TW201037100A - Vapor deposition reactor system and methods thereof - Google Patents

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201037100 一 六、發明說明： :卜· 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例大體而言係關於用於氣相沉積之裝置 及方法’且更特定言之’係關於化學氣相沉積系統、反 應器及其製程。 【先前技術】 〇 〇 通常藉由利用多種製造程序來製造光電或太陽能元 件、半導體元件或其他電子元件以操縱一基材之表面。 此等製造製程可包括沉積、退火、蝕刻、摻雜、氧化、 氮化及許多其他製程。大體而言，該等製造設備通常將 部分或整個基礎基材併入該電子元件之最終架構。舉例 而言，光電元件通常形成於一石申化鎵晶圓上，該石申化鎵 晶圓經合併為該最終光電元件之内部部件。 遙晶移植（EL0)為用於製造薄膜元件及材料之—不 常用技術’其未將該基礎基材併入該等最終製造元件

中。磊晶層、薄膜或材料係成長或沉積於一犧牲層上， 該犧牲層係藉由化學氣相沉積（C cvd(m〇cvd)製程配置於 茨、屬有機 衣狂直以如_化鎵晶目之 上。隨後，在濕酸浴中選擇性地蝕刻掉該犧牲 在ELO蝕刻製程期間使磊晶材料盘成長、二°時 分編材料為一薄層或薄膜且通二離。該經 晶薄膜。每-磊晶薄膜通常含有相’’、、薄膜或磊 3有相對於諸如光電或太陽 4 201037100 他電子元件之特定元件具有變 能元件、半導體元件或其 化組合物之眾多層。 該CVD製程包括藉由氣相化學前驅物之反應成長或 :積蟲晶薄膜之步驟。* M〇CVD製程期間，該等化學 前驅物中至少—者為金屬有機化合物，亦即，具有金屬 原子及含有有機片段之至少—個配位體的化合物。 ^幕多類型之CVD反應器可用於極不同應用中。舉例而

a ’ CVD反應器包括單一或大塊晶圓反應器、大氣壓及 低，反應器、周圍溫度及高溫反應器，以及電漿增強反 應器。此等獨特設計解決在CVD製程期間遭遇之多種挑 戰，諸如耗盡效應、污染問題、反應器維護、產出率及 生產成本。 因此對於CVD反應器及製程而言，需要以與藉由當 前已知之CVD裝備及製程相比污染更小、時間與高產出 率之消耗更小及更便宜之更有效方式在基材上成長蟲晶 薄膜堆疊》 【發明内容】 本發明之實施例大體上關於用於化學氣相沉積（CVD ) 之裝置及方法。一實施例中’提供一種CVD反應器，其 包括配置於反應器主體上的一反應器蓋組件。一實例 中’反應器蓋組件含有在一蓋支撐件上彼此緊鄰且連續 線性配置的一第一喷淋頭組件、一隔離器組件，一第二 5 201037100 喷淋頭組件以及一排氣組件。 曰圓恭目灿，苦w器主體具有配置在一 曰曰圓載具軌道上的一晶曰 * . ， ’、’以及具有複數個燈且配 置在該晶圓載具軌道下方的燈組^ 在許多實施例中’第— X弟一噴淋頭組件進—

有.一主體，其具有一上A 上邓邠分以及一下部部分；一 心通道，延伸穿過該主體 τ 體的該上部部分以及該下部部 为，在該主體的内表面之間 夂間延伸，且平行於延伸穿過主

體之中心轴。該第一或第-喊似 - 及第一嘴淋頭組件可進一步含有一 視情況任選的擴散板，负且古 ，、八有複數個第一孔並且配置在 該中心通道内；一上部管板’其具有複數個第二孔並且 配置在中心、通道内該視情況任選的擴散板下方；一下部 管板’其具有複數個第三孔且配置於中心通道内上部管 板下方；以及複數個管，其自上部管板延伸至下部管板， 其中每-管耦接至來自複數個第二孔之一個別孔及來自 複數個第三孔之一個別孔，並與其形成流體連通。 在另一實施例中，反應器蓋組件含有在一蓋支撐件上 彼此緊鄰且連續線性配置的—第一喷淋頭組件、一隔離 器組件，一第二喷淋頭組件以及一排氣組件。反應器主 體具有配置在一懸浮晶圓載具軌道上的一懸浮晶圓載 具’以及具有複數個燈且配置在該晶圓載具軌道下方的 燈組件。 另一實例中，反應器蓋組件含有在一蓋支撐件上彼此 緊鄰且連續線性配置的一第一噴淋頭組件、一隔離器組 件’一第二噴淋頭組件以及一排氣組件。反應器主體具 6 201037100 有配置在一晶圓載具軌道上的一晶圓載具，以及含有複 * 數個燈以及配置在該晶圓載具執道下方的一反射器之燈 : 組件。 另一實例中，反應器蓋組件含有在一蓋支撐件上彼此 緊鄰且連續線性配置的一第一喷淋頭組件、一隔離器組 件’一第二喷淋頭組件以及一排氣組件。反應器主體具 有··一晶圓载具，其配置在一晶圓載具軌道上；一燈組 件’其含有複數個燈且配置在該晶圓载具執道下方；一 〇 第一面板，其配置在該反應器主體之一端上，其中該第 一喷淋頭組件配置在該第一面板與該隔離器組件之間； 以及一第二面板’其配置在該反應器主體之另一端上， 其中該排I組件配置在該第二喷淋頭組件與該第二面板 之間。 另實例中’該反應益蓋組件含有在一蓋支樓件上彼 此緊鄰且連續線性配置的—第一喷淋頭組件、一隔離器 Q 組件，一第二喷淋頭組件以及一排氣組件。反應器主體 具有一晶圓載具’其配置在一晶圓载具軌道上；一燈組 件’其含有複數個燈且配置在該晶圓載具軌道下方；以 及一溫度調節系統。該溫度調節系統含有一第一流體通 路’其延伸貝穿該反應器蓋且含有一第一入口以及一第 一出口，該第一入口及第一出口與該第一流體通路耦接 並且流體連通，以及一第二流體通路，其延伸貫穿該反 , 應器主體且含有一第二入口以及一第二出口，該第二入 口及第二出口與該第二流體通路耦接並且流體連通。 7 201037100 ； 另—實施例中，提供一種CVD反應器’其包括一反應 ： 器蓋組件，其配置於一反應器主體上，其中該反應器蓋 組件含有於一蓋支撐件上彼此緊鄰配置的一第一喷淋頭 組件以及一隔離器組件，以及於該蓋支撐件上彼此緊鄰 配置的一第二喷淋頭組件以及一排氣組件，其中該隔離 器組件配置於該第一及第二喷淋頭組件之間，且該第二 噴淋頭組件配置於該隔離器組件以及該排氣組件之間。 ❹ 另一實例中，提供—種CVD反應器，其包括一反應器 蓋組件，其配置於一反應器主體上，其中該反應器蓋組 件含有：一第一腔室，其具有於一蓋支撐件上彼此緊鄰 配置的一第一喷淋頭組件以及一隔離器組件；以及一第 二腔室，其具有於該蓋支撐件上彼此緊鄰配置的一第二 喷淋頭紅件以及一排氣組件；其中該隔離器組件配置於 該第一及第二噴淋頭組件之間，且該第二喷淋頭組件配 置於該隔離器組件以及該排氣組件之間。 Ο 另實例中’提供一種CVD反應器，其包括一反應器 蓋組件，其配置於一反應器主體上，其中該反應器蓋組 件含有於一蓋支撐件上彼此緊鄰連續地配置且對準的一 第喷淋頭組件、一隔離器組件、一第二喷淋頭組件以 及一排氣組件。 ， $ 一實例中，提供-種CVD反應器，其包括一反應器 蓋組件’其配置於-反應器主體上’其中該反應器蓋組 件3有於一蓋支撐件上彼此緊鄰且連續線性配置的一第 喷淋頭、’且件、-隔離器組件、-第二噴淋頭組件以及 8 201037100 一排氣組件，Α Λ _ _ ”中該隔離器組件配置於該第一喷淋頭組 件及該第—噴淋頭組件之間，而該第二噴淋頭組件配置 於該隔離器組件以及該排氣組件之間。 另一實例中，袒板 ^ ^ 如供一種CVD反應器，其包括一反應器 蓋組件’其配置― 万、反應器主體上，其中該反應器蓋組 付—甚 、盖支推件上彼此緊鄰且連續線性配置的一第 一噴淋頭組件、—眩缺扭A ^ h離Is組件、一第二喷淋頭組件以及

排氣..且件’並且含有一溫度調節系統，其具有至少一 個机體通路’該流體通路延伸貫穿該蓋支料並且具 有至夕個入口以及至少一個出口，該出口及入口與該 流體通路耦接並流體連通。 另一實例中，提供-種CVD反應器，其包括一反應器 蓋、，且件其配置於—反應器主體上，其中該反應器蓋組 件含有.一第一腔室，其具有於一蓋支撐件上彼此緊鄰 配置的一第一噴淋頭組件以及一隔離器組件；一第二腔 室’其具有於該蓋支撐件上彼此緊鄰配置的一第二喷淋 頭組件以及一排氣組件，其中該隔離器組件配置於該第 一及第二喷淋頭組件之間；以及一溫度調節系統，其具 有至少一個流體通路，該流體通路延伸貫穿該蓋支撐 件’並且具有至少—個入口以及至少一個出口，該出口 及入口與該流體通路耦接並流體連通。 在某些實例中’該第一喷淋頭組件可為一模組化噴淋 頭組件，該第二噴淋頭組件可為一模組化喷淋頭組件， 該隔離器組件可為一模組化隔離器組件，該排氣組件可 9 201037100 為一模組化排氣組件。 *. 另一實施例中，提供一種用於在一氣相沉積反應器内 處理一晶圓的方法，其包括：藉由將—晶圓載具的一下 表面暴露至一懸浮氣體而從一晶圓載具軌道懸浮一晶圓 載具，該懸浮氣體流自一氣相沉積反應器内配置於該晶 圓載具軌道的-上表面上的複數個孔，纟中該晶圓載具 的該上表面具有至少一個晶圓；藉由將該晶圓載具軌道 的-下表面暴露至來自-燈組件發射的輻射，而將該晶 圓與該晶圓載具加熱至一預定溫度；沿該晶圓載具執道 使該晶圓載具橫穿具有-第—喷淋頭組件以及一隔離器 組件的-第-腔室；將該晶圓暴露至流自該第一喷淋頭 的一第一前驅物（例如，鎵前驅物或其他第三族前驅物） 以及-第二前驅物（例如，砷前驅物或其他第五族前驅 物”將該晶圓暴露至流自該隔離器組件的一製程氣體 (例如，胂氣）；沿該晶圓载具軌道使該晶圓載具橫穿具 〇 有—第二喷淋頭組件以及-排氣組件的-第二腔室；將 該晶圓暴露至流自該第二噴淋頭的氣態前驅物之混人 物；以及透過該排氣組件從該氣相沉積反應器移除1 體。在某些實例中’該預定溫度適於從約275°C至約 325°C之範圍内，較佳為從約29()β(：至約31代，諸如約 300〇C。 ' ; 在-實施例中’該製程氣體含有胂、1、氦、氮、氫 或其混合物。在-實例中，該製程氣體含有石申前驅物， 諸如胂3實施例中，該第一前驅物可含有銘前驅物、 10 201037100 鎵前驅物、銦前驅物或其組合，而該第二前驅物可含有 氮前驅物、磷前驅物、砷前驅物、銻前驅物或其組合。 另一實施例中，提供一種用於在一氣相沉積反應器内 處理一晶圓的方法，其包括：藉由將一晶圓載具軌道的 一下表面暴露至來自一燈組件發射的輻射，而將配置在 該晶圓載具上的至少一個晶圓加熱至一預定溫度，其中 該晶圓載具配置在一氣相沉積反應器内的該晶圓載具軌 道上；沿該晶圓載具軌道使該晶圓載具橫穿具有一第一 喷淋頭組件以及一隔離器組件的一第一腔室；將該晶圓 暴露至流自該第一噴淋頭的氣態前驅物之一第一混合 物’同時沉積一第一材料；將該晶圓暴露至流自該隔離 器組件的一製程氣體（例如，胂氣）；沿該晶圓載具軌道 使該晶圓載具橫穿具有一第二喷淋頭組件以及一排氣組 件的一第二腔室；將該晶圓暴露至流自該第二喷淋頭的 氣態前驅物之一第二混合物，同時沉積一第二材料；以 及透過該排氣組件從該氣相沉積反應器移除氣體。在某 些實例中’該預定溫度適於從約275°C至約3251之範圍 内’較佳為從約290°C至約310。(：，諸如約3〇〇〇c。 另一實施例中，提供一種用於在一氣相沉積反應器内 處理-晶圓的方法，其包括：藉由將—晶圓載具軌道的 一下表面暴露至來自一燈組件發射的輻射，而將配置在 該晶圓載具上的至少一個晶圓加熱至—預定溫度，其中 該晶圓載具配置在-氣相沉積反應器内的該晶圓載純 道上；使-液體流過延伸貫穿該氣相沉積反應器之一反

II 201037100 應器蓋Μ件的—通路，以使該反應器蓋組件維持於 定溫度：其中該液體以及該通路與-溫度調節系統流體 連通’沿該晶圓载具軌道使該晶圓載具橫穿具有:’1 喷淋頭組件以及—隔離器組件的第 生# n 股至’將該晶圓 暴 ’爪自该第一喷淋頭的氣態前驅物之—塗 禾一混合 ❹ 物’同時沉積—第-材料；將該晶圓暴露至流自該隔離 器組件的-製程氣體（例如’胂氣）；沿該晶圓載具軌道 使該晶圓載具橫穿具有一第二喷淋頭組件以及一排氣組 件的一第二腔室；將該晶圓暴露至流自該第二噴淋頭的 氣態前驅物之ϋ合物，同肖沉積一第二材料；以 及透過該排氣組件從該氣相沉積反應器移除氣體。在某 些實例中，該預定溫度適於從約275〇c至約325。〇之範圍 内’較佳為從約290°C至約310〇C，諸如約3〇〇〇c。 另一實施例中，提供一種用於在一氣相沉積反應器内 處理一晶圓的方法，其包括：藉由將—晶圓載具軌道的 一下表面暴露至來自一燈組件發射的輻射，而將配置在 該晶圓載具上的至少一個晶圓加熱至一預定溫度，其中 該晶圓載具配置在一氣相沉積反應器内的該晶圓載具軌 道上；使一液體流過延伸貫穿該氣相沉積反應器之一反 應器主體組件的一通路’以使該反應器主體組件維持於 一預定溫度’其中該液體以及該通路與一溫度調節系統 流體連通；沿該晶圓載具軌道使該晶圓載具橫穿具有— 第—噴淋頭組件以及一隔離器組件的一第一腔室；將該 晶圓暴露至流自該第一喷淋頭的氣態前驅物之一第—現 12 201037100 合物’同時沉積—第一材料；將該晶圓暴露至流自該隔 離器組件的一製程氣體（例如，胂氣）；沿該晶圓載具軌 道使該晶圓載具橫穿具有一第二喷淋頭組件以及一排氣 组件的一贫 —

一腔至，將該晶圓暴露至流自該第二喷淋頭 的氣態前驅物之—第二混合物，同時沉積一第二材料； 以及透過該排氣組件從該氣相沉積反應器移除氣體。在 某些實例中’該預定溫度適於從約275°C至約325°C之範 圍内，較佳為從約290。(：至約310。(：，諸如約300T：。 另實施例中’提供一種用於在一氣相沉積反應器内 處理-晶圓的方法，其包括：使一懸浮氣體流進一晶圓 載具轨道内的—孔穴且從在一氣相沉積反應器内配置於 該曰曰圓載具軌道之一上表面上的複數個孔流出；藉由將 B曰圓載具的一下表面暴露至從該等孔流出的該懸浮氣 體而從遠晶B1載具軌道懸浮—晶圓載具，其中該晶圓載 八、上表面具有至少一個晶圓；藉由將該晶圓載具軌 下表面暴露至來自一燈組件發射的輻射，而將該 晶圓與該晶圓載具加熱至一預定溫度；以及沿該晶圓載 :軌道使該晶圓載具橫穿至少兩個腔室，其中一第一腔 至3有帛一喷淋頭組件以及一隔冑器組件而一第二腔 室含有-第二喷淋頭組件以及一排氣組件。在某些實例 中，該預定溫度適於從約275t至約325。〇之範圍内，較 佳為從約290t至約31〇t，諸如約3〇(rc。 另一實施例中，提供_播用^^ ㈣《用於在—氣相沉積反應器内 處理—晶圓的方法，其包括.雜士 m #㈣—晶圓載具軌道的 13 201037100 • -下表面暴露至來自-燈組件發射的輻射，而將配置在 •該晶圓載具上的至少-個晶圓加熱至一預定溫度，其中 —該晶圓載具配置在—氣相沉積反應器内的該晶圓載具軌 道上；使一液體流過延伸貫穿該氣相沉積反應器之一反 應器蓋組件的一通路，以使該反應器蓋組件維持於一預 定溫度’其中該液體以及該通路與—溫度調節系統流體 連通；沿該晶圓載具轨道使該晶圓載具橫穿至少兩個腔 室’其中u室含有—第―喷淋頭組件以及—隔離 ° 器組件而一第二腔室含有一第二喷淋頭組件以及一排氣 組件；以及透過該排氣組件從該氣相沉積反應器移除氣 體。在某些實例中，該預定溫度適於從約275它至約 325°C之範圍内，較佳為從約29〇它至約31〇它，諸如約 300〇C。 另一實施例中，提供-種用於在一氣相沉積反應器内 處理-晶®的方法，其包括：藉由將—晶圓載具軌道的 〇 一下表面暴露至來自一燈組件發射的輻射，而將配置在 該晶圓載具上的至少一個晶圓加熱至—預定溫度，其中 該晶圓載具配置在-氣相沉積反應器内的該晶圓載具軌 道上；使一液體流過延伸貫穿該氣相沉積反應器之—反 貞器主體組件的n以使該反應器主體組件維持於 ,一預定溫度’其中該液體以及該通路與-溫度調節系统 • 流體連通；沿該晶圓載具軌道使該晶圓載具橫穿至少兩 • 個腔室，其中—第-腔室含有-第—喷淋頭組件以及一 隔離器組件而-第二腔室含有一第二噴淋頭組件以及一 201037100 排氣組件；以及透過該排氣址件從該氣相沉積反應器移 除亂體。在某些實例中，該預定溫度適於從約275^至 約325°C之範圍内，較佳為從約29〇t至約3i〇t，諸如 約 300〇C。 【實施方式】

❹ 本發明之實施例大體而言係關於諸如金屬有機cvd (MOCVD)製程之化學氣相沉積（CVD)之一裝置及方 法。如本文所陳述，本發明之實施例經描述為其係關於 一大氣遷CVD反應器及金屬有機前驅物氣體。然而，應 注意，本發明之彼等態樣並非限於供大氣壓CVD反應器 或金屬有機前驅物氣體使用，但適用於其他類型之反應 器系統及前驅物氣體。為更好地理解本發明之裝置及其 使用方法之新穎性’下文參閱該等隨附圖式。 根據本發明之一實施例，提供一種大氣壓CVD反應 器。該CVD反應器可用以在諸如砷化鎵基材之一基材上 提供多個磊晶層。此等磊晶層可包括砷化鋁鎵、砷化鎵 及砷化磷鎵。此等磊晶層可成長在該砷化鎵基材上以用 於稍後移除，以便該基材可經再使用以產生額外材料。 在一實施例中，該CVD反應器可用以提供太陽能電池。 此等太陽能電池可進一步包括單接面、異接面或其他組 態。在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以將2,5瓦 特晶圓形成在10公分X10公分之基材上。在—實施例 15 201037100 中’該CVD反應ϋ可提供每分鐘約丨個基材至每分鐘約 ίο個基材之產出率範圍。 第1A圖至第1E圖描繪如本文所描述之—實施例中护 述之反應器1〇o、CvD反應器或腔室。反應器1〇〇含有田 配置於反應器主體組件102上之反應器蓋組件2〇〇。反 應器蓋組件200及其組件進—步圖示於第2a圖至第 圖中且反應器主體組件102進一步圖示於第3圖中。 Ο

G 反應器蓋組件2GG含有-喷射器或隔離器，即㈣器 組件5〇0’其配置於兩個噴淋頭（即喷淋頭組件γ〇〇)之 間。反應器蓋組件200亦含有排氣组件8〇〇。第⑴圖描 緣含有諸如腔室站16〇、腔室站162之兩個沉積站的反 應器⑽。腔室站⑽含有喷淋頭組件鳩及隔離器組 件500 ’而腔至站162含有嘴淋頭組件及排氣組件 _。在-實施例中’隔離器組件5⑼可用以流動氣體以 將喷淋頭組件700兩者彼此分離，而排氣組件_可用 以將反應g 1〇〇之内部環境隔離連接至面板Μ之另一 反應器。 在本文所述之許多實施例中，纟淋頭組件7〇〇中之每 一者可為模組化喷淋頭組件，隔離器組件中之每一 者可為模組化隔離器組件，且排氣組件8〇〇中之每一者 可為模組化排氣組件。如達成特定製程條件所需，噴淋 頭組件700、隔離器組件5⑽及/或排氣組件刪中之任 一者可自反應器蓋組件200移除，且可用相同或不同組 件來替代。喷淋頭組件7。。、隔離器組件500及/或排氣 16 201037100 組件800之該等模組化組件可經獨立地裝設以用於定位 在一 CVD反應器系統内。 在本文所述之替代實施例中，雖然提供反應器1〇〇之 其他組態’但其未圖示於諸圖中。在一實施例中，反應 器100之反應器蓋組件200含有由兩個喷淋頭組件7〇〇 分離之三個排氣組件800，以便反應器蓋組件2〇〇相繼 含有第一排氣組件、第一喷淋頭組件、第二排氣組件、 第二喷淋頭組件及第三排氣組件。在另一實施例中，反 應器100之反應器蓋組件200含有由兩個噴淋頭組件 分離之三個隔離器組件5〇〇，以便反應器蓋組件2〇〇相 繼含有第一隔離器組件、第一喷淋頭組件、第二隔離器 組件、第二喷淋頭組件及第三隔離器組件。 在另一實施例中，反應器100之反應器蓋組件2〇〇含 有由兩個噴淋頭組件700分離之兩個隔離器組件5〇〇及 一個排氣組件800，以便反應器蓋組件200相繼含有第 -隔離器組件、第一喷淋頭組件、第二隔離器組件、第 *噴淋頭組件及第—排氣組件。在另—實例中，反應器 蓋組件200可相繼含有第一隔離器組件、第一喷淋頭組 第排氣組件、第二喷淋頭組件及第二隔離器組件。 另實例中，反應器蓋組件200可相繼含有第一排氣 組件、第-喷淋頭組件、第一隔離器組件、第二喷淋頭 組件及第二隔離器組件。 在另一實施Μ中，反應胃100之反應器蓋組件200含 有由兩個噴淋頭組件綱分離之兩個排氣組件綱及一 17 201037100 • 個隔離器組件500 ’以便反應器蓋組件200相繼含有第 . 一排氣組件、第一喷淋頭組件、第二排氣組件、第二嘴 淋頭組件及第一隔離器組件。在另一實例中，反應器蓋 組件200可相繼含有第一排氣組件、第一喷淋頭組件、 第一隔離器組件、第二噴淋頭組件及第二排氣組件。在 另一實例中，反應器蓋組件200可相繼含有第一隔離器 組件、第一噴淋頭組件、第一排氣組件、第二喷淋頭組 ^ 件及第二排氣組件。 〇 反應器主體組件102在一端含有面板110且在相對端 含有面板112。面板110及面板112可各自獨立地用以將 類似於或不同於反應器1〇〇之額外反應器耦接在一起， 或耦接一端蓋、一端板、一晶圓/基材處置器或另—元 件。在一實例中，反應器1〇〇之面板110可耦接至另— 反應器（未圖示）之面板112。類似地，反應器1〇〇之 面板112可搞接至另一反應器（未圖示）之面板ι1〇。密 Ο 封件、間隔件或〇型環可配置於兩個接合面板之間。在 一實施例中’該密封件可含有諸如鎳或鎳合金之金屬。 在一實例中，該密封件為一刃狀金屬密封件。在另一實 施例中’該密封件含有聚合物或彈性體，諸如可購自

DuPont Performance Elastomers L.L.C 之 KALREZ®彈性 體密封件。在另一實施例中，該密封件可為一螺旋密封 . 件或一Η型密封件。該密封件或〇型環應形成一氣密密 封件，以防止或大幅減少周圍氣體進入反應器1〇〇。在 使用或生產期間，可在極少或無氧、水或二氧化碳之情 18 201037100 - 況下維持反應器1 00。在一實施例中，可在獨立地約1 00 - PPb (十億分率）或更少，較佳約10 ppb或更少，更佳 約1 ppb或更少，且更佳約100 ppt (萬億分率）或更少 之氧濃度、水濃度及/或二氧化碳濃度之情況下維持反應 器 1〇〇。 側面120及侧面130沿著反應器主體組件1〇2之長度 延伸。側面120具有上表面128且側面13〇具有上表面 138。反應器主體組件102之上表面114及上表面116在 上表面128與上表面138之間延伸。上表面114在反應 器主體組件102上（僅位於内部）且與面板11()平行， 且上表面116在反應器主體組件102上（僅位於内部） 且與面板112平行。氣體入口 123耦接至側面12〇且自 其延伸。該懸浮氣體或載送氣體可經由氣體入口 123引 入至反應器100中。該懸浮氣體或載送氣體可含有氮、 氦、氬 '氫或其混合物。 ¢) 第1F圖描繪根據本文所描述之一實施例之反應器 100’反應器100耦接至溫度調節系統19〇並且包括反應 器主體組件102及反應器蓋組件200。在第1F圖中將溫 度調節系統190圖示為具有三個熱交換器18〇a、丨8〇b及 18〇c°然而’溫度調節系統190可具有耦接至反應器100 之各°卩分且與各部分形成流體連通之1、2、3、4、5個 • 或更多個熱交換器。熱交換器180a、i80b或180c中之 每者可含有至少一個液體供應器182及至少一個液體 回流器184。每一液體供應器182可藉由導管186耦接 19 201037100 ；至反應11 100 Λ之入口並與其形成流體連通，而每—液 •體回流器I84可藉由導管U6耗接至反應器1〇〇上之出 —口並與其形成流體連通。導管186可包括管路（pipe)、配 管（tubing)、軟管、其他中空管線或其組合。閥188可用 於液體供應器182與入口之間或液體回流器184與出口 之間的每一導管186上。 反應器主體組件1〇2耦接至作為熱調節系統之部件的 至少一個熱交換器並與其形成流體連通。在一些實施例 0 中，反應器主體組件1〇2可耦接至兩個、三個或更多個 熱交換器並與其形成流體連通。第1B圖描繪入口 118& 及出口 118b，其耦接至反應器1〇〇之下部部分1〇4及該 熱調節系統，並與反應器1〇〇之下部部分1〇4及該熱調 節系統形成流體連通。 在一實施例中’入口 122a、122b及122c，及出口 i26a、 126b及126c耦接至側面12〇並自其延伸。至少一個熱 Q 交換器耦接至入口 122a、122b及122c，及出口 126a、 126b及126c並與其形成流體連通。入口 I?. 2a、122b及 122c可接收來自該等熱交換器之液體，而出口 i26a、126b 及126c將該液體送回至該熱交換器。在一實施例中，每 一入口 122a、122b或122c定位於比每一各別出口 126a、 126b或126c更低之位置’以便流動液體自每一入口 122a、122b或122c向上流過每一連接通路至每一各別出 口 126a 、 126b 或 126c 。 在另一實施例中，入口 132a、132b及132c，及出口 20 201037100 . 136a、136b及136c耦接至側面130並自其延伸。至少一 個熱交換器耦接至入口 132a、132b及132c，及出口 136a、136b及136c並與其形成流體連通。入口 132a、 132b及13 2c可接收來自該熱交換器之液體，而出口 136a、136b及136c將該液體送回至該熱交換器。 第1C圖至第1D圖圖示反應器主體組件1〇2，其含有 流體通路 124a、124b、124c、134a、134b 及 134c。在一 實例中’流體通路124a在側面120内且沿著反應器主體 ^ 組件1〇2之部分長度延伸。流體通路124a耦接至入口 122a及出口 126a並與其形成流體連通。又，流體通路 1 34a在側面1 3 0内且沿著反應器主體組件1 〇2之部分長 度延伸。流體通路134a耦接至入口 132a及出口 136a並 與其形成流體連通。 在另一實例中，流體通路124b在反應器主體組件1〇2 内之架子或支架臂146内且沿著反應器主體組件1〇2之 ◎ 部分長度延伸。流體通路124b耦接至入口 122b及出口 126b並與其形成流體連通。又，流體通路i34t)在反應 器主體組件102内之架子或支架臂146内且沿著反應器 主體組件1 02之部分長度延伸。流體通路134b耦接至入 口 13 2b及出口 13 6b並與其形成流體連通。 在另一實例中，流體通路124c自侧面120延伸，穿過

V 反應器主體組件102之寬度，並至側面130。流體通路 • 124c耦接至入口 122c及出口 132c並與其形成流體連 通°又’流體通路124c自側面130延伸，穿過反應器主 21 201037100 . 體組件1 02之寬度’並至側面13 0。流體通路124c耦接 至入口 126c及出口 136c並與其形成流體連通。 在另一實施例中，反應器主體組件102含有配置於其 中之晶圓載具軌道400及加熱燈系統600。加熱燈系統 可用以加熱配置於反應器100上方及内部之晶圓載具執 道400、晶圓載具及晶圓90。晶圓載具軌道400可在諸 如支架臂146之架子上。大體而言’晶圓載具軌道400 可配置於支架臂146與炎臂148之間。支架臂146可含 〇 有橫穿其之流體通路124b及流體通路i 34b。 在一實施例中，諸如一墊圈或一 〇型環之間隔件i 42 可配置於晶圓載具軌道400之下表面與支架臂ΐ4ό之上 表面之間。又，諸如一墊圈或一 〇型環之間隔件144可 配置於晶圓載具軌道400之上表面與夾臂148之下表面 之間。間隔件142及間隔件144用以形成圍繞晶圓載具 軌道400之間隔或間隙，其有助於晶圓載具軌道4〇〇之 〇 熱管理。在一實例中，支架臂146之上表面具有用於容 納間隔件142之凹槽。又，夾臂148之下表面具有用於 容納間隔件144之凹槽。 第2A圖至第2C圖描繪根據本文所描述之另一實施例 之反應器蓋組件200。反應器蓋組件2〇〇含有配置於蓋 支撐件210上之喷淋頭組件7〇〇及隔離器組件500 (腔 室站I60)與噴淋頭組件700及排氣組件800 (腔室站 1 62 )。第2D圖描繪如一實施例中所描述之在反應器蓋組 件200内谷納之蓋支撐件21〇。蓋支撐件具有下表 22 201037100 面208及上表面212。凸緣220自蓋支撐件210向外延 伸且具有下表面222。在將反應器蓋組件200配置於反 應器主體組件102上時，凸緣220有助於支撐反應器蓋 組件200。凸緣220之下表面222可與反應器主體組件 102之上表面114、116、128及138實體接觸。 在一實施例中，喷淋頭組件700可配置於蓋支撐件21〇

之噴淋頭通口 230及250内，隔離器組件5〇〇可配置於 蓋支撐件210之隔離器通口 240内，且排氣組件8〇〇可 配置於蓋支撐件210之排氣通口 26〇内。該氣體或排氣 組件之幾何形狀通常與各別通口之幾何形狀匹配。每一 噴淋頭組件700及喷淋頭通口 23〇、25〇可獨立地具有矩 形或正方形幾何形狀。一製程路徑（諸如在製造製程期 間晶圓載具480沿著晶圓載具軌道4〇〇向前行進之路徑） 沿著蓋支撐件21G之長度以及晶圓載具軌道伽延伸。 噴淋頭通口 230具有長度232及寬度234且嘴淋頭通 口 250具有長度252及寬度254。隔離器組彳5〇〇及隔 離器通口 240可獨立地具有矩形或正方形幾何形狀。_ 離器，口⑽具有長度242及寬度244。排氣組件綱 排氣通口 260可獨立地具有矩形或正方形幾何形狀。 排氣通口 260具有長度262及寬度264。 竣裒程路徑沿著噴淋頭 ^八 < 仗沒232及其中之 第一喷淋頭組件延伸，沿著隔離器通π 24G之長度242 及其中之隔離器組件延伸，沿著喷淋頭通σ㈣之長度 252及其中之第二噴淋頭組件延伸，且沿著排氣通口· 23 201037100 * 之長度262及其中之排氣組件延伸。又，該製程路徑垂 晷 ,γ·_, , 直於或大體上垂直於喷淋頭通口 23 0之寬度234及其中 之第一喷淋頭組件、垂直於隔離器通口 240之寬度244 及其中之隔離器組件、垂直於喷淋頭通口 250之寬度254 及其中之第二噴淋頭組件，且垂直於排氣通口 26〇之寬 度264及其中之排氣組件延伸。 在一些實例中，第一喷淋頭組件700、隔離器組件 ◎ 500、第二喷淋頭組件700及排氣組件800彼此緊鄰且沿 著一沿蓋支撐件之長度延伸之製程路徑而連續配置。隔 離器組件500以及排氣組件800可各自具有一寬度，該 寬度大體上相同於或大於該製程路徑之寬度。又，隔離 器組件50Q或排氣組件800可獨立地具有一寬度，該寬 度大體上相同於或大於第一及第二喷琳頭組件7〇〇之寬 度。 在一實施例中，喷淋頭組件700獨立地具有正方形幾 〇 何形狀，且隔離器組件500及排氣組件8〇〇具有正方形 幾何形狀。在一實例中，隔離器通口 24〇之寬度244及 隔離器組件500之寬度可橫跨該腔室内部之寬度延伸。 在另一實例中，排氣通口 260之寬度264及排氣組件8〇〇 之寬度可橫跨該腔室内部之寬度延伸。 ·· 在一些實施例中，噴淋頭通口 230之寬度234、喷淋 • 頭通口 250之寬度254及母一噴淋頭組件7〇〇之寬度可 獨立地在約3吋至約9吋，較佳約5吋至約7吋之範圍 内（例如，約6吋）。又，喷淋頭通口 23〇之長度232、 24 201037100 喷淋頭通口 25〇之長度252及每—喑 戈淋碩組件700之長 度可獨立地在約3吋至約9吋，較估奶e 权佳約5吋至約7吋之 範圍内（例如，約6时）。 在其他實施例中，隔離器通口 24〇之寬度2料及隔離 器組件500之寬度可獨立地在約3吋至約12对，較佳約 忖’且更佳約"至約6时之範圍内。又， 隔離器通口 240之县磨24?；? Ra轴 心贡厌Z4Z及隔離盗組件500之長度可

獨立地在約〇.5吋至約5吋，較佳 4平又住杓1吋至約4吋，約 1.5吋至約2吋之範圍内。 在其他實施例中，排氣通口 26〇之寬度264及排氣組 件800之寬度可獨立地在約3吋至約12吋較佳約々吋 至約8吋，且更佳、約5吋至約6吋之範圍内。又，排氣 通口 260之長度262及#氣組件8〇〇之長度可獨立地在 約0.5吋至約5吋，較佳約〗吋至約4吋，約15吋至約 2吋之範圍内。 反應器蓋組件200可耦接至作為熱調節系統之部件的 至少一個熱交換器並與其形成流體連通。在一些實施例 中’反應器蓋組件200可輕接至兩個、三個或更多個熱 交換器並與其形成流體連通。 如第2A圖中所描繪’反應器蓋組件2〇〇之熱調節系統 含有入口 214a、216a 及 218a，及出口 214b、216b 及 218b。 每一對入口及出口耦接至延伸貫穿反應器蓋組件2〇0之 通路並與其形成流體連通。入口 214a、216a及218a可 接收來自該熱交換器之液體，而出口 214b、216b及218b 25 201037100 . 將該液體送回至該熱交換器。在一些實施例中，該溫度 轟 調節系統利用熱交換器以獨立地將反應器主體組件1〇2 * . 及/或反應器蓋組件200維持在約250°C至約350°c之範圍 内，較佳約275°C至約325°C之範圍内，較佳約”(^至 約3 1 0°C之範圍内（諸如約300°C )的溫度下。 第2B圖至第2C圖圖示流體通路U4、226及228。流 體通路224配置於入口 214a與出口 214b之間，入口 214a 及出口 214b可耦接至一熱交換器並與其形成流體流 ❹ 通。流體通路224配置於喷淋頭組件700與排氣組件8〇〇 之間。又，流體通路226配置於入口 216a與出口 216b 之間’且流體通路228配置於入口 218a與出口 218b之 間，其兩者可獨立地耦接至一熱交換器並與其形成流體 流通。流體通路226配置於喷淋頭組件7〇〇與隔離器組 件500之間，且流體通路228配置於喷淋頭組件7〇〇與 隔離器組件500之間。 〇 流體通路224部分地形成於凹槽213與板223之間。 類似地’流體通路226部分地形成於凹槽215與板22 5 之間’且流體通路228部分地形成於凹槽217與板227 之間。凹槽213、215及217可形成於蓋支撐件21〇之下 表面208内。第2D圖描繪覆蓋凹槽213、215及217分 別的板223 ' 225及227 °

A ： 在一實施例中，提供用於氣相沉積之反應器蓋組件 2〇0’其包括彼此緊鄰配置於蓋支撐件21〇上之第一喷淋 頭組件700及隔離器組件500，及彼此緊鄰配置於蓋支 26 201037100 . 撐件210上之第二喷淋頭組件700及排氣組件800，其 羼 中隔離器組件500配置於第一與第二喷淋頭組件700之 * 間’且第二喷淋頭組件7〇〇配置於隔離器組件500與排 氣組件800之間。 在另一實施例中，提供用於氣相沉積之反應器蓋組件 2〇〇’其包括腔室站160,其具有彼此緊鄰配置於蓋支撐 件210上之第一喷淋頭組件7〇〇及隔離器組件500 ;及 腔室站162’其具有彼此緊鄰配置於蓋支撐件21〇上之 第二喷淋頭組件700及排氣組件8〇〇，其中隔離器組件 500配置於第一與第二喷淋頭組件7〇〇之間，且第二喷 淋頭組件700配置於隔離器組件500與排氣組件8〇0之 間。 在另一實施例中，提供用於氣相沉積之反應器蓋組件 200 ’其包括彼此緊鄰連續且線性地配置於蓋支撐件2 j 〇 上之第一喷淋頭組件700、隔離器組件5〇〇、第二噴淋頭 〇 組件700及排氣組件800 ’其中隔離器組件50〇配置於 第一與第二喷淋頭組件700之間’且第二噴淋頭組件7〇〇 配置於隔離器組件500與排氣組件8〇〇之間。 在另一實施例中，提供用於氣相沉積之反應器蓋組件 2〇〇，其包括彼此緊鄰連續且線性地配置於蓋支樓件21〇 • 上之第一喷淋頭組件700、隔離器組件5〇〇、第二喷淋頭 組件700及排氣組件800 ;及溫度調節系統19〇，其具有 至少一個液體或流體通路，但通常可具有兩個、三個或 更多個液體或流體通路，諸如延伸貫穿蓋支樓件21〇之 27 201037100 ； 流體通路224、226及228。溫度調節系統19〇進一步具 ； 有耦接至流體通路224、226及228並與其形成流體連通 之至少一個入口（諸如入口 214a、216a&2i8a)及至少 —個出口（諸如出口 2 14b、216b 及 218b 入口 214a、 216a及218a，及出口 214b、216b及218b中之每一者可 獨立地輕接至貯液器、熱交換器或諸如熱交換器18〇a、 1801)及180(：之多個熱交換器並與其形成流體連通。在 ^ 實例中’該貯液器可含有或為水、醇、乙二醇、乙二 醇喊、有機溶劑或其混合物之源。 在一貫例中，第一喷淋頭組件700可配置於溫度調節 系統190之兩個獨立流體通路之間，該等流體通路延伸 穿過反應器蓋組件200。在另一實例中，第二噴淋頭組 件7〇〇可配置於溫度調節系統190之兩個獨立流體通路 之間’該等流體通路延伸穿過反應器蓋組件2〇〇。在另 一實例中，隔離器組件500可配置於溫度調節系統i 9〇 D 之兩個獨立流體通路之間，該等流體通路延伸穿過反應 器蓋組件200。在另一實例中，排氣組件8〇〇可配置於 溫度調節系統190之兩個獨立流體通路之間，該等流體 通路延伸穿過反應器蓋組件2〇〇。 在另一實施例中，提供用於氣相沉積之反應器蓋組件 ** 其包括腔室站160,其具有彼此緊鄰配置於蓋支撐 二件210上之第一噴淋頭組件7〇〇及隔離器組件5〇〇 ;腔 至站162’其具有彼此緊鄰配置於蓋支撐件21〇上之第 一喷淋頭組件700及排氣組件800，其中隔離器組件5〇〇 28 201037100 700之間；及溫度調節系 配置於第一與第二噴淋頭組件 統 190。 7G〇、隔離器組件 800彼此緊鄰並沿 在一實施例中，第一喷淋頭組件 500、第二喷淋頭組件7〇〇及排氣組件 著蓋支撐件210之長度而連續配置。在—些實施例中， 隔離Μ件500可具有比第—或第二喷淋頭組件7〇〇更 長之寬度。在其他實施例中，隔離器組件5〇〇可具有比 第一或第二喷淋頭組件7〇〇番Ε ώ 土 1于/υϋ更短之長度。在一些實施例 中’排氣組件8 0 〇可呈右士贫 八有比第一或第二噴淋頭組件7〇〇

更長之寬度。在其他實施例中，排氣組件_可具有比 第一或第二喷淋頭組件700更短之長度。 在一些實例中，第一嘴淋頭組件700、隔離器組件 淋独件彻及排氣組# _獨立地具有矩 形幾何形狀。在其他實例中，第—喷淋頭組件7⑽及第 一喷淋頭組件700具有正方形幾何形狀。蓋支撐件21〇 可含有一材料或由該材料製成，諸如鋼、不銹鋼、300 系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬鋁、其合金或其組合。 實《丨&供第一噴淋頭組件700、第二噴淋頭組件700 或隔離器組件500獨立地具有：-主體，其含有配置於 一下部部分上之—上部部分；—中心通道，其在該主體 之内表面之間延伸穿過該主體之上部部分及下部部分， 且平行於延伸穿過該主體之—中心轴；一擴散板，其具 有複數個第-孔且配置於該中心通道内；-上部管板， 有複數個第二孔且配置於中心通道内擴散板下方； 29 201037100 一下部管板，其具有複數個 上部管板下方。喷淋頭組件 任一者獨立地可進一步具有 管板之複數個管，其中每— 之個别孔及來自複數個第 流體連通。 第三孔且配置於中心通道内 7〇〇或隔離器組件500中之 自該上部管板延伸至該下部 管耦接至來自複數個第二孔 三孔之一個別孔並與其形成

在另-實施例中，排氣組件刚含有：__主體，其具 有配置於—下部部分上之-上部部分；-中心通道，其 在該主體之内表面之間延伸穿過該主體之上部部分及下 部部分，且平行於延伸穿過該主體之一中心轴；一排氣 出口，其配置於該主體之上部部分上；—擴散板，其具 有複數個第一孔且配置於該中心通道内；一上部管板， 其具有複數個第二孔且配置於中心通道内擴散板下方； 一下部管板，其具有複數個第三孔且配置於中心通道内 上°卩g板下方。排氣組件800可進一步含有自上部管板 延伸至下部管板之複數個管’其中每一管耦接至來自第 二複數個孔之一個別孔及來自第三複數個孔之一個別孔 並與其形成流體連通。 第4A圖至第4E圖描繪根據本文所描述之一實施例之 晶圓載具軌道400。在另一實施例中，提供用於懸浮及 橫過基材感受器（諸如在如反應器100之氣相沉積反應 器系統内之懸浮晶圓載具480)之晶圓載具轨道400，其 包括配置於晶圓載具軌道400之下段412上的晶圓載具 軌道400之上段410。氣穴430形成於晶圓載具軌道400 30 201037100 ； 之上段410與下段412之間。兩個側表面416沿著晶圓 . 載具軌道400之上段410延伸並彼此平行。導引路徑420 在兩個側表面41 6之間並沿著上段41 〇之上表面41 8延 伸。複數個氣孔43 8配置於導引路徑420内且自上段41 0 之上表面418延伸，穿過上段41〇，並至氣穴430中。 在另一實施例中，上部搭接接頭44〇配置於晶圓載具 軌道400之一端處’且下部搭接接頭450配置於晶圓載 ❹ 具執道400之相對端處，其中上部搭接接頭440沿著導 引路徑420之一部分及側表面41 6延伸。上部搭接接頭 440具有延伸遠於下段412之下表面442 ^下部搭接接頭 450具有延伸遠於晶圓載具軌道4〇〇之導引路徑42〇及 側表面416之上表面452。 大體而δ ’晶圓載具軌道400之上段410及/或下段412 可獨立地含有石英。在一些實例中，晶圓載具軌道4〇〇 之下段412可為一石英板。晶圓載具執道4〇〇之上段410 Ο 及下段412可被融合在一起。在一特定實例中，上段410 及下段412皆含有石英且被融合在一起於其間形成氣 穴。雖然在晶圓載具軌道400之上段410及/或下段412 中所含有之石英通常為透明’但是在一些實施例中，晶 圓載具軌道400之部分可含有不透明石英。 .. 在另一實施例中，氣體通口 434自晶圓載具軌道400 之側表面402延伸並至氣穴430中。在一實例中，氣體 通口 434延伸穿過上段410。複數個氣孔438可共計約 10個孔至約50個孔，較佳約20個孔至約4〇個孔。氣 31 201037100 ； 孔438中之每一者可具有在約0.005吋至約0.05吋，較 • 佳約0.01吋至約0·03吋之範圍内的直徑。 在其他實施例中，晶圓載具軌道系統可含有端對端串 聯配置之兩個或兩個以上晶圓載具軌道4〇〇，如第4d圖 至第4E圖中所描繪。在一實施例中，提供該晶圓載具執 道系統’其包括：第一晶圓載具軌道4〇〇之上部搭接接 頭440 ’其配置於第二晶圓載具軌道4〇〇之下部搭接接 ❹請之上；一排氣通口，其形成於第一晶圓載具軌道 400之上部搭接接頭44〇與第二晶圓載具軌道4〇〇之下 部搭接接頭450之間；及一第一導引路徑，其位於第一 晶圓載具軌道400之上表面上並與第二晶圓載具軌道 400之上表面上的一第二導引路徑對準。在一些實例中’ 第二晶圓載具軌道4〇〇之上部搭接接頭440可配置於第 三晶圓載具執道400 (未圖示）之下部搭接接頭45〇之 上。 Ο 在另一實施例中’提供用於在諸如反應器1〇〇之氣相 沉積反應器系統内懸浮及橫過懸浮晶圓載具480之晶圓 載具軌道400’其包括具有以下元件之晶圓載具執道 400 :形成於其中之氣穴430 ;導引路徑420，其沿著晶 圓載具轨道400之上表面延伸；複數個氣孔438，其在 . 導引路徑420内且自晶圓載具軌道400之上表面延伸並 至氣穴430中；及配置於晶圓載具軌道400之一端處的 上部搭接接頭440及配置於晶圓載具軌道400之相對端 處的下部搭接接頭450,其中上部搭接接頭440延伸導 32 201037100 ； 引路徑420之一部分且下部搭接接頭450具有延伸遠於 , 晶圓載具軌道400之導引路徑42〇之上表面。 * 至少一個側表面可配置於晶圓載具軌道4〇〇上且沿著 導引路徑42G並在其上方延伸。在—些實例中，兩個側 表面416配置於晶圓載具執道4〇〇上且沿著導引路徑 並在其上方延伸。導引路徑42〇可在兩個側表面416之 間L伸在實施例中，晶圓載具軌道4 0 0之上段41 0 可配置於晶圓載具軌道4〇〇之下段412之上。晶圓載具 執道400之上段4 1 〇可具有沿著該上表面延伸之導引路 徑420。氣穴430可形成於晶圓載具軌道4〇〇之上段41〇 與下段412之間。在一些實例中，晶圓載具執道4〇〇之 上段410及下段412可被融合在一起。在一些實施例中， 晶圓載具軌道400含有石英。晶圓載具軌道今〇〇之上段 410及下段412可獨立地含有石英。在一實例中，晶圓 載具軌道400之下段412為一石英板。 〇 在其他實施例中，氣體通口 434自晶圓載具軌道400 之側表面延伸並至氣穴43〇中。氣體通口 434可用以使 懸浮C體穿過晶圓載具轨道4〇〇之側表面流進氣穴 43〇 ’並自晶圓載具軌道4〇〇之上表面上之複數個氣孔 43«流出。複數個氣孔438可共計約1〇個孔至約5〇個 , 孔’較佳約20個孔至約40個孔。每一氣孔438可具有 » 在約0.005吋至約〇.〇5吋，較佳約〇.〇1吋至約〇 〇3吋 之fe圍内的直徑。 在另一實施例中，第12A圖至第12E圖描繪懸浮晶圓 33 201037100 :載具_，其可用以經由多種處理腔室載運一基材，該 ；等處理腔室包括如本文所描述之CVD反應器，以及用於 沉積或則之其他處理腔室。懸浮晶圓載具480具有短 側面川、長侧面473、上表面472及下表面㈣。雖然 用矩形幾何形狀來圖示懸浮晶圓栽具彻，但是其亦可 具有正方形幾何形狀、圓形幾何形狀或其他幾何形狀。 懸浮晶圓載具480可含有石墨或其他材料或由石墨或其 他材料形成。懸浮晶圓載具_通常穿過CVD反應器， 纟中短側面471面向前，而長側面473面向CVD反應器 之側面。 第12 A圖至第12B圖描繪根據本文所描述之一實施例 之懸浮晶圓載具480。第12A圖圖示懸浮晶圓載具48〇 之俯視圖’該晶圓載具在上表面472上含有3個壓痕 475。晶圓或基材可定位於壓痕475内，同時在一製程期 間經由CVD反應器將其轉移。雖然上表面472經圖示具 〇 有3個壓痕475 ’但是其可具有或多或少壓痕，包括無 壓痕。舉例而言，懸浮晶圓載具480之上表面472可含 有用於含有晶圓或基材之0、1、2、3、4、5、6、7、8、 9、10、12個或更多個壓痕。在一些實例中，一個晶圓/ 基材或多個晶圓/基材可直接配置於不具有壓痕之上表 面472上。 第12B圖圖示如本文之一實施例中所描述之懸浮晶圓 * 載具480之仰視圖，該懸浮晶圓載具在下表面474上含 有壓痕478。壓痕478可用以助於在懸浮晶圓載具480 34 201037100 :下方引入氣墊後立即使懸浮晶圓載具480懸浮。氣流可 ：經導引於壓痕478處，該壓痕累積氣體以形成氣塾。懸 浮晶圓載具480之下表面474可不具有壓痕，或可具有 一個壓痕478 (第12B圖）、兩個壓痕478 (第i2c圖至 第12E圖）、二個壓痕478 (未圖示）或更多個壓痕。壓 痕478中之每一者可具有直或漸縮（tapered)側面。在一 實例中，每一壓痕478具有漸縮侧面，以使得側面476 ❹ 比具有更多漸變角度之側面477更陡（steep)或更險 (abrupt)。壓痕478内之側面477可為漸縮以補償遍及懸 浮晶圓載具480上之熱梯度。又，側面477可為漸縮或 成角度的以有助於形成氣囊並在沿著晶圓載具軌道400 舉升並移動/橫過懸浮晶圓載具480時維持該氣囊低於懸 浮晶圓載具480。在另一實例中，壓痕478具有直或大 體上直的側面及漸縮側面’以使得側面476為直的或大 體上直的且侧面477具有一錐度（taper)/角度，或側面477 Ο 為直的或大體上直的且側面476具有一錐度/角度。或 者’壓痕478可具有所有直側面，以使得側面476及側 面477為直的或大體上直的。 在另一實施例中，第12C圖至第12E圖圖示懸浮晶圓 載具480之仰視圖，該晶圓載具在下表面474上含有兩 _ 個壓痕478。兩個壓痕478有助於在懸浮晶圓載具480 » . 下方引入氣墊後立即使懸浮晶圓載具480懸浮。氣流可 經導引於壓痕478處，該壓痕累積氣體以形成氣墊。壓 痕478可具有直或漸縮側面。在一實例中，如第10E圖 35 201037100 中所圖示’壓# 478具有所有直側面以使得側面4%及 側面477為直的，例如，垂直於下表面474之平面。在 另一實例中，如第10F圖中所圖示，壓痕478具有所有 漸縮側面以使得側面476比且古承夕如：錄 υ比具有更多漸變角度之側面 477更陡或更險。壓痕478 〇門之側面477可為漸縮以補 償遍及懸浮晶圓載具480上之埶描谇七本 _ ^ 工又热梯度。或者，壓痕478 可具有直側面與漸縮側面之—細入，、，你7 , ^ 組合’以使得側面476為 Ο ο 直的且側面477具有一銓痒 .,, ^錐度，或側面477為直的且側面 476具有一錐度。 懸浮晶圓載具480含有—轨，g θ ^ ^ 熱通置，該熱通量自下表面 474延伸至上表面472， 且延伸至配置於其上之任何基 材。該熱通量可由處理系站 蜒糸統之内壓力與長度來控制。懸 洋晶圓載具480之輪靡可盔知〜 〇 了為漸細以補償來自其他源之熱 才貝失。在一製程期間’执穿讲縣.办曰面油 …芽過懸子晶圓載具48〇之邊緣 (諸如短側面4 71及具相，丨；、 〇 及長側面473 )而損失。然而，該熱 損失可藉由減小該懸浮中 。吁Τ之通道間隙使更多熱通量進入 懸浮晶圓載具480之邊緣來得以補償。 在另一實施例中，晶圓载具軌道彻含有配置於導引 路徑420上之懸浮晶圓载 執具480。在一些實例中，懸浮 晶圓載具480具有配置於 卜表面内之至少一個壓痕囊。 在其他實例中，懸浮 痕震 戰•具480具有配置於下表面内 之至少兩個壓痕囊。 第5Α圖至第5D圖描啥播接丄 繪根據本文所描述之實施例之用 於諸如反應器100之翁相 乳相儿積腔室之隔離器組件5〇〇。 36 201037100

在一實施例中，隔離器組件5〇〇包括：主體502 ’其具 有上部部分506及下部部分5〇4 ;及中心通道516，其延 伸穿過主體502之上部部分506及下部部分504。上部 部分506含有上表面507。中心通道516在主體502之 内表面509之間延伸，且平行於延伸穿過主體502之中 心軸501。擴散板530含有複數個氣孔532且配置於中 心通道5 16内。在一實例中，擴散板53〇配置於凸緣或 凸耳5 10上。在另一實例中，隔離器組件5〇〇不含有配 置於其中之擴散板530。 隔離器組件500進一步含有上部管板54〇，該上部管 板具有複數個氣孔542且配置於擴散板53〇下方之中心 通道516内。隔離器組件5〇〇亦含有下部管板55〇，該 下部管板具有複數個氣孔552且配置於上部管板54〇下 方之中心通道516内。複數個充氣管58〇自上部管板54〇 延伸至下部管板550,其中每一管耦接至來自複數個氣 孔542之一個別孔及來自複數個氣孔552之—個別孔並 與其形成流體連通。在本文所述之許多實施例中，充氣 管580中之每一者彼此平行或大體上彼此平行以及平 行（或大體上平行）於中心軸501延伸。卢 ^ 逆狎。在一替代實施 例中（未圖示）充氣管580中之每—杏| 母考可以相對於中心 轴5〇1之一預定角度延伸，諸如在約1〇 、、、）15或更大 之範圍内。 隔離器組件500可用以藉由提供穿 、紅 軋通口 522並 進入孔穴538、548及558之流動路徑來八 來77散氣體，諸如 37 201037100 淨化氣體、前驅物氣體及/或載送氣體。孔穴538形成於 中心通道516内之上部板520與擴散板53〇之間。孔穴 548形成於中心通道516内之擴散板530與上部管板54〇 之間。孔穴558形成於中心通道516内之上部管板540 與下部管板550之間。

在另一實施例中’隔離器組件500包括：主體5〇2， 其含有上部部分506及下部部分5〇4，其中上部部分5〇6 含有延伸至下部部分504之上的一凸緣；中心通道516, 其在主體502之内表面5〇9之間延伸穿過主體5〇2之上 部部分506及下部部分504,且平行於延伸穿過主體5〇2 之中心軸501;擴散板530,其含有複數個氣孔532且配 置於中心通道516内；上部管板540’其含有複數個氣 孔542且配置於中心通道516内擴散板53〇下方；下部 管板550 ’其含有複數個氣孔552且配置於中心通道^6 内上部管板540下方；及複數個充氣管58〇，其自上部 管板540 &伸至下部管板55〇,其中每—管麵接至來自 複數個氣孔542之一個別孔及來自複數個氣孔552之一 個別孔並與其形成流體連通。 在另一實施例中，隔離器組件500包括：主體5〇2 其含有上部部分506及下部部分504,其中上部部分5〇6 自主體502之中心轴501鄰近地延伸遠於下部部分5〇4 且下部部分504平行於中心軸501延柚、专执， 〒 、狎遠於上部部分 5〇6 ;中心通道516，其在主體502之内表 〜门衣面509之間延 伸穿過主體502之上部部分506及下部部分5〇4，且平 38 201037100 行於中心轴501 ;擴散板530，其含有複數個氣孔532且 配置於中心通道516内；上部管板54〇，其含有複數個 氣孔542且配置於中心通道516内擴散板530下方；下 部管板550，其含有複數個氣孔552且配置於中心通道 516内上部管板540下方；及複數個充氣管580，其自上 部管板540延伸至下部管板55〇，其中每一管耦接至來 自複數個氣孔542之一個別孔及來自複數個氣孔552之 一個別孔並與其形成流體連通。 在另一實施例中，隔離器組件5〇〇包括：主體5〇2， 其含有上部部分506及下部部分5〇4;中心通道516，其 在主體502之内表面509之間延伸穿過主體5〇2之上部 部分506及下部部分5〇4，且平行於延伸穿過主體5〇2 之中心軸501 ;擴散板530，其含有複數個氣孔532且配 置於中心通道516内；上部管板54〇，其含有複數個氣 孔542且配置於擴散板53 〇下方之中心通道516内；及 下部管板550，其含有複數個氣孔552且配置於上部管 板540下方之中心通道516内。 在另一實施例中，隔離器組件5〇〇包括：主體5〇2, 其含有上部部分506及下部部分5〇4 :中心通道516，其 在主體502之内表面5〇9之間延伸穿過主體5〇2之上部 部分506及下部部分5()4，且平行於延伸穿過主體5〇2 之中心轴501 ’上部管板540，其含有複數個氣孔532且 配置於中’V·*通道516内擴散板530下方；下部管板550, 其含有複數個氣孔542且配置於中心通道516内上部管 39 201037100 . 板540下方；及複數個充氣管580，其自上部管板540 延伸至下部管板550，其中每一管耦接至來自複數個氣 孔5 3 2之一個別孔及來自複數個氣孔5 4 2之一個別孔並 與其形成流體連通。 在一些實施例中，隔離器組件500為一模組化喷淋頭 組件。主體502之上部部分506及下部部分504可獨立 地含有一材料，諸如鋼、不銹鋼、300系列不錄鋼、鐵、 鎳、鉻、翻、銘、其合金或其組合。在一實例中，主體 〇 502之上部部分506及下部部分504各自獨立地含有不 銹鋼或其合金。 在一實施例中，隔離器組件500含有配置於主體502 之上部部分506上之氣體入口 560。上部板520可配置 於主體502之上部部分506之上表面上且氣體入口 56〇 可配置於該板上。該板可含有一材料，諸如鋼、不錄鋼、 300系列不錄鋼、鐵、鎳、鉻、钥、銘、其合金或其組 〇 合。在一些實例中’該板具有延伸穿過其中之進氣通口 522°氣體入口 560具有延伸穿過進氣通口 522之入口管 5 64。入口喷嘴562可粞接至入口管564之一端且配置於 該板上方。在另一實例中，該喷淋頭主體之上部部分5〇6 之上表面具有圍繞中心通道516之凹槽508。一 〇型環 . 可配置於凹槽508内。擴散板530可配置於在中心通道 516内自主體5〇2之側表面突出的凸耳或凸緣上。 在一實施例中，複數個充氣管580可具有計數在約5〇〇 個管至約1，500個管’較佳約7〇〇個管至約ι，2〇〇個管， 40 201037100 且更佳約800個管至約ι，000個管 s之缸圍内（例如 900個管）的管。在一些實例 約 T 母管可具有在約 cm至約2 cm，較佳約0 8 cm 、 王、、勺1.2 cm之範圍内η 如’約1Cm)的長度。在其他實例中，每一管可且J 約〇.005对至約〇.〇5对，較佳約__至約 範圍内的直徑。在一些實例中， 邊等管為皮下注射針。 該等管可含有-材料或由該材料製成，諸如鋼、不錄鋼、 ❹ ❹ 3〇0系列不錢鋼、鐵、錄、鉻、銦、銘、其合金或Μ | 〇 ' 在一實施例中，位於擴散板530上之複數個氣孔532 的每-孔具有比位於上部管板54〇上之複數個氣孔542 的每一孔更大之直徑。另外，位於擴散板530上之複數 個氣孔532的每一孔具有比位於下部擴散板上之複數個 氣孔5 5 2的每一孔更大夕吉似 — 旯大之直徑。又，位於上部管板54〇 上之複數個氣孔542的每一孔具有與位於下部管板550 上之複數個氣孔552的每一孔相同之直徑或大體上相同 之直徑。 ，在一實施例中，擴散板530可含有一材料或由該材料 製成，諸如鋼、不銹鋼、3〇〇系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、 鉬、鋁、其合金或其組合。擴散板53()可含有計數在約 20個孔至約200個孔，較佳約25個孔至約55個孔，且 更佳約40個孔至約6〇個孔之範圍内的孔。擴散板53〇 之每一孔可具有在約0.005吋至約〇 〇5吋，較佳約〇 〇1 吋至約0.03吋之範圍内的直徑。在另一實施例辛，上部 41 201037100 管板540及/或下部管板550可獨立地含有一材料或由該 材料獨立地製成，諸如鋼、不 个绣鋼、300系列不銹鋼、

鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合厶斗、廿/ A 再σ金或其組合。上部管板540 Ο ο 及/或下部管板550可獨立地具有、約5〇〇個孔至約15〇〇 個孔，較佳約7〇0個孔至約⑶❹個孔，且更佳約綱 個孔至約Moo個孔。上部管板54〇及/或下部管板ho 之每-孔可獨立地具有在約〇·〇〇5吋至約〇 〇5吋較佳 約0.0卜寸至約0.03 口寸之範圍内的直徑。在另一實施例 中，隔離器組件500可具有在約1〇個孔/平方吋（每平 方吋之孔數）至約60個孔/平方吋，較佳約15個孔/平方 对至約45個孔/平方忖，且更佳約2〇個孔/平方对至約 36個孔/平方吋之範圍内的氣體孔密度及/或管數。 在一實例中，隔離器組件500之主體5〇2的上部部分 506之上表面為金屬板。在其他實例中，隔離器組件 可具有矩形幾何形狀或正方形幾何形狀。在另一實施例 中，隔離器組件500之主體502進一步含有一溫度調節 系統。該溫度調節系統（諸如溫度調節系統19〇 )可含 有在主體502内延伸之流體通路518，且可具有耦接至 流體通路518並與其形成流體連通之入口 5Ua及出口 514b。入口 514a及出口 514b可獨立地耦接至一貯液器 或至少一個熱交換器（諸如如第1F圖中所描繪之溫度調 節系統190内之熱交換器180a、18〇b或18〇〇並與其形 成流體連通。 第ό圖描繪加熱燈組件600，其可用以加熱如本文之 42 201037100 實施例中所描述之氣相沉積反應器系統内之晶圓或基 材，以及晶圓載具或基材支撐件。在一實施例中，提供 加熱燈組件600，其包括：燈罩610，其配置於支撐基座 602之上表面606上且含有第一燈座620a及第二燈座 620b ;複數個燈624，其自第一燈座620a延伸至第二燈 座620b，其中每一燈624具有一撕裂燈絲或一非撕裂燈 絲，且配置於支撐基座602之上表面606上的反射器650 配置於第一燈座620a與第二燈座620b之間。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b ;第一複數個燈624，其自第一燈 座620a延伸至第二燈座620b，其中該第一複數個燈中 之每一燈具有一撕裂燈絲；第二複數個燈624，矣自第 一燈座620a延伸至第二燈座620b，其中該第二複數個 燈中之每一燈具有一非撕裂燈絲；及反射器650，其在 第一燈座620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座602 之上表面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b ;第一複數個燈624，其自第一燈 座620a延伸至第二燈座620b，其中該第一複數個燈中 之每一燈具有一撕裂燈絲；第二複數個燈624，其自第 一燈座620a延伸至第二燈座620b，其中該第二複數個 燈中之每一燈具有一非撕裂燈絲，且第一複數個燈624 43 201037100 相繼或交替地配置於第二複數個燈624之間，同時在第 一燈座與第二燈座之間延伸。又，反射器650可在第一 燈座620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座602之 上表面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b;複數個燈624,其自第一燈座620a 延伸至第二燈座620b，其中複數個燈624含有相繼或交 替地配置於彼此之間的一第一組燈及一第二組燈，該第 一組燈中之每一燈含有一撕裂燈絲，且該第二組燈中之 每一燈含有一非撕裂燈絲；及反射器650，其在第一燈 座620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座602之上 表面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b ;複數個柱622，其配置於第一燈 座620a及第二燈座620b上；複數個燈624，其自第一 燈座620a延伸至第二燈座620b，其中每一燈具有一撕 裂燈絲或一非撕裂燈絲；及反射器650，其在第一燈座 620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座602之上表 面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b ;複數個柱622，其配置於第一燈 44 201037100 . 座620a及第二燈座620b上；複數個燈624，其自第一 燈座620a延伸至第二燈座620b，其中每一燈具有一撕 " 裂燈絲或一非撕裂燈絲，且每一燈具有配置於第一燈座 620a上之兩個柱622之間的第一端及配置於第二燈座 620b上之兩個柱622之間的第二端；及反射器650，其 在第一燈座620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座 602之上表面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b ;複數個柱622，其配置於第一燈 座620a及第二燈座620b上；複數個燈624，其自第一 燈座620a延伸至第二燈座620b，其中每一燈具有配置 於第一燈座620a上之兩個柱622之間的第一端及配置於 第二燈座620b上之兩個柱622之間的第二端；及反射器 650，其在第一燈座620a與第二燈座620b之間配置於支 ❹ 撐基座602之上表面606上。 在另一實施例中，加熱燈組件600包括：燈罩610， 其配置於支撐基座602之上表面606上且含有第一燈座 620a及第二燈座620b ;複數個柱622，其配置於第一燈 座620a及第二燈座620b上；複數個燈624，其自第一 燈座620a延伸至第二燈座620b ;及反射器650,其在第 * 一燈座620a與第二燈座620b之間配置於支撐基座602 之上表面606上。 在另一實施例中，提供用於氣相沉積反應器系統之加 45 201037100 . 熱燈組件600，其包括.燈罩610，其配置於支樓基座 602之上表面606上且含有第一燈座620a及第二燈座 620b，複數個燈624 ’其自第一燈座62〇a延伸至第二燈 座620b，及反射器650’其在第一燈座62〇a與第二燈座 620b之間配置於支撐基座602之上表面606上。 在一實施例中，反射器650之上表面含有金或金合 金。在一些實例中，至少一個鏡沿著支撐基座6〇2之上 ❹ 表面606延伸，且以約90。之角度面向反射器65〇。在其 他實例中，加熱燈組件600含有沿著支撐基座6〇2之上 表面606延伸、彼此面向及以約9〇。之角度面向反射器 650的兩個鏡。 位於加熱燈組件600内之複數個燈624可共計約1〇個 燈至約100個燈，較佳約20個燈至約5〇個燈，且更佳 約30個燈至約40個燈。在一實例中，加熱燈組件6〇〇 含有約34個燈。實施例提供每一燈可與電源、獨立開關 〇 及控制器電氣接觸。該控制器可用以獨立地控制每—燈 之功率。 在其他實施例中，位於加熱燈組件600内之支撐基座 602及每一燈座62〇a或620b可獨立地含有一材料或由 該材料製成，諸如鋼、不銹鋼、3〇〇系列不銹鋼、鐵、 .. 鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合。在一些實例中，第 . 一燈座620a或第二燈座620b可獨立地含有不銹鋼或其 合金或由不銹鋼或其合金製成。第一燈座62〇&或第二燈 座62〇b獨立地可具有在約2,000 W/m2_K至約3 〇〇〇 46 201037100 ; W/m2-K ’ 較佳約 2,300 W/m2-K 至約 2,700 W/m2-K 之範 ; 圍内的冷卻係數。在一實例中，該冷卻係數為約2,500 W/m K。在其他實施例中’第一燈座62〇a及第二燈座 620b各自具有在約〇 〇〇1吋至約〇」吋之範圍内的厚度。 根據本文所描述之多個實施例，第10 A圖描繪非撕裂 燈絲燈670且第10B圖描繪撕裂燈絲燈680。非撕裂燈 絲燈670含有燈泡672及非撕裂燈絲674，而撕裂燈絲 燈680含有燈泡682及撕裂燈絲684。如貫穿本文之實 施例中所描述’複數個燈624通常含有非撕裂燈絲燈 ό 7 0撕裂燈絲燈6 8 〇或非撕裂燈絲燈6 7 0與撕裂燈絲燈 680之混合物。 第11Α圖至第i1F圖描繪不同複數個燈，其可為燈624 且用以調整氣相沉積反應器（諸如反應器1〇〇)内之晶 圓載具軌道（諸如晶圓載具轨道4〇〇 )、晶圓載具或基材 支撐件（諸如懸浮晶圓載具480 )及/或晶圓或基材（諸 〇 如晶圓90 )上的熱輪廓（heat profile)，如本文之實施例 中所描述。在一實施例中，第丨丨A圖圖示含有全部非撕 裂燈絲燈670之複數個燈且第11B圖圖示含有全部撕裂 燈絲燈680之複數個燈。在另一實施例中，第丨丨匚圖圖 示相繼或交替地含有非撕裂燈絲燈670及撕裂燈絲燈 • 680之複數個燈。在其他實施例中，第UD圖圖示複數 個燈，其在每兩個非撕裂燈絲燈670之間含有一撕裂燈 絲燈680，而第11E圖圖示複數個燈，其在每兩個撕裂 燈絲燈680之間含有一非撕裂燈絲燈67〇。第丨1F圖圖 47 201037100 ; 示複數個燈，其連續或交替地含有非撕裂燈絲燈670及 ^ 撕裂燈絲燈6 8 0，然而，每一燈彼此間隔比第11 a圖至 第11E圖中之該等燈更遠。 在其他實施例中，提供一種用於藉由加熱燈組件6〇0 在諸如反應器100之氣相沉積反應器系統内加熱諸如懸 浮晶圓載具480之基材或基材感受器之方法，其包括以 下步驟：將基材感受器之下表面暴露至自加熱燈組件6〇〇 發射之能量’及將該基材感受器加熱至一預定溫度，其 、 中加熱燈組件600含有：燈罩610，其配置於支樓基座 602之上表面606上且含有至少一個燈座62〇a或62〇b ; 複數個燈624，其自該等燈座中至少一者延伸；及反射 器650，其配置於支撐基座602之上表面606上、緊鄰 該燈座且在該等燈下方。 該方法之實施例進一步提供加熱燈組件6〇〇含有具有 撕裂燈絲燈680、非撕裂燈絲之燈或含有撕裂或非撕裂 〇 燈絲之燈的混合物。在一實施例中，該等燈中之每—者 具有撕裂燈絲燈680。撕裂燈絲燈680可具有在第—端 與第二端之間的一中心。撕裂燈絲燈680之第一端及第 一端可維持比撕裂燈絲燈680之中心更暖。因此，該臭 材感受器之外邊緣可維持比該基材感受器之中心點更 暖。 罾 4 在另一實施例中’該等燈中之每一者具有非撕裂燈絲 燈670。非撕裂燈絲燈670可具有在第一端與第二端之 間的一中心。非撕裂燈絲燈670之中心可維持比非撕裂 48 201037100 燈絲燈670之第一端及第二端更暖。因此’該基材感受 器之中心點可維持比該基材感受器之外邊緣更暖。

在另實施例中i數個燈624具有撕裂燈絲燈及非 撕裂燈絲燈H施例中，撕裂燈絲燈_及非撕裂 燈絲燈67"目繼地配置於彼此之間。每一燈可獨立地與 一電源及一控制器電氣接觸。該方法進一步包括以下步 驟：獨立地調整流至每一燈之電量。在一實例中，撕裂 燈絲燈680可具有在第一端與第二端之間的一中心。撕 裂燈絲燈680之第一端及第二端經維持比撕裂燈絲燈 68〇之中心更暖。因此，該基材感受器之外邊緣可維持 比該基材感受器之—中心點更暖。在另一實例中，非撕 裂燈絲燈670可具有在第一端與第二端之間的一中心。 非撕裂燈絲燈670之中心可維持比非撕裂燈絲燈67〇之 第一端及第二端更暖。因此，該基材感受器之中心點可 維持比該基材感受器之外邊緣更暖。 在各種實施例中，該方法提供該基材感受器可為基材 載具或晶圓載具。燈罩610可具有第一燈座62〇a及第二 燈座620b。第一燈座62〇a及第二燈座62〇b可彼此平行 或大體上彼此平行。在一實例中，反射器65〇可配置於 第—燈座620a與第二燈座62〇b之間。第一燈座“Μ及 第一燈座620b各自具有在約〇 〇〇1吋至約〇丨吋之範圍 内的厚度。該等燈座之預定厚度有助於維持該等燈座之 匣疋溫度。因此，第一燈座620a及第二燈座620b可各 自獨立地維持在約275〇c至約375<>c，較佳約3〇(rc至約 49 201037100 , 350°C之範圍内的溫度。 Λ _ 第7Α圖至第7D圖描繪根據本文所描述之實施例之用 一 於諸如反應器1 00之氣相沉積腔室之喷淋頭組件7〇〇。 在一實施例中，噴淋頭組件700包括：主體7〇2，其具 有上部部分706及下部部分704;及中心通道716，其延 伸穿過主體702之上部部分706及下部部分704。上部 部分706含有上表面707。中心通道716在主體7〇2之 ❹ 内表面709之間延伸，且平行於延伸穿過主體7〇2之中 心軸701。擴散板730含有複數個氣孔732且配置於中 心通道716内。在一實例中，擴散板73〇配置於凸緣或 凸耳710上。在另一實例中，噴淋頭組件7〇〇不含有配 置於其中之視情況任選的擴散板730。 喷淋頭組件7(H)進一步含有上部管板74〇，該上部管 板具有複數個氣孔742且配置於中心通道716内擴散板 730下方。喷淋頭組件7〇〇亦含有下部管板75〇，該下部 〇 管板具有複數個氣孔752且配置於中心通道716内上部 管板740下方。複數個充氣管78〇自上部管板74〇延伸 至下部管板750，其中每一管耦接至來自複數個氣孔742 之一個別孔及來自複數個氣孔752之一個別孔並與其形 成流體連通。在本文所述之許多實施例中，充氣管 ·. 中之每一者彼此平行或大體上彼此平行以及平行於中心 . 轴701延伸。在一替代實施例中（未圖示）充氣管78〇 中之每一者可以相對於中心轴7〇1之一預定角度延伸， 諸如在約1。至約15〇或更大之範圍内。 50 201037100 ； 噴淋頭組件700可用以藉由提供穿過進氣通口 722並 : 進入孔穴738、748及758之流動路徑來分散氣體，諸如 淨化氣體、前驅物氣體及/或載送氣體。孔穴738形成於 t心通道716内之上部板720與擴散板73〇之間。孔穴 748形成於中心通道716内之擴散板73〇與上部管板74〇 之間。孔穴758形成於中心通道716内之上部管板74〇 與下部管板7 5 0之間。 ❹ 在另一實施例中，喷淋頭組件700包括：主體7〇2， 其含有上部部分706及下部部分704,其中上部部分7〇6 含有延伸於下部部分704之上的一凸緣；中心通道716， 其在主體702之内表面709之間延伸穿過主體7〇2之上 部部分706及下部部分704,且平行於延伸穿過主體7〇2 之中心軸701;擴散板730,其含有複數個氣孔732且配 置於中心通道716内；上部管板740，其含有複數個氣 孔742且配置於中心通道716内擴散板730下方；下部 〇 管板750 ’其含有複數個氣孔752且配置於中心通道7 16 内上部管板740下方；及複數個充氣管780，其自上部 管板740延伸至下部管板750，其中每一管耦接至來自 複數個氣孔742之一個別孔及來自複數個氣孔752之一 個別孔並與其形成流體連通。 • 在另一實施例中，喷淋頭組件700包括：主體7〇2， 其含有上部部分706及下部部分704，其中上部部分7〇6 自主體702之中心軸701鄰近地延伸遠於下部部分7〇4 且下部部分704平行於中心轴701延伸遠於上部部分 51 201037100 ; 7〇6，中。通道716，其在主體702之内表面709之間延 — 伸穿過主體702之上部部分706及下部部分7〇4，且平 行於中〜軸701;擴散板73〇，其含有複數個氣孔732且 配置於中心通道716内；上部管板74〇，其含有複數個 氣孔742且配置於中心通道716内擴散板73〇下方；下 部管板750，其含有複數個氣孔752且配置於中心通道 716内上部管板740下方；及複數個充氣管780，其自上 〇 部管板740延伸至下部管板750，其中每一管耦接至來 自複數個氣孔742之一個別孔及來自複數個氣孔752之 一個別孔並與其形成流體連通。 在另一實施例中’噴淋頭組件7〇〇包括：主體702， 其含有上部部分706及下部部分704 ;中心通道716，其 在主體702之内表面709之間延伸穿過主體7〇2之上部 部分706及下部部分704，且平行於延伸穿過主體7〇2 之中心軸701 ;擴散板730，其含有複數個氣孔732且配 Ο 置於令心通道716内；上部管板740，其含有複數個氣 孔742且配置於中心通道716内擴散板73〇下方；及下 部管板750，其含有複數個氣孔752且配置於中心通道 716内上部管板740下方。 在另一實施例中’喷淋頭組件7〇〇包括：主體702， 其含有上部部分7〇6及下部部分704 ;中心通道716，其 * 在主體702之内表面709之間延伸穿過主體7〇2之上部 部分706及下部部分704，且平行於延伸穿過主體7〇2 之中心軸701 ;上部管板740 ’其含有複數個氣孔732且 52 201037100 配置於中心通道716内擴散板730下方；下部管板750， 其含有複數個氣孔742且配置於中心通道716内上部管 板740下方；及複數個充氣管780，其自上部管板740 延伸至下部管板750’其中每一管搞接至來自複數個氣 孔732之一個別孔及來自複數個氣孔742之一個別孔並 與其形成流體連通。

在一些實施例中’喷淋頭組件700為一模組化噴淋頭 組件。主體702之上部部分706及下部部分704可獨立 地含有一材料’諸如鋼、不銹鋼、3〇〇系列不銹鋼、鐵、 鎳、鉻、钥、銘、其合金或其組合。在一實例中，主體 702之上部部分706及下部部分704各自獨立地含有不 銹鋼或其合金。 在一實施例中，喷淋頭組件7〇〇含有配置於主體7〇2 之上部部& 706上的氣體入口 760。上部板72〇可配置 於主體7〇2之上部部> 706之上表面上且氣體入口 760 可配置於該板上。該板可含有一材料，諸如鋼、不銹鋼、 3〇0系列不録鋼、鐵、錄、鉻、銷、銘、其合金或其組 «在㉟實例中，該板具有延伸穿過其之進氣通口 722 °氣體人° 具有延伸穿過進氣通口 722之入口管 I::噴嘴Μ可耦接至入口管764之-端且配置於 I上表面。在另一實例中，該喷淋頭主體之上部部分· 之上以具有圍繞中心通道716之凹槽⑽ 可配置於凹M 如， 716内自士 擴散板730可配置於在中心通道 體702之側表面突出的凸耳或凸緣上。 53 201037100 在-實施财，複數個充氣管78G可具有計數在約· 個管至約⑽個管，較佳約700個管至約⑽個管， 且更佳約嶋個管至約以⑽個管之範圍内（例如，約 900個管）的管。在一些實例中 艮 J τ 母一 Τ可具有在約0.5 cm至約2cm，較佳約〇.8cm至約12_之範圍内（例 如，約1cm)的長度。在其他實例中，每一管可具有在 約0.005对至& 〇.〇5对，較佳約〇 ()1忖至約⑽b寸之 Ο

範圍内的直徑。在一些實例中，該等管為皮下注射針。 該等管可含有-材料或由該材料製成，諸如鋼、不銹鋼、 300系列不錄鋼、鐵、鎳、鉻、翻、紹、其合金或其組 合0 在-實施例中，位於擴散板73〇上之複數個氣孔732 的每一孔具有比位於上部管& 74〇上之複數個氣孔％ 的每-孔更大之直徑。另外’位於擴散板73〇上之複數 個氣孔732的每一孔具有比位於下部擴散板上之複數個 氣孔752的每一孔更大之直徑。又，位於上部管板⑽ 上之複數個氣孔742的每一孔具有與位於下部管板 上之複數個氣孔752的每一孔相同之直徑或大體上相同 之直徑。 在一實施例中，擴散板73〇可含有一材料或由該材料 製成，諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、 翻、銘、其合金或其組合。擴散年73〇可含有計數在約 20個孔至約200個孔’較佳約25個孔至約75個孔且 更佳約40個孔至約60個孔之範圍内的孔。擴散板乃〇 54 201037100

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G 之每-孔可具有在約0.005忖至約〇 〇”寸，較佳約"i 对至約0.03对之範圍内的直徑。在另一實施例中，上部 管板740及/或下部管& 75〇可獨立地含有—材料或由該 材料獨立地製成，諸如鋼、不錄鋼、300系列不錄鋼、 鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合。上部管板Μ。 及/或下部管板750可獨立地具有約5〇〇個孔至約15〇〇 個孔’較佳約700個孔至約1肩個孔，且更佳約800 個孔至約Uooo個孔。上部管板74〇及/或下部管板75〇 之每一孔可獨立地具有在約0.005吋至約0.05吋，較佳 約0.01忖至約0.03 口寸之範圍内的直徑。在另一實施例 中，噴淋頭組件700可具有在約1〇個孔/平方忖（每平 方时之孔數）至約60個孔/平方忖’較佳約15個孔/平方 吋至約45個孔/平方吋，且更佳約2〇個孔/平方吋至約 36個孔/平方吋之範圍内的氣體孔密度及/或管數。 在一實例中，噴淋頭組件7〇〇之主體7〇2的上部部分 7〇6之上表面為-金屬板。在其他實例中，喷淋頭組件 7〇〇可具有矩形幾何形狀或正方形幾何形狀。在另一實 施例中，喷淋頭組件700之主體7〇2進一步含有一溫度 調即系統。該溫度調節系統（諸如溫度調節系統) 可含有在主體702内延伸之液體或流體通路718，且可 具有耦接至流體通路718並與其形成流體連通之入口 714a及出口 714b。入口 714a及出口 714b可獨立地耦接 至一貯液器或至少一個熱交換器（諸如如第1]?圖中所描 繪之溫度調節系統190内之熱交換器18〇&、18叽或18〇c) 55 201037100 . 並與其形成流體連通。 j ^ 第8 A圖至第8D圖描繪根據本文所描述之實施例之用 於諸如反應器1〇〇之氣相沉積腔室之排氣組件8〇〇。在 一實鉍例中，排氣組件8〇〇包括：主體8〇2，其具有上 邓为806及下部部分804 ;及中心通道8 1 6，其延伸穿 過主體802之上部部分8〇6及下部部分8〇4。上部部分 806含有上表面8〇7。中心通道816在主體8〇2之内表面 809之間延伸’且平行於延伸穿過主體802之中心軸 8(Π。擴散板830含有複數個氣孔832且配置於中心通道 816内。在一實例中，擴散板830配置於凸緣或凸耳810 上。在另一實例中’排氣組件800不含有配置於其中之 視情況任選的擴散板830。 排氣組件800進一步含有上部管板84〇，該上部管板 具有複數個氣孔842且配置於擴散板830下方之中心通 道816内。排氣組件8〇〇亦含有下部管板85〇 ,該下部 〇 管板具有複數個氣孔854且配置於中心通道816内上部 管板840下方。複數個排氣管88〇自上部管板84〇延伸 至下部管板850,其中每一管耦接至來自複數個氣孔842 之一個別孔及來自複數個氣孔854之一個別孔並與其形 成流體連通。在本文所述之許多實施例中，充氣管88〇 . 中之每一者彼此平行或大體上彼此平行以及平行於中心 4 軸801延伸。在一替代實施例中，充氣管880中之每一 者可以相對於中心軸8〇1之一預定角度延伸，諸如在約 1。至約15。或更大之範圍内。 56 201037100 ♦ 排氣組件800經由排氣通口 822及孔穴838、848及 , 858拉動真空或減小内壓力。孔穴838形成於中心通道 816内之上部板820與擴散板830之間。孔穴848形成 於中心通道816内之擴散板830與上部管板840之間。 孔穴858形成於中心通道816内之上部管板840與下部 管板850之間。 在另一實施例中’排氣組件800包括：主體8〇2，其 ^ 含有上部部分806及下部部分804，其中上部部分806 含有延伸於下部部分804之上的一凸緣；中心通道816， 其在主體802之内表面809之間延伸穿過主體8〇2之上 部部分806及下部部分804 ’且平行於延伸穿過主體8〇2 之中心轴801 ;擴散板830，其含有複數個氣孔832且配 置於中心通道816内；上部管板840,其含有複數個氣 孔842且配置於中心通道816内擴散板83〇下方；下部 管板85 0’其含有複數個氣孔854且配置於中心通道 〇 内上部管板840下方；及複數個排氣管88〇，其自上部 管板840延伸至下部管板850，其中每一管耦接至來自 複數個氣孔842之一個別孔及來自複數個氣孔854之一 個別孔並與其形成流體連通。 在另一實施例中’排氣組件800包括··主體8〇2，其 ; 含有上部部分806及下部部分804，其中上部部分8〇6 ·· 自主體802之中心軸8〇1鄰近地延伸遠於下部部分8〇4 且下部部> 804平行於中心軸8〇1延伸遠於上部部分 8〇6;中心通道816，其在主體8〇2之内表面8〇9之間延 57 201037100 伸穿過主體802之上部部分806及下部部分804，且平 " 行於中心轴8〇1;擴散板830’其含有複數個氣孔832且 ' 配置於中心通道816内；上部管板840，其含有複數個 氣孔842且配置於中心通道816内擴散板830下方；下 部管板850 ’其含有複數個氣孔854且配置於中心通道 816内上部管板840下方；及複數個排氣管880，其自上 部管板840延伸至下部管板85〇，其中每一管搞接至來 自複數個氣孔842之一個別孔及來自複數個氣孔854之 〇 —個別孔並與其形成流體連通。 在另一實施例中，排氣組件800包括：主體802，其 含有上部部分806及下部部分804 ;中心通道816，其在 主體802之内表面809之間延伸穿過主體8〇2之上部部 分806及下部部分8〇4，且平行於延伸穿過主體8〇2之 中心轴801;擴散板830’其含有複數個氣孔832且配置 於中心通道816 β ;上部管板840,其含有複數個氣孔 〇 842且配置於中心通道816内擴散板830下方；及下部 管板850’其含有複數個氣孔854且配置於中心通道816 内上部管板840下方。 在另一實施例中，排氣組件800包括：主體8〇2，其 含有上部部分806及下部部分8〇4;中心通道816，其在 .主體⑽2之内表面謝之間延伸穿過主體8〇2之上部部 :* 8〇6及下部部分8〇4’且平行於延伸穿過主體802之 ,巾心軸801 ;上部管板840,其含有複數個氣孔咖且配 置於中心通道816内擴散板83〇下方；下部管板85〇， 58 201037100 ; 其含有複數個氣孔842且配置於中心通道816内上部管 ‘ 板840下方；及複數個排氣管880，其自上部管板84〇 ^ 延伸至下部管板其中每—“接至來自複數個氣 孔832之一個別孔及來自複數個氣孔842之一個別孔並 與其形成流體連通。 在一些實施例中’排氣組件8〇〇為一模組化喷淋頭組 件。主體802之上部部分806及下部部分8〇4可獨立地 含有-材料’諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、 Ό 鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合。在一實例中，主體 802之上部部分806及下部部分8〇4各自獨立地含有不 錄鋼或其合金。 在一實施例中，排氣組件800含有配置於主體8〇2之 上部部分806上的排氣出口 86〇。上部板82〇可配置於 主體802之上部部分806之上表面上且排氣出口 86〇可 配置於該板上。該板可含有一材料，諸如鋼、不銹鋼、 〇 300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組 合。在一些實例中，該板具有延伸穿過其之排氣通口 822。排氣出口 860具有延伸穿過排氣通口 822之排氣管 864。排氣喷嘴862可耦接至排氣管8Μ之一端且配置於 該板上方。在另一實例中，該噴淋頭主體之上部部分 . 之上表面具有圍繞中心通道816之凹槽8〇8。一 〇型環 可配置於凹槽808内。擴散板830可配置於在中心通道 816内自主體802之側表面突出的凸耳或凸緣上。 在一實施例中’複數個排氣管880可具有計數在約5 59 201037100 個管至約50個管，較佳約7個管 約H)個管至約20個管之範圍内（例如，:固[亡更佳 管。在一些實例中，每一管可具 '、、14個官）的 較佳約0.8 cm至約丨2 cm 、'、、〇.5咖至約2 cm， 3 1.2 cm之範圍内（例如 的長度。在其他實例中，每一管可 … 0.4叶，較佳、約0.2吋至約〇 Γ Ο」忖至約 上、从 对之範圍内（例如，約023 忖）的直彳&。在-實例中，排氣紐件 管及孔。 3有皁一列之

在另-實施例中’複數個排氣管88〇 綱個管至約Μ00個f，較佳約7 找在約 其 個官至約i，200個 &，且更佳約800個管至約j 〇〇〇個 <範圍内（例如， 約900個管）的管。在一此實 一頁例中，母一管可具有在約 〇.5 cm至約2 cm，較佳約〇 8⑽至約i 2⑽之範圍内 (例如’約1 cm)的長度。在其他實例中，每一管可具 有在約0.005吋至約〇.〇5彳，較佳約〇 〇ι吋至約〇们 吋之範圍内的直徑。 在一些實例中，該等管為皮下注射針。該等管可含有 一材料或由該材料製成’諸如鋼、不銹鋼、3〇〇系列不 銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合。 在實施例中，位於擴散板83 0上之複數個氣孔832 的每一孔具有比位於上部管板84〇上之複數個氣孔842 的每一孔更大之直徑。另外，位於擴散板83〇上之複數 個氣孔832的每一孔具有比位於下部擴散板上之複數個 氣孔854的每一孔更大之直徑。又，位於上部管板840 60 201037100 ; 上之複數個氣孔842的每一孔具有與位於下部管板850 . 上之複數個氣孔854的每一孔相同之直徑或大體上相同 之直徑。 在一實施例中，擴散板830可含有一材料或由該材料 製成，諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、絡、 鉬、鋁、其合金或其組合。在另一實施例中，擴散板83〇 可含有計數在約5個孔至約50個孔，較佳約7個孔至約 ❹ 30個孔，且更佳約1〇個孔至約20個孔之範圍内（例如， 約14個孔）的孔。擴散板83〇之每一孔可具有在約〇」 吋至約0.4吋，較佳約〇·2吋至約〇.3吋之範圍内（例如， 約0.23吋）的直徑。在一實例中，擴散板83〇含有單一 列之孔。在另一實施例中，擴散板83〇可含有計數在約 20個孔至約200個孔，較佳約25個孔至約55個孔，且 更佳約40個孔至約60個孔之範圍内的孔。擴散板83〇 之每一孔可具有在約0.005吋至約〇.〇5吋，較佳約〇〇1 〇 吋至約〇.〇3吋之範圍内的直徑。 在另一實施例中，上部管板840及/或下部管板85()可 獨立地含有一材料或由該材料獨立地製成，諸如鋼、不 銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金 或其組合。在一實施例中，上部管板84〇及/或下部管板 r 85〇可獨立地具有計數在約5個孔至約50個孔，較佳約 7個孔至約30個孔，且更佳約丨〇個孔至約2〇個孔之範 圍内（例如，約14個孔）的孔。上部管板84〇及/或下 部皆板850之每一孔可獨立地具有在約〇1吋至約〇.4 61 201037100 吋，杈佳約0.2吋至約〇·3吋之範圍内（例如，約〇 23 吋）的直徑。在另一實施例中，排氣組件8〇〇可具有在 約5個孔/平方吋（每平方吋之孔數）至約3〇個孔/平方 吋，較佳約8個孔/平方吋至約25個孔/平方吋，且更佳 約10個孔/平方吋至約20個孔/平方吋之範圍内的氣體孔 密度及/或管數。 ❹

在另一實施例中，上部管板84〇及/或下部管板85〇可 獨立地具有約500個孔至約1500個孔，較佳約7〇〇個 孔至約1，200個孔，且更佳約8〇〇個孔至約1〇〇〇個孔。 上部管板840及/或下部管板85〇之每一孔可獨立地具有 在約0.005吋至約〇.05吋，較佳約〇 〇1吋至約〇 〇3吋 之範園内的直徑。 在一貫例中，排氣組件800之主體8〇2的上部部分8〇6 之上表面為一金屬板。在其他實例中，排氣組件可 具有矩形幾何形狀或正方形幾何形狀。在另一實施例 中，排氣組件800之主體802進一步含有一溫度調節系 統。該溫度調節系統（諸如溫度調節系統i 9〇 )可含有 在主體802内延伸之液體或流體通路818，且可具有耦 接至流體通路818並與其形成流體連通之入口 814&及出 口 814b。入口 814a及出口 814b可獨立地耦接至—貯液 器或至少一個熱交換器（諸如如第1F圖中所描繪之溫度 調節系統190内之熱交換器18〇a、18〇b或18〇〇並與其 形成流體連通。 ' 在其他實施例中，可用於氣相沉積腔室中之排氣組件 62 201037100 ; 800具有·•主體8〇2，其含有配置於下部部分8〇4上之上 . 部部分806 ;中心通道816，其在主體8〇2之内表面8〇9 之間延伸穿過主體802之上部部分8〇6及下部部分8〇4, 且平行於延伸穿過主體802之中心軸8〇1 ;排氣出口 860，其配置於主體802之上部部分8〇6上；擴散板83〇， 其含有複數個氣孔832且配置於中心通道816内；上部 B板840’其含有複數個氣孔842且配置於中心通道gig 〇 内擴散板830下方；下部管板850,其含有複數個氣孔 852且配置於中心通道816内上部管板84〇下方；及複 數個充氣管880 ’其自上部管板840延伸至下部管板 850’其中每一管耦接至來自複數個氣孔842之一個別孔 及來自複數個氣孔852之一個別孔並與其形成流體連 通。 排氣組件800可進一步含有配置於主體8〇2之上部部 分806之上表面上的上部板820。排氣出口 86〇可配置 〇 於上部板820上。上部板820可含有一材料或由該材料 製成，諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳 '鉻、 鉬、鋁、其合金或其組合。上部板82〇通常具有延伸穿 過其之-排氣通口。排氣出口 860具有延伸穿過排氣通 口 822之排氣管864。在一實例中，排氣喷嘴862可耦 ; 接至排氣管864之一端且配置於上部板82〇上方。在另 ••一實例中，該排氣組件主體之上部部分8〇6之上表面具 有圍繞中心通道816之凹槽8〇8。— 〇型環可配置於凹 槽_内。擴散板830可配置於在中心通道816内自主 63 201037100 ； 體802之侧表面突出的凸耳或凸緣上。 ， 第9A圖至第9F圖描繪如由本文之實施例所描述之反 應器系統1000，即一 CVD系統，其含有多個反應器 1100a、ll〇〇b 及 ll〇〇c。反應器 n〇〇a、u〇〇b 及 u〇〇c 可為與反應器100相同之反應器或可為反應器1〇〇之修 改變型。在一實施例中’如第9A圖至第9C圖中所圖示， 反應器1100a耦接至反應器ii〇0b，反應器11〇〇b耦接至 ❹ 反應器U00c。反應器1100a之一端在介面1〇12處耦接 至端盍1050’而反應器11〇〇&之另一端在介面1〇14處叙 接至反應器1100b之一端。反應器11〇〇b之另一端在介 面1016處麵接至反應器n〇OC之一端，而反應器u〇〇c 之另一端在介面1016處耦接至端板ι002。 第9D圖至第9F圖描繪在反應器11〇〇b與反應器u〇〇c 之間的介面1018之部分的近視圖。在另一實施例中，反 應器1100b含有具有下部搭接接頭145〇之晶圓載具執道 Ο 1400且反應器1100c含有具有上部搭接接頭1440之晶圓 載具軌道1400。 排氣淨化通口 1080可配置於反應器丨丨0〇b内之晶圓載 具軌道1400與反應器liooc内之晶圓載具軌道14〇〇之 間。排氣淨化通口 1080與通路1460形成流體連通，通 . 路1460自排氣淨化通口 1080延伸至晶圓載具軌道1400 下方。與排氣組件800類似之排氣組件1058配置於反應 器1100b之反應器蓋組件上。排氣組件1058可用以移除 來自排氣淨化通口 1080之氣體。排氣組件1〇58含有排 64 201037100 氣出口 1060、排氣喷嘴1062及排氣管1064。

Ο 在另一實施例中，反應器系統1 〇 〇 0可含有除反應器 1100a、1100b及1100c之外的額外反應器（未圖示）。在 一實例中，在反應器系統1000中包括第四反應器。在另 一實例中，在反應器系統1000中包括第五反應器。在不 同組態及實施例中，反應器系統1 〇〇〇可具有1、2、3、 4、5、6、7、8、9、10個或更多個反應器。在其他實施 例中，反應器1100a、1100b及1100c或未圖示之其他反 應器可在每一反應器中含有1、2、3、4個或更多個喷淋 頭組件（未圖示）。 在本文所述之替代實施例中 UOOb及liooc之其他組態，但其未圖示於諸圖中。在— 實施例中，反應器ll〇〇a、或U〇〇c中之每一者可 含有由兩個喷淋頭組件分離之三個排氣組件，以便該等 反應器蓋組件中之任—者可相繼含有第—排氣組件、第 喷淋頭組件、第二排氣組件、第二喷淋頭組件及第三 排氣組件。在另—實施例中，反應器llGGa、l100b或 U00c中之每一者可含有由兩個喷淋頭組件分離之三個 隔離器組件，以便該反應器蓋組件相繼含有第一隔離器 :且：、第-喷淋頭組件、第二隔離器組件、第二喷淋頭 、、且件及第三隔離器組件。 以—實施财，反應器議a、u鳴或i職令之 及一Π含有由兩個喷淋頭組件分離之兩個隔離器組件 及一個排氣組件，以便該等反應器蓋組件中之任一者: 65 201037100 ; 相繼含有第-隔離器組件、第-噴淋頭組件、第二隔離 : 器組件、第二喷淋頭組件及第一排氣組件。在另一實例 中’該等反應器蓋組件中之任一者可相繼含有第一隔離 器組件、第一噴淋頭組件、第一排氣組件、第二喷淋頭 組件及第二隔離器組件。在另一實例中帛等反應器蓋 組件中之任一者可相繼含有第一排氣組件、第一噴淋頭 、、且件第一隔離器組件、第二噴淋頭組件及第二隔離器 組件。 〇 在另一實施例中，反應器1100a、1100b或1100c中之 每者可含有由兩個噴淋頭組件分離之兩個排氣組件及 一個隔離器組件，以便該等反應器蓋組件中之任一者可 相繼含有第一排氣組件、第一喷淋頭組件、第二排氣組 件、第二噴淋頭組件及第一隔離器組件。在另一實例中， 該等反應器蓋組件中之任一者可相繼含有第一排氣組 件、第一喷淋頭組件、第一隔離器組件、第二噴淋頭組 〇 件及第二排氣組件。在另一實例中，該等反應器蓋組件 中之任一者可相繼含有第一隔離器組件、第一喷淋頭組 件、第一排氣組件、第二喷淋頭組件及第二排氣組件。 如本文之實施例中所描述，反應器丨0()、反應器系統 1000及此等反應器之變型可適用於多種CVD、m〇cvd . 及/或遙晶沉積製程以在晶圓或基材上形成材料分類。在 « 一實施例中，第ΠΙ/ν族材料——其含有第III族（例如， •硼、鋁、鎵或銦）之至少一種元素及第V族（例如，氮、 磷、砷或銻）之至少一種元素可形成或沉積於晶圓上。 66 201037100 •沉積材料之實例可含有氮化鎵'磷化銦、磷化姻鎵、珅 ：化鎵、石申化紹鎵、其衍生物、其合金、其多層或其組合。 在本文之-些實施例中，該等沉積材料可為蟲晶材料。 雖然該沉積材料或蟲晶材料可含有-個層，但是通常含 有多個層°在―些實例中’《晶材料含有具有石申化鎵 之-層及具有碎化㈣之另—層。在另_實例中n 晶材料含有-坤化鎵緩衝層、—珅化銘鎵鈍化層及一石中 〇 化鎵主動層。該珅化鎵緩衝層可具有在約1〇〇 至約 500·之範圍内（諸如約綱—的厚度該碎化紹嫁 鈍化層具有在約10nm至約5〇細之範圍内（諸如約3〇 nm)的厚度’且該神化鎵主動層具有在約谓随至約 2，_nm之範圍内（諸如約的厚度。在一些 實例中ϋ晶材料進-步含㈣二砰化㈣鈍化層。 在實施例中，用於反應i 〇〇 $反應器系統i咖中 之製程氣體可含有肺、氬、氦、氮、氫或其混合物。在 〇 實例中，該製程氣體含有諸如胂之砷前驅物。在其他 實施例中，該第-前驅物可含有銘前驅物、鎵前驅物、 麵前驅物或其組纟，且該第二前驅物可含有氣前驅物、 磷前驅物、砷前驅物、銻前驅物或其組合。 在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以將氮供應至 . 該反應器，以在入口及出口處沿著該反應器之軌道浮置 該基材。氫/胂混合物亦可用以在該出口與入口之間沿著 該CVD反應器之軌道浮置該基材。沿著該軌道之平臺可 包括入口氮隔離區、預熱排氣、氫/胂混合物預熱隔離 67 201037100 ·, 區、砷化鎵沉積區、砷化鎵排氣、砷化鋁鎵沉積區、砷 :^鎵小層沉積區、神化鎵P-層沉積區、含填石申化氫隔離 區、第一含磷砷化鋁鎵沉積區、含磷砷化鋁鎵排氣、第 二含磷砷化鋁鎵沉積區、氫/胂混合物冷卻隔離區、冷卻 排氣及出口氮隔離區。穿過反應器之基材之溫度在通過 該入口隔離區時可增加，或在穿過該等區時可維持，或 在靠近該胂冷卻隔離區時可降低。 0 在另貫施例中，該CVD反應器可經裝設以將氮供應 至該反應器，以在入口及出口處沿著該反應器之軌道浮 置該基材。氫/胂混合物亦可用以在該出口與入口之間沿 著該CVD反應器之軌道浮置該基材。沿著該軌道之平臺 可包括入口氮隔離區、預熱排氣、氫/胂混合物預熱隔離 區、排氣、沉積區、排氣、氫/胂混合物冷卻隔離區、冷 卻排氣及出口氮隔離區。穿過該反應器系統之基材之溫 度在通過該入口隔離區時可增加，在穿過該沉積區時可 〇 維持’且在靠近該胂冷卻隔離區時可降低。 在另一實施例中’該CVD反應器可經裝設以將氮供應 至該反應器’以在入口及出口處沿著該反應器之執道浮 置該基材。氫/胂混合物亦可用以在該出口與入口之間沿 著該CVD反應器之軌道浮置該基材。沿著該軌道之平臺 ; 可包括入口氮隔離區、具有流量平衡限制器之預熱排 . 乳、活性風/肿混合物隔離區、绅化録沉積區、石申化銘嫁 沉積區、砷化鎵N-層沉積區、砷化鎵p_層沉積區、含碌 钟化銘鎵沉積區、冷卻排氣及出口氮隔離區。穿過該反 68 201037100 -· 應器之基材之溫度在通過該入口隔離區時可增加，或在 ； 穿過該等沉積區時可維持，或在靠近該冷卻排氣時可降 低。 在另一實施例中，該CVD反應器可經裝設以將氮供應 至該反應器，以在入口及出口處沿著該反應器之軌道浮 置該基材。氫/胂混合物亦可用以在該出口與入口之間沿 著該CVD反應器之轨道浮置該基材。沿著該執道之平臺 〇 可包括入口氮隔離區、具有流量平衡限制器之預熱排 氣、砷化鎵沉積區、砷化鋁鎵沉積區、砷化鎵N_層沉積 區、砷化鎵P-層沉積區、含磷砷化鋁鎵沉積區、具有流 量平衡限制器之冷卻排氣及出口氮隔離區。穿過該反應 器之基材之溫度在通過該入口隔離區時可增加，或在穿 過該等沉積區時可維持，或在靠近該冷卻排氣時可降低。 第17圖圖示第七組態800。該CVD反應器可經裝設 以將氮供應至該反應器’以在入口及出口處沿著該反應 Ο 器之轨道浮置該基材。氫/胂混合物亦可用以在該出口與 入口之間沿著該CVD反應器之軌道浮置該基材。沿著該 軌道之平臺可包括入口氮隔離區、預熱排氣、沉積區、 冷卻排氣及出口氮隔離區。穿過該反應器之基材之溫度 在通過該入口隔離區時可增加’或在穿過沉積區時可維 持，或在靠近該冷卻排氣時可降低。 在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以磊晶成長含 有砷化鎵材料及砷化鋁鎵材料之雙異質結構，以及蟲晶 成長含有砷化鋁材料之一橫向過度成長犧牲層。在一些 69 4 201037100 ί 實例中，砷化鎵、砷化鋁鎵及砷化鋁材料可以約1 μιη/πήη . 之速率加以沉積。在一些實施例中，該CVD反應器可具 有每分鐘約6個晶圓至每分鐘約1 〇個晶圓之產出率。 在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以提供每分鐘 一個10 cmxlO cm基材之沉積速率。在一實施例中，該 CVD反應器可經裝設以提供一 3 00 nm珅化鎵緩衝層。 在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以提供一 30nm 砷化鋁鎵鈍化層。在一實施例中，該CVD反應器可經裝 〇 設以提供一 1，〇〇〇 nm珅化鎵主動層。在一實施例中，該 CVD反應器可經裝設以提供一 3 0 nm坤化|呂鎵純化層。 在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以提供小於 lx 104每平方公分之差排密度、99%之光致發光效率及 250奈秒之光致發光壽命。 在一實施例中’該CVD反應器可經裝設以提供具有5 nm沉積+-0.5 nm之磊晶橫向過度成長層、大於丨xl〇6之 〇 餘刻選擇性、零針孔及大於每小時0·2 mm之坤化銘姓刻 速率。 在一實施例中’該CVD反應器可經裝設以提供對於 300 C以上溫度不大於1 〇。〇之中心至邊緣溫度非均勻 性、不超過5之V-III比率及70(TC之最高溫度。 ; 在一實施例中’該CVD反應器可經裝設以提供一沉積 層’該沉積層具有一 300 nm砷化鎵緩衝層、一 5 nm砰 化鋁犧牲層、一 l〇nrn砷化鋁鎵窗層、一 7〇〇nm砷化鎵 lxlO17矽主動層、一 3〇〇 nm砷化鋁鎵lxl〇i9c p +層及 70 201037100 一 3 00 nm 石申化嫁 lxl〇19CP +層。

在一實施例中，該CVD反應器可經裝設以提供一沉積 層’該沉積層具有一 300 nm砷化鎵緩衝層、一 $ nm神 化鋁犧牲層、一 l〇nm磷化銦鎵窗層、—7〇〇nm坤化録 lxlO17矽主動層、一 1〇〇 nm砷化鎵C p層、一 3〇〇 nm 填化銦鎵P窗層、一 20 nm磷化銦鎵〖x丨〇2〇 p+穿随接面 層、一 20nm磷化銦鎵1χι〇20Ν+穿隧接面層、一 3〇nm 砷化鋁鎵窗、一 400 nm磷化銦鎵N主動層、一 1〇〇 nm 磷化銦鎵P主動層、一 30 nm砷化鋁鎵P窗及一 3〇〇 nm 砷化鎵P +接觸層。 儘管前文針對本發明之實施例，但可在不脫離本發明 之基本範疇的情況下設計本發明之其他及更多實施例， 且本發明之範疇係由以下申請專利範圍來決定。 【圖式簡單說明】 〇 Μ ’可_細地理解本發明之上述特徵結構之方式， 即上文簡要概述之本發明之更特定描述可參照實施例進 行’ -些實施例圖示於附加圖式，。然而，應注意，附 加圖式僅圖示本發明之典型實施例，且因此不欲視為其 範嗜之限制’因為本發明可允許其他同等有效之實施例。 第1Α圖至第1 ε圖描緣根據本文所描述之實施例之一 CVD反應器； 第1F圖描繪根據本文所播述之另一實施例之麵接至 71 201037100 ;一溫度調節系統之一 CVD反應器； : 第2A圖至第2C圖描繪根據本文所描述之實施例之一 反應器蓋組件； 第2D圖描緣根據本文所描述之實施例之反應器蓋支 撐件； 第3圖描緣根據本文所描述之實施例之一反應器主體 組件， n 第4A圖至第4E圖描繪根據本文所描述之實施例之一 U 晶圓載具軌道； 第5A圖至第5D圖描繪根據本文所描述之實施例之一 隔離器組件； 第6圖描繪根據本文所描述之實施例之一加熱燈組 件； 第7A圖至第7D圖描繪根據本文所描述之實施例之一 喷淋頭組件； 〇 第8A圖至第8D圖描繪根據本文所描述之實施例之一 排氣組件； 第9A圖至第9F圖描繪根據本文所描述之實施例之含 有多個CVD反應器之一 CVD系統； 第10 A圖至第10B圖描繪根據本文所描述之實施例之 燈； 4 第11A圖至第11F圖描繪根據本文所描述之其他實施 * 例之複數個燈； 第12A圖至第12B圖描繪根據本文所描述之另一實施 72 201037100 例之一懸浮基材載具；及 第1 2C圖至第1 2E圖描繪根據本文所描述之另一實施 ' 例之其他懸浮基材載具。

【主要元件符號說明】 90 晶圓 124c 流體通路 100 反應器 126a 出口 102 反應器主體組 126b 出口 126c 入口 /出口 104 下部部分 128 上表面 110 面板 130 側面 112 面板 132a 入口 114 上表面 132b 入口 116 上表面 132c 入口 /出口 118a 入口 134a 流體通路 118b 出口 134b 流體通路 120 側面 134c 流體通路 122a 入口 13 6a 出口 122b 入口 136b 出口 122c 入口 /出口 136c 出口 /出口 123 氣體入口 138 上表面 124a 流體通路 142 間隔件 124b 流體通路 144 間隔件 73 201037100

146 支架臂 218b 148 夾臂 220 160 腔室站 222 162 腔室站 223 180a 熱交換器 224 180b 熱交換器 225 180c 熱交換器 226 182 液體供應器 227 184 液體回流器 228 186 導管 230 188 閥 232 190 溫度調節系統 234 200 反應器蓋組件 240 208 下表面 242 210 蓋支撐件 244 212 上表面 250 213 凹槽 252 214a 入口 254 214b 出口 260 215 凹槽 262 216a 入口 264 216b 出口 400 217 凹槽 402 218a 入口 410 出口 凸緣 下表面 板 流體通路 板 流體通路 板 流體通路 喷淋頭通口 長度 寬度 隔離器通口 長度 寬度 喷淋頭通口 長度 寬度 排氣通口 長度 寬度 晶圓載具軌道 側表面 上段 74 201037100

412 下段 506 上部部分 416 側表面 507 上表面 418 上表面 508 凹槽 420 導引路徑 509 内表面 430 氣穴 510 凸耳 434 氣體通口 514a 入口 438 氣孔 514b 出口 440 上部搭接接頭 516 中心通道 442 下表面 518 流體通路 450 下部搭接接頭 520 上部板 452 上表面 522 進氣通口 471 短側面 530 擴散板 472 上表面 532 孔 473 長側面 538 孔穴 474 下表面 540 上部管板 475 壓痕 542 氣孔 476 側面 548 孔穴 477 側面 550 下部管板 478 壓痕 552 子L 480 懸浮晶圓載具 558 孔穴 500 隔離器組件 560 氣體入口 501 中心軸 562 入口喷嘴 502 主體 564 入口管 504 下部部分 580 充氣管 75 201037100

600 加熱燈組件 714a 入口 602 支撐基座 714b 出口 606 上表面 716 中心通道 610 燈罩 718 流體通路 620a 第一燈座 720 上部板 620b 第二燈座 722 進氣通口 622 柱 730 擴散板 624 燈 732 孔 650 反射器 738 孔穴 670 非撕裂燈絲燈 740 上部管板 672 燈泡 742 孔 674 非撕裂燈絲 748 孑L穴 680 撕裂燈絲燈 750 下部管板 682 燈泡 752 684 撕裂燈絲 758 孔穴 700 喷淋頭組件 760 氣體入口 701 中心軸 762 入口喷嘴 702 主體 764 入口管 704 下部部分 780 充氣管 706 上部部分 800 排氣組件 707 上表面 801 中心軸 708 凹槽 802 主體 709 内表面 804 下部部分 710 凸耳 806 上部部分 76 201037100

807 上表面 880 排氣管/充氣管 808 凹槽 1000 反應器系統 809 内表面 1100a 反應器 810 凸耳 1100b 反應器 814a 入口 1100c 反應器 814b 出口 1002 端板 816 中心通道 1012 介面 818 流體通路 1014 介面 820 上部板 1016 介面 822 排氣通口 1018 介面 830 擴散板 1050 端蓋 832 孔 1058 排氣組件 838 孔穴 1060 排氣出口 840 上部管板 1062 排氣噴嘴 842 孔 1064 排氣管 848 孔穴 1080 排氣淨化通口 850 下部管板 1400 晶圓載具執道 852 1440 上部搭接接頭 858 孔穴 1450 下部搭接接頭 860 排氣出口 1460 通路 862 排氣喷嘴 864 排氣管 77

Claims (1)

1. 201037100 七、申請專利範圍： j ^ 1. 一種化學氣相沉積反應器，其包含： 一反應器蓋組件，其配置於一反應器主體上，其中該 反應器蓋組件包含： 一第一腔室，其包含在一蓋支撐件上彼此緊鄰配 置的一第一喷淋頭組件以及一隔離器組件，其中該第 一喷淋頭組件進一步包含： 一主體，其包含一上部部分以及一下部部 〇 分； 一中心通道，其延伸穿過該主體的該上部及 下部部分，延伸於該主體的内表面之間，且平 行於延伸穿過該主體的一中心軸； 一視情況任選的擴散板，其包含複數個第一 孔並且配置於該中心通道内； 一上部管板，其包含複數個第二孔並且配置 〇 在該中心通道内該視情況任選的擴散板下方； 一下部管板，其包含複數個第三孔且配置於 該中心通道内該上部管板下方；以及 複數個管，其自該上部管板延伸至該下部管 板’其中每一管耦接至來自該複數個第二孔之 一個別孔及來自該複數個第三孔之一個別孔並 與其形成流體連通；以及 一第二腔室，其包含於該蓋支撐件上彼此緊鄰配 78 201037100 及-排氣組件，其中該隔離 二噴淋頭組件之間，且噠笛 免外頌組彳千；間，且該第 器組件以及該排氣組件 置的一第二喷淋頭組件以及 器組件配置於該第一及第二t 二喷淋頭組件配置於該隔離 之間。 2. 如請求項第i項所述之化學氣相沉積反應器，其中該 反應器主體進一步包含： -晶圓载具，其配置於一晶圓载具軌道上，且該晶圓 載具軌道包含石英。 3. 如請求項第2項所述之化學氣相沉積反應器，其中該 曰曰圓栽具是一配置於一懸浮晶圓載具軌道上的懸浮 晶圓載具。 4. 如凊求項第3項所述之化學氣相沉積反應器，其中該 懸汁晶圓栽具軌道設以使氣體流至配置在該懸浮晶 圓載具之一下表面内的至少一個壓痕囊。 5. 如清求項第1項所述之化學氣相沉積反應器，其中該

   燈組件’其包含配置在該晶圓載具軌道下方的複數 6.如明求項第5項所述之化學氣相沉積反應器，其中該 79 201037100 燈組件進—步包含： 一反射器’其配置在該複數個燈下方。 7.如請求項第6項所述之化學氣相沉積反應器，其中該 反射器包含金或一金合金。 8_如請求項第丨項所述之化學氣相沉積反應器，其進— 步包含： 一第一面板，其配置於該反應器主體的一端上，其中 該第一喷淋頭組件配置於該第一面板以及該隔離器組件 之間；以及 一第二面板，其配置在該反應器主體之另一端上，其 中該排氣組件配置在該第二喷淋頭組件與該第二面板之 間。 Ο 9·如請求項第1項所述之化學氣相沉積反應器，其進— 步包含一溫度調節系統，其包含： 一第一流體通路，其延伸貫穿該反應器蓋且含有—第 一入口以及一第一出口，該第一入口及第一出口與該第 一流體通路耦接並且流體連通；以及 ; 一第二流體通路，其延伸貫穿該反應器主體且含有— 第二入口以及一第二出口，該第二入口及第二出口與該 第二流體通路耦接並且流體連通。 201037100 」 10.如清求項第1項所述之化學氣相沉積反應器，其中該 : 第一喷淋頭組件或該第二喷淋頭組件是一模組化喷 淋頭組件。 11.如請求項第1項所述之化學氣相沉積反應器，其中該 隔離器組件或該排氣組件是一模組化隔離器組件。 ο I2.—種化學氣相沉積反應器，其包含： 一反應器蓋組件，其配置於一反應器主體上，其 中該反應器蓋組件包含在一蓋支撐件上彼此緊鄰且 連續線性配置的—第一噴淋頭組件、一隔離器組件、 —第二喷淋頭組件以及一排氣組件，其中該第一喷淋 頭組件進一步包含： 一主體’其包含一上部部分以及一下部部 分； 〇 一 一中心通道’其延伸穿過該主體的該上部及 下部部分’延伸於該主體的内表面之間，且平 行於延伸穿過該主體的一中心轴； 一視情況任選的擴散板，其包含複數個第一 孔並且配置於該中心通道内； ' 一上部管板，其包含複數個第二孔並且配置 : 在該中心通道内該視情況任選的擴散板下方； 一下部管板，其包含複數個第三孔且配置於 該中心通道内該上部管板下方；以及 201037100 j 複數個管，其自該上部管板延伸至該下部管 ： 板，其中每一管耦接至來自該複數個第二孔之 一個別孔及來自該複數個第三孔之一個別孔並 與其形成流體連通；以及 該反應器主體包含： 一懸浮晶圓載具，其配置於一懸浮晶圓載具 軌道上；以及 0 —燈組件’其包含複數個燈且配置在該晶圓 載具軌道下方。 13.如凊求項第12項所述之化學氣相沉積反應器，其進 一步包含： 一第一面板’其配置於該反應器主體的一端上，其中 該第一噴淋頭組件配置於該第一面板以及該隔離器組件 之間；以及 〇 一第二面板，其配置在該反應器主體之另一端上，其 中該排氣組件配置在該第二喷淋頭組件與該第二面板之 間。 14.如請求項第12項所述之化學氣相沉積反應器，其進 步包含一溫度調節系統，其包含： 一第一流體通路，其延伸貫穿該反應器蓋且含有—第 一入口以及一第一出口，該第一入口及第一出口與該第 一流體通路耦接並且流體連通；以及 82 201037100 一第二、* — '"IL體通路，其延伸貫穿該反應器主體且含有_ 第—D 、 _； 一 以及一第二出口’該第二入口及第二出口與該 第二流體通路编接並且流體連通。 15·如請求, 哨弟12項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該第—嘴淋頭組件或該第二喷淋頭組件是一模組化 喷淋碩組件。 16. 如清求項第12項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該隔離器組件或該排氣組件是一模組化隔離器組件。 17. 如请求項第12項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該燈組件進一步包含： 一反射器，其配置在該複數個燈下方。 Q 18·如清求項第17項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該反射器包含金或一金合金。 19.如請求項第12項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該懸浮晶圓載具軌道設以使一氣體流至配置在該懸 浮晶圓栽具之一下表面内的至少一個壓痕囊。 Λ - 20.一種化學氣相沉積反應器，其包含： 一反應器蓋組件，其配置於一反應器主體上，其中該 83 201037100 ^ 反應器羞組件包含： : 第腔至’其包含在一蓋支#件上彼此緊鄰配 置的一第一喷淋頭組件以及一隔離器組件，其中該第 一喷淋頭組件進一步包含： 主體’其包含一上部部分以及一下部部 分； 一中心通道，其延伸穿過該主體的該上部及 〇 下部部分’延伸於該主體的内表面之間，且平 行於延伸穿過該主體的一中心軸； 一視情況任選的擴散板，其包含複數個第一 孔並且配置於該中心通道内； 一上部管板，其包含複數個第二孔並且配置 在該中心通道内該視情況任選的擴散板下方； 一下部管板，其包含複數個第三孔且配置於 該中心通道内該上部管板下方；以及 〇 複數個管，其自該上部管板延伸至該下部管 板，其中每一管搞接至來自該複數個第二孔之 一個別孔及來自該複數個第三孔之一個別孔並 與其形成流體連通； 一第二腔室’其包含於該蓋支撐件上彼此緊鄰配 置的一第二喷淋頭組件以及一排氣組件，其中該隔離 ' 器組件配置於該第一及第二噴淋頭組件之間；以及 * 一溫度調節系統’其包含： 至少一個流體通路，該流體通路延伸貫穿該 84 201037100 蓋支撐件；以及 至少一個入口以及至少一個出口，該出口及 入口與該流體通路耦接並流體連通° 21·如請求項第2〇項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該反應器主體進一步包含：

   一晶圓载具，其配置於一晶圓載具軌道上’且該晶圓 載具軌道包含石英。 22·如請求項第21項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該晶圓栽具是一配置於一懸浮晶圓載具軌道上的懸 浮晶圓載具。 23. 如明求項第22項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該懸浮晶圓載具軌道設以使一氣體流至配置在該懸 浮曰曰圓栽具之一下表面内的至少一個壓痕囊。 24. 如凊求項第2〇項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該反應器主體進一步包含： 燈組件，其包含配置在該晶圓載具軌道下方的複數 個燈。 25·如請求〜 $第24項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該燈組件進一步包含： 85 201037100 一反射器，其配置在該複數個燈下方。 26. 如請求項第25項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該反射器包含金或一金合金。 27. 如請求項第2〇項所述之化學氣相沉積反應器，其進 一步包含： 一第—面板’其配置於該反應器主體的一端上，其中 該第一噴淋頭組件配置於該第一面板以及該隔離器組件 之間；以及 一第二面板，其配置在該反應器主體之另一端上，其 中該排氣組件配置在該第二噴淋頭組件與該第二面板之 間。 28. 如請求項第2〇項所述之化學氣相沉積反應器，其中 〇 該溫度調節系統進一步包含： 一第—流體通路，其延伸貫穿該反應器蓋且含有一第 一入口以及—第一出口，該第一入口及第一出口與該第 一流體通路耦接並且流體連通；以及 一第二流體通路，其延伸貫穿該反應器主體且含有一 第二入口以及一第二出口，該第二入口及第二出口與該 » 第二流體通路耦接並且流體連通。 29. 如請求項第2〇項所述之化學氣相沉積反應器，其中 86 201037100 ^ 該第喷淋頭組件或該第二喷淋頭組件是一模組化 喷淋頭組件。 3 0’如叫求項第2〇項所述之化學氣相沉積反應器，其中 該隔離器組件或該排氣組件是一模組化隔離器組件。 31.—種用於在一氣相沉積反應器内處理一晶圓的方 法’其包含以下步驟： 〇 藉由將一晶圓載具軌道的一下表面暴露至來自—燈 組件發射的輻射，而加熱配置在一晶圓载具上的至少— 個B曰圓，其中该晶圓載具配置在一氣相沉積反應器内的 該晶圓載具軌道上； 使至少一種液體流過延伸貫穿該氣相沉積反應器之 一反應器蓋組件及一反應器主體組件的通路，以使該反 應器蓋組件維持於一第一溫度且該反應器主體組件維持 〇 於一第二溫度，其中該等液體以及該等通路與一溫度調 節系統流體連通； 沿該晶圓載具軌道使該晶圓載具橫穿包含一第—噴 淋頭組件以及一隔離器組件的—第—腔室； 將該晶圓暴露至流自該第一嘴淋頭的氣態前驅物之 一第一混合物，同時沉積一第—材料； ^ 將該晶圓暴露至流自該隔離器組件的一製程氣體； ’ 沿該晶圓載具軌道使該晶圓载具橫穿包含一第二噴 淋頭組件以及一排氣組件的一第二腔室； 87 201037100 J 將該晶圓暴露至流自該第二喷淋頭的氣態前驅物之 」-第二混合物，同時沉積一第二材料；以及 透過該排氣組件從該氣相沉積反應器移除氣體。 32.如請求：第31項所述之方法，其中該第一溫度以及 該第一'夏度每一者為獨立地在從約275<t至約325°C 之範圍内。 〇 ^ °月求項帛32項所述之方法，其中該第一溫度以及 〜第/皿度每一者為獨立地在從約290。(：至約3 1 Ot： 之範圍内。 3 4.如請求項第1 弟33項所述之方法，其中該第一溫度以及 該第一溫度每一者獨立地為約3〇〇〇c。 €\ 35.如請求項笛。，= ^ 第31項所述之方法，其中一反射器配置於 該燈組件下方。 3 6.如清求項笛 弟35項所述之方法，其中該晶圓載具執道 言亥 ^ 面暴露至來自該燈組件發射且從該反射器 , 反射的輻射。 37·如請求項窜 ^弟35項所述之方法，其中該反射器包含金 或一金合金。 88 201037100 3 8.如請求項第31項所述之方法，進一步包含以下步驟： 從該晶圓載具軌道懸浮該晶圓載具；以及 沿該晶圓載具軌道使該晶圓載具橫穿。 3 9.如請求項第38項所述之方法，進一步包含以下步驟： 藉由將該晶圓載具的一下表面暴露至一懸浮氣體而 懸浮該晶圓載具，該懸浮氣體從配置於該晶圓載具軌道 ❹ 的一上表面上的複數個孔流出。 40. 如請求項第3 1項所述之方法，其中該製程氣體包含 選自以下物質組成之群組的一氣體：胂、氬、氦、氮、 氳及其混合物。 41. 如請求項第40項所述之方法，其中該製程氣體包含 ◎ 胂。 42. 如請求項第31項所述之方法，其中該第一前驅物包 含鋁前驅物、鎵前驅物、銦前驅物或其混合物。 43. 如請求項第42項所述之方法，其中該第二前驅物包 含氮前驅物、磷前驅物、砷前驅物、銻前驅物或其混 合物。 89 201037100 44. 一種用於在一氣相沉積反應器内處理一晶圓的方 法，其包含以下步驟： 使一懸浮氣體流進一晶圓載具軌道内的一孔穴且從 在一氣相沉積反應器内配置於該晶圓载具軌道之_上表 面上的複數個孔流出； 藉由將一晶圓載具的一下表面暴露至從該等孔流出 的該懸浮氣體而從該晶圓載具軌道懸浮一晶圓載具，其 中該晶圓載具的一上表面包含至少一個晶圓； 藉由將該晶圓載具軌道的一下表面暴露至來自一燈 組件發射的輻射，而將該晶圓與該晶圓載具加熱至一預 定溫度；以及 沿該晶圓載具軌道使該晶圓載具橫穿至少兩個腔 一喷淋頭組件以及一隔離 —喷淋頭组件以及一排氣 室，其中一第一腔室包含一第 器組件而一第二腔室包含一第 組件。 45.如請求項第44 約275它至約3 項所述之方法，其中該預定溫度在從 325°C之範圍内。 4 6 ·如請求項第 約 29〇°C 5 第45項所述之方法，纟中該敎溫度在從 至約310°C之範圍内。

   300〇C 〇 項所述之方法，其中該預定溫度為約 90 201037100 48·如請求項笛 44項所述之方法，其中一反射器配置於 該燈組件下方。 49·如請求項餘 之誃 8項所述之方法，其中該晶圓載具軌道 下表面暴露至來自該燈組件發射且從該反射器 反射的輻射。

   5 0 ·如請求堪错 其中該反射器包含金 ’其中該製程氣體包含 氣體：胂、氬、氦、氮、 嗔第48項所述之方法 或一金合金。 . 5 1 ·如叫求項第44項所述之方法 選自以下物質組成之群組的— 氫及其混合物。

   52.如請求項第51項所述之方法 胂。 其中該製程氣體包含 5 3.如請求項第 含鋁前驅物 5 4.如請求項第 含氮前驅物 合物。 44項所述之方法，丨中該第一前驅物包 、鎵前驅物、銦前驅物或其混合物。 53項所述之方法，其中該第二前驅物包 '磷前驅物、砷前驅物、銻前驅物或其混 91 201037100 5 5.—種用於在一氣相沉積反應器内處理一晶圓的方 法’其包含以下步驟： 藉由將一晶圓載具軌道的一下表面暴露至來自一燈 組件發射的輻射，而加熱配置在該晶圓載具上的至少一 個晶圓’其中該晶圓載具配置在一氣相沉積反應器内的 該晶圓載具軌道上； Ο 使一液體流過延伸貫穿該氣相沉積反應器之一反應 器蓋組件或一反應器主體組件的一通路，以使該反應器 蓋、且件或該反應器主體組件維持於—預定溫度，其中該 液體以及該通路與—溫度調節系統流體連通； Ο & °亥曰曰圓載具軌道使該晶圓載具橫穿至少兩個腔 室’其中-第-腔室包含一第 器組件而—第 組件；以及 二腔室包含一第 一喷淋頭組件以及一隔離 二喷淋頭組件以及一排氣 透過該排氣組件從該氣相沉積反應器移除氣體。 如請求項第55項所述之方$ 之該預定溫度在從約275t j 其中該反應器蓋組件 325°C之範圍内。 5 7 ·如請求項第 之該預定溫 56項所述之方法，其中該反應器蓋組件 度在從約290°C至約310T：之範圍内。 5 8.如請求項第 57項所述之方法 其中該反應器蓋組件 92 59.如請求項第55 201037100 之該預定溫度為約3〇(rc 項所述之方法，笪 件之該預定溫谇+ & 八 疋'皿度在從約275〇C至約 6〇·如請求項第59項所述之方法其 件之該預定溫度在從約29〇〇c至約 61.如請求項第60項所述之方法，其 件之該預定溫度為約300°c。 中該反應器主體組 325°C之範圍内。 中該反應器主體組 310°C之範圍内。 中該反應器主體組 93