CN110911451A - 电子设备及制造其的方法 - Google Patents

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朴成均
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Abstract

本申请涉及电子设备和制造电子设备的方法。该电子设备包括设置在可弯曲区域中的有机层和设置在有机层上的连接布线。连接布线连接到与显示单元的像素连接的信号线。可弯曲区域中的有机层和连接布线包括与输入感测单元中的材料相同的材料。

Description

电子设备及制造其的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年9月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0111326号韩国专利申请的优先权及其权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本公开的实施方式涉及电子设备，并且更具体地，涉及具有改善的可靠性的电子设备。
背景技术
电子设备由电信号激活。电子设备由各种电子部件(诸如，用于显示图像的显示单元或用于检测外部输入的输入感测单元)组成。电子部件通过各种布置的信号线电互连。
各种信号线可根据电子部件的数量或加工环境而设置，并且设计成弯曲和以适当的配置布置，这可以在预定的面板区域内防止电信号干扰。
发明内容
本公开的实施方式可以通过在与输入感测单元中包括的结构相同的过程中、在可弯曲区域中形成有机层和信号线来减少输入感测单元的加工成本和时间。
本发明构思的实施方式提供了电子设备，该电子设备包括基底衬底、显示单元、输入感测单元、第一有机层、连接布线以及第二有机层，其中：基底衬底包括能够围绕沿一个方向延伸的弯曲轴线弯曲的可弯曲区域和与可弯曲区域邻近的不可弯曲区域；显示单元设置在基底衬底上并包括电路元件层、显示元件层、密封层和凹槽，电路元件层包括薄膜晶体管和多个绝缘层，显示元件层包括连接到薄膜晶体管的有机发光元件，密封层覆盖显示元件层，凹槽在可弯曲区域中通过绝缘层中的一些形成，所述凹槽暴露基底衬底的位于可弯曲区域中的一部分；输入感测单元设置在密封层上并包括第一检测绝缘层、第一检测电极和第二检测电极以及第二检测绝缘层，其中，第一检测电极和第二检测电极彼此间隔开且第一检测绝缘层位于第一检测电极与第二检测电极之间，第二检测绝缘层覆盖第一检测绝缘层；第一有机层覆盖凹槽和基底衬底的所暴露的部分；连接布线设置在第一有机层上并连接到显示单元和输入感测单元中的至少一个，并且包括与第一检测电极和第二检测电极中的至少一个相同的材料；第二有机层覆盖连接布线。第一有机层和连接布线在可弯曲区域中彼此重叠。
在实施方式中，第一有机层可包括与第一检测绝缘层相同的材料。
在实施方式中，第二有机层可包括与第二检测绝缘层相同的材料。
在实施方式中，第一有机层可包括与绝缘层中的任何一个相同的材料。
在实施方式中，第二有机层可包括与第一检测绝缘层相同的材料。
在实施方式中，电子设备还可包括设置在第一有机层与第二有机层之间的附加有机层，附加有机层包括与第一检测绝缘层相同的材料，并且第二有机层可包括与第二检测绝缘层相同的材料。
在实施方式中，连接布线可包括设置在第一有机层与附加有机层之间的第一布线以及设置在附加有机层与第二有机层之间的第二布线。第二布线可通过穿透附加有机层的接触孔连接到第一布线。
在实施方式中，连接布线可设置在第一有机层与第二有机层之间。
在实施方式中，薄膜晶体管可包括半导体图案、与半导体图案间隔开的控制电极、与控制电极间隔开的上电极、连接到半导体图案的输入电极以及设置在与输入电极相同的层上并连接到半导体图案的输出电极。半导体图案可包括氧化物半导体图案和硅半导体图案中的至少一种。
在实施方式中，绝缘层可包括：设置在基底衬底与半导体图案之间的至少一个有机层；覆盖半导体图案的第一绝缘层；覆盖控制电极和第一绝缘层的第二绝缘层；覆盖上电极和第二绝缘层的第三绝缘层；以及覆盖第三绝缘层、输入电极和输出电极的第四绝缘层。第一有机层可包括与第四绝缘层相同的材料。
在实施方式中，电子设备还可包括位于可弯曲区域中的焊盘区域，焊盘区域包括由与可弯曲区域重叠的绝缘层中的一些暴露的焊盘。焊盘可连接到连接布线。
在实施方式中，电子设备还可包括连接到焊盘的电路板。
在本发明构思的实施方式中，电子设备包括基底衬底、显示单元、输入感测单元、凹槽、第一有机层、连接布线以及第二有机层，其中：基底衬底包括能够围绕沿一个方向延伸的弯曲轴线弯曲的可弯曲区域和与可弯曲区域邻近的不可弯曲区域；显示单元包括设置在基底衬底上的像素，并且像素包括薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的有机发光元件以及多个绝缘层；输入感测单元设置在像素上并包括第一检测绝缘层、第一检测电极和第二检测电极以及第二检测绝缘层，第一检测电极和第二检测电极彼此间隔且第一检测绝缘层位于第一检测电极与第二检测电极之间，第二检测绝缘层覆盖第一检测绝缘层；凹槽在可弯曲区域中通过绝缘层中的一些形成，凹槽暴露基底衬底的位于可弯曲区域中的一部分并沿弯曲轴线延伸；第一有机层覆盖凹槽和基底衬底的所暴露的部分；连接布线通过可弯曲区域连接到像素；第二有机层覆盖连接布线。第二有机层包括与第二检测绝缘层相同的材料。
在实施方式中，连接布线可包括与第一检测电极和第二检测电极中的至少一个相同的材料。
在实施方式中，第一有机层可包括与第一检测绝缘层相同的材料。
在实施方式中，连接布线可设置在第一有机层上。
在实施方式中，第一有机层可包括与绝缘层中的至少一个相同的材料。
在实施方式中，电子设备还可包括附加有机层，附加有机层设置在第一有机层与第二有机层之间并且包括与第一检测绝缘层相同的材料。连接布线可包括设置在第一有机层与附加有机层之间的第一布线以及设置在附加有机层与第二有机层之间的第二布线。第二布线可通过穿透附加有机层的接触孔连接到第一布线。
在实施方式中，第一布线可包括与第一检测电极相同的材料，并且第二布线包括与第二检测电极相同的材料。
在本发明构思的实施方式中，制造电子设备的方法包括：通过沉积过程形成初始显示单元，初始显示单元包括基底衬底、薄膜晶体管、有机发光器件、密封层和多个绝缘层，基底衬底包括能够围绕沿一个方向延伸的弯曲轴线弯曲的可弯曲区域和与可弯曲区域邻近的不可弯曲区域，薄膜晶体管位于基底衬底上，有机发光器件连接到薄膜晶体管，密封层覆盖有机发光器件；通过去除绝缘层中的一些的一部分以暴露基底衬底的与可弯曲区域重叠的一部分来形成凹槽；通过在密封层上形成第一导电层并且然后图案化第一导电层来形成第一检测电极；形成覆盖第一检测电极、基底衬底的所暴露的部分和凹槽的初始有机层；通过图案化初始有机层来形成覆盖第一检测电极的第一检测绝缘层和覆盖凹槽和基底衬底的所暴露的部分的第一有机层；通过在第一检测绝缘层上和可弯曲区域中形成第二导电层并图案化第二导电层来形成第二检测电极和连接布线；以及形成覆盖第二检测电极和连接布线的第二有机层。
附图说明
图1A是根据本发明构思的实施方式的电子设备的组装立体图。
图1B是图1A中所示的电子设备的分解立体图。
图2A是根据本发明构思的实施方式的显示单元的平面图。
图2B是根据本发明构思的实施方式的输入感测单元的平面图。
图3是图1A中所示的电子设备的剖视图。
图4是图1A中所示的电子设备的框图。
图5是可弯曲区域和不可弯曲区域的一部分的剖视图。
图6是根据本发明构思的实施方式的电子设备的一部分的剖视图。
图7是根据本发明构思的实施方式的电子设备的一部分的剖视图。
图8是根据本发明构思的实施方式的电子设备的一部分的剖视图。
图9A至图9E是示出根据本发明构思的实施方式的制造电子设备的方法的剖视图。
具体实施方式
在本说明书中，当提及部件被称为“在”另一部件“上”，“连接到”或“组合到”另一部件时，这意指该部件可以直接在该另一部件上，直接连接到或组合到另一部件，或者它们之间可以存在第三部件。
相同的附图标记可以指代相同的元件。另外，在附图中，为了有效说明，可能夸大部件的厚度、比例和尺寸。
图1A是根据本发明构思的实施方式的电子设备的组装立体图。图1B是图1A中所示的电子设备的分解立体图。图2A是根据本发明构思的实施方式的显示单元的平面图。图2B是根据本发明构思的实施方式的输入感测单元的平面图。图3是图1A中所示的电子设备的剖视图。图4是图1A中所示的电子设备的框图。在下文中，将参考图1A至图4描述根据本发明构思的实施方式的电子设备。
电子设备ED是响应于电信号而激活的设备。电子设备ED包括各种实施方式。例如，电子设备ED可以是平板电脑、笔记本电脑、计算机、智能电视等。在实施方式中，智能电话作为电子设备ED的示例示出。
参照图1A和图1B，根据实施方式，其上显示图像IM的显示表面与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行。显示表面包括有效区域AA和与有效区域AA邻近的边框区域BZA。
根据实施方式，有效区域AA显示图像IM。互联网搜索窗口作为图1A中的图像IM的示例示出。有效区域AA具有矩形形状。然而，这以示例的方式示出，并且有效区域AA可以具有各种其它形状，并且不限于任何一个实施方式。
根据实施方式，边框区域BZA与有效区域AA邻近。边框区域BZA围绕有效区域AA。然而，这以示例的方式示出，并且边框区域BZA可以设置成与有效区域AA的仅一侧、两侧或三侧邻近，或者可以省略边框区域BZA。根据本发明构思的实施方式的电子设备ED可以根据各种实施方式来实现，并且不限于任何一个实施方式。
根据实施方式，显示表面的法线方向对应于电子设备ED的厚度方向DR3(在下文中，称为第三方向)。在本实施方式中，每个构件的前表面或上表面以及后表面或下表面是参考显示图像IM的方向来定义的。前表面和后表面在第三方向DR3上彼此相对。
此外，根据实施方式，在其它实施方式中，由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以变换为其它方向。
根据实施方式，电子设备ED包括窗构件WM、防反射构件OP、显示模块DM、保护构件PF、电子模块EM、电源模块PM和外壳EDC。图1A和图1B中示出了电子设备ED的示例性配置。
根据实施方式，窗构件WM包括基底构件BS和边框层BZL。窗构件WM提供电子设备ED的前表面。设置有边框层BZL的区域被称为边框区域BZA。在本实施方式中，虽然窗构件WM被示出为在有效区域AA中是平坦的，但是这是示例，并且窗构件WM的形状可以被修改。例如，窗构件WM可以在有效区域AA中包括至少一个弯曲表面。
根据实施方式，基底构件BS可以包括玻璃衬底、蓝宝石衬底、塑料膜等。基底构件BS可以是多层的或具有单层结构。例如，基底构件BS包括用粘合剂粘接在一起的多个塑料膜。基底构件BS包括玻璃衬底和用粘合剂粘接到玻璃衬底的塑料膜。
根据实施方式，边框层BZL设置在基底构件BS的后表面上。边框层BZL可以具有单层或多层结构。多层的边框层BZL包括改善粘附性的缓冲层、提供预定图案的图案层和消色差层。边框层BZL可以通过气相沉积、印刷、涂覆等形成。另一方面，这是示例，并且根据本发明构思的实施方式，可以在窗构件WM中省略边框层BZL。
根据实施方式，窗构件WM还包括设置在基底构件BS的前表面处的功能涂层。功能涂层可包括防指纹层、防反射层或硬涂层。
根据实施方式，防反射构件OP包括偏振膜或相位延迟膜。偏振膜和相位延迟膜是常规的拉伸型膜。另外，还包括设置在防反射构件OP与显示模块DM之间的粘合构件。替代地，根据本发明构思的实施方式，可以在电子设备ED中省略防反射构件OP。
根据实施方式，显示模块DM在窗构件WM中创建图像IM。此外，显示模块DM可以检测外部输入，例如用户的触摸。外部输入可以是由电子设备ED接收的各种类型的输入中的一种。外部施加的输入可以具有各种形式。例如，外部输入可以靠近电子设备ED施加或与电子设备ED间隔预定距离施加，例如，悬停以及来自身体的一部分(例如用户的手)的接触。此外，外部施加的输入可以具有各种形式，例如力、压力或光，并且不限于任何一个实施方式。显示模块DM通过柔性电路板电连接至电子模块EM。
根据实施方式，显示模块DM包括显示单元DU、输入感测单元SU和驱动控制单元DCM。图1B示出了处于展开状态中的显示模块DM。
为了便于说明，图2A示出了与输入感测单元SU分开的显示单元DU。
根据实施方式，显示单元DU包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示单元DU在显示区域DA中生成并显示图像IM。显示区域DA与有效区域AA重叠。邻近显示区域DA的非显示区域NDA与边框区域BZA重叠。
根据实施方式，显示单元DU接收电信号并在显示区域DA中显示图像IM。显示单元DU可以具有各种形式。例如，显示单元DU可以是有机发光显示面板、电泳显示面板，电润湿显示面板或液晶显示面板。在实施方式中，显示单元DU是有机发光显示面板。
根据实施方式，显示单元DU包括多条信号线GL、DL和PL、多个像素PX和多个焊盘(在下文中，称为第一焊盘PD1和第二焊盘PD2)。显示单元DU还包括可弯曲区域BR和不可弯曲区域NBR。显示单元DU是柔性的以便能够弯曲。
根据实施方式，信号线GL、DL和PL包括栅极线GL、数据线DL和电力线PL。栅极线GL、数据线DL和电力线PL各自传输不同的电信号。
根据实施方式，栅极线GL沿第二方向DR2延伸。虽然沿着第一方向DR1设置有多条栅极线GL，并且多条栅极线GL沿着第一方向DR1彼此间隔开，但是为了易于说明，示出了单条栅极线GL。
此外，根据实施方式，显示单元DU还可包括向栅极线GL提供电信号的栅极驱动电路。替代地，显示单元DU还包括电连接至外部设置的栅极驱动电路的栅极焊盘。
根据实施方式，数据线DL沿第一方向DR1延伸。数据线DL与栅极线GL电绝缘。虽然沿第二方向DR2设置有多条数据线DL并且多条数据线DL沿第二方向DR2彼此间隔开，但是为了易于说明，示出了单条数据线DL。数据线DL将数据信号传输至像素PX。
根据实施方式，电力线PL沿第一方向DR1延伸。电力线PL与栅极线GL和数据线DL电绝缘。虽然沿第二方向DR2设置有多条电力线PL并且多条电力线PL沿第二方向DR2彼此间隔开，但是为了易于说明，示出了单条电力线PL。电力线PL向像素PX提供电力信号(在下文中，称为第一电力信号)。
根据实施方式，像素PX设置在显示区域DA中。虽然多个像素PX以沿着第一方向DR1和第二方向DR2的矩阵形式设置并布置在显示区域DA中，但是为了易于说明，示出了单个像素PX。像素PX通过基于电信号显示光来显示图像IM。
根据实施方式，像素PX包括第一薄膜晶体管TR1、第二薄膜晶体管TR2、电容器CP和有机发光元件OL。第一薄膜晶体管TR1、第二薄膜晶体管TR2、电容器CP和有机发光元件OL是电连接的。
根据实施方式，第一薄膜晶体管TR1是控制像素PX的开启和关断的开关元件。第一薄膜晶体管TR1连接至栅极线GL和数据线DL。第一薄膜晶体管TR1通过从栅极线GL接收的栅极信号而导通，并将从数据线DL接收的数据信号传输到电容器CP。
根据实施方式，电容器CP充入与从电力线PL提供的第一电力信号与从第一薄膜晶体管TR1提供的信号之间的电势差对应的电压。第二薄膜晶体管TR2对应于电容器CP中充入的电压而向有机发光元件OL提供从电力线PL接收的第一电力信号。
根据实施方式，有机发光元件OL根据电信号产生光或控制光量。有机发光元件OL可包括有机发光元件、量子点发光元件、电泳元件或电润湿元件。
根据实施方式，有机发光元件OL连接到电源端子并接收与第一电力信号不同的第二电力信号。与从第二薄膜晶体管TR2接收的电信号和第二电力信号之间的差对应的驱动电流流过有机发光元件OL，并且有机发光元件OL产生与驱动电流对应的光。
然而，这以示例的方式示出，并且像素PX可以包括具有不同配置和布置的其它电子部件，并且不限于任何一个实施方式。
根据实施方式，第一焊盘PD1和第二焊盘PD2设置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA中设置有第一焊盘PD1和第二焊盘PD2的区域被称为焊盘区域PA。焊盘区域PA是驱动控制单元DCM的一部分所联接到的区域。驱动控制单元DCM通过设置在焊盘区域PA中的第一焊盘PD1电连接到显示单元DU，并通过第二焊盘PD2电连接到输入感测单元SU。下面将描述第二焊盘PD2与输入感测单元SU之间的连接关系。
根据实施方式，第一焊盘PD1包括数据焊盘和电力焊盘。数据焊盘连接到数据线DL。数据线DL从显示区域DA延伸并连接到数据焊盘。数据线DL从数据焊盘接收数据信号。
参照图2B，根据本发明构思的实施方式的输入感测单元SU直接设置在显示单元DU上。输入感测单元SU包括设置在平面上的多个第一检测电极TE1、多个第二检测电极TE2、多条第一信号线SL1以及多条第二信号线SL2。输入感测单元SU包括检测外部输入的检测区域SA和与检测区域SA邻近的非检测区域NSA。检测区域SA与有效区域AA重叠。非检测区域NSA与边框区域BZA重叠。
根据实施方式，第一检测电极TE1沿第一方向DR1延伸。多个第一检测电极TE1沿第二方向DR2布置。第一检测电极TE1包括沿第一方向DR1布置的多个第一传感器图案SP1和设置在第一传感器图案SP1之间的、连接相邻的第一传感器图案SP1的第一连接图案BP1。
根据实施方式，第二检测电极TE2与第一检测电极TE1绝缘。第二检测电极TE2沿第二方向DR2延伸。多个第二检测电极TE2沿第一方向DR1布置。第二检测电极TE2包括沿第二方向DR2布置的多个第二传感器图案SP2和设置在第二传感器图案SP2之间的、连接相邻的第二传感器图案SP2的第二连接图案BP2。
根据实施方式，输入感测单元SU通过检测第一检测电极TE1与第二检测电极TE2之间的互电容的变化，或者通过检测第一检测电极TE1和第二检测电极TE2中的每一个的自电容的变化来检测外部输入。根据本发明构思的实施方式的输入感测单元SU可以以各种方式检测外部输入，并且不限于任何一个实施方式。
根据实施方式，第一信号线SL1连接到第一检测电极TE1。第一信号线SL1设置在非检测区域NSA中，并且从外部不可见。第二信号线SL2连接到第二检测电极TE2。第二信号线SL2设置在非检测区域NSA中并且从外部不可见。
另外，在该实施方式中，一个第一检测电极TE1连接到两条第一信号线SL1。第一信号线SL1连接到第一检测电极TE1的两端，并且连接到一个第一检测电极TE1的相对端的第一信号线SL1分别连接到分开且独立的焊盘。因此，即使第一检测电极TE1相比于第二检测电极TE2来说相对较长，电信号也可以均匀地施加到整个区域。因此，无论形状如何，输入感测单元SU都可以为整个检测区域SA提供均匀的外部输入检测环境。
然而，这是示例。第二检测电极TE2也可以连接到两条第二信号线SL2，或者第一检测电极TE1和第二检测电极TE2中的每一个可以仅连接到一条信号线。根据本发明构思的实施方式的输入感测单元SU可以以各种方式驱动，并且不限于任何一个实施方式。
根据实施方式，第一信号线SL1和第二信号线SL2连接到设置在焊盘区域PA中的第二焊盘PD2。
再次参照图1B，根据实施方式，驱动控制单元DCM包括主电路板MCB(在下文中，称为第一电路板)以及连接第一电路板MCB和显示单元DU的柔性电路板FCB(在下文中，称为第二电路板)。
根据实施方式，第一电路板MCB还包括安装在其上的多个电子部件。电子部件通过电路布线电连接。第一电路板MCB电连接到第二电路板FCB、显示单元DU和输入感测单元SU。
此外，根据实施方式，第一电路板MCB还包括覆盖电子部件的保护帽。保护帽是金属保护盖，并通过焊接联接到第一电路板MCB。第一电路板MCB通过连接器电连接到电子模块EM的主板。
根据实施方式，第二电路板FCB包括柔性膜和布置在柔性膜中的多条电路布线。电路布线将第一电路板MCB电连接到显示单元DU，并将第一电路板MCB电连接到输入感测单元SU。第二电路板FCB的一侧设置为与位于显示单元DU的可弯曲区域BR中的焊盘区域PA重叠。暴露在第二电路板FCB的后表面上的焊盘与第一焊盘PD1对应地连接。
根据实施方式，第二电路板FCB还包括设置在其上的驱动元件。驱动元件连接到第二电路板FCB的电路布线的至少一部分，并且电连接到显示单元DU。驱动元件可以向显示单元DU传输各种驱动信号或从显示单元DU接收各种驱动信号。驱动元件是以膜上芯片(COF)的形式安装在第二电路板FCB上的芯片。驱动元件包括驱动像素PX的驱动元件。
根据实施方式，保护构件PF设置在显示模块DM下方。保护构件PF包括协助驱动显示模块DM的功能层。例如，保护构件PF包括支承层、冲击吸收层、散热层和光阻挡层中的至少一个。保护构件PF支承弯曲配置，以在显示模块DM弯曲时减轻压力。
在图3中，根据实施方式，为了便于说明，省略了电子模块EM、电源模块PM和外壳EDC。如图3中所示，显示单元DU的一部分以弯曲状态组装。显示单元DU在可弯曲区域BR中相对于弯曲轴线FX以预定的曲率半径弯曲。根据实施方式的弯曲轴线FX在第一方向DR1上延伸。
在根据本发明构思的实施方式的电子设备ED中，窗构件WM和防反射构件OP通过第一粘合层AM1组合。防反射构件OP和显示模块DM通过第二粘合层AM2联接，并且显示模块DM和保护构件PF通过第三粘合层AM3联接。显示单元DU的后表面和可弯曲的驱动控制单元DCM的后表面联接到设置在保护构件PF的后表面上的第四粘合层AM4。粘合层AM1、AM2、AM3和AM4包括粘合剂材料。例如，粘合层可以是压敏粘合剂(PSA)、光学透明粘合剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)。此外，它可包括光固化粘合剂材料或热固性粘合剂材料，并且其材料不受特别限制。
根据实施方式，电子设备ED还包括设置在可弯曲区域BR中的应力消除构件。应力消除构件设置在显示单元DU的宽度减小的可弯曲区域BR中。应力消除构件包括高延展性有机材料。例如，应力消除构件包括合成树脂。例如，应力消除构件包括丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、聚氨酯丙烯酸酯(UA)、聚氨酯(PU)、聚乙烯(PE)、乙烯乙酸乙烯(EVA)和聚氯乙烯(PVC)中的至少一种。
根据实施方式，保护构件PF包括第一保护层PF1(在下文中，称为支承层)、第二保护层PF2(在下文中，称为冲击吸收层)和设置在支承层PF1与冲击吸收层PF2之间的第三保护层PF3(在下文中，称为光阻挡层)。可以省略支承层PF1、冲击吸收层PF2和光阻挡层PF3中的至少一个。替代地，可以改变沿第三方向DR3的堆叠顺序，并且堆叠顺序不限于任何一个实施方式。
根据实施方式，支承层PF1包括塑料膜，塑料膜包括从诸如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯腈(PAN)、苯乙烯-丙烯腈共聚物(SAN)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的热塑性树脂和它们的组合中选择的一种。具体地，支承层PF1通过使用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)而具有优异的疲劳强度、优异的电特性和优异的耐热性，并且不受温度和湿度的影响。
根据实施方式，冲击吸收层PF2是合成泡沫形式。冲击吸收层PF2是包含多个空隙的基质层。基质层包括合成树脂。例如，合成树脂包括丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、聚氨酯(PU)、聚乙烯(PE)、乙烯乙酸乙烯(EVA)和聚氯乙烯(PVC)中的至少一种。多个空隙提供容易吸收由电子设备ED接收的外部冲击的多孔结构。
根据实施方式，光阻挡层PF3可以处理通过有效区域AA设置在显示模块DM的后表面上的配置的影响。因此，从显示模块DM向后表面发射的光被屏蔽。
根据实施方式，保护构件PF还包括散热层。散热层有效地使由显示模块DM产生的热量消散。散热层包括均具有良好的散热性质的石墨、铜(Cu)和铝(Al)中的至少一种，但不限于此。散热层不仅改善了显示模块DM的散热，而且还可以屏蔽和吸收电磁场。
根据本发明构思的实施方式的电子设备ED包括设置在显示模块DM下方的保护构件PF，从而改善抗冲击性并改善光屏蔽效果。此外，电子设备ED具有改善的可见性和针对使用期间产生的外部冲击或应力的改善的可靠性。
根据实施方式，电子模块EM包括主板和安装在主板上的、操作电子设备ED的各种功能模块。主板通过连接器电连接到显示模块DM。此处，主板包括刚性印刷电路板。
如图4中所示，根据实施方式，电子设备ED包括电子模块EM、电源模块PM和显示设备DD。电子模块EM包括控制模块10、无线通信模块20、图像输入模块30、声音输入模块40、声音输出模块50、存储器60、外部接口70、发光模块80、光接收模块90、相机模块100等。模块中的一些没有安装在主板上，但可以通过柔性电路板电连接到主板。显示设备DD包括显示面板DP和输入感测单元SU。
根据实施方式，控制模块10控制电子设备ED的整体操作。控制模块10是微处理器。例如，控制模块10可以激活或停用显示单元DU。控制模块10基于从输入感测单元SU接收的触摸信号控制图像输入模块30、声音输入模块40、声音输出模块50等。
根据实施方式，无线通信模块20使用蓝牙或Wi-Fi向另一终端传输无线信号/从另一终端接收无线信号。无线通信模块20可以使用通用通信线路传输/接收语音信号。无线通信模块20包括传输单元24和接收单元22，传输单元24调制和传输要传输的信号，接收单元22解调所接收的信号。
根据实施方式，图像输入模块30处理图像信号并将其转换为可以在显示设备DD上显示的图像数据。声音输入模块40在记录模式、语音识别模式等中通过麦克风接收外部声音信号，并将其转换为电语音数据。声音输出模块50将从无线通信模块20接收的声音数据或存储在存储器60中的声音数据转换成声音并输出该声音。
根据实施方式，外部接口70用作外部充电器的接口、有线/无线数据端口或诸如存储卡或SIM/UIM卡的卡槽。
根据实施方式，发光模块80产生并输出光。发光模块80输出红外光。发光模块80包括LED元件。光接收模块90检测红外光。当检测到预定频率或更高频率的红外光时，光接收模块90被激活。光接收模块90包括CMOS传感器。在输出由发光模块80产生的红外光之后，红外光被诸如用户手指或脸部的外部对象反射，并且反射的红外光入射在光接收模块90上。相机模块100捕获外部图像。
根据实施方式，电源模块PM提供电子设备ED的整体操作所需的电力。电源模块PM包括传统的电池模块。
根据实施方式，外壳EDC联接到窗构件WM。外壳EDC与窗构件WM一起提供电子设备ED的外表面。虽然示出了由单个主体组成的外壳EDC，但外壳EDC可包括彼此组装的多个主体。外壳EDC可包括由玻璃、塑料或金属制成的多个框和/或板。
图5是根据实施方式的可弯曲区域的一部分和不可弯曲区域的一部分的剖视图。图5示出了不可弯曲区域NBR和可弯曲区域BR所连接的局部区域。为了便于说明，可弯曲区域BR以相对减小的尺寸示出。
根据实施方式，图5是其中为了易于示出显示单元DU和输入感测单元SU联接的电子设备ED的剖视图，并且省略了配置中的一部分。此外，相同的附图标记表示图1A至图2B中的相同的元件，并且省略了重复的描述。
根据实施方式，显示单元DU包括设置在基底衬底BL上的电路元件层CL、显示元件层EDL和密封层ECL。显示单元DU的可弯曲区域BR中设置有凹槽GB、连接布线TLB、第一有机层SI和第二有机层SO。
根据实施方式，基底衬底BL是其上布置有显示单元DU的结构的基底层。基底衬底BL是延展性的。基底衬底BL包括合成树脂膜。合成树脂层包括热固性树脂。具体地，合成树脂层是基于聚酰亚胺的树脂层，虽然合成树脂层的材料并不受特别限制。合成树脂层包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、基于硅氧烷的树脂、基于聚酰胺的树脂和二萘嵌苯树脂中的至少一种。另外，基底衬底BL可包括玻璃衬底、金属衬底或有机/无机复合衬底。
根据实施方式，电路元件层CL包括薄膜晶体管TR1和TR2、连接图案SL和多个绝缘层BRL、BFL、IL1、IL2、IL3和IL4。显示元件层EDL包括有机发光元件OL和像素限定层PDL。
根据实施方式，电路元件层CL设置在基底衬底BL上。电路元件层CL包括驱动电路和多个绝缘层BRL、BFL、IL1、IL2、IL3和IL4。具体地，电路元件层CL包括第一薄膜晶体管TR1、第二薄膜晶体管TR2、阻挡层BRL、缓冲层BFL以及第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4。
根据实施方式，阻挡层BRL覆盖基底衬底BL的上表面。阻挡层BRL防止通过基底衬底BL引入的外界物质穿透到电路元件层CL和显示元件层EDL中。阻挡层BRL包括硅氧化物(SiO2)和硅氮化物(SiNX)中的至少一种。
根据实施方式，缓冲层BFL设置在阻挡层BRL上。缓冲层BFL改善基底衬底BL与导电图案或半导体图案之间的联接强度。相比于直接形成在基底衬底BL的上表面上，导电图案和半导体图案可以更稳定地形成在缓冲层BFL上。缓冲层BFL包括有机材料和无机材料中的一种。缓冲层BFL包括硅氧化物(SiO2)和硅氮化物(SiNX)中的至少一种。在一些实施方式中，可以省略缓冲层BFL和阻挡层BRL中的至少一个。
根据实施方式，第二薄膜晶体管TR2包括半导体层AL、控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE。半导体层AL包括半导体材料。
根据实施方式，半导体层AL设置在缓冲层BFL上。半导体层AL包括晶体半导体材料、氧化物半导体材料和非晶半导体材料中的至少一种。例如，半导体层AL包括多晶半导体材料，诸如多晶硅。半导体层AL被划分成包括杂质的输出区域、包括杂质的输入区域及设置在输入区域与输出区域之间的沟道区域。
根据实施方式，控制电极CE设置在第二绝缘层IL2与第一绝缘层IL1之间。控制电极CE与半导体层AL间隔开，且第一绝缘层IL1位于控制电极CE与半导体层AL之间。输入电极IE和输出电极OE中的每一个设置在第三绝缘层IL3与第四绝缘层IL4之间，并且输入电极IE和输出电极OE中的每一个穿过第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3连接到半导体层AL。
根据实施方式，第四绝缘层IL4覆盖输入电极IE和输出电极OE并提供平坦表面。第四绝缘层IL4包括有机材料。
在实施方式中，显示单元DU还包括设置在第二绝缘层IL2与第三绝缘层IL3之间的上电极UE。上电极UE与控制电极CE间隔开，且第二绝缘层IL2位于上电极UE与控制电极CE之间。上电极UE根据所施加的电信号以各种配置起作用。例如，可以为上电极UE提供与控制电极CE相同的电信号。
根据实施方式，第二薄膜晶体管TR2具有包括上电极UE和控制电极CE的双栅极结构。另外，可以为上电极UE提供与控制电极CE不同的电信号。上电极UE和控制电极CE可以用作形成预定电场的电容器。然而，根据本发明构思的其它实施方式，可以省略上电极UE。
在实施方式中，有机发光元件OL设置在电路元件层CL上。有机发光元件OL包括第一电极E1、发光层EL和第二电极E2。第一电极E1连接到第二薄膜晶体管TR2并从第二薄膜晶体管TR2接收电信号。第二电极E2连接到电力端子。发光层EL由像素限定层PDL中的开口暴露。发光层EL发射与第一电极E1和第二电极E2之间的电势差对应的光。
根据实施方式，密封层ECL包括第一无机层IOL1、第二无机层IOL2和有机层LL。第一无机层IOL1覆盖有机发光元件OL。有机层LL设置在第一无机层IOL1与第二无机层IOL2之间。有机层LL为第二无机层IOL2提供平坦的上表面。第二无机层IOL2覆盖有机层LL。第一无机层IOL1的至少一部分由有机层LL暴露并直接接触第二无机层IOL2。
根据实施方式，输入感测单元SU直接设置在密封层ECL上。即，输入感测单元SU通过沉积或图案化形成在密封层ECL的上表面上。然而，这以示例的方式示出，并且电子设备ED还可包括其它构件，诸如插置在输入感测单元SU与密封层ECL之间的滤色器或缓冲层。输入感测单元SU包括检测图案SS、第一检测绝缘层TI和第二检测绝缘层TO。
根据本发明构思的实施方式，检测图案SS和第一检测绝缘层TI设置在密封层ECL上。第二检测绝缘层TO设置在第一检测绝缘层TI上。检测图案SS包括第一检测图案TL1和第二检测图案TL2。第一检测图案TL1设置在密封层ECL与第一检测绝缘层TI之间。第二检测图案TL2设置在第一检测绝缘层TI上和第二检测绝缘层TO下。在实施方式中，第一检测图案TL1被示出为连接到第二检测图案TL2的桥接图案，但是本发明构思的实施方式不限于此。
根据实施方式，检测图案TL1和TL2是由图2B中所示的检测电极TE1和TE2形成的网格线的一部分。
根据实施方式，检测图案TL1和TL2包括金属、导电聚合物、金属纳米线和石墨烯中的至少一种。替代地，检测图案TL1和TL2包括透明导电氧化物(TCO)。例如，检测图案TL1和TL2包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、碳纳米管(CNT)和石墨烯中的至少一种。第一检测绝缘层TI和第二检测绝缘层TO包括有机材料。
根据实施方式，凹槽GB形成在显示单元DU中的绝缘层BRL、BFL、IL1、IL2、IL3和IL4的一些中。凹槽GB通过去除与可弯曲区域BR重叠的所述绝缘层中的每一个的一部分而形成，并暴露基底衬底BL的一部分。
根据实施方式，凹槽GB包括通过去除阻挡层BRL、缓冲层BFL以及第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3中的每一个的一部分而暴露的表面。
根据实施方式，第一有机层SI、连接布线TLB和第二有机层SO设置在可弯曲区域BR中。连接布线TLB设置在第一有机层SI与第二有机层SO之间。
根据实施方式，第一有机层SI覆盖凹槽GB和基底衬底BL的暴露部分。第一有机层SI包括有机材料。第一有机层SI包括与第一检测绝缘层TI相同的材料。因此，第一有机层SI和第一检测绝缘层TI可以通过相同的过程形成。
根据实施方式，通过在可弯曲区域BR中形成凹槽GB并用具有高柔性的第一有机层SI填充凹槽GB，可以减缓可弯曲区域BR上的弯曲应力并且可以改善电子设备ED的可靠性。
在实施方式中，连接图案SL设置在第一绝缘层IL1上。连接图案SL包括第一图案SL-R、第二图案SL-S、第三图案SL-D和第四图案SL-O。
根据实施方式，在不可弯曲区域NBR中，连接图案SL连接到信号线和连接布线TLB中的至少一条。
例如，根据实施方式，连接图案SL的第一图案SL-R连接到与像素PX连接的信号线中的任意一条。第一图案SL-R还通过桥接图案CNP连接到另一层上的信号线。
根据实施方式，在不可弯曲区域NBR中，第二图案SL-S连接到从输入感测单元SU中的至少一条信号线分支的输入检测布线SL-T。
根据实施方式，第三图案SL-D连接到图2A中所示的数据线DL。
根据实施方式，连接图案SL中的至少一个连接到连接布线TLB。连接图案SL通过连接布线TLB连接到焊盘PD1和PD2，以接收电信号。
在实施方式中，第三图案SL-D和连接布线TLB连接。因此，数据线DL通过连接到连接布线TLB的第一焊盘PD1连接到驱动控制单元DCM。因此，像素PX可接收从驱动控制单元DCM接收的数据信号。然而，实施方式不限于此，并且连接布线TLB可连接到第一图案SL-R和第二图案SL-S，并且由此接收从驱动控制单元DCM传输的数据信号。
根据实施方式，连接布线TLB与可弯曲区域BR的至少一部分重叠。连接布线TLB设置在第一有机层SI上。连接布线TLB的一端连接到不可弯曲区域NBR中的第三图案SL-D，并且连接布线TLB的另一端连接到设置在可弯曲区域BR中的第四图案SL-O。第四图案SL-O连接到与驱动控制单元DCM连接的焊盘PD1和PD2。因此，显示单元DU和输入感测单元SU通过与可弯曲区域BR重叠的连接布线TLB电连接到驱动控制单元DCM。
根据实施方式，连接布线TLB包括与第一检测图案TL1和第二检测图案TL2相同的材料。因此，连接布线TLB与第一检测图案TL1和第二检测图案TL2可通过相同的过程形成。
根据实施方式，第二有机层SO覆盖连接布线TLB。第二有机层SO包括与第二检测绝缘层TO相同的材料。因此，第二有机层SO和第二检测绝缘层TO可以通过相同的过程形成。虽然为了便于示出，图5示出了位于可弯曲区域BR和不可弯曲区域NBR中的第二有机层SO，但在其它实施方式中，第二有机层SO可具有从第二检测绝缘层TO延伸的基本上均匀的形状。
在根据本发明构思的实施方式的电子设备ED中，设置在可弯曲区域BR中的凹槽GB中的配置可以与输入感测单元SU的配置以相同的过程同时形成为具有相同的材料。因此，可以降低电子设备制造过程的成本和时间。
图6是根据本发明构思的实施方式的电子设备的一部分的剖视图。图7是根据本发明构思的实施方式的电子设备的一部分的剖视图。图8是根据本发明构思的实施方式的电子设备的一部分的剖视图。相同的附图标记表示图1A至图5中的相同的元件，并且省略了重复的描述。
参照图6，根据实施方式，与图5的第一有机层SI不同，第一有机层IL-A包括与电路元件层CL中的绝缘层IL1、IL2、IL3和IL4中的至少一个相同的材料。例如，第一有机层IL-A包括与覆盖输入电极IE和输出电极OE的第四绝缘层IL4相同的材料。因此，第一有机层IL-A和第四绝缘层IL4可通过相同的过程形成。
根据实施方式，电子设备ED还包括设置在第一有机层IL-A与第二有机层SO-A之间的附加有机层SI-A。第二有机层SO-A包括与第二检测绝缘层TO相同的材料。附加有机层SI-A包括与第一检测绝缘层TI相同的材料。因此，附加有机层SI-A和第一检测绝缘层TI可以通过相同的过程形成。
根据实施方式，连接布线TLB-A设置在第一有机层IL-A上。连接布线TLB-A包括第一布线TB1和第二布线TB2。
根据实施方式，第一布线TB1设置在第一有机层IL-A与附加有机层SI-A之间。第二布线TB2设置在附加有机层SI-A与第二有机层SO-A之间。第二布线TB2穿透附加有机层SI-A并通过接触孔CH连接到第一布线TB1。
根据实施方式，第一布线TB1通过与第一检测图案TL1相同的过程形成，并且第二布线TB2通过与第二检测图案TL2相同的过程形成。
根据实施方式，设置在可弯曲区域BR中的连接布线TLB-A包括设置在不同层上并且彼此连接的布线TB1和TB2，使得可以减小连接布线TLB-A与电连接配置之间的接触电阻，并且可以改善电连接的可靠性。
参照图7，根据实施方式，与图6不同，单层的连接布线TLB-B设置在第一有机层IL-B上。连接布线TLB-B上设置有附加有机层SI-B，并且附加有机层SI-B上设置有第二有机层SO-B。连接布线TLB-B可以通过与第二检测图案TL2相同的过程形成。
参照图8，根据实施方式，输入感测单元SU连接到连接布线TLB-C。输入感测单元SU通过输入检测布线SL-T连接到连接布线TLB-C。与图5中所示的输入检测布线SL-T不同，图8中所示的输入检测布线SL-T延伸到不可弯曲区域NBR，以与连接布线TLB-C一体地形成。
根据实施方式，输入感测单元SU通过连接布线TLB-C连接到第二焊盘PD2。由于第二焊盘PD2连接到驱动控制单元DCM，因此驱动控制单元DCM可以通过单个焊盘区域PA控制显示单元DU和输入感测单元SU。
因此，在实施方式中，省略了用于在输入感测单元SU上形成焊盘的单独空间，并且由于感测范围加宽，因此可以提供具有改善的感测功能的输入感测单元SU。
图9A至图9E是示出根据本发明构思的实施方式的制造电子设备的方法的剖视图。相同的附图标记可以指代图1A至图5中的相同的元件，并且省略了重复的描述。在下文中，将参考图9A至图9E描述根据本发明构思的实施方式的电子设备制造方法。
参照图9A，根据实施方式，电子设备制造方法包括提供初始显示单元。形成初始显示单元包括通过在基底衬底BL的不可弯曲区域NBR上沉积、涂覆或印刷无机材料来形成阻挡层BRL和缓冲层BFL。此后，在缓冲层BFL上形成半导体层AL。然后，通过沉积、涂覆或印刷形成覆盖半导体层AL的第一绝缘层IL1。设置在第一绝缘层IL1上的绝缘层也通过沉积、涂覆或印刷形成。
然后，根据实施方式，在第一绝缘层IL1上形成控制电极CE和连接图案SL。控制电极CE和连接图案SL通过在第一绝缘层IL1上形成导电层并且然后图案化导电层而形成。此后，使用控制电极CE作为掩模对半导体层AL进行掺杂。半导体层AL的与控制电极CE重叠的区域(即，沟道区域)是未掺杂的，并且沟道区域的两个侧区域(即，输入区域和输出区域)是掺杂的。在实施方式中，通过使用n型掺杂剂(即，五价元素)来执行掺杂。然后，在第一绝缘层IL1的不可弯曲区域NBR上和可弯曲区域BR上形成第二绝缘层IL2以覆盖控制电极CE。在第二绝缘层IL2上形成上电极UE。然后，在第二绝缘层IL2的不可弯曲区域NBR上和可弯曲区域BR上形成覆盖上电极UE的第三绝缘层IL3。
根据实施方式，在第三绝缘层IL3上形成输入电极IE、输出电极OE和桥接图案CNP。输入电极IE、输出电极OE和桥接图案CNP通过在第三绝缘层IL3上形成导电层并且然后图案化导电层而形成。输入电极IE和输出电极OE通过第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3连接到半导体层AL。桥接图案CNP通过第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3连接到连接图案SL。此后，形成覆盖输入电极IE、输出电极OE和桥接图案CNP的第四绝缘层IL4。
然后，根据实施方式，在第四绝缘层IL4上形成有机发光元件OL。第一电极E1在第四绝缘层IL4上形成为通过穿透第四绝缘层IL4而连接到输出电极OE。此后，在第四绝缘层IL4上形成暴露第一电极E1的中央部分的像素限定层PDL。然后，在像素限定层PDL上依次形成空穴控制层、发光层EL、电子控制层和第二电极E2。发光层EL与第一电极E1的由像素限定层PDL暴露的一部分重叠。
然后，根据实施方式，在第二电极E2上形成密封层ECL。有机层LL以及无机层IOL1和IOL2通过沉积和喷墨印刷过程等形成。密封层ECL形成在不可弯曲区域NBR中而不是形成在可弯曲区域BR中。
此后，参考图9B，根据实施方式，形成凹槽GB。凹槽GB通过去除阻挡层BRL、缓冲层BFL以及绝缘层IL1、IL2和IL3的一部分以暴露基底衬底BL的位于可弯曲区域BR中一部分而形成。凹槽GB通过使用掩模和蚀刻气体或通过使用激光束而形成。在形成凹槽GB时，在阻挡层BRL和缓冲层BFL与暴露缓冲层BFL的上表面的一部分的绝缘层IL1、IL2和IL3之间形成台阶。
此后，参考图9C，根据实施方式，形成第一检测图案TL1。第一检测图案TL1设置在密封层ECL上。第一检测图案TL1是构成图2B中所示的第一检测电极TE1的第一连接图案BP1的网格线的一部分。第一检测图案TL1通过在密封层ECL上形成导电层并且然后图案化导电层而形成。
然后，根据实施方式，形成初始有机层ATI。初始有机层ATI覆盖设置在不可弯曲区域NBR中的第一检测图案TL1和位于可弯曲区域BR的凹槽GB中的暴露的基底衬底BL。初始有机层ATI包括有机材料。
接下来，参考图9D，根据实施方式，通过图案化初始有机层ATI，形成设置在密封层ECL上的第一检测绝缘层TI和覆盖凹槽GB中的暴露的基底衬底BL的第一有机层SI。
然后，根据实施方式，形成第二检测图案TL2和连接布线TLB。第二检测图案TL2是构成图2B中所示的第一检测电极TE1的第一传感器图案SP1、第二检测电极TE2的第二传感器图案SP2和第二连接图案BP2的网格线的一部分。第二检测图案TL2通过在第一检测绝缘层TI上形成导电层并且然后图案化导电层而形成。连接布线TLB通过在第一有机层SI上形成导电层并且然后图案化导电层而形成。
此后，参考图9E，根据实施方式，形成第二有机层SO和第二检测绝缘层TO。第二检测绝缘层TO覆盖第二检测图案TL2，并且第二有机层SO覆盖连接布线TLB。第二有机层SO和第二检测绝缘层TO包括有机材料。
在根据本发明构思的实施方式的电子设备ED中，设置在可弯曲区域BR中的凹槽GB中的配置可以与输入感测单元SU的配置以相同的过程同时形成为具有相同的材料。因此，可以降低电子设备制造过程的成本和时间，并且可以减少用于在可弯曲区域BR中填充有机材料的掩模的数量。
虽然已经描述了本发明构思的示例性实施方式，但是应当理解，本发明构思的实施方式不应限于所公开的示例性实施方式，而是本领域普通技术人员可以在如所附权利要求所要求保护的本发明的精神和范围内进行各种改变和修改。

Claims (20)

1.电子设备，包括：
基底衬底，包括能够围绕沿一个方向延伸的弯曲轴线弯曲的可弯曲区域和与所述可弯曲区域邻近的不可弯曲区域；
显示单元，设置在所述基底衬底上并包括电路元件层、显示元件层、密封层和凹槽，所述电路元件层包括薄膜晶体管和多个绝缘层，所述显示元件层包括连接到所述薄膜晶体管的有机发光元件，所述密封层覆盖所述显示元件层，所述凹槽在所述可弯曲区域中通过所述绝缘层中的一些形成，所述凹槽暴露所述基底衬底的位于所述可弯曲区域中的一部分；
输入感测单元，设置在所述密封层上并包括第一检测绝缘层、第一检测电极和第二检测电极以及第二检测绝缘层，其中，所述第一检测电极和所述第二检测电极彼此间隔开且所述第一检测绝缘层位于所述第一检测电极与所述第二检测电极之间，所述第二检测绝缘层覆盖所述第一检测绝缘层；
第一有机层，覆盖所述凹槽和所述基底衬底的所暴露的部分；
连接布线，设置在所述第一有机层上并连接到所述显示单元和所述输入感测单元中的至少一个，并且包括与所述第一检测电极和所述第二检测电极中的至少一个相同的材料；以及
第二有机层，覆盖所述连接布线，
其中，所述第一有机层和所述连接布线在所述可弯曲区域中彼此重叠。
2.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一有机层包括与所述第一检测绝缘层相同的材料。
3.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述第二有机层包括与所述第二检测绝缘层相同的材料。
4.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一有机层包括与所述绝缘层中的任何一个相同的材料。
5.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述第二有机层包括与所述第一检测绝缘层相同的材料。
6.如权利要求1所述的电子设备，还包括附加有机层，所述附加有机层设置在所述第一有机层与所述第二有机层之间并且包括与所述第一检测绝缘层相同的材料，
其中，所述第二有机层包括与所述第二检测绝缘层相同的材料。
7.如权利要求6所述的电子设备，其中，所述连接布线包括设置在所述第一有机层与所述附加有机层之间的第一布线以及设置在所述附加有机层与所述第二有机层之间的第二布线，
其中，所述第二布线通过穿透所述附加有机层的接触孔连接到所述第一布线。
8.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述连接布线设置在所述第一有机层与所述第二有机层之间。
9.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述薄膜晶体管包括半导体图案、与所述半导体图案间隔开的控制电极、与所述控制电极间隔开的上电极、连接到所述半导体图案的输入电极以及设置在与所述输入电极相同的层上并连接到所述半导体图案的输出电极，
其中，所述半导体图案包括氧化物半导体图案和硅半导体图案中的至少一种。
10.如权利要求9所述的电子设备，其中，所述绝缘层包括：
至少一个有机层，设置在所述基底衬底与所述半导体图案之间；
第一绝缘层，覆盖所述半导体图案；
第二绝缘层，覆盖所述控制电极和所述第一绝缘层；
第三绝缘层，覆盖所述上电极和所述第二绝缘层；以及
第四绝缘层，覆盖所述第三绝缘层、所述输入电极和所述输出电极，
其中，所述第一有机层包括与所述第四绝缘层相同的材料。
11.如权利要求1所述的电子设备，还包括位于所述可弯曲区域中的焊盘区域，所述焊盘区域包括由与所述可弯曲区域重叠的所述绝缘层中的一些暴露的焊盘，
其中，所述焊盘连接到所述连接布线。
12.如权利要求11所述的电子设备，还包括连接到所述焊盘的电路板。
13.电子设备，包括：
基底衬底，包括能够围绕沿一个方向延伸的弯曲轴线弯曲的可弯曲区域和与所述可弯曲区域邻近的不可弯曲区域；
显示单元，包括设置所述基底衬底上的像素，并且所述像素包括薄膜晶体管、连接到所述薄膜晶体管的有机发光元件以及多个绝缘层；
输入感测单元，设置在所述像素上并包括第一检测绝缘层、第一检测电极和第二检测电极以及第二检测绝缘层，所述第一检测电极和所述第二检测电极彼此间隔开且所述第一检测绝缘层位于所述第一检测电极与所述第二检测电极之间，所述第二检测绝缘层覆盖所述第一检测绝缘层；
凹槽，在所述可弯曲区域中通过所述绝缘层中的一些形成，所述凹槽暴露所述基底衬底的位于所述可弯曲区域中的一部分并沿所述弯曲轴线延伸；
第一有机层，覆盖所述凹槽和所述基底衬底的所暴露的部分；
连接布线，通过所述可弯曲区域连接到所述像素；以及
第二有机层，覆盖所述连接布线，
其中，所述第二有机层包括与所述第二检测绝缘层相同的材料。
14.如权利要求13所述的电子设备，其中，所述连接布线包括与所述第一检测电极和所述第二检测电极中的至少一个相同的材料。
15.如权利要求13所述的电子设备，其中，所述第一有机层包括与所述第一检测绝缘层相同的材料。
16.如权利要求13所述的电子设备，其中，所述连接布线设置在所述第一有机层上。
17.如权利要求13所述的电子设备，其中，所述第一有机层包括与所述绝缘层中的至少一个相同的材料。
18.如权利要求13所述的电子设备，还包括附加有机层，所述附加有机层设置在所述第一有机层与所述第二有机层之间并且包括与所述第一检测绝缘层相同的材料，
其中，所述连接布线包括设置在所述第一有机层与所述附加有机层之间的第一布线以及设置在所述附加有机层与所述第二有机层之间的第二布线，
其中，所述第二布线通过穿透所述附加有机层的接触孔连接到所述第一布线。
19.如权利要求18所述的电子设备，其中，所述第一布线包括与所述第一检测电极相同的材料，并且所述第二布线包括与所述第二检测电极相同的材料。
20.制造电子设备的方法，包括以下步骤：
通过沉积过程形成初始显示单元，所述初始显示单元包括基底衬底、薄膜晶体管、有机发光器件、密封层和多个绝缘层，所述基底衬底包括能够围绕沿一个方向延伸的弯曲轴线弯曲的可弯曲区域和与所述可弯曲区域邻近的不可弯曲区域，所述薄膜晶体管位于所述基底衬底上，所述有机发光器件连接到所述薄膜晶体管，所述密封层覆盖所述有机发光器件；
通过去除所述绝缘层中的一些的一部分以暴露所述基底衬底的位于所述可弯曲区域中的一部分来形成凹槽；
通过在所述密封层上形成第一导电层并图案化所述第一导电层来形成第一检测电极；
形成覆盖所述第一检测电极、所述基底衬底的所暴露的部分和所述凹槽的初始有机层；
通过图案化所述初始有机层来形成覆盖所述第一检测电极的第一检测绝缘层和覆盖所述凹槽和所述基底衬底的所暴露的部分的第一有机层；
通过在所述第一检测绝缘层上和所述可弯曲区域中形成第二导电层并图案化所述第二导电层来形成第二检测电极和连接布线；以及
形成覆盖所述第二检测电极和所述连接布线的第二有机层。
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