TW200841105A - Electrooptic device and electronic device - Google Patents

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TW200841105A
TW200841105A TW096147702A TW96147702A TW200841105A TW 200841105 A TW200841105 A TW 200841105A TW 096147702 A TW096147702 A TW 096147702A TW 96147702 A TW96147702 A TW 96147702A TW 200841105 A TW200841105 A TW 200841105A
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Masashi Nakagawa
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Seiko Epson Corp
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Description

200841105 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明乃關於例如使用於液晶裝置等之光電裝置,及 具備該光電裝置之例如液晶投影機等之電子機器之技術領 域者。 【先前技術】 此種光電裝置之一例之液晶裝置乃不僅於直視型監視 器,例如亦多做爲投射型顯示裝置之光調變手段(光閥) 加以使用。尤其是投射型顯示裝置之時,由於從光源之強 光入射至液晶光閥之故,爲使經由此光線,液晶光閥內之 薄膜電晶體(TFT )不產生泄放電流之增大或誤動作等, 將做爲遮蔽入射光之遮光手段之遮光膜,內藏於液晶光閥 。對於如此遮光手段或該光膜而言,例如日本專利第 3 3 5642 9號公報(以下稱日本專利1),乃揭示配置於較 構成TFT之半導體層炭上層側的閘極配線中,經由設於 爲連接配置於較該閘極配線與半導體層爲下層側之背面遮 光膜的連接孔內的部分,提高京光TFT之機能的技術。 但是,揭示於日本專利文獻1之技術中,爲連接閘極 配線與背面遮光膜之連接孔乃由平面視之,具有沿資料線 之長方形狀而形成。爲此,伴隨此種光電裝置之所需之高 開口率化,使配線寬變狹之時,難以充分確保形成連接孔 之面積,而有連接阻抗墦大之疑慮的技術問題點。 另一方面,此種光電裝置乃於基板上,具備畫素電極 -4- 200841105 、和爲進行該畫素電極之選擇性之驅動的掃描線、資料線 及做爲畫素開關用元件之TFT (薄膜電晶體);可主動矩 陣驅動地加以構成。又,將高對比化等爲目的,有在於 TFT和畫素電極間,設置電容元件。以上之構成要素乃在 基板以高密度製作,達成畫素開口率之提升或裝置之小型 化。 在此,尤其電容元件乃儘可能容量大者爲佳,相反地 φ ,期望不犧牲畫素開口率加以設計。在此,例如日本特開 2005- 1 1 5 1 04號公報(以下稱專利文獻2)中,揭示有將 電容元件形成於基板上之凹部之底面及側面,而確保高開 口率,且增大該電容元件之容量之技術。 上述之電容元件乃將該電容元件之構成要素之電極做 爲遮光膜加以並用,亦可諌光TFT。例如,上述日本專利 文獻2中,揭示經由電容元件,減低向半導體層之光線入 射的技術。 φ 但是,根據揭示於專利文獻2之技術,在於製造步驟 中,將爲形成電容元件之凹部,經由與形成基板上之其他 構成要素之工程獨立各別的工程,加以製作,而會有招致 製造工程之複雜化之疑慮的技術問題。又,伴隨更一層之 ’開口率的提升或裝置之小型化,確保形成電容元件之面積 則會有更爲困難的技術問題。 【發明內容】 本發明乃例如有鑑於上述之問題點,提供適於開口率 -5- 200841105 之提升,可減低TFT之光泄放電流之產生的同時,可實 現TFT之閘粟電極配置於與該閘極電極層之掃描線間之 良好電性連接的光電裝置及具備該光電裝置所成之電子機 器爲課題。更且,提供維持高開口率下,增大蓄積電容之 容量的同時,可減低TFT之光泄放電流之產生,可顯示 高品質之光電裝置及具備該光電裝置所成電子機器爲課題 〇 關於本發明之第1之光電裝置乃爲解決上述課題,於 基板上,具備相互交差之資料線及掃描線、和對應於該資 料線及掃描線之交叉而設置之畫素電極、和設在畫素之開 口範圍相互隔開之非開口範圍中,對應於前述交叉之交叉 範圍’包含(i )配置在介有前述掃描線與第1之絕緣膜 ,互爲不同之層,形成具有沿前述資料線延伸之第1之方 向之通道長的通道範圍的半導體層、和(ii )對於該半導 體層,配置於與前述掃描線相反側之層,重疊於前述通道 範圍之閘極電極的電晶體;於前述第1之絕緣膜中,形成 具有在前述基板上平面性視之,於前述半導體旁側,沿前 述第1之方向而延伸存在之第1部分、和與前述掃描線之 一部分重疊的同時,沿前述掃描線延伸之第2部分之方向 而延伸存在之第2部分,爲電性連接前述閘極電極與前述 掃描線之連接孔。 根據關於本發明之第1之光電裝置時,於該動作之時 ,藉由掃描線’掃描信號則順序供予電晶體之閘極電極, 藉由資料線,畫像信號則供予電晶體之源極,畫像信號則 -6 - 200841105 供予畫素電極。由此,晝素電極則可進行對應於資料線及 掃描線之交叉,例如呈矩陣狀複數設置之畫素範圍(或亦 稱「畫像顯示範圍」)之畫像顯示,即可進行所謂主動矩 陣方·式之畫像顯示。 在此,掃描線、資料線及電晶體乃在基板上平面視之 ,將畫素(即對應於畫素電極之畫素)之開口範圍(即各 畫素中,透過或反射實際賦予顯示之光之範圍),設於相 互間隔之非開口範圍內。即,此等之掃描線、資料線及電 晶體乃不妨礙顯示地,非設於各畫素之開口範圍,而設於 非開口範圍。 電晶體乃非開口範圍中,設於對應於資料線及掃描線 之交叉的交叉範圍·(即,設於交叉範圍之全部或一部分) ,包含具有通道領域之半導體層、及重疊於通道領域之閘 極電極。 半導體層乃於基板上之層積構造中,藉由掃描線與第 1之絕緣膜,配置於互爲不同之層(即較掃描線藉由第1 之絕緣膜靠近下層側或上層側)。通道領域乃具有沿延伸 資料線之第1之方向(換言之,排列複數之掃描線之方向 ,即Y方向)之通道長。即,半導體層乃典型而言,沿 第1之方向而延伸形成。 閘極電極乃於基板上之層積構造中,對於半導體層而 言,配置於與掃描線相反側之層。此時,半導體層之旁側 ,形成連接孔,電性連接閘極電極與掃描線亦可。即,掃 描線較半導體層配置於下層側之時,閘極電極乃較半導體 200841105 層例如藉由閘極絕緣膜配置於上層側,換言之,電晶體乃 做爲頂閘極型之電晶體加以形成。另一方面,掃描線較半 導體層配置於上層側之時,閘極電極乃較半導體層例如藉 由閘極絕緣膜配置於下層側,換言之,電晶體乃做爲底閘 極型之電晶體加以形成。 閛極電極及掃描線乃於基板上之層積構造中,配置於 閘極電極與掃描線間之絕緣膜(或該絕緣膜及例如閘極絕 緣膜),藉由形成或開口之連接孔加以電性連接。即,例 如掃描線較半導體層配置於下層側之時(即,較掃描線藉 由第1之絕緣膜,於上層側電晶體做爲頂闌極型加以配置 時,閘極電極從該閘極電極中與通道領域重疊之部分,延 伸設置於連接孔內,而可電性連接閘極電極與掃描線。或 ,例如掃描線較半導體層配置於上層側之時(即,較掃描 線藉由第1之絕緣膜,於下層側電晶體做爲底閘極型加以 形成時),掃瞄線從沿該第2之方向延伸之本線部,延伸 設置於連接孔內,而可電性連接閘極電極與掃描線。不論 何時,於連接孔內,形成閘極電極或掃描線之一部分。然 而,於連接孔內,經由形成皆與閘極電極及掃描線不同之 導電材料所成插塞,電性連接閘極電極與掃描線地,加以 構成亦可。 本發明中,爲電性連接之閘極電極與掃描線之連接孔 ,乃具有在基板上平面性視之,於前述半導體旁側,沿前 述第1之方向而延伸存在之第1部分、和與掃描線之一部 分重疊的同時,沿掃描線延伸之第2部分之方向(換言之 -8- 200841105 ,交於第1之方向或排列複數之資料線之方向,即XI 向)而延伸存在之第2部分。即,連接孔乃經由第1部分 與第2部分,例如做爲具有L字狀或T字狀等之平面形 狀的溝(或連接溝),於第1之絕緣膜,例如經由蝕刻等 加以形成。 因此,維持高開口率下,可減低閘極電極與掃描線間 之連接阻抗。即,本發明中,尤其連接孔乃具有第1及第 2部分之故,即使與連接孔例如具有圓形狀、正方形狀、 長方形狀等之平面形狀之時比較,於有限之非開口範圍, 可使形成該連接孔之範圍面積變廣。因此,可減低閘極電 極與掃描線間之電阻,而提升開口率。然而,在此「開口 率」乃指在對應於各畫素之全範圍(即,開口範圍與非開 口範圍之合計),開口範圍所佔之比率,開口率愈大,液 晶裝置之顯示性能則會提升。 更且,本發明中,尤其如上所述,連接孔之第1部分 乃於半導體層之旁側,沿第1之方向而延伸存在。即,第 1部分乃在沿第1之方向而延伸形成之半導體層之側面側 ,離開特定距離,沿第1之方向,形成呈長形狀。因此, 形成於第1部分內之閘極電極或掃描線之一部分乃由3維 視之,沿半導體層例如做爲壁狀之遮光體加以形成。因此 ,將對於半導體層之斜向入射之光線(即具有沿基板面成 分之光線),可經由第1部分(更正確而言,形成於第1 部分內之閘極電極或掃描線之一部分)加以遮蔽。即,經 由做爲配置於半導體層附近之例如壁狀之遮光體所形成之 -9- 200841105 第1部分’可強化遮蔽對於半導體層斜向入射之光線 光性。此結果’可減低畫像顯示之閃爍或晝素不均。 如以上之說明,根據關於本發明之第1之光電裝 ’爲電性連接掃描線與閘極電極之連接孔乃具有第1 2部分之故’適於開口率之提升,可減低電晶體之光 電流之產生的同時,可實現電晶體之閘極電極與掃描 之良好電性連接。結果,可變得明亮、可減低閃爍或 不均,進行高品質之畫像顯示。 關於本發明之第1之光電裝置之一形態中,前述 電極乃具有重疊於前述通道領域之本體部分、和從該 部分在前述基板上平面性視之,與前述連接孔重疊地 延伸設置之閘極電極延伸設置部分,前述掃描線乃具 前述第2之方向延伸之主線部分,和從該主線部分在 基板上平面性視之’與HU述第1部分重暨地加以延伸 之掃描線延伸設置部分。 根據此形態時,可將閘極電極延伸設置部分或掃 延伸設置形成於連接孔內之故,可確實電性連接閘極 及掃描線間的同時,可確實強化對於半導體層之遮光 關於本發明之第1之光電裝置之其他形態中,前 導體層乃具有電性連接於前述資料線之資料線側源極 範圍、和電性連接於前述畫素電極之畫素電極側源極 範圍、和形成於前述通道範圍及前述資料線側源極汲 圍間的第1之接合範圍、和形成於前述通道範圍及前 素電極側源極汲極範圍間的第2之接合範圍;前述第 之遮 置時 及第 泄放 線間 畫素 閘極 本體 加以 有沿 前述 設置 描線 電極 性。 述半 汲極 汲極 極範 述畫 1部 -10- 200841105 分乃沿前述第1及第2之接合範圍之至少一方而形成者。 根據此形態時,第1部分(更正確而言,爲形成於第 1部分內之閘極電極或掃描線之一部分)乃由3維視之, 沿半導體層之第1及第2之接合範圍的至少一方,則例如 做爲壁狀之遮光體加以形成。因此,可將對於半導體層之 第1及第2之接合範圍之至少一方斜向入射之光線,經由 第1部分加以遮蔽。即,經由做爲配置於半導體層附近之 例如壁狀之遮光體所形成之第1部分,可強化遮蔽對於半 導體層斜向入射之光線之遮光性。 然而,關於本發明之「第1之接合範圍」乃形成於通 道範圍與資料線側源極汲極範圍之接合部的範圍,關於本 發明之「第2之接合範圍」乃形成於通道範圍與畫素電極 側源極汲極範圍之接合部的範圍。即,第1及第2之接合 範圍乃例如指電晶體例如做爲NPN型或PNP型電晶體( 即N通道型或P通道型電晶體)形成時之pn接合範圍, 或電晶體具有LDD構造之LDD範圍(即例如經由離子植 入法等之不純物的植入,於半導體層植入較源極汲極範圍 少量之不純物的範圍。) 上述之第1部分沿第1及第2之接合範圍之至少一方 形成之形態中,前述連接孔乃在前述基板上,平面視之, 形成於前述半導體層之兩側,前述第1部分乃設於前述至 少一方之兩側亦可。 此時,連接孔之第1部分(更正確而言,爲形成於第 1部分內之閘極電極或掃描線之一部分)乃於半導體層之 -11 - 200841105 第1及第2之接合範圍的至少一方之兩側,例如做爲壁狀 之遮光體加以形成。因此,對於至少一方之接合範圍而言 ,可遮光從兩側斜向入射之光線。因此,更確實減低電晶 體之光泄放電流。 更且,連接孔一個一個形成於半導體層之兩側之故, 可更確實減低閘極電極與掃描線間之電阻。 上述之第1部分沿第1及第2之接合範圍之至少一方 形成之形態中,前述第1部分乃在前述基板上,平面視之 ,沿前述第2之接合範圍加以設置亦可。 此時,連接孔之第1部分(更正確而言,爲形成於第 1部分內之閘極電極或掃描線之一部分)乃沿第2之接合 範圍,例如做爲壁狀之遮光體加以形成。在此,根據本發 明人之硏究,理論上,於電晶體之動作時,第2之接合範 圍中,相較於第1之接合範圍,在實驗中証明,光泄放電 流有相對易於產生之傾向。本形態中,經由連接孔之第1 部分,更確實遮光入射於半導體層之第2之接合範圍的光 線,可更減低入射至半導體層之第2之接合範圍之光線量 。結果,可更有效果減低電晶體之光泄放電流之產生。 上述之第1部分沿第1及第2之接合範圍之至少一方 形成之形態中,前述第1及第2之接合範圍可爲LDD範 圍。 於此時,電晶體乃具有LDD構造。因此,於電晶體 之非動作時,減低流於資料線側源極汲極範圍及畫素電極 側源極汲極範圍之關閉電流,且可減低電晶體之飽和動作 -12- 200841105 時之汲極端之電場緩和,可抑制起畎於熱載現象所造成臨 限値之上昇(關於電晶體特性劣化之可靠性上的課題)之 開啓電流的下降及關閉泄放電流之上昇。 關於本發明之第1之光電裝置之其他形態中,前述掃 描線乃配置於較前述半導體之下層側。 根據此形態,於較頂閘極型之電晶體,藉由第1之絕 緣膜下層側,配置掃描線。因此,掃描線乃可做爲從返回 光遮光電晶體之下側遮光膜或背面遮光膜加以工作。即, 經由做爲下側遮光膜之掃描線,由穿過基板之背面反射或 複板式之投影機等之其他光電裝置發出之合成光學系之光 線等之基板側,入射至裝置內之返回光,使電晶體被遮光 。因此,更確實減低電晶體之光泄放電流之產生。 關於本發明之第1之光電裝置之其他形態中,前述閘 極電極及前述掃描線乃包含遮光性導電材料。 根據此形態時,可將閘極電極及掃描線,可確實做爲 遮光入射至電晶體之遮光膜加以工作。尤其,閘極電極或 掃描線之一部分乃可確實做爲形成於連接孔之第1部分內 之例如做爲壁狀之遮光體加以工作。因此,更確實減低電 晶體之光泄放電流之產生。 關於本發明之第1之光電裝置之其他形態中,前述第 1部分之寬度乃較前述第2部分之寬度爲窄。 根據此形態,第1部分之寬度較第2部分之寬度爲窄 之故,幾乎不會招至形成第1部分所造成非開口範圍之增 大(換高之,開口率下降)。更且,第2部分之寬度乃較 -13· 200841105 第1部分之寬度爲廣之故’經由第2部分可確實減低閘極 電極與掃描線間之連接阻抗。即’確實維持高開口率下, 主要經由第1部分可對於電晶體之遮光性強化,經由第2 部分,可減低閘極電極與掃描線間之連接阻抗。 有關於本發明之第1之光電裝置之其他形態中,更具 備較前述電晶體藉由第2之絕緣膜配置於上層側,形成於 前述非開口範圍內之蓄積電容,前述蓄積電容乃具有起因 於前述連接孔,被覆產生於前述第2之絕緣體之上層側表 面之凹部而形成,具有沿該凹部之表面之凹狀之剖面形狀 之凹狀部分。 根據此形態,蓄積電容乃於基板上之層積構造中,較 電晶體藉由第2之絕緣膜配置於上層側。更且,蓄積電容 乃於非開口範圍內,典型而言,被覆通道範圍及鄰接此之 例如LDD範圍等,在基板上,平面視之,於半導體層至 少部分重疊而形成者。蓄積電容乃典型而言,包含遮光性 導電膜(更具體而言,構成蓄積電容之一對電容電極之至 少一方,乃例如由金屬膜等之遮光性導電膜所形成),做 爲在於電晶體遮光從上層側入射之光的內藏遮光膜加以工 作。因此,可減低電晶體之光泄放電流之產生。 於此形態中,尤其,積蓄電容乃具有於第2之絕緣膜 之上層側表面,被覆起因於連接孔所產生之凹部而形成, 具有沿該凹部之表面之凹狀之剖面形狀的凹狀部分。 即,配置於較第2之絕緣膜下層側之第1之絕緣膜中 ,如前述形成連接孔之故,於第2之絕緣膜之上層側表面 -14- 200841105 ’產生起因於該連接孔,例如槪略沿連接孔之內壁之凹部 。積蓄電容乃經由被覆該凹部而形成,該一部分則形成於 凹部內,具有沿凹部之表面之凹狀剖面形狀之凹狀部分。 凹狀部分就典型而言,沿凹部之壁部及底部加以形成。 因此,積蓄電容乃由於具有凹狀部分之量,而增大電 容値。因此,可提升畫素電極之電位保持特性。換言之, 積蓄電容與不具有凹狀部分之情形(即積蓄電容僅平面性 形成之時)比較’可使具有實現製品之顯示性能的電容値 之蓄積容量’作成於基板之狹窄範圍。由此,可減低畫像 顯示之閃爍或畫素不均,更可實現裝置之小型化。 更且,凹部乃起因於連接孔而產生之故,凹部(及凹 狀部分)乃具有與連接孔之平面形狀槪略相同的平面形狀 。換言之,凹狀部分乃在基板上平面視之,於半導體層之 旁側,具有沿第1之方向延伸存在之部分、和與掃描線之 一部分重疊的同時,沿掃描線延伸之第2之方向延伸存在 之部分。因此,可將凹狀部分容易配置於非開口範圍內, 不會招致開口率之下降,而增加積蓄電容之電容値。 更且,凹部乃起因於連接孔而產生之故,幾乎不或不 會招致製造工程之複雜化。 如以上說明,根據此形態時,可維持高開口率而增大 積蓄電容之電容値的同時,可減低TFT之光泄放電流之 產生。結果,可進行高品質之畫像顯示。 具備上述積蓄電容之形態中,前述半導體層乃具有電 性連接於前述資料線之資料線側源極汲極範圍、和電性連 -15- 200841105 接於前述畫素電極之畫素電極側源極汲極範圍、和形成於 前述通道範圍及前述資料線側源極汲極範圍間的第1之接 合範圍、和形成於前述通道範圍及前述畫素電極側源極汲 極範圍間的第2之接合範圍;前述蓄積容量乃在前述基板 上平面視之,至少與前述第2之接合範圍之重疊加以構成 亦可。 於此時,可將相較於第1之接合範圍,光泄放電流相 對傾向易於產生之第2之接合範圍’更確實地加以遮光。 結果,可更有效果減低電晶體之光泄放電流之產生。 具備上述積蓄電容之形態中,前述蓄積容量乃可包含 遮光性導電材料而構成。 此時,可將積蓄電容,確實做爲遮光入射至電晶體之 遮光膜加以工作。 上述之積蓄電容至少與第2之接合範圍重疊之形態中 ,前述積蓄電容乃沿前述第1之方向延伸之同時’具有被 覆前述第1之接合範圍之第1電容部分、和被覆前述第2 之接合範圍之同時,較前述第1電容部分,前述第2之方 向之寬度爲廣之第2電容部分而構成亦可。 於此時,積蓄電容之被覆第2之接合範圍之第2電容 部分乃較被覆第1之接合範圍之第1電容部分,第2之方 向之寬度爲廣地加以構成。即’第2電容部分乃例如對於 沿Y方向延伸之半導體層而言’例如X方向之寬度較第1 電容部分爲廣地加以構成。因此’在於相較於第1之接合 範圍,光泄放電流相對傾向易於產生之弟2之接合範圍’ -16- 200841105 可將入射光較入射於第1之接合範圍更確實地加以遮光。 即,可使遮蔽到達第2之接合範圍之光的遮光性,較遮蔽 到達第1之接合範圍之光的遮光性爲高(即強化)。 關於本發明之第2之光電裝置乃爲解決上述課題,於 基板上,具備:相互交差之資料線及掃描線、和對應於該 資料線及掃描線之交叉而設置之畫素電極、和設在畫素之 開口範圍相互隔開之非開口範圍中,對應於前述交叉之交 叉範圍,包含(i )配置在介有前述掃描線與第1之絕緣 膜,互爲不同之層,形成具有沿前述掃描線延伸之方向之 通道長的通道範圍的半導體層、和(ii )對於該半導體層 ,配置於與前述掃描線相反側之層,重疊於前述通道範圍 之閘極電極的電晶體;於前述第1之絕緣膜中,形成具有 在前述基板上平面性視之,於前述半導體旁側,沿前述掃 描線延伸之方向而延伸存在之第1部分、和與前述資料線 之一部分重疊的同時,沿前述資料線延伸之方向而延伸存 在之第2部分,爲電性連接前述閘極電極與前述掃描線之 連接孔。 根據關於本發明之第2之光電裝置時,於該動作時, 與關於上述本發明之第1之光電裝置大略相同,可進行畫 素範圍之畫像顯示。 電晶體乃非開口範圍中,設於對應於資料線及掃描線 之交叉的交叉範圍(即,設於交叉範圍之全部或一部分) ,包含具有通道領域之半導體層、及重疊於通道領域之閘 極電極。 •17- 200841105 半導體層乃於基板上之層積構造中,藉由掃描線與第 1之絕緣膜,配置於互爲不同之層(即較掃描線藉由第1 之絕緣膜靠近下層側或上層側)。通道領域乃具有沿延伸 掃描線之方向(換言之,排列複數之資料線之方向,即X 方向)之通道長。即,半導體層乃典型而言,沿掃描線所 延伸之方向而延伸形成。 閘極電極乃於基板上之層積構造中,對於半導體層而 言,配置於與掃描線相反側之層。此時,半導體層之旁側 ’形成連接孔,電性連接閘極電極與掃描線亦可。 閘極電極及掃描線乃於基板上之層積構造中,配置於 閘極電極與掃描線間之絕緣膜(或該絕緣膜及例如閘極絕 緣膜),藉由形成或開口之連接孔加以電性連接。 本發明中,尤其是爲電性連接之閘極電極與掃描線之 連接孔,乃具有在基板上平面性視之,於前述半導體旁側 ,沿掃描線所延伸之方向而延伸存在之第1部分、和與資 料線之一部分重疊的同時,沿資料線延伸之第2部分之方 向(換言之,排列複數之資料線之方向,即Y方向)而 延伸存在之第2部分。即,連接孔乃經由第1部分與第2 部分,例如做爲具有L字狀或T字狀等之平面形狀的溝 (或連接溝),於第1之絕緣膜,例如經由鈾刻等加以形 成。 因此’維持高開口率下,可減低閘極電極與掃描線間 之連接阻抗。即,本發明中,尤其連接孔乃具有第1及第 2部分之故’即使與連接孔例如具有圓形狀、正方形狀、 -18- 200841105 長方形狀等之平面形狀之時比較,於有限之非開口範圍’ 可使形成該連接孔之範圍面積變廣。因此,可減低閘極電 極與掃描線間之電阻,而提升開口率。 更且,本發明中,尤其如上所述,連接孔之第1部分 乃於半導體層之旁側,沿掃描線所延伸之方向而延伸存在 。即,第1部分乃在沿掃描線所延伸之方向而延伸形成之 半導體層之側面側,離開特定距離,沿掃描線所延伸之方 向,形成呈長形狀。因此,形成於第1部分內之閘極電極 或掃描線之一部分乃由3維視之,沿半導體層例如做爲壁 狀之遮光體加以形成。因此,將對於半導體層之斜向入射 之光線(即具有沿基板面成分之光線),可經由第1部分 (更正確而言,形成於第1部分內之閘極電極或掃描線之 一部分)加以遮蔽。即,經由做爲配置於半導體層附近之 例如壁狀之遮光體所形成之第1部分,可強化遮蔽對於半 導體層斜向入射之光線之遮光性。此結果,可減低畫像顯 示之閃爍或畫素不均。 如以上之說明,根據關於本發明之第2之光電裝置時 ,爲電性連接掃描線與閘極電極之連接孔乃具有第1及第 2部分之故,適於開口率之提升,可減低電晶體之光泄放 電流之產生的同時,可實現電晶體之閘極電極與掃描線間 之良好電性連接。結果,可變得明亮、可減低閃爍或畫素 不均’進行高品質之畫像顯示。 有關於本發明之第2之光電裝置之其他形態中,更具 備較前述電晶體,介有第2之絕緣膜,配置於更上層側, -19- 200841105 形成於前述非開口範圍內之蓄積電容;該蓄積電容乃具有 被覆起因於前述連接孔,產生於前述第2之絕緣膜之上層 側表面之凹部地而形成,具有沿該凹部之表面之凹狀之剖 面形狀的凹狀部分者。 根據此形態,蓄積電容乃於基板上之層積構造中,較 電晶體藉由第2之絕緣膜配置於上層側。更且,蓄積電容 乃於非開口範圍內,典型而言,被覆通道範圍及鄰接此之 例如LDD範圍等,在基板上,平面視之,於半導體層至 少部分重疊而形成者。積蓄電容典型而言,包含遮光性導 電膜,在於電晶體可做爲遮光由上層側入射之光的內藏遮 光膜加以工作。因此,可減低電晶體之光泄放電流之產生 〇 於此形態中,尤其,積蓄電容乃具有於第2之絕緣膜 之上層側表面,被覆起因於連接孔所產生之凹部而形成, 具有沿該凹部之表面之凹狀之剖面形狀的凹狀部分。 即,配置於較第2之絕緣膜下層側之第1之絕緣膜中 ,如前述形成連接孔之故,於第2之絕緣膜之上層側表面 ,產生起因於該連接孔,例如槪略沿連接孔之內壁之凹部 。積蓄電容乃經由被覆該凹部而形成,該一部分則形成於 凹部內,具有沿凹部之表面之凹狀剖面形狀之凹狀部分。 凹狀部分就典型而言,沿凹部之壁部及底部加以形成。 因此,積蓄電容乃由於具有凹狀部分之量,而增大電 容値。因此,可提升畫素電極之電位保持特性。換言之, 積蓄電容與不具有凹狀部分之情形(即積蓄電容僅平面性 -20- 200841105 形成之時)比較,可使具有實現製品之顯示性能的電容値 之蓄積容量,作成於基板之狹窄範圍。由此,可減低畫像 顯示之閃爍或畫素不均,更可實現裝置之小型化。 更且,凹部乃起因於連接孔而產生之故,凹部(及凹 狀部分)乃具有與連接孔之平面形狀槪略相同的平面形狀 。換言之,凹狀部分乃在基板上平面視之,於半導體層之 旁側,具有沿掃描線所延伸之方向而延伸存在之部分、和 與資料線之一部分重疊的同時,沿資料線延伸之之方向而 延伸存在之部分。因此,可將凹狀部分容易配置於非開口 範圍內,不會招致開口率之下降,而增加積蓄電容之電容 値。 更且,凹部乃起因於連接孔而產生之故,幾乎不或不 會招致製造工程之複雜化。 如以上說明,根據此形態時,可維持高開口率而增大 積蓄電容之電容値的同時,可減低TFT之光泄放電流之 產生。結果,可進行高品質之畫像顯示。 本發明之電子機器乃爲解決上述課題,具備上述關於 本發明之第1之光電裝置。 根據關於本發明之電子機器時,具備關於上述本發明 之第1之光電裝置而成之故,可實現進行高品質之顯示之 投射型顯示裝置、行動電話、電子筆記本、文字處理機、 觀景型或監視直視型之攝錄放影機、工作站、電視電話、 銷售點終端機、觸控面板等之電子機器。又,做爲關於本 發明之電子機器,例如亦可實現電子紙等之電泳裝置等。 •21 - 200841105 本發明之性質、有用性以及特徵乃將關連於本發明適 切之實施形態之以下詳細說明,對照以下簡單說明之附加 圖面加以讀取時,可更爲明瞭。 【實施方式】 以下,參照圖面,對於本發明之適切實施形態加以說 明。然而,以下之實施形態中,以本發明之光電裝置之一 例之驅動電路內藏型TFT之主動矩陣驅動方式之液晶裝 置爲例。 〔第1實施例形態〕 對於第1實施形態,參照圖1至圖9加以說明。 以下,將關於本實施形態之el顯示裝置1之製造方 法之一例,參照圖6及圖2,加以說明。 圖1乃將TFT陣列基板,伴隨形成於該上之各構成 要素之同時,由對向基板之例所視之液晶裝置之平面圖, 圖2乃圖1之Π·II線之剖面圖。 於圖1及圖2中,關於本實施形態之液晶裝置中, TFT陣列基板10與對向基板20則對向配置。TFT陣列基 板1 〇乃例如石英基板、玻璃基板、矽基板等之透明基板 。對向基板20亦與TFT陣列基板1〇同樣爲透明基板。 於TFT陣列基板10和對向基板20間,封入液晶層50。 TF T陣列基板1 〇與對向基板2 0乃經由設置於位於設置複 數之畫素部之畫像顯示範圍1 0 a之範圍的密封材5 2 ’相 -22- 200841105 互加以黏著。 於圖1中,並行於配置密封材52之密封範圍之內側 ,規定畫像顯示範圍l〇a之邊框範圍之遮光性之邊框遮光 膜53,則設於對向基板20側。但是,如此邊框遮光膜53 之一部分或全部乃於TFT陣列基板20側’做爲內藏遮光 膜加以設置亦可。在於位於配置周邊範圍中之密封材5 2 之密封範圍之外側之範圍,資料線驅動電路1 0 1及外部電 路連接端子1 02則沿TFT陣列基板1 0之一邊加以設置。 掃描線驅動電路1 〇4乃沿鄰接於此一邊的2邊’且被覆邊 框遮光膜5 3加以設置。更且,如此,爲連結設於畫像顯 示範圍l〇a之兩端的二個掃描線驅動電路104間,沿TFT 陣列基板1 〇所剩一邊,且被覆邊框遮光膜5 3,設置複數 之配線1 〇 5。 對向基板20之4個角落部中,配置做爲兩基板間之 上下導通端子工作之上下導通材106。另一方面,於TFT 陣列基板1 〇中,在對向於此等之角落部之範圍,設置上 下導通端子。經由此等,於TFT陣列基板1 0和對向基板 20間,可得電性導通。 於圖中,在TFT陣列基板1 0上,形成製作畫素開襴 用之TFT或掃描線、資料線等之配線的層積構造。於畫 像顯示範圍l〇a中,於畫素開關用之TFT或例如掃描線 、資料線之配線上層,畫素電極9a則設置呈矩陣狀。於 畫素電極9a上,形成配向膜。另一方面,於對向基板2〇 之TFT基板1〇之對向面,形成遮光層23。遮光膜23乃 -23 - 200841105 例如由遮光性金屬膜等所形成,在對向基板2 0上之畫像 顯示範圍1 Oa內,例如圖案化呈格子狀等。然後,於遮光 膜23上,ITO等之透明材料所成對向電極21與複數之畫 素電極9a對向,而形成呈平塗狀。於對向電極21上,形 成配向膜。又,液晶層50乃例如由混合一種或數種之向 列液晶之液晶所成,於此等一對之配向膜間,得特定之配 向狀態。 然而,於圖1及圖2所示TFT陣列基板10上,除了 此等之資料線驅動電路1 0 1、資料線驅動電路1 04等之驅 動電路,可形成取樣畫像信號線上之畫像信號,供予資料 線之取樣電路、於複數之資料線,將特定電壓位準之預充 電信號,先行於畫像信號,各別加以供給之預充電電路、 爲檢查製造途中或出貨時之該光電裝置之品質、缺陷之檢 查電路等。 接著,對於關於本實施形態之液晶裝置之畫素部之電 性構成,參照圖3加以說明。 圖3乃形成呈構成關於本實施形態之液晶裝置之畫像 顯示範圍的矩陣狀之複數之晝素之各種元件、配線等之等 價電路圖。 圖3中,於構成畫像顯示範圍1 Oa之形成呈矩陣狀之 複數之各畫素’形成做爲關於本發明之「電晶體」之一例 之TFT3 0。TFT30乃電性連接於畫素電極9a,於液晶裝置 之動作時,開關控畫素電極9a。供給;畫像信號之資料 線6a乃電性連接於TFT30之源極。寫入資料線6a之畫像 -24- 200841105 信號S 1、S2、…、Sn乃依此順序而線順序地加以供給亦 可,對於相鄰接之複數之資料線6a之彼此,於每群加以 烘給亦可。 於TFT30之閘極,電性連接掃描線η,關於本實施 形態之液晶裝置乃於特定之時間,於掃描線1 1,將脈衝 性之掃描信號Gl、G2、…、Gm,依此順序,以線順序加 以施加而構成。畫素電極9a乃電性連接於TFT30之汲極 ,經由使開關元件之TFT3 0僅在一定期間關閉該開關, 從資料線6A供給之畫像信號S 1、S2、…、Sn則於特定時 間加以寫入。寫入於藉由畫素電極9 a構成液晶層5 0 (圖 2參照)之液晶之特定位準之畫像信號SI、S2、...、Sn 乃在與形成於對向基板之對向電極間,保持在一定期間。 構成液晶層5 〇之液晶乃經由施加之電壓位準,藉由 改變分子集合之配向或秩序,調變光線,使可進行色階顯 示。正常白模式之時,對應於各畫素之單位施加之電壓, 減少對於入射光之透過率,爲正常黑模式之時,對應於各 畫素之單位施加之電壓,增加對於入射光之透過率,就整 體而言,從液晶裝置則對應於畫像信號,射出具有對比之 光線。 在此保持之畫像信號爲了防止泄放,附加與形成於畫 素電極9a與對向電極21 (圖2參照)間之液晶電容並列 之蓄積電容70。積蓄電容70乃做爲對應於畫像信號之供 給,暫時保持各畫素電極9 a之電位之保持電谷工作之電 容元件。積蓄電容70之一方之電極乃與畫素電極9a並列 -25- 200841105 ,電性連接於TFT30之汲極,另一方之電極乃成爲定電 位地,電性連接於電位固定之電容線3 00。根據積蓄電容 7 0時,可提升畫素電極9 a之電位保持性,可有對比提升 或減低閃爍之顯示特性的提升。然而,積蓄電容7 0乃如 後述,亦可做爲遮掩向TFT30入射之光線的內藏遮光膜 工作。 接著,對於實現上述動作之畫素部之具體構成,參照 圖4〜圖6加以說明。 圖4及圖5乃形成資料線、掃描線、畫素電極等之 TFT陣列基板之相鄰接之複數之畫素部的平面圖。圖4及 圖5乃各別分爲後述之層積構造中之下層部分(圖4)與 上層部分(圖5)加以圖示。圖6乃重合圖4及圖5時之 VI-VI線之咅[J面圖。 然而,圖6中,爲使各層、各構件可在圖面上呈可辦 識程度大小,對於各層或各構件以不同之比例尺之大小加 以表現。又,圖5及圖6中,爲說明上之方便,省略較畫 素電極9a爲上側位置之部分圖示。 於圖5中,畫素電極9a乃在於TFT陣列基板10上 ’呈矩陣狀而複數設置(經由點線、顯示該輪廓)。 如圖4及圖5所示,各沿著畫素電極9a之縱橫邊界 ’設置資料線6a及掃描線1 1。即,掃描線1 1乃沿X方 向加以延伸,資料線6a乃與掃描線1 1交叉,沿Y方向延 伸。於各掃描線1 1及掃描線6a相互交叉之交叉領域乃設 置 TFT30。 -26- 200841105 掃描線11、資料線6a、積蓄電容70、中繼層93及 TFT30乃在TFT陣列基板1〇上,平面視之,配置於包圍 對應於畫素電極9a之各畫素)之開口範圍(即各畫素中 ,透過或反射實際賦予顯示之光之範圍)之非開口範圍內 。即,此等之掃描線1 1、積蓄電容70、資料線6a、中繼 層93及TFT30乃不妨礙顯示地,非設於各畫素之開口範 圍,而配置於非開口範圍內。然而,掃描線11、積蓄電 容70、資料線6a及中繼層93乃各規定非開口範圍之一 部分。 如圖6所示,於TFT陣列基板10上,掃描線1 1、 TFT30、積蓄電容70、資料線63、畫素電極93等之各種 構成要素,成爲層積構造而加以設置。此層積構造乃由下 順序,由包含掃描線1 1之第1層、包含具有閘極電極3 之TFT30等化第2層、包含積蓄電容70之第3層、包含 資料線6a等之第4層、包含畫素電極9a等之第5層(最 上層)所成。又,於第1層及第2層間,設置基材絕緣膜 12,於第2層及第3層間,設置第1層間絕緣膜41,於 第3層及第4層間,設置第2層間絕緣膜42,於第4層 及第5層間,設置第3層間絕緣膜43。防止上述各要素 間之短路。又,於此等各種之絕緣膜12、41、42及43, 例如形成電性連接TFT30之半導體層1 a中之資料線側源 極汲極範圍1 d和資料線6a的連接孔8 1等。以下,對於 此等之各要素,從下順序加以說明。然而,上述層積構造 中’自第1層至第1層間絕緣膜,就下層部分而言,圖示 -27- 200841105 於圖4,自第3層至第5層,就上層部分而言,圖示於圖 5 ° (第1層之構成-掃描線等-) 於圖6中,做爲第1層,設置掃描線。掃描線1 1乃 例如由鎢(W )、鈦(Ti )、氮化鈦(TiN )等之高融點 導電材料所成。 • 如圖4所示,掃描線1 1乃沿X方向,圖案化呈條紋 狀。更詳細視之,掃描線1 1乃具備沿X方向而延伸之主 線部分1 lx、和從該主線部分1 lx向Y方向延伸設置之延 伸設置部分11 y。然而,相鄰接之掃描線11之延伸設置 部分1 1 y乃不相互連接,因此,該掃描線1 1乃成爲1條 1條分斷之形式。 (第2層之構成-TFTFT) _ 於圖6中,做爲第2層,設置TFT30。 如圖4及圖6所示,TFT 30乃包含半導體層a及閘極 電極3而構成。 半導體層1 a乃例如由多晶矽所成,由具有沿Y方向 之通道長之通道範圍la’、資料線側LDD範圍lb及晝素 電極側LDD範圍1 c,以及資料線側源極汲極範圍1 d及畫 素電極側源極汲極範圍le所成。即,TFT30乃具有LDD 構造。然而,資料線側LDD範圍1 b乃關於本發明之「第 1之接合範圍」之一例,畫素電極側LDD範圍1 c乃關於 -28- 200841105 本發明之「第2之接合範圍」之一例。 資料線側源極汲極範圍1 d及畫素電極側源極汲極範 圍le乃以通道範圍la’爲基準,沿Y方向,幾近形成呈鏡 面對稱。資料線側LDD範圍1 b乃形成於通道範圍1 a,、 及資料線側源極汲極範圍1 d間。畫素電極側LDD範圍1 c 乃形成於通道範圍1 a,、及畫素電極側源極汲極範圍1 e間 。資料線側LDD範圍lb、畫素電極側LDD範圍1c、資 料線側源極汲極範圍1 d及畫素電極側源極汲極範圍1 e乃 例如經由離子植入法等之不純物的植入,於半導體層1 a 植入不純物而成不純物範圍。資料線側LDD範圍1 b及畫 素電極側LDD範圍1 c乃各別做爲較資料線側源極汲極範 圍1 d及畫素電極側源極汲極範圍1 e,不純物爲少之低濃 度不純物範圍而形成。根據如此不純物範圍時,於TFT3 0 之非動作時,減低流於源極範圍及汲極範圍之關閉電流, 且可抑制流於TFT3 0動作時所流之截斷電流之下降及截 斷泄放電流之上昇。然而,TFT30雖具有LDD構造爲佳 ’亦可爲在於資料線側LDD範圍1 b、畫素電極側LDD範 圍1 c不進行不純物植入之偏移構造,亦可爲將閘極電極 做爲掩膜,將不純物呈高濃度植入,形成資料線側源極汲 極範圍及畫素電極側源極汲極範圍之自我整合型。 掃描線1 1及半導體層1 a間,經由做爲關於本發明之 「第1之絕緣膜」之一例之基材絕緣膜12加以絕緣。基 材絕緣層1 2乃除了從掃描線1 1絕緣半導體層1 a之機能 外,經由形成於TFT陣列基板1 〇之整面,具有防止 -29- 200841105 TFT 10之表面之硏磨時之粗糙,或洗衣後殘留之污垢等, 使畫素開關元件用之TFT30之特性劣化的機能。 然而,圖4中,於基材絕緣膜12,形成做爲關於本 發明之「連接孔」之一例之連接孔8 1 0。關於連接孔8 1 0 之構成中,參照圖7至圖9後,詳細加以說明。 如圖4及圖6所示,閘極電極3乃較半導體層1 a, 藉由閘極絕緣膜2,配置於上層側。即,TFT3 0乃做爲頂 閘極型之TFT加以形成。閘極電極3乃例如由鎢(W )、 鈦(Ti )、氮化鈦(TiN )等之高融點導電材料等之遮光 性之導電材料所成。然而,閘極電極3乃例如可由導電性 多晶矽所形成。 如圖4所示,閘極電極3乃具有重疊於TFT40之通 道範圍之本體部分3 a、和從該本體部分3 a沿X方向延伸 設置之延伸設置部分32、和從該本體部分3a沿Y方向延 伸設置之延伸設置部分3 1。然而,延伸設置部分3 1及3 1 乃關於本發明之「閘極電極延伸設置部分」之一例。閘極 電極3乃貫通閘極絕緣膜2及基材絕緣膜12,藉由開孔 之連接孔8 1 0,與掃描線1 1相互電性連接。 然而,本實施形態中,雖各別分離各TFT30之閘極 電極3而形成,但例如相互連繫對應於同一之掃描線11 之TFT30 (即沿X方向相互鄰接之TFT30 )之閘極電極3 而形成亦可。換言之,對應於包含對應於同一之掃描線 1 1之TFT3 0之閘極電極3之半導體層la,做爲配置於與 掃描線1 1相反側之層的其他之掃描線而形成亦可。此時 -30- 200841105 ,可將掃描線做爲雙重配線加以構成,於閘極電極3可以 掃描信號更確實地加以供給。 (第3層之構成·蓄積電容等-) 於圖6中,做爲第3層,設置積蓄電容70。積蓄電 容70乃相較於TFT3 0FT,藉由做爲關於本發明之「第2 之絕緣膜」之一例之第1層間絕緣膜4 1,設於上層側。 積蓄電容70乃下部電容電極71與上部電容電極 300a藉由介電質膜75對向配置而形成。 如圖5及圖6所示,上部電容電極300a乃做爲電容 線3—之一部分而形成。電容線3 00乃從配置畫素電極9a 之畫像顯示範圍1 〇a,延伸設置於該周圍。上部電容電極 3 00a乃藉由電容線300,與定電位線電性連接,維持於固 定電位之固定電位側電容電極。上部電容電極3 00a乃例 如由 A1 (鋁)、Ag (銀)等之金屬或包含合金之非透明 金屬膜所形成,做爲遮光TFT30之上側遮光膜(內藏遮 光膜)加以工作。然而,上部電容電極3 00a乃例如由包 含 Ti (鈦)、Cr (鉻)、W (鎢)、Ta (鉅)、Mo (鉬 )、Pd (鈀)等之高融點金屬中至少一個之金屬單體、合 金、金屬矽化物、多晶矽化物、將此等層積者等所構成亦 可。 下部電容電極71乃TFT30之畫素電極側源極汲極範 圍1 e及電性連接於畫素電極9a之畫素電極側電容電極。 更具體而言,下部電容電極71乃藉由連接孔83,與畫素 -31 - 200841105 電極側源極汲極範圍1 e電性連接的同時,貫通第2層間 絕緣膜42及介電質膜75,藉由開孔之連接孔84 (參照圖 5 ),電性連接於配置於與後述資料線6a同層(即第4層 )之中繼層9 3。更且,中繼層93(參照圖5)乃藉由開 孔在第3絕緣層43之連接孔85(參照圖5),電性連接 於畫素電極9a。即,下部電容電極71乃與中繼層93,一 同中斷畫素電極側源極汲極範圍1 e及畫素電極9a間之電 B 性連接。下部電容電極71乃由導電性之多晶矽所形成。 因此,積蓄電容70乃具有所謂MIS構造。然而,下部電 容電極71乃除了做爲畫素電位側電容電極之機能之外, 具有做爲配置於做爲上側遮光膜之上部電容電極3 00a與 TFT3 0間之光吸收層或遮光膜的機能。 介電質膜75乃例如具有由HTO (高溫氧化物)膜、 LTO (低溫氧化物)膜等之氧化矽膜、或氮化矽膜等所構 成之單層構造或多層構造。 φ 然而,令下部電容電極71與上部電容電極300a同樣 ,由金屬膜形成亦可。即,使積蓄電容70具有金屬膜-介 電質膜(絕緣膜)-金屬膜之3層構造之所謂141乂構造而 形成亦可。 然而,如圖4及圖5所示,本實施形態中,尤其,積 蓄電容70乃被覆連接孔810而形成。爲此,參照圖7至 圖9,於後加以詳細說明,但積蓄電容7 0乃具有沿起因 於連接孔810,產生於第1層間絕緣膜4 1之上層側表面 之凹部710之表面所形成之凹狀部分70t。 -32- 200841105 (第4層之構成-資料線等-) 於圖6中,做爲第4層,設置資料線6 a。又,於第4 層中,中繼層93(參照圖5),由與資料線6a同一膜加 以形成。 如圖5及圖6所示,資料線6 a乃於半導體層1 a之資 料線側源極汲極範圍1 d,藉由貫通第1層間絕緣膜4 1、 介電質膜7 5及第2層間絕緣膜42之連接孔8 1,而電性 連接。於資料線6a及連接孔81內部,乃例如由Al-Si-Cu 、Al-Cu等之含A1 (鋁)材料、或A1單體、A1層與Tin 層等之多層膜所成。資料線6a乃具有遮光TFT30之機能 〇 於圖5中,中繼層93乃於層間絕緣膜42上,由與資 料線6a (參照圖6 )同層加以形成。資料線6a及中繼層 93乃例如將以金屬膜等之導電材料構成之薄膜,在層間 絕緣膜42上,使用薄膜形成法加以形成,部分除去該薄 膜’即經由圖案化,在相互隔離之狀態加以形成。因此, 可使資料線6a及中繼層93以同一工程加以形成之故,可 使裝置之製造步驟簡化。 (第5層之構成-晝素電極等_) 於圖6中,做爲第5層,設置畫素電極9 a。畫素電 極9a乃相較於資料線6a,藉由第3層間絕緣膜43,形成 於上層側。 -33- 200841105 如圖5及圖6所不’畫素電極9a乃箱由下部電谷電 極71、連接孔83、84及85 ’以及中繼層93 ’電性連接 於半導體層1 a之畫素電極側源極汲極範圍1 e °畫素電極 9a之上側表面,設置施以平磨處理等之特定配向處理之 配向膜。 以上說明之畫素部之構成乃如圖4及圖5所示,共通 於各畫素部。於畫像顯示範圍1 0a (參照圖1 ),相關畫 素部乃周期性加以形成。 接著,對於關於本實施形態之液晶裝置之掃描線、閘 極電極、電性連接該掃描線及閘極電極間之連接孔之平面 形狀,伴隨積蓄電容之形狀,參照圖7至圖9加以詳細說 明。 圖7乃顯示關於本實施形態之液晶裝置之掃描線、閘 極電極、電性連接該掃描線及閘極電極間之連接孔,以及 積蓄電容之平面形狀的平面圖。圖8乃圖7之VIII-VIII 線之剖面圖。圖9乃圖7之IX-IX線之剖面圖。 然而,圖7乃構成圖4所示之畫素部之構成要素中, 擴大顯示掃描線1 1、TFT30及積蓄電容70,對.於其他之 構成要素,省略圖示。又,圖8及圖9中,對於較第2層 間絕緣膜42上層側之構成要素,省略圖示。 於圖7中,掃描線n乃參照圖4,如上所述,具有 沿X方向之主線部分1 1 X、和從該主線部分1 1 x向γ方向 延伸設置之延伸設置部分i i y。延伸設置部分〗丨y乃由包 含對向於資料線側LDD範圍lb之範圍而形成之第1延伸 -34- 200841105 設置部分llyl、和包含對向於畫素電極側LDD範圍lc之 範圍而形成之第2延伸設置部分11 y 2。因此,於資料線 側LDD範圍lb及畫素電極側LDD範圍1C,將從下層側 入射之光錄,經由各第1延伸設置部分1 1 y 1及第2延伸 設置部分yl加以遮光。因此,可減低資料線側LDD範圍 1 b及畫素電極側LDD範圍1〇之光泄放電流之產生。 更且,本實施形態中,掃描線1 1之第2延伸設置部 分1 ly2乃相較第1延伸設置部分1 ly2,X方向之寬度變 廣地加以構成。即,第2延伸設置部分1 1 y2之X方向之 寬度W2乃較第2延伸設置部分llyl之X方向之寬度W1 爲廣。因此,可將在於畫素電極側LDD範圍1(^,從下層 側入射之光,相較於資料線側LDD範圍1 b,從下層側入 射之光,可確實地加以遮光。因此,可對於光泄放電流相 對易於產生之畫素電極側LDD範圍1 c提高遮光性,有效 減低流於TFT3-之光泄放電流。 如圖7至圖9所示,閘極電極3與掃描線1 1乃貫通 閘極絕緣膜2及基材絕緣膜1 2,藉由開孔之連接孔8 1 0, 電性連接。 如圖7所示,本實施形態中,尤其,連接孔81 0中, 在TFT陣列基板1 0上平面視之,於半導體層之旁側,具 有沿Y方向延伸存在之第1部分81 1、和與掃描線1 1之 主線部分1 lx重疊的同時,沿X方向延伸存在之第2部 分812。即,連接孔810乃連繫第1部分811與第2部分 8 1 2,具有所謂彎折呈L字狀之平面形狀。更且,閘極電 -35- 200841105 極3乃參照圖4,如上所述,具有重疊於TFT30之通道範 圍la,之本體部分3a、和從該本體部分3a ’與連接孔810 重疊而延伸設置之延伸設置部分3 1及3 2 °延伸設置部分 3 1乃被覆連接孔810之第1部分81 1,沿Y方向加以延 伸設置,延伸設置部分3 2乃被覆連接孔8 1 0之第2部分 812,沿X方向加以延伸設置。因此,如圖8所示,延伸 設置部分31之一部分乃形成連接孔810之第1部分811 內,與掃描線1 1 (更詳細而言,第2延伸設置部分1 1 y2 之一部分)接觸。同樣地,如圖9所示,延伸設置部分 32之一部分乃形成連接孔810之第2部分812內,與掃 描線11 (更詳細而言,主線部分llx之一部分)接觸。 由於如此構成之故,可維持高開口率下,可減低閘極 電極3與掃描線3 3間之連接阻抗。 即,本實施形態中,尤其連接孔8 1 0乃具有第1部分 8 1 1及第2部分8 1 2之故,即使與連接孔8 1 0例如具有圓 形狀、正方形狀、長方形狀等之做爲一般之連接孔之典型 平面形狀之時或與連接孔8 1 0僅由第1部分8 1 1或第2部 分8 1 2任一情形比較,於有限之非開口範圍,可使形成該 連接孔8 1 0之範圍面積變廣。因此,可減低閘極電極3與 掃描線1 1間之電阻,而提升開口率。 然而,如本實施形態,連接孔8〗〇乃連繫第1部分 8 1 1與第2部分8 1 2,具有所謂彎折呈L字狀之平面形狀 ,而可避免閘極電極3及掃描線1 1間電性不連接之情形 。即’假使連接孔8 1 0僅由第1部分8 ! 〇及第2部分8 i 2 -36 - 200841105 之一方所成之時等’連接孔爲具有長方形狀或長形狀之平 面形狀之時’伴隨高開口率化或預型化,形成細連接孔時 ,會有使連接孔難以充分到達掃描線之程度之疑慮。因此 ,如本實施形態’連接孔8 1 0具有所謂呈L字形之彎折的 平面形狀時,至少於該彎折部分(換言之,第1部分8 1 1 與第2部分8 1 2連繋之部分或交錯之部分),在經驗可容 易使連接孔8 1 0開孔達到掃描線之程度。因此,可確實電 性連接閘極電極3及掃描線1 1間。 更且,本實施形態中,尤其如上所述,連接孔8 1 0之 第1部分8 1 1乃於半導體層1 a之旁側,沿γ方向而延伸 存在。更具體而言,第1部分811乃在沿γ方向而延伸 形成之半導體層1 a之側面側,離開特定距離l 1,沿Y方 向,形成呈長形狀。 因此,如圖8所示,形成於第1部分81 1內之閘極電 極3 (更正確爲延伸設置部分3 1 )之一部分乃由3維視之 ,沿半導體層1 a做爲壁狀之遮光體加以形成。因此,將 對於半導體層1 a而言斜向入射之光線(即,例如圖8中 ,沿箭頭P1所示方向入射之光,即入射光中具有X方向 或Y方向成分之光,或沿箭頭P2所示方向入射之光,即 回歸光中具有X方向或Y方向成分之光),經由第1部 分8 1 1 (更正確而言,乃形成於第1部分8 1 1內之閘極電 極3之一部分)加以遮掩。即,經由做爲配置於半導體層 la附近之壁狀之遮光體所形成之第1部分811,可強化遮 蔽對於半導體層1 a而言斜向入射之光線之遮光性。此結 -37- 200841105 果,可減低晝像顯示之閃爍或畫素不均。 除此之外,如圖7及圖8所示’本實施形態中’尤其 ,連接孔8 1 0乃各於半導體層1 a之兩側設置一個’連接 孔810之第1部分811乃於半導體層la之兩側’做爲壁 狀之遮光體加以形成。因此,對於半導體層1 a而言可遮 光從兩側斜向入射之光線。因此,更確實減低TFT3 0之 光泄放電流。 然而,將連接孔8 1 0僅設於半導體層1 a之單側(即 ,圖7中左側或右側),將第1部分77 1僅形成於半導體 層1 a之單側亦可。於此時,相當強化遮蔽對於半導體層 1 a而言斜向入射之光線的遮光性。惟,由強化遮光性之 觀點以及減低連接阻抗之觀點視之,如本實施形態,將連 接孔8 1 0設於半導體層1 a之兩側,於半導體層1 a之兩側 形成第1部分8 1 1爲佳。 更且,如圖7所示,本實施形態中,尤其,連接孔 810之第1部分81 1乃設於畫素電極側LDD範圍lc之兩 側,未設於資料線側LDD範圍1 b之兩側。因此,即,可 使遮蔽到達畫素電極側LDD範圍之光的遮光性,較遮蔽 到達資料線側LDD範圍之光的遮光性爲高或強化。在此 ,本發明人乃可結論在TFT30之動作時,畫素電極側 LDD範圍lc中,較資料側Ldd範圍lb,相對易於產生 光泄放電流。即,可結論在TFT30之動作時,畫素電極 側LDD範圍lc中,照射光線時,較於資料側LDD範圍 lb照射光線之時,TFT30之光泄放電流則易於被產生。 -38- 200841105 因此,第1部分8 1 1經由設於畫素電極側LDD範圍1 c之 兩側,未設於資料線側LDD範圍1 b之兩側,可提高對於 光泄放電流相對易於產生之晝素電極側LDD範圍1 c之遮 光性,有效減低流於TFT30之光泄放電流。反之,經由 相較於畫素電極側LDD範圍1 c,相對難以產生光泄放電 流之資料線側LDD範圍1 b之兩側,不延伸設置連接孔 8 1 0,可防止開口率之無謂之下降。 更且,如圖7所示,本實施形態中,尤其,連接孔 810之第1部分811之寬度WT1乃較第2部分811之寬 度WT2爲窄。因此,不會招致經由形成第1部分8 1 1所 成非開口率之增大,即開口率之下降。更且,第 2部分 812之寬度WT2乃較第1部分811之寬度WT1爲廣之故 ,經由第2部分8 1 2可確實減低閘極電極3與掃描線1 1 間之連接阻抗。即,確實維持高開口率下,主要經由第1 部分8 1 1可對於TFT之遮光性強化,經由第2部分8 1 2, 可減低閘極電極3與掃描1 1線間之連接阻抗。 如圖7至圖9所示,構成積蓄電容70之上部電容電 極3 00a乃具有被覆資料線側LDD範圍lb之第1電極部 分3 01、和被覆畫素電極側LDD範圍lc之第2電極部分 3 02。更且,構成積蓄電容70之下部電容電極71乃具有 被覆資料線側LDD範圍1 b之第1電極部分71 a、和被覆 畫素電極側LDD範圍lc之第2電極部分71b。然而,第 1電極部分3 0 1及7 1 a、以及設於介電質膜7 5中之第1電 極部分3 0 1及7 1 a間之部分乃構成關於本發明之「第1電 -39- 200841105 容部分」之一例’第2電極部分302及71b、以及設於介 電質膜75中之第2電極部分3〇2及71b間之部分乃構成 關於本發明之「第2電容部分」之一例。 因此,於資料線側LDD範圍1 b,將從上層側入射之 光’經由第1電極部分3 01及71 a加以遮光。更且,於畫 素電極側LDD範圍丨c,將從上層側入射之光,經由第2 電極部分3 02及71 b加以遮光。因此,可減低資料線側 LDD範圍lb及畫素電極側LDD範圍ic之光泄放電流之 產生。 於本實施形態中,尤其,積蓄電容7 0乃具有於第1 之絕緣膜4 1之上層側表面,被覆起因於連接孔8丨〇所產 生之凹部710而形成,具有沿該凹部710之表面之凹狀之 剖面形狀的凹狀部分70t。 即,如圖8及圖9所示,配置於較第1之絕緣膜41 下層側之基材絕緣膜12及閘極絕緣膜2中,形成連接孔 810之故,於第1層間絕緣膜41之上層側表面,產生起 因於連接孔8 1 0,例如槪略沿連接孔8 1之內壁之凹部7 1 0 。積蓄電容70乃經由被覆凹部7 1 0而形成,該一部分則 形成於凹部7 1 0內,具有沿凹部7 1 0之表面之凹狀剖面形 狀之凹狀部分7〇t。凹狀部分70t乃由上部電容電極300a 中,重疊於凹部710之部分、和介電質膜75中,重疊於 凹部7 1 0之部分、和下部電容電極7 1中重疊於凹部7 1 〇 之部分所構成。 因此,積蓄電容70乃由於具有凹狀部分70t之量’ 40-
200841105 而增大電容値。因此,可提升畫素電極9a 性。換言之,積蓄電容70與不具有凹狀部 (即積蓄電容70僅平面性形成之時)比較 現製品之顯示性能的電容値之蓄積容量70 陣列基板之狹窄範圍。由此,可減低畫像顯 素不均,更可實現裝置之小型化。 更且,凹部乃7 1 0起因於連接孔8 1 0而 部710 (及凹狀部分70t)乃具有與連接孔 狀槪略相同的平面形狀(省略圖示)。換言 7〇t乃在TFT陣列基板1〇上平面視之,於 側,具有沿Y方向延伸存在部分、和與掃相 部分1 1X重疊的同時,沿X方向延伸存在 ,可將凹狀部分7 0t容易配置於非開口範圍 開口率之下降,而增加積蓄電容70之電容ii 然而,連接孔810之第1部分811及第 各別寬度爲較閘極電極3之厚度之2倍爲大 佳。於此時,連接孔8 1 0內則經由閘極電極 元全阻塞’於弟1層間絕緣膜41之上層側 止起因於連接孔810之凹部710之不產生, 間絕緣膜4 1之上層側表面,可更確實產生 810之凹部710。因此,積蓄電容70乃由於 部分7 0t,而增大積蓄電容7 0之電容値。惟 810之第1部分811及第2部分812之各寬 3之厚度的2倍以下時,連接孔8〖〇內之側 之電位保持特 分70t之情形 ,可使具有實 ,作成於TFT 示之閃爍或畫 產生之故,凹 8 1 0之平面形 之,凹狀部分 半導體層之旁 S線1 1之主線 之部分。因此 內,不會招致 直。 2部分8 1 2乃 地加以形成爲 3之一部分被 ,可減低或防 即,於第1層 起因於連接孔 確實具有凹狀 ,即使連接孔 :度爲閘極電極 ’壁之覆蓋率( -41 - 200841105 即閘極電極3中,經由將對於沿TFT陣列基板1 0之基板 面形成之部分厚度之形成於連接孔8 1 0內之側壁之部分厚 度(即從側壁面之厚度)之比率),調整成不滿1 00%, 可產生凹部7 1 0。 除此之外,凹部7 1 0乃起因於連接孔8 1 0而產生之故 ,幾乎不或不會招致製造工程之複雜化。 如以上之說明,根據關於本發明之液晶裝置時,爲電 性連接掃描線1 1與閘極電極3之連接孔8 1 0乃具有第1 部分8 1 1及第2部分8 12之故,適於開口率之提升,可減 低像素開關用TFT之光泄放電流之產生的同時,可實現 TFT30之閘極電極3與掃描線1 1間之良好電性連接。更 且,維持高開口率下,可增加積蓄電容70之容量値。結 果,可進行明亮、減低閃爍或畫素不均之高品質之畫像顯 不 ° 〔第2實施例形態〕 對於第2實施形態,參照圖1 0至圖9加以說明。 圖10乃與第2之實施形態之圖7同性質之平面圖。 然而,於圖1 〇中,對於與關於圖1至圖9所示之第1實 施形態之機成要素同樣之構成要素則賦上同一參照符號, 適切省略此等之說明。 於圖1 〇中,關於第2實施形態之液晶裝置乃代替上 述第1實施形態之連接孔810,形成連接孔820之部分, 除了延伸設置部分3 1及3 2,具有延伸設置部分3 3之部 -42- 200841105 分,掃描線11代替具有上述第1實施形態之第1延伸設 置部分11 y 1,具有第1延伸設置部分11 y 3之部分,下部 電容電極7 1則代替具有第1部分71 a,具有第1部分71 C 之部分,以及上部電容電極300a代替具有第1部分301 ,具有第1部分303之部分中有所不同之外,其他之部分 槪略與第1實施形態相同加以構成。 本實施形態中,尤其,連接孔820中,在TFT陣列 基板10上平面視之,具有沿畫素電極側LDD範圍1c而 延伸存在之第1部分821a、和與掃描線11之主線部分 1 lx重疊的同時,沿X方向延伸存在之第2部分822。即 ,連接孔820乃連繫第1部分821a與第2部分822,具 有T字狀之平面形狀。更且,閘極電極3乃具有重疊於 TFT30之通道範圍la’之本體部分3a、和從該本體部分3a ,與連接孔820重疊而延伸設置之延伸設置部分31、32 及33。延伸設置部分31乃被覆連接孔820之第1部分 8 2 1 a,沿Y方向加以延伸設置,延伸設置部分3 2乃被覆 連接孔820之第2部分822,沿X方向加以延伸設置,延 伸設置部分3 3乃被覆連接孔820之第1部分821 b,沿Y 方向加以延伸設置。更.且,延伸設部分3 1之一部分乃形 成於連接孔820之第1部分821a內,與掃描線11 (更詳 細而言,爲第2延伸設部分1 1 y 2之一部分)接觸,延伸 設部分32之一部分乃形成於連接孔820之第2部分822 內,與掃描線11 (更詳細而言,主線部分11X之一部分 )接觸,延伸設部分33之一部分乃形成於連接孔82〇之 -43- 200841105 第1部分821 b內,與掃描線1 1 (更詳細而言,爲第1延 伸設部分1 1 y 3之一部分)接觸。 如此加以構成之故,除了連接孔820之第1部分 821a,經由第1部分821a,可確實遮光入射於半導體層 la之光線,可減低TFT30之光泄放電流之產生。 更且,連接孔820乃除了第1部分821a,具有第1 部分82 1b之故,可確實減低連接阻抗,可實現閘極電極 3與掃描線11間之更良好之電性連接。 除此之外,本實施形態中,尤其積蓄電容7 0乃具有 於第1層間絕緣膜41之上層側表面,被覆起因於連接孔 8 20所產生之凹部而形成(即,第1電極部分3 03及7 1c 乃被覆起因於連接孔820之第1部分821b所產生之凹部 而形成,第2電極部分3 02及71b乃被覆起因於連接孔 820之第1部分821a所產生之凹部而形成),擁有沿該 凹部之表面之凹狀之剖面形狀之凹狀部分。因此,積蓄電 容70乃由於具有凹狀部分之量,而增大電容値。因此, 可提升畫素電極9 a之電位保持特性。更且,如此凹部乃 起因於連接孔而產生之故,凹部(及凹狀部分)乃具有與 連接孔820之平面形狀槪略相同的平面形狀(省略圖示) 。換言之,凹狀部分t乃在TFT陣列基板1 0上平面視之 ,於資料線側LDD範圍lb及畫素電極側LDD範圍1c之 旁側,具有沿Y方向延伸存在部分、和與掃描線1 1之主 線部分1 1X重疊的同時,沿X方向延伸存在之部分。因 此,可將凹狀部分容易配置於非開口範圍內,不會招致開 -44- 200841105 口率之下降,而增加積蓄電容70之電容値。 然而,本實施形態中,使連接孔820,呈具有所謂T 字狀之平面形狀而構成,但亦可使第2部分822接近半導 體層la加以延伸存在。於此時,可使形成連接孔820之 面積變大,更減低連接阻抗。更且,可使起因於連接孔 820所產生之凹部變得更大之故,可使凹狀部分變得更大 。因此,可使積蓄電容70之容量値變得更大。 〔第3實施例形態〕 對於第3實施形態,參照圖1 1至圖1 4加以說明。 首先,對於關於本實施形態之液晶裝置之構成,參照 圖11至圖13,加以說明。 圖1 1乃與第3實施形態之圖4相同性質之平面圖, 圖12與第3實施形態之圖5相同性質之平面圖,圖1 3乃 重合圖11及圖13時之XIII-XIII線之剖面圖。然而,於 圖11至圖13中,對於與關於圖1至圖9所示之第1實施 形態之機成要素同樣之構成要素則賦上同一參照符號,適 切省略此等之說明。又,圖1 3中,爲使各層、各構件可 在圖面上呈可辦識程度大小,對於各層或各構件以不同之 比例尺之大小加以表現。 圖1 1至圖1 3中,關於第3實施形態之液晶裝置乃代 替上述第1實施形態之掃描線11、TFT30、積蓄電容70 及資料線6a,具備掃描線13、TFT35、積蓄電容73及資 料線6c之部分,以及代替上述第1實施形態之連接孔 -45- 200841105 810,形成連接孔830之部分,與關於上述第1實施形態 之液晶裝置不同,除此之外,與關於上述第1實施形態之 液晶裝置相略相同地加以構成。 然而,雖參照圖1 1而後述,關於第3實施形態之液 晶裝置中,構成TFT35之半導體層5a乃沿掃描線之方向 (即X方向)形成,與構成上述第1實施形態之TFT30 之半導體層la,沿資料線所延伸之方向(即Y方向)而 形成者有所不同。 如圖1 1及圖12所示,各沿著畫素電極9a之縱橫邊 界,設置資料線6c及掃描線1 3。即,掃描線1 3乃沿X 方向加以延伸,資料線6c乃與掃描線1 3交叉,沿Y方向 延伸。於各掃描線1 3及掃描線6c相互交叉之交叉領域乃 設置TFT35。 掃描線13、資料線6 c、積蓄電容7 3、中繼層9 3 c及 TFT35乃在TFT陣列基板10上,平面視之,配置於包圍 對應於畫素電極9a之各晝素之開口範圍之非開口範圍內 (第1層之構成-掃描線等-) 於圖13中,做爲第1層,設置掃描線i 3。掃描線13 乃例如由鎢(W )、鈦(Ti )、氮化鈦(TiN )等之高融 點導電材料所成。 如圖1 1所示,掃描線13乃沿X方向,圖案化呈條 紋狀。更詳細視之,掃描線1 3乃具備沿X方向而延伸之 -46 - 200841105 主線部分1 3 a、和從該主線部分1 3 a向Y方向延伸設 延伸設置部分13b。延伸設置部分13b乃在TFT陣列 1 〇上,平面視之,至少重疊於後述之連接孔8 3 0而 。然而,相鄰接之掃描線1 3之延伸設置部分1 3 b乃 互連接,因此,該掃描線1 3乃成爲1條1條分斷之 (第2層之構成-TFTFT) 於圖13中,做爲第2層,設置TFT35。 如圖1 1及圖13所示,TFT35乃包含半導體層 閘極電極3 3而構成。 半導體層1 a乃例如由多晶矽所成,由具有沿X 之通道長之通道範圍5a’、資料線側LDD範圍5b及 電極側LDD範圍5c,以及資料線側源極汲極範圍5d 素電極側源極汲極範圍5e所成。即,TFT35乃具有 構造。 資料線側源極汲極範圍5d及畫素電極側源極汲 圍5e乃以通道範圍5ai爲基準,沿X方向,幾近形成 面對稱。資料線側LDD範圍5b乃形成於通道範圍 及資料線側源極汲極範圍5d間。畫素電極側LDD範 乃形成於通道範圍5a’、及畫素電極側源極汲極範圍 〇 掃描線1 3及半導體層5a間乃經由基材絕緣膜 以絕緣。基材絕緣膜12中,形成連接孔8 3 0。關於 置之 基板 形成 不相 形式 5a及 方向 畫素 及畫 LDD 極範 呈鏡 5a,、 圍5 c 5e間 12加 -連接 -47- 200841105 孔83 0之構成中,參照圖1 4,於後詳細加以說明。 如圖11及圖13所示,閘極電極33乃較半導體層5a ,藉由閘極絕緣膜2,配置於上層側。閘極電極3 3乃例 如由鎢(W )、鈦(Ti )、氮化鈦(TiN )等之高融點導 電材料等之遮光性之導電材料所成。然而,閘極電極3 3 乃例如可由導電性多晶矽所形成。 如圖11所示,閘極電極33乃具有重疊於TFT3 5之 通道範圍5a’之本體部分33a、和從該本體部分33a沿X 方向延伸設置之延伸設置部分3 3 1、和從該本體部分3 3 a 沿Y方向延伸設置之延伸設置部分3 32。閘極電極33乃 貫通閘極絕緣膜2及基材絕緣膜1 2,藉由開孔之連接孔 83 0,與掃描線1 3相互電性連接。 (第3層之構成-蓄積電容等-) 於圖13中,做爲第3層,設置積蓄電容73。積蓄電 容73乃相較於TFT35,藉由第1層間絕緣膜41 ’設於上 層側。 積蓄電容73乃下部電容電極731與上部電容電極 3〇Oa藉由介電質膜75對向配置而形成。 如圖12及圖13所示,上部電容電極300a乃做爲電 容線3 —部分而形成。電容線3 3 0乃沿Y方向配線’與上 述第1實施形態之電容線3 0 0乃沿X方向配線不同。電 容線3 3 0乃從配置畫素電極9 a之畫像顯示範圍1 〇 a ’延 伸設置於該周圍。上部電容電極3 00a乃藉由電容線300 -48- 200841105 ,與定電位線電性連接,維持於固定電位之固定電位側電 容電極。上部電容電極330a乃例如由A1 (鉋)、Ag(銀 )等之金屬或包含合金之非透明金屬膜所形成,做爲遮光 TFT35之上側遮光膜力口以工作。 下部電容電極731乃TFT35之畫素電極側源極汲極 範圍5 e及電性連接於畫素電極9 a之畫素電極側電容電極 。更具體而言,下部電容電極731乃藉由連接孔89,與 畫素電極側源極汲極範圍5 e電性連接的同時,貫通第2 層間絕緣膜42及介電質膜75,藉由開孔之連接孔85c ( 參照圖1 2 ),電性連接於配置於與後述資料線6c同層( 即第4層)之中繼層93c。更且,中繼層93c(參照圖12 )乃藉由開孔在第3絕緣層43之連接孔84c (參照圖12 ),電性連接於畫素電極9a。即,下部電容電極731乃 與中繼層93c,一同中斷畫素電極側源極汲極範圍5e及 畫素電極9a間之電性連接。下部電容電極731乃由導電 性之多晶矽所形成。 然而,如圖1 1及圖12所示,本實施形態中,積蓄電 容73乃被覆連接孔83 0而形成。爲此,積蓄電容73乃具 有沿起因於連接孔8 3 0,產生於第1層間絕緣膜41之上 層側表面之凹部之表面所形成之凹狀部分。對於此部分, 於上述第1實施形態中,如參照圖7至圖9詳細說明,積 蓄電容70乃與具有沿起因於連接孔8 1 〇,產生於第1層 間絕緣膜4 1之上層側表面之凹部7 1 0之表面所形成之凹 狀部分70t槪略相同。 -49- 200841105 (第4層之構成-資料線等_ ) 於圖13中’做爲第4層,設置資料線6c。又,於第 4層中,中繼層93c (參照圖,由與資料線&同一 膜加以形成。 如圖12及圖13所示,資料線6 c乃具有沿γ方向之 主線部分6cy、和從該主線部分向X方向延伸設置之延伸 • 設置部分6cx。資料線6c乃於此延伸設置部分6cx中, 於半導體層5a之資料線側源極汲極範圍5(i,藉由貫通第 1層間絕緣膜41、介電質膜75及第2層間絕緣腠4 2之連 接孔8 7,而電性連接。 於圖12中,中繼層93c乃於層間絕緣膜42上,由與 資料線6a(參照圖13)同一層加以形成。 (第5層之構成-畫素電極等-) φ 於圖1 3中,做爲第· 5層,設置畫素電極9a。畫素電 極9a乃相較於資料線6c,藉由第3層間絕緣膜43,形成 於上層側。 如圖12及圖13所示,畫素電極9a乃藉由下部電容 電極731、連接孔89、84c及85c,以及中繼層93c,電 性連接於半導體層5 a之畫素電極側源極汲極範圍5 e。 以上說明之畫素部之構成乃如圖1 1及圖1 2所示,共 通於各畫素部。於畫像顯示範圍1 0 a (參照圖1 ) ’相關 畫素部乃周期性加以形成。 -50- 200841105 接著,對於關於本實施形態之液晶裝置之掃描線、閘 極電極、電性連接該掃描線及閘極電極間之連接孔之平面 形狀’伴隨積蓄電容之形狀,參照圖1 4加以詳細說明。 圖14乃與第3之實施形態之圖7同性質之平面圖。 於圖14中,掃描線13乃參照圖1 1,如上所述,具 有沿X方向之主線部分1 3 a、和從該主線部分〗3 a向γ方 向延伸設置之延伸設置部分1 3 b。延伸設置部分1 3 b乃由 重疊於資料線6c之主線部分6cy而形成之部分13bl、和 令資料線6 c做爲基準,形成於畫素電極側L D D範圍5 c 側之部分13b2所成。經由形成於畫素電極側LDD範圍5c 側之部分1 3 b2,因此,可對於光泄放電流相對易於產生 之畫素電極側L D D範圍5 c提局遮光性,有效減低流於 TFT35之光泄放電流。 閘極電極3 3與掃描線€2乃貫通閘極絕緣膜2及基材 絕緣膜12,藉由開孔之連接孔830,電性連接。 如圖14所示,本實施形態中,尤其,連接孔8 3 0中 ,在TFT陣列基板10上平面視之,於半導體層5a之旁 側,具有沿X方向延伸存在之第1部分831、和與掃描線 6c之主線部分6cy重疊的同時,沿Y方向延伸存在之第2 部分832。即,連接孔83 0乃連繫第1部分831與第2部 分8 3 2,具有所謂彎折呈L字狀之平面形狀。更且,閘極 電極33乃參照圖11,如上所述,具有重疊於TFT35之通 道範圍5a’之本體部分33a、和從該本體部分33a,與連接 孔830重疊而延伸設置之延伸設置部分331及3 32。延伸 -51 - 200841105 設置部分3 3 1乃被覆連接孔8 3 0之第1部分8 3 1,沿X 向加以延伸設置,延伸設置部分3 3 2乃被覆連接孔8 3 0 第2部分8 3 2,沿Υ方向加以延伸設置。因此,延伸設 部分3 3 1之一部分乃形成於連接孔8 3 0之第1部分8 3 1 ,與掃描線13(更詳細而言,延伸設置部分13b2之一 分)接觸。同樣地,延伸設置部分3 3 2之一部分乃形成 連接孔830之第2部分832內,與掃描線13(更詳細 言,延伸設置部分13bl之一部分)接觸。 由於如此構成之故,與上述第1實施形態槪略相同 可維持高開口率下,可減低閘極電極3 3與掃描線1 3間 連接阻抗。 即,本實施形態中,尤其連接孔8 3 0乃具有第1部 831及第2部分8 32之故,即使與連接孔83 0例如具有 形狀、正方形狀、長方形狀等之做爲一般之連接孔之典 平面形狀之時或與連接孔83 0僅由第1部分83 1或第2 分832任一情形比較,於有限之非開口範圍,可使形成 連接孔8 3 0之範圍面積變廣。因此,可減低閘極電極 與掃描線1 3間之電阻,而提升開口率。 更且,本實施形態中,尤其如上所述,連接孔830 第1部分831乃於半導體層5a之旁側,沿X方向而延 存在。更具體而言,第1部分831乃在沿X方向而延 形成之半導體層5 a之側面側,離開特定距離L2,沿X 向,形成呈長形狀。 因此,形成於第1部分8 3 1 .內之閘極電極3 3 (更 方 之 置 內 部 於 而 之 分 圓 型 部 該 33 之 伸 伸 方 正 -52- 200841105 確爲延伸設置部分3 3 1 )之一部分乃由3維視 體層5a做爲壁狀之遮光體加以形成。因此, 體層之斜向入射之光線,可經由第1部分831 言,形成於第1部分831內之閘極電極33之 以遮蔽。即,經由做爲配置於半導體層5 a附 遮光體所形成之第1部分8 3 1,可強化遮蔽對 5 a而言斜向入射之光線之遮光性。此結果, 顯示之閃爍或畫素不均。 如圖14所示,構成積蓄電容73之上j 3 00a乃具有被覆資料線側LDD範圍1 b之第 330al、和被覆畫素電極側LDD範圍5c之第 330 a2。更且,構成積蓄電容73之下部電容電 有被覆資料線側LDD範圍5b之第1電極部分 覆畫素電極側LDD範圍5c之第2電極部分73 因此,於資料線側LDD範圍5b,將從上 光,經由第1電極部分3 3 0 a 1及7 3 1 a加以遮 於畫素電極側L D D範圍5 c,將從上層側入射 第2電極部分3 3 0a2及731b加以遮光。因此 料線側L D D軔园5 b及畫素電極側L D D範圍 電流之產生。 於本實施形態中,尤其,積蓄電容73乃 之絕緣膜4 1之上層側表面,被覆起因於連接; 生之凹部而形成,具有沿該凹部之表面之凹狀 的凹狀部分。 之,沿半導 將對於半導 (更正確而 一部分)加 近之壁狀之 於半導體層 可減低畫像 部電容電極 1電極部分 2電極部分 極73 1乃具 731a、和被 lb。 層側入射之 光。更且, 之光,經由 ,可減低資 5 c之光泄放 具有於第1 FL 8 3 0所產 之剖面形狀 -53- 200841105 即,配置於較第1之絕緣膜41下層側之基材絕緣膜 12及閘極絕緣膜2中,形成連接孔83 0之故,於第1層 間絕緣膜41之上層側表面,產生起因於連接孔830,例 如槪略沿連接孔830之內壁之凹部。積蓄電容73乃經由 被覆此凹部而形成,該一部分則形成於凹部內,具有沿凹 部之表面之凹狀之剖面形狀之凹狀部分。對於此部分,於 上述第1實施形態中,如參照圖7至圖9詳細說明,積蓄 電容70乃與具有沿起因於連接孔8 1 0,產生於第1層間 絕緣膜4 1之上層側表面之凹部7 1 0之表面所形成之凹狀 部分70t槪略相同。 因此,積蓄電容73乃由於具有凹狀部分之量,而增 大電容値。因此,可提升畫素電極9a之電位保持特性。 換言之,積蓄電容73與不具有凹狀部分之情形(即積蓄 電容73僅平面性形成之時)比較,可使具有實現製品之 顯示性能的電容値之蓄積容量73,作成於TFT陣列基板 之狹窄範圍。由此,可減低畫像顯示之閃爍或畫素不均, 更可實現裝置之小型化。 更且,凹部乃起因於連接孔而產生之故,凹部(及凹 狀部分)乃具有與連接孔830之平面形狀槪略相同的平面 形狀(省略圖示)。換言之,凹狀部分t乃在TFT陣列基 板1 〇上平面視之,於半導體層5 a之旁側,具有沿X方向 延伸存在部分、和與資料線6c之主線部分6cy重疊的同 時’沿Y方向延伸存在之部分。因此,可將凹狀部分容 易配置於非開口範圍內,不會招致開口率之下降,而增加 -54- 200841105 積蓄電容73之電容値。 如以上說明,根據關於本實施形態之液晶裝 持高開口率而增大積蓄電容73之電容値的同時 TFT35之光泄放電流之產生。結果,可進行高品 顯示。 〔電子機器〕 接著,對於將上述光電裝置之液晶裝置適用 子機器之情形,參照圖1 5加以說明。 圖1 5乃顯示投影機之構成例的平面圖。以 將此液晶裝置做爲光閥使用之投影機加以說明。 如圖1 5所示,於投影機1 1 〇 〇內部,設置鹵 白色光源所成燈單元部11〇2。從此燈單元1102 投射光乃經由配置於光導引內之4枚鏡子 枚分色鏡1108,分離成RGB3原色,入射至做 原色之光閥之液晶面板1110R、110B及1110G。 液晶面板1110R、1110B及1110G之構成乃 晶裝置同等,以從畫像信號處理電路供給之R、 色信號,各別加以驅動。然後,經由此等液晶面 光乃向分色鏡1112,從3方向入射。於此分色g ,R及B之光則折射成90度,另一方面,G之 。因此,合成各色之畫像的結果,藉由投射透I 於螢幕等投射彩色畫像。 在此,著眼於各液晶面板1110R、1110B及 Μ,可維 ’可減低 質之畫像 益各種電 下,對於 素燈等之 所射出之 1 106 及 2 對應於各 與上述液 G、Β原 板調變之 i 1 1 12 中 光則直行 I 1114 > 1 1 1 0 G 所 -55- 200841105 成顯示像時,液晶面板111 0G所成顯示像乃對於液晶面 板1 1 10R、1 1 1 0B所成顯示像而言,需左右反轉。 然而,液晶面板1110R、1110B及1110G中,經由分 色鏡1 1 08,入射對應於R、G、B各原色之光之故,無需 設置彩色濾光片。 然而,參照圖1 5說明之電子機器之外,可列舉可攜 型個人電腦、或行動電話、、液晶電視、觀景型、監視直 視型之攝錄放影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子筆記本 、電算機、文字處理機、工作站、電視電話、POS終端、 具備觸控面板之裝置等。然後,當然可適用於此等之各種 電子機器。 又,本發明除了上述實施形態之液晶裝置之外,可適 用於在矽基板上形成元件之反射型液晶裝置(LCOS )、 電漿顯示器(PDP )、電場放射型顯示器(FED、SED ) '有機EL顯示器、數位微鏡裝置(DMD)、電泳裝置等 〇 本發明在未脫離該精神與基本特徵下,可在其他特定 形態加以具體化。因此,本實施形態乃可在任何情形下達 成’而非限定於此,本發明範圍非限於上述說明,應以申 請專利範圍所示爲準。與申請專利範圍等價之意義及範圍 內之變更乃皆包含於本發明。 【圖式簡單說明】 圖1乃顯示關於第1實施形態之液晶裝置之整體構成 -56- 200841105 的平面圖。 圖2乃圖1之II-II線之剖面圖。 圖3乃關於第1實施形態之液晶裝置之複數之畫素部 的等價電路圖。 圖4乃關於第1實施形態之液晶裝置之複數之畫素部 的平面圖(下層部分)。 圖5乃關於第1實施形態之液晶裝置之複數之畫素部 的平面圖(上層部分)。 圖6乃重合圖4及圖5時之VI-VI線之剖面圖。 圖7乃掃描線及閘極電極間之連接孔、及積蓄電容之 平面圖。 圖8乃圖7之VIII-VIII線之剖面圖。 圖9乃圖7之IX-IX線之剖面圖。 圖10乃與第2之實施形態之圖7同性質之平面圖。 圖1 1乃與第3之實施形態之圖4同性質之平面圖。 圖1 2乃與第3之實施形態之圖5同性質之平面圖。 圖13乃重合圖11及圖12時之XIII-XIII線之剖面圖 〇 圖1 4乃與第3之實施形態之圖7同性質之平面圖。 圖15乃顯示適用光電裝置之電子機器之一例之投影 機之構成的平面圖。 【主要元件符號說明】 la :半導體層 •57- 200841105 la* :通道範圍 lb :資料線側LDD範圍 lc :畫素電極側LDD範圍 1 d :資料線側源極汲極範圍 1 e :畫素電極側源極汲極範圍 2 =閘極絕緣膜 3 :閘極電極 3 a ·本體部 5a’ :通道範圍 5a :半導體層 5b :資料線側LDD範圍 5 c :畫素電極側L D D範圍 5 d :資料線側源極汲極範圍 5e :畫素電極側源極汲極範圍 6a :資料線 6c :資料線 6cx :延伸設置部分 6cy :主線部分 9 a :畫素電極 10 : TFT陣列基板 l〇a :畫像顯示範圍 1 1 :掃瞄線 11X :主線部分 11 y :第1延伸設置部分 -58- 200841105 1 2 :基材絕緣膜 13 :掃瞄線 1 3 a :主線部分 1 3b 1 延伸設置部分 13b2 :延伸設置部分 20 :對向基板 2 1 :對向電極 23 :遮光膜
3 0 ·· TFT
3 1 :延伸設置部分 32 :延伸設置部分 3 3 :延伸設置部分 3 3 a :本體部分 35 : TFT 41 :第1層間絕緣膜 42 :第2層間絕緣膜 43 :第3層間絕緣膜 5 0 :液晶層 5 2 :密封材 5 3 :邊框遮光膜 70 :蓄積電容 70t :凹狀部分 7 1 :下部電容電極 7 1a: Μ 1部分 -59- 200841105 7 1 b :第2電極部分 7 1 c :第1電極部分 73 :蓄積電容 75 :介電質膜 81 :連接孔 83 :連接孔 84 :連接孔 84c :連接孔 8 5 :連接孔 8 5 c :連接孔 8 7 :連接孔 8 9 :連接孔 9 3 :中繼層 9 3 c :中繼層 3 0 0 :電容線 3 0 0 a :上部電容電極 3 〇 1 :第1電極部分 3 02 :第2電極部分 3 03 :第1部分 33 0a:上部電容電極 3 3 1 :延伸設置部分 3 32 :延伸設置部分 3 3 0 al :第1電極部分 3 3 0a2 :第2電極部分 200841105 7 1 0 :凹部 7 3 1 :下部電容電極 731a:第1電極部分 7 3 1 b :第2電極部分 8 1 0 :連接孔 81 1 :第1部分 8 12 :第2部分 820 :連接孔 821a :第1部分 821b :第1部分 822 :第2部分 8 3 0 :連接孔 831 :第1部分 8 3 2 :第2部分 1 1 〇 〇 :投影機 1 1 0 2 :燈單元 1104 :燈導引 110 6 :鏡子 1 1 〇 8 :分色鏡 1110R :液晶面板 1U0G :液晶面板 1110B :液晶面板 1 1 1 2 :分色鏡 1 1 1 4 :投射透鏡 -61

Claims (1)

  1. 200841105 十、申請專利範圍 1· 一種光電裝置,其特徵乃於基板上,具備: 相互交差之資料線及掃描線、 和對應於該資料線及掃描線之交叉而設置之畫素電極 、 和設在畫素之開口範圍相互隔開之非開口範圍中,對 應於前述交叉之交叉範圍,包含(i)配置在介有前述掃 描線與第1之絕緣膜,互爲不同之層,形成具有沿前述資 料線延伸之第1之方向之通道長的通道範圍的半導體層、 和(Π)對於該半導體層,配置於與前述掃描線相反側之 層,重疊於前述通道範圍之閘極電極的電晶體; 於前述第1之絕緣膜中,形成具有在前述基板上平面 性視之,於前述半導體旁側,沿前述第1之方向而延伸存 在之第1部分、和與前述掃描線之一部分重疊的同時,沿 前述掃描線延伸之第2部分之方向而延伸存在之第2部分 ,爲電性連接前述閘極電極與前述掃描線之連接孔。 2.如申請專利範圍第1項之光電裝置,其中,前述閘 極電極乃具有重疊於前述通道領域之本體部分、和從該本 體部分在前述基板上平面性視之,與前述連接孔重疊地加 以延伸設置之閘極電極延伸設置部分’ 前述掃描線乃具有沿前述第2之方向延伸之主線部分 ,和從該主線部分在前述基板上平面性視之,與前述第1 部分重疊地加以延伸設置之掃描線延伸設置部分。 3 .如申請專利範圍第1項之光電裝置,其中,前述半 -62- 200841105 導體層乃具有電性連接於前述資料線之資料線側源極汲極 範圍、和電性連接於前述畫素電極之畫素電極側源極汲極 範圍、和形成於前述通道範圍及前述資料線側源極汲極範 圍間的第1之接合範圍、和形成於前述通道範圍及前述畫 素電極側源極汲極範圍間的第2之接合範圍; 前述第1部分乃沿前述第1及第2之接合範圍之至少 一方而形成者。 B 4.如申請專利範圍第3項之光電裝置,其中,前述連 接孔乃在前述基板上,平面性視之,形成於前述半導體層 之兩側, 前述第1部分乃設於前述第1及第2之接合範圍之至 少一方之兩側。 5.如申請專利範圍第3項之光電裝置,其中,前述第 1部分乃在前述基板上,平面性視之,沿前述第2之接合 範圍而設置者。 # 6·如申請專利範圍第3項之光電裝置,其中,前述第 1及第2之接合範圍乃LDD範圍。 7.如申請專利範圍第1項之光電裝置,其中,前述掃 描線乃較前述半導體層,配置於更下層側。 8 ·如申請專利範圍第1項之光電裝置,其中,前述閘 極電極及前述掃描線乃包含遮光性導電材料。 9·如申請專利範圍第1項之光電裝置,其中,前述第 1部分之寬度乃較前述第2部分之寬度爲窄。 10·如申請專利範圍第1項之光電裝置,其中,更具 -63- 200841105 備較前述電晶體,介有第2之絕緣膜,配置於更上層側, 形成於前述非開口範圍內之蓄積電容; 該蓄積電容乃具有被覆起因於前述連接孔,產生於前 述第2之絕緣膜之上層側表面之凹部地而形成,具有沿該 凹部之表面之凹狀之剖面形狀的凹狀部分者。 1 1.如申請專利範圍第1 〇項之光電裝置,其中,前述 半導體層乃具有電性連接於前述資料線之資料線側源極汲 φ 極範圍、和電性連接於前述畫素電極之畫素電極側源極汲 極範圍、和形成於前述通道範圍及前述資料線側源極汲極 範圍間的第1之接合範圍、和形成於前述通道範圍及前述 畫素電極側源極汲極範圍間的第2之接合範圍; 前述蓄積電容乃在前述基板上平面性視之,至少與前 述第2之接合範圍重疊者。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之光電裝置,其中,前述 蓄積容量乃包含遮光材導電材料。 φ 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之光電裝置,其中,前述 蓄積電容乃具有沿前述第1之方向而延伸的同時,被覆前 述第1之接合範圍之第1電容部分、和被覆前述第2之接 合範圍之同時,較前述第1電容部分前述第2之方向之寬 度爲廣之第2電容部分。 14.一種光電裝置,其特徵乃於基板上,具備: 相互交差之資料線及掃描線、 和對應於該資料線及掃描線之交叉而設置之畫素電極 -64- 200841105 和設在畫素之開口範圍相互隔開之非開口範 應於前述交叉之交叉範圍,包含(i)配置在介 描線與第1之絕緣膜,互爲不同之層,形成具有 描線延伸之方向之通道長的通道範圍的半導體層 )對於該半導體層,配置於與前述掃描線相反側 疊於前述通道範圍之閘極電極的電晶體; 於前述第1之絕緣膜中,形成具有在前述基 性視之,於前述半導體旁側,沿前述掃描線延伸 延伸存在之第1部分、和與前述資料線之一部分 時,沿前述資料線延伸之方向而延伸存在之第2 電性連接前述閘極電極與前述掃描線之連接孔。 15. 如申請專利範圍第14項之光電裝置,其 備較前述電晶體,介有第2之絕緣膜,配置於更 形成於前述非開口範圍內之蓄積電容; 該蓄積電容乃具有被覆起因於前述連接孔, 述第2之絕緣膜之上層側表面之凹部地而形成, 凹部之表面之凹狀之剖面形狀的凹狀部分者。 16. —種電子機器,其特徵乃具備如申請專利 項之光電裝置。 圍中,對 有前述掃 沿前述掃 ^、和(ii 之層,重 板上平面 之方向而 重疊的同 部分,爲 中,更具 上層側, 產生於前 具有沿該 I範圍第1 -65-
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