TW201005803A - Silicon epitaxial wafer and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

201005803 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域] 本發明是有關於一種將基板載置於承受體上，而在磊 晶成長裝置内，使磊晶矽層成長來製造磊晶矽晶圓的方 法；以及關於一種藉由此方法而製造出來的磊晶矽晶圓。 【先前技術】 • 磊晶成長技術，是在製造雙載子電晶體（Bipolar transistor)或MOSLSI等的積體電路時所採用的使單晶薄 膜層氣相成長之技術，因為能夠在潔淨的半導體單晶基板 上配合基板的結晶方位而成長均勻的單晶薄膜、或是以摻 雜劑的濃度差異大的方式來形成具有陡p肖的不純物梯度之 接合’所以是一種非常重要的技術。 作為用以進行此種磊晶成長之裝置，通常可區分為縱 型（餅型；panCake型）、圓筒型（cylinder型）及橫型之3種 ®類。延些成長裝置有共同的基本原理。該成長裝置是具備 反應室和加熱手段等而構成，該反應室是在内㈣備用以 載置單晶基板之蟲晶成長用承受體而成，而該加熱手段是 由設置在反應室的外部之画素燈等而構成；將縱型之中每 次處理1片之裝置，稱為單片式磊晶成長裝置。 在此，參照第4圖來說明該單片式磊晶成長裝置。第* 圖是先前所使用的通常的單片式蠢晶成長裝置的一個例子 之概略圖。 該早片式磊晶成長裝置41，具有反應室43，在其表面 3 201005803 要被層積磊晶層之矽基板42 被配置在該反應室43的内 部；且在該反應室43中，今古_ T °又有用以導入原料氣體、载氣之 軋體導入口 44及用以排出氣體 、 叫札耀之軋體排出口 45。又，在 反應室43内，具有用以缸 秕置石夕基板42之承受體 (susceptor)46 〇 又，至少在反應室43的外部， Γ 1具備例如齒素燈等的加 熱手段48 ’用以加熱矽基板42。 ❿ 而且’若使用第4圖所示的單片式蟲晶成長裝置41， 來說明通常在矽基板42上形成磊晶層的方法時，首先，將 單晶梦基板42載置在承受體乜上，然後一邊藉由用以支 持承受體46之支持軸49及使其旋轉（自轉）之未圖示的旋 轉機構，來使單晶石夕基板42旋轉，一邊藉由加熱手段48 將基板42加熱至規定溫度，且藉由以規定時間、規定流 量，將例如使用氫等載氣稀釋而成之三氣石夕院等的原料氣 體，從氣體導人π 44供給至反應室43内。藉此，能得到 種在基板42上已層積有蟲晶層而成之蟲晶石夕晶圓。 針對上述磊晶矽晶圓的製造，以往一直謀求品質的提 高，作為其中一種方法，對形成於承受體上的柱坑 (counterbore)形狀，進行改變。例如，在曰本特開昭 59-50095號公報中’揭示出各種各樣的承受體。如此的承 受體，可大致區分成：支持基板的大約整個背面之型式、 及僅支持基板的一部份之型式（例如參照日本特開昭 59-50095號公報、特開平5_238882號公報、特開平7 58〇39 號公報、特開2004-3 19623號公報）。 4 201005803 在支持基板的大約整個背面之型式中，可舉出：其柱 坑的底面是平坦狀者；在柱坑的底面，形成圓柱狀的凸部 (其直徑，比要載置的基板的直徑小）者；或是與基板接觸 的部分，成為網格狀者等》 但是’如此型式的承受體，由於接觸基板的大約整個 背面’所以會有損傷基板的載置面（背面）這樣的問題。進 而，若在基板的背面殘留有傷痕，則在後面的元件製造步 驟中’成為發塵的原因。 另一方面，在僅支持基板的一部份之型式中，可舉出·· 其環狀的凸部，是被形成於要被載置的基板的邊緣部的更 内側者；或是在柱坑的中央部，進而形成有凹部，來保持 沒有要製作元件之基板的外周部（比邊緣部更内側）者。 但是，此種型式的承受體，雖然不會損傷基板的整個 背面’但是由於只支持基板的一部分，所以會有該接觸部 分的傷痕會變深、或是基板撓曲而從基板的邊緣部發生滑 動這樣的問題。 又，在日本特開2005-235906號公報中，揭示出一種 承受體，為了減少發生在基板背面的傷痕，在柱坑的外周， 形成傾斜面，並以基板的邊緣部接觸該傾斜面的方式來支 持基板。進而，在日本特開2003-100855號公報中，揭示 出一種為了使升降銷不會損傷基板的背面，而在基板的背 面形成矽氧化膜的技術。 但是’即使如此地想辦法來改善基板的支持方法，在 元件製造步驟中的發塵的問題，仍然會發生。 201005803 【發明内容】 本發明是鑒於上述問題點而開發出來，其目的是提供 一種磊晶矽晶圓及其製造方法，該磊晶矽晶圓，即使在元 件製造步驟中，也能降低發塵。 為了達成上述目的’本發明提供一種磊晶矽晶圓的製 造方法，是針對將矽基板載置在承受體上，並藉由使磊晶 鲁 層成長來製造磊晶矽晶圓的方法，其特徵在於： 至少包含：在上述矽基板的整個背面，形成石夕氧化膜 之步驟； 除去已形成在上述矽基板的至少邊緣部上的矽氧化膜 之步驟；以及 經由上述矽氧化膜，將上述矽基板載置在上述承受體 上之步驟； 並且，利用該承受體，經由上述矽氧化膜，來保持上 • 述矽基板，在此狀態下，使磊晶層成長在上述矽基板上。 又，本發明，提供一種磊晶矽晶圓，是使磊晶層成長 在矽基板上而成之磊晶矽晶圓，其特徵在於： 上述矽基板的至少邊緣部及從主背面的外周往内側 1mm為止的範圍，沒有由於承受體而造成的接觸傷痕。特 別是，較佳為：上述矽基板的背面，整個面沒有由於承受 體而造成的接觸傷痕。 如此’將基板（除了基板的邊緣部以外，在主背面具有 矽氧化膜）’經由該矽氧化膜，載置在承受體上，來形成蟲 201005803 晶層’藉此，便能在石夕基板的背面的至少邊緣部及從主背 面的外周往内側lmm為止的範圍、或是整個背面，沒有因 與承受體接觸而產生傷痕的情況， 基板的表面上），並且，在之後的_使；^層成長（成長在 來的：因此’能提高晶圓製造、甚至是元件製造的： 而且，上述矽基板含有摻雜劑的情況，於上述矽氧化 膜的除去步驟中’較佳是：即使增加上财氧化膜的除去 區域’也設為從主背面的外周至往内侧imm為止。 如此’矽基板含有摻雜劑的情況，要除去的矽氧化膜， 最多設為從主背面的外周至往内側lmm為止，藉此，在蟲 晶層的成長中’能抑制從碎基板的背面來的自動捧雜。 此情況，上述除去石夕氧化膜的步驟，較佳是藉由鏡面 研磨來進行；X’上述砍基板的邊緣部，較佳是鏡面。 如此，藉由鏡面研磨，能精度佳地除去邊緣部的矽氧 化膜，又，藉由矽基板的邊緣部是鏡面，能進一步地製造 出沒有發塵的磊晶矽晶圓。 進而，上述形成矽氧化膜的步驟，是藉由化學氣相沈 積法（CVD法）來進行。 如此，藉由利用CVD法來將矽氧化膜形成於矽基板的 整個背面上’不但能簡單地形成CVD矽氧化膜，且在成長 磊晶層後，能簡單地除去矽氡化膜。 若是根據本發明的磊晶矽晶圓及其製造方法，便能在 矽基板的背面沒有因與承受體接觸而產生傷痕的情況下， 201005803 使蟲晶層成長（成長在基板的表面上），並且，在之後的步 驟中，也能抑制由基板來的發塵。因此，能提高晶圓製造、 甚至是元件製造的良率及品質。 【實施方式】 在磊晶晶圓的製造及之後的元件製造中的發塵，除了 從已堆積在邊緣部的聚石夕或位於基板上的傷痕而直接發塵 參 以外’也有在矽氧化膜等的膜形成、除去t程中，石夕氧化 膜殘留在傷痕内部’由於剝離此矽氧化膜而會發塵。因此， 以往便開發出各種各樣的承受體。但是，不論如何地改變 承受體上的基板的支持方法，仍然無法解決元件製造步驟 中的發塵問題。 關於上述成為發塵的原因之基板的傷痕，本發明人進 行深入的研究。 目前’當要製造直徑超過3〇〇mm的磊晶矽晶圓時，藉 ❹ 由利用承受體來支持矽基板的主背面的外周附近（比邊緣 部更内側），來防止與承受體接觸而產生的傷痕。但是，即 便是此種支持方法，在與承受體接觸的點，仍會發生傷痕。 與基板主背面的外周接觸來進行支持之型式的承受 體，若載置晶圓並在氫氣氛中加熱至丨1〇(rc為止，則承受 體與基板局部地黏結，接著，當溫度下降，難結點剝離二 邊剝離部分則成為傷痕。 α右利用電子顯微鏡來觀察此傷痕，則發現在傷痕的内 部含有深的裂紋。傷痕的位置，根據與承受體之接觸角度 8 201005803 5例如在其柱坑的外周部所形成的基板的設置部的 : '《承受體’傷痕是發生在從主背面的外周往内侧

、寬度之間，若設置部的角度小，則與承受體之間的 接觸點’會從φ择；& L 、 從主者面的外周，更往内側移動，而在接觸點， 仍然會由於剝離而發生傷痕。 :為防止傷痕的手段，如日本特開號公 立=考慮藉由CVD氧化膜等，來保護與承受體接觸的 部分。但是，使用承受體來支持矽基板的主背面的外周的 月況至主月面的外周為止，甚至是至邊緣部為止，都存 在著CVD氧化膜’❿成為不佳。這是因為：用來防止傷痕 之夕氧化膜，右存在於邊緣部，則在磊晶層成長時，聚矽 會成長於矽氧化膜上，反而會成為發塵的原因的緣故。 因此本發明人反覆地研究，想到了以下的技術思想， 而凡成本發明。亦即’當要製造並提供—種在基板（使蟲晶 層成長於其上）的者面沒有傷痕，且在之後的步驟中也不會 發塵之遙晶石夕晶圓時’只要使石夕基板沒有直接接觸承受 體’並使聚石夕不會成長即可。 以下’ 一邊參照圖式一邊說明本發明的實施形態，但 本發明並未限定於此實施形態。 第1圖疋在製造本發明的蟲晶石夕晶圓的方、法中，詳細 地表示與承受體之間的接觸關係的剖面圖。又，第3圖是 用以說明有關本發明的單晶矽晶圓的製造方法的步驟流程 圖。 201005803 本發明的蟲晶發晶_製造方法，首先，在步驟A中， 將梦氧化膜4 ’形成於所準備的石夕基板w的整個背面上。 此時’所準備的⑪基板w，沒有特別地限定。 矽乳化膜4的形成，沒有特別地限定，也能進行熱氧 化法來形成，但較佳是藉由CVD(Chemical Vapor Deposition:化學氣相沈積法）來進行。 如此，藉由利肖CVD法來將石夕氧化膜形成於石夕基板的 f個背面，不但能簡單地形成CVD矽氧化膜，且在成長磊 B曰層後，不會損傷磊晶矽晶圓，便能簡單地除去矽氧化膜。 又’例如基板含有摻雜劑的情況，在背面（沒有形成蟲晶層 的面）’利用CVD法所作成㈣氧化膜是敏密的，因此在 蟲晶層的成長中’能防止已包含在基板中的摻雜劑往外方 擴散’也就是能抑制所謂的由於磊晶層的自動摻雜所造成 的電阻率變化。 上述CVD法的條件沒有限定，例如能應用在常壓下進 行的CVD法。 、接著，在步驟3中，如第1圖及第2所示，除去已形 成，石夕基板1的至少邊緣部3上㈣氧化膜4。第2圖是 從背面來看剛除去發氧化膜後的基板w而得到的概略圖。 此時的矽氧化膜，雖然也可以除去直到比邊緣部更内 〇為止，但至少需要剩下要與承受體接觸的部分。此矽氧 化膜，疋為了使承受體與基板不會直接接觸。 又，若過度地除去矽氧化膜至基板的内側為止，則例 如基板含有鬲濃度的硼等的摻雜劑之情況，當使磊晶層成 201005803 長時，大篁的摻雜劑會從背面往外方擴散，於是有可能進 行蠢晶石夕^自動推雜。目此，在擔心會發生自動捧雜的 基板上，使磊晶層成長時，即使增加矽氧化膜的除去區域， 較佳是：從主背面的外周la至往内側lb為止，設為。 如此，基板含有摻雜劑的情況，藉由將已形成於主背 面上的氧化膜除去至不太往内側為止，便能抑制成長中的 蟲晶層的自動摻雜。 矽氧化膜4的除去，例如能利用以下兩種方式來進行： 先在想要殘留下來的矽氧化膜上進行遮蔽（mask)，然後浸 潰於HF水溶液中；或是將背面已形成有石夕氧化膜之複數 片基板，使其表背面的主面彼此之間互相重疊，例如以1〇〇 片為單位，批式地將邊緣部浸潰於HF水溶液中。但是， 當想要使製造出來的蟲晶石夕晶圓，進而沒有傷痕的情況， 除去矽氧化膜的步驟B，較佳是藉由鏡面研磨來進行。 利用鏡面研磨來除去已形成於矽基板w的邊緣部3上 # ㈣氧化膜4 ’藉此，可確實地除去氧化膜，且利㈣經 成長步驟，能製造出沒有成長出㈣之以@晶而且， 由於邊緣部平滑化，所以在遙晶步驟中，在邊緣部，能防 止被稱為團塊之聚矽的異常成長。 接著，在步驟C中，經由（隔著）在步驟β中所形成的 矽氧化膜4，將矽基板w載置在承受體16上。 、 此時，承受體16，如第3圖（C)所示，能使用一種在 受體的柱坑的t央，形成有圓柱狀的凸部去 〇可。又，本於明 中所使用的承受體，例如也可以是在中水 * 央形成有環狀的凸 201005803 部者。 但是，本發明中所使用的承香 取又體1 6 ’必須經由石夕氧化 膜4來支持梦基板w。因此，盈、、泰m 此無法使用一種承受體，該承 又體在其柱坑也就是凹部的内部，進而形成有凹部，並利 用柱坑的段差（高低差），以邊緣部或是從基板w的主背面 的外周往内側imm為止的範圍，來進行支持。 因此’即便是針對在其柱坑的中央形成有圓柱狀或環 狀的凸部之承受趙，較佳是侦用 1疋便用種承受體，該凸部的圓 柱或環的直徑，較殘留的石夕氧化膜，大約+ lmm〜2mm左 右0 石夕基板W載置在承受體上的位置，如第3圖所示，是 以被支持在柱坑的中央處的方式來進行載置。 接著，在步驟D中，利用承受體16，經由（隔著）矽氧 化膜4來保持矽基板w，在此狀態下，使磊晶層$成長於 矽基板W的表面上。 磊晶層5,例如能以下述方式來進行成長。先在第* 圖中所介紹的單片式磊晶成長裝置的反應室内配置上述 般的承受體，保持已在背面形成有氧化膜之矽基板，並僅 供給載氣（氫），然後一邊使基板旋轉一邊升溫至原料氣體 的反應溫度也就是丨丨3〇°c為止，接著，將磊晶層的成長溫 度設為大約113〇°C，並藉由以一定的流量，從氣體導入口 供給二氯矽烷與氫，來進行成長。反應時間及原料氣體的 流量’可對應所要形成的磊晶層的厚度來加以適當地變更。 在此步驟D之後，進行從背面來全部除去矽氧化膜4 12 201005803 之步驟E，來製造磊晶矽晶圓1 〇。 如此，將在基板W的主背面具有矽氧化膜之基板，經 由該矽氧化膜，載置在承受體上來形成磊晶層，藉此，在 矽基板的背面，不會發生與承受體接觸而產生的傷痕，便 錢磊晶層成長’並且’在之後的步驟中，能抑制由基板 ㈣發塵。因此，能提高晶圓製造、甚至是元件製造的良 率及品質。 &而，由於在邊緣部沒有殘留石夕氧化膜’所以在轰晶 層成長時’能抑制無用的聚矽的成長。 利用上述本發明时法而製造出來的蟲晶石夕曰曰曰圓，是 在石夕基板w上成長了蟲晶層5而成之蟲晶石夕晶圓，且在 石夕基板W的至少邊緣部3及從主背面的外周1&至往内側 imm的内们b為止的區域，是不會由於承受體而造成接 觸傷痕的區域？ 如此的不會因與承受體接觸而發生傷痕之磊晶矽晶 鲁IB ’即使疋在之後的步驟中，也能抑制從基板來的發塵。 因此’能提高晶圓製造、甚至是元件製造的良率及品質。 特別疋磊晶矽晶圓10的矽基板，較佳是整個背面都是 不會由於承受體而造成接觸傷痕的區域，如此的磊晶矽晶 圓此確實地抑制從基板的由於承受體而造成的接觸傷痕 來的發塵。 進而，上述磊晶矽晶圓，較佳是：矽基板w的邊緣部 是^面；藉此’不但能防止聚石夕的成長，並能防止團塊或 想卩（隆起）的成長，進而能防止從基板的邊緣部來的發塵。 13 201005803 [實施例] 以下，顯不本發明的實施例及比較例，更具體說明本 發明’但本發明並未限定於這些例子。 (實施例1、2) 利用第3圖所示的流程，來進行磊晶矽晶圓的製造。 首先，作為基板w，準備一種直徑3〇〇mm、p型、硼 摻雜（6xl〇18at〇ms/Cm3)的P+單晶矽，且具有〇5mm寬度的 邊緣部3之單晶矽基板。此時，基板w的主背面〖，其直 徑是299mm。 接著，藉由常壓下的CVD法，在矽基板|的整個背 面，形成厚度3500A ( 3 5 0 nm )的CVD矽氧化膜。 繼續’藉由鏡面研磨’除去已被形成於基 板的邊緣部及從主背面的外周至往内側lmm為止的區 域上之CVD矽氧化膜。因此，被形成於基板的主背面上的 φ CVD矽氧化膜4的直徑，大約成為297mn^ 接著，將矽基板W，經由（隔著）矽氧化膜4，載置在承 受體16上。 此時，實施例1中的承受體，是使用一種承受體，其 柱坑的直徑是302mm ’且在該柱坑的中央，具有直徑咖 且高度為0· 09mm的圓柱狀凸部（參照第3圖（c))。又，實 施例2中的承受體，是使用一種承受體，其柱坑的直徑是 302mm ’且在s亥柱坑的中央，具有外徑296mm、内徑279mm 且高度為0. 09mm的環狀凸部（未圖示）。 201005803 繼續’先僅將載氣（氫）供給至單片式的磊晶成長裝置 的反應室中，一邊使基板w旋轉一邊升溫至原料氣體的反 應溫度也就是113 0。(：為止，並將磊晶層的成長溫度設為大 約1130°C ’然後從氣体導入口，以10SLM的流量供給作為 反應氣體的三氣；ε夕燒（SiHCh) ’並以5 0SLM的流量供給氫 (HO。並且’在基板w上，形成厚度大約5"ιη的磊晶層。 接著’利用HF(氫氟酸）來除去已形成於基板w的背面 上之矽氧化膜4。 藉此’能製造出一種磊晶矽晶圓，在其基板w的整個 背面’不會有由於承受體而造成的接觸傷痕。 (比較例1) 首先，準備一種與在實施例中所準備的基板w相同規 格的基板W(沒有背面CVD氧化膜）。接著，在承受體的柱 坑内，將基板W載置在具有傾斜（大約丨。的角度）之段差 部釦，使得可在基板的從主背面外周往内側丨mm以内的範 圍内，來支持基板。 繼續，先僅將載氣（氫）供給至單片式的磊晶成長裝置 的反應室中，一邊使基板W旋轉一邊升溫至原料氣體的反 應溫度也就是11 3(TC為止，並將磊晶層的成長溫度設為大 約1130°C ’然後從氣体導入口，以丨〇SLM的流量供給作為 反應氣體的三氣矽烷（SiHCh)，並以50SLM的流量供給氫 (Hz)。並且’在基板w上，形成厚度大約的磊晶層。 藉此種方法而製造出來的比較例丨的磊晶矽晶圓，當 15 201005803 使用鹵素燈來觀察基板的背面時，在與承受體接觸的位 置，發現了許多傷痕。 (比較例2) 首先’準備一種與在比較例i中所準備的基板w相同 規格的基板W。接著，將基板贾載置在承受體上，該承受 體，其柱坑的直徑為3〇2mm ’且在該柱坑的中央，且有外 徑28〇mm、内徑279mm且高度為〇.〇9mm之環狀的/凸部。 繼續，先僅將載氣（氫）供給至單片式的蟲晶成長裝置 的反應室中，一邊使基板W旋轉一邊升溫至原料氣體的反 應溫度也就是113(TC為止，並將蟲晶層的成長溫度設為大 約113(TC ’然後從氣体導入口，以10則的流量供給作為 反應氣體的三氣矽烷（SiHCh)，並以50SLM的流量供給氫 (1)。並且，在基板W上，形成厚度大約5“m的磊晶層。 結果，被製造出來的磊晶矽晶圓，在基板的主背面， 觀察到因與承受體接觸而產生的傷痕。進而，在接觸部分， 磊晶層成長，因而也觀察到從基板的主背面所產生的高度 約為57nm的石夕的突出部分。 (比較例3) 首先，準備一種與在比較例1中所準備的基板w相同 規格的基板W。 接著，藉由常壓下的CVD法，在矽基板的整個背面， 形成厚度350〇A( 3 5 0 nm)的CVD矽氧化膜。 16 201005803 接著，將石夕基板，經由石夕氧化膜，載置在承受體上β 此時的承受體’是使用—種承受體，其柱坑的直徑是 302咖’且在該柱坑的中央，具有直徑挪咖且高度為 0. 09mm的圓柱狀凸部。 繼續，先僅將載氣（氫）供給至單片式的磊晶成長裝置 的反應至中，一邊使基板W旋轉一邊升溫至原料氣體的反 應溫度也就是113(TC為止，並將磊晶層的成長溫度設為大 約113〇°C，然後從氣体導入口，以10SLM的流量供給作為 反應氣體的三氣矽烷（SiHCl,)，並以50SLM的流量供給氫 (Hz)。並且’在基板w上，形成厚度大約5//m的磊晶層。 接著’利用HF(氫氟酸）來除去已形成於基板w的背面 上之CVD氧化膜。 藉此’雖然製造出磊晶矽晶圓，但由於在邊緣部殘留 了 CVD氧化膜，所以在磊晶層成長中，大量地發生聚矽， 而無法獲得可作為製品而出貨之磊晶矽晶圓。 0 關於在上述實施例1、2及比較例1〜3中所製造出來 的磊晶矽晶圓，觀察其背面的傷痕的結果，表示於下述表 1中。 17 201005803 [表i] 背面的氧化膜 承受體的形狀 接觸傷痕的發生 實施例1 主背面的 一部分 在柱坑中，具有圓柱狀的 凸部 無 實施例2 主背面的 一部分 在柱坑中，具有環狀的凸 部 無 比較例1 無 在柱坑中，具有段差，以 基板的從外周至往内側 1刪的區域，來進行支持 從主背面至往内側1刪 以内之與承受體接觸的 部分，有多數傷痕 比較例2 無 在柱坑中，具有環狀的凸 部 在主背面之與承受體接 觸的部分，有多數傷痕 比較例3 包含邊緣部 之整個背面 在柱坑中，具有圓柱狀的 凸部 無 根據此表1的結果可知，若是本發明的磊晶矽晶圓的 製造方法，便能在矽基板的背面不會因與承受體接觸而發 生損傷的情況下，使磊晶層成長。因此，即便是在之後的 步驟中，也能抑制由基板來的發塵，而能提高晶圓製造、 甚至是元件製造的良率及品質。 另外，本發明並未被限定於上述實施形態。上述實施 形態只是例示，凡是具有與被記載於本發明的申請專利範 圍中的技術思想實質上相同的構成，能得到同樣的作用效 果者，不論為何者，皆被包含在本發明的技術範圍内。 18 201005803 【圖式簡單說明】 第1圖是在製造本發明的磊晶矽晶圓的方法中，詳細 地表示與承受體之間的接觸關係的剖面圖。 第2圖是從基板的背面來看而得到的概略圖。 第3圖是用以說明有關本發明的單晶矽晶圓的製造方 法的步驟流程圖。 第4圖是通常的單片式磊晶成長裝置的概略圖。

4 : (CVD)矽氧化膜 5 :磊晶層 1 〇 :磊晶矽晶圓 16 :承受體 W :(矽）基板 【主要元件符號說明】 1 :主背面 1 a :外周 lb :内側 2 :表面 3 ·'.邊緣部

Claims (1)

1. 201005803 七、申請專利範圍： ι· 一種磊晶矽晶圓的製造方法，是針對將矽基板載置在 承受體上’並藉由使磊晶層成長來製造磊晶矽晶圓的方 法，其特徵在於： 至少包含：在上述矽基板的整個背面，形成矽氧化膜 之步驟； 除去已形成在上述矽基板的至少邊緣部上的矽氧化膜 之步驟；以及 ❿ 經由上述矽氧化膜，將上述矽基板載置在上述承受體 上之步驟； 並且，利用該承受體，經由上述矽氧化膜，來保持上 述發基板’在此狀態下，使蟲晶層成長在上述石夕基板上。 、、如申§月專利範圍冑！項所述之蠢晶石夕晶圓的製造方 法，其中在上述石夕基板含有摻雜劑的情況，於上述石夕氧化 鲁:的除去步驟中，即使增加上述石夕氧化膜的除去區域，也 ⑶為從主背面的外周至往内側lmm為止。 4.如申請專利範圍第2 法，其中上述除去矽氧化膜 項所述之磊晶矽晶圓的製造方 的步驟’是藉由鏡面研磨來進 20 201005803 行0 二二申⑼專利範圍第1項〜第4項中任-項所述之蟲晶 梦曰曰圓的製造方法’其中上述形切氧化料步驟， 由化學氣相沈積法（CVD法）來進行。 3 6· -種為晶石夕晶圓’是使蟲晶層成長在石夕基板上而成之 磊晶矽晶圓，其特徵在於：

   上述石夕基板的至少邊緣部及從主背面的外周往内側 1mm為止的範圍，沒有由於承受體而造成的接觸傷痕。 7.如申請專利範圍第6項所述之磊晶矽晶圓，其中上述 矽基板的背面，整個面沒有由於承受體而造成的接觸傷痕。 8'如申請專利範圍第6項或第7項所述之磊晶矽晶圓， 其中上述矽基板的邊緣部是鏡面。 21