CN110010649A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置。公开了一种能够以低功耗驱动的显示装置。包括多晶半导体层的第一薄膜晶体管和包括氧化物半导体层的第二薄膜晶体管被设置在显示区域中，从而减少功耗。形成在弯曲区域中的至少一个开口被形成为具有与形成在显示区域中的接触孔中的任意一个接触孔的深度相同的深度，从而能够通过同一工序形成开口和接触孔，因此简化了装置的制造工序。第二薄膜晶体管的第二源极和第二薄膜晶体管的第二栅极按照上层间绝缘膜插置于它们之间的方式彼此交叠，以形成第一存储电容器。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，更具体地说，涉及一种能够以低功耗驱动的显示装置。
背景技术
在屏幕上显示各种信息的图像显示装置是信息和通信时代的核心技术，并且目前正以实现更薄更轻的设计、更好的便携性和更高的性能为目标进行开发。因此，克服了阴极射线管(CRT)的笨重的缺点的平板显示装置成为关注的焦点。
平板显示装置的示例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、有机发光显示(OLED)装置和电泳显示(ED)装置。
近年来，应用了上述平板显示装置的个人电子装置已朝向变得更便携和/或可穿戴的方向积极地发展。这些便携式或可穿戴装置需要能够以低功耗驱动的显示装置。然而，使用当前技术难以制造能够以低功耗驱动的显示装置。
发明内容
因此，本发明涉及一种显示装置，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
本发明的目的是提供一种能够以低功耗驱动的显示装置。
本发明的附加优点、目的和特征一部分将在以下描述中进行阐述，而一部分对于本领域普通技术人员在研究下文后将变得清晰，或者可以通过实施本发明而获知。本发明的目的和其它优点可以通过书面说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点，根据本发明的目的，如本文所体现和广泛描述的，提供了一种显示装置，其中，包括多晶半导体层的第一薄膜晶体管和包括氧化物半导体层的第二薄膜晶体管设置在显示区域中，从而减少功耗，其中，形成在弯曲区域中的至少一个开口被形成为其深度与形成在显示区域中的接触孔中的任意一个接触孔的深度相同，从而可以通过同一工序形成开口和接触孔，因此简化了装置的制造工序，并且其中，第二薄膜晶体管的第二源极和第二薄膜晶体管的第二栅极按照上层间绝缘膜插置于它们之间的方式彼此交叠，以形成第一存储电容器。
应当理解，本发明的以上概括描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的发明的进一步说明。
附记1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，所述基板包括显示区域；
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管被设置在所述显示区域中，所述第一薄膜晶体管包括半导体层、第一栅极、第一源极和第一漏极；以及
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管被设置在所述显示区域中，所述第二薄膜晶体管包括半导体层、第二栅极、第二源极和第二漏极，
其中，所述第二薄膜晶体管的所述第二源极与所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极按照上层间绝缘膜插置于它们之间的方式交叠，以形成第一存储电容器。
附记2.根据附记1所述的显示装置，该显示装置还包括：
遮光层，所述遮光层与所述第二薄膜晶体管的所述半导体层交叠。
附记3.根据附记2所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极被设置在与所述遮光层相同的层中并且由与所述遮光层相同的材料形成。
附记4.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，该显示装置还包括：
下层间绝缘膜和上缓冲层，所述下层间绝缘膜和所述上缓冲层被设置在所述第一薄膜晶体管的所述半导体层与所述第二薄膜晶体管的所述半导体层之间。
附记5.根据附记4所述的显示装置，其中，
所述上缓冲层和所述下层间绝缘膜被设置在所述遮光层与所述第二薄膜晶体管的所述半导体层之间。
附记6.根据附记4或5所述的显示装置，其中，所述上缓冲层由硅氧化物SiOx形成，所述下层间绝缘膜由硅氮化物SiNx形成。
附记7.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管的所述半导体层是多晶半导体层，并且其中，所述第二薄膜晶体管的所述半导体层是氧化物半导体层。
附记8.根据附记7所述的显示装置，其中，所述上层间绝缘膜被设置在所述第二源极和所述第二漏极中的每一个与所述氧化物半导体层之间，并且
其中，所述显示装置还包括：
下栅极绝缘膜，所述下栅极绝缘膜被设置为与所述下层间绝缘膜和所述上缓冲层依次堆叠在所述多晶半导体层与所述氧化物半导体层之间；以及
保护膜，所述保护膜被设置为覆盖所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极。
附记9.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，其中，所述遮光层与所述第二栅极按照所述下层间绝缘膜和所述上缓冲层插置于它们之间的方式交叠，以形成第二存储电容器，
其中，所述第一存储电容器和所述第二存储电容器并联连接。
附记10.根据附记8或9所述的显示装置，该显示装置还包括：
存储电极，所述存储电极与所述第二源极按照所述保护膜插置于它们之间的方式交叠，以形成第三存储电容器，
其中，所述第一存储电容器和所述第三存储电容器并联连接。
附记11.根据附记10所述的显示装置，其中，
所述第三存储电容器与所述第一存储电容器和所述第二存储电容器并联连接。
附记12.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，其中，所述基板还包括弯曲区域。
附记13.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，该显示装置还包括设置在所述显示区域中的多个接触孔。
附记14.根据附记13所述的显示装置，该显示装置还包括设置在所述弯曲区域中的至少一个开口，所述开口的深度等于所述多个接触孔中的至少一个接触孔的深度。
附记15.根据附记14所述的显示装置，其中，所述接触孔包括：
第一源极接触孔和第一漏极接触孔，所述第一源极接触孔和所述第一漏极接触孔穿过所述下栅极绝缘膜、所述下层间绝缘膜、所述上缓冲层和所述上层间绝缘膜形成，以使所述多晶半导体层暴露；以及
第二源极接触孔和第二漏极接触孔，所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔穿过所述上层间绝缘膜形成，以使所述氧化物半导体层暴露，并且
其中，所述至少一个开口包括：
第一开口，所述第一开口的深度等于所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔中的每一个的深度；以及
第二开口，所述第二开口的深度大于或等于所述第一源极接触孔和所述第一漏极接触中的每一个的深度。
附记16.根据附记15所述的显示装置，该显示装置还包括：
多缓冲层，所述多缓冲层被设置在所述基板上；以及
下缓冲层，所述下缓冲层被设置在所述多缓冲层上，
其中，所述第一开口在所述弯曲区域中穿过所述上层间绝缘膜形成，
其中，所述第二开口在所述弯曲区域中穿过所述多缓冲层、所述下缓冲层、所述下栅极绝缘膜、所述下层间绝缘膜和所述上缓冲层形成，
使得在所述弯曲区域中，所述基板通过所述至少一个开口暴露。
附记17.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一源极和所述第一漏极以及所述第二薄膜晶体管的所述第二源极和所述第二漏极被设置在同一平面中并且由相同的材料形成。
附记18.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一源极和所述第一漏极以及所述第二薄膜晶体管的所述第二源极和所述第二漏极被设置在所述上层间绝缘膜上。
附记19.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，该显示装置还包括：
高电位供给线，所述高电位供给线与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的任意一个连接；以及
低电位供给线，所述低电位供给线与所述高电位供给线按照保护膜插置于它们之间的方式交叠。
附记20.根据附记19所述的显示装置，该显示装置还包括：
有机发光元件，所述有机发光元件包括与所述第二薄膜晶体管连接的阳极以及与所述低电位供给线连接的阴极，
其中，所述低电位供给线和所述高电位供给线中的至少一个被形成为网格形状。
附记21.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，该显示装置还包括：
第一平整层，所述第一平整层被设置在所述上层间绝缘膜上；
像素连接电极，所述像素连接电极被设置在所述第一平整层上，所述像素连接电极与所述第二源极接触；以及
第二平整层，所述第二平整层被设置为覆盖所述像素连接电极。
附记22.根据附记21所述的显示装置，
其中，所述存储电极被设置在所述保护膜的被穿过所述第一平整层形成的存储孔暴露的一部分上，并且
其中，所述存储电极由与所述像素连接电极相同的材料形成。
附记23.根据附记21或22所述的显示装置，其中，所述低电位供给线包括彼此交叉的第一低电位供给线和第二低电位供给线，并且
其中，所述高电位供给线包括与所述第一低电位供给线平行设置的第一高电位供给线以及与所述第二低电位供给线交叠的第二高电位供给线，所述第一平整层和所述保护膜插置在所述第二低电位供给线与所述第二高电位供给线之间。
附记24.根据附记23所述的显示装置，其中，所述第二低电位供给线被设置在与所述像素连接电极相同的平面中并且由与所述像素连接电极相同的材料形成，并且
其中，所述第二高电位供给线被设置在与所述第二源极和所述第二漏极相同的平面中并且由与所述第二源极和所述第二漏极相同的材料形成。
附记25.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，该显示装置还包括：
信号链路，所述信号链路与设置在所述显示区域中的信号线连接，所述信号链路被设置在由所述开口暴露的所述弯曲区域中。
附记26.根据附记25所述的显示装置，其中，所述信号链路与所述基板接触并且由与所述第一源极和所述第二源极相同的材料形成，
其中，所述第一平整层和所述第二平整层被设置为覆盖所述信号链路。
附记27.根据附记25所述的显示装置，其中，所述信号链路被设置在由所述开口暴露的所述弯曲区域中的所述第一平整层上，所述信号链路由与所述像素连接电极相同的材料形成，
其中，所述第二平整层被设置为覆盖所述信号链路。
附记28.根据前述附记中的任一项所述的显示装置，该显示装置还包括像素驱动电路，所述像素驱动电路用于驱动所述有机发光元件，所述像素驱动电路包括：
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管被配置为驱动晶体管；以及
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管被配置为开关晶体管，所述开关晶体管与所述驱动晶体管连接。
附记29.根据附记28所述的显示装置，其中，所述像素驱动电路还包括：
第二开关晶体管，所述第二开关晶体管与所述开关晶体管连接；以及
第三开关晶体管，所述第三开关晶体管与所述驱动晶体管连接。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图例示了本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明的显示装置的平面图；
图2是沿着图1示出的显示装置中的线I-I'截取的截面图；
图3A和图3B是示出设置在图1所示的显示区域中的子像素的平面图；
图4A和图4B是示出设置在图1所示的弯曲区域中的信号链路的实施方式的平面图；
图5A和图5B是用于说明图1所示的显示装置的各子像素的电路图；
图6是示出图5B所示的子像素的平面图；
图7是沿着图6所示的有机发光显示装置中的线II-II'、III-III'、IV-IV'、V-V'和VI-VI'截取的截面图；
图8A至图8C是示出图7所示的存储电容器的其它实施方式的截面图；
图9A和图9B是示出图7所示的弯曲区域的其它实施方式的截面图；以及
图10A至图10M是用于说明图7所示的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
具体实施方式
现在，将详细参照本公开的实施方式，可在附图中例示这些实施方式的示例。在以下描述中，当对于与本文档相关的公知的功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊本发明构思的要旨时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的序列是示例；然而，步骤和/或操作的序列不限于本文所阐述的那些，并且除了必须以特定次序发生的步骤和/或操作以外，可以如本领域公知的那样进行改变。相似的参考标号通篇指代相似的元件。以下说明中使用的相应元件的名称仅被选择以便于撰写本说明书，因此可以与实际产品中使用的名称不同。
将理解的是，虽然在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，在不脱离本公开的范围的情况下，可将第一元件称为第二元件，类似地，可将第二元件称为第一元件。
术语“至少一个”应当被理解为包括相关联地列举的项目中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义表示从第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个提出的所有项目的组合以及第一项目、第二项目或第三项目。
在对实施方式的描述中，当结构被描述为位于另一结构“上或上方”或者“下或下方”时，此描述应当被解释为包括这些结构彼此接触的情形以及在它们之间设置有第三结构的情形。图中所示的每个元件的大小和厚度仅为了便于描述而给出，并且本公开的实施方式不限于此。
如本领域技术人员可充分理解的，本发明的各种实施方式的特征可部分或全部地彼此连接或组合，并且可彼此进行各种不同的相互操作并在技术上进行驱动。本发明的实施方式可彼此独立地执行，或者可按照相互依赖关系一起执行。
下面将详细说明本发明的优选实施方式，在附图中例示了本发明的优选实施方式的示例。
图1是根据本发明的显示装置的平面图，并且图2是根据本发明的显示装置的截面图。
图1和图2中所示的显示装置包括显示面板200、选通驱动单元202和数据驱动单元204。
显示面板200被划分为设置在基板101上的显示区域AA和设置在显示区域AA周围的非显示区域NA。基板101由具有柔性的塑料材料形成，以便可弯曲。例如，基板由诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚砜(PSF)、环烯烃共聚物(COC)等的材料形成。
显示区域AA通过以矩阵形式排列的单位像素显示图像。各单位像素包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，或者包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素和白色(W)子像素。例如，如图3A所示，红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素可以沿着相同的假想水平线排列成行。另选地，如图3B所示，红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素可以彼此间隔开，以便以假想三角形的形式排列。
各子像素包括包含氧化物半导体层的薄膜晶体管或包含多晶半导体层的薄膜晶体管中的至少一个。包含氧化物半导体层的薄膜晶体管和包含多晶半导体层的薄膜晶体管具有比包含非晶半导体层的薄膜晶体管的电子迁移率更高的电子迁移率，因此能够提供高分辨率并且能够以低功率来驱动。
数据驱动单元204或选通驱动单元202中的至少一个可以设置在非显示区域NA中。
选通驱动单元202驱动显示面板200的扫描线。选通驱动单元202使用包含氧化物半导体层的薄膜晶体管或包含多晶半导体层的薄膜晶体管中的至少一种来实现。此时，选通驱动单元202的薄膜晶体管与设置在显示区域AA中的各子像素中的至少一个薄膜晶体管在同一工序中同时形成。
数据驱动单元204驱动显示面板200的数据线。数据驱动单元204通过以芯片形式安装在基板101上或通过以芯片形式安装在信号传输膜206上来附接到非显示区域NA。如图4A和图4B所示，多个信号焊盘PAD设置在非显示区域NA中，用于与信号传输膜206电连接。从数据驱动单元204、选通驱动单元202、电源(未示出)和定时控制器(未示出)产生的驱动信号通过信号焊盘PAD被提供给设置在显示区域AA中的信号线。
非显示区域NA包括用于弯曲或折叠显示面板200的弯曲区域BA。弯曲区域BA是这样的区域：该区域被弯曲以使得诸如信号焊盘PAD、选通驱动单元202和数据驱动单元204之类的不起显示作用的组件位于显示区域AA的底表面处。如图1所示，弯曲区域BA位于非显示区域NA的上部，其与显示区域AA和数据驱动单元204之间的区域对应。另选地，弯曲区域BA可以位于非显示区域NA上部、下部、左部或右部中的至少一个中。因此，在显示装置的整个屏幕中，显示区域AA占据的区域被最大化，而非显示区域NA占据的区域被最小化。
信号链路LK设置在弯曲区域BA中，以便将各信号焊盘PAD与设置在显示区域AA中的信号线中的对应一条信号线连接。在信号链路LK被形成为沿弯曲方向BD延伸的直线形状的情况下，信号链路LK可经受最大的弯曲应力，因此可在信号链路LK中形成裂纹或短路。为了防止这个问题，本发明的信号链路LK被形成为使得信号链路LK在与弯曲方向BD垂直的方向上的宽度增加，以便使施加到其上的弯曲应力最小化。为此，如图4A所示，信号链路LK被形成为Z字形或正弦波形。另选地，如图4B所示，信号链路LK被形成为使得各自具有中空的中心部的多个菱形在彼此连接的同时布置成一排。
另外，如图2所示，在弯曲区域BA内具有用于促进弯曲区域BA弯曲的至少一个开口212。通过从弯曲区域BA去除导致显示区域AA中的裂纹的多个无机绝缘层210来形成开口212。当基板101弯曲时，弯曲应力连续地施加到设置在弯曲区域BA中的无机绝缘层210。无机绝缘层210相比有机绝缘材料具有较低的弹性，因此易于断裂。无机绝缘层210中形成的裂纹经无机绝缘层210扩散到显示区域AA，从而导致线缺陷和部件故障。为了防止该问题，在弯曲区域BA中设置至少一个平整层208，该平整层208由其弹性比无机绝缘层210的弹性更大的有机绝缘材料形成。平整层208用于减缓在基板101弯曲时发生的弯曲应力，从而防止出现裂纹。形成在弯曲区域BA中的开口212通过与形成在显示区域AA中的多个接触孔中的至少一个接触孔相同的掩模工序来形成，从而简化显示装置的结构和制造工序。
结构和制造工序能够得到简化的显示装置适用于需要薄膜晶体管的显示装置，诸如液晶显示装置、有机发光显示装置等。在下文中，将描述本发明的实施方式。作为示例，在假定结构和制造工序能够得到简化的上述显示装置是有机发光显示装置的情况下给出以下描述。
如图5A和图5B所示，在有机发光显示装置中，各子像素SP包括像素驱动电路和与像素驱动电路连接的发光元件130。
如图5A所示，像素驱动电路具有包括两个薄膜晶体管ST和DT以及一个存储电容器Cst的2T1C结构。另选地，如图5B和图6所示，像素驱动电路具有包括四个薄膜晶体管ST1、ST2、ST3和DT以及一个存储电容器Cst的4T1C结构。然而，像素驱动电路的结构不限于图5A和图5B中所示的上述结构，而是像素驱动电路可以具有各种其它结构。
在图5A所示的像素驱动电路中，存储电容器Cst连接栅极节点Ng和源极节点Ns，以在发光操作期间保持栅极节点Ng和源极节点Ns之间的基本恒定的电压。提供了一种驱动晶体管DT，其包括连接到栅极节点Ng的栅极、连接到漏极节点Nd的漏极以及连接到发光元件130的源极。驱动晶体管DT响应于栅极节点Ng和源极节点Ns之间的电压而控制驱动电流的幅值。还提供了一种开关晶体管ST，其包括连接到扫描线SL的栅极、连接到数据线DL的漏极以及连接到栅极节点Ng的源极。开关晶体管ST响应于来自扫描线SL的扫描控制信号SC而导通，并且将来自数据线DL的数据电压Vdata提供到栅极节点Ng。发光元件130将与驱动晶体管DT的源极连接的源极节点Ns连接到低电位供给线162，以响应于驱动电流而发光。
除了与数据线DL连接的第一开关晶体管ST1的源极连接到源极节点Ns并且进一步提供第二开关晶体管ST2和第三开关晶体管ST3之外，图5B所示的像素驱动电路具有与图5A所示的像素驱动电路基本相同的结构。将省略对相同组件的重复说明。
图5B和图6中所示的第一开关晶体管ST1包括：栅极152，其连接到第一扫描线SL1；漏极158，其连接到数据线DL；源极156，其连接到源极节点Ns；以及半导体层154，其在源极156和漏极158之间形成沟道。第一开关晶体管ST1响应于来自第一扫描线SL1的扫描控制信号SC1而导通，并将来自数据线DL的数据电压Vdata提供给源极节点Ns。
第二开关晶体管ST2包括：栅极GE，其连接到第二扫描线SL2；漏极DE，其连接到基准线RL；源极SE，其连接到栅极节点Ng；以及半导体层ACT，其在源极SE和漏极DE之间形成沟道。第二开关晶体管ST2响应于来自第二扫描线SL2的扫描控制信号SC2而导通，并且将来自基准线RL的基准电压Vref提供给栅极节点Ng。
第三开关晶体管ST3包括：栅极GE，其连接到发光控制线EL；漏极DE，其连接到高电位供给线172；源极SE，其连接到漏极节点Nd；以及半导体层ACT，其在源极SE和漏极DE之间形成沟道。第三开关晶体管ST3响应于来自发光控制线EL的发光控制信号EN而导通，并且将来自高电位供给线172的高电位电压VDD提供给漏极节点Nd。
包括在像素驱动电路中的高电位供给线172和低电位供给线162各自被形成为网格形状，使得至少两个子像素共享高电位供给线172和低电位供给线162。为此，高电位供给线172包括彼此交叉的第一高电位供给线172a和第二高电位供给线172b，并且低电位供给线162包括彼此交叉的第一低电位供给线162a和第二低电位供给线162b。
第二高电位供给线172b和第二低电位供给线162b与数据线DL平行布置。针对至少两个子像素提供一条第二高电位供给线172b。针对至少两个子像素提供一条第二低电位供给线162b。如图5A和图5B所示，第二高电位供给线172b和第二低电位供给线162b沿横向方向彼此平行布置。另选地，如图6所示，第二高电位供给线172b和第二低电位供给线162b沿垂直方向彼此平行布置，以便彼此交叠。
第一高电位供给线172a电连接到第二高电位供给线172b，并且与扫描线SL平行布置。第一高电位供给线172a从第二高电位供给线172b分支。第一高电位供给线172a补偿第二高电位供给线172b的电阻，从而使高电位供给线172的电压降(IR降)最小化。
第一低电位供给线162a电连接到第二低电位供给线162b，并且与扫描线SL平行布置。第一低电位供给线162a从第二低电位供给线162b分支。第一低电位供给线162a补偿第二低电位供给线162b的电阻，从而使低电位供给线162的电压降(IR降)最小化。
这样，高电位供给线172和低电位供给线162各自被形成为网格形状。因此，可以减少沿垂直方向布置的第二高电位供给线172b和第二低电位供给线162b的数目，并且由于第二高电位供给线172b和第二低电位供给线162b的数目减少，致使可以设置更多数目的子像素，从而提高装置的孔径比和分辨率。
像素驱动电路中所包括的晶体管中的一个晶体管包括多晶半导体层，而其余晶体管包括氧化物半导体层。如图7所示，图5A中示出的像素驱动电路的开关晶体管ST由包括多晶半导体层154的第一薄膜晶体管150实现，而驱动晶体管DT由包括氧化物半导体层104的第二薄膜晶体管100实现。图5B和图6中示出的像素驱动电路的第一开关晶体管ST1和第三开关晶体管ST3中的每一个由包括多晶半导体层154的第一薄膜晶体管150实现，而第二开关晶体管ST2和驱动晶体管DT中的每一个由包括氧化物半导体层104的第二薄膜晶体管100实现。这样，根据本发明，包括氧化物半导体层104的第二薄膜晶体管100被应用于各子像素的驱动晶体管DT，而包括多晶半导体层154的第一薄膜晶体管150被应用于各子像素的开关晶体管ST，从而降低了功耗。
图6和图7中所示的第一薄膜晶体管150包括多晶半导体层154、第一栅极152、第一源极156和第一漏极158。
多晶半导体层154形成在下缓冲层112上。多晶半导体层154包括沟道区、源区和漏区。沟道区按照下栅极绝缘膜114插置于其间的方式与第一栅极152交叠，并且形成在第一源极156和第一漏极158之间。源区通过第一源极接触孔160S电连接到第一源极156。漏区通过第一漏极接触孔160D电连接到第一漏极158。多晶半导体层154具有比非晶半导体层和氧化物半导体层104更高的迁移率，从而表现出低功率/功耗以及提高的可靠性。因此，多晶半导体层154适用于各子像素的开关晶体管ST和用于驱动扫描线SL的选通驱动单元202。多缓冲层140和下缓冲层112设置在多晶半导体层154和基板101之间。多缓冲层140阻止渗入基板101的湿气和/或氧的扩散。多缓冲层140按照使硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)彼此交替堆叠至少一次的方式形成。下缓冲层112通过阻断来自基板101的各种缺陷的扩散来起到保护多晶半导体层154的作用。下缓冲层112可以由a-Si、硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等形成。
第一栅极152形成在下栅极绝缘膜114上。第一栅极152与多晶半导体层154的沟道区交叠，下栅极绝缘膜114插置于它们之间。第一栅极152可以是由与下存储电极相同的材料形成的单层或多层，例如，选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组或者它们的合金中的任何一种。然而，本发明不限于此。
位于第一栅极152上的第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118被配置为具有比上层间绝缘膜124高的氢粒子含量的无机膜。例如，第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118通过使用氨(NH3)气的沉积工序由硅氮化物(SiNx)形成，而上层间绝缘膜124由硅氧化物(SiOx)形成。第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118中所包含的氢粒子在氢化工序中扩散到多晶半导体层154中，从而使多晶半导体层154中的孔隙被氢填充。因此，多晶半导体层154变得稳定，从而防止第一薄膜晶体管150的特性劣化。
第一源极156通过穿透下栅极绝缘膜114、第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118、上缓冲层122和上层间绝缘膜124的第一源极接触孔160S连接到多晶半导体层154的源区。第一漏极158面向第一源极156，并且通过穿透下栅极绝缘膜114、第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118、上缓冲层122和上层间绝缘膜124的第一漏极接触孔160D连接到多晶半导体层154的漏区。由于第一源极156和第一漏极158位于同一平面内并且由与存储供给线相同的材料形成，因此第一源极156、第一漏极158和存储供给线可以通过相同的掩模工序同时形成。
在第一薄膜晶体管150的多晶半导体层154的激活工序和氢化工序之后，形成第二薄膜晶体管100的氧化物半导体层104。也就是说，氧化物半导体层104设置在多晶半导体层154上。因此，氧化物半导体层104不暴露于多晶半导体层154的激活工序和氢化工序的高温氛围，从而防止对氧化物半导体层104造成损坏，因此提高了可靠性。
第二薄膜晶体管100设置在基板101上，以便与第一薄膜晶体管150间隔开。第二薄膜晶体管100包括第二栅极102、氧化物半导体层104、第二源极106和第二漏极108。
第二栅极102与氧化物半导体层104交叠，上栅极绝缘图案146插置于它们之间。第二栅极102使用与第一高电位供给线172a相同的材料形成在与第一高电位供给线172a相同的平面中，即，形成在上栅极绝缘图案146上。因此，第二栅极102和第一高电位供给线172a可以通过同一掩模工序形成，因此可以减少掩模工序的数目。
氧化物半导体层104形成在上缓冲层122上以便与第二栅极102交叠，从而在第二源极106和第二漏极108之间形成沟道。氧化物半导体层104由包含选自由Zn、Cd、Ga、In、Sn、Hf和Zr组成的组中的至少一种金属的氧化物形成。由于包括该氧化物半导体层104的第二薄膜晶体管100具有比包括多晶半导体层154的第一薄膜晶体管150高的电子迁移率和低的截止电流，因此第二薄膜晶体管100适于应用于导通时间段短但截止时间段长的开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT。
与氧化物半导体层104的上侧和下侧相邻设置的上层间绝缘膜124和上缓冲层122被配置为具有比下层间绝缘膜116和118低的氢粒子含量的无机膜。例如，上层间绝缘膜124和上缓冲层122由硅氧化物(SiOx)形成，而下层间绝缘膜116和118由硅氮化物(SiNx)形成。因此，能够防止下层间绝缘膜116和118中所包含的氢和多晶半导体层154中所包含的氢在对氧化物半导体层104执行的热处理工序期间扩散到氧化物半导体层104。
第二源极106和第二漏极108中的每一个可以是形成在上层间绝缘膜124上的单层或多层，并且可以由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组或者它们的合金中的任何一种形成。然而，本发明不限于此。
第二源极106通过穿透上层间绝缘膜124的第二源极接触孔110S连接到氧化物半导体层104的源区。第二漏极108通过穿透上层间绝缘膜124的第二漏极接触孔110D连接到氧化物半导体层104的漏区。第二源极106和第二漏极108被形成为以氧化物半导体层104的沟道区插置于其间的方式彼此面对。
如图7所示，存储电容器Cst以使驱动晶体管的栅极102和驱动晶体管的源极106彼此交叠，上层间绝缘膜124插置于它们之间的方式来形成。
另选地，如图8A至图8C中所示，存储电容器Cst可以包括并联连接的两个或更多个存储电容器。
图8A中所示的存储电容器Cst包括并联连接的第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2。
第一存储电容器Cst1以使得驱动晶体管的栅极102和驱动晶体管的源极106彼此交叠，上层间绝缘膜124插置于它们之间的方式形成。
第二存储电容器Cst2以使得遮光层178和驱动晶体管的栅极102彼此交叠，第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118以及上缓冲层122插置于它们之间的方式形成。此时，遮光层178电连接到驱动晶体管的源极106。
因此，第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2并联连接，使得第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2各自的一端连接到驱动晶体管的栅极102，并且其相对端连接到驱动晶体管的源极106。结果，图8A中所示的存储电容器的总电容可变得大于图7所示的存储电容器的总电容。
图8B中所示的存储电容器包括并联连接的第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2。
按照使得第二栅极102和第二源极106彼此交叠，上层间绝缘膜124插置于它们之间的方式形成第一存储电容器Cst1。
按照使得存储电极170和第二源极106彼此交叠，保护膜166插置于它们之间的方式形成第二存储电容器Cst2。此时，存储电极170电连接到第二栅极102。
存储电极170设置在保护膜166的通过存储孔168暴露的部分上，因此存储电极170与第二源极106以仅保护膜166插置于它们之间的方式交叠。存储电极170由与像素连接电极142相同的材料形成。图8B所示的其中存储电极170和第二源极106以单层保护膜166介于其间的方式彼此交叠的第二存储电容器Cst2具有比图8A所示的其中第二栅极102和遮光层178以两层或更多层的绝缘膜116、118和122介于其间的方式彼此交叠的第二存储电容器Cst2更大的电容。
结果，图8B中所示的存储电容器的总电容可变得大于图8A中所示的存储电容器的总电容。
图8C中所示的存储电容器包括并联连接的第一存储电容器Cst1、第二存储电容器Cst2和第三存储电容器Cst3。
按照使得第二栅极102和第二源极106彼此交叠，上层间绝缘膜124介于它们之间的方式形成第一存储电容器Cst1。
按照使得存储电极170和第二源极106彼此交叠，保护膜166介于它们之间的方式形成第二存储电容器Cst2。此时，存储电极170电连接到第二栅极102。存储电极170设置在保护膜166的通过存储孔168暴露的部分上，因此存储电极170与第二源极106以仅保护膜166介于其间的方式交叠。
按照使得遮光层178和第二栅极102彼此交叠，第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118以及上缓冲层122介于它们之间的方式形成第三存储电容器Cst3。此时，遮光层178电连接到第二源极106。
因此，第一存储电容器Cst1、第二存储电容器Cst2和第三存储电容器Cst3并联连接，使得第一存储电容器Cst1至第三存储电容器Cst3中的每一个的一端连接至第二栅极102，而其相对端连接到第二源极106。结果，图8C所示的存储电容器的总电容可变得大于图7所示的存储电容器的总电容。
发光元件130包括：阳极132，其连接到第二薄膜晶体管100的第二源极106；至少一个发光堆叠件134，其形成在阳极132上；以及阴极136，其形成在发光堆叠件134上。
阳极132与通过穿透第二平整层128的第二像素接触孔144而暴露的像素连接电极142连接。像素连接电极142与通过穿透保护膜166和第一平整层126的第一像素接触孔120而暴露的第二源极106连接。
阳极132被形成为包括透明导电膜和具有高反射效率的不透明导电膜的多层结构。透明导电膜由具有相对高的功函数的材料(例如，铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))形成，而不透明导电膜以包含选自由Al、Ag、Cu、Pb、Mo和Ti组成的组或者其合金中的任何一种的单层或多层结构形成。例如，阳极132可被形成为使得透明导电膜、不透明导电膜和透明导电膜依次堆叠，或者使得透明导电膜和不透明导电膜依次堆叠的结构。阳极132设置在第二平整层128上，以与由堤138提供的发光区域以及其中设置有第一晶体管150和第二晶体管100以及存储电容器Cst的电路区域交叠，从而增加发光面积。
通过将空穴相关层、有机发光层和电子相关层依该次序或以相反次序堆叠在阳极132上来形成发光堆叠件134。另外，发光堆叠件134可以包括第一发光堆叠件和第二发光堆叠件，第一发光堆叠件和第二发光堆叠件彼此面对并且电荷产生层介于它们之间。在这种情况下，第一发光堆叠件和第二发光堆叠件中的任意一个的有机发光层产生蓝光，而第一发光堆叠件和第二发光堆叠件中的其余一个的有机发光层产生黄绿光，由此通过第一发光堆叠件和第二发光堆叠件产生白光。由于从发光堆叠件134产生的白光被引入到设置在发光堆叠件134上的滤色器(未示出)，因此可以实现彩色图像。另选地，能够在没有单独滤色器的情况下以各发光堆叠件134产生与各子像素对应的彩色光的方式实现彩色图像。也就是说，红色(R)子像素的发光堆叠件134可以产生红光，绿色(G)子像素的发光堆叠件134可以产生绿光，并且蓝(B)子像素的发光堆叠件134可以产生蓝光。
堤138可被形成为使阳极132暴露。堤138可以由不透明材料(例如，黑色材料)形成，以便防止相邻子像素之间的光学干涉。在这种情况下，堤138包含由选自彩色颜料、有机黑和碳材料中的至少一种形成的遮光材料。
阴极136形成在发光堆叠件134的顶表面和侧表面上，以按照发光堆叠件134介于其间的方式面向阳极132。在阴极136被应用于顶部发光型有机发光显示装置的情况下，阴极136是由例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成的透明导电膜。
阴极136与低电位供给线162电连接。如图5B和图6所示，低电位供给线162包括彼此交叉的第一低电位供给线162a和第二低电位供给线162b。如图7所示，第一低电位供给线162a使用与第二栅极102相同的材料形成在与第二栅极102相同的平面中，即，形成在上栅极绝缘图案146上。第二低电位供给线162b使用与像素连接电极142相同的材料形成在与像素连接电极142相同的平面中，即，形成在第一平整层126上。第二低电位供给线162b电连接到通过穿透上层间绝缘膜124、保护膜166和第一平整层126的第一线接触孔164而暴露的第一低电位供给线162a。
如图5B和图6所示，提供比通过低电位供给线162提供的低电位电压VSS高的高电位电压VDD的高电位供给线172包括彼此交叉的第一高电位供给线172a和第二高电位供给线172b。如图7所示，第一高电位供给线172a使用与第二栅极102相同的材料形成在与第二栅极102相同的平面中，即，形成在上栅极绝缘图案146上。第二高电位供给线172b使用与第二源极106和第二漏极108相同的材料形成在与第二源极106和第二漏极108相同的平面中，即，形成在上层间绝缘膜124上。第二高电位供给线172b与通过穿透上层间绝缘膜124的第二线接触孔174而暴露的第一高电位供给线172a电连接。第二高电位供给线172b与第二低电位供给线162b交叠，保护膜166和第一平整层126介于它们之间。此时，即使在由有机绝缘材料形成的第一平整层126中形成有针孔，由无机绝缘材料形成的保护膜166也可以防止第二高电位供给线172b和第二低电位供给线162b短路。
如图7所示，与低电位供给线162、高电位供给线172、数据线DL、扫描线SL或发光控制线EL中的至少一个连接的信号链路176设置在其中形成有第一开口192和第二开口194的弯曲区域BA上。第一开口192使上层间绝缘膜124的侧表面和上缓冲层122的顶表面暴露。第一开口192被形成为具有深度d1，深度d1等于第二源极接触孔110S或第二漏极接触孔110D中至少一个的深度。第二开口194使多缓冲层140、下缓冲层112、下栅极绝缘膜114、第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118以及上缓冲层122中的每一个的侧表面暴露。第二开口194被形成为具有深度d2，深度d2大于或等于第一源极接触孔160S或第一漏极接触孔160D中的至少一个的深度。因此，多缓冲层140、下缓冲层112、下栅极绝缘膜114、第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118、上缓冲层122和上层间绝缘膜124通过第一开口192和第二开口194被从弯曲区域BA去除。作为从弯曲区域BA去除引起裂纹的多个无机绝缘层140、112、114、116、118、122和124的结果，能够容易地弯曲基板101而不会形成裂纹。
如图7所示，设置在弯曲区域BA中的信号链路176可以与像素连接电极142一起通过同一掩模工序形成。在这种情况下，信号链路176使用与像素连接电极142相同的材料形成在与像素连接电极142相同的平面中，即，形成在第一平整层126和基板101上。为了覆盖在第一平整层126和基板101上形成的信号链路176，将第二平整层128设置在信号链路176上。另选地，在信号链路176上设置通过无机封装层和有机封装层的组合实现的封装堆叠件的无机封装层或封装膜，来代替第二平整层128。
如图9A和图9B中所示，信号链路176可以与源极106、156和漏极108、158一起通过同一掩模工序形成。在这种情况下，信号链路176使用与源极106、156和漏极108、158相同的材料形成在与源极106、156和漏极108、158相同的平面中，即，形成在上层间绝缘膜124上，并且也形成在基板101上以与基板101接触。此时，信号链路176形成在通过第一开口192暴露的上层间绝缘膜124的侧表面和上缓冲层122的顶表面上，并且还形成在通过第二开口194暴露的多缓冲层140、下缓冲层112、下栅极绝缘膜114、第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118以及上缓冲层122的侧表面上。因此，信号链路176被形成为台阶形状。为了覆盖以台阶形状形成的信号链路176，在信号链路176上设置第一平整层126或第二平整层128中的至少一个。另选地，在信号链路176上设置由无机封装层和有机封装层的组合实现的封装堆叠件的无机封装层或封装膜，来代替第一平整层126或第二平整层128。
如图9A和图9B中所示，信号链路176可以设置在多缓冲层140上。此时，多缓冲层140的位于信号链路176之间的部分被去除，以便于弯曲而不会形成裂纹，因此在信号链路176之间形成暴露基板101的沟槽196。
图9A所示的沟槽196被形成为在信号链路176之间的位置处贯穿多缓冲层140的一部分并且在基板101的一部分中延伸至预定深度。第一平整层126或第二平整层128设置在信号链路176上。图9B所示的沟槽196被形成为在信号链路176之间的位置处贯穿保护膜166的一部分和多缓冲层140的一部分，并且在基板101的一部分中延伸至预定深度。保护膜166以及第一平整层126或第二平整层128设置在信号链路176上。可以在弯曲区域BA中形成至少一个阻湿孔(未示出)，以穿透第一平整层126和第二平整层128。阻湿孔形成在信号链路176之间的区域或信号链路176的上部中的至少一个中。阻湿孔防止外部湿气通过设置在信号链路176上的第一平整层126或第二平整层128中的至少一个渗入显示区域AA。在弯曲区域BA中形成供检查工序使用的检查线(未示出)，以具有与图7、图9A和图9B所示的信号链路176之一相同的结构。
如上所述，通过第一开口192和第二开口194从弯曲区域BA去除多缓冲层140、下缓冲层112、下栅极绝缘膜114、第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118、上缓冲层122和上层间绝缘膜124。作为从弯曲区域BA去除多个无机绝缘层140、112、114、116、118、122和124的结果，能够容易地弯曲基板101，而不会在弯曲区域BA中形成裂纹。
图10A至图10M是用于说明图7所示的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
参照图10A，在基板101上依次形成多缓冲层140、下缓冲层112和多晶半导体层154。
具体而言，按照在基板101上将硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)交替堆叠至少一次的方式来形成多缓冲层140。随后，按照在多缓冲层140的整个表面上沉积SiOx或SiNx的方式形成下缓冲层112。随后，通过低压化学气相沉积(LPCVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在其上已形成有下缓冲层112的基板101上形成非晶硅薄膜。随后，通过使非晶硅薄膜结晶来形成多晶硅薄膜。随后，通过使用第一掩模的光刻工序和蚀刻工序对多晶硅薄膜进行图案化，以形成多晶半导体层154。
参照图10B，在其上已形成有多晶半导体层154的基板101上形成下栅极绝缘膜114，并且在下栅极绝缘膜114上形成第一栅极152和遮光层178。
具体而言，按照在基板101的其上已形成有多晶半导体层154的整个表面上沉积诸如SiNx或SiOx之类的无机绝缘材料的方式形成下栅极绝缘膜114。随后，在下栅极绝缘膜114的整个表面上沉积第一导电层，然后通过使用第二掩模的光刻工序和蚀刻工序对第一导电层进行图案化，以形成第一栅极152和遮光层178。随后，通过使用第一栅极152作为掩模的掺杂工序对多晶半导体层154掺杂杂质，从而形成不与第一栅极152交叠的源区和漏区以及与第一栅极152交叠的沟道区。
参照图10C，在其上已形成有第一栅极152和遮光层178的基板101上依次形成至少一层第一下层间绝缘膜116、至少一层第二下层间绝缘膜118和上缓冲层122。在上缓冲层122上形成氧化物半导体层104。
具体而言，按照在基板101的其上已形成有第一栅极152和遮光层178的整个表面上沉积诸如SiNx或SiOx之类的无机绝缘材料的方式来形成第一下层间绝缘膜116。按照在第一下层间绝缘膜116的整个表面上沉积诸如SiNx或SiOx之类的无机绝缘材料的方式来形成第二下层间绝缘膜118。随后，按照在第二下层间绝缘膜118的整个表面上沉积诸如SiNx或SiOx之类的无机绝缘材料的方式来形成上缓冲层122。随后，在上缓冲层122的整个表面上沉积氧化物半导体层104，然后，通过使用第三掩模的光刻工序和蚀刻工序对氧化物半导体层104进行图案化，以形成与遮光层178交叠的氧化物半导体层104。
参照图10D，在其上已形成有氧化物半导体层104的基板101上形成上栅极绝缘图案146、第二栅极102、第一低电位供给线162a和第一高电位供给线172a。
具体而言，在其上已形成有氧化物半导体层104的基板101上形成上栅极绝缘膜，并通过诸如溅射之类的沉积法在栅极绝缘膜上形成第三导电层。上栅极绝缘膜由诸如SiOx或SiNx之类的无机绝缘材料形成。第三导电层可以具有单层结构或多层结构，并且可以由诸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al或Cr或者其合金之类的金属材料形成。随后，通过使用第四掩模的光刻工序和蚀刻工序对第三导电层和上栅极绝缘膜同时图案化，因此上栅极绝缘图案146形成在第二栅极102、第一低电位供给线162a和第一高电位供给线172a中的每一个的下方，以具有与第二栅极102、第一低电位供给线162a和第一高电位供给线172a中的每一个相同的图案。此时，在上栅极绝缘膜的干蚀刻期间，不与第二栅极102交叠的氧化物半导体层104暴露于等离子体，并且暴露于等离子体的氧化物半导体层104中的氧通过与等离子气体反应而被去除。因此，不与第二栅极102交叠的氧化物半导体层104变为导电的并且成为源区和漏区。
参照图10E，在其上已形成有上栅极绝缘图案146、第二栅极102、第一低电位供给线162a和第一高电位供给线172a的基板101上，形成其中具有第一开口192、第一源极接触孔160S和第二源极接触孔110S、第一漏极接触孔160D和第二漏极接触孔110D以及第一线接触孔164和第二线接触孔174的上层间绝缘膜124。
具体而言，按照在基板101的其上已形成有上栅极绝缘图案146、第二栅极102、第一低电位供给线162a和第一高电位供给线172a的整个表面上沉积诸如SiNx或SiOx之类的无机绝缘材料的方式来形成上层间绝缘膜124。随后，通过使用第五掩模的光刻工序和蚀刻工序对上层间绝缘膜124进行图案化，以形成第一源极接触孔160S和第二源极接触孔110S、第一漏极接触孔160D和第二漏极接触孔110D以及第一线接触孔164和第二线接触孔174。同时，从弯曲区域BA去除上层间绝缘膜124，以形成第一开口192。第一源极接触孔160S和第二源极接触孔110S、第一漏极接触孔160D和第二漏极接触孔110D、第一线接触孔164和第二线接触孔174以及第一开口192被形成为穿透上层间绝缘膜124。因此，第一开口192的深度等于第一源极接触孔160S、第二源极接触孔110S、第一漏极接触孔160D、第二漏极接触孔110D、第一线接触孔164或者第二线接触孔174中至少一个的深度。
参照图10F，在其上已形成有上层间绝缘膜124的基板101上的弯曲区域BA中形成第二开口194。同时，从第一源极接触孔160S和第一漏极接触孔160D中去除下栅极绝缘膜114、第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118以及上缓冲层122。
具体而言，通过蚀刻工序从第一源极接触孔160S和第一漏极接触孔160D中去除下栅极绝缘膜114、第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118以及上缓冲层122，在该蚀刻工序中使用通过使用第六掩模的光刻工序在其上已形成有上层间绝缘膜124的基板101上形成的光致抗蚀剂图案作为掩模。同时，从弯曲区域BA去除多缓冲层140、下缓冲层112、下栅极绝缘膜114、第一下层间绝缘膜116和第二下层间绝缘膜118以及上缓冲层122，以形成第二开口194。在形成第二开口194时，也可以去除基板101的一部分。
参照图10G，在其上已形成有第二开口194的基板101上形成第一源极156和第二源极106、第一漏极158和第二漏极108以及第二高电位供给线172b。
具体而言，在基板101的其上已形成有第二开口194的整个表面上沉积由Mo、Ti、Cu、AlNd、Al或Cr或者其合金形成的第四导电层。随后，通过使用第七掩模的光刻工序和蚀刻工序对第四导电层进行图案化，以形成第一源极156和第二源极106、第一漏极158和第二漏极108以及第二高电位供给线172b。
参照图10H，在其上已形成有第一源极156和第二源极106、第一漏极158和第二漏极108以及第二高电位供给线172b的基板101上，形成其中具有第一像素接触孔120的保护膜166。
具体而言，按照在基板101的其上已形成有第一源极156和第二源极106、第一漏极158和第二漏极108以及第二高电位供给线172b的整个表面上沉积诸如SiNx或SiOx之类的无机绝缘材料的方式来形成保护膜166。随后，通过使用第八掩模的光刻工序和蚀刻工序对保护膜166进行图案化，以形成第一像素接触孔120。同时，从第一线接触孔164去除保护膜166。
参照图10I，在其上已形成有保护膜166的基板101上形成第一平整层126。
具体而言，按照在基板101的其上已形成有保护膜166的整个表面上沉积诸如丙烯酸树脂之类的有机绝缘材料的方式来形成第一平整层126。随后，通过使用第九掩模的光刻工序从第一像素接触孔120和第一线接触孔164去除第一平整层126。也就是说，第一像素接触孔120和第一线接触孔164被形成为穿透第一平整层126。
参照图10J，在其上已形成有第一平整层126的基板101上形成像素连接电极142、第二低电位供给线162b和信号链路176。
具体而言，在基板101的其上已形成有第一平整层126的整个表面上沉积由Mo、Ti、Cu、AlNd、Al或Cr或者其合金形成的第五导电层。随后，通过使用第十掩模的光刻工序和蚀刻工序对第五导电层进行图案化，以形成像素连接电极142、第二低电位供给线162b和信号链路176。
参照图10K，在其上已形成有像素连接电极142、第二低电位供给线162b和信号链路176的基板101上形成其中具有第二像素接触孔144的第二平整层128。
具体而言，按照在基板101的其上已形成有像素连接电极142、第二低电位供给线162b和信号链路176的整个表面上沉积诸如丙烯酸树脂之类的有机绝缘材料的方式来形成第二平整层128。随后，通过使用第十一掩模的光刻工序对第二平整层128进行图案化，以形成第二像素接触孔144。
参照图10L，在其上已形成有其中具有第二像素接触孔144的第二平整层128的基板101上形成阳极132。
具体而言，在基板101的其上已形成有其中具有第二像素接触孔144的第二平整层128的整个表面上沉积第六导电层。透明导电膜和不透明导电膜被用于第六导电层。随后，通过使用第十二掩模的光刻工序和蚀刻工序对第六导电层进行图案化，以形成阳极132。
参照图10M，在其上已形成有阳极132的基板101上依次形成堤138、有机发光堆叠件134和阴极136。
具体而言，在基板101的其上已形成有阳极132的整个表面上涂敷堤感光膜。随后，通过使用第十三掩模的光刻工序对堤感光膜进行图案化，以形成堤138。随后，在显示区域AA中而不是在非显示区域NA中，通过使用荫罩的沉积工序依次形成发光堆叠件134和阴极136。
如上所述，根据本发明，弯曲区域中的第一开口192与第二源极接触孔110S和第二漏极接触孔110D通过相同的单个掩模工序形成，弯曲区域中的第二开口194与第一源极接触孔160S和第一漏极接触孔160D通过相同的单个掩模工序形成，第一源极156和第一漏极158与第二源极106和第二漏极108通过相同的单个掩模工序形成，并且存储接触孔与第一源极接触孔160S和第一漏极接触孔160D通过同一单个掩模工序形成。由此，与现有技术相比，根据本发明的有机发光显示装置可以将掩模工序的数量减少总共至少4次，从而简化了装置的结构和制造工序，因此实现了提高的生产率。
从以上描述显而易见的，根据本发明，包括氧化物半导体层的第二薄膜晶体管应用于各子像素的驱动晶体管，而包括多晶半导体层的第一薄膜晶体管应用于各子像素的开关晶体管，从而降低了功耗。此外，位于弯曲区域中的开口和位于显示区域中的多个接触孔通过相同的掩模工序形成，从而使开口和接触孔被形成为具有相同的深度。因此，可以简化根据本发明的装置的结构和制造工序，因此可以提高生产率。此外，根据本发明，由无机绝缘材料形成的保护膜和由有机绝缘材料形成的第一平整层设置在高电位供给线与低电位供给线之间。因此，即使在第一平整层中形成针孔，保护膜也可以防止高电位供给线和低电位供给线的短路。此外，根据本发明，第一存储电容器按照使得第二薄膜晶体管的第二源极与第二薄膜晶体管的第二栅极彼此交叠，上层间绝缘膜介于它们之间的方式来形成，或者并联连接两个或三个存储电容器，致使存储电容器的电容增加。

Claims (10)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，所述基板包括显示区域；
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管被设置在所述显示区域中，所述第一薄膜晶体管包括半导体层、第一栅极、第一源极和第一漏极；以及
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管被设置在所述显示区域中，所述第二薄膜晶体管包括半导体层、第二栅极、第二源极和第二漏极，
其中，所述第二薄膜晶体管的所述第二源极与所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极按照上层间绝缘膜插置于它们之间的方式交叠，以形成第一存储电容器。
2.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：
遮光层，所述遮光层与所述第二薄膜晶体管的所述半导体层交叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管的所述第一栅极被设置在与所述遮光层相同的层中并且由与所述遮光层相同的材料形成。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的显示装置，该显示装置还包括：
下层间绝缘膜和上缓冲层，所述下层间绝缘膜和所述上缓冲层被设置在所述第一薄膜晶体管的所述半导体层与所述第二薄膜晶体管的所述半导体层之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述上缓冲层和所述下层间绝缘膜被设置在所述遮光层与所述第二薄膜晶体管的所述半导体层之间。
6.根据权利要求4或5所述的显示装置，其中，所述上缓冲层由硅氧化物SiOx形成，并且所述下层间绝缘膜由硅氮化物SiNx形成。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管的所述半导体层是多晶半导体层，并且其中，所述第二薄膜晶体管的所述半导体层是氧化物半导体层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述上层间绝缘膜被设置在所述第二源极和所述第二漏极中的每一个与所述氧化物半导体层之间，并且
其中，所述显示装置还包括：
下栅极绝缘膜，所述下栅极绝缘膜被设置为与所述下层间绝缘膜和所述上缓冲层依次堆叠在所述多晶半导体层与所述氧化物半导体层之间；以及
保护膜，所述保护膜被设置为覆盖所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的显示装置，其中，所述遮光层与所述第二栅极按照所述下层间绝缘膜和所述上缓冲层插置于它们之间的方式交叠，以形成第二存储电容器，
其中，所述第一存储电容器和所述第二存储电容器并联连接。
10.根据权利要求8或9所述的显示装置，该显示装置还包括：
存储电极，所述存储电极与所述第二源极按照所述保护膜插置于它们之间的方式交叠，以形成第三存储电容器，
其中，所述第一存储电容器和所述第三存储电容器并联连接。
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