Bはすべての分割フィラメントランプ680を含む複数のランプを示している。別の実施形態において、図11Cは、非分割フィラメントランプ670及び分割フィラメントランプ680を順次又は交互に含む複数のランプを示している。他の実施形態において、図11Eは1つ置きの分割フィラメント680の間に非分割フィラメントランプ670を含む複数のランプを示す一方、図11Dは1つ置きの非分割フィラメントランプ670の間に分割フィラメントランプ680を含む複数のランプを示している。図11Fは、非分割フィラメントランプ670と分割フィラメントランプ680を順次又は交互に含む複数のランプを示しているが、各ランプは、図11A−11Eのランプよりもお互いが更に離れている。
他の実施形態において、加熱ランプアセンブリ600によって、反応装置100などの蒸着反応装置システム内において、浮上ウエハキャリア480などの基板又は基板サセプタを加熱するための方法が提供され、その方法は、加熱ランプアセンブリ600から放出されるエネルギィに基板サセプタの下面を露出させ、所定の温度に基板サセプタを加熱するステップを含み、加熱ランプアセンブリ600は、サポートベース602の上面606に配置され、少なくとも1つのランプホルダ620a又は620bを含む、ランプハウジング610と、少なくとも1つのランプホルダから延在する複数のランプ624と、ランプの下であって、ランプホルダと隣合わせに、サポートベース602の上面606に配置されたリフレクタ650と、を含んでいる。
方法の実施形態は、更に、加熱ランプアセンブリ600が、分割フィラメントランプ680、非分割フィラメント、又は、分割あるいは非分割フィラメントのいずれかを含むランプの混合体を含むこと、を提供する。一実施形態では、ランプの各々は分割フィラメントランプ680を有している。分割フィラメントランプ680は、第1の端部と第2の端部との間に中心を持つことができる。分割フィラメントランプ680の第1及び第2の端部は、分割フィラメントランプ680の中心よりも暖かく維持される。したがって、基板サセプタの外側エッジは、基板サセプタの中心点よりも暖かく維持される。
別の実施形態では、ランプの各々は非分割フィラメントランプ670を有している。非分割フィラメントランプ670は、第1の端部と第2の端部との間に中心を持つことができる。非分割フィラメントランプ670の中心は、非分割フィラメントランプ670の第1及び第2の端部よりも暖かく維持される。したがって、基板サセプタの中心点は、基板サセプタの外側エッジよりも暖かく維持される。
別の実施形態では、複数のランプ624は分割フィラメントランプと非分割フィラメントランプとを有している。一実施形態では、分割フィラメントランプ680と非分割フィラメントランプ670は、お互いの間に順次配置されている。各ランプは、それぞれ、電源及びコントローラに電気的に接続することができる。この方法は、更に、各ランプに流れる電気の量を調整することを含む。一例では、分割フィラメントランプ680は、第1の端部と第2の端部との間に中心を持つことができる。分割フィラメントランプ680の第1及び第2の端部は、分割フィラメントランプ680の中心よりも暖かく維持される。したがって、基板サセプタの外側のエッジは、基板サセプタの中心点よりも暖かく維持される。別の例では、非分割フィラメントランプ670は、第1の端部と第2の端部との間に中心を持つことができる。非分割フィラメントランプ670の中心は、非分割フィラメントランプ670の第1及び第2の端部よりも暖かく維持される。したがって、基板サセプタの中心点は、基板サセプタの外側エッジよりも暖かく維持される。
様々な実施形態において、方法は、基板のサセプタが基板キャリアやウエハキャリアとなることを提供する。ランプハウジング610は、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bを持つことができる。第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bは、互いに平行又は実質的に平行である。一例では、リフレクタ650は、第1のランプホルダ620a及び第2のランプホルダ620bとの間に配置される。第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bとは、それぞれが約0.001インチ乃至約0.1インチの範囲内の厚さを有している。ランプホルダの所定の厚さは、ランプホルダの一定の温度を維持する助けとなる。したがって、第1のランプホルダ620aと第2のランプホルダ620bは、それぞれ、約275℃乃至約375℃、好ましくは約300℃乃至350℃の範囲内の温度に維持される。
図7A−7Dは、ここに記載された実施形態に従って、反応装置100などの蒸着チャンバのためのシャワーヘッドアセンブリ700を示している。一実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ700は、上部706と下部704とを有する本体702と、本体702の上部706及び下部704を通って延在する中央チャネル716と、を含んでいる。上部706は上面707を含んでいる。中央チャネル716は、本体702の内面709の間であって本体702を介して延在する中心軸701に対して平行に延びている。拡散プレート730は、複数のガス孔732を含み、中央チャネル716内に配置されている。一例では、拡散プレート730はフランジ又は突起710に配置されている。別の例では、シャワーヘッドアセンブリ700は、その中に配置された選択的な拡散プレート730を含んでいない。
シャワーヘッドアセンブリ700は、更に、複数のガス孔742を有し、拡散プレート730の下であって中央チャネル716内に配置された上側チューブプレート740を含んでいる。シャワーヘッドアセンブリ700は、また、複数のガス孔752を有し、上側チューブプレート740の下であって中央チャネル716内に配置された下側チューブプレート750を含んでいる。複数のガスチューブ780は、上側チューブプレート740から下側チューブプレート750へ延び、各チューブは、複数のガス孔742からの個々の孔及び複数のガス孔752からの個々の孔と連結されて流体連通する。ガスチューブ780のそれぞれは、ここに記載された多くの実施形態における中心軸701に対してと同様に、互いに平行又は実質的に平行に延びている。図示しない代替の実施形態では、ガスチューブ780のそれぞれは、約1°乃至約15°又はそれ以上の範囲内で、中心軸701に対して所定の角度で延在することができる。
シャワーヘッドアセンブリ700は、入口ポート722を通ってキャビティ738、748及び758に流路を提供することによって、パージガス、前駆体ガス、及び/又は、キャリアガスのようなガスを分散させるために使用される。キャビティ738は、中央チャネル716内において、上部プレート720と拡散プレート730との間に形成されている。キャビティ748は、中央チャネル716内において、拡散プレート730と上側チューブプレート740との間に形成されている。キャビティ758は、中央チャネル716内において、上側チューブプレート740と下側チューブプレート750との間に形成されている。
別の実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ700は、上部706及び下部704を含み、上部706が下部704上に延在するフランジを含む本体702と、本体702の上部706及び下部704を介して、本体702の内面709の間に、本体702を介して延在する中心軸701と平行に延在する中央チャネル716と、複数のガス孔732を含み、中央チャネル716内に配置された拡散プレート730と、複数のガス孔742を含み、中央チャネル716内であって拡散プレート730の下に配置された上側チューブプレート740と、複数のガス孔752を含み、中央チャネル716内であって上側チューブプレート740の下に配置された下側チューブプレート750と、上側チューブプレート740から下側チューブプレート750へと延び、各チューブが複数のガス孔742からの個々の孔及びガス孔752からの個々の孔と連結して流体連通する複数のガスチューブ780と、を含んでいる。
別の実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ700は、上部706及び下部704を含み、上部706が下部704を超えて本体702の中心軸701から隣接して延在するとともに、下部704が上部706を超えて中心軸701に対し平行に延在する本体702と、本体702の上部706及び下部704を介して、本体702の内面709の間に、中心軸701に平行に延在する中央チャネル716と、複数のガス孔732を含み、中央チャネル716内に配置された拡散プレート730と、複数のガス孔742を含み、中央チャネル716内であって拡散プレート730の下に配置された上側チューブプレート740と、複数のガス孔752を含み、中央チャネル716内であって上側チューブプレート740の下に配置された下側チューブプレート750と、上側チューブプレート740から下側チューブプレート750へと延び、各チューブが複数のガス孔742からの個々の孔及び複数のガス孔752からの個々の孔と連結して流体連通する複数のガスチューブ780と、を含んでいる。
別の実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ700は、上部706及び下部704を含む本体702と、本体702の上部706及び下部704を介して、本体702の内面709の間に、本体702を介して延在する中心軸701に平行に延在する中央チャネル716と、複数のガス孔732を含み、中央チャネル716内に配置された拡散プレート730と、複数のガス孔742を含み、中央チャネル716内であって拡散プレート730の下に配置された上側チューブプレート740と、複数のガス孔752を含み、中央チャネル716内であって上側チューブプレート740の下に配置された下側チューブプレート750と、を含んでいる。
別の実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ700は、上部706及び下部704を含む本体702と、本体702の上部706及び下部704を介して、本体702の内面709の間に、本体702を介して延在する中心軸701に平行に延在する中央チャネル716と、複数のガス孔732を含み、中央チャネル716であって拡散プレート730の下に配置された上側チューブプレート740と、複数のガス孔742を含み、中央チャネル716内であって上側チューブプレート740の下に配置された下側チューブプレート750と、上側チューブプレート740から下側チューブプレート750へと延び、各チューブが複数のガス孔732からの個々の孔及びガス孔742からの個々の孔と連結して流体連通する複数のガスチューブ780と、を含んでいる。
いくつかの実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ700はモジュール式のシャワーヘッドアセンブリである。本体702の上部706及び下部704は、それぞれ、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、それらの合金、又はそれらの組み合わせなどの材料を含むことができる。一例では、本体702の上部706及び下部704は、それぞれ、ステンレス鋼又はその合金を含んでいる。
一実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ700は、本体702の上部706に配置されたガス導入口760を含んでいる。上部プレート720は本体702の上部706の上面に配置され、ガス導入口760はプレート上に配置される。プレートは、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組み合わせなどの材料を含むことができる。いくつかの例では、プレートは、そこを通って延在する入口ポート722を有している。ガス導入口760は、入口ポート722を介して延在する入口チューブ764を有している。入口ノズル762は入口チューブ764の一端に連結され、プレートの上方に配置される。別の例では、シャワーヘッド本体の上部706の上面は、中央チャネル716を包含する溝708を有している。Oリングは溝708内に配置されることがある。拡散プレート730は、中央チャネル716内において、本体702の側面から突出する突起やフランジに配置される。
一実施形態において、複数のガスチューブ780は、約500のチューブ乃至約1500のチューブ、好ましくは約700のチューブ乃至約1200のチューブ、より好ましくは約800のチューブ乃至約1000のチューブの範囲内、例えば約900の数のチューブを有することができる。いくつかの例において、それぞれのチューブは、約0.5cm乃至約2cm、好ましくは約0.8cm乃至約1.2cmの範囲内、例えば約1cmの長さを有することができる。他の例において、それぞれのチューブは、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。いくつかの例では、チューブは皮下注射針である。チューブは、鋼、ステンレス鋼、300系のテンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組み合わせなどの材料を含むかそれらの材料から作製される。
一実施形態では、拡散プレート730上の複数のガス孔732のそれぞれの孔は、上側チューブプレート740上の複数のガス孔742のそれぞれの孔よりも大きな直径を有している。更に、拡散プレート730上の複数のガス孔732のそれぞれの孔は、下側の拡散プレート上の複数のガス孔752のそれぞれの孔よりも大きな直径を有している。また、上側チューブプレート740上の複数のガス孔742のそれぞれの孔は、下側チューブプレート750上の複数のガス孔752のそれぞれの孔と同じ又は実質的に同じ直径を有している。
一実施形態では、拡散プレート730は、鋼、ステンレス鋼、300系のテンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組合せなどの材料を含むかそれらの材料から作製される。拡散プレート730は、約20の孔乃至約200の孔に、好ましくは約25の孔乃至約75の孔に、より好ましくは約40の孔乃至約60の孔の範囲内の数の孔を含むことができる。拡散プレート730のそれぞれの孔は、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。別の実施形態においては上側チューブプレート740及び/又は下側チューブプレート750は、それぞれ、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組合せなどの材料を含むかそれらの材料から作製される。上側チューブプレート740及び/又は下側チューブプレート750は、それぞれ、約500の孔乃至約1500の孔、好ましくは約700の孔乃至約1200の孔、より好ましくは約800の孔乃至約1000の孔を有している。上側チューブプレート740及び/又は下側チューブプレート750のそれぞれの孔は、それぞれ、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。別の実施形態においては、シャワーヘッドアセンブリ700は、約10孔/平方インチ(平方インチ毎の孔の数)乃至約60孔/平方インチ、好ましくは約15孔/平方インチ乃至約45孔/平方インチ、更に好ましくは約20孔/平方インチ乃至約36孔/平方インチの範囲内のチューブのガス孔密度及び/又は数を有している。
一例では、シャワーヘッドアセンブリ700の本体702の上部706の上面は金属製のプレートである。他の例では、シャワーヘッドアセンブリ700は、矩形の形状又は正方形の形状を持つことができる。別の実施形態においては、シャワーヘッドアセンブリ700の本体702は、更に、温度調節システムを含んでいる。温度調節システム190などの温度調節システムは、本体702内に延在する流体経路718を含むことができ、また、流体経路718と連結された流体連通される入口714a及び出口714bを有することができる。入口714a及び出口714bは、それぞれ、図1Fに示されるように、液体貯留器又は温度調節システム190内の熱交換器180a、180b又は180cのような、少なくとも1つの熱交換器と連結されて流体連通している。
図8A−8Dは、本明細書に記載された実施形態に従って、反応装置100のような、蒸着チャンバのため排気アセンブリ800を示している。一実施形態において、排気アセンブリ800は、上部806及び下部804を有する本体802と、本体802の上部806及び下部804を介して延在する中央チャネル816と、を含んでいる。上部806は上面807を含んでいる。中央チャネル816は、本体802の内面809の間であって本体802を介して延在する中心軸801に平行に、延びている。拡散プレート830は、複数のガス孔832を含み、中央チャネル816内に配置されている。一例では、拡散プレート830は、フランジ又は突起810上に配置されている。別の例では、排気アセンブリ800は、その中に配置された選択的な拡散プレート830を含んでいない。
排気アセンブリ800は、複数のガス孔842を有し、中央チャネル816内であって拡散プレート830の下に配置された、上側チューブプレート840を更に含んでいる。排気アセンブリ800は、また、複数のガス孔854を有し、中央チャネル816内であって上側チューブプレート840の下に配置された、下側チューブプレート850を含んでいる。複数の排気チューブ880は、上側チューブプレート840から下側チューブプレート850へと延び、各チューブは、複数のガス孔842からの個々の孔及び複数のガス孔854からの個々の孔と連結して流体連通している。排気チューブ880の各々は、ここに記載された多くの実施形態において、中心軸801に対してと同様に、互いに、平行又は実質的に平行に延びている。図示しない代替の実施形態では、排気チューブ880の各々は、約1°乃至約15°又はそれ以上の範囲内の、中心軸801に対する所定の角度で延びている。
排気アセンブリ800は、真空を引いて、排気ポート822及びキャビティ838、848及び858を介して内部圧力を減少する。キャビティ838は、中央チャネル816内において、上部プレート820と拡散プレート830との間に形成されている。キャビティ848は、中央チャネル816内において、拡散プレート830と上側チューブプレート840との間に形成されている。キャビティ858は、中央チャネル816内において、上側チューブプレート840と下側チューブプレート850との間に形成されている。
別の実施形態では、排気アセンブリ800は、上部806及び下部804を含み、上部806が下部804上に延在するフランジを含む本体802と、本体802の上部806及び下部804を介して、本体802の内面809の間に、本体802を介して延在する中心軸801と平行に延在する中央チャネル816と、複数のガス孔832を含み、中央チャネル816内に配置された拡散プレート830と、複数のガス孔842を含み、中央チャネル816内であって拡散プレート830の下に配置された上側チューブプレート840と、複数のガス孔854を含み、中央チャネル816内であって上側チューブプレート840の下に配置された下側チューブプレート850と、上側チューブプレート840から下側チューブプレート850へと延び、各チューブが複数のガス孔842からの個々の孔及びガス孔854からの個々の孔と連結して流体連通する複数のガスチューブ880と、を含んでいる。
別の実施形態では、排気アセンブリ800は、上部806及び下部804を含み、上部806が下部804を超えて本体802の中心軸801から隣接して延在するとともに、下部804が上部806を超えて本体802の中心軸801に対し平行に延在する本体802と、本体802の上部806及び下部804を介して、本体802の内面809の間に、中心軸801に平行に延在する中央チャネル816と、複数のガス孔832を含み、中央チャネル816内に配置された拡散プレート830と、複数のガス孔842を含み、中央チャネル816内であって拡散プレート830の下に配置された上側チューブプレート840と、複数のガス孔854を含み、中央チャネル816内であって上側チューブプレート840の下に配置された下側チューブプレート850と、上側チューブプレート840から下側チューブプレート850へと延び、各チューブが複数のガス孔842からの個々の孔及びガス孔854からの個々の孔と連結して流体連通する複数の排気チューブ880と、を含んでいる。
別の実施形態では、排気アセンブリ800は、上部806及び下部804を含む本体802と、本体802の上部806及び下部804を介して、本体802の内面809の間に、本体802を介して延在する中心軸801に平行に延在する中央チャネル816と、複数のガス孔832を含み、中央チャネル816内に配置された拡散プレート830と、複数のガス孔842を含み、中央チャネル816内であって拡散プレート830の下に配置された上側チューブプレート840と、複数のガス孔854を含み、中央チャネル816内であって上側チューブプレート840の下に配置された下側チューブプレート850と、を含んでいる。
別の実施形態では、排気アセンブリ800は、上部806及び下部804を含む本体802と、本体802の上部806及び下部804を介して、本体802の内面809の間に、本体802を介して延在する中心軸801に平行に延在する中央チャネル816と、複数のガス孔832を含み、中央チャネル816内であって拡散プレート830の下に配置された上側チューブプレート840と、複数のガス孔842を含み、中央チャネル816内であって上側チューブプレート840の下に配置された下側チューブプレート850と、上側チューブプレート840から下側チューブプレート850へと延び、各チューブが複数のガス孔832からの個々の孔及び複数のガス孔842からの個々の孔と連結して流体連通する複数のガスチューブ880と、を含んでいる。
いくつかの実施形態において、排気アセンブリ800はモジュール式のシャワーヘッドアセンブリである。本体802の上部806及び下部804は、それぞれ、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、それらの合金、又はそれらの組み合わせなどの材料を含むことができる。一例では、本体802の上部806及び下部804は、それぞれ、ステンレス鋼又はその合金を含んでいる。
一実施形態において、排気アセンブリ800は、本体802の上部806に配置された排気出口860を含んでいる。上部プレート820は本体802の上部806の上面に配置され、排気出口860はプレート上に配置される。プレートは、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組み合わせなどの材料を含むことができる。いくつかの例では、プレートは、そこを通って延在する排気ポート822を有している。排気出口860は、排気ポート822を介して延在する排気出口チューブ864を有している。入口ノズル862は排気出口チューブ864の一端に連結され、プレートの上方に配置される。別の例では、シャワーヘッド本体の上部806の上面は、中央チャネル816を包含する溝808を有している。Oリングは溝808内に配置されることがある。拡散プレート830は、中央チャネル816内において、本体802の側面から突出する突起やフランジに配置される。
一実施形態において、複数のガスチューブ880は、約5のチューブ乃至約50のチューブ、好ましくは約7のチューブ乃至約30のチューブ、より好ましくは約10のチューブ乃至約20のチューブの範囲内、例えば約14の数のチューブを有することができる。いくつかの例において、それぞれのチューブは、約0.5cm乃至約2cm、好ましくは約0.8cm乃至約1.2cmの範囲内、例えば約1cmの長さを有することができる。他の例において、それぞれのチューブは、約0.1インチ乃至約0.4インチ、好ましくは約0.2インチ乃至約0.3インチの範囲内、例えば0.23インチの直径を有することができる。ある例では、排気アセンブリ800がチューブ及び孔の単一の列を含んでいる。
一実施形態において、複数のガスチューブ880は、約500のチューブ乃至約1500のチューブ、好ましくは約700のチューブ乃至約1200のチューブ、より好ましくは約800のチューブ乃至約1000のチューブの範囲内、例えば約900の数のチューブを有することができる。いくつかの例において、それぞれのチューブは、約0.5cm乃至約2cm、好ましくは約0.8cm乃至約1.2cmの範囲内、例えば約1cmの長さを有することができる。他の例において、それぞれのチューブは、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。
いくつかの例では、チューブは皮下注射針である。チューブは、鋼、ステンレス鋼、300系のテンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組み合わせなどの材料を含むかそれらの材料から作製される。
一実施形態では、拡散プレート830上の複数のガス孔832のそれぞれの孔は、上側チューブプレート840上の複数のガス孔842のそれぞれの孔よりも大きな直径を有している。更に、拡散プレート830上の複数のガス孔832のそれぞれの孔は、下側の拡散プレート上の複数のガス孔854のそれぞれの孔よりも大きな直径を有している。また、上側チューブプレート840上の複数のガス孔842のそれぞれの孔は、下側チューブプレート850上の複数のガス孔854のそれぞれの孔と同じ又は実質的に同じ直径を有している。
一実施形態では、拡散プレート830は、鋼、ステンレス鋼、300系のテンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組合せなどの材料を含むかそれらの材料から作製される。別の実施形態において、拡散プレート830は、約5の孔乃至約50の孔、好ましくは約7の孔乃至約30の孔、より好ましくは約10の孔乃至約20の孔の範囲内の数の孔を含むことができる。拡散プレート830のそれぞれの孔は、約0.1インチ乃至約0.4インチ、好ましくは約0.2インチ乃至約0.3インチの範囲内、例えば0.23インチの直径を有することができる。一例において、拡散プレート830は孔の単一の列を含んでいる。別の実施形態において、拡散プレート830は、約20の孔乃至約200の孔、好ましくは約25の孔乃至約55の孔、より好ましくは約40の孔乃至約60の孔の範囲内の数の孔を含むことができる。拡散プレート830のそれぞれの孔は、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。
別の実施形態において、上側チューブプレート840及び/又は下側チューブプレート850は、それぞれ、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組合せなどの材料を含むかそれらの材料から作製される。一実施形態において、上側チューブプレート840及び/又は下側チューブプレート850は、それぞれ、約5の孔乃至約50の孔、好ましくは約7の孔乃至約30の孔、より好ましくは約10の孔乃至約20の孔の範囲内、手問えば14の数の孔を有している。上側チューブプレート840及び/又は下側チューブプレート850のそれぞれの孔は、それぞれ、約0.1インチ乃至約0.4インチ、好ましくは約0.2インチ乃至約0.3インチの範囲内、例えば0.23インチの直径を有することができる。別の実施形態においては、排気アセンブリ800は、約5孔/平方インチ(平方インチ毎の孔の数)乃至約30孔/平方インチ、好ましくは約8孔/平方インチ乃至約25孔/平方インチ、更に好ましくは約10孔/平方インチ乃至約20孔/平方インチの範囲内のチューブのガス孔密度及び/又は数を有している。
別の実施形態において、上側チューブプレート840及び/又は下側チューブプレート850は、それぞれ、約500の孔乃至約1500の孔、好ましくは約700の孔乃至約1200の孔、より好ましくは約800の孔乃至約1000の孔を有している。上側チューブプレート840及び/又は下側チューブプレート850のそれぞれの孔は、それぞれ、約0.005インチ乃至約0.05インチ、好ましくは約0.01インチ乃至約0.03インチの範囲内の直径を有することができる。
一例では、アイソレータアセンブリ800の本体802の上部806の上面は金属製のプレートである。他の例では、排気アセンブリ800は、矩形の形状又は正方形の形状を持つことができる。別の実施形態においては、排気アセンブリ800の本体802は、更に、温度調節システムを含んでいる。温度調節システム190などの温度調節システムは、本体802内に延在する流体経路818を含むことができ、また、流体経路818と連結され流体連通される入口814a及び出口814bを有することができる。入口814a及び出口814bは、それぞれ、図1Fに示されるように、液体貯留器又は温度調節システム190内の熱交換器180a、180b又は180cのような、少なくとも1つの熱交換器と連結されて流体連通している。
別の実施形態では、蒸着チャンバ内で利用される排気アセンブリ800は、上部806及び下部804を含む本体802と、本体802の上部806及び下部804を介して、本体802の内面809の間に、本体802を介して延在する中心軸801に平行に延在する中央チャネル816と、本体802の上部806に配置された排気出口860と、複数のガス孔832を含み、中央チャネル816内に配置された拡散プレート830と、複数のガス孔842を含み、中央チャネル816内であって拡散プレート830の下に配置された上側チューブプレート840と、複数のガス孔852を含み、中央チャネル816内であって上側チューブプレート840の下に配置された下側チューブプレート850と、上側チューブプレート840から下側チューブプレート850へと延び、各チューブが複数のガス孔842からの個々の孔及びガス孔852からの個々の孔と連結して流体連通する複数の排気チューブ880と、を有している。
排気アセンブリ800は、本体802の上部806に配置された上部プレート820を含んでいる。排気出口860は上部プレート820に配置されている。上部プレート820は、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、その合金、又はそれらの組み合わせなどの材料を含むかそれらの材料から作製することができる。上部プレート820は、通常、そこを通って延在する排気ポートを有している。排気出口860は、排気ポート822を介して延在する排気出口チューブ864を有している。一例において、排気ノズル862は排気出口チューブ864の一端に連結され、上部プレート820の上方に配置される。別の例では、排気アセンブリ本体の上部806の上面は、中央チャネル816を包含する溝808を有している。Oリングは溝808内に配置されることがある。拡散プレート830は、中央チャネル816内において、本体802の側面から突出する突起やフランジに配置される。
図9A−9Fは、本明細書の実施形態で記載したように、複数の反応装置1100a、1100b及び1100cを含む、反応装置システム1000、CVDシステムを示している。反応装置1100a、1100b及び1100cは、反応装置100と同じ反応装置であってもよいし、反応装置100の修正された派生例であってもよい。一実施形態では、反応装置1100aは、図9A−9Cに示すように、反応装置1100cに連結された応装置1100bに連結されている。反応装置1100aの一方の端部は、反応装置1100aの他方の端部がインターフェース1014で反応装置1100bの一方の端部と連結される一方、インターフェース1012で端部キャップ1050に連結されている。反応装置1100bの他方の端部は、反応装置1100cの他方の端部がインターフェース1016で端部プレート1002と連結される一方、インターフェース1016で反応装置1100cの一方の端部に連結されている。
図9D−9Fは、反応装置1100bと1100cとの間のインターフェース1018の部分の拡大図を示している。別の実施形態では、反応装置1100bは下側ラップジョイント1450を有するウエハキャリアトラック1400を含み、反応装置1100cは上側ラップジョイント1440を有するウエハキャリアトラックを含んでいる。
排気パージポート1080は、反応装置1100b内のウエハキャリアトラック1400と反応装置1100c内のウエハキャリアトラック1400との間に配置される。排気パージポート1080は、排気パージポート1080からウエハキャリアトラック1400へと延在する、経路1460と流体連通している。排気アセンブリ800と同様に、排気アセンブリ1058は、反応装置1100bの反応装置蓋アセンブリ上に配置される。排気アセンブリ1058は、排気パージポート1080からガスを除去するために使用される。排気アセンブリ1058は、排気出口1060、排気ノズル1062及び排気チューブ1064を含んでいる。
別の実施形態では、反応装置システム1000は、反応装置1100a、1100b及び1100cに加えて、追加の反応装置(図示せず)を含めることができる。一例では、第4の反応装置が反応装置システム1000に含まれている。別の例では、第5の反応装置が反応装置システム1000に含まれている。異なる構成と実施形態においては、反応装置システム1000は、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10あるいはそれ以上の反応装置を有している。他の実施形態では、反応装置1100a、1100b及び1100c又は表示されていない他の反応装置は、各反応装置(図示せず)において、1、2、3、4又はそれ以上のシャワーヘッドアセンブリを含むことができる。
ここに記載された代替の実施形態において、反応装置1100a、1100b及び1100cの他の構成が提供されているが、図面に例示されていない。一実施形態では、反応装置1100a、1100b又は1100cのそれぞれは、2つのシャワーヘッドアセンブリによって分離された3つの排気アセンブリを含むことができ、反応装置の蓋アセンブリのいずれかが、連続して、第1の排気アセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第2の排気アセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ、及び、第3の排気アセンブリを含んでいる。別の実施形態では、反応装置1100a、1100b又は1100cのそれぞれは、2つのシャワーヘッドアセンブリによって分離された3つのアイソレータアセンブリを含むことができ、反応装置の蓋アセンブリが、連続して、第1のアイソレータアセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第2のアイソレータアセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ、及び、第3のアイソレータアセンブリを含んでいる。
別の実施形態において、反応装置1100a、1100b又は1100cのそれぞれは、2つのシャワーヘッドアセンブリによって分離された、2つのアイソレータアセンブリ及び1つの排気アセンブリを含むことができ、反応装置の蓋アセンブリのいずれかが、連続して、第1のアイソレータアセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第2のアイソレータアセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ、及び、第1の排気アセンブリを含むことができる。別の例では、反応装置の蓋アセンブリのいずれかが、連続して、第1のアイソレータアセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第1の排気アセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ、及び、第2のアイソレータアセンブリを含むことができる。別の例では、反応装置の蓋アセンブリのいずれかが、連続して、第1の排気アセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第1のアイソレータアセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ、及び、第2のアイソレータアセンブリを含むことができる。
別の実施形態において、反応装置1100a、1100b又は1100cのそれぞれは、2つのシャワーヘッドアセンブリによって分離された、2つの排気アセンブリ及び1つのアイソレータアセンブリを含めることができ、反応装置の蓋アセンブリのいずれかが、連続して、第1の排気アセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第2の排気アセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ、及び、第1のアイソレータアセンブリを含むことができる。別の例では、反応装置の蓋アセンブリのいずれかが、連続して、第1の排気アセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第1のアイソレータアセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ、及び、第2の排気アセンブリを含むことができる。別の例では、反応装置の蓋アセンブリのいずれかが、連続して、第1のアイソレータアセンブリ、第1のシャワーヘッドアセンブリ、第1の排気アセンブリ、第2のシャワーヘッドアセンブリ、及び、第2の排気アセンブリを含むことができる。
反応装置100、反応装置システム1000、及び、これらの反応装置の派生物は、本明細書の実施形態で記載されているように、ウエハ又は基板上に種々の材料を形成するために、CVD、MOCVD及び/又はエピタキシャル蒸着プロセスのさまざまな目的で使用される。一実施形態では、III族の少なくとも1つの元素(例えば、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、又はインジウム)及びV族の少なくとも1つの元素(例えば、窒素、リン、ヒ素、又はアンチモン)を含む、III/V族材料は、ウエハ上に形成又は蒸着させることができる。蒸着材料の例として、窒化ガリウム、リン化インジウム、ガリウムリン化インジウム、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、それらの派生物、それらの合金、それらのマルチレイヤ、又はそれらの組み合わせを含めることができる。ここに示されたいくつかの実施形態では、蒸着材料は、エピタキシャル材料かもしれない。蒸着された材料又はエピタキシャル材料は、1層を含むことはできるが、通常は複数の層が含まれている。いくつかの例では、エピタキシャル材料は、ガリウムヒ素を有する層とアルミニウムガリウムヒ素を有する別の層とを含んでいる。別の例では、エピタキシャル材料は、ガリウムヒ素のバッファ層、アルミニウムガリウムヒ素の不動態層、及び、ガリウムヒ素活性層を含んでいる。ガリウムヒ素のバッファ層が約100nm乃至約500nmの範囲内、例えば約300nmを有し、アルミニウムガリウムヒ素の不動態層は、約10nm乃至約50nmの範囲内、例えば30nmの厚さを有し、ガリウムヒ素活性層は、約500nm乃至約2000nmの範囲内、例えば約1000nmの厚さを有する。いくつかの例では、エピタキシャル材料は、更に、第2のアルミニウムガリウムヒ素の不動態層を含んでいる。
一実施形態では、反応装置100又は反応装置システム1000に使用されるプロセスガスは、アルシン、アルゴン、ヘリウム、窒素、水素、又はそれらの混合物を含むことができる。一例では、プロセスガスは、アルシンなどのヒ素の前駆体を含む。他の実施形態では、第1の前駆体は、アルミニウムの前駆体、ガリウム前駆体、インジウムの前駆体、又はそれらの組み合わせを含めることができ、そして第2の前駆体は、窒素の前駆体、リンの前駆体、ヒ素の前駆体、アンチモンの前駆体又はそれらの組み合わせを含めることができる。
一実施形態では、CVD反応装置は、入口と出口における反応装置のトラックに沿って基板を浮かせるために、反応装置に窒素を供給するように構成することができる。水素/アルシン混合物は、また、出口と入口との間にCVD反応装置のトラックに沿って基板を浮かせるために使用することができる。トラックに沿ってのステージは、入口の窒素分離ゾーン、予熱排気、水素/アルシン混合予熱分離ゾーン、ガリウムヒ素の蒸着ゾーン、ガリウムヒ素の排出、アルミニウムガリウムヒ素の蒸着ゾーン、ガリウムヒ素N層蒸着ゾーン、ガリウムヒ素P層蒸着ゾーン、リンの水素アルシン分離ゾーンは、第1のリン、アルミニウムガリウムヒ素の蒸着ゾーン、リンアルミニウムガリウムヒ素の排気、第2のリンアルミニウムガリウムヒ素の蒸着ゾーン、水素/アルシン混合物クールダウン分離ゾーン、クールダウン排気、そして出口の窒素分離ゾーン、を含んでいる。反応装置を通過する基板の温度は、入口の分離ゾーンを通過する間に増加することができ、ゾーンを通過しながら維持することができ、又は、アルシンクールダウン分離ゾーンに近づいている間減少させることができる。
別の実施形態において、CVD反応装置は、入口と出口における反応装置のトラックに沿って基板を浮かせるために、反応装置に窒素を供給するように構成することができる。水素/アルシン混合物は、また、出口と入口との間にCVD反応装置のトラックに沿って基板を浮かせるために使用することができる。トラックに沿ってのステージは、入り口の窒素分離ゾーン、予熱排気、水素/アルシン混合予熱分離ゾーン、排気、蒸着ゾーン、排気、水素/アルシン混合物クールダウン分離ゾーン、クールダウン排気、及び出口窒素分離ゾーンを、含むことができる。反応装置システムを通過する基板の温度は、入り口の分離ゾーンを通過する間に増加したり、蒸着ゾーンを通過しながら維持したり、又は、アルシンクールダウン分離ゾーンに近づいている間に減少させることができる。
別の実施形態において、CVD反応装置は、入口と出口における反応装置のトラックに沿って基板を浮かせるために、反応装置に窒素を供給するように構成することができる。水素/アルシン混合物は、また、出口と入口との間にCVD反応装置のトラックに沿って基板を浮かせるために使用することができる。トラックに沿ってのステージは、入り口の窒素分離ゾーン、流れバランスの制御を備える予熱、活性水素/アルシン混合物の分離ゾーン、ガリウムヒ素の蒸着ゾーン、アルミニウムガリウムヒ素の蒸着ゾーン、ガリウムイソヒ素N層の蒸着ゾーン、ガリウムヒ素P層の蒸着ゾーン、リンアルミニウムガリウムヒ素の蒸着ゾーン、クールダウン排気、そして出口の窒素分離ゾーンを含むことができる。反応装置を通過する基板の温度は、入口分離ゾーンを通過する間に増加したり、蒸着ゾーンを通過しながら維持したり、又は、クールダウンの排気に近づいている間に減少させることができる。
別の実施形態において、CVD反応装置は、入口と出口における反応装置のトラックに沿って基板を浮かせるために、反応装置に窒素を供給するように構成することができる。水素/アルシン混合物は、また、出口と入口との間にCVD反応装置のトラックに沿って基板を浮かせるために使用することができる。トラックに沿ってのステージは、入り口の窒素分離ゾーン、流れバランスの制御を備える予熱、ガリウムヒ素の蒸着ゾーン、アルミニウムガリウムヒ素の蒸着ゾーン、ガリウムヒ素N層の蒸着ゾーン、ガリウムヒ素P層の蒸着ゾーン、リンアルミニウムガリウムヒ素の蒸着ゾーン、流れバランスの制御を備える予熱、流れバランスの制御を備えるクールダウン排気、そして出口の窒素分離ゾーンを含むことができる。反応装置を通過する基板の温度は、入口分離ゾーンを通過する間に増加したり、蒸着ゾーンを通過しながら維持したり、又は、クールダウンの排気に近づいている間に減少させることができる。
図17は第7の構成800を示している。CVD反応装置は、入口と出口における反応装置のトラックに沿って基板を浮かせるために、反応装置に窒素を供給するように構成することができる。水素/アルシン混合物は、また、出口と入口との間にCVD反応装置のトラックに沿って基板を浮かせるために使用することができる。トラックに沿ってのステージは、入り口の窒素分ゾーン、予熱排気、蒸着ゾーン、クールダウン排気、そして出口の窒素分離ゾーンを含むことができる。反応装置を通過する基板の温度は、入口分離ゾーンを通過する間に増加したり、蒸着ゾーンを通過しながら維持したり、又は、クールダウンの排気に近づいている間に減少させることができる。
一実施形態では、CVD反応装置は、アルミニウムヒ素材料を含む横方向成長犠牲層をエピタキシャルに成長させることと同様に、ガリウムヒ素材料とアルミニウムガリウムヒ素材料を含むダブルヘテロ構造をエピタキシャルに成長させるように構成することができる。いくつかの例では、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、及び、アルミニウムヒ素は、約1μm/分の速度で蒸着させることができる。いくつかの実施形態では、CVD反応装置は毎分約6枚乃至毎分約10枚のスループットを持つことができる。
実施形態では、CVD反応装置は1分あたり10cm×10cmの基板の蒸着速度を提供するように構成することができる。一実施形態では、CVD反応装置は、300nmのガリウムヒ素のバッファ層を提供するように構成することができる。一実施形態では、CVD反応装置は、30nmのアルミニウムガリウムヒ素の不動態化層を提供するように構成することができる。一実施形態では、CVD反応装置は、1000nmのガリウムヒ素活性層を提供するように構成することができる。一実施形態では、CVD反応装置は、30nmのアルミニウムガリウムヒ素の不動態層を提供するように構成することができる。一実施形態では、CVD反応装置は、1平方センチメートルあたり1×104未満の転位密度、99%の発光効率、及び、250ナノ秒の光ルミネセンスの寿命を提供するように構成することができる。
一実施形態において、CVD反応装置は、5nm±0.5nmの厚さを有するエピタキシャル横方向成長層;1×106より大きいエッチング;ゼロピンホール;及び、1時間あたり0.2mmより大きいアルミニウムヒ素エッチング速度を提供するよう構成することができる。
一実施形態において、CVD反応装置は、300℃以上の温度に対し10℃以下のエッジ温度の不均一性の中心軸;5以下のV−III比;及び、700℃の最大温度;を提供するよう構成することができる。
一実施形態において、CVD反応装置は、300nmのガリウムヒ素バッファ層を有する蒸着層;5nmのアルミニウムヒ素犠牲層;10nmのアルミニウムガリウムヒ素のウィンドー層;700nmのガリウムヒ素1×1017Si活性層;300nmのアルミニウムガリウムヒ素1×1019CP+層;を提供するよう構成することができる。
一実施形態において、CVD反応装置は、300nmのガリウムヒ素バッファ層を有する蒸着層;5nmのアルミニウムヒ素犠牲層;10nmのガリウムインジウムリンウィンドー層;700nmのガリウムヒ素1×1019Si活性層;100nmのガリウムヒ素CP層;300nmのガリウムインジウムリンPウィンドー層;20nmのガリウムインジウムリン1×1029P+トンネルジャンクソン層;20nmのガリウムインジウムリン1×1020N+トンネルジャンクション層;30nmのアルミニウムガリウムヒ素ウィンドー;400nmのガリウムインジウムリンN活性層;100nmのガリウムインジウムリンP活性層;30nmのアルミニウムガリウムヒ素Pウィンドー;300nmのガリウムヒ素P+コンタクト層、を有する蒸着層を提供するよう構成することができる。
上述した記載は本発明の実施形態に向けられているが、本発明の他の更なる実施形態は、基本的な範囲から逸脱することなく考案されることが可能で、その範囲は特許請求の範囲によって決定される。
Claims (84)
- 蒸着反応装置システム用の加熱ランプアセンブリにおいて:
支持ベースの上面上に配置され、第1のランプホルダと第2のランプホルダを有するランプハウジングと;
前記第1のランプホルダから前記第2のランプホルダへ延在する第1の複数のランプであって、当該第1の複数のランプの各ランプが分割フィラメントランプを具える、複数のランプと;
前記第1のランプホルダから前記第2のランプホルダへ延在する第2の複数のランプであって、当該第2の複数のランプの各ランプが非分割フィラメントランプを具える、複数のランプと;
前記第1のランプホルダと第2のランプホルダの間の前記支持ベースの上面上に配置したリフレクタと;
を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。 - 請求項1に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記分割フィラメントランプが、前記非分割フィラメントランプの間に交互に配置されていることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項1に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1の複数のランプの各々と、前記第2の複数のランプの各々が、前記第1及び第2のランプホルダの間に交互に配置されていることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項1に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1及び第2の複数のランプが、約10のランプ乃至約100のランプの範囲内のランプ総数を有することを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項4に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記ランプの総数が、約30のランプ乃至約40のランプの範囲内であることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項1に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記リフレクタの上面が金又は金合金を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項1に記載の加熱ランプアセンブリが更に、前記支持ベースの上面に沿って延在し、前記リフレクタから約90°の角度で延在する少なくとも一のミラーを具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項1に記載の加熱ランプアセンブリが更に、前記支持ベースの上面に沿って延在し、互いに対向しており、前記リフレクタから約90°の角度で延在する2つのミラーを具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項1に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、各ランプが電源、独立したスイッチ、及びコントローラに電気的に接続していることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項1に記載の加熱ランプアセンブリが更に、前記ランプの各々への電力を独立して制御するコントローラを具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項1に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記支持ベースが、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、これらの合金、又はこれらの組合せからなる群から選択した材料を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項1に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ又は前記第2のランプホルダが独立して、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、これらの合金、又はこれらの組合せからなる群から選択した材料を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項12に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ又は前記第2のランプホルダが独立して、ステンレス鋼又はその合金を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項13に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ又は前記第2のランプホルダが独立して、約2000W/m2−K乃至約3000W/m2−Kの範囲内の冷却効率を有することを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項14に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記冷却効率が、約2300W/m2−K乃至約2700W/m2−Kの範囲内であることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項12に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ及び前記第2のランプホルダの各々の厚さが、約0.001インチ乃至約0.1インチの範囲内であることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 蒸着反応装置システム用の加熱ランプアセンブリにおいて:
支持ベースの上面上に配置され、第1のランプホルダと第2のランプホルダを有するランプハウジングと;
前記第1のランプホルダの上に配置した第1の複数のポスト及び前記第2のランプホルダの上に配置した第2の複数のポストと;
複数のランプであって、各ランプが分割フィラメントランプ又は非分割フィラメントランプを具え、各ランプが、前記第1のランプホルダ上の一対のポストの間に配置されており、前記第1のランプホルダから前記第2のランプホルダへ延在しており、前記第2のランプホルダ上の一対のポストの間に配置されている複数のランプと;
前記第1のランプホルダと第2のランプホルダの間の前記支持ベースの上面上に配置したリフレクタと;
を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。 - 請求項17に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記分割フィラメントランプが、前記非分割フィラメントランプの間に交互に配置されていることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項17に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1の複数のランプの各々と、前記第2の複数のランプの各々が、前記第1及び第2のランプホルダの間に交互に配置されていることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項17に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記複数のランプが、約10のランプ乃至約100のランプの範囲内のランプ総数を有することを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項20に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記ランプの総数が、約30のランプ乃至約40のランプの範囲内であることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項17に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記リフレクタの上面が金又は金合金を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項17に記載の加熱ランプアセンブリが更に、前記支持ベースの上面に沿って延在し、前記リフレクタから約90°の角度で延在する少なくとも一のミラーを具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項17に記載の加熱ランプアセンブリが更に、前記支持ベースの上面に沿って延在し、互いに対向しており、前記リフレクタから約90°の角度で延在する2つのミラーを具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項17に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、各ランプが電源、独立したスイッチ、及びコントローラに電気的に接続していることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項17に記載の加熱ランプアセンブリが更に、前記ランプの各々への電力を独立して制御するコントローラを具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項17に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記支持ベースが、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、これらの又はこれらの組合せからなる群から選択した材料を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項17に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ又は前記第2のランプホルダが独立して、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、これらの合金、又はこれらの組合せからなる群から選択した材料を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項28に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ又は前記第2のランプホルダが独立して、ステンレス鋼又はその合金を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項29に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記冷却効率が、約2000W/m2−K乃至約3000W/m2−Kの範囲内であることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項30に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ又は前記第2のランプホルダが独立して、約2300W/m2−K乃至約2700W/m2−Kの範囲内の冷却効率を有することを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項28に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ及び前記第2のランプホルダの各々の厚さが、約0.001インチ乃至約0.1インチの範囲内であることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 蒸着反応装置システム用の加熱ランプアセンブリにおいて:
支持ベースの上面上に配置され、第1のランプホルダと第2のランプホルダを有するランプハウジングと;
前記第1のランプホルダの上に配置した第1の複数のポストと、前記第2のランプホルダの上に配置した第2の複数のポストと;
前記第1のランプホルダから前記第2のランプホルダへ延在している複数のランプであって、各ランプの第1の端部が前記第1のランプホルダ上の2本のポストの間に配置されており、各ランプの第2の端部が前記第2のランプホルダ上の2本のポストの間に配置されている複数のランプと;
前記第1のランプホルダと第2のランプホルダの間の前記支持ベースの上面上に配置したリフレクタと;
を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。 - 請求項33に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記複数のランプが、分割フィラメントランプと非分割フィラメントランプを具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項34に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記分割フィラメントランプが、前記非分割フィラメントランプの間に交互に配置されていることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項33に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記複数のランプが、約10のランプ乃至約100のランプの範囲内のランプ総数を有することを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項36に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記ランプの総数が、約30のランプ乃至約40のランプの範囲内のランプ総数を有することを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項33に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記リフレクタの上面が金又は金合金を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項33に記載の加熱ランプアセンブリが更に、前記支持ベースの上面に沿って延在し、前記リフレクタから約90°の角度で延在する少なくとも一のミラーを具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項33に記載の加熱ランプアセンブリが更に、前記支持ベースの上面に沿って延在し、互いに対向しており、前記リフレクタから約90°の角度で延在する2つのミラーを具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項33に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、各ランプが電源、独立したスイッチ、及びコントローラに電気的に接続していることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項33に記載の加熱ランプアセンブリが更に、前記ランプの各々への電力を独立して制御するコントローラを具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項33に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記支持ベースが、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、これらの合金、又はこれらの組合せからなる群から選択した材料を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項33に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ又は前記第2のランプホルダが独立して、鋼、ステンレス鋼、300系のステンレス鋼、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、これらの合金、又はこれらの組合せからなる群から選択した材料を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項44に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ又は前記第2のランプホルダが独立して、ステンレス鋼又はその合金を具えることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項45に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ又は前記第2のランプホルダが独立して、約2000W/m2−K乃至約3000W/m2−Kの範囲内の冷却効率を有することを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項46に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記冷却効率が、約2300W/m2−K乃至約2700W/m2−Kの範囲内であることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 請求項44に記載の加熱ランプアセンブリにおいて、前記第1のランプホルダ及び前記第2のランプホルダの各々の厚さが、約0.001インチ乃至約0.1インチの範囲内であることを特徴とする加熱ランプアセンブリ。
- 加熱ランプアセンブリによって蒸着反応装置システム内の基板又は基板サセプタを加熱する方法において:
基板サセプタの下面を加熱ランプアセンブリから発するエネルギィに露出させるステップと、
前記基板サセプタを所定の温度に加熱するステップを具え、前記加熱ランプアセンブリが:
支持ベースの上面の上に配置され、少なくとも一のランプホルダを具えるランプハウジングと;
前記少なくとも一のランプホルダから延在する複数のランプと;
前記支持ベースの上面上で、前記ランプホルダの隣で、前記ランプの下に配置したリフレクタと;を具える、
ことを特徴とする方法。 - 請求項49に記載の方法において、前記各ランプが分割フィラメントランプを具え、当該分割フィラメントランプが第1の端部と第2の端部との間に中心を具えることを特徴とする方法。
- 請求項50に記載の方法において、前記分割フィラメントランプの第1及び第2の端部が、前記分割フィラメントランプの中央より暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項51に記載の方法において、前記基板サセプタの外側エッジが、前記基板サセプタの中心点より暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項48に記載の方法において、前記ランプの各々が非分割フィラメントランプを具えており、当該非分割フィラメントランプが第1の端部と第2の端部の間に中心を有することを特徴とする方法。
- 請求項53に記載の方法において、前記非分割フィラメントランプの中心が前記非分割フィラメントランプの第1及び第2の端部より暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項54に記載の方法において、前記基板サセプタの中心点が、前記基板サセプタの外側エッジより暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項49に記載の方法において、前記複数のランプが、分割フィラメントランプと非分割フィラメントランプを具えることを特徴とする方法。
- 請求項56に記載の方法において、前記分割フィラメントランプの各々及び前記非分割フィラメントランプの各々が、互いの間に交互に配置されていることを特徴とする方法。
- 請求項56に記載の方法において、各ランプが独立して、電源及びコントローラに電気的に接続されていることを特徴とする方法。
- 請求項56に記載の方法が更に、各ランプへの電力流入量を独立して調整するステップを具えることを特徴とする方法。
- 請求項56に記載の方法において、前記分割フィラメントランプが第1の端部と第2の端部の間に中心を具え、前記分割フィラメントランプの第1及び第2の端部が、前記分割フィラメントランプの中心より暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項60に記載の方法において、前記基板サセプタの外側エッジが、当該基板サセプタの中心点より暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項56に記載の方法において、前記非分割フィラメントランプが第1の端部と第2の端部の間に中心を具え、前記非分割フィラメントランプの中心が、前記非分割フィラメントランプの第1及び第2の端部より暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項62に記載の方法において、前記基板サセプタの中心点が前記基板サセプタの外側エッジより暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項59に記載の方法において、前記基板サセプタが、基板キャリア、ウエハキャリア、又は浮動ウエハキャリアであることを特徴とする方法。
- 請求項49に記載の方法において、前記ランプハウジングが、第1のランプホルダと、前記支持ベースの上面上に配置された第2のランプホルダを具え、当該第1のランプホルダと第2のランプホルダが、互いに、平行又はほぼ平行に延在することを特徴とする方法。
- 請求項65に記載の方法において、前記リフレクタが、前記第1のランプホルダと第2のランプホルダとの間に配置されていることを特徴とする方法。
- 請求項66に記載の方法において、前記リフレクタが金又は金合金を具えることを特徴とする方法。
- 請求項65に記載の方法において、前記第1のランプホルダと第2のランプホルダの各々の厚さが約0.001インチ乃至約0.1インチの範囲内であることを特徴とする方法。
- 請求項68に記載の方法において、前記第1のランプホルダと第2のランプホルダが各々独立して、約275℃乃至約375℃の範囲内の温度に維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項69に記載の方法において、前記温度が約300℃乃至約350℃の範囲内に維持されていることを特徴とする方法。
- 加熱ランプアセンブリによって、蒸着反応装置システム内の基板又は基板サセプタを加熱する方法において:
基板サセプタの下面を加熱ランプアセンブリから発するエネルギィに露出させるステップと、
前記基板サセプタを所定の温度に加熱するステップと、を具え、前記加熱ランプアセンブリが:
支持ベースの上面に配置した、少なくとも一のランプホルダを具えるランプハウジングと;
前記少なくとも一のランプホルダから延在する複数のランプであって、分割フィラメントランプと非分割フィラメントランプを具える、複数のランプと;
前記支持ベースの上面上で、前記ランプホルダの隣、かつ前記ランプの下に配置したリフレクタと;
を具えることを特徴とする方法。 - 請求項71に記載の方法において、前記分割フィラメントランプの各々と、前記非分割フィラメントランプの各々が、互いの間に交互に配置されていることを特徴とする方法。
- 請求項71に記載の方法において、前記分割フィラメントランプの各々が、第1の端部と第2の端部の間に中心を具えることを特徴とする方法。
- 請求項73に記載の方法において、前記分割フィラメントランプの第1及び第2の端部が前記分割フィラメントランプの中心より暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項74に記載の方法において、前記基板サセプタの外側エッジが前記基板サセプタの中心点より暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項71に記載の方法において、前記非分割フィラメントランプの各々が、第1の端部と第2の端部の間に中心を具えることを特徴とする方法。
- 請求項76に記載の方法において、前記非分割フィラメントランプの中心点が、前記非分割フィラメントランプの第1及び第2の端部より暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 請求項77に記載の方法において、前記基板サセプタの中心点が、前記基板サセプタの外側エッジより暖かく維持されていることを特徴とする方法。
- 加熱ランプアセンブリによって、蒸着反応装置システム内の基板又は基板サセプタを加熱する方法において:
ウエハキャリアをウエハキャリアトラックに沿って、蒸着反応装置システム内の第1の処理チャンバを通って移動させるステップと;
前記ウエハキャリアの下面を加熱ランプアセンブリから発するエネルギィに露出させ、当該ウエハキャリアを第1の温度に加熱するステップであって、前記加熱ランプアセンブリが前記ウエハキャリアトラックの下に配置されており、複数のランプを具える、ステップと;
前記ウエハキャリアを前記ウエハキャリアトラックに沿って、前記蒸着反応装置システム内の第2の処理チャンバを通って移動させるステップと;
前記ウエハキャリアの下面を加熱ランプアセンブリから発するエネルギィに露出させ、当該ウエハキャリアを第2の温度に加熱するステップと;
を具えることを特徴とする方法。 - 請求項79に記載の方法において、前記ウエハキャリアが浮動ウエハキャリアであることを特徴とする方法。
- 請求項80に記載の方法が更に、前記ウエハキャリアの下面を、前記ウエハキャリアトラックの上面に設けた複数の孔から流れてくる浮上ガスに露出させることによって、前記ウエハキャリアを浮動させるステップを具えることを特徴とする方法。
- 請求項79に記載の方法において、前記第1の温度と前記第2の温度がそれぞれ、個別に、約275℃乃至約325℃の範囲内であることを特徴とする方法。
- 請求項80に記載の方法において、前記第1の温度と前記第2の温度がそれぞれ、個別に、約290℃乃至約310℃の範囲内であることを特徴とする方法。
- 請求項81に記載の方法において、前記第1の温度と前記第2の温度がそれぞれ、個別に、約300℃であることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (15)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16069909P | 2009-03-16 | 2009-03-16 | |
US16069009P | 2009-03-16 | 2009-03-16 | |
US16069409P | 2009-03-16 | 2009-03-16 | |
US16069609P | 2009-03-16 | 2009-03-16 | |
US16070309P | 2009-03-16 | 2009-03-16 | |
US16070009P | 2009-03-16 | 2009-03-16 | |
US16070109P | 2009-03-16 | 2009-03-16 | |
US61/160,696 | 2009-03-16 | ||
US61/160,700 | 2009-03-16 | ||
US61/160,694 | 2009-03-16 | ||
US61/160,701 | 2009-03-16 | ||
US61/160,699 | 2009-03-16 | ||
US61/160,703 | 2009-03-16 | ||
US61/160,690 | 2009-03-16 | ||
PCT/US2010/027542 WO2010107839A2 (en) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | Heating lamp system and methods thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012521095A true JP2012521095A (ja) | 2012-09-10 |
Family
ID=42729639
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012500906A Pending JP2012521096A (ja) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | 蒸着用シャワーヘッド |
JP2012500904A Pending JP2012521094A (ja) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | ウエハキャリアトラック |
JP2012500902A Pending JP2012521093A (ja) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | 蒸着反応装置システム及びその方法 |
JP2012500905A Pending JP2012521095A (ja) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | 加熱ランプシステム及びその方法 |
JP2012500907A Pending JP2012521097A (ja) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | 蒸着用反応装置蓋アセンブリ |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012500906A Pending JP2012521096A (ja) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | 蒸着用シャワーヘッド |
JP2012500904A Pending JP2012521094A (ja) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | ウエハキャリアトラック |
JP2012500902A Pending JP2012521093A (ja) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | 蒸着反応装置システム及びその方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012500907A Pending JP2012521097A (ja) | 2009-03-16 | 2010-03-16 | 蒸着用反応装置蓋アセンブリ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US20120106935A1 (ja) |
EP (5) | EP2409324A4 (ja) |
JP (5) | JP2012521096A (ja) |
KR (5) | KR20110128932A (ja) |
CN (6) | CN102422394B (ja) |
TW (5) | TW201042075A (ja) |
WO (5) | WO2010107843A2 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9635713B2 (en) | 2005-05-18 | 2017-04-25 | Judco Manufacturing, Inc. | Cordless handheld heater |
US20130209076A1 (en) * | 2005-05-18 | 2013-08-15 | Judco Manufacturing, Inc. | Handheld heater |
US9169554B2 (en) * | 2008-05-30 | 2015-10-27 | Alta Devices, Inc. | Wafer carrier track |
US20100209082A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-19 | Alta Devices, Inc. | Heating lamp system |
US8852696B2 (en) * | 2008-05-30 | 2014-10-07 | Alta Devices, Inc. | Method for vapor deposition |
US20100212591A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-26 | Alta Devices, Inc. | Reactor lid assembly for vapor deposition |
US20100206229A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-19 | Alta Devices, Inc. | Vapor deposition reactor system |
EP2359392A2 (en) | 2008-10-10 | 2011-08-24 | Alta Devices, Inc. | Concentric showerhead for vapor deposition |
US9127364B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-09-08 | Alta Devices, Inc. | Reactor clean |
US10066297B2 (en) | 2011-08-31 | 2018-09-04 | Alta Devices, Inc. | Tiled showerhead for a semiconductor chemical vapor deposition reactor |
US9644268B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-05-09 | Alta Devices, Inc. | Thermal bridge for chemical vapor deposition reactors |
US9212422B2 (en) | 2011-08-31 | 2015-12-15 | Alta Devices, Inc. | CVD reactor with gas flow virtual walls |
US20130269612A1 (en) * | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Hermes-Epitek Corporation | Gas Treatment Apparatus with Surrounding Spray Curtains |
US9328419B2 (en) * | 2012-04-18 | 2016-05-03 | Hermes-Epitek Corporation | Gas treatment apparatus with surrounding spray curtains |
CN103789747B (zh) * | 2012-10-26 | 2016-03-09 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种气体喷淋头及制作该气体喷淋头的方法 |
TWI502096B (zh) | 2013-06-17 | 2015-10-01 | Ind Tech Res Inst | 用於化學氣相沉積的反應裝置及反應製程 |
US9105286B2 (en) | 2013-07-30 | 2015-08-11 | HGST Netherlands B.V. | Method using epitaxial transfer to integrate HAMR photonic integrated circuit (PIC) into recording head wafer |
WO2015081072A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-06-04 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for forming a sealed chamber |
CN104911565B (zh) * | 2014-03-11 | 2017-12-22 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种化学气相沉积装置 |
US10332770B2 (en) * | 2014-09-24 | 2019-06-25 | Sandisk Technologies Llc | Wafer transfer system |
US10932323B2 (en) | 2015-08-03 | 2021-02-23 | Alta Devices, Inc. | Reflector and susceptor assembly for chemical vapor deposition reactor |
US10550469B2 (en) * | 2015-09-04 | 2020-02-04 | Lam Research Corporation | Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ALD) reactors |
US10780447B2 (en) * | 2016-04-26 | 2020-09-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead |
TWI747909B (zh) * | 2016-06-02 | 2021-12-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 連續化學氣相沉積(cvd)多區域處理套件 |
DE102016110788A1 (de) * | 2016-06-13 | 2017-12-14 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, insbesondere von Multi-Junction-Solarzellen im Durchlaufverfahren |
CN108321105A (zh) | 2018-03-23 | 2018-07-24 | 北京创昱科技有限公司 | 一种加热组件 |
US10612136B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR102192369B1 (ko) * | 2019-05-03 | 2020-12-17 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
CN111370498B (zh) * | 2020-03-23 | 2022-05-31 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种探测器小型永久高真空腔体及制备方法 |
EP3937219B1 (de) * | 2020-07-06 | 2023-08-30 | Siltronic AG | Verfahren zum erzeugen eines gasvorhangs aus spülgas in einem schlitzventiltunnel und schlitzventiltunnel |
WO2024101775A1 (ko) * | 2022-11-07 | 2024-05-16 | 주식회사 넥서스비 | 산화갈륨용 하이브리드 증착 장치 및 이를 이용한 하이브리드 증착 방법 |
Family Cites Families (127)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3650042A (en) | 1969-05-19 | 1972-03-21 | Ibm | Gas barrier for interconnecting and isolating two atmospheres |
US4074474A (en) * | 1975-10-08 | 1978-02-21 | Cristy Nicholas G | Floor support arrangement |
US4316430A (en) * | 1980-09-30 | 1982-02-23 | Rca Corporation | Vapor phase deposition apparatus |
US4545327A (en) | 1982-08-27 | 1985-10-08 | Anicon, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
US5871811A (en) * | 1986-12-19 | 1999-02-16 | Applied Materials, Inc. | Method for protecting against deposition on a selected region of a substrate |
US4975561A (en) * | 1987-06-18 | 1990-12-04 | Epsilon Technology Inc. | Heating system for substrates |
US4834020A (en) * | 1987-12-04 | 1989-05-30 | Watkins-Johnson Company | Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus |
KR0129663B1 (ko) * | 1988-01-20 | 1998-04-06 | 고다까 토시오 | 에칭 장치 및 방법 |
US4908495A (en) * | 1988-12-20 | 1990-03-13 | Texas Instruments Incorporated | Heating lamp assembly for ccvd reactors |
US5105762A (en) * | 1988-12-20 | 1992-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Support and seal structure for CCVD reactor |
US4941429A (en) | 1988-12-20 | 1990-07-17 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer carrier guide tracks |
US5156820A (en) * | 1989-05-15 | 1992-10-20 | Rapro Technology, Inc. | Reaction chamber with controlled radiant energy heating and distributed reactant flow |
US4928626A (en) * | 1989-05-19 | 1990-05-29 | Applied Materials, Inc. | Reactant gas injection for IC processing |
US5108792A (en) * | 1990-03-09 | 1992-04-28 | Applied Materials, Inc. | Double-dome reactor for semiconductor processing |
US5136975A (en) * | 1990-06-21 | 1992-08-11 | Watkins-Johnson Company | Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface |
US5518360A (en) * | 1990-11-16 | 1996-05-21 | Kabushiki-Kaisha Watanabe Shoko | Wafer carrying device and wafer carrying method |
JPH05152208A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
US5863337A (en) * | 1993-02-16 | 1999-01-26 | Ppg Industries, Inc. | Apparatus for coating a moving glass substrate |
US5413671A (en) * | 1993-08-09 | 1995-05-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus and method for removing deposits from an APCVD system |
JPH07228346A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-08-29 | Hitachi Ltd | 搬送装置、搬送処理装置及び被処理物搬送処理方法 |
US5746875A (en) * | 1994-09-16 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
JPH08176826A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | Cvd法による薄膜の堆積装置及び堆積方法並びに該堆積装置又は該堆積方法で用いられるcvd原料及び液体原料容器 |
US5776254A (en) * | 1994-12-28 | 1998-07-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition |
US5935337A (en) * | 1995-04-20 | 1999-08-10 | Ebara Corporation | Thin-film vapor deposition apparatus |
JP2845773B2 (ja) * | 1995-04-27 | 1999-01-13 | 山形日本電気株式会社 | 常圧cvd装置 |
US5892886A (en) * | 1996-02-02 | 1999-04-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes |
US5614026A (en) * | 1996-03-29 | 1997-03-25 | Lam Research Corporation | Showerhead for uniform distribution of process gas |
JP3360265B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JPH108402A (ja) | 1996-06-26 | 1998-01-13 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 軌道走行装置 |
US5863843A (en) * | 1996-07-31 | 1999-01-26 | Lucent Technologies Inc. | Wafer holder for thermal processing apparatus |
US5950925A (en) * | 1996-10-11 | 1999-09-14 | Ebara Corporation | Reactant gas ejector head |
JP3341619B2 (ja) * | 1997-03-04 | 2002-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US6153260A (en) * | 1997-04-11 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Method for heating exhaust gas in a substrate reactor |
US5792273A (en) * | 1997-05-27 | 1998-08-11 | Memc Electric Materials, Inc. | Secondary edge reflector for horizontal reactor |
US5968276A (en) * | 1997-07-11 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | Heat exchange passage connection |
US6352593B1 (en) * | 1997-08-11 | 2002-03-05 | Torrex Equipment Corp. | Mini-batch process chamber |
US6024044A (en) * | 1997-10-09 | 2000-02-15 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Dual frequency excitation of plasma for film deposition |
KR19990043658A (ko) | 1997-11-29 | 1999-06-15 | 윤종용 | 화학 기상 증착 방법을 이용한 반도체 소자의 박막 형성 방법 |
JP2000068222A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
JP2000072251A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-07 | Watanabe Shoko:Kk | 浮上搬送装置および浮上搬送システム |
US6244572B1 (en) | 1998-10-05 | 2001-06-12 | Robert Delsole | Carburetor float bowl drain screw and recovery system |
US6143079A (en) * | 1998-11-19 | 2000-11-07 | Asm America, Inc. | Compact process chamber for improved process uniformity |
JP2000159342A (ja) | 1998-11-20 | 2000-06-13 | Daiichi Shisetsu Kogyo Kk | 板状部材の搬送装置 |
US6254687B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-07-03 | Japan Process Engineering, Ltd. | Chemical vapor deposition system with reduced material deposition on chamber wall surfaces |
JP3911902B2 (ja) * | 1999-04-16 | 2007-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び金属部品の表面処理方法 |
JP2000306905A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Sony Corp | 薄膜形成装置 |
US6415736B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-07-09 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6121581A (en) * | 1999-07-09 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
EP1077274A1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-02-21 | Applied Materials, Inc. | Lid cooling mechanism and method for optimized deposition of low-k dielectric using tri methylsilane-ozone based processes |
KR100378871B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2003-04-07 | 주식회사 아펙스 | 라디칼 증착을 위한 샤워헤드장치 |
WO2001082348A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system |
US6635117B1 (en) * | 2000-04-26 | 2003-10-21 | Axcelis Technologies, Inc. | Actively-cooled distribution plate for reducing reactive gas temperature in a plasma processing system |
JP4021125B2 (ja) | 2000-06-02 | 2007-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | ウェハ移載装置の装置ユニット接続時に用いられるレールの真直性保持装置 |
KR100406174B1 (ko) * | 2000-06-15 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 강화 화학 기상 증착 장비에 사용되는 샤워 헤드 |
WO2002020864A2 (en) * | 2000-06-16 | 2002-03-14 | Applied Materials, Inc. | System and method for depositing high dielectric constant materials and compatible conductive materials |
US6805466B1 (en) * | 2000-06-16 | 2004-10-19 | Applied Materials, Inc. | Lamphead for a rapid thermal processing chamber |
JP4717179B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2011-07-06 | 日本電気株式会社 | ガス供給装置及び処理装置 |
US6562141B2 (en) * | 2000-07-03 | 2003-05-13 | Andrew Peter Clarke | Dual degas/cool loadlock cluster tool |
US6465761B2 (en) * | 2000-07-24 | 2002-10-15 | Asm America, Inc. | Heat lamps for zone heating |
JP4815724B2 (ja) * | 2000-09-08 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド構造及び成膜装置 |
US6905079B2 (en) * | 2000-09-08 | 2005-06-14 | Tokyo Electron Limited | Shower head structure and cleaning method thereof |
JP2002129334A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積装置のクリーニング方法及び気相堆積装置 |
JP4948701B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2012-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、当該加熱装置を有する熱処理装置、及び、熱処理制御方法 |
JP4765169B2 (ja) * | 2001-01-22 | 2011-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置と熱処理方法 |
JP2002261089A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
US6656838B2 (en) * | 2001-03-16 | 2003-12-02 | Hitachi, Ltd. | Process for producing semiconductor and apparatus for production |
US6886491B2 (en) * | 2001-03-19 | 2005-05-03 | Apex Co. Ltd. | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
KR100423954B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2004-03-24 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 화학기상증착방법 |
JP2003007622A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US20030066603A1 (en) * | 2001-08-20 | 2003-04-10 | Lord Corporation | Adhesive composition for bonding an elastomer to a substrate and a method for the bonding thereof |
JP2003121023A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱媒体循環装置及びこれを用いた熱処理装置 |
KR20030038396A (ko) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | 에이에스엠엘 유에스, 인코포레이티드 | 우선적인 화학 기상 증착 장치 및 방법 |
US20030124842A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-03 | Applied Materials, Inc. | Dual-gas delivery system for chemical vapor deposition processes |
JP3982402B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
KR20030078454A (ko) | 2002-03-29 | 2003-10-08 | 주식회사 엘지이아이 | 표면처리장치와 그 방법 및 표면처리된 제품 |
US6705457B2 (en) * | 2002-04-01 | 2004-03-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Transport device and method of transporting to-be-processed elements through a high-temperature zone |
JP4873820B2 (ja) * | 2002-04-01 | 2012-02-08 | 株式会社エフティーエル | 半導体装置の製造装置 |
JP2004055595A (ja) | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
KR100509231B1 (ko) * | 2003-01-03 | 2005-08-22 | 주식회사 아이피에스 | 박막증착용 반응용기 |
US7176144B1 (en) * | 2003-03-31 | 2007-02-13 | Novellus Systems, Inc. | Plasma detemplating and silanol capping of porous dielectric films |
KR20060064067A (ko) * | 2003-09-03 | 2006-06-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 가스 처리 장치 및 처리 가스 토출 기구의 방열 방법 |
WO2005074020A1 (ja) | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体製造装置およびそれを用いた半導体製造方法 |
JP4404303B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2010-01-27 | 株式会社アルバック | プラズマcvd装置及び成膜方法 |
US6888104B1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-05-03 | Applied Materials, Inc. | Thermally matched support ring for substrate processing chamber |
US8658945B2 (en) * | 2004-02-27 | 2014-02-25 | Applied Materials, Inc. | Backside rapid thermal processing of patterned wafers |
JP5291281B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2013-09-18 | 株式会社渡辺商行 | 浮上搬送装置及び浮上搬送方法 |
US20060021574A1 (en) * | 2004-08-02 | 2006-02-02 | Veeco Instruments Inc. | Multi-gas distribution injector for chemical vapor deposition reactors |
US20060073276A1 (en) * | 2004-10-04 | 2006-04-06 | Eric Antonissen | Multi-zone atomic layer deposition apparatus and method |
US20060102078A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-18 | Intevac Inc. | Wafer fab |
US20060128160A1 (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Yoo Woo S | Photoresist strip using solvent vapor |
KR20060076714A (ko) * | 2004-12-28 | 2006-07-04 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 원자층 증착기 |
JP2006279008A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-10-12 | Ushio Inc | ヒータ及びヒータを備えた加熱装置 |
JP4869612B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2012-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送システムおよび基板搬送方法 |
US7972441B2 (en) * | 2005-04-05 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Thermal oxidation of silicon using ozone |
KR101272321B1 (ko) | 2005-05-09 | 2013-06-07 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 복수의 기체 유입구를 가지는 원자층 증착 장치의 반응기 |
KR100731164B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2007-06-20 | 주식회사 피에조닉스 | 샤워헤드를 구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
KR20080049705A (ko) | 2005-06-08 | 2008-06-04 | 파이어콤스 리미티드 | 면방출 광학 장치 |
EP1734202A1 (fr) * | 2005-06-14 | 2006-12-20 | Tarkett SAS | Panneau pourvu d'un adhésif repositionnable, en particulier pour le revêtement de sols, murs ou plafonds |
US8372203B2 (en) * | 2005-09-30 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus temperature control and pattern compensation |
US7691204B2 (en) * | 2005-09-30 | 2010-04-06 | Applied Materials, Inc. | Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation |
JP4594241B2 (ja) | 2006-01-06 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置、基板搬送方法及びコンピュータプログラム |
JP2007182304A (ja) | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置、基板搬送方法及びコンピュータプログラム |
US7685965B1 (en) * | 2006-01-26 | 2010-03-30 | Lam Research Corporation | Apparatus for shielding process chamber port |
KR100752622B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | 한양대학교 산학협력단 | 원거리 플라즈마 발생장치 |
JP4709662B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-06-22 | 三菱重工業株式会社 | 透明電極膜の製膜方法及び太陽電池の製造方法 |
US20070218702A1 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-20 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor |
JP4916802B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2012-04-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
US20080220150A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Applied Materials, Inc. | Microbatch deposition chamber with radiant heating |
JP2008255386A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2008270670A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
WO2008147225A1 (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | New Zealand Heavy Engineering Research Association Incorporated | Panels |
US20080302052A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Kelly Gibson | Panelling system formed from panels defined by tongue and groove strips |
JP5076697B2 (ja) * | 2007-07-17 | 2012-11-21 | 株式会社Ihi | 薄板移送装置、薄板処理移送システム、及び薄板移送方法 |
US20090071403A1 (en) * | 2007-09-19 | 2009-03-19 | Soo Young Choi | Pecvd process chamber with cooled backing plate |
US20090133631A1 (en) * | 2007-11-23 | 2009-05-28 | Applied Materials Inc. | Coating device and method of producing an electrode assembly |
CN201151852Y (zh) * | 2007-12-13 | 2008-11-19 | 张秀福 | 铁路钢轨轨缝纵向联接结构 |
US20090194024A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Applied Materials, Inc. | Cvd apparatus |
CN201190181Y (zh) * | 2008-04-23 | 2009-02-04 | 吴明鸿 | 化学气相沉积系统的多片式活动电镀车台 |
US8859042B2 (en) * | 2008-05-30 | 2014-10-14 | Alta Devices, Inc. | Methods for heating with lamps |
US9169554B2 (en) * | 2008-05-30 | 2015-10-27 | Alta Devices, Inc. | Wafer carrier track |
CN102084460A (zh) * | 2008-05-30 | 2011-06-01 | 奥塔装置公司 | 用于化学气相沉积反应器的方法和设备 |
WO2009148913A2 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Mattson Technology, Inc. | Process and system for varying the exposure to a chemical ambient in a process chamber |
JP5276387B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
US8961691B2 (en) * | 2008-09-04 | 2015-02-24 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus, film deposition method, computer readable storage medium for storing a program causing the apparatus to perform the method |
US8652259B2 (en) * | 2008-10-09 | 2014-02-18 | Silevo, Inc. | Scalable, high-throughput, multi-chamber epitaxial reactor for silicon deposition |
CN102246273A (zh) | 2008-10-10 | 2011-11-16 | 奥塔装置公司 | 连续进给式化学气相沉积 |
EP2359392A2 (en) * | 2008-10-10 | 2011-08-24 | Alta Devices, Inc. | Concentric showerhead for vapor deposition |
-
2010
- 2010-03-16 CN CN201080021046.1A patent/CN102422394B/zh active Active
- 2010-03-16 KR KR1020117024341A patent/KR20110128932A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-03-16 TW TW099107657A patent/TW201042075A/zh unknown
- 2010-03-16 WO PCT/US2010/027547 patent/WO2010107843A2/en active Application Filing
- 2010-03-16 WO PCT/US2010/027540 patent/WO2010107837A2/en active Application Filing
- 2010-03-16 JP JP2012500906A patent/JP2012521096A/ja active Pending
- 2010-03-16 US US13/257,273 patent/US20120106935A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-16 JP JP2012500904A patent/JP2012521094A/ja active Pending
- 2010-03-16 EP EP10754008.0A patent/EP2409324A4/en not_active Withdrawn
- 2010-03-16 US US13/257,275 patent/US20120067282A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-16 JP JP2012500902A patent/JP2012521093A/ja active Pending
- 2010-03-16 US US13/257,264 patent/US20120067286A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-16 TW TW099107644A patent/TW201043724A/zh unknown
- 2010-03-16 KR KR1020117024339A patent/KR20120003455A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-03-16 KR KR1020117024338A patent/KR20110131291A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-03-16 WO PCT/US2010/027542 patent/WO2010107839A2/en active Application Filing
- 2010-03-16 EP EP10754010.6A patent/EP2409319A4/en not_active Withdrawn
- 2010-03-16 WO PCT/US2010/027538 patent/WO2010107835A2/en active Application Filing
- 2010-03-16 TW TW099107659A patent/TW201037100A/zh unknown
- 2010-03-16 EP EP10754013.0A patent/EP2409320A4/en not_active Withdrawn
- 2010-03-16 CN CN201080020750.5A patent/CN102422392B/zh active Active
- 2010-03-16 US US13/257,269 patent/US8985911B2/en active Active
- 2010-03-16 EP EP10754006A patent/EP2409318A2/en not_active Withdrawn
- 2010-03-16 CN CN201080020492.0A patent/CN102422407B/zh active Active
- 2010-03-16 JP JP2012500905A patent/JP2012521095A/ja active Pending
- 2010-03-16 KR KR1020117024337A patent/KR20110131290A/ko active IP Right Grant
- 2010-03-16 EP EP10754014.8A patent/EP2409321A4/en not_active Withdrawn
- 2010-03-16 CN CN2010800210141A patent/CN102422393A/zh active Pending
- 2010-03-16 KR KR1020117024340A patent/KR20110131292A/ko active IP Right Grant
- 2010-03-16 JP JP2012500907A patent/JP2012521097A/ja active Pending
- 2010-03-16 CN CN201510196727.6A patent/CN104962879A/zh active Pending
- 2010-03-16 TW TW099107646A patent/TW201038764A/zh unknown
- 2010-03-16 WO PCT/US2010/027545 patent/WO2010107842A2/en active Application Filing
- 2010-03-16 TW TW099107650A patent/TW201043727A/zh unknown
- 2010-03-16 US US12/725,326 patent/US20100229793A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-16 CN CN201080020505.4A patent/CN102422390B/zh active Active
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012521095A (ja) | 加熱ランプシステム及びその方法 | |
US8859042B2 (en) | Methods for heating with lamps | |
US9169554B2 (en) | Wafer carrier track | |
US20160130724A1 (en) | Heating lamp system | |
US8852696B2 (en) | Method for vapor deposition | |
US20100206229A1 (en) | Vapor deposition reactor system | |
US20100212591A1 (en) | Reactor lid assembly for vapor deposition | |
US8602707B2 (en) | Methods and apparatus for a chemical vapor deposition reactor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 Effective date: 20130326 |