CN110797352A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110797352A CN110797352A CN201911090320.XA CN201911090320A CN110797352A CN 110797352 A CN110797352 A CN 110797352A CN 201911090320 A CN201911090320 A CN 201911090320A CN 110797352 A CN110797352 A CN 110797352A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- area
- region
- bending
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 364
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 118
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 118
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 114
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开是关于一种显示面板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。所述显示面板包括弯折区域、显示区域和绑定区域。弯折区域包括依次叠层设置的基板、平坦层、金属走线层和保护层。金属走线层包括至少一条连接线，至少一条连接线与至少一条信号线一一对应，每条连接线连接信号线的位于显示区域和绑定区域的两个部分。通过连接线实现显示区域和绑定区域之间的信号传输，在弯折区域不布置SD金属层，避免出现SD金属层的走线高度差，在曝光时产生阴影。保护层保护连接线，避免连接线断裂。同时，弯折区域不需布置SD金属层，因此无需在弯折区域使用PIF层垫高弯折区域的SD金属层，减少了工艺流程，有助于提高产能，降低成本。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
近年来随着窄边框的显示设备逐渐普及，特别是手机行业，已经开始进入全面屏时代。
为了方便电路绑定(英文：Bonding)以及全面屏的窄边框设计，在有源矩阵有机发光显示器(英语：Active Matrix Organic Light Emitting Display，简称：AMOLED)的显示面板中，可以将显示面板的边缘进行弯折(英文：Bending)，形成弯折区域，显示区域通过弯折区域与绑定区域进行电连接，实现电信号传输。
弯折区域通常包括依次叠层设置的基板、聚酰亚胺薄膜(英文：Polyimide Film，简称：PIF)层、源漏极(英文：Source Drain；简称：SD)层和平坦层，弯折区域SD层的作用主要是连通弯折区域两侧的显示区域和绑定区域的信号线。
由于SD金属层强度较低，在弯折区域弯折时可能会导致SD金属层走线断开，影响显示面板的正常显示。且由于绑定区域与显示区域的膜层结构不同，导致绑定区域的SD金属层与显示区域的SD金属层存在高度差，使得位于绑定区域和显示区域中间的弯折区域的SD金属层容易在曝光时产生阴影(英文：Remain)，造成形状不准确。PIF层的作用是在弯折区域将SD金属层垫高，解决了SD金属层容易断裂及刻蚀形状不准确的问题。
但是，此方案需要增加PIF层，增加了工序，提高了成本。
发明内容
本公开实施例提供了一种显示面板及其制作方法，可以减少聚酰亚胺薄膜的使用，减少工艺流程，有助于提高产能，降低成本。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括间隔设置的弯折区域、显示区域和绑定区域，所述弯折区域位于所述显示区域和所述绑定区域之间；
所述弯折区域包括依次叠层设置的基板、平坦层、金属走线层和保护层；
所述金属走线层包括至少一条连接线，所述至少一条连接线与至少一条信号线一一对应布置，且每条所述连接线连接所述信号线的位于所述弯折区域两侧的所述显示区域和所述绑定区域的两个部分。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述显示面板上设置有多层柔性外挂式触控模组，所述多层柔性外挂式触控模组包括触控电极层和覆盖层，所述金属走线层为所述触控电极层，所述保护层为所述覆盖层。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述显示区域和所述绑定区域均包括中间区域，所述弯折区域位于两个所述中间区域之间，且所述弯折区域与两个所述中间区域相邻布置，所述中间区域包括所述连接线、所述平坦层和所述金属走线层；
所述中间区域的平坦层上设置有过孔，所述连接线通过所述过孔与所述信号线电连接。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述显示区域和所述绑定区域均包括中间区域，所述弯折区域位于两个所述中间区域之间，且所述弯折区域与两个所述中间区域相邻布置，所述中间区域包括所述连接线、所述平坦层、像素界定层和所述金属走线层；
所述中间区域的所述平坦层和所述像素界定层上设置有过孔，所述连接线通过所述过孔与所述信号线电连接。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述弯折区域的所述保护层上覆盖有保护胶。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述信号线为电源信号线、数据线或者栅线中的至少一种。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述中间区域包括设置在源漏极层的中转电极，所述信号线的每个部分靠近所述弯折区域的一端均连接一个所述中转电极，所述连接线分别与两个所述中转电极电连接。
第二方面，提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板制作方法用于制作第一方面任一项所述的显示面板，所述显示面板制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上制作平坦层；
在弯折区域的所述平坦层上制作金属走线层和保护层，所述金属走线层包括至少一条连接线，所述至少一条连接线与至少一条信号线一一对应布置，且每条所述连接线连接所述信号线的位于所述弯折区域两侧的显示区域和绑定区域的两个部分。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述显示区域和所述绑定区域均包括中间区域，所述弯折区域位于两个所述中间区域之间，且所述弯折区域与两个所述中间区域相邻布置，所述中间区域包括所述连接线、所述平坦层和所述金属走线层；
所述在弯折区域的所述平坦层上制作金属走线层，包括：
在所述平坦层上制作像素界定层；
将位于所述中间区域和所述弯折区域内的所述像素界定层去掉；
在所述中间区域的所述平坦层上制作过孔；
在所述像素界定层上制作金属走线层，所述金属走线层的连接线通过所述过孔与所述信号线电连接；
或者，所述显示区域和所述绑定区域均包括中间区域，所述弯折区域位于两个所述中间区域之间，且所述弯折区域与两个所述中间区域相邻布置，所述中间区域包括所述连接线、所述平坦层、像素界定层和所述金属走线层；
所述在弯折区域的所述平坦层上制作金属走线层，包括：
在所述平坦层上制作像素界定层；
在所述中间区域的所述平坦层上制作过孔；
在所述像素界定层上制作金属走线层，所述金属走线层的连接线通过所述过孔与所述信号线电连接。
第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括第一方面任一项所述的显示面板。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
信号线分为两个部分，分别位于弯折区域两侧的显示区域和绑定区域内，即信号线在弯折区域断开，通过金属走线层的连接线连接位于显示区域的信号线和位于绑定区域的信号线，通过连接线实现显示区域和绑定区域之间的信号传输，这样在弯折区域就不需布置SD金属层，避免在弯折区域出现SD金属层的走线高度差，避免在曝光时产生阴影。同时，金属走线层在平坦层上方，且通过保护层保护金属走线层，可以避免弯折时连接线断裂影响显示面板的功能。同时，由于弯折区域不需布置SD金属层，因此无需在弯折区域使用PIF层垫高弯折区域的SD金属层，减少了工艺流程，有助于提高产能，降低成本。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种显示面板截面图；
图2是本公开实施例提供的一种显示面板截面图；
图3是本公开实施例提供的一种显示面板截面图；
图4是本公开实施例提供的一种显示面板弯折时的截面图；
图5是本公开实施例提供的一种显示面板制作方法的流程图；
图6-8是本公开实施例提供的一种制作显示面板的截面示意图；
图9是本公开实施例提供的一种显示面板制作方法的流程图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种显示面板截面图。参见图1，显示面板包括间隔设置的弯折区域1、显示区域2和绑定区域3，弯折区域1位于显示区域2和绑定区域3之间。弯折区域1包括依次叠层设置的基板10、平坦层20、金属走线层30和保护层40，金属走线层30包括至少一条连接线301，至少一条连接线301与至少一条信号线200一一对应布置，且每条连接线301连接信号线200的位于弯折区域1两侧的显示区域2和绑定区域3的两个部分。
在本公开中，弯折区域1、显示区域2和绑定区域3的膜层结构不一样，弯折区域1用于弯折，不具有触摸功能和显示功能，显示区域2用于触控和显示画面，绑定区域3与驱动电路连接。但弯折区域1两侧的显示区域2和绑定区域3的信号线200需要连接在一起，因此需要在弯折区域1布置金属走线层30。
在本公开的实施例中，信号线200分为两个部分，分别位于弯折区域1两侧的显示区域2和绑定区域3内，即信号线200在弯折区域1断开，通过金属走线层30的连接线301连接位于显示区域2的信号线200和位于绑定区域3的信号线200，通过连接线301实现显示区域2和绑定区域3之间的信号传输。这样在弯折区域1就不需要布置SD金属层，避免在弯折区域1出现SD金属层的走线高度差，避免在曝光时产生阴影。金属走线层30在平坦层20的上方，且通过保护层40保护金属走线层30，可以避免弯折时连接线301断裂影响显示面板的功能。避免弯折时连接线301断裂影响显示面板的功能。同时，由于弯折区域1不需要布置SD金属层，因此无需在弯折区域1使用PIF层垫高弯折区域1的SD金属层，减少了工艺流程，有助于提高产能，降低成本。
由于SD金属层比较脆弱，如果在弯折区域1内布置SD金属层，在弯折区域弯折时，SD金属层容易断裂，影响显示面板的显示功能。将弯折区域1内的信号线200去掉，即在弯折区域1内不需要布置SD金属层，通过金属走线层30的连接线301将显示区域2的信号线200和绑定区域3内的信号线200电连接，可以传输信号，不影响显示面板的显示功能。
在本公开实施例中，基板10是显示面板表面的透明防护层，保护显示面板的内部结构。示例性地，基板10通常可以为软质地的透明塑料，保证基板10可以弯曲。
在本公开实施例中，平坦层(英文：Planarizationlayer，简称：PLN)20具有绝缘性，可以将相邻的膜层之间隔开，保证电信号传输的有效性。示例性地，平坦层20的材料可以为树脂(英文：Resin)层，树脂具有绝缘性，保证平坦层20的绝缘性。
在本公开实施例中，金属走线层30用于传输电信号，通过金属走线层30的连接线301将显示区域2的信号线200和绑定区域3的信号线200电连接，使显示区域2和绑定区域3之间能够正常传输电信号，保证显示面板的显示功能。示例性地，金属走线层30可以为钛/铝/钛叠层。铝具有导电性，保证源漏极层的导电性，钛的强度大，密度小，硬度大，熔点高，抗腐蚀性很强，对铝进行保护，同时钛具有良好的可塑性。因此，采用钛/铝/钛叠层作为金属走线层30材料穿过弯折区域1，可以保证在弯折时不会发生断裂，且能够保证电性传输性能。
在本公开实施例中，保护(英文：Over Coat，简称：OC)层40用于保护金属走线层30，避免金属走线层30损坏，保证显示面板的显示效果。示例性地，保护层40可以为丙烯基树脂保护层或者环氧树脂保护层。丙烯基树脂和环氧树脂防腐蚀，能够保金属走线层30，同时也能够避免在弯折时金属走线层30断裂。
示例性地，图1所述的弯折区域1的宽度仅为示例，在实际应用中，可以根据实际需要设置弯折区域1的宽度。
图2是本公开实施例提供的一种显示面板截面图。参见图2，显示区域2和绑定区域3均包括中间区域4以及除中间区域4外的主体区域。弯折区域1位于两个中间区域4之间，且弯折区域1与两个中间区域4相邻布置。
参见图2，中间区域4包括连接线301、平坦层20和金属走线层30，中间区域4的平坦层20上设置有过孔201，连接线301通过过孔201与信号线200电连接。
在该实现方式中，在平坦层20上设置过孔201，通过过孔201将连接线301与信号线200电连接，实现电信号传输，保证电信号传输的有效性。
参见图2，显示区域2主体区域的包括依次叠层设置的基板10、薄膜晶体管90、平坦层20、像素界定层60和发光显示单元100。
在本公开实施例中，薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor，简称：TFT)90用于控制像素单元发光，使显示面板显示画面。
如图2所示，TFT 90包括依次设置的栅极(Gate)层901、栅极绝缘(英文：GateInsulator，简称：GI)层902、有源层903和源漏极(SD)层904。
图2所示为底栅TFT结构，除了图2所示的TFT 90结构外，TFT 90还可以为顶栅或双栅TFT结构。在其他结构中，TFT 90还可以包括2个栅极层901或2个源漏极层904。当存在2个栅极层901时，相应地GI层也具有2个，当存在2个源漏极层904时，两个源漏极层之间还可以设置层间介电层(英文：Inter Layer Dielectric，简称：ILD)。
示例性地，栅极层901通常包括TFT的栅极以及与栅极连接的栅线等结构。栅线与栅极驱动电路连接，以提供栅极驱动信号。
示例性地，GI层902可以为无机绝缘层，例如氮化硅绝缘层，也可以为有机绝缘层，例如环形树脂绝缘层。
示例性地，有源层903可以采用多晶硅材料制成。
示例性地，SD层904通常包括TFT的源极和漏极以及与源极连接的数据线，还可以包括电源信号线等结构。示例性地，SD层904可以为：钛/铝/钛叠层。
在本公开实施例中，像素界定层60用于将有机发光显示器(英文：Organic LightEmitting Display，简称：OLED)的各个子像素单元分隔开来，也即像素界定层60在显示区域2通过自身的凹槽结构形成多个子像素区域。
像素界定层60的凹槽内形成发光显示单元100，该发光显示单元100为OLED发光单元，该发光显示单元包括设置在像素界定层60的凹槽内的阳极1001、空穴传输层1002、有机发光层1003和电子传输层1004，以及各个发光显示单元100共用的阴极层1005。
在该显示面板中，发光显示单元100通过下方的TFT进行驱动控制，该显示面板为AMOLED的显示面板。每个发光显示单元100可以对应2个或多个TFT 90，例如2T1C、7T1C结构的驱动电路下，每个发光单元分别对应2个、7个TFT。
如图2所示，阴极层1005与金属走线层30之间布置有第一绝缘层1006。第一绝缘层1006将阴极层1005与金属走线层30隔开，保证阴极层1005与金属走线层30能够单独传输信号。
如图2所示，绑定区域3的主体区域包括依次叠层设置的基板10、栅极层901、栅极绝缘层902、平坦层20和像素界定层60。
这里的绑定区域是以栅极层作为绑定端子设置层来进行的举例说明，实际膜层结构可以不同，例如可以采用源漏极层作为绑定端子设置层，此时不包括栅极层，而是包括源漏极层，也可以同时包括栅极层和源漏极层等。
如图2所示，显示面板还可以包括阻水层(英文：Barrier：)110，阻水层110位于显示区域2和绑定区域3且位于基板10和TFT 90之间。
再次参见图2，显示面板还可以包括缓冲层(英文：Buffer)120，缓冲层120位于显示区域2和绑定区域3且位于阻水层110和TFT 90之间。
缓冲层120与阻水层110的作用类似，同样用于保护TFT 90，确保TFT 90与基板10隔开，保证栅极层901能够正常工作。
示例性地，信号线200可以为电源信号线、数据线或者栅线中的至少一种。
在本公开实施例中，弯折区域1可以按照切断数据线的方向设置，也可以按照切断栅线的方向设置。当弯折区域1切断数据线时，本申请所指的信号线可以是数据线和电源信号线，当弯折区域1切断栅线时，本申请所指的信号线可以是栅线和电源信号线。
如图2所示，中间区域4包括设置在源漏极层的中转电极80，信号线200的每个部分靠近弯折区域1的一端均连接一个中转电极80，连接线301分别与两个中转电极80电连接。
在该实现方式中，通过设置中转电极80，通过中转电极80将连接线301与信号线200电连接，更加方便。
如图2所示，在采用连接线301连接栅线(信号线200)时，可以先将栅线通过过孔201连接到源漏极层，源漏极层设置有中转电极80，栅线和连接线301分别与中转电极80连接。
在显示屏中，触摸模组采用多层柔性外挂式(英文：Flexible Multi-Layer OnCell，简称：FMLOC)触摸技术，将柔性的触控模组设置在显示面板外。
如图2所示，显示面板上设置有多层柔性外挂式触控模组50，多层柔性外挂式触控模组50包括触控电极层和覆盖层，金属走线层30为触控电极层，保护层40为覆盖层。
在本开实施例中，触控电极层用于感应触控信号，并将触控信号传输给主板，实现触控操作。覆盖层用于保护触控电极层。
如图2所示，该触控电极层包括第一金属层302、第二绝缘层303和第二金属层304，其中，第一金属层302为网格状结构，网格状包括第一方向走线和第二方向走线，第一方向和第二方向垂直，第二方向走线不与第一方向走线接触，第二方向走线通过在第一方向走线两侧设置过孔并连接到第二金属层，避免与第一方向走线接触。
示例性地，连接线301可以与第二金属层304同层。
示例性地，第二绝缘层303可以为柔性介质层(英文：Flexible LayerDielectric，简称：FLD)。
需要说明的是，触控电极层在显示区域的主体区域的作用为触控，在中间区域和弯折区域的作用为连接信号线。而在绑定区域的主体区域可以布置也可以不布置触控电极层，为了方便图形化，可以保留绑定区域的触控电极层。
另外，显示区域的主体区域和中间区域的触控电极层是断开设计的，也即二者没有电连接，避免相互干扰。
图3是本公开实施例提供的一种显示面板截面图。参见图3，显示区域2和绑定区域3包括围绕弯折区域1设置的中间区域4，中间区域4包括连接线301、平坦层20、像素界定层60和金属走线层30，中间区域4的平坦层20和像素界定层60上设置有过孔201，连接线301通过过孔201与信号线200电连接。图3提供的结构与图2相比，区别在于像素界定层60覆盖中间区域4和弯折区域1。
在本公开实施例中，中间区域4内设置有像素界定层60，在平坦层20和像素界定层60上设置过孔201，通过过孔201将连接线301与中转电极80电连接，实现电信号传输，保证电信号传输的有效性。
如图3所示，弯折区域1的平坦层20上也设置有像素界定层60，由于在弯折区域1不需要设置发光显示单元100，位于弯折区域1内的像素界定层60可以不设置成具有凹槽的结构。
再次参见图2和图3，弯折区域1的保护层40上覆盖有保护胶70。
在本公开实施例中，保护胶70用于保护金属走线层30。
在弯折的过程中，会产生应力，保护胶70位于保护层40之上，通过保护层40减小金属走线层30的应力，避免在弯折的过程中金属走线层30损坏。
在本公开实施例中，可以通过控制保护胶70的厚度，来调整应力的大小。在设计时，可以通过调整保护胶70到合适的厚度，使弯折时产生的应力最小，从而减小在弯折的过程中金属走线层30损坏的可能性。
示例性地，保护胶70可以为有机绝缘胶，例如MCL胶。
在图2中，保护层40位于保护胶70与金属走线层30之间。在图3中，保护胶70贯穿保护层40与金属走线层30连接。在两种方式中，保护胶70均可以起到减小应力的作用，本公开对此不作限制。
图4是本公开实施例提供的一种显示面板弯折时的截面图。参见图4，本公开的显示面板的在弯折时由于保护胶70对金属走线层30的保护，可以避免在弯折时金属走线层30损坏。
图5是本公开实施例提供的一种显示面板制作方法的流程图。参见图5，该显示面板制作方法包括：
步骤S1：提供一基板。
如图6所示，提供一基板10。该基板10可以为软质地的透明塑料。
步骤S2：在基板上制作平坦层。
如图7所示，在基板10上制作平坦层20。平坦层20可以采用涂敷或者沉积的工艺制作。
需要说明的时，平坦层20在弯折区域1、显示区域2和绑定区域3均有布置。而显示区域2包括依次叠层设置的基板、薄膜晶体管、平坦层、像素界定层和发光显示单元。绑定区域3包括依次叠层设置的基板、栅极层、栅极绝缘层、平坦层和像素界定层。
因此，在显示区域2制作平坦层20之前，该方法还包括制作薄膜晶体管90。薄膜晶体管90的结构可以参见图2和图3，其制作方式如下：在显示区域2的基板10上制作一层金属层(例如采用蒸镀、溅射等工艺)，对金属层进行图形化处理得到栅极层901。在栅极层901上制作一层绝缘层，对进行图形化处理得到栅极绝缘层902。在栅极绝缘层902上制作有源层903。在有源层903制作一层金属层并进行图形化处理得到源漏极层904。
在绑定区域3制作平坦层20之前，该方法还包括制作栅极层、栅极绝缘层，栅极层、栅极绝缘层的结构可以参见图2和图3。栅极层、栅极绝缘层的制作方法与上述显示区域2的栅极层、栅极绝缘层的制作方法一样。
步骤S3：在弯折区域的平坦层上制作金属走线层和保护层。
如图8所示，在弯折区域1的平坦层20上制作金属走线层30和保护层40。金属走线层30可以采用溅射的工艺制作，保护层40可以采用涂敷或者沉积的工艺制作。金属走线层30包括至少一条连接线301。
在显示区域2制作薄膜晶体管后再制作平坦层20，然后在显示区域2的平坦层20上制作金属走线层30和保护层40，在绑定区域3制作栅极层、栅极绝缘层后再制作平坦层20，然后在绑定区域3的平坦层20上制作金属走线层30和保护层40，就会得到如图1所示的显示面板的截面图。至少一条连接线301与至少一条信号线200(也即薄膜晶体管中的栅线)一一对应布置，且每条连接线301连接信号线200的位于弯折区域1两侧的显示区域2和绑定区域3的两个部分。
可选地，显示区域和绑定区域均包括中间区域，弯折区域位于两个中间区域之间，且弯折区域与两个中间区域相邻布置，中间区域包括连接线、平坦层和金属走线层。在弯折区域的平坦层上制作金属走线层，包括：
在平坦层上制作像素界定层；
将位于中间区域和弯折区域内的像素界定层去掉；
在中间区域的平坦层上制作过孔；
在像素界定层上制作金属走线层，金属走线层的连接线通过过孔与信号线电连接。
该方案制得如图2所示得结构。通过上述步骤S1和S2制作完成后，在平坦层20上制作像素界定层60，可以采用沉积工艺制作像素界定层60。将位于弯折区域1和中间区域4内的像素界定层60去掉，可以通过刻蚀的方式去除弯折区域1和中间区域4内的像素界定层60。在中间区域4的平坦层20上制作过孔201。在像素界定层60上制作金属走线层30，金属走线层30的连接线301通过过孔201与信号线200电连接，可以通过溅射的工艺制作金属走线层30。
需要说明的是，由于在显示区域像素界定层60内还包括发光显示单元100，因此该方法还包括在显示区域的像素界定层60上制作发光显示单元100。示例性地，可以在显示区域2的像素界定层60的凹槽内依次制作阳极1001、空穴传输层1002、有机发光层1003和电子传输层1004，然后在像素界定层60上制作共用的阴极层1005，得到发光显示单元100。
在另一种实现方式中，在弯折区域的平坦层上制作金属走线层，包括：
在平坦层上制作像素界定层；
在中间区域的平坦层和像素界定层上制作过孔；
在像素界定层上制作金属走线层，金属走线层的连接线通过过孔与信号线电连接。
该方案制得如图3所示得结构。通过上述步骤S1和S2制作完成后，在平坦层20上制作像素界定层60。在中间区域4的平坦层20和像素界定层60上制作过孔201。在像素界定层60上制作金属走线层30，金属走线层30的连接线301通过过孔201与信号线200电连接。
上述过孔201可以采用激光打孔的方式制作，也可以采用刻蚀的方式制作。
图9是本公开实施例提供的一种显示面板制作方法的流程图。参见图9，该显示面板制作方法包括上述步骤S1～S3和下述步骤：
步骤S4：在保护层上制作保护胶。
参见图2和图3，在保护层40上制作保护胶70。保护胶70覆盖在弯折区域1的保护层40。
在弯折的过程中，会产生应力，保护胶70位于保护层40之上，通过保护层40减小金属走线层30的应力，避免在弯折的过程中金属走线层30损坏。
在本公开实施例中，可以通过控制保护胶70的厚度，来调整应力的大小。在设计时，可以通过调整保护胶70到合适的厚度，使弯折时产生的应力最小，从而减小在弯折的过程中金属走线层30损坏的可能性。
示例性地，保护胶70可以为有机绝缘胶，例如MCL胶。
示例性地，保护层40可以位于保护胶70与金属走线层30之间。保护胶70也可以贯穿保护层40与金属走线层30连接。在两种方式中，保护胶均可以起到减小应力的作用，本公开对此不作限制。
本公开还提供了一种显示装置，该显示装置包括前述任一项所述的显示面板。
在具体实施时，本公开实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本公开的较佳实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括间隔设置的弯折区域(1)、显示区域(2)和绑定区域(3)，所述弯折区域(1)位于所述显示区域(2)和所述绑定区域(3)之间；
所述弯折区域(1)包括依次叠层设置的基板(10)、平坦层(20)、金属走线层(30)和保护层(40)；
所述金属走线层(30)包括至少一条连接线(301)，所述至少一条连接线(301)与至少一条信号线(200)一一对应布置，且每条所述连接线(301)连接所述信号线(200)的位于所述弯折区域(1)两侧的所述显示区域(2)和所述绑定区域(3)的两个部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板上设置有多层柔性外挂式触控模组(50)，所述多层柔性外挂式触控模组(50)包括触控电极层和覆盖层，所述金属走线层(30)为所述触控电极层，所述保护层(40)为所述覆盖层。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述显示区域(2)和所述绑定区域(3)均包括中间区域(4)，所述弯折区域(1)位于两个所述中间区域(4)之间，且所述弯折区域(1)与两个所述中间区域(4)相邻布置，所述中间区域(4)包括所述连接线(301)、所述平坦层(20)和所述金属走线层(30)；
所述中间区域(4)的平坦层(20)上设置有过孔(201)，所述连接线(301)通过所述过孔(201)与所述信号线(200)电连接。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述显示区域(2)和所述绑定区域(3)均包括中间区域(4)，所述弯折区域(1)位于两个所述中间区域(4)之间，且所述弯折区域(1)与两个所述中间区域(4)相邻布置，所述中间区域(4)包括所述连接线(301)、所述平坦层(20)、像素界定层(60)和所述金属走线层(30)；
所述中间区域(4)的所述平坦层(20)和所述像素界定层(60)上设置有过孔(201)，所述连接线(301)通过所述过孔(201)与所述信号线(200)电连接。
5.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述弯折区域(1)的所述保护层(40)上覆盖有保护胶(70)。
6.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述信号线(200)为电源信号线、数据线或者栅线中的至少一种。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述中间区域(4)包括设置在源漏极层的中转电极(80)，所述信号线(200)的每个部分靠近所述弯折区域(1)的一端均连接一个所述中转电极(80)，所述连接线(301)分别与两个所述中转电极(80)电连接。
8.一种显示面板的制作方法，所述显示面板制作方法用于制作权利要求1至7任一项所述的显示面板，所述显示面板制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上制作平坦层；
在弯折区域的所述平坦层上制作金属走线层和保护层，所述金属走线层包括至少一条连接线，所述至少一条连接线与至少一条信号线一一对应布置，且每条所述连接线连接所述信号线的位于所述弯折区域两侧的显示区域和绑定区域的两个部分。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示区域和所述绑定区域均包括中间区域，所述弯折区域位于两个所述中间区域之间，且所述弯折区域与两个所述中间区域相邻布置，所述中间区域包括所述连接线、所述平坦层和所述金属走线层；
所述在弯折区域的所述平坦层上制作金属走线层，包括：
在所述平坦层上制作像素界定层；
将位于所述中间区域和所述弯折区域内的所述像素界定层去掉；
在所述中间区域的所述平坦层上制作过孔；
在所述像素界定层上制作金属走线层，所述金属走线层的连接线通过所述过孔与所述信号线电连接；
或者，所述显示区域和所述绑定区域均包括中间区域，所述弯折区域位于两个所述中间区域之间，且所述弯折区域与两个所述中间区域相邻布置，所述中间区域包括所述连接线、所述平坦层、像素界定层和所述金属走线层；
所述在弯折区域的所述平坦层上制作金属走线层，包括：
在所述平坦层上制作像素界定层；
在所述中间区域的所述平坦层和所述像素界定层上制作过孔；
在所述像素界定层上制作金属走线层，所述金属走线层的连接线通过所述过孔与所述信号线电连接。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至7任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911090320.XA CN110797352B (zh) | 2019-11-08 | 2019-11-08 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911090320.XA CN110797352B (zh) | 2019-11-08 | 2019-11-08 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110797352A true CN110797352A (zh) | 2020-02-14 |
| CN110797352B CN110797352B (zh) | 2022-10-28 |
Family
ID=69443789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911090320.XA Active CN110797352B (zh) | 2019-11-08 | 2019-11-08 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110797352B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111430435A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法 |
| CN111489647A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及其制造方法、显示装置 |
| CN113851520A (zh) * | 2021-11-29 | 2021-12-28 | 荣耀终端有限公司 | 显示面板及其制作方法、终端设备 |
| CN114666997A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组的制作方法、制作显示模组的设备及显示模组 |
Citations (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106847871A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-06-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其显示装置 |
| US20170229527A1 (en) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US20170237025A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN107180848A (zh) * | 2016-03-11 | 2017-09-19 | 三星显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| US20180013095A1 (en) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US20180040672A1 (en) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display module and organic light emitting display device having the same |
| KR20180014404A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| US20180083211A1 (en) * | 2016-09-22 | 2018-03-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| CN107833906A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-23 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种柔性显示装置及其制造方法 |
| US20180090698A1 (en) * | 2016-09-27 | 2018-03-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing display apparatus |
| CN108110031A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-06-01 | 乐金显示有限公司 | 柔性电致发光显示装置 |
| CN108288632A (zh) * | 2017-01-10 | 2018-07-17 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN108598135A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-09-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| US20180350701A1 (en) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device |
| CN108984012A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| US20190041915A1 (en) * | 2017-08-07 | 2019-02-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Bendable display device |
| US20190067410A1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-02-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| WO2019038835A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| CN109560110A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-04-02 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置 |
| CN109686758A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
| CN109698219A (zh) * | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
| CN109710103A (zh) * | 2017-10-25 | 2019-05-03 | 乐金显示有限公司 | 触摸显示面板及包括其的触摸显示装置 |
| CN109728041A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| US20190165076A1 (en) * | 2017-11-29 | 2019-05-30 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible Display Device |
| KR20190076384A (ko) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 |
| CN110197845A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-09-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN110335875A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN110391276A (zh) * | 2018-04-18 | 2019-10-29 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN110400823A (zh) * | 2018-04-18 | 2019-11-01 | 乐金显示有限公司 | 具有触摸传感器的有机发光显示设备 |
| CN110911451A (zh) * | 2018-09-18 | 2020-03-24 | 三星显示有限公司 | 电子设备及制造其的方法 |
-
2019
- 2019-11-08 CN CN201911090320.XA patent/CN110797352B/zh active Active
Patent Citations (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170229527A1 (en) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US20190334105A1 (en) * | 2016-02-12 | 2019-10-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US20170237025A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN107180848A (zh) * | 2016-03-11 | 2017-09-19 | 三星显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| US20180013095A1 (en) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| KR20180014404A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| US20180040672A1 (en) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display module and organic light emitting display device having the same |
| US20180083211A1 (en) * | 2016-09-22 | 2018-03-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US20180090698A1 (en) * | 2016-09-27 | 2018-03-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing display apparatus |
| CN108110031A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-06-01 | 乐金显示有限公司 | 柔性电致发光显示装置 |
| CN108288632A (zh) * | 2017-01-10 | 2018-07-17 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN106847871A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-06-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其显示装置 |
| US20180350701A1 (en) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device |
| CN108984012A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| US20190041915A1 (en) * | 2017-08-07 | 2019-02-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Bendable display device |
| WO2019038835A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| US20190067410A1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-02-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| CN109698219A (zh) * | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 三星显示有限公司 | 显示设备 |
| CN109710103A (zh) * | 2017-10-25 | 2019-05-03 | 乐金显示有限公司 | 触摸显示面板及包括其的触摸显示装置 |
| CN109728041A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| CN107833906A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-23 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种柔性显示装置及其制造方法 |
| US20190165076A1 (en) * | 2017-11-29 | 2019-05-30 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible Display Device |
| KR20190076384A (ko) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 |
| CN110391276A (zh) * | 2018-04-18 | 2019-10-29 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN110400823A (zh) * | 2018-04-18 | 2019-11-01 | 乐金显示有限公司 | 具有触摸传感器的有机发光显示设备 |
| CN108598135A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-09-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| CN110911451A (zh) * | 2018-09-18 | 2020-03-24 | 三星显示有限公司 | 电子设备及制造其的方法 |
| CN109560110A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-04-02 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置 |
| CN109686758A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
| CN110197845A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-09-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN110335875A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111430435A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法 |
| CN111489647A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及其制造方法、显示装置 |
| CN111489647B (zh) * | 2020-04-26 | 2022-09-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及其制造方法、显示装置 |
| CN113851520A (zh) * | 2021-11-29 | 2021-12-28 | 荣耀终端有限公司 | 显示面板及其制作方法、终端设备 |
| CN113851520B (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-22 | 荣耀终端有限公司 | 显示面板及其制作方法、终端设备 |
| CN114666997A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组的制作方法、制作显示模组的设备及显示模组 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110797352B (zh) | 2022-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108962947B (zh) | 一种柔性显示面板和显示装置 | |
| CN107946317B (zh) | 一种柔性阵列基板及制备方法、显示基板、显示装置 | |
| US10636997B2 (en) | Display panel and display device | |
| CN110797352B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN110429116B (zh) | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 | |
| US9716248B2 (en) | Organic light-emitting diode displays with reduced border area | |
| CN109801949B (zh) | 有机发光显示面板和显示装置 | |
| CN111210732B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN111244129B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
| WO2019100478A1 (zh) | 触控显示面板及其制造方法 | |
| CN113471257B (zh) | 显示面板及移动终端 | |
| US11974475B2 (en) | Flexible display panel, display device and forming method | |
| EP3089214B1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
| CN211789021U (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN113937236B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN110767738B (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
| CN109872637B (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN109671722B (zh) | 有机发光二极管阵列基板及其制造方法 | |
| US20190157355A1 (en) | Touch screen panel and manufacturing method thereof | |
| US11195890B2 (en) | Display panel comprising gate metal layer electrically connected to metal connection region via through hole and method of manufacturing same | |
| CN111933671B (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 | |
| CN115275044B (zh) | 显示面板 | |
| US20220181399A1 (en) | Electroluminescence Display Apparatus | |
| WO2021203320A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| US11169406B2 (en) | Touch and display driver integrated assembly including protective layers, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |