CN110018599A - 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法及液晶显示装置 - Google Patents

有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法及液晶显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110018599A
CN110018599A CN201811564027.8A CN201811564027A CN110018599A CN 110018599 A CN110018599 A CN 110018599A CN 201811564027 A CN201811564027 A CN 201811564027A CN 110018599 A CN110018599 A CN 110018599A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
active
layer
matrix substrate
auxiliary capacitance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811564027.8A
Other languages
English (en)
Inventor
徐家慧
森永润一
小川胜也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN110018599A publication Critical patent/CN110018599A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供一种能够实现高可靠性的确保和高开口率的技术。有源矩阵基板(10、10a)具备：漏极电极延伸部(4、4a)，其连接到开关元件的漏极电极，并且由导体化的氧化物半导体形成；以及辅助电容电极(5、5a)，其设置为与上述漏极电极延伸部的至少一部分重叠，并且形成为其至少一部分使光透射过。

Description

有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法及液晶显示装置
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法以及液晶显示装置。
背景技术
近年来，作为显示装置的一个例子的液晶显示装置的高功能化得到推进，对液晶显示装置所要求的性能也越来越高。作为对液晶显示装置所要求的性能，可举出高亮度化、高清晰化、薄型轻量化、低功耗化等。
例如，在专利文献1中公开了如下技术：使像素电极与各配线交叠以提高液晶显示装置的开口率，并且通过将高透射率的膜用作层间绝缘膜来有效地利用来自背光源的光。具体地说，在液晶显示装置中，将层间绝缘膜设置在开关元件、栅极配线以及源极配线的上部，将像素电极设置在该层间绝缘膜上，并具有经由贯穿层间绝缘膜的接触孔将像素电极与漏极在栅极配线或附加电容配线上部进行连接的电极。
另外，在专利文献2中公开了如下技术：提供一种有源矩阵基板，其能够容易地将氧化物半导体膜用作TFT(薄膜晶体管)的半导体沟道膜，抑制照相制版(制造)工序的次数，且电特性优异。具体地说，是如下有源矩阵基板，其中，多个像素排列成矩阵状，各个像素具备：栅极电极和共用电极、栅极绝缘膜、氧化物透明膜、源极电极和漏极电极、像素电极，氧化物透明膜具有导体区域和半导体区域，导体区域设置在源极电极和漏极电极的下部、以及与漏极电极的下部连续且延伸到共用电极的一部分的上方而构成像素电极的部分，半导体区域设置在与源极电极和漏极电极之间的区域的下层相对应的部分并构成薄膜晶体管的沟道区域，源极电极和漏极电极电连接到氧化物透明膜的导体区域。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2002-189232(2002年7月5日公开)
专利文献2：特开2016-18036(2016年2月1日公开)
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述专利文献1、2所记载的技术的情况下，在确保高可靠性并且实现高开口率这方面有改善的余地。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明的一个方式的有源矩阵基板是多个像素排列成矩阵状的有源矩阵基板，上述有源矩阵基板具备：多个栅极配线；多个源极配线，其设置为与上述多个栅极配线交叉；开关元件，其具有连接到上述栅极配线的栅极电极和连接到上述源极配线的源极电极；漏极电极延伸部，其连接到上述开关元件的漏极电极，并且由导体化的氧化物半导体形成；以及辅助电容电极，其设置为与上述漏极电极延伸部的至少一部分重叠，并且形成为其至少一部分使光透射过。
为了解决上述问题，本发明的另一个方式的有源矩阵基板的制造方法包含：第1工序，形成辅助电容电极层；第2工序，以覆盖上述辅助电容电极层的方式在该辅助电容电极层上形成栅极绝缘膜层；以及第3工序，以与上述辅助电容电极层的至少一部分重叠的方式在上述栅极绝缘膜层上形成漏极电极延伸部层，上述漏极电极延伸部层由导体化的氧化物半导体形成，上述辅助电容电极层形成为其至少一部分使光透射过。
为了解决上述问题，本发明的又一个方式的液晶显示装置具备上述有源矩阵基板。
发明效果
根据本发明的一个方式，能够提供一种能同时实现高可靠性的确保和高开口率的液晶显示装置。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1的有源矩阵基板的构成的图。
图2是图1的X-X主要部分截面图。
图3是示出本发明的实施方式2的有源矩阵基板的构成的图。
图4是图3的Y-Y主要部分截面图。
图5是示出比较例的基板的构成的图。
附图标记说明
10、10a、20 有源矩阵基板(基板)
1 栅极配线
2 源极配线
3 开关元件
4、4a、24 漏极电极延伸部(漏极电极)
5、5a、25 辅助电容电极(CS电极)
6 辅助电容配线
7 像素电极部
8 接触孔
100 各功能层。
具体实施方式
〔实施方式1〕
下面，参照图1～图2来说明本实施方式1。
在下面的记载中，开口率是指在将有源矩阵基板应用于液晶显示装置的情况下，显示区域内的透光区域相对于显示区域内的透光区域和遮光区域的总面积的比例。
＜有源矩阵基板的构成＞
图1是示出本实施方式1的有源矩阵基板10的构成的图。有源矩阵基板10例如用于作为本实施方式的显示装置的一个例子的液晶显示装置。如图1所示，多个像素在有源矩阵基板10上排列成矩阵状。该有源矩阵基板10具备：多个栅极配线1、多个源极配线2、开关元件3、漏极电极延伸部4以及辅助电容电极5。
具体地说，栅极配线1将扫描信号提供给下述栅极电极而驱动像素。在本实施方式1中，栅极配线1配置在像素下边。
源极配线2设置为与栅极配线1交叉。源极配线2将显示信号(数据信号)提供给下述源极电极。
开关元件3具有：上述栅极电极，其连接到栅极配线1；以及上述源极电极，其连接到源极配线2。可举出开关元件3例如包括薄膜晶体管(TFT)，但本发明不限于此。
漏极电极延伸部4连接到开关元件3的漏极电极，由导体化的氧化物半导体形成。该漏极电极连接到用于形成辅助电容的电极。
辅助电容电极5设置为与漏极电极延伸部4的至少一部分重叠，并以至少一部分使光透射过的方式形成。
另外，有源矩阵基板10还具备辅助电容配线(也称为辅助电容总线、CS总线)6和像素电极部7。另外，如后所述，也可以设为在有源矩阵基板10上形成有接触孔8的构成。
辅助电容电极5连接到配置在像素中央的辅助电容配线6。源极配线2与像素电极部7重叠。
此外，如图1所示，本实施方式的漏极电极延伸部4和辅助电容电极5形成为以源极配线2的延伸方向为长边方向的细长矩形状。另外，如图1所示，漏极电极延伸部4和辅助电容电极5形成为跨越辅助电容配线6。
为了比较，参照图5来说明比较例。另外，为了便于说明，重点说明比较例的与本实施方式1不同的构成。对于与本实施方式1同样的构成，省略附图标记的标注和说明。
图5是示出比较例的基板20的构成的图。如图5所示，基板20具备包括遮光材料的漏极电极24和CS电极25。具体地说，在比较例中，漏极电极24由源极金属形成，CS电极25由栅极金属形成。
在本实施方式1中，与开关元件3的漏极电极连接的漏极电极延伸部4由导体化的氧化物半导体形成，以与漏极电极延伸部4的至少一部分重叠的方式设置的辅助电容电极5的至少一部分构成为使光透射过。因此，本实施方式1能够提供能同时实现高可靠性的确保和高开口率的有源矩阵基板10。
另外，与比较例进行比较，在本实施方式1中，能不受辅助电容制约地以所需的最低限度的宽度的形状来设计由遮光金属形成的辅助电容配线6。因此，能够不损害有源矩阵基板10的性能地提高其设计自由度。
此外，优选辅助电容电极5由透明导电膜(例如ITO(In2O3/SnO2)、IZO(In2O3/ZnO)等)形成。优选漏极电极延伸部4由导体化氧化物半导体(InGaZnO)形成。根据该构成，能更可靠地得到本实施方式1所起到的效果。
接下来，参照图2来进一步说明本实施方式1。另外，为了便于说明，仅重点说明本发明的构成。
图2是图1的X-X主要部分截面图。
＜截面构成的概略＞
如图2所示，有源矩阵基板10按照制造工序的顺序即图2中的从下到上的顺序例如具备：导电膜层100a和100j；电极层100b和电极层100k；覆盖上述各层的第1绝缘膜层100c；导体化的氧化物半导体层100d和氧化物半导体层100l；漏极配线层100e、源极层100m及电极层100n；覆盖上述漏极配线层100e和源极层100m的第2绝缘层100f；覆盖第2绝缘层100f且贯通该第2绝缘层而覆盖半导体层100d的第3绝缘层100g；第4绝缘层100h；以及像素电极层100i。
另外，如图2所示，在有源矩阵基板10的像素电极层100i形成有接触孔8，接触孔8使像素电极层100i贯通第4绝缘层、第3绝缘层以及第2绝缘层而与电极层100n连接。
另外，在本实施方式1中，在图2的右下部的虚线部A1中，包含电极层100b的导电膜层100a与导体化的氧化物半导体层100d隔着一部分第1绝缘膜层100c形成辅助电容部。该导电膜层100a和导体化氧化物半导体层100d分别对应于本发明的辅助电容电极5和漏极电极延伸部4。
如上所述，根据上述构成，在本实施方式1中，与开关元件3的漏极电极连接的漏极电极延伸部4由导体化的氧化物半导体形成，以与漏极电极延伸部4的至少一部分重叠的方式设置的辅助电容电极5的至少一部分使光透射过。因此，本实施方式1能够提供能同时实现高可靠性的确保和高开口率的有源矩阵基板10。
＜有源矩阵基板的制造方法＞
下面，说明有源矩阵基板10的制造方法。例如，由本实施方式的制造装置自动地执行以下的制造步骤。
·第1制造步骤
形成ITO层。如图2所示，所形成的ITO层的一部分成为CS电极100a。
·第2制造步骤
形成栅极电极100k和电极层100b。
·第3制造步骤
以覆盖栅极电极100k以及CS电极100a和电极层100b的方式形成第1绝缘膜层100c，再在其上形成氧化物半导体层100d和100l。
·第4制造步骤
形成源极电极100m、漏极电极100e以及电极层100n。
·第5制造步骤
形成第2绝缘层100f。另外，在形成第2绝缘层100f后进行光蚀刻，在其上形成第3绝缘层100g，并且对在将第2绝缘层100f进行了蚀刻的区域中露出的氧化物半导体层实施导体化处理。
·第6制造步骤
形成第4绝缘层100h。在其形成后进行光蚀刻。
·第7制造步骤
在上述第6步骤中的光蚀刻之后形成ITO层。此时，由于第6步骤中的光蚀刻而会形成接触孔8。
如上所述，在本实施方式1中，有源矩阵基板的制造方法至少包含：第1工序(上述第1、2制造步骤)，形成辅助电容电极层；第2工序(上述第3制造步骤)，以覆盖上述辅助电容电极层的方式在该辅助电容电极层上形成栅极绝缘膜层，并形成氧化物半导体层；以及第3工序(上述第5制造步骤)，以与上述辅助电容电极层的至少一部分重叠的方式在上述栅极绝缘膜层上形成漏极电极延伸部层。
此外，辅助电容电极和配线无需与栅极电极为同一层，也可以是由透明导电膜等导电材料形成。
具体地说，在第1工序中形成上述导电膜层100a，在第2工序中形成第1绝缘膜层100c，在第3工序中形成半导体层100d。该半导体层100d是上述漏极电极延伸部层，导电膜层100a是上述辅助电容电极层。
另外，上述漏极电极延伸部层由导体化的氧化物半导体形成，上述辅助电容电极层形成为其至少一部分使光透射过。
根据上述制造方法，能够制造出能起到本实施方式1的效果的有源矩阵基板10。
〔实施方式2〕
下面，参照图3来说明本实施方式2。为了便于说明，对于与上述实施方式1相同的构成，标注相同的附图标记，省略其说明。
本实施方式2与上述实施方式1的不同点在于，栅极配线的配置位置、电极延伸部和辅助电容电极的形状及配置方法不同。下面，重点说明该不同点。
如图3所示，在本实施方式2的有源矩阵基板10a中，在像素中央部配置栅极配线1，使辅助电容电极5a与配置在上下像素之间的辅助电容配线6连接。
另外，在本实施方式2中，漏极电极延伸部4a连接到开关元件3的漏极电极，由导体化的氧化物半导体形成。辅助电容电极5a设置为与漏极电极延伸部4a的至少一部分重叠，并形成为其至少一部分使光透射过。
此外，如图3所示，本实施方式的漏极电极延伸部4a和辅助电容电极5a形成为大致正方形状。另外，如图3所示，从辅助电容配线6来看，漏极电极延伸部4a与辅助电容电极5a形成在一侧(同一像素内的栅极配线1侧)。
另外，与上述实施方式1同样，优选辅助电容电极5a由透明导电膜(ITO)形成。优选漏极电极延伸部4a由导体化氧化物半导体形成。
图4是图3的Y-Y主要部分截面图。另外，对于与实施方式1同样的层，标注同样的附图标记。
如图4所示，从构成辅助电容配线6的电极层100b来看，构成漏极电极延伸部4a的导体化氧化物半导体层100d和构成辅助电容电极5a的导电膜层100a形成在栅极电极100k侧。
在本实施方式中，图4的右下部的虚线部A2为辅助电容部，其包含：一部分导电膜层100a、电极层100b、一部分绝缘膜层100c、导体化氧化物半导体层100d。
根据上述构成，能够起到与上述实施方式1相同的效果。
〔总结〕
本发明的方式1的有源矩阵基板(10、10a)是多个像素排列成矩阵状的有源矩阵基板，上述有源矩阵基板具备：多个栅极配线(1)；多个源极配线(2)，其设置为与上述多个栅极配线交叉；开关元件(3)，其具有连接到上述栅极配线的栅极电极和连接到上述源极配线的源极电极；漏极电极延伸部(4、4a)，其连接到上述开关元件的漏极电极，并且由导体化的氧化物半导体形成；以及辅助电容电极(5、5a)，其设置为与上述漏极电极延伸部的至少一部分重叠，并且形成为其至少一部分使光透射过。
根据上述构成，能够提供能同时实现高可靠性的确保和高开口率的有源矩阵基板(10、10a)。
本发明的方式2的有源矩阵基板(10、10a)可以是，在上述方式1中，辅助电容电极(5、5a)包括ITO。
根据上述构成，能更可靠地得到本发明所起到的效果。
本发明的方式3的有源矩阵基板(10、10a)可以是，在上述方式1或2中，漏极电极延伸部(4、4a)包括导体化氧化物半导体。
根据上述构成，能更可靠地得到本发明所起到的效果。
本发明的方式4的有源矩阵基板(10、10a)可以是，在上述方式1至3中的任一个方式中，辅助电容电极(5a)在某个像素内形成为从连接有上述辅助电容电极的辅助电容配线(6)来看仅向栅极配线(1)延伸。
本发明的方式5的有源矩阵基板(10、10a)的制造方法包含：第1工序，形成辅助电容电极层(100a)；第2工序，以覆盖上述辅助电容电极层的方式在该辅助电容电极层上形成栅极绝缘膜层(100c)；以及第3工序，以与上述辅助电容电极层的至少一部分重叠的方式在上述栅极绝缘膜层上形成漏极电极延伸部层(100d)，上述漏极电极延伸部层(100d)由导体化的氧化物半导体形成，上述辅助电容电极层(100a)形成为其至少一部分使光透射过。
根据上述构成，能够制造出能起到本发明的效果的有源矩阵基板(10、10a)。
本发明的方式6的液晶显示装置具备有源矩阵基板(10、10a)。
本发明不限于上述的各实施方式，能在权利要求所示的范围内进行各种变更，将不同的实施方式分别公开的技术手段适当地组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。而且，通过将分别在各实施方式中公开的技术手段组合起来，能够形成新的技术特征。

Claims (5)

1.一种有源矩阵基板，其中多个像素排列成矩阵状，
上述有源矩阵基板的特征在于，具备：
多个栅极配线；
多个源极配线，其设置为与上述多个栅极配线交叉；
开关元件，其具有连接到上述栅极配线的栅极电极和连接到上述源极配线的源极电极；
漏极电极延伸部，其连接到上述开关元件的漏极电极，并且由导体化的氧化物半导体形成；以及
辅助电容电极，其设置为与上述漏极电极延伸部的至少一部分重叠，并且形成为其至少一部分使光透射过。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述辅助电容电极包括透明导电膜。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，
上述辅助电容电极在各像素内形成为从连接有上述辅助电容电极的辅助电容配线来看仅向栅极配线侧延伸。
4.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包含：
第1工序，形成辅助电容电极层；
第2工序，以覆盖上述辅助电容电极层的方式在该辅助电容电极层上形成栅极绝缘膜层；以及
第3工序，以与上述辅助电容电极层的至少一部分重叠的方式在上述栅极绝缘膜层上形成漏极电极延伸部层，
上述漏极电极延伸部层由导体化的氧化物半导体形成，
上述辅助电容电极层形成为其至少一部分使光透射过。
5.一种液晶显示装置，其特征在于，
具备权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵基板。
CN201811564027.8A 2017-12-27 2018-12-20 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法及液晶显示装置 Pending CN110018599A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-252204 2017-12-27
JP2017252204A JP2019117342A (ja) 2017-12-27 2017-12-27 アクティブマトリックス基板、アクティブマトリックス基板の製造方法および液晶表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110018599A true CN110018599A (zh) 2019-07-16

Family

ID=66950259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811564027.8A Pending CN110018599A (zh) 2017-12-27 2018-12-20 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法及液晶显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10620501B2 (zh)
JP (1) JP2019117342A (zh)
CN (1) CN110018599A (zh)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200403620A (en) * 2002-05-24 2004-03-01 Sony Corp Display device and method of manufacturing the same
US20050035350A1 (en) * 2000-06-29 2005-02-17 Acer Display Technology, Inc. Thin film transistor liquid crystal display and manufacturing method thereof
US20070013820A1 (en) * 2003-03-20 2007-01-18 Hun Jeoung Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device with polycrystalline silicon pixel electrode and method of manufacturing the same
WO2009130922A1 (ja) * 2008-04-23 2009-10-29 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機
CN101868756A (zh) * 2008-02-21 2010-10-20 夏普株式会社 有源矩阵基板和液晶显示装置
CN102290421A (zh) * 2010-06-17 2011-12-21 三星移动显示器株式会社 平板显示装置和制造该平板显示装置的方法
KR20130034548A (ko) * 2011-09-28 2013-04-05 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법
CN103946741A (zh) * 2011-11-18 2014-07-23 夏普株式会社 有源矩阵基板、液晶显示装置以及有源矩阵基板的制造方法
CN105005166A (zh) * 2014-04-22 2015-10-28 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块及电子设备
CN106098706A (zh) * 2016-07-22 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
US9543329B2 (en) * 2014-07-07 2017-01-10 Mitsubishi Electric Corporation Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same
US20170345882A1 (en) * 2016-05-30 2017-11-30 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970011972A (ko) * 1995-08-11 1997-03-29 쯔지 하루오 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3541026B2 (ja) 1995-08-11 2004-07-07 シャープ株式会社 液晶表示装置、およびアクティブマトリクス基板
US7852446B2 (en) * 2006-09-18 2010-12-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and method of driving the same
US8259248B2 (en) * 2006-12-15 2012-09-04 Seiko Epson Corporation Electrooptic device and electronic device
CN105572999B (zh) * 2016-03-18 2018-04-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050035350A1 (en) * 2000-06-29 2005-02-17 Acer Display Technology, Inc. Thin film transistor liquid crystal display and manufacturing method thereof
TW200403620A (en) * 2002-05-24 2004-03-01 Sony Corp Display device and method of manufacturing the same
US20070013820A1 (en) * 2003-03-20 2007-01-18 Hun Jeoung Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device with polycrystalline silicon pixel electrode and method of manufacturing the same
CN101868756A (zh) * 2008-02-21 2010-10-20 夏普株式会社 有源矩阵基板和液晶显示装置
WO2009130922A1 (ja) * 2008-04-23 2009-10-29 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機
CN102290421A (zh) * 2010-06-17 2011-12-21 三星移动显示器株式会社 平板显示装置和制造该平板显示装置的方法
KR20130034548A (ko) * 2011-09-28 2013-04-05 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법
CN103946741A (zh) * 2011-11-18 2014-07-23 夏普株式会社 有源矩阵基板、液晶显示装置以及有源矩阵基板的制造方法
CN105005166A (zh) * 2014-04-22 2015-10-28 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块及电子设备
US9543329B2 (en) * 2014-07-07 2017-01-10 Mitsubishi Electric Corporation Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same
US20170345882A1 (en) * 2016-05-30 2017-11-30 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
CN106098706A (zh) * 2016-07-22 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190196286A1 (en) 2019-06-27
JP2019117342A (ja) 2019-07-18
US10620501B2 (en) 2020-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108376672B (zh) 阵列基板及其制备方法，以及显示装置
CN106201114B (zh) 触控结构、阵列基板和显示装置
WO2021027109A1 (zh) 显示面板及显示装置
CN101819986B (zh) 电光学装置以及电子机器
CN101009308A (zh) 发光装置及电子机器
CN105261655B (zh) 薄膜晶体管
CN110010649A (zh) 显示装置
WO2020189047A1 (ja) 表示装置
CN113767475B (zh) 柔性显示面板、显示装置及制备方法
CN114864650A (zh) 有机发光二极管显示装置
CN110462565A (zh) 内置触摸传感器的显示装置
CN108206196A (zh) 一种有机电致发光显示装置
EP3783651A1 (en) Display apparatus
CN106502474A (zh) 一种阵列基板及显示面板
CN102110693A (zh) 薄膜晶体管阵列面板
CN111653591A (zh) 显示基板及显示装置
CN109313371A (zh) 显示装置及其制造方法
CN111708237B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN111477176B (zh) 一种显示面板及其制作方法以及电子装置
CN109427820A (zh) 一种基板及其制备方法、显示面板
JP2017198992A (ja) バックプレーン基板及びそれを用いた有機発光表示装置
CN114667504A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN106571374B (zh) 像素结构及显示面板
CN215266306U (zh) 显示面板及显示装置
CN111403460A (zh) Oled显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20190716

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication