JP2019117342A - アクティブマトリックス基板、アクティブマトリックス基板の製造方法および液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリックス基板、アクティブマトリックス基板の製造方法および液晶表示装置 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】高信頼性の確保と高開口率を実現できる技術を提供する。【解決手段】アクティブマトリックス基板10は、スイッチング素子3のドレイン電極に接続されたドレイン電極延伸部4であって、導体化した酸化物半導体で形成されるドレイン電極延伸部4と、上記ドレイン電極延伸部4の少なくとも一部と重畳するように設けられた補助容量電極5であって、少なくとも一部が光を透過するように形成された補助容量電極5とを備えている。【選択図】図1
Description
本発明は、アクティブマトリックス基板、アクティブマトリックス基板の製造方法および液晶表示装置関する。
近年、表示装置の一例である液晶表示装置の高機能化が進み、液晶表示装置に対する要求性能もますます高くなっている。液晶表示装置に対する要求性能としては、高輝度化、高精細化、薄型軽量化、低消費電力化などが挙げられる。
例えば、特許文献1には、液晶表示装置の開口率向上のために画素電極と各配線とをオーバーラップさせると共に、層間絶縁膜として高透過率の膜を用いることによりバックライトからの光を有効に利用する技術が開示されている。具体的には、液晶表示装置は、スイッチング素子、ゲート配線およびソース配線の上部に層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上に画素電極が設けられ、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して画素電極とドレインとを、ゲート配線または付加容量配線上部で接続する電極を有する。
また、特許文献2には、TFT(薄膜トランジスタ)の半導体チャネル膜として酸化物半導体膜を容易に用いることができ、写真製版(製造)工程の回数を抑え、電気特性に優れるアクティブマトリックス基板を提供する技術が開示されている。具体的には、複数の画素が複数マトリックス状に配列されたアクティブマトリックス基板であって、画素のそれぞれは、ゲート電極および共通電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物透明膜と、ソース電極およびドレイン電極と、画素電極とを備え、酸化物透明膜は、導体領域および半導体領域を有し、導体領域は、ソース電極およびドレイン電極の下部と、ドレイン電極の下部に連続し共通電極の一部上方まで延在して画素電極を構成する部分に設けられ、半導体領域は、ソース電極とドレイン電極との間の領域の下層に対応する部分に設けられて薄膜トランジスタのチャネル領域を構成し、ソース電極およびドレイン電極は、酸化物透明膜の導体領域と電気的に接続される。
しかしながら、上記特許文献1、2に記載の技術の場合、高信頼性を確保しながら高開口率を実現するという側面において、改善の余地がある。
上記課題を解決するため、本発明の一態様に係るアクティブマトリックス基板は、複数の画素がマトリックス状に配列されたアクティブマトリックス基板であって、複数のゲート配線と、上記複数のゲート配線と交差するように設けられた複数のソース配線と、上記ゲート配線に接続されたゲート電極と、上記ソース配線に接続されたソース電極とを有するスイッチング素子と、上記スイッチング素子のドレイン電極に接続されたドレイン電極延伸部であって、導体化した酸化物半導体で形成されるドレイン電極延伸部と、上記ドレイン電極延伸部の少なくとも一部と重畳するように設けられた補助容量電極であって、少なくとも一部が光を透過するように形成された補助容量電極とを備えている。
上記課題を解決するため、本発明の他の一態様に係るアクティブマトリックス基板の製造方法は、補助容量電極層を形成する第1の工程と、上記補助容量電極層を覆うように該補助容量電極層上にゲート絶縁膜層を形成する第2の工程と、上記補助容量電極層の少なくとも一部と重畳するように上記ゲート絶縁膜層上にドレイン電極延伸部層を形成する第3の工程とを含み、上記ドレイン電極延伸部層は、導体化した酸化物半導体で形成されており、上記補助容量電極層は、少なくとも一部が光を透過するように形成されている。
上記課題を解決するため、本発明のさらに他の一態様に係る液晶表示装置は、上記アクティブマトリックス基板を備える。
本発明の一態様によれば、高信頼性の確保と高開口率を両立することが可能な液晶表示装置を提供することができる。
〔実施形態1〕
以下、図1〜図2を参照しながら本実施形態1について説明する。
以下、図1〜図2を参照しながら本実施形態1について説明する。
以下の記載において、開口率とは、アクティブマトリックス基板を液晶表示装置に適用した場合における、表示領域内の透光領域と遮光領域との合計面積に対する透光領域の割合のことを指す。
<アクティブマトリックス基板の構成>
図1は、本実施形態1に係るアクティブマトリックス基板10の構成を示す図である。アクティブマトリックス基板10は、例えば、本実施形態に係る表示装置の一例である液晶表示装置に用いられる。図1に示すように、アクティブマトリックス基板10には複数の画素がマトリックス状に配列されている。このアクティブマトリックス基板10は複数のゲート配線1と、複数のソース配線2と、スイッチング素子3と、ドレイン電極延伸部4と、補助容量電極5とを備えている。
図1は、本実施形態1に係るアクティブマトリックス基板10の構成を示す図である。アクティブマトリックス基板10は、例えば、本実施形態に係る表示装置の一例である液晶表示装置に用いられる。図1に示すように、アクティブマトリックス基板10には複数の画素がマトリックス状に配列されている。このアクティブマトリックス基板10は複数のゲート配線1と、複数のソース配線2と、スイッチング素子3と、ドレイン電極延伸部4と、補助容量電極5とを備えている。
具体的には、ゲート配線1は、下記ゲート電極に走査信号を供給して画素を駆動する。本実施形態1では、ゲート配線1が画素下辺に配置されている。
ソース配線2は、ゲート配線1と交差するように設けられている。ソース配線2は、下記ソース電極には表示信号(データ信号)を供給する。
スイッチング素子3は、ゲート配線1に接続される上記ゲート電極と、ソース配線2に接続される上記ソース電極とを有する。スイッチング素子3は、例えば薄膜トランジスタ(TFT)により構成されることが挙げられるが、本発明はこれに限定されない。
ドレイン電極延伸部4は、スイッチング素子3のドレイン電極に接続され、導体化した酸化物半導体で形成される。このドレイン電極は補助容量を形成するための電極に接続される。
補助容量電極5は、ドレイン電極延伸部4の少なくとも一部と重畳するように設けられ、少なくとも一部が光を透過するように形成されている。
また、アクティブマトリックス基板10は、補助容量配線(補助容量バスラインやCSバスラインとも呼称される)6と、画素電極部7とをさらに備えている。また、後述するように、アクティブマトリックス基板10には、コンタクトホール8が形成される構成としてもよい。
補助容量電極5は、画素中央に配置した補助容量配線6に接続されている。ソース配線2は、画素電極部7と重畳している。
なお、本実施形態に係るドレイン電極延伸部4及び補助容量電極5は、図1に示すように、ソース配線2の延伸方向を長手方向とする細長矩形状に形成されている。また、ドレイン電極延伸部4及び補助容量電極5は、図1に示すように、補助容量配線6を跨ぐように形成されている。
比較のため、図5を参照しながら比較例について説明する。また、説明の便宜上、比較例の本実施形態1と異なる構成を重点的に説明する。本実施形態1と同様の構成については符号の付与および説明は省略する。
図5は、比較例に係る基板20の構成を示す図である。図5に示すように、基板20は遮光材料からなるドレイン電極24およびCS電極25を備えている。具体的に、比較例においては、ドレイン電極24がソースメタルにより形成されており、CS電極25がゲートメタルにより形成されている。
本実施形態1においては、スイッチング素子3のドレイン電極に接続されたドレイン電極延伸部4は導体化した酸化物半導体により形成されており、ドレイン電極延伸部4の少なくとも一部と重畳するように設けられた補助容量電極5の少なくとも一部は光を透過するよう構成されている。そのため、本実施形態1は高信頼性の確保と高開口率を両立することが可能なアクティブマトリックス基板10を提供できる。
また、比較例と比較すると、本実施形態1においては、遮光メタルにより形成される補助容量配線6は、補助容量に制約をうけることなく、必要最低限の幅の形状で設計することが可能となる。したがって、アクティブマトリックス基板10の性能を損なうことなくその設計自由度を向上できる。
なお、補助容量電極5が透明導電膜(例えば、ITO(In2O3/SnO2)やIZO(In2O3/ZnO)など)により形成されることが好ましい。ドレイン電極延伸部4が導体化酸化物半導体(InGaZnO)により形成されることが好ましい。当該構成によれば、本実施形態1の奏する効果をより確実に得られる。
続いて、図2を参照しながら本実施形態1についてさらに説明する。また、説明の便宜上、本発明に係る構成のみを重点的に説明する。
図2は、図1のX−X要部断面図である。
<断面構成の概略>
図2に例示のように、アクティブマトリックス基板10は、製造工程の順序である図2における下から上の順で、例えば導電膜層100a及び100jと、電極層100b及び電極層100kと、上記各層を覆う第1の絶縁膜層100cと、導体化した酸化物半導体層100d及び酸化物半導体層100lと、ドレイン配線層100e、ソース層100m、及び電極層100nと、上記ドレイン配線層100e及びソース層100mを覆う第2の絶縁層100fと、第2の絶縁層100fを覆いかつ該第2の絶縁層を貫通して半導体層100dを覆う第3の絶縁層100gと、第4の絶縁層100hと、画素電極層100iとを備える。
図2に例示のように、アクティブマトリックス基板10は、製造工程の順序である図2における下から上の順で、例えば導電膜層100a及び100jと、電極層100b及び電極層100kと、上記各層を覆う第1の絶縁膜層100cと、導体化した酸化物半導体層100d及び酸化物半導体層100lと、ドレイン配線層100e、ソース層100m、及び電極層100nと、上記ドレイン配線層100e及びソース層100mを覆う第2の絶縁層100fと、第2の絶縁層100fを覆いかつ該第2の絶縁層を貫通して半導体層100dを覆う第3の絶縁層100gと、第4の絶縁層100hと、画素電極層100iとを備える。
また、図2に示すように、アクティブマトリックス基板10の画素電極層100iには、画素電極層100iが第4、第3および第2の絶縁層を貫通して電極層100nに接続するコンタクトホール8が形成されている。
また、本実施形態1においては、図2の右下部の破線部A1において、電極層100bを含む導電膜層100aと、導体化した酸化物半導体層100dとが一部の第1の絶縁膜層100cを介して補助容量部を形成している。この導電膜層100aと導体化酸化物半導体層100dとはそれぞれ本発明の補助容量電極5と、ドレイン電極延伸部4とに対応している。
上述したように、上記構成によれば、本実施形態1は、スイッチング素子3のドレイン電極に接続されたドレイン電極延伸部4は導体化した酸化物半導体により形成されており、ドレイン電極延伸部4の少なくとも一部と重畳するように設けられた補助容量電極5の少なくとも一部を光を透過するようになっている。そのため、本実施形態1は高信頼性の確保と高開口率を両立することが可能なアクティブマトリックス基板10を提供できる。
<アクティブマトリックス基板の製造方法>
以下、アクティブマトリックス基板10の製造方法について説明する。例えば、以下の製造ステップは、本実施形態に係る製造装置によって自動的に実行される。
・第1の製造ステップ
ITO層を形成する。形成されたITO層の一部は、図2に示すように、CS電極100aとなる。
・第2の製造ステップ
ゲート電極100kならびに電極層100bを形成する。
・第3の製造ステップ
ゲート電極100k、CS電極100aと電極層100bとを覆うように、第1の絶縁膜層100cを形成し、更にその上に酸化物半導体層100d及び100lを形成する。
・第4の製造ステップ
ソース電極100m、ドレイン電極100e、及び電極層100nを形成する。
・第5の製造ステップ
第2の絶縁層100fを形成する。また、第2の絶縁層100fの形成後、フォトエッチングを行い、その上に第3の絶縁層100gを形成すると共に、第2の絶縁層100fをエッチングした領域において露出する酸化物半導体層に導体化処理を施す。
・第6の製造ステップ
第4の絶縁層100hを形成する。形成後、フォトエッチングを行う。
・第7の製造ステップ
上記第6のステップにおけるフォトエッチングの後、ITO層を形成する。その際、第6のステップにおけるフォトエッチングに起因して、コンタクトホール8が形成される。
以下、アクティブマトリックス基板10の製造方法について説明する。例えば、以下の製造ステップは、本実施形態に係る製造装置によって自動的に実行される。
・第1の製造ステップ
ITO層を形成する。形成されたITO層の一部は、図2に示すように、CS電極100aとなる。
・第2の製造ステップ
ゲート電極100kならびに電極層100bを形成する。
・第3の製造ステップ
ゲート電極100k、CS電極100aと電極層100bとを覆うように、第1の絶縁膜層100cを形成し、更にその上に酸化物半導体層100d及び100lを形成する。
・第4の製造ステップ
ソース電極100m、ドレイン電極100e、及び電極層100nを形成する。
・第5の製造ステップ
第2の絶縁層100fを形成する。また、第2の絶縁層100fの形成後、フォトエッチングを行い、その上に第3の絶縁層100gを形成すると共に、第2の絶縁層100fをエッチングした領域において露出する酸化物半導体層に導体化処理を施す。
・第6の製造ステップ
第4の絶縁層100hを形成する。形成後、フォトエッチングを行う。
・第7の製造ステップ
上記第6のステップにおけるフォトエッチングの後、ITO層を形成する。その際、第6のステップにおけるフォトエッチングに起因して、コンタクトホール8が形成される。
上述のように、本実施形態1においては、アクティブマトリックス基板の製造方法は少なくとも、補助容量電極層を形成する第1の工程(上記第1、2の製造ステップ)と、上記補助容量電極層を覆うように該補助容量電極層上にゲート絶縁膜層を形成し酸化物半導体層を形成する第2の工程(上記第3の製造ステップ)と、上記補助容量電極層の少なくとも一部と重畳するように上記ゲート絶縁膜層上にドレイン電極延伸部層を形成する第3の工程(上記第5の製造ステップ)とを含む。
なお、補助容量電極及び配線については、ゲート電極と同じ層である必要はなく、透明導電膜等の導電材料で形成されていてもよい。
具体的には、第1の工程においては上記導電膜層100aを形成し、第2の工程においては第1の絶縁膜層100cを形成し、第3の工程においては半導体層100dを形成する。この半導体層100dは上記ドレイン電極延伸部層であり、導電膜層100aは上記補助容量電極層である。
また、上記ドレイン電極延伸部層は、導体化した酸化物半導体で形成されており、上記補助容量電極層は、少なくとも一部が光を透過するように形成されている。
上記製造方法によれば、本実施形態1の効果を奏することが可能なアクティブマトリックス基板10を製造できる。
〔実施形態2〕
以下、図3を参照しながら本実施形態2について説明する。説明の便宜上、上記実施形態1と同じ構成については同じ符号を付与してその説明は省略する。
以下、図3を参照しながら本実施形態2について説明する。説明の便宜上、上記実施形態1と同じ構成については同じ符号を付与してその説明は省略する。
本実施形態2と上記実施形態1との相違点は、ゲート配線の配置位置、電極延伸部及び補助容量電極の形状および配置方法が異なる。以下この相違点を重点的に説明する。
図3に示すように、本実施形態2に係るアクティブマトリックス基板10aにおいては、ゲート配線1を画素中央部に配置し、補助容量電極5aを上下画素間に配置された補助容量配線6に接続している。
また、本実施形態2においては、ドレイン電極延伸部4aは、スイッチング素子3のドレイン電極に接続され、導体化した酸化物半導体で形成される。補助容量電極5aは、ドレイン電極延伸部4aの少なくとも一部と重畳するように設けられ、少なくとも一部が光を透過するように形成されている。
なお、本実施形態に係るドレイン電極延伸部4a及び補助容量電極5aは、図3に示すように、略正方形状に形成されている。また、ドレイン電極延伸部4a及び補助容量電極5aは、図3に示すように、補助容量配線6から見て一方に(同じ画素内におけるゲート配線1側)に形成されている。
また、上記実施形態1と同じように、補助容量電極5aが透明導電膜(ITO)により形成されることが好ましい。ドレイン電極延伸部4aが導体化酸化物半導体により形成されることが好ましい。
図4は、図3のY−Y要部断面図である。また、実施形態1と同様の層には同様の符号を付している。
図4に示すように、ドレイン電極延伸部4aを構成する導体化酸化物半導体層100d、及び、補助容量電極5aを構成する導電膜層100aは、補助容量配線6を構成する電極層100bから見て、ゲート電極100k側に形成されている。
本実施形態においては、図4の右下部の破線部A2は、一部の導電膜層100aと、電極層100bと、一部の絶縁膜層100cと、導体化酸化物半導体層100dとを包含して補助容量部となっている。
上記構成によって、上記実施形態1と同じ効果を奏することができる。
〔まとめ〕
本発明の態様1に係るアクティブマトリックス基板(10、10a)は、複数の画素がマトリックス状に配列されたアクティブマトリックス基板であって、複数のゲート配線(1)と、上記複数のゲート配線と交差するように設けられた複数のソース配線(2)と、
上記ゲート配線に接続されたゲート電極と、上記ソース配線に接続されたソース電極とを有するスイッチング素子(3)と、上記スイッチング素子のドレイン電極に接続されたドレイン電極延伸部(4、4a)であって、導体化した酸化物半導体で形成されるドレイン電極延伸部と、上記ドレイン電極延伸部の少なくとも一部と重畳するように設けられた補助容量電極(5、5a)であって、少なくとも一部が光を透過するように形成された補助容量電極とを備えている。
本発明の態様1に係るアクティブマトリックス基板(10、10a)は、複数の画素がマトリックス状に配列されたアクティブマトリックス基板であって、複数のゲート配線(1)と、上記複数のゲート配線と交差するように設けられた複数のソース配線(2)と、
上記ゲート配線に接続されたゲート電極と、上記ソース配線に接続されたソース電極とを有するスイッチング素子(3)と、上記スイッチング素子のドレイン電極に接続されたドレイン電極延伸部(4、4a)であって、導体化した酸化物半導体で形成されるドレイン電極延伸部と、上記ドレイン電極延伸部の少なくとも一部と重畳するように設けられた補助容量電極(5、5a)であって、少なくとも一部が光を透過するように形成された補助容量電極とを備えている。
上記構成によれば、高信頼性の確保と高開口率を両立することが可能なアクティブマトリックス基板(10、10a)を提供できる。
本発明の態様2に係るアクティブマトリックス基板(10、10a)は、上記の態様1において、補助容量電極(5、5a)は、ITOからなってもよい。
上記構成によれば、本発明の奏する効果をより確実に得られる。
本発明の態様3に係るアクティブマトリックス基板(10、10a)は、上記の態様1または2において、ドレイン電極延伸部(4、4a)は、導体化酸化物半導体からなってもよい。
上記構成によれば、本発明の奏する効果をより確実に得られる。
本発明の態様4に係るアクティブマトリックス基板(10、10a)は、上記の態様1から3の何れか1態様において、補助容量電極(5a)は、ある画素内において、上記補助容量電極が接続された補助容量配線(6)から見てゲート配線(1)にのみ延伸するように形成されている。
本発明の態様5に係るアクティブマトリックス基板(10、10a)の製造方法は、補助容量電極層(100a)を形成する第1の工程と、上記補助容量電極層を覆うように該補助容量電極層上にゲート絶縁膜層(100c)を形成する第2の工程と、上記補助容量電極層の少なくとも一部と重畳するように上記ゲート絶縁膜層上にドレイン電極延伸部層(100d)を形成する第3の工程とを含み、上記ドレイン電極延伸部層(100d)は、導体化した酸化物半導体で形成されており、上記補助容量電極層(100a)は、少なくとも一部が光を透過するように形成されている。
上記構成によれば、本発明の効果を奏することが可能なアクティブマトリックス基板(10、10a)を製造できる。
本発明の態様6に係る液晶表示装置は、アクティブマトリックス基板(10、10a)を備える。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
10、10a、20 アクティブマトリックス基板(基板)
1 ゲート配線
2 ソース配線
3 スイッチング素子
4、4a、24 ドレイン電極延伸部(ドレイン電極)
5、5a、25 補助容量電極(CS電極)
6 補助容量配線
7 画素電極部
8 コンタクトホール
100 各機能層
1 ゲート配線
2 ソース配線
3 スイッチング素子
4、4a、24 ドレイン電極延伸部(ドレイン電極)
5、5a、25 補助容量電極(CS電極)
6 補助容量配線
7 画素電極部
8 コンタクトホール
100 各機能層
Claims (5)
- 複数の画素がマトリックス状に配列されたアクティブマトリックス基板であって、
複数のゲート配線と、
上記複数のゲート配線と交差するように設けられた複数のソース配線と、
上記ゲート配線に接続されたゲート電極と、上記ソース配線に接続されたソース電極とを有するスイッチング素子と、
上記スイッチング素子のドレイン電極に接続されたドレイン電極延伸部であって、導体化した酸化物半導体で形成されるドレイン電極延伸部と、
上記ドレイン電極延伸部の少なくとも一部と重畳するように設けられた補助容量電極であって、少なくとも一部が光を透過するように形成された補助容量電極と
を備えていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。 - 上記補助容量電極は、透明導電膜により構成されることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリックス基板。
- 上記補助容量電極は、ある画素内において、上記補助容量電極が接続された補助容量配線から見てゲート配線側にのみ延伸するように形成されている
ことを特徴とする請求項1または2に記載のアクティブマトリックス基板。 - アクティブマトリックス基板の製造方法であって、
補助容量電極層を形成する第1の工程と、
上記補助容量電極層を覆うように該補助容量電極層上にゲート絶縁膜層を形成する第2の工程と、
上記補助容量電極層の少なくとも一部と重畳するように上記ゲート絶縁膜層上にドレイン電極延伸部層を形成する第3の工程と
を含み、
上記ドレイン電極延伸部層は、導体化した酸化物半導体で形成されており、
上記補助容量電極層は、少なくとも一部が光を透過するように形成されている
ことを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法。 - 請求項1〜3の何れか1項のアクティブマトリックス基板を備えることを特徴とする液晶表示装置。
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